TW202408076A - 濾波器 - Google Patents

Abstract

濾波器(10)係具備分別具備通孔電極部(20)和電容器電極(18、19)之複數的共振器(11)，和第1遮蔽導體(12A)、和未連接於複數之共振器(11)之任一者，對向於第1遮蔽導體(12A)的第1結合容量電極(98)；第1結合容量電極(98)係形成在形成有第1電容電極(18B)之層，第1結合容量電極(98)的一部分係位於第2電容電極(19C)和第1遮蔽導體(12A)之間。

Description

濾波器

本發明係有關濾波器。

提出了具有與形成在電介質基板的一方之主面側的遮蔽導體相對的帶狀線路、和一端與形成在電介質基板的另一方之主面側的遮蔽導體連接、另一端與帶狀線路連接的通孔電極的共振器(日本特開2020-198482號公報)。

以期望實現更好的濾波器特性的技術。

本發明係解决上述課題為目的。

本發明一形態所成濾波器，係具備：具有第1主面、和位於前述第1主面的相反側的第2主面的電介質基板、和形成在前述電介質基板之中之前述第1主面側的第1遮蔽導體、和形成在前述電介質基板之中之前述第2主面側的第2遮蔽導體、和分別備有形成在前述第1遮蔽導體與前述第2遮蔽導體間的通孔電極部、和與前述通孔電極部之一端連接的電容電極的複數之共振器、和未連接於複數之前述共振器之任一者，對向於前述第1遮蔽導體的第1結合容量電極；前述第1結合容量電極係形成在複數之前述電容電極中形成有第1電容電極之層，形成有前述第1電容電極之層係位於複數之前述電容電極中的形成有第2電容電極之層、和形成有前述第1遮蔽導體之層間，前述第1結合容量電極的一部分係位於前述第2電容電極和前述第1遮蔽導體之間。

根據本發明，即使在形成電容電極時產生尺寸誤差等的情況下，也能夠抑制濾波器特性的惡化。

上述之目的、特徵及優點係可從參照圖面說明之以下實施形態之說明，可被容易理解。

(較佳實施形態例的記載) [第1實施形態]

對於第1實施形態所成濾波器，使用圖面加以說明。圖1係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。圖2係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。圖3A及3B係顯示第1實施形態所成濾波器之一部分之剖面圖。圖4及圖5係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。圖6及圖7係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。圖8係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。圖9係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。圖10係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。圖11係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。圖12係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。圖13係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。圖14係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。圖15係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。為了達成簡化，在圖1~圖15中，適當省略了一部分構成要素。

如圖1所示，本實施形態的濾波器10中，具備電介質基板14。電介質基板14係例如形成為長方體狀，但並不限定於此。電介質基板14係經由層積複數之陶瓷薄片(電介質陶瓷薄片)而構成。

電介質基板14係具有2個主面14a、14b和4個側面14c~14f。主面14a和主面14b係互為位於相反側。令沿側面14c及側面14d的法線方向的方向為X方向。更具體而言，將側面14c、14d的法線方向設為X方向。換言之，將電介質基板14的長度方向設為X方向。令沿側面14e及側面14f的法線方向的方向為Y方向。更具體而言，將側面14e、14f的法線方向設為Y方向。令沿著主面14a、14b的法線方向的方向為Z方向。更具體而言，將主面14a、14b的法線方向設為Z方向。

在電介質基板14中的主面14b側，形成有遮蔽導體12A。即，在電介質基板14的下側，形成有遮蔽導體12A。在電介質基板14中的主面14a側，形成有遮蔽導體12B。即，在電介質基板14的上側，形成有遮蔽導體12B。

在電介質基板14的側面14c，形成有輸入輸出端子(第1輸入輸出端子)22A。在電介質基板14的側面14d，形成有輸入輸出端子(第2輸入輸出端子)22B。

在電介質基板14的側面14e，形成有遮蔽導體12Ca。在電介質基板14的側面14f，形成有遮蔽導體12Cb。遮蔽導體12Ca、12Cb係形成為板狀。遮蔽導體12Ca、12Cb係沿電介質基板14的長度方向而形成。

在電介質基板14內，形成有與遮蔽導體12A相對的電容電極(帶狀線路)18B、18D。電容電極18B、18D係形成在同一層。換言之，電容電極18B、18D係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。以下，在不區分各個電容電極18B、18D而進行說明時，使用符號18。

在電介質基板14內，形成有電容電極(帶狀線路)19A、19C、19E。電容電極19A、19C、19E係形成在同一層。換言之，電容電極19A、19C、19E係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。形成電容電極19A、19C、19E的層係相對於形成電容電極18的層，位於上方。在電容電極19A、19C、19E和電容電極18之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。以下，在不區分各個電容電極19A、19C、19E而進行說明時，使用符號19。

如圖2所示，電容電極18係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。電容電極18B和電容電極18D係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成電容電極18係為了得到良好的頻率特性。

電容電極19係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。電容電極19A和電容電極19E係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。電容電極19C係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成電容電極19係為了得到良好的頻率特性。

電容電極18B係包含部分圖案(電極圖案)18B1~18B3。部分圖案18B1係與後述的通孔電極部20B連接。部分圖案18B2之一端係與部分圖案18B1連接。部分圖案18B2係向-X方向突出。部分圖案18B3之一端係與部分圖案18B1連接。部分圖案18B3係向+X方向突出。

電容電極18D係包含部分圖案(電極圖案)18D1~18D3。部分圖案18D1係與後述的通孔電極部20D連接。部分圖案18D2之一端係與部分圖案18D1連接。部分圖案18D2係向+X方向突出。部分圖案18D3之一端係與部分圖案18D1連接。部分圖案18D3係向-X方向突出。

電容電極19A係包含部分圖案(電極圖案)19A1~19A3。部分圖案19A1係與後述的通孔電極部20A連接。部分圖案19A2之一端係與部分圖案19A1連接。部分圖案19A2係向+X方向突出。部分圖案19A3之一端係與部分圖案19A1連接。部分圖案19A3係向+Y方向突出。部分圖案19A3的一部分係面對部分圖案18B2的一部分。部分圖案19A3的一部分、和部分圖案18B2的一部分係在俯視時相互重疊。

電容電極19C係包含部分圖案(電極圖案)19C1~19C3。部分圖案19C1係與後述的通孔電極部20C(參照圖1)連接。部分圖案19C2之一端係與部分圖案19C1連接。部分圖案19C2係向+Y方向突出。部分圖案19C3之一端係與部分圖案19C1連接。部分圖案19C3係向 -Y方向突出。部分圖案19C2的一部分係面對部分圖案18B3的一部分。部分圖案19C2的一部分、和部分圖案18B3的一部分係在俯視時相互重疊。部分圖案19C3的一部分係面對部分圖案18D3的一部分。部分圖案19C3的一部分、和部分圖案18D3的一部分係在俯視時相互重疊。

電容電極19E係包含部分圖案(電極圖案)19E1~19E3。部分圖案19E1係與後述的通孔電極部20E連接。部分圖案19E2之一端係與部分圖案19E1連接。部分圖案19E2係向-X方向突出。部分圖案19E3之一端係與部分圖案19E1連接。部分圖案19E3係向-Y方向突出。部分圖案19E3的一部分係面對部分圖案18D2的一部分。部分圖案19E3的一部分、和部分圖案18D2的一部分係在俯視時相互重疊。

在電介質基板14內，更形成與遮蔽導體12Ca連接的電極圖案19a、19d、和與遮蔽導體12Cb連接的電極圖案19b、19c。電極圖案19a係相對於部分圖案19A1，位於-Y方向。電極圖案19b係相對於部分圖案19E1，位於+Y方向。電極圖案19c係相對於部分圖案18B1，位於+Y方向。電極圖案19d係相對於部分圖案18D1，位於-Y方向。

如圖1所示，在電介質基板14內，更形成有通孔電極部20A~20E。然而，在不區分各個通孔電極部進行說明時，使用符號20，在區分各個通孔電極部進行說明時，使用符號20A~20E。

通孔電極部20係由複數之通孔電極24構成。通孔電極24係分別埋入形成在電介質基板14上的通孔。

通孔電極部20B、20D的一端(下端)係與電容電極18B、18D連接。通孔電極部20A、20C、20E的一端(下端)係與電容電極19A、19C、19E連接。通孔電極部20的另一端(上端)係與遮蔽導體12B連接。通孔電極部20的長度方向係沿著主面14a、14b的法線方向。如此，通孔電極部20係從電容器電極18、19到遮蔽導體12B加以形成。

經由電容電極19A和通孔電極部20A，構成構造體16A。經由電容電極18B和通孔電極部20B，構成構造體16B。經由電容電極19C和通孔電極部20C，構成構造體16C。經由電容電極18D和通孔電極部20D，構成構造體16D。經由電容電極19E和通孔電極部20E，構成構造體16E。然而，在不區分各個構造體進行說明時，使用符號16，在區分各個構造體進行說明時，使用符號16A~16E。

濾波器10係具備分別包含構造體16的複數共振器11A~11E。然而，在不區分各個共振器進行說明時，使用符號11，在區分各個共振器進行說明時，使用符號11A~11E。

共振器11A和共振器11B係彼此相鄰地排列。共振器11B和共振器11C係彼此相鄰地排列。共振器11C和共振器11D係彼此相鄰地排列。共振器11D和共振器11E係彼此相鄰地排列。

如圖2所示，通孔電極部20A和通孔電極部20B和通孔電極部20C和通孔電極部20D和通孔電極部20E係在X方向上相互錯開。通孔電極部20C係位於俯視的電介質基板14的中心C。俯視的通孔電極部20C的中心P3的位置係與俯視的電介質基板14的中心C的位置一致。

通孔電極部20C的中心P3在X方向的位置係在通孔電極部20A的中心P1在X方向的位置與通孔電極部20E的中心P5在X方向的位置之間。較佳係通孔電極部20C的中心P3在X方向的位置與通孔電極部20A的中心P1在X方向的位置之間的距離，係等於通孔電極部20C的中心P3在X方向的位置與通孔電極部20E的中心P5在X方向的位置之間的距離。

同樣地，通孔電極部20C的中心P3在Y方向的位置係在通孔電極部20A的中心P1在Y方向的位置與通孔電極部20E的中心P5在Y方向的位置之間。較佳係通孔電極部20C的中心P3在Y方向的位置與通孔電極部20A的中心P1在Y方向的位置之間的距離，係等於通孔電極部20C的中心P3在Y方向的位置與通孔電極部20E的中心P5在Y方向的位置之間的距離。

通孔電極部20A的中心P1在Y方向的位置與通孔電極部20D的中心P4在Y方向的位置係相同的。通孔電極部20B的中心P2在Y方向的位置與通孔電極部20E的中心P5在Y方向的位置係相同的。

通孔電極部20B及通孔電極部20E係相對於通孔電極部20A及通孔電極部20D，在Y方向錯開。通孔電極部20A及通孔電極部20D係位於側面14e側。即，通孔電極部20A、20D與遮蔽導體12Ca之間的距離係較通孔電極部20A、20D與遮蔽導體12Cb之間的距離為小。通孔電極部20B、20E係位於側面14f側。即，通孔電極部20B、20E與遮蔽導體12Cb之間的距離係較通孔電極部20B、20E與遮蔽導體12Ca之間的距離為小。

通孔電極部20B的中心P2在X方向的位置係在通孔電極部20A的中心P1在X方向的位置與通孔電極部20E的中心P3在X方向的位置之間。通孔電極部20D的中心P4在X方向的位置係在通孔電極部20C的中心P3在X方向的位置與通孔電極部20E的中心P5在X方向的位置之間。

如此，在本實施形態中，通孔電極部20A的中心P1的位置和通孔電極部20B的中心P2的位置係在X方向相互錯開。又，根據本實施形態中，通孔電極部20A的中心P1的位置和通孔電極部20B的中心P2的位置係在Y方向亦相互錯開。為此，根據本實施形態，能夠不增大通孔電極部20A、20B之間的X方向的距離，而增大通孔電極部20A、20B之間的距離。

又，根據本實施形態中，通孔電極部20B的中心P2的位置和通孔電極部20C的中心P3的位置係在X方向相互錯開。又，根據本實施形態中，通孔電極部20B的中心P2的位置和通孔電極部20C的中心P3的位置係在Y方向亦相互錯開。為此，根據本實施形態，能夠不增大通孔電極部20B、20C之間的X方向的距離，而增大通孔電極部20B、20C之間的距離。

又，根據本實施形態中，通孔電極部20C的中心P3的位置和通孔電極部20D的中心P4的位置在X方向相互錯開。又，根據本實施形態中，通孔電極部20C的中心P3的位置和通孔電極部20D的中心P4的位置係在Y方向亦相互錯開。為此，根據本實施形態，能夠不增大通孔電極部20C、20D之間的X方向的距離，而增大通孔電極部20C、20D之間的距離。

又，根據本實施形態中，通孔電極部20D的中心P4的位置和通孔電極部20E的中心P5的位置在X方向相互錯開。又，根據本實施形態中，通孔電極部20D的中心P4的位置和通孔電極部20E的中心P5的位置係在Y方向亦相互錯開。為此，根據本實施形態，能夠不增大通孔電極部20D、20E之間的X方向的距離，而增大通孔電極部20D、20E之間的距離。

為此，根據本實施形態，能夠不增大相鄰的共振器11A~11E在X方向的距離，而減小相鄰的共振器11A~11E之間的結合度。因此，根據本實施形態，能夠在保持濾波器10的尺寸為小的同時，獲得特性良好的濾波器10。

通孔電極部20A的中心P1及通孔電極部20D的中心P4在Y方向的位置係相對於電介質基板14的中心C在Y方向的位置，位於側面14e側。通孔電極部20B的中心P2及通孔電極部20E的中心P5在Y方向的位置係相對於電介質基板14的中心C在Y方向的位置，位於側面14f側。輸入輸出端子22A的中心及輸入輸出端子22B的中心在Y方向的位置，係被設定為與電介質基板14的中心C在Y方向的位置相同。

在5個通孔電極部20A~20E中，最接近輸入輸出端子22A的通孔電極部20係通孔電極部20A。通孔電極部20A的中心P1的位置與輸入輸出端子22A的位置之間的X方向的距離係較通孔電極部20B的中心P2的位置與輸入輸出端子22A的位置之間的X方向的距離為小。通孔電極部20A的中心P1的位置與輸入輸出端子22A的位置之間的Y方向的距離，與通孔電極部20B的中心P2的位置與輸入輸出端子22A的位置之間的Y方向的距離相等。

在5個通孔電極部20A~20E中，最接近輸入輸出端子22B的通孔電極部20係通孔電極部20E。通孔電極部20E的中心P5的位置與輸入輸出端子22B的位置之間的X方向的距離係較通孔電極部20D的中心P4的位置與輸入輸出端子22B的位置之間的X方向的距離為小。通孔電極部20E的中心P5的位置與輸入輸出端子22B的位置之間的Y方向的距離，與通孔電極部20D的中心P4的位置與輸入輸出端子22B的位置之間的Y方向的距離相等。

共振器11A~11E係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，配置在點對稱的位置。即，共振器11A和共振器11E係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，配置在點對稱的位置。又，共振器11B和共振器11D係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，配置在點對稱的位置。共振器11C係位於俯視的電介質基板14的中心C。在本實施形態中，點對稱地形成共振器11A~11E係為了獲得良好的頻率特性。

如圖2所示，構成通孔電極部20A、20B、20D、20E的複數之通孔電極24係在俯視中，沿著假想之圓的假想圓26加以排列。經由沿假想圓26排列複數之通孔電極24而構成通孔電極部20之故，該通孔電極部20係能夠如該假想圓26對應的大直徑的通孔電極加以動作。由於通孔電極部20係經由直徑較小的複數之通孔電極24構成之故，能夠達成製造程序的簡化。又，由於通孔電極部20由直徑較小的複數之通孔電極24構成之故，能夠減小通孔電極部20的直徑的不均。又，由於經由直徑較小的複數之通孔電極24構成通孔電極部20之故，嵌入到通孔中的銀等材料少量即可，能夠實現成本降低。

通孔電極部20C係被分割成部分電極部20Ca和部分電極部20Cb。部分電極部20Ca係經由複數之通孔電極24所構成。部分電極部20Cb亦經由複數之通孔電極24所構成。部分電極部20Ca和部分電極部20Cb係在Y方向相互分離。又，構成部分電極部20Ca的複數之通孔電極24係在俯視中沿著構成假想圓26的一部分的假想圓弧27A(參照圖13)加以排列。構成部分電極部20Cb的複數之通孔電極24係在俯視中沿著構成假想圓26的一部分的假想圓弧27B(參照圖13)加以排列。

如此，根據本實施形態時，共振器11C所備有的通孔電極部20C則被分割為部分電極部20Ca和部分電極部20Cb，部分電極部20Ca和部分電極部20Cb在Y方向相互分離。為此，根據本實施形態時，部分電極部20Ca與遮蔽導體12Ca之間的距離變短的同時，部分電極部20Cb與遮蔽導體12Cb之間的距離則會變短。當部分電極部20Ca與遮罩導體12Ca之間的距離變短時，部分電極部20Ca與遮蔽導體12Ca之間的結合容量則會增加。當部分電極部20Cb與遮蔽導體12Cb之間的距離為短時，部分電極部20Cb與遮蔽導體12Cb之間的結合容量則會增加。為此，伴隨濾波器10之低高度化，即使在通孔電極部20C的長度變短的情況下，也能夠抑制特性的劣化。

如圖6所示，在電介質基板14內，形成有結合容量電極(平板電極)98A、98B。結合容量電極98A和結合容量電極98B係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成結合容量電極98係為了得到良好的頻率特性。以下，在不區分各個結合容量電極98B、98D而進行說明時，使用符號98。

結合容量電極98與電容電極18B、18D係形成在同一層。換言之，結合容量電極98A、98B與電容電極18B、18D係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。形成結合容量電極98的層係位於形成電容電極19的層、和形成遮蔽導體12A的層之間。結合容量電極極98係面對遮蔽導體12A。結合容量電極98係例如使用印刷法，在與電容電極18相同的製造工程中形成。結合容量電極98係不連接到複數共振器11中的任一者。

如圖6所示，結合容量電極98A係包括第1部分98A1和第2部分98A2。第1部分98A1的一部分係與電容電極19A所具備的部分圖案19A1(參照圖7)的一部分相對。第1部分98A1的一部分、和部分圖案19A1的一部分係在俯視中相互重疊。第2部分98A2的一端係連接到第1部分98A1。第2部分98A2係向+X方向突出。第2部分98A2的一部分係面對部分圖案19C1(參照圖7)的一部分。第2部分98A2的一部分、和部分圖案19C1的一部分係在俯視中相互重疊。如圖5所示，容量結合構造99A1係由電容電極19A、結合容量電極98A和電容電極19C構成。

如圖6所示，結合容量電極98B係包括第1部分98B1和第2部分98B2。第1部分98B1的一部分係與電容電極19E所具備的部分圖案19E1(參照圖7)的一部分相對。第1部分98B1的一部分、和部分圖案19E1的一部分係在俯視中相互重疊。第2部分98B2的一端係連接到第1部分98B1。第2部分98B2係向-X方向突出。第2部分98B2的一部分係面對部分圖案19E2(參照圖7)的一部分。如圖5所示，容量結合構造99B1係由電容電極19E、結合容量電極98B和電容電極19C構成。

電容電極18係由印刷法形成。為此，在形成電容電極18時，會產生比較大的尺寸誤差。形成電容電極18時可能產生的尺寸誤差係可成為濾波器特性惡化的主要原因。在此，在本實施形態中，經由在與形成電容電極18的層相同的層上形成結合容量電極98的同時，使該結合容量電極98位於電容電極19和遮蔽導體12A之間，來抑制濾波特性的惡化。

由於結合容量電極98和電容電極18係經由印刷法一併形成之故，在電容電極18產生尺寸誤差的情況下，結合容量電極98亦產生同樣的尺寸誤差。例如，當X方向上的電容電極18的尺寸相對於正規尺寸增大0.03mm時，X方向上的結合容量電極98的尺寸相對於正規尺寸也增大0.03mm。即，在本實施形態中，在電容電極18的尺寸增加的情況下，位於電容電極19和遮蔽導體12A之間的結合容量電極98的尺寸亦同樣增加。為此，由於電容電極18的尺寸的增加，在電容電極18和遮蔽導體12A之間的電容增加的情況下，電容電極19和結合容量電極98之間的結合容量亦因結合容量電極98的尺寸的增加而增加。即，在本實施形態中，在電容電極18與遮蔽導體12A之間的電容增加的情況下，不僅電容電極18與遮蔽導體12A之間的電容增加，電容電極19與結合容量電極98之間的結合容量亦增加。為此，根據本實施形態時，即使在形成電容電極18時產生尺寸誤差等的情況下，也能夠抑制濾波器特性的惡化。

圖16係例示比較例所成濾波器之頻率特性之圖表。比較例的濾波器中，不具備結合容量電極98。圖16之橫軸係顯示頻率。圖16之縱軸係顯示衰減量。在圖16中，使用虛線表示電容電極18的尺寸沒有產生誤差時的濾波特性。又，在圖16中，電容電極18尺寸相對於設計值大到5μm時的濾波特性則使用實線表示。如圖16所示，在比較例中，當形成電容電極18時產生尺寸誤差時，濾波特性大幅惡化。

圖17係例示本實施形態所成濾波器之頻率特性之圖表。圖17之橫軸係顯示頻率。圖17之縱軸係顯示衰減量。在圖17中，使用虛線表示電容電極18的尺寸沒有產生誤差時的濾波特性。又，在圖17中，電容電極18尺寸相對於設計值大到5μm時的濾波特性則使用實線表示。如圖17所示，根據本實施形態時，即使在形成電容電極18時產生尺寸誤差的情況下，也能夠抑制濾波器特性的惡化。

如圖8及圖9所示，在電介質基板14內，形成有結合容量電極(平板電極)72A~72C。結合容量電極72A~72C係形成在同一層。換言之，結合容量電極72A~ 72C係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。形成結合容量電極72A~72C的層係相對於形成電容電極19的層，位於上方。在結合容量電極72A~72C和電容電極19之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。結合容量電極72A係與備於共振器11B的通孔電極部20B連接。結合容量電極72B係與備於共振器11D的通孔電極部20D連接。結合容量電極72C係與備於共振器11C的通孔電極部20C連接。在不區分各個結合容量電極進行說明時，使用符號72，在區分各個結合容量電極進行說明時，使用符號72A~72C。

結合容量電極72係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極72A和結合容量電極72B係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極72C係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成結合容量電極72係為了得到良好的頻率特性。

結合容量電極72A係包含部分圖案(電極圖案)72A1~72A3。部分圖案72A1係與通孔電極部20B連接。部分圖案72A2之一端係與部分圖案72A1連接。部分圖案72A2係向+X方向突出。部分圖案72A2的一部分係在俯視時，與部分圖案19C2(參照圖7)的一部分重疊。部分圖案72A3之一端係與部分圖案72A1連接。部分圖案72A3係向 -X方向突出。部分圖案72A3的一部分係在俯視時，與部分圖案19A3的一部分重疊。

結合容量電極72B係包含部分圖案(電極圖案)72B1~72B3。部分圖案72B1係與通孔電極部20D連接。部分圖案72B2係與部分圖案72B1連接。部分圖案72B2係向-X方向突出。部分圖案72B2的一部分係在俯視時，與部分圖案19C3的一部分重疊。部分圖案72B3係與部分圖案72B1連接。部分圖案72B3係向+X方向突出。部分圖案72B3的一部分係在俯視時，與部分圖案19E3的一部分重疊。

結合容量電極72C係包含部分圖案(電極圖案)72C1~72C4。部分圖案72C1係與部分電極部20Ca連接。部分圖案72C4係與部分電極部20Cb連接。即，部分圖案72C1與部分圖案72C4係與通孔電極部20C連接。部分圖案72C1和部分圖案72C4係在Y方向相互分離。部分圖案72C2的一端係與部分圖案72C1連接。部分圖案72C2係向 -Y方向突出。部分圖案72C2的一部分係在俯視時，與部分圖案19A2的一部分重疊。部分圖案72C3的一端係與部分圖案72C4連接。部分圖案72C3係向+Y方向突出。部分圖案72C3的一部分係在俯視時，與部分圖案19E2的一部分重疊。

如上所述，部分圖案19A3的一部分和部分圖案18B2的一部分係面對面。換言之，電容電極19A係具備與形成在與結合容量電極98相同層上的電容電極18B的一部分相對的部分圖案19A3。如此，構成包含部分圖案19A3和部分圖案18B2的容量結合構造71AB(參照圖8)。

如上所述，部分圖案19E3的一部分和部分圖案18D2的一部分係面對面。換言之，電容電極19E係具備與形成在與結合容量電極98相同層上的電容電極18D的一部分相對的部分圖案19E3。如此，構成包含部分圖案19E3和部分圖案18D2的容量結合構造71DE(參照圖8)。

如上所述，部分圖案18B3的一部分、部分圖案19C2的一部分、部分圖案72A2的一部分係相互重疊。如此，構成包含部分圖案18B3、部分圖案19C2和部分圖案72A2的容量結合構造71BC(參照圖8)。

如上所述，部分圖案18D3的一部分、部分圖案19C3的一部分、部分圖案72B2的一部分係相互重疊。如此，構成包含部分圖案18D3、部分圖案19C3和部分圖案72B2的容量結合構造71CD(參照圖8)。

如上所述，部分圖案19A2的一部分和部分圖案72C2的一部分係相互重疊。如此，構成包含部分圖案19A2和部分圖案72C2的容量結合構造71AC(參照圖8)。

如上所述，部分圖案19E2的一部分和部分圖案72C3的一部分係相互重疊。如此，構成包含部分圖案19E2和部分圖案72C3的容量結合構造71CE(參照圖8)。在不區分各個容量結合構造進行說明時，使用符號71，在區分各個容量結合構造進行說明時，使用符號71AB、71BC、71CD、71DE、71AC、71CE。

在本實施形態中，經由構成電容電極18、19的一部分的部分圖案18B2、18B3、18D2、18D3、19A2、19E2，構成容量結合構造71的一部分係基於以下的理由。即，僅使濾波器10低高度化時，不能獲得良好的Q值。即，在將電容電極18、19和容量結合構造71在Z方向的距離設定得比較大的狀態下，僅使濾波器10低高度化的情況下，不能獲得良好的Q值。相對於此，電容電極18、19與容量結合構造71在Z方向的距離比較小時，則能夠獲得良好的Q值。根據本實施形態中，經由構成電容電極18的一部分的部分圖案18B2、18B3、18D2、18D3、19A2、19E2，構成容量結合構造71的一部分。即，在本實施形態中，電容電極18、19與容量結合構造71在Z方向的距離被設定為零。

如圖10及圖11所示，在電介質基板14內，形成有結合容量電極(平板電極)74A~74E。結合容量電極74A~74E係形成在同一層。換言之，結合容量電極74A~74E係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。形成結合容量電極74A~74E的層係相對於形成結合容量電極72A~72C的層，位於上方。在結合容量電極74A~74E和結合容量電極72之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。結合容量電極74A係與備於共振器11A的通孔電極部20A連接。結合容量電極74B係與備於共振器11E的通孔電極部20E連接。結合容量電極74C係與備於共振器11B的通孔電極部20B連接。結合容量電極74D係與備於共振器11D的通孔電極部20D連接。結合容量電極74E係與備於共振器11C的通孔電極部20C連接。以下，在不區分各個結合容量電極74A~74E而進行說明時，使用符號74。

結合容量電極74係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極74A和結合容量電極74B係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極74C和結合容量電極74C係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極74E係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成結合容量電極74係為了得到良好的頻率特性。

如圖12及圖13所示，在電介質基板14內，形成有結合圖案78。形成結合圖案78的層係相對於形成結合容量電極74A~74E的層，位於上方。在結合容量電極74和結合圖案78之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。結合圖案78係包括部分圖案781~783。部分圖案781~783係形成在同一層上。換言之，部分圖案781~783係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。部分圖案781係在X方向上位於部分圖案782和部分圖案783之間。部分圖案781的一部分係位於部分電極部20Ca和部分電極部20Cb之間。部分圖案782係與共振器11A所具備的通孔電極部20A連接。部分圖案782係相對於部分圖案781形成在-X方向的位置。部分圖案781和部分圖案782係在X方向相互分離。部分圖案783係與共振器11E所具備的通孔電極部20E連接。部分圖案783係相對於部分圖案781形成在+X方向的位置。部分圖案781和部分圖案783係在X方向相互分離。

部分圖案781係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。部分圖案782與部分圖案783係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。即，結合圖案78係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成結合圖案78係為了得到良好的頻率特性。

如圖14及圖15所示，在電介質基板14內，形成有結合圖案76。形成結合圖案76的層係相對於形成結合圖案78的層，位於上方。在結合圖案78和結合圖案76之間，存在一個以上未圖示的陶瓷薄片。結合圖案76係與共振器11B所備有的通孔電極部20B、和共振器11D所備有的通孔電極部20D連接。在結合圖案76係形成有開口76a、76b。共振器11C所具備的部分電極部20Ca係貫穿開口76a。共振器11C所具備的部分電極部20Cb係貫穿開口76b。然而，在結合圖案76上形成的開口的數量係並不限定於2個。可在結合圖案76上形成1個開口的同時，該開口係可貫穿部分電極部20Ca和部分電極部20Cb。

結合圖案76係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成結合圖案76係為了得到良好的頻率特性。

如圖2所示，在電介質基板14內，更形成有輸入輸出圖案80A、80B。輸入輸出圖案80A、80B係形成在同一層。換言之，輸入輸出圖案80A、80B係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。形成輸入輸出圖案80A、80B的層係相對於形成結合圖案76的層，位於上方。在結合圖案78和輸入輸出圖案80A、80B之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。以下，在不區分各個輸入輸出圖案80A、80B而進行說明時，使用符號80。

輸入輸出圖案80A係包含部分圖案(電極圖案)80A1、80A2。部分圖案80A1的一端係與輸入輸出端子22A連接。部分圖案80A1的另一端係與部分圖案80A2連接。部分圖案80A2係與通孔電極部20A連接。如此，輸入輸出端子22A係經由輸入輸出圖案80A，與通孔電極部20A連接。

輸入輸出圖案80B係包含部分圖案(電極圖案)80B1、80B2。部分圖案80B1的一端係與輸入輸出端子22B連接。部分圖案80B1的另一端係與部分圖案80B2連接。部分圖案80B2係與通孔電極部20E連接。如此，輸入輸出端子22B係經由輸入輸出圖案80B，與通孔電極部20E連接。

如此，輸入輸出端子22A係藉由輸入輸出圖案80A，與通孔電極部20A導通，輸入輸出端子22B係藉由輸入輸出圖案80B，與通孔電極部20E導通。在本實施形態中，經由適當設定輸入輸出圖案80A、80B在Z方向的位置，可以適當調整外部Q。即，在本實施形態中，經由適當設定通孔電極部20A、20D的長度方向的輸入輸出圖案80A、80B的位置，可以適當調整外部Q。

如圖7所示，在電介質基板14內，形成有遮蔽通孔電極部81A~81D。在不區分各個遮蔽通孔電極部進行說明時，使用符號81，在區分各個遮蔽通孔電極部進行說明時，使用符號81A、81B、81C、81D。

遮蔽通孔電極部81A係具備遮蔽通孔電極82A。遮蔽通孔電極部81B係具備遮蔽通孔電極82B。遮蔽通孔電極部81C係具備遮蔽通孔電極82C。遮蔽通孔電極部81D係具備遮蔽通孔電極82D。在不區分各個遮蔽通孔電極部進行說明時，使用符號82，在區分各個遮蔽通孔電極部進行說明時，使用符號82A~82D。在圖1所示之例中，在1個遮蔽通孔電極部81，具備1個遮蔽通孔電極82。惟，亦可在1個遮蔽通孔電極部81上具備複數遮蔽通孔電極82。又，複數遮蔽通孔電極部81中的至少1個係亦也以根據需要適當省略。

遮蔽通孔電極部81的一端係與遮蔽導體12A連接。遮蔽通孔電極部81的另一端係與遮蔽導體12B連接。

如圖11所示，遮蔽通孔電極部81A係在將通孔電極部20A所處的領域向-Y方向延長的延長領域84A內，與遮蔽導體12A、12B連接。即，遮蔽通孔電極部81A係在將通孔電極部20A所處的領域朝向遮蔽導體12Ca延長的延長領域84A內，與遮蔽導體12A、12B連接。如此，遮蔽通孔電極部81A係選擇性地形成在延長領域84A內。遮蔽通孔電極部81A係位於遮蔽導體12Ca的附近。另外，通孔電極部20所處的領域係與假想圓26對應的領域。又，遮蔽通孔電極部81A係與電極圖案19a連接。

遮蔽通孔電極部81B係在將通孔電極部20E所處的領域向+Y方向延長的延長領域84B內，與遮蔽導體12B、12B連接。即，遮蔽通孔電極部81B係在將通孔電極部20E所處的領域朝向遮蔽導體12Cb延長的延長領域84B內，與遮蔽導體12B、12B連接。如此，遮蔽通孔電極部81B係選擇性地形成在延長領域84B內。遮蔽通孔電極部81B係位於遮蔽導體12Cb的附近。又，遮蔽通孔電極部81B係與電極圖案19b連接。

遮蔽通孔電極部81C係在將通孔電極部20B所處的領域向+Y方向延長的延長領域84C內，與遮蔽導體12B、12B連接。即，遮蔽通孔電極部81C係在將通孔電極部20B所處的領域朝向遮蔽導體12Cb延長的延長領域84C內，與遮蔽導體12B、12B連接。如此，遮蔽通孔電極部81C係選擇性地形成在延長領域84C內。遮蔽通孔電極部81C係位於遮蔽導體12Cb的附近。又，遮蔽通孔電極部81C係與電極圖案19c連接。

遮蔽通孔電極部81D係在將通孔電極部20D所處的領域向-Y方向延長的延長領域84D內，與遮蔽導體12A、12B連接。即，遮蔽通孔電極部81D係在將通孔電極部20D所處的領域朝向遮蔽導體12Ca延長的延長領域84D內，與遮蔽導體12A、12B連接。如此，遮蔽通孔電極部81D係選擇性地形成在延長領域84D內。遮蔽通孔電極部81D係位於遮蔽導體12Ca的附近。又，遮蔽通孔電極部81D係與電極圖案19d連接。

在以下的說明中，在不區分上述的各個延長領域而進行說明時使用符號84，在區分並說明各個延長領域時使用符號84A~84D。在本實施形態中，形成遮蔽通孔電極部81係基於以下的理由。即，在切斷電介質基板14時產生位置偏移時，通孔電極部20與側面14e、14f之間的距離則會變動。當通孔電極部20與側面14e、14f之間的距離變動時，通孔電極部20與遮蔽導體12Ca、12Cb之間的距離則會變動。通孔電極部20與遮蔽導體12Ca、12Cb之間的距離的變動係導致濾波特性等的變動。另一方面，由於遮蔽通孔電極部81並不形成於側面14e、14f之故，不受切斷電介質基板14時的位置偏移的影響。即，即使在切斷電介質基板14時產生位置偏移的情況下，遮蔽通孔電極部81與通路電極部20之間的距離則不會變動。根據如此理由，在本實施形態中，形成遮蔽通孔電極部81。

在本實施形態中，在延長領域84內選擇性地形成遮蔽通孔電極部81係基於以下的理由。即，遮蔽通孔電極部81係可以經由對電介質基板14照射雷射光束而形成通孔，在該通孔中埋入導電體而形成。即，為了形成遮蔽通孔電極部81，需要一定程度的工程數。為此，在僅沿側面14e、14f排列複數遮蔽通孔電極部81的情況下，不能獲得良好的生產性。另一方面，即使僅在延長領域84配置遮蔽通孔電極部81，也能夠抑制起因切斷電介質基板14時的位置偏移的濾波特性等的不均。根據如此的理由，在本實施形態中，在延長領域84內選擇性地形成遮蔽通孔電極部81。

如此，根據本實施形態，由於在電容電極19和遮蔽導體12A之間具備與電容電極18一起印刷的結合容量電極98之故，在電容電極18的尺寸增加的情況下，位於電容電極19和遮蔽導體12A之間的結合容量電極98的尺寸亦同樣增加。為此，由於電容電極18的尺寸的增加，在電容電極18和遮蔽導體12A之間的電容增加的情況下，電容電極19和結合容量電極98之間的結合容量亦因結合容量電極98的尺寸的增加而增加。即，在本實施形態中，在電容電極18與遮蔽導體12A之間的電容增加的情況下，不僅電容電極18與遮蔽導體12A之間的電容增加，電容電極19與結合容量電極98之間的結合容量亦增加。為此，根據本實施形態時，即使在形成電容電極18時產生尺寸誤差等的情況下，也能夠抑制濾波器特性的惡化。

[第2實施形態] 對於第2實施形態所成濾波器，使用圖18~圖33加以說明。圖18係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。圖19係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。圖20A及20B係顯示第2實施形態所成濾波器之一部分之剖面圖。圖21及圖22係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。圖23及圖24係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。圖25係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。圖26係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。圖27係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。圖28係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。圖29係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。圖30係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。圖31係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。圖32及圖33係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。為了達成簡化，在圖18~圖33中，適當省略了一部分構成要素。對於與圖1~圖15所示的第1實施形態的濾波器相同的構成要素，賦予相同的符號，省略或簡化說明。

如圖18及圖19所示，在電介質基板14內形成有與遮蔽導體12A相對的電容電極(帶狀線路)18A、18B、18D、18E。電容電極18A、18B、18D、18E係形成在同一層。換言之，電容電極18A、18B、18D、18E係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。以下，在不區分各個電容電極18A、18B、18D、18E而進行說明時，使用符號18。

如圖23所示，電容電極18係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。電容電極18A和電容電極18E係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。電容電極18B和電容電極18D係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成電容電極18係為了得到良好的頻率特性。

電容電極18A係與通孔電極部20A連接。電容電極18B係包含部分圖案(電極圖案)18B1~18B3。部分圖案18B1係與通孔電極部20B連接。部分圖案18B2係向-X方向突出。部分圖案18B3係向+X方向突出。電容電極18D係包含部分圖案(電極圖案)18D1~18D3。部分圖案18D1係與通孔電極部20D連接。部分圖案18D2係向+X方向突出。部分圖案18D3係向-X方向突出。電容電極18E係與通孔電極部20E連接。

在電介質基板14內，更形成與遮蔽導體12Ca連接的電極圖案18a、18d、和與遮蔽導體12Cb連接的電極圖案18b、18c。電極圖案18a係相對於電容電極18A，位於-Y方向。電極圖案18b係相對於電容電極18E，位於+Y方向。電極圖案18c係相對於電容電極18B，位於+Y方向。電極圖案18d係相對於電容電極18D，位於-Y方向。

構成通孔電極部20A、20B、20D、20E的複數之通孔電極24係與第1實施形態相同，在俯視中，沿著假想之圓的假想圓26加以排列。

如圖22及圖24所示，在電介質基板14內，形成有結合容量電極(平板電極)86A~86D。結合容量電極86A~86D係形成在同一層。換言之，結合容量電極86A~86D係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。形成結合容量電極86A~86D的層係相對於形成電容電極18的層，位於上方。在結合容量電極86和電容電極18之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。結合容量電極86A係與備於共振器11A的通孔電極部20A連接。換言之，結合容量電極86A係與電容電極18A連接的通孔電極部20A連接。結合容量電極86B係與備於共振器11E的通孔電極部20E連接。換言之，結合容量電極86B係與電容電極18E連接的通孔電極部20E連接。結合容量電極86C係與備於共振器11B的通孔電極部20B連接。結合容量電極86D係與備於共振器11D的通孔電極部20D連接。以下，在不區分各個結合容量電極86A~86D而進行說明時，使用符號86。

如圖24所示，結合容量電極86係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極86A和結合容量電極86B係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極86C和結合容量電極86D係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成結合容量電極86係為了得到良好的頻率特性。

結合容量電極86A係包含部分圖案(電極圖案)86A1~86A3。部分圖案86A1係與通孔電極部20A連接。部分圖案86A2之一端係與部分圖案86A1連接。部分圖案86A2係向+X方向突出。部分圖案86A3之一端係與部分圖案86A1連接。部分圖案86A3係向+Y方向突出。部分圖案86A3的一部分係面對部分圖案18B2(參照圖23)的一部分。

結合容量電極86B係包含部分圖案(電極圖案)86B1~86B3。部分圖案86B1係與通孔電極部20E連接。部分圖案86B2之一端係與部分圖案86B1連接。部分圖案86B2係向-X方向突出。部分圖案86B3之一端係與部分圖案86B1連接。部分圖案86B3係向-Y方向突出。部分圖案86B3的一部分係面對部分圖案18D2(參照圖23)的一部分。

如圖24所示，在電介質基板14內，形成有電容電極(帶狀線路)19C。電容電極19C係形成在與結合容量電極86相同的層上。換言之，電容電極19C和結合容量電極86係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。形成電容電極19C的層係相對於形成電容電極18的層，位於上方。電容電極19C係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成電容電極19C係為了得到良好的頻率特性。

電容電極19C係包含部分圖案(電極圖案)19C1~19C3。部分圖案19C1係位於俯視的電介質基板14的中心C。部分圖案19C1係包括部分圖案19C1a-19C1c。部分圖案19C1a係相對於部分圖案19C1c，形成在 -Y方向的位置。部分圖案19C1a係連接部分電極部20Ca的一端(下端)。部分圖案19C1b係相對於部分圖案19C1c，形成在+Y方向的位置。部分圖案19C1b係連接部分電極部20Cb的一端(下端)。與第1實施形態同樣，在部分圖案19C1上連接有部分圖案19C2、19C3。部分圖案19C2係從部分圖案19C1b向+Y方向突出。部分圖案19C3係從部分圖案19C1a向-Y方向突出。

構成部分電極部20Ca的複數之通孔電極24係在俯視中沿著構成假想圓26的一部分的假想圓弧27A加以排列(參照圖32、圖33)。構成部分電極部20Cb的複數之通孔電極24係在俯視中沿著構成假想圓26的一部分的假想圓弧27B加以排列(參照圖32、圖33)。

在本實施形態中，部分電極部20Ca和部分電極部20Cb在Y方向上分離得更大。為此，在本實施形態中，部分電極部20Ca與遮蔽導體12Ca之間的距離變得充分為短的同時，部分電極部20Cb與遮蔽導體12Cb之間的距離則變得充分為短。當部分電極部20Ca與遮蔽導體12Ca之間的距離充分為短時，部分電極部20Ca與遮蔽導體12Ca之間的結合容量則充分增加。當部分電極部20Cb與遮蔽導體12Cb之間的距離充分為短時，部分電極部20Cb與遮蔽導體12Cb之間的結合容量則充分增加。如此，即使例如伴隨低高度化。在通孔電極部20C的長度變短的情況下，也能夠獲得充分良好的電性特性。

在電介質基板14內，更形成與遮蔽導體12Ca連接的電極圖案19a、19d、和與遮蔽導體12Cb連接的電極圖案19b、19c。

如圖23所示，在電介質基板14內，形成有結合容量電極(平板電極)98A、98B。結合容量電極98A和結合容量電極98B係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。在以下的說明中，在不區分結合容量電極98A、98B進行說明時使用符號98，在分別區別結合容量電極98A、98B進行說明時使用符號98A、98B。

結合容量電極98與電容電極18A、18B、18D、18E係形成在同一層。換言之，結合容量電極98A、98B與電容電極18A、18B、18D、18E係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。形成結合容量電極98的層係位於形成結合容量電極86的層、和形成遮蔽導體12A的層之間。即，形成結合容量電極98的層係位於形成電容電極19C的層、和形成遮蔽導體12A的層之間。結合容量電極極98係面對遮蔽導體12A。結合容量電極98係不連接到複數共振器11中的任一者。結合容量電極98係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。

結合容量電極98A的長度方向係X方向。結合容量電極98A係位於電容電極18A和電容電極18B之間。結合容量電極98A的一部分係面對部分圖案86A1(參照圖24)的一部分。結合容量電極98A的一部分、和部分圖案86A1的一部分係在俯視中相互重疊。結合容量電極98A的其他的一部分係面對部分圖案19C1(參照圖24)的一部分。結合容量電極98A的其他一部分、和部分圖案19C1的一部分係在俯視中相互重疊。如圖22所示，容量結合構造99A2係由結合容量電極98A、結合容量電極86A和電容電極19C構成。

如圖23所示，結合容量電極98B的長度方向係X方向。結合容量電極98B係位於電容電極18D和電容電極18E之間。結合容量電極98B的一部分係面對部分圖案86B1(參照圖24)的一部分。結合容量電極98B的一部分、和部分圖案86B1的一部分係在俯視中相互重疊。結合容量電極98B的其他的一部分係面對部分圖案19C1(參照圖24)的一部分。結合容量電極98B的其他一部分、和部分圖案19C1的一部分係在俯視中相互重疊。如圖22所示，容量結合構造99B2係由結合容量電極98B、結合容量電極86B和電容電極19C構成。

在本實施形態中，在電容電極18的尺寸增加的情況下，結合容量電極98的尺寸亦同樣增加。為此，由於電容電極18的尺寸的增加，在電容電極18和遮蔽導體12A之間的容量增加的情況下，電容電極19C和結合容量電極98之間的結合容量和部分圖案86A1和結合容量電極98之間的結合容量亦因結合容量電極98的尺寸的增加而增加。即，在本實施形態中，在電容電極18和遮蔽導體12A之間的容量增加的情況下，不僅電容電極18和遮蔽導體12A之間的容量增加，電容電極19和結合容量電極98之間的結合容量和結合容量電極86和結合容量電極98之間的結合容量亦增加。為此，於本實施形態時，即使在形成電容電極18時產生尺寸誤差等的情況下，也能夠抑制濾波器特性的惡化。

如圖25及圖26所示，在電介質基板14內，形成有結合容量電極(平板電極)88A~88E。結合容量電極88A~88E係形成在同一層。換言之，結合容量電極88A~88E係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。形成結合容量電極88A~88E的層係相對於形成電容電極19C的層，位於上方。即，形成結合容量電極88A~88E的層係相對於形成結合容量電極86的層，位於上方。在結合容量電極88和電容電極19C之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。在結合容量電極88和結合容量電極86之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。結合容量電極88A與備於共振器11A的通孔電極部20A連接。結合容量電極88B係與備於共振器11E的通孔電極部20E連接。結合容量電極88C係與備於共振器11B的通孔電極部20B連接。結合容量電極88D係與備於共振器11D的通孔電極部20D連接。結合容量電極88E係與備於共振器11C的通孔電極部20C連接。以下，在不區分各個結合容量電極88A~88E而進行說明時，使用符號88。

結合容量電極88係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極88A和結合容量電極88B係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極88C和結合容量電極88D係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極88E係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成結合容量電極88係為了得到良好的頻率特性。

結合容量電極88C係包含部分圖案(電極圖案)88C1~88C4。部分圖案88C1係與通孔電極部20B連接。部分圖案88C2之一端係與部分圖案88C1連接。部分圖案88C2係向-X方向突出。部分圖案88C3之一端係與部分圖案88C1連接。部分圖案88C3係向+X方向突出。部分圖案88C4之一端係與部分圖案88C1連接。部分圖案88C4係向 -X方向突出。部分圖案88C4係形成在從部分圖案88C2向+Y方向偏離的位置。部分圖案88C4和部分圖案88C2係在Y方向相互分離。

結合容量電極88D係包含部分圖案(電極圖案)88D1~88D4。部分圖案88D1係與通孔電極部20D連接。部分圖案88D2之一端係與部分圖案88D1連接。部分圖案88D2係向+X方向突出。部分圖案88D3之一端係與部分圖案88D1連接。部分圖案88D3係向-X方向突出。部分圖案88D4之一端係與部分圖案88D1連接。部分圖案88D4係向+X方向突出。部分圖案88D4係形成在從部分圖案88D2向 -Y方向偏離的位置。部分圖案88D4和部分圖案88D2係在Y方向相互分離。

結合容量電極88E係包含部分圖案(電極圖案)88E1~88E6。部分圖案88E1係與部分電極部20Cb連接。在部分圖案88E1的一端係連接有部分圖案88E2。部分圖案88E2係向+X方向突出。在部分圖案88E2的一端係連接有部分圖案88E3。部分圖案88E3係向+Y方向突出。部分圖案88E4係與部分電極部20Ca連接。在部分圖案88E4的一端係連接有部分圖案88E5。部分圖案88E5係向-X方向突出。在部分圖案88E5的一端係連接有部分圖案88E6。部分圖案88E6係向-Y方向突出。

如圖27及圖28所示，在電介質基板14內，形成有結合容量電極(平板電極)92A~92E。結合容量電極92A~92E係形成在同一層。換言之，結合容量電極92A~92E係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。即，形成結合容量電極92A~92E的層係相對於形成結合容量電極88的層，位於上方。在結合容量電極92A~92E和結合容量電極88之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。結合容量電極92A係與備於共振器11A的通孔電極部20A連接。結合容量電極92B係與備於共振器11E的通孔電極部20E連接。結合容量電極92C係與備於共振器11B的通孔電極部20B連接。結合容量電極92D係與備於共振器11D的通孔電極部20D連接。結合容量電極92E係與備於共振器11C的通孔電極部20C連接。以下，在不區分各個結合容量電極92A~92E而進行說明時，使用符號92。

結合容量電極92係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極92A和結合容量電極92B係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極92C和結合容量電極92D係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極92E係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成結合容量電極92係為了得到良好的頻率特性。

如圖29及圖30所示，在電介質基板14內，形成有結合容量電極(平板電極)94A~94D。結合容量電極94A~94D係形成在同一層。換言之，結合容量電極94A~94D係形成在未圖示的相同的陶瓷薄片上。即，形成結合容量電極94A~94D的層係相對於形成結合容量電極92的層，位於上方。在結合容量電極94A~94D和結合容量電極92之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。結合容量電極94A係與備於共振器11A的通孔電極部20A連接。結合容量電極94B係與備於共振器11E的通孔電極部20E連接。結合容量電極94C、94D係不連接到任一的共振器11的通孔電極部20。以下，在不區分各個結合容量電極94A~94D而進行說明時，使用符號94。

結合容量電極94係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極94A和結合容量電極94B係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。結合容量電極94C和結合容量電極94D係以俯視時的電介質基板14的中心C作為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成結合容量電極94係為了得到良好的頻率特性。

如圖32所示，在電介質基板14內，與第1實施形態同樣地，形成有輸入輸出圖案80A、80B。輸入輸出圖案80A、80B係相互形成在同一層。換言之，輸入輸出圖案80A、80B係形成在相同的未圖示的陶瓷薄片上。形成有輸入輸出圖案80A、80B的層係相對於形成有結合容量電極94的層，位於上方。在輸入輸出圖案80A、80B與結合容量電極94之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。以下，在不區分各個輸入輸出圖案80A、80B而進行說明時，使用符號80。

如圖31及圖33所示，在電介質基板14內，形成有結合圖案96。形成有結合圖案96的層係相對於形成有輸入輸出圖案80的層，位於上方。在結合圖案96和輸入輸出圖案80之間，存在未圖示的一個以上的陶瓷薄片。結合圖案96係與共振器11B所備有的通孔電極部20B、和共振器11D所備有的通孔電極部20D連接。

結合圖案96係以俯視時的電介質基板14的中心C為對稱的中心，形成為點對稱。在本實施形態中，點對稱地形成結合圖案96係為了得到良好的頻率特性。

如圖18所示，在電介質基板14內，形成有遮蔽通孔電極部81C、81D。在不區分各個遮蔽通孔電極部進行說明時，使用符號81，在區分各個遮蔽通孔電極部進行說明時，使用符號81C、81D。

遮蔽通孔電極部81的一端係與遮蔽導體12A連接。遮蔽通孔電極部81的另一端係與遮蔽導體12B連接。遮蔽通孔電極部81C係亦與電極圖案18c連接。遮蔽通孔電極部81C係亦與電極圖案19c連接。遮蔽通孔電極部81D係亦與電極圖案18d連接。遮蔽通孔電極部81D係亦與電極圖案19d連接。

在遮蔽通孔電極部81上係具備1個以上的遮蔽通孔電極82。本實施形態中，在1個遮蔽通孔電極部81，具備2個遮蔽通孔電極82。即，在遮蔽通孔電極部81C，具備遮蔽通孔電極82C、82E。遮蔽通孔電極部81D係具備遮蔽通孔電極82D、82F。

根據本實施形態，由於在電容電極19和遮蔽導體12A之間具備與電容電極18一起印刷的結合容量電極98之故，在電容電極18的尺寸增加的情況下，位於電容電極19和遮蔽導體12A之間的結合容量電極98的尺寸亦同樣增加。為此，由於電容電極18的尺寸的增加，在電容電極18和遮蔽導體12A之間的電容增加的情況下，電容電極19和結合容量電極98之間的結合容量亦因結合容量電極98的尺寸的增加而增加。即，在本實施形態中，在電容電極18與遮蔽導體12A之間的電容增加的情況下，不僅電容電極18與遮蔽導體12A之間的電容增加，電容電極19與結合容量電極98之間的結合容量亦增加。為此，根據本實施形態時，即使在形成電容電極18時產生尺寸誤差等的情況下，也能夠抑制濾波器特性的惡化。

對於從上述實施形態所掌握的發明，記載於如下。

濾波器(10)係具備具有第1主面(14b)、和位於前述第1主面的相反側的第2主面(14a)的電介質基板(14)、和形成在前述電介質基板之中之前述第1主面側的第1遮蔽導體(12A)、和形成在前述電介質基板之中之前述第2主面側的第2遮蔽導體(12B)、和分別備有形成在前述第1遮蔽導體與前述第2遮蔽導體間的通孔電極部(20)、和與前述通孔電極部之一端連接的電容電極(18、19)的複數之共振器(11)、和未連接於複數之前述共振器之任一者，對向於前述第1遮蔽導體的第1結合容量電極(98)；前述第1結合容量電極係形成在複數之前述電容電極中形成有第1電容電極(18B)之層，形成有前述第1電容電極之層係位於複數之前述電容電極中的形成有第2電容電極(19C)之層、和形成有前述第1遮蔽導體之層間，前述第1結合容量電極的一部分係位於前述第2電容電極和前述第1遮蔽導體之間。根據如此構成時，即使在形成電容電極時產生尺寸誤差等的情況下，也能夠抑制濾波器特性的惡化。

在上述濾波器中，前述第1結合容量電極的其他部分係亦可位於與前述第2電容電極形成在同一層上的前述電容電極的第3電容電極(19A)和前述第1遮蔽導體之間。

在上述濾波器中，前述第1結合容量電極的其他部分係亦可位於與前述第2電容電極形成在同一層上的第2結合容量電極(86A)和前述第1遮蔽導體之間，前述第2結合容量電極係亦可連接於形成在與前述第1電容電極相同的層上的與前述電容電極的第3電容電極(18A)連接的前述通孔電極部。

在上述濾波器中，複數之前述通孔電極部的各自的另一端係亦可與前述第2遮蔽導體連接。

然而，本發明不限於上述揭示，在不脫離本發明的主旨的情況下，可以採用各種構成。

10:濾波器 11A~11E:共振器 12A,12B,12Ca,12Cb:遮蔽導體 14:電介質基板 14a,14b:主面 14c~14f:側面 16A~16E:構造體 18A~18E,19A,19C,19E:電容電極 18a~18d,19a~19d:電極圖案 18B1~18B3,18D1~18D3,19A1~19A3,19C1~19C3,19E1~19E3:部分圖案 20A~20E:通孔電極部 20Ca,20Cb:部分電極部 22A,22B:輸入輸出端子 24:通孔電極 26:假想圓 27A,27B:假想圓弧 71,71AB,71AC,71BC,71CD,71CE,71DE,99A1,99A2,99B1,99B2:容量結合構造 72A~72C,74A~74E,86A~86E,88A~88E,92A~92E,94A,94B,98A,98B:結合容量電極 76,78,96:結合圖案 76a,76b:開口 80A,80B:輸入輸出圖案 81A~81D:遮蔽通孔電極部 82A~82F:遮蔽通孔電極 84A~84D:延長領域 C,P1,P2,P3,P4,P5:中心

[圖1]係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖2]係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖3A]係顯示第1實施形態所成濾波器之一部分之剖面圖。

[圖3B]係顯示第1實施形態所成濾波器之一部分之剖面圖。

[圖4]係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖5]係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖6]係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖7]係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖8]係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖9]係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖10]係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖11]係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖12]係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖13]係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖14]係顯示第1實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖15]係顯示第1實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖16]係例示比較例所成濾波器之頻率特性之圖表。

[圖17]係例示第1實施形態所成濾波器之頻率特性之圖表。

[圖18]係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖19]係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖20A]係顯示第2實施形態所成濾波器之一部分之剖面圖。

[圖20B]係顯示第2實施形態所成濾波器之一部分之剖面圖。

[圖21]係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖22]係顯示第2實施形態所成濾波器的斜視圖。

[圖23]係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖24]係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖25]係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖26]係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖27]係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖28]係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖29]係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖30]係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖31]係顯示第2實施形態所成濾波器之斜視圖。

[圖32]係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。

[圖33]係顯示第2實施形態所成濾波器之平面圖。

12B,12Ca,12Cb:遮蔽導體

14:電介質基板

14c,14d,14e,14f:側面

16A~16E:構造體

18B,18D,19A,19C,19E:電容電極

19a~19d:電極圖案

18B1~18B3,18D1~18D3,19A1~19A3,19C1~19C3,19E1~19E3:部分圖案

20A,20B,20C,20D,20E:通孔電極部

20Ca,20Cb:部分電極部

22A,22B:輸入輸出端子

24:通孔電極

26:假想圓

80A,80B:輸入輸出圖案

80A1,80A2:部分圖案(電極圖案)

80B1,80B2:部分圖案(電極圖案)

81A~81D:遮蔽通孔電極部

82A~82D:遮蔽通孔電極

98A,98B:結合容量電極

C,P1,P2,P3,P4,P5:中心

Claims (4)

1. 一種濾波器(10)，其特徵係具備具有第1主面(14b)、和位於前述第1主面的相反側的第2主面(14a)的電介質基板(14)、 和形成在前述電介質基板之中之前述第1主面側的第1遮蔽導體(12A)、 和形成在前述電介質基板之中之前述第2主面側的第2遮蔽導體(12B)、 和分別備有形成在前述第1遮蔽導體與前述第2遮蔽導體之間的通孔電極部(20)、和與前述通孔電極部之一端連接的電容電極(18、19)的複數之共振器(11)、 和未連接於複數之前述共振器之任一者，對向於前述第1遮蔽導體的第1結合容量電極(98)； 前述第1結合容量電極係形成在形成有複數之前述電容電極之中之第1電容電極(18B)之層， 形成有前述第1電容電極之層係位於形成有複數之前述電容電極之中之第2電容電極(19C)之層、和形成有前述第1遮蔽導體之層之間， 前述第1結合容量電極的一部分係位於前述第2電容電極和前述第1遮蔽導體之間。
2. 如請求項1記載之濾波器，其中， 前述第1結合容量電極的其他部分係位於與前述第2電容電極形成在同一層的前述電容電極的第3電容電極(19A)和前述第1遮蔽導體之間。
3. 如請求項1記載之濾波器，其中， 前述第1結合容量電極的其他部分係位於與前述第2電容電極形成在同一層的第2結合容量電極(86A)和前述第1遮蔽導體之間， 前述第2結合容量電極係連接於和與前述第1電容電極形成在相同的層的前述電容電極的第3電容電極(18A)連接的前述通孔電極部。
4. 如請求項1~3記載之任1項之濾波器，其中， 複數之前述通孔電極部的各自的另一端係與前述第2遮蔽導體連接。

Images