TW395086B - Wafer and surface acoustic wave device - Google Patents

Description

A7 B7 發明説明·{ 本發明係有關在通信裝置，移動電話等電子通信領域 (無線電子工程及音響電子工程等領域）中，用於帶_ 波器、振盈器、延遲線，疊加琴件等筛選特定頻率的用途 等的晶圓及.表面聲波（SAW)裝置。 以往，眾所周知，在電子通信領域中，使用由st_切 割之水晶晶體、银酸裡晶體、组酸鐘晶趙的結晶元件所製 得之裝置來筛選特定的頻率。ST_切割水晶晶趙的結晶元 件今許一表面聲波在X轴方向或與相對於X軸至Μ。 :之間的角度範圍内被激勵。使用ST•切割水晶晶體的結 晶元件的裝置，在高達約1ppm/tT展現出溫度穩定性。 但是，該結晶元件具有低電氣機械結合系數，因而無 法提供出一具中間頻帶的裝置，且其有另有一缺點，其會 造成表面聲波的傳播速度㈣，因此使得t置的尺寸較 大’且結晶材料的消費量比高。 鈕酸鋰晶體或鈮酸鋰晶體的晶體元件所建構出之裝置 係廣泛應用於各種對溫度特性要求不太高、但又要求寬的 帶通帶寬的無線電子設備。 部 屮 头 il n _τ 消 il· 合 η a 卬 t 但是，使用由鈮酸鋰晶體的結蟲元件，鈕酸鋰晶體所 建構之結晶元件的裝置具，其在溫度穩定性差至4〇p_ C或40ppmrC以上，因此，不能用於窄帶及中等帶寬的 裝置。再者，表面聲波的傳播速度比較高，因此，裝置的 尺寸比較大，結晶材料的消費量也比較多。 本發明係基於前述的缺點而製作的。 因此’本發明的目的是提供種新型的晶圓，它用於 -4- 本紙張尺度通财國 (210X297公釐） 經;/.部屮^;ir.if/.;,.;^.t.消於合竹打卬？^ A7 p—-------— B7 ______________________ .五、發明説明（2 ) 在通信裝置、移動電話等電子通信領域（無線電子工程及 音響電子工程等領域）中，帶通濾波器、振盪器、延遲線、 登加器件等篩選特定頻率的用途。 ’ 另外’本發明的另一目的是提供一種溫度穩定性高、 且尺寸小型化的表面聲波裝置。 依據本發明，一種三角鑭/鎵矽酸鹽（即所謂的 Langasite)晶體以一定的切割角α切割所得的晶圓。設 若將三角鑭/鎵矽酸鹽晶體的晶轴分別作為X (電氣轴）、 Υ軸（機械軸）、Ζ軸（光學軸）時，上述晶圓係被切割 成，該晶圓的表面的法線（η)在Υ-Ζ面内從γ軸逆時針旋轉 直至Υ軸之切割角為20。盔40。或該晶圓的表面的法 線（η)在Υ-Ζ面内從γ軸順時針旋轉，直至與γ軸的角度為_ 1.5。S a $ 15。。 依據本發明，其係提供一種包含有晶圓的聲波裝置， 該晶圓係三角鑭/鎵矽酸鹽晶體以一定的切割角（“、召） 切割。預定量的電壓信號施加於上述晶圓，而容許晶圓上 激勵起表面聲波，並使其沿晶圓傳播。 ♦ 在本案第二構型中，將三角鑭/鎵矽酸鹽晶體的晶軸 分別作為X軸（電氣軸）、丫轴（機械轴）、2轴（光學軸） 時，上述晶圓的表面法線（η)在Υ_Ζ面内，從γ軸逆時針旋 轉，直至與Υ軸的角度為20。各α客40。。另外，上述表 面聲波的傳播方向（s)在上述晶圓的表面内從X軸逆時針旋 轉’直至與X軸的角度為35。s $ 70。。 根據本發明的第二種結構是，將三角鑭/鎵矽醆鹽晶 -5- # 張尺度_ 巾關 (21(5χ^^----—_____ ^—-Ί,---·1---装 — I » (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ―訂 線 餌淤部中呔柃導曷--;!-τίν1'φ;"竹私卬4,,?ί A7 I-------—— B7 .五、發明説明（3 ) ' 體的晶軸分別作為χ軸（，電氣軸）、Y轴（機械軸）、Z軸 (光學軸）時，將三角鑭/鎵矽酸鹽晶體以一定的切割角 (α '冷）切割，而使得在該晶圓的表面之法線（n)在γ_ζ面 内’從Υ軸順時針旋轉與γ軸所成角度為d 5。$ α $ 15。 ^ 另外’上述表面聲波的傳播方向（S)在上述晶圓表面内， 從X轴逆時針旋轉與χ軸所成的角度為70S万$ 12〇。。 在本發明的較佳實施例中，是設置有一具有一用於激 勵表面聲波對之激勵電極與一對輸出電極的上述晶圓，該 輸出電極係用於將在晶圓上傳播的表面聲波轉換為電信 號。該激勵電極與對輸出電極係被配置成在沿上述表面聲 波的傳播方向（S)彼此呈並排設置。 在本發明的較佳實施例中，是設置有一具有反射器的 晶圓’該反射器反射沿上述晶圓傳撺的表面聲波。 附圖的簡要說明.： 本發明所附帶有之上述與其它目的係可容易地被了解 到’當參考下列附圖並參照下列的詳細說明時，本發明變 得更清楚。 第1圖是表示本發明的晶圓實施例的透視圊； 第2圖是表示本發明的表面聲波濾波器的另一實施例 的透視圖； 第3闽.是顯示於第2圖中之表面聲波濾波器的另一 面； 第4圖是表示第3圖的表面聲波濾波器的平面圖； 第5圖是第4圖的A-A線的剖面圖； ___________ -6- 本紙張尺度適元中國國家標準（CNS ) A4^fM 210X297公楚） '·: Ί ^-- (誚先閲讀.背面之注意事項再楨寫本頁)

*1T A7 B7 .五、發明説明（4 ) — ~~— - 第6圖疋第'4圖的B-B線的剖面圖； 第7圖疋本發明的表面聲波裝置的一個實施例平面 圖； 第8圖是圖示表示，由實驗所獲致之第7圖所顯示的 表面聲波裝置的中心頻率之溫度特性。 今參照以下附圖來描述本發明。 首先參見第1圖，其例示說明本發明的晶圓的實施 例。在第1圖中參考編號為i之晶圓係為由以一定的切割 角α切割而得之三角鑭/鎵矽酸鹽晶體所建構出的。若將 二角爛/鎵矽酸鹽晶體的晶軸分別作為父轴（電氣軸）、Υ 軸（掸械軸）、ζ軸（光學軸）時，上述晶圓丄係被切成， 使在晶圓表面上的法線（η)在γ_Ζ平面内從Υ軸逆時針旋轉 的角度為20。$ Μ40。或者，晶圓的表面的法線（η)在 γ-ζ面内、相對次丫_軸，從γ軸順時針旋轉的角度為_1.5。 “ S 15° 。 由上述利用以預定切割角α切割而得的三角鑭/鎵矽 酸鹽晶體的晶圓1當被設置於一表面聲波裝置時，可按一 定的切割角沒表切割。更特別的是’該晶圓工係被切割， 而使得表面聲波的傳播方向（s)為在上述晶圓丄的表面 内，從X轴逆時針轉動角為35。$ /3 $ 70。或者，表面聲 波的傳播方向（S)為在上述晶圓i的表面内，從χ軸逆時針 轉動的角度為70。$万$120。。如切割的晶圓容許該表 面聲波裝置顯現出南的溫度穩定性’且尺寸小型化。 在第1圖中，符號P是向晶圓1的表面的γ_ζ面的投 ____ -7- 本紙張 CNS) Α4 規格.（加---~-_____ ------1- — -Γ- —装-----丨訂^------線 (誚先閲讀背面之注意事項再"朽本頁) A7 B7 五、發明説明（5 ) 影線，S-Χ-Ρ平面在晶圓工的表面内，在s_x_p面内，X軸 與投影線P所成的夾角為90。。另外，在第1圖中，丫_〜 Ζ-Ρ平面在Υ-ζ平面内。如上所述，在第丄圓的實施例中， 在晶® 1的表面的法線（n)係具有在γ_ζ面内從γ軸順時針 旋轉而成之切割角α。 第2圖例示說本發明的表面聲波裝置的實施例。在第 2圖的表面聲波裝置係為表面聲波濾波器（壓電元件）形 式表面聲波遽波器包含有將三角鑭/鎵梦酸鹽晶翘 (La3GasSi〇14)按一定的切割角（α、召）切割而得到晶 圓（壓電板）1，且該表面聲波濾波器係被建構成，經由 在上述晶圓1上施加一定的電壓信號，而在在晶圓i上激 勵起表面聲波’並使其沿晶圓1傳播。 即’在第2圖的實施例之表面聲波裝置包含有一由三 角鑭/鎵矽酸鹽晶體所構成的晶圓1以及一對激勵電極對 2a、2b，其係用以激勵被配置在該晶圓1之主表面上之 表面聲波’其激勵方式係為在表面聲波的相位速度方向（以 下稱為表面聲波的傳播方向）（S)上，隔有一定的間隔△ X1。因此’對竑組激發電極對2a、2b上以成對的形式而 自’例如電源50 ’施加高頻電壓，可使得表面聲波在晶 圓1表面激勵，並沿晶圓1傳播。 另外’第3、4圖例示說明了本發明的表面聲波裝置 的另一實施例，第3圖是透視圖，第4圓是平面圊。在第 3、4圖的的表面聲波裝置’係呈表面聲波濾波器（壓電 元件）形式，其包含有一將三角鑭/錄矽酸鹽晶體

A7 B7 五、發明説明（6 (La3Ga5Si014)按一定的切割角（α、幻切割而得的晶 •圓（壓電板）1。經由對上述晶圓U施加_定的電:曰信 號’可在在晶圓1上激勵起表面聲波，並使其沿晶圓工傳 播再U ® 1傳推'的表面聲波轉換為電信號，再將之 輸出》 詳言之，第3、4圖的表面聲波裝置包含有—由三角 鑭/鎵石夕酸鹽晶體所構成的晶圓工以及一對激勵電極對一 2a、2b ’其係用以激勵被配置在該晶圓工之主表面上之 表面聲;皮纟激勵方式係為在表面聲波的相位速度方向（以 下稱為表面聲波的傳播方向）（5)上，隔有一定的間隔△‘ 另外在曰曰圓1的主面上設置有一對取出電極對3a、 3b ’其言5：置方式乃是沿該表面聲波的傳播方向⑻，隔有 -定的間隔Δχ2。該輸出電極3a、3b係作用來轉變在圓 上傳播的表面聲波碑電信號而後將之輸出。成對之激發電 極2a、2b與成對的輸出電極3a、3b是沿表面聲波的傳播 方向（S)並列s又置的。據此得知，該方向⑻可以定義為激 勵電極對2a、2b’的主軸方向’或者，可以定義為激勵電 ㈣+心與取出電極對3a、3B的中心的連接線 上的方向。 另外，在第3、4圖的表面聲波裝置中，也建構，在 上述晶圓1上再形成一對用於反射沿晶圓傳播的表面聲波 的反射體4、5。在配置有一對反射體4、5的情況下， 可使得該表面聲波裝置作為使激勵的表面聲波在該反射艘 4、5之間振盪或共振的振盪器。 -· 本紙張尺颇财ϋ國巧準（CNS ) Α4規格（270 X 297^7 „----.--rl--装-- (誚先閲讀背面之注意事項再功寫本頁)

、1T Μ 部 中 k il 41- 而 ii jr 消. fc 合 η 卬 線-----ΓΙ. — _一 i—.l·. 朽沪部屮"ir41·而m-T消於合竹私卬4,,-?: A7 ------------——-_________ B7 五、發明説明（7 ) '~~~' —--- 轉明的目的’如上所述，是提供一種溫度穩定性高 的且小型化的表面聲波裝置。為實現該目的，本案發明人 4細研究。結果發現，本發明的目的係可達成。如該第— 種構形所不，若將三角鑭/鎵妙酸鹽晶體的晶轴分別作為X 軸（電氣軸）、Y軸（機械軸）、2軸（光學軸）時，在 第2、3及4圖中之晶圓工係被切割，而使該晶圓表面的 法線（η)在Υ-ζ面内從γ軸逆時針旋轉與丫軸所成的角度為 20。S α以〇。，而上述表面聲波的傳播方向⑻則具有 一切割角/5,即以在晶圓X的表面内從χ轴逆時針旋轉與 X轴所成的角度為35。$々$70。切割角。 本發明的目的如同該第二構型的情況下，亦可達成， 將二角鑭/鎵矽酸鹽晶體的晶軸分別作為χ軸（電氣軸）、 γ轴（機械軸）、Ζ軸（光學軸）時，在第2、3及4囷 的實施例之晶圓1係被切割成，該晶圓1.的表面法線（η) 在Υ-Ζ面内從丫軸順時針旋轉與γ軸所成的角度為2〇β S 40° ’而上述表面聲波的傳播方向（s)在晶圓1的表面 内從X軸逆時針旋轉與X軸所成角度為7〇。$石$12〇。。 由於以第一與第二構型之切割角（α、召）來切割晶 圓1 因而可使得表面聲波裝置顯現高的溫度穩定高以及 尺寸小型化。 以下說明第2、3或4圖的表面聲波裝置的具體的結 構與尺寸。

在第2、3及4圖中之表面聲波裝置，該晶圓1的大 小（尺寸）可以小型化至其長度L為4.4mm左右、寬度W -10- 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS·) A4規格（210X297公釐）

A7 B7 五、發明説明（8 ) 為1.9mm左右、厚度D為〇 4mm。 如第5圖所不，為第4圖的A-A線的剖面圖之一對激 勵電極2a、2b與一對輸出電極對3a、3b，其自各是由厚 度E為1200人左右的導電性材料製成的，並埋入從晶圓 1表面算深度為500入左右。因此，該等電極各係被配置 從晶圓的表面僅突出7〇〇A左有。在激發電極對2a、2b之 間的間隔Λχ1與在一輸出電極對3a、3b之間的間隔Λχ2， 皆可被设定為’例如1.5 A m左右。另外，位在該對激發 電極2a、2b的中心與該對輸出電極3a、3b的中心之間的 間隔L1，可被設定為，例如3mm左右。 如為第4圖的B-B線的剖面圖第6圖所示，反射器之 一或反射體4是在晶圓1以溝4a形成，該溝係為，例如， 以在0.3#m的間距相間隔而形成深5〇〇入：寬15以阳的溝 4a。而另一反射體5 (圖中未示出）也與上述一侧的反 射體4 一樣，以3.0 // m的間距在晶片1上形成深5〇〇入、 寬1 _5 e m的溝。於是，一側的反射體4與另一侧的反射 艘5對於在晶圓1上傳播的表面聲波來說，發揮一對反射 系統（一對雙溝‘的反射體）的功能。此時，反射趙4、. 5係 被配置，彼此之間的間隔L2設定為，例如5mm左右。 其後說明在第2、3或4圊所示之第一與二構型之表 面聲波渡峰器的操作方式。 在激發電極對2a、2b之間施加源自電源5〇的高頻電 壓（例如，400〜600MHz)左右的頻率、〇彳乂左右的電. 壓幅度）作為輸入信號，則該激發電極對2a、2b使得表 (銷先閱讀背面之注意事項再碘寫本筲) •裝. ,ιτ ' -11 - A7 B7 發明説明（ 面聲波在由三角鑭/鎵矽酸鹽晶體所構成之晶圓4上激勵 起。所激勵起的表面聲波以2.5-2.9Km/s的傳播速沿晶圓 1傳播。此時的表面聲波的傳播速度或設備的特性頻率對 溫度依賴性降低小。例如，在溫度範圍_24〜+44°C内， 表面聲波的頻率的變化為1 X 1〇-6MHz/°C左右。在第3、 4圖的裝置，可以將沿晶圓；i傳播的表面聲波以電信號的 形式而自輸出電極對3a、3b上輸出。更特別的，當表面 聲波到達輸出電極對3a、3b時，在輸出電極對3a、北之 間會引起電壓，可將該引起電壓以輸出信號輸出。此時， 在輸出電極3a、3b之間輸出的輸出信號具有為4〇〇〜 600MHz左右的頻率及〇_〇7V左右電壓幅度。 · 這樣，使用以第一或第二種構型的切割角（α、冷） 切割的晶圓1所建構的表面聲波裝置，相較於習知技術， 可以得到沿晶圓1傳播的表面聲波的傳播速度被降低到 2·5〜2.9Km/s左右的傳播速度，因而元件（設備）的尺 寸也可比現有的小。 另外，以第一或第二種結構的切割角（α、召）切割 出的晶圓1的表面聲波裝置，可使得表面聲波的傳播速度 或裝置的特性頻率對溫度依賴性降低。例如，在溫度範圍 -24〜+44°C中，表面聲波的頻率的變化為1χ1〇_6ΜΗζ/ °C，與習知技術相比，該表面聲波裝置顯現出高的溫度穩 定性 在本梦明的表面聲波裝置中’激發電極2a、2b與輸 出電極3a、3b是可形成為任何所欲的形狀和大小。另外， ,J2· (讀先閱讀背面之注意事項再"寫本頁)

A7 B7 好沪部屮呔i.rif/.Jh 丁-消於合作扣卬製 五、發明説明（10 反射體4、5係可形成任何所欲的形狀和大小：再者，在 -實施例中’反射體4、5各自以溝的形式設置在晶圓丄 上。或者，其可利用諸如蒸链等適合的技術來形成。 參照下列的實施例，本發明將更容易地被了解，但是， 實施例僅是用來例示說明該發明，而非釋解說明 實施例 發明人製備-為本案實施例且如第7圖所示的表面聲 波裝置（振盪器），並對其特性進行研究。晶圓工由三角 鑭/鎵石夕酸鹽晶體所構成將ue&s·丨〇14晶體以上述的第一 種結構或第：種結構的切割肖（Ω0 )切割而得：該經 切割的晶圓’在經表面研磨與光刻法蒸鍍後，形成一包含 有設置於其中之兩組電極對（2a，2b)、（3a、3b)的IDT間數 位傳’輸系統。再者，另外一包含有兩組反射體4、5的溝 道反射體系統亦形成於該晶圓彳上。 而且，晶圓1係被形成小至具長度L為4 4mm左右、 寬度W.為1.9mm左右、厚度d為0.4mm的尺寸。另外，在 激發電極對2a、2b之間的間隔Λχΐ與在輸出電極對3a、3b 之間的間隔△ ’係設定為1.5/zrn。於是，對在激發電 極對2a、2b之間外加源自於電源50的高頻電壓（例如，4〇〇 〜600MHz左右的頻率，〇.1 v左右的電壓幅度），以作為 作為輸入信號，而造成表面聲波在三角鑭/鎵矽酸鹽晶體 的晶圓1上為激勵電極對2a、2b所激勵起。 在第8圖中，表示了基於這種構成的表面聲波褒置的 中心頻率數的實驗的溫度特性的一例。如第8圏所示，該 -13- 私紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4^ ( 21〇χ297公资） ；--：丨~_--.----装-----丨丨訂------線 (#先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（u)

赳铲部中 ^ir^-XJji.T^^^^.-^^f 表面聲波裝置中容許激發的表面聲波以2.5_29Km/s的傳 播速度沿晶圓傳播，同時可使，得表面聲波的傳播速度或裝 置的特徵頻率）對溫度依賴性降低，且在溫度範圍_24〜 +44C之間’振盪頻率數的變化為1x1〇-5MHz/°C。該裝 置之如此特性，相較現有類型的表面聲波裝置所具有的特 性’是具％顯著的改良的。 再者，兩個樣品（SP1、SP2)以第一種構型的切割角 (α ·.、召）切割的晶圓的表面聲波裝置的試驗材料。同樣 地，•兩個（SP3、SP4)以第二種構型的切割角、点） 切割的晶圓的表面聲波裝置的試驗材料。於是，對於製得. 之四個試驗材料SP1、SP2、SP3、sp4進行其在幾個溫 度點的振盪頻率（中心頻岸）_z)的檢測。其結果如下 表（表1)所示。 〔表1〕 振盈頻率數（中心頻率數）（MHZ) 樣品 -39t -24°c +18°C SP1 537,48 537.49 537.49 SP2 536 02 ' 536.01 536.02 SP3 497.74 497.79 497.82 SP4 497.87 497.90 497.95 +44 °C 537.42 535.97 497.80 497.92 + 72\ 537.3 535.8 497.7 497.8 從表1中可以看出，.每個試驗材料SP1、SP2、 及SP4與現有類型的表面聲波裝置相比，皆顯現出有报女 的溫库穩疋性。另外’由於表面聲波的傳播速度小，所上

97公釐） J.---τ---:-I装—— (1¾先閱讀背面之注意事項再硪寫本茛) 訂 、發明説明（l2 裝置的尺寸也可小型化。 另外準備—包含非以本案第…第二種結構的切割 、α、/5㈣的晶圓的表面聲波裝置，同樣地進行其 在各溫度點的振盪頻率（屮、 月手（f〜頻率）（MHz)。其結果顯示， 該樣品之溫度穩定性顯著受到損害，至為30Ppm/t)。 、看出肖現有類型的表面聲波裝置相&，為提供 一在溫度敎性顯著改進、降低表面聲波的傳播速度且裝 置尺寸小型化之表面聲波裝置，一由三角爛/嫁石夕酸鹽晶 體的晶圓較佳按上述第一或第二種構型的切割角“ D 來切割。 由上述說明可知，本發明的晶圓，可提供一溫度穩定 性高且小型化的表面聲波裝置。 ， 本發明的表面聲波裝置亦可顯示出高之溫度穩定性且 不尺寸顯著小型化。 雖本發明較佳實施例已參照圖式而作了特殊的揭示， 但棊於上述揭示内容亦可能有明顯的修飾與變化。因此， 可了解的本發明可以落在所附申請專利範圍内的而非在此 特定說明者來實施。 η 閱 讀 背 面 之 項 ^ 再填I 寫裝 i 訂 15- 本紙張尺度通用巾國國家縣（CNS ) A4規格（2丨〇χ297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 Ag B8 C8 ___ _ D8 , 六、申料舰® — — •.第86107251號專利再審查案申請專利範圍修正本 修正日期：88年3月 1. 一種晶圓，其係由以預定的切割角α切割之三角鑭/鎵 矽酸鹽晶體所構成的，設若該三角鑭/鎵矽酸鹽晶體的 晶轴分別作為X軸（電氣轴）、γ軸（機械軸）、之軸 (光學軸）時，該晶圓是被切割成，在該晶圓表面之 法線（η)具有一角度《，其在Υ-Ζ面内從γ軸的逆時針旋 轉角度為20。或者其在γ_ζ面内從γ軸順時 針旋轉的角度為-1.5。Sa $15%。。 2. —種表面聲波裝置，其包含有一種由以預定的切割角 (α、石〉切割之三角鑭/鎵矽酸鹽晶體所構成的晶圓， 施加一預定量的電壓信號至該晶圓上，以使得該 表面聲波在該晶圓上被激勵並在該晶圓上傳播； 设若該三角鑭/鎵矽酸鹽晶體的晶轴分別作為X軸 (電亂軸）、γ軸（機械抽）、Ζ抽（光學軸）時，該 a曰圓疋被切割成，在該晶圓表面之法線（η)具有一角度 α，其在Υ-Ζ面内從Υ軸的逆時針旋轉角度為20。客α -40 ，且在‘該表面聲波的傳播方向（S)係具有一切割 角Θ，其在晶圓的表面内從X軸逆時針旋轉的角度為35 ° S /3 $ 70。。 3.如申請專利範圍第2項之表面聲波裝置，其中在該晶 圓上設置有一對用以激勵表面聲波的激勵電極以及一 對用以將該表面聲波轉變成電信號的輸出電極， 其中該激勵電極與該輪出電極係被配置彼此在表 _______ -17- 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0><297公着 f請先閲讀背面之注意事^再填寫本頁) 裝------訂--- 線--- Α8 Β8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 々、申讀專利範圍 面聲波的傳播方向（S)上是彼此呈並排設置。 4. 如申請專利範圍第2項之表面聲波裝置，其中在該晶 圓上設置有一用於反射在該晶圓上傳播的表面聲波之 反射體。 5. —種表面聲波裝置’其包含有一種由以預定的切割角 (α、泠）切割之三角鑭/鎵矽酸鹽晶體所構成的晶圓， 施加一預定量的電壓信號至該晶圓上，以使得該 表面聲波在該晶圓上被激I勵並在該晶圓上傳播； 設若該三角鑭/鎵矽酸鹽晶體的晶軸分別作為又轴 (電氣抽）、Υ抽（機械轴）、Ζ抽（光學轴）時，該 晶圓是被切割成，在該晶圓表面之法線（η)具有一角度 α ’其在Υ-Ζ面内從Υ軸的逆時針旋轉角度為_15$α $ 15° ’且在該表面聲波的傳播方向（S)係具有一切割 角泠，其在晶圓的表面内從X軸逆時針旋轉的角度為7〇 。S /5 S 120。。 6. 如申請專利範圍第5項之表面聲波裝置，其中在該晶 圓上設置有一對用以激勵表面聲波的激勵電極以及一 對用以將該表面聲波轉變成電信號的輸出電極， 其中該激勵電極與該輸出電極係被配置彼此在表 面聲波的傳播方向（S)上是彼此呈並排設置。 7. 如申請專利範圍第5項之表面聲波裝置，其中在該晶 圓上設置有一用於反射在該晶圓上傳播的表面聲波之 反射體。 n n nn· if— 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 -18-