TW417108B - Operation control circuits and methods for integrated circuit memory devices - Google Patents

Description

p- 417 10 Β I五、發明說明（υ I 發明領域 丨

j 本發明一般性地與積體電路記憶裝置之操作有關，特別I 是與積體電路記憶裝置之同步操作有關。 I 發明背景 | 隨著積體電路記憶裝置運作複雜度的增加，我們對測試 積體電路記憶裝置的要求，亦將隨之增加。所以，我們已 經研發出一些增加積體電路記憶裝置測試器性能的技術； 這其中包括了可以在製造積體電路記憶裝置的過程—中，同 時測試多個積體電路記憶裝置的這種技術·。- 圖1是以往的操作控制電路的方塊圖。提供一系統時脈 (CLK)給操作在同步模式下的積體電’路記憶裝置。另外再 I提供一時脈致能信號（CK Ε )，以便可以致能或禁能一内部 i |時脈，該内部時脈運作於同步模式。結合·該系統時脈與該 I i時脈致能信號，可以製造出該同步於系統時脈之内部時脈 I (PCLK)。當CKE在肯定狀態時，該内部時脈是致能的，當 i CKE在非肯定狀態時，該内部時脈是禁能的。細部一點的 |說，我們是將該時脈致能經由第一輸入緩衝器1 0，提供給| j内部時脈致能信號產生器14。相類似地，我們也可以將系丨 丨統時脈經由第二輸入缓衝器12，提供給内部時脈產生器 |

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:16 。 --I 圖2是以往的積體電路記憶裝置，其中的輸入缓衝器的 |電路圖。圖1中之第一輸入缓衝器ίο以及第二輸入缓衝器 ! 12，可以照此電路來實現。該輸入緩衝器可以用差動放大i I器來建構，如此一來，該輸入缓衝器就會產生出一個與輸I I ί

C:\Program Files\Patent\54693.ptd 苐 5 頁 ψ 417108 五，發明說明（2) 入反相的輸出信號。譬如，圖1中之第二輸入缓衝器12， 其所提供出的PC LKTTL信號，就與系統時脈上下顛倒。另 外’該輸入缓衝器可以轉換輪入信號的電壓位準。譬如， 該第二輸入缓衝器1 2可以將具有TTL電壓等級的系統時 脈’轉換成具有CMOS電壓等級之PCLKTTL。 圖3是圖1中之内部時脈致能信號產生器丨4的電路圖。該 時脈致能信號產生器14，接收從該第一輸入缓衝器10送出 來之PCKETTL信號，然後產生一同步的pcLK致能信號 (PCKE)。該PCKE信號，是與CLKA信號同步操作的。而該 CLKA信號’則是一個與PCLKTTL同步產生出來的内部時脈 信號。所以，該時脈致能信號產生器1 4，可以創造出一個 有效期達幾個CLKA時間週期的PCKE同步信號。然後，我們 就可以用該同步的PCKE來產生一PCLK同步信號；該同步的 PCLK信號’來作積體電路記憶裝置之同步操作時，會使用 的到。 圖4是以往的内部時脈產生器16的電路圖。該内部時脈 產生器16 ’利用PCLKTTL信號，產生出同步的CLKA。内部 時脈產生器1 6，另外同時地利用PCLKTTL以及同步的PCKE 信號，產生出一同步的PCLK信號。 圖5是以往的内部操作信號產生電路的電路圖。該内部 操作信號產生電路，提供出一些同步化的控制信號；在積 體電路記憶裝置操作於同步模式.時，這些信號是不可或缺 的。詳細一點的說，該内部操作信號產生電路，可以接受 各種由積體電路記憶體經由圖1之輸入緩衝器，所提供出

>-· tiling 五、發明說明（3) 一^---- 來的控制信號。然後，該内部操作信號產生電路，將隨著 PCLK信號的脈動，同步地產生出相應的控制信號。 圖6是以往的操作控制電路的運作時序圖。圖6所描繪的 是電路在時脈致信號CKE禁能一預定時間，然後再予以致 能後’其運作的情形。一旦該CKE信號變成低位準，該 PCKETTL信號就會在經過一可知的時間後，變遷為高位 準；而該PCKE信號則會被ClkE信號的下緣觸發為低位準； 故’該PCKE信號是隨著CLKA信號的脈動而產生的^ 一旦 PCKE信號變為低位準，PCLK信號就無法產生、不過，只要 PCKE信號又變遷回高位準，那麼，pCLK信號仍然會產生出 來。 圖7描繪的是以往技藝中，有關pClk信號終止的時序 圖。詳細地’首先，該CKE信號會變遷為低位準，藉以產 生出高位準狀態之PCKETTL信號；然後，在到了 CLKA信號 的下一個負緣時，該PCKE信誕就會變遷至低位準狀態。緊 接著’ PCLK的產生就被終止了。但是，CLKA信號往後的變 遷’卻不會影響到PCKE信號，該PCKE信號仍舊會保持在低 位準狀態。因此’最終的結果就是，在往後的CLKA週期 中，PCLK信號將不會被產生出.來》 就如以上所述，我們可以藉著系統時脈以及一提供給積 體電路記憶裝置使用之同步時脈致能，來完成積體電路記 憶裝置之同步操作。不過，在測-試積體電路記憶裝置的時 候測試系統就必需負責送時脈信號以及時脈致能信號給 積體電路記憶裝置。另外，為了要提高效率，我們可以同

C:\Program Files\Patent\54693. ptd 第 7 頁 >417108 t 五、發明說明（4) 時地測試多個積體電路記憶裝置。如此一來’測試器就必 肩對每個正在測試的積體電路記憶裝置，送出各自的時 脈以及時脈致能信號。 對於每一個正在測試的積體電路記憶裝置，該測試器都 需要有一彳固輸出通道與之連接，以便供應時脈信號以及時 脈致能信號。如果我們增加了正在測試的積體電路記憶裝 置的數量’意味著該提供時脈信號以及時脈致能信號’給 積體電路記憶裝置之輪出通通的數量，亦將增加β而當通 道數量增加的時候，可同時測試的積體電路記憶裝置數量 就比較少。 看完了上述的討論，我們可以看出，積體電路記憶裝置 的測試效率’實有改善的必要β 發明摘要 - 如何改良該具有同步操作模式之積體電路記憶裝置的測 試效率，是本發明的目標。 如何能在測試同步模式下之積體電路記憶裝置的狀況 時，降低對外部時脈致能信號的需求，是本發明的另一個 目標。 為了要達到本發明上述以及其他的目標、好處與特色； 我們提供出一積體電路與方法，在此種電路中，時脈致能 信號是從一模式命令中所產生出來的，該模式命令則是由 測試器傳送至積體電路記憶裝置.的。如此一來’積體電路 記憶裝置就可以省掉一個時脈致能基腳。詳細一點地說’ 此種電路中有一内部時脈控制器，其可以聽從該模式命令

C:\ProgramFiles\Patent\54693.ptd 第 8 頁 五、發明說明（5) 的指示，產生出 内部時脈產生器 為基瘦，產生出 該模式命令， 定時信號，以便 以，本發明可以 候’有能力直接 生生出時脈致能 信號的必要性， 净萬式暫存器設立 記憶裝置之操作 位址信號與模式 性的操作控制， 相反的，用於 雖然在測試的時 的輸入；但是， 置輪入信號之輸 果是，該測試器 受到了限制。 本發明的内含 模式暫存器設立 時脈致能信號。 指示積體電路記 内部時脈致能信 内部時脈致能信 ，就會以該内部 内部時脈信號。 可以包含位址信 選擇積體電路記 使得測試器在測 地在積體電路記 信號；藉以降低 此外’測試器可 定時信號，以便 °最後的結果則 暫存器設立定時 以及有能力提供 測試傳統積體電 候可以產生出積 該測試器中*用 出通道的數量， 同時可測試之積 號；接著’此種電 時脈致能信號與外Z之 4信戢 號以及一棋式暫存 憶裝置之操作模式设立 試積體電路記憶；置： 憶裝置的内部，指示兑^ 測試器從外部送‘ilif 以產生出該位址信號以； 能通盤性的控制積體電路 是‘測試器可以藉著使用 信號，而有能力作出一浐 出上述的模式命令。又 路記憶裝置之測試系統， 體電路記憶裝置相應所需 來產生該積體電路記 將會受到限制，的'结 體電路記憶裝置的數量， 之一就是，該内部時脈控制, 种f回鹿 疋時信號與位址信號的要求，產生出内； 該模式暫存器定.時信號以及位址信號，將 憶裝置’是要使用外部時脈致能信號或 號。位址信號的組合情Ϊ尤，脾合社 將會指出應產

C:\Prograni Fiies\Patent\54693.ptd 第 9 頁 f 417108 五、發明說明（6) ——~ 生哪一種時脈致能信號= 本發明的另一個内含就是’該内部時脈產生器，可選擇 性地以内部時脈致能信號或外部時脈致能信號為基礎，來 產生内部時脈信號。所以’根據本發明，我們可以藉由 擇適當的時脈致能信號，而決定出積體電路記憶裝置，操 作在同步模式時，是要使用外部時脈還是内部時脈^ $ 根據本發明所建議的方法’操作在同步模式下之積體 ，記憶裝置，會回應模式命令的要求，產生出内部時脈致 能信號。然後，再以該内部時脈致能信號以及外部時脈為 基礎，產生出内部時脈信號。該模式命令包含了一模式暫 存器設立定時信號以及位址信號，該位址信號可直接1指 示積體電路記憶裝置產生時脈致能信號，不需使用到外部 時脈致能信號。因此，該積體電路記憶裝i可以不需要時 脈致能基角。 圖 塊 方 是 法 方 與 路 電 制 控 作 圖操 的 其 置 裝 憶 記 路 電 體 積 的 明往 說以 要， 簡B疋 之的 式繪 圖描 圖圖圖圖圖圖圖 圖 路 電 的； 器圖 ;生路 圖產電 路號的 電信器 的能生 器致產 衝喊派 Λί ΕΛ UK? 緩時時 入部，部 輪内内 -G? ό ό & 往往往 以以以 是是是 況 狀 •，作 圖運 路的 電路 的電 路制 電控 生作 產操 號的 信往 作以 操出 部繪 内描 的圖 往序 以時 是是 裝 ， 音心 式記 方路 作電 運體 的積 號之 信明LK發 PC本 止， 終是 往的 以繪 出描 繪其 描.’ 圖圖 序塊 時方 是是

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C:\ProgramFiles\Patent\54693.ptd 第 10 頁 —. 五、發明說明（7) 置的操作控制電路與操作方法； 圖9A是本發j 圖； 枝式暫存器設立命令偵測電路的電路 圖9B是時序 控制電& μ e f "出本發明之積體電路記憶裝置的操作 抆則鬼路的運作狀況； 本發明之控制信號產生器的方塊圖； 疋本發明之模式暫存器設立時脈致能信號產生器的 圖12是本發明之内部時脈致能信號產生.器的方塊圓；及 圖3” 14的時序圓，描緣出本發明之操作控制電路的 作狀況。 較佳具體實施例的詳細描述 現在’我們參照著附圖，將本發明更完..整地描述出來。 附圖中的例子是為較佳具體實施例；不過’我們可以用許 多不同的方式將本發明具體地實施出來，並不需以附圖中 之例子為限；本發明所舉的例子只是用來徹底而完全地揭 示本發明，並期以完整地傳達出本發明的技術範圍。在整 個敘述的文中，相似的數字代表著相類似的元件。 圖8之方塊圖示範出，本發明之積體電路記憶裝置所應 有之操作控制電路以及操作方法。第一輸入緩衝器80，接 收外部時脈致能信號（cke)，並相應地產生mpcKETT1^^ 號。第二輸入緩衝器82，接收外.部系統時脈（CLK)，並相 應地產生出PCLKTTL信號。就像此處所描述的—樣’本發 明之操作控制電路，利用CKE信號來決定該對應於外部系

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J 4Π108 五'發明說明（8) 統時脈CLK之同步PCLK信號，是否庙# m ^ _ &进應該要被连4。^“ 虽本發明之操作控制電路運作 另外， 叩椹《± * 猶作換式時’該積骽φ 3己隐裝置將正常的運作；一旦本發 檟體電路 bis Λ,ι ,. 货S之插作控制電路速ϋ 1涮減模式時，系統將開始針對 ，作 功能的測試。 电路記隐裝置，執行 將該PCKETTL信號，提供給内部時脈控制器89。 (Μ二脈控制Γ ’另外也接收模式暫存器設立定時信號 ^S_TM)以及多個由外部測試器所產生的位址（MAi與

Mj)。該MRS_TM信號以及該多個位址信號.，會指出模式命 令。操作控制電路會回應編碼在模式命令中之模式内^ 丁 提供出預定的定時信號MRS_CKE ^如此，該内部時脈控制 器89才能夠提供出適當的時脈致能信號（看是要用pcKETTL 信號，還是要用MRS_CKE信號）給内部時脈.致能信號產生器 84。邊内部時叙致能信號產生器84，將以該内部時脈控制 器89所提供之時脈致能信號為基礎，產生出PCKE信號。 内部時脈產生器86利用PCKE信號來致能該以PCLKTTL信 號為基礎之PCLK信號的產生；PCLKTTL信號則是由第二輸 入缓衝器所提供的。故，本發明之操作控制電路，會藉著 使用一個由模式命令產生之時脈致能信號與一個外部系統 時脈，製造出一同步的PCLK信號。該模式命令是經由基腳 提供至積體電路記憶裝置的；這些基腳，在要測試積體電 路記憶裝置的操作情況時，是派.得上用場的。所以，我們 並不需要從測試器送CKE信號，該PCKE致能信號一樣是可 以被產生出來。譬如，在測試積體電路記憶裝置的時候，

C:\Program Fiies\Patent\54693.ptd 第 12 頁 五、發明說明（9) 該PCKE信號就是透過模式命令而產生出來的。 該内部時脈產生器89包括一控制信號產生器83，該控制 信號產生器會回應該模式命令的要求，產生.出模式暫存器 設立時脈致能信號（MRS_CKE)=内部時脈致能信號產生器 84 ’則接收了該從控制信號產生器送出來之MRS_CKE信 號’並產生出PCKE信號；該PCKE信號是用來控制内部時脈 信號PCLK之可否出現。該PCKE信號的產生是與系統時脈同 步的。 圖9A是本發明之模式暫存器設立（MRS)定時電路的電路 圖。MRS定時電路，接受由積體電路記憶裝置所提供之各 種不同控制信號的要求，產生MRS — TM信號。MRS定時電路 包含了一個反及閘9 0 2 ’該閘接受晶片選擇控制信號 (PCS)、列位址閃控制信號（PRF)、行位址.閃控信號（pcF) 以及寫控制信號（P1VRF)這四個信號的要求，產生出主要 MRS — TM信號。當這四個控制信號的信號狀態都在高位準的 時候，反及閘9 0 2就會反應出主要MRS一TM信號。反相器9〇4 再將該主要MRS_TM信號予以反相；最後，一個jjrs_TM信號 就被提供出來了。 ° 圖9B的時序圖’描啥了本發明操作控制電路的運作情 況。圖中可以看到’該MRS_TM信號，，應了上段所述之四個 控制信號的要求而被產生出來。遵照反及閘9 〇 2的特性， 這四個用來產生MRS—TM之控制信，號，都已處在確立的狀 態；圖9 B可以看出。 圖1 0是本發明之控制信號產生器的方塊圖^控制信號產

C:\Prograra Files\Patent\54693. ptd

第頁 f 417108 五、發明說明（10) 生器83包含一檢測器11〇，該檢測器以模式暫存器 時信號MRS TM以及ί且人之相；如卜户·妹氣坡# 八外队' 次，'且σ之位址彳5唬為基礎，反應出模式命 二Α測器會製造出一輸出信冑。第一操作控制時脈供 Μ，份1，以外部的操作控制時脈信號為基礎，產生出〃、 二第一操作控制時脈信號。第一傳輸閘112，應著該第一 操1控制時脈信號的要求，將其從檢測器i丨0處所接收到 的信號轉移出去。模式暫存器設立時脈致能信號產生器 83 0 ’則以該模式暫存器設立定時信號、該組合之位址信 號以及電源穩定信號，這三種信號為基礎.，' 產生出模式暫 存器設立時脈致能信號。負載暫存器設立定時信號產生器 1 i 3 ’將該模式暫存器設立時脈致能.信號予以反相，並以 邊從第一傳輪閘11 2傳輸來之信號為基礎，產生出第一信 號。第二傳輪閘1 1 4，應第一操作控制時脈信號的要求， 將該第一信號轉移出去，以便提供出一第二信號。閂鎖 U 5把第二信號鎖住，並予以反相以便提供出MRS CKE信 號》 圖11是圖10中之模式暫存器設立時脈致能信號產生器的 |電路圖。該模式暫存器設立時脈致能信號產生器830包含 | 一第一定時組合部份1〇2，該第一定時組合部份1〇2，以模 |式暫存器設立時間信號、纽合之位址信號（M A i與M A j)以及 i電源穩定信號為基礎，產生出一導通信號。第二定時組合 部份1 0 4 ’以模式暫存器設立時間信號以及組合之位址信 號為基礎，產生出一關閉信號。輸出部份10 6，以該導通 信號與關閉信號為基礎，產生出一MrS_PD信號。

C:\ProgramFiles\Patent\54693.ptd 第 14 頁 五、發明說明（u) 圖10 包含一 時信號 便提供 器 113， 時脈致 算，以 1134， 便製造 的主要 作為它 之控制信號產生器83較佳 個反及閘11 02，該及对μ ’模樣是，該檢測器11 0 以及該組合之位址1 =對該模式暫存器設立定 一個反及的輸出仃反及之邏輯運算，以 ，包含—反及閘，兮β、/暫存器設立定時信號產生 ^ "反及閘針對該模式暫存器設立 更轉移輪出，執行反及之邏輯運 將該主要模式暫存立時脈致能。反相器 臂存益s又立時脈致能，予以反相，以 n姑目”主要模式暫存器設立時脈致㊣。該反相 萬/暫存器②立時脈致能，則被提供反及問工】3 2， 的輸入。 在該核式暫存器設立時時脈致能信號產生器83〇之較佳 |具體貫施例中，該第一定時組合部份1〇2，"包含一第一反 i相器1022’該反相器將第一位址信號（MAi)反相，並以之 i作為第一反相器輸出。第二反相器丨〇 24，將第二位址信號 | (MAj)反相，並以之作為第二反相器輸出。第三反相器 | 1 028，將電源穩定信號反相，並以之作為第三反相器輸 i出。反及閘1026，則針對模式暫存器設立定時信號、該第 丨一反相器輸出以及該第二反相器輸出，執行反及之邏輯運 丨算，以便提供出一有關此三者信號之反及輸出。第四反相I i器10 27,將該反及閘的輸出反相，旅以之作為第四反相器 1輸出。反或閘1029，針對該第四.以及第三反相器輸出’執 i行反或邏輯運算，以便提供出該導通信號° _ i再看此較佳具體實施例的另一個部份：該第一疋時組合

C:\Program Files\Patent\54693, ptd 第15頁 JF 417108 五、發明說明（12) 部份104 ’包含一第一反相器1042，該反相器將第二位址 信號（MAj )反相’並以之作為第一反相器輸出。反及閘 1 0 44 ’則針對該模式暫存器設立定時信號、該第一位址信 號（Μ\ι )以及該第一反相器輸出，執行反及之邏輯運算， 以便提出一有關此三者信號之反及輸出。第二反相器 1 0 4 6 ’將該反及閘的輪出予以反相’以便製造出該關閉信 號。 此較佳具體實施例的最後一個部份：該輸出部份丨〇 6， 包含一PMOS閘1062。該PM0S閘1 0 6 2包含一接受該導通信號 刺激之閘極、一連上電源電壓端子之源極以及一提供出緩 衝導通信號之汲極。NMOS閘1 064包含有，一接受關閉信號 刺激之閘極、一與地端相連之源極以及一與該pM〇s閘丨〇62 沒極相連之汲極〇 NMOS閘1 0 64提供出一缓衝的關閉信號。 問鎖部份1 0 6 6，將該缓衝的導通信號或該緩衝的關閉信號 鎖住’以便提供出一閂鎖信號。反相器1 〇 6 8將該閂鎖信號 反相，以便提供出MRS_PD信號。 圖12是該内部時脈致能信號產生器84的電路圖。該内部 I時派致能信號產生器84，以由控制信號產生器8 3產生之模 I式暫存器設立時脈致能信號為基礎或以外部的時脈致能信 I號PCKETTL為基礎，來產生PCKE信號。該内部時脈致能信 i號產生器84，包含一第一反相器級90，該反相器級將 PCKETTL反相，以便提供一反相的PCKETTL信號。第一操作 控制時脈供應部份9 1，包含一第二反相器，該反相器將外 |部的操作控制時脈予以反相，以便提供出一反相的外部操

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4 17 'U i 〇 < -----—- 一 _ 丨；五、發明說明（13) 作控制時脈。第一轉移閘9 2，隨著該外部操作控制時脈以 及該反相的外部操作控制時脈的脈動，將該反相的 ^CKETTL信號轉移出去，以便提供出第一轉移時脈致能信 號第一閂鎖部份93，鎖住該第一轉移時脈致能，以便提 供出一鎖住的時脈致能信號。第二轉移閘94，轉移該鎖住 的時脈致能信號’以便提供出第二轉移時脈致能信號。時 脈致能信號選擇器95，選取該第二轉移時脈致能信號或該 MRS_CKE信號，以提供出選擇的時脈致能信號。第三轉移 閘9 6 ’隨著該外部操作控制時脈以及該反相的外部操作控 制時脈的脈動，將該選擇的時脈致能信號移出去，以便提 供出第二轉移時脈致能信號。第二閂鎖部份97，鎖住該第 二轉移時脈致能信號，以便提供出PCKE信號，在此較佳的 内部時脈致能信號產生器84中，該時脈致能信號選擇器 95，包含了一反或閉952 ’該反或閘針對MRS_CU信號以及 |第二轉移時脈致能信號，執行反或邏輯運算，以便提供出 該選擇的時脈致能信號》反相器9 5 4將該選擇的時脈致能 信號予以反相，以便提供出一反相的選择時脈致能信號。 I該反相的選擇時脈致能信號，被提供至玆反或閘9 5 2， 丨為它的輸入。

I j圖13的時序圖，描繪出本發明之操作控制電路的運 式。圖13中之PCKETTL信號是靜止不動的。PCKE信號則/ 經由MRS模式命令而產生。系統是在clk信號的上緣，^ MRS模式命令以及該某一特定的、組合的位址信號接收進i 來。把包含在模式命令t之MKS 一 TM信號以及組合的位址信

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^ 417108 * I -----*--—-! |五、發明說明（14) |

號產生出來，其目的就是要在CLKA正緣時，用它們來產生I MRS_CKE信號。所以，該PCKE信號是以MRS„CKE信號為基 礎’在CLKA負緣時被產生。故，圖13示範的是，在沒有 PCKETTL信號的情況下，PCKE信號的產生過程。 圖14的時序圖，深入地描繪本發明之操作控制電路的運 作狀況。一開始，接收到一MRS模式命令。該MRS模式命令 指示：積體電路記憶裝置應該使用MRS_CKE信號，而非 PCKETTL信號來產生PCKE信號。詳細地說：該MRS_C1E信號

I 以及組合的位址信號MAi與MAj，被送往MRS時脈致能信號 | 產生器830，製造出導通信號。導通信號的產生，使得MRS 時脈致能信號產生器83 0製造出MRS_PD。接著，該控制信 號產生器就會以MRS_PD信號為基礎，於CLKA信號相對應 的、適當的邊緣處，產生出MRS_CKE信號/然後，該内部 時脈致能信號產生器84，就會以該控制信號產生器83所提| 供出來之MRS_CKE信號為基礎，產生出PCKE信號。此處’ | 該MRS模式命令使PCKE信號關閉，阻止了 PCLK信號的内部 | 產生。 i 稍後，系统接收了另外一組的MRS _TM與位址信號MAi及 | MAj，此組信號指示：應該要重新確立PCKE信號以產生 i PCLK。詳細地說：該MRS_TM信號以及位址信號MAi及MA j ’ 被送至MRS ϋ!致氮信m.器S3 0，產生出關閉信號；然1 後，依序地，MRS被產生、MRS_P.D信號回到了高位準狀 i 態。接著，該控制信號產生器83使用MRS_PD信號’在相對i 應的、適當的CLKA邊緣處，產生出MRS_CKE信號。最後’丨

C:\Program Files\Patent\54693.ptd 苐18頁 "nios „ _案號87114201 0年今月<^9 修正_ 五、發明說明（15) 該PCKE信號重新允許了 PCLK的内部產生。 藉由詳細的說明並配以附圖，本發明之典型較佳具體實 施例已完全呈現。雖然我們用了一些特定的名詞，但是， 此僅是為了描述本發明之用，並不應受其所限。本發明之 範圍，將敘述於以下之申請專利範圍之中。 元件符號說明 80 第一輸入緩衝器 82 第二輸入緩衝器 8 3 控制信號產生器 8 4 内部時脈致能信號產生器 8 6 内部時脈產生器 「· 8 9 内部時脈產生器 8 3 0 時脈致能信號產生器

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Claims (1)

1. 417108

   六、申請專利範圍 i —種依照内部時脈 路記憶裝置的操作控制 一内部時脈控制器 生出内部時脈致能信號 信號而操作於同步模式下之積體電 電路，該操作控制電路包含： ，該控制器回應多個位址信號而產 :以及 一内部時脈產生器，該產 並以内部時脈致能作辨“"R t 應該内部時脈控制器 町π 唬與外部時脈為基礎，而 體電路記憶裝置之内部時脈㈣。礎而產生用於積 2.如申專利範圍第丨項掉作 腋產生写句人一以玲+ 搮作控制電路’其中該内部時 號為基礎而選擇性地產生二：％脈致月“ 器。 度王項門4時脈6唬之内部時脈產生 3.如申凊專利範圍第！項之操作控制 時脈=1器包含-回應—模式暫存器設立.定時;^内/個 位址彳。號而產生出該内部時脈致能信號之内部時脈 器0 4，如申請專利範圍第丨項之操作控制電路，其中誃 時脈控制器包含： ^ 〇| 一控制信號產生器，該產生器回應該模式命令而產 出一内部控制信號；以及 一内部時脈致能信號產生器，該致能信號產生器回麻 该控制k號產生器而產生出該内部時脈致能信號，以^ f 制該内部時脈信號的產生。 5.如申請專利範圍第4項之操作控制電路，其中镇式命 令包含一模式暫存器設立定時信號以及多個位址信藏，\

   C:\ProgramFiles\Patent\54693.ptd 第 20 頁 ,:41710 六、申請專利範圍 ' *------ 且其中該控制信號產生器包含： 一檢測器，該檢測器以該模式暫存器設立定 及該多個位址信號為基礎而產生出該模式命 ^ 一輸出信號； X 一第一操作控制時脈供應部份，該部份以外 制時脈信號為基礎，產生出第一操作控制時脈信號；' : 卜了回應該檢測盔之第一轉移閘部份，該轉移閘回應該 第一操作控制時脈信號，將該輸出信號轉移出去； 一模式暫存器設立時脈致能信號產生器…，該產生器以 該模式暫存器設立定時信號、該多個位址信號以及電源穩 定信號為基礎，產生出模式暫存器設立時脈致能信號； 一模式暫存器設立定時信號產生器，該產生器回應該 第一轉移閘部份以及該模式暫存器設立時脈致能信號產生 器，以該轉移的輸出信號為基礎，將該模式暫存器設立時 脈致能信號反相並產生一第一信號； 一回應該模式暫存器設立定時信號產生器之第二轉移 閘部份’該轉移閘回應該第一操作控制時脈信號，將該第 一信號轉移出去以便提一第二信號； 一回應該第二轉移部份之閂鎖部份，該閂鎖部份鎖住 該第二信號並予以反相，以便提供一，内部時脈致能信號。 6.如申請專利範圍第5項之捶m.電路，其中該模式 暫存器設立時脈致能信號產生器-包括： 一第一定時組合部份’該部份以該模式暫存器設立定 時信號以及該多個位址信號以及電源穩定信號為基礎，產

   C:\Program Files\Patent\54693. ptd 第21頁 r 417108

   六、申請專利範園 生出一導通信號； 器設立定 閉信號； 一第二定時組合部份’該部份以該模式暫存 時信號以及該多個位址信號為基礎，產生出—關 以及 一回應該第一以及第二定時組合部份之輸出部份， 輸出部份以該導通信號與該關閉信號為基礎，彦注 , I王出該植 式暫存器設立時脈致能信號。 7.如申請專利範圍第6項之操作控制電路，苴中 定時組合部份包括： 、甲該第一 一第一反相器’該反相器將該多個位址信號中之第一 信號予以反相，以提供出第一反相器輸出； 一第二反相器，該反相器將該多個位址信號中之第二 信號予以反相’以提供出第二反相器輸出 一第三反相器，該反相器將該電源穩定信號信號予以 反相，以提供出第三反相器輸出； 一回應該第一及第一反相器之反及閘，該反及閑邏輯 地反及該模式暫存器设立定時信號以及該第一反.相与輸出 以及該第二反相器輸出，以便提供一反及問輸出； 一回應該反及開之第四反相器，該反相器將該反及閘 輸出反相，以便提供出第四反相器輪出；以及 一回應該第四反相器及第三反相器之反或閑，該反或 閘邏輯地反或該第四反相器輸出·與該第三反相器輸出，以 便提供出該導通信號。 。 8·如申請專利範圍第6項之操作控制電路，其中該第

   C:\Program Files\Patent\54693. ptd 第22頁 -------------------------*--—----J 六'申請專利範固 定時組合部份包括： 一第一反相器，該反相器將該多個位址信號中之第— 信號予以反相，以提供出第一反相器輸出； 一回應該第一及第二反相器之反及閘，該反及閘邏輯 地反及該模式暫存器設立定時信號、該多個位址信號中之 第二信號以及該第一反相器輸出，以便提供一反及閘輸 出；以及 —回應該反及閘之第二反相器，該反相器將該-反及閘 輸出予以反相’以便製造出該關閉信號。-- 9 如申請專利範圍第6項之操作控制電路，其中該輸出 部份包括： 一 P型金氧半閘，該金氧半閘具有.一回應該導通信號 之閘節點，一回應電源供應電壓端子之源.節點，以及一提 供出緩衝導通信號之汲節點； 一 N型金氧半閘，該金氧半閘具有一回應該關閉信號 之閘節點’一連接至地端之源節點，以及一回應該p型金 氧半問没節點之汲節點，該汲節點提供出缓衝的關閉信 號； 一回應該P型金氧半閘汲節點之閂鎖部份，該部份鎖 住該緩衝的導通信號或該缓衝的關閉信號，以便提供出一 閂鎖信號；以及 -回應該閂鎖部份之反相器’該反相器將該閂鎖信號 予以反相’以便提供出該模式暫存器設立時脈致能信號^ 10.如申請專利範圍第4項之操作控制電路，其中該控制

   I 417108 » 六' 申請專利範圍 ' " '一'* 信號產生器包括： 一第一反及閘’該反及閘邏輯地反及該模式暫存 立定時信號以及該多個位址信號，以便提供出第一 輪出； 一第一反相器’該反相器將外部操作控制時脈予 相’以便提供一反相的外部操作控制時脈； 一模式暫存器設立時脈致能信號產生器，該產生 造出模式暫存器設立時脈致能信號； 回應該第一反及閘之第一轉移閘，該轉移閘回 外部操作控制時脈與該反向的外部操作控制時脈，將 反及閘輸出轉移出去，以便提供一第一轉移輸出； 回應該模式暫存器設立時脈致能信號產生器與 一轉移閘之第二反及閘，該第二反及閘邏輯地反及該 暫存器設立時脈致能信號以及該第一轉移輸出，以便 出一主要模式暫存器設立時脈致能信號； 一回應該第二反及閘之第二轉移閘，該轉移閘回 外部操作控制時脈以及該反相的外部操作控制時脈， 主要模式暫存器設立時脈致能信號轉移出去，以便提 二轉移模式暫存器設立時脈致能信號；以及 一回應該第二轉移閘之閂鎖部份，該閂鎖部份鎖 第二轉移模式暫存器設立時脈致能信號，以便提供出 式暫存器設立時脈致能信號。— U.如申請專利範圍第4項之操作控制電路，其中該 時脈致能信號產生器包括： 裔設 及閘 以反 器製 應該 該第 該第 模式 提供 應該 將該 供第 住該 該模 内部

   C:\Program Files\Patent\54693. ptd 第 24 頁 六、申請專利範圍 一第一反相器，該反相ss將該外部時脈致能信號予以 反相，以便提供出一反相的外部時脈致能信號； 一第二反相器，該反相器將外部操作控制時脈予以反 相，以便提供出一反相的外部操作控制時脈； 一回應該第一反相器之第一轉移閘，該轉移閘回應該 外部操作控制時脈以及該反相的外部搡作控制時脈，將該 反相的外部時脈致能信號轉移出去，以便提供第一轉移時 脈致能信號； 一回應該第一轉移閘之第一閂鎖部份-，·-該閂鎖部份， 鎖住該第一轉移時脈致能彳S號’以提供出一鎖住的時脈致 能信號； 一回應該第一閂鎖之第二轉移閘，該轉移閘將該鎖住 的時脈致能k號轉移出去，以便提供第二轉移時脈致能信 號； 一回應該第二轉移閘與模式暫存器設立時脈致能信號 之時脈致能信號選擇器，該選擇器選擇該苐二轉移時脈致 能-^號或該模式暫存器設立時脈致能信號，以提供出一選 擇的時脈致能信號； 一回應該時脈致能信號選擇器之第三轉移閘，該轉移 閘回應該外部操作控制時脈與該反相的外部操作控制時 脈，將該選擇的時脈致能信號轉移出去，以便提供一第二 轉移時脈致能信號；以及 . 一回應該第三轉移閘之第二問鎖部份，該閂鎖部份鎖 住該第二轉移時脈致能信號，以便提供該内部時脈致能信

   C:\ProgramFiles\Patent\54693.ptd 第 25 頁 Ψ 417108 六、申請專利範圍 ~ -- ----- 號。 12· —種依照内部時脈信號而於同步模式下操作積體 路S己憶裝置的方法，該方法包括： 回應多個位址信號，產生—内部時脈致能信號； 以該内部時脈致能信號以及外部時脈為基礎 用於該積體電路記憶裝置之内部時脈信號。 產生一 13. 如申請專利範圍第12項之方法其中 ’月b C唬之步騾包#，回應模式暫存器設 多個位址信號，產生該内部時脈致能信號；定時信被以及 14. 如申請專利範圍第12項之方法，其中 致能信號之步驟包括： 、 生内邛時脈 :應該模式信號，產生内部控制信號 產生该内部時脈致能信號， 的產生。 便控制这内部時脈信號 15. 如申請專利範圍第14項之方法，立 ㈣包括產生-内部時脈致能Λ其部中時Λ lit: ^式暫存器設立定時信號以及多個U仅址 其中產生内部時脈信號之步驟包括： 1固位址信唬， 檢測該以模式暫存器設立定 為基礎之模式命令； 每成及多個位址信號 產生該以外部操作控制時脈 制時脈信號； ^號為基礎之第一操作控 轉移該回應第一操作控制時 產生該以模式暫存器1 乜唬之輪出信號； , 存…定時信號、多個位址信號以

   C:\Program Γi1es\Patent\54693. ptd ψ· 4t?t〇a 六、申請專利範® 及電源穩定信號為基礎之模式暫存器設立時腺致能信號； 反相該模式暫存器設立時脈致能信號，並產生該以該 轉移的輸出信號為基礎之第—信號. 轉移該回應第一操作控制時脈信號之第—信號，以提 供出第二信號； 鎖住該第一彳§號，並反相該第二信號，以便提供出内 部時脈致能信號。 16，如申請專利範圍第15項之方法，其中產生模式暫存 器設立時脈致能之步騾包括： … 、 產生以該模式暫存器設立定時信號、該多個位址作 以及電源穩定信號為基礎之導通信號； 。儿 產生以該模式暫存器設立定時信號以及該多個 號為基礎之關閉信號；以及 止k 產生以該導通信號及該關閉信號為基礎之模 設立時脈致能信號。 言存器 1 7. —種根據内部時脈信號而於同步槿式 電路記憶裝置之…該方法包括： ' 下知作積趙 回應多個位址信號，產生一内部時脈致能信婕. 以該内部時脈致能信號或外部時脈致能信號為其以及 選擇地產生該用於積體電路記憶裝置之内部時脈严二礎’ 1 8,如申請專利範圍第丨7項之方法，其中選擇Q旋。 驟包含： 、 生之步 在操作模式期間，送該外部時脈致能信號以 脈信號至該積體電路記憶裝置；以及 卜部時

   C:\Program FiIes\Patent\54693. ptd 第 27 頁

   ^ 417108 六、申請專利範圍 '—―― 在測試模式期間，送該多個位址信號以及該外部時脈 信號至該積體電路記憶裝置。 19· 一種依照内部時脈信號，而於同步模式下之積體電 路記憶裝置的操作控制電路’該操作控制電路包含： 用以回應多個位址信號’產生内部時脈致能信號之穿 置；以及 儿、 以内部時脈致能信號以及外部時脈為基礎，產生出該 内部時脈信號之裝置，該内部時脈信號，係用於該 = 路記憶裝置。 …頎®电 20. 如申請專利範圍第18項之操作控制電路，其中該用 以產生内部時脈致能信號之裝置包含可回應模式暫存器赁 號與多個位址信號，以產生出該内部時脈致能;J 戚之裝置。 21. 如申請專利範圍第18項之操作控制電路，其中該用 以產生内部時脈致能信號之裝置包含： 可回應該模式命令，產生出内部-制 ’ |役制k號之裝置；以 可產生該内部時脈致能信號，以僮 號之產生之裝卜 乂便控制該内部時脈信 2】.如申請專利範圍第21項之操作控制電路 能信號之裝置，其中模式命令包括— ： = :部時脈致 信號以及多個位址信號’並且，复中兮:子窃設立定時 信號之裝置包含： ，、中这用以產生内部時脈

   C:\Program Files\Patent\54693.ptd 第28頁 r <17108 六、申請專利範圍 ~~ -- 时用以偵洌該模式命令之裝置’該裝置是以 益汉立定時信號與該多個位址信號為 μ模式暫存 令； 疵馮丞碾來偵測該模式命 用以產生該第一操作控制時脈信號 以外部操作控制時脈信號為基礎來產生J置强：裝置是 脈信號； 货术產生4第—操作控制時 之裝】以回應該第一操作控制時脈信&，轉移該輪出信號 用以產生模式暫存器設立時脈致能信號 ' ，是以該模式暫存器設立定時信號…個位 】源穩定信號為基礎來產生該模式暫存器設立時心能J >。用以反相該模式暫存器設立時脈致能信號並產生第— #號之裝置，該裝置是以該轉移輸出信號為基礎來 第一信號； 在王琢 用以回應該第一操作控制時脈信號，轉移該第— 以便提供第二信號之裝置；以及 ° 用以問鎖該第二信號並反相該第二信號，以便提供 部時脈致能信號之裝置. ’、 2 3.如申請專利範圍第2 2項之操你控制電路，其中該 以產生模式暫存器設立時脈致能之裝置，包含： 用以產生導通信號之裝置，.該裝置是以該模式暫存 設立定時信號以及該多個位址信號以及電源穩定信號為 礎來產生該導通信號； 基

   C:\Program Files\Patent\54693. ptd 第 29 頁 f 41? 六、申請專利範圍 一'— 用以產生關閉信號之裝置，該裝置是以該模式暫存器 設立定時信號以及該多個住址信號為基礎來產生該關閉二 號； σ 用以產生該模式暫存器設立時脈致能信號之裝置，該 裝置是以該導通信號及該關閉信號為基礎來產生該模式暫χ 存器設立時脈致能信號。 24. 種根據内部時脈信號而處於同步模式下之積體電 路記憶裝置的操作控制電路，該操作控制電路包含： 用以回應模式命令，產生内部時脈致能.信號之裝置： 以及 用以選擇地產生該内部時脈信號之裝置，該裝置是以 該内部時脈致能信號或外部時脈致能信號為基礎來選擇地 產生該内部時脈信號。 25.如申請專利範圍第24項之操作控制電路，其中該用 以選擇性產生之裝置包含： …用：在操作模式期㈤’將該外部時脈致能信號與外部 a.」脈仏谠，达至該積體電路記憶裝置之裝置；以及 用以在測試核式期間，將該多個位址信號與該外部時 脈信號，送至該積體電路記憶裝置之裝置。

   C:\Program Files\Patent\54693.ptd 第30頁