KR20120065960A - 유기 ｅｌ 디바이스 및 유기 ｅｌ 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

유기 ｅｌ 디바이스 및 유기 ｅｌ 디바이스의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판과, 상기 기판의 위에 형성되는 유기 EL 소자와, 상기 유기 EL 소자의 위에 형성되는 밀봉막을 구비하는 유기 EL 디바이스로서, 상기 밀봉막이, H를 함유하는 질화규소막이며, 상기 H 함유 질화규소막 내의 H 함유량은, 0.85 at％?0.95 at％인 유기 EL 디바이스를 제공한다.

Description

유기 ＥＬ 디바이스{ORGANIC EL DEVICE}
본 발명은 디스플레이 용도에 있어서 유용한 유기 EL 디바이스와 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 디스플레이 용도에 있어서, 자발광형의 유기 EL 소자를 이용한 유기 EL 디바이스의 연구가 왕성하게 행해지고 있다. 유기 EL 디바이스는, 높은 발광 휘도 및 발광 효율을 실현하는 것이 기대되고 있다. 왜냐하면, 저전압으로 높은 전류 밀도를 실현할 수 있기 때문이다. 특히, 멀티컬러 표시, 특히 풀컬러 표시가 가능한 고선명의 다색 발광 유기 EL 디바이스의 실용화가, 디스플레이의 기술 분야에서 기대되고 있다.
유기 EL 디바이스를 컬러 디스플레이로서 실용화하는데 있어서 중요한 과제는, 높은 정밀도를 실현하는 것에 더하여, 색 재현성을 포함하여 장기적인 안정성을 갖는 것이다. 그러나, 다색 발광 유기 EL 디바이스에는, 일정 기간의 구동에 의해 발광 특성(전류-휘도 특성)이 현저히 저하된다고 하는 결점을 갖고 있다.
이 발광 특성의 저하 원인의 대표적인 것은, 다크 스폿의 성장이다. 「다크 스폿」이란, 발광 결함점을 의미한다. 이 다크 스폿은, 소자 내의 산소 또는 수분에 의해, 구동 시간 및 보존 중에 유기 EL 소자의 구성층의 재료의 산화 또는 응집이 진행됨에 따라, 발생한다고 생각되고 있다. 다크 스폿의 성장은, 통전 중은 물론, 보존 중에도 진행된다. 특히, 다크 스폿의 성장은, (1) 소자의 주위의 외부 환경에 존재하는 산소 또는 수분에 의해 가속화되고, (2) 구성층 중에 흡착물로서 존재하는 산소 또는 수분에 영향을 받으며, 및 (3) 디바이스 제조에 이용되는 부품에 흡착되어 있는 수분 또는 제조 시에 있어서의 수분의 침입에 영향받는다고 생각되고 있다. 그 성장이 계속되면, 다크 스폿이 유기 EL 디바이스의 발광면 전체로 확대되어 간다.
종래, 유기 EL 소자의 구성층에의 수분의 침입을 방지하는 수단으로서, 금속캔, 유리판을 이용하여 유기 EL 소자를 밀봉하는 방법, 또는 유기 EL 소자를 밀봉한 공간 내에 건조제를 배치하는 방법이 행해져 오고 있다. 그러나, 경량 또는 박형이라고 하는 유기 EL 디바이스의 특징을 살리기 위해, 건조제를 이용하지 않고, 박막으로 밀봉하는 기술이 주목받고 있다.
밀봉용의 박막으로서, 산화규소, 질화규소, 질화산화규소 등이 이용되고 있다. 예컨대, 특허문헌 1에서는, 산화규소를 사용하는 밀봉용의 막에 대해서 개시하고 있다. 그러나, 산화규소는 산소 및 수분의 투과성의 점에서 뒤떨어지기 때문에, 다크 스폿의 발생을 억제할 수는 없다. 특허문헌 2에서는, 질화규소를 사용하는 밀봉용의 막에 대해서 개시하고 있다. 그러나, 특허문헌 2에서는, 파티클을 밀봉하는 수단 및 크랙의 발생을 억제하는 수단에 대해서는 개시되어 있지 않다. 또한, 특허문헌 3에서는, SiH4, N2, NH3를 반응 가스로서 사용하는 밀봉용의 막에 대해서 개시하고 있다. 특허문헌 4에서는, SiH4, N2, H2를 반응 가스로서 사용하는 밀봉용의 막에 대해서 개시하고 있다.
유기 EL 디바이스, 특히 보텀에미션형 구조에서는, 유리 기판 위에 컬러 필터층 및 CCM층(색변환층)이 형성되고, 그 단차를 메우기 위해 폴리이미드실리콘 수지 등의 유기 수지에 의해 평탄화층(오버코트층)이 형성된다. 또한 이 평탄화층으로부터의 잔류 수분이 유기 EL층에 확산되는 것을 막기 위해, SiO2, SiN 등의 패시베이션층이 설치된다. 그 후, ITO, IZO 등의 투명 전극을 양극으로 하여 스트라이프형으로 형성하고, 그 위에 역테이퍼 형상의 음극 분리층을 투명 전극과 직교하는 스트라이프형으로 형성한다. 그 후, 발광층인 유기 EL층이 형성되고, 더욱 그 상부에 알루미늄 등의 반사 전극을 음극으로 하여 형성한다. 발광층인 유기 EL층은, 산소 및 수분에 매우 약하기 때문에, 약간 노출된 부분 및 음극의 결함 부분으로부터 대기 또는 수분이 침입하고, 유기 EL층에 도달하면 DA(다크 에리어) 또는 DS(다크 스폿)라고 하는 발광 결함점으로 성장한다. 또한, 음극(반사 전극)도 산화되어 도전성 및 반사율이 나빠질 우려가 있다. 그래서, 산소 및 수분을 극한까지 억제한 챔버 내에서, 흡습제와 함께 커버 유리 등의 밀봉 기판을, 자외선 경화하는 에폭시 수지 등으로 밀봉하여, 공기 및 수분의 침입을 막는 것이 일반적이다. 그러나, 커버 유리 등의 밀봉 기판에 의한 밀봉 방법에서는, 유기 EL 디바이스에 대향하는 위치에 흡습제를 넣고 있기 때문에, 상부로부터 광을 추출하는 톱에미션형 구조를 갖는 유기 EL 디바이스에는 알맞지 않다.
일본 특허 공개 제2001-176653호 공보 일본 특허 공개 제2005-183147호 공보 일본 특허 공개 제2005-285659호 공보 일본 특허 공개 제2004-63304호 공보
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 수분 및 산소의 차단성이 우수하고, 유기 EL 소자의 열화를 막을 수 있는 유기 EL 디바이스와 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 기판과, 상기 기판의 위에 형성되는 유기 EL 소자와, 상기 유기 EL 소자의 위에 형성되는 밀봉막을 구비하는 유기 EL 디바이스로서, 상기 밀봉막은, H를 함유하는 질화규소막이며, 상기 H 함유 질화규소막 내의 H 함유량은, 0.85 at％?0.95 at％인 유기 EL 디바이스를 제공한다.
또한, 본 발명은 기판 위에 유기 EL 소자를 형성하는 단계와, 상기 유기 EL 소자 위에 밀봉막을 형성하는 단계를 적어도 포함하는 유기 EL 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 밀봉막을 형성하는 단계는, 수소 원자 또는 수소 분자를 함유하는 질화규소막을 형성하기 위해, SiH4와, NH3와, N2와, H2를, 상기 H2의 첨가 유량을 상기 N2의 유량에 대하여 1 체적％?5 체적％로 하여 혼합하는 단계를 적어도 포함하는 유기 EL 디바이스의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에서는, 수분 및 산소의 차단성이 우수하고, 유기 EL 소자의 열화를 막을 수 있는 유기 EL 디바이스와 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 유기 EL 디바이스를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 유기 EL 디바이스의 하나의 예를 나타내는 단면도이다.
도 3은 질화규소막의 성막 시의 가스압과 내부 응력의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 1은 본 발명의 유기 EL 디바이스를 나타내는 개략도이다. 본 발명의 유기 EL 디바이스는, 기판(10)과, 상기 기판(10)의 위에 형성되는 유기 EL 소자(20)와, 상기 유기 EL 소자(20) 위에 형성되는 밀봉막(30)을 적어도 포함한다.
기판(10)은 특별히 한정되지 않으며, 일반적으로 사용되는 임의의 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 기판은 다른 구성층의 형성에 이용되는 여러가지 조건(예컨대, 사용되는 용매, 온도 등)에 견딜 수 있는 임의의 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 또한, 기판은 우수한 치수 안정성을 갖는 것이 바람직하다. 기판을 형성하는데 이용되는 투명 재료는, 유리, 또는 폴리올레핀, 폴리메틸메타크릴레이트 등의 아크릴 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 및 폴리이미드 수지 등의 수지를 포함한다. 전술한 수지를 이용하는 경우, 기판은, 강직성이어도 가요성이어도 좋다. 혹은 또한, 특히 톱에미션형 유기 EL 디바이스의 경우, 기판을, 실리콘, 세라믹 등의 불투명 재료를 이용하여 형성하여도 좋다. 절연성, 및 유기 EL 소자의 형태를 유지할 수 있는 강성을 갖는 평탄한 재료를 이용하여 형성할 수 있다.
유기 EL 소자(20)는, 특별히 한정되는 것이 아니며, 일반적으로 사용되는 임의의 재료를 이용하여 형성할 수 있고, 2개의 전극에 끼워진 유기 EL층을 구비한다.
밀봉막(30)은, 산소 및 수분이 유기 EL 소자(20)에 투과되는 것을 막기 위해, 상기 유기 EL 소자(20) 위에 형성된다. 본 발명에서의 밀봉막(30)은, 질화규소(SiNx)이다. 밀봉막(30)은 CVD법과 같은 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 밀봉막(30)의 형성은, 유기 EL 소자(20) 위에의 성막이다. 그 때문에, 성막 시에 유기 EL 소자(20)에 손상을 부여하지 않도록, 성막 도달 온도는 100℃ 이하로 억제하는 것이 바람직하다.
또한, 밀봉막(30)으로서 산소 및 수분의 투과를 억제하기 위해서는, 질화규소막의 막질을 치밀하게 하는 것이 유효하다. 그러기 위해서는, CVD법을 이용하여 성막할 때, 질화규소막의 성막 속도를 2.8 ㎚/sec 이하로 하는 것이 바람직하다.
성막 속도의 조정으로서, 예컨대 CVD 장치의 Rf 출력을 올리고, 반응 가스(SiH4, NH3, N2) 유량을 많게 함으로써, 성막 속도를 올릴 수 있다. 성막 속도를 올리는 것, 즉 성막 처리 시간을 단축하는 것은, 밀봉막으로서의 커버리지성 및 패시베이션성에 영향을 부여한다. 성막 속도가 2.8 ㎚/sec에서는, 요철이 있는 패턴에 대하여 질화규소막이 단단히 덮여 있다. 성막 속도가 3.0 ㎚/sec를 넘으면, 요철 위의 질화규소막의 일부에 막 두께가 얇은 부분이 보이게 된다. 성막 속도가 3.58 ㎚/sec에서는, 요철의 모서리의 부분에 균열이 보이게 된다(표 1). 따라서, 패시베이션성을 유지하기 위해서는, 질화규소막의 성막 속도를 바람직하게는 3.0 ㎚/sec, 보다 바람직하게는 2.8 ㎚/sec 이하로 하는 것이 바람직하다. 성막 속도의 하한에 대해서는, 너무 늦으면 생산성의 저하를 초래하기 때문에, 바람직하게는 2.1 ㎚/sec이다.
본 발명에서는, 질화규소막의 성막 시에, 반응 가스로서 수소(H2 가스)를 첨가함으로써, 밀봉막(30)이 수분과 반응하기 어렵게 한다. 이것은, 어떤 일정량의 수소를 첨가함에 의해, 질화규소막 표면의 댕글링 결합(dangling bond)가 저감하여, 질화규소 분자 상태가 안정화되기 때문이다. CVD 장치에 공급된 SiH4 가스 및 NH3 가스는, 성막실 내에서 라디칼 분자로 분해되고, 재결합함으로써 기판 위에 질화규소(SiNx)막으로서 퇴적한다. 실제로는, 질화규소막 내에도 H(수소 원자)가 들어 있어, SiNH막이라고도 말할 수 있다. SiNH막 내의 H 함유율은, 반응 가스인 SiH4 가스 및 NH3 가스의 혼합비에 의존하고 있으며, 이들 반응 가스의 혼합비에 따라 수소의 흡수량이 변동한다. 따라서, H2 가스의 첨가 유량에 따라, SiNH막 내의 H 함유율을 변화시킬 수 있다. H2 가스의 첨가 유량은, 반응 가스인 N2 가스의 유량에 대하여 1 체적％?5 체적％이다. 이 범위이면, 질화규소막(SiNH막) 중의 H 함유량이 0.85?0.95 at％(atcmic percent)가 된다. 1 체적％ 미만에서는 수분 투과량이 증가하고, 5 체적％를 넘으면 질화규소막의 색 변화가 보이며, 커버리지성의 저하의 촉진에 따른 수분 투과량이 증가한다. 질화규소막 중의 H 함유량은, RBS 분석법을 이용하여 측정할 수 있다.
한편, DA(다크 에리어) 또는 DS(다크 스폿)이 발생하는 요인의 하나로서, 파티클의 존재를 들 수 있다. 밀봉막(30)이 파티클을 완전히 커버할 수 없는 경우, 밀봉막(30)의 커버리지성이 나쁜 경우에는, 밀봉막(30)은 수분 또는 산소를 투과시켜 버려, DA 또는 DS로 발전한다. 특히, 유기 EL 소자(20)의 제2 전극 위에 밀봉막(30)을 갖는 양태에서, 제2 전극의 형성 시간 및 전극 분리벽의 형성 시에 파티클이 발생한 경우, 그 크기는 큰 것에서는 1 ㎛ 정도가 된다. 이 파티클을 밀봉기 위해, 밀봉막(30)의 막 두께는 1 ㎛?5 ㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직한 막 두께의 하한은 3 ㎛이다. 막 두께가 5 ㎛를 넘으면, 질화규소막 자신의 파티클을 증가시키게 되어, 밀봉막으로서는 알맞지 않은 경우가 있다.
또한, 질화규소막은 내부 응력이 크기 때문에, 경시 변화에 따라 질화규소막 자신에게 크랙 및 박리가 생길 우려가 있다. 그 때문에, 질화규소막을 CVD법에 따라 성막할 때의 가스압을, 내부 응력의 절대값이 50 ㎫ 이하가 되도록 조정하는 것이 바람직하다. 여기서, 응력이 플러스측인 경우, 질화규소막은 인장 방향으로, 마이너스측인 경우, 질화규소막은 압축 방향으로 힘이 작동한다. 응력이 플러스 50 ㎫를 넘으면, 질화규소막은 모두 박리하고, 마이너스 50 ㎫ 미만의 경우에는, 질화규소막의 전체면에 크랙이 발생하기 때문이다. 내부 응력은, 광학식 비접촉 휘어짐 측정법을 이용하여 측정된다.
이하, 본 발명의 유기 EL 디바이스를 도 2에 나타내는 예에 기초하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 유기 EL 디바이스의 하나의 예이다. 도 2의 유기 EL 디바이스는, 보텀에미션형 유기 EL 디바이스이다. 또한, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.
기판(10)은, 그 표면 위에, 복수의 스위칭 소자(TFT 등) 및 배선 등을 더 포함하여도 좋다. 이 구성은, 복수의 독립된 발광부를 갖는 액티브 매트릭스 구동형 유기 EL 디바이스의 제작에 유효하다.
기판(10)과 유기 EL층(22) 사이에 위치하는 제1 전극(21), 및 유기 EL층(22)의 기판(10)과는 반대측에 위치하는 제2 전극(23)은, 유기 EL층(22)에의 캐리어 주입 및 외부 구동 회로와의 접속의 기능을 갖는다. 제1 전극(21), 유기 EL층(22), 및 제2 전극(23)은, 유기 EL 소자(20)를 구성한다. 제1 전극(21) 및 제2 전극(23)은, 각각, 양극(정공 주입 전극) 또는 음극(전자 주입 전극) 중 어느 것이어도 좋다. 단, 제1 전극(21) 및 제2 전극(23) 중 어느 한쪽은 양극이며, 다른쪽은 음극이다. 또한, 제1 전극(21) 및 제2 전극(23)은, 어느 한쪽이 투명 전극인 것을 조건으로 하며, 반사 전극이어도 투명 전극이어도 좋다. 톱에미션형 구조에서, 제1 전극(21)은 반사 전극인 것이 바람직하고, 제2 전극(23)은 투명 전극이다. 보텀에미션형 구조에서, 제2 전극(23)은 반사 전극인 것이 바람직하고, 제1 전극(21)은 투명 전극이다.
제1 전극(21) 또는 제2 전극(23)으로서 이용되는 반사 전극은, 고반사율의 금속(알루미늄, 은, 몰리브덴, 텅스텐, 니켈, 크롬 등) 또는 이들의 합금, 혹은 비정질 합금(NiP, NiB, CrP 또는 CrB 등)을 이용하여 형성할 수 있다. 가시광에 대하여 80％ 이상의 반사율을 얻을 수 있다고 하는 관점에서, 특히 바람직한 재료는, 은 합금을 포함한다. 이용할 수 있는 은 합금은, 은과, 제10족의 니켈 또는 백금, 제1족의 루비듐, 및 제14족의 납으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속과의 합금, 혹은, 은과, 제2족의 마그네슘 및 칼슘으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속과의 합금을 포함한다.
제1 전극(21) 또는 제2 전극(23)으로서 이용되는 투명 전극은, SnO2, In2O3, In-Sn 산화물, In-Zn 산화물, ZnO, 또는 Zn-Al 산화물 등의 도전성 금속 산화물을 이용하여 형성할 수 있다. 투명 전극은, 유기 EL층으로부터의 발광을 외부에 추출하기 위한 경로가 되기 때문에, 파장 400 ㎚?800 ㎚의 범위 내에서 50％ 이상, 바람직하게는 85％ 이상의 투과율을 갖는 것이 바람직하다.
제1 전극(21) 및 제2 전극(23)은, 저항 가열 방식 또는 전자빔 가열 방식의 증착법, 또는 스퍼터법을 이용하여 형성할 수 있다. 증착법의 경우, 1.0×10-4 ㎩이하의 압력에서, 0.1 ㎚/초?100 ㎚/초의 성막 속도로 성막을 행할 수 있다. 한편, DC 마그네트론 스퍼터법 등의 스퍼터법의 경우, 스퍼터 가스로서 Ar 등의 불활성 가스를 이용하고, 0.1 ㎩?2.0 ㎩ 정도의 압력에서 성막을 행할 수 있다. 제2 전극(23)을 스퍼터법으로 형성하는 경우, 피성막 기판의 표면이 되는 유기 EL층(22)의 열화를 방지하기 위해, 타겟 근방에 형성되는 플라즈마를 유기 EL층(22)에 직접 조사하지 않는 것이 바람직하다.
전극 단락 방지를 위해, 제1 전극(21) 위에 전극 분리벽을 형성하여도 좋다. 전극 분리벽은, 역테이퍼형의 단면 형상을 갖고 있다. 전극 분리벽은, CVD법 또는 스퍼터법을 이용하여 형성할 수 있다.
유기 EL층(22)은, 제1 전극(21)과 제2 전극(23) 사이에 위치하고, 각각의 전극과 접촉하고 있다. 발광부의 중심핵을 이루는 층이다. 유기 EL층(22)은, 적어도 발광층을 포함하고, 필요에 따라 정공 수송층, 정공 주입층, 전자 수송층 및/또는 전자 주입층을 포함한다. 예컨대, 유기 EL층(22)은, 하기와 같은 층구성을 가질 수 있다.
(1) 양극/발광층/음극
(2) 양극/정공 주입층/발광층/음극
(3) 양극/발광층/전자 주입층/음극
(4) 양극/정공 주입층/발광층/전자 주입층/음극
(5) 양극/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극
(6) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/음극
(7) 양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극
또한, 상기 (1)?(7)의 각 구성에서, 양극 및 음극은, 각각 제1 전극(21) 또는 제2 전극(23) 중 어느 하나이다.
발광층은, 공지의 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 청색으로부터 청록색의 발광을 얻기 위한 재료는, 예컨대, 벤조티아졸계 화합물, 벤조이미다졸계 화합물 또는 벤조옥사졸계 화합물과 같은 형광 증백제; 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄 착체(Alq3)로 대표되는 알루미늄 착체와 같은 금속 킬레이트화 옥소늄 화합물; 4,4'-비스(디페닐비닐)비페닐(DPVBi)과 같은 스티릴벤젠계 화합물; 방향족 디메틸디엔계 화합물; 축합 방향환 화합물; 환집합 화합물; 및 포르피린계 화합물 등을 포함한다.
혹은 호스트 화합물에 도펀트를 더 첨가함으로써, 여러가지 파장 영역의 광을 발하는 발광층을 형성할 수도 있다. 이 경우, 호스트 화합물로서는, 디스티릴아릴렌계 화합물, N,N'-디톨릴-N,N'-디페닐비페닐아민(TPD), Alq3 등을 사용할 수 있다. 한편, 도펀트로서는, 페릴렌(청자색), 쿠마린 6(청색), 퀴나크리돈계 화합물(청록색?청색), 루브렌(황색), 4-디시아노메틸렌-2-(p-디메틸아미노스티릴)-6-메틸-4H-피란(DCM, 적색), 백금 옥타에틸포르피린 착체(PtOEP, 적색) 등을 사용할 수 있다.
정공 수송층은, 트리아릴아민 부분 구조, 카르바졸 부분 구조, 또는 옥사디아졸 부분 구조를 갖는 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 정공 수송층의 바람직한 재료는, TPD, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(α-NPD), MTDAPB(o-, m-, p-), m-MTDATA 등을 포함한다. 정공 주입층은, 구리 프탈로시아닌 착체(CuPc) 등을 포함하는 프탈로시아닌(Pc)류, 인단트렌계 화합물 등의 재료를 이용하여 형성할 수 있다.
전자 수송층은, Alq3과 같은 알루미늄 착체, PBD 또는 TPOB와 같은 옥사디아졸 유도체, TAZ와 같은 트리아졸 유도체, 트리아진 유도체, 페닐퀴녹살린류, BMB-2T와 같은 티오펜 유도체 등의 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 전자 주입층은, Alq3과 같은 알루미늄 착체, 또는 알칼리 금속 혹은 알칼리 토류 금속을 도핑한 알루미늄의 퀴놀리놀 착체 등의 재료를 이용하여 형성할 수 있다.
이상과 같은 각 구성층에 더하여, 임의 선택적으로, 유기 EL층(22)과 음극으로서 이용하는 제1 전극(21) 또는 제2 전극(23) 중 어느 하나의 사이에, 캐리어 주입 효율을 더욱 높이기 위한 버퍼층을 임의 선택적으로 형성할 수도 있다. 버퍼층은, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속 혹은 이들의 합금, 또는 희토류 금속, 혹은 이들 금속의 불화물 등의 전자 주입성 재료를 이용하여 형성할 수 있다.
또한, 유기 EL층(22)의 위 표면에, 제2 전극(23)의 형성 시의 손상을 완화시키기 위해, MgAg 등으로 이루어지는 손상 완화층을 형성하는 것도 바람직하다.
유기 EL층(22)을 구성하는 각 층은, 원하는 특성을 실현하는데 충분한 막 두께를 갖는 것이 중요하다. 발광층, 정공 수송층, 전자 수송층 및 전자 주입층이 2 ㎚?50 ㎚의 막 두께를 가지고, 정공 주입층이 2 ㎚?200 ㎚의 막 두께를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 임의 선택적인 버퍼층은, 구동 전압 저감 및 투명성 향상의 관점에서, 10 ㎚ 이하의 막 두께를 갖는 것이 바람직하다.
유기 EL층(22)의 각 구성층, 버퍼층 및 손상 완화층은, 증착(저항 가열 증착 또는 전자빔 가열 증착) 등의 해당 기술에서 알려져 있는 임의의 수단을 이용하여 제작할 수 있다.
색변환 필터층(40)은, 유기 EL층(22)으로부터의 발광의 색상을 조정하기 위한 층이다. 본 발명에서의 「색변환 필터층」은, 컬러 필터층, 색변환층, 및 컬러 필터층과 색변환층의 적층체의 총칭이다.
컬러 필터층은, 특정 파장 영역의 광을 투과시키는 층이다. 컬러 필터층은, 유기 EL층(22) 또는 색변환층으로부터의 광의 색 순도를 향상시키는 기능을 갖는다. 컬러 필터층은, 시판되는 플랫 패널 디스플레이용 컬러 필터 재료(예컨대, 후지필름 일렉트로닉스 마테리얼즈사 제조의 컬러 모자이크 등)를 이용하여 형성할 수 있다. 컬러 필터층의 형성에는, 스핀코트, 롤코트, 캐스트, 딥코트 등의 도포법을 이용할 수 있다. 또한, 도포법에 따라 형성한 막을, 포토리소그래피법 등에 따라 패터닝하여, 원하는 패턴을 갖는 컬러 필터층을 형성하여도 좋다.
색변환층은, 특정 파장 영역의 광을 흡수하여 파장 분포 변환을 행하고, 다른 파장 영역의 광을 방출하는 층이다. 색변환층은, 적어도 형광 색소를 포함하며, 필요에 따라 매트릭스 수지를 포함하여도 좋다. 형광 색소는, 유기 EL층(22)으로부터의 광을 흡수하고, 원하는 파장 영역(예컨대, 적색 영역, 녹색 영역 또는 청색 영역)의 광을 방사한다.
청색으로부터 청록색 영역의 광을 흡수하여, 적색 영역의 형광을 방사하는 형광 색소는, 예컨대, 로다민 B, 로다민 6G, 로다민 3B, 로다민 101, 로다민 110, 술포로다민, 베이직 바이올렛 11, 베이직 레드 2 등의 로다민계 색소; 시아닌계 색소; 1-에틸-2-[4-(p-디메틸아미노페닐)-1,3-부타디에닐]-피리디늄-퍼클로레이트(피리딘 1) 등의 피리딘계 색소; 및 옥사진계 색소를 포함한다. 혹은 전술한 것과 같은 형광성을 갖는 각종 염료(직접 염료, 산성 염료, 염기성 염료, 분산 염료 등)를 추가적으로 이용하여도 좋다.
청색으로부터 청록색 영역의 광을 흡수하여, 녹색 영역의 형광을 방사하는 형광 색소는, 예컨대, 3-(2'-벤조티아졸릴)-7-디에틸아미노쿠마린(쿠마린 6), 3-(2'-벤조이미다졸릴)-7-디에틸아미노쿠마린(쿠마린 7), 3-(2'-N-메틸벤조이미다졸릴)-7-디에틸아미노쿠마린(쿠마린 30), 2,3,5,6-1H,4H-테트라히드로-8-트리플루오로메틸퀴놀리진(9,9a,1-gh)쿠마린(쿠마린 153) 등의 쿠마린계 색소; 솔벤트 옐로우 11, 솔벤트 옐로우 116 등의 나프탈이미드계 색소; 및 베이직 옐로우 51 등의 쿠마린 색소계 염료 등을 포함한다. 혹은 전술한 것과 같은 형광성을 갖는 각종 염료(직접 염료, 산성 염료, 염기성 염료, 분산 염료 등)를 추가적으로 이용하여도 좋다.
색변환층의 매트릭스 수지로서는, 아크릴 수지, 여러가지 실리콘 폴리머, 또는 이들에 대체 가능한 임의의 재료를 이용할 수 있다. 예컨대, 매트릭스 수지로서, 스트레이트형 실리콘폴리머, 변성 수지형 실리콘폴리머를 이용할 수 있다.
색변환층은, 스핀코트, 롤코트, 캐스트, 딥코트 등의 도포법, 또는 증착법을 이용하여 형성할 수 있다. 복수종의 형광 색소를 이용하여 색변환층을 형성하는 경우에는, 정해진 비율의 복수종의 형광 색소, 및 매트릭스 수지를 혼합하여 예비 혼합물을 형성하고, 상기 예비 혼합물을 이용하여 증착을 행할 수도 있다. 혹은 공증착법을 이용하여, 색변환층을 추가적으로 형성하여도 좋다. 공증착법은, 복수종의 형광 색소의 각각을 별개의 가열 부위에 배치하고, 이들을 별개로 가열함으로써 실시된다. 필요에 따라, 형광 색소와 매트릭스 수지의 혼합물을 가열 부위에 배치하여, 증착원으로서 이용하여도 좋다. 특히, 복수종의 형광 색소의 특성(증착 속도 및/또는 증기압 등)이 크게 다른 경우에는, 공증착법을 이용하는 것이 유리하다.
기판(10)과 제1 전극(21) 사이에 색변환 필터층(40)을 형성하는 경우, 색변환 필터층(40)을 덮도록 평탄화층(50)을 형성하는 것이 바람직하다. 평탄화층(50)은, 유기 EL 소자(20)를 형성하기 위한 면을 평탄하게 하여, 유기 EL 소자 내의 단선 및 단락 등의 고장의 발생을 방지하는 점에서 유효하다. 평탄화층(50)은, 광경화성 수지, 광열 병용 경화성 수지, 열경화성 수지, 열가소성 수지 등을 이용하여 형성할 수 있다. 평탄화층(50)은, 스핀코트, 롤코트, 캐스트, 딥코트 등의 도포법을 이용하여 형성할 수 있다.
이 평탄화층(50)에 포함되는 잔류 수분이 유기 EL층(22)에 확산되는 것을 막기 위해, 평탄화층(50)을 덮도록 패시베이션층(60)을 형성하여도 좋다. 패시베이션층(60)은, 절연성 산화물(SiOx, TiO2, ZrO2, AlOx 등), 절연성 질화물(AlNx, SiNx 등), 무기 산화 질화물(SiON 등)을 이용하여 형성할 수 있다. 패시베이션층(60)은, 플라즈마 CVD법과 같은 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
산소 및 수분이 유기 EL 소자(20)에 투과되는 것을 막기 위해, 본 발명에서는, 제2 전극(23) 및 전극 분리벽 위에 밀봉막(30)을 형성한다. 세부 사항에 대해서는 전술한 바와 같다.
다음에, 본 발명의 유기 EL 디바이스의 제조 방법에 대해서 설명한다. 우선, 기판(10)을 준비한다. 기판(10)의 위에, 유기 EL층(22)을 제1 전극(21) 및 제2 전극(23) 사이에 끼운 유기 EL 소자(20)를 형성하고, 밀봉막(30)을 더 형성한다. 색변환 필터층(40)을 형성하는 경우는, 기판(10)과 제1 전극(21) 사이에 형성한다. 이 색변환 필터층(40)을 형성하는 경우, 색변환 필터층(40)을 덮도록 평탄화층(50)을 형성하는 것이 바람직하다. 평탄화층(50)을 덮도록 패시베이션층(60)을 더 형성하여도 좋다.
도 2는 단일 발광부를 구비하는 유기 EL 디바이스의 일례이다. 그러나, 본 발명의 유기 EL 디바이스는, 독립하여 제어되는 복수의 발광부를 구비하여도 좋다. 예컨대, 제1 전극 및 제2 전극의 양방을 복수의 스트라이프형 전극으로 이루어지는 전극군으로 하고, 제1 전극을 구성하는 스트라이프형 전극의 연장 방향과 제2 전극을 구성하는 스트라이프형 전극의 연장 방향을 교차시켜, 소위 패시브 매트릭스 구동의 유기 EL 디바이스를 형성하여도 좋다. 여기서, 임의의 화상 및/또는 문자를 표시하는 디스플레이 용도에 있어서는, 제1 전극을 구성하는 스트라이프형 전극의 연장 방향과 제2 전극을 구성하는 스트라이프형 전극의 연장 방향을 직교시키는 것이 바람직하다. 혹은 제1 전극을 복수의 부분 전극으로 분할하고, 복수의 부분 전극의 각각을 기판 위에 형성된 스위칭 소자와 1대1로 접속하며, 제2 전극을 일체형의 공통 전극으로 하여, 소위 액티브 매트릭스 구동의 유기 EL 디바이스를 더 형성하여도 좋다.
또한, 패시브 매트릭스 구동형 디바이스 및 액티브 매트릭스 구동형 디바이스 중 어떤 경우에 있어서도, 제1 전극을 구성하는 복수의 부분 전극의 사이에 절연막을 설치하는 것이 바람직하다. 절연막은, 절연성 산화물(SiOx, TiO2, ZrO2, AlOx 등), 절연성 질화물(AlNx, SiNx 등), 또는 고분자 재료 등을 이용하여 형성할 수 있다.
또한, 독립하여 제어되는 복수의 발광부를 갖는 구성에서, 복수종의 색변환 필터층을 이용하여, 다색 표시가 가능한 유기 EL 디바이스를 형성할 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색의 색변환 필터층을 이용하여, 적색, 녹색 및 청색의 부화소를 구성하고, 3색의 부화소를 1그룹으로 하는 화소를 매트릭스형으로 배열함으로써 풀컬러 디스플레이가 가능한 유기 EL 디바이스를 형성할 수 있다.
톱에미션형 유기 EL 디바이스의 경우는, 박막 트랜지스터 등을 구비하는 기판 위에, 유기 EL층을 제1 전극 및 제2 전극 사이에 끼운 유기 EL 소자를 형성하고, 질화규소로 이루어지는 밀봉막을 더 형성한다. 그 후, 컬러 필터층 및 CCM층(색변환층)을 형성한 기판을, 밀봉막의 유기 EL 소자측의 면과는 반대의 면에 접합시킴으로써 얻을 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 실시예, 비교예를 나타내어 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.
<성막 속도의 최적화>
시험예 1a
레이저로 깊이 1 ㎛의 요철형의 패턴이 형성된 Si 웨이퍼 위에, 3 ㎛의 질화규소막을 퇴적시키고, 그 단면을 SEM으로 관찰하였다. 성막 조건은, Rf 출력을 1.0 kw, SiH4 가스 유량을 60 sccm, NH3 가스 유량을 50 sccm, N2 가스 유량을 2500 sccm, 성막 속도를 2.80 ㎚/sec로 하였다.
평가 방법은, 요철형 패턴의 엣지 부분에서, 균열이 관찰된 것을 ×, 균열은 없지만 질화규소막의 표면에 함몰이 있는 것을 △, 균일하게 덮어져 있는 것을 ○로 하였다. 관찰 결과를 표 1에 나타낸다.
시험예 1b?1c
표 1에 기재된 성막 조건에 따라, 시험예 1a와 동일하게 행하였다. 성막 조건 및 관찰 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
표 1로부터, 시험예 1a에서는, 요철이 있는 패턴에 대하여 질화규소막이 단단하게 덮여 있었다. 시험예 1b에서는, 요철 위의 질화규소막의 일부에 막 두께가 얇은 부분이 보였다. 시험예 1c에서는, 요철의 각의 부분에 균열이 보였다. 따라서, 성막 속도를 2.8 ㎚/sec 이하로 하는 것이 적합한 것으로 나타났다.
<질소 유량에 대한 수소 첨가량의 최적화>
시험예 2a
증착법에 따라, 사방 50 ㎜의 유리 기판 위에, 칼슘(Ca)을 약 100 ㎚의 막 두께로 성막하였다. 그 후, 대기 폭로를 행하지 않고, 질소 분위기에서 관리된 글로브 박스를 통하여, CVD법에 따라, 칼슘막 위에 질화규소막을 3 ㎛의 막 두께로 성막하였다. 성막 조건은, SiH4 가스 유량을 60 sccm, NH3 가스 유량을 50 sccm, N2 가스 유량을 2500 sccm, H2 가스 유량을 0 sccm으로 하였다. 얻어진 샘플을 95℃, 50 RH％의 항온조에 1000시간 방치하고, 1000시간 방치한 후에 있어서의 칼슘막의 비변질부의 면적비를 측정하였다. 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
시험예 2b?2g
표 2에 기재된 성막 조건에 따라, 시험예 2a와 동일하게 행하였다. 성막 조건 및 측정 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure pct00002
표 2로부터, 수소 첨가량이 125 sccm 이하일 때, 비변질부의 면적비는 높은 값을 나타내고 있으며, 수소 첨가량이 130 sccm을 넘으면, 비변질부의 면적비는 작아지는 것이 나타났다.
<질화규소막의 성막 시의 가스압과 내부 응력의 관계>
CVD법에 따라, 성막 조건을 SiH4 가스 유량이 60 sccm, NH3 가스 유량이 50 sccm, N2 가스 유량이 2500 sccm, H2 가스 첨가 없음으로 하여, 질화규소막을 성막하였다. 성막 시의 가스압을 변화시켜, 각 가스압에 따라 얻어진 질화규소막의 내부 응력을 측정하였다. 내부 응력은, 광학식 비접촉 휘어짐 측정법을 이용하여 측정되었다. 도 3에 질화규소막의 성막 시의 가스압과 내부 응력의 관계를 나타낸다.
응력이 플러스측인 경우, 질화규소막은 인장 방향으로, 마이너스측인 경우, 질화규소막은 압축 방향으로 힘이 작동한다. 도 3으로부터, 성막 시의 가스압이 높을수록, 내부 응력은 인장 방향이 되는 경향이 나타났다. 또한, 가스압이 100 ㎩일 때, 내부 응력은 ±10 ㎫이며, 가장 내부 응력이 작아지는 조건이 되는 것이 나타났다.
도 3의 조건을 기초로, CVD법에 따라, Si 웨이퍼 위에, 3 ㎛의 질화규소막을, 응력이 ±50 ㎫를 넘도록 가스압을 조정함으로써 성막하였다. 얻어진 샘플을 액온 75℃의 20 질량％ 수산화칼륨 수용액에 30분간 침지하였다. 비교를 위해, 동일한 방법으로 응력이 0 ㎫인 질화규소막을 성막하고, 얻어진 샘플을 동일하게 침지하였다.
그 결과, 응력이 +50 ㎫를 넘은 경우, 침지에 의해, 질화규소막을 전부 박리하였다. 또한, 응력이 -50 ㎫ 미만인 경우, 질화규소막의 전체면에 크랙이 발생하였다.
실시예 1
적, 녹, 청(이하, RGB라고 함)의 3색을 발광시키기 위해, 기판 위에, 컬러 필터층 및 CCM층(색변환층)을 형성하였다. 그 후, 폴리이미드 변성 실리콘 수지를 이용하여 평탄화층을 형성하였다. 다음에, 스퍼터법에 따라, 제2 산화물층인 SiO2막을 300 ㎚의 막 두께로 성막하였다. 스퍼터 타겟에는, 붕소도프형의 Si 타겟을 이용하며, 스퍼터 가스에는, Ar 및 O2 혼합 가스를 이용하였다. 다음에, DC 스퍼터링법(타겟: IZO(In2O3-10％ ZnO), 스퍼터 가스: Ar, 파워: 250 W)에 따라, 두께 220 ㎚의 IZO를 적층하여 양극을 형성하고, 포토리소그래피에 의해 IZO를 정해진 패턴으로 형성하였다. 그 후, 포토프로세스에 의해, 발광시키는 부위에 창을 내도록 섀도우 마스크를 형성하였다. 마스크 개구부의 크기는, 약 80×240 ㎛이다. 다음에, IZO의 데이터 라인 위에 배열된 섀도우 마스크의 창의 간극에, IZO와 직교하는 방향에 음극 분리벽을 배치하고, 매트릭스 구동의 구조를 제작하였다. 다음에, 진공 중에서, 유기 EL층을 증착에 의해 성막한 후, 진공을 깨지 않고 막 두께 200 ㎚의 Al 전극을 IZO와 직교하는 패턴으로 형성하였다. 다음에, 유기 EL층이 대기 폭로되지 않도록 건조 질소 분위기 하에서 평행 평판형 CVD 장치에 내장하여, 질화규소막을 성막하였다. 성막 조건은, SiH4 가스 유량을 60 sccm, NH3 가스 유량을 50 sccm, N2 가스 유량을 2500 sccm, H2 가스 유량을 30 sccm, 가스압을 100 ㎩, RF 인가 전력을 1000 W로 하였다. 이때의 질화규소막의 내부 응력은 -20 ㎩였다. 기판 스테이지의 온도는 80℃로 하고, 질화규소막의 막 두께가 3000 ㎚가 되도록 성막 시간을 조정하였다. 이때의 질화규소막의 굴절률은 1.88이었다. 그 후, 유리 기판과 UV 경화 접착제를 이용하여, 글로브 박스 내에서 밀봉하였다.
비교예 1
질화규소막의 성막 조건은, SiH4 가스 유량을 60 sccm, NH3 가스 유량을 50 sccm, N2 가스 유량을 2500 sccm, H2 가스 유량을 300 scom, 가스압을 145 ㎩, RF 인가 전력을 1000 W로 하였다. 기판 스테이지의 온도는 80℃로 하고, 질화규소막의 막 두께가 3000 ㎚가 되도록 성막 시간을 조정하였다. 이때의 질화규소막의 굴절률은 1.91이었다. 그 외의 조건은, 실시예 1과 동일하게 행하였다.
비교예 2
질화규소막의 성막 조건은, SiH4 가스 유량을 60 sccm, NH3 가스 유량을 50 sccm, N2 가스 유량을 2500 sccm, H2 가스를 첨가하지 않음, 가스압을 90 ㎩, RF 인가 전력을 1000 W로 하였다. 이때의 질화규소막의 내부 응력은 -60 ㎩였다. 기판 스테이지의 온도는 80℃로 하고, 질화규소막의 막 두께가 3000 ㎚가 되도록 성막 시간을 조정하였다. 이때의 질화규소막의 굴절률은 1.88이었다. 그 외의 조건은, 실시예 1과 동일하게 행하였다.
실시예 1 및 비교예 1?2에서 얻어진 유기 EL 디스플레이에 대해서, 신뢰성 평가를 행하였다. 얻어진 유기 EL 디스플레이를 60℃, 95 RH(relative humidity)％ 환경 하에서 1000시간 방치하고, 1000시간 방치 후의 100 ㎠당의 다크 스폿의 개수를 관찰하고, 이 개수를 300 피크셀분 수집하여 그 평균값을 산출하였다. 표 3에, 그 산출 결과를 나타낸다.
Figure pct00003
표 3으로부터, 비교예 1?2와 비교하여, 실시예 1에서 얻어진 유기 EL 디스플레이에서는 다크 스폿의 수를 억제할 수 있었던 것이 나타났다.
10 : 기판 20 : 유기 EL 소자
21 : 제1 전극 22 : 유기 EL층
23 : 제2 전극 30 : 밀봉막
40 : 색변환 필터층 50 : 평탄화층
60 : 패시베이션층

Claims (5)

  1. 기판과, 상기 기판의 위에 형성되는 유기 EL 소자와, 상기 유기 EL 소자의 위에 형성되는 밀봉막을 구비하는 유기 EL 디바이스로서,
    상기 밀봉막은, H를 함유하는 질화규소막이며,
    상기 H 함유 질화규소막 내의 H 함유량은 0.85 at％?0.95 at％인 것인 유기 EL 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 질화규소막의 막 두께는 1000 ㎚?5000 ㎚인 것인 유기 EL 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 질화규소막의 내부 응력의 절대값은, 50 ㎫ 이하인 것인 유기 EL 디바이스.
  4. 기판 위에 유기 EL 소자를 형성하는 단계와, 상기 유기 EL 소자 위에 밀봉막을 형성하는 단계를 적어도 포함하는 유기 EL 디바이스의 제조 방법으로서,
    상기 밀봉막을 형성하는 단계는, 수소 원자 또는 수소 분자를 함유하는 질화규소막을 형성하기 위해, SiH4와 NH3와 N2와 H2를, 상기 H2의 첨가 유량을 상기 N2의 유량에 대하여 1 체적％?5 체적％로 하여 혼합하는 단계를 적어도 포함하는 것인 유기 EL 디바이스의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 밀봉막을 형성하는 단계에서의, 상기 질화규소막의 성막 속도는, 2.8 ㎚/sec 이하인 것인 유기 EL 디바이스의 제조 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5567934B2 (ja) * 2010-08-09 2014-08-06 富士フイルム株式会社 非晶質窒化珪素膜とその製造方法、ガスバリア性フィルム、並びに、有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法および封止方法
JP2013077460A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネル及び有機ｅｌディスプレイ
JP6560923B2 (ja) * 2015-07-27 2019-08-14 東レエンジニアリング株式会社 封止膜形成装置および封止膜形成方法
KR101674506B1 (ko) * 2015-08-10 2016-11-10 에이피시스템 주식회사 복합 가공 방법을 이용한 섀도우 마스크의 제조방법 및 이에 의해 제조된 섀도우 마스크
JP6232041B2 (ja) * 2015-12-18 2017-11-15 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3817081B2 (ja) 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2001176653A (ja) 1999-12-14 2001-06-29 Seiko Instruments Inc 有機ｅｌ素子
JP4600857B2 (ja) * 2000-10-27 2010-12-22 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子
US7042024B2 (en) * 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
JP3948365B2 (ja) * 2002-07-30 2007-07-25 株式会社島津製作所 保護膜製造方法および有機ｅｌ素子
US7086918B2 (en) * 2002-12-11 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Low temperature process for passivation applications
JP2005183147A (ja) 2003-12-18 2005-07-07 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2005285659A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ装置及びその製造方法
JP2006278230A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sanyo Electric Co Ltd 有機発光表示装置及び有機発光表示装置の保護膜形成方法
US7696683B2 (en) * 2006-01-19 2010-04-13 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent element and the manufacturing method
JP2007273094A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2008226472A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Tokyo Electron Ltd 電子デバイス、電子デバイスの製造方法、封止膜の構造体、電子デバイスを製造する製造装置およびプラズマ処理装置
JP2009076232A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Fujifilm Corp 環境感受性デバイス、環境感受性素子の封止方法
WO2009099009A1 (ja) * 2008-02-08 2009-08-13 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法

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