TW392193B - Cathode-ray tube - Google Patents

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TW392193B
TW392193B TW087118211A TW87118211A TW392193B TW 392193 B TW392193 B TW 392193B TW 087118211 A TW087118211 A TW 087118211A TW 87118211 A TW87118211 A TW 87118211A TW 392193 B TW392193 B TW 392193B
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TW
Taiwan
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conductive film
neck
resistance
ray tube
cathode ray
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Application number
TW087118211A
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English (en)
Inventor
Takahiro Hasegawa
Fumihito Suzuki
Shigeru Sugawara
Original Assignee
Toshiba Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/86Vessels; Containers; Vacuum locks
    • H01J29/88Vessels; Containers; Vacuum locks provided with coatings on the walls thereof; Selection of materials for the coatings

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  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Description

A7 B7 經淖部中央忭準^只工消费合作社印¾ 五、發明説明(1 ) 〔發明所靥之技術領域〕 本發明係關於一種彩色影像管等之陰極射線管,特別 是關於塗佈在陰極射線管之管頸內壁的髙電阻導電膜之塗 佈狀態》 〔以往之技術〕’ 一般,彩色影像管係具有一體地接合有面板,及漏斗 ,及管頸的外圍器。該面板係在其內面具有藍,綠,紅地 發光之條紋狀或點狀之三色螢光體層所構成的螢光體屏。 又,面板係在其內側具有形成有對向於螢光體屏所裝設之 多數孔徑的陰罩》 管頸係具有配設於其內部的電子槍構體。該電子槍構 體係放出通過同一水平面上之一列配置之中心射束及一對 側射束所構成的三電子射束》從該電子槍構體所放出的三 條電子射束,係集中向螢光體屏蔽之同時聚束於藍,綠, 紅之各該螢光體層上》 裝設於漏斗之外側的偏轉軛,係形成將從電子構體所 放出的三電子射束偏轉向水平方向及垂直方向所用的非整 齊磁場。從電子槍構體所放出之三電子射束,係介經該非 整齊磁場,經由陰罩水平掃描,及垂直掃描螢光體屏蔽。 由此,顯示彩色畫像。 如第1圖所示,彩色影像管係具有覆蓋於從外圍器之 漏斗至管頸3之內面的內部導電膜7·該內部導電膜7係 導通於設在漏斗之陽極端子。電子槍構體8之會聚電極9 (計1閱讀背而之注·4事項本R ) ’裝. ·=·* ^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4現格(2丨0X297公) -4- 經滅部中央標準而只工消费合作社印餐 A7 _' ._B7____ _ 五、發明説明(2 ) 係經由燈泡間隔件1 0被導通於內部導電膜7 »由此,從 陽極端子所供應之陽極電壓,係經由內部導電膜7及燈泡 間隔件1 0,施加於會聚電極9。 然而,在此等彩色影像管,介經管頸3之內壁電位的 經時變化之影響,三電子射束之會聚狀態會變化。由此, 結果,不會著陸在三電子射束分別對應的螢光體層,而產 生色偏差發生在顯示畫像之問題。 亦即,因管頸係藉由例如玻璃之絕緣體所形成,因此 ,容易帶電·,亦即容易儲存電荷,並容易放電•所以,管 頸內壁之帶電電位亦即管頸電位係剛施加陽極電壓之後, 受到內部導電膜7或電子槍構體8之會聚電極9等之影響 ,達到所定之電壓分佈狀態。但是,隨著時間之經過,發 生在管頸內之浮動電子相撞於帶電之管頸內壁,並介經從 管頸放出2次電子,緩慢地上昇至管頸電位。結果,管頸 電位係經時變化。 該管頸電位係對於形成電子槍構體之主電子透疒部的 電場有所影響。所以,管頸電位係在所定電位不安定。隨 著逐漸上昇之管頸電位之經時變化,管頸電位係成r顯著, 漏透在主電子透鏡部之電場。由此,管頸電位係經時變化 形成主電子透鏡部之電場分佈。由於管頸電位係從主電子 透鏡部之周圍浸透,因此,變化通過主電子透鏡部之周圍 的兩側射束之軌道。 -- 如上所述,在放出三電子射束的彩色影像管中,會聚 狀態產生經時變化之所謂會聚漂移,並產生色偏差。 本紙張尺度適用中國國家椋率(CNS > Λ4圯格(210X 297^ff1 5- ------;-----^------.1T------ (Ϊ51Μ讀背而之注¾事項本頁) 經浐部中央標工消费合作社印裝 A7 __B7 _ 五、發明説明(3 ) 爲了解決此種問題,依照日本特開昭6 4 — 1 2449號公報,及特開平5-2 05560號公報, 如第1圖所示,彩色影像管係具有設在管頸內面之電子放 出係數小於1的高電阻導電膜1 7。該高電阻導電膜1 7 係形成直接覆蓋於管頸內壁並接觸於內部導電膜7。由此 ’防止依管頸之二次電子放出所產的管頸電位之經時變化 ,並抑制依會聚漂移所產生之色偏差。 然而,如表示於日本特開昭64_12449號公報 ,及特開平5_2 0 5 5 6 0號公報,將高電阻導電膜接 觸於內部導電膜並覆蓋形成於管頸內面時,如第1圖所示 ,若高電阻導電膜以均勻膜厚所形成時,發生如下之問題 〇 亦即,在表示於第1圖之例子中,將管頸之中心軸亦 即管軸作爲Z軸時,該Z軸方向之每一單位長度的高電阻 導電膜1 7之電阻値成爲一定*而且,由於該管頸電位係 與未設有高電阻導電膜1 7之情形Γ比較相對地較高。因 此,在具備於電子槍構體8之電極等之金屬部分與管頸內 壁之間容易發生場致放射。所以,铲生耐電壓特性有劣化 之問題。 (發明之槪要) 本發明係用以解決土述問題點而創作者,其目的係在 於提供一種將抑制會聚漂移的高電阻導電膜設於管頸之內 壁,且可抑制電子槍構體的電極等之金靥部分與管頸內壁 --,---;-----^------1T------0 {tvl閱详背而之注¾事項本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準< CNS )八4規搞(210X297公耷) -6- 經滅部中央標準局Κ工消费合作社印裝 A 7 B7 五、發明説明(4 ) ·· 之間的場致放射之具優異耐電壓特性的陰極射線管。 依照本發明提供一種陰極射線管,其特徵爲:具備 放出通過同一水平面上之一列地配列的複數電子射束 106〇,106〇,1068,並聚束在靶103上的 電子槍構體107,及 發生將從該電子槍構體所放出之複數電子射束偏轉於 靶上之互相正交之水平方向及垂直方向之偏轉磁場的偏軛 1 0 8,及 包含配置上述電子槍構體之管頸部105,具備上述 靶之面板部1 0 1,及從管頸部一直到面板部內徑被擴張 之漏斗部102的外圍部100,及 從上述漏斗部一直到管頸部,設於其內壁的內部導電 膜1 1 7,及 接觸於設在上述管頸部內壁的上述內部導電膜之端部 ,而且從該端部覆蓋上述電子槍構體之一部分地設在上述 管頸部的具有比上述^部導電膜之高電阻的高電阻導電膜 114; 上述高電阻導電1之正交於上述水平方向及垂直方向 的管軸方向之每一單位長度的膜電阻値,係在位於上述高 電阻導電膜之一端部側而且接觸於內部導電膜之端部的接 觸領域1 1 5,比上述高電阻導電膜之另一端部1 1 6側 的領域小者。 -- 依照本發明之陰極,射線管,在管頸部之內部,從接觸 於內部導電膜之端部之位置一直到配置有電子槍構體之位 本紙張尺度適用中國國家猱率(CNS } Λ4現你(210Χ297公兑) --.---^-----^------1T—-----0 (ίίι閱讳背而之注¾事項本页) 經漪部中央橾準局貝工消f合作社印褽 A7 H7 五、發明説明(5 ) 置的一部分,形成有比內部導電膜高電阻的高電阻導電膜 ,所以可抑制來自管頸部之二次電子的放出,並可防止不 期望之管頸電位的經時變化。由此,成爲可減低電子射束 對於軌道之影響,並可防it依會聚漂移所產生的色偏差。 又,由於在高電阻導電膜之另一端近旁,管軸方向之 每一單位長度的高電阻導電膜之電阻値,與高電阻導電膜 之一端部側的內部導電膜端部近旁的高電阻導電膜之電阻 値相比較相對地高,因此,成爲可將管頸部內壁之電位相 對地抑制至較低。由此,可抑制與電子槍構體之施加有高 電壓之金屬部分之間的場致放射。 〔發明之實施形態〕 以下,參照圖式說明本發明之陰極射線管,例如彩色 陰極射線管之實施形態。 在第2圖表示作爲本發明之陰極射線管的彩色陰極射 線管該彩色陰極射線管係如第2圖所示,具有一體地接 合有面板部101,漏斗部102,管頸部105的外圍 器1 n 0。該面板部1 0 1係具有形成於其內面之分別紅 (R)、綠(G)、藍(B)地發光之條紋狀或點狀之三 色螢光體層所構成的螢光體屏103(靶)。又,面板部 1 0 1係在其內側具有對向裝設於螢光體屏1 0 3之具有 多數孔徑的陰罩。 -· 管頸部1 0 5係形成在具有圓形剖面形狀的圓筒狀° 管頸部1 0 5係具有配設於其內部的直線(i η - --:---;-----餐------1Τ------.^ (計1閱娣背而之注¾事項本頁) 本紙張尺度適用中國國家椋率(CNS ) Λ4規格(210x297公)u > • 8 - 經溁部中央榡準局只工消费合作社印¾ Α7 Β7 五、發明説明(6 ) 1 i n e )型電子槍構體1〇7。將管頸部105之中心 軸亦即管軸作爲Z軸,並將分別正交於Z軸之水平方向作 爲Ή軸及垂直方向作爲V軸時,該直線型電子槍構體 1 0 7係放出通過同一平面亦即通過以Η軸及Ζ軸所規定 之Η — Ζ平面上的三電子射束106Β,106G, 106R。此等三電子射束係由向水平方向Η—列地配置 的中心射束1 0 6 G及一對側射束1 0 6 Β,1 〇 6 R所 構成。從該電子槍構體1 0 7所放出之三電子射束1 0 6 (R,G,B),係被集中於螢光屏1〇3之同時,分別 被聚束在藍,綠,紅之螢光體層上。 裝設於漏斗部1 0 2之外側的偏轉軛1 〇 8,係形成 用以將從電子槍構體1 〇 7所放出的三電子射束1 〇 6 ( R,G ’ B)向水平方向Η及垂直方向V偏轉的非整齊磁 場。該非整齊磁場係由針墊型水平偏轉磁場及桶型垂直偏 轉磁場所構成。 彩色陰極射線管係又具有形成於漏斗部1 〇 2外側的 外部導電膜1 1 3,及覆蓋於從漏斗部1 〇 2 —直到管頸 部1 0 5之內面的內部導電膜1 1 7。該內部導電膜 1 1 7係導通於供應陽極電壓的陽極端子1 2 0。 在此種構造之彩色陰極射線管中,從電子槍構體 107所放出之三電子射束106 (R,G,Β)係介經 偏轉軛1 0 8所發生之非整齊磁場,經由陰罩1 〇 4而將 螢光體1 0 3向水平方向及垂直方向掃描·由此,彩色畫 像被顯示。 --·--^-----^------ΐτ----- (ίίίι閱^•背而之注&事項^本Η ) 本紙張又度適用中國國家標準(CNS ) Λ4坭枋(210X297公处) -9- 經涑部中央梂準局只工消赀合作社印聚 A7 _B7 五、發明説明(7 ) 第3圖係放大圖示於第2圖的彩色陰極射線管之管頸 部的圖式。又,在第3圖中,Z軸之正方向係對應於與電 子射束之進行方向的相反方向。 如第3圖所示,彩色陰極射線管保具有配設於該管頸 部1 0 5之直線型電子槍構體1 0 7。該電子槍構體 1 0 7係具備:放出直線方向地,亦即水平方向Η地一列 配置的三電子射束106Β,106G,10R的三個陰 極Κ,及分別個別地加熱此等陰極Κ的三個加熱器。 又,該電子槍構體1 0 7係具有:從陰極Κ依次向螢 光體屏(耙)方向,亦即向Ζ軸之負方向,互相隔著所定 間隔所配置的第1至第6柵極G1〜G6,及安裝於位在 其第6柵極G 6之螢光體屏側之端部的會聚電極1 1 9。 第1及第2柵極G1,G2係分別藉由板狀電極所構成。 又,第3至第6柵極G 3〜G6係分別藉由筒狀電極所構 成。 此等加熱器,陰極K及第1至第6柵極G1〜G6, 藉由對向配置在正交於水平方向Η之垂直方向V的一對絕 緣支持體,亦即粒狀玻璃體1 1 2 —體地支持。該粒状玻 璃體112係如第3圖所示*向管軸方向Ζ延伸。 第1及第2柵極Gl,G2係具有沿著水平方向Η — 列地形成之較小之三個大約圖形的電子射束通過孔。 第3柵極G 3係在與第2柵極G 2之對向面,及與第 4柵極G 4之對向面,具有沿著水平方向Η —列地形成之 三個大約圓形的電子射束通過孔。此等電子射束通過孔係 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS > Λ4現格(210X297公_彳〇 - --.--Μ-----裝------π------m (-;.*?1閱谇.^而之注念?项^^-»本頁) 經浐部中央榡窣历只工消资合作社印裝 A7 __;_ B7 五、發明説明(8 ) 具有比第2柵極G 2之電子射束通過孔較大徑。 第4柵極G 4係在與第3柵極G 3之對向面,及與第 5柵極G 5之對向面,具有沿著水平方向Η -列地形成之 三個大約圓形的"電子射束通過孔。此等電子射束通過孔係 具有形成於與第3柵極G 3之第4柵極G 4對向面之電子 射束通過孔大約相同之徑》 第5柵極G 5係在與第4柵極G4之對向面,及與第 6柵極G 6之對向面,具有沿著水平方向Η —列地形成之 三個大約圓形的電子射束通過孔》此等電子射束通過孔係 具有形成於與第4柵極G 4之第5柵極G 5對向面之電子 射束通過孔大約相同之徑。 第6柵極G 6係在與第5柵極G 5之對向面,及與會 聚電極1 1 9之對向面,具有沿著水平方向Η -列地形成 之三個大約圓形的電子射束通過孔。此等電子射束通過孔 係具有形成於與第5柵極G 5之第6柵極G 6對向面之電 子射束通過孔大約相同之徑》 會聚電極1 1 9係在其底部,亦即在對向於第6柵極 G 6之面,具有沿著水平方向Η —列Γ形成之三個大約圖 形的電子射束通過孔。此等電子射束通過孔係具有與第6 柵極G 6之電子射束通過孔大約相同之徑。又,該會聚電 極1 1 9係經由閥間隔件1 1 〇,連接於供應有陽極電極 Ε 6之內部導電膜1 1 7-。 以下,參照第3圖,說明包含於該電子槍構體的各柵 極之連接關係。 本紙张尺度適用中國國家橾丰(CNS > Λ4规格(210X2W公^ - --.--^-----^.------ίτ------10 (ii.l閲讀汴而之注意1-項本茛) 經滂部中央標準局只工消费合作社印裝 A7 ___B7 五、發明説明(9 ) 該電子槍構體之陰極K係電氣式地連接於未予圖示之 直流電源及影像信號源•在該陰極K,係影像信號所重疊 之電壓施加成10 0〜2 0 0V之直流電壓。第1柵極 G 1係被接地。 第2柵極G 2與第4柵極G 4,係在管內互相地連接 ’同時電氣式地連接於直流電源》在此等第2柵極G2及 第9柵極G4,施加有5 0 0〜1000V之電壓。 第3柵極G 3與第5柵極G 5,係在管內互枏地連接 ,同時電氣式地連接於直流電源。在此等第3柵極G 3及 第5柵極G 5,施加有相當於施加在第6柵極G 6的陽極 電壓G6之大約2 0〜3 5%的直流電壓Vf。 在第6柵極G6,經由閥間隔件1 1 〇及內部導電膜 •1 1 7施加有2 5〜3 5KV之陽極電壓Eb。 在該電子槍構體,係介經將此等電平之電壓施加於各 柵極,藉由陰極K及第1至第3柵極G1〜G3,形成有 電子射束發生部G E ^該電子射束發生部G E,係控制來 自陰極K之電子放出,且加速,聚束所放出之電子以形成 電子射束。 又,藉由第3至第6柵極G3〜G6,形成有主電子
I 透鏡部ML。該主電子透鏡部ML,係將在電子射束發生 部G E所形成的電子射束加速,聚束於螢光體屏上。 該彩色陰極射線管係具有:設於從漏斗部1 〇 2 —直 到管頸部1 0 5之內面的如第1圖所示,具有比內部導電 膜1 1 7高電阻値的髙電阻導電膜1 1 4。該高電阻導電 本紙張尺度適用中國國家標準(〇沁)八4規枯(2丨0义297公耸> •12- --^--J-----^------1T------m ("先閱铕背而之注念事項再^^本頁) 經來‘部中央標涞局只工消费合作社印裝 A7 __.___B7_ 五、發明説明(10 ) 膜1 14係在其一端部側具有接觸於內部導電膜1 1 7之 領域1 1 5,同時覆蓋電子槍構體1 0 7之一部分地設於 管頸部105之內壁。高電阻導電膜114之另一端部 1 1 6係達到電子槍構體10 7之主電子透鏡部ML。 該高電阻導電膜114係將ΑΤΟ亦即在氧化錫摻雜 錄之氧化物導電體,及成爲黏合劑之乙基矽酸鹽等之矽烷 偶合劑分散成乙醇等之有機溶媒的溶液以噴塗方式,浸漬 方式或分散方式等塗佈在管頸部1 0 5之內壁後,藉由乾 燥所形成。以該方式所形成的高電阻導電膜1 1 4係其膜 厚極薄,不足1 。 介經設置該高電阻導電膜1 1 4,抑制電子射束之會 聚狀態經時變化之所謂會聚漂移》 亦即,管頸內壁之電位即管頸電位,係剛施加陽極電 壓Eb之後,受到內部導電膜117或電子槍構體107 之會聚電極119等之影響,達到某一定之電位分布狀態 。然後,發生在管頸部1 0 5內之浮動電子藉由相撞於谱 電之管頸內壁,而從管頸部1 0 5放出二次電子。當由管 頸部1 0 5放出二次電子時,管頸電位緩慢地上昇。管頸 電位係隨著上昇,成爲從管頸內壁顯著地浸透在電子槍構 體1 0 7之主電子透鏡部ML,而對於形成主電子透鏡部 ML之電場有影響。由於形成主電子透鏡部ML之電場形 狀藉由來自管頸內壁之管頸電位而被變形,因此,特別是 ,會變化兩側射束之.軌,道•由此,成爲三電子射束之會聚 狀態發生經時變化或色偏差的原因。 --,---^-----^------1T------^ (ίΛίι閱讀背而之注念事項再本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) /\4忧枋(210X297公处} -13- 經滴部中央標搫局β工消费合作社印52 A7 B7 五、發明説明(11 ) 然而,如第3圖所示,介經在管頸部1 〇 5之內壁設 有髙電阻導電膜1 1 4,可抑制二次電子之放出’並可防 止依會聚漂移之色偏差之發生。 又,在該高電阻導電膜1 1 4之一端部側與內部導電 膜1 1 7之接觸領域1 1 5之近旁,Z軸方向之每一單位 長度的高電阻導電膜1 1 4之電阻値,亦即膜電阻値,設 ~ ' 成比高電阻導電膜114之另一端部116近旁之電阻値 小。 亦即,該高電阻導電膜1 1 4之膜電阻値,係從與內 部導電膜117端部的接觸領域115愈向另一端部 116愈逐漸變大,而在另一端部116成爲最大。換言 之,高電阻導電膜1 1 4之膜電阻値,係從內部導電膜 1 1 7之另一端部1 1 6愈向接觸領域1 1 5愈逐漸變小 ,而在接觸領域115成爲最小。 爲了達成此種膜電阻値之分布,例如,如該實施形態 所示,變化高電阻導電膜1 1 4之膜厚分布。 如第3圖所示,高電阻導電膜1 1 4之膜厚係在高電 阻導電膜114之一端側與內部導電膜117之接觸領域 1 1 5近旁,形成比另一端部1 16近旁較厚。 亦即,該高電阻導電膜1 1 4之膜厚,係從與內部導 電膜端部的接觸領域115愈向另一端部116愈逐漸變 薄,而在另一端部1 1 6-成爲最小之膜厚。換言之,高電 阻導電膜1 1 4之膜厚,係從內部導電膜1 1 7之另一端 部1 1 6愈向接觸領域1 1 5愈逐漸變厚,而在接觸領域 --.— -rj-----餐------1T------0 (对1閱请背而之注^"本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNSM4^格(210x 297公兑) -14 - 經潢部中央橾ί'-^β工消费合作社印裝 A7 ___ B7 五、發明説明(12 ) 1 1 5成爲最大之膜厚。 介經形成此等膜電阻値之分布,可將管頸電位相對地 抑制成較低》因此,可抑制具備於電子槍構體1 0 7之複 數柵極中施加有最高電壓之柵極等之金鼯部分,及管頸部 1 0 5之間的場效放射之.發生。 ‘ 以下,模擬設置如上所述地形成有膜電阻値之分布之 高電阻導電膜的彩色陰極射線管之管頸電位,在此,比較 具有如本實施形態之膜電阻値之分布的彩色陰極射線管 CRT 1之管頸電位,及具有大約一定之膜電阻値之分布 的彩色陰極射線管CRT2之管頸電位,及未設有高電阻 導電膜的彩色陰極射線管C R T 3之管頸電位》 第4 A圖係表示各彩色陰極射線管之管頸電位之模擬 結果的圖式,橫軸係以電子射束之進行方向相反方向作爲 正之Z軸方向的位置,而縱軸係沿著管頸部之Z軸方向所 算出的管頸電位之相對値。第4 B圖係槪略地表示圖示於 第3圖之構造的彩色陰極射線管CRT 1之高電阻導電膜 1 1 4之塗佈狀態的剖面圖,第4 C圖係槪略地表示圖示 於第1圖之構造的彩色陰極射線管C RT 2之高電阻π電 膜1 1 8之塗佈狀態的剖面圖,第4D圖係表示彩色陰極 射線管CRT3之內部導電膜117端部近旁的剖面圖。 在第4 Α圖,分別表示有將各彩色陰極射線管 CRT1、CRT2、CRT3之管頸電位之模擬結果予 以表示的分布曲線18、 19、 20。 具有如第4 B圖所示之膜厚分布的高電阻導電膜 --:---^-----^------1Τ------^ 本紙張尺度適用中國國家榡率(CNS ) Λ4«^& ( 210X297公)ί ) . 15 - 經^-部中央標準扃月工消费合作社印裝 A7 B7_ . 五、發明説明(13 ) 1 1 4之另一端部1 1 6近旁的管頸電位2 1 ’係比具有 均勻膜厚之高電阻導電膜118的彩色陰極射線管 CRT 2之管頸電位2 2相對地小,又,愈近似於未設有 高電阻導電膜之彩色陰極射線管C RT 3之管頸電位2 3 愈小。又,如第4A圖所示,Z軸方向之位置愈從內部導 電膜1 1 7遠離,彩色陰極射線管CRT 1之管頸電位係 愈接近於彩色陰極射線管C RT 2之管頸電位。 所以,具備於電子槍構體之複數電極中施加有最高電 壓的電極等之金屬部分,與高電阻導電膜之端部附近的電 位差,係彩色陰極射線管CRT 1者,比彩色陰極射線管 •C R T 2小。亦即,在彩色陰極射線管CRT1中,在電 子槍構體之施加有最高電壓的電極等之部分與近接於該部 分之高電阻導電膜之間的電位差,係未設有高電阻導電膜 時,亦即與彩色陰極射線管CRT 3實質上愈近似愈小。 因此,設置抑制會聚漂移之彩色陰極射線管,且成爲 可抑制電子槍構體的電極等之金屬部f與管頸內壁之間的 場致放射之發生。 以下,依照實驗資料說明如第3 1T所示之構造的彩色 陰極射線管之耐電壓特性的優位性。 第5圖係用以評價具有如上所述之膜電阻値分布的彩 色陰極射線管C RT 1之耐電壓特性的測定電路圖。在此 ,耐電壓特性係藉由測定發生場致放射時之電壓來評價。 亦即,在如第5圖所示之電路構成,介經場致放射之„ 發生,測定流至電流計A之電流成爲0 . 0 1 時的陽 本紙張尺度適用中國Η家榡準(CNS )以規枋(210X 297公犮) .16 . iitMrs背而之注态事項本万) •裝_ .1Τ _線_ 經漪部中央櫟準府Κ工消资合作杜印裝 A7 B7 五、發明説明(14 ) 極電壓電源的電壓値,評價作爲耐電壓特性*又,在該測 定所使用的彩色陰極射線管之管頸部1 0 5之外徑,係直 徑22 . 5mm。在第6圖表示電壓値之測定結果。表示 於第6圖之電壓値係在測定10次所得到的測定値之平均 値。 在第6圖中,條件A係對應於表示在第3圖之本實施 形態的彩色陰極射線管CRT 1,而條件B係對應於表示 在第1圖之以往的彩色陰極射線管CRT2。如第6圖所 示,在本實施形態之彩色陰極射線管CRT 1,發生場致 放射時之陽極電電源之電壓値係3 1 KV。對於此,在以 往之彩色陰極射線管CRT2,發生場致放射時之陽極電 壓電源之電壓値係2 6 KV。如此,可知本實施形態之彩 色陰極射線管CRT 1係發生場致放射時之電壓値比以往 之彩色陰極射線管CRT2高約5KV。因此,可知本發 明之陰極射線管係介經係爲如4第B圖所示之構造,作爲 耐電壓特性比以往之陰"1射線管更具優位。 如上所述,依照本發明之陰極射線管,具備覆蓋形成 在從漏斗部1 0 2 —直^管頸部1 0 5之內壁的內部導電 膜1 1 7,及接觸於內部導電膜1 1 7之端部同時形成在 管頸部而覆蓋電子槍構體1 0 7之一部分的高電阻導電膜 1 1 4。該高電阻導電膜1 1 4係具有比內部導電膜 1 1 7高之電阻。 又,依照本發明之陰極射線管,高電阻導電膜1 1 4 之管軸方向的每一單位長度之電阻値,係接觸於內部導電 I ^ 裝 訂—.-----線— (对先閱讀卄而之注¾事項本页) 本紙張尺度適用中國國家標聿(CNS ) Λ4ίϋί你(2丨0Χ297公# ) -17- 經淡部中央標ί?-^β工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(15 ) 膜1 1 7之端部的接觸領域1 1 5近旁,比高電阻導電膜 1 1 4之另一端部1 1'6近旁小。 所以,成爲可將管頸部1 0 5內壁之電位相對地抑制 成較低,而成可抑制施加有電子槍構體10 7之高電壓的 金屬部分與管頸部1 0 5之內壁之間的場致放射。 如上所述,依照本發明,可提供一種將抑制場致放射 的高電阻導電膜設於管頸之內壁,且可抑制電子槍構體之 電極等之金屬部分與管頸內壁之間的場致放射之耐電壓特 性優異的陰極射線管。 〔圖式之簡單說明〕 第1圖係槪略地表示以往的陰極射線管之管頸部之構 造的平面圖。 第2圖係槪略地表示作爲本發明之陰極射線管之一例 的彩色陰極射線管之構造的水平剖面圖。 第圖係槪略地表示圖示於第1圖之陰極射線管之管 頸部之構造的平面圖。 第/A圖係表示管頸內電位之模擬結果的圖式; 第4 B圖係槪略地表示圖示於第3圖之本發明的彩色 陰極射線管之高電阻導電膜之塗佈狀態的剖面圓: 第4 C圖係槪略地表示圖示於第1圖之以往的彩色陰 極射線管之高電阻導電膜之塗佈狀態的剖面圖; 第4D圖係表示未設有高電阻導電膜的彩色陰極射線 管之內部導電膜端部近旁的剖面圖。 ---·--1J-----裝-----_--L-----線 (計1调详背而之注¾事項\^^?本页) 本紙張尺度適用中國國家標率(〇奶)/\4規你(2丨0><297公势> -18- A7 B? 五、發明説明(16 )·· 第5圖係表示用以測定場致放射的測定電路圖。 第6圖係表示在圖示於第5圖之電路構成中,流動電 流計A之電流値成爲0 . 01 μ A時所測定之陽極電壓電 源之電壓値之測定結果的圖式。 〔-記號之說明〕 18:分佈曲線((:11丁1),19:分布曲線( CRT2) ,20:分布曲線(CRT3),2 1 :管頸 電位(CRT1) ,22:管頸電位(CRT2) ,23 :管頸電位(CRT3) ,100 :外圍器,101 :面 板部,102 :漏斗部,103 :螢光體屏(靶), 1 〇 4 :陰罩,1 0 6 B,G,R :三電子射束,1 〇 7 :電子槍構體,108 :偏轉軛,Γ 10 :閥間隔件, 1 1 2 :粒狀玻璃,1 1 3 :外部導電膜,1 1 9 :高電 阻導電膜,1 1 5 :接觸領域(高電阻導電膜之一端側) ,116 :另一端側(高電阻導電膜),117 :內部導 電膜,1 1 8 :高電阻導電膜(均勻之膜厚),1 19 : 會聚電極,120:陽極端子。 --.--r J-----裝------訂—:-----線 (151閱请11··而之注&本項^1^?本頁) 經浹部中央標準局β工消费合作社印絜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) /\4現枯(210Χ2Μ公» ) • 19-

Claims (1)

  1. 8888 ABCD 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印«. 六、申請專利範囷 1 ·—種陰極射線管,其特徵爲:具備 放出通過同一水平面上之一列地配列的複數電子射束 l〇6R,l〇6G,106B,並聚束在粑103上的 電子槍構體107,及 胃生將從該電子槍構體所放出之複數電子射束偏轉於 ¥E±之互相正交之水平方向及垂直方向之偏轉磁場的偏軛 1 0 8,及 包含配置上述電子槍構體之管頸部1 0 5,具備上述 靶之面板部101,及從管頸部一直到面板部內徑被擴張 之漏斗部102的外圍部100,及 從上述漏斗部一直到管頸部,設於其內壁的內部導電 膜1 1 7,及 接觸於設在上述管頸部內壁的上述內部導電膜之端部 ,而且從該端部覆蓋上述電子槍構體之一部分地設在上述 管頸部的具有比上述內部導電膜之高電阻的高電阻導電膜 114: 上述高電阻導鼋膜之正交於上述水平方向及垂直方向 的管軸方向之每一單位長度的膜電阻値,係在位於上述1 電阻導電膜之一端部側而且接觸於內部導電膜之端部的接 觸領域1 1 5,比上述高電阻導電膜之另一端部1 1 6側 的領域小者。 2 .如申請專利範圍第1項所述之陰極射線管,其中 ,上述高電阻導電膜係在上述接觸領域之上述膜電阻値成 爲最小,而在上述另一端部側之領域的上述膜電阻値成爲 本紙張尺度逋用中困國家檬率(CNS >A4规格(210x297公釐) -20- --·---„-----裝-- (請先閱讀背面之注意事項再f本頁) 订 線
    六、申請專利範園 最大者。 3 .如申請專利範圍第1項所述£陰極射線管,其中 ’上述高電阻導電膜係從其另一端部愈向與上述內部導電 膜之接觸領域愈使上述膜電阻値逐漸地變小者。 4 .如申請專利範圍第1項所述之陰極射線管,其中 ,上述高電阻導電膜係在上述接觸領域之膜厚比上述另一 端部側之膜厚較厚者。 5 .如申請專利範圍第4項所述之陰極射線管,其中 ,上述高電阻導電膜係在上述接觸領域之膜厚形成最厚, 而在上述另一端部之膜厚形成最薄者。 6 .如申請專利範圍第4項所述之陰極射線管,其中 ,上述高電阻導電膜係從其另一端部愈向與上述內部導電 膜之接觸領域愈使上述膜厚逐漸地變厚者。 --·---„-----裝-- {請先閱讀背面之注f項再ί本寊) 订· 線 經濟部中央標率局只工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家椹準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) · 21 -
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