TW202428394A - 用於偵測拋光中振動的渦電流監測的方法、電腦程式產品以及系統 - Google Patents

Abstract

使主體與拋光系統的拋光墊接觸，將拋光液供應到該拋光墊，在該主體接觸該拋光墊時產生在該主體與該拋光墊之間的相對運動，在該主體接觸該拋光墊時的該相對運動期間產生來自原位渦電流監測系統的信號，並且基於來自該原位渦電流監測系統的信號來偵測該拋光系統中的機械振動。

Description

用於偵測拋光中振動的渦電流監測的方法、電腦程式產品以及系統

本案內容涉及化學機械拋光，並且更具體地涉及在拋光期間的渦電流監測。

積體電路典型地藉由在矽晶片上順序地沉積導電層、半導體層或絕緣層來形成在基板上。各種製造製程要求平面化在基板上的層。例如，一個製造步驟涉及在非平面表面之上沉積填料層並且平面化該填料層。對於某些應用，平面化填料層，直到暴露圖案化層的頂表面。例如，可在圖案化絕緣層上沉積金屬層以填充該絕緣層中的溝槽和孔洞。在平面化之後，圖案化層的溝槽和孔洞中的金屬的剩餘部分形成過孔、插塞（plug）和線以提供在基板上的薄膜電路之間的導電路徑。

化學機械拋光（CMP）是平面化的一種可接受的方法。該平面化方法典型地要求將基板安裝在承載頭上。基板的暴露表面典型地抵靠旋轉拋光墊放置。承載頭在基板上提供可控制載荷以將該基板推靠在拋光墊上。典型地向拋光墊的表面供應具有研磨顆粒的拋光漿料。

在一些系統中，在拋光（例如，藉由拋光墊）期間原位監測基板。一種監測技術是在基板的導電層中感生渦電流並且在去除導電層時偵測渦電流的變化。

在方法、電腦程式產品或拋光系統的一個態樣中，在接觸拋光墊的主體的相對運動期間產生來自原位渦電流監測系統的信號，並且基於來自所述原位渦電流監測系統的信號來偵測所述拋光系統中的機械振動。

在另一態樣中，一種化學機械拋光的方法包括：使基板與拋光墊接觸；將拋光液供應到所述拋光墊；產生在所述基板與所述拋光墊之間的相對運動；在所述基板的拋光期間，使原位渦電流監測系統的感測器在跨過所述基板的路徑中掃掠；選擇來自所述原位渦電流監測系統的信號的與所述感測器的離開金屬位置相對應的部分，其中所述離開金屬位置至少排除在所述基板下方的位置；測量在所述信號的與所述感測器的所述離開金屬位置相對應的所選擇的部分中的雜訊；和將所測量的雜訊與閾值比較以決定是否產生警報。

在另一態樣中，一種在非暫時性電腦可讀取媒體上有形地編碼的電腦程式產品具有用於使一或多個電腦執行以下操作的指令：接收來自原位渦電流監測系統的信號，所述原位渦電流監測系統包括在拋光系統的承載頭下方掃掠的感測器；選擇所述信號的與所述感測器的離開金屬位置相對應的部分，其中所述離開金屬位置至少排除所述感測器的在所述承載頭下方的位置；測量在所述信號的與所述感測器的所述離開金屬位置相對應的所選擇的部分中的雜訊；和將所測量的雜訊與閾值比較以決定是否產生警報。

在另一態樣中，一種拋光系統包括：可旋轉壓板，所述可旋轉壓板用於保持拋光墊；承載頭，所述承載頭用於保持基板與所述拋光墊接觸；馬達，所述馬達用於旋轉所述壓板；原位渦電流監測系統，所述原位渦電流監測系統包括在所述壓板中的感測器位置，使得所述感測器隨著所述壓板的每次旋轉而在所述承載頭之間掃掠；和控制器。所述控制器被配置為接收來自所述原位渦電流監測系統的信號，選擇所述信號的與所述感測器的離開金屬位置相對應的部分，其中所述離開金屬位置至少排除所述感測器在所述承載頭下方的位置，測量所述信號的與所述感測器的所述離開金屬位置相對應的所選擇的部分中的雜訊，和將所測量的雜訊與閾值比較以決定是否產生警報。

實現方式可包括以下特徵中的一者或多者。控制器可被配置為向操作員產生視覺或聽覺警報。主體可以是用於積體電路製造的基板、承載頭的保持環或調節器盤。

實現方式可包括以下優點中的一者或多者。可偵測拋光系統中的振動的開始，並且可產生警報以停止拋光或採取校正動作。可減少或避免對保持環的內表面的損壞，例如內徑開槽。可減少邊緣過拋光，由此提高成品率。可篩選拋光製程和硬體以確保它們不提供此振動。偵測可用現有硬體實現，例如現有的渦電流監測系統，由此實現低成本解決方案。

附圖和以下描述中闡述一或多個實現方式的細節。其他態樣、特徵和優點將從描述和附圖中並且從申請專利範圍而清楚易見。

化學機械拋光中可能出現的一個問題是拋光不均勻，例如基板邊緣（通常被認為是基板的外部5-10 mm）的過拋光。對保持環的內直徑表面的損壞（例如，在內直徑表面上形成的劃痕或溝槽）可能與不均勻拋光的一些情況有關。不受限於理論，假設某些拋光條件導致拋光墊與基板及/或保持環之間的高摩擦和靜態阻力（stiction）。理論上，此高摩擦導致基板及/或保持環在越過拋光墊時發生黏滑運動（slip-stick motion）（而不是相對均勻的運動）。特別是，假設黏滑運動導致基板相對於保持環的振動，這可能導致基板邊緣鑿入保持環的內表面中並且損壞保持環的內表面，從而留下劃痕或溝槽。環的不均勻內表面進而導致不均勻拋光，例如，在基板邊緣處的過拋光。

仍然不受理論的限制，此黏滑效應可能更可能發生在「激進（aggressive）」拋光操作中，例如低漿料流率、高溫和高壓的組合。對於用於平面化某些材料的拋光或為了實現高拋光速率，可能需要此類激進拋光。在某些情況下，可在沒有相關聯的保持環損壞和不均勻拋光的情況下進行激進拋光。然而，在正常地拋光多個基板後，不均勻拋光可迅速發展。再次假設，在激進拋光操作中，即使溫度、漿料分佈等的微小轉變也可能足以引發黏滑效應的開始。不幸地，對於許多監測技術（例如，馬達扭矩監測）來說，此黏滑效應不是立即顯現。此外，由於其他變數（例如，墊粗糙度、漿料黏度等）的組合和作用，可能無法指定某些參數（諸如壓板（platen）馬達扭矩、承載頭扭矩或墊溫度）作為出現黏滑效應的邊界。

然而，黏滑效應確實造成振動能量傳輸到拋光系統中。特別是，渦電流監測系統可用於偵測拋光系統中的例如由黏滑效應引起的機械振動。這允許產生警報或修改指令引數以避免對保持環的損壞。

圖1和圖2圖示化學機械拋光系統的拋光站20的示例。拋光站20包括可旋轉的、盤形的壓板24，拋光墊30安置在該可旋轉盤形壓板上。壓板24能操作以圍繞中心軸線25旋轉。例如，馬達22可轉動驅動軸28以將壓板24旋轉。拋光墊30可以是具有外拋光層34和較軟的背層（backing layer）32的兩層式拋光墊。

拋光站20可包括供應埠或組合式供應-清洗臂39以將拋光液38（諸如研磨漿料）分配到拋光墊30上。拋光站20可包括墊調節器設備，諸如具有調節盤42的調節器頭40，以維持拋光墊的表面粗糙度。

承載頭70能操作以將基板10抵靠拋光墊30而保持。承載頭70自支撐結構72（例如，轉盤（carousel）或軌道）懸掛，並且由驅動軸74連接到承載頭旋轉馬達76，使得承載頭可圍繞中心軸線71旋轉。可選地，承載頭70可藉由沿軌道的移動或藉由轉盤本身的旋轉振盪而側向地（laterally）振盪，例如在轉盤上的滑動器（slider）上側向地振盪。

承載頭70可包括保持環84以保持基板。在一些實現方式中，保持環84可包括高導電部分，例如，保持環可包括接觸拋光墊的薄的下塑膠部分86、和厚的上導電部分88。在一些實現方式中，高導電部分是金屬，例如，與要拋光的層相同的金屬，例如銅。

在操作中，壓板圍繞壓板的中心軸線25旋轉，並且承載頭圍繞承載頭的中心軸線71旋轉並且跨拋光墊30的頂表面而側向地平移。承載頭70可包括具有基板安裝表面以接觸基板10的背側的撓性隔膜（membrane）80，和將不同壓力施加到基板10上的不同區（例如，不同徑向區）的複數個可加壓腔室82。承載頭還可包括保持環84以保持基板。

拋光系統還包括渦電流監測系統100，該渦電流監測系統可耦接到控制器90或被認為包括控制器90。旋轉耦接件29可用於將在可旋轉的壓板24中的部件（例如，原位監測系統的感測器）電連接到在壓板外部的部件（例如，驅動和感測電路或控制器90）。

原位渦電流監測系統100被配置為產生取決於在基板上的導電材料（例如，金屬，諸如銅）的層的深度的信號。在操作中，拋光系統可使用原位監測系統100來決定導電層何時已經達到目標厚度（例如溝槽中的金屬的目標深度或覆蓋介電層的金屬層的目標厚度），並且然後停止拋光。替代地或另外地，拋光系統可使用原位監測系統100來決定跨基板10的導電材料16的厚度差異，並且使用該資訊來調整在拋光期間承載頭70中的一或多個腔室82中的壓力，以便降低拋光不均勻性。

凹陷部26可形成在壓板24中，並且可選地，薄區段36可形成在覆蓋凹陷部26的拋光墊30中。凹陷部26和薄區段36可被定位成使得無論承載頭的平移位置如何，凹陷部26和薄區段36在壓板旋轉的一部分期間都經過基板10下方。假設拋光墊30是兩層式墊，薄區段36可藉由去除背層32的一部分並且可選地藉由在外拋光層34的底部中形成凹陷部來構造。例如，如果原位光學監測系統被整合到壓板24中，則薄區段可以可選地是光學透射的。

原位監測系統100可包括安裝在凹陷部26中的感測器102。感測器102可包括至少部分地定位在凹陷部26中的磁芯（magnetic core）104，和纏繞芯104的一部分的至少一個線圈106。驅動和感測電路108電連接到線圈106。驅動和感測電路108產生可發送到控制器90的信號。儘管被圖示為在壓板24外部，但是驅動和感測電路108中的一些或全部可安裝在壓板24中。

參考圖1和圖3，驅動和感測電路108向線圈106施加AC電流，該AC電流在芯104的兩個極152a和152b之間產生磁場150。在操作中，當基板10間歇地覆蓋感測器102時，磁場150的一部分延伸到基板10中。

電路108可包括與線圈106並聯連接的電容器。線圈106和電容器可一起形成LC諧振迴路（LC resonant tank）。

如果期望監測在基板上的導電層的厚度，則當磁場150到達導電層時，磁場150可穿過在基板上的層並且在該基板上的層中產生渦電流。這修改LC電路的有效阻抗。

驅動和感測電路108可包括耦接到組合式驅動/感測線圈106的邊緣振盪器（marginal oscillator），並且輸出信號可以是將正弦振盪的峰-峰幅度維持在恆定值所需的電流，例如，如在美國專利第7,112,960號中所述。驅動和感測電路108的其他配置也是可能的。例如，可將單獨的驅動線圈和感測線圈纏繞在芯上。驅動和感測電路108可以固定頻率施加電流，並且來自驅動和感測電路108的信號可以是感測線圈中的電流相對於驅動線圈的相位移，或者所感測的電流的幅度，例如，如美國專利第6,975,107號中所述。

參考圖2，隨著壓板24旋轉，感測器102掃掠基板10下方。藉由以特定頻率對來自電路108的信號進行取樣，電路108在跨基板10的一系列取樣區94處產生測量結果。對於每次掃掠，可選擇或組合在一或多個取樣區94處的測量結果。因此，經過多次掃掠，選擇或組合的測量結果提供時間變化的值序列。

拋光站20還可包括位置感測器96，諸如光中斷器，以感測感測器102何時在基板10下方和感測器102何時離開基板。例如，位置感測器96可安裝在與承載頭70相對的固定位置處。標誌98可附接到壓板24的周邊。選擇標誌98的附接點和長度，使得當感測器102在基板10下方掃掠時該標誌可向位置感測器96發信號。替代地或另外地，拋光站20可包括編碼器以決定壓板24的角位置。

參考圖1，控制器90（例如通用可程式設計數位電腦）接收來自原位監測系統100的感測器102的信號。由於感測器102隨著壓板24的每次旋轉而在基板10下方掃掠，關於導電層（例如，溝槽中的體層（bulk layer）或導電材料）的深度的資訊原位累積（每壓板旋轉累積一次）。控制器90可被程式設計為在基板10大致覆蓋感測器102時從原位監測系統100取樣測量結果。

此外，控制器90可被程式設計以計算每次測量的徑向位置，並且將測量分類到徑向範圍中。藉由將測量安排到徑向範圍中，關於每個徑向範圍的導電膜厚度的資料可被饋送到控制器（例如，控制器90）中，以調整由承載頭施加的拋光壓力分佈。控制器90還可被程式設計為將終點偵測邏輯應用於由原位監測系統100信號產生的測量結果序列並且偵測拋光終點。

由於感測器102隨著壓板24的每次旋轉而在基板10下方掃掠，關於導電層厚度的資訊原位且在連續即時的基礎上累積。在拋光期間，來自感測器102的測量結果可顯示在輸出裝置上，以准許拋光站的操作員視覺地監測拋光操作的進展，雖然這不是所要求的。

圖4A圖示在沒有非預期的機械振動的「正常」操作期間由渦電流監測系統100輸出的信號200隨時間而變的曲線圖。信號200中的峰202對應於當感測器在基板10下方經過時進行的測量；磁場與在基板上的金屬層及/或承載頭的金屬部分的相互作用造成信號強度的增加。由於感測器越過具有不同特徵密度、不同金屬深度等的各個區域，峰202具有一定量的「雜訊」，這造成信號強度的變化。

相比之下，信號200中的谷204對應於當感測器「離開基板（off-substrate）」、即不在基板下方時進行的測量。如曲線圖的擴展部分210中所示，在谷204中，信號大致是平坦的，並且雜訊低。在沒有基板上的金屬層及/或承載頭的金屬部分來與磁場相互作用的情況下，信號大致處於最小值。

在峰202的基部處的「臺階」206可對應於當感測器在保持環下方經過時進行的測量。

圖4B圖示由渦電流監測系統100輸出的信號200’在拋光製程期間隨時間變化的曲線圖，在拋光製程期間，例如由於黏滑效應而形成振動。同樣，信號200’中的峰202對應於當感測器在基板10下方經過時進行的測量。對於某些製程，振動可能不立即發生。因此，初始的谷204a可以是大致平坦的，並且具有低雜訊。然而，當拋光系統中發生振動時，振動可在一些後續的谷204b中表現為雜訊。振動可能由於拋光環境的變化而發生，例如在拋光墊中累積的熱或漿料隨時間的分配變化。由於在谷204b期間在感測器之上實際上沒有金屬，在谷204b中出現雜訊是非預期的。再次不受任何特定理論限制，假設振動能量被傳輸到感測器102中，從而引起感測器102相對於壓板24（見圖1）振動，使得元件從元件的校準條件偏離，從而引起信號波動。

返回圖1，控制器90可被配置為偵測信號的對應於感測器102位於預期沒有來自在拋光墊上方的金屬的信號的地方（即，不是在承載頭70（包括基板10和保持環84）下方）或在拋光系統的位於拋光墊附近和上方的可能引發信號的其他金屬部件下方（例如，不在金屬調節頭40或調節盤42下方）的部分中的雜訊增加或存在超過閾值量的雜訊。預期沒有來自金屬的信號的感測器102的位置可稱為「離開金屬（off-metal）」位置。

控制器90可基於來自位置感測器96的資料而選擇信號的對應於感測器102的離開金屬位置的部分。例如，可排除信號的對應於標誌98的部分。可針對調節器頭40及/或位於拋光墊上方的其他金屬部件呈現附加標誌，並且也可排除信號的對應於這些標誌的部分，使得信號的剩餘部分對應於「離開金屬」位置。替代地或另外地，控制器可基於來自編碼器的角位置資料進行選擇，例如藉由將來自編碼器的角位置與指示應當包括或排除哪個角位置的一組閾值（例如，來自查閱資料表）比較。替代地或另外地，控制器可基於信號200的信號處理來進行選擇，以偵測隨後被排除的峰202（見圖4A-圖4B）。

一旦選擇信號的對應於離開金屬位置的部分，例如選擇谷204a、204b，就可測量每個部分中的「雜訊」。通常，每個谷204可產生一個雜訊測量結果。可使用各種技術來測量信號的離開金屬部分的雜訊，諸如標準差、最小-最大差或總跡線長度。總跡線長度是簡單計算，對雜訊敏感，並且大致不受基板信號的影響。作為另一種可能性，可對信號200進行傅裡葉變換以將信號轉換成頻譜（波長或波數頻譜將是等效的），並且可測量在頻譜的預選部分中的功率（例如，在1-4kHz）。這些技術中的任意技術產生指示信號的離開金屬部分中的雜訊的測量值。

然後控制器90可將測量值與所儲存的閾值進行比較。如果雜訊超過閾值，控制器90可產生警報信號。這可以是對操作員的視覺或聽覺信號，以便操作員可決定停止拋光。替代地，警報信號可使控制器90自動地停止拋光製程。在任何一種情況下，操作員都可採取校正動作，例如調整拋光控制參數（例如，漿料流率、承載頭壓力或熱或冷卻劑輸送），或更換零件（例如，更換保持環），以防止在後續基板中進行不均勻拋光。

儘管以上討論集中在拋光操作期間機械振動的偵測，但是也可使用此技術來篩選製程和硬體，例如在拋光系統或拋光配方的「鑒定」期間。例如，拋光系統可在沒有存在於承載頭中的基板或在具有「空白」基板（而不是旨在用於生產積體電路的裝置基板）的情況下操作。如果偵測到機械振動，則認為拋光系統或拋光配方不合格。

圖5是用於監測機械振動的方法500的流程圖。假設期望對基板進行拋光（與沒有基板的篩選操作相反），將基板放置在承載頭中並且使基板與拋光墊的拋光表面接觸（步驟502）。即使沒有基板，承載頭的保持環也將接觸拋光墊。將拋光液（例如，漿料）供應到拋光墊步驟（步驟504），並且產生在承載頭與拋光墊之間的相對運動（步驟506），例如旋轉壓板。在此情況發生時，用原位渦電流監測系統來監測系統（步驟508）以產生信號，例如一系列信號值。對於拋光操作，可使用信號的與感測器在基板下方相對應的部分來偵測在基板上的金屬層的厚度並且偵測拋光終點。獨立地，選擇信號的與感測器在「離開金屬」位置相對應的部分（步驟510）。測量信號的這些「離開金屬」部分中的雜訊，並且將雜訊與閾值比較（步驟512）。如果所測量的雜訊超過所儲存的閾值，則可產生警報（步驟514）。

上述拋光設備和方法可應用於各種拋光系統中。只要存在感測器在「離開金屬」位置的時間段，拋光墊或承載頭或這兩者可移動以提供在拋光表面與基板之間的相對運動。例如，壓板可圍繞軌道運行（orbit）而不是旋轉。拋光墊可以是固定到壓板的圓形（或一些其他形狀）的墊。拋光層可以是標準（例如，有或無填料的聚氨酯）拋光材料、軟材料或固定研磨材料。相對定位的術語用於指系統內而不是相對於重力的相對定位；應當理解，拋光表面和基板可在拋光操作期間保持在豎直取向或一些其他取向上。

儘管以上討論集中在分析信號的「離開金屬」部分，但是也可使用信號的「金屬上」部分來偵測機械振動。一般而言，由機械振動引起的信號變化將發生在與由基板（例如，由圖案化金屬）引起的變化不同的頻率上。因此，可對信號濾波，例如藉由高通濾波器或帶通濾波器，並且可分析所濾波的信號以決定是否產生警報。可憑經驗決定濾波器的特定頻率範圍。然後，可將所濾波的信號中的雜訊與閾值比較以決定是否產生警報。

控制器90的功能操作可使用一或多個電腦程式產品（即，有形地體現在非暫時性電腦可讀取儲存媒體中的一或多個電腦程式）來實現，以便由資料處理設備（例如，可程式設計處理器、電腦、或多個處理器或電腦）執行或用於控制所述資料處理設備的操作。

已描述了本發明的多個實施方式。然而，將理解，可在不脫離本發明的精神和範圍的情況下做出各種修改。相應地，其他實施方式在所附申請專利範圍的範圍內。

10:基板 16:導電材料 20:拋光站 22:馬達 24:壓板 25:中心軸線 26:凹陷部 28:驅動軸 29:旋轉耦接件 30:拋光墊 32:背層 34:外拋光層 36:薄區段 38:拋光液 39:組合式供應-清洗臂 40:調節頭 42:調節盤 70:承載頭 71:中心軸線 72:支撐結構 74:驅動軸 76:承載頭旋轉馬達 80:撓性隔膜 82:腔室 84:保持環 86:下塑膠部分 88:上導電部分 90:控制器 94:取樣區 96:位置感測器 98:標誌 100:渦電流監測系統 102:感測器 104:磁芯 106:線圈 108:驅動和感測電路 150:磁場 152a:極 152b:極 200:信號 200':信號 202:峰 204:谷 204a:谷 204b:谷 206:臺階 210:擴展部分 500:方法 502:步驟 504:步驟 506:步驟 508:步驟 510:步驟 512:步驟 514:步驟

圖1圖示包括渦電流監測系統的拋光站的示例的示意性橫截面圖。

圖2圖示示例化學機械拋光站的示意性俯視圖，該示意性俯視圖示出感測器跨基板掃瞄的路徑。

圖3是圖示由渦電流監測系統的感測器產生的示例磁場的示意性橫截面圖。

圖4A是來自渦電流監測系統的信號的示意圖。

圖4B是當在拋光系統中發生振動時來自渦電流監測系統的信號的示意圖。

圖5是用於監測導電層厚度的方法的流程圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

200':信號

202:峰

204a:谷

204b:谷

210:擴展部分

Claims (16)

1. 一種拋光系統，包括： 一可旋轉壓板，該可旋轉壓板用於固定一拋光墊； 一承載頭，該承載頭用於固定一基板而使其與該拋光墊接觸； 一馬達，該馬達旋轉該壓板； 一原位渦電流監測系統，其包括位於該壓板中的一感測器位置，使得該感測器隨著該壓板的每次旋轉而沿著該承載頭下方的一路徑掃掠，該感測器產生一信號，該信號包括一序列的信號值；和 一控制器，該控制器被配置為 選擇該信號的一部分，該信號的該部分對應於該基板下方的若干位置， 由該信號的所選擇的部分的該等信號值，決定沿路徑的多個位置中的每一者的該基板上的一導電層一的一厚度， 測量該信號的所選擇的部分中的雜訊以偵測機器振動，並 將所測量的雜訊與一閾值進行比較以決定是否產生一警報。
2. 如請求項1之系統，其中該控制器被配置為對來自該原位渦電流監測系統的該信號進行濾波，以從該基板去除聲信號以產生一經濾波信號，且該控制器被配置為從該經濾波信號的所選擇的部分決定該導電層的該厚度。
3. 如請求項2之系統，其中該控制器被配置為對該信號施加一高通濾波器。
4. 如請求項1之系統，其中該控制器被配置成產生一聽覺警報或一視覺警報以回應於經測量的雜訊，該經測量的雜訊超過該閾值。
5. 如請求項4之系統，其中該控制器被配置為停止拋光以回應於該警報。
6. 如請求項1之系統，其中該控制器被配置成透過計算該信號的一標準偏差、最小-最大差或總跡線長度中的一或更多項來測量該信號的所選擇的部分中的雜訊。
7. 如請求項1之系統，其中該控制器被配置為透過對該信號的所選擇的部分執行一傅裡葉變換來測量該信號的所選擇的部分中的雜訊，並計算一頻率範圍內的該信號的一功率。
8. 如請求項1之系統，其中該系統被配置為透過偵測該感測器在該基板下方的每次掃描以及每次掃掠產生的一雜訊值來測量雜訊。
9. 一種在一非暫時性電腦可讀媒體上經有形地編碼的電腦程式產品，其包括使一或更多個電腦執行以下操作的指令： 接收來自一原位渦電流監測系統的一信號，該系統包括一感測器，該感測器在一拋光系統的一承載頭下方掃掠； 選擇該信號的一部分，該信號的該部分對應於該基板下方的若干位置， 由該信號的所選擇的部分中的信號值，決定沿路徑的多個位置中的每一者的該基板上的一導電層一的厚度， 測量該信號的所選擇的部分中的雜訊以偵測機器振動，並 將所測量的雜訊與一閾值進行比較以決定是否產生一警報。
10. 如請求項9之電腦程式產品，包含若干指令，該指令用於對來自該原位渦電流監測系統的該信號進行濾波，以從該基板去除聲信號以產生一經濾波信號，且該指令用於從該經濾波信號的所選擇的部分決定該導電層的該厚度。
11. 如請求項10之電腦程式產品，其中用於對該信號進行濾波的該指令包含對該信號施加一高通濾波器的指令。
12. 如請求項9之電腦程式產品，包含用於產生一聽覺警報或一視覺警報以回應於超過該閾值的經測量的雜訊的指令。
13. 如請求項12之電腦程式產品，包含用於停止拋光以回應於該警報的指令。
14. 如請求項9之電腦程式產品，其中用於測量在該信號的所選擇的部分中的雜訊的該等指令包括用於計算該信號的一標準差、最小-最大差或總跡線長度中的一者或多者的指令。
15. 如請求項9之電腦程式產品，其中用於測量在該信號的所選擇的部分中的雜訊的該等指令包括用於對該信號的所選擇的部分執行一傅裡葉變換和用於計算在一頻率範圍內該信號的一功率的指令。
16. 如請求項9之電腦程式產品，其中用於測量雜訊的該等指令包括用於偵測該感測器在一基板下方的每次掃掠和用於針對每次掃掠產生一雜訊值的指令。