TW412564B - Methods for producing a water insoluble, aqueous alkali soluble, film forming novolak resin, a positive photoresist composition and semiconductor device - Google Patents

Methods for producing a water insoluble, aqueous alkali soluble, film forming novolak resin, a positive photoresist composition and semiconductor device Download PDF

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TW412564B
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TW086100172A
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M Dalil Rahman
Daniel P Aubin
Elaine G Kokinda
Dana L Durham
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Clariant Finance Bvi Ltd
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Description

經濟部中央樣準局員工消費合作社印衮 412564 A7 ________B7 五、發明説明(1) 明背景 本發明係關於一種使用酸性離子交換樹脂作爲觸媒,以 製備水不溶性、水溶液鹼可溶性之具有固定分子量以及非 f低的金屬#子含量m鈉以及鐵π的祕清漆樹脂 之方法,本發明另提供一種使用此等酚醛清漆樹脂於光敏 性組合物中之方法。此外,本發明亦關於經塗覆以此等光 敏性组合物之基材,以及將此等光敏性混合物於基材上塗 覆、造影及顯像之方法。 抗光蝕劑組合物係用於顯微蝕版印刷方法中,以製造 小型的電子元件,例如:電腦晶片以及積體電路等結構。 通常,於此等方法中,係先將抗光蝕劑組合物之薄塗層, 施用於例如用以製造積體電路之矽晶圓等基材物質上:該 經塗覆之基材接著進行烘烤,以.蒸氣化抗光蝕劑組合物中 所包含之任何溶劑,並且使該塗層緊密固定於物質上;基 材經烘烤後之塗層表面,緊接著係於輻射中進行全影像曝 光。 此等輻射曝光會造成塗覆表面曝光區域之化學性改變。 可見光、紫外光(UV)、電子光束及χ光輻射能,皆是現 今顯微蝕版印刷方法中經常使用的輻射型式Q在全影像曝 光之後,該經塗覆之基材係經過顯像液之處理,以溶解及 移除基材塗覆表面之曝光區域或未曝光區域。 金屬污染物係高密度積體電路以及電腦晶片等結構中長 期以來之問題,經常導致故障、產率降低、緩降以及較差 之功能等問題。在電漿方法中,諸如鈉以及鐵等金屬離 -4- 本紙張尺度逋用中國國家樣準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. -訂- 412564 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(2 子,當存在於光阻性組合物中時, 以電漿進行去除之過程中。蚨& 尤其疋在 ”…,二 ’珠而,此等問題可藉由在製造 :!二,於高溫退火循環過程中,使用阳以吸除 )了染物而解決。 然而,當半導禮裝置具有許多混雜電路時,此等問題便 變得相當難以克服。切晶圓上塗覆著待以,例如氧之微 波電浆,進行去除之㈣正綠料,通常會導致半導想 裝置之功能以及安定性變得較差,當電漿去除方法重覆 時,通常會產生更大的裝置功能之降低。導致此等問題之 主要原因,經發現爲半導趙裝置上所塗覆之光阻劑中的金 屬離子污染物’尤其是納以及鐵。經發現,光阻劑中所存 在的少於i.Oppm之金屬離子污染物,會對此等半導體裝 置之性質造成反效果。 酚醛清漆樹脂通常用於液體正光阻劑配方中以作爲聚合 性黏合劑。此等樹脂一般係藉由在酸性觸媒,例如草酸或 者順丁缔二酸酐等之存在下,進行〒醛與一或多個經多重 取代之酚類的縮合作用而得。在製造具有許多混雜電路的 半導體裝置時,提供一種具有低於1 〇ppm之金屬離子污 染物的光阻劑顯得愈形重要◦當進行原料之純化作用以去 除金屬時’通常會一起移除非常微量之氮基質’當缺少此 等氮基質時,酚醛清漆樹脂往往會因爲在製程中的高溫蒸 餾步驟期間所發生的樹脂之去聚合作用而失敗。 總共有兩種類型的抗光蚀劑組合物:正光阻型及負光 阻型°當負光阻型抗光蝕劑组合物於輻射中進行全影像曝 -5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21 Οχ 297公釐) ΊI 裝, -1Τ'# (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 412564 經濟部令央標準局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明(3 ) 光時抗光蚀劑組合物曝露於輕射中之區域,會變得比較 不备於顯像液中(亦即··發生了交聯反應),而該抗光餘劑 塗暦未曝露於輕射中之區域,則相對地仍然可轉於顯像 液中。因此,以顯像液處理經曝光之負光阻劑,會造成 k光触劑塗層的未曝露於輻射中之區域的移除,而露出 所欲之抗光蝕劑组合物沉積於其上的下層基材物質部份。 另方面,®正光阻型抗光蚀劑組合物於輕射中進行 全影像曝光時,抗光蝕劑组合物曝露於輻射中之區域,會 變得較易溶於顯像液中(亦即:發生了重组反應),而其它 區域,則相對地仍不溶於顯像液中。因此,以顯像液處理 經曝光t正光阻劑’會造成抗光蝕劑塗層曝光區域之移 除’益於抗光蝕劑塗層中造成了正影像,同時,所欲的 部份下層基材物質之表面係未經覆蓋。 在此顯像步驟之後,該目前有部份未經保護之基材,可 以基材蚀刻溶液或電漿氣體等予以處理。基材蝕刻溶液或 電漿氣體’會侵蚀基材的抗光蚀劑塗層已於顯像步驟中 移除之部份,而基材的抗光蝕劑塗層仍留存之部份係經 保護,因此,基材物質上便形成了相關於經輻射全影像 曝光時所使用的光罩之圖騰。其後,抗光蝕劑塗層仍然 留存之部份,可經由剝離步驟而清除,而留下乾淨的經餘 刻之基材表面。於某些實例中,在顯像步驟之後及蝕刻步 驟之前,會需要加熱處理以增加其對下層基材之黏附性, 以及其對姑刻溶液之抗力。 正光阻型抗光蝕劑組合物,目前而言比負光阻型抗光 -6 · 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0·〆297公釐} ! ^ ^ ^"訂 II 線 ' r ▼ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 412564 A7 B7 五、發明説明(4 ) 請 先 閱 讀 背 δ 之 注 意 事 項 再 填 [裝 頁 蚀劑组合物受歡迎,因爲其通常具有較佳之解析力,以及 較好的圖騰轉印特性。抗光蝕劑之解析力係定義成:在曝 光及顯像步驟t後,抗光蝕劑組合物可自光罩上轉印至基 材上、並且具有高度造影邊緣銳度之最小影像。在現今之 許多製程應用中,係需要丨微米或更小的解析度,此外, 業界通常要求該經顯像的抗光蝕劑壁之侧面觀,相對於 基材而言’必須是垂直的。如此,抗光蝕劑塗層之經顯 像的及未經顯像的區域’可精準地將光罩之影像轉印成基 材之圖騰。 先前技藝之描述 訂 線 經濟部中央標準扃員工消費合作社印製 進年來,在酚醛清漆樹脂之合成上已有顯著之進步。 經報導指出,在激烈的合成條件下,酚醛清漆樹脂之會 改變,尤其是當使用高濃度之酸性觸媒以及於高溫下時 更甚,可見於Rahman等人在1993年時,於SPiE會議中所 發表的“驗酸清漆樹脂之重新排列組合(Rearrangement of NovolakResin)”,以及Khadim等人在 1994年時,於SPIE 會議中所發表的“以碳-1 3 NMR光譜測定之酚醛清漆樹脂 中圖騰之本質以及取代度(The Nature and Degree of Substitution Patterns in Novolak Resin by Carbon-13 NMR Spectroscopy)”。在典里的紛搭清漆樹脂反應中, 反應器中係進料以酚類化合物’以及例如草酸、順丁烯 二酸(順丁烯二酸酐)、對-甲苯磺酸或任何無機機酸等之 酸性觸媒,同時加熱至約9 5至100 °C。甲膝係經緩慢添 加,而反應物係於回流下加熱約6小時,在此縮合反應終 本纸張尺度適用中國國家榇準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 412S64 A7 I_________B7 五、發明説明(5 ) 了時將反應器轉成蒸餾階段,並將溫度調升至約220 t。在此反應點時,緩慢除去眞空,溫度係上升至约22〇 3c,而壓力係下降至約20釐米汞柱高。在揮發性物質皆 蒸發掉後,除去眞空,收集該溶化之樹脂並使之冷卻。 在上述的樹脂合成過程中,係在不同溫度下取樣,並以 GPC( Gas Phase Chromatography)進行檢測。結果發現聚 合物平均分子量有下降的現象,尤其是在16〇19〇χ此溫 度範圍間,(Rahman等人,在1994年時,於EUenvilie會 議中所發表的“路易士鹼對酚醛清漆樹脂分子量之影響 (The Effect of Lewis Bases on the Molecular Weight of Novolak Resins)”。除非甲基酚相當純,否則此等分子量 下降之現象並不會被發現。若甲基紛中包含微量之氮基 質,則蒸餾過程中產生之分子量下降現象便不會發生。 頒發給與本發明相同的申請人之相關美國申請案系列案 號第997,942號(WO 94/14862),1994年申請,以及系列 案號第 999,500 號(WO 94/14863),1992 年 1 2 月 29 曰申 請,其皆併入本發明中作爲參考,其中揭示一種在縮合 反應之前或之後,藉由調整酚類化合物中路易士鹼之用 量,進而控制分子量之改良方法,其中敎示:在使用離 子交換樹脂、蒸淘方法、及/或溶劑萃取方法以移除金屬 離子而進行之齡·類化合物純化過程中,所存再的少量的 檢亦會被同時移除。由於餘之不存在,盼趁清漆樹脂在 製造過程中會部份地經去聚合化。該經去聚合化樹脂物 理性質會因爲降解作用而改變,同時此等樹脂在光阻性 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0 X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 412564 A7 ------ B7 ~~—— _ 五、發明説明(6 ) 組合物中亦愛無用處。此問題可藉由調整路易士鹼之用 量而可尤全避免,例如,可在酚醛清漆樹脂在製造過程 中的縮合反應之前或之後,添加少量的路易士鹼。 在由與本發明相同申請人於1994年〗2月曰所申請的 共同審理中之美國專利申請案系列案號第366 634號中, 係揭示一種分離紛醛清漆樹脂之方法,其併入本發明中 供作參考,該方法係於低於約140X:之溫度下、使用次表 面張力蒸氣蒸餾,以避免高溫下該酚醛清漆樹脂分子量 之下降。業界人士皆知,鹼可溶性酚醛清漆樹脂可經由 酚類單體與醛類來源之混合物間之縮合反應而製得。此 等酚醛清漆樹脂之合成方法係揭示於美國專利第 5,346,799號中,其内文係併入本發明中供作參考。 發明簡述 申請人現已發現到,酚醛清漆樹脂之合成方法,可藉 •由使用一種固體酸性觸媒作爲縮合反應之觸媒,以移除 金屬離子,而獲得進一步之改良。該固體觸媒在縮合反 應之後,可藉由例如過濾等方法移除,是以,在進行高 溫蒸餾方法之過程中’並不會導致任何去聚合作用。 本發明係關於一種製備具有固定分子量以及非常低的 金屬離子含量,尤其是鈉以及鐵,的酚醛清漆樹脂之方 法。本發明亦關於一種包含此等酚醛清漆樹脂之光阻性 組合物,以及使用此等酚醛清漆樹脂以製備該光阻性組 合物之方法。本發明另亦關於一種在高溫蒸餾方法進行 之前,將該固體酸性觸媒自酚類化合物-甲縮合產物中 -9- 本紙張尺度適用中國國家標孪(CNS ) Λ4规格(210X297公釐) ---- -------^---裝------訂-----線 . * - - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 412564 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(7 ) 移除’而製備具有實質上固定之重量平均分子量(即:在 +/· 1 0%或者更少之間變化)之酚醛清漆樹脂。本發明進一 步關於一種塗覆包含此等酚醛清漆樹脂以及光敏劑的光 阻性组合物之半導體β 本發明提供一種水不溶性、鹼溶液可溶性之薄膜成形 驗經清漆樹脂’其係藉由將甲链與一或多種紛類化合 物,例如間-甲苯酚、對-甲苯酚、3,5_二甲酚或者2,4_ —甲酚等,予以縮合而得。本發明方法所獲得之酚醛清 漆樹脂,具有非常低含量的、例如鐵 '鈉、鉀、鈣、 鎂、銅及鋅等金屬離子,其中各類金屬離子之含量應皆 少於2〇0ppb。鈉及鐵係最常見之金屬離予污染物,且係 最先測出者,此兩金屬離子之含量係以作爲其它金屬離 子含量之指標。鈉及鐵係之金屬含量,較佳係分別少於 l〇〇PPb,更佳係分別少於50ppb ,甚至更佳係分別少於 20ppb ’而最佳係分別少於〗〇ρρ|?。 ,水不溶性、狯溶液可溶性之具有非常低的金屬含量之 薄膜成形酚醛清漆樹脂,可藉由將具有非常低的金屬含 量之甲搭,與-或多種具有非常低的金屬含量之紛類化 合物’例如•間-甲笨紛 '對-甲笨紛、2,[或者2乃-二 甲酚♦’予以縮合而得。此縮合作用係在例如草酸、順 =二酸、射稀讀㈣者對_¥苯料等酸性觸媒之 行。在本發明方法之較佳具體實施例中,該固 .媒在阿溫蒸餾反應之前’係經由例如過濾等方 法移除,而獲得具有固定之重量平均分子量以及非常低 10- 本紙張尺度· ) Λ4^ (210X297公釐) ---1 I —Ί^ί— J— 訂— I —1 線 - - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ____ 1. 25 Α7 β7 412564 第^Γΐ00172號專利申請案 中文說明書修正頁(89年1月) 五、發明説明(8 ) 的金屬離子含量之酚醛清漆樹脂。若無相反之敘述,則 本發明中之分子量應皆指重量平均分子量而言。 本發明中提供一種製備具有固定分子量以及非常低的 金屬離子含量,尤其是鈉以及鐵,的酚醛清漆樹脂之方 法。該方法包含: a)在例如酸性交換樹脂等固體酸性觸媒之存在下,將 曱越與一或多種酚類化合物予以縮合而得,而該酸 性交換樹脂係不溶於具取代基之酚、甲醛、丙二醇 甲基醚乙酸酯(PGMEA)、二丙二醇甲醚(DPGME) 以及3 -甲氧基-3-甲基丁唪(MMB); b ) 在縮合反應之後,可藉由例如過濾等方法而將該固 體酸性觸媒移除;以及 Ο 藉由例如蒸餾作用等方法,而將未反應之酚類化合 物予以移除因此而製得一種水不溶性、鹼溶液可溶 性之薄膜成形酚醛清漆樹脂,其係具有固定之分子 量’以尽分別少於200ppb之鈉及鐵含量,較佳係分 別少於lOOppb ’更佳係分別少於5〇ppb,甚至更佳 係为別少於2 0 p p b ’而最佳係分別少於1 〇 p p b。 本發明中進一步提供一種製備具有非常低的鈉及鐵離 子總含量的正光阻組合物之方法。該方法包含: a ) 在例如酸性離子交換樹脂、更佳係為強酸性離子交 -11 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---------- 裝------:訂:------涨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本瓦) 經濟部中央樣準局員工消费合作社印装 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 ________Β7五、發明説明(9 ) 換樹脂例如Amberlyst® A-15樹脂、最佳係爲強酸性 離子交換樹脂例如Amberlyst® A-15樹脂與鉗合離子 交換樹脂(具有一或多個可吸引金屬或者與例如鐵等 金屬鍵結之鉗合基之離子交換樹脂)例如酸性型式之 Ambeiiyst® ICR-71 8樹脂之混合物,等固體酸性觸 媒之存在下,將甲醛與一或多種酚類化合物予以縮 合而得; b)在縮合反應之後,可藉由例如過遽等方法而將該固 體酸性觸媒移除;以及 c )藉由例如蒸餾作用等方法,而將酚類化合物予以移 除因此而製得一種水不溶性、鹼溶液可溶性之薄膜 成形紛醛清漆樹脂,其係具有固定之分子量,以及 分別少於200ppb之鈉及鐵含量,較佳係分別少於 lOOppb,更佳係分別少於5〇ppb,甚至更佳係分別 少於20pPb,而最佳係分別少於i〇ppb ; d) 製備一種下列之預混物:1) 一種光敏性成份,其用 量係爲足以將該光阻组合物予以光敏化者;2 )該水 不溶性、鹼溶液可溶性之薄膜成形酚醛清漆樹脂以 及3 ) —種適當之光阻性溶劑,以形成—種光阻組合 物。 本發明中更進一步提供一種製造半導體裝置之方法, 其係藉由在適當之基材上,塗覆一種正光阻性組合物, 以形成光顯影而成,該方法包含: a ) 在例如酸性離子交換樹脂、更佳係爲強酸性離子交 -12- ----1丨「丨—裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2l〇X297公釐) 412564 A7 ___B7_ 五、發明説明(1〇) ~~ 換樹脂例如Amberlyst® A-1 5樹脂、最佳係爲強酸性 離子交換樹脂例如Amber ly st® A· 15樹脂與紐合離子 交換樹脂(具有一或多個可吸引金屬或者與例如鐵等 金屬鍵結之鉗合基之離子交換樹脂)例如酸性型式之 Amberlyst® ICR-718樹脂之混合物,等固體酸性觸 媒之存在下,將甲醛與一或多種酚類化合物予以縮 合而得; b) 在縮合反應之後,可藉由例如過濾等方法而將該固 體酸性觸媒移除;以及 c) 藉由例如蒸餾作用等方法,而將酚類化合物予以移 除因此而製得一種水不溶性、驗溶液可溶性之薄膜 成形酚醛清漆樹脂,其係具有固定之分子量,以及 分別少於200ppb之鈉及鐵含量,較佳係分別少於 1 OOppb,更佳係分別少於50_ppb,甚至更佳係分別 少於2 0 p p b ’而最佳係分別少於1 〇 p p b : d ) 製備一種下列之預混物:1 ) 一種光敏性成份,其用 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 量係爲足以將該光阻组合物予以光敏化者;2 )該水 不溶性、鹼溶液可溶性之薄膜成形酚醛清漆樹脂以 及3 ) —種適當之光阻性溶劑,以形成一種光阻组合 物; e) 將該光阻組合物塗覆在適當之基材上; f) 對該經塗覆之基材進行加熱處理,直至實質上所有 的光阻性溶劑皆去除爲止;將光敏性組合物予以全 影像曝光;以例如水溶性鹼性顯像劑移除此等組合 -13、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!〇X 297公# } 經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 412564 , A7 ________ ___B7 五、發明説明(H) 物之全影像曝光區域。緊接著此移除步驟之前或者 於該步驟之後,可視需要地烘烤基材。 丝_隹具趙f施例之詳.fa _明 酸性離子交換樹脂,例如苯乙烯/二亞乙晞苯陽離子交 換樹脂,可使用於本發明方法中,此等離子交換樹脂可爲 例如獲自Rohm及Haas公司的Amberlyst® A-1 5樹脂。 甲酸較佳係以例如之溶液形式,通過含有酸性離子交換 樹脂之管柱中,例如爲約3〇 %之甲醛溶於水及甲醇中之形 式。此等溶液一般各含有至少自25〇到1〇〇〇ppb的鈉及鐵 離子°在實施本發明方法期間,其含量各自減低到少於約 lOppb 。 與該經純化的甲醛縮合之酚類化合物亦必須具有低的金 屬離子含量;此等低的金屬離子含量可藉由將酚類化合物 進行蒸餾,以使鈉及鐵離子之含量各爲少於50 ppb甚或更 少:此等低的金屬離子含量亦可藉由將酚類化合物通過包 含酸性離子交換樹脂之管柱,而達到各少於3〇ppb甚或更 少;另外一種達到此一低金屬離子含量的方法爲:利用溶 劑萃取法,例如,該酚類化合物可使用1 〇 %之酸性水溶液 進行萃取,以移除金屬離子而使其含量達到各少於30 ppb 甚或更少。 本發明提供一種紛搭清漆樹脂,一種包含此等紛趁清漆 樹脂之光阻性組合物,以及使用此等光阻性组合物以製備 半導體裝置之方法。該光阻性組合物係由一種光敏劑、本 發明之可水不溶性、鹼溶液可溶性酚醛清漆樹脂、以及一 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210 X 297公釐) n1I \1 I I 訂-™ _ — 务 (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 412«β4 Α7 Β7 五、發明説明(12 ) — 種適當之光阻性洛劑所構成。適用於該抗光阻劑组合物以 及酚醛清漆樹脂製造中之溶劑,可包括:聚丙二醇單炫基 醚類,聚丙二醇烷基(例如甲基)醚醋酸酯,2_庚酮,乙基 -3-乙氧基丙酸酯,乳酸乙酯,乙基_3乙氧基丙酸酯與乳 酸乙酯之混合物,醋酸丁酯,二甲苯酚,二甘醇二甲醚, 及聚乙二醇單乙基醚醋酸酯。較佳之溶劑爲:聚乙二醇單 乙基醚醋酸酯(PGMEA),2_庚酮,乳酸乙酯及乙基·3·乙 氧基丙酸酯(ΕΕΡ)。 其它視需要之成份,例如:色素,染料,抗縐紋劑, 剝除劑,塑形劑,黏度促進劑,加速劑,溶劑,及如非離 子型界面活性劑等,皆可溶液塗覆於基材前,加入該聚坑 化樹脂、光敏劑及溶劑之溶液中。可與本發明之抗光阻劑 組合物並用的染料添加劑之例子,包括:甲基紫 2B(C.I.No.42535),結晶紫(C I 42555),孔雀綠 (C.I.No.42000),維多利亞藍 b(c.I.No.44045)及天然紅 (C.I.No.50040)等’其用量可爲基於樹脂及光敏劑混合總 重之自約1到1 0重量% ;此染料添加劑係可抑制自基材上 散發出的光之反射,而可改善解析度,亦可提供良好的視 覺確認度,或者有助於背景校準。 抗縐紋劑,例如氟化的界面活性劑及其它,可添加佔樹 脂及光敏劑混合總重之至多約5重量。/。=>可使用的塑形劑 之例子’包括:例如,磷酸三-(β -氣乙基酯,硬脂酸, 二樟腦油,聚丙二醇,醚醋樹脂,苯氧基樹脂等,可添加 佔樹脂及光敏劑混合總重之自約1到1 0重量% ;塑形齊丨添 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨ΟΧΜ7公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1r .線 經濟部中央梂隼局貝工消費合作社印裝 «LS664 A7 ---87 —___ 五、發明说明(13 ) 加劑係可改良物質之塗覆性質,且可使薄膜平滑且厚度均 勻地施用於基材上。 可使用的黏度促進劑之實例,包括:例如,β - ( 3,4 -環 氡-環己基)-乙基甲氧基矽烷,對·甲基-二矽烷-甲基丙醯 酸甲酯,乙烯基三氣矽烷,及γ-胺基·丙基三-乙氧基矽 烷,用量係佔樹脂及光敏劑混合總重之至多約4重量%。 可使用的顯像加速劑之實例,包括:例如,苦味酸,尼古 丁酸,芳族磺酸,硝基肉桂酸,或聚羥基酚類,用量可佔 樹脂及光敏劑混合總重之至多約2 0重量0/。。 塗覆溶劑於全部组合物中之量,可爲组合物固體總重之 至多9 5重量%。當然,溶劑在抗光蝕劑溶液塗覆於基材上 並乾燥後,已實質上完全移除。可使用的非離子型界面活 性劑之實例,包拾:例如,壬基笨氧基聚(乙烯氧基)乙 醇’辛基苯氧基乙醇,用量可佔樹脂及光敏劑混合總重之 至多約1 0重量%。 所製得之抗光蚀劑溶液,可使用任何習知的、用於抗光 蚀劑技藝中之方法,包括浸潰、噴霧、旋轉及溶紡塗覆 法’而施用於基材上。舉例來説,當使用噴霧塗覆法時, 抗光蚀劑溶液可針對所使用的噴霧塗覆裝置'及噴霧過程 所容許之時間,將固體含量之百分比作一調整,以提供所 欲之塗覆厚度。適當的基材包括:矽石、鋁土、聚合樹 脂、二氧化矽、含添加劑的二氡化矽、硝酸矽、钽 '銅、 聚夕石陶资、紹/銅混合物、坤化嫁及其它第η丨/ γ·族化 合物。 -16- 本紙狀度通财格(2iGx 297公着)~*- Ί. I裝 訂 ; 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央棣準局員工消f合作社印製 418M4 A7 _____B7 五、發明説明(14 ) 根據本文中描述的步驟所製成之抗光蝕劑塗料,特別適 用於經熱伸展性矽石/二氧化矽塗覆之晶圓的應用中,例 如,製作微小操作元件以及其它微小積體電路元件等。鋁 /氧化銘之晶圓亦可使用。基材亦可包括各種聚合樹脂, 尤其是透明的聚合物,例如聚酯類。該基材亦可具有含適 當組合物之黏附性促進層,例如像含有六-烷基二矽氮,烷 者。
抗光蝕劑溶液接著便塗覆於基材上,然後於加熱平盤 上’在自約7 0 C至約1 1 〇 °C的溫度下,進行加熱處理約 3 0秒至約1 8 0秒,或對流烘箱中,經加熱處理約1 $分鐘 至約9 0分鐘。此加熱處理之條件必須選定成:可以減低 把光蚀劑中之殘留溶液的濃度,然而並不會造成光敏劑的 實質熱衰退者。通常,技藝人士爲要求溶劑的濃度能減至 取小’會施予首次之溫度處理,直至實質上所有的溶劑皆 已蒸吼化、而殘留1微米之抗光蚀劑.组合物的塗層於基材 上爲止。在較佳具體實施例中,溫度係介於約8 5 -c至約 9 5 C間,此加熱處理必須持續施行,直至溶劑移除的變 化速率變得相當不明顯爲止。溫度及時間之選擇,係取決 於使用者所欲之抗光蝕劑的特性,以及所使用之設備,和 商業上所許可的塗覆時間。該經塗覆的基材,接著可曝露 於有光化性的輻射中’例如,紫外光輻射,波長自約3 〇 〇 毫微米至約450毫微米,X光,電子光束,離子光束或雷 射輻射能,接受任何使用適當光罩、負光阻劑、鏤花模 版、樣版等所製成之圖騰D ' 17- 本紙張尺度·中關家標準(CNS ) A4规格⑺Gx 297公着) -------^--I 裝------訂-----線------Γ - · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 4185·4 Α7 ____ ____ Β7 五、發明説明(15 ) 抗光蚀劑组合物’可視需要地㈣影步驟之前或之後, 緊接著進行後曝光二次烘烤、或者進行加熱處理。加舞處 理之溫度可介於約9(rc至约12(rc間,較佳係自約1〇〇。〇 至約Ι10Ό間;加熱的過程可持續約3〇秒至約2分鐘,較 佳係於加熱平盤上,進行約6〇秒至約9〇秒之加熱處理, 或者以對流烘箱,進行約3〇分鐘至約45分鐘之加熱處 理。 該經曝光的、塗覆抗光蝕劑之基材,係經過浸潰於鹼性 顯像液中之顯像處理,以移除全影像曝光區域,或經由噴 霧顯像處理而顯像。溶液較佳係經過均質化,例如,經通 入氮氣而均質化。該基材可持續留置於顯像液中,直至所 有的、或實質上全部的抗光蝕劑塗層,已經完全自曝光區 域移除爲止》顯像液可包括氨或鹼金屬氫氧化物之水溶 液,膽檢或乙二胺。較佳的氩氧化物係爲四甲基氫氡化 氨。在將該經塗覆的基材自顯像液中取出後,可視需要地 進行後顯像加熱處理或烘烤,以增加塗層之黏覆性,以及 對蝕刻溶液或其它基材之化學抗力。後顯像加熱處理可包 括將塗層及基材,在塗層的敕化點溫度下,於洪箱中所進 行之烘烤步驟。在工業上的應用中,尤其是在矽石/二氧 化石夕型基材上進行的微基體電路單元之製造上,該經顯像 (基材,可使用具有緩衝效果的、氩氟酸母液蝕刻溶液予 以處理。本發明之抗光蚀劑組合物,對酸性母液蝕刻溶液 具有括抗力,且可對基材的未曝光抗光蝕劑塗覆區域提供 有效之保護a -18 - 本紙張尺度適用中國國家樓準(CNS ) A4规格(210X297公竣) (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 訂 線. A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明() 下列特定實施例將進-步詳細例示本發明组合物之製法 及應用,,然而,此等實施例並非在以方式加以限制本發明 之範圍,同時,亦並不代表實施本發明時,僅能且必須採 用實施例中所提供之所有條件、參數或數値。 實施例1 將150克的、由6.3莫耳的間-甲苯朌與3〇莫耳的35•二 甲笨酚所構成的甲笨酚溶液,置入一連結著冷凝器 '溫度 計套管 '以及滴液漏斗之四頸燒瓶中,接著於燒瓶中添加 3克的Amberlyst® A-15濕性樹脂(佔甲苯酚溶液重之 2%),並將燒瓶加熱至95 °C ;然後於1.5小時内逐滴添加 84.24克的甲醛(甲苯酚/甲醛莫比爲1/0.78):將反應於95 C下持續進行〗2小時;加入聚乙二醇單乙基醚酷酸醋 (PGME A,150毫升)’並利用過濾方式分離離子交換樹脂 顆粒;利用蒸餾法將未反應之原料甲苯酚、水、以及溶劑 移除;所分離出之樹脂係以熔化物型式移至鋁土槽中;其 以GPC方法測定之分子量爲2776 ;鈉及鐵離子之含量係分 別少於22ppb及19ppb。 實施例2 將150克的、由6.3莫耳的間·甲苯酚與3.0莫耳的3,5-二 甲苯酚所構成的甲苯酚溶液,置入一連結著冷凝器、溫度 計套管、以及滴液漏斗之四頸燒瓶中,接著於燒瓶中添加 6克的Amberlyst® A-15濕性樹脂(佔甲笨驗容液重之 2%),以及100克的二乙二醇甲基乙醚(DPGME) ’並將燒 瓶加熱至9 5 °C ;然後於1.5小時内逐滴添加84 67克的甲搭 -19- 本紙張尺度通用中國國家標隼(CMS ) A4规格(2!〇Χ297公瘦) -----ΊI-:-! —^------tr------線 * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 五、發明説明(1?) (甲苯酚/甲醛莫比爲1/0.·78);將反應於95°C下持續進行 12小時;加入DPGME(150毫升),並利用過濾方式分離離 子交換樹脂顆粒;利用蒸餾法將未反應之原料甲苯盼、 水、以及溶劑移除;所分離出之樹脂係以熔化物型式移至 招土槽中;其以GPC方法測定之分子量爲3〇91 ;鈉及鐵離 子之含量係分別少於29ppb及23ppb。 實施例3 將150克的、由5.0莫耳的間-甲苯紛與3.0莫耳的3 5_二 甲苯酚所構成的甲苯酚溶液,置入一連結著冷凝器、溫度 計套管、以及滴液漏斗之四頸燒瓶中,接著於燒瓶中添加 4克的Amberlyst® A-15濕性樹脂(佔甲苯酚溶液重之2%) 以及2.0克的Amberlyst® IRC-718酸性樹脂(1 ·330/0 );另並 添加100克的3·甲氧基-3 -曱基丁醇(ΜΜΒ),且將燒瓶加 熱至95 C ;然後於1.5小時内逐滴添加84.41克的甲趁(甲 豕紛/甲搭莫比爲1/0.80);將反應於95 °C下持績進行6小 時;加入100毫升之MMB,並利用過濾方式分離離子交換 樹脂顆粒;利用蒸顧法將未反應之原料甲苯紛、水、以及 溶劑移除;所分離出之樹脂係以熔化物型式移至銘土槽 中;其以GPC方法測定之分子量爲3,644 ;鈉及鐵離子之 含量係分別少於6 0 p p b及1 9 p p b。 實施例4及5 50克的光阻性測試樣本係以下列配方製備: RI-292(三羥笨基乙烷、70%之 -20 本紙張尺度適用中國®家標準(CNS ) A4規格(2丨OX29"?公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 絮. 412554 A7 B7 五、發明説明(18) 2,1,4-以及30%之2,1,5-重氮莕 醍磺醯氣之混合酯類) 1 1.46克 36.00 克 0.13 克
實施例1之樹脂 PGMEA 70%之FC-430[氟化脂族聚合 性酯類(98.5%),甲苯(1.5%), 獲自3M公司],作爲PGMEA之溶劑 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 將實例1中之樹脂樣本,塗覆於已事先以H MDS (六甲基 二矽氮烷)處理之矽晶圓上,以形成1.29公釐之塗屬厚 度,並於90°(:下,在1-線型加熱盤(8¥0*8100)上進行敕 化烘烤60秒。將實例2中之樹脂樣本,以相同之步驟塗覆 於矽晶圓上,並形成1.2 9公釐之塗層厚度。以〇.54>1八1-線 型階段振動器(stepper)、NIKON®之解析儀,將經曝先之 基材轉印於該經塗覆之晶圓上。將該經塗覆之晶圓,置於 線性加熱平盤上,於1 1 0°C下,進行後曝光烘烤(PEB)6 0 秒,接著使用AZ® 3 00 MIF TMAH (四甲基氫氧化鋁-2.3 8 %)顯影劑將該晶圓予以顯像。將該經顯影之晶圓以 HITACHI® S-400 SEM(電子掃瞄顯微儀)進行檢測,公定 劑量(Dose to Pr丨nt,DTP)係以最佳之焦距値測定,其係指 精確測定一既定物質所需之劑量,所測出之解析度DTP以 及焦距深度(DOF)係列於下列表1中。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210Χ297公釐) 五、發明説明(19) A7 B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 表1 實例# — 樹脂型式 RMW DTC(清除所 需之劑量) DTP 解析度 DOF 4__ 實例1 8.8 100 190 0.4 ί- 4- 2飞 5 實例2 8.7 180 335 0.35 (-.6-.2) 滚液黏度-相對分子詈f RM W): 具有黏度之溶液,係藉由將7克的樹脂,以1〇〇毫升的 計量漏斗溶於環己酮溶劑中而得。將該溶液以5微米之加 壓洗滌過濾器過濾之,並使用Cann〇n_Fensk®#2〇〇黏度計 測定洛液於2 5 C下黏度。相對分予量(rmw)則是以下列 公式定出: RMW= {l〇g(n/noyc 12 其中c =樹脂之濃度(克/毫升) n =樹脂環己網中之點度 no=環己嗣之黏度 1.6 u m薄膜旋纺速度之測定 對每一樣本而:,以下列速度於晶圓上進行旋紡: 2000,4000及6000 rpm/30秒,將所有的晶圓於9(rc下 烘烤3 0分鐘,接著於n= 1.64時測定薄膜候度,並以該速 度進行内插計算,以獲得1 ·6μ m薄膜之對數値(以i 〇爲 •22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Λ4規格(2IOX297公慶) ----1MH —裝 n n n ---- 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 _B7 五、發明説明(2〇) 底)。 分子量數據(Mw及Μη) 聚合物之分子量,無論是重量平均分子量(Mw),或者 爲數目平均分子量(Μη),皆係以膠體可滲透層析儀 (GPC),測定聚合物於四氫呋喃(THF)溶劑中之黏度。實 際所使用之儀器,係由下列裝置連續组裝而成:Waterse 公司之自動化取樣機(Millipore公司),眞空幫浦,具有加 熱器之層析管柱,以及一微分折射儀,連結於Shimadzu® CR 30A數據讀出系統以及計算用之軟體計算機(視窗:1, Shimadzu®第T/N 22301309-91C號)上。所使用之折射儀係 爲Waters®第410型,其具有四個層析管柱:500埃,1000 埃,10,000埃,100,000埃,獲自Waters公司。該系統於 數個可得的聚苯乙晞標準所計算而得之分子量範圍係如下 所列: 計算標準(聚苯乙烯) GPC計箕而得之分子量範圍 1 470,000 2 170,000 3 68,000 4 34,500 5 9,200 6 3,200 7 1,250 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 29"?公釐} ------------裝------訂------旅 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4卿4 A7 -..V ·_B7_ 五、發明説明(21 ) 此等標準主要皆爲單一分布,且實質係由單一分子量所 構成。藉由此系統,可計算出重量平均分子量Mw,以及 數目平均分子量Μη,及其聚合分布程度。另亦獲得實例 中所得聚合物之Mw/Mn。 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 ^ϋι J^n n J Bud ^^^^1 ^^^^1 —ί^ϋ ^ 1^. - i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. A8 B8 C8 D8 _ 2號專利申請案 請專利範圍修正本(89年1月).
    水不溶性、含水鹼溶性之薄膜成形酚醛清漆 樹脂之方法,其係包含: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) a)在固體酸性離子交換樹脂觸媒之存在下,將甲越 與一或多種酚類化合物予以縮合,而該酸性交換 樹脂係不溶於具取代基之盼、甲越、丙二醇甲基 鍵乙醋(PGMEA) '二丙二醇甲醜(dpgme)以 及3 -甲氧基-3-曱基丁醇(MMB); b )在縮合反應之後,將固體酸性觸媒移除;以及 c )將未反應'之盼類化合物予以移除,因此而製得一 種水.不溶性、鹼溶液可溶性之薄膜成形酚醛清漆 樹脂,其具有分別少於2〇〇ppb之鈉及鐵離子含 量, 2,根據申請專利範圍第1項之方法,其中該固體酸性觸媒 在縮合反應之後’係藉由過濾而分離移除。 3. 根據申請專利範圍第1或2項之方法,其中該鈉及鐵離子 之含量係降低至分別少於1 OOppb。 4. 一種製備正光阻組合物之方法,其包含: 經濟部中央棣率局貝工消费合作社印裂 a) 在固體酸性離子交換樹脂觸媒之存在下,將甲醛 與一或多種酚類化合物予以縮合,而該酸性交換 樹脂係不溶於具取代基之酚、甲醛、丙二醇甲基 謎乙酸酯(PGMEA) '二丙二醇甲鍵(dpgME)以 及3 -甲氧基-3 -甲基丁醇(MMB); b) 在縮合反應之後,將固體酸性觸媒移除;以及 c) 將未反應之盼類化合物予以移除,因_此而製得一 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公羡) A8 B8 C8 D8 _ 2號專利申請案 請專利範圍修正本(89年1月).
    水不溶性、含水鹼溶性之薄膜成形酚醛清漆 樹脂之方法,其係包含: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) a)在固體酸性離子交換樹脂觸媒之存在下,將甲越 與一或多種酚類化合物予以縮合,而該酸性交換 樹脂係不溶於具取代基之盼、甲越、丙二醇甲基 鍵乙醋(PGMEA) '二丙二醇甲醜(dpgme)以 及3 -甲氧基-3-曱基丁醇(MMB); b )在縮合反應之後,將固體酸性觸媒移除;以及 c )將未反應'之盼類化合物予以移除,因此而製得一 種水.不溶性、鹼溶液可溶性之薄膜成形酚醛清漆 樹脂,其具有分別少於2〇〇ppb之鈉及鐵離子含 量, 2,根據申請專利範圍第1項之方法,其中該固體酸性觸媒 在縮合反應之後’係藉由過濾而分離移除。 3. 根據申請專利範圍第1或2項之方法,其中該鈉及鐵離子 之含量係降低至分別少於1 OOppb。 4. 一種製備正光阻組合物之方法,其包含: 經濟部中央棣率局貝工消费合作社印裂 a) 在固體酸性離子交換樹脂觸媒之存在下,將甲醛 與一或多種酚類化合物予以縮合,而該酸性交換 樹脂係不溶於具取代基之酚、甲醛、丙二醇甲基 謎乙酸酯(PGMEA) '二丙二醇甲鍵(dpgME)以 及3 -甲氧基-3 -甲基丁醇(MMB); b) 在縮合反應之後,將固體酸性觸媒移除;以及 c) 將未反應之盼類化合物予以移除,因_此而製得一 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公羡) 經濟部央標率局wc工消費合作社印製 4125M v A8 Βδ C8 _.____ DS 六、申請專利範圍 種水不溶性、鹼溶液可溶性之薄膜成形酚越清漆 樹脂,其具有分別少於2〇〇ppb之鈉及鐵離子含 量; d)製備一種下列之預混物:1 ) 一.種光敏性成份,其 用量係為足以將該光阻组合物予以光敏化者;2) 步驟c)之該水不溶性 '檢溶液可溶性之薄膜成形 朌醛清漆樹脂以及3 ) —種適當之光阻性溶劑,以 形成一種光阻組合物。 5·根據中請專利範園第4項之方法’其中該固體酸性觸媒 在縮合反應之後’係藉由過濾而分離移除。 6·根據申請專利範圍第4項之方法,其中該鈉及鐵離子之 含量係降低至分別少於1 OOppb。 7.根據申請專利範圍第4項之方法,其中該光阻性溶劑, 係選自由:丙二醇甲基醚醋酸酯,乳酸乙酯,2_庚酮, 以及乙基-3-乙氧基丙酸醋所组成之群。 8·—種製造半導體裝置之方法,其係藉由在適當之基材上 以形成光顯影影像,其包含: a) 在固體酸性離子交換樹脂觸媒之存在下,將甲趁 與一或多種酚類化合物予以縮合,而該酸性交換 樹脂係不溶於具取代基之驗 '甲酸、丙二醇甲基 醚乙酸酯(PGMEA)、二丙二醇甲醚(DPGME)以 及3 -甲氧基-3-甲基丁醇(MMB);; b) 在縮合反應之後,將諒固體酸性離子交換樹脂觸 媒移'除;以及 -2- 本紙張尺度適用中if®家揉準(CNS ) A4规格(210X297公董) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂_ 412564 A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印«. 々、申請專利範圍 C ) 將未反應之酚類化合物予以移除,因此而製得一 種水不溶性、驗溶液可溶性之薄膜成形酚醛清漆 樹脂,其具有分別少於200ppb之鈉及鐵離子含 量; d )製備一種下列之預混物:1) 一種光敏性成份,其 用量係為足以將該光阻組合物予以光敏化者;2 ) 該水不溶性、驗溶液可溶性之薄膜成形酚醛清漆 樹脂以及3 ) —種適當之光阻性溶劑,以形成一種 光阻組合物; e) 將步鈿d)之該光阻组合物塗覆在適當之基材上; f) _對該經塗覆之基材進行加熱處理,直至實質上所 有的光阻性溶劑皆去除為止;將光阻性组合物予 以全影像曝光;以例如水溶性驗性顯像劑移除此 等組合物之全影像曝光區域》 9-根據申請專利範園第8項之方法,其中該固體酸性觸媒 在縮合反應之後,係藉由過濾而分離移除。 10. 根據申請專利範圍第8項之方法,其中該鈉及鐵離子之 含量係降低至分別少於10 0 p p b。 11. 根據申請專利範園第8項之方法,其中該光阻性溶劑, 係選自由:丙二醇甲基醚醋酸酯,乳酸乙酯,2 -庚酮, 以及乙基-3-乙氧基丙酸酯所组成之群β -3- 本紙浪尺度逋用中國國家梂準(CNS 格(210X297公釐) ^^^1 n^i nn 裝 - - - i^^i- ^^^1 I ΐ^—r 一ai (诸先閲讀背面之注意事項异填寫本頁)
TW086100172A 1996-01-11 1997-01-09 Methods for producing a water insoluble, aqueous alkali soluble, film forming novolak resin, a positive photoresist composition and semiconductor device TW412564B (en)

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