TW392218B - Apparatus and method for marking of identifier onto semiconductor wafer - Google Patents

Apparatus and method for marking of identifier onto semiconductor wafer Download PDF

Info

Publication number
TW392218B
TW392218B TW086117403A TW86117403A TW392218B TW 392218 B TW392218 B TW 392218B TW 086117403 A TW086117403 A TW 086117403A TW 86117403 A TW86117403 A TW 86117403A TW 392218 B TW392218 B TW 392218B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor wafer
marking
identification mark
mark
laser light
Prior art date
Application number
TW086117403A
Other languages
English (en)
Inventor
Giichiro Iwakiri
Susumu Honda
Original Assignee
Toshiba Mechatronics Kk
Komatsu Denshi Kinzoku Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Mechatronics Kk, Komatsu Denshi Kinzoku Kk filed Critical Toshiba Mechatronics Kk
Application granted granted Critical
Publication of TW392218B publication Critical patent/TW392218B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67282—Marking devices

Description

記號； 檢查 A7 B7 五、發明説明（1 ) 本發明是有關於-種半導體晶圓識別記號之刻印方 法，其包括檢查在半導體晶圓製造過程内，由雷射光财 印在一晶圓表面上的識別記號之刻印狀態，且由刻印裝 置控制刻印’以及進行該刻印的裝置。 、 習知在半導體晶圓的製造過程中，一具有由畲射光 刻印在表面上如文字或條碼的識別記號的半導體晶圓由 下列過程製造： (1) 切斷一鑄塊以得到一晶圓薄片； (2) 利用刻印裝置，在晶圓薄片的表面上刻印識別 (3) 研光晶圓薄片； (4) 蝕刻研光晶圓； (5) 研磨或洗淨#刻晶圓；以及 (6) 乾燥洗淨晶圓，且只讀取識別記號的條碼以作 在這製造過程中’檢出如不對位、歪斜表'文字的彎 曲等刻印識別記號的不合經由下列過程進行： (a) 在由刻印裝置刻印識別記號後，立刻抽出一晶 圓’利用識別記號讀取裝置映出影像，且由目視檢查識 別記號的文字或條碼；以及 (b) 如果用在蝕刻中的蝕刻溶液與在刻印中製造的 刻印屑（scraps)反應’為了確認歪斜，在確認歪斜的姓刻 後，立刻對所有晶圓進行條碼讀取步驟； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） (請先閱*背面之注意事項再填寫本頁) 訂 6I Λ>- 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 經濟部中央梂準局員工消費合作社印聚 Α7 Β7 五、發明説明（2 ) (C)在半導體晶圓的最後製造過程終了後，由讀取條 碼檢查所有晶圓。 然而.，在刻印識別記號後，立刻由目視檢查影像， 為了製造效率，只能以在100件製造半導體晶圓中取出 一件的頻率來進行。由習知方法難以檢查所有製邊的半 導體晶圓。 又即使在蝕刻或最後製造過程後立刻進行的條碼讀 取檢查中發現不良的識別記號和如果不良的識別記號由 識別記號刻印裝置所導致，大量的不良品被製造。這導 致經過姓刻或最後製造過程後，時間和金錢的浪費。又 條碼讀取檢查並不檢查文字，因此如果在影像檢查中未 檢查的半導體晶圓識別記號的文字是不良的，有不良識 別δ己號的半導體晶圓將被送到市場上。 有鑑於上述的缺點，本發明的目的是提供一種可檢 查所有刻印識別記號的半導體晶圓識別記號之刻印裝 置，以及利用此刻印裝置可防止不良識別記號的刻印的 刻印方法。 -， 關於本發明，在半導體晶圓上刻印識別記號之方法 包括.量測晶圓薄片的厚度，輸入厚度資料至刻印裝置， 輸入要被刻印的識別記號的刻印資料至刻印裝置，從厚 度資料和刻印資料決定識別記號的形狀和刻印深度，在 晶圓薄片上刻印識別記號，得到刻印識別記號的讀取資 料，將讀取資料與刻印資料比較，依據結果由刻印裝置 控制刻印。 5 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規^17^7^7公釐7
A7 B7 五、發明説明（3 ) 又刻印半導體晶圓識別記號的裝置包括一支持半導 體晶圓底面的回轉桌，以在水平方向上回轉半導體晶 圓；一刻印裝置本體，以輸入刻印識別記號的刻印資料； 一雷射頭，設置在回轉桌支持的半導體晶圓的上部份， 且連接至刻印裝置本艘；一讀取裝置，以讀取刻纟卩識別 記號；一讀取照相機，設置在回轉桌支持的半導體晶圓 的上部份，且連接至讀取裝置；一資料處理裝置，以將 識別記號的讀取資料與刻印資料比較。刻印依據比較結 果由刻印裝置本體所控制。 本發明關於一刻印裝置，其可同時在半導體晶圓上 進行識別記號的刻印，以及所有半導體晶圓的檢查，且 由刻印結果和檢查的比較來控制裝置；以及—當不良的 識別記號被刻印時，在刻印裝置的控制中，可防止不良 的識別記號再現的刻印方法。 本發明可由後續的詳述與有附圖的例子，更能完全 了解。 (請先閱讀，背面之注意事項再填寫本頁)
,1T 婢 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 圖示之簡單說明： 第1圖是本發明刻印裝置的概念構成圖；以及 第2圖是本發明刻印方法的流程圖。 參考第1圖，刻印裝置包括一支持半導體晶圓薄片 10底面的回轉冑4’可在水平方向上回轉；—刻印裝置 本體2,連接至雷射頭2卜以在晶圓薄片1〇上刻印識別 本紙張尺度適用f關家料（CNS ) ( 210χ297ϋ~)-〜- Μ 五、發明説明（4 ) s己號，-4取裝置本體3 ’連接至讀取照相機31，以讀 取刻印識別記號；以及—資料處理裝置丨，連接至刻印 裝置本體‘2和讀取裝置本體3。 識別記號的刻印資料經由鍵S 2a或滑鼠（未圖示）輸 入至刻印裝置本體2 刻印資料在螢幕％上被確認，且 被送到資料處理裝置i。連接至刻印裝置本體2的雷射 頭21設置在晶圓薄片1〇的刻印位置上。又當讀取照相 機置在晶圓薄片1〇上，回轉桌4回轉，且識別記 號設置在其下。從讀取照相機31讀取的識別記號投射在 讀取裝置本體3的螢幕3a上，同時讀取資料被送至 處理裝置1。 刻印裝置根據下列程序進行刻印： ⑴如刻印識別記號的條碼或文字的刻 入至刻印裝置本體2。 (2) -識別記號由雷射頭21刻印在由 的晶圓薄片10上。 〇 域 (3) 回轉桌4隨著設置在讀取照相機3 記號而回轉。 ·^卜的識別 (4) 識別§己號由讀取照相機31崎取 裝置本體3上顯示。彳機31讀取’且影像在讀取 置本印裝置本體2的刻印資料和在讀取裝 置本骽3中讀取的識別記號在資 較。 地主褒置1中被比 本實施例的識別記號刻印由下列如第2圖所示的刻 (請先閱^背面之注意事項再填寫本頁 n - -- —I - u _ 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 本紙張纽彳，關 210X297 公嫠） ’ 1 — —» -I - · A7 B7 五 發明説明（5 印過程來進行： (1) 量測M圓缚片的厚度，且輸入至刻印裝置本體 (51) 。 (2) 輸入刻印識別記號的刻印資料至刻印裝置本體 (52) 〇 ⑺從厚度資料和識別記號的刻印資料決定識別記 號的形狀和刻印深度，且刻印識別記號(s3)。 ° (4) 由讀取裝置讀取刻印識別記號（s4)。 (5) 由資料處理裝置比較讀取資料和刻印資料（^)。 (6) 如果比較結果在容許值中，送出指示至研光步 驟（S0)，且計算誤差，且輸入誤差資料以修正至奘 置本體的刻印（S7)〇 人 、 (7) 如果比較結果不在容許值中，終止送出指八 研光步驟（S8)，且停止刻印（s9)。 丁至 當如上述構成本發明，所有在半導體晶圓上的刻印 識別記號可被檢查，因此防止不良識別記號的刻印： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 本纸張尺度適用中國囤家標誇.（（、NS ) Α4規格（2丨〇〆297公« )

Claims (1)

  1. 392218 第86117403號申請專利範圍修正本 Bel ；. C8! ,>〇 ;修正日期：88.8.20 經濟部中央標準局男工消费合作社印製 六、申請專利範圍 1. 一種半導體晶圓識別記號之刻印方法，其係利用雷 射光在半導體晶圓上刻印識別記號，包括： 量測該半導體晶圓的厚度； 考慮已量測出的該半導體晶圓的厚度、既定的刻印深 度以及從上述厚度量測步驟至最終製造步驟間在該半導體 BB圓上的加工厚度，求得識別記號的必要加工深度；以及 利用雷射光在該半導體晶圓上刻印具有已求得的加工 深度的識別記號。 2. —種半導體晶圓識別記號之刻印方法’其係利用雷 射光在半導體晶圓上刻印識別記號，包括： 利用雷射光在半導體晶圓上刻印識別纪號； 藉由照相機取得已刻印的識別記號的影像，藉由此已 取得的影像，讀取該已刻印的識別記號；以及 比較此讀取資料與預先設定的刻印資料，依據比較結 果控制藉由雷射光所進行的刻印。 3. —種半導體晶圓識別記號之刻印方法，其係利用雷 射光在半導體晶圓上刻印識別記號，包括： 量測該半導體晶圓的厚度； 利用已量測出的該半導體晶圓的厚度以及預先設定的 刻印資料’求得識別記號的加工條件；以及 依據已求得的加工條件，利用雷射光在該半導體晶圓 上刻印識別記號； 藉由照相機取得已刻印的識別記號的影像，藉由此已 取得的影像，讀取該已刻印的識別記號；以及 --^--------I------訂 I-------線 (請先閲讀背面之注ί項再填寫本頁)
    392218 第86117403號申請專利範圍修正本 Bel ；. C8! ,>〇 ;修正日期：88.8.20 經濟部中央標準局男工消费合作社印製 六、申請專利範圍 1. 一種半導體晶圓識別記號之刻印方法，其係利用雷 射光在半導體晶圓上刻印識別記號，包括： 量測該半導體晶圓的厚度； 考慮已量測出的該半導體晶圓的厚度、既定的刻印深 度以及從上述厚度量測步驟至最終製造步驟間在該半導體 BB圓上的加工厚度，求得識別記號的必要加工深度；以及 利用雷射光在該半導體晶圓上刻印具有已求得的加工 深度的識別記號。 2. —種半導體晶圓識別記號之刻印方法’其係利用雷 射光在半導體晶圓上刻印識別記號，包括： 利用雷射光在半導體晶圓上刻印識別纪號； 藉由照相機取得已刻印的識別記號的影像，藉由此已 取得的影像，讀取該已刻印的識別記號；以及 比較此讀取資料與預先設定的刻印資料，依據比較結 果控制藉由雷射光所進行的刻印。 3. —種半導體晶圓識別記號之刻印方法，其係利用雷 射光在半導體晶圓上刻印識別記號，包括： 量測該半導體晶圓的厚度； 利用已量測出的該半導體晶圓的厚度以及預先設定的 刻印資料’求得識別記號的加工條件；以及 依據已求得的加工條件，利用雷射光在該半導體晶圓 上刻印識別記號； 藉由照相機取得已刻印的識別記號的影像，藉由此已 取得的影像，讀取該已刻印的識別記號；以及 --^--------I------訂 I-------線 (請先閲讀背面之注ί項再填寫本頁)
    392218 B8 C8 D8 、申請專利範圍 比較此讀取資料與上述刻印資料，依據比較結果控制 藉由雷射光所進行的刻印。 4. 如申請專祕圍第3項所述之半導體晶圓識別記號 d P方法，上述比較係有關於識別資料的形狀來進行。 5. 種半導體晶圓識別記號之刻印裝置，包括： 回轉桌’用以支持半導體晶圓； 厚度量測器，用以量測該半導體晶圓的厚度； 雷射頭，利用雷射光在該半導體晶圓上刻印識別記號； 以及 控制裝置，依據該厚度量測器的量測值，控制藉由該 雷射頭所進行的刻印。 6_如申請專利範圍第5項所述之半導體晶圓識別記號 之刻印裝置，其中該厚度量測器係可量測半導體晶圓的周邊 部的厚度·》 請 先 閲 之 注 2 旁 訂 趣濟部中央梯率局貝工消so作社印*. 7. 如申請專利範圍第5項所述之半導體晶圓識別記號 之刻印裝置，其中該厚度量測器係可量測半導體晶圓的刻印 位置或刻印位置附近的位置的厚度。 8. 如申請專利範圍第5項所述之半導體晶圓識別記號 之刻印裝置，其中該控制裝置基於該厚度量測器的量測值， 控制從該雷射頭照射的雷射光的脈衝數。 9. 一種半導體晶圓識別記號之刻印裝置，包括： 回轉桌，用以支持半導體晶圓； 刻印裝置本體，用以輸入識別記號的刻印資料； 雷射頭’利用雷射光在該半導體晶圓上刻印識別記號；
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
    B8 C8 D8 392218 、申請專利範圍 照相機，用以取得由該雷射頭在該半導體晶圓上刻印 的識別記號的影像； “讀取裝置，用以處理該照相機取得的影像，且讀取在 該半導體晶圓上刻印的上述識別記號；以及 、控制裝置，比較藉由該讀取裝置的識別記號的讀取資 料/、上述刻印資料，依據比較結果控制藉由該雷射頭的所 行刻印。 10.如申請專利範圍第9項所述之半導體晶圓識別記號 之刻印裝置，其中該控制裝置係有關於識別記號的形狀進 比較。 I--.-------文------訂丨-----線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局工消費合作社印*. 張 紙 本 一用 I適 緖 釐I祕 29
TW086117403A 1996-12-06 1997-11-20 Apparatus and method for marking of identifier onto semiconductor wafer TW392218B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32663896 1996-12-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW392218B true TW392218B (en) 2000-06-01

Family

ID=18190028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW086117403A TW392218B (en) 1996-12-06 1997-11-20 Apparatus and method for marking of identifier onto semiconductor wafer

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6377866B2 (zh)
TW (1) TW392218B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116086277A (zh) * 2023-04-07 2023-05-09 常州龙米软件有限公司 一种半导体生产设备的检测模组

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100348102B1 (ko) * 2001-01-17 2002-08-09 삼성전자 주식회사 광학적 문자 인식을 통한 반도체 제품의 마킹 결함 검사방법
US6639177B2 (en) * 2001-03-29 2003-10-28 Gsi Lumonics Corporation Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device
US6759248B2 (en) * 2001-09-28 2004-07-06 Motorola, Inc. Semiconductor wafer identification
WO2004023209A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-18 Brooks Automation, Inc. Device and process for reading out identification information on reticles
US9460948B2 (en) * 2007-09-04 2016-10-04 Ncr Corporation Data management
JP2015531257A (ja) * 2012-09-07 2015-11-02 ネステク ソシエテ アノニム カプセル収納器
US9099481B2 (en) 2013-03-15 2015-08-04 Semiconductor Components Industries, Llc Methods of laser marking semiconductor substrates
US11063000B2 (en) * 2019-01-29 2021-07-13 Infineon Technologies Ag Semiconductor package authentication feature

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3562536A (en) * 1968-08-30 1971-02-09 Ibm Radiation sensitive semiconductor wafer identification system
US3558899A (en) * 1968-08-30 1971-01-26 Ibm System and method for using numerically coded etched indicia for identification of pieces of semiconductor material
US3597045A (en) * 1969-06-30 1971-08-03 Ibm Automatic wafer identification system and method
GB1534248A (en) * 1976-03-31 1978-11-29 Tokyo Shibaura Electric Co Apparatus for manufacturing semiconductor devices
GB1584343A (en) * 1977-06-07 1981-02-11 Tokyo Shibaura Electric Co Apparatus for marking identification symbols on wafer
US4585931A (en) * 1983-11-21 1986-04-29 At&T Technologies, Inc. Method for automatically identifying semiconductor wafers
JPS6416385A (en) * 1987-07-11 1989-01-19 Tatsumo Kk Diamond type marking device
US4794238A (en) * 1987-10-09 1988-12-27 Ultracision, Inc. Method and apparatus for reading and marking a small bar code on a surface of an item
US5272322A (en) * 1990-08-21 1993-12-21 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Identification mark reading apparatus
DE4038723A1 (de) * 1990-12-05 1992-06-11 Bosch Gmbh Robert Auf einer platte gemeinsam hergestellte und danach vereinzelte, gleichartige halbleiter-chips mit indizierung
US5434403A (en) * 1994-03-23 1995-07-18 At&T Bell Laboratories Method and apparatus for reading bar codes with a television camera
US5619416A (en) * 1995-09-14 1997-04-08 Ncr Corporation Labeling system and method for an electronic price label
US5610104A (en) * 1996-05-21 1997-03-11 Cypress Semiconductor Corporation Method of providing a mark for identification on a silicon surface
US5877064A (en) * 1997-07-15 1999-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.Ltd Method for marking a wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116086277A (zh) * 2023-04-07 2023-05-09 常州龙米软件有限公司 一种半导体生产设备的检测模组

Also Published As

Publication number Publication date
US6377866B2 (en) 2002-04-23
US20010003167A1 (en) 2001-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW452787B (en) Method and apparatus for recording information onto optical disk
TW378346B (en) Semiconductor device and information control system thereof
TW392218B (en) Apparatus and method for marking of identifier onto semiconductor wafer
JPS6010641A (ja) 半導体装置の製造方法
TW502280B (en) Semiconductor wafer pattern shape evaluation method and device
WO1999050070A1 (en) Image orientation system for disk printing
TWI300677B (en) Manufacturing and apparatus for printing mark on detective board
JP2005156865A (ja) レチクル、レチクルの検査方法及び検査装置
JP2595962B2 (ja) 半導体装置
JP2604556B2 (ja) 半導体ウエハおよびその識別方法
JP4249813B2 (ja) 半導体ウェハへの識別子刻印装置およびその刻印方法
US20050097764A1 (en) Enhanced visibility of overlay measurement marks
JP2018065236A (ja) 目立てボード及びその使用方法
KR100493990B1 (ko) 반도체웨이퍼의식별자각인장치및그각인방법
TW513779B (en) Specimen analyzing method
TW416102B (en) Device for engraving a semiconductor wafer mark and method for engraving the same
CN109426098A (zh) 图案化方法、光刻装置和物品制造方法
JP3663655B2 (ja) カード発行システム
JP2694462B2 (ja) 半導体ウェーハチップの位置合わせ方法
JP2848193B2 (ja) 刷版絵柄面積率測定方法
JPS61100942A (ja) 不良チツプ識別方法
JPH0552902A (ja) 半導体集積回路検査装置
JPH01266735A (ja) 半導体基板
JPS594009A (ja) 半導体基板
JPH0831431B2 (ja) 検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent