TW314643B - Method of implementing inter-insulator of integrated circuit and structure thereof - Google Patents

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經濟部中央樣準局員工消费合作社印裝 314643 A7 _B7_ 五、發明説明（1) 詳細說明： 技術領域： 本發明係關於半導鼉元件的絕緣眉製作，特別是翮於 在半導篇元件的導電圖案(conductive patterns)之間形成絕緣 眉的方法。 習知技術： 由於半導髖元件漸趨複雜的，因此目前乃普遍採用多 重金屬化之製程技術。絕緣届和介電眉是多重金屬化系統 中重要的一部份，其目的是在不同金屬化過程中提供絕緣 作用，以及作爲最終之保護眉，用以保護電路之用，相反 於多重金屬化系統中之被動元件，介電薄膜在定義積體電 路的可靠性和功效性時，乃扮演一個主動的角色。 在半導體元件中的尺寸和揉作電壓持纊下降，和功能 性密度增加時，滅少電阻和電容(resistance/capacitance)延 墀和維持足夠的訊號對雜訊就變得非常重要。藉由霣容量 的滅少，可以改蕃其揉作性能，尤其是滅少其水平線電容 對性能之改春特別有效。 在一般的製程中，在導線間之空間乃填滿固態介電質 眉，道介電眉包含很多種材料，如氣化矽等。這些雇可以 利用許多種不同製程形成，例如氧化靥可以用一般熱處理 製程生成。道些眉次所存之電容會導致元件延遲。此外， 如何讓道些介電雇擁有低應力以避免剝落，以及如何避免 穩定度之問題，也是非常重要的。 化學機械研磨法(chemical mechanical polish;CMP)現在 已經變成對介電雇做平坦化的普遍技術。在化學機械研磨 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央揉準局員工消费合作社印製

A7 B7 五、發明説明（α) 法(CMP)方法中，研磨割用來磨平介電眉以形成一個平坦 的表面。然而，在現在許多介電層，例如摻雜的氣化矽 眉，會從化學機械研磨法(CMP)的研磨劑中吸收水份。 除此之外，介電層能吸收一些鹸金屬離子，例如Na+ 離子和其他離子，以保護敏感的元件不受漏電流和其他問 題之影響。在化學機械研磨法(CMP)中使用的研磨劑，都 含有一定份量的鹸金屬離子。 然而，在使用旋塗式玻璃(spin-on-glass)方法時，當旋 塗玻璃曝露在傘屬連絡窗內之金屬連接線時，會產生接觸 窗之問題。導致接觸窗不良的原因，是因爲連絡窗中位在 金屬線上的旋塗式玻璃(SOG)，回蝕刻不完全所造成。 因此，實有必要針對如何在一爲了降低電容量之窄間 距金屬源間，提供一形成一介電眉之改良結構與方法。這 個製程必須是容易揉作的、在金屬導體的窄渠溝中、形成 無渦流的填入、提供一個平坦的表面、減少在不同眉間的 應力、有良好的濕度電阻、有低的電容常數、有較佳的離 子捕捉特性、而且能與化學機械研磨法(CMP)製程相容和 不影響到半導》元件的可靠度。 Mr. Sze在新加坡的McGraw Hill書商印行的第二版 VLIS Technology中的308到315頁，提到在複晶矽和氣化眉 中磷的擴散 〇 Mr.Singer 在 SEMICONDUCTOR INTERNATIONAL 1993年6月印行的92至96頁的 TREND IN LIQUIDSOURCES，以及Mr.Pramanlik在 1995年9月印行的 Solid State Technology 的 59 至 78 頁的 HALF-MICRON (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 314643 A7 B7 五、發明説明（3 ) MULTILEVEL METALLIZATION CIRCUITS，皆敘述多層 金屬/介電眉的製造方法。然而，道些方法可以進一步予以 改蓍，以提供較好的中間介電層製程。 發明的槪述： 本發明的目的是爲了提供一種在鄰近金屬線(例如閘極 或金屬線)形成介電眉之改良結構和製程。 本發明的另一目的在提供一個形成中間層/中間金屬 介電層的改良結構和製程，道介霣眉可填滿在導體之間的 窄凹溝(trench)，可以提供一個平坦的表面、可以有較低的 應力、可以有良好的溫度電阻(moisture resistance) 〇 本發明的另一個目的，是提供一個形成中間眉/中間 金屬介電眉的改良結構和製程，道介電眉有良好的離子捕 捉特質，還有可以承受化學機械研應(CMP)製程，以及改 蕃半導雜元件的可靠度(reliability)。 本發明的另一個目的，是在於提供一個形成中間層/ 中間金屬介電眉的改良結構和製程，道介電眉在高磷含量 眉之上有一眉漸變磷含置眉。 爲了達成以上所述的目的，本發明提供一個製造半導 體元件的中間眉/中間金屬層介電眉的方法。本發明的一 個重要特徵，是在一眉含高磷含置靥之上形成一眉漸變 (graded)磷含量眉。本發明有兩個主要的實施例，第一個實 施例是中間金屬介電屑22、24、26，其中包含第一絕緣層 22 (如圖3所示），第一實施例的介電眉，通常是形成在 基板表面之上的金屬線上。第二實施例是中間眉介電眉 本紙張尺度逋用中國國家橾率（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -UI. 衣·

，1T -! 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（斗） 24、26 (不包含第一絕緣雇22)，通常是形成在基板表面的 導電圖案上，例如閘電極。 第一實施例的製造方法是在半導體結構12之上形成階 梯圖案(stepped pattem)16，在圈案之間有間陳。一個由氣 化矽組成的阻陳眉20，道阻障層20在半導髏基板上形成， 可以用來覆蓋在階梯圖案16的表面上，第一絕緣眉22是由 氣化矽組成，通常是用臭氣-四乙氧基矽烷(ozone-TEOS)爲 材料，在阻陳屑20上形成，一個高磷含量矽玻屑24在第一 絕緣靥22上形成，具有高磷含量矽玻靥24的含磷濃度重置 百分比係介於4到10%之間。 下一步，道是最重要的一步，一個漸變磷含量矽玻眉 26在第一高磷含量矽玻眉24上形成，這個漸變磷含量矽玻 眉26通常含有之磷濃度重置百分比係介於0.1到4%之間， 這個漸變磷含置矽玻璃層26，在靠近高磷含置矽玻眉24的 較低區域，含有高磷濃度，在靠近覆蓋(top cap)眉28的最 高部位，含磷濃度滅少至零。覆蓋眉(caplayer)28是由第一 氧化矽組成，道氣化矽通常是由奥氣-四乙氧基矽烷(ozone-TE0S)或是電漿輔助化學氣相沉積法(PEVCD)製程製成， 形成於漸變磷含置矽玻眉26之上，道個覆蓋層28是用選擇 性的氮氣或氬氣電漿作處理，覆蓋層28使用化學機械研磨 法來作平坦化處理，用來除去一部份的覆蓋眉28。 本發明乃提供一種可填入金屬導體之間窄凹溝之中間 金屬/中間介電眉、提供一個較平坦的表面、滅少在不同 眉之間的應力、擁有好的濕度電阻、擁有低的介電常數、 ......... H·— --1 HI I—I SI ( 11- -- - - -- - I ml (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度速用中國國家襟準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） A7 B7 經濟部中央搮準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（5) 擁有很好的離子捕捉能力、與化學機械研磨製程相容、以 及改善半導體元件可靠度。 本發明之兩個實施例中，有一個很重要的特擻即是漸 變磷含置眉26可以滅少在高磷含量層24和覆蓋雇28之間的 應力。除此之外，漸變磷含置矽玻層26提供一個與化學機 械研磨相容之製程，這是利用漸變磷含置矽玻層26作爲濕 度阻絕，來排除掉化學機械研磨研漿的水氣，預防水氣擴 散到會吸水氣的高磷含置矽玻眉24 *介電眉擁有較低的濕 度含量可增加半導«元件可靠度。 圖式的籣里說明： 以下將配合附呈之圖式對本發明所製造的半導體元件 的特徵與優點，以及本發明製程的詳細過程，作一詳細說 明，各圔式中相類似或相對應之元件、區域乃以相似之參 照符號標示。 圖1和圖2是顳示第二實施例剖面圖，是根據本發明方 法製造中間眉/中間金屬介電眉的方法。 圖3和圖4是顯示第一實施例的剖面圖，是根據本發明 方法製造中間眉/中間金屬介電眉的方法。 圖5是顳示在漸變磷含量雇中磷濃度，與該眉厚度之關 係圖。 具體實施例的詳細說明： 以下將參閱附呈圖式對本發明作一詳細說明，本發明 提供一種製造半導嫌元件中間眉/中間金屬眉的方法。 本發明有兩個主要的具鼉實施例，第一個實施例是中 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -良！ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 A7 _____B7__ 五、發明説明（6) 間金屬介電層22、24、26，其包括第一絕緣眉22，如圖3 所示，第一實施例的介電層是形成於基板表面上的金屬線 上，第二個實施例中間介電層24、26 (不包括第一絕緣 眉）通常是形成於基板表面的導霣圖案上，例如閘電楹。 中間介電眉是指形成於基板表面的導電圖案上之介電 靥，例如閘電極等等，中間金屬介電眉是指在基板表面的 金屬線上，形成導電線後，再形成的介電屑，此介電雇並 不直接與基板接觸，其中最重要的本發明的介電雇可以用 在任何介電眉應用，包括中間金屬介電屑或是中間介電 、 層。舉例來說，也就是本發明的介電眉可以是形成在基板 表面的閘電楹上，以及可以在基板表面的導線上方。例如 在圖14的導電圖案16表示在基板上的導電圖案或是基板上 的金屬線。 第一實施例是從圖3的半導體結構開始，形成半導體 元件的中間金屬眉22、24、26，半導體結構12是包括半導 體晶圓，以及形成在晶圓內的主動和被動元件、及形成在 晶圓上的膜眉，其中“結構” _詞所指是包括半導體晶圓 的元件和在晶圓上的膜眉，而“結構表面”這一名詞所指 是包括在半導體晶圓上的最上眉曝露表面，例如矽表面、 絕緣眉和金屬線。 請繼績參閱圖3，一個階梯圖案16乃形成在半導體結 構12上形成，道些階梯圖案之中間有間隙。該階梯圖型可 代表直接形成在基板上之導電圖案，例如閘電楹，而且可 以代表形成在基板上的金屬線。金屬線16之最佳高度17， ----·------^ 衣------，訂------^ I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央樣準局貝工消費合作杜印氧 314643 at B7 五、發明説明（π) 係介於5000到10000埃，而間隙15之宽度係介於0.3到0.8撤 米。 一阻陣眉20(核心眉)在半導髏基板上形成，而且覆蓋 階梯圖案16的表面。該阻陳眉可以由氣化矽、氮化矽或是 氣化氮化矽(oxynitride)組成，最好是以氣化矽爲材料。以 氧化矽所構成的阻障雇20，通常由三種方式形成，（1)電漿 輔助一矽烷(PE_silane)製程(2)電漿輔助一四乙氣基矽烷(PE-TEOS)製程(3)低臭氣四乙氣基矽烷製程。阻障靥用作核心 眉來覆蓋第一絕緣層22，如下所述。 電漿輔助一四乙氣基矽烷氣化矽通常是用氮氣或氬氣 作電漿處理，其中包括使用正離子電漿輔助一四乙氧基矽 烷膜眉作電漿蝕刻，其電漿能量係介於300到700瓦特，頻 率係介於13.5到13.6MHz，或是在頻率介於300到400KHZ， 其能量係介於30到400瓦特，其中，停留時間係介於30到 150 秒。 由前述三種方式形成（（1)電漿輔助一矽烷(PE-silane) 製程(2)電漿輔助一四乙氣基矽焼製程(3)低奥氧四乙氧基矽 烷製程）之一所形成之阻陳層20，可以使用本發明的電漿 處理加以處理。然而，利用電漿輔助一四乙氧基矽烷製程 形成的阻障層最適合使用電漿處理，利用電漿輔助一矽烷 (PE-silane)和低奥氣一四乙氣基砂烷製程沈積薄膜，可以降 低在後績第一絕緣雇22的製程（臭氣四乙氣基矽烷製程） 對表面的敏感度。 然後在阻陳層20上形成一第一絕緣眉22，第一絕緣眉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 氧 本紙張尺度逋用中國國家棣準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 經濟部中央棣隼局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（<§ ) 22通常是由氣化矽組成，是利用奥氧四乙氧基矽烷氧化 砂、高密度電獎(high density plasma ; HDP)氣化砂或是化 學氣相沈稹法氧化製程。第一絕緣眉22最好是使用是臭氣 四乙氣基矽烷製程的氧化之製程，這臭氣四乙氣基矽烷氣 化雇是使用化學氣相沈積反應器來沈稹，在反應器中臭氣 的流量係介於3500到6000sccm之間，以及氩氣的流量係介 於3500到5500sccm之間，其操作氣壓係介於400到600托爾 (torr)之間，四乙氣基矽烷(TEOS)的流置係介於200到400毫 克/分鐘之間，其間的距離係介於200到300千分之一英吋 (mils)，晶圓的溫度係介於360到440°C之間。 第一絕緣眉22的另一種形成方法，是使用四乙氣基矽 烷(TE0S)製程。其中製程條件如下：四乙氧基矽烷的流量 介於5到 10SLM(standardlitersperminute)之間，臭氣的灌度 介於90到150公克/毎立方公分之間，氣氣的流量介於30到 50SLM之間，氮氣的流置介於70到110SLM之間，在反應 器中的壓力介於400到600托爾之間，其沉稍溫度介於360 到440°C之間。 請繼縵參閲圈3，一層高磷含量矽玻雇24形成在第一 絕緣層22上，高磷含置矽玻眉24的磷含量濃度重量百分比 係介於4到10%之間，其厚度係介於3000到7000埃之間。 高磷含量矽玻眉（离含量PSG靥）可以使用奥氣一四 乙氧基矽烷製程，藉由一奥氣和磷酸三乙酯 (triethylphosphate ； TEP0)(一種播的來源）的反應，而且 使用氦氣作爲傳遞氣體，其氣體溫度係介於400到600°C， -!1- m HI 一· I - -- - I— — ( ......I- - - —.....- HI 1^1 ^^1 (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 本紙柒尺度適用t國國家梂準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A7 _____B7 五、發明説明（q ) 而且磷矽玻層亦可以反應氣體爲8丨114和?113的低壓化學氣相 沉稹方法(LPCVD)形成磷矽玻眉。在形成磷矽玻眉時最常 用的方法乃示於表1: 表1 :高磷眉246 沒製程變數 反應物/參數 低流置 局流量 四乙氣基砂烷(公克/分鐘） 400 600 氦(SCCM) 4000 6500 奥氣/氣氣(SCCM) 2000 5000 磷酸三乙酯(公克/分鍤） 30 8〇 1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 請繼績參閱圖3，一靥漸變磷含量矽玻眉26在第一高 磷含置矽玻雇24之上形成，其中，漸變磷含置矽玻眉26通 常的磷濃度重量百分比係介於0.1到496之間，其厚度係介 於200到2000埃之間。 漸變磷含量矽玻眉26擁有的磷濃度變化，顳示於圔5 上的曲線A與曲線B (或是在曲線A與B之間漉度曲 線）。通常，漸變磷含量矽玻雇26擁有的磷濃度曲線’與 在圖5中的曲線A相似，在漸變漉度磷矽玻層的磷含量變 化，其漉度重置百分比係介於0.1到4%之間，其厚度係介 於200到2000埃之間。 漸變磷含置矽玻雇26擁有的磷濃度變化，顯示於圖5 的曲線A與曲線B(或者是在A與B之間的濕度曲線）， 通常漸變磷含量矽玻眉26擁有磷濃度曲線，類似於在圖5 的曲線A，在漸變磷含量矽玻雇的磷含量變化’係介於〇 到4%之間，其中磷濃度的變化是藉由調整(TEOP)的流速 訂 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS > A4規格（210X297公釐） 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 _B7 五、發明説明（/0 ) 來完成，其流速變化係介於〇_ 100%之間。 接著，一個覆蓋雇28在漸變磷含量矽玻眉26上形成， 覆蓋雇28可由氣化矽、氣化氮化矽(oxynitride)或氮化矽組 成，通常是由氧化矽組成，覆蓋層28通常是使用大氣化學 氣相沈積製程的氧化矽，所使用材料爲四乙氣基矽烷 (TE0S)。 覆蓋雇28選擇性使用氮氣或是氬氣電漿作處理，氣化 眉可以使用氮氣或氬氣作電漿處理，包含使用正離子對大 氣化學氣相沉镡的膜眉作霣漿處理，在電漿頻率介於13.50 到13.60MHz之間時，其電漿能置係介於300到700瓦特之 間；在電漿頻率介於300到400KHZ之間時（目樣是 350KHZ)，其電漿能量係介於30到400瓦特之間，停留時間 係介於30到150秒之間。 如圖四顳示，覆蓋眉28(例如電漿輔助覆蓋眉)通常是 以化學機械研磨製程作平坦化處理，這道處理過程可以滅 少覆蓋雇28的厚度，其減少的厚度係介於2000到12000埃 之間，通常是介於4000到8000埃之間，最適當的厚度是在 6000埃。 覆蓋眉28可以使用化學機械研磨法作平坦化處理，如 圖四所示，晶圓受制於化學機械研磨技術，在接觸到漸變 磷含量矽玻眉26的最上雇表面的停止點後，即停止研磨。 研應劑可採用SCI研磨劑，此研磨劑是從美國的Rodel Products Corporation of Network取得，此研磨劑之中包含概 氣化鉀、二氧化矽顆粒和水。標準的化學機械研磨時間介 I- -I- - - - = I I --1 — -.1 ----- ( ........ ----- I ^^1 1 .^ϋ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度遥用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 314643 經濟部中央樣準局員工消费合作社印裝 五、發明説明（/ Η 於1到2分鐘之間，任何在晶圓表面的剰餘研磨劑殘留，可 以使用一般濕式清潔技術來去除。 阻障層20的總厚度，其中包括第一絕緣屑、高磷含置 的矽玻眉24、漸變磷含量矽玻眉26和覆蓋眉28，其厚度係 介於8000到22000埃之間(預估的目標在20000埃）。 本發明的第二具體實施例，是關於在基板表面的導電 圖案之上，形成中間介電眉20、24、26、28，例如閘電 極。請參閱圖1與圖2，在第一與第二具鼉實施例之間的最 大差異，是在於第二具體實施例沒有第一絕緣眉22。（比較 圖3的第一具體實施例與圈1的第二具體實施例）。 第二具體實施例形成半導體元件的中間金屬眉20 24 26，是由圖1所顳示的半導體結構閧始。階梯圈案16是在 半導體結構12之上形成，在階梯圖案的中間有間隙，階梯 圈案通常表示導電圖案在基板上直接形成，例如閘電棰(以 及表示在基板上形成金屬線）。金屬線16通常之高度13介於 5000到10000埃之間，間隙11的宽度介於0.5到1.0微米之 間。 接著，阻障層20形成在階梯圖案16之上，如以上在第 一具體實施例中敘述一樣。値得敘述的，在下一步製程 中，高磷含置矽玻(高磷矽玻)層24，在阻陳眉20之上直接 形成，其中値得注意的差異，是第一具體實施例的第一絕 緣雇22並未在第二具體實施例中形成。接著，高磷含置矽 玻屑24被形成，如前面所敘述一般。第二具體實施例(不包 含第一絕緣眉22)的中間眉或中間金屬眉的間距，設計成較 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、1Τ 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（/2) 第一具體實施例的中間眉或中間金屬眉宽廣。 從這項特點來看，第二具體實施例是依照前面所述的 第一具鼉實施例的步驟進行。換句話說，道個製程方法接 下來形成漸變磷含置矽玻雇26、覆蓋眉28和選擇性的化學 機械研磨步驟。 本發明提供中間金屬/中間介Φ眉，這些膜雇無渦流的 填入在金靥導體間的窄凹溝，以提供一個平坦的表面、降 低在不同膜眉間的應力、擁有很好的濕度電阻、擁有低介 電常數、擁有$好的離子捕捉性質、能容忍化學機械研磨 製程、以及改i半導體元件的可靠度。 本發明的一個重要特徵，是藉由漸變磷含量矽玻靥26 的形成，藉此降低高磷含量層24和覆蓋眉28之間的應力。 除此之外，漸變磷含量矽玻眉26提供一個較能忍受化學機 械研磨處理製程的濕度阻絕，和排除從化學機械研磨處理 的研磨劑中的水氣，道漸變磷含量眉形成一個良好的濕度 阻絕，用來預防研磨劑中的濕氣，擴散到會吸收水氣的高 磷含量眉24，而介電眉的含水置下降可以增加可靠度。 當本發明根據上述特例加以敘述，那些熟知半導體技 術的人士，可以在本專利範圜的精神和內容裡面，稍加作 修改來實施本發明，因爲在形式和細節上可以作一些改 變，並不逋反本發明的精神和範圔，根據本發明的範圔內 所作的改變，亦應臑於本發明的專利範圍中。 ----：---„---f 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉率局負工消费合作社印裝 六、申請專利範圍 1. 一種製造積體電路中間絕緣層的方法，包括下列步驟： (a) 在半導體結構上形成階梯圖案，所述的階梯圖案之間 有間隙； (b) 在所述的半導髏結構上形成阻陳層，用來覆蓋在所述 階梯圖案之上； (c) 形成以氣化矽爲組成成份的第一絕緣靥，而且覆蓋在 所述阻陳眉之上； (d) 在所述第一絕緣雇之上形成高磷含置的矽玻眉； (e) 在所述第一高磷含量矽玻層之上，形成一眉漸變磷含 量矽玻層；以及 (f) 在所述漸變磷含量矽玻層之上，形成由氣化矽爲材料 的覆蓋眉。 2. 如申請專利範圜第1項所述之製造積體電路中間絕緣眉 的方法，其中更包括利用電漿處理所述覆蓋眉之步驟， 在作電漿處理時，是由氮及S所組成之群組中選出者作 爲反應氣體，以進行電漿處理。 3. 如申請專利範圍第1項所述之製造積髖電路中間絕緣眉 的方法，其中再包括利用電漿處理方式處理所述覆蓋 眉；在作電漿處理時，是由氮及氬所組成之群組中選出 者作爲反應氣體，以進行電漿處理；&及使用化學機械 研磨處理對所述覆蓋眉作平坦化處理/以去除約2000到 12000埃間該覆蓋靥之厚度。 4. 如申請專利範团第1項所述之製造積體電路中間絕緣層 的方法，其中更包括對所述覆蓋眉作電漿處理之步驟； (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

   本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 314643 il C8 _ D8 __ 六、申請專利範圍 在作電漿處理時，是由氮及氬所組成之群組中選出者作 爲反應氣薄，以進行電漿處理；以及 使用化學機械研磨處理對所述覆蓋眉作平坦化處理，所 移去的覆蓋眉厚度係介於2000到11000埃之間，所述阻障 層的總厚度，包含第一絕緣層、高磷含量矽玻眉、漸變 磷含量矽玻眉、以及覆蓋眉，其總厚度係介於8000到 22000埃厂之間。 5. 如申請專利範圍第1項所述之製造積體電路中間絕緣雇 的方法，其中所述階梯圖案在半導體結構上的高度，係 介於5000到10000埃之間，在所述階梯圖案的所述間隙宽 度係介於0.3到0.8微米之間。 6. 如申請專利範圍第1項所述之製造積體電路中間絕緣眉 的方法，其中所述阻陳届可以是由氧化矽、氮化矽和氧 化氮化矽所組成之群組中選出者作爲組成材料，其厚度 係介於500到2000埃之間。 7. 如申請專利範圍第1項所述之製造稹體電路中間絕緣層 的方法，其中所述第一絕緣雇是由氧化矽組成，所述第 一絕緣眉的厚度係介於4000到10000埃之間。 8. 如申請專利範圍第1項所述之製造稹體電路中間絕緣眉 的方法，其中所述高磷含量矽玻雇的磷濃度重量百分比 係介於4到10¾之間，其厚度係介於3000到7000埃之間。 9. 如申請專利範圍第〗項所述之製造積體霣路中間絕緣層 的方法，其中所述漸變磷含置矽玻届的磷濃度重量百分 比係介於0.1到4%之間，其厚度係介於200到2000埃之 間。 本紙張尺度逋用中國两家揉準（CNS)八4规格（210x297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 參 A8 B8 C8 經濟部中央標率局貝工消費合作社印装 X、申請專利範圍 10.如申請專利範圍第1項所述之製造積體電路中間絕緣層 的方法，其中所述覆蓋眉是由以下製程的其中之一形 成，臭氧-四乙氣基矽烷和大氣化學氣相沉積法。 11 一種製造稹體電路中間絕緣層的方法，包含下列步驟： (a) 在半導體結構上形成階梯圖案，所述的階梯圖案中間 有間隙； (b) 在所述半導體結構上形成以氣化矽爲材料的阻障雇， 同時覆蓋所述階梯圖案的表面；所述阻陳層的厚度係 介於500到2000埃之間，形成所&阻陳眉的製程由電漿 輔助化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和奥氧-四乙氧 基矽烷所組成之群組中選出者作爲製程； (c) 在所述阻障眉之上，形成以氧化矽爲材料的第一絕緣 鼉，所述第一絕緣鼉的厚度係介於3000到8000埃之 間； (d) 在所述第一絕緣眉之上形成一眉高磷含量的矽玻眉， 所述高磷含量矽玻眉的磷濃度重量百分比係介於4到10 之間，其厚度係介於3000到7000埃之間； (e) 在所述第一高磷含量的矽玻眉之上，形成一雇漸變磷 含置矽玻眉，所述漸變磷含置矽玻眉的磷濃度重量百 分比係介於0.1到4¾之間，其厚度係介於200到2000埃 之間； (f) 在所述漸變磷含量矽玻眉上，形成第一氣化矽爲材料 的覆蓋眉； (g) 利用電漿處理方法對所述覆蓋層作處理； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   本紙張尺度逋用中國國家揲準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央梂準局員工消费合作社印装 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (h)使用化學機械研磨法對覆蓋眉作平坦化處理，所移去 的厚度係介於4000到12000埃之間。 12. 如申請專利範圍第11項所述之製造積體電路中間絕緣層 的方法，在所述半導體結構之上的階梯圖案的高度，係 介於5000到10000埃之間，在所述階梯圖案間所述間隙 的宽度係介於0.3到0.8微米之間。 13. 如申諝專利範圍第11項所述之製造積體電路中間絕緣眉 的方法，其中所述阻陳層的總宽度，包含第一絕緣眉、 高磷含量矽玻雇、漸變磷含量矽玻眉和覆蓋雇，其厚度 係介於4000到12000埃之間。 14. 一種製造積體電路中間絕緣靥的方法，包含下列步應： (a) 在半導體結構上形成階梯圖案，所氣的階梯圖案中間 有間隙； (b) 在所述半導體與所述階梯圇案上，沉積一眉由氣化矽 爲材料的阻障眉；所述阻陳層的厚度係介於500到 2000埃之間；形成所述阻障雇的製程，是由電漿輔助 化學氣相沉積法、低壓化學氣相沉積法和臭氣四乙氣 基砂烷所組成之群組中選出者作爲製程。 (c) 在所述阻障雇上形成高磷含置矽玻眉，所述高磷含量 矽玻層的漉度重量百分比係介於4到10%之間；其厚 度係介於3000到7000埃之間； (d) 在所述高磷含量矽玻眉上，形成漸欒磷含置矽玻眉， 所述漸變磷含量濃度的重置百分比係介於0.1到4%之 間，其厚度係介於200到2000埃之間； (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 本纸張尺度逋用中國國家揉牟（CNS > A4规格（210X297公釐） B8 C8 D8 經濟部中央揉率局属工消費合作社印製 夂、申請專利範圍 (e)在所述漸變磷含置矽玻層之上，形成一眉由氧化矽組 成的覆蓋眉；所述覆蓋届是用電漿輔助四乙氣基砂烷 製程形成，所述第二氧化矽的厚度係介於4000到 12000埃之間； ⑺使用電漿處理方式處理所述第一氣化眉； (g)使用化學機械研磨法對所述覆蓋眉進行平坦化處理， 移去所述覆蓋眉的厚度係介於2000到8000埃之間。 15. 如申請專利範圍第14項之製造積體電路中間絕緣眉的方 法，其中所述階梯·案高於所述半導體結構的高度係介 於5000到10000埃之間，在所述階梯圖案之間的所述間 隙的寬度係介於0.5到1.0微米（μ m)之間。 16. 如申請專利範圜第14項之製造積體電路中間絕緣層的方 法，其中阻陳眉、高磷含置矽玻眉、漸變磷含量矽玻靥 和第二氧化眉的總厚度係介於8000到22000埃之間。 17 —種積體電路中間絕緣眉之構造，包括有： (a) —階梯圖型，形成在半導體結構上； (b) —阻蹿靥形成在該半導體結構上，並覆蓋在該階梯圈 案的表面； (c) 一由氣化矽爲組成的第一絕緣眉，覆於該阻陳層上； (d) —高磷含量砂玻層，位在該第一絕緣層之上； (e) —漸變磷含量矽玻眉，位在該第一高磷含置矽玻眉 上；以及 (f) 一由第一氣化眉組成的覆蓋眉，位在該漸變磷含量矽 玻屑上。 ------聋-- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁)

   本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標率局負工消费合作社印*. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 18. 如申請專利範圔第17項所述稹髏電路中間絕緣眉之構 造，其中所述覆蓋雇的厚度係介於2000到11000埃之 間，所述阻障眉、所述第一絕緣、所述高磷含量矽玻 屑、所述漸變磷含量矽玻眉和所述覆蓋層的總厚度係介 於8000到22000埃之間。 19. 如申請專利範圍第17項所述稹體翬路中間絕緣眉之構 造，其中所述階梯圖案高於所述半導體結構的高度係介 於5000到10000埃之間，在所述階梯圖案間的所述間隙 的厚度係介於〇·3到〇·8微米之間。 20. 如申請專利範圍第17項所述積體電路Ψ間絕緣眉之構 造，其中所述阻陳層的材料是由氣化矽、氮化矽或是氣 化氮化矽所組成之群組中選出者作爲組成材料，其厚度 係介於500到2000埃之間。 21. 如申請專利範圔第17項所述積體電路中間絕緣眉之構 造，其中所述第一絕緣層是由氣化矽組成，其厚度係介 於4000到10000埃之間。 22. 如申請專利範圍第17項所述積體電路中間絕緣層之構 造，其中所述高磷含量矽玻眉的磷漉度重置百分比係介 於4到10%之間，其厚度係介於3000到7000攻之間。 23. 如申請專利範圍第17項所述稹體電路中間絕緣眉之構 造，其中所述漸變磷含置矽玻層的磷濃度重量百分比係 介於0.1到4%之間，其厚度介於200到2000埃之間。 24. —種稹體電路中間絕緣層之構造，包括有： (a) —·階梯圖案，形成在半導體結構之上； (b) —阻除眉形成在該半導體結構上，覆蓋在該階梯圖案 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐) ---------^ ,4------订------良. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 314643 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 經濟部中夬揉準局WC工消费合作社印装 的表面； (C)一高磷含量矽玻雇，形成在該阻陳層上； (Φ—漸變磷含置矽玻屑，形成在該第一高磷含置矽玻眉 上；以及 (e)—以第一氣化眉組成的覆蓋雇，形成在該漸變磷含量 矽玻屑上。 25. 如申請專利範国第24項的積體電路中間絕緣眉之構造， 其中該階梯圖案高於該半導體結構的高度係介於5000到 10000埃之間，在該階梯圖案間的間隙宽度係介於0.5到 1.0微米之間，以及該階梯圖案即是閘Φ楹。 26. 如申諝專利範圍第24項的積體電路中間絕緣層之構造， 其中所述阻障靥的組成材料，是由氧化矽、氮化矽或是 氧化氮化矽所組成之群組中選出，其厚度係介於500到 2000埃之間。 27. 如申請專利範圍第24項的積體電路中間絕緣眉之構造， 其中該高磷含量矽玻層的磷濃度重量百分比係介於4到 10%之間，其厚度係介於3000到7000埃之間。 28. 如申請專利範圍第24項的積體電路中間絕緣層之構造， 其中該漸變磷含量矽玻眉的磷濃度重量百分比係介於0.1 到4%之間，其厚度係介於200到2000埃之間。 (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁} -*