CN114211317A - 一种减缓研磨轮耗损的方法 - Google Patents

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蔡孟霖
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Abstract

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种减缓研磨轮耗损的方法，包括提供晶圆，该晶圆具有集成电路的正面与背面，该晶圆正面贴附保护胶，接着将该晶圆送入机台的研磨机构运用初始进刀与二次进刀及固定盘转速以达预设之薄度；本发明以减缓研磨轮耗损的方法，不仅可有效达到薄化的成果，降低研磨轮过度损耗，亦可有效避免晶圆破片与研磨后质量异常。

Description

一种减缓研磨轮耗损的方法
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域，具体的讲涉及一种减缓研磨轮耗损的方法。
背景技术
半导体制程技术进步飞速，晶圆之薄化技术更是重中之重，现阶段普偏晶片皆以堆叠方式增加其功能与功效，而薄化技术更是能将功效提升至最大，不仅能降低温度，更能使堆叠之晶片能有效延展于晶圆内。
在晶圆薄化的技术中，多数使用研磨机台将厚晶圆经由研磨工序将其研磨薄化至客户要求尺寸，研磨技艺在此占了重要地位，规律的研磨进刀搭配转速适当的真空盘能有效降低晶圆破片与晶圆磨后产生太阳纹路与倒角之异常，能大幅提高产能与良率达标，本方法能有效在高速与近乎苛求的薄度下达到客户要求水平，更能彰显研磨轮与真空盘的进刀速设定必须设定于相对应标准值始能达到工艺效益，此方法不仅能降低研磨轮损耗，更能降低因研磨轮异常导致的晶圆破片与外观异常。
发明内容
为解决现有技术存在的问题，本发明提供一种减缓研磨轮耗损的方法。该方法可以有效避免研磨期间晶圆破片并大幅降低晶圆于研磨中造成深刮与刀纹异常，更能大幅降低研磨轮过度损耗，可有效提高产能与拉升良率。
本发明的技术方案是这样实现的：
一种减缓研磨轮耗损的方法，包含如下步骤：
提供晶圆，该晶圆具有集成电路的正面与背面，该晶圆正面贴附保护胶，接着将该晶圆送入机台的研磨机构进行作业以达设定之薄度。
进一步地，研磨方式分为粗磨与细磨。
进一步地，研磨晶圆尺寸可为4in、5in、6in、8in与12in。
进一步地，研磨最终厚度可适用12mil以下。
进一步地，所述研磨机构包括研磨转轴、研磨轮、固定盘，该研磨机工作步骤如下：先以真空将晶圆吸附固定于固定盘，藉由研磨转轴与锁固于上的研磨轮与固定盘进行高速研磨作动，并利用研磨轮初始进刀与二次进刀及固定盘转速已达研磨晶圆要求之厚度。
进一步地，研磨转轴在粗磨时最佳转速为2100rpm～2800rpm。
进一步地，研磨转轴在细磨时最佳转速为1050rpm～1250rpm。
进一步地，研磨转轴在粗磨时(F1)初始进刀之进刀速设定最佳为180um/min～250um/min。
进一步地，研磨转轴在粗磨时(F2)二次进刀之进刀速设定最佳为80um/min～200um/min。
进一步地，研磨转轴在粗磨的初始进刀，(N1)固定盘转速最佳为150rpm～200rpm。
进一步地，研磨转轴在粗磨的二次进刀，(N2)固定盘转速最佳为150rpm～200rpm。
进一步地，研磨转轴在细磨时(F1)初始进刀之进刀速设定最佳为100um/min。
进一步地，研磨转轴在细磨时(F2)二次进刀之进刀速设定最佳为35um/min。
进一步地，研磨转轴在细磨的初始进刀，(N1)固定盘转速最佳为150rpm～235rpm。
进一步地，研磨转轴在细磨的二次进刀，(N2)固定盘转速最佳为150rpm～235rpm。
进一步地，研磨转轴在粗磨进刀空磨(Air cut)高度最佳设定为50um/min。
进一步地，研磨转轴在细磨进刀空磨(Air cut)高度最佳设定为30um/min。
进一步地，研磨转轴在细磨后抛光段的最佳设定为5～10s。
本方案的工作原理和效果如下：
本发明与现有技术不同在于，现有技术中大量利用研磨轮搭配固定盘的转速达到晶圆薄化的目的，而本发明则以一种减缓研磨轮耗损的方法，利用进刀速与固定盘的对应设定，不仅可有效达到晶圆薄化的成果，更有效降低研磨轮过度耗损，亦可降低破片与晶圆研磨后质量异常。
附图说明
图1为本发明实施例1的结构示意图。
附图标记：研磨转轴1、研磨轮2、晶圆3、固定盘4、研磨齿21。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围内。
实施例1
如图1所示，一种减缓研磨轮耗损的方法，于晶圆3研磨作业前在晶圆3正面粘贴保护胶，后续将晶圆3送入研磨机构中进行研磨作业，运用高速转动的研磨转轴1，使得研磨齿21能依设定之高度下降接触研磨晶圆3背面进行研磨，该研磨作业依据需求分为粗磨与细磨两种作业方式，且该研磨作业适用于晶圆3尺寸4in、5in、6in、8in与12in，并利用该工艺技术最终晶圆3成品厚度可适用12mil以下厚度尺寸。
将晶圆3送入机台研磨机构，利用真空将晶圆3正面贴有保护胶的一面吸附于固定盘4上，藉由研磨转轴1与锁固于上的研磨轮2与固定盘4进行高速研磨作动，并利用研磨轮2(F1)初始进刀与(F2)二次进刀及固定盘4转速已达研磨晶圆3要求的厚度；研磨作动下，研磨转轴1在粗磨时(F1)初始进刀之进刀速设定最佳为180um/min～250um/min，(N1)固定盘转速最佳为150rpm～200rpm，初始进刀空磨(Air cut)之高度最佳设定为50um/min，在(F2)二次进刀之进刀速设定最佳为80um/min～200um/min，(N2)固定盘转速最佳为150rpm～200rpm，研磨转轴1在进入细磨时(F1)初始进刀之进刀速设定最佳为100um/min，进刀空磨(Air cut)之高度最佳设定为30um/min，(N1)固定盘转速最佳为150rpm～235rpm，(F2)二次进刀之进刀速设定最佳为35um/min，(N2)固定盘转速最佳为150rpm～235rpm，在细磨后抛光段的最佳时间设定为5～10sec，依此设定之条件，能避免晶圆3因(F1)初始进刀与(F2)二次进刀与对应的固定盘4转速误差而导致晶圆3刀纹不佳或破片异常。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的宗旨和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (8)

1.一种减缓研磨轮耗损的方法，其特征在于，包含如下步骤：
提供晶圆，该晶圆具有集成电路的正面与背面，该晶圆正面贴附保护胶，接着将该晶圆送入机台的研磨机构进行作业以达设定的薄度。
2.根据权利要求1所述的一种减缓研磨轮耗损的方法，其特征在于，研磨时包括粗磨和细磨；研磨的晶圆尺寸为4in、5in、6in、8in与12in中任意一种；晶圆厚度12mil以下。
3.根据权利要求1所述的一种减缓研磨轮耗损的方法，其特征在于，所述研磨机构包括研磨转轴、研磨轮、固定盘，该研磨机工作步骤如下：先以真空将晶圆吸附固定于固定盘，藉由研磨转轴与锁固于上的研磨轮与固定盘进行高速研磨作动，并利用研磨轮初始进刀与二次进刀及固定盘转速已达晶圆薄化要求的厚度。
4.根据权利要求3所述的一种减缓研磨轮耗损的方法，其特征在于，研磨转轴在粗磨时转速为2100rpm～2800rpm；研磨转轴在粗磨时初始进刀的进刀速度为180um/min～250um/min；研磨转轴在粗磨时二次进刀的进刀速度为80um/min～200um/min；研磨转轴在粗磨时初始进刀，固定盘转速为150rpm～200rpm；研磨转轴在粗磨的二次进刀，固定盘转速为150rpm～200rpm。
5.根据权利要求4所述的一种减缓研磨轮耗损的方法，其特征在于，研磨转轴在细磨时转速为1050rpm～1250rpm；研磨转轴在细磨时初始进刀的进刀速度为100um/min；研磨转轴在细磨时二次进刀的进刀速度为35um/min；研磨转轴在细磨的初始进刀时，固定盘转速为150rpm～235rpm；研磨转轴在细磨的二次进刀时，固定盘转速为150rpm～235rpm。
6.根据权利要求5所述的一种减缓研磨轮耗损的方法，其特征在于，研磨转轴在粗磨进刀空磨的高度为50um/min。
7.根据权利要求6所述的一种减缓研磨轮耗损的方法，其特征在于，研磨转轴在细磨进刀空磨的高度为30um/min。
8.根据权利要求7所述的一种减缓研磨轮耗损的方法，其特征在于，研磨转轴在细磨后抛光段的时间为5～10s。
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