TW406263B - Memory element - Google Patents

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406263 1 -----明説明發 '五 領 術 技 由 藉 成 所 質 物 2 第 和 質 物 T- 上 第 由 少 至 於 關 明 發 本 使 應 反 使 質 物 種 。 一 件 少元 至憶 的記 質記 物的 兩息 0 信 這錄 與記 賦化 最變 能件 部特 外學 將光 術 技 景 背 部 外 射學 眧光 由使 藉 ， ，應 質反 物原 2 還 第化 和氧 質質 物物 1 兩 第使 有 } 具光 案射 提雷 被如 前 ί 從 最 能 件 元 憶 第 為 ο 作Te 示用 揭使 ，質 書物 明 2 說第 號為 8 作 11ο ， 9 屬 45金 5, 的 記第等 的利Fe 息專或 信國A1 錄美用 記在使 化 ，質 變如物 物 化 氧 的 等 料 材 憶 記 膜 合 層 的 合 彐 ο 層 In地 或替 交 或 膜 層 單 為 作 合 混 質 物 些 這 使 術件 技元 用憶 習記 述的 上應 如反 , 原 討還 檢化 的氧 們質 者物 明 2 發第 本和 依質 果物 如 1 ，第 過用 不 利 在 物 ， 兩且 行而 進。 途性 半能 成可 形的 的率 膜射 在反 此體 因全 ，低 性降 應有 反具 有果 具结 質 ， 物應 兩反 於的 由質 (請先閱讀背面之注意事項再"'寫本頁 .裝. 經濟部中央標隼局吳工消费合作社印製 } 據問 時數有 錄錄具 記記料 非使材 丨而錄 時化記 與劣的 賦時常 非經通 量因為 能料作 部預為 外，認 管質 ， 儘物上 , 兩用 件應實 元反 ， 憶相化 記互惡 種然性 這仍持 在，保 題 憶 記 證一 種 這 於 對 欲 如 討 檢 的 BJ f 者 明 發 本 依 果 如 & 而 得時率 獲錄射 件記反 元 ί 為 所 良 時因所 量 ，應 能但反 部。果 外者結 與好 ， 賦良少 於率率 需射收 必反吸 即用的 , 使 量 率質能 物部 反的外 高胞 Μ 的實所 要為 ， 需作奸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4见格（210XW7公处） 線 406263 好錄可 1 質， 成元組物 光能 1 物第物 質 ，氧 良記的 第物中。 所憶質 3 使部第 1 述 1 物質的 性非化 由兩件應 質記物第 量外的第前第 1 物義 應或劣 少些元反 物的 2 的 能逑化述應述 第 3 廣 反時性 至這憶質 2 息第性 部前氧前反前。而第被 的膜特 於使記物 第信及應 外與義於可制徵 ，壞身 時成錄 在量的兩 及錄質反 與賦廣介時抑特量破本 錄述記 的能息的 質記物質 賦有ib和量時其能且質 記上的 目部信化 物化 1 物 由具變 ，能量為部而物 為在件 其外錄劣 1 變第兩 藉 ，性質部能質外 \1 作 ，元 ，與記性 第性的些 係件特物外述物與或第 奸合憶 做賦化特 由特應這 ，元的 2 述前 3 賦 ，後| 最組記 所由變錄 少學反制 件憶學第前與第因質然-4 ，的使 題藉性記 至光原抑 元記光的與賦的係物。 此好， 問，特的 ，使還關 憶的受原賦非應 ，3 質 因良應 述成學外 件量化有 記息接遨 ，，反件第物 。性反 上所光 Μ 元能氧討 的信應義間質質構過 2 ) 少應的 於質使時 憶部狍檢。明錄反廣之物物錄透第 2 收反要 鑑物應錄 d 記外實真做發記熱受質 2 2 記 -原 ( 吸但必。係 2 反記!^ 的與究認所本化發接物第第的質還 明 熱。不高明第原如 U 明賦研時果，變施和 2 和述明物質 説 的合起更發和遷使月發由 ，同结即性實，第質前發 2 物 明 要朗引性本質化制本藉中，，亦特時質和物和本第 1 發 需的時能 物氧抑 t ，件合質 學最物質 1 質 和第 、 五 經濟部中央標準局员工消t合作社印製 .. - 种衣 訂 線 - » (請先閱讀背面之注意事項再'填寫本頁) - ' 本紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) Λ4见格（210XW7公垃） 406263 、 經濟部中央標準局Μ工消费合作社印製 五、發明説明 ( 3 ) 1 化 〇 因 此 第 1 物 質 和 第 2 物 質 實 施 氧 化 遷 原 反 應 〇 砍 此 1 反 應 而 改 變 第 1 及 第 2 物 質 的 至 少 - 部 份 光 學 特 性 記 1 | 錄 信 息 ° 請 | 然 後 » 因 為 在 第 1 物 質 和 第 2 物 質 間 介於 第 3 物 質 閱 讀 1 y 所 Μ 在 成 膜 時 或 外 部 能 量 的 非 賦 與 時 ( 非 記 錄 時 ) 抑 i 1 I 之 制 上 述 氧 化 還 原 反 應 〇 意 1 I 並 且 由 於 此 氧 化 m 原 反 應 係 發 熱 反 aft? 應 » 因 此 變 性 的 事 項 1 反 應 物 能 量 安 定 不 容 易 引 起 逆 反 愿 0 所 > 本 發 明 的 記 1 寫 本 1 裝 憤 元 件 > 可 抑 制 如 使 記 錄 特 性 劣 化 的 第 1 及 第 2 物 質 的 頁 1 1 反 m 〇 1 1 前 述 第 1 物 質 t 可 規 疋 和 氧 分 子 1 m ο I 量 結 合 時 發 生 的 1 I 能 量 ( Μ 下 簡 稱 氧 结 合 能 量 ) lOOOkJM 上 從 元 素 周 期 律 I 1 訂 1 表 的 1 族 9 2 族 f 3 族 τ 4 族 f 5 族 f Cr » Μ η » Ζη > A 1 » Si 中 所 選 擇 至 少 含 有 一 種 元 素 的 金 屬 ， 金 屬 間 化 合 物 1 1 氮 化 物 t 碳 化 物 矽 化 物 > 硼 化 物 、 硫 化 物 Λ 晒 化 物 - 1 1 ， 碲 化 物 > 磷 化 物 > 砷 化 物 銻 化 物 > 及 含 有 這 些 物 質 1 1 中 的 至 少 含 有 __- 種 者 0 線 I 在 這 裡 > 可 列 出 1 族 元 素 為 Li » N a » K 等 I 2 族 元 素 - 1 I 為 M g Ca 等 ϊ 3 族 元 素 為 Sc ’ Y 等 » 4 族 元 素 為 T i j Z r 1 I 等 5 族 元 素 為 V y N b 等 〇 1 I 前 述 第 2 物 質 ϊ 規 定 可 含 有 分 解 氧 分 子 1 m 0 1 量 時 所 需 1 1 要 的 能 最 ί Μ 下 簡 稱 氧 分 解 能 量 ) 5 5 0 k J以下的氮化物， 1 將 氣 作 為 構 成 要 素 含 有 的 物 質 y 吸 附 氧 的 物 質 > 或 這 iib 1 I 化 合 物 或 混 合 物 中 至 少 含 有 種 者 0 1 1 -5 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4«L格（210Χ297^^ ) 406263 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 4. ) I 1 1 而 且 1 第 2 物 質 4 可 作 為 將 氣 提 供 第 1 物 質 氣 化 本 身 1 1 1 容 易 被 還 原 從 元 素 周 期 律 表 的 6 族 ， 8 族 ， 9 族 ♦ 11 請 先 1 族 T i V , Η η， Ν i， R e , 8 e， S η， P b , A S , S b , B i > 閲* I if I S e > T e > C e 5 P r j T b中 所 m 擇 至 少 含 有 一 種 元 素 的 氣 化 背 ιέ 1 I 之 物 ，及將氣作為構成要素的物質中至少含有- -種的物質。 意 奉 1 出 在 這 裡 » 可 列 6 族 元 素 為 C r y Mo等 9 8 族 元 素 為 Fe 項 I 1 I Ru等 9 族 元 素 為 Co 9 Rb I r等 1 1族元 素 為 Cu » Ag 填 寫 本 1 裝 Au等 〇 頁 ^* 1 1 如 果 依 本 發 明 者 們 的 檢 討 » 如 果 第 1 物 質 氣 結 合 能 量 1 1 未 滿 10 0 0 k J J 第 1 物 質 即 不 容 易 和 氣 結 合 9 降 低 反 應 性 1 I 〇 而 且 J 如 果 第 2 物 質 的 氧 分 解 能 量 大 於 5 5 0 kJ , 即不 I 1 訂 容 易 分 解 氣 9 降 低 反 應 性 〇 因 此 第 1 及 第 2 物 質 9 最 1 好 設 定 為 上 述 各 能 量 範 圍 〇 1 I 而 且 > 前 述 第 1 物 質 9 規 定 可 作 為 氣 結 合 能 量 5 0 0 k J 1 1 以 上 ， 而 且 溶 解 點 或 分 解 溫 度 1 0 0 °C以上3 0 0 °C以下的 1 1 金 屬 ， 金 屬 間 化 合 物 $ 化 物 9 m 化 物 ， 矽 化 物 > 硼 化 線 I 物 硫 化 物 硒 化 物 9 碲 化 物 > 磷 化 物 5 砷 化 物 銻 化 - 1 1 物 j 及 含 有 這 的 物 質 中 至 少 含 有 一 種 〇 然 後 > 前 述 第 1 1 2 物 質 規 定 可 氯 分 解 能 量 5 5 0 k J以下的氣化物， 將氣 1 I 作 為 構 成 要 素 含 有 的 物 質 吸 附 氣 的 物 質 ) 或 道 的 化 1 1 合 物 或 混 合 物 中 至 少 含 有 一 種 者 〇 1 1 而 且 第 2 物 質 » 可 製 成 將 氣 提 供 第 1 的 物 質 氣 化 作 1 | 為 本 身 容 易 被 還 原 ， 從 元 素 周 期 律 表 的 6 族 8 族 9 9 1 1 族 » 1 1族 i T i , V 1 Μ η > N i > R e Ge * Sn * Pb A s Sb 1 I » B i > S e T e C e， P r > T b中 所 選 擇 至 少 含 有 一 種 元 素 1 I _ 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐） 4062^63 經濟部中央標準局K工消费合作社印51 五、發明説明 ( 5 ) 1 的 氧 fb 物 » 及 將 氧 作 為 構 成 要 素 物 質 中 至 少 有 —-- 種 物 1 質 0 1 I 在 這 裡 ， 可 列 出 如 6 族 元 素 為 C r 赘 Μ 〇 等 > 8 族 元 素 為 請 I Fe R u 等 J 9 族 元 素 為 Co t R η Ir 等 » 11 族 元 素 為 C u » 先 閱 1 Ag 1 Au 等 〇 背 1¾ 1 | 之 因 將 第 1 物 質 設 定 為 上 述 溶 解 點 或 分 解 溫 度 的 範 圍 i 注 意 1 I 而 可 Μ 低 外 部 能 畺 將 第 1 物 質 作 為 液 相 ， 上 逑 氧 化 還 原 事 項 —1 再 1 I 反 n*g 應 成 為 液 相 和 固 相 的 反 應 ， 較 固 相 互 相 的 反 trte 懕 提 高 反 填 寫 本 1 裝 «fag 應 性 〇 如 果 構 成 第 1 物 質 的 溶 解 點 或 分 解 溫 度 未 滿 1 00 υ 頁 -ν_·/ 1 I 卽 降 低 記 錄 數 據 的 耐 熱 性 〇 而 且 » 如 果 超 過 30 0 t：即需 1 1 要 大 量 的 外 部 能 量 t 而 不 理 想 0 1 1 而 且 » 在 本 發 明 因 將 第 1 物 質 設 定 為 上 述 溶 解 點 或 分 1 1 解 溫 度 的 範 圍 而 提 高 反 應 性 ， 所 K 可 將 第 1 物 質 的 氧 结 1 丁 1 合 能 最 調 低 1 規 定 500kJ以上 如果依本發明者們的檢 1 I 討 > 若 第 1 物 質 的 氧 结 合 能 量 未 滿 5 0 0 k J » 即 降 低 反 應 - 1 1 性 而 不 理 想 〇 1 1 此 外 1 儘 管 介 於 第 3 物 質 > 第 1 物 質 和 第 2 物 質 仍 妖 線 I 引 起 氧 化 Μ 原 反 m 9 第 1 及 第 2 物 質 的 至 少 一 部 份 引 起 ~ 1 1 變 性 發 生 光 學 特 性 交 化 5 記 錄 信 息 〇 後 t 儘 管 將 第 1 1 I 物 質 及 第 2 物 質 設 定 為 如 前 述 反 應 性 良 好 的 姐 合 » 仍 因 1 | 介 入 的 第 3 物 質 $ 而 可 抑 制 如 使 記 錄 時 Μ 外 的 記 錄 特 性 1 劣 化 的 第 1 及 第 2 物 質 的 反 應 0 1 [圖式之簡留說明] 1 I 第 1 圖 係 表 示 有 關 本 發 明 的 實 胞 例 光 碟 剖 面 结 構 的 說 1 1 -7 1 ! 1 1 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4現格（21 OX W公处） 406263 五、發明説明（) 明圖。 第2閫係表示第1實施例及比較例的光碟記錄特性的 圖表。 第3 _係表示第2賁施例及比較例的光碟記錄特性的 鬪表。 第4鬪係表示第3實施例及比較例的光碟記錄特性的 圖表。 [為實皰發明之最佳形態] (第1實施例） 本第1實陁例的記憶元件，係藉由照射作為外部能量 的記錄用雷射光，使記錄膜K物理方式及/或化學方式 變化記錄信息，可用於如作為記錄信息音樂或數據等的 光碟。在第1圖表示本實施例的光碟（記憶元件）1〇〇 的一部份剖面構造。 經濟部中央標準局另'工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項¾寫本頁) Μ 光碟100全體圼圓盤狀，如第1圖所示層合形成多數 層。1係形成圓盤（例如厚度1 . 2 Hi m )狀的如聚碳酸酯 製的透明基板。為光信息的記錄，再生的雷射光，從基 板1的一方面1 a入射如箭頭符號A 。屬於基板1雷射光 人射側的一方面1 a係鏡面，在他方面1 b形成為引導雷射 光的螺旋或同心圓狀的引導溝（磁道）1c。 在基板1的他方面1 b上，形成由作為第2層的W 0 3 (第2物質）所成的W0 3膜2 。然後在此W0 3膜2上， 形成由作為障壁層（第3層）的C (第3物質）所成的 C膜(碳膜）3 。在此C膜3上，形成由作為第1層的 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) Λ4現枋（210'乂21)7公及） A7 B7 406263 五、發明説明（7

Sn-ΙΟ原子X Sr (第1物質）所成的Sn-ΙΟ厚子％ Sr膜4 。C膜3擁有抑制埘03膜2和Sn-10厚子％ Sr膜4的物理 上及/或化學性反應的適當膜厚（如in m以上）。 在這裡，由上述各膜2 、 3 、 4 ，構成光碟100的記 錄膜10,並且，在Sn-ΙΟ原子％ Sr膜4上，形成由為包 覆記錄膜1 〇保護的紫外線硬化樹脂所成的樹脂膜（保護 膜）5。 玆具體地說明光碟100之製法如下： 準備在一方面la形成鏡面，在他方面lb形成引導溝lc ，由厚度1·2βπι的聚碩酸酯製画盤所成的基板1 。在此 基板1的他方面lb上，首先，依RF磁控管濺射法成膜 W03膜2 ，依膽射氣種：Ar+10X〇2，濺射氣壓：4Χ1(Γ

Torr,輸入電壓·· 100〜400W的成膜條件，使用#03對 電極成膜185ηηι。接著，依RF磁控管濺射法成膜C膜3 ，依濺射氣種：Ar,濺射氣壓：4xl(T3Torr，输入電 力：200〜500W的成膜條件，使用C (石墨）對電極成 膜 2 n in。 請 先 閱 讀 背 ιέ 意 事 項 再,, 填 I裝 頁 訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 4 電極 膜入電 Sr輸對 Γ % ， S Γ 子 Γ % 原10子 10·3原 I ο ο nM lx IX 5 1 X Π 膜 4 S 成：用 法壓使 射氣 ， 蔽射件 管濺條 控，膜 磁ΑΓ成 F R : j?? 依種OW ，氣 2 鑛射 ~ 繼濺50 再依： ，力 膜 成 壓 高碟 用光 使作 ，製 脂 ， 樹 5 化模 硬脂 線樹 LI R 夕 成 紫形 佈脂 塗樹 法化 佈硬 塗線 轉外 旋紫 依該 , 使 後燈 最銀 水 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 406263 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 1 本 實 施 例 的 光 碟 10 0 的 記 錄 作 用 如下： 在引導溝 1 c 部 1 1 份 » 從 箭 頭 符 號 A 入 射 ( 照 射 ) 的 記錄用 雷射光， 被 集 ! 1 光 於 S η -1 〇原子；κ S #4 面， 透過C 膜3 , 或/ 而且， /-—*N 請 1 先 1 破 m C 膜 3 ， W0 3 膜 2 和 Sn -1 0原子％ s r膜4産 生化學 閱. ik 1 反 應 〇 因 此 記 錄 用 雷 射 光 的 照 射 時（賦 與外部能 量 時） 背 面 1 I 之 > 改 變 反 射 部 份 的 光 學 特 性 ( 反 射 率等） ,可記錄 信 息。 注 意 1 I 而 且 9 記 錄 用 雷 射 光 的 非 照 射 時 (非賦 與外部能 量 時） 事 項 爲 1 Ί 5 由 於 C 膜 3 介 於 W0 3 膜 2 和 S η -1 0原子X Sr膜 4之間， 4' 寫 本 1 裝 因 此 抑 制 WO 彐 膜 2 和 Sn -1 0原子％ S r膜4的反應 ，結果 頁 1 可 防 止 記 錄 持 性 的 劣 化 〇 1 1 此 時 W0 3 膜 2 和 Sn -1 0原子％ S r膜4的反應形 成如下 1 I 的 廣 義 氣 化 還 原 反 應 〇 依 記 Μ 用 雷 射光的 照射， 還 原 形 1 1 訂 1 成 膜 2 的 W0 3 ( 第 2 物 質 ) 1 5 其 一 部份或 全部成為 W0 2.83 > 被 氣 化 形 成 膜 4 的 Sn -1 〇厚子χ S r (第1 物質 ), 其 1 I 一 部 份 或 金 部 主 要 成 為 Sr 〇或/而且SnO。 - 1 1 此 時 各 物 質 的 膜 色 調 > W0 彐 傜 透明， w 0 2 ·83 像 籃 色 1 1 S η -1 0原子％ S r係金屬光释 1 , S r〇偽透明 ,S η 0偽灰色 線 I 〇 因 此 ，光碟1 0 0 的記錄前後的光學特性等於有 很大的 - 1 1 差 別 0 1 1 而 且 ， W0 3 分 解 氣 分 子 lai ο 1 量 變 成 W02. 83時所需 要 的 1 I 能 量 ( 氣 分 解 能 量 ) » 在 室 溫 大 約 4 8 0 kJ , Sr , S η和氣 1 分 子 1 ο 1 量 結 合 j 變 成 Sr 0 , S η0 時 發生的 能量 (氣 結 合 1 能 量 ) * 在 室 溫 大 約 12 2 0 k J » 6 1 0 k J。因此，該 WO Η s膜 1 2 和 S η 一 1 0原子％ S #4 的反應是發熱。 1 1 -1 0- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 406263 at B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 然 後 > 在 本 實 施 例 ， 由 於 上 述 氣 化 還 原 反 應 % 發 熱 反 1 應 因 此 變 性 的 反 應 物 W0 2. 83 Sr 〇， S η 0的 能 量 安 定 不 1 1 容 易 引 起 逆 反 應 〇 而 且 > 因 産 生 前 或 産 生 後 的 物 質 傜 氣 /v j 請 先1 化 物 » 將 氯 作 為 構 成 要 素 含 有 的 物 質 而 對 於 熱 或 濕 氣 閲-I 讀 等 強 耐 環 境 性 優 良 » 在 非 記 錄 時 容 易 抑 制 不 必 要 的 反 應。 背1 面 1 之4 玆 表 示 本 實 施 例 的 記 錄 特 性 的 具 體 例 〇 在 以 上 述 製 法 1 ! 製 造 的 光 碟 10 0 從 鏡 面 ( 方 面 1 a) 側 9 透 過 N A ( 開 事J 項 1 再！ □ 數 ) : 0 . 5 的 對 物 鏡 Η > 將 波 長 1 78 0 η m 的 雷 射 光 填1 If ( 記 錄 用 雷 射 光 ) 集 光 於 S η -1 0原子X S Γ膜4 面上， 實 頁1 施 記 錄 〇 此 時 的 昭 八、、 射 條 件 ， 規 定 線 速 ： 2 . 8进 / s e c， 記 1 1 錄 頻 : 4 0 Ok Hz J 記 錄 雷 射 波 形 ： 佔 空 ϋ 5 0 % 的 矩 形 波。 1 I 此 時 的 光 碟 10 0 的 特 性 ( 記 錄 特 性 ) 偽 如 第 2 画 的 1 1 訂 試 樣 编 號 3 所 不 未 記 錄 部 反 射 率 * 6 2% 記 錄 雷 射 功 1 率 : 10 m ^ C/ N ( 載 波 和 噪 輸 出 電 平 的 fcb ) ·· 50dB » I 調 制 度 ： 80 % 〇 此 外 9 調 制 度 偽 以 記 錄 前 的 反 射 率 除 於 1 從 記 錄 前 的 反 射 率 扣 除 記 錄 後 反 射 率 值 的 數 值 〇 1 1 其 次 > 在 第 2 圖 1 和 上 述 結 果 ( 試 樣 编 號 3 ) » 合 併 線 I 表 示 改 變 各 種 扮 演 障 壁 層 角 色 的 C 膜 3 膜 厚 ( 圖 中 9 障 1 壁 層 膜 厚 ) ( 試 樣 编 m 1 > 2 4 5 ) j 潮 定 和 上 述 1 相 同 光 碟 待 性 的 結 果 ο 此 外 9 在 第 2 圖 試 樣 编 號 6 % I 本 發 明 的 比 較 例 > 不 裝 設 障 壁 層 0 1 1 如 第 2 画 所 示 5 明 白 試 樣 编 號 1 ^ - 5所 示 的 本 實 施 例 光 1 ] 碟 1 0 0 » 較 比 較 例 ( 試 樣 编 號 6 ) 的 光 碟 » 反 射 率 特 別 1 高 而 a 反 射 率 9 記 錄 功 率 C/ N » 調 制 度 的 特 性 平 1 1 -1 1 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 406263 at Η 7 -Λ,: J s ? /1 I 11 d·" J /1 -ii >v 五、發明説明 ( LO ) 1 衡 優 良 〇 這 是 因 為 C 瞑 3 的 存 在 而 抑 制 第 1 層 的 S η -1 0 1 J 原子 % S r 膜 4 和 第 2 層 的 W0 a 膜 2 的 反 應 0 1 ! 而 目. » 對 於 這 試 樣 编 α出 1， -6 的 各 光 碟 > 實 施 5 5 V, » 誠 λ 1 96 小 時 的 耐 環 境 試 驗 0 在 本 實 拖 例 的 光 碟 可 再 生 記 錄 Μ 讀 背 1 的 數 撺 » 相 對 地 在 比 較 例 的 光 碟 9 卻 不 能 再 生 記 錄 的 數 1¾ 之 1 據 〇 這 是 因 為 C 膜 3 的 存 在 而 被 抑 制 W0 3 膜 2 和 Sn -1 0 Ϊ I I 事 1 原 子 Sr 膜 4 的 反 應 0 項 再 [ | 如 上 述 本 實 施 例 的 光 碟 100 > 較 習 用 光 碟 t 具 有 反 填 寫 1 裝 射 率 f 記 錄 功 率 i C/ N t 調 制 度 的 特 性 平 衡 優 良 的 優 點。 頁 1 | 而 且 ， 如 果 依 本 實 施 例 » 即 在 W 0 3 膜 2 和 S η -1 0原子％ 1 | Sr 膜 4 之 間 介 於 C 膜 〇 0 因 & j 成 膜 時 » 在 通 常 環 境 下 1 1 » 被 抑 制 如 上 述 耐 環 境 試 驗 的 在 高 溫 高 濕 環 境 下 反 應 t 1 訂 1 1 亦 即 記 錄 時 Μ 外 的 反 應 f 防 止 記 錄 特 性 ( 反 射 率 » 記 錄 功 率 ， C/ N » 調 制 度 ) 的 劣 化 > 特 別 提 高 數 據 保 持 特 性 1 1 0 並 且 9 可 更 提 高 光 碟 的 未 記 錄 部 反 射 率 (初期反射率）。 - 1 I 不 過 t 有 關 本 發 明 的 第 1 及 第 2 物 質 並 不 限 定 於 上 述 i 1 /泉 實 胞 例 的 物 質 0 1 賦 與 外 部 能 量 時 > 第 1 物 質 被 廣 義 的 氧 化 被 還 原 第 2 1 物 質 引 起 發 熱 反 懕 而 旦 > Μ 在 該 發 熱 反 應 的 前 後 第 1 1 1 物 質 及 / 或 第 2 物 質 至 少 部 份 形 成 於 改 變 光 學 特 性 的 1 1 組 合 為 條 件 » 可 使 用 下 列 者 〇 I 第 1 物 質 j 係 和 從 第 2 物 質 採 取 氧 化 遨 原 第 2 物 質 本 1 !- 身 容 易 被 氧 化 即 可 0 這 棰 物 質 係 由 金 屬 金 屬 間 化 合 物 1 | * 氮 化 物 > 碳 化 物 » 矽 化 物 y 硼 化 物 硫 化 物 s 晒 化 物 1 I -1 2 - 1 1 1 1 木紙张尺度垧州十阈网家標彳（（'NS ) Λ4规枋（210 X 297公势） 406263 at B7 五、發明説明（) ,碲化物，磷化物，5iMb物，銻化物，及這些化合物或 混合物（將Μ上的1 3種作為物質群P )中的任何一種物 質所成，或可從至少含有一種該物質群Ρ物質的物質選 擇。 而艮，第]物質，和氧容易结合如欲提高反應性，最 奸使用上述物質群P中的氧结合能量在1 〇 〇 〇 k J Μ上物質 。例如，作為第1物質，可使用氧结合能量在1 0 〇 〇 k J Μ 上的Sn-Sf合金，Mg-Al合金，In-Sr合金，Α卜Ti合 金，（氧结合能量大約，S η : 6 1 0 k J , S r : 1 2 2 0 k J，M g : 1220kJ， /U:1130kJ， In:640kJ, Ti:1070kJ)等。 而且，在上述組合，第2物質，係氧化第1物質本身 被還原，或不實胞直接互換氧原子對於第1物質實施如 増大氧化數的廣義氧化本身被遷原，將氧化物，氧作為 構成要素含有的物質，吸附氧的物質，或由這些化合物 或混合物（將以上的4種作為物質群Q )中的任何一種 物質所成者即可。 而目.，第2物質，容易分解氧如欲提高反應性，最好 使用上述物質群Q中的氧分解能量在550kJ Μ下的物質 。可使用如M〇03 ， Re〇2 , Pr02 ， Sb02 ，（氧分解能 最大約，Mo〇3 :330kJ, Re02 :450kJ, P「02 :240kJ， S b 0 2 : 3 8 0 k J )等 ° 而a，在本實胞例，介於第1物質和第2物質之間， 除記錄時以外對於擁有抑制第1及第2物質反應功能的 第3物質而言，可使用下列者。首先，可使用分解氧分 -13- 木紙张尺度鸿川小阀内家標彳（（’NS ) /\4规格（2丨0X 297公趁） ^---^--------裝------、1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ~ 406263 A7 B7 五、發明説明（l2 ) 子1 m ο 1最時發生的熱最超過5 5 0 k J的A 1 2 0 3 ， S i A 1 0 N 等的氧丨b物，將氧作為構成要素含有的物質，吸附氧的 物質，或這些化合物或混合物。認為分解氧分子1 m ο 1量 時發生的熱最超5 5 0 k J者理想的原因是，如果分解氧分 子1 m ο 1最時發生的熱量在5 5 0 k J以下，即於非記錄時， 具有媛慢進行第1物質和第2或第3物質反應之虞。 並且，作為第3物質，可使用分解溫度，（分解，昇 華，溶解溫度）3 0 0 C Μ下的C m Η η (碳氬化合物），C m F η ,CmHnFp等（πι、η、Ρ為整數）的有機物。有機物中， 認為分解溫度（分解，昇華，溶解溫度）300¾ K下者 理想的原因是，如果此分解溫度在3 0 0 0 °C K上即必需增 大於記錄時所提供的雷射光功率，作為記憶元件不大實 用。 而且，作為第3物質，也可使用在室溫的熱擴散率的 整體狀數值，在50mm2 / sec Μ下的Mn, Ti. Se， Μη鋼 ，鈦合金，S i , G e , S ί N x等的金屬，半導體，金屬間 化合物，氮化物，碳化物，矽化物，硼化物，硫化物， 硒化物，碲化物，磷化物，砷化物，銻化物，及含有這 些化合物中至少含有一種的物質。這些物質中，認為在 室溻的熱擴散率整體吠的數值，在5 0 m m 2 / s e c Μ下者 理想的原因是，如果此熱擴散率在50tnm 2 / secM上即 必需增大於記錄時提供的雷射光功率，作為記憶元件不 大實用。 並艮，作為第3物質，和氧分子1 m 〇丨量结合時發生的 -14- 木紙乐尺度珅州t阔网家栉彳（（'NS ) Μ规格（210X2S»7公趙） I - . In I -1 - j— - * I! 士人，.I-—i 1^1 - I - ...... 一OJ- -1-1 III·· I I __ (¾先間讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 406263 at B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 能 黾 1 0 0 0 k J以 上 時 溶 點 或 分 解 溫 度 或 昇 華 溫 度 10 0 0。。 1 以 上 ， 小 於 10 0 0 k J 時 > 最 好 使 用 溶 點 或 分 解 或 昇 華 溫 度 1 I 3 0 o°c以上者。 這是因為非記錄時， 尤其是於製作時， 請 先 1 因 製 作 條 件 而 具 有 第 1 物 質 和 第 3 物 質 反 應 之 虞 閲 讀 1 | 而 且 ♦ 第 3 物 質 層 厚 度 只 要 m 擇 以 使 適 合 所 要 求 的 背 1 I 之 \ 記 億 元 件 的 待 性 即 可 1 但 如 欲 充 份 顯 出 第 3 物 質 作 為 障 注 意 1 I 壁 層 的 特 性 最 好 0 . 5 η m 以 上 〇 事 項 1 I 再 1 | (第2 實施例） 填 寫 本 1 裝 本 第 2 實 施 例 的 記 憶 元 件 J 在 第 1 _ 所 示 的 光 碟 10 0 頁 1 | > 取 代 S η -1 〇原子；S S r膜將第1 層作為S η - 4 3 原 子 % B i 膜 1 1 4 0 ， 取 代 C 膜 將 障 壁 層 設 定 為 m 氫 化 合 物 膜 3 0 和 上 述 1 I 第 1 實 施 例 的 記 億 元 件 不 同 〇 本 實 施 例 的 記 憶 元 件 5 也 1 1 訂 發 揮 和 上 逑 第 1 實 施 例 的 記 億 元 件 大 致 相 间 的 作 用 效 果 1 〇 以 下 主 要 說 明 有 關 和 上 述 實 施 例 的 記 億 元 件 不 同 的 1 I 部 份 0 1 1 玆 依 具 體 例 説 明 本 實 施 例 的 記 億 元 件 的 製 法 〇 1 1 首 先 ， 在 基 板 1 的 他 方 面 1 b上 依 RF 磁 控 管 醆 射 法 成 線 I 膜 W0 彐 膜 2 > 依 濺 射 氣 種 ： A r + 1 0%0 ： 1 » 濺射氣壓： 1 4X1 Τ 0 Γ Γ , 輸入電力： 1 0 0 4 0 0W的 成 膜 條 件 使 用 1 W0 3 對 電 極 成 膜 18 5 η m 〇 1 I 接 箸 > 依 R F 磁 控 管 濺 射 法 j 成 膜 m 氫 化 合 物 膜 30 J 依 1 1 濺 射 氣 種 ： A r + 5 0 X C Η 6 ( 苯 乙 烯 ) y 濺 射 氣 壓 ： 1 | 4 X 1 〇-3 T 〇 r r , 輸入電力： 2 0 0 5 0 0W的 成 膜 條 件 9 將 C 1 | ( 石 墨 ) 作 為 對 電 極 成 膜 2 η IB Q 再接箸， 依R F磁控管 1 1 -1 5 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 406263 A7 B7 五、發明説明（4 ) 濺射法，成膜S η - 4 3原子％ B i膜4 0，依濺射氣種：A r , 濺射氣_ : 4 X 1 (Γ3 T 〇 r r ,輸入電力：5 0〜2 01) W的成膜 條件，使用Sn-43原子3! Bi對電極，成膜45nm。 最後，依旋轉塗佈法塗佈紫外線硬化樹脂，使用高壓 水銀燈使該紫外線硬化樹脂'形成樹脂膜5 ，製作光碟 1 0 0 〇 本實施例的光碟100的記錄作用，推斷如下。在引導 溝lc部份，從箭頭符號A入射（照射）的記錄用雷射光 ，被集光於Sn-43原子X Bi膜40面，因Sn-43原子％ Bi的 溶解點低約1 3 9 °C ,而溶解照射雷射光的S η - 4 3原子％ B i 膜40的一部份或全部，有時在Sn-43原子％ Bi膜40形成 孔。 和它同時，透過硪氫化合物膜30,或/而且分解，昇 華，溶解或破壊碳氫化合物膜30，¥03膜2和溶解一部 份或全部的Sn-43原子S Bi膜40引起化學反應。因此， 改變反射部份的光學特性（反射率等），可記錄信息。 而且，由於此化學反應像溶液和固體的反應，因此較固 體和固體的反應容易逹成反應。 而且，於記錄用雷射光的非照射時，由於碩氫化合物 膜30介於W03膜2和Sn-43原子％ Bi膜40之間，因此抑 制W 0 3膜2和S η - 4 3原子％ B i膜4 0的反應，结果可防止 記錄特性的劣化。 此外，作為障壁層使用的有機物（在本實施例，為硪 氫化合物膜3 0 )的分解溫度（分解，舁華，溶解溫度） -1 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2!〇X 297公釐） -----：--.--裝------訂------線 - - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本1) · , 406263 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 1 ； ) 1 最 奸 3 0 〇 °c以下。 因為如果在3 0 0 °c 以 上 即 必 霈 增 大於 記 1 錄 時 提 供 的 雷 射 光 功 率 j 作 為記 億 元 件 不 大 實 用 〇此 外 1 I 在 本 實 施 例 作 為 障 壁 層 使 用的 碳 氫 化 合 物 膜 3 0 的分 解 /^s 請 先 1 溫 度 ( 分 解 » 昇 華 溶 解 溫 度） 9 從 熱 分 析 的 結 果， 推 閱 斷 在 10 0 - -2 0 0 °c 的 範 圍 〇 背 面 1 1 之 1 而 且 5 在 上 述 實 施 例 > 作 為第 1 層 使 用 含 有 未 滿30原 意 1 | 子 % T i的 A 1合 金 也 可 以 〇 事 項 1 i 再 圓 I 此 時 的 WO a 膜 2 和 Sn -4 3原子％ B i膜4 〇的反也形成 填 寫 本 1 裝 如 下 的 廣 義 氣 化 還 原 反 應 〇 依記 錄 用 雷 射 光 的 昭 射， 還 頁 、〆 1 I 原 形 成 膜 2 的 W0 3 ( 第 2 物 質） ， 其 —‘ 部 份 或 金 部形 成 1 1 WO 2‘ • 83 > 被 氣 化 形 成 膜 4 0 的 Sn-4 3原子％ B (第1 物質） 1 1 主 要 是 Sn 的 一 部 份 或 全 剖 成 為Sn 0〇 1 訂 此 時 9 各 物 質 膜 的 膜 色 調 ，WO 3 係 透 明 9 W0 2. 83俱 藍 1 色 S S η -4 3原子％ B i偽金颶光澤， S n0傜 灰 色 〇 因 此， 造 1 I 成 光 碟 10 0 的 記 錄 前 後 的 光 學持 性 有 很 大 的 差 別 〇 - 1 1 而 且 * W0 3 分 離 氣 分 子 1 m 〇1量 變 成 W0 2. 83 時 所 需要 的 1 1 能 量 ( 氧 分 離 能 量 ) > 在 室 溫大 約 48 0 k J , S η和氣分子 線 I 1 ffl ο 1 量 結 合 ， 變 成 S η 0 時 所 發生 的 能 量 ( 氣 結 合 能量 ) 1 1 在 室 溫 大 約 6 1 0K j 〇 因此， 該W0 3 3膜2 和s η - 4 3 原子 X 1 I B i 膜 4 0 的 反 應 傜 發 熱 〇 順 便 一提 B i 變 成 B i 2 0 : 3時的 1 I 氣 結 合 能 量 在 室 溫 大 約 4 1 0 k J 〇 1 1 此 時 本 實 施 例 的 情 形 » 和上 述 第 1 實 施 例 者 比較 J 1 1 | 屬 於 被 還 原 物 質 的 S η -4 3原子％ B i氣結合能量， 較s η - 1 0 1 原 子 % S r 的 氣 結 合 能 量 相 m 小。 亦 即 、 Sn -4 3原子X Β i 1 1 -1 7 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 406263 Λ 7 Η7 五、發明説明（乂） 的氯結合能量和變W02i83時的氣分解能量的差，較 Sn-l〇g子％ Sr者相當小。因此能量至少對於引起同樣 記錄作用的原因而言，可考慮如下。 亦即，於記錄時，溶解溶化點低的S n - 4 3原子％ B i的 一部份或全部，視情形，此時在Sn-43原子％ Bi膜40形 成孔。由於此時的化學反應傜溶液和固體的反應，因此 認為較固體和固體的反應容易達成反應。 而且，在本實施例，也由於上述氣化還原反應傜發熱 反應，因此變性的反應物（W02#83，SnO)的能量安定 不容易引起逆反應。而且，因産生前或産生後的物質將 氣化物，氣作為構成要素含有的物質，而對熱或濕氣強 耐環境性優良，在非記錄時容易抑制不必要的反應。 玆表示本實施例的記錄特性的具體例。在以上述製造 方法製造的光碟1QQ ，從鏡面（一方面la)側，透過NA (開口數）：0.5的對物鏡片，將波長：780η®的雷射 光（記錄用雷射光）集光於Sn-43原子5! Bi膜40面上， 實施記錄。此時的照射條件，規定線速：2.8m/sec, 記錄頻率：4 H Q k Η z ,記錄雷射波形：佔空比5 0 %的矩形 波。 此時的光碟的特性（記錄特性），偽如第3 _的試樣 編號12所示，形成未記錄部反射率：63¾ ，記錄雷射功 率·· 7diW，C/N: 52dB，調變：85%。 其次，在第3圖和上述結果（試樣编號12)合併表示 ,改變各種扮演障壁層（第3層）角色的磺氫化合物膜 (邻先閱讀背而之注意事項再楨艿本頁) •裝 旅 406263 at B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 3 0 的 膜 厚 ( 圖 中 > 障 壁 層 膜 厚 ) ( 試 樣 编 號 1 1 13 ) > 1 測 定 和 上 述 同 樣 光 碟 特 性 的 結 果 〇 此 外 ) 在 第 3 圖 > 試 1 1 樣 编 號 1 4 偽 本 發 明 的 比 較 例 不 裝 設 障 壁 層 〇 /—V 請 先 1 如 第 3 圖 所 不 » 明 白 試 樣 编 號 11 1 3所 不 的 本 實 施 例 閱 讀 I 光 碟 10 Q > 較 fcb 較 例 ( 試 樣 编 號 14 ) 的 光 碟 y 反 射 率 待 背 1 I 之 1 別 商 ， 而 且 > 反 射 率 9 記 錄 功 率 C/ N ϊ 調 制 度 的 特 性 注 意 1 I 平 衡 優 良 〇 這 是 因 為 特 是 在 成 膜 時 > 因 碩 氫 化 合 物 膜 30 事 項 1 Γ 再， 1 的 存 在 而 攸 抑 制 第 1 層 的 S η -4 3原子％ B i膜4 0和第2 層 寫 本 1 的 W0 3 膜 2 的 反 應 〇 頁 1 i 而 且 » 對 於 洹 些 試 樣 编 號 11 14 的 各 光 碟 i 實 施 5 5°C 1 1 9 9 6小 時 的 耐 環 境 試 驗 3 結 果 在 本 實 施 例 的 光 碟 可 再 1 I 生 所 記 錄 數 據 ， 相 對 地 在 比 較 例 的 光 碟 > 卻 不 能 再 生 所 1 訂 記 錄 的 數 據 〇 這 是 因 為 磺 氫 化 合 物 膜 3 0的 存 在 而 被 抑 制 1 W0 3 膜 2 和 S η -4 3原子％ Β i膜4 0的反應。 - 1 I 如 上 述 ， 本 實 施 例 的 光 .碟 1 0 0 » 較 習 用 光 磲 具 有 反 - 1 1 射 率 > 記 錄 功 率 j C/ N > 調 制 度 的 持 性 平 衡 優 良 的 優 點。 1 1 而 且 9 如 果 依 本 實 施 例 即 在 W0 3 膜 2 和 Sn -4 3原子χ 、旅 I B i 膜 4 0 之 間 介 於 m 化 合 物 膜 3 0 » 成 膜 時 » 在 通 常 環 境 1 下 ， 抑 制 如 上 述 耐 環 境 試 驗 在 高 溫 高 濕 環 境 下 的 反 應 1 I 亦 即 記 錄 時 以 外 的 反 應 ， 可 特 別 提 高 光 碟 的 未 記 錄 部 反 1 1 射 ( 初 期 反 射 率 ) 同 時 防 止 記 錄 待 性 ( 反 射 率 > 記 I 錄 功 > C/ N , 調 制 度 ) 的 劣 化 ♦ 更 提 高 數 據 保 持 待 性。 1 不 過 ， 在 本 實 施 例 J 第 1 及 第 2 物 質 不 限 定 於 上 述 例 1 > 以 記 載 於 上 述 第 1 實 施 例 的 組 合 為 條 件 $ 可 使 用 如 下 1 1 -1 9- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -'"ϋ" 406263 Λ7 Η 7 五、發明説明（I8 ) 者0 第〗物質，係從第2物質採取氧還原第2物質本身容 易被氧化，只要使用上述物質群Ρ中氧結合能量在5 00 k J Μ上，而且溶解點或分解溫度在1 0 0 °C Μ上3 0 0 °C的物質 即可。 對於這種第1物質而言，可使用如氧结合能量5 0 0 k J Μ上的Au-Ag-Sn合金（例如組成比：Au-5.7原子％ Ag-8 2原子％ S η ,溶解點：大約2 4 0 °C ) , A u - G a - S η合金（ 例如組成比：Au-10原子S： Ga-18原子％ Sn,溶解點：大 約2 6 0 )等。在這裡，氧结合能量係大約，A u : 3 0 k J ,

Ag ： 1 3 0 k J , S η ： 6 1 0 k J , Ga:740kJ。 而且，作為第1層使用I n - 4 8 . 3原子％ S ri膜也可M。 此膜的溶解點係1 2 0 ,氧结合能量係I n約6 4 0 k J , S n 約 6 1 0 k J 〇 而且，第2及第3物質，可使用和上述第1實施例相 同者。 順便一提，雖在上述習用公報揭示各種的記憶元件， 但多半是記錄膜的反射率低，而且，僅管使用K反射率 高的A 1為主要成份的記錄膜，但由於記錄部份係反射率 高的A 1成為主要成份，因此記錄部反射率不會變成那麽 小，结果認為調制度小。 在產生氧化還原的物質反射率良好者，因為反射率良 奸，所K雷射光等的外部能量的吸收率少，结果認為反 應所需要的熱吸收少。因此，必需將兩物質設定為反應 -------:--^------ΪΤ------線 - * (請先閱讀背面之注意事項再J/寫本頁) - , 406263 A7 B7 部 屮 -小 $ 消 IV A il 印 五、發明説明 ( 19 ) 1 性 良 奸 的 組 合 > 但 此 時 j 於 如 記 錄 膜 的 成 膜 時 或 外 部 能 1 1 I 最 的 非 賦 與 時 反 Itfg 應 兩 物 質 » 調 制 度 變 小 的 可 能 性 仍 然 大。 1 1 但 在 上 述 各 實 m 例 j 因 規 定 氧 结 合 能 量 或 氧 分 離 能 請 先 1 最 等 ， 而 將 第 1 及 第 2 物 質 作 為 反 應 性 良 好 的 組 .八 Π 9 但 閱 讀 背 i 因 介 於 的 第 3 物 質 ( 在 實 施 例 為 碳 氫 化 合 物 瞑 30 ) > 可 之 1 抑 制 如 使 記 錄 時 以 外 的 記 錄 特 性 劣 化 的 第 1 及 第 2 物 質 意 1 I 事 1 的 反 應 1 因 此 可 設 定 調 制 度 良 好 的 數 值 ( 如 第 2 圖 及 第 項 再 | 3 圖 所 示 80¾ 上 ) 0 填 寫 本 1 裝 I (第3 實施例） 頁 '—· 1 I 本 第 3 實 胞 例 的 記 憶 元 件 f 在 第 1 圖 所 示 的 光 碟 100 1 I » 因 取 代 S η -1 0原子％ S r膜將第1 層作為I η - 3 . 2原子％ 1 1 A g 膜 400 和 取 代 C 膜 將 障 壁 層 作 為 膜 300 而 和 上 述 1 訂 第 1 實 拖 例 不 同 0 在 本 實 施 例 > 雖 發 揮 和 上 述 第 1 實 施 1 例 大 致 相 同 的 作 用 效 果 > 但 t Μ 下 9 主 要 說 明 有 關 和 上 1 1 述 第 1 賁 施 例 不 同 的 部 份 0 * 1 I 玆 依 具 體 例 說 明 本 實 施 例 的 記 憶 元 件 的 製 法 〇 1 1 線 1 首 先 在 基 板 1 的 他 方 面 1 b 上 Ϊ 依 RF 磁 控 管 濺 射 法 成 膜 W0 3 膜 2 » 依 濺 射 氣 種 : Ar + 1 0%0 Ϊ , 濺射氣壓： - 1 1 4X1 00 -3 To r Γ 9 輸 入 壓 力 * 100- -40 0 W的成膜條件， 使 1 1 用 W0 Β 對 電 極 » 成 膜 17 5 η Π! c 1 I 接 著 » 依 R F 磁 控 管 濺 射 法 成 膜 T i 膜 f 依 濺 射 氣 種 * 1 Ar ， 濺 射 氣 壓 * 4X1 O'i T 0 Γ r , 輸入電力： 1 00 〜 2 0 0 W 的 1 Ϊ 成 膜 條 件 使 用 T i 對 電 極 成 膜 1 η m ：1 1 I 再 接 著 > 依 RF 磁 控 管 濺 射 法 成 膜 I η - 3 .2 原 子 X Ag 膜 400 1 -2 1 - 1 1 1 1 部 ;ί- »j J 消 i\- A 社 印 A7 B7 406263 五、發明説明（20 ，依濺射氣種：A r ,濺射氣壓：4 χ 1 0 -3 T ο「「，輸入電 力：5 0〜2 0 0 W的成膜條件，使用I η - 3 . 2原子％ Β i對電極 ，成膜 4 5 n tn ϋ 最後，依旋轉塗佈法塗佈紫外線硬化樹脂，使用高壓 水銀燈使該紫外線硬化樹脂形成樹脂膜5 ,製作光碟 100° 有關本實施例的光碟1 0 0的記錄作用，推斷如下。在 引導溝1 c部份，從箭頭符號Α入射（照射）的記錄用雷 射光，被集光於In-3. 2原子％ Ag膜400,因In-3. 2原子 A g膜4 0 0的溶解點低約1 4 1 °C ,而溶解被照射雷射光的 I η - 3 . 2原子％ A g膜4 0 0的一部份或全部，視情形，此時 在In-3. 2原子$ Ag膜400形成孔。 和它同時，透過Ti膜300 ,或/而且，破壞Ti膜300 ,W 0 3膜2和溶解一部份或全部的I η - 3 . 2原子％ A s膜 400引起化學反應。因此，改變反射部份的光學特性 (反射率等），可記錄信息。而且，由於此化學反應係 溶液和固體的反應，因此較固體和固體的反應容易達成 反應。 而a ,記錄用雷射光的非照射時，由於τ i膜3 ο 〇介於 W 0 5膜2和I η - 3 . 2原子％ A g膜4 0 0之間，因此被抑制 W 0 3膜2和I η - 3 . 2原子％ IU膜4 0 0的反應，结果可防止 記錄特性的劣化。 此時的W 0 3膜2和I η - 3 . 2原子％ A g膜4 0 0的反應也形 成如下的廣義氧化遨原反應。依記錄雷射光的照射，形 -22- 木紙张尺度砷川屮阀1¾家標作（ΓΝ8 ) Λ4規格（210X297公处） -----------裝------訂------線 (誚先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 406263 A 7 B7 五、發明説明（21 ) 成膜2的W 0 3被氧化，其一部份或全部成為W 0 2.83，形 成膜4 0 0的I η - 3 . 2原子％ A g被遷原，主要是I η的一部份 或全部成為ΐ 〇 3_χ。 此時，各物質的膜色調，WO 3係透明，W0 2·83係藍色 ，1〇-3.2原子％&8係金屬光澤，1〇203_}4係黑色。因此， 光碟1 0 0的記錄前後的光學特性形成很大的差別。 而且，W〇3分解氧分子lmol量變成W〇2*83時所需要的 能最（氧分解能量），在室溫大約480kJ, In和氧分子 Imol最结合，變成X時所發生的能量（氧结合能 量），在室溫大約6 4 0 k J。順便一提，A g變成A g 2 〇時的 氧结合能量，在室溫大約1 3 0 k J 。 本實施例時，也具有和上述第2實施例時相同的記錄 作用。而且，在本實施例，由於上述氧化遨原反應係發 熱反應，因此變性的反應物（WO 2<83， In2〇3_x )的能 最安定不容易引起逆反應，而且，因產生前或產生後的物 質係將氧化物，氧作為構成要素含有的物質，而對於熱 或濕氣等強耐環境性優良，在非記錄時容易抑制不必要 的反應。 在此光碟，從鏡面（一方面1 a )側，透過N A (開口數） :0 . 5的對物鏡Η ,將波長：7 8 0 n m的雷射光（記錄用雷 射光），集光於In-3. 2原子％ Ag膜400面上，實施gB錄 。此時的照射條件，設定為線速：2 . 8 ra / s e c ,記錄頻 率：4 0 0 k Η Z ,記錄雷射波形：佔空比5 0 的矩形波。此 時的光碟特性（記錄特性），係如第4圖所示，未記錄 木紙张几度讳川十阀Η家標彳（（’N'S ) ΛΊ规格（2丨0X2W公楚） ----------裝------,1τ------I 1 · (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _406263_B7____ 五、發明説明（22) 部反射率：6 3 % ,記錄雷射功率：7 m w , C / N : 5 2 d B， 調制度：93¾ ':丨 (¾先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，在第4鬪，改變各種扮演障壁層角色的T i膜3 0 。膜厚（試樣編號2 1、2 3 )，測定和上述相同的光碟特 性。和上述结果（試樣編號2 2 )合併表示測定結果。此 外，在第4圖，試樣編號2 4係本發明的比較例，不裝設 障壁層。 如第4圖所示，明白試樣編號21〜23所示的本實胞例 光碟1 0 0 ,較比較例（試樣編號2 4 )的光碟，反射率特 別高，而且，反射率，記錄功率，C / N ,調制度的特性 平衡優良。這是因為特別是在成膜時，被抑制第1層的 I η - 3 . 2原子％ A g膜4 0 0和第2層的W 0 3膜2的反應。 而且，對於這些試樣編號2 1〜2 4的各光碟，實施5 5 Ό ,9 6小時的耐環境試驗，结果在本實施例的光碟，可再 生所記錄的數據，相對地在比較例的光碟，卻不能再生 所記錄的數據。這是因為Τ ί膜3 0 0的存在而被抑制W 0 3 膜2和In-3.2原子％ Ag膜400的反應。 如上述，本簧施例的光碟，較習用光碟，具有反射率 ，記錄功率，C / N ,調制度的特性平衡優良的優點。 而目.，如果依本實施例，藉由Ti膜3 0 0介於W 0 3膜2 和I η - 3 . 2原子％ A g膜4 0 0之間；而成膜時，在通常環境 下，被抑制如上述耐環境試驗的高溫濕環境下的反應， 可特別提高光碟的未記錄部反射率（初期反射率），同 時防出記錄特性（反射率，記錄功率，C / N ,調制度） 木纸认尺度谇）t]屮阀㈦( rNS ) Μ规格（2丨0X297公# ) 406263

I A7 B7 义:) }] ύ： A fi 五、發明説明（23 ) 1 的 劣 ft ϊ 更 提 高 數 據 保 持 特 性 1 1 I 此 外 ) 作 為 障 壁 層 使 用 的 金 屬 ( 在 本 實 施 形 態 為 Τ ί膜 1 1 3 0 0 ) 的熱擴散率整體值最好5 0 in m : / ’ S e c Μ 下 〇 如 果 在 /-、 請 先 1 5 0 m m 2 〆/ s e C以上， 因為必需增大於記錄時提供的雷射 閱 讀 背 1 光 功 率 > 作 為 記 憶 元 件 不 大 用 〇 此 外 在 本 實 施 例 作 1¾ 之 1 為 障 壁 層 使 用 的 Τ ί 膜 3 0 0 T i 的 整 體 狀 m 擴 散 率 數 值 係 注 意 1 1 事 1 约 9 . 3 m m : ，S e c ( 室 溫 ) τ i 和 氧 分 子 1 m 0 1 量 结 合 時 發 項 再 1 | 生 的 能 最 係 約 1070kJ j Τί 的 溶 解 點 係 1 6 7 5 °C 0 填 寫 本 '裴 此 外 » 在 上 述 光 碟 100 > 構 成 記 錄 膜 的 第 1 及 第 2 頁 1 | 及 第 3 層 » 分 別 非 僅 由 第 1 、 第 2 或 第 3 物 質 所 成 t Μ 1 | 混 合 其 他 物 質 的 形 態 成 層 也 可 Μ 0 1 1 而 ， 由 第 1 層 和 第 2 層 的 層 合 構 造 所 成 9 第 1 曆 的 1 訂 ί 物 質 及 第 2 層 物 質 任 何 一 種 和 第 3 物 質 混 合 » 構 成 第 1 m ) 第 2 物 質 由 未 含 於 第 1 層 的 第 1 物 質 或 第 2 物 質 所 1 1 成 者 & 可 以 0 1 | 而 且 » 記 錄 膜 非 上 述 層 合 構 造 t Μ 單 層 個 層 内 也 以 可 便 使 第 1 1 線 1 3 物 質 介 於 第 1 及 第 2 物 .質 之 間 的 構 造 〇 而 旦 t 因 為 本 發 明 的 要 部 在 記 錄 膜 > 所 記 錄 膜 以 外 的 结 - 1 I 構 可 適 當 設 計 變 更 〇 1 1 而 目. » 適 用 本 發 明 的 記 憶 元 件 > 不 限 定 於 上 述 光 碟 的 1 I 形 態 1 其 他 的 形 態 可 Μ 0 而 且 為 使 光 學 特 性 化 引 I 起 反 reft? 聰 的 外 部 能 最 不 限 疋 於 雷 射 光 * 光 全 面 > 熱 > 電 磁 1 1 波 音 波 » 放 射 線 衝 擊 力 y 形 等 也 可 Μ 0 本 發 明 也 1 I 可 適 用 於 如 Μ 規 定 溫 度 氧 化 谡 原 反 應 第 1 物 質 和 第 2 物 1 1 質 使 光 學 特 性 化 記 錄 信 息 的 熱 標 簽 等 〇 1 1 -25- 1 1 木紙张尺度適川十阈1.¾家標彳（（’NS ) MttL格（21 ο κ 297公势） 經满部中央標準局負工消费合作社印製 406263 五、發明説明（24 ) 參考符號說明 1 基 板 1 a - 方 面 lb 他 方 面 2 W0 3 膜 3 C 膜 4 η 一 10 原 子 % Sr 膜 5 樹 脂 膜 10 記 錄 膜 30 碳 氫 化 合 物 膜 100 光 碟 300 Τ ί 膜 400 In -3 .2 原 子 % Ag膜 . 1 :¾衣 訂 線 (請先閱靖背面之注意事項再^寫本頁) · 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) ΛΊ坭枱（210X 297公犮）

Claims (1)

1. Λ8 B8 406263 g88 六、申請專利範圍 1 . 一種記憶元件，係藉由賦與外部能t使光學待性萝化 之記錄信息的記憶元件， 其特徵為具有於賦與前述外部能量時引起發熱反應 承受光學特性變化的廣義氧化的第1物質，接受廣義 還原的第2物質， 和介於前述第1物質和前述第2物質之間，於賦與 前述外部能最時可達成前述第1物質和前述第2物質 反應，於前述外部能量非賦與時抑制前述第1物質和 前述第2物質反應的第3物質者。 2 .如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前述 第2物質，係將氧化物，含有以氧作為構成要素的物 質，吸附氧的物質，或這些化合物或混合物中至少一 種者。 3 .如申請專利範圖第2項所記載的記憶元件，其中前述 第2物質，係在分解氧分子lmol量時所需要的能量 5 5 0 k J Μ 下者。 4 .如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前述 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項".寫本頁) 、1T 線-- 第2物質，偽含有從元素週期表的6族，8族，9族 ,11族，T i , V ，Μη , N i , Re, G e，Sn , Pb , As, Sb ,B i , S e , T e , C e， P r , T b中選擇至少含有一種元素 的氧化物，及以氧作為構成要素的物質之至少一種的 物質者。 5 .如申請專利範園第1項所記載的記憶元件，其中前述 第2物質，係從Mo〇3 ， Re02 , Pr02 , Sb02中選擇 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ 8 406263 cs D8 六、申請專利範圍 的卒少一種氧化物者。 6 .如申請專利範圃第1項所記載的記憶元件，其中前述 第2物質係WO α者。 7 .如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前述 第i物質，係和氧分子1 m 〇 1量结合時發生的能量在 1 0 0 0 k J Μ上的金屬，金屬間化合物，氮化物，碳化物 ，矽化物，硼化物，硫化物，晒化物，碲化物，磷化 物，砷化物，銻化物，及含有這些物質中的至少一種 者。 8.如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前述 第1物質，係Sn-Sr合金，Mg-Al合金，In-Sr合金 ,A Τ ί合金中的至少一種者。 9 ,如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前述 第1物質，係S η - 1 0原子％ S r合金者。 10.如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前 述第1物質，係和氧分子1 m ο 1量结合時發生的能量在 5 0 0 k J Μ上，而且，溶點或分解溫度在1 0 〇 t；以上3 0 0 1C Μ下的金臑，金屬間化合物，氮化物，碳化物，矽化 物，硼化物，硫化物，晒化物，碲化物，磷化物，砷 化物，綈化物，及含有這些物質中至少含有一種的物 質者。 11 .如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前 述第1物質，係Au-Ag-Sn合金，Au-Ga-Sn合金，In-S「合金中的至少一種者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項^-^.¾本頁) 訂 線 Λ8 406263 D8 六、申請專利範圍 1 2 .如申請專利範園第1項所記載的記憶元件，其中前 述第1物質丨系S η - 4 3原子％ B i者。 1 3 .如Φ請專利範圍第]項所記載的記憶元件，其中前 述第3物質，係將分解氡1 ιπ ο 1量時發生的熱量超過 5 5 0 kJ的氧化物，含有Μ氧作為構成要素的物質，吸 附氧的物質，或這些化合物或混合物者。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項所記載的記憶元件，其中前 述氧化物，係Α 1 2 0 3或S i A 1 0 Ν者。 1 5 .如申請專利範圍第1項所記載的記億元件，其中前 述第3物質，係分解溫度，（分解，昇華，溶解溫度） 在3 0 0它以下的有機物者。 1 6 .如申請專利範園第1 5項所記載的記憶元件，其中前 述有機物，係C m Η η (碳氫化合物），C m F η或C ra Η n F ρ (1«、11、卩為整數）者。 1 7 .如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前 述第3物質，係在室溫的熱擴散率整體狀值，在50mm2 / s e c Μ 下的 Μ n , T i . S e , Μ η 鋼，钛合金，S ί , G e， 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再V爲本頁) 線 S i N 等的金鼷，半導體，金屬間化合物，氮化物， 碳化物，矽化物，硼化物，硫化物，晒化物，碲化物 ,磷化物，砷化物，銻化物，及含有這些的化合物之 至少一揷的物質者。 18. 如申請專利範園第1項所記載的記憶元件，其中前 述第3物質係碳者。 19. 如申請專利範園第1項所記載的記憶元件，其中前 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 406263 o D8六、申請專利範圍 述第3物質f系碳化氧樹脂者。 2 0.如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前 述-第3物質係鈦者。 2 1 .如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前 述第i物質，前述第2物質及前述第3物質係分別形 成層狀，將由該第3物質所成的層作為中央層合者。 22.如申請專利範園第1項所記載的記憶元件，其中前 述第3物質，係和氧分子1 mo 1量结合時發生的能量 1 0 0 0 k J Μ上時，溶點或分解溫度或昇華溫度係1 〇 〇 〇 °C Μ上，小於1000kJ時，溶點或分解或昇華溫度30010 Μ上者。 2 3 .如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前 述第3物質係層狀其厚度在0 . 5 n m Μ上者。 2 4 .如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前 述第i物質，係含有和氧分子1 m ο 1量结合時發生的能 ---- 最在1 0 0 0 k J K上的金鼷，金鼷間化合物，氮化物，碳 化物，矽化物，硼化物，硫化物，晒化物，碲化物， 磷化物，砷化物，綈化物，及含有這些物質之至少一 種， 前述第2物質，係含有分解氧分子1 οι ο 1量時所需要 的能量在5 5 0 k J以下的氧化物，含有K氧作為構成要 素的物質，吸附氧的物質，或瑄钱化合物或混合物之 至少一種者。 2 5 .如申請專利範圍第1項所記載的記憶元件，其中前 (請先閱讀背面之注意事項Τ·...寫本頁) 裝— *1T. 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） Λ8 B8 C8 D8 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 406263 申請專利範圍 述第1物質，係含有和氧分子jjn ο 1量结合時發生的能 最茌5 0 0 k J Μ上，而且，溶點或分解溫度在1 0 0 K 上3 0 0 Κ下的金屬，金靥間ib合物，氮化物，碳化 物，矽化物，硼化物，硫化物，晒化物，碲化物，磷 化物，砷化物，銻化物，及含有這些物質之至少一種， 前述第2物質，係含有分解氧分子Imol量時所需要 的能量在5 5 0 k J Μ下的氧化物，含有以氧作為構成要 素的物質，吸附氧的物質，或這些化合物或混合物之 至少一種者。 -31- 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再"本頁)