TW202413574A - 黏著片及光學積層體 - Google Patents

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木村智之
三嶋赳彥
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日商日東電工股份有限公司
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本發明提供一種黏著片，其可抑制導電層、尤其是含ITO等金屬氧化物之導電層腐蝕，且適於將與光學薄膜之投錨力調整成較大值。本發明黏著片1係由包含單體群及/或該單體群之聚合物的黏著劑組成物形成。黏著片1具有相互對向之第1表面1a及第2表面1b。黏著片1其黏著劑組成物中之含羧基單體之摻混量、以及第1表面1a中之元素比率R1滿足選自於由要件(1)及(2)所構成群組中之至少1者。

Description

黏著片及光學積層體
本發明涉及黏著片及光學積層體。
以液晶顯示裝置及電致發光(EL)顯示裝置為代表之各種影像顯示裝置一般具備有包含偏光薄膜等光學薄膜與黏著片之光學積層體。光學積層體所含之光學薄膜間之接合或光學積層體與影像顯示面板之接合通常係使用黏著片。典型上係使用藉由聚合及交聯使含丙烯酸單體或聚矽氧單體等之單體群硬化而成之片材作為黏著片。專利文獻1揭示了黏著片之一例。
以影像顯示裝置而言，在其製造時、例如在透過黏著片將光學積層體貼合至影像顯示面板時，或在其使用時、例如使用者觸碰到影像顯示裝置時，會產生靜電。影像顯示裝置會因該靜電而帶電，而可能發生顯示不良。為了防止影像顯示裝置因靜電造成顯示不良，例如有時會在影像顯示面板之表面配置導電層、尤其是含ITO(氧化銦錫)等金屬氧化物之導電層。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利第3052972號公報
發明欲解決之課題 當黏著片接觸配置於影像顯示面板表面的導電層、尤其是含ITO等金屬氧化物之導電層時，有導電層被黏著片之組成腐蝕之傾向。若利用由單體群中之含羧基單體之摻混量少的黏著劑組成物形成之黏著片，有可抑制導電層腐蝕之傾向。然而，根據本發明人等之研討，含羧基單體之摻混量若少，黏著片與光學薄膜之投錨力會降低，而容易在黏著片與光學薄膜之間發生剝落。該問題特別顯著發生在以下諸等情況時：利用光硬化法製作黏著片之情況；在高溫環境下反覆使用之情況；光學薄膜包含偏光件等單軸延伸薄膜之情況；黏著片之厚度為30µm以下之情況。
爰此，本發明提供一種黏著片，其可抑制導電層、尤其是含ITO等金屬氧化物之導電層腐蝕，且適於將與光學薄膜之投錨力調整成較大值。
用以解決課題之手段 本發明提供一種黏著片，係由包含單體群及/或前述單體群之聚合物的黏著劑組成物形成者； 前述黏著片具有相互對向之第1表面及第2表面，且 滿足選自於由下述要件(1)及(2)所構成群組中之至少1者； (1)前述單體群100重量份中，含羧基單體之摻混量為0.5重量份以下；且 以三氟乙醇處理前述第1表面後，前述第1表面中之氟的元素比率R1為0.1原子%以上； (2)前述黏著劑組成物包含抗腐蝕劑； 前述單體群100重量份中，含羧基單體之摻混量為7.0重量份以下；且 以三氟乙醇處理前述第1表面後，前述第1表面中之氟的元素比率R1為0.1原子%以上。
並且，本發明提供一種光學積層體，具備： 上述黏著片；以及 光學薄膜，係包含選自於由偏光薄膜及相位差薄膜所構成群組中之至少1者。
並且，本發明提供一種光學積層體，具備： 上述黏著片；及 含金屬氧化物之導電層。
發明效果 根據本發明，可提供一種黏著片，其可抑制導電層、尤其是含ITO等金屬氧化物之導電層腐蝕，且適於將與光學薄膜之投錨力調整成較大值。
本發明第1態樣之黏著片，係由包含單體群及/或前述單體群之聚合物的黏著劑組成物形成者； 前述黏著片具有相互對向之第1表面及第2表面，且 滿足選自於由下述要件(1)及(2)所構成群組中之至少1者； (1)前述單體群100重量份中，含羧基單體之摻混量為0.5重量份以下；且 以三氟乙醇處理前述第1表面後，前述第1表面中之氟的元素比率R1為0.1原子%以上； (2)前述黏著劑組成物包含抗腐蝕劑； 前述單體群100重量份中，含羧基單體之摻混量為7.0重量份以下；且 以三氟乙醇處理前述第1表面後，前述第1表面中之氟的元素比率R1為0.1原子%以上。
關於本發明第2態樣，例如第1態樣之黏著片以三氟乙醇處理前述第2表面後，前述第2表面中之氟的元素比率R2小於0.1原子%。
關於本發明第3態樣，例如第1或第2態樣之黏著片中，前述黏著劑組成物為光硬化性。
關於本發明第4態樣，例如第1至第3態樣中任一態樣之黏著片中，前述黏著劑組成物中之溶劑之含有率為5重量%以下。
關於本發明第5態樣，例如第1至第4態樣中任一態樣之黏著片中，前述第1表面係經施行表面改質處理之面。
關於本發明第6態樣，例如第5態樣之黏著片中，前述表面改質處理為電暈處理。
本發明第7態樣中，例如第1至第6態樣中任一態樣之黏著片中，前述抗腐蝕劑包含選自於由具有酸性基或酸酐基之含矽化合物、磷酸系化合物、及異亞磷酸系化合物所構成群組中之至少1者。
關於本發明第8態樣，例如第1至第7態樣中任一態樣之黏著片中，前述單體群包含(甲基)丙烯酸系單體。
關於本發明第9態樣，例如第1至第8態樣中任一態樣之黏著片，其厚度為50µm以下。
本發明第10態樣之光學積層體，具備： 如第1至第9態樣中任一態樣之黏著片；以及 光學薄膜，其包含選自於由偏光薄膜及相位差薄膜所構成群組中之至少1者。
關於本發明第11態樣，例如第10態樣之光學積層體中，前述黏著片之前述第1表面係與前述光學薄膜相接。
關於本發明第12態樣，例如第10或第11態樣之光學積層體中，前述黏著片與前述光學薄膜之投錨力在10.0N/25mm以上。
本發明第13態樣之光學積層體，具備： 如第1至第9態樣中任一態樣之黏著片；及 含金屬氧化物之導電層。
關於本發明第14態樣，例如第13態樣之光學積層體中，前述黏著片之前述第2表面係與前述導電層相接。
以下詳細說明本發明，惟本發明不受以下實施形態所限，可在不脫離本發明要旨之範圍內任意變更並實施。
[黏著片之實施形態] 於圖1顯示本實施形態之黏著片之一例。圖1之黏著片1係由包含單體群及/或該單體群之聚合物的黏著劑組成物形成。黏著片1具有相互對向之第1表面1a及第2表面1b。舉一例來說，黏著片1係透過第1表面1a貼附於光學薄膜上，且黏著片1係透過第2表面1b貼附於影像顯示面板之導電層上。
黏著片1係滿足選自於由下述要件(1)及(2)所構成群組中之至少1者。 (1)單體群100重量份中，含羧基單體之摻混量為0.5重量份以下；且 以三氟乙醇處理黏著片1之第1表面1a後，第1表面1a中之氟的元素比率R1為0.1原子%以上。 (2)黏著劑組成物包含抗腐蝕劑； 單體群100重量份中，含羧基單體之摻混量為7.0重量份以下；且 以三氟乙醇處理黏著片1之第1表面1a後，第1表面1a中之氟的元素比率R1為0.1原子%以上。
滿足要件(1)或(2)之黏著片1其黏著劑組成物中之含羧基單體之摻混量夠少，從而即便在使黏著片1(尤其是黏著片1之第2表面1b)接觸導電層之情況下，仍有可抑制導電層腐蝕之傾向。並且，若利用元素比率R1為0.1原子%以上之第1表面1a，有可將黏著片1與光學薄膜之投錨力調整成較大值之傾向。
上述元素比率R1宜為0.2原子%以上，亦可為0.3原子%以上，更可為0.4原子%以上。元素比率R1的上限例如為1.0原子%以下。
元素比率R1可藉由以下方法來特定。首先，準備裁切成長10mm×寬10mm之黏著片1，並以露出第1表面1a之方式將黏著片1貼合於試樣管之內壁。於該試樣管中加入三氟乙醇(TFE)，使汽化後之TFE與黏著片1接觸。藉此，可以TFE處理第1表面1a。藉由以TFE進行處理，存在於第1表面1a之羧基會與TFE進行反應，從而該羧基會被化學改質。羧基與TFE之反應可以下式表示。此外，TFE要加入試樣管之量，係調整成存在於第1表面1a之所有羧基可與TFE進行反應。 R-COOH　+　CF 3CH 2OH　→　R-COOCH 2CF 3
接著，從試樣管取出經TFE處理之黏著片1，設置於X射線光電子分光分析裝置。利用X射線光電子分光分析裝置，對黏著片1之第1表面1a進行寬能譜掃描測定，進行定性分析。藉此，特定出存在於第1表面1a之元素。接著，針對存在於第1表面1a之各元素進行窄能譜掃描測定。根據窄能譜掃描測定之結果，可特定第1表面1a中之氟的元素比率R1。此外，第1表面1a之氟典型上係源自與羧基進行反應後之TFE。因此，元素比率R1可在利用TFE進行處理前，作為存在於第1表面1a之羧基量的指標來利用。
本實施形態中，以TFE處理黏著片1之第2表面1b後，第2表面1b中之氟的元素比率R2例如與元素比率R1不同，宜小於0.1原子%。當元素比率R2小於0.1原子%時，有可更抑制導電層腐蝕之傾向。尤其，黏著片1不含抗腐蝕劑時，元素比率R2宜為0.08原子%以下，較宜為0.05原子%以下，更宜為0.03原子%以下。惟，元素比率R2亦可與元素比率R1為相同值。特別是黏著片1包含抗腐蝕劑時，元素比率R2亦可滿足先前針對元素比率R1所述之範圍。
除了以下事項外，元素比率R2可藉由與元素比率R1相同方法來測定：以露出第2表面1b之方式將黏著片1貼合於試樣管之內壁，並以TFE處理第2表面1b；及，針對第2表面1b，利用X射線光電子分光分析裝置進行元素分析。
黏著片1之第1表面1a宜為經施行表面改質處理之面。根據本發明人等之研討，藉由對第1表面1a施行表面改質處理，上述元素比率R1會增加，而有可提升黏著片1與光學薄膜之投錨力之傾向。另一方面，黏著片1之第2表面1b宜未施行表面改質處理。表面改質處理可舉電暈處理、電漿處理、準分子處理、火焰處理等。第1表面1a宜經施行電暈處理作為表面改質處理。
表面改質處理亦可在非活性氣體環境中實施。藉由在利用非活性氣體降低氧濃度之狀態下進行表面改質處理，可降低對殘存單體起火之風險。具體而言，宜在氧濃度為8體積%以下之下進行表面改質處理。較宜為6體積%以下，更宜為3體積%以下。氧濃度若太低，會有藉由表面改質處理對黏著片表面之官能基導入不足之情形，因此氧濃度宜為0.01體積%以上，較宜為0.1體積%以上，尤宜為0.5體積%以上。非活性氣體之具體例可舉氮或氬。表面改質處理亦可在常壓(1大氣壓)下實施。
電暈處理之表面改質處理的條件係藉由放電量來表示，例如為0.6~100kJ/m 2。放電量的下限亦可為1kJ/m 2以上、2kJ/m 2以上、5kJ/m 2以上、7kJ/m 2以上、10kJ/m 2以上、13kJ/m 2以上、15kJ/m 2以上、20kJ/m 2以上、25kJ/m 2以上、30kJ/m 2以上，更可為35kJ/m 2以上。放電量的上限亦可為70kJ/m 2以下、60kJ/m 2以下、50kJ/m 2以下、45kJ/m 2以下、40kJ/m 2以下、30kJ/m 2以下、20kJ/m 2以下，更可為18kJ/m 2以下。在氧濃度10體積%以上且20.9體積%以下之氣體環境中實施電暈處理時，放電量亦可為1~18kJ/m 2。在氧濃度0.01體積%以上且小於10體積%之氣體環境中實施電暈處理時，放電量亦可為1~60kJ/m 2。藉由適當調整電暈處理之放電量，有更提升黏著片1與光學薄膜之投錨力之傾向。
(黏著劑組成物) 如上述，黏著片1係由黏著劑組成物形成。黏著劑組成物宜為藉由照射光而形成黏著片1之光硬化性黏著劑組成物。惟，黏著劑組成物亦可為藉由熱而形成黏著片1之熱硬化性黏著劑組成物。
此外，一般來說，黏著片可藉由例如以下熱硬化法來製造。首先，於有機溶劑中聚合聚合性單體所製出之聚合物中摻混交聯劑等，調製出黏著劑組成物。將該黏著劑組成物塗敷於剝離襯材等之基材上，加熱去除有機溶劑使其薄片化。視需求施行加熱熟化，完成交聯，藉此可製造黏著片。在該製程中，為了產生去除溶劑或熱老化所需之熱能，必須大量燃燒LNG等燃料。又，若直接釋放已加熱去除之有機溶劑，則有對周遭環境帶來顯著不良影響之虞。因此，針對有機溶劑，大多係以除臭爐等使其燃燒後釋放。此時，其製程不僅需要更多用以在除臭爐進行燃燒之燃料，有機溶劑本身亦會藉由燃燒而轉換成CO 2釋放至大氣中，從而CO 2排放量極大。
近年來，溫室氣體所致之氣候變動乃急迫課題，各國政府便提高數值目標而致力於削減CO 2。因此，在黏著片之製造中，宜選擇不使用有機溶劑且CO 2排放量少的製程。相較於熱硬化法，若為利用光來製作黏著片之方法(光硬化法)，有可更削減形成黏著片所需之能量的量或CO 2排放量之傾向。
根據本發明人等之研討，以往相較於使用由熱硬化性黏著劑組成物形成之黏著片之情況，使用由光硬化性黏著劑組成物形成之黏著片時，有容易在黏著片與光學薄膜之間發生剝落之傾向。吾等推測，該傾向係因將由熱硬化性黏著劑組成物法形成之黏著片與光學薄膜貼合時，黏著片會在光學薄膜之表面上進一步硬化；而另一方面，由光硬化性黏著劑組成物形成之黏著片其與光學薄膜貼合後幾乎不會進行硬化。本實施形態中，藉由滿足上述要件(1)或(2)，即便在黏著片1係由光硬化性黏著劑組成物形成之情況下，仍有可充分抑制黏著片1與光學薄膜之間之剝落之傾向。
如上述，黏著劑組成物包含單體群及/或該單體群之聚合物。單體群包含例如(甲基)丙烯酸系單體。黏著劑組成物中之(甲基)丙烯酸系成分、亦即(甲基)丙烯酸系單體及其聚合物之含有率可為50重量%以上、60重量%以上、70重量%以上，更可為80重量%以上，此時可形成以(甲基)丙烯酸聚合物及其交聯物為主成分之丙烯酸系黏著片1。惟，黏著劑組成物不受上述例所限。本說明書中，(甲基)丙烯酸意指丙烯酸及甲基丙烯酸。(甲基)丙烯酸酯意指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。此外，單體群中所含之單體宜不含氟原子。
(甲基)丙烯酸系單體之例為於側鏈具有碳數1~20烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯。烷基碳數可為7以下、6以下、5以下，更可為4以下。烷基可為直鏈狀，亦可具有支鏈。(甲基)丙烯酸烷基酯之例為：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸二級丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸異己酯、(甲基)丙烯酸異庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸正十二酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸正十三酯、(甲基)丙烯酸正十四酯、(甲基)丙烯酸十五酯、(甲基)丙烯酸十六酯、(甲基)丙烯酸十七酯及(甲基)丙烯酸十八酯。(甲基)丙烯酸烷基酯亦可為(甲基)丙烯酸正丁酯。
單體群100重量份中，(甲基)丙烯酸烷基酯之摻混量例如為40重量份以上，亦可為50重量份以上、60重量份以上、70重量份以上、80重量份以上、85重量份以上、90重量份以上，更可為95重量份以上。此外，在計算特定單體之摻混量時，聚合物之重量係換算成作為聚合前之各單體之重量。
單體群亦可包含有含羧基單體。含羧基單體可為(甲基)丙烯酸系單體，換言之，(甲基)丙烯酸系單體亦可包含有含羧基單體。含羧基單體之例為(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、伊康酸、馬來酸、延胡索酸及巴豆酸。
如上述，單體群100重量份中，含羧基單體之摻混量宜為0.5重量份以下，亦可為0.4重量份以下、0.3重量份以下、0.2重量份以下，更可為0.1重量份以下。單體群亦可不包含有含羧基單體。含羧基單體之摻混量若為0.5重量份以下，即便在黏著劑組成物不含抗腐蝕劑之情況下，仍有可充分抑制導電層腐蝕之傾向。
黏著劑組成物包含抗腐蝕劑時，單體群100重量份中，含羧基單體之摻混量亦可大於0.5重量份。此時，含羧基單體之摻混量為7.0重量份以下，亦可為5.0重量份以下、4.0重量份以下、3.5重量份以下、3.0重量份以下、2.5重量份以下、2.0重量份以下、1.5重量份以下，更可為1.0重量份以下。含羧基單體若在可抑制腐蝕之範圍內，宜大量摻混。含羧基單體之摻混量多時，有提升黏著片1對光學薄膜之投錨力之傾向。此時，以光硬化法製作黏著片1時，還有單體群因光照射而聚合速度變快之傾向，從而提升生產性，故理想。
單體群亦可包含有含羥基單體。含羥基單體可為(甲基)丙烯酸系單體，換言之，(甲基)丙烯酸系單體亦可包含有含羥基單體。含羥基單體可有助於提升黏著片之凝集力。含羥基單體之例為：(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯及(4-羥甲基環己基)-甲基丙烯酸酯。含羥基單體宜為(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯。單體群100重量份中，含羥基單體之摻混量例如為20重量份以下，亦可為15重量份以下、10重量份以下、7.5重量份以下、5重量份以下、4重量份以下、3重量份以下、2重量份以下、1重量份以下，更可為0.5重量份以下。摻混量的下限例如為0.01重量份以上，亦可為0.03重量份以上，更可為0.05重量份以上。單體群亦可不包含有含羥基單體。
單體群亦可包含有含醚基單體。含醚基單體可為(甲基)丙烯酸系單體，換言之，(甲基)丙烯酸系單體亦可包含有含醚基單體。含醚基單體可有助於提升黏著片1與光學薄膜之投錨力。
含醚基單體宜為含烷氧基單體。作為含烷氧基單體，可舉例如以下化學式(1)所示之環氧烷加成物。式(1)之R 1為氫原子或甲基。式(1)之R 2為烷基。烷基可為直鏈狀，亦可具有支鏈。R 2宜為直鏈狀烷基。R 2之例為甲基及乙基。式(1)之n為1~30之整數，宜為1~12之整數，亦可為1~5之整數。 [化學式1]
式(1)所示之環氧烷加成物之例為：(甲基)丙烯酸2-甲氧乙酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧乙酯、(甲基)丙烯酸2-(2-乙氧乙氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸甲氧基三乙二醇酯及(甲基)丙烯酸甲氧基聚乙二醇酯，宜為丙烯酸2-甲氧乙酯(MEA)。
含醚基單體不受上述環氧烷加成物所限。含醚基單體可具有環結構，且該環結構亦可具有醚基。具有醚基之環結構可舉四氫呋喃環、二㗁烷等。具有環結構之含醚基單體之例為環狀三羥甲丙烷縮甲醛(甲基)丙烯酸酯及(甲基)丙烯酸四氫糠酯。
單體群100重量份中，含醚基單體之摻混量例如為1重量份以上，亦可為5重量份以上、10重量份以上、20重量份以上、25重量份以上、30重量份以上、40重量份以上、50重量份以上、60重量份以上、70重量份以上、80重量份以上，更可為90重量份以上。摻混量的上限例如為99重量份以下，視情況亦可為50重量份以下。單體群亦可不包含有含醚基單體。
在黏著劑組成物中，上述各單體亦可作為聚合物來含有。黏著劑組成物為光硬化性時，聚合物宜為部分聚合物。部分聚合物可為均聚物及共聚物中之任一者。部分聚合物會適度增大黏著劑組成物之黏度，藉此可有助於穩定形成後述塗佈層。
黏著劑組成物亦可包含有光聚合引發劑。光聚合引發劑之例為利用較波長450nm更短之波長的可見光及/或紫外線產生自由基的光自由基產生劑。
光聚合引發劑之例為：苯偶姻甲基醚、苯偶姻異丙基醚、苄基二甲基縮酮等苯偶姻醚類；苯甲醚甲基醚等取代苯偶姻醚；2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮等取代苯乙酮；1-羥環己基-苯基酮等α-羥烷基苯酮；2-甲基-2-羥基苯丙酮等取代α-酮醇；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯；1-苯基-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)-肟等光活性肟；二苯基酮、苯甲醯苯甲酸、苯甲醯苯甲酸甲酯、4-苯基二苯基酮、羥基二苯基酮、丙烯醯化二苯基酮、4-苯甲醯基-4'-甲基二苯硫醚、3,3',4,4'-四(三級丁基過氧羰基)二苯基酮等二苯基酮系化合物；9-氧硫、2-氯9-氧硫𠮿、2-甲基9-氧硫𠮿、異丙基9-氧硫𠮿、2,4-二異丙基9-氧硫𠮿、2,4-二乙基9-氧硫𠮿等9-氧硫𠮿系化合物；2,4,6-三氯-均三𠯤、2-苯基-4,6-雙(三氯甲基)-均三𠯤、2-(對甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-均三𠯤、2-(對甲苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-均三𠯤、2-胡椒基(piperonyl)-4,6-雙(三氯甲基)-均三𠯤、2,4-雙(三氯甲基)-6-苯乙烯基-均三𠯤、2-(萘甲醯-1-基)-4,6-雙(三氯甲基)-均三𠯤、2-(4-甲氧基-萘甲醯-1-基)-4,6-雙(三氯甲基)-均三𠯤、2,4-三氯甲基-(胡椒基)-6-三𠯤、2,4-三氯甲基-(4'-甲氧基苯乙烯基)-6-三𠯤等三𠯤系化合物；1,2-辛二酮,1-[4-(苯基硫基)-,2-(O-苯甲醯基肟)]、O-(乙醯基)-N-(1-苯基-2-側氧基-2-(4'-甲氧基-萘基)亞乙基)羥胺等肟酯系化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等膦系化合物；9,10-菲醌、樟腦醌、乙基蒽醌等醌系化合物；硼酸鹽系化合物；咔唑系化合物；咪唑系化合物；以及，二茂鈦系化合物。黏著劑組成物亦可包含有1種或2種以上光聚合引發劑。
相對於單體群及其聚合物之合計100重量份，黏著劑組成物中之光聚合引發劑之摻混量例如為0.02~10重量份，亦可為0.05~5重量份。
黏著劑組成物亦可包含有交聯劑。交聯劑之例為1分子中具有2個以上聚合性官能基之多官能單體。多官能單體亦可為(甲基)丙烯酸系單體。多官能單體之例為：1分子中具有2個以上C=C鍵之單體、及1分子中具有1個以上C=C鍵與1個以上環氧基、吖𠰂、㗁唑啉基、肼基、羥甲基等聚合性官能基之單體。多官能單體宜為1分子中具有2個以上C=C鍵之單體。
多官能單體之例為：(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,2-乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二丙烯酸酯(NDDA)、1,12-十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯等多官能丙烯酸酯(多元醇與(甲基)丙烯酸之酯化合物等)；(甲基)丙烯酸烯丙酯、(甲基)丙烯酸乙烯酯、二乙烯苯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺甲酸酯丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯。多官能單體宜為多官能丙烯酸酯，較宜為三羥甲丙烷三(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。
交聯劑亦可包含有上述多官能單體以外之其他交聯劑。其他交聯劑可舉異氰酸酯系交聯劑。黏著劑組成物可包含有異氰酸酯系交聯劑作為交聯劑，亦可包含有上述多官能單體及異氰酸酯系交聯劑兩者作為交聯劑。異氰酸酯系交聯劑可有助於提升黏著片1與光學薄膜之投錨力。
異氰酸酯系交聯劑可使用具有至少2個異氰酸酯基的化合物(異氰酸酯化合物)。異氰酸酯化合物中所含之異氰酸酯基之數量宜為3以上。異氰酸酯基之數量的上限值無特別限定，例如為5。異氰酸酯化合物可舉芳香族異氰酸酯化合物、脂環族異氰酸酯化合物、脂肪族異氰酸酯化合物等。
芳香族異氰酸酯化合物可列舉例如：二異氰酸伸苯酯、2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6-二異氰酸甲苯酯、2,2’-二苯甲烷二異氰酸酯、4,4’-二苯甲烷二異氰酸酯、4,4’-甲苯胺二異氰酸酯、4,4’-二苯基醚二異氰酸酯、4,4’-二苯基二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、伸茬基二異氰酸酯等。
脂環族異氰酸酯化合物可列舉例如：1,3-環戊烯二異氰酸酯、1,3-環己烷二異氰酸酯、1,4-環己烷二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、氫化二苯甲烷二異氰酸酯、氫化伸茬基二異氰酸酯、氫化甲伸苯基二異氰酸酯、氫化四甲基伸茬基二異氰酸酯等。
脂肪族異氰酸酯化合物可列舉：三亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯(HDI)、五亞甲基二異氰酸酯(PDI)、1,2-伸丙基二異氰酸酯、1,3-伸丁基二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯、2,4,4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯等。
異氰酸酯系交聯劑還可列舉：上述異氰酸酯化合物的多聚物(二聚物、三聚物、五聚物等)、加成至三羥甲丙烷等多元醇而得之加成物、脲改質物、縮二脲改質物、脲甲酸酯改質物、三聚異氰酸酯改質物、碳二亞胺改質物、加成至聚醚多元醇、聚酯多元醇、丙烯酸多元醇、聚丁二烯多元醇、聚異戊二烯多元醇等而得之胺甲酸酯預聚物等。
異氰酸酯系交聯劑宜包含脂肪族異氰酸酯化合物及/或脂肪族異氰酸酯化合物之衍生物。異氰酸酯系交聯劑尤宜為選自於由五亞甲基二異氰酸酯(PDI)系交聯劑(PDI及其衍生物)及六亞甲基二異氰酸酯(HDI)系交聯劑(HDI及其衍生物)所構成群組中之至少1者。PDI系交聯劑之具體例為PDI之三聚異氰酸酯改質物等。HDI系交聯劑之具體例為HDI之三聚異氰酸酯改質物或縮二脲改質物等。
黏著劑組成物中之交聯劑之摻混量依分子量或官能基數等而異，惟相對於單體群及其聚合物之合計100重量份，例如為5重量份以下，亦可為3重量份以下、2重量份以下、1重量份以下，更可為0.5重量份以下。摻混量的下限例如為0.01重量份以上，更可為0.05重量份以上。
此外，黏著劑組成物包含異氰酸酯系交聯劑時，相對於單體群及其聚合物之合計100重量份，異氰酸酯系交聯劑之摻混量例如為0.02重量份以上，亦可為0.05重量份以上、0.1重量份以上、0.5重量份以上，更可為1重量份以上。黏著劑組成物包含異氰酸酯系交聯劑時，若將黏著劑組成物中之含羥基單體之摻混量調整成較小值，有黏著片1與光學薄膜之投錨力更提升之傾向。
添加有異氰酸酯系交聯劑時，尤其在高溫環境下有黏著片變硬之情形。此時，會損及黏著片之應力鬆弛性，因此光學薄膜之膨脹或收縮應力會容易傳導至黏著片與被黏著體之界面，而有容易發生剝落之傾向。可以添加異氰酸酯系交聯劑以外之手段來確保黏著片與光學薄膜間之投錨力時，黏著劑組成物宜不含異氰酸酯系交聯劑。
黏著劑組成物亦可包含有抗腐蝕劑。抗腐蝕劑例如可在將黏著片1貼附於ITO層等之導電層時，於該導電層之表面上偏析而形成被覆該導電層之表面的被覆層。藉由該被覆層，可抑制黏著片1中所含之腐蝕性物質(例如酸成分)移動至導電層。若利用被覆層，藉由使黏著片1與導電層之接著力降低，還有提升黏著片1之重工性之傾向。
抗腐蝕劑例如包含選自於由具有酸性基或酸酐基之含矽化合物、磷酸系化合物、及異亞磷酸系化合物所構成群組中之至少1者，宜包含具有酸性基或酸酐基之含矽化合物。
含矽化合物可舉烷氧基矽烷化合物、有機聚矽氧烷化合物等。含矽化合物中，酸性基典型上為羧基。羧基亦可為酸酐基被水解而產生之基。酸酐基可舉例如琥珀酸酐基、酞酸酐基、馬來酸酐基等羧酸酐基。含矽化合物宜不具有聚醚骨架。
含矽化合物亦可為具有烷氧矽基之矽烷耦合劑。烷氧矽基所含之烷氧基之具體例為甲氧基、乙氧基等。
具有酸酐基之烷氧基矽烷化合物可舉：2-三甲氧矽基乙基琥珀酸酐、3-三甲氧矽基丙基琥珀酸酐(信越化學工業公司製，商品名「X-12-967C」)、3-三乙氧矽基丙基琥珀酸酐、3-甲基二乙氧矽基丙基琥珀酸酐、1-羧-3-三乙氧矽基丙基琥珀酸酐等。
具有酸酐基之有機聚矽氧烷化合物可舉信越化學工業公司製之含酸酐基之寡聚物型矽烷耦合劑(商品名「X-24-9591F」)等。
磷酸系化合物可舉例如磷酸本身、磷酸酯、及該等之鹽。磷酸酯可為磷酸單酯，亦可為磷酸二酯。磷酸酯例如具有磷酸導入有碳數1~18烴基之結構。
異亞磷酸系化合物可舉例如異亞磷酸本身、烷基異亞磷酸、及該等之鹽。烷基異亞磷酸所含之烷基之碳數例如為1~18。
相對於單體群及其聚合物之合計100重量份，黏著劑組成物中之抗腐蝕劑之摻混量例如為0.01重量份以上，亦可為0.05重量份以上、0.1重量份以上、0.2重量份以上，更可為0.4重量份以上。摻混量的上限例如為10重量份以下，亦可為5重量份以下，更可為1重量份以下。黏著劑組成物亦可不包含有抗腐蝕劑。
黏著劑組成物亦可包含有上述以外之添加劑。添加劑之例為：鏈轉移劑、抗腐蝕劑以外之矽烷耦合劑、黏度調整劑、賦黏劑、塑化劑、軟化劑、抗老化劑、充填劑、著色劑、抗氧化劑、界面活性劑、抗靜電劑及紫外線吸收劑。
黏著劑組成物中之溶劑之含有率例如為5重量%以下，亦可為4重量%以下、3重量%以下、2重量%以下、1重量%以下，更可為0.5重量%以下。黏著劑組成物亦可實質上不含溶劑。所謂實質上不含溶劑，其旨在以例如0.1重量%以下、宜為0.05重量%以下、較宜以0.01重量%以下之含有率容許源自添加劑等之溶劑等。
黏著劑組成物之黏度宜為5~150泊。具有上述範圍之黏度的黏著劑組成物特別適於形成後述塗佈層。
(黏著片之物性及特性) 黏著片1之單體群之聚合率宜為90%以上。聚合率亦可為95%以上、98%以上，更可為99%以上。
黏著片1之凝膠分率例如為50%以上，亦可為75%以上、80%以上，更可為85%以上。
黏著片1之潛變量例如為500µm以下，亦可為300µm以下、180µm以下、160µm以下、150µm以下、100µm以下，更可為50µm以下。潛變量的下限例如為5µm以上，亦可為10µm以上，更可為20µm以上。
黏著片1之潛變量可以下述方式評估(參照圖2A及圖2B)。首先，將評估對象之黏著片1與支持薄膜51之積層體裁切成10mm×50mm的短籤狀，做成試驗片52。支持薄膜51配置之目的在於抑制試驗時被施加荷重之黏著片1中該荷重施加部分之變形以更精準地測定潛變量。對於支持薄膜51，可使用例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜等之樹脂薄膜。支持薄膜51可為光學薄膜、或是包含光學薄膜之積層體。支持薄膜51之厚度若為自身不會因上述荷重而變形之厚度即可，例如為20~200µm。接著，如圖2A及圖2B所示，藉由黏著片1，以長10mm×寬10mm之接合面將試驗片52貼附於不鏽鋼製試驗板53之表面。此外，圖2B係圖2A之剖面B-B。試驗片52對試驗板53之貼附係以不於試驗板53與黏著片1之間混入氣泡之方式來實施。又，貼附後，容置在50℃及5大氣壓(絕對壓力)之高壓釜內15分鐘，使試驗板53與黏著片1之接合均質化。接著，將試驗板53及試驗片52以使試驗板53位於上方之方式保持垂直，並在25℃之氣體環境下放置至少5分鐘後，在固定住試驗板53之狀態下於試驗片52之下端中央固定質量500g之砝碼，而鉛直向下增加500gf之荷重54。開始增加荷重54後在3600秒後之時間點測定黏著片1對試驗板53之潛變量(偏移量)，作為砝碼之落下量。測定砝碼之落下量時可使用雷射位移計。
黏著片1之厚度例如為500µm以下，亦可為250µm以下、150µm以下、100µm以下、50µm以下、30µm以下、25µm以下，更可為20µm以下。黏著片1之厚度的下限例如為2µm以上，亦可為5µm以上。
(黏著片之製造方法) 黏著片1之製造方法無特別限定。舉一例來說，黏著劑組成物為光硬化性時，黏著片1可藉由以下方法來製造。首先，如圖3A或圖3B所示，製作依序包含基材片材21、含黏著劑組成物之塗佈層22、及剝離襯材23之第1積層體15。藉由對第1積層體15照射光14，可從塗佈層22形成黏著片1(圖3C)。
光14對第1積層體15之照射典型上係從基材片材21側實施(圖3A)。此時，光14會透射基材片材21到達塗佈層22，使塗佈層22硬化。惟，光14之照射可從剝離襯材23側實施，亦可從剝離襯材23及基材片材21這兩側實施(圖3B)。由塗佈層22形成之黏著片1在剝離襯材23被剝離之前，係被基材片材21及剝離襯材23夾持而構成第2積層體16之一部分。
剝離襯材23之基材(以下稱「襯材基材」)之例為樹脂薄膜。襯材基材中可含之樹脂之例為：聚對苯二甲酸乙二酯及聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、乙酸酯樹脂、聚醚碸、聚碳酸酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚烯烴、(甲基)丙烯酸樹脂、聚氯乙烯、聚二氯亞乙烯、聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚芳酯、以及聚伸苯硫醚。樹脂宜為聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯。
剝離襯材23可具有光14的透射性，亦可具有與基材片材21相同程度之光14的透射性。
剝離襯材23之厚度例如為10~200µm，亦可為25~150µm。
剝離襯材23亦可具備有襯材基材以外之層。剝離襯材23亦可具備有脫模層。剝離襯材23具備例如襯材基材與形成於襯材基材之一面的脫模層。該剝離襯材23可以使脫模層在塗佈層22側之方式來使用。
脫模層典型上為含脫模劑之脫模劑組成物的硬化層。對於脫模劑，可使用聚矽氧系脫模劑、氟系脫模劑、長鏈烷基系脫模劑、脂肪酸醯胺系脫模劑、矽粉等各種脫模劑。剝離襯材23亦可具備有包含聚矽氧系脫模劑作為主成分之脫模劑組成物之硬化層(以下稱「聚矽氧脫模層」)。聚矽氧脫模層特別適於兼顧對黏著片1之密著性及剝離性。此外，本說明書中，主成分意指含有率最大之成分。
聚矽氧系脫模劑例如為加成反應型、縮合反應型、紫外線硬化型、電子束硬化型、無溶劑型等各種硬化型聚矽氧材料，宜為加成反應硬化型聚矽氧材料。加成反應硬化型聚矽氧材料特別適於形成兼顧對黏著片1之密著性及剝離性的脫模層。硬化型聚矽氧材料亦可為藉由接枝聚合等對胺甲酸酯、環氧、醇酸樹脂等有機樹脂導入了反應性聚矽氧的聚矽氧改質樹脂。
加成反應硬化型聚矽氧材料之例為分子內具有乙烯基或烯基之聚有機矽氧烷。加成反應硬化型聚矽氧材料亦可不具有氫矽基。烯基之例為：3-丁烯基、4-戊烯基、5-己烯基、6-庚烯基、7-辛烯基、8-壬烯基、9-癸烯基、10-十一烯基及11-十二烯基。聚有機矽氧烷之例為：聚二甲基矽氧烷、聚二乙基矽氧烷及聚甲基乙基矽氧烷等聚烷基烷基矽氧烷、聚烷基芳基矽氧烷、以及聚(二甲基矽氧烷-二乙基矽氧烷)等複數種含Si原子單體之共聚物。聚有機矽氧烷宜為聚二甲基矽氧烷。
包含聚矽氧系脫模劑作為主成分之脫模劑組成物(以下稱「聚矽氧脫模劑組成物」)通常包含交聯劑。交聯劑之例為具有氫矽基之聚有機矽氧烷。交聯劑亦可於一分子中具有2個以上氫矽基。
聚矽氧脫模劑組成物亦可包含有硬化觸媒。硬化觸媒之例為鉑系觸媒。鉑系觸媒之例為氯化鉑酸、鉑之烯烴錯合物、氯化鉑酸之烯烴錯合物。鉑系觸媒之使用量相對於組成物之總固體成分例如為10~1000ppm(重量基準，換算成鉑)。
聚矽氧脫模劑組成物亦可包含有添加劑。添加劑之例為剝離控制劑及密著性提升劑。剝離控制劑之例為未反應性之聚矽氧樹脂，更具體之例為八甲基環四矽氧烷等有機矽氧烷及MQ樹脂。相對於組成物之總固體成分，剝離控制劑及密著性提升劑之使用量合計為例如1~30重量%。添加劑之其他例為充填劑、抗靜電劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、塑化劑及著色劑。相對於組成物之總固體成分，其他添加劑之使用量合計為例如10重量%以下。
聚矽氧脫模劑組成物亦可包含有有機溶劑。有機溶劑之例為：環己烷、正己烷、正庚烷等烴系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族系溶劑；乙酸乙酯、乙酸甲酯等酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮等酮系溶劑；甲醇、乙醇、丁醇等醇系溶劑。亦可包含有2種以上有機溶劑。有機溶劑之使用量宜為聚矽氧脫模劑組成物之80~99.9重量%。
脫模層例如可將形成於襯材基材上之含脫模劑組成物的塗佈膜加熱及乾燥而形成。脫模劑組成物之塗佈可應用輥塗佈、接觸輥塗佈、凹版塗佈、反向塗佈、輥刷、噴塗、浸漬輥塗佈、棒塗佈、刮刀塗佈、氣刀塗佈、簾塗佈、唇塗佈、模具塗佈等各種塗佈方法。加熱及乾燥可應用例如熱風乾燥。加熱溫度及時間依襯材基材之耐熱性而異，但通常為80~150℃及10秒~10分鐘左右。亦可視需要併用紫外線等活性能量線之照射。
脫模層之厚度例如為10~300nm。厚度的上限亦可為200nm以下、150nm以下、120nm以下、110nm以下、100nm以下、小於100nm、90nm以下、80nm以下、70nm以下、小於70nm，更可為65nm以下。厚度的下限亦可為15nm以上、20nm以上、25nm以上、30nm以上、35nm以上、40nm以上、45nm以上，更可為50nm以上。
剝離襯材23可為單片狀亦可為長條狀。
基材片材21之例為樹脂薄膜。基材片材21中所含之樹脂之例係與襯材基材中可含之樹脂之例相同。
基材片材21宜具有優異之光14的透射性。
基材片材21之厚度例如為10~200µm，亦可為25~150µm。
基材片材21亦可於塗佈層22側的面具備有脫模層。基材片材21可具備之脫模層及其製法之例係與剝離襯材23可具備之脫模層及其製法之例相同。剝離襯材23及基材片材21兩者亦可具備有脫模層。此時，兩脫模層亦可由包含相同脫模劑作為主成分之脫模劑組成物形成。又，兩脫模層之厚度可不同，例如基材片材21所具備之脫模層亦可較厚。
對於基材片材21，通常可選擇與黏著片1的剝離力較剝離襯材23更大之片材。
基材片材21可為單片狀亦可為長條狀。
第1積層體15例如可於基材片材21(或剝離襯材23)上形成塗佈層22，並於所形成之塗佈層22上配置剝離襯材23(或基材片材21)來形成。又，亦可使黏著劑組成物流入基材片材21及剝離襯材23間之以彼此主面相對向之方式保持預定間隔所形成之空間來進行塗佈，而形成第1積層體15。
塗佈層22之形成可應用輥塗佈、接觸輥塗佈、凹版塗佈、反向塗佈、輥刷、噴塗佈、浸漬輥塗佈、棒塗佈、刮刀塗佈、氣刀塗佈、簾塗佈、唇塗佈、模具塗佈等各種塗佈方法。
塗佈層22之厚度可按所欲之黏著片1之厚度來調整，例如為5~500µm，亦可為5~250µm、5~150µm、5~100µm、5~50µm、5~30µm、5~25µm，更可為5~20µm。
對第1積層體15照射之光14例如為具有較波長450nm更短之波長的可見光或紫外線。光14亦可包含有與黏著劑組成物所含之光聚合引發劑之吸收波長相同區域之波長的光。亦可照射經濾光器等截止波長300nm以下之短波長光之光14，截止短波長光適於抑制光14造成基材片材21劣化。光14之光源例如為具備紫外線照射燈之光照射裝置。紫外線照射燈之例為：紫外光LED、低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、氙燈、微波激發水銀燈、黑光燈、化學燈、殺菌燈、低壓放電水銀燈、準分子雷射。亦可組合2個以上紫外線照射燈。
光14之照射可連續亦可間斷。
光14之照度例如為1~20mW/cm 2。光14之照射時間例如為5分鐘~5小時。光14對第1積層體15之累積光量例如為100~5000mJ/cm 2。
此外，亦可視需求從第2積層體16剝離剝離襯材23，使黏著片1之表面(例如表面1a)露出，並對該表面施行表面改質處理。
[光學積層體之實施形態] 於圖4顯示本實施形態之光學積層體之一例。圖4之光學積層體10包含：上述黏著片1；以及，光學薄膜2，其係選自於由偏光薄膜及相位差薄膜所構成群組中之至少1者。黏著片1宜與光學薄膜2直接相接。圖4之例中，黏著片1之第1表面1a係與光學薄膜2相接。光學積層體10亦可具有在製作黏著片1時所用之基材片材積層於黏著片1上之結構。光學積層體10可作為附黏著片之光學薄膜使用。
(光學薄膜) 光學薄膜2具有與黏著片1相對向之表面2a。例如，表面2a係與黏著片1之第1表面1a相接。光學薄膜2之表面2a亦可經施行表面改質處理。若利用經施行表面改質處理之表面2a，有可提升黏著片1與光學薄膜2之投錨力之傾向。表面改質處理可舉於上針對黏著片1所述者。
表面2a宜經施行電暈處理作為表面改質處理。對表面2a施行電暈處理時，放電量等之條件可在例如於上針對黏著片1所述之範圍內適當調節。
如上述，光學薄膜2包含選自於由偏光薄膜及相位差薄膜所構成群組中之至少1者。光學薄膜2亦可為包含偏光薄膜及/或相位差薄膜之積層薄膜。光學薄膜2亦可包含有玻璃製薄膜。惟，光學薄膜2不受上述例所限。
偏光薄膜包含偏光件。偏光薄膜典型上包含偏光件及保護薄膜(透明保護薄膜)。保護薄膜例如係配置成與偏光件之主面(具有最寬廣面積之表面)相接。偏光件亦可配置在2片保護薄膜之間。保護薄膜亦可配置於偏光件之至少一面。
偏光件無特別限定，可舉例如使聚乙烯醇系薄膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇系薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜吸附碘、二色性染料等二色性物質並單軸延伸而得者；聚乙烯醇之脫水處理物、聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等多烯系定向薄膜等。偏光件典型上係由聚乙烯醇系薄膜(聚乙烯醇系薄膜中包含乙烯・乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜)及碘等二色性物質構成。
偏光件之厚度無特別限定，例如為80µm以下，亦可為50µm以下、30µm以下、25µm以下，更可為20µm以下。偏光件之厚度的下限無特別限定，例如為1µm以上，亦可為5µm以上、10µm以上，更可為15µm以上。薄型偏光件(例如厚度20µm以下)之尺寸變化受到抑制，而可有助於提升光學積層體之耐久性、尤其是高溫下之耐久性。
保護薄膜之材料可使用例如透明性、機械強度、熱穩定性、水分阻隔性、各向同性等優異之熱塑性樹脂。所述熱塑性樹脂的具體例可列舉例如：三醋酸纖維素等之纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、(甲基)丙烯酸樹脂、環狀聚烯烴樹脂(降𦯉烯系樹脂)、聚芳酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂及該等之混合物。保護薄膜之材料亦可為(甲基)丙烯酸系、胺甲酸酯系、丙烯酸胺甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂。偏光薄膜具有2片保護薄膜時，2片保護薄膜之材料可互同亦可互異。例如，亦可對偏光件之一主面透過接著劑貼合有以熱塑性樹脂構成之保護薄膜，且對偏光件之另一主面貼合有以熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂構成之保護薄膜。保護薄膜亦可包含有1種以上任意之添加劑。添加劑可舉例如紫外線吸收劑、抗氧化劑、滑劑、塑化劑、脫模劑、抗著色劑、阻燃劑、成核劑、抗靜電劑、顏料、著色劑等。
此外，含(甲基)丙烯酸樹脂之薄膜有與黏著片之接著強度小之傾向。惟，本實施形態中，藉由黏著片1滿足上述要件(1)或(2)，即便在含(甲基)丙烯酸樹脂之保護薄膜的表面符合光學薄膜2之表面2a之情況下，仍可將黏著片1與光學薄膜2之投錨力調整成夠高之值。
保護薄膜的厚度可適當決定，惟一般由強度或操作性等作業性、薄膜性等方面來看，為10~200μm左右。
偏光件與保護薄膜通常係透過水系接著劑等密著。水系接著劑方面可例示異氰酸酯系接著劑、聚乙烯醇系接著劑、明膠系接著劑、乙烯基系乳膠、水系聚胺甲酸酯、水系聚酯等。上述接著劑以外之其他接著劑可舉紫外線硬化型接著劑、電子束硬化型接著劑等。電子束硬化型偏光板用接著劑係對各種保護薄膜展現適宜之接著性。接著劑亦可包含有金屬化合物填料。
偏光薄膜中，亦可於偏光件上形成相位差薄膜等來取代保護薄膜。保護薄膜上亦可進一步設置其他保護薄膜、設置相位差薄膜等等。
關於保護薄膜，可於與偏光件接著之表面相對向之表面設置有硬塗層，亦可施行為了抗反射、抗黏、擴散、防眩等之處理。
偏光薄膜亦可為圓偏光薄膜。
相位差膜薄膜可使用使高分子薄膜延伸而得者或已使液晶材料定向、固定化者。相位差薄膜例如於面內及/或厚度方向上具有雙折射。
相位差薄膜包含：抗反射用相位差薄膜(參照日本專利特開2012-133303號公報[0221]、[0222]、[0228])、視角補償用相位差薄膜(參照日本專利特開2012-133303號公報[0225]、[0226])、視角補償用傾斜定向相位差薄膜(參照日本專利特開2012-133303號公報[0227])等。
相位差薄膜之具體構成、例如相位差值、配置角度、3維雙折射率、單層或多層等無特別限制，可使用公知之相位差薄膜。
相位差薄膜之厚度宜為20µm以下，較宜為10µm以下，更宜為1~9µm，尤宜為3~8µm。
相位差薄膜例如亦可包含有液晶材料經定向、固定化之1/4波長板及/或1/2波長板。
(光學積層體之特性) 如上述，本實施形態中，黏著片1滿足要件(1)或(2)，因此有黏著片1與光學薄膜2之投錨力F大之傾向。投錨力F例如為10.0N/25mm以上，亦可為11.0N/25mm以上、12.0N/25mm以上、13.0N/25mm以上、14.0N/25mm以上、15.0N/25mm以上、16.0N/25mm以上，更可為17.0N/25mm以上。投錨力F宜大於16.0N/25mm。投錨力F如該程度般大時，可充分抑制黏著片1與光學薄膜2之間的剝落。投錨力F的上限無特別限定，例如為50N/25mm以下，亦可為30N/25mm以下。
黏著片1與光學薄膜2之投錨力F可藉由以下方法測定。首先，將評估對象之光學積層體10裁切成寬度25mm×長度150mm，做成試驗片。接著，透過雙面膠帶將試驗片具備之光學薄膜2的表面整體疊合於不鏽鋼製試驗板上，使2kg滾筒來回1次，使該等壓接。接著，將試驗片具備之黏著片1疊合於評估用片材上，使2kg滾筒來回1次，使該等壓接。評估用片材只要是具有寬30mm×長150mm之尺寸且在試驗中不會從黏著片1剝離者，便無特別限定。評估用片材可使用例如ITO薄膜(125 TETOLIGHT OES(尾池工業公司製)等)。接著，使用市售之拉伸試驗機，在把持評估用片材之狀態下，以剝離角度180°、拉伸速度300mm/分鐘將黏著片1從光學薄膜2剝開，並特定此時的剝離力之平均值作為黏著片1與光學薄膜2的投錨力F。此外，上述試驗係在23℃之氣體環境下進行。
如上述，本實施形態中，黏著片1滿足要件(1)或(2)，因此即便在使黏著片1接觸ITO層等導電層之情況下，仍有可抑制導電層腐蝕之傾向。舉一例來說，光學積層體10藉由下述試驗2求得之表面電阻值R 250(Ω/□)相對於藉由下述試驗1求得之表面電阻值R i(Ω/□)的比R 250/R i宜為3.0以下。比R 250/R i可作為黏著片1所致之ITO層之易腐蝕性之指標來利用。 試驗1：對表面形成有非晶性ITO層之無鹼玻璃的ITO層貼附光學積層體10之黏著片1(詳細而言為黏著片1之第2表面1b)。容置在50℃及5大氣壓(絕對壓力)之高壓釜內15分鐘，使ITO層與黏著片1之接合均質化，使黏著片1密著於ITO層。對所得評估試樣測定ITO層之表面電阻值R i(Ω/□)。 試驗2：藉由與試驗1相同方法，在高壓釜內使ITO層與黏著片1之接合均質化，而獲得評估試樣。針對該評估試樣，在大氣壓下在65℃95%RH下進行250小時處理。對處理後之評估試樣測定ITO層之表面電阻值R 250(Ω/□)。
試驗1及2中，ITO層可藉由濺鍍來製作。ITO層中所含之ITO之Sn比率(Sn原子之重量/(Sn原子之重量+In原子之重量))例如為3重量%。
比R 250/R i宜為3以下，亦可為2.5以下、2以下、1.5以下，更可為1.3以下。比R 250/R i例如大於1.0。
於圖5顯示本實施形態之光學積層體之另一例。圖5之光學積層體11具有依序積層有黏著片1A、光學薄膜2A、黏著片1B及光學薄膜2B之積層結構。光學積層體11亦可具有在製作黏著片1A時所用之基材片材積層於黏著片1A之結構。
光學積層體11中，典型上，光學薄膜2A為相位差薄膜，光學薄膜2B為偏光薄膜。黏著片1B係作為光學薄膜2A及2B之層間黏著劑發揮功能。黏著片1B亦可為使用公知之黏著劑者。
本實施形態之光學積層體10及11例如可以將帶狀光學積層體捲繞而成之捲繞體之形態、或以單片狀光學積層體之形態進行流通及保管。
於圖6顯示本實施形態之光學積層體之又另一例。圖6之光學積層體12包含上述黏著片1與含金屬氧化物之導電層3。黏著片1宜與導電層3直接相接。圖6之例中，黏著片1之第2表面1b係與導電層3相接。
光學積層體12例如更具備光學薄膜2及基板4。光學積層體12具有依序積層有光學薄膜2、黏著片1、導電層3及基板4之積層結構。基板4之具體例為玻璃基板。
(導電層) 導電層3中所含之金屬氧化物例如為複合氧化物。複合氧化物可舉例如銦鋅複合氧化物(IZO)、銦鎵鋅複合氧化物(IGZO)、銦鎵複合氧化物(IGO)、銦錫複合氧化物(ITO)、銻錫複合氧化物(ATO)等。
本實施形態之光學積層體典型上可用於影像顯示裝置。影像顯示裝置可為有機EL顯示器，亦可為液晶顯示器。惟，影像顯示裝置不受上述例所限。影像顯示裝置亦可為電致發光(EL)顯示器、電漿顯示器(PD)、場發射顯示器(FED：Field Emission Display)等。影像顯示裝置可用於家電用途、車載用途、公共資訊顯示器(PID)用途等。
實施例 以下藉由實施例進一步詳細說明本發明。本發明不受以下所示實施例所限。
[剝離襯材A] 將加成反應硬化型聚矽氧(包含含己烯基之聚有機矽氧烷之LTC761，30重量%甲苯溶液，Dow Corning Toray Co., Ltd.製)30重量份、剝離控制劑(含未反應性聚矽氧樹脂之BY24-850，Dow Corning Toray Co., Ltd.製)0.9重量份及硬化觸媒(含鉑觸媒之SRX212，Dow Corning Toray Co., Ltd.製)2重量份、以及作為稀釋溶劑之甲苯/己烷混合溶劑(體積比1：1)混合，而獲得聚矽氧系脫模劑組成物。脫模劑組成物中之聚矽氧固體成分之濃度為1.0重量%。接著，利用線棒將脫模劑組成物塗佈於襯材基材(聚酯薄膜Lumirror XD500P，厚度75µm)之單面，並在130℃下加熱1分鐘，製作出於單面具備脫模層(厚度60nm)之剝離襯材A。
[剝離襯材B] 除了變更要塗佈於襯材基材之脫模劑組成物之厚度外，藉由與剝離襯材A相同方法，而製作出於單面具備脫模層(厚度120nm)之剝離襯材B。
[單體漿A1] 將丙烯酸正丁酯(BA)99重量份、丙烯酸4-羥丁酯(HBA)1重量份及丙烯酸(AA)0.2重量份、作為光聚合引發劑之1-羥環己基-苯基酮(Omnirad184，IGM Resins B.V.公司製)0.05重量份及2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙-1-酮(Omnirad651，IGM Resins B.V.公司製)0.05重量份投入四口燒瓶中，在氮氣環境下照射紫外線，藉此獲得已部分光聚合之單體漿A1。紫外線照射係實施至燒瓶內液體之黏度(計測條件：BH黏度計No.5轉子，10rpm，測定溫度30℃)達約20Pa・s為止。
[單體漿A2~A4] 除了將要使用之單體如表1變更外，以與單體漿A1相同方法調製出單體漿A2~A4。
[表1]
表1中之簡稱如下。 BA：丙烯酸正丁酯 HBA：丙烯酸4-羥丁酯 AA：丙烯酸
[黏著劑組成物C1~C4] 接著，以成為以下表2所示組成之方式混合單體漿、交聯劑及抗腐蝕劑，而獲得黏著劑組成物C1~C4。
[表2]
表2中之簡稱如下。 NDDA：1,9-壬二醇二丙烯酸酯 9591F：含酸酐基之寡聚物型矽烷耦合劑(信越化學工業公司製，X-24-9591F)
(實施例1) 利用灑佈器將黏著劑組成物C1塗佈於剝離襯材A之脫模層之面，而形成塗佈層(厚度20µm)。接著，於所形成之塗佈層上配置上述剝離襯材B而獲得第1積層體。剝離襯材B係配置成使脫模層與塗佈層相接。接著，從第1積層體之剝離襯材A側，在照度2.5mW/cm 2、照射時間640秒之條件下照射紫外線(黑光燈光源)使塗佈層光硬化，而形成由剝離襯材A、黏著片(厚度20µm)及剝離襯材B構成之第2積層體。
接著，從第2積層體剝離剝離襯材B，對黏著片之露出面(第1表面)以放電量61W/m 2・分鐘進行電暈處理。藉此，獲得實施例1之黏著片。
(實施例2) 除了使用黏著劑組成物C2外，以與實施例1相同方法而獲得實施例2之黏著片。
(實施例3及4) 除了將電暈處理之放電量如表3變更外，以與實施例2相同方法獲得實施例3及4之黏著片。
(比較例1) 除了未進行電暈處理外，以與實施例2相同方法而獲得比較例1之黏著片。
(比較例2) 除了使用黏著劑組成物C3外，以與比較例1相同方法而獲得實施例2之黏著片。
(實施例5) 除了使用黏著劑組成物C4外，以與實施例1相同方法而獲得實施例5之黏著片。
[元素比率R1] 針對實施例及比較例之黏著片之第1表面(在第2積層體中為與剝離襯材B相接之表面)，藉由上述方法以三氟乙醇進行處理，測定氟的元素比率R1。此外，使用X射線光電子分光分析裝置之窄能譜掃描測定係針對C、N、O、F、Si元素進行。利用X射線光電子分光分析裝置進行之測定條件如下。 (測定條件) 裝置：ULVAC-PHI, Inc.製Quantera SXM X射線源：單色AlKα X Ray設定：100µmφ[15kV, 25W] 光電子掠出角：對試料表面呈45度 鍵結能校正：將C1s光譜中來自C-C鍵之波峰校正成285.0eV 靜電中和條件：併用靜電中和槍與Ar離子槍(中和模式)
[投錨力] 針對實施例及比較例之黏著片，測定與偏光薄膜之投錨力F。偏光薄膜係依以下方法準備。首先，將厚度80µm的聚乙烯醇薄膜在速度比不同之輥間，於溫度30℃、濃度0.3%的碘溶液中染色1分鐘並延伸至3倍為止。接著，一邊將其浸漬於以濃度4%包含硼酸且以濃度10%包含碘化鉀之溫度60℃的水溶液中0.5分鐘，一邊進行延伸至總和延伸倍率達6倍為止。接著，將其浸漬於以濃度1.5%包含碘化鉀之溫度30℃的水溶液中10秒鐘洗淨後，在50℃下進行乾燥4分鐘，藉此獲得了厚度28µm之偏光件。藉由聚乙烯醇系接著劑，將由具有內酯環結構之改質丙烯酸系聚合物構成的厚度30µm之透明保護薄膜貼合於該偏光件之單面。並且，藉由聚乙烯醇系接著劑，將於三醋酸纖維素薄膜(Konica Minolta製，商品名「KC4UY」)上形成有硬塗層(HC)之厚度47µm的透明保護薄膜貼合於偏光件之另一面。使其在設定成70℃之烘箱內加熱乾燥5分鐘，藉此製出偏光薄膜。並且，對偏光薄膜之由改質丙烯酸系聚合物構成之透明保護薄膜側之表面，以放電量61W/m 2・分鐘進行電暈處理。
接著，於黏著片之第1表面(在第2積層體中為與剝離襯材B相接之表面)配置上述偏光薄膜而製作出光學積層體。此外，偏光薄膜係配置成使由改質丙烯酸系聚合物構成之透明保護薄膜側之表面與黏著片相接。
針對製出之光學積層體，利用上述方法測定黏著片與偏光薄膜之投錨力F。雙面膠帶係使用日東電工公司製之商品名「No.531」。不鏽鋼製試驗材係使用SUS304之板(寬度40mm×長度120mm)。評估用片材係使用ITO薄膜(125 TETOLIGHT OES，尾池工業製)。拉伸試驗機係使用Autograph SHIMAZU AG-I 10KN(島津製作所製)。
[比R 250/R i] 首先，藉由與上述投錨力F之測定方法相同方法製作出光學積層體。使用所得光學積層體進行上述試驗1及2，特定出表面電阻值R 250(Ω/□)相對於表面電阻值R i(Ω/□)的比R 250/R i。試驗1及2中，ITO層係藉由將ITO濺鍍成膜於厚度0.7mm之無鹼玻璃(康寧公司製，商品名「EG-XG」)來製作。ITO層中所含之ITO之Sn比率(Sn原子之重量/(Sn原子之重量+In原子之重量))為3重量%。附ITO層之玻璃係切斷成長25mm×寬25mm來使用。光學積層體係切斷成長15mm×寬15mm後，貼合於附ITO層之玻璃之ITO層的中央部。表面電阻值R i及R 250係使用Accent Optical Technologies公司製之HL5500PC來測定。
[表3]
由表3可知，相較於比較例，滿足上述要件(1)之實施例1~4之黏著片及滿足要件(2)之實施例5之黏著片，該等例之比R 250/R i之值較小，有抑制住ITO層之腐蝕。並且，實施例之黏著片其等與光學薄膜(偏光薄膜)之投錨力F為較大值。
產業上之可利用性 本發明黏著片例如可利用於光學積層體或影像顯示裝置。
1,1A,1B:黏著片 1a:第1表面 1b:第2表面 2,2A,2B:光學薄膜 2a:光學薄膜之表面 3:導電層 4:基板 10,11,12:光學積層體 14:光 15:第1積層體 16:第2積層體 21:基材片材 22:塗佈層 23:剝離襯材 51:支持薄膜 52:試驗片 53:試驗板 54:荷重 B-B:剖面
圖1係剖面圖，其示意顯示本發明黏著片之一例。 圖2A係示意圖，其用以說明對黏著片測定潛變量之測定方法。 圖2B係示意圖，其用以說明對黏著片測定潛變量之測定方法。 圖3A係示意圖，其用以說明本發明黏著片之製造方法之一例。 圖3B係示意圖，其用以說明本發明黏著片之製造方法之一例。 圖3C係示意圖，其用以說明本發明黏著片之製造方法之一例。 圖4係剖面圖，其示意顯示本發明光學積層體之一例。 圖5係剖面圖，其示意顯示本發明光學積層體之一例。 圖6係剖面圖，其示意顯示本發明光學積層體之一例。
1:黏著片
1a:第1表面
1b:第2表面

Claims (14)

  1. 一種黏著片，係由包含單體群及/或前述單體群之聚合物的黏著劑組成物形成者； 前述黏著片具有相互對向之第1表面及第2表面，且 滿足選自於由下述要件(1)及(2)所構成群組中之至少1者； (1)前述單體群100重量份中，含羧基單體之摻混量為0.5重量份以下；且 以三氟乙醇處理前述第1表面後，前述第1表面中之氟的元素比率R1為0.1原子%以上； (2)前述黏著劑組成物包含抗腐蝕劑； 前述單體群100重量份中，含羧基單體之摻混量為7.0重量份以下；且 以三氟乙醇處理前述第1表面後，前述第1表面中之氟的元素比率R1為0.1原子%以上。
  2. 如請求項1之黏著片，其中以三氟乙醇處理前述第2表面後時，前述第2表面中之氟的元素比率R2小於0.1原子%。
  3. 如請求項1之黏著片，其中前述黏著劑組成物為光硬化性。
  4. 如請求項1之黏著片，其中前述黏著劑組成物中之溶劑之含有率為5重量%以下。
  5. 如請求項1之黏著片，其中前述第1表面係經施行表面改質處理之面。
  6. 如請求項5之黏著片，其中前述表面改質處理為電暈處理。
  7. 如請求項1之黏著片，其中前述抗腐蝕劑包含選自於由具有酸性基或酸酐基之含矽化合物、磷酸系化合物、及異亞磷酸系化合物所構成群組中之至少1者。
  8. 如請求項1之黏著片，其中前述單體群包含(甲基)丙烯酸系單體。
  9. 如請求項1之黏著片，其厚度為50µm以下。
  10. 一種光學積層體，具備： 如請求項1至9中任一項之黏著片；以及 光學薄膜，係包含選自於由偏光薄膜及相位差薄膜所構成群組中之至少1者。
  11. 如請求項10之光學積層體，其中前述黏著片之前述第1表面係與前述光學薄膜相接。
  12. 如請求項10之光學積層體，其中前述黏著片與前述光學薄膜之投錨力在10.0N/25mm以上。
  13. 一種光學積層體，具備： 如請求項1至9中任一項之黏著片；及 含金屬氧化物之導電層。
  14. 如請求項13之光學積層體，其中前述黏著片之前述第2表面係與前述導電層相接。
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