414895_b7__ 五、發明説明（I ) <發明之領域> 本發明係有關於一種用於半導體記憶體裝置之開機 信號產生器，尤指一種可迅速反應外接電壓之改變而啓動 ^機存取記憶體（R AM)之控制電路的開機信號產生器 <先前技藝之描述> 一般而言，當電源被導通時，開機信號被用來啓動 隨機存取記憶體中的數個電路*尤其，開機信號可能被當 做在正常操作執行前設定數個信號的致能信號。 舉例而言，當電源被導通時，開機信號可能被當作 偵測隨機存取記憶體中一個多餘電路保險絲被燒掉之資訊 、延遲偵測資訊、或延遲資訊的解碼之致能信號。 圖1係傳統用於半導體記憶體裝匱之開機信號產生 器（以圖號1標示）之電路圖，如圖所示，開機信號產生 器1係用來產生開機信號PWR U P以驅動隨機存取記憶 體之控制電路3 0。而，開機信號產生器1包含基底電壓 電位偵測器1 0及驅動器2 0 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注^項再填寫本頁) 基底電壓電位偵測器1〇包括一個連接在供應電壓（ V c c )及連結點N 1間之正型金屬氧化物半導體電晶體 Μ P 1 1、串連在連結點N 1及基底電壓（V b b )間之 負型金屬氧化物半導體電晶體MN11及負型金屬氧化物 半導體電晶體MN 1 2。正型金屬氧化物半導體電晶體Μ Ρ11及負型金屬氧化物半導體電晶體ΜΡ11之閘級與 接地電壓（V S S )相連，負型金屬氧化物半導體電晶體 3 本紙張尺度適用^國國家標隼「CNS ) Μ说格（210X297公釐)~~ A7 __414R95 五、發明説明（工·) MN12的閘級和汲級與負型金屬氧化物半導體電晶體Μ Ν11的源級相連。 驅動器2 0包括一個連接在連結點Ν 1及連結點Ν 2間的反相器G 1 1、一個連接在連結點Ν 3及連結點Ν 2間的反相器G 1 2、一個連接在供應電壓及連結點Ν 2 間的正型金屬氧化物半導體電晶體Μ Ρ 1 3、及串連在連 結點Ν 3及開機信號輸出端之間的反相器G 1 3、反相器 G 1 4、G 1 5反相器。正型金屬氧化物半導體電晶體Μ Ρ 1 3的閘級與連結點Ν 3相連。 上述之傳統的開機信號產生器之結構及動作情形將於 下面詳細說明。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，如果供應電壓被導通，則晶片上的電源匯流排 在經過一個預設的上升時間段以後，會達到一個預先設定 的直流値，而完成一個開機週期。最初，因爲.正型金屬氧 化物半導體電晶體Μ Ρ .1 1被導通使得在連結點Ν 1的信 號變成高電位，然後，如果基底電壓產生器所產生的基底 電壓在預設的上升時間段以後降至臨界電壓（一2 V t ) 或者更低，連結點Ν 1的信號會因爲串連在連結點Ν 1及 基底電壓間的負型金屬氧化物半導體電晶體MN11及負 型金屬氧化物半導體電晶體MN12被導通而由高電位變 爲低電位。 驅動器2 0只用來當作緩衝器，而，其包括連接在 連結點Ν 1及開機信號輸出端的反相器G 1 1、反相器G 1 2、反相器G 1 3、反相器G 1 4、反相器G 1 5及正 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X 297公釐） 414895 A7 B7 _ 五、發明説明（々） 型金屬氧化物半導體電晶體Μ P 1 3。根據此結構’驅動 器2 0在開機信號輸出端產生高電位之開機信號以回應在 連結點Ν 1上的低電位信號，而完成一個開機週期。在此 ，正型金屬氧化物半導體電晶體Μ Ρ 1 3的功能是防止連 結點Ν 2被浮接。 在另一方面，如果供應電壓被不導通，則晶片上的電 源匯流排在經過一個預設的下降時間段以後會到達預先設 定之直流値，而完成一個關機週期。這個時候，開機信號 變成禁能狀態或低電位，其正比於基底電壓放電時間或供 應電壓不導通時間。 如上所述之傳統的開機信號產生器，其開機信號隨著 供應電壓的導通或不導通而致能或中止，然而，在供應電 壓不導通而基底電壓放電卻延遲的情況下，開機信號變得 不正常，而造成隨機存取記憶體之控制電路3 0在動作執 行前的啓動產生錯誤，基於這項原因，使得正常的執行動 作無法執行，換句話說，爲了產生開機信號，必須偵測基 底電懕的電位，其對應於供應電壓的導通/不導通狀態。 <發明之槪要> 因此*本發明係致力於解決習知技藝所發生的上述 問題，並且本發明之一目的係提供一種用於半導體記憶體 裝置之開機信號產生器，其能夠對外接電蜓的改變快速的 回應。 上述及其他目的可依本發明之用於半導體記憶體裝置 間之開機信號產生器的設立而完成，其包括用以偵測第一 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公H "" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-& 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 414895 ；； 五、發明説明（+ ) 個電壓的電位之第一電壓電位偵測器、用以偵測第二個電 壓的電位之第二電壓電位偵測器、及一多重電位解碼器， 可將第一及第二電壓電位偵測器的輸出訊號邏輯整合後送 出開機信號並用以啓動記憶體裝置之週邊電路。 <附圖之簡略說明> 本發明所述之目的、特徵及優點在閱讀以下的詳細說 明並配合圖式之後將會變得更加明白，圖式中： ..圖Γ係傳統用於半導體記憶體裝置之開機信號產生 器之電路圖。 圖2係本發明用於半導體記憶體裝置之開機信號產生 器之方塊圖。 圖3係圖2中供應電壓電位偵測器之詳細電路圖。 圖4係圖2中多重電位解碼器之詳細電路圖。 .圖5 a至圖5 e係圖2中信號的時序圖。 <本發明較佳實施例之詳細說明> 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2係本發明用於半導體記憶體裝置之開機信號產生 器之方塊圖，如圖所示，開機信號產生器包含一個用來偵 測供應電壓的電位之供應電壓電位偵測器5 0 ; —個用來 偵測基底電壓的電位之基底電壓電位偵測器4 0 :及一個 多重電位解碼器6 0，用來接收供應電壓電位偵測器5 0 及基底電壓電位偵測器4 0之輸出信號並產生一開機信號 以驅動隨機存取記憶體之控制電路7 0。 基底電懕電位偵測器4 Ό之結構及執行動作與圖一中 之基底電壓電位偵測器1 0相同，其詳細說明則省略不做 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 414895 a? B7 五、發明説明（>) 贅述。 圖3係圖2中供應電壓電位偵測器之詳細電路圖。如 圖所示，供應電壓電位偵測器5 0包括連接在供應電壓及 連結點N 4間之電阻R 1 :串連在接地電壓及連結點N 4 間之電阻R 2及負型金屬氧化物半導體電晶髖MN 1 3， 負型金屬氧化物半導體電晶體MN13之閘級與供應電壓 相連；連接在供應電壓及連結點N 5間之正型金屬氧化物 半導體電晶體Μ P 1 4 ;連接在供應電壓及連結點N 6間 之正型金屬氧化物半導體電晶體ΜΡ15;連接在連結點 Ν 5及連結點Ν 7間之負型金屬氧化物半導體電晶體Μ Ν 1 4 ;連接在連結點Ν 6及連結點Ν 7間之負型金屬氧化 物半導體電晶體ΜΝ 1 5 ;連接在接地電壓及連結點Ν 7 間之負型金屬氧化物半導體電晶體ΜΝ16;正型金屬氧 化物半導體電晶體ΜΡ14及正型金屬氧化物半導體電晶 體Μ Ρ 1 5之閘級與連結點Ν 4相連，負型金屬氧化物半 導體電晶體ΜΝ 1 5之閘級與參考電壓（V r e f )相連 ’負型金屬氧化物半導體電晶體MN 1 6之閘級與供應電 壓相連；串連在連結點N 5及輸出端間之反相器G 1 6、 G 1 7、G 1 8。 本發明上述之洪應電壓電位偵測器5 0的結構與執行 動作在下面詳細說明 首先，如果供應電壓被導通，負型金屬氧化物半導體 電晶體MN13被導通而使得電流在供應電壓及接地電壓 間流動，這時，電阻R 2及電阻R 1提供了分壓的效果， (請先閱讀背面之注項再填寫本頁)
1-IT 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*?公漦） 414895 五、發明説明（k) 因此，連結點N 4的信號之電位隨著外接之供應電壓而改 變，而需注意的是’正型金屬氧化物半導體電晶體MP 1 4、正型金屬氧化物半導體電晶體％1" 1 5、負型金屬氧 化物半導體電晶體ΜΝ14\負型金屬氧化物半導體電晶 體ΜΝ15及負Μ金屬氧化物半導體電晶體ΜΝ16構成 有名的放大器結構一電壓比較器’電壓比較器的第二輸入 與參考電壓相連，第一輸入與連結點Ν 4相連。舉例說明 如下，如果連結點Ν 4的電位小於參考電壓的電位’使得 連結點Ν 4的信號爲高電位而連結點Ν 6的信號爲低電位 ，然而，如果連結點Ν 4的電位比參考電壓的電位大’則 連結點Ν 4的信號爲低電位而連結點Ν 6的信號爲高電位 ，反相器G 16、G17\G18串連在電壓比較器及輸 出端，用來緩衝最後所產生的輸出信號V c c D E T。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填苑本頁) 、、圖4係圖2中多重電位解碼器6 0之詳細電路圖。如 圖所示，多重電位解碼電路6 0包括用來邏輯整合供應電 壓電位偵測器5 0之輸出信號及基底電壓電位偵測器4 0 之輸出信號的反及閘〔N A N D );以及一個將反及閘 的輸出信號反相並輸出反相後之信號作爲開機信號之反相 器G 2 0。 而，本發明上述之開機信號產生器之結構及執行動作 將配合圖5 a至圖5 e做更詳細之說明。 圖5 a至圖5 e係圖2中信號的時序圖，首先，如果 供應電壓被導通，它會如圖5 a所示以斜波狀態持續數十 個至百個微秒的時間以保持導通的狀態，這時，如果圖5 _8 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公漦） 經濟部中央標芈局貝工消費合作社印製 414895 a'7 ___ B7____ 五、發明説明（^)) b所示晶片中基底電壓產生器所產生之基底電壓降到臨界 電壓（一 2 V t )或更低時，圖5 d所示之基底電壓電位 偵測器4 0的輸出信號V b b D E T由低電位變爲高電位 。而，如果供應電壓的電位小於參考電壓的電位，供應電 壓電位偵測器5 0的輸出信號由低電位變爲如圖5 c所示 之高電位；如果供應電壓電位偵測器5 0及基底電壓電位 偵測器4 0的輸出信號皆爲高電位，如圖5 e所示多重解 碼器6 0的輸出信號變爲高電位，而完成了一個開機信號 週期。 反過來說，如果供應電壓係關閉，它會以斜波狀態持 續數十個至百個微秒的時間以保持不導通的狀態，這時， 如果基底電壓產生器所產生之基底電壓在些許的時間誤差 後變爲接地電壓電位，基底電壓電位偵測器4 0的輸出信 號V b b D E T變爲與供應電壓及基底電壓之電位不成比 例之低電位。進一步，如果供應電壓的電位小於參考電壓 的電位，供應電壓電位偵測器5 0的輸出信號由高電位變 爲低電位；如果供應電壓電位偵測器5 0及基底電壓電位 偵測器4 0其中之一的輸出信號首先變爲低電位時，多重 解碼器6 0的輸出信號變爲低電位，而完成了一個關機信 號的週期。 由上所述可知，依據本發明用於半導體記憶體裝置之 開機信號產生器可迅速反應外接電壓之改變。 雖然本發明之較佳實施例在以上被詳述，應了解的是 此教示基本發明槪念對熟習此項技藝人士爲明顯的許多改 .— ____^___—~ 本紙張尺度適用中國國家標準（〇呢）六4規格（210父297公*) ® ----------- (請先閲讀背面之注意事項再填耗本頁〕 訂 褚- 414895 A7 B7 五、發明説明（}) 變及/或修改仍落於本發明所附之申請專利範圍所定義之 精神與範疇中。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2 [ Ο X 297公釐）