TW304310B - - Google Patents

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A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 五、發明説明 ( / ) 1 I 根 據 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 導 t 本 發 明 有 關 於 具 複 式 1 光 柵 網 合 的 D f B雷射二極體構造。 1 I 此 型 D F B雷射二極體構造掲示於编號D Ε 4 1 2 4 87 2 A 1 -—v 請 1 或 先 1 B 之 專 利 Bo r C h e Γ t 等 人 在 E 1 e c t Γ ο η i c S L e t t e r s , v ο 1 閱 請 1 | 2 9 (1 9 9 3 ) ,P a g e s 2 10 -2 1 1 發 表 Ο 在 這 個 已 知 的 構 造 中 t 背 面 1 | 之 1 以 折 射 半 導 體 材 料 製 成 的 層 呈 現 於 已 形 成 的 光 tint tTO 向 前 突 注 意 1 | 起 上 t 但 是 由 吸 收 性 半 導 體 材 料 製 成 的 層 則 只 位 於 已 形 事 項 1 I 再 1 I 成 的 光 tim TTO 向 後 突 起 上 〇 填 本 1 舉 例 來 說 > 造 些 向 前 突 起 和 向 後 突 起 製 成 三 角 形 剖 面 頁 1 1 Ο 在 這 種 情 況 下 » 因 複 式 光 迦 例 锅 合 的 需 要 而 以 吸 收 性 半 1 1 導 釀 材 料 製 成 的 層 > 就 必 定 只 能 長 在 用 全 像 攝 影 術 所 製 1 I 光 柵 之 三 角 形 向 後 突 起 的 頂 點 上 〇 結 果 這 複 式 網 合 的 1 訂 效 應 便 決 定 性 地 仰 II 製 造 這 些 構 成 布 雷 格 柵 的 光 柵 形 狀 1 的 複 製 性 如 何 〇 由 於 這 些 光 柵 在 製 造 過 程 中 無 法 避 免 之 1 1 技 術 處 理 參 數 的 變 動 » 因 此 在 這 種 情 況 下 柵 形 的 變 動 對 1 1 這 種 複 式 網 合 在 複 式 網 合 強 度 之 實 現 形 式 上 會 有 相 當 強 1 1 的 效 應 9 也 因 此 對 D F B雷射二極體構造的光譜待性有相當 線 I 強 的 影 響 〇 1 1 根 據 本 發 明 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 中 訂 定 的 具 複 式 光 柵 1 I 網 合 之 D F B雷射二極齷構造最好在製造過程中製成改良 1 I 複 製 性 之 光 ijm TW 構 造 〇 此 外 和 以 上 所 詳 細 說 明 的 .已 知 二 極 1 1 體 構 造 相 反 的 是 9 根 據 本 發 明 的 雷 射 二 極 體 m 造 最 好 能 1 在 較 大 的 溫 度 範 圍 内 達 成 改 進 的 單 一 模 式 産 率 及 單 一 模 1 式 放 射 的 巨 的 〇 而 光 譜 上 單 —· 模 式 之 D F B雷射二極體構造 1 1 是 光 學 電 信 工 程 中 的 重 要 元 3 件 〇 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4洗格（210X297公釐） 304310 A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( > ) 1 1 根 據 本 發 明 之 雷 射 二 極 體 構 造 其 他 的 優 點 為 * 經 由 使 1 i 用 容 積 材 料 在 後 式 鍋 合 強 度 的 製 造 上 有 相 當 寬 的 設 計 白 1 由 度 * 而 且 在 層 膜 交 界 處 僅 以 較 少 的 分 界 表 面 便 可 達 成 /—S 請 1 先 1 更 好 的 長 期 穩 定 度 〇 閱 讀 1 所 謂 的 容 積 材 料 指 的 是 層 膜 所 含 材 料 之 厚 度 使 量 子 效 背 面 1 1 之 1 應 無 從 産 生 9 就 如 同 薄 董 子 阱 層 的 情 形 一 般 〇 注 意 1 1 根 據 本 發 明 的 雷 射 二 極 體 構 造 另 外 的 優 點 為 > 能 夠 製 事 項 1 I 再 1 1 造 更 具 技 術 m 性 的 皤 藏 式 光 tim 愼 1 以 及 能 夠 由 折 射 材 料 製 4 寫 本 1 裝 成 的 光 tim tim 和 吸 收 性 材 料 製 成 的 光 1TO 同 時 長 成 0 頁 1 I 折 射 材 料 和 吸 收 性 材 料 意 指 折 射 材 料 對 相 m 光 線 之 透 1 1 光 性 比 吸 收 性 材 料 好 1 而 吸 收 性 材 料 對 這 種 光 的 吸 光 性 1 | 則 比 折 射 材 料 強 0 在 折 射 材 料 的 情 況 下 1 呈 複 數 形 式 之 1 訂 折 射 % 數 的 實 數 部 分 勝 過 其 虛 數 部 分 9 但 在 吸 收 性 材 料 1 的 情 況 下 > 則 是 虚 數 部 分 勝 過 其 實 數 部 分 〇 1 I 在 此 指 出 我 們 可 以 由 G . P . Li 等 人 在 E 1 e c t Γ 0 Π i c S 1 1 1 L e t t e r S V 0 1 . 28 (1 9 9 2) ,P ag e s 1 7 2 6 - 17 27所 發 表 的 得 知 1 1 籍 著 蝕 刻 布 雷 格 tim 懼 而 進 入 由 多 董 子 阱 結 構 (Μ QW結 檐 )組 線 I 成 的 雷 射 二 極 體 構 造 之 活 性 層 膜 » 以 製 造 增 益 光 IHu 〇 由 1 1 於 活 性 層 膜 的 構 造 完 全 覆 蓋 了 此 雷 射 二 極 ΛΜ 睡 構 造 之 表 面 ! 1 t 而 産 生 缺 乏 長 期 穩 定 性 的 危 險 0 1 由 W . τ. T s a η g 等 人 在 App 1 i e d P h y s i c S Le t t.e r V ο 1 • 1 1 6 0(1 9 9 2 ) ,P ag e s 2 58 0 - 2 6 8 2 得 知 以 蝕 刻 布 田 格 •nm m 而 進 入 1 | 第 二 個 多 量 子 阱 結 構 以 造 成 後 式 網 合 9 第 二 値 多 量 子 阱 1 | 結 構 位 於 這 値 最 後 命 名 層 膜 4 的 上 面 或 下 面 争 也 就 是 在 此 Γ 1 1 1 1 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS〉A4規格（210Χ297公釐〉 A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 4 ) 1 1 — 二 極 體 構 造 的 pn 接 面 外 側 0 不 管 是 折 射 材 料 構 成 的 光 ! 1 urn flfu 或 是 吸 收 性 材 料 構 成 的 光 urn WS 都 可 以 藉 適 當 設 計 的 這 種 I MQW結構而製成β 此光柵結構也可以是埋藏式的， 結果 ；—^ 請 1 | 使 複 式 耦 合 強 度 對 技 術 處 理 參 數 之 極 度 依 賴 得 以 降 低 9 先 閱 1 讀 1 1 而 這 種 依 賴 表 現 於 申 請 專 利 範 園 第 1 項 前 在 上 面 已 詳 背 1 1 之 1 述 之 己 知 雷 射 二 極 體 構 造 中 〇 然 而 根 據 Ts a η g等人所設計 注 意 1 I 的 雷 射 二 棰 m 構 造 * 産 生 第 二 値 多 量 子 阱 結 構 覆 蓋 了 整 事 項 1 I 再 1 1 個 表 面 産 生 許 多 界 面 $ 造 成 了 複 式 光 柵 m 合 在 長 期 穩 定 填 寫 本 1 裝 度 上 的 問 題 • 也 由 於 過 薄 的 多 at 子 阱 層 膜 的 綠 故 • 使 得 頁 1 I 可 藉 設 計 m 整 的 參 數 空 間 更 受 限 制 〇 1 1 根 據 本 發 明 的 雷 射 二 極 體 構 造 結 合 了 以 上 分 別 出 現 於 1 1 编 號 DE 4 1 2 4 8 7 2 k 1的專利及B 0 Γ c h e r t等人所設計的 1 訂 雷 射 二 搔 體 構 造 的 優 黏 t 使 用 厚 實 的 容 積 材 料 使 得 後 式 1 網 合 強 度 諏 整 上 有 相 當 寬 的 設 計 白 由 度 1 因 界 面 較 少 而 1 I 具 有 較 佳 的 長 期 穩 定 度 的 潛 力 9 以 及 呈 現 在 Ch a η g等人 1 1 所 設 計 的 結 構 中 製 造 具 技 術 m 性 的 皤 藏 式 光 Urn tWI I 以 及 由 1 1 折 射 材 料 和 吸 收 性 材 料 構 成 的 光 4« tW 同 時 長 成 的 可 能 性 〇 線 I 同 時 相 當 有 利 的 是 複 式 m 合 效 應 並 不 決 定 於 製 造 布 雷 格 1 1 柵 的 光 柵 形 狀 的 複 製 性 » 亦 即 不 再 有 编 號 DE 4 1 2 4 8 7 2 1 I A 1 的 專 利 或 Bo r c h e r t 等 人 所 遭 遇 的 情 形 1 Ch a η g等人所碰 1 1 到 的 因 第 二 舾 多 量 子 阱 構 造 的 過 多 界 面 造 成 之 .潛 在 長 期 1 1 穩 定 度 的 問 題 也 不 再 出 現 9 後 式 光 櫊 铒 合 也 不 致 因 多 量 1 | 子 阱 層 膜 過 薄 而 使 得 可 藉 設 計 諝 整 的 參 數 空 間 受 到 限 制。 1 1 根 據 本 發 明 之 方 法 適 於 製 5 造 具 有 波 長 1 . 3 // η 及 1 . 5 5 M ffl 1 1 1 1 1 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 4 ) 1 1 的 單 模 放 射 且 達 可 1 0 0 °C之後式耩合的D FB雷 射 二 極 體 » 1 特 別 是 裂 造 快 速 而 便 宜的 D F B雷射模組〇 ! I 此 雷 射 二 極 體 構 造 之優 m 與 有 利 實 例 是 根 據 本 發 明 申 請 1 先 1 請 專 利 範 園 各 附 靨 項 〇 閲 I if 1 | 以 下 說 明 將 Μ 圖 表 的輔 肋 以 更 詳 細 的 例 子 解 釋 此 __- 發 背 ίέ 1 | 之 1 明 〇 意 金 1 I 1 [ 圔 1 到 圈 4 示 出 根 據本 發 明 之 雷 射 二 極 體 的 四 値 變 化 Ψ 項 I 再 1 I 實 例 之 同 —* 横 截 面 圖 〇 / 這 , 圈 均 為 略 匾 > 並 未 按 實 際 尺 寫 本 1 裝 寸 繪 製 〇 頁 1 nan 晒 1 和 圏 2 的 兩 傾 變化 例 中 1 是 在 具 有 某 種 比 如 説 η 1 1 型 摻 雜 之 導 霣 型 態 的 半導 體 材 料 組 成 基 片 1 之 表 面 10 上 1 I 加 上 一 層 具 相 同 的 η 型 導 霣 型 態 之 半 導 體 材 料 包 覆 m 1 訂 2〇 雷射活性層4 避開 基Η 1 而加在包覆層2 的- -倒表 1 面 2 1 上 〇 雷 射 活 性 層 4 可 含 容 積 材 料 或 Λ 子 阱 層 » 例 如 1 1 QSt 圈 示 的 多 董 子 阱 層 0 1 1 雷 射 活 性 層 4 在 避 開包 覆 層 2 的 一 側 4 1 « 將 一 包 覆 層 1 1 3 加 到 雷 射 活 性 層 上 面， 包 覆 層 3 以 與 包 覆 層 2 相 反 之 線 I 導 霣 型 態 的 半 導 醱 材 料製 成 » 此 例 中 為 Ρ 型 摻 雜 〇 原 則 1 1 上 包 覆 層 3 的 導 霣 型 態& 可 以 是 η 型 9 包 覆 層 2 及 基 片 1 1 1 則 可 以 是 P 型 〇 1 | 暫 時 忽 略 fQB 愼 5 (稍後 ，説明） » 包 覆 層 3 在 避 .開 雷 射 活 1 1 性 層 4 的 —· m 3 1 9 將 折 射 半 導 艚 材 料 製 成 的 層 52加 在 包 1 | 覆 層 3 上 〇 而 在 折 射 材 料 層 膜 5 2 避 開 包 覆 層 3 的 一 倒 5 2 1 1 上 > 則 將 吸 收 性 半 導 m 材 料 6 層 5 3加 在 折 射 半 導 鼸 材 料 層 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 304310 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( r ) 1 I 52上 〇 ί 1 光 im 懼 5 構 成 為 —«* 種 起 伏 表 面 50 之 形式 避 開雷 射 活 性 層 1 I 膜 4 而 在 折 射 材 料 層 5 2和 吸 收 性 材 料層 53中〇 起 伏 表 面 請 1 先 1 50形 成 了 光 柵 5 的 向 前 突 起 5 0 1， 沿方向4 0離開包覆層 閱 1# 1 3， 也形成了光柵5 的向後突起5 02沿方 向 4 1指 向 包 覆 層 t 1 之 1 3 注 1 意 I 根 據 本 發 明 9 折 射 材 料 層 5 2和 吸 收性 材 料層 53都 製 成 Ψ 項 I 再 I | 容 積 材 料 9 而 且 折 射 半 導 體 材 料 容 稹層 5 2和吸 收 性 半 導 寫 本 1 裝 醱 材 料 容 積 層 53均 位 於 光 懦 5 的 向 前突 起 50 1中的起伏 頁 1 I 表 面 5 0和 包 覆 層 3 之 間 〇 1 1 例 如 > 光 Um 懦 5 的 向 刖 突 起 5 0 1和向後突起502 是 靨 長 條 1 I 形 的 構 造 9 而 其 配 置 則 使 它 們 的 縱 軸與 1 圈 面呈 直 角 〇 此 1 訂 外 » 如 圖 所 示 向 前 突 起 50 1和向後突起5 0 2分別 具 有 三 角 1 形 的 剖 面 〇 1 | 向 後 突 起 50 2的深度t 至少必須大到足以遮斷吸收性 1 1 容 積 材 料 層 5 3 〇 不 過 較 好 的 設 計 則 是向 後 突起 50 2深到 1 1 足 以 遮 斷 吸 收 性 容 積 材 料 層 5 3和 折 射容 積 材料 層 5 2 〇 以 線 I 此 — 例 子 的 情 形 而 言 f 5 2和 53造 兩 餡層 形 成平 行 的 條 纹 1 1 9 其 安 排 則 是 平 均 宽 度 為 b 而 以 固 定間 距 並列 在 —- 起 且 1 1 垂 直 於 圔 面 9 它 們 本 身 就 可 以 視 為 柵常 數 為SI 之 光 4tm tW 0 1 I 圏 1 和 圈 2 在 結 溝 上 的 基 本 差 異 是， 根 據圖 • 1 的 結 構 1 I 折 射 容 稹 材 料 層 5 2和 吸 收 性 容 稹 材 料層 5 3 之間 是 相 互 直 1 | 接 緊 靠 在 一 起 的 9 而 根 據 圖 2 的 結 構折 射 容積 材 料 的 層 1 5 2和 吸 收 性 容 積 材 料 層 5 3 之 7 間 則 由 薄薄 層最 好 是 本 質 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( b ) 1 1 半 導 體 材 料 之 隔 Η 層 55分 開 0 ! 1 為 了 實 現 在 光 柵 生 産 時 具 有 改 良 的 複 裂 性 之 隱 藏 式 光 1 | 柵 5， 權宜之計是於5 2和5 3這兩掴分別由折射容積材料 請 1 先 1 和 吸 收 性 容 稹 材 料 形 成 的 層 與 起 伏 表 面 5 0 之 間 » 再 插 入 閱 讀 1 1 一 層 最 好 是 本 質 半 導 匾 容 積 材 料 層 5 4 1 並 且 如 同 層 5 2和 背 面 1 | 之 1 5 3 樣 建 m 在 光 橘 5 的 向 刖 突 起 50 1 Jti 〇 這額外的屬5 4 注 意 1 I 可 以 用 於 層 7 的 磊 晶 成 長 9 緊 鄰 起 伏 表 面 > 而 由 與 包 覆 事 項 1 I 再 1 | 層 3 相 同 之 P 型 導 電 率 的 半 導 匾 容 積 材 料 製 造 9 層 7 的 填 寫 本 1 裝 材 料 最 好 就 是 額 外 5 4 之 容 積 材 料 0 頁 '—^ 1 I 以 層 7 製 成 的 隱 m 式 光 柵 5 的 應 點 是 1 可 以 將 光 細 tW 5 1 1 的 脈 衝 工 作 周 期 b / a設為5 0%以確保對技術引致的柵形 1 I 起 伏 最 不 敏 0 1 1 訂 吸 收 性 容 積 材 料 層 5 3 最 好 安 排 在 折 射 容 積 材 料 的 層 5 2 1 和 額 外 層 5 4或 起 伏 表 面 5 0之 間 〇 1 I 為 了 防 止 複 式 縝 合 的 D F B雷射二極醱構造的不穩定性 1 1 t 折 射 容 稹 材 料 組 成 的 層 5 2和 吸 收 性 容 積 材 料 組 成 的 層 1 1 53之 導 電 率 的 型 式 是 相 反 的 0 為 了 方 便 > 假 定 折 射 容 積 線 1 材 料 組 成 的 層 5 2 之 導 率 型 式 與 包 覆 層 3 同 屬 P 型 〇 1 1 根 據 本 發 明 圔 1 和 圖 2 的 雷 射 二 極 鼷 構 造 1 可 以 極 方 1 1 便 地 只 用 兩 個 晶 晶 步 驟 製 成 9 第 — 値 磊 晶 步 驟 製 成 包 括 1 I 額 外 層 54的 所 有 層 膜 f 第 二 値 磊 晶 步 驟 基 本 上 是 以 層 覆 1 1 蓋 光 檷 5 之 成 長 0 1 | 根 據 圈 3 和 _ 4 的 雷 射 二 極 體 構 造 舆 根 據 CSI 画 1 和 圖 2 1 1 的 雷 射 搔 體 構 造 不 同 之 處 8 是 位 於 避 開 雷 射 活 性 層 4 Γ 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (' 1 ) 1 1 而 形 成 光 iWr 5 的 起 伏 表 面 5 0 上 9 有 —* 物 體 緊 鄰 此 起 伏 表 1 1 面 不 是 根 據 圈 1 和 圖 2 中 層 7 的 形 式 t 而 是 根 據 導 電 率 J | 的 型 式 與 折 射 容 積 材 料 組 成 的 層 5 2相 同 的 基 片 1 之 形 式 V 請 1 I « 這 摘 基 Η 1 有 値 和 起 伏 表 面 5 0相 對 而 且 與 起 伏 表 面 先 閱 1 1 讀 1 | 5 0相 輔 的 基 片 表 面 1 0 0 背 1 1 之 1 這 裡 相 輔 的 亲 思 是 在 此 種 連 接 下 9 基 片 表 面 1 0 有 —·- 個 注 意 1 1 指 向 雷 射 活 性 層 4 之 方 向 4 1 的 向 刖 突 起 10 1， 恰在起伏 事 項 1 | 再 1 1 表 面 50指 向 雷 射 活 性 層 4 之 方 向 4 1 的 凹 處 > 及 由 雷 射 活 寫 本 1 裝 性 層 4 之 離 開 方 向 4 0 之 向 後 突 起 1 0 2， 恰在起伏表面5 0 頁 V_✓ 1 1 之 向 前 突 起 5 0 1沿方向4 〇離開雷射活性層4 0 結果起伏 1 1 表 面 50的 向 前 突 起 5 0 1突入基片1 的各- -向後突起1 0 2上 1 I * 而 基 片 表 面 1 0 的 向 刖 突 起 1 0 1則突入起伏表面5 〇的各 1 1 訂 1 向 後 突 起 5 0 2上。 圖 3 和 raa 圖 4 結 構 中 所 有 其 餘 部 分 與 圖 1 和 圖 2 結 構 中 1 I 相 同 的 部 分 以 相 同 的 參 考 符 號 標 示 〇 這 驻 部 分 已 在 圖 1 ! 1 和 圖 2 中 說 過 了 因 此 不 再 重 覆 說 明 〇 1 1 圖 3 和 [ST 國 4 結 構 上 的 差 異 和 圖 1 和 圖 2 構 造 上 的 差 異 線 I 是 完 全 相 同 的 9 也 就 是 說 根 據 圈 3 折 射 容 積 材 料 的 層 5 2 1 1 和 吸 收 性 容 積 材 料 層 5 3 是 互 相 緊 靠 在 一 起 f 而 根 據 圖 4 1 I 構 造 JE. 些 5 2和 5 3則 由 · 層 薄 隔 片 層 55隔 開 〇 1 | 此 外 9 根 據 醑 3 和 圖 4 的 結 構 與 根 據 圔 1 和 圖 2 的 結 1 1 構 邐 存 在 箸 黏 撤 小 的 差 異 * 假 定 所 有 不 同 結 構 之 包 覆 1 I 層 2 為 η 型 的 導 電 率 9 那 麽 根 據 圖 1 和 圖 2 的 結 構 基 片 1 | 1 的 構 造 也 必 須 是 η 型 9 但 9 根 據 圖 3 和 圖 4 基 片 1 的 導 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾率（CNS ) A4規格（210X 29"7公釐） 304310 經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 A7 B7五、發明説明（2 ) 電率卻必須是P型。在所有不同溝造之包覆層2為p型 的導電率時，則上述關偽就會顛倒。 更進一步的差異在於；根據圖3和圖4的構造並不像 根據圖1和圖2的構造那麽需要層54,因為層52和53可 以直接長在基片表面10上〇 根據圖3和圖4的構造具有只需一次磊晶便能製造的 優點。首先基片表面10的清造是具向前突起101和向後 突起102,而譆所有層膜於一次磊晶中長成其上。在使 用層54的例子中，可以調整磊晶的成長#數使屬54不只 出現在向後突起102的頂點上，而是覆蓋整個基片表面 1 0 〇 在一個根據圖1和圖2的優遘楔範實例中，基片包含 η撗雜的InP,包覆層2包含η攙雜的InP,活性層4包 含多量子阱層溝造，包覆層3包含ρ攙雜的InP,折射 容積材料層52包含ρ攙雜的InGaAsP,吸收性容積材料 層53包含η摻雜的InGaAs,半導體容積材料製成的額外 層54包含InP,以及半導體容積材料製成的層7包含ρ接 雜的InP,隔片55則為InP製成。 在一 fi根據圖3和圓4的模範貢例中，基H1含有P 攢雜的InP,以半導臛容積材料製成的層54若存在的話 則含InP,吸收性容稹材料層53含攙η的InGaA.s,折射 容稹材料；152含ρ攢雜的InGaAsP,包覆層3含ρ摟雜 的InP,活性層4含多董子阱層，包覆層2含η攙雜的 InP，隔片層55則為InP製成。 -1 0 - I I I I 裝 I 訂— 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 五、發明説明（9 A7 B7 元 • 6三 · 5 0 1 1.而為 為 a 則 長 # 長 波15波 ,1.陳 中長間 例波帶 實陳頻 範間之 模帶53 些頻層 這個料 在一材 有積 元 四 時 層 容 性 收 吸 ----------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X29"?公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 具複式光柵網合的DFB雷射二極饈構造，包括： -雷射活性層（4)安排在兩痼互為相反導電型態（η, P) 之半導體材料組成的光學包覆《( 2 , 3 )之間， -折射半導體材料組成的層（52)避開雷射活性層（4) 置於兩包覆層（2,3)之一層（3)的一側（31)上， -吸收性半導龌材料組成的層（53)避開包覆層（3)置 於折射半導醱材料層（52)的一倒（521)上，及 -光柵（5)避開雷射活性層（4)以起伏表面（50)形式， 建構於折射半導體材料組成的層（52)和吸收性半導 體材料組成的層（53)中，並形成光柵（5)的向前突 起（501),指向離開雷射活性層（4)的方向（40),及 光柵（5)的向後突起（502),指向雷射活性層（4), 其待激為：折射材料組成的層（5 2 )和吸收性材料組 成的層（5 3 )分別包含容積材料，且折射容積材料組 成的層（52)和吸收性容積材料組成的層（53)位於包 覆層（3)與光柵（5)向前突起（501)上的起伏表面（50) 之間。 2. 如申請專利範園第1項之雷射二棰臞構造，其持戡為： 折射容稹材料組成的層（52)和吸收性容積材料組成的 層（53)是互相相反的導電型態（ρ,η)β 3. 如申請專利範靨第2項之雷射二棰髓構造，其待徽為： 折射容積材料組成的層（52>和包覆層（3)為相同的導電 型態（Ρ )。 4. 如申請專利範困其中一項之雷射二極體構造，其待激 -1 2 - 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公釐） _ 裝 訂 备 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局負工消費合作社印装 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 為：一半導體容積材料組成的額外層（5 4 )位於折射和 吸收性容積材料組成的層（52 ,53)與起伏表面（50)之 間〇 5. 如申請專利範圃第4項之雷射二極齷構造，其待激為： 吸收性容積材料組成的層（5 3 )位於折射容積材料組成 的層（5 2 )的額外層（5 4 )之間。 6. 如申請專利範圍第4或第5項之雷射二極體構造，其 待擻為：額外層（54)是由本質容積材料製成的。 7. 如申請專利範困其中一項之雷射二極龌構造，其待激 為：折射容積材料層（52)和吸收性容積材料層（53)互 相緊靠在一起。 8. 如申請專利範圍第1到第6項其中一項之雷射二極體 構造，其待激為：折射容積材料層（52)和吸牧性容積 材料層（53)是由本質半導醱材料製成的隔片層（55)隔 開。 9. 如申讅專利範圍其中一項之雷射二極體構造，其待激 為：避開雷射活性層（4)位於起伏表面（50) —側有一 艏物體（7;1)緊鄰起伏表面（5Q),且由與折射容積材 料層（52)相同導霣型態（p;n)之半導體材料製成。 10. 如申請專利範園第4或第9項之雷射二極饈構造， 其待徽為：物醱（7; 1)是由額外層（54)之半導體材料 組成。 11. 如申請專利範園第9或第10項之雷射二極體構造， 其待激為：該物醴包含一緊鄰起伏表面（51)之層（7h -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) A4現格（210X297公釐） I 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >04310 ^ C8 D8 六、申請專利範圍 12. 如申請專利範圍第9或第10項之雷射二極體構造， 其特激為：該物體包含一基片（1)，其基Η表面（10) 對立於起伏表面（50)且與起伏表面（30)互補。 13. 如申請專利範圍第4或第12項之雷射二極體構造， 其特徽為：額外層（54)與基片（1)是由相同材料製成 的。 14. 如前逑申讅專利範園其中一項之雷射二極體構迪， 其待徽為：在折射容積材料層（52)區域中，光柵（5) 的脈衝工作周期b/a基本上是為50% β 15. 如前述申請專利範圔其中一項之雷射二極體構造， 其持擻為：兩包覆層（2, 3)之半導體材料為InP、折射 容積材料為InGaAsP,吸收性容積材料則為In(3aAse 16. 如申請專利範圍第4或第15項之雷射二極體構造， 其特激為：額外層（54)是由InP製成的。 17. 如申請專利範圍第8或第15或第16項之雷射二極體 構造，其待激為：隔片層（55)是由InP製成的。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印策 -14- 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210父29_7公釐）