TW412595B - Method of making sputter target/backing plate assembly - Google Patents
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Description
十f二 〇 >聚· a _2各_85110761號專利申請案 補_^中文說明書修正頁 民國87年8月呈 五、發明説明(5) 該背板在其凹陷中可具有一襯套。在此例子中,該塊 體具有一穿孔用以用以容納該背板襯套。本發明亦提供一 種由該方法所製造的靶/背板總成。 本發明之主要的優點爲提供一種靶/背板總成及其製 造方法,其容許將被擴散壓合之靶及背板是由具有不同的 熱膨脹係數之不同的材料所製成且在冷卻期間該總成不會 遭到變形且該靶不會損壤。 本發明之其它的目的及優點在下面參照了隨附的圖式 的詳細說明中將會變得更加的明顯,其中: 〔圖式簡要說明〕 圓1 A及1 B圖像地顯示依據本發明之形成一濺射靶/ 背板總成的方法而實施之一連串的步驟; 圖2顯示依據圖1 A及1 B之方法而製造之一濺射靶/ 背板總成; 圖3 A及3 B圖像地顯示依據本發明之形成另一種形式 的濺射靶/背板總成的方法而實施之一連串的步驟; 圖4顯示依據圖3 A及3 B之方法而製造之一濺射靶/ 背板總成* 主要元件對照 10 總成 12 背板 14 凹陷 本紙張尺度適用中囷國家標準(CNS ) A4规格(2丨Οχ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 :-部中央梂卑乃只工消费合作社印掣 -8 — 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印裝 412595 A7 B7五、發明説明(1 ) 〔發明領域〕 本發明概略地係關於濺射,及更特定地係關於使用於 濺射操作中之濺射靶/背板總成。 〔發明背景〕 濺射爲一所想要的材料之薄膜在一基質上的澱積。濺 射被用於半導體元件譬如像是積體電路的製造上。在一· 射的操作中,將被澱積於一基質上的材料藉由以離子對一 濺射靶轟擊而從該濺射靶上被移除。除了將該材料從該耙 上移除澱積於該基質上之外,離子轟擊亦將熱能傅遞至該 靶上。因此,在濺射操作中提供一機構來冷卻該靶以防止 該靶過熱通常是必需的。 骸靶傳統上是被安裝在一背板上。冷卻液體以與該靶 成熱傳遞接處的方式被循環用以將藉由離子轟擊而被熱傳 遞給該靶的熱移出。很重要的是,在靶及背板之間有很好 的熱及結構結合以確保從靶至背板至冷卻液之適當的熱傳 遞及用以在濺射期間確保該靶/背板結合之結構的一致性 〇 用來將靶結合至該背板上的一種技術被稱爲擴散壓合 。在擴散壓合中,該靶/背板結合是藉由將該材料表面壓 擠成緊密的相接觸而被製成的並加熱以誘發冶金的結合及 擴散以延伸月過結合界面。結合助劑,可更快地結合之金 屬組合,有時候被應用於將被結合的兩個表面之一或兩者 上。此塗覆可用電鑛,無電電錢(electroless plating) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,11 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) 412595 好浐部中决"-苹而K工消赀合作社印衷 A7 B7 五、發明説明(6 ) 16 靶 18 結合介面 2 0 塊體 2 2 背板 2 4 上鋼板 2 6 下鋼板 5 2 背板 5 4 凹陷 5 6 襯套 5 8 靶 6 4 穿孔 6 6 背板 6 8 上鋼板 7 0 下鋼板 〔最佳實施例詳細說明〕 首先操照圖1 A,其顯示一載入一 HIPing罐內以接受 後續之H IPing之總成1 0。 該總成1 0包括一鋁背板1 2其包括一被形成於其一 側之凹陷14及一鎢一鈦靶16其於一結合界面18處結 合於該背板1 2上* 一石墨塊體2 0被提供以置於該凹陷 1 4中。一虛的鋁背板22被置於該靶1 6之上·上及下 鋼板2 4及2 6分別被置於虛的鋁背板2 2之上及背板 1 2之下而把塊體2 0夾於其間。 本紙張尺度適用中國囷家橾準(CNS ) Α4規格(2丨0Χ297公釐) n I _ 二· l^n n In 1^1 L n l^n - - _ - (請先閩讀背面之注意事項再填寫本頁) -9 - «2595 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、 發明説明 ( 2 ) 1 9 濺 射 9 氣 MM 體 澱 積 或 其 它 用 於 歡 積 — 黏 附 金 靥 薄 膜 之 合 適 I 的 技 術 來 加 以 應 用 0 結 合 一 金 屬 膜 於 結 合 件 之 間 亦 是 可 能 - 1 1 I 的 > 該 膜 具 有 可 更 容 易 地 結 合 於 將 被 結 合 起 來 之 材 料 上 之 請 ! 能 力 0 將 被 結 合 起 來 之 表 面 以 化 學 的 或 其 它 的 方 法 加 以 製 先 1 備 9 用 以 移 除會 妨 礙 結 合 之 氧 化 物 或 其 它 化 學 的 薄 膜 0 背 面 之 1 1 該 靶 / 背 板 總 成 可 藉 由 使 用 像 是 熱 等 壓 沖 壓 ( ii 意 畫 1 | HI Pi ng ” ) 或 單 軸 熱 沖 壓 ( “ UHPi ng ” ) 之 技 數 來 擴 散 壓 ψ 項 再 1 1 合 0 在 熱 等 壓 沖 壓 中 S 該 未 結 合 的 總 成 被 置 於 — 對 柱 塞 填 寫 本 Λ·'- 1 台 板 或 衝 頭 之 間 〇 至 些 衝 頭 被 容 納 於 控 制 腔 室 內 其 容 許 溫 頁 1 I 度 , 壓 力 及 其 它 環 境 條 件 的 控 制 0 該 被 控 制 的 環 境 爲 — 眞 Γ 空 減 少 氣 體 或 鈍 氣 或 它 們 的 組 合 〇 在 該 單 軸 熱 衝 壓 控 制 1 室 內 之 溫 度 被 增 加 以 對 未 結 合 的 總 成 加 熱 〇 該 總 成被 加 熱 訂 I 該 被 用 作 爲 背 板 之 金 屬 的 均 勻 熔 點 之 下 的 — 溫 度 0 藉 由 Γ i 將 該 總 成 的 溫 度 提 升 至 該 背 板 材 料 的 熔 點 之 下 , 該 背 板 會 1 1 1 軟 化 且 在 被 衝 壓 時 會 與 該 濺 射 靶 之 處 理 過 的 結 合 表 面 形 1 成 — 緊 密 的 界 面 0 當 此 總 成 被 加 熱 時 , — 壓 縮 力 經 由 —1 在 - 1 軸 向 上 移 動 的 衝 頭 而 被 施 加 於 該 總 成 上 〇 該 總 成 在 這 些 溫 I 度 壓 力 及 氛 圍 氣 體 的 條 件 下 被 維 持 於 該 控 制 腔 室 內 — 段 I 足 以 形 成 該 結 合 的 濺 射靶 背 板 總 成 的 時 間 0 1 1 I 在 HI Pi ng 中 9 該 經 處 理 的 濺 射 靶 及 背 板 被 定 向 ( 1 1 or 1 e n t e d )以形成- -具有由該等結合表1 Ϊ所界定的界面之 1 i 總 成 > 且 該 總 重 被 置 於 一 HI Pi ng 罐 中 0 一 但 該 總 成 被 置 於 1 1 該 HI P 1 ng 罐 中 該 Η I Pi n g即 被 抽 眞 空 並 被 置 於 —* HI Pi ng腔 室 1 中 0 在 該 Η I Pi ng 腔 室 中 之 環 境 空 氣 被 眞 正 的 鈍 氣 9 像 是 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) Α7 Β7 4125^--—— 五、發咕說研T7丁一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 如在圖1Β中所示,該總成1 0,其將被容置於~ HlPing罐中(未示出)且該罐子被施與1 〇-2torr或更大 的真空,如經歷了高溫及壓力般地被圖像地顯示來,這將 會是其被容置於一 HIP ing容器內的情形•或者,圖1B顯 示該總成1 0其受到UHPing時之所經歷之高溫及壓力,其 同樣是在1 〇-2 tor r的真空下。
A 該總成1 0從約3 0 0 °C被加熱至約5 7 5 1的溫度 ’及較佳地從4 5 0 °C至約5 5 0 °C,及曾約3 0 MPA被 加壓至約1 4 0MPA,並被維持從3 0分鐘至約6 0分鐘 的時間。如果是UHPing被使用的話,該壓力是在一對柱 塞,台板或衝頭之間之間被發展的。如果是HIPing被使用 的話,該HlPing罐及在其內的總成1 0會受到來自於該H-IPing容器各個方向的壓縮力》藉由將該總成的溫度提升 至該背板材料的熔點之下的一溫度,該背板1 2會軟化, 且在被衝壓時會與該濺射靶16之結合表面形成一緊密的 界面。相似地,該塊體2 0與該背板1 2的底側相結合。 好浐部中央枕準而^工消费合作社卬繁 在該總成的1 0的冷卻期間|該石墨塊體2 0限制了 該鋁背板12的收縮使得該複合的背板12及塊體20的 熱收縮概略地與該鎢一鈦靶1 6的熱收縮相同。典型地, 該鎢—鈦靶16具有一概略爲6. 4x1 〇-6 /aC之熱膨 脹係數,該鋁背板具有一概略爲19. 8X10 -e/°C之 熱膨脹係數及該石墨塊體具有一概略爲6. 4x1 Ο-6/ °C之熱膨脹係數。因此該石墨塊體2 0具有與鎢一鈦靶 1 6之熱膨脹係數概略相等之熱膨脹係數。靶1 6及背板 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 412595 A7 ___B7 五、發明説明(3 ) 氬氣或氦氣,所取代。此外,在HIPing內的溫度及壓力如 上所述地相對於UHPing被提高,用以形成一結合在一起的 濺射靶/背板總成。再一次地,該總成被加熱至該被用作 爲背板之金屬的均匀熔點之下的一溫度,且該Η丨Pmg罐及 容納於該罐中的總成於一高壓下從各個方向被壓縮。該總 成被維持於所需要的溫度,壓力及氛圍條件下被維持一段 足以形成該結合的濺射靶/背板總成的時間。 UHPing及HIPing之代表性的時間,溫度及壓力被时論 於 1995年 4 月 21日提申名稱爲 “sputterTarget/Backing Platie Assemb 丨 y and Method of MakingSame” 讓予本案 申請人之美國專利申請案第08/426,246號中且在此藉由參 照而被併於本文中。因爲熱膨脹係數會誘發之在擴散壓合 之後的冷卻期間之結合的靶/背板之收縮,所以任何在祀 及背板的熱膨脹係數間的不當配合都會在此總成中產生應 力而扭曲該總成及/或損壞該靶標。 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印東 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 製成該等靶標之一特定的材料爲鎢鈦合金。具有由鎢 鈦合金所製成之靶的靶/背板總成具有典型地被使用之鈦 金屬作爲該背板的材料以避免靶及背板間之熱膨脹係數的 不當配合。然而,因爲鈦金屬很貴,所以並不想要將其作 爲製造背板的材料。雖然較便宜的材料,像是鋁,具有與 鎢鈦合金的熱膨脹係數差異很大的熱膨脹係數,故會導致 靶/背板總成變形及/或靶的損壞。 因此本發明的一目的爲爲提供一靶/背板總成及其製 造方法其可容忍靶及背板間之熱膨脹係數的不當配合故而 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格U10X297公釐) 經浐部中央榀準几只工消費合作·拉印^1
41S595 % ΓΡI ___L B7____ 五、發明説明(8 ) 1 2的變形及/或靶1 6的損壞因而被避免。 最後,如在圖2所示,被冷卻的該總成1 〇將鋼板 2 4及2 6及虛的背板2 2加工卻除。此外,該塊體2 〇 從凹陷1 4處被加工以在其被提供於一陰極總成中時提供 冷卻劑到該背板1 2的路徑· 現參照圖3A,一替待的總成5 0被示出。該總成‘ 5 0包括~鋁背板5 2其包括一被形成於其一側上之凹陷 5 4及一中因襯套5 6用以將該背板5 2固著於一音極總 成上。一鎢_鈦靶5 8位在一鋁隔離墊圈6 0內用以結合 至該背板5 2上。一石墨塊體6 2被提供以插入該凹陷 5 4中並包括一穿孔6 4用以接受該襯套5 6 * —須的鋁 背板6 6被置於該靶5 8之上。上及下鋼板6 8及7 0分 別被置於虛的鋁背板6 6之上及背板5 2之下而把塊體 6 2夾於其間》 如在先前的實施例中一般,該總成5 0會藉由HIPing 或UHPing而受到相同的壓力及溫度並持續相同的時間長度 (圖3B)。在該總成5 0的冷卻期間,該石墨塊體6 2 限制了該鋁背板5 2的收縮使得該複合的背板5 2及塊體 6 2的熱收縮概略地與該鎢-鈦靶5 8的熱收縮相同。靶 5 8及背板5 2的變形及/或靶5 8的損壞藉以被避免》 最後•及亦如在先前的實施例中般地,如圖4所示, 被冷卻的該總成5 0將鋼板6 8及7 0及虛的背板6 6加 工卻除。此外,該塊體6 2從凹陷5 4處被加工以在其被 提供於一陰極總成中時提供冷卻劑到該背板5 2的路徑。 本紙張尺度適用中固囤家標準(CNS ) A4规格(2丨0X297公釐) " —1 . . Ίί I I I , _麥 訂 ^ (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 - 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 412595 A7 ___ _B7五、發明説明(4 ) 不會危及該靶及背板間之熱及/或結構結合的一致性。 〔發明概要〕 本發明藉由提供一種形成一濺射靶/背板總成的方法 來達成上述的部的。該方法包括的步驟爲:提供一由一具 有一熱膨脹係數之第一材料製成的靶;提供一由一具有一 熱膨脹係數之第二材料製成的背板;提供一由—具有一熱 膨脹係數之第三材料製成的塊體:將該塊體置於置於該背 板的一側:將該靶置於該背板的另一側:使該靶,背板及 塊體經歷高溫及壓力用以將該靶,背板及塊體結合起來。 該第三材料是以其具有可抵消該第一及第二材料間之熱膨 脹係數效應之熱膨脹係數而被選取的。 該第三材料可被選擇爲具有與第一材料的熱膨脹係數 概略相等之熱膨脹係數。 該靶,背板及塊體可藉由熱等壓衝壓或單軸熱衝壓而 被擴散壓合在一起。 該靶較佳地是由鎢鈦合金所製成,該背板較佳地是由 鋁所製成的及該塊體較佳地是由石墨所製成的。在此例子 中,該靶具有一概略爲6. 4X10_6/°C之熱膨脹係數 ,該背板具有一概略爲19. 8Xl〇_6/°C之熱膨脹係 數及該塊體具有一概略爲6· 4X10-S/°C之熱膨脹係 數。 該背板具有較佳地具有一凹陷且該塊體被置於該凹陷 內0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 卜訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2I0X297公釐)-7 - 41259
A7 B7 五、發明説在—厂9 ) 那些習於此技藝者將會很容易地體認到可由本發明被 達成之許多的變化及修改將可導致一增進的濺射靶/背板 總成及方法,且所有的這些將會落於隨附之申請專利範圍 所界定之本發明的精神與範圍內。例如*除了鎢一鈦,銘 及石墨之外的許多其它材料可分別被使用來製造該靶,背 板及塊體•及,除了擴散壓合之外的其它的結合技術亦可 被使用。因此,本發明的範圍是由下面的申請專利範圍及 其等同者所限制的》 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 十f二 〇 >聚· a _2各_85110761號專利申請案 補_^中文說明書修正頁 民國87年8月呈 五、發明説明(5) 該背板在其凹陷中可具有一襯套。在此例子中,該塊 體具有一穿孔用以用以容納該背板襯套。本發明亦提供一 種由該方法所製造的靶/背板總成。 本發明之主要的優點爲提供一種靶/背板總成及其製 造方法,其容許將被擴散壓合之靶及背板是由具有不同的 熱膨脹係數之不同的材料所製成且在冷卻期間該總成不會 遭到變形且該靶不會損壤。 本發明之其它的目的及優點在下面參照了隨附的圖式 的詳細說明中將會變得更加的明顯,其中: 〔圖式簡要說明〕 圓1 A及1 B圖像地顯示依據本發明之形成一濺射靶/ 背板總成的方法而實施之一連串的步驟; 圖2顯示依據圖1 A及1 B之方法而製造之一濺射靶/ 背板總成; 圖3 A及3 B圖像地顯示依據本發明之形成另一種形式 的濺射靶/背板總成的方法而實施之一連串的步驟; 圖4顯示依據圖3 A及3 B之方法而製造之一濺射靶/ 背板總成* 主要元件對照 10 總成 12 背板 14 凹陷 本紙張尺度適用中囷國家標準(CNS ) A4规格(2丨Οχ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 :-部中央梂卑乃只工消费合作社印掣 -8 — 412595 好浐部中决"-苹而K工消赀合作社印衷 A7 B7 五、發明説明(6 ) 16 靶 18 結合介面 2 0 塊體 2 2 背板 2 4 上鋼板 2 6 下鋼板 5 2 背板 5 4 凹陷 5 6 襯套 5 8 靶 6 4 穿孔 6 6 背板 6 8 上鋼板 7 0 下鋼板 〔最佳實施例詳細說明〕 首先操照圖1 A,其顯示一載入一 HIPing罐內以接受 後續之H IPing之總成1 0。 該總成1 0包括一鋁背板1 2其包括一被形成於其一 側之凹陷14及一鎢一鈦靶16其於一結合界面18處結 合於該背板1 2上* 一石墨塊體2 0被提供以置於該凹陷 1 4中。一虛的鋁背板22被置於該靶1 6之上·上及下 鋼板2 4及2 6分別被置於虛的鋁背板2 2之上及背板 1 2之下而把塊體2 0夾於其間。 本紙張尺度適用中國囷家橾準(CNS ) Α4規格(2丨0Χ297公釐) n I _ 二· l^n n In 1^1 L n l^n - - _ - (請先閩讀背面之注意事項再填寫本頁) -9 - Α7 Β7 4125^--—— 五、發咕說研T7丁一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 如在圖1Β中所示,該總成1 0,其將被容置於~ HlPing罐中(未示出)且該罐子被施與1 〇-2torr或更大 的真空,如經歷了高溫及壓力般地被圖像地顯示來,這將 會是其被容置於一 HIP ing容器內的情形•或者,圖1B顯 示該總成1 0其受到UHPing時之所經歷之高溫及壓力,其 同樣是在1 〇-2 tor r的真空下。
A 該總成1 0從約3 0 0 °C被加熱至約5 7 5 1的溫度 ’及較佳地從4 5 0 °C至約5 5 0 °C,及曾約3 0 MPA被 加壓至約1 4 0MPA,並被維持從3 0分鐘至約6 0分鐘 的時間。如果是UHPing被使用的話,該壓力是在一對柱 塞,台板或衝頭之間之間被發展的。如果是HIPing被使用 的話,該HlPing罐及在其內的總成1 0會受到來自於該H-IPing容器各個方向的壓縮力》藉由將該總成的溫度提升 至該背板材料的熔點之下的一溫度,該背板1 2會軟化, 且在被衝壓時會與該濺射靶16之結合表面形成一緊密的 界面。相似地,該塊體2 0與該背板1 2的底側相結合。 好浐部中央枕準而^工消费合作社卬繁 在該總成的1 0的冷卻期間|該石墨塊體2 0限制了 該鋁背板12的收縮使得該複合的背板12及塊體20的 熱收縮概略地與該鎢一鈦靶1 6的熱收縮相同。典型地, 該鎢—鈦靶16具有一概略爲6. 4x1 〇-6 /aC之熱膨 脹係數,該鋁背板具有一概略爲19. 8X10 -e/°C之 熱膨脹係數及該石墨塊體具有一概略爲6. 4x1 Ο-6/ °C之熱膨脹係數。因此該石墨塊體2 0具有與鎢一鈦靶 1 6之熱膨脹係數概略相等之熱膨脹係數。靶1 6及背板 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經浐部中央榀準几只工消費合作·拉印^1
41S595 % ΓΡI ___L B7____ 五、發明説明(8 ) 1 2的變形及/或靶1 6的損壞因而被避免。 最後,如在圖2所示,被冷卻的該總成1 〇將鋼板 2 4及2 6及虛的背板2 2加工卻除。此外,該塊體2 〇 從凹陷1 4處被加工以在其被提供於一陰極總成中時提供 冷卻劑到該背板1 2的路徑· 現參照圖3A,一替待的總成5 0被示出。該總成‘ 5 0包括~鋁背板5 2其包括一被形成於其一側上之凹陷 5 4及一中因襯套5 6用以將該背板5 2固著於一音極總 成上。一鎢_鈦靶5 8位在一鋁隔離墊圈6 0內用以結合 至該背板5 2上。一石墨塊體6 2被提供以插入該凹陷 5 4中並包括一穿孔6 4用以接受該襯套5 6 * —須的鋁 背板6 6被置於該靶5 8之上。上及下鋼板6 8及7 0分 別被置於虛的鋁背板6 6之上及背板5 2之下而把塊體 6 2夾於其間》 如在先前的實施例中一般,該總成5 0會藉由HIPing 或UHPing而受到相同的壓力及溫度並持續相同的時間長度 (圖3B)。在該總成5 0的冷卻期間,該石墨塊體6 2 限制了該鋁背板5 2的收縮使得該複合的背板5 2及塊體 6 2的熱收縮概略地與該鎢-鈦靶5 8的熱收縮相同。靶 5 8及背板5 2的變形及/或靶5 8的損壞藉以被避免》 最後•及亦如在先前的實施例中般地,如圖4所示, 被冷卻的該總成5 0將鋼板6 8及7 0及虛的背板6 6加 工卻除。此外,該塊體6 2從凹陷5 4處被加工以在其被 提供於一陰極總成中時提供冷卻劑到該背板5 2的路徑。 本紙張尺度適用中固囤家標準(CNS ) A4规格(2丨0X297公釐) " —1 . . Ίί I I I , _麥 訂 ^ (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 - 41259
A7 B7 五、發明説在—厂9 ) 那些習於此技藝者將會很容易地體認到可由本發明被 達成之許多的變化及修改將可導致一增進的濺射靶/背板 總成及方法,且所有的這些將會落於隨附之申請專利範圍 所界定之本發明的精神與範圍內。例如*除了鎢一鈦,銘 及石墨之外的許多其它材料可分別被使用來製造該靶,背 板及塊體•及,除了擴散壓合之外的其它的結合技術亦可 被使用。因此,本發明的範圍是由下面的申請專利範圍及 其等同者所限制的》 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐)
Claims (1)
- 412595 iS DH 六、申請專利範圍 8. . ^ Ά* ϋ 1 附件二: 第8511〇761號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國89年8月修正 1 · 一種形成一濺射靶/背板總成的方法,該方法包 括的步驟爲: 提供一由一具有一熱膨脹係數之第一材料製成的靶; 提供一由一具有一熱膨脹係數之第二材料製成的背板 i 提供一由一具有一熱膨脹係數之第三材料製成的塊體 將該塊體置於置於該背板的一側; 將該靶置於該背板的另一側; 使該靶,背板及塊體經歷高溫及壓力用以將該靶,背 板及塊體結合起來; 該第三材料是以其具有可抵消該第一及第二材料間之 熱膨脹係數效應之熱膨脹係數而被選取的。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第三 材料可被選擇爲具有與第一材料的熱膨脹係數概略相等之 熱膨脹係數。 3 .如申請專利範圍第2項所述之方法,其中該粑, 背板及塊體可藉由熱等壓衝壓而被擴散壓合在一起。 4 .如申請專利範圍第2項所述之方法,其中該祀, 背板及塊體可藉由單軸熱衝壓而被擴散壓合在一起。 本纸?^尺庋遶用中固舀家標準(CNS)/\4規格(:Π0 χ 297公复} (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •I5°J' ;線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印智 412595 iS DH 六、申請專利範圍 8. . ^ Ά* ϋ 1 附件二: 第8511〇761號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國89年8月修正 1 · 一種形成一濺射靶/背板總成的方法,該方法包 括的步驟爲: 提供一由一具有一熱膨脹係數之第一材料製成的靶; 提供一由一具有一熱膨脹係數之第二材料製成的背板 i 提供一由一具有一熱膨脹係數之第三材料製成的塊體 將該塊體置於置於該背板的一側; 將該靶置於該背板的另一側; 使該靶,背板及塊體經歷高溫及壓力用以將該靶,背 板及塊體結合起來; 該第三材料是以其具有可抵消該第一及第二材料間之 熱膨脹係數效應之熱膨脹係數而被選取的。 2.如申請專利範圍第1項所述之方法,其中該第三 材料可被選擇爲具有與第一材料的熱膨脹係數概略相等之 熱膨脹係數。 3 .如申請專利範圍第2項所述之方法,其中該粑, 背板及塊體可藉由熱等壓衝壓而被擴散壓合在一起。 4 .如申請專利範圍第2項所述之方法,其中該祀, 背板及塊體可藉由單軸熱衝壓而被擴散壓合在一起。 本纸?^尺庋遶用中固舀家標準(CNS)/\4規格(:Π0 χ 297公复} (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •I5°J' ;線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印智 412595 AH ί)8 六、申請專利範圍 _ 5 .如申請專利範圍第2項所 '述之方法,其中該靶是 由鎢鈦合金所製成,該背板是由鋁所製成的及該塊體是由 石墨所製成的。 6 .如申請專利範圍第5項所述之方法*該靶具有一 概略爲6. 4xlO_s/°C之熱膨脹係數,該背板具有一 概略爲19. 8x1 〇-e/°C之熱膨脹係數及該塊體具有 一概略爲6 . 4 X 1 0—s/°C之熱膨脹係數。 7 .如申請專利範圍第1項所述之方法1其中該背板 具有一凹陷且該塊體被置於該凹陷內。 8.如申請專利範圍第7項所述之方法,其中該背板 在其凹陷中具有一襯套,且其中該塊體具有一穿孔用以用 以容納該背板襯套。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂, 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印.¾ 冬紙張H適用由围國家標準(Civs);\l規格(210 X 297公釐> -2 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/515,857 US5857611A (en) | 1995-08-16 | 1995-08-16 | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW412595B true TW412595B (en) | 2000-11-21 |
Family
ID=24053059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW085110761A TW412595B (en) | 1995-08-16 | 1996-09-03 | Method of making sputter target/backing plate assembly |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5857611A (zh) |
EP (1) | EP0845052A1 (zh) |
JP (1) | JP4101292B2 (zh) |
KR (1) | KR100433613B1 (zh) |
AU (1) | AU6842796A (zh) |
SG (1) | SG50753A1 (zh) |
TW (1) | TW412595B (zh) |
WO (1) | WO1997007258A1 (zh) |
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TWI806224B (zh) * | 2021-11-05 | 2023-06-21 | 臺灣蘇晶股份有限公司 | 靶材與背板貼合製作方法 |
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EP2707520B1 (en) | 2011-05-10 | 2018-05-02 | H.C. STARCK, Inc. | Composite target |
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- 1996-08-05 KR KR10-1998-0701142A patent/KR100433613B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-05 JP JP50932697A patent/JP4101292B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-05 AU AU68427/96A patent/AU6842796A/en not_active Abandoned
- 1996-08-05 EP EP96928805A patent/EP0845052A1/en not_active Withdrawn
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR19990037665A (ko) | 1999-05-25 |
JPH11511206A (ja) | 1999-09-28 |
JP4101292B2 (ja) | 2008-06-18 |
WO1997007258A1 (en) | 1997-02-27 |
EP0845052A1 (en) | 1998-06-03 |
AU6842796A (en) | 1997-03-12 |
US5857611A (en) | 1999-01-12 |
SG50753A1 (en) | 1998-07-20 |
KR100433613B1 (ko) | 2004-11-20 |
US6183613B1 (en) | 2001-02-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |