TW402752B - Method for fabricating a bonded wafer - Google Patents

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Description

4074pif.doc/008 402752 A7 B7 經沪部屮""'if^d"fr4'竹^印衆 五、發明説明（/ ) 本發明是有關於一種半導體元件的製造方法，且特別 是有關於一種SOI形式之焊接晶圓的製造方法，其可防止 配置在二晶圓間之黏合材料層i 雜質。 晶圓焊接是形成一種在絕緣層上具有半導體主動層之 絕緣層上有石夕 SOI(silicon on insulator or semiconductor on insulator)結構的方法之一。通常，傳統焊接晶圓的形成方 法包含步驟：至少熱氧化鏡面服磨(mirror-polished)晶的— 兩者之一 ’且藉在整個全部表面上形成氧化砂層；疊置 一片晶圓’ 一片在另一片上’日層夾於二者之間; 藉由應用熱處理疊置晶圓以堅固地焊接該些曰ΐ圓；以及最 後碾磨與硏磨熱氧化晶圓以變成鏡面似(mirror-like)表面的 薄層在其上。 最近，硼磷砂玻璃 BPSG(boron phosphorous silicate glass)層已普遍地配置在二fi晶圓間當作黏合材料層，且. 在溫度約低於850°C執行回火。然而，爲增加焊接強度， 在回火步驟期間，雜質會擴散進入疊置晶圓，或擴散出到 外面大氣，因此污染了疊置晶圓和半導體元件製造設備。 第1圖是繪示習知SOI結構的剖面圖。參照第1圖， SOI結構包含加工晶圓1〇，其上已形成各式半導體元件， 處理晶圓12，BPSG層14以及氮化矽層13，當作擴散阻 障層。在此SOI結構，BPSG層I4在加工晶圓1〇與處理 ____ 晶圓14間作爲一層黏合層。氮化矽層Π防止BPSG層14 昀雜即-廬奥 .1¾'少进駿由Μ散進入_工晶 圓]0。 » 4 ^^^^中國國家標準（（：邓）八4規格（210'乂297公_) ("先閱讀背面之注意事項再域寫本頁) .裝. 訂 線 4〇74pif.doc/〇〇8 .402153 A7 B7 經浐部中""-準而；.^-7·"·於合竹昶印％ 五、發明説明（> ) 爲了增加焊接晶圓的焊接強度，上述提及的回火經常 在溫度約950°C執行。然而，在此回火步驟期間，磷與硼 BPSG層.14的側邊擴散出來，例如在線圈（dotted circle) 內部。這些雜質污染焊接晶_ 10與12。當這些污染的晶 圓被載入新的製造設備時，製造設備也被污染。除此之外， 片染潔座复_且載入甚中新的晶片亦被污染。-爲解決上述問題（源自雜質的污染），試圖使用BPSG 層以外的黏合材料。一個例子是使用本質上不具雜質的非 摻雜较玻璃 USGOmdopeci silicate glass)層代替 BPSG 層。 m 然而’在SOI結構選用USG^匱當黏合材料層仍有問題。 例如’回火4必須在，溫度約超過1〇〇〇。(：執行，因此降低焊接 表面特性且在那裡造成孔涧。因此，焊接晶圓可能在隨後 的製造程序期間碎裂，且無法確保產率。 本發明有鑑於上述問題，且因此本發明的目的之一在 提供二zS焊接晶圓浩卞法，其可防止在一氐思!|[間之 黏合材料曆的雜質擴散_出來。 本發明的其他方面、目的、和幾項優點將在熟知該技 藝者閱讀下列揭示和附加申請項而顯露。 爲達到這些與其他優點以及依據本發明的目的，一種 焊接晶圓的製造方法包括：提供一加工晶圓，其上已形成 各式半導體兀件。一第一擴邀卩县障層，即氮化砂層，藉由 LPCVD技術在加工晶圓上形成一厚度約70換至2000埃。 BPSG層在溫度約42〇°C於氮化矽層上形成。BPSG層具有 硼重4.8%與磷重7.2%。在此，第一擴散阻障層防止雜質， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） ---------^------ΐτ------.^ « J ,, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4074 — 08 402752 37 4074 — 08 402752 37 經矛‘部中戎"-^^^h消於合竹41卬來 五、發明説明（办) 硼與磷，在隨後的回火製程擴散進入加工晶圓。提供一處 理晶圓，且BPSG層在如同加工晶圚相同的情況下在其上 形成。爲了增加焊接強度，二片晶圓在溫度約900°C執行 回火。推測加工晶圓在室溫藉由氮化矽層與BPSG層夾在 < 二者之間將黏附處理晶圓。 一第二擴散阻障層，即氮化矽層或氮氧化矽層，在焊 接晶圓的表面以及第一擴散阻障層與BPSG層的側邊上形 成，且第二擴散阻障層藉由LPCVD技術形成一厚度約70 埃至2000埃。第二擴散阻障層防止雜質在隨後的回火製 程期間從BPSG層的側邊擴散出來。 最後，爲了增加焊接強度，二片晶圓在溫度950°C執 行回火。 爲讓本發明之上述和其他目的、，特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說明如下： 圖式之簡單說明： 第1圖是繪示習知技藝中soi結構的剖面圖。 第2A圖至第2D圖是繪示依據本發明之一種新的SOI 結構的製造方法之製程步驟流程圖。 圖式之標記說明： 1〇 :加工晶圓 12 :處理晶圓 13 :氮化矽層 14 : BPSG 層 6 (誚先閱讀背面之注意事項再蛾寫本頁) 、τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 4074pif.doc/00 8
40275B A7 B7 五、發明説明（0) 100、100a :加工晶圓 10 2 .處理晶圓 104 :第一擴散阻障層 106、106a、106b : BPSG 層 108:第二擴散阻障層 較佳實施例 本發明之較佳實施例將參照相關圖式作說明。 參照第2A圖，提供加工晶圓100，其上已形成各式 半導體元件。第一擴散阻障層104，即氮化砂層，在加工 晶圓100上形成。氮化矽層104例如是藉由LPCVD技術， 在溫度約780°C，使用NH3和DCS(二氯甲烷），形成一厚 度約70埃至2000埃。BPSG層106a!咦黏合gg層，在 溫度約420°C於氮化矽層1〇4上形成。硼重
4.8%與磷重7.2%。在此，第一擴散阻障層104防止BPSG *___---〜 '層106a的雜質，硼與磷，在隨後的回火製程期間經由擴 散進入加工晶圓100。 提供處理晶圓102，且BPSG層106a在如上述相同的 情況下，於處理晶圓1〇2上形成。 爲了增加加工晶圓1 〇〇與處理晶圓1 〇2之間的焊接強 度，進行執行回火。回火可以在氮氣環境，溫度約900°c， 執行約30分鐘。在此時，BPSG層l〇6a與l〇6b可以硼矽 玻璃 BSG(boron silicate glass)層或憐砂玻璃 pSG(phosphorous silicate glass)替代。 參照第2B圖，推測加工晶圓100藉由第一擴散阻障 國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I — 11 訂— 111 線 > - . ,, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 4074pif.doc/008 五、發明説明（s ) 層1〇4黏著在處理晶片102上，且BPSG層在室溫與10-3Torr 使用真空焊接設插A」兩者之間。在此時，焊接二層BPSG 層106a與l.〇6b以形成BPSG層106，其厚度約3500埃。 參照第2C圖，形成障層1〇8以覆蓋焊接 —.
晶圓1〇〇與102的表面以及第一擴散阻障層104與BPSG 層106的側邊(例如在線圈內部）。此第二擴散阻障層1〇8 防止BPSG層106的雜質在隨後的回火製程期間從BPSG 層106的側邊擴散出來。除此之外，當BPSG層106被金 屬離子如鈉污染時，擴散阻障層108防止金屬離子如鈉的 擴散。第二擴散阻障層108可藉由LPCVD(低壓化學氣相 沉積)形成具有一厚度約70埃至2000埃的氮化矽層（SiN i 層）赛氮'每少矽層層）。LPCVD可在溫度約780°C使 用NH3和DCS執行。當使用PSG層當作黏合材料層1〇6 時，第二擴散阻障層108可由聚合物層或HTO(高溫氧化 層)替代。 參照第2D圖，爲了加強焊接晶圓1 〇〇和1 〇2的焊接 強度’在氮氣環境中，在溫度約950°C執行回火約30分鐘。 在那之後，碾磨及硏磨加工晶圓100的表面以形成一薄層 100a，在隨後製程期間各式半導體元件在其上形成。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 8 ---------采------订------.^ 1 f (請先閱讀背面之注意事項再硪寫本頁) 中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

  1. 4074.pif.doc/008 4Θ2752 AS B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1. 一種焊接晶圓的製造方法包括下列步驟： 第一晶圓與第二晶圓彼此疊置，配置黏合材料層與第 一擴散阻瞳層於其中； * . 形成第二擴散阻障層以覆蓋該黏合材料層之暴露側 邊以及 ’— 回火該疊置晶圓藉以增加銲墊強度。 -------—---- ---- 2·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該黏合 材料層係選自包括BPSG、PSG、以及BSG層之族群。 3.如申請專利範圍第1.項所述之方法，其中該雜質 擴散阻障層係選自包括SiN、SiON、聚合物、以及HTO 層之族群。 4 _如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該黏合 材料層包括PSG層，且該第二雜質擴散阻障層係HTO與 聚合物層之一。 5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該^占合_ 材料層係BPSG與BSG層之一，且該第二雜質擴散阻障層 係SiN與SiON層之一。 6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第_ 與第二擴散阻障層具有厚度約70埃至2000埃。 7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中彰胃 回火在氮氣環境中，且在溫度約950°C共約30分鐘。 8. —種焊接晶圓的製造方法包括下列步驟： 第一晶圓與第二晶圓彼此疊置，配置黏合材料層跑胃 一擴散阻障層於其中； ^ •h 9 ---------裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4074pif.doc/008 4❹於52 ABCD 々、申請專利範圍形成第二擴散阻障層以覆蓋該黏合材料層之暴露側邊 與該疊置晶圓的暴露表面；以及回火該疊置晶圓藉以增加銲墊強度.。 ---------^------β------0 _ , I :『 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）
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