TW317676B - - Google Patents
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- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 32
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 8
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims 1
- 230000035922 thirst Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 206010061218 Inflammation Diseases 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000004054 inflammatory process Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000005180 public health Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
- H03K17/6872—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor using complementary field-effect transistors
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- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/085—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
- H03L7/089—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses
- H03L7/0891—Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal the phase or frequency detector generating up-down pulses the up-down pulses controlling source and sink current generators, e.g. a charge pump
- H03L7/0895—Details of the current generators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/16—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/18—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop
- H03L7/183—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop a time difference being used for locking the loop, the counter counting between fixed numbers or the frequency divider dividing by a fixed number
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Description
317676 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(1 ) 一"' 發明之範圍 本發明乃關於通信裝置之範園,特別關於—供用於頻率 合成器之充電泵電路中之改進之電流鏡。 發明之背景 數位通信系統利用頻率合成器以控制無線電通信之傳送 與接收頻率。通常,此通信裝置包括一參考振盘器及—本 地振盪器。參考振盪器產生已知頻率之控制良好之參考信 號。爲響應此參考信號,本地振盈器產生一輸出信號。輸 出信號提供至一或多個混波器,該混波器辑合至通信裝置 之天線。天線收到之射頻信號(RF)予以降頻,而將天線 發射之RF信號升頻。收到或發射tRF信號之頻率以改變本 地振盪器以頻率方式予以控制。 、在許多數位通信裝置中,大都採用跳頻方法以提供發射 4RF信號之相異性。在存在之衰減情況或其他干擾之下, 欲提高收到信號之品質,在不同時間發射不同頻率之聲音 資料及其他資訊加以解決。在一頻率上影響信號之干優不 會影響另-頻率之信號。因此’平均言之,單一降質頻率 不會在接收品質上造成影響。 跳頻方法需要通信裝置之本地振盛器必須能迅速切換頻 率。此外,全球相位誤差必須嚴加控制以確保準確通信。 -種可以用來作爲本地振盈器《電路有-鎖相迴路頻率 合成器。此種電路輸出之信號具有控制炎好之頻率。在使 用此-鎖相运路合成器之發射冑中,纟成器之相位起伏可 掌握全球相位誤差。此種合成器之相位誤差可由合成器之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨\ ----------装------订------沐 (请先閲讀背面之注意事項再填寫本育) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(2 ) 邊頻帶之積分而予以決定。在數位細胞m話中,需要 迅速鎖住時間,鎖相迴路之迴路帶寬約爲ι〇 κΗζ。因此, 迴路帶寬中之雜音可控制相位起伏,因此,可控制全球相 位誤差。 在l路帶寬中之頻率合成器之雜音面積之重要因素爲相 位比較器中使用之充電泵之雜音性能。充電泵動作以響應 由參考振盪器供應之信號與由電壓控制振盪器(vc〇)及分 壓器所供應之信號間之相位差之指示。充電泵產生一相位 差更正脈波,加至迴路濾波器及電壓控制振盪器上以扭曲 VCO之輸出信號頻率,即頻率合成器之輸出。 已知充電泵電路包含一電流源及一電流吸收器以提供適 當電流至電容一輸入迴路濾波器而使充電系輸出電壓升高 或降低。電路中之電流源之性能受到p M 〇 S場效電晶體及 P N P雙極電晶體之不良性能之限制。此等裝置通常很慢切 換。 當放電電路設計用以改進充電泵性能時,充電泵速度仍 然是個問題。當電流源及電流吸收器在開啓時。此種效應 即將發·生。此一情況發生在用來保証電流源及電流吸收器 在每一參考脈波期間開啓時之最小脈波寬之期間。如無最 小脈波寬,極短之相位誤差改正脈波將失去,因爲其在時 間上不夠長以使起動電流源及電流吸收器。此最小之脈波 寬之時間由電流源及電流吸收器之開始及關閉之時間而決 定。在最小脈波寬期間,當電流源及電流吸收器均開户夂, 將無電荷轉移至充電泵之輸出。但將有雜音輸至該輸出, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210x297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作 Α7 Β7 五、發明説明(3 ) . 並自該處至迴路濾波器。雜音引起相位起伏並將通信裝置 之全球相位誤差降低。 因此,在此技藝中需要一改進之充電泵電路,其有迅速 之作業速度以使一通信裝置之相鎖迴路頻率合成器之性能 得以改進。 圖説之簡要説明 本發明之特點’其等咸信均屬新穎,係與其特殊.點規範 .於所附之申請專利範固中。本發明及其優點及特性,目的 將可随參考以下之圖説及以下之説明可有更佳之了解,圖 中數種相同元件使用同一參考號碼: 圖1爲本發明通信裝置之方塊圖;及 圖2爲根據本發明圖1之充電泵之略圖。 較佳具體實例之詳細敘述 參考圖1,其爲本發明之通信裝置1〇〇之方塊圖。通信裝 置100可爲一無線電電話手持送/發話器,如細胞電話手持 送/發話器,或無線電話手持送/發話器,或一行動無線電 ,或呼叫器接收機。通常,通信裝置100之構造係供與遙 遠之發射接收機(未示出)作無線電通信。 通信裝置100包括一參考振盪器102,一本地振盪器104 ,發射電路106,接收電路1〇8,天線110,一控制器112 及一用户介面114。在收到射頻(RF)信號時,通信裝置 100由天線110收到RF信號。天線110將RF信號轉變爲電 信號。接收電路108將電信號變爲電基帶信號,並自電基 帶信號摘取聲音,資科及其他資訊。接收電路108可包括 -6 ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) -装· 訂 用中國國家樣準(〇阳)八4規格(21〇/297公釐) A7 317676 五、發明説明(4 ) 濾波電路。中頻(IF)降頻器,包括一個或多個混波器及— 解調器。一個或多個混波器響應一在接收電路1〇8之輸入 1 1 6收到之本地振盪器信號。 聲音、資料及其他資訊由接收電路1〇8提供至控制器m 。控制器112將資料編成可辨認之聲音或其他資訊以供用 户介面114使用。用户介面η*將收到之資訊或聲傳送到通 仏裝置100之用户。用户介面114包括—顯示器,—鍵盤, 一擴音器及一麥可風(未示出)。 在自通信裝置發射RF信號哼,用户介面114發射其用户 輸入資料至控制器1 1 2。控制器1丨2將得自介面丨! 4之資料 編成資訊並發射至發射電路1〇6以轉換成調變rf信號。發 射電路106包括遴當之濾波器,—升頻器中包括—或多個 混波器,一電源放大器及一輸出耦合至天線11〇以提供rf 信號至天線110。發射電路1〇6有—輸入118供接收本地振 盡器104之本地振盪器信號、及有一第二輸入輕合至控制 器112以接收發射之資料。發射電路106將發射之資料調變 以響應本地振盪器信號。 參考‘振盪器102之結構可提供一具有已知通常爲不變之 輸出頻率之參考信號。參考振盪器之設計細節在本技藝中 之範圍中。 本地振盪器104通常包含一相位比較器12〇,一充電栗電 路122,一迴路濾波器124及電壓控制之振盪器(Vc〇)126 。本地振盪器104有一輸入12¾¾收來自參考振盪器1〇2之參 考信號及有一輸出130提供本地振盪器信號至發射電路ι〇6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I —II .裝 —II 訂— —I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(5 ) .. 及接收電路108。最好,本地振邊器104能結構爲一單一積 體電路。本地振盪器1〇4如圖1中所説明,其結構爲一相位 鎖住迴路頻率合成器^ 相位比較器120有一供接收參考信號之參考輸入137、一 供接收回授信號之回饋輸入139以及一輸出142。輸出142 包含一向上輸出144與一向下輸出146。相位比較器因應於 參考輸入137與回饋輸入139處所接收到參考信號之間之一 相位差而於輸出142處提供一相位調整信號β相位調整信 號包含向上輸出144處所提供之一向上信號以及向下輸出 146處所提供之一向下信號。 相位比較器120包括一D正反器132,一正反器134,一 AND閘136及一延遲元件135。相位比較.器120之結構可 自D正反器1 3 2之時鐘輸入1 3 8接收參考信號。d正反器 132之資料輸出核合至一參考電位,如正供應電壓。相位 比較器120之構型尚可接收一回輸信號於其d正反器134之 時鐘輸入14〇 正反器134之資料輸入亦限制在參考電壓。 D正反器132有一資料輸出148核合至相位比較器之上輸 出144及一再設定輸入iso。D正反器134有一資料輸出 152耦合至相位比較器120之下輸出及一再設定輸入154。 AND閘136之第一輸入搞合至D正反器132之資料輸出148 ’第二輸入核合至D正反器134之資料輸出及一輸出耦合至 延遲元件135 ^延遲元件135有一輸出耦合至D正反器132 之再設定輸入150,及D正反器134之再設定輸入154。延 遲元件135可包括許多反相器或其他電路元件,其結構可 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ‘裝_ 訂 i.v 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明(6 ) ~' ' 延遲在D正反器132之再設定輸入150及D正反器134之再 設定輸入154接收一來自AND閘之輸出的再設定信號。延 遲元件135建立脈波宽,並被充電線電路122所偵出。 充電泵電路1 2 2有一輸入耦合到相位比較器輸出142以接收 相位調整信號,及一充電泵輸出158以提供一控制信號。 輸入156包括一上輸入160及一下輸入162。充電系電路 122之較佳結構及操作將會同圖2予以討論。 、 迴路濾波器124有一輸入164耦合至充電泵電路輸出ι58 。迺路遽波器124尚有一輸出166。本技藝人士將可了解, 迴路濾波器124可有一適當之結構,其包括在輸入164之電 容輸入。此迴路滤波器之設計乃在此技藝人士之能力範固 内0 電壓控制振盘器(VCO) 126有一輸入168搞合至迴路遽波 器1 2 4之輸出1 6 6及一輸出1 7 0。V C Ο 1 2 6之輸出1 7 〇尚 棋合至相位比較器120之回輸輸入139以提供一回輸信號。 電壓控制之振盘器126在輸出170提供一控制頻率之輸出信 號,在本地振盪器104之輸出130輸出之信號以響應在輸入 168接收之電壓信號。 本地振盪器104尚包含一分頻器172位於自vc〇輸出170 至相位比較器120之回輸輸入139之回輸路徑中。此一分頻 器之結構與操作均早已爲人所熟悉。 參考圖2,其中顯示圖}中本發明之充電泵電路122之電 路囷。充電泵電路122包括第一電流開關2〇2,第—電流鏡 2 0 4,第二電流開關20 6,第二電流鏡2 〇 8及第三電流鏡 -9- 本^•張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21()><297公疫)--------- (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 丨4. A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 五、發明説明(7) —~:一'- 210。第-電流關2G2有-控制輸人以接收相位調整信號 ,特別疋上升彳5號。第二電流開關2 〇 6亦有—控制輸入以 接收相位調整信號,特別是下降信號。 第一電流開關202包括第一切換電晶體212,第二切換電 晶體214及電流源216。最好,第—切換電晶體212及第二 切換電晶體2 14爲NMOS場效電晶體。但此等電晶體亦可 爲ΝΡΝ雙極電晶體,或任何其他適合裝置。電流源216可 爲任何適合之電流源’其結構可提供參考電流。最好,參 考電流在溫度改變及電壓改變下得到補償。—帶隙參考電 流爲一知名之適合電流源之例証及其設計與實施均在此技 藝範圍之内。第一電流開關202可包括一位準轉移電路以 轉移在輸入160收到之信號之電壓位準及強度。 第一電流開關202選擇性地自第一分支及第二分支之一 供應一參考電流以響應在上升輸入16〇接收之輸入信號。 第一切換電晶體212有一閘耦合至充電泵電路122之上升輸 入160。第二切換電晶體214有一閘耦合至一參考電壓,稱 爲VReF(圖2)。VRfi:爲一 DC電壓位準並獲得溫度及電壓變 化補償·,並適於提供第一電流開關2〇2之切換作業以響應 在第一切換電晶體之閘收到之信號。第一切換電晶體2 j 2 有一漏極搞合至第一分支218。第二切換電晶體214之漏極 耦合至第二分支220。第一切換電晶體212及第二切換電晶 體214各有一源共同連接至電流源216。第一切換電晶體 2 1 2在其上升輸入1 6 0收到相位調整信號。第一電流開關 202選擇性自電流源2 1 6提供參考電流至第一分支及第二分 -10- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝· 訂 .—線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 317676 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(8 ) 支之一以響應相位調整信號。 第一電流鏡204宜包括第一電晶體224,電阻器226及第 二電晶體22 8。此外,第一電流鏡可包括一事級輸出電晶 體230,電阻器2S2 ’電容器2S4及第—偏壓電阻器236。 最好,第一電晶體224爲一 PMOS電晶體其具有一源238轉 合至供應電壓240,一閘242耦合至第—分支218及一漏極 244。此外’第一電晶體228宜爲一PMOS電晶體、.其有— 源2 46耦合至供應電壓248,一閉250耦合至第一電晶體 224之漏極244及一漏極252耦合至充電泵輸出158 »在較 佳具體實例中,串級輸出電晶體230耦合在第二電晶體之 漏極250及充電泵輸出158之間。串級輸出電晶體可改進第 ~電流鏡204之輸出阻抗。此外,在較佳.實例中,電阻器 232及電容器234串聯耦合至第一分支218及第二分支220 之間。 作業時,如第二切換電晶體2 1 4開始,則第一電流開關 202提供參考電流至第二分支220,第一偏壓電阻器236爲 串級輸出電晶體2 3 0提供一閘電壓。參考電流亦流經第一 電晶體!224。因爲並無電流經過第—切換電晶體212,在電 阻器226中並無電流。第一電晶體224之閘電餐將與電晶體 228之閘電|相等。在此構型中,二個PM〇S電晶體,第一 電晶體224及第二電晶體228形成一電流鏡,導致經由第二 電晶體228及串級輸出電晶體230之電流輸出。 在較佳具體實例中,第二電晶體228之構型可使提供至 充電泵輸出1 5 8之輸出電流爲電流源2 1 6提供之參考電流強 -11- — I •裝n 訂—丨 级 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4現格(210X297公廣) 、發明説明(9) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 度之二倍。此可由第二電晶體22 8與第—電晶體224之各別 光柵比定爲2:1而達成。 §相位調整彳s號在上升輸入160收到時,及第二切換電 晶體2 1 4關閉,第一切換電晶體2 1 2開啓時,參考電流將流 通於第一分支2 18,並通過電阻器226及第—電晶體224。 第二電晶體228之閘電壓將與第一電晶體224之閘電壓加上 跨電阻器226之電壓降之和相等。此閘電壓必須足夠使電 晶體228關閉。在較佳具體實例中,參考電流之値爲2〇()" A 及電阻器226之値爲6K歐,姆。在第二電晶體閉合,事 實上無輸出電流提供至充電泵輸出158。 因此’第一電晶體224有一閘242耦合至第一分支218, 並有一漏極耦合至第二分支220,第一電晶體224受到偏壓 以提供一不變之電流。第二電晶體228耦合至第一電晶體 224之漏極244及電阻器226之間,第二電晶體22 8提供一 輸出電流至充電泵輸出158作爲一控制信號以響應第一電 流開關2 0 2提供參考電流至第二分支2 2 0。第二電晶體2 2 8 提供零輸出電流以響應第一電流開關2 0 2提供一恒定電流 至第一分支218。第二電晶體228被偏壓爲開啓狀態以提供 一輸出電流,及一閉合狀態以提供零電流。 在切換期間,如第二電晶體2 2 8最初被閉合,其閘極至 源電容將保持電阻器226上之電壓爲接近供應電壓。當第 一切換電晶體2 1 2關閉,第二切換電晶體2 1 4開啓,則跨電 阻器226上之電恩崩溃並且在第二電晶體228之閘極至源電 容上之電荷將迫使第一電晶體224之閘電壓升高直到電容 -12- 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5 Γ i·" 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(10 ) 器放電爲止。此一情勢趨使提供至充電泵輸出158之輸出 電流過度。如不加以改正,電流過度將出現本地振盪器 1 0 4 (圖1)之迴路帶寬中之相位起伏。相位起伏將引起利用 充電泵電路122之通信裝置100之全球相位誤差降質。 因此’電谷器234及電阻器232最好加在電路中以使電流 過量問題降至最低。當第二切換電晶體2 1 4開始導電,電 容器2 3 4最初將成爲一短路,電晶體2 3 2將使第—電晶體 224之閘電壓保持住,俾電容之充電於第二電晶體2 28不會 造成其閘電壓上升。在電容器234平衡之後,其成爲一開 路並無其他效應。 第二電流開關206包括第一切換電晶體260,第二切換電 晶體2 6 2及一電流源2 6 4 »第一切換電晶體2 6 〇有—閘極轉 合至充電泵電路122(圖1)之下降輸入162,及有—漏極輕 合至第一分支266。第二切換電晶體262有一閘極耦合至— 稱爲VREF (圖2)之參考電壓,並有一漏極耦合至第二分支 268。電流源264最好提供一參考電流,該電流在溫度及供 應電壓變化下受到補償,並可爲帶隙電流源。第二電流開 關206尚可包括位準移轉電路以將在第一切換電晶體26〇之 閘極收到之信號電恩位準及強度移位。最好,第二電流開 關206能與第一電流開關202 一樣工作。第二電流開關2〇6 選擇性提供一參考電流至第一分支266及第二分支268之一 以響應在下降輸入1 6 2收到之相位調整電流。 第二電流鏡208包括一個第一電晶體270,一電阻器272 及第二電晶體274。此外,第二電流鏡208尚包括—串級輸 -13- 11 I I I * " ' 批衣 II 訂— I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
ο r 千 ^ r r I 驗 8·-- a 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3ί7β7β Α7 ______________ Β7 五、發明説明(]ι) —--- 出電晶體276,第二偏壓電阻器278及一電容器28〇,及一 電阻器2 82串聯耦合在第—分支266及第二分支268之間。 作業中,第二電流鏡2 〇 8與第一電流鏡2 〇 4之作業大體相 同。當第二切換電晶體2 6 2開啓,參考電流自電流源2 6 4流 向第二分支26 8及流經第二偏壓電阻器278以建立串級輸出 電晶體276之閘電壓。參考電流亦流經第一電晶體27〇’。由 於並無電流通過第一切換電晶體26〇,故電阻器272中並無 電流流通,因此,第二電晶體274之閘電壓將等於第一電 晶體270之閘電壓。第—電晶體27〇及第二電晶體274因而 形成一電流鏡,在串級輸出電晶體276之漏極277提供一控 制考流。此控制電流之強度可由改變第—電晶體27〇及第 二電晶體274之長寬比而調整。 當第二切換電晶體2 6 2關閉,而第一切換電晶體2 6 〇開始 ’第二電流開關2 0 6將提供一參考電流至第一分支2 6 6。此 參考電流將流經電阻器272及第一電晶體270 ^第二電晶體 274之閘電壓將爲第一電晶體270之閘電壓加上電阻器272 上電歷降。此閘電塵·必須夠高以關閉第二電晶體274。 因此,第一電晶體2 7 0被偏壓以提供大體上恆値之電流 。第二電晶體274耦合至第一電晶體27〇之漏極及電阻器 2 7 2之間’第二電晶體提供一控制電流以響應第二電流開 關206提供電流至第二分支268 ='第二電晶體274來提供控 制電流以響應第二電流開關206提供—怪定電流至第一分 支 266 ° 第三電流鏡210包括一個第一電晶體294,第二電晶體 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21 〇 X 297公釐) -¾衣------ΐτ------^ (請先閱讀背面之注意事項再填窩本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 ________Β7___ 五、發明説明(12 ) ~' 296,第一電阻器W8,第三電晶體3〇〇及第二電阻器3〇2 。第二電流鏡尚包括一輸出3〇4轉合至串級輸出電晶體276 之漏極277,及一輸出306耦合至充電泵電路輸出158。第 一電晶體294,第二電晶體296及第三電晶體3〇()以—電流 鏡方式操作久已爲此技藝人士所熟知。因此,第三電流鏡 210在第一電流鏡208之漏極277接收控制電流,並在其輸 出306提供一鏡電流至充電系電路輸出158以響應之。此技 藝人士將了解,第三電流鏡21〇尚可包括其他裝置以改善 第三電流鏡2 10之性能。同理,各電晶體及第一電阻器298 及第一電阻器302之値及尺寸可予調整與提供至充電系電 路輸出158之鏡電流適當之尺寸及値。 第一電流開關202及第一電流鏡2〇4以—電流源操作以提 供電流至充電泵輸出158以響應上升信號。第二電流開關 206,第二電流鏡2〇8及第三電流鏡21〇以一電流吸收器方 式工作,以吸收自充電系輸出158之電流以響應一下降信 號°提供至充電泵輸出1 5 8之信號在迴路濾波器i 2 4 (圖上) 予以濾波後,可控制電壓控制振盪器126之輸出頻率。提 供到接·收電路108及發射電路106之輸出頻率可控制通信裝 置100之接收及發射頻率。在充電泵電路122中之迅速之電 流鏡之切換可使最低脈波寬爲短,因而使在快速跳頻合成 器中之輸出噪音較低。 α 從以上説明可知’本發明提供一通信裝置内包括—改進 之充電泵電路以提高鎖相迴路頻率合成器之操作。第—電 •/充鏡電路以一電流源方式工作以提供輸出電流。第二及第 15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4%格(210X 297公釐了 I I I I '裝 訂 I I ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 五、發明説明(〗3 ) . 二電流鏡以電流吸收器方式工作。電流鏡之構型已被修改 以改進其開及關之時間,因而克服7pM〇s裝置固有之限 制。此舉可降低在鎖相迴路帶寬中之噪音位準、並可降低 通信裝置之全球相位誤差。 本發明之特別具體實例已如上所述,但可以修改。本發 明之申請專利範圍將包括所有之改變及修訂而仍在本發明 之精神及範園之内。 、 ----------裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 級 經濟部中央搮準局員工消費合作社印装 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐)
Claims (1)
- 817676 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 :' ---- 1-—種通信裝置,包括: —天線; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接收電路耦合至天線; —參考振盪器; 一本地振盪器,本地振盪器包括; 一具有參考輸入之相位比較器,該輸入耦合至參考 振盪器以接收一參考信號,一回輸輸入以接收、一回輸 信號及一輸出,相位比較器提供一相位調整信號以響 應參考信號及回輸信號間之相位差, 一充電泵電路具有一輸入耦合至相位比較器之輸出 以接收相位調整信號,及一充電泵輸出以提供一控制 信號,充電泵電路包括: 第一電流開關具有一控制輸入以接收相位調整信號, 第一電流開關選擇性提供一參考電流至第一分支及第二 分支之一以響應相位調整信號; 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第一‘電流鏡搞合至第一電流開關,第一電流鏡包括第 一電晶體,其具有一閘極耦合至第一分支及一漏極,第 一電晶體被偏壓以提供一大體上不變之電流,第二電晶 體有一閘極耦合至第一電晶體之漏極及至第二分支,第 二電晶體尚包括一漏極搞合至充電栗輸出,第二電晶體 可被偏壓成開啓狀態以提供一輸出電流至充電系輸出, 及成關閉狀態以提供零電流、及一電阻器辑合至第一電 晶體之閘極與第二電晶體閘極之間’電阻器傳導—怪値 電流自第一電晶體至第一分支以偏I第二電晶體而使其 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210 X 297公釐) A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 關閉’此時第一電流開關提供參考電流至第一分支,在 第一電流開關提供參考電流第二分支時,電阻器以零電 流傳導以偏壓第二電晶體而使其開啓, 一迴路滤波器具有一輸出耦合至充電泵輸出及一輸出; 一電壓控制之振盪器,其有一輸入耦合至迴路濾波器 之輸出及一輸出,電壓控制振盪器之輸出則耦合至回輪 輸入以提供回輸信號; I 一控制器;及 發射電路具有一第一輸入耦合至電壓控制振盪器之輸 出以接收本地振盪器信號,及第二輸入耦合至控制器以 接收發射之資料,及一輸出耦合至天線,發射電路將發 射之資料調變以響應本地振盪信號。 2.根據申請專利範固第i項之通信裝置尚包括接收電路接 合至電壓控制振盘器及天線以接收無線電通信。 3_根據申請專利範圍第2項之通信裝置,其中之通信裝置 含一無線電話。 4. 根據申請專利範圍第1項之通信裝置,其中之充電系電 路尚'包括: 一偏壓電阻器耦合至第二電晶體之閘極及第二分支之 間;及 一串級輸出電晶體耦合至第二電晶體之渴極及充電泵 輸出之間以提供輸出電流,串級輸出電晶體具有一閑耦 合至第二分支以控制串級輸出電晶體。 5. 根據申請專利範圍第4項之通信裝置,其中之充電果電 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210χ297公釐) n n ! 訂 n I 级 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 917676 夂、申請專利範圍 路尚包括一電阻器及一電容器串聯耦合於第一分支及第 二分支之間。 6.根據申谙專利範固第1項之通信裝置,其中之相位調整 信號包括一上升信號及一下降信號,第一電流開關在第 一電流開關之控制輸入接收上升信號,其中之充電泵電 路尚包括: 第二電流開關具有一控制輸入核合至相位比較器之輸 出以接收下降信號,第二電流開關選擇性地提供一參考 電流至第一分支及第二分支之一以響應相位調整信號; 第二電流鏡耦合至第二電流開關,第二電流鏡包括第 一電晶體、其具有一閘極耦合至第一分支及—漏極,第 一電晶體受到偏塵’可提供一不變之電流,第二電晶體 之閘極耦合至第一電晶體之漏極及至第二分支,第二電 晶體尚有一漏極,第二電晶體受到偏壓而成導電狀態以 提供一輸出電流,並使成爲不導電狀態而不提供電流, 及一電阻器耦合至第一電晶體之閘極及第二電晶體之閘 極之間,電阻器以恆値電流自第一電晶體至第一分支以 使第二電晶體受到偏壓成關閉狀態以響應第二電流開關 供應參考電流至第一分支,電阻器以無電流使第二電晶 體偏壓並使其爲開啓狀態以響應第二電流開關提供一參 考電流至第二分支;及 第二電流鏡具有一輸入耦合至第二電流鏡之第二電晶 體之漏極,及一輸出耦合至充電泵輸出,第三電流鏡接 收第二電流鏡之輸出電流,及提供一鏡電流至充電泵輸 --------丨裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局属工消費合作社印製A8 B8 C8 ^_____ D8 申請專利範圍 〆 出以爲響應。 7·根據申請專利範圍第6項之通信裝置,其中之充電泵電 路尚包括: 在第一電流鏡,第一偏壓電阻器耦合至第二電晶體之 閘極及第二分支之間,及第一串級輸出電晶體耦合至第 二電晶體之漏極及充電泵輸出之間以提供輸出電流,第 —串級輸出電晶體有一閘極耦合至第二分支以控制第一 串級輸出電晶體;及 在第二電流鏡,第二偏墨電阻器耦合至第二電晶體閘 極與第二分支之間,及一個第二串級輸出電晶體耦合至 第二電晶體之閘極及第三電流鏡之輸入之間以提供輸出 電流,第二串級輸出電晶體之閘極耦合.至第二分支以控 制第二串級輸出電晶體。 I I I I I-I I I I I I I I I 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 • 20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/607,914 US5722052A (en) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | Switching current mirror for a phase locked loop frequency synthesizer and communication device using same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW317676B true TW317676B (zh) | 1997-10-11 |
Family
ID=24434226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW086100338A TW317676B (zh) | 1996-02-28 | 1997-01-14 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5722052A (zh) |
DE (1) | DE19707990C2 (zh) |
GB (1) | GB2310771B (zh) |
MX (1) | MX9701577A (zh) |
MY (1) | MY114576A (zh) |
TW (1) | TW317676B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4018221B2 (ja) * | 1998-02-06 | 2007-12-05 | 富士通株式会社 | チャージポンプ回路、pll回路、及び、pll周波数シンセサイザ |
US6049233A (en) * | 1998-03-17 | 2000-04-11 | Motorola, Inc. | Phase detection apparatus |
US6229347B1 (en) * | 1999-01-11 | 2001-05-08 | United Microelectronics, Corp. | Circuit for evaluating an asysmetric antenna effect |
DE19928545C1 (de) * | 1999-06-22 | 2001-01-25 | Siemens Ag | Empfänger und Verfahren zur Kalibrierung eines Koinzidenz-Demodulators für FM-modulierte Signale |
DE19934723A1 (de) | 1999-07-23 | 2001-02-01 | Infineon Technologies Ag | Steuerbare Stromquellenschaltung und hiermit ausgestatteter Phasenregelkreis |
US6611160B1 (en) * | 2000-11-21 | 2003-08-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Charge pump having reduced switching noise |
US6747494B2 (en) | 2002-02-15 | 2004-06-08 | Motorola, Inc. | PLL arrangement, charge pump, method and mobile transceiver |
DE10209044A1 (de) * | 2002-03-01 | 2003-06-12 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines Referenzstromes und Oszillatorschaltung mit der Schaltungsanordnung |
EP1500188A2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-01-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Power amplifier |
US9615744B2 (en) * | 2007-01-31 | 2017-04-11 | Medtronic, Inc. | Chopper-stabilized instrumentation amplifier for impedance measurement |
US8781595B2 (en) | 2007-04-30 | 2014-07-15 | Medtronic, Inc. | Chopper mixer telemetry circuit |
US20190025135A1 (en) * | 2017-07-24 | 2019-01-24 | Qualcomm Incorporated | Non-linearity correction technique for temperature sensor in digital power supply |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4322643A (en) * | 1980-04-28 | 1982-03-30 | Rca Corporation | Digital phase comparator with improved sensitivity for small phase differences |
FR2530900A1 (fr) * | 1982-07-23 | 1984-01-27 | Thomson Csf | Dispositif de recuperation de frequence d'horloge adapte aux radiocommunications a haute frequence en milieux perturbes |
DE3771981D1 (de) * | 1986-09-24 | 1991-09-12 | Siemens Ag | Stromspiegel-schaltungsanordnung. |
US5142696A (en) * | 1991-04-16 | 1992-08-25 | Motorola, Inc. | Current mirror having increased output swing |
US5304869A (en) * | 1992-04-17 | 1994-04-19 | Intel Corporation | BiCMOS digital amplifier |
US5422604A (en) * | 1993-12-07 | 1995-06-06 | Nec Corporation | Local oscillation frequency synthesizer for vibration suppression in the vicinity of a frequency converging value |
US5331293A (en) * | 1992-09-02 | 1994-07-19 | Motorola, Inc. | Compensated digital frequency synthesizer |
US5359299A (en) * | 1993-01-21 | 1994-10-25 | Gennum Corporation | High speed and low drift charge pump circuit |
US5363066A (en) * | 1993-06-16 | 1994-11-08 | At&T Global Information Solutions Company (Fka Ncr Corporation) | Fast CMOS charge pump circuit |
US5495206A (en) * | 1993-10-29 | 1996-02-27 | Motorola, Inc. | Fractional N frequency synthesis with residual error correction and method thereof |
US5517148A (en) * | 1994-10-31 | 1996-05-14 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Low current differential level shifter |
US5473283A (en) * | 1994-11-07 | 1995-12-05 | National Semiconductor Corporation | Cascode switched charge pump circuit |
FI98330C (fi) * | 1994-12-15 | 1997-05-26 | Nokia Mobile Phones Ltd | UHF-syntesoija |
-
1996
- 1996-02-28 US US08/607,914 patent/US5722052A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-14 TW TW086100338A patent/TW317676B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-01-16 MY MYPI97000159A patent/MY114576A/en unknown
- 1997-02-06 GB GB9702437A patent/GB2310771B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-02-27 DE DE19707990A patent/DE19707990C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-02-28 MX MX9701577A patent/MX9701577A/es unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MX9701577A (es) | 1997-08-30 |
US5722052A (en) | 1998-02-24 |
GB2310771A (en) | 1997-09-03 |
DE19707990A1 (de) | 1997-11-13 |
GB2310771B (en) | 2000-04-19 |
GB9702437D0 (en) | 1997-03-26 |
DE19707990C2 (de) | 1999-04-15 |
MY114576A (en) | 2002-11-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |