CN108500826A - 晶圆背面研磨方法 - Google Patents

晶圆背面研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108500826A
CN108500826A CN201710108299.6A CN201710108299A CN108500826A CN 108500826 A CN108500826 A CN 108500826A CN 201710108299 A CN201710108299 A CN 201710108299A CN 108500826 A CN108500826 A CN 108500826A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
protection glue
reverse side
glue band
grinding method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710108299.6A
Other languages
English (en)
Inventor
黄海冰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SAE Technologies Development Dongguan Co Ltd
Original Assignee
SAE Technologies Development Dongguan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SAE Technologies Development Dongguan Co Ltd filed Critical SAE Technologies Development Dongguan Co Ltd
Priority to CN201710108299.6A priority Critical patent/CN108500826A/zh
Publication of CN108500826A publication Critical patent/CN108500826A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/02—Lapping machines or devices; Accessories designed for working surfaces of revolution
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B55/00—Safety devices for grinding or polishing machines; Accessories fitted to grinding or polishing machines for keeping tools or parts of the machine in good working condition

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明的晶圆背面研磨方法，晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面，该方法包括：贴附保护胶带于所述晶圆的正面以覆盖所述集成电路；以及对所述晶圆的背面进行研磨；其中，贴附保护胶带于所述晶圆的正面的步骤包括：在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm；将保护胶带贴附在所述晶圆的正面；以及在所述保护胶带的表面处选取多个测量点测量贴附有所述保护胶带的所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm。本发明可保证研磨均匀、提高稳定性，且在研磨过程中保护集成电路，防止集成电路发生ESD。

Description

晶圆背面研磨方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆背面研磨方法。
背景技术
半导体产品的小型薄型化是现今的趋势，集成电路的量产工艺中，缩减尺寸的方法之一为采用极薄半导体晶片，另一种方法采用背面研磨方法以缩减半导体晶片的厚度。因此，在晶圆上集成电路制作工序之后和晶圆切割工序之前，还包括有晶圆背面研磨工序，以使得晶圆上多个晶片能够一次完成薄化处理。
然而传统的方法在进行底面研磨的时候，对于表面的集成电路没有好的防护，造成其大面积的物理损伤以及对集成电路造成静电放电损害(ESD)。
故此，亟需一种改进的晶圆背面研磨方法以克服以上缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆背面研磨方法，其可保证研磨均匀、提高稳定性，且在研磨过程中保护集成电路，防止集成电路发生ESD。
为实现上述目的，本发明的晶圆背面研磨方法，晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面，该方法包括：贴附保护胶带于所述晶圆的正面以覆盖所述集成电路；以及对所述晶圆的背面进行研磨；
其中，贴附保护胶带于所述晶圆的正面的步骤包括：
在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm；
将保护胶带贴附在所述晶圆的正面；以及
在所述保护胶带的表面处选取多个测量点测量贴附有所述保护胶带的所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm。
与现有技术相比，本发明的晶圆背面研磨方法在背面研磨之间贴附保护胶带于晶圆的正面，保护胶带的贴附效果良好，平整无气泡，使得背面研磨时保证研磨均匀性，并保护正面的集成电路免受物理损伤以及ESD。
较佳地，在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度的步骤具体包括：在所述晶圆的正面均匀选取多个所述测量点。
较佳地，在测量所述晶圆的厚度之后还包括：清洁所述晶圆的所述正面。
较佳地，对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：所述晶圆放置在真空台上，真空压力大于70Kpa。
较佳地，对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：研磨方向与研磨轮的中心轴的运动方向相反。
较佳地，对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：控制研磨轮的转速为4000转/分钟～5000转/分钟，研磨时间为2～3分钟，研磨移除量为10～12μm。
较佳地，在所述晶圆的背面进行研磨之后，还包括：去除所述晶圆的正面的保护胶带。
较佳地，在去除所述晶圆的正面的保护胶带之后，还包括：采用异丙醇溶剂清洗所述晶圆。
较佳地，采用异丙醇溶剂在超声波的环境下清洗所述晶圆，异丙醇溶剂的温度为30～40度.
较佳地，所述保护胶带为UV保护胶带。
附图说明
图1为本发明晶圆背面研磨方法中的晶圆厚度测量示意图。
图2为本发明保护胶带贴附在晶圆的正面上的一个示意图。
图3为本发明保护胶带贴附在晶圆的正面上的另一示意图。。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的晶圆背面研磨方法作进一步说明，但不因此限制本发明。
本发明的晶圆背面研磨方法的一个实施例包括以下步骤：
贴附保护胶带于晶圆的正面以覆盖集成电路；以及
对晶圆的背面进行研磨。
具体地，贴附保护胶带于晶圆的正面的步骤包括：
在晶圆的正面选取多个测量点测量晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm；
将保护胶带贴附在晶圆的正面；以及
在保护胶带的表面处选取多个测量点测量贴附有保护胶带的晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm。
具体地，在贴附保护胶带之前，首先用高度表测量晶圆的厚度。测量时集成电路部分朝上，测量时用探针轻轻压在集成电路表面，选取多个点，如13个点，一一进行记录。如图1所示，13个测量点的分布如下，1、5、6、9、10、11、12、13点离晶圆100的边缘5毫米左右，均匀分布在正面上，其余五个测量点均匀分配。需注意的是，当测量完其中一点再测另一点时，需提取高度针以免测针在晶圆100表面产生划痕，而且，各测量点的测量结果差异不超过10μm。
测量完晶圆100的厚度后，需对晶圆100的正面进行清洗，例如采用丙酮(ACE)溶液进行清洗并擦拭干净，继而将晶圆100放置在置有防静电胶片的工作台上，进行保护胶带的贴附。特定地，保护胶带在粘附在晶圆100的正面之前，需经过离子风机的气流作用以去除保护胶带的静电，防止正面上的集成电路受到ESD。如图2所示，保护胶带101粘贴在晶圆100的正面，确保保护胶带101和集成电路之间没有气泡残留，继而用刀片将周围多余的保护胶带101划开，然后沿着晶圆100边缘将多余的胶带101剪掉。注意边缘要平整，不允许有残留，如图3所示。
保护胶带101贴附完成后，在晶圆100的表面选取多个测量点测量贴有保护胶带101的晶圆100的厚度，测量点的选取方法和测量方法如上所述，13个测量点的测量结果的差异不大于10μm。若测量结果差异大于10μm，则需揭去保护胶带101重新以上的贴附步骤。保证测量结果的差异范围，可确保保护胶带101均匀贴附在晶圆100的正面，从而不会影响后续对背面的研磨。
较佳地，该保护胶带101为紫外光UV保护胶带。
下面介绍对晶圆背面进行研磨的具体条件及流程。
首先，将贴附好保护胶带的晶圆放在真空台上，开启真空阀门使真空压力大于70Kpa。
接着，用研磨轮对于晶圆背面进行研磨，晶圆的研磨方向与研磨轮的中心轴运动相反，研磨轮的转速为4000转/分钟～5000转/分钟，研磨轮朝向圆晶的进入速率为0.15微米/秒～0.20微米/秒，研磨时间为2-3分钟，控制最终的目标移除量为10μm～12μm。具体地，研磨轮的表面由嵌入树脂基质的金刚石微粒所组成，金刚石颗粒为8微米～12微米。所用研磨液为水型研磨液或者是油性研磨液。
研磨结束后，去除晶圆的正面的保护胶带，继而用异丙醇(IPA)溶剂采用超声波振荡清洗该晶圆，清洗时间约20分钟，温度为30～40度。清洗完毕，晶圆被移到下一工序。
综上，本发明的晶圆背面研磨方法在背面研磨之间贴附保护胶带于晶圆的正面，保护胶带的贴附效果良好，平整无气泡，使得背面研磨时保证研磨均匀性，并保护正面的集成电路免受物理损伤以及ESD。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种晶圆背面研磨方法，晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面，该方法包括：贴附保护胶带于所述晶圆的正面以覆盖所述集成电路；以及对所述晶圆的背面进行研磨；
其特征在于，贴附保护胶带于所述晶圆的正面的步骤包括：
在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm；
将保护胶带贴附在所述晶圆的正面；以及
在所述保护胶带的表面处选取多个测量点测量贴附有所述保护胶带的所述晶圆的厚度，各测量点的测量结果差异不大于10μm。
2.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：在所述晶圆的正面选取多个测量点测量所述晶圆的厚度的步骤具体包括：在所述晶圆的正面均匀选取多个所述测量点。
3.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：在测量所述晶圆的厚度之后还包括：清洁所述晶圆的所述正面。
4.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：所述晶圆放置在真空台上，真空压力大于70Kpa。
5.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：研磨方向与研磨轮的中心轴的运动方向相反。
6.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：其特征在于：对所述晶圆的背面进行研磨的步骤具体包括：控制研磨轮的转速为4000转/分钟～5000转/分钟，研磨时间为2～3分钟，研磨移除量为10～12μm。
7.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：在所述晶圆的背面进行研磨之后，还包括：去除所述晶圆的正面的保护胶带。
8.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：在去除所述晶圆的正面的保护胶带之后，还包括：采用异丙醇溶剂清洗所述晶圆。
9.如权利要求8所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：采用异丙醇溶剂在超声波的环境下清洗所述晶圆，异丙醇溶剂的温度为30～40度。
10.如权利要求1所述的晶圆背面研磨方法，其特征在于：所述保护胶带为UV保护胶带。
CN201710108299.6A 2017-02-27 2017-02-27 晶圆背面研磨方法 Pending CN108500826A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710108299.6A CN108500826A (zh) 2017-02-27 2017-02-27 晶圆背面研磨方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710108299.6A CN108500826A (zh) 2017-02-27 2017-02-27 晶圆背面研磨方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108500826A true CN108500826A (zh) 2018-09-07

Family

ID=63374237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710108299.6A Pending CN108500826A (zh) 2017-02-27 2017-02-27 晶圆背面研磨方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108500826A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114560236A (zh) * 2020-11-27 2022-05-31 东莞新科技术研究开发有限公司 物料卸载方法
US20220193861A1 (en) * 2020-12-21 2022-06-23 Disco Corporation Grinding apparatus and method of driving grinding apparatus

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000216124A (ja) * 1999-01-26 2000-08-04 Okamoto Machine Tool Works Ltd 研削装置およびウエハの研削方法
CN1577756A (zh) * 2003-07-29 2005-02-09 南茂科技股份有限公司 晶圆背面研磨制程
CN1862376A (zh) * 2005-02-25 2006-11-15 Hoya株式会社 掩模坯料及其透明基片的制造方法,曝光掩模的制造方法
CN1893021A (zh) * 2005-06-29 2007-01-10 株式会社瑞萨科技 半导体集成电路器件的制造方法
CN1938845A (zh) * 2004-03-26 2007-03-28 富士胶片株式会社 接合衬底的装置及方法
CN101075580A (zh) * 2007-06-01 2007-11-21 日月光半导体制造股份有限公司 切割晶圆的方法
CN101339893A (zh) * 2007-07-03 2009-01-07 台湾积体电路制造股份有限公司 判断晶圆薄化的方法、装置结构、机构及其制造方法
CN101367192A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆背面研磨方法
CN101750038A (zh) * 2008-12-15 2010-06-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于边缘检测的测试晶圆及晶圆边缘检测方法
CN101872127A (zh) * 2010-05-28 2010-10-27 上海宏力半导体制造有限公司 制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线的方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000216124A (ja) * 1999-01-26 2000-08-04 Okamoto Machine Tool Works Ltd 研削装置およびウエハの研削方法
CN1577756A (zh) * 2003-07-29 2005-02-09 南茂科技股份有限公司 晶圆背面研磨制程
CN1938845A (zh) * 2004-03-26 2007-03-28 富士胶片株式会社 接合衬底的装置及方法
CN1862376A (zh) * 2005-02-25 2006-11-15 Hoya株式会社 掩模坯料及其透明基片的制造方法,曝光掩模的制造方法
CN1893021A (zh) * 2005-06-29 2007-01-10 株式会社瑞萨科技 半导体集成电路器件的制造方法
CN101075580A (zh) * 2007-06-01 2007-11-21 日月光半导体制造股份有限公司 切割晶圆的方法
CN101339893A (zh) * 2007-07-03 2009-01-07 台湾积体电路制造股份有限公司 判断晶圆薄化的方法、装置结构、机构及其制造方法
CN101367192A (zh) * 2007-08-17 2009-02-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆背面研磨方法
CN101750038A (zh) * 2008-12-15 2010-06-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于边缘检测的测试晶圆及晶圆边缘检测方法
CN101872127A (zh) * 2010-05-28 2010-10-27 上海宏力半导体制造有限公司 制作光刻胶厚度与关键尺寸关系曲线的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孙可平: "《电子工业静电放电（ESD）防护与控制技术》", 30 April 2007 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114560236A (zh) * 2020-11-27 2022-05-31 东莞新科技术研究开发有限公司 物料卸载方法
US20220193861A1 (en) * 2020-12-21 2022-06-23 Disco Corporation Grinding apparatus and method of driving grinding apparatus
US11858090B2 (en) * 2020-12-21 2024-01-02 Disco Corporation Grinding apparatus and method of driving grinding apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104440497B (zh) 一种用于手机面板弧面的抛光装置及抛光方法
CN105081893B (zh) 一种超薄Ge单晶衬底材料及其制备方法
CN100530593C (zh) 切割晶圆的方法
US6214704B1 (en) Method of processing semiconductor wafers to build in back surface damage
US7416962B2 (en) Method for processing a semiconductor wafer including back side grinding
CN103506910B (zh) 光学低通滤波器基片加工工艺
JP2003282491A (ja) シリコンウェーハの製造方法
US20170047241A1 (en) Support plate and method for forming support plate
CN107543837B (zh) 一种砂轮精磨后硅片损伤层的检测方法
CN110323178A (zh) 一种soi晶圆边缘零空洞的工艺制程方法
CN106625204B (zh) 一种大尺寸SiC晶片的背面处理方法
CN109841559A (zh) 超薄晶圆的制备方法
JP2004349649A (ja) ウエハーの薄加工方法
CN109545678A (zh) 晶圆切割工艺
CN108500826A (zh) 晶圆背面研磨方法
CN108356684A (zh) 一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板及抛光装置
JP2017092135A (ja) デバイスの製造方法
JP5498857B2 (ja) ウェーハの加工方法
CN207593516U (zh) 一种半导体晶片抛光装置用真空吸附模板及抛光装置
JP5911750B2 (ja) ウェハ支持体およびその製造方法
CN103870813A (zh) 指纹传感器和电子设备
CN110788739A (zh) 一种锑化铟单晶片的抛光方法
JP2012079910A (ja) 板状物の加工方法
CN104493685A (zh) 一种蓝宝石晶片加工方法
CN104576350B (zh) 晶圆减薄方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180907