TW405166B - Method of manufacturing a protective layer for the gate electrode - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4603t\vf.doc/006 八7 __405166_^__ 五、發明説明（’） 本發明是有關於一種閘極電極之護層的製造方法，且 特別是有關於一種避免於接觸窗製程中造成與閘極電極 橋接的方法。 習知形成閘極電極的方法是將光阻層的圖案依序轉 .移至其下方的氮化矽罩幕層、矽化鎢層和複晶矽層，之後 再將光阻層移除，由於所使用的光阻層之厚度夠厚，故在 圖案轉移的過程中可以保持氮化矽罩幕層、矽化鎢層和複 晶矽層之圖案的正確性。在閘極電極和其上方的頂蓋層完 成後，會於整個表面覆蓋一層共形的襯氧化層，再於閘極 電極和頂蓋層的側壁形成間隙壁。然而，此閘極電極在後 續所覆蓋之厚厚一層的氧化層中形成接觸窗開口時，當部 份接觸窗開口位於閘極電極上方時，由於襯氧化層的材質 與閘極電極上方所覆蓋的氧化層之材質相同，使得間隙壁 和閘極電極之間的襯氧化層亦會在接觸窗口圖案化之時 被剝除，而後續塡入導電材質於此接觸窗開口時，會造成 與閘極電極之間的橋接，而使元件無效，因此嚴重影響產 品的良率。 因此，本發明提供一種閘極電極之護層的製造方法， 包括：於閘極氧化層上依序形成導電層和罩幕層，再於罩 幕層上覆蓋一已圖案化的光阻層，此光阻層的厚度若足以 使其圖案做正確的轉移，則將此光阻層的圖案轉移至罩幕 層後，剝除此光阻層，接著進行非等向性蝕刻製程，以繼 續將罩幕層的圖案轉移至導電層中，以形成閘極電極，其 中在非等向性蝕刻過程中，罩幕層的邊角亦會被部份削 -----^----,---裝-----、丨訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4^03t\vf.d〇c/006 A7 B7 五、發明説明（之） 而形成一具有圓弧形邊角的頂蓋層，之後於其上方覆 ^層共形的襯氧化層，再於大致對應於閘極電極和具有 圓弧形邊角的頂蓋層側壁之襯氧化層外形成二間隙壁，此 〜間隙壁的頂部端點之距離小於閘極電極的寬度，其中閘 牛亟電極爲具有圓弧形邊角的頂蓋層和間隙壁所包覆。 ^ ’若罩幕層上方所覆蓋的光阻層之厚度在經後續 倉虫刻製程後不足以維持其圖案的正確性，則在其圖案轉移 至罩幕層後’此光阻層的圖案會產生嚴重失真，在此，仍 繼續進行對導電層的蝕刻，以形成閘極電極。而在上述的 倉虫刻過程中’此失真的光阻層不足以抵擋蝕刻劑對罩幕層 造成的削角行爲，致使罩幕層的邊角亦會被部份削除，而 形成具有圓弧形邊角的頂蓋層，之後再將此失真的光阻層 剝除’再繼續共形襯氧化層的形成，以及間隙壁的形成。 由於頂蓋層的邊角爲圓弧形，致使約對應於閘極電極 側壁所形成的兩相對之間隙壁的頂部端點之距離，小於閘 極電極的寬度，此種結構的間隙壁可用以保護其與閘極電 極之間的襯氧化層，以避免此區域的襯氧化層會於後續接 觸窗開口的形成過程中有被移除之虞。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式’作詳細 說明如下： 圖式之簡單說明： 第1Α圖至第1Ε圖係繪示根據本發明一較佳實施例之 閘極電極之護層的製造流程剖面圖；以及 本紙張尺度適用中國国家樣準（CNS ) M規格（2丨〇X297公麓） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4603twf.doc/Qi)Cu ,405166 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（3> ) 第2A圖至第2C圖係繪不根據本發明一較佳實施例之 閘極電極之護層的部份製造流程剖面圖。 其中，各圖標號與構件名稱之關係如下： 100、200 :基底 10 2、2 0 2 :閘極氧化層 104、104a、204、204a :複晶矽層 106、106a、206、206a :砂化金屬層 108、108a、208、208a :罩幕層 110、2 1 0 :光阻層 120、220 ··邊角 108b、208b :具有圓弧形邊角的頂蓋層 124 :閘極電極 112、112a:襯氧化層 114 :間隙壁 122 :間隙壁的頂部端點 116 :絕緣層 1 18 :接觸窗開口 苐一實施例 第1A圖至第1E圖所示’爲根據本發明一較佳實施例 之閘極電極之護層的製造流程剖面圖。 首先請參照第1A圖，提供基底100，比如是半導體矽 基底，之後形成元件隔離結構（未繪示於圖中），以定義 出主動區。之後，於基底100表面形成一層閘極氧化層 102，其方法比如是熱氧化法。接著，於其上依序形成複 (請先閱讀背面之注意事項再填容本頁) -裝_ ,ΤΓ 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 4603t\vf.doc/006 A 7 —465166---- 五、發明説明（仏） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 晶矽層104、矽化金屬層106和罩幕層108，其形成方法 比如均爲化學氣相沈積法。其中罩幕層108的材質比如是 氮化矽，矽化金屬層106的材質比如是矽化鎢，其中複晶 矽層104和矽化金屬層106爲導電層，此導電層將做爲閘 極電極之用。接著，於氮化矽罩幕層108的上方形成一已 圖案化的光阻層110，此光阻層110的厚度需足以抵擋後 續蝕刻步驟所造成的損失，以避免在圖案轉移的過程中產 生失誤，即在經触刻步驟後，光阻層110的圖案不會產生 失真的變化。在0.35微米的製程下，其光阻層110的厚 度比如約爲9000埃。 接著請參照第1B圖，將此光阻層110的圖案轉移至 氮化矽罩幕層108中，以形成如圖所示之氮化矽罩幕層 108a，其圖案轉移的方法比如是非等向性乾式蝕刻法。接 著將光阻層110剝除。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著請參照第1C圖，以此氮化矽罩幕層108a爲蝕刻 罩幕，繼續將其圖案轉移至矽化金屬層106和複晶矽層104 中，使其轉爲如圖所示之矽化金屬層106a和複晶矽層 104a，其圖案轉移的方法比如是非等向性乾式蝕刻法。然 而，在此圖案轉移的過程中，由於氮化矽罩幕層108a缺 乏光阻層110的保護，因此在邊角120處亦會有部份削 除，致使氮化矽罩幕層108a轉爲具有圓弧形邊角120的 氮化砂頂蓋層108b。其中砂化金屬層106a和複晶砂層 104a構成金氧半電晶體的閘極電極124。 接著請參照第1D圖，於包含閘極電極124和氮化矽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 4603t\vf.doc/006 _ 五、發明説明（c) 頂蓋層108b的基底100上，覆蓋一層共形的襯氧化層 1 12。之後於閘極電極124和氮化矽頂蓋層l〇8b的側壁之 襯氧化層112外形成間隙壁114，間隙壁114的材質比如 是氮化矽，其形成方法比如是於整個基底覆蓋一層氮化 .矽，之後進行非等向性乾式蝕刻法而得。因此，閘極電極 124爲氮化矽頂蓋層108b和間隙壁114所包覆，意即具圓 弧形邊角120的氮化矽頂蓋層l〇8b和間隙壁114爲閘極 電極124的護層。 由於氮化矽頂蓋層108b的邊角120爲圓弧形，致使 所形成的之兩相對之間隙壁114的頂部端點122之距離， 小於閘極電極124的寬度。 接著請參照第1E圖，覆蓋一層較厚的絕緣層Π6，其 材質比如是氧化矽，之後於其中形成接觸窗開口 Π8，並 將此接觸窗開口 118延伸至襯氧化層112和閘極氧化層 102中，直至暴露出基底1〇〇，其中襯氧化層112和閘極 氧化層102轉爲如圖所示之襯氧化層112a和閘極氧化層 102a。 當部份接觸窗開口 118佈局至閘極電極124上方時， 於閘極電極124上所暴露出的襯氧化層112亦會被剝除。 然而，由於間隙壁1U的外形所致，使得介於閘極電極124 與間隙壁114之間的襯氧化層112,或者氮化矽頂蓋層 108b與間隙壁114之間的襯氧化層112不會有被移除之 虞。因此，利闬本發明所提供的閘極電極Π4之護層的製 造方法所製得的結構，可以避免閘極電極114和導電插塞 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） -----：---Γ---装-- (請先閲讀背面之注意事項再^本頁) 、1T- 線 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4603twf.doc/006 A7 _4 ft B16 ___B7___ 五、發明説明（έ ) 之間短路的情形發生。 値得注意的是’在上述的製程中忽略源極/汲極區的 形成’其形成方式比如分別在間隙壁的形成之前和之後進 行離子植入製程’然而此非關本發明，故此處不再贅述。 .第二實施例 第2A圖至第2C圖所示，爲根據本發明一較佳實施例 之閘極電極之護層的部份製造流程剖面圖。圖中的材質與 第一實施例相同，在此並不多做說明。 首先請參照第2A圖，於基底200上依序形成閘極氧 化層202、複晶矽層204、矽化金屬層206和氮化矽罩幕 層208後’於其上方覆蓋一已圖案化的光阻層wo，此光 阻層210的厚度不同於第一實施例的光阻層u0 (請參照 第1A圖）之厚度，在第二實施例中的光阻層210之厚度 較第一實施例中的光阻層11()爲薄，以0.35微米的製程 爲例’其厚度比如約介於3000埃至6000埃之間。 接著請參照第2B圖，在將光阻層210的圖案轉移至 氮化矽罩幕層208的過程中，光阻層210之厚度並不足以 抵擋蝕刻步驟所造成的損耗，在經一段時間的蝕刻製程 後’會使光阻層210的圖案失真，而轉爲如圖所示之光阻 層210a，而氮化矽罩幕層208轉爲氮化矽罩幕層208a。 接著請參照第2C圖，繼續以光阻層210a和氮化矽罩 幕層208a爲蝕刻罩幕，蝕刻矽化金屬層2〇6和複晶矽層 204，使其轉爲矽化金屬層206a和複晶矽層204a。在此過 程中，由於氮化矽罩幕層208a上方的光阻層21〇a已不足 8 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----^---r---裝------I 訂.------線 (請先閲讀背面之注意事項再填有本頁) 4603tvvi.doc/006 A 7 ___----------- 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以保護氮化矽罩幕層208a，故亦會使氮化矽罩幕層208a 的邊角220受到蝕刻的削除，而形成具有圓弧形邊角220 的氮化矽頂蓋層208b，而此時的光阻層210a亦受到蝕刻 的傷害，而形成如圖所示之光阻層210b。 之後，將光阻層210b剝除後，繼續同第一實施例所 述的製程，在此不多做說明。 由於在此實施例中，所獲得的閘極電極之護層的外形 同於第一實施例，故亦有第一實施例中所述之優點。 本發明的優點如下： (1) 由於氮化矽頂蓋層的邊角爲圓弧形，致使約對應 於閘極電極側壁所形成的兩相對之間隙壁的頂部端點之 距離’小於閘極電極的寬度，此種結構的間隙壁可以保護 其與閘極電極之間的襯氧化層，避免此區域的襯氧化層會 於後續接觸窗開口的形成過程中有被移除之虞。 (2) 利用本發明所提供的閘極電極之護層的製造方法 所製得的結構’可以有效地保護閘極電極，以避免閘極電 極和導電插塞之間短路的情形發生。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明’任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍內，當可作各種之更動與潤飾’因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 本紙張尺度制巾 (CNS) Α4· (21()><297公瘦 y ~~~

Claims (1)

1. 4603twf.doc/006 ---- 六、申請專利範圍 1. 一種閘極電極之護層的製造方法，包括： 提供一基底，該基底表面已形成一閘極氧化層； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於該閘極氧化層上依序形成一導電層和一罩幕層； 於該罩幕層上覆蓋一已圖案化的光阻層，該光阻層的 厚度足以使其圖案做正確的轉移； 將該光阻層的圖案轉移至該罩幕層； 剝除該光阻層； 進行一非等向性蝕刻製程，以繼續將該罩幕層的圖案 轉移至該導電層中，以形成該閘極電極，其中在該非等向 性蝕刻過程中，該罩幕層的邊角亦會被部份削除，而形成 一具有圓弧形邊角的頂蓋層； 形成一共形的襯氧化層覆蓋該基底；以及 於大致對應於該閘極電極和該具有圓弧形邊角的頂 蓋層側壁之襯氧化層外形成二間隙壁，該些間隙壁的頂部 端點之距離小於該閘極電極的寬度，其中該閘極電極大致 爲該具有圓弧形邊角的頂蓋層和該間隙壁所包覆。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2. 如申請專利範圍第1項所述之閘極電極之護層的 製造方法，其中該導電層更包括由一複晶矽層和一矽化金 屬層所組成。 3. 如申請專利範圍第1項所述之閘極電極之護層的 製造方法，其中該頂蓋層和該間隙壁的材質包括氮化矽。 4. 一種閘極電極之護層的製造方法，包括： 提供一基底，該基底表面已形成一閘極氧化層； 於該閘極氧化層上依序形成一導電層和一罩幕層； 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 4603twf.doc/006 g 405166_， 六、申請專利範圍 於該罩幕層上覆蓋一已圖案化的光阻層，該光阻層的 厚度不足以將圖案做正確的轉移； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 進行一第一非等向性蝕刻製程，將該光阻層的圖案轉 移至該罩幕層，其中經該第一非等向性蝕刻製程後，該光 阻層的圖案已失真； 進行一第二非等向性蝕刻製程，以繼續將該罩幕層的 圖案轉移至該導電層中，以形成該閘極電極，其中在該第 二非等向性蝕刻過程中，該失真的光阻層不足以保護該罩 幕層，致使該罩幕層的邊角亦會被部份削除，而形成一具 有圓弧形邊角的頂蓋層； 剝除該光阻層； 形成一共形的襯氧化層覆蓋該基底；以及 於大致對應於該閘極電極和該具有圓弧形邊角的頂 蓋層側壁之襯氧化層外形成二間隙壁，其中該閘極電極大 致爲該具有圓弧形邊角的頂蓋層和該間隙壁所包覆。 5. 如申請專利範圍第4項所述之閘極電極之護層的 製造方法，其中該導電層更包括由一複晶矽層和一矽化金 屬層所組成。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 6. 如申請專利範圍第4項所述之閘極電極之護層的 製造方法，其中該頂蓋層和該間隙壁的材質包括氮化矽。 7. 如申請專利範圍第4項所述之閘極電極之護層的 製造方法，其中該些間隙壁的頂部端點之距離小於該閘極 電極的寬度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）