TW391001B - Optical information recording medium, prodducing method thereof and method of recording/erasing/reproducing information - Google Patents

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經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明（1 ) 本發明傺有關於具有一可光學地偵测之信息記錄媒體 的一種光學信息記錄媒體，其製造方法以及錄製/消除/ 再生信息的一種方法。 包含一金靨薄膜與一有機薄膜的一記錄媒體薄膜層俗 形成在一盤形或卡形基質上，聚焦具有—次微米级之一大 光點上的一高能量束被放射在該記錄材料層上，因此在記 錄材料層上加工室一局部振動。所以，一信息信號被儲存 的這種方法是習知的。詳而言之，當一光學磁性材料薄膜 與一相變化材料薄膜被用來當做一記錄層時，可以輕易地 重寫該信號。因此，這種方法已經被廣泛地研究與發展了. 。例如，如果是光學磁性記錄媒體，在由於一磁性狀態之 差而産生之一反射光的一極化表面上一旋轉角度的差被用 來做為該記錄。此外，如果是相變化記錄媒體，在一結晶 狀態中相對於具有一特定波長之光之一反射光的量與在非 結晶狀態中者不同，因此其差被當做該記錄。一雷射輸出 在具有一相當高功率之一記錄值以及具有一相當低功率之 消除值之間被調變，並且該被調變的輸出只被輻射在一記 錄媒體上。因此類似於一磁片*其特性是記錄之消除以及 記錄新的信號可以同時進行（可能覆寫該記錄）。該信息 信號可以被重寫一段短時間。 通常，該光學磁性記錄媒體與該相變化記錄媒體包含 ，例如，一多層膜，如第1圖中所示。卽，在包含一聚磺 酸酯以及PMMA (聚甲基-甲基丙烯酸酯）之一樹脂板、一 玻璃板、等等上的一基質1 ，形成具有一光學吸收性且包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 _B7 _五、發明説明（2 ) 含該相變化材料與該光學磁性材料插於包含一绝緣材料之 保護層2與4之間的一記錄層3 。此外，一金屬反射層5 偽形成在該保護層4上，該金屬反射率層5包含Au與AI的 一合金以便增加在該記錄層3上的光學吸收效率並且做為 一熱擴散層。這些層傜以一濺鑛法、一真空沈積法等依序 堆昼。另外，一覆蓋層6形成在最上層，使得一刮痕與灰 塵不會附著在這些層上。通常，一雷射光束由該基質1之 一侧射入，在許多情形中，該基質1之一前方表面具有一 凹凸槽道或一凹凸坑道做為將該雷射光束引導到該磁片上 之一預定位置上的一引導裝置。 各層之功能與形成各層之材料的一實例如下。 以記錄層3來說，當使用相變化材料時，其基底包含 Te與Se的一燒綠石薄膜，例如，一Ge-Sb-Te合金薄膜、一· Ge-Sb-Te-Se 合金薄膜、一 In-Sb-Te 合金薄膜、一 Ag-In-Sb-Te合金薄膜、一 In-Se合金薄膜等被報告出來。在使 用這些相變化材料的媒體中，該雷射光束照射出來，因此 該記錄並且再生該信號。如前所述*當該雷射光束之功率 被調變在一強值與一弱值時，該雷射光束照射在一旋轉的 記錄媒體上。被強功率照射的一部份立刻被局部地熔化， 然後，該部份被急冷。因此該部份是非結晶的，並且該信 號被記錄下來。此外，在被一相當弱之功率照射的部份， 該非結晶狀態的部份被退火，所以該部份被結晶*並且該 被記錄的信號被消除。為了再生該信號，該雷射光束之功 率必須低到足以讓該記錄膜不會變化，並且照射出該雷射 ---------裝------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局負工消費合作社印製. A7 B7 一 五、發明説明（3 ) 光束。此時，反射光之強度被偵測出來，並且被該雷射光 束照射的該部份是在該結晶狀態或該非結晶狀態也被判斷 出來，因此該信號被再生。 包含一絶緣材料之該等保護層2與4的功能是例如， 如下： 1) 該記錄層被保護不受一外部的機械破壞； 2) 由於反覆重寫該信號而發生在該基質之表面上的一 熱破壞，如粗化、該記錄層之破裂以及蒸發會減少，因此 該信號之重寫的反覆次數會增加； 3) 使用一多路徑反射之一干擾效應，因此可以增強一 光學變化； 4) 來自外側空氣之影響被中止，因此防止一化學變化 0 迄今，被提出來做為包含該保護層以便滿足上述目的 之材料包括一氣化物，如Si〇2、Al2〇3等、一氪化物，如 SNahU、A1N等、一氪化酸，如Si-Ο-Ν等（例如*在日本專 利申請案第3-104038號中所掲露者）、一硫化物，如ZnS 等、一碩化物，如SiC等、或者一混合物質，如Zn-Si〇2 等（在日本專利申請案第63-103453號中所掲露者），並 且它們其中一部份實際上已被使用。 該保護層設置有兩層，因此其特性可以被加強。該相 變化記錄媒體的實例偽掲露於日本專利申請案第5-217211 號中，即，包含該氮化物（SiN、A1N)以及該碳化物（SiC) 的該絶線層被使用在與該光學記錄層的一側處，而包括Ag -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X2?7公釐） t Λ» I--------裝------訂 /V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 ...五、發明説明（4 ) 或包括ZnS之一化合物之該光學記錄層的該保護層被用來 做為該絶緣層的外層。因為使用上述SiN、SiC、A1N層， 因此不需要包括在該記錄層中之Ag以及在該保護層中之S 的一組合。如在日本專利申請案第5-217211號中所掲露者 ，該SiN、SiC、A1N層之膜厚度俗由5nm到50nm。此外， 如在日本專利申請案第6-195747號中所掲露者，該保護層 具有插入在該記錄層與該基質之間的兩層，其中一層與包 含Si3N4層的該記錄層接觭並且另一層與包含ZnS-Si〇22 該基質接觸，因此形成兩絶緣層。該Si 3N 4層有助於該相 變化材料層之結晶。 該光學磁性記錄媒體的實例係掲露在曰本專利申請案 第4-219650號中，在此處，與該基質接觸之絶緣層有兩層 ，並且與該基質接觸的一層是一氧化矽膜，因此增強了 該基質與該絶緣層的黏性。此外，與該記錄層接觸的另一 層包含該碳化物與該氮化物的化合物，因此可以防止該磁 性記錄層由於來自該氧化矽層之氧與穿過該基質之水穿入 該記錄層所發生的腐蝕，如在日本專利申請案第4-219650 號中所掲露者，較佳地，該氮化物包含Sn-N、In-H、Zr-N 、Cr-N、Al-N、Si-H、Ta-N、V-N、Nb-N、Mo-N以及 W-N， 並且其膜厚度是由lOnm到20nm。此外，如在日本專利申請 案第4-321948號中所掲露者，並且相同地考慮日本專利申 請案第4-219650號•與該基質接觸的絶緣層有兩層，在此 處*靠近該基質的一層包含一或多種氧化物，其係選自包 • 括Si、Zr、Y 、Mg、Ti、Ta、Ca與A1的一群，因此增加該 - 7 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2$»7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印掣 A7 B7 五、發明説明（5 ) 絶綠層與該基質的黏性。此外，與該光學磁性記錄膜接觸 的另一曆包含含有一或多種氮化物的氮化物層，該氮化物 偽選自包括Si、Zr、Y 、Mg、Ti、Ta、Ca與A1的一群，因 此可以減少來自該氧化物靥之氣與水穿入並且擴散入該記 錄膜層。如在日本專利申請案第4-321948號中所掲露者， 該氮化物之膜厚度是由50ηπι到200 nm。 通常，該反射層5包含一金靥，如Au、Al、Cr·、Ni、 Ag等以及以這些金屬為基底的合金，並且該反射層5設置 的方式傺可以得到一照射效果以及該記錄薄膜之有效光學 吸收率。 如上所述，通常，一濺鍍法、一真空沈積法等被用來 做為製備該記錄媒髏。此外，使用一反應性濺鍍法使該氮 化物可以被包含在該薄膜中。 例如，做為製造一燒蝕型一次寫入媒體的方法，如H 藉由反應性濺鍍法被包含於含Te記錄層中的方法傜掲露於 日本專利申請案第63-151486號中，如日本專利申請案第 63-151486號中所述者，Ar與氮化物之一混合氣體傜相對 於一碲硒合金目標物釋出。於在該基質上含有碲、硒與氮 化物之該記錄層藉由該反應性濺鍍法形成之後，一氮氣被 加入其中，並且産生一氮電漿，因此形成具有比該記錄層 之内側具有更高氮密度的一表面層。該記錄層之表面被氮 化，因此增強了耐候性與靈敏性，並且也增加了功率耐受 度。該氮化物層的氮密度是係2¾到10% ，並且以2%到20¾ 較佳。較佳地，該表面層的厚度是由1 nm到lOnm。 本紙張尺度適用中國國家.標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 一五、發明説明U ) 此外，該燒蝕型記錄材料之實例也被掲露在日本專利 申請案第63-63153號中，包含含有Te與Se之一材料的目標 物在一種氮氣化物氣體、一二氪氧化物氣體或含有二氮氣 化物之一氣體中被濺鍍，因此含有Te、Se與N的該層傜形 成在該記錄層中。 另外，如在日本專利申請案第4-78032號中所掲露者 ，一金屬目標物之表面被Ar氣體所濺镀，並且在該金屬元 素之表面上，基質與氧氣或氮氣反應，因此形成一金屬氧 化物膜或一金屬氮化物膜。 此外，雖然在圔中被省略，為了防止該光學信息記錄 媒體之氧化或灰塵之附著，有將該覆蓋層放置在該金屬反 射層5上之一結構、有使用一紫外線硬化樹脂做為一黏箸 劑因而堆疊成一假基質的一結構等被提出來。 但是，目前已知該相變化光學記錄媒體有以下的問題 。卽，當包含其基底是Te、Se等且含有Ge、Sb、In等之一 材料的該薄膜被當做該記錄層時，並且另外包含代表性地 含有如Si〇2之一氧化物条統材料的該薄膜、包含代表性地 含有如ZnS之一硫化物糸統材料的該薄膜、或者包含含有 ZnS-S i0 2之一混合物条統材料且在上述兩薄膜之間的該薄 膜被用來當做該保護層時，進行一雷射光束的照射。因此 ，該信息信號的記錄與消除等等被重覆，因而該記錄層與 該保護層的光學持性（如反射率、吸收率等）會改變。所 以，有一記錄特性或一消除持性改變的現象發生，即，該 信號被反覆地覆寫，因此該媒體的反射性減少、該設信號 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _ B7 一___五、發明説明（7 ) 的振幅逐漸地減小、或者在一錄製記號之一有記號位置處 一偏差值變大，因此該錄製信號之錯誤率增加。所以’當 該信號被再生時，會發生一讀取錯誤。綠是，有一値問題 是重寫的可能次數是有限的。 造成這種變化的原因如下。即，一原因是一 S組成成 份與一0組成成份擴散並且由該保護層穿入該記錄層’相 反地，在構成該記錄層之組成成份中具有相當高蒸氣壓的 組成成份，如Te、Se等由該記錄層擴散到該保護層。此外 ，另一個原因是該保護層材料的一部份與該記錄層産生化 學反應。吾人認為該變化發生的原因是由於上述原因之一 ，或者上述原因的組合。 事實上，依據申請人等的一實驗，在塗佈一 Ge-Sb-Te 膜與一ZnS-Si〇2保護層的一光學盤上，由於雷射之照射而 使該S組成成份由該保護層中釋出。因此，在此可觀察到 一S原子由該保護層穿入該記錄層。另外，也可以觀察到 其他的Zn原子、Si原子與0原子也擴散到該記錄層。在此 例中，雖然可以假設其他元素藉由該S原子的分離而輕易 地移動，其機構仍不清楚。 該現象與該機構尚未被清楚地報告出來，如果使用包 括ShN «與A1N之氮化物薄膜做為該保護層，舆上述例中不 同，該S組成成份並未被釋出。另一方面，與這種氮化物 之記錄層的黏附性小於2〇5-51〇2膜。例如，在具有一高溫 與高濕度的環境下，另一個!問題是會發生剝落。卽，當氣 化物，如S ί 0 2、Ta 2 0 5、A I 2 0 3等以及氮化物，如S丨3 K 4、 -10 - - ---------(裝 II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央樣準局負工消費合作社印製 五、發明説明（8 ) A1N等被用來當做一絶緣材料時，因為這種絶緣材料對於 一相變化型記錄材料比較不黏，例如，在高溫與高濕度之 環境下，會發生剝落與裂縫。因此，另一痼間題是氣化物 ，如Si〇2、Ta2〇5、Al2〇3等以及氮化物，如Si3N4、A1N等 無法被塗佈在一絶緣層材料上。 一惡化機制傷節錄如下，首先，反覆的次數增加的愈 多，上述原子擴散與化學反應進行愈多次。因此，在該記 錄層中之一組成物大大地變化，因此反射率、該吸收率等 的變化、以及該記錄持性（一非結晶敏感度）與消除待性 (一結晶敏感度與一結晶速度）可以實現。在此假設在伴 隨該光學特性之改變的保護層中，該組成物改變*因此發 生機械強度的改變。吾人認為被廣泛應用做為一極佳之保 護層的一ZnS-Si〇2膜在該保護層與該記錄層之間具有一高 黏性並且這是由原子擴散而産生。此外，吾人也認為這種 保護層包含反覆次數的一極限。 有闋包含Ag與S ，即，易於起化學反應之元素的一材 料，抑制該反應的方法傜掲露在日本專利申請案第5-217211 號中，但是，下列觀點並未掲露在上述習知技藝中。卽， 相對於被發展出來應用做為最可能之材料条統以便增加其 循環性能的該相變化記錄媒髏，如Ge-Sb-Te条統、In-Sb-Te糸統等，包含該材料，如氮化物、氮氣化物等的該層傣 形成在一絶緣保護層與一相變化記錄層之間。所形成之該 層做為一障壁層，用以防止在該記錄層與該保護層之間的 交互擴散與化學反應。此外，詳而言之，Ge-N或Ge-Ν-Ο做 -11 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印褽 A7 B7 · 五、發明説明（9 ) 為該絶緣保護層材料偽較佳的，並且其没有上述問題。這 材料也具有做為該障壁層的一極佳性能。這在習知技術中 也沒有掲露。 即，用以實現一極佳反覆持性與一極佳耐候性的一層 結構還沒有達成，為了解決上述問題，本發明之一目的為 提供用以實現具有極佳反覆性與耐候性之一相變化光學記 錄媒體的一層結構、其製造方法、以及藉由使用該記錄媒 體錄製與再生一信息信號的一方法。 為了解決上述問題，本發明之一特徽是提供一光學信 息記錄媒體，其包含産生可以由於一能量束之照射而被光 學地偵測的一可逆相變化的一記錄層、以及與該記錄層之 至少一表面接觸而被稱為一障壁層的一材料層，其中一原 子擴散以及發生在該保護層與該記錄層之間的一化學反應 被該障壁層所壓制。 構成該障壁層（障壁材料）本身的一材料可以實際上 被塗佈到一保護層材料上，在此例中，詳而言之，其被說 成使用該障壁材料的該保護層。 依據本發明之另一特擻是較佳地提供一光學信息記錄 媒髏，其中一障壁材料層像設置在一記錄層的兩側。 依據該障壁材料被塗佈在該記錄層之一基質側的結構 ，用以壓制在該記錄層與該保護層之間之該原子擴散與該 化學反應的效果較高，因此一循環效能被加強。依據該障 壁材料被塗佈在相對該記錄層之基質之一側的结構，用以 加強覆寫功能之穩定性的效果較高，因此增加了可靠性。 -12 -· 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------一裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 ____B7 一____ 五、發明説明（10) 不僅該障壁材料被塗佈到該記錄層之兩側上的結構具有兩 種特性，而且兩種功能均被加強。 依據本發明之另一特徵偽較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中當該障壁材料由MaXb表示時（其中，Μ表示非氣 體兀素Μι、M2、...之一集合護，並且X表不Xi、Xa、... 之一集合體），有關於一氣髏成份之比例b/(a + b)，在該基 質側之該障壁材料層的比例比在相對該基質之一側處之該 障壁材料層的比例高出許多。 依據本發明之另一特擻是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其還包含一金羼反射層。 經濟部中央橾準局負工消費合作社印製 --1 — II!— I 裝— I !| 訂 /|\ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明之另一特擻是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中使用具有一薄厚度為60nm或以下之障壁材料的 該保護層被塗佈在該金屬反射層與該記錄層之間以便於急 冷。此外，由於冷卻效果被加強，所以在該等記錄記號之 間的熱交互干擾減少，一信息信號可以緻密地被記錄。EP ，該結構有利於一高密度記錄d在此例中，該障壁層也被 塗佈在該記錄靥之該基質側則更佳。因此，可以得到可實 現一較高循環功能與一較高密度記錄的媒髏。 依據本發明之另一特徽是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中在對在該記錄層之該金屬反射層與該記錄層之 間具有一厚厚度為80nm或以上之一絶緣層為必要的一結構 (一冷郤很慢的結構）中，該障壁層被塗佈在該記錄層之 至少一刨上。因此 > 通常，在具有高儲熱效果之傾向以及 一大熱破壞的很慢冷卻結構中，該循環功能可以大大地增 -13 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS M4规格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央橾準局負工消費合作社印策 五、發明説明（n ) 加0 依據本發明之另一特擻是較佳地提供一光學信息記錄 媒體*其中包含Ge-N或Ge-N-0的該障壁材料層被用來當做 該障壁材料。 依據本發明之另一特徵是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中當該Ge-N或Ge-H-Ο材料層被塗佈在該記錄層之 兩側上做為該障壁層或該保護層時，有關在Ge-N或Ge-N-0 層，即，（N + 0)/(Ge + N + 0)靥中之一氣體元素的密度比在相 對於該記錄層之基質之一側的Ge-N或Ge-Ν-Ο層中者高得多 Ο 依據本發明之另一特徵是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中選定的是Ge密度範圍由35：«到90¾的Ge-N組成物 *其選定的密度範圍由35%到65¾則更佳。 依據本發明之另一持徵是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中如果一Ge-N層被塗佈在該記錄層之基質倒（在 一雷射光束射入的一倒），所選定之Ge密度範圍為35¾到 60¾ 。如果該Ge-H層被塗佈在相對該記錄層之基質的一倒 ，所選定的Ge密度範圍是42.9¾到90¾ (較佳地，42.9%到 65¾)。 依據本發明之另一持擻是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中在顯示Ge-Ν-Ο之三元素組成物之第5圖中的一 三角圖中► Ge-N-0組成物區域是在被四値組成物點，Bl( Gesa.〇，Niij.〇)、B4(Ge83.4,H3.3,0i3.3)、G4(Ge3i.3， Nl3.B，〇5S.l)、 Gl(GeD.3S，H〇.SS)所環繞的一區域内。在 -14 - ml. 1» 1^1 HI 1^1 in In. -- --1 m (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Α7 Β7 五、發明説明（12 ) 這區域中，該循環功能被加強並且該消除功能被加強。 依據本發明之另一特徴是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中如果一Ge-N層被塗佈在該記錄層之基質側（在 一雷射光束射入的一側），被四個組成物點，D 1 (Ge60 . 〇 N40.0) 、 D4(Ge48.8 N10.2 041.0) 、 Gl(Ge35.0 N65.0)、 G4(Ge31.1 N13.8 055.1)所璟繞的一區域是適當的。如果 該Ge-N層被塗佈在相對該記錄層之基質的一側，被四個組 成物點，Bl(Ge65.0 N35.0)、B4(Ge54.3 N9.1 036.6)、 Fl(Ge42.9 N57.1)、F4(Ge35.5 N12.9 051.6)所環繞的一 區域是適當的。在此例中，被四個組成物點，Cl(Ge65.0 N45.0) 、 C4(Ge53.9 N9.2 036.9) 、 Fl(Ge42.9 N57.1)、 F4(Ge35.5 H12.9 051.6)所環繞的一區域是適當的。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 裝— (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 類似於該Ge-N層之情形，當該Ge-Ν-Ο層形成在相對該 記錄層之基質之該側（在該雷射光束未射入之該側）時， 在錄製與消除之過程中，一Ge原子被包括在該記錄層中之 機率較小。該層也可以被塗佈在具有相當高Ge密度的組成 物區域上。相反地，當該Ge-Ν-Ο層形成在該記錄層之基質 側（在該雷射光束射入之該側）時，一Ge原子被包括在該 記錄層中之機率較高。較為不佳的是該層被塗佈在具有一 相當高Ge密度的組成物區域上。 如上所述，該Ge-N層或該Ge-Ν-Ο層之作用是使得在該 記錄層與通常包含一絶緣材料的該保護層之間産生的原子 交互作用與化學反應可以被壓制。其優點是相較於其他氮 化物膜，如S i 3 N 4、N等，以及一碳化物膜，如s ί C等， -15 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 __B7 一_ 五、發明説明（13 ) 該Ge-N或該Ge-Η-Ο層對於該記錄層有較大的黏附性，該Ge -N層或該Ge-Ν-Ο層具有一較高黏附性的原因如下。相較於 其他氮化物膜，如Si3N4、A1H等，該Ge-N層或Ge-Ν-Ο層可 以在一高速下形成具有相當低功率的膜（例如，當在一目 標與該基質之間的距離是200 mm時，如果使用的是直徑為 100 nun的目標，該膜可以在40nm到50nm/min下具有500W) 。因此，在此假設因為在該膜中之一内應力是小的，該Ge -N層或該Ge-Ν-Ο層具有一較高的黏附性。但是*這是不清 楚的。 依據本發明之另一持擞是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中一複合反射指數值H + ik應用滿足1.7SnS3.8並 且Oik^O.8之範圍的該Ge-N或Ge-Ν-Ο層。較佳地，當障壁 材料層形成在該記錄層之該基質側時，應用的是滿足1.7S ηί2.8並且0iki0.3之範圍的該Ge-N或Ge-Ν-Ο層。當障壁 材料層形成在相對該基質側的一側時，應用的是滿足1.7ί Κ3.8並且0iki0.8之範圍的該Ge-N或Ge-Ν-Ο層。一光學 常數依據在該膜中之0對N的比例來改變，當0變少時，該 光學常數變大，當0變多時，該光學常數變小。 依據本發明之另一待徵是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中其主成份是Ge-Sb-Te之一材料薄膜被用來當做 該記錄層使用。 依據本發明之另一持擻是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中其主成份是ZnS-Si〇2之一材料薄膜被用來當做 與該障壁層一起使用的一絶綠保護層材料使用。 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） I .....I - 11 n I ..... — - I I、1τ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貞工消费合作社印製 A7 __B7 · _ 五、發明説明（14) 依據本發明之另一特徽是較佳地提供一光學信息記錄 媒體，其中含有一主成份包含具有至少一種構成該記錄層 之元素之一氮化物或一氮氣化物的一材料層被用來當做該 障壁材料層使用。 通常，雖然一氮化物材料對於一硫族化物材料的黏附 性較小，但是所使用的是含有構成該記錄層之元素之氮化 物或氮氧化物的障壁層，因此在該障壁層中之該等元素與 在該記錄層中之該組成元素是共同的。因此，黏附性可以 被加強。在此例中，可以壓制在該記錄層與其主成份為絶 緣材料之該保護層之間的相互擴散與化學反應。因此*可 以得到具有極佳反覆功能與極佳耐候性的相變化光學記錄 媒體。 依據本發明之另一待徵是較佳地提供一光學信息記錄 媒體*其中該記錄層之至少一表面是氪化或氮氧化的，因 此形成該障壁層。 在此例中，該記錄層與之氮化物層或氮氣化物層具有 互相有高連續性的多數膜，有_於該黏附性的問題較少。 因此，可以得到具有極佳反覆功能與極佳耐候性的光學信 息記錄媒體。 依據本發明之另一持擻，製備用以解決上述問題的一 光學信息記錄媒體的一方法，包含一真空沈積法、DC濺鍍 法、一磁控濺鍍法、一雷射濺鍍法、一離子電鍍法、一CVD 法等。 依據本發明之另一特戡，較佳地，製備一光學信息記 -17 - 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " I. J- : I - m. I I II I —1 I I m (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) A7B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（15 ) 錄媒體的一方法，其中使用一濺鍍法，所使用的是包含該 障壁材料之該主成份Μ 、一包含Μ的一氮化物目標物、一 気氣化物目標物、或一氣化物目標物的一單一目標物，以 便形成該障壁材料層，使得一反應性濺鍍在由一稀有氣體 以及含有一氮化物成份之氣體構成之一混合氣體或者由含 有該稀有氣體與該氮化物成份之氣髏以及含有一氧化物成 份之氣體構成之混合氣體中實施，因此形成該障壁材料層 0 依據本發明之另一特擞，較佳地，製備一光學信息記 錄媒體的一方法，其中Ar與Kr被用來當做該稀有氣髏。 依據本發明之另一特徵，較佳地，製備一光學信息記 錄媒體的一方法，其中被當做含有該氮化物成份的氣體 ，並且〇3被當做含有該氧化物成份的氣體。 當該障壁材料層形成在該記錄層之兩側時，一h密度 被設定成在該障壁材料層傜形成在相對該記錄層之該基質 的一側時高於該障壁材料層傺形成在該記錄層之基質侧時 。因此，可以得到具有更高耐候性的結構。 依據本發明之另一特戡，較佳地，製備一光學信息記 錄媒體的一方法，其中Ge被當做該障壁材料之主成份Μ， 一 Ge目標物、一 Ge-N目標物或一 Ge-Ο目標物被使用來進行 該反應性濺鍍，因此形成該障壁材料層。更佳地，Ge3K4 組成物被用來做為該Ge-N目標物、一GeO組成物被用來做 為該Ge-〇目標物、並且Ge3N4-GeO被用來做為該Ge-〇-H目 標物。 *18" --------II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本纸張·尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 A7 B7 一___ 五、發明説明（16 ) 依據本發明之另一特擻，較佳地，製備一光學信息記 錄媒體的一方法，其中Ge被當做該障壁材料之主成份Μ ， 當該反應性濺鍍進行時，一濺鍍氣體之總壓力大於1毫托 耳·並且它是小於或等於50毫托耳。在這範圍内，可以得 到一高濺鍍速度與一穩定的輸出。 依據本發明之另一特徵，較佳地，製備一光學信息記 錄媒體的一方法，其中Ge被當做該障壁材料之主成份Μ ， 當該反應性濺鍍進行時，該濺鍍氣體是含有至少Ar與1之 混合氣體，1<2之分壓比範圍是5%到60% 。因此，可以得到 較佳的反覆性能與一較佳的耐候性。在此例中，當該障壁 材料被使用在該記錄層之基質倒時，N2之分壓比範圍是由 12¾到60% (較佳地，小於或等於50¾ )。此外，當該障壁 材料被使用在相對該記錄層之基質的一側時，h之分壓比 範圍是由5¾到60% (較佳地的是小於或等於40¾，更佳的是 小於或等於33% )。 至於該反覆性能，當在該濺鍍氣體中之一氮化物分壓 低的時候，因為未與一氮氣結合之許多過剩Ge存在於該保 護層中，在該記錄膜中之組成改變，並且該信號重寫，因 此無法得到一較佳的持性。此外，當在該濺鍍氣體中之氮 氣分壓太高時，許多過剩的氮氣存在該膜中，因此類似於 上述情形，無法得到較佳的反覆特性。 至於耐候性，當在該濺鍍氣體中之氮氣分壓太高並且 許多過剩的氮氣存在該膜中時，在一加速試驗之後發生了 脱落現象。但是，當在該濺鍍氣體中之一氮化物分壓低並 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 B7 一 五 '發明説明（17 ) 且未與一氮氣結合之許多過剩Ge存在時，該脫落並未發生 。其傜假定因為Ge有助於結合該記錄層，所以不會發生脱 落。 依據本發明之另一特徽，較佳地，製備一光學信息記 錄媒體的一方法，其中Ge被當做該障壁材料之主成份Μ ， 當該反應性濺鍍進行時，該濺鍍氣體是含有至少Ar與“之 混合氣體，一濺鏤功率密度係大於1.27W/cm2 ，並且一膜 形成速度是大於或等於18nm/分鐘。 依據本發明之另一特擻，較佳地，製備一光學信息記 錄媒髏的一方法，其中Ge被當做該障壁材料之主成份Μ ， 當該反應性濺鍍進行時，該濺鍍氣體是含有至少Ar與《2之 混合氣體，該膜之形成方式是一複合反射指數值N+ik可以 滿足1.7£Μ3.δ並且0US0.3之範圍。詳而言之，當障壁 材料層形成在該記錄層之該基質倒時，所選定的這種膜形 成條件傜滿足1.7sns2.8並且〇£kS〇,3之範圍者。當障壁 材料層形成在相對該基質倒的一侧時，所選定的這種膜形 成條件偽滿足1.7sns3.8並且OsksO.8之範圍者。 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 I-------裝！ I I訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明之另一待徵，較佳地，製備一光學信息記 錄媒體的一方法*其中在構成該記錄層之材料中之至少一 元素被用來做為該障壁材料層的主成份，所使用的是其單 一元素目標物、其氮化物目標物、其氮氧化物目標物或其 氣化物目標物，因此進行該反應性濺鍍，該混合氣體包含 該稀有氣體與含有該氮氣成份之氣體或者該混合氣體包含 該稀有氣髏與含有該氮氣成份以及含有該氧氣成份之氣體 -20 - · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ______B7 一_ 五、發明説明（18 ) ，因此形成該膜。 依據本發明之另一持徽，較佳地，製備一光學信息記 錄媒體的一方法，其中構成該記錄層之材料本身被用來做 為該障壁材料層的主成份，所使用的是用以形成該記錄層 的目標物、其氮化物目標物、其氮氧化物目標物、或其氣 化物目標物，因此進行該反應性濺鍍，該混合氣體包含該 稀有氣體與含有該氮氣成份之氣體或者該混合氣體包含該 稀有氣體與含有該氮氣成份以及含有該氧氣成份之氣體， 因此形成該膜。 依據本發明之另一特擻，較佳地，製備一光學信息記 錄媒體的一方法，其中構成該記錄層之材料本身被用來做 為該障壁材料層的主成份，至少在一記錄層形成開始時或 在一記錄層形成完成時，所使用的是其中在該濺鍍氣體中 含有該氮化物成份之氣體的密度增加的記錄層形成過程， 或者，其中含有氮化物成份之氣體以及含有該氣化物成份 之氣體的密度增加的記錄層形成過程，因此因此可以形成 該記錄層。 依據以上方法，構成該氮化物成份與該氧化物成份的 氣體源可以在一記錄層部份形成在該記錄層形成製程時停 止0 第1圖是一橫截面圔，顯示包含四層之一相變化光學 記錄媒體的一習知結構。 .第2圖是一橫截面圖，顯示本發明之一光學信息記錄 媒藶的一結構例。 -21 - / 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐〉 ' ^^^1 ^^^1 HI m In ^^^1 . 1^1 ^^^1 nn ^-9J (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 ___B7 一_________五、發明説明（19 ) 第3^圖是一横截面圖，顯示本發明之一光學信息記錄 媒髏的另一結構例。 第4露是一横截面圖”顯示本發明之一光學信息記錄 媒體的另一結構例。 第5圖是一組成物匾，用以說明塗佈·於本發明之光學 信息記錄媒體上之一 Ge-N層或一 Ge-Ν-Ο材料層之一適當組 成物範圍。 第6圖顯示製備本發明之光學信息記錄媒體之一裝置 、 — 的一結構例。 第7圖顯示用以相對本發明之光學信息記錄媒體錄_ 與再生一信息信..號雷射調篆波形的一實例。 第8圖顯示用以相對本發明之光學信息記錄媒髏錄製 •.〆 與再生一信息信號之#雷射調變普形的另一實0。 第9圖顯示藉由使用本發明來製備該-光學，息記錄媒 體之-裝置的另一結構例。 第1 0圖藉由使用一濺鍍氣壓顯示一重^覆性的差異。 第,1 1圖藉由使用該濺鍍氣壓顯示該重覆性的差異。 第1 2圖藉由使用該濺鑌氣壓顯示一黏附性的差異、。 第1 3圔藉由使用該濺鍍氣壓顯示該黏附性的差異。 第1 4鼷顯示在該濺鍍氣體中之一氮氣分壓以及該光 學常數之間的一關傜。 第1 5圔顯示在該濺鍍氣髏中之該氡氣分壓以及該光 學常數之間的關偽。 第1 6画顯示在一總濺勝氣體壓力與該光學常數之間_ ml. ϊ —II I - - I;^衣 n^i I i ϋϋ >il In c請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 ··. 五、發明説明（2。） 的一 I胃倦。 本發明之一光學信息記錄媒體的一實施例偽顯示於第 2圖中，第2圖顯示該實施例中，一障壁層被使用在一記 錄層的一基質側。 在該實施例中，一基質1是厚度為0.6mm並且直徑為 120 ηπι的一碟形聚磺酸酯樹脂，這種聚磺酸酯具有低濕度 、低成本的好處，該聚碩酸酯做為供該基質使用的一材料 是極佳的。除了聚磺酸酯樹脂之外* 一丙烯酸樹脂、聚烯 烴樹脂、一聚氯乙烯等也可以使用。雖然也可以使用一金 屬，該媒髏必須被設計成譲一光線由一膜所形成之側射入 。不論如何，基質的種類在本發明中不受限。 該基質之一表面條具有充份的光學平坦性。此外，一 螺旋形凹凸槽道7 ，例如，具有70ηπι之深度、0.74μιπ之槽 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ! n n tn n n m ϋ ·ϋ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 部寬度以及〇.74μιη之底部寬度者，偽形成在一多層膜所形 成處的整個表面上。該槽之凹凸形狀傜做為一引導來操作 ，因此用以錄製與再生一信息信號的一雷射光束可以被移 動到一選擇之位置上。做為引導該雷射光束之一方法，使 用該螺旋形槽或一同心成形槽的一連續伺服方法以及一週 期地排列的信號凹下序列是習知的。依據引導該雷射光束 的方法，雖然該槽被適當地形成在該基質1上，這也與本 發明之物質無關。 依據上述實施例，依序地，包含一ZnS-Si0：!(Si02:20 莫耳％)混合物層的一保護層、含有Ge-N或Ge-Ν-Ο的一障壁 層8 、包含一 Ge3Sb2.3Te5合金薄膜的一記錄層3、包含一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（21 )

ZnS-S i〇2 (S i〇2 : 20莫耳ύ混合物層的一保護層4以及一金 屬反射層5傜形成在該基質1之該凹凸槽道7由一濺鍍法 所形成的一表面上。一紫外線硬化樹脂被用來做為一黏附 層9 ，因此做為該基質1之相同樹脂板被疊合成一密實板 10。當該障壁層δ之Ge-N時，依照由該保護層2到該金屬 反射層5之次序，各層的厚度依序分別為91nin、5 nm、20 nm、18nm與150nia。當該障壁層8是Ge-Ν-Ο時，類似地，各 層的厚度依序分別為86nm、20nm、20nra、18nm與150 nm。 通常，形成該等保護層2與4的材料是一絶緣材料，其 有時被稱為一絶緣保護層。除了ZnS-Si〇2之外，以往被該 光學記錄媒體之保護層所使用之材料可以應用在上述保護 層上。例如，可以使用包含一單一氧化物或一化合氧化物 等，如Al、Mg、Si、Nb、Ta、Ti、Zr·、Y 等的一氧化物層 、包含一氮化物如Al、B 、Nb、Si、Ta、Ti、Zr*等的一氮 化物層、包含一硫化物如ZnS、PbS、等的一硫化物層、包 含ZnSe等的一硒化物層、包含SiC等的一磺化物層、包含 CaF a、LaF等的一氣化物層、或者上述材料，例如包含ZnS -Si〇2、Si-N-0等的一混合物。 形成該記錄層3的材料是欲藉由接收一能量束如一雷 射光束之照射而改變成一可逆狀態的相變化材料，詳而言 之，該材料傜可以在一非結晶狀態與一結晶狀態之間藉由 照射該雷射光束而可逆地變化。通常，含有Ge-Sb-Te、Ge Te、Sb-Te、Ge-Se-Te-Pd、Ag-Sb-In-Te、Ge-Bi-Te、Ge-Sb-Te-Se、Ge-Bi-Te-Se、Ge-Te-Sn-Au、Ge-Sb-Te-Ο、 本紙張尺度適用中國國家標本（CNS ) A4規格（210X 297公釐） Γ裝I— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（22 )

In-Se、In-Se-Co等的一糸統，或者由加入一氣體混合物 如氧氣、氮氣等於這些糸統中的条統也是可以使用的。 當這些薄膜形成時，該等薄膜是在非結晶狀態中，當 這些薄膜吸收如雷射光束等時，該等膜被結晶。如果該等 膜被實際上當做該記錄媒體使用時，當該膜形成時像在非 結晶狀態的該記錄媒體傜藉由使用如照射雷射光束、照射 一閃光等的方法而事先結晶，該雷射光束係被撤弱地集中 ，並且該結晶記錄媒體以該被集中光線照射。因此，該被 照射的部份被非晶質化，使得該光學常數改變，因此進行 記錄。藉由上述變化，上述記錄進行的改變部份以這種弱 雷射光束照射以便不再改變該記錄層。一反射光強度之變 化或一照射光強度之變化被偵測，因此該信息被再生。當 該信息被重寫時，該雷射光束照射出來並且該非結晶部份 被再結晶，因此一錄製記號被消除。在消除之後，一新的 錄製記號形成。如下所述，在該記錄媒體旋轉一次時進行 一消除部份與一記錄操作的這種覆寫可以實施。 如上所述，位在該保護層2以及該記錄層3之間做為 該障壁層8的該材料層可作用而防止在該記錄層與該保護 層之間的一原子擴散以及一化學反應。相較於該記錄層* 該材料層必須包含具有較高熔點與較高密度的材料。此外 ，該材料層必須包含難以與構成該記錄層與該絶緣保護層 之材料反應並且難以産生原子擴散的材料。另外，該材料 層必須包含不會與任何一層剝離並且也難以産生一裂缝的 材料。例如，具有上述特性的該氮化物、該氧化物、該磺 -25 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ---------C裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（23 ) 化物、該氮氧化物、一氣化磺、一氮化磺等是適當的。較 佳地，該材料具有比一化學當量化合物組成略少的氧與氮 。即，例如，當該元素Μ與氮氣化物之一化學當量氮化合 物組成被定義成MaNb、MaNb-Mb〇d (其中a、b、c與d代表 一自然數）時，被用來做為該障壁靥之該材料層的組成物 必須被表不成 MaNbi (blsb)並且 MaNbi-McOdi (bl£b 且 dlsd) 。詳而言之，當該障壁層被塗佈在相對於該記錄層之基質 的一側上時，較佳地，MaNb2(b2<b)並且 MaNb2-Mc〇d2(b2< b且 d2sd)。 因此，如果是一組成物Si-N、Al-N、Si-Η-Ο等，該組 成物被表示成 Si3Nmi(mls4,較佳地，ml<4)，AlNm2(m2sl ，較佳地 m2<l)，S)3Nm3-S 丨 0nu(m3s4 且 m4〈2,較佳地 m3〈4 且b4U，或m3s4且ιη4<2)，因此該組成物可以被應用在該 障壁層上的可能性增加。 此外，當該障壁層傜形成在該記錄層之兩側時，在該 基質倒處對於該記錄層之黏附性與在相對於該基質之一侧 處者不同，該記錄層之基質侧具有相當高的黏附性，並且 該相對側具有一低黏附性。由一實驗結果得知，當該障壁 層形成在該記錄層之基質侧時，它大大地偏離該化學當量 組成。即，當該障壁材料以MaXb表示（其中· Μ表示一邦 氣體元素^川2,..之集合體，並且X表示氣體元素Χί,Χ^ ..)時，考慮一氣體成份b/(a + b)之比例，在該基質側處 之障壁材料層的比例高於相對該基質之一側處之障壁材料 層者甚多。因此，可以得到具有極佳耐候性的媒體。 -26 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---------- 裝------訂 /V (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（24 ) 在此處顯示的是使用Ge-H或Ge-Ν-Ο的例子。 一 Ge-N層或一 Ge-N-〇層可以只包括至少Ge與N或Ge，N 與0 ，該Ge-N層或該Ge-H-Ο層也可以包括其他元素，如Ge -N*(〇) ' Ge-Si~N_(0) Λ Ge-Sb-N-(0) ^ Ge-Cr-N-(O) ^ Ge-Ti-N- (0)等，其他元素為，例如，Μ、B、Ba、Bi、C、Ca 、Ce、Cr、Dy.、Eu、Ga、H、In、K、La.、Μη、N、Nb、Hi 、Pb、Pd、S、Si、Sb、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、Yb、Zn 、Zr等。 此外，如以下所述，形成該障壁層之材料可以被構成 記錄層之材料的氮化物與氮氣化物所取代，例如，當該記 錄層之主成份由在Ag、In、Sb與Te中的三値元素所構成時 ，一界面層可以是 Ag-N-(O)、Sb-H-(0)、In-H-(O)、Te-H -(〇)或它們的一混合物，如Ag-Sb-N-(O)。當該記錄層之 主成份是 Te-Si-Ge、Si-N-(O)、Ge-H-(O)、Te-N-(O)或它 們的混合物可為Ge-Si-Ν-ίΟ)。O與A1被加入Ge-N與Ge-H-〇 ，因此黏附性可以增加。詳而言之，，加入Cr可以獲得 顯著的效果◊當一添加劑密度為大約5¾或以上時，該黏附 性可以增加，可以形成具有一極佳黏附性的一製備條件被 擴大。當該添加劑密度超過50¾時，該循環性能將會降低 。該反射層5包含具有高反射率與一低腐蝕性的材料。除 了一 Al-Cr*合金之外，也可以使用一單一 Au、Al、Ag、Pd 、Ni、Cr、Ta、Ti、Si、Co等、或者其基質由它們所構成 的合金，如，Au-Cr、Au-Co、Al-Ta、Al-Ti' Ag-Cr、Au-Pd等是較佳的。 -27 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 OX 297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（25 ) 依據上述的說明，做為該障壁層所應用之一位置，如 圖所示，該障壁層應用在該基質側處之絶緣保護層以及該 記錄層之間之界面的一實例。除了在第2圖中所示之例子 之外，有在第3A到3H圖以及第4A到4H中所示之不 同變化例做為第2圖之另外的例子。在第2圔中顯示之該 槽、一接觸層與該防護板的形狀被省略。雖然第3A圖之 結構與第2圔者相同，為了簡化而與在第3 A圖與第3 B 到3H圖之間做一比較，第3A圖再一次顯示。 例如，當使用該障壁層時，即使不只在該記錄層之基 質側使用該障壁層，如第3A圔中所示，而且該障壁層也 被使用在該反射層侧（如第3 B圖中所示）或在兩側（如 第3C圖中所示），可以得到一類似的效果。 此外，即使這層被應用在整値下方保護層（如第3D 圖中所示）、在整値上保護層上（如第3 E圖中所示）、 或在整個下與上保護層上（如第3 F圖中所示）而與該障 壁層不同，但與使用該障壁材料的保護層相同時，可以得 到相同的效果。例如，在第3 F圔中，在該記錄層3之兩 側之所有絶緣保護層2與4是由含有該障壁材料，Ge-N或Ge -N-0之材料層所構成。在此例中，這材料層具有一標號8 0 此外，依據其中該障壁層（其中，一Ge-H層或一 Ge-N -〇層）被使用在該記錄層3之基質側並且所有的保護層4 包含在該反射層5之一側（如第3 G圔中所示）之該障壁 材料（其中，該Ge-N層或該Ge-Ν-Ο層）的結搆，可以得到 -28 - 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 一___五、發明説明（26 ) 類似的效果。相反地，依據其中該所有保護層2包含在該 基質倒之該障壁層（其中，該Ge-N層或該Ge-H-Ο層）並且 該障壁層（其中，該Ge-K層或該Ge-Κ-Ο層）被應用在該反 射層侧（如第3 Η圖中所示），可以得到類似的效果。 該上保護層是薄的，因此該結構設計的方式是在該記 錄層與該金颶反射層之間的距離減少。這結構被稱為一急 冷結構。依據該急冷結構，如果兩層或兩層以上形成在該 上侧，因為非常薄的這些層必須沈積，以一精確掌控一膜 厚度之觀點來看，兩或兩層以上並不是較佳的，因此很難 製備。在此例中，該上側包含一單一 Ge-Η層或Ge-Ν-Ο層’ 因此而産生的一優點是它很容易製備。 第4圖區顯示當該反射層由第3圔中之該結構中取出 時該結構，第4A到4H圔對應於第3A到3H圖。此外 ，依據在第3與4圖中所示之結構，以各種觀點來看，可 以使用包含Au與一半導體材料（例如，S i、Ge或其基質為 Si、Ge的合金）之一半透明反射層被加入該記錄層之基質 侧（該光線射入的一側）的這種結構（圖未示）。 第3與4圖顯示一最上層具有該覆蓋層6的一種結構 。該覆蓋層6只設置用來相對該光學信息記錄媒體之該保 護層與該記錄層壓制由於水、灰塵等所造成的影響。因此 ，一似基質被層昼之一結構、兩板與面向一内側之覆蓋層 表面層昼的一结構等傜依據一一般的方法適當地使用。此 外，雖然在圖中省略了，但是為了層疊該等板，一熱熔黏 箸劑與紫外線硬化樹脂之黏箸劑等被塗用。 -29 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙悵尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（27 ) 、 為了增加該循環性能，更有效地，該障壁層8 ，即， 該Ge-N層或該Ge-Ν-Ο層係形成在該記錄層3之基質1側形 成。因為該雷射光束是照射在該基質側，在該基質側的溫 度會上升，因此，相變化容易發生。因此，假定該障壁層 的效果很好。 另外，以另一値觀點來看，當該障壁層，邸，該Ge-N 層或Ge-Η-Ο層係形成在該記錄層之反射層處，除了可以增 加循環性能的優點之外，也可以得到加強消除功能的好處 。這有闢於下列現象，邸，當該記錄層被該雷射光束照射 使得該膜非結晶化時，通常，一固化作用由其溫度較低之 位置處開始，即，假定該記錄膜組成物以及在一冷郤作用 開始處之一側（通常是該反射層側）之界面的結構是決定 一所産生之非結晶固體之條件的一主要因素。卽，假定該 障壁層可以壓制由該保護層到該記錄層的原子擴散，該記 錄膜組成物在該界面處也被一循環記錄等所固定。 因此，因為該基質1包含光線無法穿透的材料，如金 屬，當該光線無法由該基質側射入時*請注意這情形僳與 上述者相反。即，在這種情形中，為了有效地加強循環功 能，該障壁層，即該Ge-N層或Ge-H-0層形成在相對於該記 錄層3之該基質1的一側處。另一方面，為了有效地加強 消除功能，該障壁層，卽該Ge-N層或Ge-Ν-Ο層形成在該記 錄層3之該基質1側。不綸如何，如果該Ge-N層或該Ge-N -0層形成在該記錄層的兩側，可以同時達到上述兩種好處 Ο -30 - ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " ---------裝------訂 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央梂隼局員工消費合作社印製 A7 B7 一五、發明説明（28) 表1顯示對應於第3A到3H圖以及第4A到4H圖 的一層結構，在該表中，Sub表示一基質，DL表示一保護 層，BL表示一障壁層（GeNO)，AL表示一記錄層，RL表示一 反射層，並且0C表示一覆蓋層。此外，在該保護層中，塗 佈該障壁材料，即，該Ge-N層或該Ge-Ν-Ο層的該層是以DL (GeNO)表示，並且未應用該障壁材料層的該層是僅以DL表 示。 表1該記錄媒體之層結構的一實例 圖號 層結構 3A Sub|DL |BL (GeNO) |ALj DL |RL|0C 3B Sub|DL |AL|BL(GeN0) |DL |RL|0C 3C Sub|DL |BL(GeNO) |AL|BL(GeN0) |Dl |RL|0C 3D Sub|DL(GeNO) |AL| (DL |RL|0C 3E Sub|DL |AL| |DL(GeN0) |RL|0C 3F Sub|DL(GeNO) |AL| |DL(GeNO) |RL|0C 3G Sub|DL |BL(GeN0) |AL| |DL(GeN0) |RL|0C 3H Sub|DL(GeHO) |AL| |DL |RL|0C 4A Sub(DL |BL (GeNO) |AL| DL |RL|0C 4B Sub|DL |AL|BL(GeN0) |DL |RL|0C 4C Sub|DL |BL(GeN0) |ALjBL(GeNO) jDL |RL|0C 4D Sub|DL(GeNO) (AL| |DL |RL|0C 4E Sub|DL |AL| |DL(GeNO) |RL|0C 4F SubjDL(GeNO) |AL| |DL(GeN0) |RL|0C 4G Sub|DL |BL(GeN0) |AL| |DL (GeNO) |RL|0C 4H Sub|DL(GeNO) |AL| |DL |RL|0C 31 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 一五、發明説明（29 ) 其次，做為一典型的障壁材料，該Ge-N層或該Ge-N-0 層之一適當的組成物範圍將說明如下。第5圖是顯示應用 於本發明中之該Ge-N層或該Ge-H-Ο層的一組成物範圍的一 三角圖*在未包含氧氣之Ge-N材料的適當組成物中，該Ge 密度具有35%到40¾之最低極限值。如果該最低極限值減少 到小於35¾到40¾，對於該記錄層的黏附性會減少。依據一 加速環境測試，有發生剝落的現象。 此外*該Ge密度具有大約90¾的上限值，如果該上限 值超過90¾ *在重覆錄製與消除的過程中，Ge被包括在該 記錄膜中，因此該循環功能將會降低。如果該Ge-N層傜形 成在該記錄層之基質侧，該適當Ge密度將或多或少地與該 Ge-N層形成在相對於該基質之一侧的情形不同，後者將稍 高於前者，因此黏附性較高。 例如，該前者之Ge密度的適當區域是35¾到60¾，一方 面，後者之適當區域是40¾到90¾ (較佳地，40¾到65¾)。 當前者與後者是在相同之條件下形成時，適當的Ge密度範 圍是40：!；到60¾。在本發明中，因為它們兩者不必在相同的 條件下形成，在35¾到90S；(較佳地，由35¾到65¾)之範圍 内的適當Ge密度是有效的組成物區域。在由65¾到90%之範 圍内，該循環功能將大大地降低。 包含氧氣的Ge-Ν-Ο条統將説明如下，在該保護層中， Ge對Η對0的一平均組成物比例係如在於第5圖中顯示該三 元素組成物Ge-Ν-Ο之三角圖中所示者。該平均組成物比例 可以藉由使用各組成物點，即，Al、B1到B5、C1到C5、D1 * 32 *· I--------裝------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央榇準局負工消费合作社印簟. A7 B7 - 五、發明説明（30) 到D5、E1到E5、F1到F5、G1到G5以及H1到H5來說明。 B2 (Ge89.7N9.800.5),B3(Ge86.6N6.706.7), B4(Ge83.4N3.3013.3), C2(Ge64.4N33.800.5)fC3(Ge58.8H20.6020.6), C4(Ge53.9N9.2036.9)， ， D2(Ge59.5H38.502.0),D3(Ge53.8N23.1023.1), D4(Ge48.8H10.2041.0), E2(Ge49.6N47.902.5),E3(Ge45.4H27.3027.3), E4(Ge42.3N11.5046.2), F2(Ge42.4H54.702.9),F3(Ge38.4N30.8030.8), F4(Ge35.5N12.9051.6),以及 G2(Ge34.8N62.003.2),G3(Ge32.6N33.7033.7), G4 (Ge31 · 1N13.8055 . 1)傜被定義成下列組成物線互相 交叉處的組成物點。該等組成物線如下： 一組成物線B1-B5連接該組成物點B1 (Ge90 . OHIO . 0)與 該組成物點 B5(Ge80.0N20.0)， 一組成物線C卜C5連接該組成物點Cl (Ge65.0N35.0)與 該組成物點 C5(Ge50.0N50.0)， 一組成物線D1-D5連接該組成物點D1 (Ge60.0N40.0)與 該組成物點 D5(Ge45.0H55.0)， —組成物線E卜E5連接該組成物點El (Ge50.0N50.0)與 該組成物點 E5(Ge40.0N60.0)， 一組成物線F卜F5連接該組成物點FI (Ge42.9N57.1)與 該組成物點 F5(Ge33.3N66.7)， ---------ci I- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1T 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（31) 一組成物線G1-G5連接該組成物點Gl(Ge35.0N65.0)與 該組成物點 G5(Ge30.0N70.0)， 一組成物線A卜H2連接該組成物點A1 (Ge 100)與該組成 物點 H2(Ge95.0N5.0)， 一組成物線A1-H3連接該組成物點A1 (GelOO)與該組成 物點 H2(Ge50.0N50.0)，以及 一組成物線A1 -H4連接該組成物點A1 (GelOO)與該組成 物點 H4(Ge20.0N80.0)。 換言之，在該Ge-Η-Ο層中之Ge對N對0之較佳平均紐成 物比例是在被四値組成物點，即，在顯示於第5圖中所示 之三元素組成物Ge-Ν-Ο之三角圖中的Bl、B4、Gl、G4所環 繞的範圍内，在此範圍内，具有該循璟功能與該消除功能 可以如上所述地被加強的效果。 類似於該Ge-N層的情形，在該Ge-Ν-Ο層中，當該障壁 層像形成在相對於該記錄層之基質的一侧（在非該雷射光 束射入的一側）時，在記錄與消除的過程中，Ge原子被包 括在該記錄層中的機率較小。因此，該層可以被應用在Ge 密度相當高的組成物區域内。相反地，當該障壁層係形成 在該記錄層之基質側（在該雷射光束照射的一侧）時’ Ge 原子被包括在該記錄層中的機率較小。因此，該層被應用 在其Ge密度相當高的組成物區域是較佳的。 因此，即使在該組成物區域B1-B4-G4-G1内’當該障 壁層偽形成在該記錄層之基質側（該雷射光束所照射之一 側）時，被四値組成物點Dl、D4、G4、G1所圍繞的該組成 -34 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------------ir------y (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 ____B7 ·-___ 五、發明説明（32 ) 物區域是較佳的。當該障壁層傜形成在相對於該記錄層之 基質的一倒（該雷射光束未照射之一側）時，被四値組成 物點 Bl、B4、F4、F1 (較佳地，Cl、C4、F4、F1)所圍繞 的該組成物區域更佳。 當一記錄裝置之結構決定時，氧對氮的成份比例可以 依據該光學常數（反射指數）來選擇。例如* Ge3N4-Ge〇2 的組成物線中，該複合反射指數n + ik之實數部份η與一虛 數部份k愈接近該Ge3N4側，它們變得愈大。該實數部份η 與一虛數部份k愈接近該GeO2側，它們變得愈小。因此， 當需要有較大的n、k時，可以選擇包含更多氪的組成物。 當需要有較小的η、k時，可以選擇包含更多氣的組成物。 但是*該GeOsS度愈高，該膜之熔點愈低。當該熔點 變得太低時，因為由於雷射光束之重覆照射而發生一變形 並且該保護層與該記錄層混合，一過低的熔點對於該保護 層並不佳。此外，因為GeO 2本身熔入水中，當GeO 2密度愈 高，就會有該保護層之耐候性降低的問題。 在被該等組成物點Bl、B4、G4、G1所圍繞的組成物區 域中（該等組成物點Bl、B4、Cl、C4、G4、G1除外，例如 ，Ge35H30035、Ge37N18045、Ge40N5505)，可以得到良 好的防濕性與循璟功能。以一重覆功能來看，在具有相當 少氧成份的區域B1-B3-G3-G1中（該等組成物點B1、B3、 G3、G1 除外，例如 Ge40N40020、Ge42N5305、Ge35N35030) •可以得到一良好的重覆功能。 在其氧密度低的組成物中，例如，在氧成份小於組成 -35 - 纸伕尺度適用中國园家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 A7 B7 一_五、發明説明（33 ) 物線A1-H2的組成物中，硬度變得稍大。因此，相較於具 有較多氧成份的組成物*具有較小氧密度的組成物産生裂 缝與剝落的可能性較小。但是，一少量氣被加入具有較小 氧密度，因此可以得到防止剝落與裂縫的效果。如下所述 ，即使在氧比組成物線A1-H2更低的組成物中，如果該Ge -N-0層之厚度傜大約30ηπι，將沒有實際的問題。因此這區 域是可以應用的。 當該Ge-N層或該Ge-Ν-Ο層應用在該障壁層上時，其膜 厚度必須大於或等於1 nm，以大於或等於2 nm為較佳，以 大於或等於5 nm為最佳。當該膜厚度小於1 rim時，該擴散 被壓制的這種效果會降低。此外，在2 ηπι與5 nm之間的差 是相對該功率的一公差。卽使5 nm的厚度必須高於2 nm者 ，該循環功能的這種效果的加強可以依據該擴散與化學反 應來得到。當該膜厚度5 nm時，一基本的擴散壓制效果可 以充份地逹成。當該厚度為2〇nm或以上，上述效果可以再 一次重覆地得到。 當該Ge-N層或該Ge-Ν-ϋ層被用來做為該保護層，其厚 度形成的方式必須是它比用來做為該障壁層之該層厚度來 得厚，以——般光學碟片而言，該絶緣保護層的膜厚度可 以只形成最多有300 nm。因此，大約300 nm的厚度被應用 在該Ge-N保護層或該Ge-Ν-Ο保護層之膜厚度上。如果是Ge 層或該Ge-Ν-Ο層*沒有任何問題，並且看不到裂縫等， 此外，這種好處是含有氣的材料糸統不會有裂缝。在此假 設該氧被包括，因此加強了結構撓性。 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

//IX 裝. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局〇®C工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（34 ) 其次，以下將說明製備該光學信息記錄媒體的一方法 ，構成本發明之記錄媒體之多層膜可以由一氣相沈積法， 如一真空沈積法、DC濺鍍法以及一磁控管濺鍍法、一雷射 濺鍍法、一離子電鍍法、一 CVD法等。在此處，以下將說 明使用該DC濺鍍法與該磁控管濺鍍法的例子。 第6圖顯示製備該光學信息記錄媒體之一裝置的一實 施例，第6圔顯示一大致的示意結構。首先，一濺鍍室之 一真空槽11是一正極，該真空槽11經由一電源開關12與一 直流電源13連接，此外，該真空槽11以開闋連接與一高頻 電源14連接的一匹配電路15。因此，使用一直流電源之DC 濺鍍法以及使用一高頻電源之RF濺鍍法可以實施。該匹配 電路15匹配在該濺鍍室中之阻抗以及在該電源處之胆抗。 該真空槽11的底部具有也做為一水冷卻器的四値負極 16、17、13、19 (負極18、19未顯示），一絶緣材料44係 設置在各負極16、17、18、19四週，因此該等負極16、17 、18、19與該正極絶緣。另外，該等負極16、17、18、19 可以經由開闋20、21、22、23 (開關22、23未顯示）而接 地。 結合在一銅背板上之一 Ge-Sb-Te合金目標物45、一 ZnS -Si〇2(Si〇2:20 moliK) 、一 M-Cr(Cr:3 原子 ％)合金目標 物47以及一 Ge目標物48經由一 0環以一螺絲分別固定於該 等負極16、17、18、19上。各目標物是碟片狀，具有100 mm的直徑與6 mm的厚度。此外，一永久磁鐵（圖未示）被 容裝在該等負極16、17、18、19中，因此可以進行一磁控 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部t央標準局員工消費合作社印裝 A7 __B7 .,_五、發明説明（35 ) 管放電。 一空氣出口 24傜設置在該真空槽丨：ι的一側表面上，一 真空泵26經由一管路25與該空氣出口 24連接，因此排氣可 以在該濺鍍室高度真空的方式下進行。該真空槽U的一上 部具有一旋轉裝置27，一碟片固持器29傜安裝在該旋轉裝 置27的一轉軸28上。該基質1連接在該碟片固持器29上， 一標號30表示一保護罩，該保護罩30被關閉以便進行一預 濺鍍，此外，該保護罩30被開啓與關閉，因此濺鍍開始與 完成被控制。 提供一濺鍍氣體的一氣體管路31的一側與該真空槽11 連接’該氣體管路31的另一侧分別經由一質量流計32、33 、34、35 與閥36、37、38、39 而與一 Ar 氣缸 40、一 Kr 氣缸 41、一 Os氣M42以及一卩2氣赶43連接。因此，除了在一Ar 氣體中的一般濺镀之外，可以在一Kr氣體，Ar氣髏、Kr氣 體與氣體（例如，Ar + f)2)的一混合氣體，Ar氣體、Kr氣 體、H2氣體與〇2氣體（例如，Ar + N2+02)的一混合氣體中進 行濺鍍。含有氮成份的氣體不限於N2氣體，例如，氨等也 增加在含有氮成份的氣體中。但是，考慮到一裝置污染， 通常，該N2氣體是較佳的。當該Ge-Ν-Ο層形成時，^2、0 、NO、N〇2等被用來做為含有N與0兩者的氣體，並且該濺 鍍可以在Ar*與它們的混合氣體中進行。 以下將說明製備具有在第3A圖中所示之結構之光學 信息記錄媒體的方法，做為使用這裝置之本發明之該光學 信息記錄媒體的一實施例，在此處，同時地，做為該障壁 -38 - 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1.1 I.....I I - I i n^zev.^^. I ..... ·ϋ ί ϋ— an —-I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（36 ) 層之該Ge-N層或該Ge-Ν-Ο層被設置在該記錄層之基質側的 這種例子將加以說明（以下，如果沒有特別說明，說明的 先後次序是Ge-N、Ge_M_0)。 首先，該真空泵26被致動，因此該真空槽被排氣到達 1χ10_6托耳或以下的一高度真空，接箸，調節一主閥，並 且同時Ar氣體被送入該真空槽，因此達到1毫托耳的真空 度。該碟片固持器29被旋轉，並且該電源被打開，因此RF 放電被該ZnS-SiOs目標物46與該負極17啓動。預濺鍍是以 500W功率進行五分鐘，並且在該放電穩定之後，該保護罩 30被打開。在具有一預定厚度（依據該實施例，如上所述 ，91mm或86mm)的一 ZnS-Si〇2膜被沈積在該基質1上，該 保護罩30被關閉。含有該ZnS-Si〇2膜的該保護層2傜形成 在具有該槽道部份7的基質1上。

在該放電完成之後，一旦該主閥完全打開，真空度回 到1x10 8托耳。接著，該主閥再次被調節，該Ar氣體與該 氣體以50¾對50¾之比例被送入，因此總壓力被設定在20 m托耳。其次，該RF放電是傜該Ge目標物48以及該負極19 所啓動，在五分鐘的預濺鍍之後，該保護罩被打開，並且 該反應性濺鍍以500W進行。其主成份是具有一預定厚度（ 依據該實施例，如上所述，5 nm或50nm)之Ge-N的該障壁 層8偽形成在先前形成的ZnS-Si〇2保護膜2上（因為該保 護罩30之開啓與囫閉操作以及該閥之操作傜類似於形成以 後各層的情形，所以其說明在此省略）。當其主成份之Ge -N-0的該障壁靥形成時，在上述製程中，該Ar氣體、該L 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） I. I I I I---r裝------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 A7 B7 一 五、發明説明（37) 氣體與該〇2氣體可以只在壓力比為49.5¾對49.5¾對U之情 形下送入，而非該Ar氣體與該Na氣髏以50%對50%送入。只 有這點與上述情形不同，類似地，進行隨後的製程。 因為Ge比氮化物更容易形成該氧化物，例如，該〇2密 度可以被設定成甚小於該密度。在某些情形下，該Ar氣 體與含有一N成份之氣體的混合氣體可以僅被用來做為一 導入氣體，因此含有氣的該Ge-N膜，即，該Ge-Ν-Ο層可以 形成。在此例中，在導入該氣體等之前使真空度設定在該 一預定範圍内，因此該在該Ge-N-0層中之0密度可以被控 制而得到一所需要的0密度。 該Ge-N層與該Ge-Ν-Ο層之組成物可以藉由一螺旋電子 光譜法（AES)、一拉瑟福（Ruthurford)後散射法（RBS)、感 應組合高頻電漿光譜法（ICP)等之組合來鑑別。在此例中 ，該組成物分別為Ge44N56、Ge40N40020。 接箸，DC放電藉由該Ge-Sb-Te目標物45與負極16被啓 動，藉由形成該記錄層3 。該Ar氣體被導入使得真空度被 設定成0.5m托耳。該濺鍍像以1000W來實施，因此可得到 一預定膜厚度（依據該實施例，如上所述，20nm)，所形 成之記錄層3是在非結晶狀態。 接著，該上保護層4之ZnS-Si〇2膜偽在與一第一層之 下保護層2 —樣的條件下形成，因此因此可得到一ft定膜 厚度（依據該實施例，如上所述* 18nm)，最後，Α卜Cr 目標物47是在2m托耳之Ar氣體中以300W來進行CD濺鍍。該 金屬反射層5之/U-Cr合金膜也以一預定厚度（依據該實 -40 - 未紙伕尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央棣準局員工消費合作社印裝 A7 B7 ·· 五、發明説明（38 ) 施例，如上所述，150 nm)沈積，因此具有一預定五層結 構結構之多層膜形成在該基質1上。 所形成的媒體由該真空槽11中取出，並且該金屬反射 層5被該紫外線硬化樹脂所覆蓋，該假基質很小心地堆疊 在該被覆蓋的金屬反射層5上而不致産生一氣泡。在渣狀 態時，以紫外線照射，並且該紫外線硬化樹脂之一覆蓋層 被硬化，因此一黏性結構具有一接觸層9與一保護圍板10 〇 依據上述例子，做為形成該Ge-N層或該Ge-Μ-Ο層之方 法，該金屬Ge被用來做為該目標物，並且使用該Ar氣體與 該氮氣之混合氣體或該該Ar氣體、該氮氣與該氣氣之混合 氣體使得該膜可以藉由該反應性濺鍍法形成。但是，還有 其他方法。 其他方法如下，除了該金靥Ge，也可以使用一Ge-N化 r 合物做為該目標物。該反應性濺鍍法是在含有稀有氣體與 氮氣的混合氣體中進行，因此製成該膜。此外，一 Ge-Ο化 合物（較佳地，GeO、Ge〇2)被用來做為該目標物。該反 應性濺鍍法是在含有稀有氣體與氮氣的混合氣體中進行， 或是在稀有氣體、含氮氣體與含氧氣髏的混合氣體中進行 ，因此製成該膜。此外，一Ge-N-Ο化合物（例如，Ge3N4 以及GeO2或GeO的化合物）被用來做為該目標物。該反應 性濺鍍法在稀有氣體、含氮氣髏之混合氣體，或者在稀有 氣體、含氮氣體與含氧氣體的混合氣體中進行，因此製成 該膜。 • - 41 - ik張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局負工消費合作社印褽 A7 B7 _五、發明説明（39 ) 當該膜形成時，如果包含在該濺鍍氣體與該室中的雜 質，如Ar、H、Si、C等偽被包含在該障壁層8 ，且若該雜 質密度小於等於10¾ ，可以得到與該雜質未被包含時相同 的類似效果。即，包含在形成該障壁層8之氮化物與氧化 物的該雜質密度大約為小於或等於10¾ 。如果是用以確實 加強該特性之混合物，該密度不限於這範圍。例如，Cr最 多可以被加高到與該Ge—樣的密度，因此Cr大大地加強了 對該記錄層等的黏附性。 做為形成該障壁層的一第二方法，例如，該記錄層的 材料被應用於該目標物上，並旦形成是該記錄層之組成元 素的氮化物與氮氧化物，因此可以形成該障壁層。例如/ 在一 Ge-Sb-Te条統中，使用的是該Ge-Te-Sb合金目標物， 因此可形成Ge-Sb-Te-N與Ge-Sb-Te-Ν-Ο。在此方法中’例 如，首先，在該保護層形成之後，使用該Ge-Sb-Te目標物 ，並且該反應性濺鍍法在Ar + N2之温合氣體中進行’因此 該Ge-Sb-Te-N膜形成而具有一預定厚度。然後，Ar*做為該 濺鍍氣體，並且該Ge-Sb-Te記錄層形成。藉由這方法，只 形成一目標物，因此可以形成該障壁層與記錄層。 依據該實施例，形成該記錄層之方法在非活性氣體中 進行的這種例子傺如臞所示，該氮可以被包含在該記錄層 中。在這例子中，該N2分壓被適當地調整。相較於形成該 障壁層的情形，在形成該記錄層的情形中選擇的是一低h 密度，因此含有該氮與該障壁層的記錄層可以被層曼。在 此顯示的是製備具有如第3 A圖中所示之结構之該光學信 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（2丨0父29^公釐） 經濟部中央標準局员工消費合作社印製 A7 B7 ··_ 五、發明説明（40 ) 息記錄媒體的例子。例如，如第3F圖中所示，如果該結 構在該記錄層3之兩側具有包含該障壁層的兩保護層、包 含該氮化物與氮氣化物的該保護層時，可以依據上述方法 形成該記錄層以及包含該氮化物與氮氧化物的該保護層。 此外，例如，如第3 E圖中所示，當包含該障壁層的 該保護層僅形成在該記錄層3的上表面上時，自然地，該 等膜可以依據該記錄層、包含該氮化物與氮氧化物之該保 護層的次序形成。在此方法中，因為該記錄層的組成物與 該障壁層或該保護層是共同的，因此比較不需要擔心會發 生該化學反應與交互擴散。因此，可以輕易地得到一較高 的黏附性。延伸這個觀點，例如，當使用該Ge-Sb-Te記錄 層時，該Ge-Sb-Te記錄層之構成元素，即，該氮化物與氮 氣化物*如Te與Sb被用來做為該障壁層與該保護層本身。 在此種情形中，該金靥Te與該金屬Sb被用來做為目標物， 並且Te-N、Te-Ν-Ο以及Sb-H、Sb-Ν-Ο可以分別選擇性地且 個別地形成。無論如何，可以得到對應於該Ge-Ν-Ο層的效 果。如果該障壁層與使用該氮化物與氮氣化物的該保護層 •例如，如在Ge-Ν-Ο之情形中所示者，氮元素以及氧元素 與該金屬元素之組成比例並不受限於化學計量組成。 在本發明中，當加熱時*在該記錄層之構成元素及/ 或該絶緣材料層之構成元素中，一材料之移動被抑制。對 該記錄層及/或該絶緣材料層具有一較高黏附性的層傷黏 附形成在該記錄層之至少一表面上。如果這要求可以滿足 ，該記錄層的構成元素並不限於氮氧化物。因此，即使該 _ 43 _ ---------C裝------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2〗0X297公；t ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 _五、發明説明（41 ) 記錄層之構成元素是一碩化物或氣化物，可以應用該構成 元素。例如•該記錄層之構成元素可以與該絶緣材料層的 構成元素（例如，Ζη-Η、Ζη-Ν-0等）相同。此外*在此可 預期的是該化合之混合物，除了氮氧化物之外*都可以 用。即使不含Ge的IN-Sb-Te與Ag-In-Sb-Te等糸統被用來 做為該記錄層，該Ge-N層與該Ge-Ν-Ο層是有效的。 其次，所形成的該記錄層被安置初始值，安置初始值 傣由照射雷射光束來進行，如以下所述。任何其他的方法 ，例如，使用一閃光曝光的方法可以應用。在此*該碟片 媒體以5m/s的均勻線性速度旋轉，並且波長為780nm的雷 射光束形成，使得ΙμπιχΙΟΟμπι ( —半寬度值）的一橢國點 形成在該碟片上。該碟片媒體之位置可使得該橢圓點之縱 向是一徑向。接著以3〇μΐβ/轉之一間距由外徑到内徑進行 結晶。 因此，圖中顯示製備該之一實施例之該光學信息記錄 媒體的一方法。如果該碟片之層數與層厚度改變，上述方 法是類以的。此外，具有如在第3Α到3Η圖中與第4Α 到4Η圖中所示之各種不同結構的媒體可以類似地形成。 此外，本發明可以應用包含其中進行多層記錄之多數 層疊記錄層的一碟片、以及包含其中該記錄可以在兩倒被 再生之具有兩背面的層昼碟片。 其次，該信號被記錄在以上述方法所製成的該光學信 息媒體上，並且再生該記錄的方法將説明如下。為了估計 記錄與再生的特性，所以使用一平台，該平台具有其波長 -44 - —--------裝------訂 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 本纸诙尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐〉 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（42 ) 為680nm的一半導體雷射光源、安裝其數字孔是0.6之一 物鏡的一光學頭、用以引導該光學頭到該記錄媒體之一任 意位置的一線性馬達、用以控制一定位的一軌跡伺服機構 、供該軌跡何服機構使用的一電路、用以控制該光學頭之 位置並且用以使一記錄膜表面受一雷射光點照射的一聚焦 何服機構、供該聚焦何服機構使用的一電路、用以調節該 雷射之功率的一雷射驅動電路、用以測量該再生信號之偏 差的一時間間隔分析器、以及用以旋轉該光碟的一旋轉控 制機構。 當該信號被再記錄或覆寫，首先，該碟—預定速 度旋轉。操作該線馬達而使該光學頭移動該任意軌跡位置 上•接箸，操作該聚焦伺服機構而使該雷射光點聚焦在該 記錄膜表面上。然後，操作該軌跡伺服機構使該雷射光束 被定位在一光學軌跡上。接著，操作該雷射驅動電路使該 輸出的雷射功率可以對應於該信息信號在具有其照射能量 相當高之功率值之非結晶脈衝部份以及孔其照射能量相當 低之功率值之結晶脈衝部份之間調變，如第7圖中所示。 該光學信息記錄媒體被該雷射光束照射，因此形成一非結 晶狀態與一結晶狀態交替的一狀態。 一尖峰脈衝部份包含一通常被稱為由另外之窄脈衝序 列所形成的多路徑，在該非結晶脈衝部份中之該被照射部 份在瞬間被熔化之後，該部份被急冷，因此該部份是在非 結晶狀態，在該结晶脈衝部份中之被照射部份被退火，因 此該部份在該結晶狀態。 Γ —-- (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *tr 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 ·..五、發明説明（43) 其次，當該信號再生時，該雷射光束的照射功率被設 定為比用來結晶之功率值更低之一再生功率值，使得該光 學信息記錄媒體不再變化。該光學變化的部份以雷射光束 照射，並且一偵測器接收並且偵測對應於在該反射光線或 射出光線之該非結晶狀態與結晶狀態之間之差所産生的一 強度變化。 一脈衝波形並不限於在第7圖中所示之波形，例如， 如第8圖中所示，（A)該非結晶脈衝在該非結晶功率值以 及小於該再生功率值的值之間調變，（B)只有一頂脈衝與 一尾脈衝之脈衝寛度甚大於一中間脈衝之脈衝寛度，（C) 該非結晶脈衝寬度相同，（D)當該雷射光束被非均質化時 ，在没有一脈衝調變之情形下，該光束被照射出來，（E) 該脈衝具有小於該再生功率值之功率值的時間必須在該非 結晶脈衝或如（A)到（E)中所示之波形互相結合之前及/或 之後，等等。因此各種記錄条統、再生条統與消除条統可 以被應用。 一信號糸統是EFM ，一最短的記錄記號長度是0.61μιη ，並且最短的信息長度是0.41μιη。該碟片被固定在一旋轉 檯上，並且它以2045rpm的速度旋轉。在記錄半徑為28min (線性速度6m/s)之位置處，用以在該槽軌上之由3T到11T 之範圍内記錄一記號長度之一任意信號的覆寫被重覆。被 檢測出的是該信號波幅以及跳動值（<r和之（<^和/Tv)的比 例，即，各信號記號3T-11T之跳動值之一標準偏差的和除 以一窗寛度Ttf( = 34nm)，該跳動值可以只為12.8¾或更小） -46 - I. , l^i --- I- - 1^ .....I _ I n I ϋ— 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（44 ) 的變化。 為了做一比較，三種碟片（A)、（B)、（C)偽依據實驗 的基礎製造並且評估。該等碟片如下：（A)包含依據該實 施例之結構的兩碟片（一碟片A1是一 Ge-H障壁層碟片，一 碟片A2是一 Ge-Ν-Ο障壁層碟片），（B)包含一習知結構， 即，該碟片U)的結構，但是該Ge-N障壁層或該Ge-Ν-Ο障 壁層除外的一碟Η，以及（C)包含習知結構的一碟片，其 中形成的是一Si3N4界面層而非依據該實施例之該碟片（Α) 的Ge_N障壁層或該Ge-H-〇障壁層。 依寸一第一評估項，在該記錄被重覆100,000次之後 *該跳動值（藉由在各記號前端之間之跳動以及在各記號 後端之間之跳動個別地被測量的一方法來測量）被估算出 來。在各記號前端之間之跳動以及在各記號後端之間之跳 動兩者均小於一參考值且該跳動值幾乎沒有變化的情形是 以◎來表示。雖然該跳動值改變，該跳動值本身仍小於該 參考值的情形以〇來表示。在重覆100,000次之後，該跳 動稍大於該參考值的情形是以△來表示。在重覆100,000 次之後，該跳動已經超過該參考值的情形是以X來表示。 用於估算的功率僳為大於一最低極限跳動值大約10¾的一 較高值，其中該最低極限跳動值表示當一初始跳動值滿止 小於12.8¾之值時的值。 依據一第二評估項，在上述實驗軌跡中重覆100,000 次之後，可以看到該波幅值，並且可評估出結果。只有稍 許變化的情形是由◎表示。有10¾變化的情形是由〇表示 -47 - ____/ _____ 本紙張尺度適用中國國家操率（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^1. I - - - I I - - 1— ^r— ί j - I HI I— m (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7 五、發明説明（45) 。有20%變化的情形是由△表示，波幅值減少到大於20¾ 的情形是由X表示。 一第三評估項是耐候性，在該等碟片在一高溫（9(TC) 以及一高濕度（80HH)環境中直立200小時以及400小時 之後，將該等碟片以一照微鏡來檢査。卽使在400小時之 後仍未發現有變化的情形是由◎表示。在2 0 0小時之後發 現稍撤剝落等的情形是由〇表示。在200小時中觀察到些 許剝落的情形是由△表示，在200小時内觀察到大量剝落 的情形是由X表示。 上述實驗值顯示在表2中，因此，基於重覆性與耐候 性的觀點，本發明之結構優於習知結構。 表2 比較應用本發明之障壁層之光碟片之特性與習知技 藝之特性的結果1 I I I - - I --- I .1— I '1±^·^^ 1 n n —I— —^1 τ» ζ—νU3. %? (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

碟Η 評估項 跳動 信號 波幅 耐候性 (剝落，等） Α1 ◎ 0 ◎ Α2 〇 ◎ ◎ Β △ △ ◎ C 〇 〇 X -48 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4C格（210Χ 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 五、發明説明（46) 其次，為了確認相對於該消除性能之該障壁層的效果 ，一比較測試的結果顯示如下。包含顯示在第3 B圖中之 結構的一碟片（D)，其中該障壁層只在表1中該記錄層之 反射層側處使用者，以及包含顯示在第3 C圔中之結構的 一碟片（E)，其中該障壁層在該記錄層之兩側處使用者， 僳由上述方法製造。該等碟.片（D)與（E)被安置初始值。該 反射層與該記錄層的組成與該等碟片（A)與（B)的組成相同 0 該等碟H (D1)與（D2)包含一簦層結構，其中傜一ZnS-Si〇2 保護層（86nm)、一 Ge_Sb_Te 記錄層（20nm)、一 Ge_N 或 Ge-Ν-Ο障壁層（5ηπ) 、一 ZnS-S丨〇2保護層（18nm)以及在該 基質上之一 ΑΙ-Cr反射層（150nm)。該等碟片（E1)與（E2) 包含一叠層結構，其中傜一 ZnS-Si〇2保護層（86nm)、一 Ge -N 或 Ge-H-Ο 障壁層（5nm) 、一 Ge-Sb-Te 記錄層（20nm)、一 Ge-N 或 Ge-Η-Ο 障壁層（5nm) 、ZnS-Si〇3 保護層（18ma)，以 及一A卜Cr反射層（150nm)。 在此處*當該Ge-H層或該Ge-Ν-Ο層形成在該記錄層之 反射層側時，相較於該Ge-N層或Ge-H-Ο層形成在該基質钿 之情形，該L氣體相對於Ar氣體之壓力比減小，該氣髏以 80%4「氣體對20%1<2氣髏之比例，或者以8(^4「氣體對19.« N2氣體對0.5%〇2氣體之比例送人。該濺鍍是在總壓為20毫 托耳下進行。因此，在該反射層側處，該Ge-N層的平均組 成是Ge65N35 ，並且在該反射層侧處，該Ge-N-0層的組成 是 Ge_30010。 ' -49 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 -· 五、發明説明（47 ) 該等碟片（A)到（E)以線性速度6m/S旋轉，並且該結合 依據上述方法被記錄。在此，具有一 3T記號長度的一單一 信號被記錄下來，並且在測量出C/N tb例之後，一11T信 號之覆寫立即被記錄下來。因此該3T信號被消除，並且一 胆尼因子比例（消除的程度）被測量出來。接著，在另一 値信號被記錄之後，該等碟片被放在一乾燥器中以90°站 立，該11T信號之覆寫被記錄，該脱離時間是兩種條件， 即，100小時與200小時。其結果顯示於表3中。 ’ 在表3中，Ο表示逹到大於35dB之一足夠高的消除比 ，◦表示達到大於30dB之一消除比，△表示達到大於26dB 之一消除比，X表示達到小於30dB之一消除比。因此，應 用該Ge-N障壁層或該Ge-Ν-Ο障壁層，所以該消除性增強。 詳而言之，當該障壁層形成在該記錄層之反射層側處時， 可以得到一較大的效果。 表3 比較應用本發明之障壁層之光碟片之特性與習知技 藉者之特性的結果2 (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央楯準局負工消費合作社印製 碟片 評估項 隨後 100H 200H A1 ◎ 〇 △ A2 ◎ 〇 △ B ◎ △ X C ◎ △ X D1 ◎ ◎ 〇 D2 ◎ ◎ 〇 E1 ◎ ◎ ◎ E2 ◎ ◎ ◎ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（48) 以下’依據更詳細的實驗數據*本發明將做更詳細的 說明。第9圖示意地顯示用來進行以下實驗的一膜形成裝 置’一真空泵（圖未示）與一真空容器49經由一空氣出口 50連接，使得在詼真空容器49内可以保持一高度真空。由 一氣源孔51 ’該Ar氣體、該氮氣、該氧氣或其混合氣體可 以依需要以一不變的流量適當地供給。一標號52表示一基 質’該基質52傜安裝到用以旋轉該基質52的一驅動裝置53 上，一檫號54表示一濺鍍目標物，該濺鍍目標物54與一負 極55連接。在此處，直徑為10cm並且厚度為6nm的一碟形 材料被用來做為該目標物。該負極55與一直流電源或一高 頻電源經由一開關（圖未示）連接。此外，該真空容器49 接地，因此該真空容器49與該基質52保持為一正極。 (例1 ) 具有如在第3A與3 B圖中所示之層結構的一光碟Μ (在表4中之一碟片（1)以及一碟片（3))偽依一實驗基礎 製成。該記錄層3包含其主成份為Ge2Sb2.3Te5的一相變 化材料，並且該絶綠保護層2與4包含一叾^3-5!〇2膜。當該 膜形成時，該氣體的供應方式是該Ar氣體之各總壓分別成 為1.0m托耳以及0.5m托耳，並且功率DC1.27W/cm2以及RF 6.37W/cm2分別被導入該負極55中。此外*當該反射層U1 -Cr)5形成時，該Ar氣體的供應方式是該總壓成為3.0m托 耳，因此導入功率DC4.45w/cm2 。 在該碟Η (1)中，在該绝緣保護層形成之後，接著， 該障壁層8形成。在該碟Η (3)中，在該絶緣保護層3形 -51 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

.1T 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) Α·Μ1格（2丨〇><297公釐） 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（49) 成之後，接箸，該障壁層3形成。在此例中，Ge被用來做 為該目標物，並且Ar與氮氣的混合物被用來做為該濺鍍氣 體。此外，該濺鍍氣體是20m托耳，在該濺鍍氣體中之Ar 對氮的分壓比是2 :1 ，並且該濺鍍功率是RF700W 。因為 該目標物是直徑為10cm的碟片，轉換成一濺鍍功率密度， 該濺鍍功率密度是6.37tf/cm2。 各層之膜厚度如下：該碟片（1)包含具有86nm的絶緣 保護靥2 、5 nm之障壁層8 、20nm的記錄層3 、17.7nm的 絶緣保護層4以及150 μπι的反射層5 ，並且該碟片（3)包 含具有91nm的絶緣保護層2 、20nm之記錄層3 、10nm的障 壁層8 、15.2nm的絶緣保護層4以及150 μπι的反射層5 。 做為一比較例，在第1圔中顯示之不具有障壁層的習知結 構（一碟片（〇))偽被類似地製成，並且它與該等碟片（1) 與（3)比較。該碟片（0)具有包含ZnS與Si〇2之混合物的絶 緣保護層2與4,並且各層薄膜厚度分別為91nm與17.7nm。 此外，含有一 Ge2Sb2.3Te5合金的記錄層3具有20nm的膜 厚度，含有AlCr*之反射層5具有150nm的膜厚度。 該等碟片（1)、（3)、（0)之重覆性係顯示在表4中’ 在表4中，該重覆記錄性藉由下列方法來檢査。即’如上 所述*所使用的是EFM条統。當該最短記號長度成為0.61 μπι時，該等記號3T到11T被記錄下來。藉由將在各前端之 間的跳動值以及在各後端之間的跳動值除以該窗寬度Τ ( 以下稱為跳動值）所得到的值被檢查。因此.，在15〇 , 〇〇〇 次重覆記錄之後，在該等前端與之間的跳動值以及在該等 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，裝_ 訂 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印掣 五、發明説明（50) 後端之間的跳動值未超過13%的情形是以◎表示。在150, 000次重覆記錄之後，雖然在該等前端與之間的跳動值以 及在該等後端之間的跳動值至少其中之一未超過13¾ ，但 是在100,000次重覆記錄之後，它們兩者均未超過13¾的 情形是以◦表示。在100,000次重覆記錄之後，雖然在該 等前端與之間的跳動值以及在該等後端之間的跳動值至少 其中之一超過13¾的情形是以X表示。因此*在設置有包 含本發明之結構之障壁層8的該磁Μ中，相較於習知技術 ，該重覆性被增強。 (例2 ) 位在例1中該表4中之該碟片（1)的基質側處的所有 保護層被改變成該Ge-N層或該Ge-Ν-Ο層，因此一碟片（5) 形成（所以，厚度為91nm之該Ge-N保護層或該Ge-Ν-Ο保護 層形成在該記錄層之基質側）。此外，位在例1中該表4 中之該碟片（3)的反射層側處的所有保護層被改變成該Ge -N層或該Ge-N-0層，因此一碟片（6)形成（所以，厚度為 25.2nm之該Ge-N保護層或該Ge-Ν-Ο保護層形成在該記錄層 之該反射層側）。碟片（5)與（6)的重覆性是藉由與例1相 同之方法來檢査。它們兩者可以類似地得到該結果Ο，即 *該Ge-N層或該Ge-Ν-Ο層是以該Ge-N層或該Ge-Ν-Ο層可以 得到該保護層足夠之厚度的方式來形成。此外，即使在這 種情形下，仍可以得到極佳的重覆性能。 (例3 ) 其次，該記錄層3包含其主成份為一 Ge2Sb2.3Te5合 -53 - ---------A — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2IOX297公釐） A7 B7 發明説明（51) 金的一相變化材料，當該障壁層3形成時，Sb做為該目標 物，並且Ar與氮之混合物做為該濺鍍氣體。在上述條件中 ，含有在第3A與3 B圖中所示之結搆的該等膜形成（一 碟片（2)、一碟片（4))。在此例中，各層之膜厚度與Ge被 當做目檫物之上述例子中相同。該障壁層8之濺鍍氣體壓 力是20 in托耳，並且在該濺鍍氣體中之Ar對氮的分壓比是 3比1。在此例中，該重覆性之結果傜顯示在表4中之碟Μ 编號（2)與（4)中。 依據表4，相較於Ge做為該目標物而形成該膜的情形 ，雖然可以重覆的次數較多，但是可以得到比比較例更好 的重覆性。 表4 比較應用本發明之障壁層之光碟片之特性與習知技 藝者之持性的結果3 (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印東 碟Μ编號 層結構 障壁層的目標物 持性 (0) 第1圖 没有目檫物 X (1) 第3 Α圖 Ge ◎ (2) 第3 A圖 Sb 〇 (3) 第3 B圖 Ge (4) 第3 B圖 Sb 〇 -54 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 A7 B7 ...五、發明説明（52) (例4 ) 其次，該層結構係如在第3 A中所示地構成，並且Ge 做為用以形成該障壁層8的目標物，可以得到一較佳特性 之膜形成條件的範圍被檢査。 依據該實施例，該總濺鍍氣體壓力是傺固定地設於20 m托耳，並且在該濺鍍氣體中之Ar與氮氣之分壓比具有三 種比例，卽，2 : 1、1 : 1以及1 : 2 。Ge之濺鍍功率為 RF100W、300W、500W、700W、710W、750W、1 kU、1.5 kW 以及2 kW。即，因為該目標物是直徑為10cm的碟片，當該 濺鍍功率被轉換成功率密度時，各濺鍍功率分別被轉變成 1.27W/cin2、3.82W/cin2、6.37W/cm2、8.91W/cn2、9.04W/ cm2、9.55W/cm2、12.7W/cm2、19.1i//cm2 以及 25.5W/cm2 。因此，該膜形成，並且該等碟片之持性被檢査。當Ar與 氮氣之分壓比分別被轉變成2 : 1、1 : 1以及1 : 2時， 氮氣之流量被固定地設定在SOsccm，並且Ar的流量被轉變 成_對應於氮氣之流量50sccm的100 seem、50sccm與25sccm 。該真空泵的主閥被調節，因此該濺鍍氣體總壓力被設定 在20 m托耳。 該層結構之構造類似於該等碟Μ (1)與（2)，各層之膜 厚度如下。該絶緣層2是36nm、該障壁層8是5 nm、該記 錄層3是20nm、該絶緣層4是17.7nm並且該反射層5是150 η®。該重覆性以在例1中所示之方法來檢查，結果顯示在 表5中。另外，黏附性被用來做為耐候性之評估項目，加 速測試在90。C在80%下實施，一樣品測試以1〇〇小時、15 -55 - 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) M規格（21〇><297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 A7 __B7 一_ 五、發明説明（53) 0小時與200小時來進行，並且該樣品以一光學透鏡觀察 以便找出是否有剝落發生，其結果顯示於表6A中。在此 例中*所産生的剝落範圍由1 μιη到1〇μιη。◎表示在200小 時之後該樣品完全沒有剝落的情形，〇表示雖然該樣品在 100小時與150小時之後沒有剝落，但是該樣品在200小時 之後有剝落 > 即使是稍徹也算的情形。△表示雖然該樣品 在100小時之後沒有剝落，但是該樣品在150小時之後有 剝落，卽使是稍撒也算的情形。X表示該樣品在100小時 之後剝落，即使是稍微也算的情形。 表5在應用於一記錄層之一基質侧之一障壁層的一膜形 成條件以及一循環功能之間的闘傜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 濺鍍功率 (Ar分壓）：（氮氣分壓） ⑻ 2 ： 1 1 ： 1 1 : 2 100 X X X 300 〇 〇 X 500 〇 〇 X 700 〇 〇 X 710 〇 〇 〇 750 〇 〇 〇 1000 〇 〇 〇 1500 〇 〇 〇 -56 - 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 Χ 297公釐） A7 B7 五、發明説明（54 ) 表6 A 在應用於一記錄層之一基質側之一障壁層的一膜形成條件 以及一耐候性之間的關偽 濺鍍功率 (Ar分壓）： (氮氣分壓） (W) 2:1 1 *· 1 1 ： 2 100 〇 〇 X 300 〇 〇 X 500 〇 〇 X 700 ◎ 〇 X 710 ◎ ◎ Δ 750 ◎ ◎ 〇 1000 ◎ ◎ 〇 1500 ◎ ◎ ◎ 2000 ◎ 0 ◎ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本莧) 裝_ 訂 經濟部中央樣準局員工消费合作社印褽 因此，就重覆性來看，當該濺鍍功率大於RF300W時， 可以得到較佳的特性。就黏附性來看，當該濺鍍功率大於 RF100W時*可以得到較佳的良好特性。在各例中，濺鑛功 率愈高，可以得到的持性愈好。其原因是該濺鍍功率愈高 ，可以形成的膜愈稠密。 至於氮氣分壓，在（Ar分壓）：（氮氣分壓）=1:2的情形. 中*只有在該濺鍍功率範圍大於710W時可以得到較佳的持 性。當該氮氣分壓高於一適當條件時，因為未與Ge結合的 -57 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 -.-五、發明説明（55) 一多餘氮氣存在該障壁層中*所以可推定該剝落是由於該 多餘氮氣所造成。依該氮氣分壓之相同條件，當該濺鍍功 率增加時，濺鍍在該目檫物表面上的該Ge原子與氮结合直 到該被濺鍍之Ge原子連接到該基質表面上為止的可能性減 少。因此，因為該多餘氮氣的混合物量減少，所以可以預 期的是可以得到較佳特性之區域出現。 做為可以得到較佳待性之障壁層δ的平均組成比的一 分析结果，無論如何，Ge、0與Ν的平均組成比傜落在被四 個組成物點所環繞的範圍内，這四個組成物點傜顯示在第 5 圖之三相組成物圔中，El(Ge50.0N50.0)、 Gl(Ge35..0N 65.0) 、 G4(Ge31.1N13.8055.1) 、 E4(Ge42.3Nll.5046.2) Ο 通常，當Ge或Ge-H被用來做為該目標物並且提供稀有 氣體與氮氣之混合氣體而形成該膜時，如果該濺鍍功率相 當小，那麼含有大量氣氣的Ge-Ν-Ο膜會形成，並且如果該 濺鍍功率相當大，那麼其氧含量只是一雜質值的Ge-N膜會 形成。 如上所述，較佳地*該濺鍍功率具有大於1.27Wcni2的 功率密度，當該功率密度大於3.821icm2時，可以得到較佳 的黏附性與記錄重覆性◦在此例中，當Ar分壓：氮氣分壓 =1 : 1時，膜形成速度是18nm/分鐘，較佳地，膜形成 速度大於18nm/分鐘。 (例 5 ) · 其次，該碟Η特性之差異依據在濺鍍氣體中之該濺鍍 -58 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 _ B7 —五、發明説明（56) 氣體壓力與氮氣分壓之分壓比的差來檢査，因此，包含在 第3 A與3 E圔中之相同結構的層結構被當做該目標物使 用，並且該濺鍍功率固定地設定在RF700W。當該濺鍍氣體 、Ar*分壓與氮氣分壓之總壓力改變時，該特性被檢査。一 笫3 A圖型碟片包含膜厚度為的一ZnS-Si〇2保護層、 膜厚度為5 nm的一 Ge-N或Ge-Ν-Ο障壁層、膜厚度為20nm的 Ge-Sb-Te記錄層、膜厚度為17.7nm的一 ZnS-Si〇2保護層以 及膜厚度為150 nm的一AlCr反射層。一第3E圖型碟片包 含膜厚度為91nm的一 ZnS-Si02保護層、膜厚度為20nm的Ge -Sb-Te記錄層、膜厚度為17.7rua的一 Ge-H或Ge-Η-Ο障壁層 、以及膜厚度為150 nm的一 AlCr反射層。 該重覆性傜以與例1到3中之相同方法來評估，該耐 候性是以與例4相同的方法來評估。表6B顯示膜形成條 件以及評估的結果。在表6B中，該碟片（0)表示在例1 中的習知碟片，此外記號是兩痼兩値地呈現，其中左記號 與右記號分別對應於第3A型碟片之結果以及第3 E型碟 片的結果。 I n m ϋ 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -59 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇:< 297公釐） 五、發明説明（57 ) A7 B7 表6 B 在應用於一記錄層之一基質側之一障壁層的一醆鍍條件以 及一碟片功能之間的關傺 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 碟片 编號 總壓力 U托耳） 分壓比 耐候性 重覆性 2A 2E 2A 2E (0) - - ◎ X (5) 1.0 1 ：2 X X X X (6) 3.0 1 ：2 X X X X (7) 10.0 1 ：2 X X X X (8) 20.0 1 ：2 X X X X (9) 30.0 1 ：2 X X X X (10) 1.0 2 ：3 △ X X X (11) 3.0 2 ：3 △ X 〇 〇 (12) 10.0 2 ：3 Δ X 〇 〇 (13) 20.0 2 ：3 △ X 〇 〇 (14) 30.0 2 ：3 △ X 〇 〇. (15) 1.0 1 ：1 〇 △ X X (16) 3.0 1 ：1 〇 △ 〇 〇 (17) 10.0 1 ：1 〇 Δ 〇 〇 (18) 20.0 1 ：1 〇 Δ 〇 〇 (19) 30.0 1 ：1 〇 △ 〇 〇 -60 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) >裝- *11 五、發明説明（5δ)

A B 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (20) 1.0 3 ： 2 〇 Δ 〇 〇 (21) 3.0 3 ： 2 〇 Δ 〇 〇 (22) 10.0 3 ： 2 〇 △ 〇 〇 (23) 20.0 3 ： 2 〇 △ 〇 〇 (24) 30.0 3 ： 2 〇 △ 〇 〇 (25) 1.0 2 ： 1 ◎ 〇 X X (26) 3.0 2 ： 1 ◎ 〇 .〇 〇 (27) 10.0 2 ： 1 ◎ 〇 〇 〇 (28) 20.0 2 ： 1 ◎ 〇 〇 〇 (29) 30.0 2 ： 1 ◎ 〇 〇 〇 (30) 20.0 80:20 ◎ 0 〇 〇 (31) 20.0 85:15 ◎ ◎ 〇 〇 (32) 20.0 88:12 ◎ ◎ 〇 〇 (33) 20.0 90:10 ◎ ◎ X 〇 (34) 20.0 95： 5 ◎ ◎ X 〇 (35) 20.0 100： 0 ◎ ◎ X X (36) 10.0 75:25 ◎ ◎ 〇 〇 (37) 10.0 80:20 ◎ ◎ X 〇 (38) 10.0 85:15 ◎ ◎ X 〇 (39) 10.0 90:10 ◎ ◎ X X (40) 10.0 100： 0 ◎ ◎ X X -61 ~ ri------ΐτ------% (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（59) 第10與11圖以及第12與13圖分別顯示重覆性 與耐候性的情形，此處，氮氣分壓是以橫座標軸表示，並 且Ar分壓是以縱座標軸表示。 首先，以3A型碟片而言，如第1 〇圖中所示，可以 得到較佳重覆性的膜形成條件是該濺鍍氣體總壓力超過ln 托耳。此外，當該總壓力為10 m托耳時，在該濺鍍氣體中 之該氮氣分壓範圍是係25%到60%。此外，當該總壓力為2〇 m托耳時，在該濺鍍氣體中之該氮氣分壓範圍傜到60¾ Ο 另外，如第1 2圖中所示，可以得到較佳耐候性（黏 附性）的膜形成條件是該濺鍍氣體總壓力超過lm托耳，類 似於該重覆性的情形。類似地，在該總壓力為10 m托耳以 及在該總壓力為20 m托耳兩種情形下，在該濺鍍氣體中之 該氮氣分壓範圍傜小於60¾，以小於50¾較佳。 其次，以3E型碟片而言，如第1 1圔中所示，可以 得到較佳重覆性的障壁層形成條件是該濺鍍氣體總壓力超 過lm托耳。此外，當該總壓力為1〇 m托耳時，在該濺鏟氣 體中之該氮氣分壓範圍係15¾到60%。此外，當該總壓力為 20«ι托耳時，在該濺鍍氣體中之該氮氣分壓範圍是偽5 %到 60¾ 。另外，如第1 3圖中所示，可以得到較佳耐候性（ 黏附性）的膜形成條件是該濺鍍氣髏總壓力超過lm托耳， 類似於該重覆性的倩形。類似地*在該總壓力為10 m托耳 以及在該總壓力為20 nt托耳兩種情形下，在該濺鍍氣體中 之該氮氣分壓範圍傺小於40%，以小於33%較佳。 -62 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ϋ nn裝 I 訂 (請先閲讀背面之注_項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裂 A7 B7 一五、發明説明（ 依據這分析，可以得到較佳特性的該Ge-N或Ge-Ν-Ο層 的組成範圍被檢査*當這材料層被設置在該記錄層之基質 側時，如在第5圖中所示之三角形組成物圔中所示，該平 均組成比例是在被四個點Dl(Ge60,0N40.0) 、D4(Ge48.8N 10,2041.0)、Gl(Ge35.0N65.0) 、G4(Ge31.m3.8055.1) 所圍繞的範圍内。 此外，當該材料層被放置在相對於該記綠層之基質之 一侧時，平均組成比例是在被四個點Bl(Ge90.0N10.0)、 B4(Ge83.4H3.3013‘3) 、 Fl(Ge42.9N57.1) 、 F4(Ge35.5H 12.9051.6)所圍繞的範圍内。較佳地，該組成範圍是在被 四値點 Cl(Ge65.5N10.0) 、C4(Ge53.9N9.2036.9)、Fl(Ge 42.9N57.1) 、F4(Ge35.5N12.9051.6)所圍繞。 至於該重覆性，當在該濺鍍氣髏中之該氮氣分壓低時 ，這是因為未與該氮氣連接的許多剩餘Ge存在該障壁層中 。因此，該記錄層的組成物改變，伴隨著信號之改寫，所 以無法得到較佳的特性。因為在該記錄層之反射層側的溫 度上升低於在基質側，原子擴散之程度非常小，因此可以 使用低氮氣分壓。相反地，當在該濺鍍氣體中之氮氣分壓 太高時，許多剩餘氮氣存在該膜中，在此例中，無法得到 較佳的重覆性。 至於黏附性*當在該濺鍍氣體中之氮氣分壓高且許多 剩餘氮氣存在該膜中時，在加速測試之後産生剝落。當該 氮氣分壓低且存在有未與該氮氣結合的剩餘Ge時，剝落'没 有發生。吾人可預期的是未與該氮氣或氧氣的Ge愈多，該 -63 - ifi------ΐτ------^ {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )六扣見格（210Χ297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（61 ) 記錄層成份之吸引力愈高。 如上所逑，為了獲得具有較佳記錄重覆性與黏附性的 碟片，該濺鍍氣體條件（氣體壓力、組成物比例）是清楚 的，當該濺鍍氣體總壓力超過50 a托耳時，該膜形成速度 變小。因此，它是不實用的。 該膜形成條件為當該Ge-N或Ge-Ν-Ο層形成時，欲加入 該目標物的該功率‘密度是8.91W/cm2 ，當欲加入該目標物 的該功率密度大於8..91W/cin2時，濺鍍到該目標物表面上 之Ge原子附著到該基質表面上的時間變得比上述例子少， 因此氮化與氮氣化很難發生。在這例子中，依據該速度， 該濺鍍氣體中之氮氣分壓增加，因此，可以得到類似於該 功率密度為8.91W/ctn2之情形的效果。相反地，當所加入 的功率密度小於8.91 W/cm2時，因為該氮化與氮氧化僳過 度地産生*依據該速度，該氮氣分壓可以僅被調整成讓該 濺鍍氣體的氮氣分壓適當地減少。 當在濺鍍氣體中之氮氣分壓大於90¾時，該濺鍍多多 少少不穩定並且它不是較佳的。該濺鍍功率的值與該膜形 成速度偽設定於該氮化物或氮氧化物可以形成之範圍内的 一任意值。如上所述，較佳地，該濺鍍功率密度> 1.27W/ cm2 ，並且該膜形成速度分鐘。 (例6 ) 其次，當該膜形成條件改變時，該障壁層之光學常數 之變化被檢査，首先，Ge之濺鍍功率被設定為700W，並且 該濺鑛的總壓偽固定地設定為20 m托耳。當在該濺鍍氣體 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 it 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0'乂297公嫠） 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印装 A7 _ B7 · ·五、發明説明（62) 中之該氮氣分壓比例改變時，即，在第1 0與1 1圖中之 一線a上之膜之複數反射指數的改變被檢査。其結果顯示 在第1 4圖中，此外，該濺鍍功率是700W，並且該濺鍍總 壓傜固定地設定為10 m托耳。當在該濺鍍氣髏中之氮氣分 壓比例改變時，邸*在第1 0與1 1圖中之一線a’上之膜 之複數反射指數的改變被檢査。其結果顯示在第15圔中 。其次，在該濺鍍氣體中之Ar·與氮氣的分壓比係固定地設 定為1:1 ，並且該氣體總壓改變。在此例中，第16圖 顯示在第1 0與1 1圖中之一線b上之光學常數的改變。 這些圖與上述氮氣分壓之應用範圍相結合，當該障壁 層被使用在該記錄層的基質側時，較佳地*該障壁層之複 數反射指數值n + ik滿足1.7sn£2.8並且0sni0.3的範圍。此 外*當該障壁層被使用在相對於該記錄層之基質之一侧處 時，較佳地，該障壁層之複數反射指數值n+ik滿足1.7ίΚ 3.8並且〇4£〇.8的範圍。 當該膜組成物被分析時，如果該膜是使用濺鍍總壓10 m托耳來形成，該氣氣密度的範圍是大約像5¾到8¾，如果 該濺鍍總壓為20 η托耳，該氧氣密度的範圍是大約由10¾ 到20¾ ，其偽稍大於10 m托耳之情形。 依製造方法來看，即使該膜形成條件，如該濺鍍功率 、該濺鍍氣髏等被改變，該膜的形成方式是該Ge-N膜或該 Ge-Ν-Ο膜之複數反射指數滿足上述範圍。因此可以得到較 佳的持性。 (例7 ) -65 - 裝 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（63 ) 除了包含膜厚度分別為10nm、20nm之一障壁層8 、以 及膜厚度分別為81nm、65.8nm之基質側之一 ZnS-S i〇2保護 層2的結構之外，具有相同層結構以及與例4相同之膜厚 度的一2A型碟片産生出來。該障壁層8之膜形成條件如下. ••該濺鍍功率是RF700W*即，該功率密度為8.91W/cffl2 、 該濺鍍氣體總壓是20 m托耳、Ar·分壓：_氣分壓=2 : 1 ，並且該氣體流量與上述例子相似。 由於檢査了該碟片的重覆性與耐候性，類似於上述例 子，可以得到一非常好的持性。 (例8 ) 其次，當應用該障壁層時的效果俗藉由互相比較具有 不同層結構之碟片來顯示，一表7顯示該等實驗製成之碟 Μ的結構以及其循環功能的評估結果。在表7中* DL表示 含有ZnS-SiOa的該保護層，AL表示含有Ge2Sb2.2Te5的該 記錄層，BL表示含有Ge50N4505的該障壁層，並且RL表示 含有Α10的該反射層。詳而言之，當該材料改變或該材料 被指定時，其說明如DL(Ge-H-O)被包括在（ ）内。 評估的方法與表2者相同，即，該跳動值與振幅值被 評估，在100, 〇〇〇次重覆記錄之後，該跳動值（藉由如在 各記號前端與之間之跳動以及在各記號後端之間之跳動被 艏別测童的方法來測量）被評估。在該等記號前端之間的 跳動以及在該等記號後端之間的跳動兩者均小於一參考值 並且該跳動值幾乎没有改變的情形是以◎表示，雖然該跳 動值改變，但是該跳動值本身仍小於參考值的情形是以〇 . -66 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝.

.1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（64) 表示’在100,000次重覆之後，該跳動值稍大於該參考值 的情形是以△表示，在100,000次重覆之後，該跳動值已 經超過該參考值的情形是以X表示。該估計的功率被設定 成大約高於最低極限跳動值10¾的值，其中該最低極限噴 氣值表示當一初始跳動值滿足小於12.8¾的值時的值。此 外’在100,000次重覆之後，該振幅值被觀察，所發現的 改變較小的情形是以◎來表示，大約有10¾或更小之改變 的情形是以〇來表示，大約有20¾之改變的情形是以△來 表示，該跳動值被減少到大於20%時是以X來表示。該表 7顯示以下： 1) 如果沒有反射層（一碟片41)，該振幅值傷大量地 減少，並且該跳動值上升很多。但是，當設置該障壁層時 ，可以因此得到該跳動性能與該振幅性能之一相當好的效 果（碟片42與43)， 2) 即使設置該反射層，當該反射層是薄的時候，或者 如果在該反射層與該記錄層之間的該層是厚的時候（一碟 片44:通常，一所諝的退火結構），無法得到與該反射層 是厚的或者在該反射層與該記錄層之間的該層是薄的（一 碟片47 :通常* 一所諝的急冷結構）之情形相同的效果， 3) 如果該障壁膚被應用到該退火結構上，可以得到一 相當好的效果（碟片45與46)， 4) 在該急冷結構中，該障壁層只被設置在該記錄層的 一侧，因此可以得到相當好的效果。 卽，在不具有反射層的結構中或者在具有一厚度（例 -67 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝 訂 」 (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) A7 _____B7 一 _' 五、發明説明（65) 如，大於80nm)之保護層形成在該記錄層與該反射層之間 的結構中*該障壁層相對於該跳動值並且相對於由於該重 覆記錄所造成的振幅減少是相當有效的。當必須重覆許多 次時，該障壁層是重要的。最近，在許多情形中，上述退 火結構可以一高速被應用於該光碟片覆寫（例如，Noboru Yamada等人，”高速與高密度記錄用之相變化光碟片之熱 平衡結構”，Trans. Mat. Res. Soc. Jpn.，V〇l. 15B， 1035，（1993))。因此該退火結構與該障壁層之結合産生 一大效果。 另一方面，具有形成在該記錄層與該反射靥之間之薄 保護層（例如，60nm或以下）的結構具有做為該保護層的 該障壁層，因此，詳而言之，該振幅功能可以增加。因此 ，可以達到更多重覆次數。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 經濟部中央標準局貞工消費合作社印製 3 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 公釐） 五、發明説明（66 ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表7 該障壁層相對各種層結構的效果比效 碟片 編號 碟片層結構 重覆功能 跳動 振幅 DL AL DL 41 90 nm 22 nm 82 nm X X DL BL AL DL 42 80 nm 10 nm 22 nm 82 nm 〇 〇 DL BL AL BL DL 43 80 nm 10 nm 22 nm 10 nm 72 nm ◎ ◎ DL AL DL RL (Au) 44 90 ηϊη 22 nm 80 πιο 10 nm Δ X DL BL AL DL RL (Au) 45 80 run 10 nm 22 rua 90 nm 10 nm 〇 〇 DL BL AL DL (GeHO) RL (Au) 46 80 nm 10 nm 22 nm 90 nm 10 nm ◎ ◎ DL AL DL RL 47 90 nm 22 nm 60 nm 150 nm 〇 Δ DL BL AL DL RL 48 90 nm 10 nm 22 nm 60 nm 150 nm ◎ ◎ DL AL DL(GeNO) RL 49 90 nm 22 nm 60 nm 150 nm ◎ ◎ DL BL AL DL (GeNO) RL 50 90 nm 10 n in 22 nm 60 nm 150 nm ◎ ◎ -69 - I-------ri-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 本紙張尺度通用中國囷家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 -_____B7 一_ 五、發明説明（67) 除了該Ge-N、Ge-Ν-Ο層之外*該材料層是否可以被用 來做為該障壁層被檢査，做為一材料候選者，可選擇的有 Si-N 、 Si-N-0 、 Sic 、 Sb-N-0 、 Zr-H-0 、 Ti-N 、 A1-N與A1-N_〇 。在任一情形中，該濺鍍條件被選定。兩種組成物， 卽\(A) —化學序數的組成物以及（B)包含比該化學序數 組成物多大約5¾之Si、Al、Ti、等的組成物被測試。該媒 體結構是一第3G圖型結構，該障壁層具有lOnin的厚度， 該媒體結構包含厚度為80ni«的一 ZnSe-Si〇2保護層、該障 壁層、厚度為20nm的一 Ge2Sb2.5Te5記錄層、厚度為20nm 之一障壁材料層、以及厚度為50nm且藉由濺鍍法沈積在厚 度為1.2mm之聚磺化物基質上的一 Au反射層。在覆蓋塗覆 之後，一熱熔黏著劑被用來使一圍板層叠起來，接箸* 一 初始結晶藉由雷射法來進行。此外，為了做比較，該障壁 層沒有被使用的結構也被製備，這些碟片以3.5m/s的線性 速度旋轉，並且具有長度為0.6μπι之3T記號的一 EFM信號 (隨意信號）被重覆地覆寫，並且該循環功能被評估。此 外，這些碟片在90°C與80«RH之加速條件下100小時保持 直立，並且該等碟片的狀態被評估。 其結果偽顯示在表8中，在表8中，以該循環功能而 言，〇表示在100,000次重覆之後，可獲得該效果。邸， 其好處是該跳動值的上升並且該振幅值的減少明顯地少於 該參考值。△表示可得到少許效果。X表示沒有得到效果 。此外，至於該耐候性，〇表示沒有發現到變化，X表示 可以偵測到這種變化，如剝落，△表示少許變化，如剝落 -70 - 本纸乐尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------裝------訂------\ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（68) 等被偵测到。因此，至於該循環功能*兩族（A)與（B)均會 被改善。至於該耐候性，該族（B)優於該族（A)，卽，含有 比該化學序數組成物稍少之N、0等的組成物比較有可能被 應用在該障壁層上。 表8 障壁材料的比較 材料組成物 A B 循環 耐候性 循環 耐候性 51 Si-N △ X Δ △ 52 Si-M-0 △ X 〇 〇 53 SiC Δ X 〇 Δ 54 Sb-N △ X Δ 〇 55 Sb-N-0 △ X Δ 〇 56 Zr-N △ X 〇 〇 57 Zr-H-0 △ X 0 〇 58 Ti-N Δ X 〇 Δ 59 Al-N Δ X 〇 △ 60 Al-N-0 Δ X 〇 〇 如上所述，在本發明中，可以提供該光學信息記錄媒 體，其中由於重覆該記錄與再生之該記錄持性以及該再生 特性的變化較少並且另外耐候性極佳，其再生之方法以及 -71 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^.裝------訂------'冰 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 五、發明説明（69) 記錄與再生該信息的一方法。 元件標號對照 1… ..基質 23. · ..開關 2... ..保護層 24.. ..空氣出口 3... ..記錄層 25.. ..管路 4... ..保護層 26.. ..真空泵 5… ..金屬反射層 27.. ..旋轉裝置 6… ..覆蓋層 28.. ..轉軸 7... ..凹凸槽道 29.. ..碟片固持器 8… ..障壁層 30. · ..保護罩 9.·· ..接觸層 31.. ..氣體管路 10.. ..防護板 32.. ..質量流計 11.. ..真空槽 33.. ..質量流計 12.. .»電源開關 34.. ..質量流計 13.. ..直流電源 35.. ..質量流計 14.. ..局頻電源 36.. ..閥 15. · ..匹配電路 37.. ..閥 16.. ..負極 38.. ..閥 17.. ..負極 39.. ..閥 18.. ..負極 40.. ..空氣缸 19.. ..負極 41 · · ..Ar氣赶 20. · ..開關 42. · ..0 2 氣 ® 21.. ..開關 43. · ..N 2 氣 St 22.. ..開關 44.. ..絶緣材料 -72 - 1： ifl裝 訂 械 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（70 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 45. ...Ge-Sb-Te 目標物 46. ...ZnS-Si〇2 目標物 47. ...Al-Cr目標物 48. ...Ge目標物 49. ...真空管路 50. ...空氣出口 51. ...氣源供應開口 52. ...旋轉裝置 54. ...濺鍍閘 55. ...陰極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 修正 補充, A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第86102914號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期：88年8月 K 一種光學信息記錄媒體，其包含： , 一障壁層，其包含一陣壁材料， 一保護層，其係設置在該障壁層之一側；以及 一記錄層，其產生可以依據一能量束之照射而光 學地被偵測的一可逆相變化^該記錄層係設置在該障 壁層之另一側；並且其中 該障壁層磨制該記錄層之一元素或該保護層之一 ^元素之至少一者的擴散。 2. 如申請專利範圍第1項之光學信息記錄媒體，其中該 保護層包含做為一主成份的障壁材料。 3. 如申請專利範圍第1項之光學信息記錄媒醴，其中該 保護層由障壁層構成。… 4. 如申請專利範園第1、2或3項之光學信息記錄媒 «’其中該記錄層是在含有障壁層之保護層之間、在 障壁層之間、或是在該障壁層舆含有障壁材料之保護 層之間並且當該障壁材料以MaXb表示時（其中，μ表 示一單一非氣饉元素，並且X表示一單一氣醴工具或 多種不同氣艘元素之一化合物），存在該能量束入射 倒之該.記錄層之障壁材料的一值b/(a+b)大於存在_.相對... 於該能量束入射側之一側的該障壁材料的值。 5. 如申請專利範圍第1項之光學信息記錄媒饉，其中一 反射層被設置在相對於該能量束入射側之該記錄層的 -------- -74- 本紙張尺度適用争國國家棟準（CNS ) A4规格（210X297公釐)--- ^ cr^iT"<w (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 修正 補充, A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第86102914號專利申請案申請專利範圍修正本 修正日期：88年8月 K 一種光學信息記錄媒體，其包含： , 一障壁層，其包含一陣壁材料， 一保護層，其係設置在該障壁層之一側；以及 一記錄層，其產生可以依據一能量束之照射而光 學地被偵測的一可逆相變化^該記錄層係設置在該障 壁層之另一側；並且其中 該障壁層磨制該記錄層之一元素或該保護層之一 ^元素之至少一者的擴散。 2. 如申請專利範圍第1項之光學信息記錄媒體，其中該 保護層包含做為一主成份的障壁材料。 3. 如申請專利範圍第1項之光學信息記錄媒醴，其中該 保護層由障壁層構成。… 4. 如申請專利範園第1、2或3項之光學信息記錄媒 «’其中該記錄層是在含有障壁層之保護層之間、在 障壁層之間、或是在該障壁層舆含有障壁材料之保護 層之間並且當該障壁材料以MaXb表示時（其中，μ表 示一單一非氣饉元素，並且X表示一單一氣醴工具或 多種不同氣艘元素之一化合物），存在該能量束入射 倒之該.記錄層之障壁材料的一值b/(a+b)大於存在_.相對... 於該能量束入射側之一側的該障壁材料的值。 5. 如申請專利範圍第1項之光學信息記錄媒饉，其中一 反射層被設置在相對於該能量束入射側之該記錄層的 -------- -74- 本紙張尺度適用争國國家棟準（CNS ) A4规格（210X297公釐)--- ^ cr^iT"<w (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範囷 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 一側處。 6.如申請專利範圍第5項之光學信息記錄媒體，其中該 保護層係設置在該反射層舆該記錄層之間並且其主成 份是障壁材料的該保護層具有小於等於6〇ηιη的厚 度。 7·如申請專利範面第6項之光學信息記錄媒體，其中該 障壁層係設翼在該記錄層之能量束入射側表面處。8. 如申請專利範圍第5項之光學信息記錄媒艘，其中敦 置在該記錄層與該反射層之間的保護層具有大於等於 80nm的厚度。 9. 如申請專利範圍第1、2、3、5、6、7或8項之 光學信息記錄媒體、，其中該保護層之厚度是大於等於 1 nm 〇 10. 如申請專剎範圍第1、2或3項之光學信息記錄媒 想’其中該陣壁材料是該非氣體元素之一氮化物或該 ,非氣®元素的一氛氧化物。 U·如申請專利範圍第4項之光學信息記錄媒體，其中該 障壁材料是該非氣艎元素之一氮化物或該非氣體元素 的一氮氡化物。 12^如申請專利範圍第1 〇項之光學信息記錄媒體，其中 該障壁材料是使至少氮氣或氧氣之量少於一化學序數 組成的一種材料。 13.如申請專利範圍第1 1項之光學信息記錄媒體，其中 該障壁材料是使至少氮氣或氟氣之量少於一化學序數 本紙張尺度逋用中國®家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡） •75- c请先聞讀背面之泣f項鼻埃寫本買) /1装· 订 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 A8 B8 C8 --— _____D8 '申請專利範圍 组成的一種材料。 如申請專利範圍第丄。項之光學信息記錄媒禮，其中 該非氣嫂元素是Ge、sb、Si、Zr、TWA1其中之一、。 .如申請專利範圍第1 Q項之光學信息記錄媒艘，其中 該非氣馥元素是Ge、Sb、si、Zr、TWA1其中之一。 16. 如申請專利範圍第丄、2或3項之光學信息記錄媒 想其中該障壁材料包含Ge-N或Ge-Ν-Ο β 17. 如申請專利範圍第丄6項之光學信息記錄媒體其中 孩障壁材料是使至少氮氣或氧氣之量少於一化學序麵 組成的一種材料。 18. 如申請專利範圍第1、2或3項之光學信息記錄媒 雄’其中該障壁材料包含做為添加劑的至少一Cr*A1 元素。 19〜如申請專利範圍第1 2項之光學信息記錄媒體，其中 該障壁材料包含做為添加蝌的至少一&或八丨元素。 20. 如申請專利範圍第1 8項之光學信息圮錄媒體，其中 該至少一 Cr或A1元素之密度等於或小於在該障壁材料 中之該非_氣艘元素成份的密度。 21. 如申請專利範圍第1 9項之光學信息記錄媒艟，其中 該至少一 Cr或A1元素之密度等於或小於在該障壁材料 中之該非氣艘元素成份的密度。 22_如申請專利範圍第1 6項之光學信息記錄媒《，其中 含有障壁材料的這層係形成在該記錄層之兩側表面 上，並且在該能量束入射側之該障壁材料中的一 Ge 本紙银又度逋用中國國家梂準（CNS ) A4规格（210><297公釐） --------ri------訂------,,:k (請先Μ讀背面之注f項再填寫本頁) • 76· A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 密度等於或小於在相對該能量束入射側之-側之障壁 材料中的Ge密度。 23. 如申請專利範圍第1、2或3項之光學信息記錄媒 鍾’其中該非氣體元素之障壁材料是Ge並且在該陳 壁材料中之Ge密度範園由35%到90%。 24. 如申請專利範圍第2 3項之光學信息記錄媒艘，其中 在該記錄層之能量束入射側處之該障壁材料中之Ge 密度範圍是由35%到60o/c 25. 如申請專利範圍第2 3項之光學信息記錄媒體，其中 在相對該記錄層之該能量束入射側之一侧處之該障壁 材料中的Ge密度範困是由40%到90%。 26. 如申請專利範圍第2 3項之光學信息記錄媒體，其中 在相對該記錄層之該能量束入射側之一側處之該障壁 材料中的Ge密度範圍是由40%到65%。 27. 如申請專利範圍第1 6項之光學信息記錄媒艘，其中 該障壁材料之組成物是存在於被在其頂點分別為 Ge、N、〇之一3三元素组成物圖中之四個组成物點 Bl(Ge9。。，N1CI·。，）、B4(Ge83.4，N3 3，013 3)、Gl(Ge35 0, N65.o)、G4(Ge311，N丨3.8，〇55丨）所環繞之一區域内的一、 組成物。 28. 如申請專利範圍第2 7項之光學信息記錄媒《，其中 在該記錄屠·之能量束入射側處之該障壁材料中之組成 物是存在於採在其頂點分別為Ge、N、〇之一三元素 組成物圖中之四個組成物點Dl(Ge60.0，N40.〇)、 本紙張尺度逋用中國Η家標準（CNS ) A4規格（210X297公羞） ----^-----裝-------訂-----*k (請先聞讀背面之注f項再填寫本頁) -77- 經濟部智慧財產局员工消費合作社印製 A8 B8 C8 __ D8 々、申請專利範固 D4(Ge48i8, Nm 〇41.。）、Gl(Ge35·。，N65.。）、G4(Ge31 卜 Nu 8, Ο55.1)所環繞之一區域内的一組成物》 29·如申請專利範圍第2 7項之光學信息記錄媒艘，其中 夺相對該記錄層之能量束入射侧之一側處之該障壁材 料中之組成物是存在於被在其頂點分別為Ge、N、之 一三元素組成物溷中之四個組成物點BJXGey。， N35.〇) ' B4(Ge53.9, N9.2, 〇36.9) > Fl(Ge42.9, N571). F4(Ge35·5，N.丨η, O5丨.6)所環繞之一區域内的一組成 物0 3.0.如申請專利範圍第2 9項之光學信息記錄媒體，其屯 在相對該記錄層之能量味入射側之一側處之該障壁材 料中之組成物是存在於被在其頂點分別為Ge、N、〇 之一三元素組成物圖中之四個組成物點cl(Ge65。， Να。）、C4(Ge53.9，Ν9·2，〇36 9)、Fl(Ge42.9，Nm)、 iH(Ge35·5，Nag，〇M.6)所環繞之一區域内的一組成 物》 31.如申請專利範圍第1、2或3項之光學信息記錄媒 艘’其中包括在該障壁材料之一複合反射指數值N+ik 中之一值n與一值k係分別在1·7蕊3.8以及O S kS 0.8之範圍内。 32·如申請專利範圍第3丄項之光學信息記綠媒體，其中 包括在該障壁材料之一複合反射指數值N+ik中之一值 η舆一值k係分別在1.7S 3.8以及k簋0.3之範圍 ，内。 本纸張ZijjL適用中B國家梯準（CNS )从胁（2丨Qx297公慶）--- --------Γλ-------IT----- (請先閲讀背面之注$項再填寫本I) A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 33. 如申請專利範圍第工ή3項之光學信息記錄媒 —雄’其中該記錄層之-結構材料是—相變化材料，其 基底為Te、Sb或Se。 34. 如申請專利範固第3 3項之光學信息記錄媒體，其中 該相變化材料包含Ge-Sb-Te。 35. 如申請專利範圍第i項之光學信息記錄媒艘其中蹿 保護層之材料舆該材料是一光學透明絕緣材料，包含 至少一元素，如〇、s與Se。 36. 如申請專利範圍第工、2或3項之光學信息記蟑媒 想’其中該障壁材料包含構成該記錄層<至少一種元 素的該氮化物或氮氧化物》 37. 如电請專利範面第1、2或3項之先學信息記錄媒 醴’其中該障壁材料是構成該記錄層之至少一種元素 的氮化物或構成該記錄層.之至少一種元素的氮氧化 物。 38. '種製造一光學信息記錄媒艘的方法，其包含下列步 驟：一第一步驟.：在一基底基質上形成一保護層或一 障壁層’一第二步驟··在該保護或障壁層上形成產生 可以依據一能董束之照射而被光學地偵測之一可逆相 變化的一記錄層、或一障壁層，以及一第三步驟：在 弟第二步驟之該記錄層或該障壁層上形成一保護層、 一記錄層或障壁層，其中該陣壁層或該等障壁層係藉 由一高頻減鍍法在一含有至少稀有氣體之一大氣中使. …用含有做為主要成份之障壁材料的這種目標物來形- ______-79- _ 本紙張又度逋用中國國家榇準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 裝· 訂· * Jk (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Α8 Β8 C8 D8 夂、申請專利範圍 成。 39. 如申請專利範圍第3 8項之製造一光學信息記錄媒艎 :的方法’其中形成設置在該記錄層至少一側的保護層 的製程包括藉由一高頻濺鍍法在一含有至少稀有氣體 ‘之一大氣中使用含有做為主要成份之痺壁材料的這種 目標物來形成該保護層。 40. 如申請專祝範圍第3 9項之製造一光學信息記錄媒體 的方法，其中該目標物是由障壁材料製成。 41. 如申請專利範圍第3 8或3 9項之製造一光學信息記 錄媒艘的方法’其中該目標物是該障壁材料之非氣體 成份之單一目標物、非氣艎成份之一氮化物目標物、 非氧雄成份之一氮氧化物目標物、以及非氣體成份之 一氧化物目標物的其中至少一者。 42·如申請專劐範圍第3 8或3 9項之製造一光學信息記 錄媒败的方法’其中該陣壁層的形成製程或包含該障 壁材料之保護層的形成製程係一反應性濺鍍法在含有 一混合氣«之一大氣中進行的一製程，並且該混合氣 艏包含至少稀有氣饉以及包含氮氣成份的氣艘並且該 混合氣艘包含至少稀有氣體、含有氮氣成份的氣體以 及含有至少稀有氣體與含有二氧氣成份的氣體。 43. 如申請專利範圍第3 8項之製造一光學信息記錄媒艎 的方法’其令該稀有氣艎包含至少Ar及/或ΚΓ。 44. 如申請專利範園第3 8或3 9項之製造一光學信息記 錄媒體的方法，其中在於玆記錄層之兩側形成該障壁 (請先W讀背面之注$項再填寫本頁) 、裝. 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I張 一纸 本 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 層或含有障壁材^之保護層的製程中，當該層在該能 量束入射側時，在一濺鍍大氣中之一氮氣分壓係大於 在當該層形成在相對該能量束入射側之一側上形成時 在进鍍大氣東之一氮氣分壓。 45如申赞專利範圍第3 8項之製造一光學信息記錄媒艘 的方法，其中該陣壁材料之一非氣體成份是Ge,並 且該障壁層或該保護層是藉由一反應性濺鍍法來形 成’其中該障壁材料被當做一目標物使用β 46. 如申請專利範圍第4 5項之製造一光學信息記錄媒體 的方法，其中該目標物之材料是一Ge3N4化合物、一 GeO化合物、一„〇e〇2化合物、一 Ge3N4_Ge〇混合物、 或者一 Ge3N4-Ge02混合物之至少一者。 47. 如申請專利範圍第4 5項之製造二光學信息記錄媒體 酌方法，其中該反應性濺鍵法是在其總壓範園是由 托耳到50m托耳之大氣中進行。 48. 如申請專利範圍第4 5項之製造一光學信息記錄媒體 的方法，其中該反應性濺鍵法之大氣是包含至少稀有 氣想與N2的一混合氣體，並且該乂之分壓比大於10〇/〇 並且小於66% » 49. 如申請專利範圍第48項之製造一光學信息記錄媒體 的方法，其中N2之分壓大於10%並且小於50%。 50. 如申請專利範圍第4 5項之製造一光學信息記錄媒體 的方法’其中該反應性濺鍍法之一功率密度係高於 l-27Wcm2T，並且該濺鍵大氣包含至少稀有氣體與仏 本紙張尺度逋用中國國家棣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、裝· 訂 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 -81- 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 A8 B8 C8 ----- -^ '申請專利範固 的一混合氣體。 51. 如申請專利範圍第4 7項之製造一先學信息記錄媒艘 的方法，其中該反應性濺蘇法之濺鍍速度大於18nm/ 分鐘。 52. 如申請專利範園第4 5項之製造一光學信息記錄媒艘 •的方法，其中該障壁層或該保護層之一複數反射指數 值n-+i\是在1.7客η$3·8以及0彡kS0.8之範圍内。 53. 如申請專利範国第3 8或3 9項之製造一光學信息記 錄媒艘的方法，其中該目標物是構成該記錄層之多數 元素中之一元素的一單一目標物、構成該記錄層之該 等元素之化合物的一目標物、該元素或該等元素之一 氮化物的一目標物、該元素或該等元素之一氮氧化物 、的-目標物、或該元素或該等元素之一氧化物的一目 標物’並且該濺鍍大氣是稀有氣醴舆含有氮氣成份之 「一種混合氣Μ、或者稀有氣髋與含有氪氣成份之氣體 以:及含有氧氣成份之氣艟的一種混合氣饉。 54. 如申請專利範圍第3 8或3 9項4L製造一光學信息纪 錄媒艟的方法，其中該目標物是形成該記錄層之材料 的一目標物、形成該記錄層之材料之氮化物的一目標 物、形成該記錄層之材料之II氧化物的二目標物、形 成該記錄層之材料之氣化為的一目標物，並且該濺鍍 大氣是稀.有氣體與含有氳氣成份之一種混合氣體、或 者稀有氣體與含有氮氣成—份之氣《以及含有氧氣成份 之氣艘的一種混合氣想》 本紙張尺度逋用中«國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 裝. 订· * Jk (請先Μ讀背面之注$項再填寫本頁) -82. 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   、申請專利範圍 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 55. 如申請專利範圍第3 8或3 9項之製造一光學信息記 錄媒趙的方法，其中用以.形成該障壁層或含有該障壁 材料之該保護層的目標物材料與用以形成該記錄層之 目標物材料相同，並且在開始及/或完成該記錄層之 形成步称時，在該濺鍍大氣中含有氣氣成份之氣饉的 分麼增加’戒者在該濺鍍大氣中含有氧氣成份之氣艎 的分壓增加。 56. —種缚氧/消除/再生一光學信息的方法，其中信息 是依據申請專利範圍第1項，藉由使用照封雷射光束 並且控制铱雷射光束的功率雨在該光學信息記線媒醴 上被錄製夂再生以及消除。 57. —種錄製/消除/再生一光學信息的方法， 其中使用的是一光學信息記錄媒體，其具有可以 依據一能量束之照射而被光參地偵測之一可逆相變化 的一記錄層、一障壁層以及在一基質上的一保護層， 當一信號被記錄具復寫在該記錄層上時，該雷射. 光束之照射功率被調制在具有一相對較大照射能董之 一非結晶功.率值以及具有相對較小照射能量之一結晶 功率值，並且該記錄層以該被調制過的雷射光束照 射，並且一非結晶狀態部份與一結晶狀態部份選擇性 地形成； 當該記錄層之信號被遽除時，該雷射光束的照射 功率鹌設定在將該芎錄層轉變成該:結晶狀態的該結尾 功率值； 本紙張尺度適用t國國家梂準（CNS ) Α4说格（210X297公釐） 83 --------ci------訂·------k (請先閲讀背面之注意ί項再填寫本頁) ^、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 當該記錄層之信號被再生時，該雷射光束係以小 於該結晶功率值之功率值並且以使該記錄層不會改變 之一再生功率值照射該記錄層，並且依據在該非結晶 .狀態與該結晶狀態之間之一相變化來偵測來自該記錄 層之A反射光線或一傳送光線的光強度，因此偵測出 纪錄層之狀態； 一.其中該光學信息記錄媒體之障壁層具有可以壓制 該記錄層之一元素或該保護層之一元素其中一者之擴 散、及/或可以壓制該記錄層之任一元素舆該保護層 之任一元素的化學反應的一種障壁材料，並且該降聲 令係形成在該記錄廣舆該保護層之任一側之間，或者 各形成在該記錄層之兩側之間以及級等保護層之間β 58. 如申請專利範圍第5 7項之錄製/消除/再生一光學 信息的方法，其中該光學信息記錄媒體之該保護層之 材/料具有做為一主成份的陣壁材料a 59. >申請專利範圍第5 7或5 8項之錄製/消除/再生 一光學信息的方法’其中該陣壁材料包含Ge_N或Ge-N-0 〇 (請先《讀背面之注f項再秦寫本頁) .裝· 、?! 經濟部智慧财產局貝工消费合作社印製 本紙浪尺度速用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210χ297公着）