WO2016104659A1 - 弾性表面波デバイス - Google Patents

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WO2016104659A1
WO2016104659A1 PCT/JP2015/086141 JP2015086141W WO2016104659A1 WO 2016104659 A1 WO2016104659 A1 WO 2016104659A1 JP 2015086141 W JP2015086141 W JP 2015086141W WO 2016104659 A1 WO2016104659 A1 WO 2016104659A1
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acoustic wave
surface acoustic
propagation
plane
wave device
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陽一 野々垣
嘉将 木下
隆志 赤羽
智史 早田
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シチズンホールディングス株式会社
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    • G01K11/265Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using measurement of acoustic effects of resonant frequencies using surface acoustic wave [SAW]
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    • H10N30/09Forming piezoelectric or electrostrictive materials
    • H10N30/093Forming inorganic materials
    • H10N30/095Forming inorganic materials by melting

Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave device.
  • a surface acoustic wave device using surface acoustic waves is used as a so-called band-pass filter or as a sensor for remotely measuring the temperature and pressure of a measurement target.
  • Patent Document 1 discloses a wireless temperature measurement sensor using a surface acoustic wave (SAW).
  • SAW surface acoustic wave
  • the sensor is also applicable to various sensors such as pressure, displacement, humidity, and gas component analysis.
  • the piezoelectric material used in the sensor include quartz, lithium tantalate, lithium tetraborate, and langasite in addition to lithium niobate.
  • Patent Document 2 discloses a surface acoustic wave sensor that can be wireless and uses a langate as a piezoelectric material.
  • JP 2004-129185 A Japanese Patent No. 4470590
  • the piezoelectric materials variously described in the above-mentioned patent documents are not suitable as a constituent material depending on a certain application of the surface acoustic wave device.
  • quartz is a typical piezoelectric material, it undergoes ⁇ transition at 573 ° C. and loses its piezoelectricity, so it cannot be used in a high temperature environment.
  • the acoustic velocity of the surface acoustic wave is about 2500 m / s, which is slower than other materials.
  • the surface acoustic wave frequency is proportional to the sound speed and inversely proportional to the wavelength, which means that if the sound speed is slow, the surface acoustic wave frequency is lowered.
  • the wavelength may be shortened, but the wavelength of the surface acoustic wave excited on the surface of the piezoelectric material depends on the pitch of an interdigital electrode (IDT) formed on the surface. Therefore, there is a limit to the resolution when forming the comb-shaped electrode. Accordingly, the surface acoustic wave frequency that can be used for the surface acoustic wave device has an upper limit corresponding to the piezoelectric material.
  • the surface acoustic wave frequency is also a frequency of electromagnetic wave communication for remote measurement. Therefore, if the frequency is low, the antenna for transmission and reception becomes large. This indicates that a small surface acoustic wave sensor excellent in handling cannot be obtained.
  • the above-mentioned Langasite or Langate cannot use a band of 2 to 2.5 GHz or higher, so it is difficult to obtain a wireless sensor of practical size because it is limited in its use as a filter. .
  • the constituent elements include so-called rare metals such as lanthanum, gallium, and tantalum, rare elements called rare earths, it is difficult to stably supply them.
  • piezoelectric material that can be used for surface acoustic wave devices so far, can withstand high temperatures up to 1000 ° C beyond quartz, and can be used in the band of 2 to 2.5 GHz or higher. I can't find anything that has a fast sound speed.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and the problem is to provide a novel and stable piezoelectric material that can withstand high temperature environments and can be used in a band of 2 to 2.5 GHz or higher. It is to provide a surface acoustic wave device for use.
  • a surface acoustic wave device having a piezoelectric substrate made of gehlenite (CAS: Ca2Al (AlSi) O7) single crystal and a comb-shaped electrode formed on a surface acoustic wave propagation surface of the piezoelectric substrate.
  • the surface acoustic wave propagation surface is a surface obtained by rotating the (001) surface by an angle ⁇ with respect to the [110] direction, and the surface acoustic wave traveling direction is the [110] direction.
  • a surface acoustic wave device satisfying 0 ° ⁇ ⁇ ⁇ 80 °.
  • the surface acoustic wave propagation surface is a surface obtained by rotating the (001) surface by an angle ⁇ with respect to the [110] direction, and the surface acoustic wave traveling direction is the [110] direction.
  • a surface acoustic wave device satisfying 60 ° ⁇ ⁇ ⁇ 90 °.
  • the surface acoustic wave propagation surface is a surface obtained by rotating the (001) surface by an angle ⁇ with respect to the [100] direction, and the surface acoustic wave traveling direction is the [100] direction.
  • a surface acoustic wave device satisfying 40 ° ⁇ ⁇ ⁇ 75 °.
  • the surface acoustic wave propagation surface is a surface obtained by rotating the (001) surface by an angle ⁇ with respect to the [100] direction, and the surface acoustic wave traveling direction is the [100] direction.
  • a surface acoustic wave device having 45 ° ⁇ ⁇ ⁇ 80 °.
  • the surface acoustic wave propagation surface is a surface obtained by rotating the (100) surface by an angle ⁇ with respect to the [001] direction, and the surface acoustic wave traveling direction is the [001] direction.
  • a surface acoustic wave device satisfying 20 ° ⁇ ⁇ ⁇ 70 °.
  • the surface acoustic wave propagation surface is a 45 ° Y-plane
  • the surface acoustic wave traveling direction is an elasticity in a range of ⁇ 45 ° to 45 °, where the 45 ° Z direction is 0 °.
  • the surface acoustic wave traveling direction is a propagation angle at which the value of sound velocity with respect to the propagation angle exhibits an extreme value in the surface acoustic wave propagation surface, or a surface acoustic wave device in the vicinity thereof .
  • the surface acoustic wave device is a surface acoustic wave device that is a sensor.
  • the surface acoustic wave device according to (11) having a terminal connected to the comb electrode and capable of sensing by wire.
  • the surface acoustic wave device is a surface acoustic wave device that is a filter.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a wireless temperature sensor, which is a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention. It is the graph which showed the measurement result of the speed of sound in a cut surface when a single crystal of gehlenite was cut in a specific cut surface to a propagation angle (direction in a cut surface). It is a figure explaining propagation angle psi when cutting gehlenite by the (001) plane. It is a figure explaining propagation angle psi when cutting gehlenite by the (111) plane. It is a figure explaining a 45 degree Y surface.
  • Propagation ⁇ is a graph showing the relationship between ⁇ and sound velocity, and ⁇ and electromechanical coupling coefficient when the propagation angle is 0 ° on the rotation Z-plane.
  • wireless pressure sensor which is a surface acoustic wave device concerning a 2nd embodiment of the present invention.
  • a filter which is a surface acoustic wave device concerning a 3rd embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is an external perspective view of a wireless temperature sensor 1 which is a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the wireless temperature sensor 1 is formed on a surface of a piezoelectric substrate 10 cut into a flat plate shape and a surface of a surface of a piezoelectric substrate 10 where a surface acoustic wave is excited and propagates.
  • An excitation electrode 12 that is a comb-shaped electrode, and a reflective electrode 13 that is also a pair of comb-shaped electrodes formed so as to sandwich the excitation electrode 12 are provided.
  • the excitation electrode 12 is connected to the antenna 15 via the matching circuit 14, while the reflection electrode 13 is a floating electrode in this embodiment.
  • the frequency band of the electromagnetic wave transmitted and received by the antenna 15 is an extremely high frequency region, and 2.45 GHz is assumed as an example.
  • the matching circuit 14 is a circuit for performing electrical matching, that is, so-called impedance matching when energy is transferred to and from the excitation electrode 12 using an electromagnetic wave of 2.45 GHz.
  • the matching circuit 14 and the antenna 15 are mounted on the mounting substrate 16 and attached to the base substrate 17.
  • the piezoelectric substrate 10 and the mounting substrate 16 are electrically connected by an appropriate method, for example, wire bonding.
  • terminals 18 are provided on the mounting substrate 16. The terminal 18 is connected to the excitation electrode 12 directly or via the matching circuit 14.
  • the matching circuit 14 is shown as using integrated chip parts, but the matching circuit 14 is created by individually mounting the inductor and the capacitor, or by using a wiring pattern formed on the mounting substrate 16. May be. Since the antenna 15 is easy to miniaturize, the antenna 15 is illustrated here as using a helical monopole antenna, but any antenna may be used depending on the frequency band to be used. Similarly to the matching circuit 14, it may be created by a wiring pattern formed on the mounting substrate 16.
  • the matching circuit 14 and the antenna 15 may be provided directly on the piezoelectric substrate 10 without preparing the piezoelectric substrate 10 and the mounting substrate 16 separately. In that case, the base substrate 17 can be omitted.
  • the electric power input from the antenna 15 to the excitation electrode 12 causes the piezoelectric substrate 10 to be indicated by an arrow A in the figure.
  • a surface acoustic wave traveling in a different direction is excited.
  • the traveling direction of the surface acoustic wave is perpendicular to the comb tooth portion of the comb electrode. Since the surface acoustic wave is reflected by the reflective electrode 13, a standing wave is generated on the piezoelectric substrate 10 and energy is accumulated.
  • the wireless temperature sensor 1 radiates electromagnetic waves from the antenna 15 at a frequency equal to the resonance frequency while consuming the energy accumulated as the surface acoustic waves.
  • the resonance frequency of the wireless temperature sensor 1 can be known. Since the sound speed of the piezoelectric substrate 10 has temperature dependence, the sound speed of the piezoelectric substrate 10 and thus the temperature can be known by knowing the resonance frequency.
  • a single crystal of gehlenite (CAS: Ca2Al (AlSi) O7) is used as the piezoelectric substrate 10.
  • the piezoelectric substrate 10 is obtained by cutting a gehlenite single crystal ingot produced by, for example, the Czochralski method at an appropriate angle so that a desired surface acoustic wave propagation surface 11 is obtained.
  • the gehlenite single crystal exhibits stable piezoelectric characteristics up to about 1200 ° C. and sufficiently withstands high temperatures.
  • the acoustic velocity of the surface acoustic wave depends on the cut surface, as will be described later, but generally shows a high value of 3500 to 4100 m / s, which is the resolution when a general stepper such as an i-line stepper is used.
  • a high frequency band of 2 to 2.5 GHz band or more can be used by using a comb electrode having a half wavelength of 365 nm.
  • gehlenite are calcium, aluminum, silicon, and oxygen, and are composed of extremely common elements, so that inexpensive and stable supply is possible.
  • the resonance frequency of the wireless temperature sensor 1 can be known by applying an alternating current of a predetermined frequency from the terminal 18 and then stopping the application of the alternating current and measuring the alternating frequency output from the terminal 18. Because.
  • both the antenna 15 and the terminal 18 are provided so that both wireless remote sensing and wired sensing are possible, but only wireless remote sensing is possible. In this case, the terminal 18 is unnecessary and may be omitted. If only wired sensing is possible, the antenna 15 and, in some cases, the matching circuit 14 may be omitted.
  • the sound velocity and the degree of loss on the surface acoustic wave propagation surface 11 of the piezoelectric substrate 10 depend on the orientation of the surface acoustic wave propagation surface 11 and the surface acoustic wave propagation direction. It is necessary to consider the crystal orientation.
  • FIG. 2 is a graph showing a measurement result of sound velocity at a cut surface when a gehlenite single crystal is cut at a specific cut surface with respect to a propagation angle ⁇ (direction in the cut surface).
  • the vertical axis represents the speed of sound
  • the horizontal axis represents the propagation angle.
  • the cut surface shown here corresponds to the surface acoustic wave propagation surface 11
  • the sound velocity propagation angle ⁇ corresponds to the surface acoustic wave propagation direction.
  • the speed of sound shown in the graph is a measurement result of a leaky surface acoustic wave.
  • Curve (1) in the graph is the result when cutting gelenite along the (001) plane.
  • the propagation angle ⁇ indicates its direction with the [100] direction being 0 ° and the counterclockwise direction being positive in the cut surface.
  • the crystal axes indicated by X, Y, and Z are described by a right-handed system, and the direction of the right screw is assumed to be positive with respect to the rotation direction.
  • the speed of sound in this case is approximately in the range of 3500 to 3600 m / s, has almost no propagation angle dependency, and shows a substantially constant value.
  • the 45 ° Y plane is shown in FIG.
  • the 45 ° Y plane is a plane obtained by rotating the (010) plane shown in the figure by 45 ° about the X axis in the illustrated direction.
  • the 45 ° Z direction is a direction rotated by 45 ° in the direction shown in the drawing with the Z axis as the center in the YZ plane, and the propagation angle ⁇ is 45 ° Z as shown in the figure.
  • the direction in the cut surface with the counterclockwise direction being positive with respect to the direction is shown.
  • the sound velocity in this case shows a maximum value when the propagation angle ⁇ is 0 °, and its distribution is almost in the range of 3600 to 4000 m / s. Further, when the propagation angle ⁇ is in the range of about ⁇ 45 ° to 45 °, the sound speed is almost close to the maximum value without showing a large change.
  • the 45 ° Y-plane is the surface acoustic wave propagation surface 11
  • an almost constant sound speed can be obtained over a wide range and the loss is small even if the surface acoustic wave propagation direction is not strictly defined. Means. Therefore, in forming the piezoelectric substrate 10, it is not necessary to strictly consider the in-plane crystal orientation when creating the comb-shaped electrode, and a slight angle shift is allowed in this case. In addition, its manufacture is facilitated.
  • the curve (4) in the graph is the result when the Langate is cut along the (010) plane, the propagation angle ⁇ in the [100] direction is 0 °, and the counterclockwise direction is positive. is there. It can be seen that the sound speed in this case is as low as about 2250 to 2750 m / s.
  • a plane that exactly matches the theoretical plane or direction indicated as the plane or direction It is intended to include not only the direction but also a range that can be practically identified with those surfaces and directions. That is, when a specific crystal plane, for example, the (001) plane is referred to, the physical properties are considered to be practically the same or approximate to the theoretically specified crystal plane (in this case, the (001) plane). It is considered to include the scope.
  • the direction and when referring to a specific direction, it is considered to include a direction in a range in which the physical property is considered to be the same or approximate in practice as the theoretically specified direction.
  • a specific direction it includes a direction within ⁇ 10 °, preferably within ⁇ 5 °, more preferably within ⁇ 2.5 ° with respect to the theoretically specified direction. Shall be.
  • FIG. 6 is a diagram of cutting gelenite at a plane obtained by rotating the (001) plane counterclockwise by an angle ⁇ with respect to the [110] direction (hereinafter, this plane is referred to as “[110] propagation ⁇ rotation Z plane”).
  • [110] direction is a graph showing the relationship between the propagation angle ⁇ and the sound velocity when the propagation angle ⁇ is 0 °. In the figure, changes with respect to the propagation angle ⁇ of the sound velocity when ⁇ is 0 °, 30 °, 45 °, 60 °, 80 °, and 90 ° are shown.
  • the loss is reduced at the propagation angle at which the sound speed is a minimum value, but as the curvature at the minimum value is larger (in the graph, the width is narrower and shown as a sharp dent), It can be said that the surface acoustic wave is preferable in terms of loss because the surface acoustic wave concentrates on the propagation angle ⁇ at which the sound velocity has a minimum value. Therefore, when the propagation angle ⁇ is set to 0 °, it can be said that ⁇ is closer to 90 ° in terms of loss. Also, the sound speed is approximately 3610 m / s to 3710 m / s, which is higher than that in the case of the Langate shown by the curve (4) in FIG.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between ⁇ and sound velocity, and ⁇ and electromechanical coupling coefficient (EMCC) when the propagation angle ⁇ is 0 ° in the [110] propagation ⁇ rotation Z plane. is there.
  • the speed of sound is indicated by a solid line
  • the electromechanical coupling coefficient is indicated by a broken line.
  • the electromechanical coupling coefficient is the ratio between the elastic strain energy accumulated in the piezoelectric body and the input electrical energy when alternating current is applied to the piezoelectric body to generate vibrational strain. This is an index indicating that electric energy is efficiently converted into elastic strain energy as the value of is larger.
  • the electromechanical coupling coefficient is large, the input electric energy is easily converted into elastic strain energy. Therefore, it is important that the electromechanical coupling coefficient is large in the surface acoustic wave device that requires quick response.
  • a surface acoustic wave device is, for example, a bandpass filter or a sensor with a high sampling rate.
  • the electromechanical coupling coefficient is not so important, and it is advantageous that the loss is small. Therefore, suitability as a surface acoustic wave device is determined by comprehensively considering the speed of sound, loss, and electromechanical coupling coefficient in accordance with the application.
  • the magnitude of the electromechanical coupling coefficient is more important than the loss for the surface acoustic wave device that requires quick response. Desirably, about ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ 80 °. If the propagation angle at which the speed of sound exhibits a minimum value is selected, a plane satisfying ⁇ ⁇ 30 ° may be selected. As a condition for satisfying both the speed of sound and the electromechanical coupling coefficient, the range of 40 ° ⁇ ⁇ ⁇ 70 ° is excellent.
  • a small loss is more important than a size of an electromechanical coupling coefficient.
  • a range of 60 ° ⁇ ⁇ ⁇ 90 ° with a large curvature at the minimum value may be selected.
  • FIG. 10 is a diagram of cutting gelenite along a plane obtained by rotating the (001) plane counterclockwise by an angle ⁇ with respect to the [100] direction (hereinafter, this plane is referred to as “[100] propagation ⁇ rotation Z plane”).
  • [100] direction is a graph showing the relationship between the propagation angle ⁇ and the speed of sound when the propagation angle ⁇ is 0 °. In the figure, changes with respect to the propagation angle ⁇ of the sound speed when ⁇ is 0 °, 30 °, 45 °, and 60 ° are shown.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining the [100] propagation ⁇ rotation Z plane.
  • the [100] propagation ⁇ rotation Z-plane is a plane indicated by a solid line obtained by rotating the (001) plane indicated by a broken line in the figure counterclockwise by ⁇ with respect to the [100] direction as shown in FIG. is there.
  • 0 °
  • this plane is equal to the (001) plane.
  • the propagation angle ⁇ is set to 0 ° in the [100] direction and positive in the counterclockwise direction within the cut surface ((001) plane is shown as the cut surface in FIG. 12).
  • FIG. 13 is a graph showing the relationship between ⁇ and sound velocity, and ⁇ and the electromechanical coupling coefficient when the propagation angle ⁇ is 0 ° in the [100] propagation ⁇ rotation Z plane.
  • the range of ⁇ is desirably about 40 ° ⁇ ⁇ ⁇ 75 °, and 50 ° ⁇ ⁇ for the surface acoustic wave device that requires quick response.
  • the range of ⁇ 70 ° is even better.
  • a range of ⁇ ⁇ 45 ° may be selected as the range of ⁇ , but the electromechanical coupling coefficient is almost 0. Since this range is inappropriate, a range of 45 ° ⁇ ⁇ ⁇ 80 ° may be selected.
  • FIG. 14 shows that the gehlenite is cut along a plane obtained by rotating the (100) plane counterclockwise by an angle ⁇ with respect to the [001] direction (hereinafter, this plane is referred to as “[001] propagation ⁇ rotation X plane”).
  • [001] direction is a graph showing the relationship between the propagation angle ⁇ and the speed of sound when the propagation angle ⁇ is 0 °.
  • the change with respect to the propagation angle of the sound velocity when ⁇ is 0 °, 15 °, 30 ° and 45 ° is shown.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining the [001] propagation ⁇ rotation X plane.
  • FIG. 17 is a graph showing the relationship between ⁇ and sound velocity, and ⁇ and electromechanical coupling coefficient when the propagation angle ⁇ is 0 ° in the [001] propagation ⁇ rotation X plane.
  • the range of ⁇ is preferably about 20 ° ⁇ ⁇ ⁇ 70 °, and 30 ° ⁇ ⁇ for a surface acoustic wave device that requires quick response.
  • the range of ⁇ 60 ° is even better.
  • the range of the electromechanical coupling coefficient is as follows. As an excellent range of 20 ° ⁇ ⁇ ⁇ 70 °, 30 ° ⁇ ⁇ ⁇ 60 ° may be selected.
  • FIG. 18 is an external perspective view of the wireless pressure sensor 2 which is a surface acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • the wireless pressure sensor 2 has a structure in which a base substrate 17 cut on a circular plate is held by a ring-shaped holding member 19, and the piezoelectric substrate 10 and the mounting substrate 16 are disposed on the base substrate 17.
  • the base substrate 17 is a diaphragm and is elastically deformed according to the pressure difference between the front and back sides of the wireless pressure sensor 2. Accordingly, the piezoelectric substrate 10 is also subjected to bending deformation, thereby changing the sound velocity of the surface acoustic wave.
  • the resonance frequency of the surface acoustic wave on the piezoelectric substrate 10 is determined by the same method as described in the previous embodiment.
  • the force acting on the base substrate 17, that is, the pressure difference between the front and back of the wireless pressure sensor 2 can be known.
  • the wireless pressure sensor 2 is attached by fixing the holding member 19 to an opening of a space to be measured by an appropriate method such as adhesion or bolting.
  • the surface of the piezoelectric substrate 10 is a surface acoustic wave propagation surface 11, and an excitation electrode 12 and a reflection electrode 13 are provided as in the wireless temperature sensor 1 according to the previous embodiment.
  • the configuration of the mounting substrate 16 is also the same.
  • components corresponding to those of the previous embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description thereof is omitted.
  • the base substrate 17 is a diaphragm
  • a structure in which the piezoelectric substrate 10 itself functions as a diaphragm may be used.
  • the matching circuit 14 and the antenna 15 may be provided directly on the piezoelectric substrate 10, or a mounting substrate 16 may be further provided on the piezoelectric substrate 10 and mounted on the mounting substrate 16.
  • this wireless pressure sensor 2 similarly to the previous wireless temperature sensor 1, a standing wave is excited on the surface acoustic wave propagation surface 11 of the piezoelectric substrate 10, and then the electromagnetic wave radiated from the antenna 15 is received. Measure with In this case, since the sound velocity of the piezoelectric substrate 10 changes due to the influence of the distortion of the piezoelectric substrate 10, the resonance frequency of the wireless pressure sensor 2 is known from the electromagnetic wave radiated from the antenna 15, and further the sound velocity of the piezoelectric substrate 10 is known. Thus, the distortion of the piezoelectric substrate 10 can be known.
  • the distortion of the piezoelectric substrate 10 is considered to reflect the distortion of the base substrate 17 and the mechanical characteristics of the base substrate 17 are known, it is easy to obtain the pressure difference inside and outside the piezoelectric substrate 10 from the distortion of the piezoelectric substrate 10. It is.
  • this wireless pressure sensor 2 as well, by using a gehlenite single crystal as the piezoelectric substrate 10, resistance to a high temperature environment can be obtained and a band of 2 to 2.5 GHz band or more can be used. Further, the inexpensive and stable supply of the piezoelectric substrate 10 and the selection of the surface acoustic wave propagation surface 11 and the surface acoustic wave traveling direction are the same as those of the wireless temperature sensor 1 described above.
  • FIG. 19 is an external perspective view of the filter 3, which is a surface acoustic wave device according to the third embodiment of the present invention.
  • the filter 3 is a filter having a passband characteristic as a bandpass filter, and an excitation electrode 12 is provided on one side of the surface acoustic wave propagation surface 11 on the piezoelectric substrate 10 and a reception electrode 20 is provided on the other side. It is formed as a comb electrode.
  • the piezoelectric substrate 10 is mounted on the base substrate 17, and the terminal 21, the excitation electrode 12, and the reception electrode 20 provided on the base substrate 17 are connected to each other by an appropriate method, for example, wire bonding.
  • the filter 3 when electric power is input from the terminal 21 on the excitation electrode 12 side, a signal in a frequency band determined by the pitch of the comb electrode and the speed of sound on the surface acoustic wave propagation surface 11 becomes a surface acoustic wave in the B direction in the figure. Propagated, received by the receiving electrode 20, and output from the terminal 21 on the excitation electrode 12 side.
  • the filter 3 is shown as a so-called transversal type SAW filter.
  • this filter may be designed as a SAW resonator type filter, and the arrangement of each electrode is the simple counter type shown here. Instead, various arrangements such as a ladder type may be employed.
  • this filter 3 by using a gehlenite single crystal as the piezoelectric substrate 10, resistance to a high temperature environment can be obtained and a band of 2 to 2.5 GHz band or more can be used. Further, the inexpensive and stable supply of the piezoelectric substrate 10 and the selection of the surface acoustic wave propagation surface 11 and the surface acoustic wave traveling direction are the same as those of the wireless temperature sensor 1 described above.

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Abstract

 高温環境に対する耐性と、2~2.5GHz帯以上の帯域の使用を可能とする新規かつ、安定供給可能な圧電材料を使用する弾性表面波デバイス(1)を提供する。弾性表面波デバイス(1)は、ゲーレナイト(CAS:Ca2Al(AlSi)O7)単結晶からなる圧電基板(10)と、前記圧電基板(10)の弾性表面波伝播面(11)に形成された櫛型電極(12,13)と、を有する。

Description

弾性表面波デバイス
 本発明は、弾性表面波デバイスに関する。
 弾性表面波を用いる弾性表面波デバイスは、いわゆるバンドパスフィルタとしての利用や、測定対象の温度や圧力を遠隔測定するセンサとして利用することが知られている。
 例えば、特許文献1には、弾性表面波(SAW;Surface Acoustic Wave)を利用したワイヤレス温度計測センサが開示されている。同センサは、温度以外にも、圧力、変位、湿度、ガス成分分析等の各種センサとしても適用できるとされている。同センサに用いられる圧電材料としては、ニオブ酸リチウムの他、水晶、タンタル酸リチウム、四ホウ酸リチウム、ランガサイトが例示されている。
 また、特許文献2には、無線化が可能な弾性表面波センサであって、圧電材料にランガテイトを用いたものが開示されている。
特開2004-129185号公報 特許第4470590号公報
 上掲特許文献に種々記載されている圧電材料は、弾性表面波デバイスのある種の用途によっては、その構成材料として不適当である。例えば、水晶は代表的な圧電材料であるが、573℃でβ転移を起こし、圧電性を失うため、高温環境下での使用ができない。一方、ランガサイトやランガテイトでは、1500℃近くまで相転移することなく圧電性を保つものの、弾性表面波の音速が2500m/s前後と、他の材料に対し遅い。
 ここで、弾性表面波の周波数は、その音速に比例し、波長に反比例するところ、音速が遅いと、弾性表面波の周波数が低くなることを意味している。この周波数を上げるためには、波長を短くすればよいが、圧電材料の表面に励振される弾性表面波の波長は、その表面に形成される櫛型電極(IDT;Interdigital Transducer)のピッチに依存しており、櫛型電極を形成する際の分解能には限界がある。したがって、弾性表面波デバイスに利用できる弾性表面波の周波数には、圧電材料に応じた上限がある。
 このことは、弾性表面波デバイスを、フィルタとして使用する際には、その通過帯域に上限が生じることを示している。また、弾性表面波デバイスをワイヤレスセンサとして用いる際には、その弾性表面波の周波数は、遠隔測定をする際の電磁波通信の周波数でもあるため、周波数が低いと、送受信のためのアンテナが大型化し、取り扱いに優れた小型の弾性表面波センサを得ることができなくなることを示している。実際、前述のランガサイトやランガテイトでは、2~2.5GHz帯以上の帯域を使用することができないため、フィルタとしての用途に制限を受け、また、実用的なサイズのワイヤレスセンサを得ることは難しい。さらに、その構成元素にランタン、ガリウム、タンタルといった、いわゆるレアメタル、レアアースと称される希少元素が含まれるため、安定供給に難がある。
 そして、これまで弾性表面波デバイスに使用可能とされた圧電材料として知られているものに、水晶を超え、1000℃に達する高温耐性と、2~2.5GHz帯以上の帯域の使用を可能とする早い音速を併せ持つものは見当たらない。
 本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その課題は、高温環境に対する耐性と、2~2.5GHz帯以上の帯域の使用を可能とする新規かつ、安定供給可能な圧電材料を使用する弾性表面波デバイスを提供することである。
 上記課題を解決すべく本出願において開示される発明は種々の側面を有しており、それら側面の代表的なものの概要は以下のとおりである。
 (1)ゲーレナイト(CAS:Ca2Al(AlSi)O7)単結晶からなる圧電基板と、前記圧電基板の弾性表面波伝播面に形成された櫛型電極と、を有する弾性表面波デバイス。
 (2)(1)において、前記弾性表面波伝播面は、(001)面を[110]方向に関して角度θだけ回転させた面であり、弾性表面波進行方向は、[110]方向であって、0°≦θ≦80°である弾性表面波デバイス。
 (3)(1)において、前記弾性表面波伝播面は、(001)面を[110]方向に関して角度θだけ回転させた面であり、弾性表面波進行方向は、[110]方向であって、60°≦θ≦90°である弾性表面波デバイス。
 (4)(1)において、前記弾性表面波伝播面は、(001)面を[100]方向に関して角度θだけ回転させた面であり、弾性表面波進行方向は、[100]方向であって、40°≦θ≦75°である弾性表面波デバイス。
 (5)(1)において、前記弾性表面波伝播面は、(001)面を[100]方向に関して角度θだけ回転させた面であり、弾性表面波進行方向は、[100]方向であって、45°≦θ≦80°である弾性表面波デバイス。
 (6)(1)において、前記弾性表面波伝播面は、(100)面を[001]方向に関して角度θだけ回転させた面であり、弾性表面波進行方向は、[001]方向であって、20°≦θ≦70°である弾性表面波デバイス。
 (7)(1)において、前記弾性表面波伝播面は、(001)面である弾性表面波デバイス。
 (8)(1)において、前記弾性表面波伝播面は、45°Y面であり、弾性表面波進行方向は、45°Z方向を0°として、-45°~45°の範囲にある弾性表面波デバイス。
 (9)(1)において、弾性表面波進行方向は、前記弾性表面波伝播面内において、伝播角度に対する音速の値が極値を示す伝播角度であるか、又はその近辺である弾性表面波デバイス。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
 (11)(1)~(10)のいずれかにおいて、前記弾性表面波デバイスは、センサである弾性表面波デバイス。
 (12)(11)において、前記櫛型電極に接続されたアンテナを有し、無線による遠隔センシング可能な弾性表面波デバイス。
 (13)(11)において、前記櫛型電極に接続された端子を有し、有線によるセンシング可能な弾性表面波デバイス。
 (13)(1)~(10)のいずれかにおいて、前記弾性表面波デバイスは、フィルタである弾性表面波デバイス。
 上記本出願において開示される発明の種々の側面によれば、高温環境に対する耐性と、2~2.5GHz帯以上の帯域の使用を可能とする新規かつ、安定供給可能な圧電材料を使用する弾性表面波デバイスが得られる。
本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波デバイスである、ワイヤレス温度センサの外観斜視図である。 ゲーレナイトの単結晶を特定の切断面において切断したときの、切断面における音速の測定結果を、伝播角度(切断面内の方角)に対して示したグラフである。 ゲーレナイトを(001)面で切断した時の伝播角度ψを説明する図である。 ゲーレナイトを(111)面で切断した時の伝播角度ψを説明する図である。 45°Y面を説明する図である。 ゲーレナイトを、[110]伝播θ回転Z面で切断し、[110]方向を伝播角度0°としたときの伝播角度と音速との関係を示すグラフである。 [110]伝播θ回転Z面を説明する図である。 ゲーレナイトを[110]伝播θ回転Z面で切断した時の伝播角度ψを説明する図である。 [110]伝播θ回転Z面において、伝播角度を0°とした場合の、θと音速及び、θと電気機械結合係数との関係を示すグラフである。 ゲーレナイトを、[100]伝播θ回転Z面で切断し、[100]方向を伝播角度0°としたときの伝播角度と音速との関係を示すグラフである。 [100]伝播θ回転Z面を説明する図である。 ゲーレナイトを[100]伝播θ回転Z面で切断した時の伝播角度ψを説明する図である。 [100]伝播θ回転Z面において、伝播角度を0°とした場合の、θと音速及び、θと電気機械結合係数との関係を示すグラフである。 ゲーレナイトを、[001]伝播θ回転X面で切断し、[001]方向を伝播角度0°としたときの伝播角度と音速との関係を示すグラフである。 [001]伝播θ回転X面を説明する図である。 ゲーレナイトを[001]伝播θ回転X面で切断した時の伝播角度ψを説明する図である。 [001]伝播θ回転X面において、伝播角度を0°とした場合の、θと音速及び、θと電気機械結合係数との関係を示すグラフである。 本発明の第2の実施形態に係る弾性表面波デバイスである、ワイヤレス圧力センサの外観斜視図である。 本発明の第3の実施形態に係る弾性表面波デバイスである、フィルタの外観斜視図である。
 以下、本発明の第1の実施形態を図1~図17を参照しつつ説明する。
 図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性表面波デバイスである、ワイヤレス温度センサ1の外観斜視図である。ワイヤレス温度センサ1は、平板形状にカットされた圧電基板10と、圧電基板10の一の表面であって、弾性表面波が励振され、伝播する面である弾性表面波伝播面11に形成された櫛型電極である、励振電極12と、励振電極12を挟むように形成された一対のやはり櫛型電極である、反射電極13を備えている。
 励振電極12は、整合回路14を介して、アンテナ15に接続されている一方、反射電極13は、本実施形態では、浮遊電極となっている。そして、本実施形態では、アンテナ15により送受信される電磁波の周波数帯は、極超短波領域であり、一例として、2.45GHzを想定している。整合回路14は、2.45GHzの電磁波を用いて、励振電極12とエネルギーの授受をするにあたり、電気的整合、いわゆるインピーダンスマッチングをとるための回路である。
 整合回路14及びアンテナ15は、実装基板16上に実装され、ベース基板17上に取り付けられる。圧電基板10と実装基板16は、適宜の手法、例えばワイヤボンディングにより電気的に接続される。さらに、実装基板16上には、端子18が設けられている。この端子18は、励振電極12と直接又は整合回路14を介して接続されている。
 なお、ここでは、整合回路14は統合されたチップ部品を用いるものとして示しているが、インダクタ及びキャパシタを個別に実装したり、実装基板16上に形成される配線のパターンにより整合回路14を作成してもよい。また、アンテナ15は、小型化が容易であることから、ここではヘリカルモノポールアンテナを用いるものとして図示しているが、アンテナの形式は、使用する周波数帯に応じて任意のものを用いて良く、整合回路14と同様に、実装基板16上に形成される配線のパターンにより作成してもよい。
 また、圧電基板10と実装基板16を別々に用意することなく、整合回路14及びアンテナ15を直接圧電基板10上に設けてもよい。その場合、ベース基板17を省略することもできる。
 ワイヤレス温度センサ1に所定の周波数の電磁波(ここでは、上述した2.45GHz)を送信すると、アンテナ15より励振電極12に入力された電力により、圧電基板10上には、図中矢印Aで示した方向に進行する弾性表面波が励振される。なお、この弾性表面波の進行方向は、櫛型電極の櫛歯部分に直交する向きである。弾性表面波は、反射電極13で反射するため、圧電基板10上には定在波が発生し、エネルギーが蓄積されることになる。
 その後電磁波の送信を停止すると、ワイヤレス温度センサ1は、弾性表面波として蓄積したエネルギーを消費しながら、共振周波数に等しい周波数で、アンテナ15から電磁波を放射する。この放射された電磁波を受信することにより、ワイヤレス温度センサ1の共振周波数を知ることができる。圧電基板10の音速には温度依存性があるため、この共振周波数を知ることにより圧電基板10の音速を、ひいては温度を知ることができる。
 そして、本実施形態では、圧電基板10として、ゲーレナイト(CAS:Ca2Al(AlSi)O7)の単結晶を用いている。圧電基板10は、例えばチョクラルスキー法により作成したゲーレナイトの単結晶インゴットを、所望の弾性表面波伝播面11が得られるよう、適宜の角度でカットすることにより得られる。
 ここで、ゲーレナイト単結晶は、1200℃程度まで安定した圧電特性を示し、十分に高温に耐える。また、弾性表面波の音速は、後述するようにそのカット面にも依存するものの、おおむね3500~4100m/sと高い値を示し、一般的なステッパ、例えばi線ステッパを用いた場合の分解能である365nmを半波長とする櫛型電極を用いて、2~2.5GHz帯以上の高周波帯域を使用することができる。
 さらに、ゲーレナイトの構成元素は、カルシウム、アルミニウム、シリコン及び酸素であり、極めてありふれた元素のみから構成されているため、安価かつ安定的な供給が可能である。
 なお、以上の温度測定方法は、端子18に直接測定機器を有線で接続した場合にも同様に実施することができる。すなわち、端子18より所定の周波数の交流を印加し、その後、交流の印加を停止し、端子18より出力される交流の周波数を測定することにより、ワイヤレス温度センサ1の共振周波数を知ることができるからである。図1に示したワイヤレス温度センサ1では、無線による遠隔センシングと、有線によるセンシングの両方が可能なように、アンテナ15と端子18の両方が設けられているが、無線による遠隔センシングのみ可能とする場合には端子18は不要であり省略してよい。また、有線によるセンシングのみ可能とする場合には、アンテナ15と、場合によっては整合回路14を省略してよい。
 ところで、圧電基板10の弾性表面波伝播面11上の音速や損失の程度は、弾性表面波伝播面11の方位及び弾性表面波伝播方向に依存するため、これらを定めるにあたっては、原料となるゲーレナイトの結晶方位を考慮する必要がある。
 図2は、ゲーレナイトの単結晶を特定の切断面において切断したときの、切断面における音速の測定結果を、伝播角度ψ(切断面内の方角)に対して示したグラフである。グラフ中縦軸は音速を、横軸は伝播角度を示している。ここで示す切断面は弾性表面波伝播面11に対応し、また音速の伝播角度ψは、弾性表面波伝播方向に対応する。なお、同グラフで示した音速は、漏洩弾性表面波についての測定結果である。
 グラフ中の曲線(1)は、ゲーレナイトを(001)面で切断した時の結果である。このとき、伝播角度ψは、図3に示すように、[100]方向を0°として、切断面内で反時計回りを正としてその方位を示している。ここで、本明細書では、X,Y,Zで示す結晶軸は右手系により説明をするものとし、回転方向については右ネジの方向を正とすることとする。図2に戻り、グラフよりわかるように、この場合の音速は、おおよそ3500~3600m/sの範囲内にあり、ほとんど伝播角度依存性を持たず、概ね一定値を示している。このことは、弾性表面波伝播面11として、(001)面を用いると、弾性表面波伝播方向をあまり考慮しなくとも概ね一定の音速が得られることを示しており、圧電基板10を作成する上で、櫛型電極を作成する際に、面内の結晶方位を考慮する必要がなく、その製造が極めて容易となることを意味している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000005
 理解を容易にするため、図3に、45°Y面を図示した。45°Y面は、同図中に示した(010)面を、X軸を中心に図示の方向に45°回転した面である。また、45°Z方向は、Z軸を、YZ平面内でX軸を中心に、図示の方向に45°回転した方向となっており、伝播角度ψは図中示したように、45°Z方向に対して反時計回りを正とした切断面内での向きを示している。
 図2に戻り、グラフよりわかるように、この場合の音速は、伝播角度ψが0°のときに極大値を示し、その分布は概ね3600~4000m/sの範囲に跨る。さらに、伝播角度ψが、-45°から45°程度の範囲においては、大きな変化を示すことなく、ほぼ最大値に近い音速を示す。このことは、45°Y面を弾性表面波伝播面11とした場合には、弾性表面波伝播方向を厳密に定めなくとも、広い範囲でほぼ一定の音速が得られ、またその損失も小さいことを意味している。したがって、圧電基板10を作成する上で、櫛型電極を作成する際に、面内の結晶方位を厳密に考慮する必要がなく、多少の角度のずれは許容されることになるから、この場合にもやはりその製造が容易となる。
 なお、グラフ中の曲線(4)は、比較のために、ランガテイトを(010)面で切断し、[100]方向の伝播角度ψを0°とし、反時計回りを正としたときの結果である。この場合の音速は概ね2250~2750m/sと低い値を示していることがわかる。
 以上の議論におけるように、本明細書中で結晶中の特定の面や特定の方向を明示した場合には、その面や方向として示された理論的な面や方向に厳密に一致する面や方向だけでなく、実用上それらの面や方向と同一視し得る範囲を含むものとする。すなわち、ある特定の結晶面、例えば、(001)面というときには、理論上特定される結晶面(この場合、(001)面)と物理的な性状が実用上同一又は近似していると考えられる範囲の面を含めたものと考える。方向についても同様であり、ある特定の方向をいうときには、理論上特定される方向と物理的な性状が実用上同一又は近似していると考えられる範囲の方向を含めたものと考える。より具体的には、特定の面を言う場合には、理論上特定される当該面に対し、法線の向きが±10°以内の面、好ましくは±5°以内の面、より好ましくは±2.5°以内の面を含む。また、特定の方向をいう場合には、理論上特定される当該方向に対し、±10°以内の方向、好ましくは±5°以内の方向、より好ましくは±2.5°以内の方向を含むものとする。
 以下、さらに弾性表面波デバイスに適したゲーレナイトの切断面と、弾性表面波伝播方向を図6~図14を参照しつつ示す。
 図6は、ゲーレナイトを、(001)面を[110]方向に関して反時計回りに角度θだけ回転させた面(以降、この面を「[110]伝播θ回転Z面」と称する)で切断し、[110]方向の伝播角度ψを0°としたときの伝播角度ψと音速との関係を示すグラフである。同図には、θを0°、30°、45°、60°、80°及び90°とした場合の音速の伝播角度ψに対する変化がそれぞれ示されている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000006
 図6に戻り、同図より明らかなように、[110]伝播θ回転Z面を弾性表面波伝播面11とした場合には、θの値に関わらず伝播角度ψ=0°において音速は極値を取る。さらに、θが小さい場合、例えばθ=0°近くの場合を除き、少なくともθ≧30°であれば、伝播角度ψ=0°で音速は極小値を取ることが分かる。
 ここで、音速が極小値を示す伝播角度では損失が少なくなることはすでに説明した通りであるが、極小値における曲率が大きい(グラフ上では、より幅が狭く、鋭い凹みとして示される)ほど、より弾性表面波が音速が極小値を示す伝播角度ψに集中するため、損失の点では好ましいといえる。したがって、伝播角度ψを0°としたときには、損失の点では、θが90°に近いほどよいといえる。また、音速も概ね3610m/s~3710m/sであり、図2の曲線(4)で示したランガテイトの場合に比べ高速である。
 しかしながら、弾性表面波デバイスとしての適性は、音速と損失の大小のみによっては決めることはできない。図9は、[110]伝播θ回転Z面において、伝播角度ψを0°とした場合の、θと音速及び、θと電気機械結合係数(EMCC;ElectroMechanical Coupling Coefficient)との関係を示すグラフである。グラフ中、音速は実線で、電気機械結合係数は破線で示されている。
 ここで、電気機械結合係数は、圧電体に交流を印加して振動歪を生じさせる際の、圧電体に蓄積される弾性歪エネルギーと、投入される電気エネルギーとの比であって、この値が大きいほど電気エネルギーが効率よく弾性歪エネルギーに変換されることを示す指標である。図9に示されるように、[110]伝播θ回転Z面では、電気機械結合係数は、θが0°から増加するにつれ増大し、θ=60°をやや下回る辺りで最大値を示し、その後θが90°に近づくにつれて急速に減少する。
 電気機械結合係数が大きいと、投入した電気エネルギーが弾性歪みエネルギーに変換されやすいのであるから、即応性を要求される弾性表面波デバイスにおいては、この電気機械結合係数が大きいことが重要である。そのような弾性表面波デバイスは、例えば、バンドパスフィルタや、サンプリングレートの高いセンサ等である。一方、共振による定在波を利用し、サンプリングレートがあまり高くないセンサ、例えば温度センサでは、電気機械結合係数はさほど重要でなく、損失が小さい方が有利となる。したがって、弾性表面波デバイスとしての適性は、用途に応じて、音速と損失、並びに電気機械結合係数を総合的に勘案して定めていくことになる。
 ここで示した[110]伝播θ回転Z面では、即応性を要求される弾性表面波デバイス向けには、電気機械結合係数の大きさが損失よりも重要であるから、θの範囲として、0°≦θ≦80°程度が望ましい。音速が極小値を示す伝播角度を選択するようにすると、さらに、θ≧30°となる面を選べばよい。音速の大きさと電気機械結合係数の大きさを両立し得る条件としては、40°≦θ≦70°の範囲が優れている。
 一方、共振による定在波を利用し、即応性を要求しない弾性表面波デバイス向けには、電気機械結合係数の大きさよりも損失の小ささが重要であるから、θの範囲として、図6に示すグラフにおいて、極小値における曲率が大きい、60°≦θ≦90°の範囲を選べばよい。電気機械結合係数があまり小さくなく、損失が小さいという点では、θ=80°近辺が優れている。
 図10は、ゲーレナイトを、(001)面を[100]方向に関して反時計回りに角度θだけ回転させた面(以降、この面を「[100]伝播θ回転Z面」と称する)で切断し、[100]方向の伝播角度ψを0°としたときの伝播角度ψと音速との関係を示すグラフである。同図には、θを0°、30°、45°及び60°とした場合の音速の伝播角度ψに対する変化がそれぞれ示されている。
 図11は、[100]伝播θ回転Z面を説明する図である。[100]伝播θ回転Z面は、図中破線で示した(001)面を、同図に示したように[100]方向に関して反時計回りにθだけ回転させた、実線で示した面である。θ=0°の場合には、この面は(001)面に等しい。また、θ=45°の場合には、対称性を考慮すると、この面は先に説明した45°Y面に一致する。また、伝播角度ψは、図12に示すように、[100]方向を0°として、切断面内で反時計回りを正とする(図12では切断面として(001)面を示した)。
 図10に戻り、同図より明らかなように、[100]伝播θ回転Z面を弾性表面波伝播面11とした場合においては、θの値に関わらず伝播角度ψ=0°において音速は極小値を取る。
 さらに、図13は、[100]伝播θ回転Z面において、伝播角度ψを0°とした場合の、θと音速及び、θと電気機械結合係数との関係を示すグラフである。同図に示されるように、[100]伝播θ回転Z面では、電気機械結合係数は、θが0°から増加するにつれ増大し、θ=60°付近で最大値を示し、その後θが90°に近づくにつれて急速に減少し、θ=80°付近でほぼ0となる。
 従って、ここで示した[100]伝播θ回転Z面では、即応性を要求される弾性表面波デバイス向けには、θの範囲として、40°≦θ≦75°程度が望ましく、50°≦θ≦70°の範囲がさらに優れている。
 一方、共振による定在波を利用し、即応性を要求しない弾性表面波デバイス向けには、θの範囲として、概ねθ≧45°の範囲を選べばよいが、電気機械結合係数がほぼ0となる範囲は不適当であるため、45°≦θ≦80°の範囲を選べばよい。
 図14は、ゲーレナイトを、(100)面を[001]方向に関して反時計回りに角度θだけ回転させた面(以降、この面を「[001]伝播θ回転X面」と称する)で切断し、[001]方向の伝播角度ψを0°としたときの伝播角度ψと音速との関係を示すグラフである。同図には、θを0°、15°、30°及び45°とした場合の音速の伝播角度に対する変化がそれぞれ示されている。
 図15は、[001]伝播θ回転X面を説明する図である。[001]伝播θ回転X面は、図中破線で示した(100)面を、同図に示したように[001]方向を反時計回りにθだけ回転させた、実線で示した面である。θ=0°の場合には、この面は(100)面に等しい。また、θ=45°の場合にはこの面は(110)面に、θ=90°の場合にはこの面は(010)面に等しい。また、伝播角度ψは、図16に示すように、[001]方向を0°として、切断面内で反時計回りを正とする(図16では切断面として(100)面を示した)。
 図14に戻り、同図より明らかなように、[001]伝播θ回転X面を弾性表面波伝播面11とした場合においても、θの値に関わらず伝播角度ψ=0°度において音速は極小値を取る。伝播角度ψ=0°における音速及びその曲率は、θの値によってはあまり大きな変化は見られず、概ね一定である。
 さらに、図17は、[001]伝播θ回転X面において、伝播角度ψを0°とした場合の、θと音速及び、θと電気機械結合係数との関係を示すグラフである。同図に示されるように、[100]伝播θ回転Z面では、電気機械結合係数は、θが0°から増加するにつれ増大し、θ=45°付近で最大値を示し、その後θが90°に近づくにつれて減少する。
 従って、ここで示した[001]伝播θ回転X面では、即応性を要求される弾性表面波デバイス向けには、θの範囲として、20°≦θ≦70°程度が望ましく、30°≦θ≦60°の範囲がさらに優れている。
 一方、[001]伝播θ回転X面では、θによっては音速及び損失の大小はほとんど変化が無い。よって、共振による定在波を利用し、即応性を要求しない弾性表面波デバイス向けにおいても、先の即応性を要求される弾性表面波デバイスと同様に、電気機械結合係数のより大きい範囲として、20°≦θ≦70°、より優れた範囲として、30°≦θ≦60°を選択するとよい。
 続いて、本発明の第2の実施形態を図18を参照しつつ説明する。
 図18は、本発明の第2の実施形態に係る弾性表面波デバイスである、ワイヤレス圧力センサ2の外観斜視図である。ワイヤレス圧力センサ2は、円板上にカットされたベース基板17が、リング状の保持部材19に保持された構造であり、ベース基板17上に圧電基板10及び実装基板16が配置されている。そして、ベース基板17はダイアフラムとなって、ワイヤレス圧力センサ2の表裏の圧力差に応じて弾性変形するようになっている。これに伴い、圧電基板10もまた曲げ変形を受け、それにより弾性表面波の音速が変化するから、先の実施形態で説明したと同様の方法により、圧電基板10上の弾性表面波の共振周波数を測定することにより、ベース基板17に作用した力、すなわち、ワイヤレス圧力センサ2の表裏の圧力差を知ることができる。ワイヤレス圧力センサ2は、測定対象となる空間の開口部に、保持部材19を接着やボルト止め等適宜の方法により固定することで取り付けられる。
 圧電基板10の表面は、弾性表面波伝播面11となっており、先の実施形態に係るワイヤレス温度センサ1と同様に励振電極12及び反射電極13が設けられている。また、実装基板16の構成も同様である。本実施形態において、先の実施形態と対応する構成については、同符号を付し、その重複する説明は省略するものとする。
 なお、この例では、ベース基板17がダイアフラムとなる構造を示したが、圧電基板10自体がダイアフラムとして機能するような構造としてもよい。その場合、整合回路14及びアンテナ15は、圧電基板10上に直接設けてもよいし、圧電基板10上にさらに実装基板16を設け、かかる実装基板16上に実装するようにしてもよい。
 このワイヤレス圧力センサ2においても、先のワイヤレス温度センサ1と同様に、圧電基板10の弾性表面波伝播面11上に定在波を励振し、その後、アンテナ15から放射される電磁波を受信することにより測定を行う。この場合、圧電基板10の音速は、圧電基板10の歪みの影響を受けて変化するため、アンテナ15から放射される電磁波からワイヤレス圧力センサ2の共振周波数を知り、さらに圧電基板10の音速を知ることにより、圧電基板10の歪みを知ることができる。圧電基板10の歪みはベース基板17の歪みを反映したものと考えられ、ベース基板17の機械特性は既知であるから、圧電基板10の歪みから、圧電基板10内外の圧力差を求めることは容易である。
 このワイヤレス圧力センサ2においても、圧電基板10として、ゲーレナイト単結晶を用いることにより、高温環境に対する耐性が得られるとともに、2~2.5GHz帯以上の帯域の使用が可能である。また、圧電基板10の安価かつ安定的な供給が可能であること、弾性表面波伝播面11及び弾性表面波進行方向の選定については、先に述べたワイヤレス温度センサ1と同様である。
 さらに、本発明の第3の実施形態を図19を参照しつつ説明する。
 図19は、本発明の第3の実施形態に係る弾性表面波デバイスである、フィルタ3の外観斜視図である。フィルタ3は、バンドパスフィルタとしての通過帯域特性を持つ濾波器であり、圧電基板10上の弾性表面波伝播面11の一方の側に励振電極12が、また他方の側に受信電極20がそれぞれ櫛型電極として形成されている。圧電基板10はベース基板17上に取り付けられ、ベース基板17上に設けられた端子21と励振電極12、受信電極20はそれぞれ適宜の方法、例えばワイヤボンディングにより接続されている。
 このフィルタ3では、励振電極12側の端子21より電力を入力すると、櫛型電極のピッチと弾性表面波伝播面11上の音速により定まる周波数帯域の信号が、図中B方向に弾性表面波として伝播し、受信電極20に受信され、励振電極12側の端子21より出力される。なお、この実施形態ではフィルタ3をいわゆるトランスバーサル型SAWフィルタとして示したが、これをSAW共振器型フィルタとして設計してもよいし、各電極の配置は、ここで示した単純な対向型のものでなく、ラダー型等種々の配置を採用してよい。
 このフィルタ3においても、圧電基板10として、ゲーレナイト単結晶を用いることにより、高温環境に対する耐性が得られるとともに、2~2.5GHz帯以上の帯域の使用が可能である。また、圧電基板10の安価かつ安定的な供給が可能であること、弾性表面波伝播面11及び弾性表面波進行方向の選定については、先に述べたワイヤレス温度センサ1と同様である。
 以上説明した実施形態に示した具体的な構成は例示として示したものであり、本明細書にて開示される発明をこれら具体例の構成そのものに限定するものではない。当業者はこれら開示された実施形態に種々の変形、例えば、各部材あるいはその部分の形状や数、配置等を適宜変更したり、例示された実施形態を互いに組み合わせたりしてもよい。また、本明細書で開示された弾性表面波デバイスを、温度及び圧力以外の物理量を測定するセンサやフィルタ以外の電気的素子に用いてもよい。本明細書にて開示される発明の技術的範囲は、そのようになされた変形をも含むものと理解すべきである。

Claims (14)

  1.  ゲーレナイト(CAS:Ca2Al(AlSi)O7)単結晶からなる圧電基板と、
     前記圧電基板の弾性表面波伝播面に形成された櫛型電極と、を有する弾性表面波デバイス。
  2.  前記弾性表面波伝播面は、(001)面を[110]方向に関して角度θだけ回転させた面であり、弾性表面波進行方向は、[110]方向であって、0°≦θ≦80°である請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
  3.  前記弾性表面波伝播面は、(001)面を[110]方向に関して角度θだけ回転させた面であり、弾性表面波進行方向は、[110]方向であって、60°≦θ≦90°である請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
  4.  前記弾性表面波伝播面は、(001)面を[100]方向に関して角度θだけ回転させた面であり、弾性表面波進行方向は、[100]方向であって、40°≦θ≦75°である請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
  5.  前記弾性表面波伝播面は、(001)面を[100]方向に関して角度θだけ回転させた面であり、弾性表面波進行方向は、[100]方向であって、45°≦θ≦80°である請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
  6.  前記弾性表面波伝播面は、(100)面を[001]方向に関して角度θだけ回転させた面であり、弾性表面波進行方向は、[001]方向であって、20°≦θ≦70°である請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
  7.  前記弾性表面波伝播面は、(001)面である請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
  8.  前記弾性表面波伝播面は、45°Y面であり、弾性表面波進行方向は、45°Z方向を0°として、-45°~45°の範囲にある請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
  9.  弾性表面波進行方向は、前記弾性表面波伝播面内において、伝播角度に対する音速の値が極値を示す伝播角度であるか、又はその近辺である請求項1に記載の弾性表面波デバイス。
  10. Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
  11.  前記弾性表面波デバイスは、センサである請求項1~10のいずれか1項に記載の弾性表面波デバイス。
  12.  前記櫛型電極に接続されたアンテナを有し、無線による遠隔センシング可能な請求項11に記載の弾性表面波デバイス。
  13.  前記櫛型電極に接続された端子を有し、有線によるセンシング可能な請求項11に記載の弾性表面波デバイス。
  14.  前記弾性表面波デバイスは、フィルタである請求項1~10のいずれか1項に記載の弾性表面波デバイス。
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