TW305070B - - Google Patents

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3 ^50/0五、發明説明（ A7 B7 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 [發明所屬之技術領域] 本發明係關於半導體裝置之熔斷電路（fusing circuit)，尤其是關於可適合於能使1C之電氣特性無須 應輕整_化垓衝，而優於可靠性之熔斷電路。 [以往之技術] 於製造半導體1C時，即使製造具有相同功能之1C， 但所製得之1C電氣特性仍會呈多種多樣者。這是因爲總 是難於以同一條件實施須經過多種複雜階段之1C製造工 程之緣故。因此，經製成之1C電氣特性，最後仍難免以 設計目標値爲中心而呈某一程度的離散分布。但是，就使 用1C之製品而言，則必須將電氣特性控制在極狹窄的特 性分布。這樣的電氣特性中之一爲調頻（FM)之載波 (carrier)和偏差（deviation)。 例如，就VHS方式VCR之NTSC影像處理用之1C而 言，在VCR之VHS規格中，則明確地規定爲：以亮度爲 基準而將〇.5VPP之影像信號輸入FM電路時，所輸入影 像信號之同步信號之峰頂（tip)電平爲3.4MHz土 0. 1MHz而最白點的信號電平（white peak)爲4_4MHz ±〇.1ΜΗζ，亦即，FM電路應輸出偏差爲1.0MHz土 0 . 1 MHz之頻率。 [本發明欲解決之問題] -3 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) >衣. 訂 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（） 2 但是，即使予以設定這樣的正確1C設計目標，並據 此以設計1C而製造，亦因上述製造工程上之理由乃有無 法正確地滿足1C目標規格之情形會發生。因此，以往係 採用在製造後之1C外部設置可變電阻之方法以爲正確地 達成I C品質管理目標値之手法，而利用此可變電阻來調 整FM之載波與偏差，俾能輸出符合規定之FM信號。 然就此種利用可變電阻之手法而言，則須在VCR之 生產線上由作業員逐一地調整FM之載波及偏差，因此， 造成VCR之製造期間延長，增加製造成本等問題，而成 爲VCR競爭力降低之原因。 爲解決此問題，亦有人使用一種在半導體製造工程中 以雷射切斷襯墊（pad)兩端之可熔性環（保險絲連接）以獲 得調整了載波及偏差之FM信號之手法。然此種手法，由 於經予調整FM之載波及偏差後仍須進行後續之製造工 程，所以，有可能再度造成F Μ之載波與偏差間之變化， 故由結局看起來還是未達到經常能..獲JL正jtXMJE之 地。 鑑於如上所述之傳統技術，本發明之目的在於揭露一 種在半導體IC之製造後能正確地進行達到設計目標値所 -之調整之熔斷電路，或者，提供一種能正確地獲得半導 體IC之設計目標値而適用於無調整化技術之熔斷電路。 又本發明可提供一種可進行正確的熔斷而信賴性更高之熔 斷電路。又本發明之一再一目的在於提供一種能使I C之 雪氣特性無調整化，而不再需要在銷售對方之裝置組配廠 一 4 一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - . - ----------------IT------f I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明説明（) 3 商（set m a k e r )側之調整作業而可適用於無調整化技術 之熔斷電路。 [解決問題之手段] 爲達成上述目的，根據本發明則構成爲具備：多數個 可熔斷線路，係連接於各^裝置（s e t )端子而設，而藉由對 任何裝置端子供應電源即可選擇；以及多數服溶斷-電路， 分別對於這些可熔斷線路而設，而根據輸入信號予以熔斷 經選取的該可熔斷線路，俾響隳_根據該可熔斷線路熔斷狀 態所輸出，而使半導體裝置之特性調整成爲可能。 這種熔斷電路，本發明係提供一種具備有：可熔斷線 路；用來輸出響應該可熔斷線路之熔斷狀態之第一、第二 比較信號之比較電壓輸出部；用來根據輸入信號而熔斷該 可熔斷線路之熔斷致能部；以及藉由加以比較該第一、第 二比較信號而輸出根據該可熔斷線路熔斷狀態之熔斷信號 之輸出部爲其特徵之熔斷電路。 或者，提供一種具備有：可熔斷線路；用來饗應輸入 信號而熔斷該可熔斷線路之熔斷致能部；將電源電壓加以 分壓而輸出第一、第二分壓信號之比較電壓輸出部；設在 該比較電壓輸出部之第一分壓信號輸出端和該可熔斷線路 之間而用來將該可熔斷線路之電阻變換爲一定値以上之狀 態作爲熔斷而檢測之熔斷狀態檢測部；以及將該熔斷狀態 檢測部之輸出作爲第一比較信號而輸入且將該第二分壓信 號作爲比較信號而輸入，並根據這些輸入之比較結果而輸 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A ! A7 _B7 五、發明説明（） 4 出根據該可熔斷線路熔斷狀態之熔斷信號之比較部爲其特 徵之熔斷電路。 [發明之實施形態] 茲根據所附圖面將本發明之實施形態詳細說明於後。 於圖1，以方塊圖表示熔斷電路之一實施形態。此熔 斷電路具備：伊jjfl以聚矽酮所耽1保篮魅„之屋熔斷鵪路 (fusible link)110;用來輸出響應可熔斷線路110之熔 斷狀態（連接狀態）之第一、第二比較信號COM1 ' COM2 之比較電壓輸出部120 ;用來根據輸入信號CADJ而控制 可熔斷線路1 1 0之熔斷狀態之熔斷致能部1 3 0 ;以及加以 比較來自比較電壓輸出部120之第一、第二比較信號 COM1、COM2，並根據其比較結果輸出根據可熔斷線路 110之熔斷狀態之熔斷信號（FADJ)之比較部140。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據上述第一實施形態之熔斷電路，當可熔斷線路 110爲根據輸入信號CADJ之熔斷致能部130所電氣性熔 斷（切斷）時，來自比較電壓輸出部120之第一比較信號 COM1會相對地變成比第二比較信號COM2較大而輸入於 比較部1 4 0。然後，比較部1 4 0加以比較這些第一比較信 號COM1和第二比較信號COM2的結果，即輸出表示可熔 斷線路110已被熔斷之低電平熔斷信號FADJ。反之，可 熔斷線路110未熔斷時，來自比較電壓輸出部120之第一 比較信號C Ο Μ 1會相對地變成比第二比較信號C Ο Μ 2爲小 而輸入比較部140 »於是，比較部140會輸出高電平之熔 _ 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 305070 A7 B7 五、發明説明（） 5 斷信號FADJ以表示可熔斷線路110尙未被熔斷（非熔 斷）。 圖2爲表示圖〗之熔斷電路之具體例電路圖。比較電 壓輸出部120係由將預定偏壓電壓Vbias施加於基極，並 將電源電壓VDD施加於集極之npn電晶體Q11，以及設 在該電晶體Q11之射極和接地GND之間，而用來根據可 熔斷線路110之熔斷狀態將第一、第二比較信號COM1、 COM2提供於比較部140之電阻RI1、R12所構成。亦 即，此比較電壓輸出部120係以使用串聯連接之電阻 Rll、R12之分壓電路之構成，即可根據可熔斷線路110 之狀態加以調整由電阻R 1 1之電源電壓側所輸出之第一比 較信號COM1之電壓電平》比較電壓輸出部120，除此構 成之外，如將第一比較信號COM〗作爲電源電壓而輸出， 將第二比較信號COM2作爲使用基準電壓電路之基準電壓 而輸出之構成亦可使用。 熔斷致能部130包括：由輸入信號CADJ所控制之Μ 形Μ Ο S電晶體Μ Ν 1 1 ;根據該Μ形Μ 0 S電晶體Μ Ν 1 1之 動作狀態所驅動之η ρ η電晶體Q 1 2 ;以及根據該電晶體 Q12之動作狀態所驅動之npri電晶體Q13。而且，具備 有：一連接於Μ形MOS電晶體MN11之汲極而用來將偏 壓電壓提供於ηρη電晶體Q12之基極之電阻13 ;以及連接 於ηρη電晶體Q12之射極而用來將偏壓電壓提供於ηρη電 晶體Q 1 3之基極之電阻R 1 4。 _- 7 - )Α4規格（210X297公釐） ί = —Λ^- n Hi m I 丁 -*^ 、1' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I) A7 B7 五、發明説明（） 6 比較部140係由用來輸入由比較電壓输出部120所輸 出之第一、第二比較信號COM1、COM2而加以比較之第 —部，以及用來響應該第一部之輸出信號而輸出熔斷信號 FADJ之第二部所構成。其中第一部係由將偏壓電壓 Vbias2施加於閘極之P形MOS電晶體MP11，以及各源 極係連接於P形MOS電晶體MP11之汲極，且第_、第二 比較信號COM1、COM2係施加於各閘極之P形MOS電 晶體MP13、MP14所構成。又第二部係由將偏壓電壓 Vbias2施加於閘極之P形MOS電晶體MP12，分別連接 於第一部之P形MOS電晶體MP13、MP14，而以各基極 接受來自P形MOS電晶體MP13之電流而運作之npn電晶 體Q 1 4、Q ! 5，以及連接於P形MOS電晶體MP 1 2，而以 基極接受來自第一部之P形MOS電晶體MP14之電流而運 作之η ρ η電晶體Q 1 6所構成。 可熔斷線路110可由半導體1C製造工程所使用之導電 物質，例如使用通常之金屬或聚矽酮之配線膜形成之。或 者，可熔斷線路110亦可使用齊納二極管。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 茲就具有如上述結構之第一實施形態之熔斷電路之運 作加以說明。此熔斷電路主要以二種模式動作。其一爲熔 斷可熔斷線路110之熔斷模式（fusing mode)，另一則 爲不予熔斷可熔斷線路1 1 0之常態模式（normal mode)0 首先，說明常態模式之動作。於常態模式時，由於可 熔斷線路110係在於非熔斷而連接之狀態，當在裝置（set) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（） 7 端子SET自外部施加低電平，即接地電平之電壓時，就可 提供經由可熔斷線路110之短路（Short)狀態。此可熔斷 線路110處於短路狀態之電阻値只不過是數歐姆而已。並 且，在比較電壓輸出部120中電晶體Q11之基極施加偏壓 電壓Vbiasl而變成接通（on)時，節點（node)C之電壓電 平即根據電阻Rll、R12被設定成高於節點A之電平。藉 此，第一比較信號C Ο Μ 1就得以低電平，第二比較信號 C Ο Μ 2就得以高電平而輸出到比較部1 4 0。 在比較部140，則自將偏壓電壓Vbias2接受於閘極 之P形M0S電晶體變成接通起被供應電源，此時，M0S 電晶體MP13即嚮往第一比較信號C0M1而成爲強接通狀 態。因此，由於電晶體Q 1 6會因η ρ η電晶體Q 1 4 ' Q 1 5變 成接通而成爲斷開（off)，表示可熔斷線路1 1〇爲非熔斷 之高電平之熔斷信號會出現在用來輸出熔斷信號FADJ之 輸出端子。 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 f '衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填踌本頁) 其次，說明熔斷模式之動作。熔斷指令係自根據輸入 信號CADJ之邏輯電平而予以熔斷可熔斷線路110起開始 執行。首先，若係低電平之輸入信號CADJ提供於熔斷致 能部130之情況時，由於N形M0S電晶體MN11會成爲斷 開，故電晶體Q13、Q13斷開’因而’可熔斷線路110仍 保持非熔斷狀態。與此相對’若係輸入信號CADJ以高電 平自外都提供之情況時，由於高電平之輸入信號CADJ而 N形M0S電晶體MH11即接通，所以npn電晶體Q12接 通，η ρ η電晶體Q 1 3即嚮應於此而在飽和區域動作。結 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 7〇 五、發明説明（） 8 果，若對裝置端子SET供應電源時可經由可熔斷線路110

^ , -- | - . .”+ V 使i電流流|以令由聚矽酮等所形成之可熔斷線路1 1 0熔 n m I- -I ------ ! m - I,^. V衣：— 1 I n _ I (請先閱讀背面之注意事項再填转本頁) 一斷。 丨丨丨i"u ,ι w 可熔斷線路110在被熔斷之開路狀態時，該可熔斷線 路110就變成具有無限大之電阻値00歐姆者。此時，節點 B和節點C之各電壓VB、VC可以下列數式表示之。 (數式1 ) VB = V Vbias-Vbeg 1 VC = VB — R1 1 Xlcql 式中VVbias爲Vbiasl之電壓，Vbegl爲npn電晶 體Qll之基極-射極間電壓，Icql爲npn電晶體Qll之集 極電流。亦即，若VB>VC成立而可熔斷線路110在開路 狀態時VB = VA會成立。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 當可熔斷線路114在於熔斷之開路狀態時，如由上述 數式1即得以明瞭，節點A之電壓電平會高於節點C，因 此，第一比較信號COM1即成爲高電平、第二比較信號 COM2則成爲低電平而提供於比較部140。在接受此信號 之比較部140，其npn MOS電晶體Q16即按照低電平之 第二比較信號COM2而變成接通，故自輸出端子輸出表示 可熔斷線路110之熔斷之低電平熔斷信號FADJ。 於此熔斷模式中，使大電流流動於可熔斷線路110之 時間，即爲維持輸入信號CADJ之高電平的期間，或爲以 高電平施加輸入信號CADJ後直至可熔斷線路110被熔斷 之期間。按爲了藉熔斷致能部130之電氣性控制而完全熔 _-10-_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 _____B7_ 五、發明説明（） 9 斷可熔斷線路110以產生完全的開路狀態，則需要恰如其 分的充分時間。然在1C製造過程中儘可能地縮短TAT是 對於節省成本或提高競爭力上有利，由此點而言，直至完 全熔斷可熔斷線路110爲止那麼長時間使電流流動就是非 效率的。因此，僅靠設定合適的熔斷時間而使電流流動之 方式亦可因應此種問題。 亦即，可熔斷線路1 1 0即使未完全熔斷，但其結晶結 構會爲大電流所破壞而呈現高電阻値。換言之，既可使可 熔斷線路110完全熔斷，亦可予以設定適當的熔斷時間而 使大電流流動，即使不能完全加以熔斷但亦可只令其朝預 定之高電阻値變化。後者之情形時，可熔斷線路110可謂 之爲相當於被熔斷致能部130所改變其電阻値之可變電 阻。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖3所示熔斷電路之第二實施形態爲朝此預定高電阻 値控制可熔斷線路時之電路構成方塊圖。此第二實施形態 所表示者，係附加有可將已經過適當大電流供應時間之可 熔斷線路，或將電阻値已變化爲一定値以上的高電阻値之 可熔斷線路，當做已被熔斷者而予檢測之檢測功能之熔斷 電路。 圖3所示熔斷電路係包括：可熔斷線路210 ;將電源 電壓加以分壓而輸出第一及第二分壓信號之比較電壓輸出 部220 ;用來根據輸入信號而熔斷可熔斷線路21〇之熔斷 致能部230 ;連接於比較電壓輸出部220之第一分壓信號 之輸出端和可熔斷線路210之間而用來將以預定時間使大 __-11- t張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（） 10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 電流流動而使電阻値朝一定値以上之高電阻値予以變化之 可熔斷線路210，當作已熔斷者而檢出之熔斷狀態檢測部 2 5 0 ;以及將熔斷狀態檢測部2 5 0之輸出作爲第一比較信 號COM1而輸入且將根據比較電崖輸出部220之第二分壓 信號作爲第二比較信號COM2而輸入，並加以比較這些而 輸出根據可熔斷線路210之熔斷狀態之熔斷信號（FADJ) 之比較部2 4 0。 根據此第二實施形態之熔斷電路，可熔斷線路210由 根據輸入信號CADJ之熔斷致能部2 3 0所熔斷時，或於熔 斷途中可熔斷線路210之電阻値達一定値以上之高電阻値 時，則由熔斷狀態檢測部2 5 0檢測其狀態而輸出用以施加 到比較部240之第一比較信號COM1。此時，施加在比較 部240之第一比較信號COM1之電壓電平會相對地高於第 二比較信號COM2。因此，自用來比較第一、第二比較信 號COM1 ' COM2之比較部240，輸出表示可熔斷線路 2 1 0之熔斷的低電平熔斷信號F A D J。 圖4爲表示圖3之熔斷電路之具體例電路圖。比較電 壓輸出部220係由預定之偏壓電壓Vbiasl施加於基極， 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 電源電壓VDD施加於集極之npn電晶體Q21，以及設在 該電晶體Q21之射極和接地電源GND之間而用來輸出根 據可熔斷線路210之熔斷狀態而加以分壓電源電源VDD 之第一及第二分壓信號之電阻R21、R22所構成。又熔斷 狀態檢測部250係由比較電壓輸出部220之電阻R21之電 -1 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 A7 _B7__ 五、發明説明（） 11 源電壓測和可熔斷線路210之間所連接之熔斷狀態檢測用 電阻R2 5所構成。 比較電壓輸出部220之二電阻R21、R22具有相同電 阻値，又熔斷狀態檢測部250之電阻25具有與可熔斷線路 2 1 0應判斷爲已熔斷者之最低電阻値相同之電阻値。例 如，該可熔斷線路2 1 0之熔斷判斷電阻値若爲1 1 0千歐姆 以上，則將電阻R 2 2之値設定爲1 0 0千歐姆即可。 熔斷致能部230包括由輸入信號CADJ控制之N形 MOS電晶體MN21，由該NBMOS電晶體MN21之動作 狀態所驅動之ηρη電晶體Q22，以及由該電晶體Q22之動 作狀態所驅動之ηρη電晶體Q23。更具備有連接於N形 MOS電晶體ΜΝ21之源極，而用來將偏壓電壓施加於 ηρη電晶體Q22之基極之電阻R23，以及連接於ηρη電晶 體Q22之射極，而用來將偏壓電壓施加於ηρη電晶體Q23 之基極之電阻R24 » 比較部240具備有用來將由熔斷狀態檢測部250所提 供之第一比較信號COM1及由比較電壓輸出部220所提供 之第二比較信號COM2予以輸入而加以比較之第一部，以 及用來嚮應該第一部之輸出信號而輸出根據可熔斷線路 210之熔斷狀態之熔斷信號FADJ之第二部。其中第一部 係由將偏壓電壓Vbias2施加於閘極之PBMOS電晶體 MP21，將源極連接於該P形MOS電晶體MP21之汲極， 將第一比較信號COM1施加於閘極之P形MOS電晶體 MP23，以及將源極連接於PBMOS電晶體MP21之汲 -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣·

,1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 3u5G7Q A7 _ B7_ 五、發明説明（） 12 極，將第二比較信號COM2施加於閘極之P形MOS電晶體 MP24所構成。又第二部係由將偏壓電壓Vbias2施加於 閘極之PBMOS電晶體MP22，連接於第一部之各P形 MOS電晶體MP23、MP24而將根據P形MOS電晶體 MP23之電流接受於基極之npn電晶體Q24、Q25，以及 連接於P形電晶體MP22，而將根據第一部之PBMOS電 晶體MP24之電流接受於基極之npn電晶體Q26所構成。 茲就具有此種構成之熔斷電路之運作加以說明。首 先，就常態模式而言，裝置端子SET被接地，可熔斷線路 2 1 0若爲非熔斷，節點A就成爲短路狀態，所以第一比較 信號COM1變成低電平，第二比較信號COM2變成高電 平，而與第一實施形態同樣，由比較部240之輸出端子以 高電平輸出熔斷信號FAD J。 另一面，就熔斷模式而言，藉由施加高電平信號 CADJ N形M0S電晶體MN21即變成接通，npn電晶體 Q22即變成通而使npn電晶體Q23在飽和區域動作。因 此，可使大電流經由可熔斷線路2 I 0流動，藉此大電流可 熔斷線路210可能被熔斷，或者可熔斷線路210之結構被 破壞而呈一定値以上之高電阻値。 這樣使可熔斷線路210熔斷時，節點A之電壓VA和 節點C之電壓VC可對於節點B之電壓VB以下列數式2表 示之。式中之RFL係表示可熔斷線路210之等値電阻値。 (數式2 ) VA = VB X {RFL/(R25 + RFL)} -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ^.--- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

*1T 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） 13 VC = VB X {R22/(R21 + R22)} 此時，由於R21=R22，所以VC = VB/2可成立，又 因會變成RFL2R25，所以VA2VC可成立。亦即，若 可熔斷線路210之電阻値RFL直到超越電阻R25之電阻値 而進行熔斷時，由於VA會超出VB2，比較部140之第一 比較信號C Ο Μ 1則相對地比第二比較信號C Ο Μ 2成爲高電 平》比較部140即隨之而與如同第一實施形態之完全熔斷 之情形同樣地動作而以低電平輸出熔斷信號FAD J。 於此第二實施形態中，將熔斷狀態檢測用電阻R25插 入於比較電壓輸出部220之電阻R2 1之電源電壓側和可熔 斷線路210之間之理由，如上述之說明，乃在於爲了明確 地檢測由於供應預定時間之大電流之可熔斷線路210熔斷 狀態（電阻値變化）之故。而且，除此之外，電阻R25另可 期待其於可熔斷線路2 1 0之非熔斷而成爲短路狀態時，防 止偏壓電壓V b i a s 1自電晶體Q 2 1之-射極基極間經由節點 A直接連接到施加於裝置端子SET之接地電源GND之狀 態，以防止電路上之因素而成爲不安定狀態之功能。 以上所述第一、第二實施形態，係僅就對於1個可熔 斷線路之1個熔斷電路作代表而加以說明，但實際上在半 導體裝置中卻配置以多數個可熔斷線路，並以1:1對應在 ----- 該可熔斷線路配設如同第一實施形態或第二實施形態之熔 斷電路。若這樣的設置η個之熔斷電路，將這些加以組合 就可得具有2 η之種類之熔斷信號FAD J之組合。並且，若 將此各色各樣之熔斷信號FADJ使用於電子電路之電流控 一 1 5 - 本紙張尺度通用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央棣準局負工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（） 14 制等，即可進行例如2n事例之放大電路之增益調整。因 此，將熔斷電路應用於電子電路並按該電子電路之目標特 性値決定可熔斷線路之狀態時，即可獲得按照其電子電路 設計値之特性。 如此在具有多數可熔斷線路與其所對應之熔斷電路之 半導體裝置中欲使特定之可熔斷線路熔斷時，例如，對裝 置端子SET選擇性地供應電壓而選擇多數可熔斷線路中之 任一，並以高電平施加該選擇可熔斷線路所對應之熔斷線 路之輸入信號CADJ，即可如上述之方式熔斷可熔斷線 路。且由此即可在半導體裝置之製造中獲得正確的目標設 計値。 [發明之效果] 根據本發明，半導體製造工程結束後利用熔斷電路令 可熔斷線路被熔斷，因此，可獲得正確的目標設計値之電

、…I - — , —— — - - U 氣性特性。加之，在裝置組配廠商則可適用於不需要電氣 性特性調整之無調整化技術上。 [圖面之簡單說明] 圖1爲表示依照本發明之熔斷電路之第一實施形態方 塊圖。 圖2爲表示圖1之熔斷電路之具體構成例電路圖。 圖3爲表示本發明之熔斷電路之第二實施形態方塊 圖。 ____16 ~_ 、張尺度適用中國國家操準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

*1T 減丨. 4ϋ5070 A7 B7 五、發明説明（ 15 圖4爲表示圖3之熔斷電路之具體構成例電路圖 [符號之說明] 110 ' 2 10 120 ' 220 13 0 ' 2 3 0 140 ' 240 2 5 0 可熔斷線路 比較電壓輸出部（比較電壓輸出裝置） 熔斷致能部（熔斷致能裝置） 比較部（比較裝置） 熔斷狀態檢測部（熔斷狀態檢測裝置） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

J 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 17 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. A8 、 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種熔斷電路，其特徵爲具備有： 可熔斷線路；用來輸出回應該可熔斷線路之熔斷狀態 之第一、第二比較信號之比較電壓輸出部；用來根據輸入 信號而熔斷該可熔斷線路之熔斷致能部；以及藉由比較該 第一、第二比較信號而輸出根據該可熔斷線路之熔斷狀態 之熔斷信號之比較部》 2. 如申請專利範圍第1項之熔斷電路，其中該比較電 壓輸出部係由將預定偏壓電壓接受於基極而運作之電晶 體，及連接於該電晶體之射極而以互異的電壓電平分壓輸 出第一、第二比較信號之串聯而成之電阻所構成。 3. 如申請專利範圍第1項之熔斷電路，其中該熔斷致 能部係包括將輸入信號接受於閘極而運作之MOS電晶 體；由該MOS電晶體驅動之第一電晶體；以及由該第一 電晶體所驅動而用來熔斷可熔斷線路之第二電晶體而構 成。 經濟部中央標準局負工消费合作社印裝 ---------1二衣------訂 (請先閲讀背面之注意^項再填寫本頁) 4. 如申請專利範圍第3項之熔斷電路，其中該熔斷致 能部更包括連接於將輸入信號接受於閘極而運作之MOS 電晶體而對第一電晶體之基極提供偏壓電壓之第一電狙， 以及連接於該第一電晶體之射極而對用來熔斷可熔斷線路 之第二電晶體之基極提供偏壓電壓之第二電阻。 -18 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 ___ D8 六、申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第1項之熔斷電路，其中該比較部 係由：用來輸入根據比較電壓部之第一、第二比較信號而 加以比較之第一部，以及用來回應該第一部之輸出而輸出 熔斷信號之第二部所構成》 6. 如申請專利範圍第5項之熔斷電路，其中該比較部 之第一部係由：將預定偏壓電壓接受於閘極而運作之第一 MOS電晶體，以及並聯於該第一 MOS電晶體而將第一、 第二比較信號分別輸入於閘極之第2、第3M0S電晶體所 構成8 7. 如申請專利範圍第6項之熔斷電路，其中比較部之 第2部係由：將預定偏壓電壓接受於閘極而運作之第四 MOS電晶體；分別連接於第一部之第二、第三MOS電晶 體而將該第二MOS電晶體之輸出輸入於基極之第一、第 二電晶體；以及連接於該第四MOS電晶體而將該第一部 之第三MOS電晶體之輸出輸入於基極之第三電晶體所構 成。 經濟部中央梂準局負工消费合作社印製 -* I --..... 1^1 I--- .1 : I..... - I I I i^i n (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 8. 如申請專利範圍第1項之熔斷電路，其中可熔斷線 路係由聚矽酮膜或金屬膜所形成》 9. 如申請專利範圍第1項之熔斷電路，其中可熔斷線 路係使用齊納二極管。 _ 19 - 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ：297公釐） B8 Su5070 六、申請專利範圍 10. —種熔斷電路，其特徵爲具備有： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 可熔斷線路；用來根據輸入信號而熔斷該可熔斷線路 之熔斷致能部；將電源電壓加以分壓而輸出第一、第二分 壓信號之比較電壓輸出部；設在該比較電壓輸出部之第一 分壓信號輸出端和該可熔斷線路之間，而用來將該可熔斷 線路之電阻値變換爲一定値以上之狀態當做熔斷而檢測之 熔斷狀態檢測部；以及將該熔斷狀態檢測部之輸出作爲第 一比較信號而輸入且將該第二分壓信號作爲比較信號而輸 入，並根據這些輸入之比較結果而輸出根據該可熔斷線路 之熔斷狀態之熔斷信號之比較部。 11. 如申請專利範圍第10項之熔斷電路，其中該比 較電壓輸出部係由：在集極施加電源電壓，將預定偏壓電 壓施加於基極而運作之電晶體；以及設在該電晶體之射極 和接地電源之間而用來輸出第一分壓信號之第一電阻及用 來輸出第二分壓信號之第二電阻所構成》 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 12. 如申請專利範圍第11項之熔斷電路，其中該比 較電壓輸出部之第一電阻及第二電阻具有相同的電阻値。 13. 如申請專利範圍第10項之熔斷電路，其中該熔 斷狀態檢測部係由連接於比較電壓輸出部和可熔斷線路間 之熔斷狀態檢測用之電阻所構成。 一 2 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A8 B8 C8 D8 七、申請專利範圍 14. 如申請專利範圍第13項之熔斷電路，其中熔斷 狀態檢測用之電阻具有與應判斷爲熔斷之可熔斷線路之電 阻値相同之電阻値。 15. 如申請專利範圍第10項之熔斷電路，其中該熔 斷致能部係包括：藉輸入信號之控制而動作之第一電晶 體；由該第一電晶體驅動之第二電晶體；以及由該第二電 晶體所驅動而用來熔斷可熔斷線路之第三電晶體而構成。 i 6 .如申請專利範圔第1 5項之熔斷電路，其中該熔 斷致能裝置更包括連接於藉輸入信號之控制而運作之第一 電晶體，而對於第二電晶體提供偏壓電壓之第一電阻，以 及連接於該第二電晶體而對於第三電晶體提供偏壓電壓之 第二電阻。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 I I I— i - - - I I^'衣 _ -II - —I— . . I，tT (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 17. 如申請專利範圍第10項之熔斷電路，其中該比 較部係由：用來輸入根據熔斷狀態檢測部之第一比較信號 及根據比較電壓輸出部之第二比較信號而加以比較之第一 部；以及用來回應該第一部之輸出而輸出根據熔斷信號之 第二部所構成。 18. 如申請專利範圍第17項之熔斷電路，其中該比 較部之H一部係由：由預定之偏壓電壓所控制之第一電晶 -2 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 3u5G7〇 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 n . HI I j - - 11.1 ( n —I— i— -!- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 體；連接於該該第一電晶體而由第一比較信號所控制之第 二電晶體；以及連接於該第一電晶體而由第二比較信號所 控制之第三電晶體所構成。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之熔斷電路，其中該比 .一 ' · 、 — *- * 較部之第二部係由：由預定之偏壓電壓所控制之第四電晶 體；分別連接於第一部之第二、第三電晶體而由該第二電 晶體之輸出所驅動之第五、第六電晶體；以及連接於該第 四電晶體而由該第三電晶體之輸出所驅動之第七電晶體所 構成β 20. 如申請專利範圍第10項之熔斷電路，其中可熔 斷線路係由聚矽酮膜或金屬膜所形成》 21. 如申請專利範圍第10項之熔斷電路，其中可熔 斷線路係使用齊納二極管。 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 22. —種半導體裝置，包括：分別連接於各裝置端子 而設，而藉對於其中之一裝置之端子供應電源即可選擇之 多數個可熔斷線路；以及分別對於這些可熔斷線路而設， 用來根據輸入信號將被選擇之該可熔斷線路加以熔斷之多 數個熔斷電路；而 可嚮應該可熔斷線路之熔斷狀態所輸出之信號而作特 性調整者。 - 2 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐）