TW202529200A - 蝕刻方法及電漿處理裝置 - Google Patents

蝕刻方法及電漿處理裝置

Info

Publication number
TW202529200A
TW202529200A TW113132533A TW113132533A TW202529200A TW 202529200 A TW202529200 A TW 202529200A TW 113132533 A TW113132533 A TW 113132533A TW 113132533 A TW113132533 A TW 113132533A TW 202529200 A TW202529200 A TW 202529200A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
gas
silicon
substrate
etching method
film
Prior art date
Application number
TW113132533A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Inventor
石井晃博
後平拓
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202529200A publication Critical patent/TW202529200A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H10P50/24—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials
    • H10P50/242—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of semiconductor materials of Group IV materials

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
TW113132533A 2023-09-28 2024-08-29 蝕刻方法及電漿處理裝置 TW202529200A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023-167773 2023-09-28
JP2023167773 2023-09-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202529200A true TW202529200A (zh) 2025-07-16

Family

ID=95202499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW113132533A TW202529200A (zh) 2023-09-28 2024-08-29 蝕刻方法及電漿處理裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7836946B2 (https=)
CN (1) CN121890303A (https=)
TW (1) TW202529200A (https=)
WO (1) WO2025069863A1 (https=)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0677177A (ja) * 1992-06-22 1994-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエッチング法及びドライエッチング装置
US9659788B2 (en) 2015-08-31 2017-05-23 American Air Liquide, Inc. Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures
CN108321211A (zh) 2017-01-16 2018-07-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Tmbs半导体器件及其制作方法、电子装置
WO2021171458A1 (ja) 2020-02-27 2021-09-02 株式会社日立ハイテク プラズマ処理方法
WO2022230118A1 (ja) 2021-04-28 2022-11-03 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP7700221B2 (ja) 2021-05-07 2025-06-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
KR20230111394A (ko) 2022-01-18 2023-07-25 삼성전자주식회사 저온 식각용 공정 가스, 플라즈마 식각 장치, 및 이들을 이용한 반도체 소자의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2025069863A1 (https=) 2025-04-03
CN121890303A (zh) 2026-04-17
WO2025069863A1 (ja) 2025-04-03
JP7836946B2 (ja) 2026-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2023058582A1 (ja) エッチング方法及びエッチング装置
TWI893237B (zh) 蝕刻方法
US20220310361A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2023127546A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR102751653B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7836946B2 (ja) エッチング方法及びプラズマ処理装置
US12033864B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP7250895B2 (ja) エッチング方法及びプラズマ処理装置
WO2022244678A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
KR20260061277A (ko) 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치
US20250210371A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
TW202443687A (zh) 蝕刻方法及電漿處理裝置
TW202533314A (zh) 電漿處理方法及電漿處理裝置
JP2024114273A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
TW202533313A (zh) 蝕刻方法及電漿處理裝置
JP2024088589A (ja) エッチング方法及びプラズマ処理装置
JP2022179327A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
WO2025150427A1 (ja) エッチング方法及びプラズマ処理システム
WO2025150267A1 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
TW202503885A (zh) 蝕刻方法及電漿處理裝置
JP2023171269A (ja) エッチング方法及びプラズマ処理システム
WO2025234350A1 (ja) エッチング方法及びプラズマ処理装置
TW202520328A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
TW202425126A (zh) 蝕刻方法及電漿處理裝置
JP2024098961A (ja) エッチング方法及びプラズマ処理装置