TW202414442A - 導電性糊及使用其之多層基板 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種兼具優異之導電性及接著性之導電性糊。
本發明之導電性糊含有：
(A)黏結劑成分，其係於合計量不超過100質量份之範圍內包含5~60質量份之固形環氧樹脂及40~95質量份之液狀環氧樹脂；
(B)熔點800℃以上之球狀高熔點金屬粒子；
(C)熔點240℃以下之球狀低熔點金屬粒子；
(D)硬化劑；以及
(E)助熔劑；
並且，相對於前述黏結劑成分(A)100質量份，前述球狀高熔點金屬粒子(B)為770~4300質量份，前述球狀低熔點金屬粒子(C)為1510~5400質量份，前述硬化劑(D)為10~150質量份，前述助熔劑(E)為30~200質量份。
Description
發明領域
本發明是有關於導電性糊及使用其之多層基板。
背景技術
用於基板之孔填充的導電性糊包括以下形式者：藉由金屬粒子彼此相互接觸而獲得導電性之形式；導電性金屬粒子係於高熔點導電性金屬粒子中摻合有低熔點金屬粒子者；抑或僅由低熔點金屬粒子構成，且金屬粒子彼此經由加熱而相連(金屬化)並顯現導電性之形式(以下，有時將其稱作「金屬化形式」)。作為金屬化形式之導電性糊，例如於專利文獻1中記載有一種導電性糊，該導電性糊係含有下列成分而成：
(A)樹脂成分，其係由20重量份以上之環氧樹脂及小於80重量份之該環氧樹脂以外的樹脂所構成，且全體之水解性氯濃度小於1000ppm，其中前述環氧樹脂之環氧當量在200~600之範圍內且水解性氯濃度小於200ppm；
(B)金屬粉，其係由2種以上之金屬所構成，所述2種以上之金屬包含至少1種熔點180℃以下之低熔點金屬及至少1種熔點800℃以上之高熔點金屬；
(C)硬化劑；以及
(D)助熔劑；
並且，相對於前述樹脂成分(A)100重量份，前述金屬粉(B)為200~1800重量份，前述硬化劑(C)為3~20重量份，前述助熔劑(D)為3~15重量份。
然而，習知金屬化形式之導電性糊在接著性方面仍有進一步改善的空間。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2008-108629號公報
專利文獻2：日本特開2017-152221號公報
專利文獻3：日本特開2014-220238號公報
發明概要
發明欲解決之課題
本發明是有鑑於上述而成，目的在於提供一種兼具優異之導電性及接著性之導電性糊。
另，於專利文獻2、3中記載有併用液狀環氧樹脂及固形環氧樹脂之導電性糊，然而，任一文獻皆非金屬化形式之導電性糊。
用以解決課題之手段
本發明包含以下所示實施形態。
[1]一種導電性糊，含有：
(A)黏結劑成分，其係於合計量不超過100質量份之範圍內包含5~60質量份之固形環氧樹脂及40~95質量份之液狀環氧樹脂；
(B)熔點800℃以上之球狀高熔點金屬粒子；
(C)熔點240℃以下之球狀低熔點金屬粒子；
(D)硬化劑；以及
(E)助熔劑；
並且，相對於前述黏結劑成分(A)100質量份，前述球狀高熔點金屬粒子(B)為770~4300質量份，前述球狀低熔點金屬粒子(C)為1510~5400質量份，前述硬化劑(D)為10~150質量份，前述助熔劑(E)為30~200質量份。
[2]如[1]之導電性糊，其中上述球狀高熔點金屬粒子(B)含有選自於由銀粒子、銀被覆銅粒子及銀被覆銅合金粒子所構成群組中之至少一種。
[3]如[1]或[2]之導電性糊，其中上述球狀低熔點金屬粒子(C)由合金構成，該合金係選自於由錫、鉛、鉍及銦所構成群組中之2種以上的合金。
[4]一種多層基板，係由複數層導電層與介於該等複數層導電層間之絕緣層所構成，且貫通上述絕緣層的孔被導電性糊硬化物填充，透過該導電性糊硬化物，接在上述絕緣層兩面的導電層彼此相互導通；上述導電性糊硬化物為如[1]至[3]中任一項之導電性糊的硬化物。
發明效果
依據本發明之導電性糊，可獲得優異之導電性及接著性。
用以實施發明之形態
以下，更具體說明本發明之實施形態。
本實施形態之導電性糊含有：
(A)黏結劑成分，其係於合計量不超過100質量份之範圍內包含5~60質量份之固形環氧樹脂及40~95質量份之液狀環氧樹脂；
(B)熔點800℃以上之球狀高熔點金屬粒子；
(C)熔點240℃以下之球狀低熔點金屬粒子；
(D)硬化劑；以及
(E)助熔劑；
並且，相對於前述黏結劑成分(A)100質量份，前述球狀高熔點金屬粒子(B)為770~4300質量份，前述球狀低熔點金屬粒子(C)為1510~5400質量份，前述硬化劑(D)為10~150質量份，前述助熔劑(E)為30~200質量份。
在此，所謂「固形環氧樹脂」，意指於常溫(23℃)下且在無溶劑狀態下不具流動性之環氧樹脂。固形環氧樹脂只要是分子內含有環氧基者且於常溫(23℃)下為固體，即無特殊限制，具體例可列舉：三酚型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、萜烯型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂等。該等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。又，固形環氧樹脂亦可溶解於溶劑後再使用。
又，所謂「液狀環氧樹脂」，意指於常溫(23)下且在無溶劑狀態下具有流動性之環氧樹脂。液狀環氧樹脂只要是分子內含有環氧基者且於常溫(23℃)下為液體，即無特殊限制，具體例可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、環氧丙基胺系環氧樹脂、環氧丙基醚系環氧樹脂、橡膠改質環氧樹脂等，其中又以橡膠改質環氧樹脂、環氧丙基醚系環氧樹脂為佳，且以併用橡膠改質環氧樹脂與環氧丙基醚系環氧樹脂較佳。
所謂「橡膠改質環氧樹脂」，意指於上述液狀環氧樹脂中分散有橡膠成分者。上述橡膠成分可舉例如：丁二烯橡膠(BR)、丙烯酸橡膠(ACM)、聚矽氧橡膠、丁基橡膠(IIR)、異戊二烯橡膠(IR)、氯丁二烯橡膠(CR)、腈橡膠(NBR)、苯乙烯丁二烯橡膠(SBR)、乙烯丙烯橡膠(EPR)等，其中又以經NBR改質之環氧樹脂(NBR改質環氧樹脂)為佳。上述橡膠成分可以僅使用一種，亦可使用二種以上。
固形環氧樹脂之含量於黏結劑成分100質量份中宜為5~60質量份，較佳為10~55質量份，更佳為15~50質量份。當固形環氧樹脂之含量在上述範圍內時，便容易獲得優異之導電性與接著性。
液狀環氧樹脂之含量於黏結劑成分100質量份中宜為40~95質量份，較佳為45~90質量份，更佳為50~85質量份。於較佳實施形態中，宜於黏結劑成分100質量份中以1~50質量份之比例含有橡膠改質環氧樹脂作為液狀環氧樹脂，且較佳為以5~45質量份之比例含有，並且，宜於黏結劑成分100質量份中以10~90質量份之比例含有橡膠改質環氧樹脂以外的液狀環氧樹脂，且較佳為以10~40質量份之比例含有。當液狀環氧樹脂之含量在上述範圍內時，便容易獲得優異之導電性與接著性。
固形環氧樹脂與液狀環氧樹脂之含有比例並無特殊限制，以質量比(固形/液狀)計宜為0.05~1.5，較佳為0.1~1.2。當固形環氧樹脂與液狀環氧樹脂之含有比例在上述範圍內時，便容易獲得優異之導電性與接著性。
固形環氧樹脂之重量平均分子量並無特殊限制，宜為900~60000，較佳為1000~55000，更佳為1200~50000。另，於本說明書中，所謂「重量平均分子量」是定為下述值：可利用凝膠滲透層析術(GPC)進行測定，並使用四氫呋喃作為移動相且使用聚苯乙烯換算之檢量線而算出之值。
液狀環氧樹脂之重量平均分子量並無特殊限制，宜為150~500，較佳為180~450，更佳為200~400。
固形環氧樹脂之環氧當量並無特殊限制，宜為150~10000g/eq，較佳為200~9000g/eq，更佳為250~8000g/eq。
液狀環氧樹脂之環氧當量並無特殊限制，宜為90~500g/eq，較佳為100~450g/eq，更佳為120~400g/eq。
熔點800℃以上之球狀高熔點金屬粒子(B)之含量相對於黏結劑成分100質量份為770~4300質量份，且宜為900~4000質量份，較佳為1000~3800質量份。當球狀高熔點金屬粒子(B)之含量在上述範圍內時，便容易獲得優異之導電性與印刷性。
球狀高熔點金屬粒子(B)可列舉：銀粒子、銀被覆銅粒子、銀被覆銅合金粒子等。銀被覆銅粒子只要是具有銅粒子及被覆銅粒子之至少一部分之含銀層即無特殊限制。銀被覆銅合金粒子只要是具有銅合金粒子及被覆銅合金粒子之至少一部分之含銀層即無特殊限制，銅合金粒子亦可含有0.5~25質量%之鋅及/或0.5~30質量%之鎳，且剩餘部分由銅所構成，而剩餘部分的銅包含不可避免之不純物。銀被覆銅粒子及銀被覆銅合金粒子中含銀層之含有比率並無特殊限制，宜為4~24質量%。含銀層中銀之含量並無特殊限制，宜為90~100質量%。
球狀高熔點金屬粒子(B)之平均粒徑並無特殊限制，宜為0.5~20μm，較佳為1~10μm。在此，於本說明書中，所謂「平均粒徑」，意指利用雷射繞射散射法所求得粒度分布中在積算值50%的粒徑(一次粒徑)。
熔點240℃以下之球狀低熔點金屬粒子(C)之含量相對於黏結劑成分100質量份為1510~5400質量份，且宜為1600~5200質量份，較佳為1900~5000質量份。當球狀低熔點金屬粒子(C)之含量在上述範圍內時，便容易獲得優異之導電性與印刷性。
球狀低熔點金屬粒子(C)可使用由以下合金構成者：選自於由錫(熔點：231℃)、鉛(熔點：327℃)、鉍(熔點：271℃)及銦(熔點：156℃)所構成群組中之2種以上的合金。
球狀低熔點金屬粒子(C)之平均粒徑並無特殊限制，宜為1~20μm，較佳為2~10μm。
球狀高熔點金屬粒子(B)與球狀低熔點金屬粒子(C)之含有比例以質量比((B)/(C))計宜為0.25~2，較佳為0.4~1.5。
硬化劑(D)之含量相對於黏結劑成分100質量份為10~150質量份，且宜為15~140質量份，較佳為20~130質量份。當硬化劑(D)之含量在上述範圍內時，便容易獲得優異之導電性與接著性。
硬化劑(D)並無特殊限制，可使用異氰酸酯系硬化劑、陽離子系硬化劑、酚系硬化劑。
異氰酸酯系硬化劑可舉例如：1,2-伸乙基二異氰酸酯、1,4-伸丁基二異氰酸酯、1,6-六亞甲基二異氰酸酯等低級脂肪族多異氰酸酯類；伸環戊基二異氰酸酯、伸環己基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、氫化甲伸苯基二異氰酸酯、氫化二甲苯二異氰酸酯等脂環族多異氰酸酯類；2,4-甲伸苯基二異氰酸酯、2,6-甲伸苯基二異氰酸酯、4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯、伸茬基二異氰酸酯等芳香族多異氰酸酯類等，亦可為使酚等封端劑對多異氰酸酯反應而得之封端異氰酸酯。
封端異氰酸酯硬化劑(C)可使用藉由以封端劑將多異氰酸酯進行封端而調製之物。多異氰酸酯的例子可列舉：六亞甲基二異氰酸酯(包含三聚物)、四亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等脂肪族二異氰酸酯；異佛酮二異氰酸酯、4,4’-亞甲雙(環己基異氰酸酯)等脂環式多異氰酸酯；4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯、甲伸苯基二異氰酸酯、伸茬基二異氰酸酯等芳香族二異氰酸酯；該等二異氰酸酯之改質物(胺甲酸酯化物、碳二亞胺、脲二酮、脲酮亞胺、縮二脲及/或三聚異氰酸酯改質物等)。作為封端劑的例子，宜使用：正丁醇、正己醇、2-乙基己醇、月桂醇、酚甲醇(phenol carbinol)、甲基苯基甲醇(methyl phenyl carbinol)等一元烷基(或芳香族)醇類；乙二醇單己基醚、乙二醇單2-乙基己基醚等賽璐蘇類；聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲基醚二醇酚等聚醚型兩末端二醇類；由乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇等二醇類與草酸、琥珀酸、己二酸、辛二酸、癸二酸等二羧酸類而得之聚酯型兩末端多元醇類；對三級丁酚、甲酚等酚類；二甲基酮肟、甲基乙基酮肟、甲基異丁基酮肟、甲基戊基酮肟、環己酮肟等肟類；及，以ε-己內醯胺、γ-丁內醯胺為代表之內醯胺類。
陽離子系硬化劑可舉以下列為代表之鎓系化合物為例：三氟化硼之胺鹽、對甲氧苯重氮鎓六氟磷酸鹽、二苯基錪六氟磷酸鹽、三苯基鋶、三正辛基氧化膦、四正丁基鏻四苯基硼酸鹽、四正丁基鏻苯并三唑鹽、四正丁基鏻-o,o-二乙基二硫代磷酸鹽等。
酚系硬化劑可舉例如：酚醛清漆苯酚、萘酚系化合物等。
助熔劑(E)之含量相對於黏結劑成分100質量份為30~200質量份，且宜為40~180質量份，較佳為50~160質量份。當助熔劑(E)之含量為30質量份以上時，容易引起導電性糊之金屬化，當助熔劑(E)之含量為200質量份以下時，便容易獲得優異之導電性。
助熔劑(E)是促進低熔點金屬粒子熔解而與高熔點金屬粒子相互一體化之物。助熔劑可舉例如：氯化鋅、乳酸、檸檬酸、油酸、硬脂酸、麩胺酸、苯甲酸、草酸、麩胺酸鹽酸鹽、苯胺鹽酸鹽、溴化鯨蠟基吡啶、脲、三乙醇胺、羥乙基月桂胺、丙三醇、肼、8-乙基十八碳二酸、松香等。
本發明之導電性糊可藉由摻合預定量之上述各成分並充分混合而得。
另，於本發明之導電性糊中，亦可在未脫離本發明目的之範圍內添加以往曾添加於同種導電性糊中之添加劑。其例子可列舉：消泡劑、增稠劑、賦黏劑、抗氧化劑、塑化劑、紫外線吸收劑、填充劑、阻燃劑、有機溶劑等。
本發明之導電性糊之黏度標準宜為50~300Pa．s，較佳為100~250Pa．s。在此，於本說明書中，所謂「黏度」，係定為使用B型黏度計且於轉子No.7、旋轉數10rpm、測定溫度25℃之條件下測得之開始測定1分鐘後的值。
本實施形態之導電性糊最適合用於多層基板之孔填充用途。
本發明一實施形態之多層基板之製造方法並無特殊限制，例如可利用以下方法來製造。首先，如圖1(a)所示，於形成有貫穿孔2的基板1上積層預浸體3，且於其上積層PET膜4。如圖1(b)所示，照射CO
2雷射而於PET膜4與預浸體3形成貫通的孔5。如圖1(c)所示，對形成有孔5的預浸體3施以電漿處理。如圖1(d)所示，將導電性糊6填充於孔5中。如圖1(e)所示，將PET膜4剝下。如圖1(f)所示，於預浸體3上積層基板1，且朝箭號方向施行熱壓，藉此製得多層基板8。
本發明一實施形態之多層基板亦可利用以下方法來製造。如圖2(a)所示，於預浸體3之兩面積層PET膜4。如圖2(b)所示，照射CO
2雷射而於PET膜4與預浸體3形成貫通的孔5。如圖2(c)所示，將形成有孔5的預浸體放置於無塵室用無塵紙7上，並將導電性糊6填充於孔5中(此時，亦可從無塵室用無塵紙下方進行吸引)。如圖2(d)所示，將PET膜4剝下。如圖2(e)所示，以利用2個基板1夾持預浸體3之方式進行積層，且朝箭號方向施行熱壓，藉此製得多層基板8。
實施例
以下顯示本發明之實施例，惟本發明並非受限於以下實施例。另，下述中摻合比例等，只要未特別事先聲明，即以質量為基準。
遵循下述表1、2所示摻合將各成分進行混合，調製出導電性糊。
．液狀環氧樹脂1：雙酚A型環氧樹脂，艾迪科(ADEKA)(股)製「EP-4400」，環氧當量=200
．液狀環氧樹脂2：NBR改質環氧樹脂，艾迪科(ADEKA)(股)製「EPR-1414-1」，環氧當量=400
．固形環氧樹脂：苯酚酚醛清漆型環氧樹脂，三菱化學(股)製「JER157S70」，環氧當量=200
．高熔點金屬粒子1：球狀銀被覆銅粉，平均粒徑=5μm，含銀比率=10質量%
．高熔點金屬粒子2：球狀銀粉，平均粒徑=5μm
．高熔點金屬粒子3：球狀銀被覆銅合金粉，平均粒徑=5μm，含銀比率=10質量%，銅合金粒子以5質量%之比率含鎳
．高熔點金屬粒子4：小片狀銀被覆銅粉，平均粒徑=5μm，含銀比率=10質量%
．球狀低熔點金屬粒子：Sn-Bi合金金屬粒子(Sn：Bi=42：58、熔點138℃)，平均粒徑=5μm
．硬化劑：封端異氰酸酯硬化劑，東曹(TOSOH)(股)製「Coronate2554」
．助熔劑：羥乙基月桂胺
測定所製得之導電性糊之導電性、接著強度、填充性及回流耐性，於表1、2中顯示結果。測定方法如下所示。
＜導電性＞
使用金屬印版，將實施例及比較例所製得之上述導電性糊線性印刷(長度60mm、寬度1mm、厚度約100μm)於玻璃環氧基板上，於180℃下加熱60分鐘，藉此使其正式硬化，製作出已形成導電性圖案的評價用基板。接著，使用測試器，測定導電性圖案兩端間的電阻值，並利用下述式(1)，從截面積(S，cm
2)與長度(L，cm)計算出比電阻。另，對3片玻璃環氧基板施以各5條線性印刷，形成合計15條導電性圖案，並求出該等之比電阻之平均值。若比電阻小於1×10
-4Ω．cm，則評價為導電性優異，且於表1、2中顯示「○」，若比電阻為1×10
-4Ω．cm以上，則評價為導電性差，且於表1、2中顯示「×」。
比電阻=(S/L)×R (1)
＜接著強度1＞
將上述導電性糊印刷(長度12mm、寬度25mm、厚度約100μm)於2片銅板(長度100mm×25mm×1mm)之一部分上，使糊彼此接著並於180℃下加熱60分鐘，藉此使其正式硬化，製作出接著強度試樣。接著，使用精密萬能試驗機Autograph AGX-V系列(島津製作所製)，測定拉伸剪切強度。若剪切強度為5MPa以上，則評價為接著強度1優異，且於表1、2中顯示「○」，若小於5MPa，則評價為接著強度1差，且於表1、2中顯示「×」。
＜接著強度2：熱循環試驗後＞
對上述接著強度試樣進行以-60℃處理30分鐘及以125℃處理30分鐘的熱循環試驗1000循環後，測定拉伸剪切強度，並算出以試驗前拉伸剪切強度為基準的變化率。當變化率為±10%以內時，則評價為接著強度2優異，且於表1、2中顯示「○」，當變化率大於±10%時，則評價為接著強度2差，且於表1、2中顯示「×」。
＜接著強度3：耐濕試驗後＞
測定上述接著強度試樣於溫度85℃、濕度85%之環境下靜置1000小時後的導電性糊之電阻值，並算出以試驗前拉伸剪切強度為基準的變化率。當變化率為±10%以內時，則評價為接著強度3優異，且於表1、2中顯示「○」，當變化率大於±10%時，則評價為接著強度3差，且於表1、2中顯示「×」。
＜填充性＞
使用CO
2雷射，於厚度約100μm之絕緣層(松下電器(Panasonic)公司製，商品名「R-1551」)形成φ100μm之169孔連結圖案，並利用印刷法，將上述導電性糊填充於孔內後，使用真空壓製機，於以下壓力條件及溫度條件下進行壓製，藉此製作出評價用基板。
壓力：用17分鐘從0kg/cm
2升壓至表面壓力10.2kg/cm
2，並且於該狀態下保持10分鐘。接著，用24分鐘升壓至表面壓力30.6kg/cm
2，並且於該狀態下保持46分鐘後，用23分鐘減壓至0kg/cm
2。
溫度：用17分鐘從30℃升溫至130℃，並且於該狀態下保持10分鐘。接著，用24分鐘升溫至180℃，並且於該狀態下保持46分鐘後，用23分鐘冷卻至30℃。
使用X射線透射裝置(商品名「Y.Cheetah μHD」，依科視朗國際(Yxlon International)公司製)，於以下測定條件下對上述評價用基板觀察孔部分。當有未填充糊之部分之情形抑或硬化時發生裂痕之情形時，則評價為填充性差，且於表1、2中顯示「×」，當硬化時未發生裂痕而且糊已充分填充之情形時，則評價為填充性優異，且於表1、2中顯示「○」。
＜測定條件＞電壓：50kV、電流：80μA、電力：4W
＜回流耐性＞
對上述評價用基板反覆進行5次260℃、10秒鐘之回流爐處理後測定其孔部電阻值，並算出以試驗前評價用基板為基準的孔部電阻值變化率。當變化率為±10%以內時，則評價為回流耐性優異，且於表1、2中顯示「○」，當變化率大於±10%時，則評價為回流耐性差，且於表1、2中顯示「×」。另，孔部電阻值之測定方法與上述初始孔部電阻值之測定方法相同。
[表1]
[表2]
由表1所示結果可知，實施例1~10皆為導電性、接著強度、填充性及回流耐性優異。
比較例1、2為液狀環氧樹脂之含量大於上限值且固形環氧樹脂之含量小於下限值的例子，比較例1之接著強度差，比較例2則是接著強度及回流耐性差。
比較例3、4為液狀環氧樹脂之含量小於下限值且固形環氧樹脂之含量大於上限值的例子，比較例3、4之導電性、填充性及回流耐性差。
比較例5為高熔點金屬粒子與硬化劑之含量小於下限值的例子，導電性及接著強度1差。
比較例6為高熔點金屬粒子與硬化劑之含量大於上限值的例子，接著強度、填充性及回流耐性差。
比較例7為低熔點金屬粒子與助熔劑之含量小於下限值的例子，接著強度1、3差。
比較例8為低熔點金屬粒子與硬化劑之含量大於上限值的例子，接著強度1、填充性及回流耐性差。
比較例9為使用小片狀金屬粒子作為高熔點金屬粒子的例子，且接著強度2、填充性及回流耐性差。
1:基板
2:貫穿孔
3:預浸體
4:PET膜
5:孔
6:導電性糊
7:無塵室用無塵紙
8:多層基板
圖1為示意截面圖，其顯示本發明一實施形態之多層基板之製造方法。
圖2為示意截面圖，其顯示本發明一實施形態之多層基板之其他製造方法。
1:基板
2:貫穿孔
3:預浸體
4:PET膜
5:孔
6:導電性糊
Claims (4)
- 一種導電性糊，含有： (A)黏結劑成分，其係於合計量不超過100質量份之範圍內包含5~60質量份之固形環氧樹脂及40~95質量份之液狀環氧樹脂； (B)熔點800℃以上之球狀高熔點金屬粒子； (C)熔點240℃以下之球狀低熔點金屬粒子； (D)硬化劑；以及 (E)助熔劑； 並且，相對於前述黏結劑成分(A)100質量份，前述球狀高熔點金屬粒子(B)為770~4300質量份，前述球狀低熔點金屬粒子(C)為1510~5400質量份，前述硬化劑(D)為10~150質量份，前述助熔劑(E)為30~200質量份。
- 如請求項1之導電性糊，其中前述球狀高熔點金屬粒子(B)含有選自於由銀粒子、銀被覆銅粒子及銀被覆銅合金粒子所構成群組中之至少一種。
- 如請求項1或2之導電性糊，其中前述球狀低熔點金屬粒子(C)由合金構成，該合金係選自於由錫、鉛、鉍及銦所構成群組中之2種以上的合金。
- 一種多層基板，係由複數層導電層與介於該等複數層導電層間之絕緣層所構成，且貫通前述絕緣層的孔被導電性糊硬化物填充，透過該導電性糊硬化物，接在前述絕緣層兩面的導電層彼此相互導通；前述導電性糊硬化物為如請求項1或2之導電性糊的硬化物。
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