TW302506B - Manufacturing method of wafer backlapping and structure thereof - Google Patents

Description

302506 五、發明説明（ A7 B7 經濟部中央標準爲員工消費合作社印製 本發明係有關灰種於晶圓背面研磨時防止研磨殘層 進入晶圓正面的製造方法及其構造。 欲對晶粒（die)施行封裝（package)時，一般均需對形成 有晶粒之晶圓（wafer)的背面施行背面研磨（backlapping)， 俾使上述晶粒的厚度達到既定厚度，且可依客户的要求而 於上述晶粒上形成遮蔽保護層（例如聚说亞胺 (polyimide))，以增進產品的可靠度（reiiability)。 請參照第1圖及第2圖，第1圖係習知施行晶圓背面 研磨時之晶圓的正面圖；以及第2圖係顯示沿著第i圖中 II-II線所取的剖面。在圖中，！爲晶圓，且la爲其正面， 而lb爲其背面。又在上述晶圓！的正面13形成複數晶粒， 並於晶粒上形成上述遮蔽保護層10,同時於上述遮蔽保護 層10之間形成有切割道（scribe丨ine)12。2爲研磨膠帶 (grinding tape)，且上述研磨膠帶2貼著於上述遮蔽保護層 10上，俾於晶圓1的背面lb研磨時防止研磨殘屑進入上 述晶圓1的正面1 a。 然而，由於上述切割道12係橫過整個上述晶圓1的正 面U ’且上述切割道12的高度（亦即上述遮蔽保護層10 的厚度）约5pm(或許更大），故即使貼著有上述研磨膠帶 2 ’上述切割道12亦會於上述晶圓1的圓周邊形成開口 12a而如第2圖中箭頭所示，於上述晶圓】的背面lb研 磨時的研磨殘肩會經由上述開口 12a進入至上述晶圓1的 正面la，進而污染上述晶粒。 有錯於此，本發明之目的係爲了解決上述問題而提供 匕紙張尺度適用中國 (210x297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ^' 訂 ^! n^— 1^1 . 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2 ) 一種於晶圓背面研磨時防止研磨殘屑進入晶圓正面的製造 方法包括下列步驟：提供具有正面及背面的晶圓，於上述 晶圓的正面形成複數晶粒；於上述晶粒上形成遮蔽保護 層，且於上述晶圓之正面的邊緣形成密封環；提供研磨膠 帶，上述研磨膠帶貼於上述晶圓之正面的密封環上，以封 閉上述晶圓的整個正面；以及研磨上述晶圓的背面。 以及一種於晶圓背面研磨時防止研磨殘屑進入晶圓正 面的構造，適用於具有正面及背面的晶圓，且上述晶圓的 正面形成有複數晶粒，而上述晶圓背面研磨時防止研磨殘 屑進入晶圓正面的構造包括：複數個遮蔽保護層，分別形 成於上述複數晶粒上；以及一密封環，形成於上述晶圓之 正面的邊緣。 其中更包括研磨膠帶，上述研磨膠帶貼於上述晶圓之 正面的上述密封環上，而封閉上述晶圓的整個正面，以研 磨上述晶圓的背面。且上述密封環及遮蔽保護層爲聚齓亞 胺。又上述聚亞胺的厚度大體爲5μηι。 依據本發明之於晶圓背面研磨時防止研磨殘屑進入晶 圓正面的製造方法及其構造，由於在形成有複數晶粒之晶 圓之正面的邊緣形成有密封環，並以研磨膠帶貼於上述晶 圓之正面的上述密封環上，以封閉上述晶圓的整個正面， 故能夠於上述晶圓之背面研磨時防止研磨殘屑進入至上述 晶圓的正面，而不會污染上述晶粒。 以下，就圖式説明本發明之於晶圓背面研磨時防止研 磨殘屑進入晶圓正面的製造方法及其構造的實施例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） --------^於-- •*** (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 周式簡單説$ 第1圖係顯 圖；

第2圖係顯 第3圖係顯 正面圖；以及 第4圖係顯 [符號説明J 不習知施行晶圓背面研磨時之晶圓的正面 示沿著第1圖中Π_„線所取的剖面圖； 不本發明 < 施行晶m背面研磨時之晶圓的 示沿著第3圖中IV-IV線所取的剖面圖。 1、 3〜晶圓 1 a、3a〜正面 lb、3b〜背面 2、 4〜研磨膠帶 1〇、30〜遮蔽保護層 12、32〜切割道 40〜封密環 η β參·、、第3圖及第4圖，第3圖係顯示本發明之施行 面研磨時之晶圓的正面圖；以及第4圖係顯示沿著 第3圖中ιν·Ιν線所取的剖面i在时，3爲晶圓，且 3a爲其正面，而扑爲其負面。又在上述晶圓3的正面h 形成有複數晶粒，並於上述晶粒上形成遮蔽保護層3〇，而 於上述遮蔽保護層30之間形成切割道32。再者，本發明 係於上述晶圓3之正面3a的邊緣形成密封環4〇，而上述 密封環40及遮蔽保護層30均由聚忒亞胺（p〇lyimid製 A7 、發明説明（ f，其厚度約5吨。此外，於上述晶圓3之正面&的密対 環40上貼著研磨膠帶4，而封閉上述晶圓3的整個正面 3a’以研磨上述晶圓3的背面3b。因此，如第^所示， 上述切割道32的兩端開口被上述密封環4()封密，故於研 磨上述晶圓3的背面3b時，研磨殘屑無法進入至上述晶圓 3的正面3a。 如上所述，依據本發明之於晶圓背面研磨時防止研磨 殘屑進人晶m正面的㈣方法及其構造，*於在形成有複 數晶粒之晶圓之正面的邊緣形成有密封環，並以研磨膠帶 貼於上述晶圓之正面的上述密封環上，以封閉上述晶圓的 整個正面，故能夠於上述晶圓之背面研磨時防止研磨殘屑 進入至上述晶圓的正面，而不會污染上述晶粒。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此項技藝者，在不脱離本發明之精 神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 A 衣— & 二, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂' 經濟部中央標準局員工消費合作社印家 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】0 X 297公釐）

Claims (1)

1. 302506 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝

   六、申請專利範圍 — 1.一種於晶圓背面研磨時防止研磨殘屑進入晶圓正面 的製造方法包括下列步驟： 提供具有正面及背面的晶圓，於上述晶圓的正面形 複數晶粒； 於上述晶粒上形成遮蔽保護層，且於上述晶圓之正面 的邊緣形成密封環； 提供研磨膠帶，上述研磨膠帶貼於上述晶圓之正面的 密封環上，以封閉上述晶圓的整個正面；以及 研磨上述晶圓的背面。 2.如申請專利範圍第i項所述的於晶圓背面研磨時防 止研磨殘層進入晶圓正面的製造方法，其中上述遮蔽保護 層之間形成有切割道。 3·如申請專利㈣第項所料於晶圓背面研磨 時防止研磨殘屑進人晶圓正方法，其中上述密封 環及遮蔽保護層爲聚齓亞胺β Ή 4.如申請專利範圍第3項所述料晶圓背面研磨時防 止研磨殘層進入晶圓正面的製造方法，其中上述聚说亞胺 的厚度大體爲5μηι。 5· 了種晶Η] #面研磨時防止研磨殘屬進人晶圓正面的 構造適用於具有正面及背面的晶圓，且上述晶圓的正面 形成有複數晶粒，而上述晶圓背面研磨時防止研磨殘肩進 入晶圓正面的構造包括： 複數個遮蔽保護層，分別形成於上述複數晶粒上；以 f請先閲讀背ΐ§·之注t.事項再填'寫本頁j • 111 HI .-1γ I裝------訂丨1

   --------------------- A8 B8 C8 D8 ‘申請專利範圍 一密封環，形成於上述晶圓之正面的邊緣。 6. 如申請專利範圍第5項所述的晶圓背面研磨時防止 研磨殘屑進入晶圓正面的構造，其中更包括研磨膠帶，上 述研磨膠帶貼於上述晶圓之正面的上述密封環上，而封閉 上述晶圓的整個正面，以研磨上述晶圓的背面。 7. 如申請專利範圍第5或6項所述的晶圓背面研磨時 防止研磨殘屑進入晶圓正面的構造，其中上述密封環及遮 蔽保護層爲聚珧亞胺。 8. 如申請專利範圍第7項所述的晶圓背面研磨時防止 研磨殘屑進入晶圓正面的構造，其中上述聚献^亞胺的厚度 大體爲5μιη。 請 先 閲 裝 頁 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 8 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ297公釐）