TW295718B - - Google Patents

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295718 經漓郎中丸標苹局W工消费合作社印" 五、發明説明（ 1 ) 1 1 技 術 之 領 域 1 1 本 發 明 係 關 於 高 壓 電 路 t 特別 係 關於可 工 作於 高 速 及 高 1 1 電 Μ 之 破 懷 保 護 電 路 〇 請 先 1 1 β} 景 技 U 閱 背 面 之 注 1 I 利 用 金 屬 氧 化 物 半 導 體 (M0S)技術製造積賭電路 閘氧 1 1 | ib 物 層 逐 漸 變 得 更 薄 Μ 增 進 電晶 體 性能。 對 於一 特 定 端 電 意 事 項 1 m 組 i Μ 0 S電晶體之汲極電流與閘氧化物之厚度成反比c 再 填 寫 1 -一 ”薄閘極電晶體” 之 閘 氧 化 物層 可 小於3 0 0 A厚。 減 少 電 晶 頁 1 體 通 道 之 長 度 也 可 加 強 積 體 電路 之 性能。 1 1 楨 體 m 路 之 閘 極 之 厚 度 減 少使 得 電路更 易 於遭 受 閘 極 輔 1 I 肋 接 面 破 壞 〇 閘 極 輔 助 接 面 破壊 引 致邏輯 電 路中 之 不 正 確 1 訂 電 Μ 位 準 * 高 功 率 消 耗 且 可能 使 受影響 的 電晶 體 受 到 不 1 I 口I 逆 的 破 壊 0 1 1 許 多 不 變 性 裝 置 包 括 EPROMs EEPR0M S， PLDs及 FPA S 1 1 等 必 褥 工 作 於 高 電 壓 而 不 會 被破 壊 。例如 » 宜 @ 间电 壓 可 使 用 1 線 於 寫 或 抹 除 操 作 〇 已 知 包 括 防止 高 電壓破 壊 之電 路 〇 這 些 i | 電 路 如 描 述 於 M a r t i ne z 之 美 國專 利 第 4 , 1 6 1 , 663號 V 1 1 R a g h u η at ha n等人之專利第4 ,689 ,504 號、 Cu e v a s 之 專 利 第 1 1 4 , 8 4 5 , 38 1號 及G u i 11 0 t之 第5 , 0 5 4，001 號（ 雖然習知電 1 1 路 如 設 計 般 ：1： 作 良 好 但 仍 有一 Ub 缺點。 例 如， 某 Ub 電 路 1 I 不 但 辅 要 習 知 供 電 電 壓 (V CC)及高工作電壓（Vpp) 而 且 需 1 1 1 要 中 間 電 m ⑺及v2) 0 另 一 個缺 點 係某些 已 知電 路 於 輸 出 1 1 m 點 被 限 制 切 換 於 Vp Ρ及接地之間 或於輸出節點被限制 1 1 切 換 於 Vp P及V c C 之 間 〇 可 允 許選 擇 於vpp及接地或於vee 及 1 1 本紙烺尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐） A7 B7 經濟郎中央標卑局：㈣：工消资合汴杜印於 五、發明説明（ 2 ) 1 1 接 地 之 間 的 電 路 通 常 都 較 複 雜 〇 複 雜性 通 常 降 低 電 路 之 速 1 1 I 度 〇 1 1 1 本 發 明 之 巨 的 係 提 供 一 種 電 壓 電 m 其 允 許 利 用 高 電 壓 請 先 1 1 閱 I t Ϊ4 閘 極 電 晶 體 而 不 會 使 電 路 易 於 遭受 閘 極 輔 助 接 面 破 壞 讀 背 1 I ιέ 1 I 旦 不 複 雜 0 之 1 注 去 1 發 明 概 述 思 事 1 項 I 藉 著 一 種 電 路 可 達 成 上 述 巨 的 其首 先 運 用 —. 高 電 壓 探 再 填 1 寫 測 器 Μ 確 定 至 控 制 路 徑 之 輸 入 節 點是 否 為 10 至 12伏 特 之 本 頁 1 (¾ 正 供 電 電 壓 (V P P )或約為5伏 特 之 低正 供 電 電 壓 (V C C ) 1 1 其 次 基 於 該 確 定 而 設 立 __. 破 壊 保 護 模式 〇 該 控 制 路 徑 包 括 1 | 串 聯 之 ___. 個 控 制 Μ 0 S電晶體之源極及汲極及- -個保護M0S 電 1 訂 晶 體 〇 於 破 懷 保 m 模 式 時 保 護 Μ 0 S電晶體限制流過控制 1 \ 電 晶 體 之 電 壓 〇 於 非 破 壞 保 護 m 式 時， 保 護 M0S對於電路 1 1 操 作 保 持 透 明 〇 1 1 高 電 m 探 測 器 被 埋 接 Μ 監 測 至 控 制路 徑 之 電 壓 0 可 直 接 1 線 在 至 控 制 路 徑 之 輸 入 節 點 處 監 測 〇 另外 也 可 間 接 監 測 > 1 如 於 一 高 電 壓 供 電 與 —^. 輸 入 節 點 圼t 傳 達 時 感 測 之 〇 若 1 1 輸 入 節 點 係 於 Vp P ，則高電壓探測器將- -保護M0S 電 晶 體 之 1 1 閘 極 偏 rtn m 使 得 控 制 Μ 0 S電晶體切換為"0 F F ' 狀 態 引 致 保 護 M0S 1 1 電 晶 體 被 關 掉 〇 結 果 控 制 Μ 0 S電晶體上之電壓降被保護 1 I Μ 0 S電晶體之閘極電壓及臨限電壓之差而降低 )於- -較佳 1 1 | Μ 體 例 中 閘 極 電 壓 相 等 於 Vc C ，因此不爾要產生中間電 1 1 m 〇 若 Vc c等於5伏 特 » 臨 限 電 壓 為 -1伏 特 » 則 通 過 控 制 1 1 M0S 電 4 i體之電壓被降ί 氏6伏 特 » 使 得電 晶 體 較 不 易 遭 受 閘 1 1 表紙张尺廋適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐） ·》 5 ~ A7 87 五、發明説明（3 ) 極輔肋接面破壞。 若至控制路徑之輸入節點係於Vcc，則不需要破壊保護 。高電壓探測器跟著設立保護Μ 0 S電晶體之閘極電壓Μ保 持電晶體圼” Ο Ν ”狀態，而與控制Μ 0 S電晶體之狀態無關。 例如，若控制路徑中之電晶體二者皆為ρ通道電晶體，閘 極電壓可被設定於0，確使非保護狀況使保護Μ 0 S電晶體於 螌路操作呈透明。 經濟郎中夬標準局X消f合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 狹 控制MOS電晶體之閘極電壓被一輸入信號確定。其中控 制路徑中之電晶體皆為ρ通道電晶體，一高壓信號產生器 接收一輸入信號而切換閘極電壓於V ρ ρ及接地之間。控制 路徑引至一電路輸出且至具有第二保護Μ 0 S電晶體及第二 控制Μ 0 S電晶體之第二控制路徑。第二控制Μ 0 S電晶體之源 極被接至大地電位，其閘極被連接至上述控制MOS電晶體 之閘極。因此，閘極電壓被輸入信號指令，但其中之一個 控制Μ 0 S電晶體為η通道裝置，而另一者為ρ通道裝置*此 二控制電晶體其中之一之Ο Ν / 0 F F狀態則相反於另一者。第 二控制Μ 0 S電晶艚汲極被埋接至第二保護Μ 0 S電晶趙之源極 。當第二控制路徑之二個電晶體皆為η通道電晶體時，第 二保護Μ 0 S電晶體之閘極電壓可被固定於V c c。於此閘極電 壓，蜇晶體對於在V c c之電晶體操作圼透明*當V ρ ρ被施加 於控制路徑時，則限制通過第二控制MOS電晶體之電壓。 雖然非重要，電路可為一反相器，其中一輸入信號依據 胞加於控制路徑之輸人節點之電壓而切換輸出於V ρ ρ及大 地電位或Vcc及大地電位之間。 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4規格（210X 297公釐） -R - 經濟郎屮央標準局.h工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（4 ) 本發明之優點為該二保護Μ 0 S電晶體可利用薄閘極電晶 體構成而不會使電路遭受閘極輔肋接面破供之危害。此外 ，保護Μ 0 S電晶體不影饗V C c模式中之操作*甚至在V ρ ρ模 式時只增加最小的複雜性。在V c c /接地切換時，高電壓探 測器確保保護電路之透明性。 圖式之簡單說明 _1為本發明之具有破壞保護電晶體之反相器之第一具 體例之概略圖。 圓2為本發明之具有破壞保護電晶體之反相器之第二具 體例之概略圖。 寊施本發明之最佳模式 參照_1，其顯示一高電壓供電10被連接至一 Vpp/Vcc開 關1 2以於一供電節點1 4切換於低正電壓（V C c )及高正電壓（ V p p )之間。高電壓供電1 0及V p p / V c c開關1 2之間的連接可 於高電壓供電1 0内藉在内地將節點6 0接地而被選擇地中斷 ，Ifn V p p / V C c開Μ 1 2可被設計每逢這種中斷發生時舍自動 供應Vcc至供電節點14。若烏眷屋佚電10可交替於Vcc及Vpp之間 ，則 不需要V p p / V c c開關1 2,節點60可被直接連接至 供逭gff點1 4 p 供甯節點1 4為包含二個p通道電晶體1 6及1 8之第一控制 路徑的進口。第一 p通道電晶體1 6為一控制Μ 0 S裝置，而第 二Ρ通道電晶體被設計做為一保護Μ 0 S裝置。依據供電節點 1 4上之電壓位準，輸出20切換於大地電位及Vcc或大地電 位Vpp之間。輸入信號被信號線22處之高電壓信號產生器 本紙張度通用中國國家標準（CNS )八4規格（2l〇X297公釐) _ 7 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,-° 咴！ A7 B7 經濟郎t央標率局Η工消f合作社印％ 五、發明説明（ 5 ) 1 1 24接 收 〇 於 較 佳 具 體例 中 低 信號線22會造成於閘極節點 1 1 I 26之 大 地 電 位 而 高則 會 升 高 閘極節點至V ΡΡ。閘極節點 1 1 I 被 連 接 至 第 __. p通道電晶體1 6之閘 搔28。於 大地電位時， —n 請 先 1 1 閘 極 28 會 使 電 晶 體 處於 "0Ν" 狀 態 因為於源極30之電壓位 閱 讀 皆 1 I cc或Vpp無關。 FI ϊέ 1 I 準 會 超 過 閘 極 者 與於 供 電 節 點14是否為V 之 1 注 1 於 信 號 線 22之 理 輯 高會 供 應 Vp Ρ於 閘極28， 使電壓位準至 思 事 1 項 1 少 與 源 極 30者 一 般 大， II Μ 切 換電晶體1 6至” 0 F F ”狀態。 再 填 1 寫 一 高 電 壓 探 測 器 32被 連 接 Μ 監測至第一 Ρ 通道電晶體1 6 本 頁 1 之 電 壓 〇 於 圖 1之電路中 賴確定 高電壓供 電1 0於節點6 0 1 1 上 之 _ 出 而 間 接 完 成監 測 〇 當 節點60被接地時，Vpp/Vcc 1 I 開 關 12 會 在 供 電 節 點14上 輪 出 V c c 。當供電 節點14處之電 1 訂 被 確 定 為 Vc C時 高電壓探測器 設立大地 電位於保_ gff 1 J 點 34 〇 保 護 節 點 被 連接 至 第 二 P通 道電晶體 之閘極36。接 1 1 面 節 點 38 係 於 第 ~* 電晶 體 16之 汲極4 0及第二電晶體1 8之 1 1 源 極 4 2 之 連 接 〇 當 第一 及 第 二 P通 道電晶體 二者皆於0N狀 1 線 I 態 時 來 白 第 二 電 晶體 之 汲 極 44之輸出線20與供電節點 1 4處 於 相 同 甯 壓 位 準 。 只 要 第 一電晶體之閘極於大地電 1 1 位 則 電 晶 體 保 持0Ν 〇 1 1 當 第 —_. 及 第 二 P通道電晶體1 6及 1 8皆0N時 ，至少第一 η通 1 1 道 電 晶 體 46及 第 二 η通道電晶體48 之其中一 者為OFF。因為 1 I η通道電晶體與P 通 道電 晶 體 間 之差異，於閘極節點26之大 1 1 1 地 電 位 切 換 P通道電晶體16為0H而 切換η通道電晶體48為 1 1 0KF 」相反時&如是。亦即 >當第 —Ρ通道電晶體16被閘極 1 1 28 處 之 V P P關掉時 ，第二 二 η 通 道 電晶體48被打開。於閛極50 1 1 本紙张尺度適中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） -8 _ 經清郎中失標率局G工消费合作社印焚 2957玉8 a? B7五、發明説明（6 ) 之Vf>p自汲極52至電晶體48之源極54設立一路徑。第一 η通 道馑晶體46之閘極56被固定Vcc，因而設立一狀況，其中 U要於汲極5 8處之電壓不超過閘極5,6之電壓，則電晶體4 6 保捋ON。 於操作時，有四種可能的電臞位準組合以確定P通道電 晶體]6及18及η通道46及48之0N/0PF狀態。於第一種組合 中，高電壓供電1 0施加一電位沿著線6 0至V ρ ρ / V c c開關1 2 ，使得V c c於供電節點1 4。藉線6 2將高電壓探測器3 2連接 至高電壓供電10。高電壓供電10之低電壓或無電壓設定造 成探測器供應大地電位於保護節點3 4。依據於信號線2 2處 之輸入，高電壓信號產生器2 4切換於接地及V ρ ρ之間。藉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 狀 N ο 於 處 6 ΊΙ 體 V 〇 晶 使 PI關電 VP無道 得壓通 獲 而之-10上 電60 供線 壓在 電與 高而 至24 接器 連生 64產 線號 由信VC 經Μ於 第 地 接 於 6 2 點 S. 替 極 閘 而 通 η 極 剛 二 於 第者 而:.: 018 態 狀 F P ο ΛΖ 方 處 8 4 禮 Mwn 晶 電 道 S 11 高點 於節 接電 連供 PP使 及 6 1* 體 晶 電 道 fiH 通 於 處 ο 2 線 出 輸 得 使 位 電 地 大 為 將 6 3 及 於四種組合中之第二種組合中，供電節點1 4保持於V c c ，但輸人沿蕃信號線2 2為埋輯高。產生器2 4跟著供應V ρ ρ 於閘極節點2 6 |使第一 ρ通道電晶體1 6被闞掉而打開第二η 通道電晶體48。自輸出線20至第二η通道電晶體之源極54 處之接地的控制路徑將輸出線拉至接地。因此，圖1之電 路做為反相器。 當供電節點1 4於V c c時，第二ρ通道電晶體1 8及第一 η通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 9 線 經濟郎中央榡準局Η η消t合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7 ) 道甯晶體4 6皆對電路操作透明。亦即，電晶體二者皆保持 於Ο N狀態，而藉改變二閘極2 8及5 0處之電位而將第一 P通 道甯晶體16及第二η通道電晶體48切.換為ON及OFP。藉維持 閘極3 (3於接地高電壓探測器3 2設立第二p通道電晶體1 8之 電 供 壓 電 高 準 位 號 信 入 輸 及 壓 電 電 供 之 合 。 組 況種 狀三 護 第 保於 ΤΠΝ 中 VP式 立模 設此 Μ 於 換 。 切低 被輯 10逛 線 號 信入、、 及 4 11 點 節 電 供 於 之 6 11 體 晶 電 道 通 Ρ 第 晶 電 道 通 η 二 第 地比 對 相 伏 為 ο 極 入為閘 輸28之 之極48 22閘體 徑 路 地 接 之 ο 2 線 出 輸 自 來 使 掉0 體 晶 ο Ν 電 ο f 二 鬅伏 晶 ο 電 之 而 處 特50 電 3 供極 壓閘 電 之 高 1 Μ131 〇 晶 塞電VP 閉道之 被通14 過 越 體 晶 電 而 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 高 於 器 測 探 極 閘 於 持 保 Ρ 二點升 第節拉 至電被 C 比、 ο C 俘 2 IV自線 供双⑴ Μ 被輸 許 允 Μ C C V 之 電 高 於 持 保 ο 1Χ 電 供 壓 電 高 0 Ρ 中 p V 種 即 一 ’ 後 準最 位之 之中 4 1 合 點組 節種 電 四上、 至 高 輯 埋 至VP 換為 切成 被28 22極 線閘 號 之 信16 但體 ’ 晶 ass 8 2S5>3ΈΓ 下 況 情 此 於

點 節 電 供 於 配 匹M 道 0 通 S P 準 一 位 第之 、-° 線1 掉 關 被 體 晶 電 道 通 Ρ i 第 此 因 立 設M 植 晶 電 開 打 地 時 同 ο 5 極 閘 之 第 <z ί m d 晶 輸 電I — 至 道 徑 通 na路 二 地 接 體 線 20 ° 如上所述，信號線2 2處之埵輯位準被反相，依撺供電節 點14之電位而使輸出線20切換於0伏特及Vcc或0伏特及Vpp 之間。各電晶體16，18，46及48皆為薄閘極電晶體，使得 反相器能工作於高速。藉V c C於供電節點1 4，薄閘極電晶 本紙張尺度遍;fl中國國家標準（CNS ) A4规格（21〇X297公芨) Γ 1 Q _ A7 B7 經濟郎中央標準局Η工消費合作fL印聚 五、發明説明（ 8 ) 1 1 體 不 易 遭 受 閘 極 輔 肋 接 面破 壞 0 然 而 Vpp會超過電晶體 1 1 I 之 破 壞 電 壓 〇 第 二 ρ通道電晶體丨8反第- 一 η 通道電晶體46皆 1 1 I 被 包 括 於 電 路 中 防 止 損壊 其 他 的 個 電晶體1 6及4 8。 當 請 先 1 1 第 —-‘ η通道電晶體4 8為0 F F時 第 一 η通道電晶體46會防止 閱 讀 背 1 I ιέ | 滿 V p Ρ抵達第- 一 η 通 道 電 晶體 〇 這 是 因 為 當第一電晶體46 之 之 1 /-£- a. 1 源 極 66 之 接 面 及 第 二 電 晶髖 48 之 汲 極 52 達到一電位相等 於 惠 事 1 項 1 電 晶 體 之 閘 極 5 6及 臨 限 電壓 時 第 __. 電 晶體4 6會被關掉 而 再 填 1 寫 ‘考 不 會 有 電 壓 增 加 到 達 第 二電 晶 體 48 之 汲 極52。於上述之 具 本 頁 1 體 例 中 閘 極 電 m 56為 5V之 Vc C電壓而臨限電壓可約為1 V 1 1 t 因 此 通 過 第 二 電 晶 體 48之 汲 極 52及 源 極54之電壓被限 制 1 I 於 4 V 〇 狄 而 這 些 電 壓 於本 發 明 並 非 重 要0 1 訂 當 閘 極 節 點 26被 信 號 線22之 理 輯 高 帶 至Vpp位準時，二 二 η 1 通 道 電 晶 體 4 6及 48 會 被 打開 〇 於 此 同 時 ，第一 P通道電晶 1 1 體 16 會 被 關 掉 〇 第 二 ρ通道電晶體1 8也會被關掉，因為於 1 1 接 dd 節 點 3 8 之 位 準 會 降 至一 電 懕 相 等 於 閘極36之閛極電 壓 1 線 ! 1 I m 去 ρ通道電晶體1 6及1 8之臨限電歷 、因為二電晶體1 6及 18 皆 OFF 控制電晶體1 6不會降整個V Ρ Ρ 位準。 1 1 高 電 m 探 測 器 32確 定 自供 電 節 點 14至 輸出線2 0之第一 控 1 1 制 路 徑 是 否 可 操 作 於 Vc c或V P P 〇 依 據 該 確定，探測器跟 著 1 1 設 保 護 狀 況 或 一 非 保護 狀 況 於 第 二 ρ通道電晶體1 8。 1 | 於 1¾ m 信 號 產 生 器 24 内之 薄 閘 極 M0S電晶賭也可達成相 1 | 同 的 保 護 〇 線 68被 包 括 K供 應 一 信 號 至 產生器2 4電路内 之 1 1 I 保 si M0S電晶體 未圖示。 1 1 琨 在 參 眧 圖 2 其顯示包括如圖1 之 相 同元件之第二反 相 1 1 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -ι ι - 經濟郎十火標準局工消费合作杜印^ B7 五、發明説明（9 ) 器電路70，但為不同之配置。可在内地交替於Vpp及接地 之間的高電壓供電72被埋接至Vpp/Vcc開關74JW_ 1之Vpp /Vcc開關12之相同方式供懕Vcc或Vpp於供電節點76。電路 之第一控制路徑包括一控制P通道電晶體7 8及一保護p通道 電晶體8 0。當各p通道電晶體為0 N時，輸出線8 2會處於與 供電節點7 6之相同位準。第二控制路徑包括一控制η通道 甯晶體84及一保護η通道電晶體86。因為控制電晶體78及 84之閘極88及90被連接，一控制路徑於電路70接收電力之 全部時間時圼電開路而另一者則圼電短道。 高電魈探測器9 2被直接連接以監測供電節點7 6之電懕位 準。於供電節點之V c c會引致探測器設立一非保護狀況， 其中保護P通道電晶體8 0之閘極9 4為接地。於供電節點7 6 之V p p會升高閘極9 4之位準至V c c Μ設立保護狀況。 保護η通道電晶體8 6之閘極9 6被固定於V c c。因此|在沒 有控制η通道電晶體8 4被關掉及於輸出線8 2之高電壓的組 合時，保護η通道電晶體86於電路之操作保持透明。控制 馑晶體78及84之閘極88及90各連接至一控制信號裝置98。 該裝置可以相同方式工作如圖1之信號產生器，但非緊要 。該裝置接收來自Vpp/Vcc關關74之輸人。選擇性地|輸 入線100之位準可連接或不連接，閘極88及90至供電節點 76。因此，於Vcc操作中，藉改變信號線100之理輯位準可 將閘極8 8及9 0切換於V c c及接地之間。於V p p操作中，信號 輸入線100之理輯位準會確定閘極88及90是否於大地電位 2¾ 於 V ρ μ。 本紙依尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） _ ι 9 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 'r --° A7 B7五、發明説明（ι〇) 樓 晶 電 經濟郎中央標準局Θ工消f合作杜印製 工則 式 -方PP 之/ 述 S黏. 圖節 照 電 參供 於而 ] F 同 F -J 相 以 6 8 及 為 1 QST 道 通 P 制 控 過 通 壓 瞿 全 止 OF防 為以 8 Ϊ 7 掉 體關 晶 會 i ο 筲 8 道體 通晶 p S ϋ1 $ ί 道 控 若ρίι 。 護 保 作 壓 電 極 閘 之 4 9 極 閘 於 低 會 不 面 接 之 體 晶 電 道 通 Ρ 二 ο 禮 Ηβη 晶 臨制 之 控 體過 晶 通 電制 去限 ί 6 減 8 體 晶 電 道 通 η 3 保 式 方 的 同 相 ο 壓 電 良 壓 電 之 4 8 體 晶 電 道 通 Π 用 使 一 如 用 ’ 利況 述狀 描護 及保 月 β, 印 參 說及 已護 然保 雖之 體 晶 電 護 保 立 設 M 器 測 探 壓 電 高 器 相 反 於 體 晶 電 道 通 及 體 晶 護 保 0 一 路 及電 體他 晶 其 電於 制用 控運 i 可 ο& 要合 緊組 非 之 此器 惟測 ’ 探 中壓 路 電 電 高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） 3 11 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

Claims (1)

1. 修 •ί· Λ8 B8 C8 D8 85. 5. 6修正本 申請專利範圍 含 包 路 電壓 電 高 -jt 種 1 係 第值 之 數 大之 (1壓 數電 之 電 位 供 遒 二 地第 大該 比 ， 於 間 換之 切壓 M電 用電 » 供 置二 裝第 人及 輸壓 壓電 馑 電 供 /^1 路 制 控 之 點 ff- i 出 輸 -· 及 置 裝 入 ; 輸壓壓 電該 供於 一 合 第耦 該個 於 一 大 電 S 切 Mo; W 護極極 保闕閘 一 一 該 及有之 體具體 晶 各品 § § 緩 ίρΠΓ «Ur S-J曰 s o U.0 ο Μ I Η nu -Λ. ^uu $ S φ 控Μο控 一 護該 之 保至 聯及接 串體連 一 晶 ， 括電置 包制裝 徑控入 路該輸 制，號 控體信 該 晶 及 狀 N 於 ΛΜ 晶 電 (請先閱绩背面之注意事項再楨寫本頁) 裝立 入設 輸 Μ 壓時 及 電Μ ; 該 I电 間 定 電 之 確供 態 MLI-; 狀用二 P , 第 1置該 裝在 測位 探 電 壓出 電輸 高於 之 ， 出位 MO輸電 制進出 控 二 輸 該 具之 換 置 況 狀 護 保 之 體 晶 電 、-·* 護 保 該 立 設 M 時 壓 M 0 電 保供 該正 1 亥 i ^3P 第 ， 該 於 位 電 出非 輸 之 體 於 晶 且 ‘I电 保 況 狀 閘 該 之 體 晶 電 <二 S 持 維 質 :貨 被 體 MO晶 護電 保OS 亥 4 JUB 於 Jl 胞 4 I t0 電 JiM 極fl該 閘of去 中該減 其越壓 為横電 E 狀使二 護,第 保極該 之 壓 -ί^ι 限 臨 及 極 閘 之 ^i Μ 骨 制 晶 控 電 之GS 中 0 狀 態 狀 經濟部中央標準局爲工消費合作社印製 0 iw Ji 該 f ο 去 該減 越多 横 至 中壓 其電 為電 況供 狀 一 護第 保該 非於。 該持 壓 , 維電 差質限 Ϊ冑 S 之 ΜΟΙΙ 制 晶 控電 之OS 制 控 •i-0 中 其 路 電 之 項 豊 i 耷 a〇ar ΐπ 兰"' 晶 保至 電 該接 S . ο 4 翅 彳接被 辿極 極汲 汲該 該 之 11體 ’ 晶 置 電 ^ S ο 入Μ ,、助 i 第壓 圍锺 範該 利至 專接 請連 申極 如 源 2 該 之 ί、 仿 該 極 源 之 體 晶 電 路 遒 之 項 第 圍 範 利 專 。 謫 點 Ψ 'ρ Π 6 •li,3 T 装 ssg? 探0馆 0 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公濩） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 置被連接至該第二正供遒遒壓之遒壓源κ監測該馆壓源。 4 .如申請專利範圍第1項之電路，其更包含一自該輸出 節點至大地電位之第二控制路徑，該第二控制路徑包括一 串聯之第二保護MOS電晶體及一第二控制MOS電晶體，si第 二控制Μ 0 S電晶體具有一閘極耦合該信號_人裝置Μ切換 至一 Ο Ν / 0 F F狀態相反於該第一控制路徑之該控制Μ () S電晶 體之ΟΝ/OFF狀態，該第二保護MOS電晶體具有-阐極連接 至一固定電壓源Μ設立保護狀況，其中横越該〇 f f狀態中之 染'二控制Μ 0 S爾晶體被維持於該固定電壓減去該吊二保護 MOS電晶體之臨限電饜。 5 .如申請專利範圍第1項之電路，其中該控制及保護Μ 0 S 電品體皆為Ρ通道電晶體，當該供甯師點於該第二正供電 電饜時，該高電壓探測裝置設定該保護MOS遒晶體之該閘 極於該第一正供電電壓•因而設立該保謅狀況。 6 .如申請專利範圍第〗項之電路，其中各該控制電晶體 及保護MOS電晶體具有一破壞電壓於該第一正供電電壓及 該第二£供電電壓之間。 7 .如申請専利範圍第/項之電路 > 其屮該信號輸入裝置 包括一高電壓信號產生器連接Μ接收控制信號且將控制信 號之正循環之電懕位準升遛至實質等於該第二正供電電壓 之值。 8 . —種高電壓電路，包含： 第一切換裝置，用以供應一高電魘< V ρ ρ )及一大於大地 電位之低電壓（V c c )之一者； HI — - - —^n - - — — -i -- I - i i - -1 I I- 1---1 I— I 一eJIf— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本！) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 2 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 1 1 I 第 一 P通道電晶體 具有- 極 及 -汲極及一 源極 連 1 1 I 接 至 該 第 一切換裝 置 1 1 I 一 第 二 P通道電晶體 具有- -汲 極 及- -閘極且具 有一 源 請 1 1 Μ | 極 連 接 至 該第一 P通道電晶體之該 汲 極 讀 背 | 1 控 制 信 號裝置， 用 以 分別選 擇地切換 該第 -* P通 道電 晶 之 vi 1 I 意 1 | 體 之 該 閘 極於一正 電 壓 及大地 電位之間 以將 - Ρ通 道 事 項 1 I Μ 晶 體 OFF及 0H ; 再 填 1 第 二 切 換裝置， 回 nhx 愿 該第一 切換装置 及連 接至該第二 :Ρ 寫 本 頁 1 通 道 電 晶 體之該閘 極 用Μ當 該第 換装 置供應V Ρ P 時 1 1 VX 施 加 Vc C及當該第- -切換裝置供 應 V c c 時Μ 施加大地電位。 1 1 9 . 如 申 請專利範 圍 第 8項之電路 其中該第二切 換裝 置 1 訂 括 — 高 電壓探測 器 連 接以監 測- -高谨 壓源 至該第一切換 I 裝 置 〇 1 1 10 .如申請專利範圍第8項之 甯路 其 更m 含第- -及第二 1 1 η通ϋ 1電晶體及一輸出節點，該輸 出 節點係於該第 二P通道 1 電 晶 體 之 該汲極， 該 第 一及第 二 η 通 道電品體被串 聯Μ 形 1 I 成 —- 路 徑 自該輸出 節 點 至大地 電位 0:¾ 第-- η通道 電晶 體 1 1 具 有 閘 極迪接至 固 定 於V c c m 二 η 通道 電晶體被連接 1 1 至 該 控 制 信號裝置 0 1 1 11 .如申請專利範圍第1 〇項之電 路 ，其中該第· Ρ通道電 1 | 晶 體 之 該 閘極被連 接 至 該第二 η通 道 遒晶體之該閘 極。 1 I 12 .如申謫專利範圍第1 〇項之電 路 ，其中該控制 信號 裝 1 1 置 所 產 生 之正電壓 之 值 等於Vp Ρ ° 1 1 1 3 .如申請專利範圍第8項之 電路 其 中該 控制信號裝置 I 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX?·97公釐〉 -3 - ABC0 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 包括一信號輸人及一產生器K將該信號輸入處之信號正電 位位準升懕，該升壓電位位準之值等於V p P。 1 4 .如申請專利範園第8項之電路，其中該第一及第二P 通道電晶體皆為薄閘極Μ 0 S電晶體。 1 5 . —種高電壓反相器電路，包含： 一信號輸入ί 一信號輸出，其被切換於0伏特及一正電壓位準（v c C )及 0伏特及一升壓正電壓位準（V P p ) Μ N應該信號_入； 電龆供應裝置，具有-·第一節點Κ選擇地⑶換於該第一 節點之電位於V c c及V p p之間： 一耦合於該第一節點及該信號輸出之第-控制路徑，該 第一控制路徑包括串聯之第·及第二p通道電晶體，該第 一 P通道電晶體之源極連接至該馑懕供電裝置，該第二p通 道電晶體之汲極連接至該信號輸出•各該第一及第二p通 道電晶體具有一閘極； 探測裝置，耦合至該電壓供馇裝置結合，用Μ於第一 S0 點於V c c時Κ供應大地電位至該第二ρ通道電晶體之該閘掻 及於該第一節點於V P p時以供應V c c至該第二p通道電晶體 之該閘極； 一自該信號輸出至大地電位之第二控制路徑，該第二控 制路徑包括串聯之第一及第二η通道電晶體，該第一 η通道 電晶體之汲極連接至該信號輸出，該第二η通道電晶體之 源極連接至大地電位|該第一 η通道電晶體具有一閘極連 接Μ接收一固定的V C C ;及 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐) _ Λ - n m ml 1^1 I -i-I -I I >^i-ll n^i 1^1 ^^^1 I 、v5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 六、申請專利範圍 置第 裝該 換至 切接 有 具 第 及 道 通 P Λ8 B8 C8 D8 出 輸 信 該 一 以 有用 具， 且極 入閘 輸之 號體 信晶 該電 至道 接 I 入 輸 通 Π 該 I电 至|1:. 壓 該 電 , 正 位 i 甯 應地 供大 K 應 時供 高 Μ 輯時 埋低 於輯 入遲 輸於 號入 輸 號 信 該 於 及 極 閘 第 該 夺M :止 ¾ 0 且 晶 ΡΡ電 點pig 節 一 一 第 第 該 該 ’ 當時 ’ 0 中閘 其該 . 至 態饜 狀電 FF正 ly 該 應 供 011置曰s 裝 換 切 該 電 道 通 至 轉 第 該 於 持 維 質 賁 被 壓 二 電第 極該 汲去 之 減 體壓 通 Ρ 電 極 閘 之 體 晶 電 道 U 通M p .wa' - 3. ;ί 限 臨 之 體 晶 電 道 被 置 裝 換 切 該 其 路 電 之 項 5 11 第 圍 範 利 專 請 Ψ 如 位 電 之 Ρ Ρ V 於 等 質 實 1 於 壓 電 正 該 應 供Κ 接 -ί > 如 及 道 通 極0 5 -lr 1 0 第為 圍皆 範體 利晶 專電 請道 申通 P 第 及 I Μ 該 其 路 電 之 項 體 晶 I电 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央梯隼局負工消費合作社印製 本紙張尺度適用f國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐）