KR100311870B1 - 음극선관 - Google Patents

Abstract

본 발명은 칼라수상관 등의 음극선관, 특히 음극선관의 넥 내벽에 도포되는 고저항 도전막의 도포상태에 관한 것으로서, 상기 음극선관의 넥부(105)의 내벽에는 내부 도전막(117)이 피착 형성되고, 이 내부 도전막(117)의 단부에 접촉함과 동시에 전자총(107)이 배치된 넥부(105)의 일부를 덮도록 내부 도전막(117)보다도 높은 전기저항을 갖는 고저항 도전막(114)이 설치되어 있고, 내부 도전막(117)에 접촉하고 있는 고저항 도전막(114)의 일단부측의 내부 도전막(117) 단부 근방에서 관축방향의 단위길이당 막저항값은 고저항 도전막(114)의 타단부(116) 근방보다 작게 되도록 설정되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

음극선관{CATHODE RAY TUBE}

본 발명은 칼라수상관 등의 음극선관, 특히 음극선관의 넥 내벽에 도포되는 고저항 도전막의 도포상태에 관한 것이다.

일반적으로 칼라수상관은 패널, 퍼넬 및 넥 등이 일체로 접합된 외관용기를 갖고 있다. 이 패널은 그 내면에 청, 녹, 적으로 발광하는 스트라이프형상 또는 도트형상의 3색 형광체층으로 이루어지는 형광체 스크린(타겟)을 갖고 있다. 또, 패널은 그 내측에 형광체 스크린에 대향하여 장착된 다수의 개구가 형성된 섀도우마스크를 갖고 있다.

넥은 그 내부에 배치된 전자총 구조체를 갖고 있다. 이 전자총 구조체는 동일 수평면상을 통과하는 1열배치의 센터빔 및 한쌍의 사이드빔으로 이루어지는 3전자빔을 방출한다. 이 전자총 구조체로부터 방출된 3개의 전자빔은 형광체 스크린을 향하여 집중됨과 동시에 청, 녹, 적의 각각의 형광체층 상에 집속된다.

퍼넬의 바깥쪽에 장착된 편향요크는 전자총 구조체로부터 방출된 3전자빔을 수평방향 및 수직방향으로 편향하기 위해 비제일(非齊一)자계를 형성한다. 전자총 구조체로부터 방출된 3전자빔은 이 비제일자계에 의해 섀도우마스크를 통해서 형광체 스크린을 수평주사 및 수직주사한다. 이에 의해 칼라화상이 표시된다.

도 1에 도시한 바와 같이 칼라수상관은 외관용기의 퍼넬로부터 넥(3)에 걸쳐서 내면에 피착된 내부 도전막(7)을 갖고 있다. 이 내부 도전막(7)은 퍼넬에 설치된 양극단자로 도통되고 있다. 전자총 구조체(8)의 컨버젼스전극(9)은 벌브스페이서(10)를 통해서 내부 도전막(7)으로 도통되고 있다. 이에 의해 양극단자로부터 공급된 양극전압은 내부 도전막(7) 및 벌브스페이서(10)를 통해서 컨버젼스전극(9)에 인가된다.

그러나, 이러한 칼라수상관에서는 넥(3)의 내벽 전위의 시간의 경과에 따른변화의 영향에 따라, 3전자빔의 컨버젼스상태가 변화하는 경우가 있다. 이에 의해 결과적으로는 3전자빔이 각각 대응하는 형광체층에 랜딩(landing)하지 않고, 표시화상에 색어긋남이 생긴다고 하는 문제가 발생한다.

이 원인은 이하와 같다.

즉, 넥은 절연체 예를 들면, 유리에 의해 형성되고 있기 때문에, 대전 즉, 전하가 축적되기 쉽고, 방전을 생기게 하기 쉽다. 이 때문에, 넥 내벽의 대전전위 즉, 넥 전위는 양극전압을 인가한 직후, 내부 도전막(7)이나 전자총 구조체(8)의 컨버젼스전극(9) 등의 영향을 받아, 소정의 전위분포상태에 도달한다. 그러나, 시간의 경과와 함께 넥 내에 발생한 부유전자가 대전된 넥 내벽에 충돌하고, 넥으로부터 2차전자를 방출시킴으로써, 넥 전위를 서서히 상승시킨다. 이 결과, 넥 전위는 시간의 경과에 따라 변화한다.

이 넥 전위는 전자총 구조체의 주전자렌즈부를 형성하는 전계에 영향을 미친다. 이 때문에, 넥 전위가 소정 전위에서 안정하지 않고, 차츰 상승하는 넥 전위의 시간의 경과에 따른 변화에 따라서, 넥 전위는 주전자렌즈부의 전계에 현저하게 침투되게 된다. 이에 의해 넥 전위는 주전자렌즈부를 형성하는 전계분포를 시간의 경과에 따라 변화시킨다. 넥 전위는 주전자렌즈부의 주위로부터 침투하기 때문에, 주전자렌즈부의 주위를 통과하는 양 사이드빔의 궤도를 변화시킨다.

이렇게 3전자빔을 방출하는 칼라수상관에서는 컨버젼스상태가 시간의 경과에 따라 변화하는 이른바 컨버젼스 드리프트가 일어나고 색어긋남이 발생한다.

이러한 문제를 해결하기 위해서, 일본국 특개소 64-12449호 공보 및 일본국특개평 5-205560호 공보에 의하면, 도 1에 도시한 바와 같이 칼라수상관은 넥의 내면에 설치된 전자방출 계수가 1보다 작은 고저항 도전막(17)을 갖고 있다. 이 고저항 도전막(17)은 넥의 내벽에 직접 피착되어 있음과 동시에, 내부 도전막(7)에 접촉하도록 형성되어 있다. 이에 의해 넥의 2차 전자 방출에 의한 넥 전위의 시간의 경과에 따른 변화를 방지하고, 컨버젼스 드리프트에 의한 색어긋남을 억제하고 있다.

그러나, 일본국 특개소 64-12449호 공보 및 일본국 특개평 5-205560호 공보에 나타나 있는 것과 같이, 넥 내면에 고저항 도전막을 내부 도전막에 접촉시키고 피착형성하는 경우, 도 1에 도시한 바와 같이 고저항 도전막이 균일한 막두께로 형성되어 있다면, 이하와 같은 문제가 발생한다.

즉, 도 1에 도시한 예에서는 넥의 중심축, 즉 관축을 Z축으로 하면, Z축방향의 단위길이당 고저항 도전막(17)의 저항값이 일정하게 된다. 또한, 이 넥 전위는 고저항 도전막(17)이 설치되어 있지 않은 경우와 비교하여 상대적으로 높기 때문에, 전자총 구조체(8)에 구비된 전극 등의 금속부분과 넥 내벽과의 사이에서 필드 이미션(field emission)을 발생시키기 쉽다. 이 때문에 내전압 특성이 악화하는 문제가 발생한다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그 목적은 컨버젼스 드리프트를 억제하는 고저항 도전막을 넥 내벽에 설치하고, 동시에 전자총 구조체의 전극 등의 금속부분과 넥 내벽과의 사이의 필드 이미션을 억제할 수 있는 내전압 특성이 양호한 음극선관을 제공하는 데에 있다.

도 1은 종래 음극선관의 넥부의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도,

도 2는 본 발명의 음극선관의 일례로서 칼라음극선관의 구조를 개략적으로 나타내는 수평단면도,

도 3은 도 2에 도시한 음극선관의 넥부의 구조를 개략적으로 나타내는 평면도,

도 4a는 넥내 전위의 시뮬레이션결과를 나타내는 도면,

도 4b는 도 3에 도시한 본 발명의 칼라음극선관에 있어서 고저항 도전막의 도포상태를 개략적으로 나타내는 단면도,

도 4c는 도 1에 도시한 종래의 칼라음극선관에 있어서 고저항 도전막의 도포 상태를 개략적으로 나타내는 단면도,

도 4d는 고저항 도전막이 설치되어 있지 않은 칼라음극선관에 있어서 내부 도전막 단부 근방의 단면도,

도 5는 필드 이미션을 측정하기 위한 측정회로도, 및

도 6은 도 5에 도시한 회로구성에 있어서 전류계(A)에 흐르는 전류값이 0.01㎂가 될 때에 측정되는 양극전압 전원의 전압값의 측정결과를 나타내는 도면이다.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

18: 분포곡선(CRT1) 19: 분포곡선(CRT2)

20: 분포곡선(CRT3) 21: 넥 전위(CRT1)

22: 넥 전위(CRT2) 23: 넥 전위(CRT3)

100: 외관용기 101: 패널부

102: 퍼넬부 103: 형광체 스크린(타겟)

104: 섀도우마스크 105: 넥부

106B, G, R: 3전자빔 107: 전자총 구조체

108: 편향요크 110: 벌브스페이서

112: 비드유리 113: 외부 도전막

114: 고저항 도전막 115: 접촉영역(고저항 도전막의 일단측)

116: 타단측(고저항 도전막) 117: 내부 도전막

118: 고저항 도전막(균일한 막두께) 119: 컨버젼스전극

120: 음극단자

본 발명에 의하면, 동일 수평면상을 통과하는 1열로 배열된 복수의 전자빔을 방출하여 타겟상에 집속하는 전자총 구조체; 상기 전자총 구조체로부터 방출된 복수의 전자빔을 타겟상의 서로 직교하는 수평방향 및 수직방향으로 편향시키는 편향자계를 발생하는 편향요크; 상기 전자총 구조체를 배치하는 넥부, 상기 타겟을 구비하는 패널부 및 넥부로부터 패널부에 걸쳐서 내부직경이 확장되는 퍼넬부를 포함하는 외관용기; 상기 퍼넬부로부터 넥부에 걸쳐서 그 내벽에 설치된 내부 도전막; 및 상기 넥부의 내벽에 설치된 상기 내부 도전막의 단부에 접촉함과 동시에, 상기 단부로부터 상기 전자총 구조체의 일부를 덮도록 상기 넥부에 설치된 상기 내부 도전막보다 높은 전기저항값을 갖는 고저항 도전막을 구비하고, 상기 고저항 도전막의 상기 수평방향 및 수직방향으로 직교하는 관축방향의 단위길이당 막저항값은 상기 고저항 도전막의 일단부(一端部)측에 위치함과 동시에 내부 도전막의 단부에 접촉하는 접촉영역에 있어서, 상기 고저항 도전막의 타단부측의 영역보다 작은 것을 특징으로 하는 음극선관이 제공된다.

본 발명의 음극선관에 의하면, 넥부의 내벽에 있어서, 내부 도전막의 단부에 접촉하는 위치로부터 전자총 구조체가 배치된 위치의 일부에 걸쳐서, 내부 도전막보다 높은 전기저항값을 갖는 고저항 도전막이 형성되고 있다. 이 때문에, 넥부로부터의 2차 전자의 방출을 억제하고, 원하지 않는 넥 전위의 시간의 경과에 따른 변화를 방지할 수 있다. 이에 의해 넥 전위의 변동에 따른 전자빔의 궤도에 대한 영향을 저감하고, 컨벼젼스 드리프트에 의한 색어긋남을 방지하는 것이 가능해진다.

또, 고저항 도전막의 타단부 근방에 있어서, 관축방향의 단위길이당 고저항 도전막의 저항값이 고저항 도전막의 일단부측의 내부 도전막단부 근방에서 고저항 도전막의 저항값과 비교하여 상대적으로 높기 때문에, 넥부의 내벽의 전위를 상대적으로 낮게 억제하는 것이 가능해진다. 이에 의해 전자총 구조체에 있어서 고전압이 인가되고 있는 금속부분과의 사이의 필드 이미션을 억제하는 것이 가능해진다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 음극선관, 예를 들면 칼라음극선관의 실시형태에 대해서 설명한다.

도 2에는 본 발명의 음극선관의 일례로서 칼라음극선관이 나타나 있다. 이 칼라음극선관은 도 2에 도시한 바와 같이 패널부(101), 퍼넬부(102), 넥부(105)가 일체로 접합된 외관용기(100)를 갖고 있다. 이 패널부(101)는 그 내면에 형성된 적(R), 녹(G), 청(B)으로 각각 발광하는 스트라이프형상 또는 도트형상의 3색 형광체층으로 이루어지는 형광체 스크린(103)(타겟)을 갖고 있다. 또, 패널부(101)는 그 내측에 형광체 스크린(103)에 대향하여 장착된 다수의 개구를 갖는 섀도우마스크(104)를 갖고 있다.

넥부(105)는 원형의 단면형상을 갖는 원통형상으로 형성되어 있다.넥부(105)는 그 내부에 배치된 인라인형 전자총 구조체(107)를 갖고 있다. 넥부(105)의 중심축, 즉 관축을 Z축으로 하고, Z축에 각각 직교하는 수평방향을 H축 및 수직방향을 V축으로 하면, 이 인라인형 전자총 구조체(107)는 동일 수평면, 즉 H축 및 Z축에서 규정되는 H-Z평면상을 통과하는 3전자빔(106B, 106G, 106R)을 방출한다. 이들 3전자빔은 수평방향 H에 1열로 배치된 센터빔(106G) 및 한쌍의 사이드빔(106B, 106R)으로 이루어진다. 이 전자총 구조체(107)로부터 방출된 3전자빔(106(R, G, B))은 형광체 스크린(103)을 향하여 집중됨과 동시에 청, 녹, 적의 각각의 형광체층상에 집속된다.

퍼넬부(102)의 바깥쪽에 장착된 편향요크(108)는 전자총 구조체(107)로부터 방출된 3전자빔(106(R, G, B))을 수평방향 H 및 수직방향 V로 편향시키기 위한 비제일자계를 형성한다. 이 비제일자계는 핀쿠션형의 수평편향자계 및 배럴형의 수직편향자계로 이루어진다.

칼라음극선관은 또한 퍼넬부(102)의 바깥쪽에 형성된 외부 도전막(113)과, 퍼넬부(102)로부터 넥부(105)에 걸치는 내면에 피착된 내부 도전막(117)을 갖고 있다. 이 내부도전막(117)은 양극전압을 공급하는 양극단자(120)에 도통하고 있다.

이러한 구조의 칼라음극선관에서는 전자총 구조체(107)로부터 방출된 3전자빔(106(R, G, B))은 편향요크(108)가 발생하는 비제일자계에 의해 섀도우마스크(104)를 통해서 형광체 스크린(103)을 수평방향 및 수직방향으로 주사한다. 이에 의해 칼라화상이 표시된다.

도 3은 도 2에 도시한 칼라음극선관의 넥부를 확대한 도면이다. 또한 도 3에서 Z축의 양의 방향은 전자빔의 진행방향과는 반대쪽 방향에 대응시키고 있다.

도 3에 도시한 바와 같이 칼라음극선관은 그 넥부(105)에 배치된 인라인형 전자총 구조체(107)를 갖고 있다. 이 전자총 구조체(107)는 인라인방향 즉, 수평방향(H)에 1열 배치된 3전자빔(106B, 106G, 106R)을 방출하는 3개의 음극(K) 및 이들 음극(K)을 각각 개별로 가열하는 3개의 히터를 구비하고 있다.

또, 이 전자총 구조체(107)는 음극(K)으로부터 순차적으로 형광체 스크린(타겟)방향, 즉 Z축의 음의 방향을 향하여 서로 소정 간격을 두고 배치된 제 1 내지 제 6 그리드(G1∼G6) 및 그 제 6그리드(G6)의 형광체 스크린측에 위치하는 단부에 설치된 컨버젼스전극(119)을 갖고 있다. 제 1 및 제 2 그리드(G1,G2)는 각각 판형상 전극에 의해 구성되어 있다. 또, 제 3 내지 제 6 그리드(G3∼G6)는 각각 통형상 전극에 의해 구성되어 있다.

이들 히터, 음극(K) 및 제 1 내지 제 6 그리드(G1∼G6)는 수평방향(H)에 직교하는 수직방향(V)에 대향하여 배치된 한쌍의 절연지지체, 즉 비드유리(bead glass)(112)에 의해 일체로 지지되어 있다. 이 비드유리(112)는 도 3에 도시한 바와 같이 관축방향(Z)으로 연장되어 있다.

제 1 및 제 2 그리드(G1, G2)는 수평방향(H)을 따라서 1열로 형성된 비교적 작은 3개의 거의 원형의 전자빔 통과구멍을 갖고 있다.

제 3 그리드(G3)는 제 2 그리드(G2)와의 대향면 및 제 4 그리드(G4)와의 대향면에 수평방향(H)을 따라서 1열로 형성된 3개의 거의 원형의 전자빔 통과구멍을 갖고 있다. 이들 전자빔 통과구멍은 제 2 그리드(G2)의 전자빔 통과구멍보다도 큰직경을 갖고 있다.

제 4 그리드(G4)는 제 3 그리드(G3)와의 대향면 및 제 5 그리드(G5)와의 대향면에 수평방향(H)을 따라서 1열로 형성된 3개의 거의 원형의 전자빔 통과구멍을 갖고 있다. 이들 전자빔 통과구멍은 제 3 그리드(G3)의 제 4 그리드(G4)와의 대향면에 형성된 전자빔 통과구멍과 거의 동일한 직경을 갖고 있다.

제 5 그리드(G5)는 제 4 그리드(G4)와의 대향면 및 제 6 그리드(G6)와의 대향면에 수평방향(H)을 따라서 1열로 형성된 3개의 거의 원형의 전자빔 통과구멍을 갖고 있다. 이들 전자빔 통과구멍은 제 4 그리드(G4)의 제 5 그리드(G5)와의 대향면에 형성된 전자빔 통과구멍과 거의 동일한 직경을 갖고 있다.

제 6 그리드(G6)는 제 5 그리드(G5)와의 대향면 및 컨버젼스전극(119)과의 대향면에 수평방향(H)을 따라서 1열로 형성된 3개의 거의 원형의 전자빔 통과구멍을 갖고 있다. 이들 전자빔 통과구멍은 제 5 그리드(G5)의 제 6 그리드(G6)와의 대향면에 형성된 전자빔 통과구멍과 거의 동일한 직경을 갖고 있다.

컨버젼스전극(119)은 그 바닥부 즉, 제 6 그리드(G6)에 대향하는 면에 수평방향을 따라서 1열로 형성된 3개의 거의 원형의 전자빔 통과구멍을 갖고 있다. 이들 전자빔 통과구멍은 제 6 그리드(G6)의 전자빔 통과구멍과 거의 동일한 직경을 갖고 있다. 또, 이 컨버젼스전극(119)은 벌브스페이서(110)를 통해서 양극전압(Eb)이 공급되는 내부 도전막(117)에 접속되어 있다.

다음에 도 3을 참조하여 이 전자총 구조체에 포함되는 각 그리드의 접속관계에 대해서 설명한다.

이 전자총 구조체의 음극(K)은 도시하지 않은 직류전원 및 영상신호원에 전기적으로 접속되어 있다. 이 음극(K)에는 100∼200V의 직류전압에 영상신호가 중첩된 전압이 인가된다. 제 1 그리드(G1)는 접지되어 있다.

제 2 그리드(G2)와 제 4 그리드(G4)는 관내에서 서로 접속되어 있음과 동시에, 직류전원에 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 이들 제 2 그리드(G2) 및 제 4 그리드(G4)에는 500∼1000V의 전압이 인가된다.

제 3 그리드(G3)와 제 5 그리드(G5)는 관내에서 서로 접속되어 있고, 또한 직류전원에 전기적으로 접속되어 있다. 그리고, 제 3 그리드(G3) 및 제 5 그리드(G5)에는 제 6 그리드(G6)에 인가되는 양극전압(Eb)의 약 20∼35%에 상당하는 직류전압(Vf)이 인가된다.

제 6 그리드(G6)에는 25∼35kV의 양극전압(Eb)이 벌브스페이서(110) 및 내부 도전막(117)을 통해서 인가된다.

이 전자총 구조체에 있어서는 이러한 레벨의 전압을 각 그리드에 인가함으로써, 음극(K) 및 제 1 내지 제 3 그리드(G1∼G3)에 의해 전자빔 발생부(GE)가 형성된다. 이 전자빔 발생부(GE)는 음극(K)으로부터의 전자방출을 제어하고, 또 방출된 전자를 가속·집속하여 전자빔을 형성한다.

또, 제 3 내지 제 6 그리드(G3∼G6)에 의해 주전자렌즈부(ML)가 형성된다. 이 주전자렌즈부(ML)는 전자빔 발생부(GE)에서 형성된 전자빔을 형광체 스크린상에 가속·집속한다.

그런데, 이 칼라음극선관은 퍼넬부(102)로부터 넥부(105)에 걸친 내면에 설치된, 도 3에 도시한 바와 같이, 내부 도전막(117)보다 높은 전기저항값을 갖는 고저항 도전막(114)을 갖고 있다. 이 고저항 도전막(114)은 그 일단부측에 있어서 내부 도전막(117)에 접촉하는 영역(115)을 갖음과 동시에 전자총 구조체(107)의 일부를 덮도록 넥부(105)의 내벽에 설치되어 있다. 고저항 도전막(114)의 타단부(116)는 전자총 구조체(107)의 주전자렌즈부(ML)에 도달하고 있다.

이 고저항 도전막(114)은 ATO(Antimony Tin Oxide), 즉 산화주석에 안티몬을 도프한 산화물 도전체와, 바인더가 되는 에틸실리케이트 등의 실란 커플링제를 에틸알콜 등의 유기용매에 분산한 용액을 스프레이방식, 딥방식, 디스펜스방식 등으로 넥부(105)의 내벽에 도포한 후, 건조함으로써 형성된다. 이 방식으로 형성되는 고저항 도전막(114)은 그 막두께가 극히 얇아서 1㎛미만이다.

이 고저항 도전막(114)을 설치함으로써, 전자빔의 컨버젼스상태가 시간의 경과에 따라 변환하는 이른바 컨버젼스 드리프트를 억제하고 있다.

즉, 넥 내벽의 전위 즉 넥 전위는 양극전압(Eb)을 인가한 직후, 내부 도전막(117)이나 전자총 구조체(107)의 컨버젼스전극(119) 등의 영향을 받아, 어떤 일정한 전위분포 상태에 도달한다. 그 후, 넥부(105)내에 발생한 부유전자가 대전한 넥 내벽에 충돌함으로써, 넥부(105)로부터 2차 전자가 방출된다. 넥부(105)로부터 2차 전자가 방출되면, 넥 전위가 서서히 상승한다. 넥 전위는 상승에 따라서 넥 내벽으로부터 전자총 구조체(107)의 주전자렌즈부(ML)에 현저하게 침투하게 되고, 주전자렌즈부(ML)를 형성하는 전계에 영향을 준다. 주전자렌즈부(ML)를 형성하는 전계의 형상이 넥 내벽으로부터의 넥 전위에 따라 변형되기 때문에, 특히 양사이드빔의 궤도를 변화시키게 되는 경우가 있다. 이에 의해 3전자빔의 컨버젼스상태가 시간의 경과에 따라 변화하여, 색어긋남을 발생시키는 원인이 된다.

그러나 도 3에 도시한 바와 같이, 넥부(105)의 내벽에 고저항 도전막(114)이 설치됨으로써, 2차 전자 방출을 억제할 수 있고, 컨버젼스 드리프트에 의한 색어긋남의 발생을 억제할 수 있다.

또, 이 고저항 도전막(114)의 일단부측에서 내부 도전막(117)과의 접촉영역(115)의 근방에서는 Z축방향의 단위길이당 고저항 도전막(114)의 저항값, 즉 막저항값이 고저항 도전막(114)의 타단부(116) 근방의 저항값보다 작게 되도록 설정되어 있다.

즉, 이 고저항 도전막(114)의 막저항값은 내부 도전막(117)단부와의 접촉영역(115)으로부터 타단부(116)를 향함에 따라서 차츰 커지고, 타단부(116)에서 최대가 된다. 바꿔말하면, 고저항 도전막(114)의 막저항값은 내부 도전막(117)의 타단부(116)로부터 접촉영역(115)을 향함에 따라서 차츰 작아지고, 접촉영역(115)에서 최소가 된다.

이러한 막저항값의 분포를 달성하기 위해서, 예를 들면 이 실시형태에 나타난 바와 같이, 고저항 도전막(114)의 막두께의 분포를 변화시킨다.

도 3에 도시한 바와 같이, 고저항 도전막(114)의 막두께는 고저항 도전막(114)의 일단측에서의 내부 도전막(117)과의 접촉영역(115) 근방에 있어서, 타단부(116) 근방보다 두껍게 형성되어 있다.

즉, 이 고저항 도전막(114)의 막두께는 내부 도전막(117)단부와의접촉영역(115)으로부터 타단부(116)을 향함에 따라서 차츰 얇아지고, 타단부(116)에서 최소 막두께가 된다. 바꿔말하면, 고저항 도전막(114)의 막두께는 내부 도전막(117)의 타단부(116)로부터 접촉영역(115)을 향함에 따라서 차츰 두꺼워지고, 접촉영역(115)에서 최대 막두께가 된다.

이러한 막저항값의 분포를 형성함으로써, 넥 전위를 상대적으로 낮게 억제할 수 있다. 따라서, 전자총 구조체(107)에 구비된 복수의 그리드 중, 최고전압이 인가되고 있는 그리드 등의 금속부분과, 넥부(105)와의 사이에서 필드 이미션의 발생을 억제할 수 있다.

다음에, 전술한 바와 같이 하여 막저항값의 분포가 형성된 고저항 도전막을 설치한 칼라음극선관의 넥 전위를 시뮬레이션하였다. 또, 여기에서는 본 실시형태와 같은 막저항값의 분포를 갖는 칼라음극선관(CRT1)의 넥 전위와, 거의 일정한 막저항값의 분포를 갖는 칼라음극선관(CRT2)의 넥 전위와, 고저항 도전막이 설치되어 있지 않은 칼라음극선관(CRT3)의 넥 전위를 비교하였다.

도 4a는 각 칼라음극선관의 넥 전위의 시뮬레이션 결과를 나타내는 도면이고, 가로축은 전자빔의 진행방향과는 반대방향을 양으로 하는 Z축방향의 위치이고, 세로축은 넥부의 Z축방향을 따라서 산출한 넥 전위의 상대값이다. 도 4b는 도 3에 도시한 본 발명에 따른 칼라음극선관(CRT1)의 고저항 도전막(114)의 도포상태를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 4c는 도 1에 도시한 종래 기술의 칼라음극선관(CRT2)의 고저항 도전막(17)의 도포상태를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 4d는 칼라음극선관(CRT3)에 있어서 고저항 도전막이 없이 내부도전막(117)만 있는 경우의 그 단부 근방의 단면도이다.

도 4a에는 각 칼라음극선관(CRT1, CRT2, CRT3)의 넥 전위의 시뮬레이션 결과를 나타내는 분포곡선(18, 19, 20)이 각각 나타나 있다.

도 4b에 도시한 바와 같은 막두께의 분포를 갖는 고저항 도전막(114)의 타단부(116) 근방에서 넥 전위(21)는, 균일한 막두께의 고저항 도전막(118)을 갖는 칼라음극선관(CRT2)에서의 넥 전위(22)보다 상대적으로 작고, 또 고저항 도전막이 설치되어 있지 않은 칼라음극선관(CRT3)의 넥 전위(23)에 근사할 수 있을 정도로 작다. 또한 도 4a에 도시한 바와 같이 Z축방향의 위치가 내부 도전막(117)으로부터 떨어진 만큼 칼라음극선관(CRT1)의 넥 전위는 칼라음극선관(CRT3)의 넥 전위에 가까워진다.

이 때문에 전자총 구조체에 구비된 복수의 전극 중, 최고 전압이 인가되고 있는 전극 등의 금속부분과 고저항 도전막의 단부 부근과의 전위차는 칼라음극선관(CRT1) 쪽이 칼라음극선관(CRT2)보다 작다. 즉, 칼라음극선관(CRT1)에서 전자총 구조체에서 최고전압이 인가되고 있는 전극 등의 부분과 이 부분에 근접하는 고저항 도전막과의 사이의 전위차는 고저항 도전막이 설치되어 있지 않은 경우, 즉 칼라음극선관(CRT3)과 실질적으로 근사할 수 있을 정도로 작다.

따라서, 컨버젼스 드리프트를 억제하는 고저항 도전막을 설치하면서, 동시에 전자총 구조체의 전극 등의 금속부분과 넥 내벽과의 사이의 필드 이미션의 발생을 억제하는 것이 가능해진다.

다음에 도 3에 도시한 바와 같은 구조의 칼라음극선관에 있어서 내전압 특성의 우위성에 대해서 실험데이터를 기초로 하여 설명한다.

도 5는 전술한 바와 같은 막저항값 분포를 갖는 칼라음극선관(CRT1)의 내전압 특성을 평가하기 위한 측정회로도이다. 여기에서는 내전압 특성은 필드 이미션이 발생할 때의 전압을 측정하는 것에 의해 평가한다.

즉, 도 5에 도시한 바와 같은 회로구성에 있어서, 필드 이미션의 발생에 의해, 전류계(A)에 흐르는 전류가 0.01㎂가 될 때의 양극전압 전원의 전압값을 측정하고, 내전압 특성으로서 평가하였다. 또한, 이 측정에서 사용한 칼라음극선관의 넥부(105)의 외부직경은 직경이 22.5㎜이다. 도 6에 전압값의 측정결과를 나타낸다. 도 6에 도시한 전압값은 10회의 측정으로 얻어진 측정값의 평균값이다.

도 6에 있어서, 조건A는 도 3에 도시한 본 실시형태의 칼라음극선관(CRT1)에 대응하고, 조건B는 도 1에 도시한 종래의 칼라음극선관(CRT2)에 대응하여 나타낸다. 도 6에 도시한 바와 같이, 본 실시형태의 칼라음극선관(CRT1)에서는 필드 이미션을 발생할 때의 양극전압 전원의 전압값은 31KV이었다. 이에 대하여, 종래의 칼라음극선관(CRT2)에서는 필드 이미션을 발생할 때의 양극전압 전원의 전압값은 26KV이었다. 이렇게 본 실시형태의 칼라음극선관(CRT1)은 종래의 칼라음극선관(CRT2)보다 필드 이미션을 발생할 때의 전압값이 약 5KV정도 높은 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 음극선관은 도 4b에 도시한 바와 같은 구조로 함으로써, 내전압특성으로서 종래의 음극선관보다 우위인 것을 알 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 음극선관에 의하면, 퍼넬부(102)로부터 넥부(105)의 내벽에 걸쳐서 피착 형성된 내부 도전막(117)과 내부 도전막(117)의단부에 접촉함과 동시에 전자총 구조체(107)의 일부를 덮도록 넥부(105)에 형성된 고저항 도전막(114)를 구비하고 있다. 이 고저항 도전막(114)은 내부 도전막(117)보다 높은 전기저항값을 갖는다.

이 때문에, 넥부(105)로부터의 2차 전자의 방출을 억제하고, 컨버젼스 드리프트에 의한 색어긋남을 방지하는 것이 가능해진다.

또, 본 발명의 음극선관에 의하면, 고저항 도전막(114)의 관축방향의 단위길이당 저항값은 내부도전막(117)의 단부에 접촉하고 있는 접촉영역(115) 근방이 고저항 도전막(114)의 타단부(116) 근방보다 작다.

이 때문에, 넥부(105)의 내벽의 전위를 상대적으로 낮게 억제하는 것이 가능해지고, 전자총 구조체(107)에 있어서 고전압이 인가되고 있는 금속부분과 넥부(105)의 내벽과의 사이의 필드 이미션을 억제하는 것이 가능해진다.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 컨버젼스 드리프트를 억제하는 고저항 도전막을 넥 내벽에 설치하고 동시에 전자총 구조체의 전극 등의 금속부분과 넥 내벽과의 사이의 필드 이미션을 억제할 수 있는 내전압 특성이 양호한 음극선관을 제공할 수 있다.

Claims (6)

1. 동일 수평면상을 통과하는 1열로 배열된 복수의 전자빔(106R,106G,160B)을 방출하여 타겟(103)상에 집속하는 전자총 구조체(107);

   상기 전자총 구조체로부터 방출된 복수의 전자빔을 타겟상의 서로 직교하는 수평방향 및 수직방향으로 편향시키는 편향자계를 발생하는 편향요크(108);

   상기 전자총 구조체를 배치하는 넥부(105), 상기 타겟을 구비하는 패널부(101) 및 넥부로부터 패널부에 걸쳐서 내부직경이 확장되는 퍼넬부(102)를 포함하는 외관용기(100);

   상기 퍼넬부로부터 넥부에 걸쳐서 그 내벽에 설치된 내부 도전막(117); 및

   상기 넥부의 내벽에 설치된 상기 내부 도전막의 단부에 접촉함과 동시에, 상기 단부로부터 상기 전자총 구조체의 일부를 덮도록 상기 넥부에 설치된 상기 내부 도전막보다 높은 전기저항값을 갖는 고저항 도전막(114)을 구비하고,

   상기 고저항 도전막의 상기 수평방향 및 수직방향으로 직교하는 관축방향의 단위길이당 막저항값은 상기 고저항 도전막의 일단부측에 위치함과 동시에 내부 도전막의 단부에 접촉하는 접촉영역(115)에 있어서, 상기 고저항 도전막의 타단부(116)측의 영역보다 작은 것을 특징으로 하는 음극선관.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 고저항 도전막은 상기 접촉영역에서의 상기 막저항값이 최소가 되고, 상기 타단부측의 영역에서의 상기 막저항값이 최대가 되는 것을 특징으로 하는 음극선관.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 고저항 도전막은 그 타단부로부터 상기 내부 도전막과의 접촉영역을 향함에 따라서 상기 막저항값이 차츰 작아지는 것을 특징으로 하는 음극선관.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 고저항 도전막은 상기 접촉영역에서의 막두께가 상기 타단부에서의 막두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 음극선관.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 고저항 도전막은 상기 접촉영역에서의 막두께가 가장 두껍게 되도록 형성되어 있음과 동시에, 상기 타단부에서의 막두께가 가장 얇게 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 음극선관.
6. 제 4 항에 있어서,

   상기 고저항 도전막은 그 타단부로부터 상기 내부 도전막과의 접촉영역을 향함에 따라서 상기 막두께가 차츰 두꺼워지는 것을 특징으로 하는 음극선관.