CN102090142B - 有机el器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机EL器件，其包括：基板；形成在上述基板上的有机EL元件；和形成在上述有机EL元件之上的密封膜，其中，上述密封膜是含有H的氮化硅膜，上述含有H的氮化硅膜中的H含量为0.85～0.95at％。

Description

有机EL器件
技术领域
本发明涉及用于显示器用途的有机EL器件和该有机EL器件的制造方法。 
背景技术
近年来，在显示器用途中，使用自发光型的有机EL元件的有机EL器件的研究非常盛行。能够期待有机EL器件实现高发光亮度和发光效率。这是因为，其能够以低电压实现高电流密度。能够进行多色显示、特别是能够进行全色显示的高精细的多色发光有机EL器件的实用化在显示器的技术领域中备受期待。 
为了将有机EL器件作为彩色显示器实用化的重要课题是，除了实现高精细度之外，还要具有包含色再现性的长期的稳定性。但是，在多色发光有机EL器件中，存在通过一定期间的驱动发光特性(电流-亮度特性)显著下降的缺点。 
该发光特性的下降的代表性原因是暗斑的成长。“暗斑”是指发光缺陷点。由于元件中的氧或水分，在驱动时和保存中进行有机EL元件的构成层的材料的氧化或凝聚，由此产生该暗斑。暗斑的成长在通电中当然会进行，在保存中也会进行。特别是，暗斑的成长，(1)由于存在于元件的周围的外部环境的氧或水分而加速，(2)被作为吸附物存在于构成层中的氧或水分所影响，(3)受到吸附于器件制造时使用的部件的水分或制造时的水分的浸入的影响。当该成长继续进行，暗斑在有机EL器件的发光面整体扩散。 
在现有技术中，作为防止向有机EL元件的构成层的水分的浸入的方法，有使用金属罐、玻璃板密封有机EL元件的方法，或者在密封有机EL元件的空间内配置干燥剂的方法。但是，为了具有轻量且薄型的有机EL器件的特征，关注不使用干燥剂地以薄膜进行密封的技术。 
作为密封用的薄膜，使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。例如， 在专利文献1中，公开了使用氧化硅的密封用的膜。但是，氧化硅在氧和水分的透过性这一点上较差，因此不能够抑制暗斑的产生。在专利文献2中公开了使用氮化硅的密封用的膜。但是，在专利文献2中对于密封颗粒的方法和抑制裂纹的产生的方法并没有公开。此外，在专利文献3中，公开了将SiH4、N2、NH3用作反应气体的密封用的膜。在专利文献4中公开了将SiH4、N2、H2用作反应气体的密封用的膜。 
有机EL器件，特别是在底部发光型结构中，在玻璃基板上形成彩色滤光片层和CCM层(色变换层)，为了填埋其台阶差而利用聚酰亚胺硅树脂等有机树脂形成平坦化层(过敷层(over coat))。进一步，为了防止来自该平坦化层的残留水分向有机EL层扩散，设置有SiO2、SiN等钝化层。之后，将ITO、IZO等透明电极作为阳极形成为条纹状，在其上将反锥形状的阴极分离层形成为与透明电极正交的条纹状。之后，形成作为发光层的有机EL层，进一步在其上部形成铝等的反射电极作为阴极。作为发光层的有机EL层极为不耐氧和水分，因此如果大气或水分从稍微露出的部分和阴极的缺陷部分浸入并到达有机EL层，则成长为被称为DA(暗区域)或DS(暗斑)的发光缺陷点。此外，担心阴极(反射电极)也发生氧化而导致导电性和反射率变差。于是，一般是在将氧和水分抑制至极限的腔室内，将罩玻璃等密封基板与吸湿剂一起，由紫外线固化的环氧树脂等密封，而防止空气和水分的浸入。但是，在利用罩玻璃等的密封基板的密封方法中，在与有机EL器件相对的位置放入吸湿剂，因此并不适用于具有从上部取出光的顶部发光型结构的有机EL器件。 
专利文献1：日本特开2001-176653号公报 
专利文献2：日本特开2005-183147号公报 
专利文献3：日本特开2005-285659号公报 
专利文献4：日本特开2004-63304号公报 
发明内容
本发明鉴于上述问题而提出，其目的在于提供一种有机EL器件和其制造方法，该有机EL器件的水分和氧的阻断性优异，并且能够防止有机EL器件的劣化。 
本发明为了解决上述问题，提供一种有机EL器件，其包括：基板；形成在上述基板上的有机EL元件；和形成在上述有机EL元件之上的密封膜，其中，上述密封膜是含有H的氮化硅膜，上述含有H的氮化硅膜中的H含量为0.85～0.95at％。 
此外，本发明提供一种有机EL器件的制造方法，其至少包括：在基板上形成有机EL元件的步骤；和在上述有机EL元件上形成密封膜的步骤，其中，形成上述密封膜的步骤中，至少包括为了形成含有氢原子或氢分子的氮化硅膜，将SiH4、NH3、N2、H2以上述H2的添加流量相对于上述N2的流量为1～5体积％的方式进行混合的阶段。 
在本发明中，能够提供水分和氧的阻断性优异，并且能够防止有机EL元件的劣化的有机EL器件和其制造方法。 
附图说明
图1是表示本发明的有机EL器件的概略图。 
图2是表示本发明的有机EL器件的一个例子的截面图。 
图3是表示氮化硅膜成膜时的气压与内部应力的关系的图。 
附图标记 
10基板 
20有机EL元件 
21第一电极 
22有机EL层 
23第二电极 
30密封膜 
40色变换滤光片层 
50平坦化层 
60钝化层 
具体实施方式
图1是表示本发明的有机EL器件的概略图。本发明的有机EL器件至少包括基板10、形成在上述基板10上的有机EL元件20和形成在上述有机EL元件20上的密封膜30。 
基板10并无特别限定，能够使用一般使用的任意的材料形成。基板能够使用能够耐受在其它的构成层的形成中使用的各种条件(例如使用的溶剂(溶媒)、温度等)的任意的材料形成。此外，基板优选具有优异的尺寸稳定性。为了形成基板而使用的透明材料包括玻璃，或者聚烯烃、聚甲基丙烯酸酯(polymethyl methacry-ralte)等丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙酯(polyethylene terephtha-rate)等聚酯树脂、聚碳酸酯(polycarbonate)树脂和聚酰亚胺树脂等树脂。在使用上述树脂的情况下，基板可以为刚性也可以为挠性。或者，特别是在顶部发光型(topemission)有机EL器件的情况下，基板可以使用硅、陶瓷等不透明材料形成。能够使用能够保持绝缘性和有机EL元件的形态的具有刚性的平坦材料而形成。 
有机EL元件20并没有特别限定，能够使用一般使用的任意的材料形成，具有由两个电极夹着的有机EL层。 
密封膜30为了防止氧和水分向有机EL元件20透过，形成在上述有机EL元件20之上。本发明的密封膜30是氮化硅(SiNx)。密封膜30能够使用CVD法等方法而形成。密封膜30的形成是向有机EL元件20上进行成膜。因此，优选将成膜到达温度抑制为100℃以下，使得在成膜时不会对有机EL元件20造成损伤。 
此外，作为密封膜30，为了抑制氧和水分的透过，使氮化硅膜的膜质致密是有效的。为此，在使用CVD法进行成膜时，优选使氮化硅膜的成膜速度为2.8nm/sec以下。 
作为成膜速度的调整，例如提高CVD装置的Rf输出，使反应气体(SiH4、NH3、N2)流量变多，由此能够提高成膜速度。提高成膜速度，即缩短成膜处理时间，会对密封膜的覆盖性(coverage)和钝化性造成影响。在成膜速度为2.8nm/sec时，对于具有凹凸的图案，氮化硅膜能够可靠地覆盖。当成膜速度超过3.0nm/sec时，在凹凸上的氮化硅膜的一部分能够看到膜厚较薄的部分。在成膜速度为3.58nm/sec时，在凹凸的角的部分会看到裂缝(表1)。由此，为了保持钝化性，优选氮化硅膜的成膜速度为3.0nm/sec，更优选为2.8nm/sec以下。对于成膜速度的下限来说，如果过慢会导致生产效率的下降，因此优选为2.1nm/sec。 
在本发明中，在氮化硅膜的成膜时，通过作为反应气体添加氢(H2气体)，使得密封膜30难以与水分反应。这是因为，通过添加一定量的氢，氮化硅膜表面的悬空键(dangling bond)减少，氮化硅分子状态稳定化。供给至CVD装置的SiH4气体和NH3气体在成膜室内分解为自由基分子并再结合，由此在基板上堆积成为氮化硅(SiNx)膜。实际上，在氮化硅膜中也有H(氢原子)，也能够称为SiNH膜。SiNH膜中的含H率与作为反应气体的SiH4气体和NH3气体的混合比相关联，根据这些反应气体的混合比，氢的吸收量发生变化。由此，根据H2气体的添加流量，能够使SiNH膜中的含H率变化。H2气体的添加流量相对于作为反应气体的N2气体的流量为1～5体积％。通过采用该范围，氮化硅膜(SiNH膜)中的含H量为0.85～0.95at％(atomic percent，原子百分比)。在不足1体积％时水分透过量增加，当超过5体积％时会看到氮化硅膜的色变化，由于覆盖性的下降的促进导致水分透过量增加。氮化硅膜中的含H量能够使用RBS分析法进行测定。 
另一方面，作为产生DA(暗区域(dark area))或DS(暗斑(darkspot))的一个主要原因，能够举出存在颗粒这一原因。在密封膜30不能够完全覆盖颗粒的情况下，密封膜30的覆盖性变差，此时密封膜30会透过水分或氧，并发展为DA或DS。特别是在有机EL元件20的第二电极上具有密封膜30的方式中，在第二电极的形成时和电极分离壁的形成时产生颗粒的情况下，其大小较大的为1μm左右。为了密封该颗粒，优选密封膜30的膜厚为1～5μm，更优选膜厚的下限为3μm。当膜厚超过5μm时，氮化硅膜自身的颗粒增加，作为密封膜有时并不适合。 
此外，氮化硅膜的内部应力较大，因此由于经时变化在氮化硅膜本身可能会发生裂纹和剥离。因此，优选调整通过CVD法成膜氮化硅膜时的气压，使得内部应力的绝对值为50MPa以下。此处，在应力为正侧的情况下，氮化硅膜中力在拉伸方向作用，在应力为负侧的情况下，氮化硅膜中力在压缩方向作用。当应力超过正50MPa时，氮化硅膜整体剥离，在应力不足负50MPa时，在氮化硅膜的整个面产生裂纹。内部应力使用光学式非接触翘曲测定法进行测定。 
以下基于图2所示的例子说明本发明的有机EL器件。图2是本发 明的有机EL器件的一个例子。图2的有机EL器件是底部发光型(bottom emission)有机EL器件。另外，本发明并不限定于此。 
基板10也可以在其表面上进一步含有多个开关元件(TFT等)和配线等。该结构对于制作具有多个独立的发光部的有源矩阵驱动型有机EL器件是有效的。 
位于基板10与有机EL层22之间的第一电极21和位于有机EL层22的与基板10相反的一侧的第二电极23，具有向有机EL层22注入载流子和与外部驱动电路连接的功能。第一电极21、有机EL层22和第二电极23构成有机EL元件20。第一电极21和第二电极23可以分别是阳极(空穴注入电极)和阴极(电子注入电极)中的任意一个。而且，第一电极21和第二电极23中的任意一方为阳极，另一方为阴极。此外，第一电极21和第二电极23，在任意一方为透明电极的条件下，可以为反射电极也可以为透明电极。在顶部发光型构造中，优选第一电极21为反射电极，第二电极23为透明电极。在底部发光型构造中，优选第二电极23为反射电极，第一电极21为透明电极。 
用作第一电极21或第二电极23的反射电极，能够使用高反射率的金属(铝、银、钼、钨、镍、铬等)或它们的合金，或无定形合金(NiP、NiB、CrP或CrB等)而形成。从相对于可见光能够得到80％以上的反射率的观点出发，特别优选的材料包含银合金。能够使用的银合金包含银和选自由第十族的镍或铂、第一族的铷和第十四族的铅构成的组中的至少一种金属的合金，或者银与选自由第二族的镁和钙构成的组中的至少一种的金属的合金。 
用作第一电极21或第二电极23的透明电极能够使用SnO2、In2O3、In-Sn氧化物、In-Zn氧化物、ZnO、或Zn-Al氧化物等导电性金属氧化物而形成。透明电极为用于将来自有机EL层的光向外部取出的路径，因此希望在波长400～800nm的范围内具有50％以上的透过率，优选具有85％以上的透过率。 
第一电极21和第二电极23能够使用电阻加热方式或电子束加热方式的蒸镀法或溅射法而形成。在使用蒸镀法时，能够在1.0×10-4Pa以下的压力下，以0.1～100nm/秒的成膜速度进行成膜。另一方面，在采用DC磁控管溅射法等溅射法时，能够使用Ar等惰性气体作为溅射 气体，在0.1～2.0Pa左右的压力下进行成膜。在以溅射法形成第二电极23时，为了防止作为被成膜基板的表面的有机EL层22的劣化，优选不将形成在靶(target)附近的等离子体直接照射在有机EL层22上。 
为了防止电极短路，可以在第一电极21上形成电极分离壁。电极分离壁具有反锥状的截面形状。电极分离壁能够使用CVD法或溅射法形成。 
有机EL层22位于第一电极21与第二电极23之间，与各个电极接触。是作为发光部的核心的层。有机EL层22至少包含发光层，根据需要包含空穴输送层、空穴注入层、电子输送层和/或电子注入层。例如，有机EL层22能够具有以下的层结构。 
(1)阳极/发光层/阴极 
(2)阳极/空穴注入层/发光层/阴极 
(3)阳极/发光层/电子注入层/阴极 
(4)阳极/空穴注入层/发光层/电子注入层/阴极 
(5)阳极/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极 
(6)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子注入层/阴极 
(7)阳极/空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层/阴极 
另外，在上述(1)～(7)的各结构中，阳极和阴极分别是第一电极21或第二电极23中的任一个。 
发光层能够使用公知的材料形成。用于得到蓝色到蓝绿色的光的材料，例如包括：苯并噻唑(benzothiazole)类化合物、苯并咪唑(benzoimidazole)类化合物或苯并噁唑(benzoxazole)类化合物等荧光增白剂；以三(8-羟基喹啉)(tris(8-hydroxyquinolinato))铝络合物(Alq3)为代表的铝络合物等金属螯合化氧化合物；4，4’-双(二苯乙烯基)(bis(diphenylvinyl))联苯(biphenyl)(DPVBi)等苯乙烯基苯类化合物；芳香族二亚甲基(aromatic dimethyldiene)类化合物；缩合芳香环化合物；环集合化合物；和卟啉类化合物等。 
或者，还能够通过在主体化合物中添加掺杂剂，形成产生各种波长区域的光的发光层。此时，作为主体化合物，能够使用联苯乙烯(distyryl arylene)类化合物、N，N’-二甲苯基(ditolyl)-N，N’-二苯 基联苯胺(diphenyl biphenylamine)(TPD)、Alq3等。另一方面，作为掺杂剂，能够使用苝(蓝紫色)、香豆素6(蓝色)、喹吖啶酮类化合物(蓝绿色～蓝色)、红荧烯(黄色)、4-(二氰亚甲基(dicyanomethylene))-2-(对二甲氨基苯乙烯基(p-dimethyl amino styryl))-6-甲基(methyl)-4-H-吡喃(DCM，红色)、铂八乙基卟啉(octaethylporphyrin)络合物(PtOEP，红色)等。 
空穴输送层能够使用具有三芳胺(triarylamine)部分构造、咔唑(carbazole)部分构造、或噁二唑(oxadiazole)部分构造的材料形成。空穴输送层的优选材料包括TPD、4，4’-双[N-(1-萘基(naphthyl))-N-苯胺(phenylamino)]联苯(biphenyl)(α-NPD)、MTDAPB(邻、间、对)、间-MTDATA等。空穴注入层能够使用包含铜酞青络合物(copperphthalocyanine complex)(CuPc)等的酞青(phthalocyanine)(Pc)类、阴丹士林(indanthrene)类化合物等材料而形成。 
电子输送层能够使用Alq3等铝络合物、PBD或TPOB等噁二唑(oxadiazole)派生物、TAZ等三唑(triazole)派生物、三嗪(triazine)派生物、苯基喹噁啉(phenylquinoxalins)类、BMB-2T等噻吩(thiophene)派生物等的材料而形成。电子注入层能够使用Alq3等铝络合物、或掺杂有碱金属或碱土类金属的铝的羟基喹啉(quinolinol)络合物等的材料而形成。 
除了以上的各构成层之外，能够任意选择地在有机EL层22与用作阴极的第一电极21或第二电极23中的任一个之间，任意选择地形成用于进一步提高载流子注入效率的缓冲层。缓冲层能够使用碱金属、碱土金属或它们的合金，或稀土类金属，或这些金属的氟化物等电子注入性材料而形成。 
进一步，在有机EL层22的上表面，为了缓和形成第二电极23时的损伤，优选形成由MgAg等构成的损伤缓和层。 
构成有机EL层22的各层，具有用于实现期望的特性的足够的膜厚是重要的。优选发光层、空穴输送层、电子输送层和电子注入层具有2～50mm的膜厚，空穴注入层具有2～200mm的膜厚。此外，任意选择的缓冲层，从减少驱动电压和提高透明性的观点出发，优选具有10nm以下的膜厚。 
有机EL层22的各构成层、缓冲层和损伤缓和层能够使用蒸镀(电阻加热蒸镀或电子束加热蒸镀)等相应技术中已知的任意的方法进行制作。 
色变换滤光片层40是用于调整来自有机EL层22的光的色相的层。本发明的“色变换滤光片层”是彩色滤光片层、色变换层、彩色滤光片层与色变换层的叠层体的总称。 
彩色滤光片层是使特定的波长区域的光透过的层。彩色滤光片层具有提高来自有机EL层22或色变换层的光的色纯度的功能。彩色滤光片层能够使用市售的平板显示器用彩色滤光片材料(例如富士胶片电子材料公司制造的彩色马赛克等)。为了形成彩色滤光片层，能够使用旋转涂胶、辊涂、铸造(cast)、深涂(deep coat)等涂敷法。此外，通过涂敷法形成的膜，可以通过光刻法等进行图案形成，形成具有期望的图案的彩色滤光片层。 
色变换层是吸收特定的波长区域的光并进行波长分布变换，放出不同的波长区域的光的层。色变换层至少包含荧光色素，根据需要也可以包含基体树脂(matrix resin)。荧光色素吸收来自有机EL层22的光，射出期望的波长区域(例如红色区域、绿色区域或蓝色区域)的光。 
吸收从蓝色到蓝绿色区域的光、射出红色区域的荧光的荧光色素，例如包含罗丹明B、罗丹明6G、罗丹明3B、罗丹明101、罗丹明110、磺酰罗丹明(Sulforhodamine)、碱性紫(basic violet)11、碱性红2等罗丹明类色素；花青类色素(cyaine system dyes)；1-乙基-2-[4-(对二甲氨基苯(p-dimethylaminophenyl))-1，3-丁间二烯基(butadienyl)]-吡啶翁(pyridinium)-高氯酸盐(吡啶(pyridine)1)等的吡啶类色素；和噁嗪(oxazine)类色素。或者，可以使用具有上述的荧光性的各种染料(直接染料、酸性染性、盐基性染料、分散染料等)。 
吸收从蓝色到蓝绿色区域的光、射出绿色区域的荧光的荧光色素，例如包含3-(2’-苯并噻唑酯(benzothiazolyl))-7-二乙氨基香豆素(diethylamino coumarin)(香豆素6)、3-(2’-苯并咪唑(benzimidazolyl))-7-二乙氨基香豆素(diethyl amino coumarin)(香豆素7)、3-(2’-N-甲基苯并咪唑(methylbenzimidazolyl))-7-二乙氨基香豆素(香豆素30)、 2，3，5，6-1H，4H-四氢(tetrahydro)-8-三氟甲基喹啉(trifluormethylquinolizin)(9，9a，1-gh)香豆素(香豆素153)等香豆素类色素；溶剂黄(solvent yellow)11、溶剂黄116等萘酰亚胺(naphthalimido)类色素；和碱性黄(basic yellow)51等香豆素色素色染料等。或者，可以使用上述的具有荧光性的各种染料(直接染料、酸性染料、盐基性染料、分散染料等)。 
作为色变换层的基体树脂，能够使用丙烯酸树脂、各种硅聚合物或能够代替它们的任意的材料。例如，作为基体树脂，能够使用直链(straight)型硅聚合物、改性树脂型硅聚合物。 
色变换层能够使用旋转涂胶、辊涂、铸造、深涂等涂敷法或蒸镀法而形成。在使用多种荧光色素形成色变换层时，混合规定比率的多种荧光色素和基体树脂而形成准备混合物。也能够使用该准备混合物进行蒸镀。或者，可以使用共同蒸镀法形成色变换层。共同蒸镀法通过将多种荧光色素分别配置于不同的加热部位并分别加热它们而实施。根据需要，也可以将荧光色素和基体树脂的混合物配置在加热部位，作为蒸镀源使用。特别是多种荧光色素的特性(蒸镀速度和/或蒸镀气压等)有很大不同时，使用共同蒸镀法是有利的。 
在基板10与第一电极21之间形成色变换滤光片层40时，优选以覆盖色变换滤光片层40的方式形成平坦化层50。平坦化层50使用于形成有机EL元件20的面平坦，对于防止有机EL元件中的断线和短路等故障的发生是有效的。平坦化层50能够使用光固化性树脂、光热并用固化性树脂、热固化性树脂、热可塑性树脂等而形成。平坦化层50能够使用旋转涂胶、辊涂、铸造、深涂等涂敷法形成。 
为了防止包含在该平坦化层50中的残留水分向有机EL层22扩散，可以以覆盖平坦化层50的方式形成钝化层60。钝化层60能够使用绝缘性氧化物(SiOx、TiO2、ZrO2、AlOx等)、绝缘性氮化物(AlNx、SiNx等)、无机氧化氮化物(SiON等)而形成。钝化层60能够使用等离子体CVD法等的方法形成。 
为了防止氧和水分向有机EL元件20透过，在本发明中，在第二电极23和电极分离壁上形成密封膜30。详细内容如上所述。 
接着，说明本发明的有机EL器件的制造方法。首先，准备基板 10。在基10之上，形成由第一电极21和第二电极23夹着有机EL层22的有机EL元件20，进一步形成密封膜30。在形成色变换滤光片层40时，在基板10与第一电极21之间形成。在形成该色变换滤光片层40时，优选以覆盖色变换滤光片层40的方式形成平坦化层50。进一步，可以以覆盖平坦化层50的方式形成钝化层60。 
图2是具有单一的发光部的有机EL器件的一个例子。但是，本发明的有机EL器件也可以具有被独立控制的多个发光部。例如，使第一电极和第二电极这两者为由多个条纹状电极构成的电极组，使构成第一电极的条纹状电极的延伸方向与构成第二电极的条纹状电极的延伸方向交叉，形成所谓的无源矩阵驱动的有机EL器件。此处，在显示任意的图像和/或文字的显示器用途中，优选使构成第一电极的条纹状电极的延伸方向与构成第二电极的条纹状电极的延伸方向正交。或者，将第一电极分割为多个部分电极，使多个部分电极的各个与形成在基板上的开关元件一对一地连接，使第二电极为一体型的共用电极，形成所谓的有源矩阵驱动的有机EL器件。 
另外，在无源矩阵驱动型器件和有源矩阵驱动型器件的任一个的情况下，优选在构成第一电极的多个部分电极间设置绝缘膜。绝缘膜能够使用绝缘性氧化物(SiOx、TiO2、ZrO2、AlOx等)、绝缘性氮化物(AlNx、SiNx等)、或高分子材料等。 
进一步，在具有被独立控制的多个的发光部的结构中，使用多种色变换滤光片层，能够形成能够进行多色显示的有机EL器件。例如，能够使用红色、绿色和蓝色的色变换滤光片层，构成红色、绿色和蓝色的子像素，使以三色的子像素为一组的像素矩阵状排列，由此能够形成能够进行全色显示的有机EL器件。 
在为顶部发光型有机EL器件的情况下，在具有薄膜晶体管等的基板上，形成由第一电极和第二电极夹着有机EL层的有机EL元件，进一步形成由氮化硅构成的密封膜。之后，将形成有彩色滤光片层和CCM层(色变换层)的基板贴合于密封膜的与有机EL元件侧的面相反的面，由此得到顶部发光型的有机EL器件。 
实施例 
以下表示本发明的实施例、比较例，更具体地说明本发明，但本 发明并不限定于此。 
(成膜速度的最佳化) 
试验例1a 
在以激光形成有深度1μm的凹凸状的图案的Si晶片上，堆积3μm的氮化硅膜，以SEM观察其截面。成膜条件是，Rf输出为1.0kw、SiH4气体流量为60sccm、NH3气体流量为50sccm、N2气体流量为2500sccm、成膜速度为2.80nm/sec。 
评价方法是，在凹凸状图案的边缘部分，观察到裂缝状的元件评价为×，虽然没有裂缝但氮化硅膜的表面存在凹陷的元件评价为△，均匀覆盖的元件评价为○。在表1中表示观察结果。 
试验例1b～1c 
根据表1记载的成膜条件进行与试验例1a同样的处理。在表1中表示成膜条件和观察结果。 
[表1] 
Figure BPA00001206712500121
根据表1可知，在试验例1a中，氮化硅膜均匀地覆盖存在凹凸的图案。在试验例1b中，在凹凸上的氮化硅膜的一部分中能够看到膜厚较薄的部分。在试验例1c中，在凹凸的角的部分能够看到裂缝。因此，这表示了优选使成膜速度为2.8nm/sec以下。 
(相对于氮流量的氢添加量的最佳化) 
试验例2a 
通过蒸镀法，在50mm四方的玻璃基板上，以大约100nm的膜厚 形成钙(Ca)膜。此后，不曝露在大气中，通过以氮气氛管理的手套式操作箱(glove box)，利用CVD法在钙膜上以3μm的膜厚形成氮化硅膜。成膜条件是，SiH4气体流量为60sccm、NH3气体流量为50sccm、N2气体流量为2500sccm、H2气体流量为0sccm。将得到的样品放置在95℃、50RH％的恒温槽中1000小时，测定放置1000小时后的钙膜的非变质部的面积比。在表2中表示测定结果。 
试验例2b～2g 
根据表2所述的成膜条件，进行与试验例2a同样的处理。在表2中表示成膜条件和测定结果。 
[表2] 
Figure BPA00001206712500131
根据表2，在氢添加量为125sccm以下时，非变质部的面积比表示出高值，当氢添加量超过130sccm时，非变质部的面积比表示为低值。 
(氮化硅膜的成膜时的气压与内部应力的关系) 
通过CVD法，使成膜条件为：SiH4气体流量为60sccm、NH3气体流量为50sccm、N2气体流量为2500sccm、不添加H2气体，形成氮化硅膜。使成膜时的气压变化，测定在各气压下得到的氮化硅膜的内部应力。内部应力使用光学式非接触翘曲测定法测定。在图3中表示氮化硅膜的成膜时的气压与内部应力的关系。 
在应力为正侧时，氮化硅膜中力在拉伸方向作用，在应力为负侧时，氮化硅膜中力在压缩方向作用。图3表示出了成膜时的气压越高，内部应力越向拉伸方向的倾向。此外，在气压为100Pa时，内部应力为±10MPa，为内部应力最小的条件。 
基于图3的条件，通过CVD法，在Si晶片上，以使得应力超过±50MPa的方式调整气压，形成3μm的氮化硅膜。将得到的样品浸渍在液温75℃的20质量％氢氧化钙水溶液中30分钟。为了进行比较，以同样的方法形成应力为0MPa的氮化硅膜，同样浸渍得到的样品。 
结果，在应力超过+50MPa时，通过浸渍，氮化硅膜全部剥离。此外，在应力不足-50MPa时，在氮化硅膜的整个面上产生裂纹。 
实施例1 
为了产生红、绿、蓝(以下称为RGB)三色的光，在基板上形成彩色滤光片层和CCM层(色变换层)。之后，使用聚酰亚胺改性硅树脂形成平坦化层。接着，通过溅射法，以300nm的膜厚形成作为第二氧化物层的SiO2膜。作为溅射靶，使用硼掺杂型的Si靶，作为溅射气体，使用Ar和O2混合气体。接着，通过DC溅射法(靶：IZO(In2O3-10％ZnO)、溅射气体：Ar、功率：250W)，叠层厚度220nm的IZO，形成阳极，通过光刻法将IZO形成为规定的图案。之后，利用光处理，以在发光的部位开窗的方式形成荫罩(shadow mask)。罩开口部的大小为约80×240μm。接着，在排列在IZO的数据线上的荫罩的窗的间隙处，在与IZO正交的方向上配置阴极分离壁，制作矩阵驱动的构造。接着，在真空中通过蒸镀形成有机EL层之后，不破坏真宽地将膜厚200nm的Al电极形成为与IZO正交的图案。接着，以有机EL层不曝露于大气的方式在干燥氮气氛下放入平行平板型CVD装置，形成氮化硅膜。成膜条件是SiH4气体流量为60sccm、NH3气体流量为50sccm、N2气体流量为2500sccm、H2气体流量为30sccm、气压为100Pa、RF施加电力为1000W。此时的氮化硅膜的内部应力为-20Pa。使基板台(stage)的温度为80℃，调整成膜时间使得氮化硅膜的膜厚为3000nm。此时的氮化硅膜的折射率为1.88。之后，使用玻璃基板和UV固化粘接剂，在手套式操作箱中进行密封。
比较例1 
氮化硅膜的成膜条件为：SiH4气体流量为60sccm、NH3气体流量为50sccm、N2气体流量为2500sccm、H2气体流量为300sccm、气压为145Pa、RF施加电力为1000W。使基板台的温度为80℃，调整成膜时间使得氮化硅膜的膜厚为3000nm。此时的氮化硅膜的折射率为1.91。其它条件与实施例1同样。 
比较例2 
氮化硅膜的成膜条件为：SiH4气体流量为60sccm、NH3气体流量为50sccm、N2气体流量为2500sccm、不添加H2气体、气压为90Pa、RF施加电力为1000W。此时的氮化硅膜的内部应力为-60Pa。使基板台的温度为80℃，调整成膜时间使得氮化硅膜的膜厚为3000nm。此时的氮化硅膜的折射率为1.88。其它条件与实施例1同样。 
对于实施例1和比较例1、2得到的有机EL器件进行可靠性评价。将得到的有机EL器件在60℃、95％RH环境下放置1000小时，观察放置1000小时后的每100cm2的暗斑的个数，收集300像素的量的该个数，并计算出其平均值。表3表示其计算结果。 
[表3] 
    暗斑的个数
  实施例1   0.05
  比较例1   6
  比较例2   2
根据表3可知，与比较例1、2相比，由实施例1得到的有机EL器件能够抑制暗斑的数量。 

Claims (5)

1.一种有机EL器件，其特征在于，包括：
基板；形成在所述基板上的有机EL元件；和形成在所述有机EL元件之上的密封膜，
其中，所述密封膜是以CVD法成膜的含有H的氮化硅膜，
所述含有H的氮化硅膜中的H含量为0.85at％～0.95at％。
2.如权利要求1所述的有机EL器件，其特征在于：
所述氮化硅膜的膜厚为1000～5000nm。
3.如权利要求1所述的有机EL器件，其特征在于：
所述氮化硅膜的内部应力的绝对值为50MPa以下。
4.一种有机EL器件的制造方法，其特征在于，该制造方法至少包括：
在基板上形成有机EL元件的步骤；和在所述有机EL元件上形成密封膜的步骤，
其中，形成所述密封膜的步骤中，至少包括为了形成含有氢原子或氢分子的氮化硅膜，将SiH4、NH3、N2、H2以所述H2的添加流量相对于所述N2的流量为1～5体积％的方式进行混合的阶段。
5.如权利要求4所述的有机EL器件的制造方法，其特征在于：
在形成所述密封膜的步骤中，所述氮化硅膜的成膜速度为2.8nm/sec以下。
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