CN116773007A - 用于检测抛光中振动的涡电流监测 - Google Patents
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Abstract
使主体与抛光系统的抛光垫接触,将抛光液供应到所述抛光垫,在所述主体接触所述抛光垫时产生在所述主体与所述抛光垫之间的相对运动,在所述主体接触所述抛光垫时的所述相对运动期间生成来自原位涡电流监测系统的信号,并且基于来自所述原位涡电流监测系统的信号来检测所述抛光系统中的机械振动。
Description
技术领域
本公开内容涉及化学机械抛光,并且更具体地涉及在抛光期间的涡电流监测。
背景技术
集成电路典型地通过在硅晶片上顺序地沉积导电层、半导体层或绝缘层来形成在基板上。各种制造工艺要求平面化在基板上的层。例如,一个制造步骤涉及在非平面表面之上沉积填料层并且平面化该填料层。对于某些应用,平面化填料层,直到暴露图案化层的顶表面。例如,可在图案化绝缘层上沉积金属层以填充该绝缘层中的沟槽和孔洞。在平面化之后,图案化层的沟槽和孔洞中的金属的剩余部分形成过孔、插塞(plug)和线以提供在基板上的薄膜电路之间的导电路径。
化学机械抛光(CMP)是平面化的一种可接受的方法。该平面化方法典型地要求将基板安装在承载头上。基板的暴露表面典型地抵靠旋转抛光垫放置。承载头在基板上提供可控制载荷以将该基板推靠在抛光垫上。典型地向抛光垫的表面供应具有研磨颗粒的抛光浆料。
在一些系统中,在抛光(例如,通过抛光垫)期间原位监测基板。一种监测技术是在基板的导电层中感生涡电流并且在去除导电层时检测涡电流的变化。
发明内容
在方法、计算机程序产品或抛光系统的一个方面中,在接触抛光垫的主体的相对运动期间生成来自原位涡电流监测系统的信号,并且基于来自所述原位涡电流监测系统的信号来检测所述抛光系统中的机械振动。
在另一方面中,一种化学机械抛光的方法包括:使基板与抛光垫接触;将抛光液供应到所述抛光垫;产生在所述基板与所述抛光垫之间的相对运动;在所述基板的抛光期间,使原位涡电流监测系统的传感器在跨过所述基板的路径中扫掠;选择来自所述原位涡电流监测系统的信号的与所述传感器的离开金属位置相对应的部分,其中所述离开金属位置至少排除在所述基板下方的位置;测量在所述信号的与所述传感器的所述离开金属位置相对应的所选择的部分中的噪声;和将所测量的噪声与阈值比较以确定是否生成警报。
在另一方面中,一种在非暂时性计算机可读介质上有形地编码的计算机程序产品具有用于使一个或多个计算机执行以下操作的指令:接收来自原位涡电流监测系统的信号,所述原位涡电流监测系统包括在抛光系统的承载头下方扫掠的传感器;选择所述信号的与所述传感器的离开金属位置相对应的部分,其中所述离开金属位置至少排除所述传感器的在所述承载头下方的位置;测量在所述信号的与所述传感器的所述离开金属位置相对应的所选择的部分中的噪声;和将所测量的噪声与阈值比较以确定是否生成警报。
在另一方面中,一种抛光系统包括:可旋转压板,所述可旋转压板用于保持抛光垫;承载头,所述承载头用于保持基板与所述抛光垫接触;马达,所述马达用于旋转所述压板;原位涡电流监测系统,所述原位涡电流监测系统包括在所述压板中的传感器位置,使得所述传感器随着所述压板的每次旋转而在所述承载头之间扫掠;和控制器。所述控制器被配置为接收来自所述原位涡电流监测系统的信号,选择所述信号的与所述传感器的离开金属位置相对应的部分,其中所述离开金属位置至少排除所述传感器在所述承载头下方的位置,测量所述信号的与所述传感器的所述离开金属位置相对应的所选择的部分中的噪声,和将所测量的噪声与阈值比较以确定是否生成警报。
实现方式可包括以下特征中的一者或多者。控制器可被配置为向操作员生成视觉或听觉警报。主体可以是用于集成电路制造的基板、承载头的保持环或调节器盘。
实现方式可包括以下优点中的一者或多者。可检测抛光系统中的振动的开始,并且可生成警报以停止抛光或采取校正动作。可减少或避免对保持环的内表面的损坏,例如内径开槽。可减少边缘过抛光,由此提高成品率。可筛选抛光工艺和硬件以确保它们不提供此振动。检测可用现有硬件实现,例如现有的涡电流监测系统,由此实现低成本解决方案。
附图和以下描述中阐述一个或多个实现方式的细节。其他方面、特征和优点将从描述和附图中并且从权利要求书而清楚易见。
附图说明
图1图示包括涡电流监测系统的抛光站的示例的示意性横截面图。
图2图示示例化学机械抛光站的示意性俯视图,该示意性俯视图示出传感器跨基板扫描的路径。
图3是图示由涡电流监测系统的传感器产生的示例磁场的示意性横截面图。
图4A是来自涡电流监测系统的信号的示意图。
图4B是当在抛光系统中发生振动时来自涡电流监测系统的信号的示意图。
图5是用于监测导电层厚度的方法的流程图。
具体实施方式
化学机械抛光中可能出现的一个问题是抛光不均匀,例如基板边缘(通常被认为是基板的外部5-10mm)的过抛光。对保持环的内直径表面的损坏(例如,在内直径表面上形成的划痕或沟槽)可能与不均匀抛光的一些情况有关。不受限于理论,假设某些抛光条件导致抛光垫与基板和/或保持环之间的高摩擦和静态阻力(stiction)。理论上,此高摩擦导致基板和/或保持环在越过抛光垫时发生粘滑运动(slip-stick motion)(而不是相对均匀的运动)。特别是,假设粘滑运动导致基板相对于保持环的振动,这可能导致基板边缘凿入保持环的内表面中并且损坏保持环的内表面,从而留下划痕或沟槽。环的不均匀内表面进而导致不均匀抛光,例如,在基板边缘处的过抛光。
仍然不受理论的限制,此粘滑效应可能更可能发生在“激进(aggressive)”抛光操作中,例如低浆料流率、高温和高压的组合。对于用于平面化某些材料的抛光或为了实现高抛光速率,可能需要这样的激进抛光。在某些情况下,可在没有相关联的保持环损坏和不均匀抛光的情况下进行激进抛光。然而,在正常地抛光多个基板后,不均匀抛光可迅速发展。再次假设,在激进抛光操作中,即使温度、浆料分布等的微小转变也可能足以引发粘滑效应的开始。不幸地,对于许多监测技术(例如,马达扭矩监测)来说,此粘滑效应不是立即显现。此外,由于其他变量(例如,垫粗糙度、浆料粘度等)的组合和作用,可能无法指定某些参数(诸如压板(platen)马达扭矩、承载头扭矩或垫温度)作为出现粘滑效应的边界。
然而,粘滑效应确实造成振动能量传输到抛光系统中。特别是,涡电流监测系统可用于检测抛光系统中的例如由粘滑效应引起的机械振动。这允许生成警报或修改操作参数以避免对保持环的损坏。
图1和图2图示化学机械抛光系统的抛光站20的示例。抛光站20包括可旋转盘形压板24,抛光垫30安置在该可旋转盘形压板上。压板24能操作以围绕轴线25旋转。例如,马达22可转动驱动轴28以旋转压板24。抛光垫30可以是具有外抛光层34和较软的背层(backinglayer)32的两层式抛光垫。
抛光站20可包括供应端口或组合式供应-清洗臂39以将抛光液38(诸如研磨浆料)分配到抛光垫30上。抛光站20可包括垫调节器设备,诸如具有调节盘42的调节器头40,以维持抛光垫的表面粗糙度。
承载头70能操作以将基板10抵靠抛光垫30而保持。承载头70自支撑结构72(例如,转盘(carousel)或轨道)悬挂,并且由驱动轴74连接到承载头旋转马达76,使得承载头可围绕轴线71旋转。可选地,承载头70可通过沿轨道的移动或通过转盘本身的旋转振荡而侧向地(laterally)振荡,例如在转盘上的滑动器(slider)上侧向地振荡。
承载头70可包括保持环84以保持基板。在一些实现方式中,保持环84可包括高导电部分,例如,保持环可包括接触抛光垫的薄的下塑料部分86、和厚的上导电部分88。在一些实现方式中,高导电部分是金属,例如,与要抛光的层相同的金属,例如铜。
在操作中,压板围绕压板的中心轴线25旋转,并且承载头围绕承载头的中心轴线71旋转并且跨抛光垫30的顶表面而侧向地平移。承载头70可包括具有基板安装表面以接触基板10的背侧的柔性隔膜(membrane)80,和将不同压力施加到基板10上的不同区(例如,不同径向区)的多个可加压腔室82。承载头还可包括保持环84以保持基板。
抛光系统还包括涡电流监测系统100,该涡电流监测系统可耦接到控制器90或被认为包括控制器90。旋转耦接件29可用于将在可旋转压板24中的部件(例如,原位监测系统的传感器)电连接到在压板外部的部件(例如,驱动和感测电路或控制器90)。
原位涡电流监测系统100被配置为生成取决于在基板上的导电材料(例如,金属,诸如铜)的层的深度的信号。在操作中,抛光系统可使用原位监测系统100来确定导电层何时已经达到目标厚度(例如沟槽中的金属的目标深度或覆盖介电层的金属层的目标厚度),并且然后停止抛光。替代地或另外地,抛光系统可使用原位监测系统100来确定跨基板10的导电材料16的厚度差异,并且使用该信息来调整在抛光期间承载头70中的一个或多个腔室82中的压力,以便降低抛光不均匀性。
凹陷部26可形成在压板24中,并且可选地,薄区段36可形成在覆盖凹陷部26的抛光垫30中。凹陷部26和薄区段36可被定位成使得无论承载头的平移位置如何,凹陷部26和薄区段36在压板旋转的一部分期间都经过基板10下方。假设抛光垫30是两层式垫,薄区段36可通过去除背层32的一部分并且可选地通过在抛光层34的底部中形成凹陷部来构造。例如,如果原位光学监测系统被整合到压板24中,则薄区段可以可选地是光学透射的。
原位监测系统100可包括安装在凹陷部26中的传感器102。传感器102可包括至少部分地定位在凹陷部26中的磁芯(magnetic core)104,和缠绕芯104的一部分的至少一个线圈106。驱动和感测电路108电连接到线圈106。驱动和感测电路108生成可发送到控制器90的信号。尽管被图示为在压板24外部,但是驱动和感测电路108中的一些或全部可安装在压板24中。
参考图1和图3,驱动和感测电路108向线圈106施加AC电流,该AC电流在芯104的两个极152a和152b之间产生磁场150。在操作中,当基板10间歇地覆盖传感器102时,磁场150的一部分延伸到基板10中。
电路108可包括与线圈106并联连接的电容器。线圈106和电容器可一起形成LC谐振回路(LC resonant tank)。
如果期望监测在基板上的导电层的厚度,则当磁场150到达导电层时,磁场150可穿过在基板上的层并且在该基板上的层中产生涡电流。这修改LC电路的有效阻抗。
驱动和感测电路108可包括耦接到组合式驱动/感测线圈106的边缘振荡器(marginal oscillator),并且输出信号可以是将正弦振荡的峰-峰幅度维持在恒定值所需的电流,例如,如在美国专利第7,112,960号中所述。驱动和感测电路108的其他配置也是可能的。例如,可将单独的驱动线圈和感测线圈缠绕在芯上。驱动和感测电路108可以固定频率施加电流,并且来自驱动和感测电路108的信号可以是感测线圈中的电流相对于驱动线圈的相位移,或者所感测的电流的幅度,例如,如美国专利第6,975,107号中所述。
参考图2,随着压板24旋转,传感器102扫掠基板10下方。通过以特定频率对来自电路108的信号进行采样,电路108在跨基板10的一系列采样区94处产生测量结果。对于每次扫掠,可选择或组合在一个或多个采样区94处的测量结果。因此,经过多次扫掠,选择或组合的测量结果提供时间变化的值序列。
抛光站20还可包括位置传感器96,诸如光中断器,以感测传感器102何时在基板10下方和传感器102何时离开基板。例如,位置传感器96可安装在与承载头70相对的固定位置处。标志98可附接到压板24的周边。选择标志98的附接点和长度,使得当传感器102在基板10下方扫掠时该标志可向位置传感器96发信号。替代地或另外地,抛光站20可包括编码器以确定压板24的角位置。
参考图1,控制器90(例如通用可编程数字计算机)接收来自原位监测系统100的传感器102的信号。由于传感器102随着压板24的每次旋转而在基板10下方扫掠,关于导电层(例如,沟槽中的体层(bulk layer)或导电材料)的深度的信息原位累积(每压板旋转累积一次)。控制器90可被编程为在基板10大致覆盖传感器102时从原位监测系统100采样测量结果。
此外,控制器90可被编程以计算每次测量的径向位置,并且将测量分类到径向范围中。通过将测量安排到径向范围中,关于每个径向范围的导电膜厚度的数据可被馈送到控制器(例如,控制器90)中,以调整由承载头施加的抛光压力分布。控制器90还可被编程为将终点检测逻辑应用于由原位监测系统100信号生成的测量结果序列并且检测抛光终点。
由于传感器102随着压板24的每次旋转而在基板10下方扫掠,关于导电层厚度的信息原位且在连续实时的基础上累积。在抛光期间,来自传感器102的测量结果可显示在输出装置上,以准许抛光站的操作员视觉地监测抛光操作的进展,虽然这不是所要求的。
图4A图示在没有非预期的机械振动的“正常”操作期间由涡电流监测系统100输出的信号200随时间而变的曲线图。信号200中的峰202对应于当传感器在基板10下方经过时进行的测量;磁场与在基板上的金属层和/或承载头的金属部分的相互作用造成信号强度的增加。由于传感器越过具有不同特征密度、不同金属深度等的各个区域,峰202具有一定量的“噪声”,这造成信号强度的变化。
相比之下,信号200中的谷204对应于当传感器“离开基板(off-substrate)”、即不在基板下方时进行的测量。如曲线图的扩展部分210中所示,在谷204中,信号大致是平坦的,并且噪声低。在没有基板上的金属层和/或承载头的金属部分来与磁场相互作用的情况下,信号大致处于最小值。
在峰202的基部处的“台阶”206可对应于当传感器在保持环下方经过时进行的测量。
图4B图示由涡电流监测系统100输出的信号200’在抛光工艺期间随时间变化的曲线图,在抛光工艺期间,例如由于粘滑效应而形成振动。同样,信号200’中的峰202对应于当传感器在基板10下方经过时进行的测量。对于某些工艺,振动可能不立即发生。因此,初始的谷204a可以是大致平坦的,并且具有低噪声。然而,当抛光系统中发生振动时,振动可在一些后续的谷204b中表现为噪声。振动可能由于抛光环境的变化而发生,例如在抛光垫中累积的热或浆料随时间的分配变化。由于在谷204b期间在传感器之上实际上没有金属,在谷204b中出现噪声是非预期的。再次不受任何特定理论限制,假设振动能量被传输到传感器102中,从而引起传感器120相对于压板24(见图1)振动,使得组件从组件的校准条件偏离,从而引起信号波动。
返回图1,控制器90可被配置为检测信号的对应于传感器102位于预期没有来自在抛光垫上方的金属的信号的地方(即,不是在承载头70(包括基板10和保持环84)下方)或在抛光系统的位于抛光垫附近和上方的可能引发信号的其他金属部件下方(例如,不在金属调节头40或调节盘42下方))的部分中的噪声增加或存在超过阈值量的噪声。预期没有来自金属的信号的传感器102的位置可称为“离开金属(off-metal)”位置。
控制器90可基于来自位置传感器96的数据而选择信号的对应于传感器102的离开金属位置的部分。例如,可排除信号的对应于标志98的部分。可针对调节器头40和/或位于抛光垫上方的其他金属部件呈现附加标志,并且也可排除信号的对应于这些标志的部分,使得信号的剩余部分对应于“离开金属”位置。替代地或另外地,控制器可基于来自编码器的角位置数据进行选择,例如通过将来自编码器的角位置与指示应当包括或排除哪个角位置的一组阈值(例如,来自查找表)比较。替代地或另外地,控制器可基于信号200的信号处理来进行选择,以检测随后被排除的峰202(见图4A-图4B)。
一旦选择信号的对应于离开金属位置的部分,例如选择谷204a、204b,就可测量每个部分中的“噪声”。通常,每个谷204可生成一个噪声测量结果。可使用各种技术来测量信号的离开金属部分的噪声,诸如标准差、最小-最大差或总迹线长度。总迹线长度是简单计算,对噪声敏感,并且大致不受基板信号的影响。作为另一种可能性,可对信号200进行傅里叶变换以将信号转换成频谱(波长或波数频谱将是等效的),并且可测量在频谱的预选部分中的功率(例如,在1-4kHz)。这些技术中的任意技术生成指示信号的离开金属部分中的噪声的测量值。
然后控制器90可将测量值与所存储的阈值进行比较。如果噪声超过阈值,控制器90可生成警报信号。这可以是对操作员的视觉或听觉信号,以便操作员可决定停止抛光。替代地,警报信号可使控制器90自动地停止抛光工艺。在任何一种情况下,操作员都可采取校正动作,例如调整抛光控制参数(例如,浆料流率、承载头压力或热或冷却剂输送),或更换零件(例如,更换保持环),以防止在后续基板中进行不均匀抛光。
尽管以上讨论集中在抛光操作期间机械振动的检测,但是也可使用此技术来筛选工艺和硬件,例如在抛光系统或抛光配方的“鉴定”期间。例如,抛光系统可在没有存在于承载头中的基板或在具有“空白”基板(而不是旨在用于生产集成电路的器件基板)的情况下操作。如果检测到机械振动,则认为抛光系统或抛光配方不合格。
图5是用于监测机械振动的方法500的流程图。假设期望对基板进行抛光(与没有基板的筛选操作相反),将基板放置在承载头中并且使基板与抛光垫的抛光表面接触(502)。即使没有基板,承载头的保持环也将接触抛光垫。将抛光液(例如,浆料)供应到抛光垫(504),并且产生在承载头与抛光垫之间的相对运动(506),例如旋转压板。在此情况发生时,用原位涡电流监测系统来监测系统(508)以生成信号,例如一系列信号值。对于抛光操作,可使用信号的与传感器在基板下方相对应的部分来检测在基板上的金属层的厚度并且检测抛光终点。独立地,选择信号的与传感器在“离开金属”位置相对应的部分(510)。测量信号的这些“离开金属”部分中的噪声,并且将噪声与阈值比较(512)。如果所测量的噪声超过所存储的阈值,则可生成警报(514)。
上述抛光设备和方法可应用于各种抛光系统中。只要存在传感器在“离开金属”位置的时间段,抛光垫或承载头或这两者可移动以提供在抛光表面与基板之间的相对运动。例如,压板可围绕轨道运行(orbit)而不是旋转。抛光垫可以是固定到压板的圆形(或一些其他形状)的垫。抛光层可以是标准(例如,有或无填料的聚氨酯)抛光材料、软材料或固定研磨材料。相对定位的术语用于指系统内而不是相对于重力的相对定位;应当理解,抛光表面和基板可在抛光操作期间保持在竖直取向或一些其他取向上。
尽管以上讨论集中在分析信号的“离开金属”部分,但是也可使用信号的“金属上”部分来检测机械振动。一般而言,由机械振动引起的信号变化将发生在与由基板(例如,由图案化金属)引起的变化不同的频率上。因此,可对信号滤波,例如通过高通滤波器或带通滤波器,并且可分析所滤波的信号以确定是否生成警报。可凭经验确定滤波器的特定频率范围。然后,可将所滤波的信号中的噪声与阈值比较以确定是否生成警报。
控制器90的功能操作可使用一个或多个计算机程序产品(即,有形地体现在非暂时性计算机可读存储介质中的一个或多个计算机程序)来实现,以便由数据处理设备(例如,可编程处理器、计算机、或多个处理器或计算机)执行或用于控制所述数据处理设备的操作。
已描述了本发明的多个实施方式。然而,将理解,可在不脱离本发明的精神和范围的情况下做出各种修改。相应地,其他实施方式在所附权利要求书的范围内。
Claims (20)
1.一种化学机械抛光的方法,包括:
使基板与抛光垫接触;
将抛光液供应到所述抛光垫;
产生在所述基板与所述抛光垫之间的相对运动;
在所述基板的抛光期间,使原位涡电流监测系统的传感器在跨过(cross)所述基板的路径中扫掠;
选择来自所述原位涡电流监测系统的信号的与所述传感器的离开金属位置相对应的部分,所述离开金属位置至少排除在所述基板下方的位置;
测量在所述信号的与所述传感器的所述离开金属位置相对应的所选择的部分中的噪声;和
将所测量的噪声与阈值比较,以确定是否生成警报。
2.如权利要求1所述的方法,包括响应于所测量的噪声超过所述阈值而生成警报。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述警报包括对操作员的视觉或听觉警报。
4.如权利要求2所述的方法,包括响应于所述警报而停止抛光。
5.一种在非暂时性计算机可读介质上有形地编码的计算机程序产品,包括用于使一个或多个计算机执行以下操作的指令:
接收来自原位涡电流监测系统的信号,所述原位涡电流监测系统包括在抛光系统的承载头下方扫掠的传感器;
选择所述信号的与所述传感器的离开金属位置相对应的部分,所述离开金属位置至少排除所述传感器的在所述承载头下方的位置;
测量在所述信号的与所述传感器的所述离开金属位置相对应的所选择的部分中的噪声;和
将所测量的噪声与阈值比较,以确定是否生成警报。
6.如权利要求5所述的计算机程序产品,包括用于响应于所测量的噪声超过所述阈值而生成警报的指令。
7.如权利要求6所述的计算机程序产品,包括用于响应于所述警报而停止抛光的指令。
8.如权利要求5所述的计算机程序产品,其中用于测量在所述信号的所选择的部分中的噪声的所述指令包括用于计算所述信号的标准差、最小-最大差或总迹线长度中的一者或多者的指令。
9.如权利要求5所述的计算机程序产品,其中用于测量在所述信号的所选择的部分中的噪声的所述指令包括用于对所述信号的所选择的部分执行傅里叶变换和用于计算在频率范围内所述信号的功率的指令。
10.如权利要求5所述的计算机程序产品,其中用于选择所述信号的部分的所述指令包括用于从传感器接收压板位置数据并且将所述压板位置数据与压板位置值的所存储的范围比较的指令。
11.如权利要求5所述的计算机程序产品,其中用于选择所述信号的部分的所述指令包括用于执行所述信号的信号处理以检测所述信号中的与所述传感器在所述基板下方经过相对应的峰并且排除所述峰的指令。
12.如权利要求5所述的计算机程序产品,其中用于测量噪声的所述指令包括用于检测所述传感器在所述基板下方的每次扫掠和用于针对每次扫掠生成噪声值的指令。
13.一种抛光系统,包括:
可旋转压板,所述可旋转压板用于保持抛光垫;
承载头,所述承载头用于保持基板与所述抛光垫接触;
马达,所述马达用于旋转所述压板;
原位涡电流监测系统,所述原位涡电流监测系统包括在所述压板中的传感器位置,使得所述传感器随着所述压板的每次旋转而在所述承载头之间扫掠;和
控制器,所述控制器被配置为
接收来自所述原位涡电流监测系统的信号,
选择所述信号的与所述传感器的离开金属位置相对应的部分,所述离开金属位置至少排除所述传感器在所述承载头下方的位置,测量所述信号的与所述传感器的所述离开金属位置相对应的所选择的部分中的噪声,和
将所测量的噪声与阈值比较,以确定是否生成警报。
14.如权利要求13所述的系统,其中所述控制器被配置为响应于所测量的噪声超过所述阈值而生成警报。
15.如权利要求14所述的系统,其中所述控制器被配置为响应于所述警报而停止抛光。
16.一种方法,包括:
使主体与抛光系统的抛光垫接触;
将抛光液供应到所述抛光垫;
在所述主体接触所述抛光垫时产生在所述主体与所述抛光垫之间的相对运动;
在所述主体接触所述抛光垫时的所述相对运动期间,生成来自原位涡电流监测系统的信号;和
基于来自所述原位涡电流监测系统的信号,检测所述抛光系统中的机械振动。
17.如权利要求16所述的方法,其中检测机械振动包括将滤波器至少应用于所述信号的与所述涡电流监测系统的传感器在所述主体下方相对应的部分,以生成经滤波的信号,其中去除所述信号的由所述主体引起的变化。
18.如权利要求17所述的方法,其中检测机械振动包括测量经滤波的信号中的噪声。
19.如权利要求16所述的方法,包括使原位涡电流监测系统的传感器在跨过所述主体的路径中扫掠,并且其中检测机械振动包括选择来自所述原位涡电流监测系统的所述信号的与所述传感器的离开金属位置相对应的部分,所述离开金属位置至少排除在所述主体下方的位置。
20.如权利要求19所述的方法,其中检测机械振动包括测量所述信号的与所述传感器的所述离开金属位置相对应的所选择的部分中的噪声。
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