TW202403858A - 晶片的製造方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]提供一種將帶有膜之晶圓確實地分割且能提升生產性的晶片的製造方法。[解決手段]一種沿著分割預定線分割在背面形成有膜之晶圓而製造晶片之方法，其包含：雷射光束照射步驟，其沿著被設定於晶圓之分割預定線照射雷射光束，而對形成於背面之膜形成燒蝕痕，且在晶圓的內部形成改質區域；以及分割步驟，其在實施雷射光束照射步驟之後，對晶圓施加外力，而沿著在雷射光束照射步驟所形成之燒蝕痕分割晶圓。

Description

晶片的製造方法
本發明係關於一種晶片的製造方法。
光元件晶圓、SAW晶圓等係沿著交叉之多條分割預定線被切斷，藉此被分割成一個個元件而製造晶片，所述光元件晶圓係在藍寶石（Al 2O 3）基板、碳化矽（SiC）基板、氮化鎵（GaN）基板的正面層積有光元件層，所述SAW晶圓係在鉭酸鋰（LiTaO 3）基板、鈮酸鋰（LiNbO 3）基板、碳化矽（SiC）基板、金剛石基板、石英基板的正面形成有SAW元件。
作為分割上述之晶圓之方法，已知有一種雷射加工方法，其使用對晶圓具有穿透性之波長的脈衝雷射光束，將聚光點定位於應分割區域的內部並照射脈衝雷射光束而形成成為分割起點之改質層，且藉由施加外力而進行分割（例如，參照專利文獻1）。
上述的專利文獻1所示之方法亦能使用於在晶圓的背面層積有金屬膜或DBR（Distributed Bragg Reflector，分布式布拉格反射鏡）膜之晶圓，所層積之膜亦在對晶圓進行加工之際藉由從改質層產生之龜裂而進行分割。
然而，近年來，為了提升亮度等目的而膜厚有變厚之傾向，伴隨於此，引起龜裂變得不易伸展而產生分割不良或崩裂之問題。
於是，已提案一種方法，其在以切割刀片或蝕刻去除所層積之膜之後進行雷射加工（例如，參照專利文獻2）。 [習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特許第3408805號公報 [專利文獻2]日本特開2016-164924號公報
[發明所欲解決的課題] 雖只要使用專利文獻2所示之加工方法即可解決上述的課題，但要求進一步提升生產性。
因此，本發明之目的在於提供一種將帶有膜之晶圓確實地分割且能提升生產性的晶片的製造方法。
[解決課題的技術手段] 根據本發明，提供一種晶片的製造方法，其沿著交叉之多條分割預定線分割在正面或背面形成有膜之晶圓而製造晶片，並具備：雷射光束照射步驟，其沿著被設定於晶圓之分割預定線照射雷射光束，而對形成於正面或背面之膜形成燒蝕痕，且在晶圓的內部形成改質區域；以及分割步驟，其在實施該雷射光束照射步驟之後，對該晶圓施加外力，而沿著在該雷射光束照射步驟所形成之燒蝕痕分割晶圓。
較佳為，該雷射光束照射步驟係將對該晶圓具有穿透性且對該膜具有吸收性之波長的雷射光束的聚光區域從該晶圓的內部定位於該膜的表面或比該表面更靠外側，並沿著被設定於該晶圓之分割預定線照射該雷射光束，藉此在該晶圓的內部形成改質區域，同時對該膜形成燒蝕痕。
較佳為，該雷射光束照射步驟包含：改質區域形成步驟，其將對該晶圓具有穿透性之波長的雷射光束的聚光區域定位於該晶圓的內部而形成改質區域；以及燒蝕痕形成步驟，其在實施該改質區域形成步驟之後，將對該膜具有吸收性之波長的雷射光束的聚光區域定位於該膜的附近而形成燒蝕痕。
較佳為，在該雷射光束照射步驟中，形成於該晶圓的內部之改質區域包含細孔與圍繞該細孔之非晶質。
[發明功效] 本發明發揮將帶有膜之晶圓確實地分割且能提升生產性之功效。
以下，針對本發明的實施方式，一邊參照圖式一邊進行詳細說明。本發明並不受限於以下的實施方式所記載之內容。並且，在以下所記載之構成要素中，包含本發明所屬技術領域中具通常知識者可輕易思及者、實質上相同者。再者，以下所記載之構成能適當組合。並且，在不脫離本發明的主旨之範圍內，可進行構成的各種省略、置換或變更。
[第一實施方式] 基於圖式說明本發明的第一實施方式之晶片的製造方法。圖1係示意性地表示第一實施方式之晶片的製造方法的加工對象的晶圓之立體圖。圖2係示意性地表示圖1所示之晶圓之剖面圖。圖3係表示第一實施方式之晶片的製造方法的流程之流程圖。
第一實施方式之晶片的製造方法係圖1所示之晶圓1的加工方法。如圖1及圖2所示，第一實施方式之晶片的製造方法的加工對象的晶圓1係在基板2的背面3形成有厚度一樣的金屬膜或DBR（Distributed Bragg Reflector，分布式布拉格反射鏡）膜等的膜4之圓板狀的光元件晶圓或SAW（Surface Acoustic Wave，表面聲波）晶圓等的晶圓。
光元件晶圓係在藍寶石（Al 2O 3）基板、碳化矽（SiC）基板、氮化鎵（GaN）基板的正面層積有光元件層之晶圓。SAW晶圓係在鉭酸鋰（LiTaO 3）基板、鈮酸鋰（LiNbO 3）基板、碳化矽（SiC）基板、金剛石基板、石英基板的正面形成有SAW（Surface Acoustic Wave，表面聲波）元件之晶圓。
晶圓1係在基板2的正面5的藉由互相平行的第一分割預定線6與互相平行的第二分割預定線7所劃分之區域形成有元件8，並在基板2的背面3形成有膜4。此外，在第一實施方式中，第一分割預定線6與第二分割預定線7互相正交。
在第一實施方式中，晶圓1的基板2係藉由C面藍寶石所構成，且形成於基板2的正面5之元件8係LED（Light-Emitting Diode，發光二極體），所述LED包含GaN系的藉由磊晶成膜而形成之磊晶膜。此外，在第一實施方式中，晶圓1為了提升亮度而在LED亦即元件8與基板2的界面設置PSS（Patterned Sapphire Substrate，圖案化藍寶石基板）構造。
並且，在第一實施方式中，晶圓1的形成於基板2的背面3之膜4係DBR膜（介電體多層膜）。並且，在第一實施方式中，晶圓1係外徑為6英寸，厚度為150μm，且元件8為200μm×200μm的大小。前述之構成的晶圓1係沿著分割預定線6、7被分割成晶片10。此外，晶片10具備基板2的一部分與元件8及膜4的一部分。
第一實施方式之晶片的製造方法係下述方法：沿著分割預定線6、7分割在基板2的背面3形成有膜4之晶圓1而製造晶片10。如圖3所示，第一實施方式之晶片的製造方法包含雷射光束照射步驟101與分割步驟102。
（雷射光束照射步驟） 圖4係示意性地表示圖3所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟之立體圖。圖5係示意性地表示在圖3所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟中被照射雷射光束之晶圓的主要部分之剖面圖。圖6係示意性地表示圖5所示之晶圓的主要部分的其他例子之剖面圖。圖7係示意性地表示圖3所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟後的晶圓的主要部分之立體圖。圖8係示意性地表示圖3所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟後的晶圓的主要部分之剖面圖。圖9係示意性地表示圖8所示之形成於晶圓之改質區域之立體圖。
雷射光束照射步驟101係下述步驟：沿著被設定於晶圓1之分割預定線6、7照射雷射光束21（圖4、圖5及圖6所示），而對形成於背面3之膜4形成燒蝕痕11（圖7及圖8所示），且在晶圓1的基板2的內部形成改質區域12（圖7、圖8及圖9所示）。此外，由於晶圓1為了提升亮度而在LED亦即元件8與基板2的界面設置PSS構造，因此雷射光束21會散射，且因此難以從正面5側照射雷射光束21。
在雷射光束照射步驟101中，如圖4所示，雷射加工裝置20將晶圓1的正面5側吸引保持於保持台22的保持面23。此外，在第一實施方式中，晶圓1係在正面5側黏貼有直徑大於晶圓1的圓板狀的膠膜13（圖10所示），並在膠膜13的外緣部黏貼有環狀框架14（圖10所示），且正面5側透過膠膜13而被吸引保持於保持面23上。此外，圖4省略膠膜13及環狀框架14。
在第一實施方式中，在雷射光束照射步驟101中，雷射加工裝置20以紅外線攝影機24等拍攝吸引保持於保持台22之晶圓1的背面3側，檢測分割預定線6、7等，而執行將雷射光束照射單元25與分割預定線6、7對位之對準。在第一實施方式中，在雷射光束照射步驟101中，雷射加工裝置20基於加工條件，而如圖4所示地一邊使雷射光束照射單元25與晶圓1沿著分割預定線6、7相對地移動，一邊從雷射光束照射單元25朝向晶圓1照射對晶圓1的基板2具有穿透性且對膜4具有吸收性之波長的雷射光束21。
在第一實施方式中，在雷射光束照射步驟101中，如圖5所示，雷射加工裝置20使藉由雷射光束照射單元25的光學系統而施加像差（尤其是，縱像差）之雷射光束21在晶圓1的內部聚光並照射。在第一實施方式中，在雷射光束照射步驟101中，如圖5所示，雷射加工裝置20將雷射光束21的聚光區域211（像差，尤其是被施加縱像差之雷射光束21所聚光之區域）定位於從晶圓1的基板2的內部起至膜4的表面9之間，並沿著被設定於晶圓1之分割預定線6、7照射雷射光束21。此外，在本發明中，在雷射光束照射步驟101中，如圖6所示，雷射加工裝置20亦可將雷射光束21的聚光區域211定位於從晶圓1的基板2的內部起至比膜4的表面9更靠雷射光束照射單元25的外側之間，並沿著被設定於晶圓1之分割預定線6、7照射雷射光束21。
在第一實施方式中，在雷射光束照射步驟101中，雷射加工裝置20的雷射光束21由於具有對晶圓1具有穿透性且對膜4具有吸收性之波長，且被施加像差（尤其是縱像差），因此如圖7及圖8所示，沿著分割預定線6、7在晶圓1的基板2的內部空開間隔而形成改質區域12，同時在膜4的表面9空開間隔而形成燒蝕痕11。此外，在第一實施方式中，如圖7及圖8所示，由於對雷射光束21施加像差，因此改質區域12係沿著晶圓1的厚度方向形成為直線狀。
在第一實施方式中，如圖9所示，改質區域12包含平面形狀為圓形的細孔121與圍繞細孔121之圓筒狀的非晶質122。細孔121係形成於基板2內之孔（空間），且在第一實施方式中，直徑為1μm左右。非晶質122意指密度、折射率、機械性強度或其他的物理特性成為與周圍的特性不同之狀態之區域，可例示熔融處理區域、裂痕區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域及混合此等區域之區域等，在第一實施方式中，外徑為5μm左右。改質區域12的機械性強度低於基板2的其他處。
燒蝕痕11係對膜4施行燒蝕加工而形成之痕，且在第一實施方式中為從膜4的表面9凹下的凹陷。並且，在第一實施方式中，燒蝕痕11的平面形狀為圓形。
在第一實施方式中，在雷射光束照射步驟101中，一邊使保持台22以800m／s移動，一邊對晶圓1照射波長為1064nm、能量為40μJ且重複頻率40kHz的雷射光束21。此外，雷射光束21的能量、重複頻率及保持台22的移動速度係雷射光束照射步驟101的加工條件。亦即，在第一實施方式中，在雷射光束照射步驟101中，雷射加工裝置20的對第一分割預定線6照射雷射光束21之際的加工條件與對第二分割預定線7照射雷射光束21之際的加工條件相等。在第一實施方式中，在雷射光束照射步驟101中，沿著晶圓1的全部的分割預定線6、7照射雷射光束21，而沿著晶圓1的全部的分割預定線6、7形成改質區域12及燒蝕痕11。
（分割步驟） 圖10係以局部剖面示意性地表示在圖3所示之晶片的製造方法的分割步驟中分割裝置保持晶圓之狀態之側視圖。圖11係以局部剖面示意性地表示在圖3所示之晶片的製造方法的分割步驟中分割裝置將晶圓分割成晶片之狀態之側視圖。圖12係示意性地表示在圖3所示之晶片的製造方法的分割步驟中已分割之晶片之俯視圖。此外，圖10及圖11省略元件8。
分割步驟102係下述步驟：在實施雷射光束照射步驟101之後，對晶圓1施加外力，而沿著在雷射光束照射步驟101所形成之改質區域12及燒蝕痕11將晶圓1分割成一個個晶片10。在分割步驟102中，如圖10所示，分割裝置30夾持在內側支撐晶圓1之環狀框架14與膠膜13的外緣部並保持於框架夾持部31，且使設於圓筒狀的擴張鼓輪32的上端之輥構件33與膠膜13抵接。
如此進行，在分割步驟102中，如圖10所示，分割裝置30係在膠膜13橫跨外緣部與中央部且為平坦的狀態下，以框架夾持部31保持支撐晶圓1之環狀框架14等。在分割步驟102中，分割裝置30使環狀框架14與晶圓1沿著對於晶圓1的正面5呈交叉（在第一實施方式中為正交）之方向相對地移動。在第一實施方式中，在分割步驟102中，分割裝置30使擴張鼓輪32上升，並如圖11所示，使環狀框架14與晶圓1沿著對於晶圓1的正面5呈交叉（在第一實施方式中為正交）之方向相對地移動。
如此一來，在膠膜13的晶圓1的外緣與環狀框架14的內緣之間輥構件33從下方朝向上方推壓，膠膜13在面方向被擴張。擴張膠膜13的結果，拉伸力放射狀地作用於膠膜13。若拉伸力放射狀地作用於被黏貼於晶圓1的正面5側之膠膜13，由於晶圓1沿著分割預定線6、7形成有改質區域12及燒蝕痕11，因此基板2會以改質區域12為起點被分割且膜4會以燒蝕痕11為起點被分割，而沿著分割預定線6、7分割成一個個如圖12所示之晶片10。從膠膜13拾取被分割成一個個如圖12所示之晶片10。此外，在第一實施方式中，如圖12所示，由於在晶圓1形成有燒蝕痕11及改質區域12，因此被分割成一個個之晶片10係在外緣形成有多個半圓形的凹陷15。
以上，所說明之第一實施方式之晶片的製造方法係在雷射光束照射步驟101中沿著晶圓1的分割預定線6、7照射雷射光束21，並對所層積之膜4施行燒蝕加工而形成燒蝕痕11且在晶圓1的基板2的內部形成改質區域12。因此，第一實施方式之晶片的製造方法在層積於晶圓1的基板2之膜4形成有燒蝕痕11，因此在分割步驟102中，即使來自改質區域12的龜裂無法順利地伸展至膜4，亦能以燒蝕痕11成為分割的起點而抑制蛇行、崩裂，且確實地將晶圓1分割成一個個晶片10。
並且，第一實施方式之晶片的製造方法係在雷射光束照射步驟101中沿著晶圓1的分割預定線6、7照射雷射光束21，並對所層積之膜4施行燒蝕加工而形成燒蝕痕11且在晶圓1的基板2的內部形成改質區域12，因此可削減預先去除分割預定線6、7上的膜4之作業時間，且因此對生產性的提升產生貢獻。
其結果，第一實施方式之晶片的製造方法發揮將帶有膜4之晶圓1確實地分割成各個晶片10且能提升生產性之效果。
[第二實施方式] 基於圖式說明第二實施方式之晶片的製造方法。圖13係表示第二實施方式之晶片的製造方法的流程之流程圖。圖14係示意性地表示在圖13所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟的改質區域形成步驟中被照射雷射光束之晶圓的主要部分之剖面圖。圖15係示意性地表示圖13所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟的改質區域形成步驟後的晶圓的主要部分之剖面圖。圖16係示意性地表示在圖13所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟的燒蝕痕形成步驟中被照射雷射光束之晶圓的主要部分之剖面圖。圖17係示意性地表示圖13所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟的燒蝕痕形成步驟後的晶圓的主要部分之剖面圖。此外，圖13、圖14、圖15、圖16及圖17在與第一實施方式相同部分標注相同符號並省略說明。
第二實施方式之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟101除了包含改質區域形成步驟101-1與燒蝕痕形成步驟101-2以外，其餘與第一實施方式相同。
在第二實施方式中，改質區域形成步驟101-1係下述步驟：將對晶圓1具有穿透性之波長的雷射光束21的聚光區域亦即聚光點211-2（圖14所示）定位於晶圓1的基板2的內部而形成改質區域亦即改質層12-2（圖14所示）。在第二實施方式中，在改質區域形成步驟101-1中，雷射加工裝置20係與第一實施方式同樣地，將晶圓1的正面5側吸引保持於保持台22的保持面23，執行對準，並基於加工條件一邊使雷射光束照射單元25與晶圓1沿著分割預定線6、7相對地移動，一邊從雷射光束照射單元25朝向晶圓1照射對晶圓1具有穿透性且對膜4具有吸收性之波長的雷射光束21。
在第二實施方式中，在改質區域形成步驟101-1中，如圖14所示，雷射加工裝置20未藉由雷射光束照射單元25的光學系統施加像差（尤其是縱像差），而將雷射光束21的聚光點211-2設定於晶圓1的基板2的內部並照射。在第二實施方式中，在改質區域形成步驟101-1中，由於雷射加工裝置20的雷射光束21具有對晶圓1具有穿透性之波長，因此如圖15所示，沿著分割預定線6、7在晶圓1的基板2的內部空開間隔而形成改質層12-2。
在第二實施方式中，改質層12-2意指密度、折射率、機械性強度或其他的物理特性成為與周圍的特性不同之狀態之區域，可例示熔融處理區域、裂痕區域、絕緣破壞區域、折射率變化區域及混合此等區域之區域等。改質層12-2的機械性強度低於基板2的其他處。在改質區域形成步驟101-1中，沿著晶圓1的全部的分割預定線6、7照射雷射光束21，而沿著晶圓1的全部的分割預定線6、7形成改質層12-2。
在第二實施方式中，燒蝕痕形成步驟101-2係下述步驟：在實施改質區域形成步驟101-1之後，將對膜4具有吸收性之波長的雷射光束21的聚光區域亦即聚光點211-2定位於膜4的表面9附近而形成燒蝕痕11。在第二實施方式中，在燒蝕痕形成步驟101-2中，基於加工條件一邊使雷射光束照射單元25與晶圓1沿著分割預定線6、7相對地移動，一邊從雷射光束照射單元25朝向晶圓1照射對晶圓1具有穿透性且對膜4具有吸收性之波長的雷射光束21。
在第二實施方式中，在燒蝕痕形成步驟101-2中，如圖16所示，雷射加工裝置20未藉由雷射光束照射單元25的光學系統施加像差（尤其是縱像差），而將雷射光束21的聚光點211-2設定於膜4的表面9並照射。在第二實施方式中，在燒蝕痕形成步驟101-2中，雷射加工裝置20的雷射光束21由於具有對膜4具有吸收性之波長，因此如圖17所示，沿著分割預定線6、7在晶圓1的膜4的表面9空開間隔形成燒蝕痕11。在燒蝕痕形成步驟101-2中，沿著晶圓1的全部的分割預定線6、7照射雷射光束21，而沿著晶圓1的全部的分割預定線6、7形成燒蝕痕11。
此外，在第二實施方式中，在改質區域形成步驟101-1及燒蝕痕形成步驟101-2中，雖照射相同波長（在第二實施方式中為1064nm）的雷射光束21而形成改質層12-2及燒蝕痕11，但在本發明中，亦可在改質區域形成步驟101-1及燒蝕痕形成步驟101-2中照射不同之波長之雷射光束21，而形成改質層12-2及燒蝕痕11。此情形，較佳為在改質區域形成步驟101-1中，照射波長為1064nm的雷射光束21，並在燒蝕痕形成步驟101-2中，照射波長為355nm的雷射光束21。
並且，在本發明中，尤其在改質區域形成步驟101-1中，亦可與第一實施方式同樣地照射已施加像差（尤其是縱像差）之雷射光束21，而在晶圓1的基板2的內部形成改質區域12。並且，在本發明中，在改質區域形成步驟101-1中，亦可將雷射光束21的聚光點211-2定位於比膜4的表面9更靠近基板2的內部或者膜4的表面9的雷射光束照射單元25側，而將聚光點211-2定位於膜4的表面9的附近。此外，將聚光點211-2定位於膜4的表面9附近係表示從膜4的表面9離開至能藉由雷射光束21的照射而在膜4的表面9形成燒蝕痕11的程度。
第二實施方式之晶片的製造方法係在雷射光束照射步驟101中沿著晶圓1的分割預定線6、7照射雷射光束21，並對所層積之膜4施行燒蝕加工而形成燒蝕痕11且在晶圓1的基板2的內部形成改質層12-2。其結果，第二實施方式之晶片的製造方法與第一實施方式同樣地，發揮將帶有膜4之晶圓1確實地分割成一個個晶片10且能提升生產性之效果。
此外，本發明並不受限於上述實施方式等。亦即，在不脫離本發明的主旨之範圍內可進行各種變形並實施。例如，在本發明中，對第一分割預定線6照射雷射光束21之際的加工條件與對第二分割預定線7照射雷射光束21之際的加工條件可相等，亦可不同。並且，在實施方式中，晶圓1雖在背面3形成有膜4，但在本發明中，亦可在正面5形成有膜4。
1:晶圓 3:背面 4:膜 5:正面 6:第一分割預定線（分割預定線） 7:第二分割預定線（分割預定線） 9:表面 10:晶片 11:燒蝕痕 12:改質區域 12-2:改質層（改質區域） 21:雷射光束 101:雷射光束照射步驟 101-1:改質區域形成步驟 101-2:燒蝕痕形成步驟 102:分割步驟 121:細孔 122:非晶質 211:聚光區域 211-2:聚光點（聚光區域）
圖1係示意性地表示第一實施方式之晶片的製造方法的加工對象的晶圓之立體圖。 圖2係示意性地表示圖1所示之晶圓之剖面圖。 圖3係表示第一實施方式之晶片的製造方法的流程之流程圖。 圖4係示意性地表示圖3所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟之立體圖。 圖5係示意性地表示在圖3所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟中被照射雷射光束之晶圓的主要部分之剖面圖。 圖6係示意性地表示圖5所示之晶圓的主要部分的其他例子之剖面圖。 圖7係示意性地表示圖3所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟後的晶圓的主要部分之立體圖。 圖8係示意性地表示圖3所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟後的晶圓的主要部分之剖面圖。 圖9係示意性地表示圖8所示之形成於晶圓之改質區域之立體圖。 圖10係以局部剖面示意性地表示在圖3所示之晶片的製造方法的分割步驟中分割裝置保持晶圓之狀態之側視圖。 圖11係以局部剖面示意性地表示在圖3所示之晶片的製造方法的分割步驟中分割裝置將晶圓分割成晶片之狀態之側視圖。 圖12係示意性地表示在圖3所示之晶片的製造方法的分割步驟中已分割之晶片之俯視圖。 圖13係表示第二實施方式之晶片的製造方法的流程之流程圖。 圖14係示意性地表示在圖13所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟的改質區域形成步驟中被照射雷射光束之晶圓的主要部分之剖面圖。 圖15係示意性地表示圖13所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟的改質區域形成步驟後的晶圓的主要部分之剖面圖。 圖16係示意性地表示在圖13所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟的燒蝕痕形成步驟中被照射雷射光束之晶圓的主要部分之剖面圖。 圖17係示意性地表示圖13所示之晶片的製造方法的雷射光束照射步驟的燒蝕痕形成步驟後的晶圓的主要部分之剖面圖。
101:雷射光束照射步驟
102:分割步驟

Claims (4)

  1. 一種晶片的製造方法，其沿著交叉之多條分割預定線分割在正面或背面形成有膜之晶圓而製造晶片，並具備： 雷射光束照射步驟，其沿著被設定於該晶圓之該分割預定線照射雷射光束，對形成於該正面或該背面之該膜形成燒蝕痕，且在該晶圓的內部形成改質區域；以及 分割步驟，其在實施該雷射光束照射步驟之後，對該晶圓施加外力，而沿著在該雷射光束照射步驟所形成之該燒蝕痕分割該晶圓。
  2. 如請求項1之晶片的製造方法，其中，該雷射光束照射步驟係將對該晶圓具有穿透性且對該膜具有吸收性之波長的雷射光束的聚光區域從該晶圓的內部定位於該膜的表面或比該表面更靠外側，並沿著被設定於該晶圓之該分割預定線照射該雷射光束，藉此在該晶圓的內部形成該改質區域，同時對該膜形成該燒蝕痕。
  3. 如請求項1之晶片的製造方法，其中，該雷射光束照射步驟包含： 改質區域形成步驟，其將對該晶圓具有穿透性之波長的雷射光束的聚光區域定位於該晶圓的內部而形成該改質區域；以及 燒蝕痕形成步驟，其在實施該改質區域形成步驟之後，將對該膜具有吸收性之波長的雷射光束的聚光區域定位於該膜的附近而形成該燒蝕痕。
  4. 如請求項1至3中任一項之晶片的製造方法，其中，在該雷射光束照射步驟中，形成於該晶圓的內部之該改質區域包含細孔與圍繞該細孔之非晶質。
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