TW401631B - Organic light emitting display and its packaging method - Google Patents
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401631 五、發明說明(l) 本發明係提供一有機電激發光顯示器及其封裝方法。 有機電激發光顯示器的研究從1 987年Kodak的
Tang(Appl. Phys. Lett.,51 ( 1 98 7)9 14)利用蒸鍍的方式 製成結構為IT0/Diamine/Alq3/Mg: Ag之元件(ΙΤ0為銦錫 氧化物(indium/ tin oxide),Alq3 為 tris(8-hydroxyquinoline) aluminum),因該元件具1 % 的外部量子效率及1000 cd/m2的高亮度(l〇 V),故有機電 激發光元件之研究始有快速發展;三年後英國劍橋大學 Cavendish實驗室亦利用PPV為發光層,製得結構為 ITO/PPV/Ca之元件’其量子效率為〇.〇5 %(Nature, 347(1990) 539; U. S. Pat. 5,247, 190(1993); ’ 5,425,125(1995); 5,401,827(1995))。 有機電激發光元件最基本的結構為有機發光層被置於 一當作正極的透明電極和一當作負極的金屬電極之間所形 成的三層結構元件。此類元件當外加偏壓後,在電場的趨 動下電洞與電子分別從正、負極出發,越過各別的能障後 在發光層相遇而形成激子(exc i ton ),之後激子以輕射的 方式由激態衰退回基態而放出光來。 為了增進元件之特性,元件可藉由引入電洞傳遞層 (hole transport layer、簡稱HTL)或電子傳遞層 (electron transport layer、簡稱ETL),改善其載子傳 遞特性來達到。如劍橋研究群(Appl. Phys. Lett., 61(1992)27 9*3 )於該三層結構之二極體中加入—層 2-(4-biphenyl)5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiaz
C:\ProgramFiles\Patent\0519-4014-E.ptd第 5 頁 4Q1631 五、發明說明(2) ole (PBD)作為電子傳遞層,而使其量子效率由〇.〇5%大幅 地提升至0.8 %。其餘如Heeger (Nature, 357 ( 1 992) 477 ; J. Appl. Phys. 77(1995) 694; J. Appl. Phys. 79 (1996) 934)及 Mullen (Syn.· Met., 67(1994)181) 等人均有類似的研究報導。 隨著亮度的提昇達到使用要求,元件操作之穩定性及 紅久性則疋工業化需要解決的課題。空氣中的氧氣及水氣 會引起元件電極金屬膜的劣化/剝離及有機發光膜的光化 學劣解反應。貫驗數據顯示,M g : A g金屬在相對溼度 50〜60%環境下3小時,其原光亮的金屬表面逐漸形成剝離 狀’元件也因此不會發光。而氧氣的存在則提供有機發光 體中游離基形成的路徑,除了會與有機發光層之碳_碳雙 鍵形成carbonyl基團,降低發光效率外,亦可使分子鏈斷 裂,造成元件哥命縮短(B.H.Cumpston K.F.Jerisen, Synth.Met. 73 ’195(1995))、 (R.D.Scurl〇ck ,B.ffang , P.R.Ogilb ^ J.R.Sheats > R.L.Clough > J. Am. Chein.
Soc. 117, 1 0 1 94 ( 1 9 95 )。由以上可知水氣及氧 防 可戶有效的延長元件的壽命。 ” 請參閱第la圖至第lc圖,目前一般封裝有機電激笋光 元件的方式係包括下列步驟:(i)如第la圖所示,提供x一 封裝玻璃ίο及一有機電激發光元件20 ; (ii)如第ib圖/所 示,利用印刷的方式,在封裝玻璃〇的四周印上封 1 2,以形成膠框1 4,請同時參閱第2圖,且在上述封^材二 料中加入間隙子13 (spacer) ; (iii)如第lc圖所示,、將封
I 一 五、發明說明(3) 裝玻璃10形成有膠框14之— ~ 20,然後加壓並且加埶, 直接面向有機電激發光元件 此種封裝方式為^維^裝材韻固化。 隙子在封裝材料内,此種封穿=的漂壳、平整,必須加間 ⑴間隙子的加入將明顯衣法所產生的缺點包括: (2) 只靠框膠的寬度來隔離次=衣材料的接著強度。 氣進入的路徑仍可能存在,封萝氣及氧氣,故氧氣及水 (3) 若封裝材料印刷時出膠'"可罪度不佳。 弱處(weak poi nt),增加產品的=,便容易造成封裝脆 有鑑於此,為了降低氧氣及率。 響封裝的接著強度下,本發明之7乳進入的機率,又不影 電激發光顯示器及其封裝方法,发的即在於&供一種有機 勻塗佈於封裝基材上,與元件組;^特徵乃將一封裝材料均 透氣、極低吸水的特性,將空广D固,後’因封裝材料不 到延長元件壽命的目的。 瑕*及水氣完全隔絕於外,達 故本發明係提供一有效的 後,發現其對水氣及氧氣的隔離X法,元件經封裝完成 提高元件的壽命,同時因使用深之2的效果’可有效 的對比,除此之外,因封裝材緊^ 裝材亦可提高元件 電極週圍鈍化(Passivation)的、兀件上,提供元件 亦有所幫助。 的政果,對元件的亮度提昇 為了進一步說明本發明之方法 加址n 附圖說明實施例如下,其中: 木構及特徵,茲配合 第1 a圖至第1 c圖係繪示說明習 乃白知的有機電激發光顯示 C:\ProgramFiles\Patent\0519-4014-E.ptd第 7 頁 401631 五、發明說明(4) 為封裝法的步驟之圖式 第2圖係繪示在習知封 裝材料的示意圖。 中於封裝破螭上形成封 一第3 a圖至第3 c圖係繪示根據太 不器封裝法的步驟之圖式。康本發明之有機電激發光顯 參考標號之說明 10封震基材;12、32封桊妯斬 =…有機電激發光元件;21H;;3間隙子…膠 光層;24金屬電極。 土反,221 TO層;23發 實施例說明 根據本發明之一實施你I,亡地^ 方法係包括下列步K i )請參閱2 f圖發光^示3器的封裝 裝基材10及—有機電激發光元件2〇 θ 提供-封 上的透明導電層22、發光ς L括形成於基板21 SQk π 赞尤增及金屬電極24 ; (i i)嗜夂胡 弟3b圖,利用印刷的方式,在封 凊多閱 封裝材料3 2 ; (i i i)枝夂間筮cj岡、土 、^個面上印上 封梦姑料π夕)明 > 閱第圖,將封裝基材10形成有 光21 直接面向有機電激發光元件2 〇形成有發 ^層23之-面對齊’然後加壓並且加熱,使封裝材料 上述印刷的方式可為各種習知的印刷方式,例如凸 印刷、平版印刷、凹版印刷、移印、轉印、滾筒印刷 轉塗佈印刷、或是網印等。 、 上述基材可為鈉系玻璃、硼系玻璃或是有機塑 材。 夕土
C:\Program F i1es\Patent\0 519-4014-E. ptd 第 8 頁 五、發明說明(5) 上述透明導電層係 射電洞的功能,其使 發光元件的正極,具有發 (WWun 〇xlde,=的材料包括銦錫氧化物 是摻雜態的導電高分子(共)二因=物“ndium OXlde)或 上述發光層可為有機笋/7刀)。 元件在外加電壓時可由❹^ ’所谓有機發光層乃指該 光,使用的材料如小分^層的兩面發出各種光色的 光高分子。 赏 ^料(dye或pigment)或螢 上述金屬電極係作爲蘇 — 〇 的功能,其材料可為A1:Yn%^的負極,具有發射電手 成的合金(alloy)。並在上述令g厘、Ca、或上列各金屬所形 可使用的材料MA1、T . /屬電極上加鍍一保護層, 物。 +如A1 士、Ag、Au等鈍性金屬或金屬氧化 上述封裝材料可為金:色或 效的封裝材料’如環氧樹色之具阻隔水氣及氧氣功 衣虱树月曰或矽糸封裝材料。 的步實際實施本發明之封裝方法的-個例子 m , * u. -- . . B '、、、色之封裝材料,其厚度約10 β kg/cm2的芦/、之對組(金屬膜朝向封裝基材),在0. 5 0. 成元件的全部封裝。 ,’、、小日”使其完全固化’即完 #顧:5 Ϊ 3C圖’利用上述封震方法完成之有機電激發 ..,、J為係包括、有機電激發光元件2〇 ;及一封裝玻璃 10 ’在上述封裝玻璃10與上述有機電激發光元件20間充滿
40i111 有 發明說明(6) 封裝材料3 2 '上述封裝材料32可為有色材料,以 果,且特別地若使用深色或黑色:到不同的顯示致 可以改善元件在顯示時影像的對比。、衣料進行封裝,則 ::上述’本發明之有機電激發光顯 、 :具有車父佳的信賴性,1完全隔絕氧 :及:封袭方 括. 孔其優點包 (1) 利用網印、移印或是轉印 漂党、平整’其施工容易,故可有效提高產品之‘1條的 (2) 加熱固化後其封裝材保護元件全部面積,&率。 阻隔氧氣及水氣進入的路徑成連續且長’可有效斤形成 的壽命。 、長元件 (3) 因其封裝面為元件全部面積,其貼緊元件八立 發光面積,具有鈍化元件電極週圍的特性,減少元王邛的 流的發生,增加元件的發光效率。 几件漏電 (4) 因封裝#緊密貼住發光區域,若使用深色 材料,則可有效提高元件的對比。 、封數
Claims (1)
- ^01631 六 ------ 申請專利範圍 驟 種有機電激發光顯示 态之封裝方法,包括下列步 件 0提供-封襄基材及一待封裝的有機電激發光元 Q i i)接基 , 裝材料; 上述封裝基材的整個面上均句塗佈一層封 &女B11將上述封裝基材形成有封奘从,, 向有機電激發光元杜你士女1,裝材料之一面直接面 並且加埶,# y有卷光層之—面對齊,麸後加壓 2.如、專;化後完成該元件之二裝 使用之封穿美二靶圍第1項所述之封裴方法,其中,所 对衣基材的主要特性為 ,、甲,所 包括平板破璃哎龙仙.* 透水性低的材料, 3如糞=透先/不透光材質之平板。 述步驟⑴專中第1項所述之封裝方法,其中,上 # t /Λ Λ Λ'"# ^ ^ ^ ^ 發光層 '電子,曰電5曰料於正广上,包括至少-層有機 再鍍上金屬當作負/π ’υ曰,3可增進電子/電洞發射層, 當作保護:乍…並鍵上-層抗氧化膜於負極“上 4·如專利申請範圍第j項所述之封裝 使用的封裝材料可為無色或各種顏色之呈且’,、中,所 功效的封裝材*,如環氧樹脂系、、石夕以且=及氧氣 添加劑於其中的封裝材料。 ’、于裝材枓或含各種 5.如專利申請範圍第丨項所述之 上述步驟Ui)中封裝材料之塗佈方/方去其中,在 、J為凸版印刷、平版 IHC:\PrOgramFiIes\Patent\0519-4014-E.ptd第 11 頁 六'申請專利範圍 刷/網=版印刷、移印、轉印、滚筒印刷、旋轉塗佈印 述有機請範圍第3項所述之封裝方法,其中,上 面發出^插=乃指70件在外加電壓時可由該層或該層的兩 子丨C色的★,使用的材料如具有螢光特性的小分 木7Pt*或问分子。 .如專利申請範圍第3項所述之封裝方法,其中,上 U兀件基材可為鈉系玻璃、硼系玻璃或有機塑膠基材。 •如專利申请範圍第3項所述之封裝方法,其中,上 ^正極為一透明導電層(其表面電阻值介於0.卜105 Ω/ ”有發射電洞的功能,其可使用的材料包括銦錫氧 化物(indium/tin oxide,ιτο)、銦氧化物(indium 0 x 1 d e )或是摻雜態的導電高分子(共軛高分子,全部高分 鍵均共輛或部份向分子鍵具共桃結構)。 、9.如專利申請範圍第3項所述之封裝方法,其中,上 $金屬電極係作為發光元件的負極,具有發射電子的功 能’其材料可為Al、In、Mg、Ca、或上列各金屬所形成的 合金(al l〇y)。 1 0 .如專利申請範圍第3項所述之封裝方法,其中,上 述凡件電極保護層可為A丨、I n、Ag、Au等鈍性金屬或金屬 氡化物。 11 · 一種有機電激發光顯示器,包括一有機電激發光 几件’及一封裝基材,並在上述封裝基材與上述有機電激 發光元件間:充滿封裝材料。C:\Program Files\Patent\〇519-4014-E.ptd第 12 頁 T 〇月 号列m圍 器,1J’中如專利申請範圍第11項所述之有機電激發光顯示 的材料,自叔ί封裝基材之主要特性為透氣性、透水性低 i3.如衷刹t板破璃或其他透光/不透光材質之平板。 器,Α中,1申請範圍第11項所述之有機電激發光顯示 接著塗佈卜一ί有機電激發光元件係在基材上含一正極, 發光層、電子二或數層材料於正極上,包括至少-層有機 再鍍上金屬者作“网傳遞層,或可增進電子/電洞發射層, 當作保護層Γ負 亚鍍上一層抗氧化膜於負極金屬上 器,盆中★,專^申睛範®第13項所述之有機電激發光顯示 該層:切声的ί 發光層’乃指元件在外加電壓時可由 螢光特性的小分子染料或高分子。使用的材枓為具有 器,中如專广:請範圍第13項所述有機電激發光顯示 塑膠基材。、〔70件基材可為鈉系玻璃、硼系玻璃或有機 ]_』·如專利申請範圍第13項所述有機電激發光顯示 益,、中,上述正極的材料為一透明導電呙彳+ ^^0.1-105 的材料包括銦錫氧化物(indium/tin 〇xide ^ 了使用 化物(indium oxide)或是摻雜態的導電高分子(丘軛古因土 子,全部高分子鏈均共輛或部份高分子鍵呈共扼、^ 时Π•如專.利申請範圍第13項所述有機電激發光顯構 益’其中’上逃金屬電極係作為發光元件的負極,具有發 申請專利範圍 Ca、或上列各金 ::::的功能’其材料可為A!、ln、Mg 屬所形成的合金(al 1〇y)。 器,第13項^有機電激發光顯示 性金屬或氧ϋ牛電極保護層可為M〜、Ag、AuM 1』.如專利申請範圍第丨丨項所述有機 ^其中,所使用的封裝#料可為機m、'頁不 隔水氣及氧氣功效的封裝材料。次各種顏色之具阻 20.如專利申請範圍第19項 器,其中,所使用的封裝材料為環氣H電激發光顯示 料或含各種添加劑的封裝材料。 、月曰糸、矽系封裝材C:\ProgramFiles\Patent\0519-4014-E.ptd第 14 頁
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6825612B2 (en) | 2002-09-05 | 2004-11-30 | Au Optronics Corp. | Organic light emitting diode including ditches in a substrate |
US7948175B2 (en) | 2002-12-26 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
CN111276616A (zh) * | 2018-12-05 | 2020-06-12 | 位元奈米科技股份有限公司 | 凹槽封装结构 |
-
1998
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