CN109841559A - 超薄晶圆的制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种超薄晶圆的制备方法，所述超薄晶圆的制备方法工艺结构简单，采用所述第一表面贴膜后直接对所述晶圆减薄，制程流转时间短，并通过根据所述第一预设厚度进行粗磨、所述第二预设厚度进行细磨以及所述第三预设厚度进行干法抛光可以有利于控制厚度波动范围。同时，对所述晶圆进行减薄后采用所述划片铁环支撑进行切割，再移除所述第二保护膜，可以实现对所述超薄晶圆的支撑作用，避免了在转移过程中因厚度过薄导致的碎片及裂纹问题。并且，在进行减薄后采用划片铁环进行绷膜时，可以根据芯片封装方式的需求选择不同的划片胶膜，具有广泛的应用范围。

Description

超薄晶圆的制备方法

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，特别是涉及一种超薄晶圆的制备方法。

背景技术

目前，随着市场对于电子器件的需求量日益增加，带动了电子器件加工技术的迅猛发展。尤其是自柔性电子问世后，关于柔性电子有关生产工艺的研究日益增加。柔性电子凭借独特的柔性和延展性以及高效、低成本制造工艺，在信息、能源、医疗、国防等领域具有广泛应用前景。与传统电子器件相比，柔性电子要求芯片具备一定的曲面适应能力。当减薄厚度低于50um时的超薄晶圆，具有良好的柔性弯曲能力，且力学稳定性较好。因此，如何制备低于50um厚度的超薄晶圆，成为传统半导体芯片在柔性电子技术中应用的关键因素。

但是，由于50um以下的晶圆不具备机械刚性，在研磨后处于柔性状态，翘曲变形很大，无法采用常规的方法进行工序间的转移，因此对其支撑转移技术也带来一定挑战。然而，传统的超薄晶圆制备方法一般分为直接减薄、临时键合后减薄与切割后减薄。由于设备能力限制，直接减薄采用常规的单轴和双轴研磨机对晶圆直接减薄，很难获得75um厚度以下的晶圆，使得制备的晶圆及芯片仍不具备柔性，无法有效应用在柔性电子技术中。临时键合后减薄的工艺结构由原先的2层增加到4层，对键合精度以及键合的均匀性有着更高的要求，且每层结构本身均存在一定厚度误差±5um，导致减薄后晶圆的实际厚度容易偏离目标厚度，即厚度波动范围增大。切割后减薄只适用于不做背金结构的芯片，应用范围有限。

发明内容

基于此，有必要针对传统的超薄晶圆制备方法制备的晶圆厚度范围不易控制、波动范围大、应用范围有限的问题，提供一种工艺结构简单、厚度波动范围可控、应用范围广泛的超薄晶圆的制备方法。

本申请提供一种超薄晶圆的制备方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆具有相对设置的第一表面与第二表面；

将所述第一表面设置第一保护膜，将切割装置的切割面与所述第一保护膜呈60°～85°进行切割，获得切割后的第二保护膜；

将所述晶圆的所述第二表面进行减膜，获得减膜后的第三晶圆；

将所述第三晶圆远离所述第二保护膜的表面采用固定环进行绷膜，获得第一支撑膜；

根据所述固定环对所述第一支撑膜远离所述第三晶圆的表面进行切割，获得切割后的第二支撑膜；

去除所述第三晶圆的所述第二保护膜，获得超薄晶圆。

在一个实施例中，在对所述第一保护膜进行切割时，控制所述切割装置的切割温度在140℃～170℃内。

在一个实施例中，沿所述晶圆的边缘以30°/s的切割速度对所述第一保护膜进行切割。

在一个实施例中，将所述第三晶圆远离所述第二保护膜的表面采用固定环进行绷膜，获得第一支撑膜包括：

根据第一预设厚度，采用砂轮直径为300mm，且粗粒度为325#～600#的金刚石砂轮，并以砂轮转速2000RPM～2400RPM，轴向进刀速度为1.5um/s～5um/s对所述晶圆的所述第二表面进行研磨，获得研磨后的第一晶圆；

根据第二预设厚度，采用砂轮直径为300mm，且粗粒度为2000#～8000#金刚石砂轮，并以砂轮转速2000RPM～3000RPM，轴向进刀速度为0.2um/s～0.4um/s对远离所述第二保护膜的所述第一晶圆的表面进行研磨，获得研磨后的第二晶圆；

根据第三预设厚度，对所述第二晶圆进行研磨，获得减膜后的所述第三晶圆。

在一个实施例中，根据所述第三预设厚度，采用干式抛光磨轮方式，并以砂轮直径为450mm，磨轮转速为1500RPM～2500RPM，轴向进刀速度为0.1um/s～0.2um/s对所述第二晶圆进行研磨，获得减膜后的所述第三晶圆。

在一个实施例中，所述第一预设厚度的范围为所述晶圆厚度与所述第二保护膜厚度之和至所述超薄晶圆厚度、所述第二保护膜厚度与50um之和。

在一个实施例中，所述第二预设厚度的范围为所述超薄晶圆厚度、所述第二保护膜厚度与50um之和至所述超薄晶圆厚度、所述第二保护膜厚度与10um之和。

在一个实施例中，所述第三预设厚度的范围为所述超薄晶圆厚度、所述第二保护膜厚度与10um之和至所述超薄晶圆厚度与所述第二保护膜厚度之和。

在一个实施例中，所述超薄晶圆的厚度范围为20um～40um。

在一个实施例中，所述超薄晶圆的厚度为35um。

在一个实施例中，所述固定环为划片铁环，所述固定环与所述第三晶圆共中心，且所述划片铁环的定位边与所述第三晶圆的定位边一一对应。

在一个实施例中，将所述切割装置与所述第一支撑膜远离所述第三晶圆的表面呈90°角度进行切割，获得切割后的所述第二支撑膜。

本申请提供一种超薄晶圆的制备方法，所述超薄晶圆的制备方法工艺结构简单，采用所述第一表面贴膜后直接对所述晶圆减薄，制程流转时间短，并通过根据所述第一预设厚度进行粗磨、所述第二预设厚度进行细磨以及所述第三预设厚度进行干法抛光可以有利于控制厚度波动范围。同时，对所述晶圆进行减薄后采用所述划片铁环支撑进行切割，再移除所述第二保护膜，可以实现对所述超薄晶圆的支撑作用，避免了在转移过程中因厚度过薄导致的碎片及裂纹问题。并且，在进行减薄后的远离所述第二保护膜的所述第三晶圆的表面采用划片铁环进行绷膜时，可以根据芯片封装方式的需求选择不同的划片胶膜，具有广泛的应用范围。

附图说明

图1为本申请提供的超薄晶圆的制备方法的流程示意图图；

图2为本申请提供的超薄晶圆的制备方法的工艺流程示意图；

图3为本申请提供的晶圆与芯片的结构示意图；

图4为本申请提供的3#、13#与16#抛光后第三晶圆的远离芯片的表面的粗糙度表格；

图5为本申请提供的3#不同位置采样点处的通过3点折弯实验测试芯片抗折强度表格；

图6为本申请提供的13#不同位置采样点处的通过3点折弯实验测试芯片抗折强度表格；

图7为本申请提供的16#不同位置采样点处的通过3点折弯实验测试芯片抗折强度表格；

图8为本申请提供的3#不同位置采样点处的晶片厚度变化量表格；

图9为本申请提供的13#不同位置采样点处的晶片厚度变化量表格；

图10为本申请提供的16#不同位置采样点处的晶片厚度变化量表格；

图11为本申请提供的第三晶圆的背面(远离芯片的表面)损伤层控制范围。

附图标记说明

晶圆10、第一表面110、第二表面120、芯片130、第一保护膜20、第二保护膜210、第三晶圆160、划片铁环30、第一支撑膜40、第二支撑膜410、超薄晶圆100、第一晶圆140、第二晶圆150。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

请参见图1-2，本申请提供一种超薄晶圆的制备方法，包括：

S10，提供晶圆10，所述晶圆10具有相对设置的第一表面110与第二表面120；

S20，将所述第一表面110设置第一保护膜20，将切割装置的切割面与所述第一保护膜20呈60°～85°进行切割，获得切割后的第二保护膜210；

S30，将所述晶圆10的所述第二表面120进行减膜，获得减膜后的第三晶圆160；

S40，将所述第三晶圆160远离所述第二保护膜(210)的表面采用固定环30进行绷膜，获得第一支撑膜40；

S50，根据所述固定环30对所述第一支撑膜40远离所述第三晶圆160的表面进行切割，获得切割后的第二支撑膜410；

S60，去除所述第三晶圆160的所述第二保护膜210，获得超薄晶圆100。

在所述步骤S10中，所述晶圆10为后道工序结束后、封装准备前的晶圆。所述晶圆10的所述第一表面110也可以设置有多个由划片道隔离开、待封装处理的芯片130，所述第一保护膜20将多个所述芯片130覆盖。其中，所述晶圆10可以是12寸及以下尺寸的单晶硅晶圆，也可以为12寸及以下尺寸的其它常见半导体材料构成的晶圆。

在所述步骤S20中，在所述第一表面110的表面贴一层所述第一保护膜20，所述第一保护膜20尺寸大于所述晶圆10，可以将多个所述芯片130全部覆盖。其中，贴所述第一保护膜20时，可以采用具有加工12英寸及以下尺寸晶圆的全自动贴片机，型号为LintecRAD3510。所述第一保护膜20可以为半导体专用减薄保护膜，可以为减薄保护膜SB-145。

对所述第一保护膜20进行切割时，所述切割装置可以采用全自动贴片机中的切割结构进行切割。按照所述晶圆10的尺寸及定位标志不同，设置全自动贴片机对应的刀片运行轨道和割膜角度，并根据所述第一保护膜20的性质调整割膜速度与刀片温度。由于所述晶圆10的边缘均会设计倒角，且中心区域生长有多个所述芯片130，导致所述晶圆10中心区域对应的所述第一保护膜20的高度高于所述晶圆10边缘区域对应的所述第一保护膜20的高度。因此，在设定割膜角度时，将刀片与所述第一保护膜20远离所述晶圆10的表面呈切割角度θ为60°～85°范围内进行切割，可以使得切割后的所述晶圆10边缘膜无残胶，从而降低了减薄过程中沾污的风险，并有效降低了由膜残留导致的裂片隐患。

在所述步骤S30中，通过研磨所述晶圆10的所述第二表面120，将所述晶圆10进行减膜，可以采用具有加工12英寸及以下晶圆的全自动研磨抛光机，可以为型号DISCODGP8761，可以实现自动上料、定位后开始进行减薄。其中，减薄过程可以分为三个阶段，即先进行粗磨，再进行细磨，最后是抛光处理，制备获得对所述晶圆10减膜后的所述第三晶圆160。

在所述步骤S40中，所述固定环30可以为划片铁环，在减膜完成后的所述第三晶圆160远离所述芯片130的表面采用划片铁环30进行绷膜，可以采用与研磨设备集成的全自动划片贴膜机，可以为型号DISCO DFM2800，制备获得所述第一支撑膜40。

在所述步骤S50中，根据所述固定环30对所述第一支撑膜40远离所述第三晶圆160的表面进行切割时，可以沿所述固定环30进行切割。若根据全自动贴膜机沿所述划片铁环30的中心对所述第一支撑膜40进行割膜并从设备上取出制备有所述第二支撑膜410的所述第三晶圆160，可以方便进行操作。

在所述步骤S60中，在制备获得所述第二支撑膜410后，在全自动贴膜机上将设置有所述划片铁环30的所述第三晶圆160进行翻转，使得所述第二保护膜210向上，沿所述第三晶圆160的边缘将所述第二保护膜210去除。由于所述划片铁环30与所述第二支撑膜410的支撑作用，可以实现所述超薄晶圆100的自动下料、工序间转移，且可直接进行后续的划片。

所述超薄晶圆的制备方法工艺结构简单采用所述第一表面110贴膜后直接对所述晶圆10减薄，制程流转时间短，并通过根据粗磨、细磨与干法抛光可以有利于控制厚度波动范围。同时，对所述晶圆10进行减薄后采用所述划片铁环30支撑进行切割，再移除所述第二保护膜210，可以实现对所述超薄晶圆100的支撑作用，避免了在转移过程中因厚度过薄导致的碎片及裂纹问题。并且，在进行减薄后的远离所述芯片130的所述第三晶圆160的表面采用所述划片铁环30进行绷膜时，可以根据芯片封装方式的需求选择不同的划片胶膜，具有广泛的应用范围。

在一个实施例中，在所述步骤S20中，对所述第一保护膜20进行切割时，控制所述切割装置的切割温度在140℃～170℃内，且沿所述晶圆10的边缘以30°/s的切割速度对所述第一保护膜20进行切割。

采用全自动贴片机进行切割时，割膜速度与割膜刀温度方面主要根据所述第一保护膜20的性质进行调整，其中割膜速度可以为30°/s，割膜刀温度控制在155±15℃范围内。根据以上相关参数的设置，可以将所述第一保护膜20沿所述晶圆10的边缘均匀切割，且边缘无残膜与残胶。

在一个实施例中，所述步骤S30包括：

S310，根据第一预设厚度，采用砂轮直径为300mm，且粗粒度为325#～600#的金刚石砂轮，并以砂轮转速2000RPM～2400RPM，轴向进刀速度为1.5um/s～5um/s对所述晶圆10的所述第二表面120进行研磨，获得研磨后的第一晶圆140；

S320，根据第二预设厚度，采用砂轮直径为300mm，且粗粒度为2000#～8000#金刚石砂轮，并以砂轮转速2000RPM～3000RPM，轴向进刀速度为0.2um/s～0.4um/s对远离所述第二保护膜(210)的所述第一晶圆140的表面进行研磨，获得研磨后的第二晶圆150；

S330，根据第三预设厚度，对所述第二晶圆150进行研磨，获得减膜后的所述第三晶圆160。

其中，根据所述第三预设厚度，可以采用干式抛光磨轮方式或湿法抛光方式对所述第二晶圆进行研磨，获得减膜后的所述第三晶圆。

其中，采用湿法抛光方式，需要更换对应的磨轮并增加抛光液进行研磨。采用干式抛光磨轮方式时，以砂轮直径为450mm，磨轮转速为1500RPM～2500RPM，轴向进刀速度为0.1um/s～0.2um/s对所述第二晶圆150进行研磨，获得减膜后的所述第三晶圆160。通过所述干式抛光磨轮方式可以更加有效控制厚度均匀性，并省去了抛光液，省去了制备材料，节约了制备成本。通过研磨所述晶圆10的所述第二表面120，将所述晶圆10进行减膜，可以采用具有加工12英寸及以下晶圆的全自动研磨抛光机，可以为型号DISCO DGP8761，可以实现自动上料、定位后开始进行减薄。其中，减薄过程可以分为三个阶段，即先进行粗磨，再进行细磨，最后是抛光处理，制备获得对所述晶圆10减膜后的所述第三晶圆160。

其中，在所述步骤S310中，所述第一预设厚度的范围为所述晶圆10厚度与所述第二保护膜210厚度之和至所述超薄晶圆100厚度、所述第二保护膜210厚度与50um之和。也就是说，在所述步骤S310中，对所述晶圆10进行粗磨阶段时，研磨的厚度范围变化在(所述晶圆10厚度+所述第二保护膜210厚度)到(所述超薄晶圆100厚度+所述第二保护膜210厚度+50um)，获得粗磨后的所述第一晶圆140。

在所述步骤S320中，所述第二预设厚度的范围为所述超薄晶圆100厚度、所述第二保护膜210厚度与50um之和至所述超薄晶圆100厚度、所述第二保护膜210厚度与10um之和。也就是说，在所述步骤S320中，对所述第一晶圆140进行细磨阶段时，研磨的厚度范围变化在(所述超薄晶圆100厚度+所述第二保护膜210厚度+50um)到(所述超薄晶圆100厚度+所述第二保护膜210厚度+10um)，获得细磨后的所述第二晶圆150。

在所述步骤S330中，所述第三预设厚度的范围为所述超薄晶圆100厚度、所述第二保护膜210厚度与10um之和至所述超薄晶圆100厚度与所述第二保护膜210厚度之和。也就是说，在所述步骤S330中，对所述第二晶圆150进行抛光阶段时，厚度范围变化在(所述超薄晶圆100厚度+所述第二保护膜210厚度+10um)到(所述超薄晶圆100厚度+所述第二保护膜210厚度)，获得抛光后的所述第三晶圆160。

在所述步骤S330中可以采用干式抛光磨轮，可以为DISCO DP08系列，砂轮直径为450mm，磨轮转速为1500RPM～2500RPM，轴向进刀速度为0.1um/s～0.2um/s对所述第二晶圆150进行研磨，获得减膜后的所述第三晶圆160。

通过以上所述步骤S310、所述步骤S320以及所述步骤S330的处理，获得减薄后的所述第三晶圆160。经过测试，请参见图4，以晶圆类型分别为3#、13#与16#为例，所述第三晶圆160的背面(远离所述芯片130的表面)粗糙度可以控制在1nm～15nm范围内。请参见图5-7，以晶圆类型分别为3#、13#与16#为例，并对所述晶圆160的不同位置进行采样，通过3点折弯实验测试芯片抗折强度为2.0N～4.0N。请参见图8-10，以晶圆类型分别为3#、13#与16#为例，并对所述晶圆160的不同位置进行采样，可知所述晶圆160的多个采样点处厚度数据的最大值与最小值差值可以控制在0um～3um范围。请参见图11，所述第三晶圆160的背面(远离所述芯片130的表面)损伤层可以控制在100nm～150nm范围内。因此，通过根据所述第一预设厚度进行粗磨、所述第二预设厚度进行细磨以及所述第三预设厚度进行干法抛光可以有利于控制厚度波动范围。

在一个实施例中，在所述步骤S40中，将所述第三晶圆160远离所述芯片130的表面采用所述划片铁环30进行绷膜时，可以根据所述芯片130的不同封装形式可以采用不同种类的膜。对于直接贴装或进行3D堆叠封装的无背金要求芯片，可以采用不导电的Dieattach film，DAF膜。对于直接贴装且有背金要求的芯片，可以采用导电的DAF膜。对于采用传统封装的芯片，可以采用普通的划片蓝膜或UV膜。完成所述划片铁环30进行绷膜后，需要确认所述第三晶圆160与所述第一支撑膜40之间、所述划片铁环30与所述第一支撑膜40之间无气泡、起皱、以及颗粒杂质等缺陷。并且，需要确保所述第三晶圆160的晶圆中心与所述划片铁环30一致(共中心)，所述第三晶圆160的晶圆定位边与所述划片铁环30的定位边一一对应。

在一个实施例中，在所述步骤S50中，将所述切割装置与所述第一支撑膜40远离所述第三晶圆160的表面呈90°角度进行切割，获得切割后的所述第二支撑膜410。

采用所述划片铁环30进行绷膜后，制备获得所述第一支撑膜40，采用全自动贴膜机沿所述划片铁环30中心对所述第一支撑膜40进行割膜时，可以按照所述划片铁环30的尺寸(包含4寸、6寸、8寸、12寸等)设置对应的刀片运行轨道和割膜角度。同时，根据所述第一支撑膜40的性质调整割膜速度。割膜角度设定方面，由于沿所述划片铁环30割膜，刀片与所述第一支撑膜40远离所述第三晶圆160的表面呈90°。在割膜速度方面，对于DAF膜以及UV膜，由于胶层与基材厚度较大，一般控制在15°～30°范围内。对于普通划片蓝膜，胶层与基材厚度较小，一般控制在30°～45°范围内。在以上参数条件下，可以将所述第一支撑膜40沿所述划片铁环30中心线均匀切割下来，且无残膜与残胶，获得切割后的所述第二支撑膜410。

因此，所述超薄晶圆的制备方法工艺结构简单，采用所述第一表面110贴膜后直接对所述晶圆10减薄，制程流转时间短，并通过根据所述第一预设厚度进行粗磨、所述第二预设厚度进行细磨以及所述第三预设厚度进行干法抛光可以有利于控制厚度波动范围。通过所述超薄晶圆的制备方法可以使得实际厚度与目标厚度最大差值为3um，多个采样点处厚度数据的最大值与最小值差值为2um。并且，由于省去了支撑晶圆与键合材料，生产成本较低。同时，对所述晶圆10进行减薄后采用所述划片铁环30支撑进行切割，再移除所述第二保护膜210，可以实现对所述超薄晶圆100的支撑作用，避免了在转移过程中因厚度过薄导致的碎片及裂纹问题。并且，在进行减薄后的远离所述芯片130的所述第三晶圆160的表面采用所述划片铁环30进行绷膜时，可以根据芯片封装方式的需求选择不同的划片胶膜，具有广泛的应用范围。

通过所述超薄晶圆的制备方法制备的所述晶圆10减薄前所述第一保护膜20的割膜方式及各项工艺参数已经过调试验证，割膜后获得所述第二保护膜210边缘齐整，无胶膜及胶丝残留，对所述晶圆10的所述第一表面110有良好的保护。并且，当将所述第二保护膜210去除后未在晶圆表面发现沾污、裂纹等现象。

同时，在对所述晶圆10减薄过程中粗磨、细磨以及干法抛光各阶段的磨轮转速、轴向进刀速度、厚度移除量等参数已经过调试验证，并对在此条件下制备的所述第三晶圆160的粗糙度、3点折弯强度、多个采样点处厚度数据的最大值与最小值差值、损伤层厚度、厚度波动范围等各项参数进行测试验证，结果显示制备的所述第三晶圆160可以满足柔性封装的需求。

在一个实施例中，在所述步骤S60中，所述超薄晶圆100的厚度范围为20um～40um。通过所述超薄晶圆的制备方法可以制备达到50um厚度以下的晶圆。

在一个实施例中，提供一个8寸、750μm的所述晶圆10，采用上述所述超薄晶圆的制备方法可以制备获得所述超薄晶圆100的厚度为35um。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种超薄晶圆的制备方法，其特征在于，包括：

提供晶圆(10)，所述晶圆(10)具有相对设置的第一表面(110)与第二表面(120)；

将所述第一表面(110)设置第一保护膜(20)，将切割装置的切割面与所述第一保护膜(20)远离所述晶圆(10)的表面呈60°～85°进行切割，获得切割后的第二保护膜(210)；

将所述晶圆(10)的所述第二表面(120)进行减膜，获得减膜后的第三晶圆(160)；

将所述第三晶圆(160)远离所述第二保护膜(210)的表面采用固定环(30)进行绷膜，获得第一支撑膜(40)；

根据所述固定环(30)对所述第一支撑膜(40)远离所述第三晶圆(160)的表面进行切割，获得切割后的第二支撑膜(410)；

去除所述第三晶圆(160)的所述第二保护膜(210)，获得超薄晶圆(100)。

2.如权利要求1所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，在对所述第一保护膜(20)进行切割时，控制所述切割装置的切割温度在140℃～170℃内。

3.如权利要求2所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，沿所述晶圆(10)的边缘以30°/s的切割速度对所述第一保护膜(20)进行切割。

4.如权利要求1所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，将所述第三晶圆(160)远离所述第二保护膜(210)的表面采用固定环(30)进行绷膜，获得第一支撑膜(40)包括：

根据第一预设厚度，采用砂轮直径为300mm，且粗粒度为325#～600#的金刚石砂轮，并以砂轮转速2000RPM～2400RPM，轴向进刀速度为1.5um/s～5um/s对所述晶圆(10)的所述第二表面(120)进行研磨，获得研磨后的第一晶圆(140)；

根据第二预设厚度，采用砂轮直径为300mm，且粗粒度为2000#～8000#金刚石砂轮，并以砂轮转速2000RPM～3000RPM，轴向进刀速度为0.2um/s～0.4um/s对远离所述第二保护膜(210)的所述第一晶圆(140)的表面进行研磨，获得研磨后的第二晶圆(150)；

根据第三预设厚度，对所述第二晶圆(150)进行研磨，获得减膜后的所述第三晶圆(160)。

5.如权利要求4所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，根据所述第三预设厚度，采用干式抛光磨轮方式，并以砂轮直径为450mm，磨轮转速为1500RPM～2500RPM，轴向进刀速度为0.1um/s～0.2um/s对所述第二晶圆(150)进行研磨，获得减膜后的所述第三晶圆(160)。

6.如权利要求4所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，所述第一预设厚度的范围为所述晶圆(10)厚度与所述第二保护膜(210)厚度之和至所述超薄晶圆(100)厚度、所述第二保护膜(210)厚度与50um之和。

7.如权利要求6所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚度的范围为所述超薄晶圆(100)厚度、所述第二保护膜(210)厚度与50um之和至所述超薄晶圆(100)厚度、所述第二保护膜(210)厚度与10um之和。

8.如权利要求7所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，所述第三预设厚度的范围为所述超薄晶圆(100)厚度、所述第二保护膜(210)厚度与10um之和至所述超薄晶圆(100)厚度与所述第二保护膜(210)厚度之和。

9.如权利要求1所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，所述超薄晶圆(100)的厚度范围为20um～40um。

10.如权利要求7所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，，所述超薄晶圆(100)的厚度为35um。

11.如权利要求1所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，所述固定环(30)为划片铁环，所述固定环(30)与所述第三晶圆(160)共中心，且所述划片铁环(30)的定位边与所述第三晶圆(160)的定位边一一对应。

12.如权利要求1所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，将所述切割装置与所述第一支撑膜(40)远离所述第三晶圆(160)的表面呈90°角度进行切割，获得切割后的所述第二支撑膜(410)。