TW202403064A

TW202403064A - 金屬材料及其製造方法、濺鍍靶材及膜的製造方法

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Publication number: TW202403064A
Application number: TW112118631A
Authority: TW
Inventors: 正能大起; 召田雅実; 近藤大雅
Original assignee: 日商東曹股份有限公司
Priority date: 2022-05-19
Filing date: 2023-05-19
Publication date: 2024-01-16
Also published as: WO2023224084A1

Abstract

本發明提供一種適合於濺鍍靶材的、包含具有體心立方結構的金屬的金屬材料及所述金屬材料的製造方法、包含該金屬材料的濺鍍靶材、及使用該濺鍍靶材的膜的製造方法中的至少任一種。一種金屬材料，包含具有體心立方結構的金屬，所述金屬中相對於{001}面、{101}面與{111}面的配向面積率的合計而言的{111}面的配向面積率的比例為0.45以上。

Description

金屬濺鍍靶材及其製造方法、金屬材料及其製造方法

本揭示是有關於一種適合於濺鍍靶材的金屬材料及其製造方法、以及包括該金屬材料的金屬濺鍍靶材及其製造方法。

以鉻或鉬為代表的具有體心立方結構的金屬被用作用於獲得光刻遮罩用的遮光膜或濺鍍靶材等該些膜的成膜材料。在使用具有體心立方結構的金屬作為濺鍍靶材的情況下，濺鍍粒子在最密填充面方向即{111}面方向上成膜。因此，藉由提高{111}面的比例，並藉由以具有體心立方結構的金屬作為濺鍍靶材，可以更高效率形成濺鍍膜。例如，研究了藉由反覆進行鍛造處理及軋製處理而使具有體心立方結構的金屬成為{111}面配向（專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：國際公開2020/195121號公報

[發明所欲解決之課題] 在專利文獻1中，研究了使作為具有體心立方結構的金屬的鈮成為{111}面配向的情況，但在所述方法中，在厚度方向上產生配向程度的偏差，因此向{111}面的配向不充分，另外，表面以及內部的變形變得不均勻，無法獲得適合作為濺鍍靶材等的成膜材料的金屬材料。本揭示的目的在於提供一種適合於濺鍍靶材的、包含具有體心立方結構的金屬的金屬材料、及所述金屬材料的製造方法、包含所述金屬材料的濺鍍靶材、及使用該濺鍍靶材的膜的製造方法中的至少任一種。 [解決課題之手段]

即，本發明如申請專利範圍般，另外，本揭示的要旨如下所述。 [1] 一種金屬材料，包含具有體心立方結構的金屬，所述金屬中相對於{001}面、{101}面與{111}面的配向面積率的合計而言的{111}面的配向面積率的比例為0.45以上。 [2] 一種金屬材料，包含具有體心立方結構的金屬，所述金屬中相對於{001}面、{101}面與{111}面的配向面積率的合計而言的{111}面的配向面積率的比例為0.60以上。 [3] 如所述[1]或[2]所述的金屬材料，其中，所述金屬的{111}面的配向面積率為20%以上。 [4] 如所述[1]至[3]中任一項所述的金屬材料，其中，所述金屬的{111}面的配向面積率為80%以上。 [5] 如所述[1]至[4]中任一項所述的金屬材料，其中，所述金屬的{001}面的配向面積率為20%以下。 [6] 如所述[1]至[5]中任一項所述的金屬材料，其中，所述金屬的{001}面的配向面積率為5%以下。 [7] 如所述[1]至[6]中任一項所述的金屬材料，其中，所述金屬的平均粒徑為200 μm以下。 [8] 如所述[1]至[7]中任一項所述的金屬材料，其中，所述具有體心立方結構的金屬為選自鉻（Cr）、鐵（Fe）、銣（Ru）、鈮（Nb）、鉬（Mo）、鉭（Ta）、釩（V）及鎢（W）的群組中的一種以上。 [9] 一種金屬材料的製造方法，為如所述[1]至[8]中任一項所述的金屬材料的製造方法，具有：加壓步驟，在加壓溫度500℃以上及加壓速度小於15 mm/s的條件下對包含具有體心立方結構的金屬的鑄錠進行加壓處理，從而獲得加工鑄錠；以及熱處理步驟，在850℃以上對所述加工鑄錠進行處理。 [10] 如所述[9]所述的製造方法，其中，所述加壓步驟中的加壓處理為兩次以上。 [11] 一種濺鍍靶材，包括如所述[1]至[8]中任一項所述的金屬材料。 [12] 一種膜的製造方法，其特徵在於使用包括如所述[1]至[8]中任一項所述的金屬材料的濺鍍靶材。 [發明的效果]

藉由本揭示，可提供一種適合於濺鍍靶材的、包含具有體心立方結構的金屬的金屬材料、及所述金屬材料的製造方法、包含所述金屬材料的濺鍍靶材、及使用該濺鍍靶材的膜的製造方法中的至少任一種。

以下，示出一實施方式對本揭示進行詳細的說明。＜金屬材料＞本實施方式為一種金屬材料，包含具有體心立方結構的金屬，所述金屬中相對於{001}面、{101}面與{111}面的配向面積率的合計而言的{111}面的配向面積率的比例為0.45以上。本實施方式是有關於一種包含具有體心立方結構的金屬的金屬材料，可為包含具有體心立方結構的金屬（以下，亦稱為「bcc（body centered cubic）金屬」）的金屬材料，亦可為由bcc金屬構成的金屬材料。藉由為bcc金屬，容易向{111}面配向。

為了在高溫下＜111＞容易產生滑動，bcc金屬較佳為選自鉻（Cr）、鐵（Fe）、銣（Ru）、鈮（Nb）、鉬（Mo）、鉭（Ta）、釩（V）及鎢（W）的群組中的一種以上，更佳為選自鉻、鉬、釩及鎢的群組中的一種以上，進而佳為選自鉻、鉬及鎢的群組中的一種以上，進而更佳為鉻及鉬中的至少任一種，特佳為鉻。 bcc金屬亦可為合金，作為構成本實施方式的金屬材料的合金，可例示：包含選自鉻、鐵、銣、鈮、鉬、鉭、釩及鎢的群組中的一種以上的合金，進而可例示包含選自鉻、鉬、鉭、釩及鎢的群組中的一種以上的合金，更進而可例示包含選自鉻、鉬及鎢的群組中的一種以上的合金，更進而可例示包含鉻及鉬的合金，更進而可例示包含鉻的合金，更進而可例示鉻-鉬合金。

以下，本實施方式的金屬材料在該金屬材料中的bcc金屬為鉻的情況下亦稱為「鉻材料」，在為鉻-鉬合金的情況下亦稱為「鉻-鉬材料」等。 bcc金屬的相對於{001}面、{101}面與{111}面的配向面積率的合計而言的{111}面的配向面積率的比例為0.45以上，較佳為0.50以上、0.60以上、0.75以上或0.95以上。在將包含相對於{001}面、{101}面與{111}面的配向面積率的合計而言的{111}面的配向面積率的比例（以下亦稱為「配向面積率比例」）小於0.45的bcc金屬的金屬材料用作濺鍍靶材（以下，亦簡稱為「靶材」）的情況下，積層於基板的濺鍍粒子的比例明顯降低，從而成膜效率明顯降低。藉由配向面積率比例為0.45以上，bcc金屬成為所謂的{111}配向。特別是對於鉻材料而言，配向面積率比例較佳為0.50以上，對於鉬材料而言，配向面積率比例較佳為0.60以上、0.75以上或0.95以上。

本實施方式的金屬材料中所含的bcc金屬的配向面積率比例較佳為高，可例示為1.0以下、小於1.0或0.99以下，配向面積率比例的上限及下限可為任意的組合。配向面積率比例較佳為0.50以上且1.0以下，更佳為0.60以上且1.0以下，進而佳為0.75以上且小於1.0。

藉由與配向面積率比例同樣的理由，bcc金屬的{111}面的配向面積率（以下亦稱為「配向面積率 _{111}」）較佳為20%以上，更佳為25%以上、30%以上、50%以上或80%以上。特別是對於鉻材料而言，配向面積率 _{111}較佳為20%以上、25%以上或30%以上，對於鉬材料而言，配向面積率 _{111}較佳為50%以上或80%以上。配配向面積率 _{111}可列舉100%以下、小於100%、95%以下或90%以下。對於鉻材料而言，配向面積率 _{111}較佳為20%以上且100%以下，更佳為25%以上且100%以下，進而佳為30%以上且小於100%。對於鉬材料而言，配向面積率 _{111}較佳為50%以上且100%以下，更佳為80%以上且100%以下，進而佳為80%以上且小於100%。

bcc金屬的{001}面的配向面積率（以下亦稱為「配向面積率 _{001}」）較佳為小於配向面積率 _{111}，更佳為20%以下、15%以下、10%以下或5%以下。特別是對於鉻材料而言，配向面積率 _{001}較佳為15%以下，對於鉬材料而言，配向面積率 _{001}較佳為15%以下或5%以下。另外，配向面積率 _{001}可例示為1%以上或2%以上。對於鉻材料而言，配向面積率 _{001}較佳為1%以上且15%以下，更佳為2%以上且15%以下。對於鉬材料而言，配向面積率 _{001}較佳為1%以上且15%以下，更佳為2%以上且5%以下。

bcc金屬的{101}面的配向面積率（以下亦稱為「配向面積率 _{101}」）更佳為15%以下、10%以下、5%以下、或2%以下。特別是對於鉻材料而言，配向面積率 _{101}較佳為10%以下，對於鉬材料而言，配向面積率 _{101}較佳為5%以下或2%以下。另外，配向面積率 _{101}可例示為0%以上、0.01%以上、0.10%以上或1%以上。對於鉻材料而言，配向面積率 _{101}較佳為0%以上且10%以下，更佳為0.10%以上且10%以下。對於鉬材料而言，配向面積率 _{101}較佳為0%以上且5%以下，更佳為0.10%以上且2%以下。

配向面積率比例、配向面積率 _{111}、配向面積率 _{001}及配向面積率 _{101}的上限及下限分別可為上述的任意組合。

在本實施方式中，結晶面的配向面積率可根據藉由基於以下的條件的查電子顯微鏡-電子束背散射繞射（scanning electron microscope-electron back scatter diffraction）（以下亦稱為「SEM-EBSD」）測定而獲得的SEM觀察圖求出。觀察倍率：10倍加速電壓件：加速電壓20 kV 照射電流：100 μA 工作距離（work distance）：10 mm 階寬：5 μm

即，將SEM觀察圖分割為5 um×5 um的網格狀作為網格點，並以此作為測定點。對所有測定點的配向面及其面積進行測定，並根據以下的式子求出配向面積率即可。配向面積率 _{111}[%] ={{111}面配向的測定點的合計面積/所有測定點的合計面積}×100 配向面積率 _{101}[%] ={{101}面配向的測定點的合計面積/所有測定點的合計面積}×100 配向面積率 _{001}[%] ={{001}面配向的測定點的合計面積/所有測定點的合計面積}×100 配向面積率比例 =配向面積率 _{111}/（配向面積率 _{111}+配向面積率 _{101}+配向面積率 _{001}）

SEM觀察、配向面及其面積的測定使用一般的SEM-EBSD裝置（例如，JSM-IT800、日本電子公司製造）及其附屬的測定/分析程式（例如，阿茲泰克（AZtec）、阿茲泰克晶體（AZtec Crystal））進行即可。在SEM-EBSD測定之前，測定試樣（金屬材料）利用SiC研磨紙及拋光研磨進行鏡面研磨後，利用5體積%硫酸水溶液進行電解蝕刻從而進行預處理即可。 bcc金屬的平均核平均配向差（Kernel Average Misorientation，KAM）值較佳為2°以下、1°以下或0.5°以下。藉此，容易減少金屬材料中的應變。平均KAM值較佳為0°以上或0.1°以上。平均KAM值較佳為0°以上且2°以下，更佳為0°以上且1°以下，進而佳為0.1°以上且0.5°以下。

本實施方式中的平均KAM值是表示結晶方位的局部變化的指標之一，是藉由上述的SEM-EBSD測定而獲得的局部方位差（Kernel Average Misorientation；以下亦稱為「KAM值」）的平均值。 KAM值是根據以下的式子求出的值。

上式中，aij是測定點i-測定點j間的結晶方位差。n為作為KAM值的測定對象的測定點（對象測定點）與鄰接的測定點（鄰接測定點）的總數。再者，將測定點間的方位差為10°以上的結晶方位差視為結晶晶界，該結晶晶界不作為KAM值的測定對象。只要為可抑制將本實施方式的金屬材料用作靶材時顆粒的產生的範圍，則bcc金屬亦可包含非晶質相。本實施方式的金屬材料的平均結晶粒徑較佳為200 μm以下、100 μm以下或70 μm以下。藉此，在將本實施方式的金屬材料用作靶材時，容易抑制顆粒向基板的附著。平均結晶粒徑只要為10 μm以上、或30 μm以上即可。平均結晶粒徑較佳為10 μm以上且200 μm以下，更佳為10 μm以上且100 μm以下，進而佳為30 μm以上且70 μm以下。

在本實施方式中，平均結晶粒徑是可藉由依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）G 0551：2020及附錄JC的方法求出的結晶粒徑的平均值。由於存在強度變高的傾向，因此本實施方式的金屬材料的相對密度較佳為99.6%以上或99.8%以上，並且只要為100%以下即可。相對密度較佳為99.6%以上且100%以下，更佳為99.8%以上且100%以下。

在本實施方式中，「相對密度」是相對於真密度[g/cm ³]而言的實測密度[g/cm ³]的比例[%]。實測密度是相對於藉由依照JIS R 1634的方法測定的金屬材料的體積[cm ³]而言的、藉由質量測定而測定的金屬材料的質量[g]。真密度是根據以下的式子求出的值。 ρ _t=W _t/{（W ₁/ρ ₁）+（W ₂/ρ ₂）+···+（W _n/ρ _n）}

在上式中，ρ _t是金屬材料的真密度[cm ³]，另外，W _t是藉由質量測定而測定的金屬材料的質量[g]。W ₁至W _n為金屬材料中所含的各bcc金屬的質量比例[g/g]，並且ρ ₁至ρ _n為金屬材料中所含的各bcc金屬的真密度[g/cm ³]。W ₁至W _n是藉由金屬材料的組成分析而獲得的各bcc金屬的質量比例，W ₁至W _n的合計為1.0。作為各bcc金屬的真密度，分別可列舉：鉻為7.19 g/cm ³、鐵為7.87 g/cm ³、銣為1.53 g/cm ³、鈮為8.57 g/cm ³、鉬為10.22 g/cm ³、鉭為16.65 g/cm ³、釩為6.0 g/cm ³及鎢為19.25 g/cm ³。

例如，包含含有60質量%的鉻及40質量%的鉬的鉻-鉬合金在內的10 g的金屬材料的真密度可根據以下的式子求出。 ρ _t=10/{（0.6/7.19）+（0.4/10.22）} 為了抑制將本實施方式的金屬材料用作靶材時顆粒的產生，本實施方式的金屬材料較佳為金屬雜質的含量少，例如，本實施方式的金屬材料的純度較佳為超過99.6%、99.9%以上或99.99%以上，並且只要為100%以下或小於100%即可。本實施方式的金屬材料的純度較佳為超過99.6%且為100%以下，更佳為99.9%以上且小於100%。再者，關於本說明書中純度的表述，「4 N」表示純度99.99%以上，「5 N」表示純度99.999%以上。

在本實施方式中，金屬雜質含量是藉由依照美國材料試驗協會（American Society for Testing and Materials，ASTM）F 1593的輝光放電質譜法（glow discharge mass spectrometry）（以下亦稱為「GDMS」）測定的金屬雜質的含量。作為該金屬雜質，在包含bcc金屬以外的金屬、或特定的bcc金屬的金屬材料中為除此以外的金屬，例如，在鉻材料及鉻-鉬材料的情況下，可列舉鉻及鉬以外的金屬，進而可列舉鐵。測定試樣只要為10 mm～25 mm×10 mm～25 mm×0.5 mm～15 mm的稜柱狀金屬材料即可。在測定之前，該測定試樣使用SiC研磨紙（#800）進行研磨直至Ra為1.6 μm以下後，在純水中進行10分鐘的超音波清洗、利用醇進行的脫水、熱風乾燥及真空包裝，藉此實施預處理即可。

本實施方式的金屬材料的氧含量較佳為200質量ppm以下，更佳為150質量ppm以下、30質量ppm以下或10質量ppm以下。藉此，在將本實施方式的金屬材料用作濺鍍靶材（以下亦簡稱為「靶材」）時，容易抑制顆粒的產生。只要為可抑制顆粒產生的範圍，則允許含有氧，例如可列舉氧含量為0質量ppm以上、超過0質量ppm、1質量ppm以上或3質量ppm以上。氧含量較佳為0質量ppm以上且200質量ppm以下，更佳為超過0質量ppm且為150質量ppm以下，進而佳為1質量ppm以上且30質量ppm以下。

在本實施方式中，金屬材料的氧含量可藉由一般的氧/氮分析裝置（例如，ON736、力可（LECO）公司製造）測定。平均KAM值、平均結晶粒徑、相對密度、純度及氧含量的上限及下限分別可為上述的任意組合。本實施方式的金屬材料的形狀是任意的，較佳為適合於濺鍍的形狀，例如可列舉選自板狀、柱狀及圓筒狀的群組中的一種以上。

＜濺鍍靶材＞本實施方式的金屬材料可用於bcc金屬的公知用途，較佳為用作濺鍍靶材，更佳為用作濺鍍靶材用金屬材料。包括本實施方式的金屬材料的濺鍍靶材（以下，亦稱為「本實施方式的靶材」）可包含本實施方式的金屬材料，亦可為包括背板及本實施方式的金屬材料的靶材。

以下，列舉包括背板及本實施方式的金屬材料的靶材為一例，對本實施方式的靶材進行說明。背板只要由濺鍍時可通電及散熱的材料構成即可，例如可列舉包含選自銅（Cu）及鋁（Al）、鈦（Ti）及不鏽鋼（Steel Use Stainless，SUS）的群組中的一種以上的背板。在本實施方式的靶材中，金屬材料與背板接合。金屬材料與背板可直接接合，亦可經由接合材料接合。接合材料可為公知的材料，例如可列舉銦（In）。在本實施方式的靶材中，金屬材料的形狀只要為適合於濺鍍的形狀即可，例如可列舉選自板狀、柱狀及圓筒狀的群組中的一種以上。

在本實施方式的靶材中，金屬材料的bcc金屬的厚度方向上的{111}面的配向面積之差的最大值（以下亦稱為「配向差 _{111}」）為10%以下，並且較佳為0%以上、2%以上或5%以上。配向差 _{111}較佳為0%以上且10%以下，更佳為2%以上且10%以下。另外，相對於{001}面、{101}面及{111}面的配向面積的最大差的合計而言的{111}面的配向面積的最大差的比例（以下亦稱為「配向差比例」）可例示為0.4以上或0.5以上，並且可例示為0.8以下。配向差 _{111}及配向差比例均為表示靶材的厚度方向上的結晶配向性的偏差的指標之一。藉由使配向差 _{111}及配向差比例為所述範圍，可抑制伴隨濺鍍的進行的結晶狀態的變化。藉此，容易形成更均勻的膜。

根據同樣的理由，本實施方式的靶材中的金屬材料的bcc金屬的厚度方向上的平均結晶粒徑之差的最大值（以下，亦簡稱為「粒徑差」）較佳為30 μm以下或10 μm以下。藉此，即使在產生顆粒的情況下，亦可抑制其產生行為的變化。粒徑差可例示0 μm以上、1 μm以上或3 μm以上。粒徑差較佳為0 μm以上且30 μm以下，更佳為1 μm以上且10 μm以下，進而佳為3 μm以上且10 μm以下。

配向差 _{111}、配向差比例及粒徑差藉由以下的方法求出即可。即，在本實施方式的靶材中，將相對於與和背板接合的金屬材料的面（以下，亦稱為「結合面」）相向的面（以下亦稱為「濺鍍面」）而垂直的方向視為厚度方向。將本實施方式的靶材在厚度方向上三等分地切斷從而製成切斷片，對切斷片的濺鍍面側的露出面進行上述的SEM-EBSD測定。根據獲得的配向面積率 _{111}、配向面積率 _{101}、配向面積率 _{001}及平均結晶粒徑之差，分別求出配向差 _{111}、配向差比例及粒徑差即可。為了擴大成膜面積，本實施方式的靶材的濺鍍面的面積較佳為200 cm ²以上、350 cm ²以上或800 cm ²以上。濺鍍面的面積例如可列舉1500 cm ²以下或1200 cm ²以下。

＜金屬材料的製造方法＞本實施方式的金屬材料的製造方法是任意的，作為較佳的製造方法，可列舉如下金屬材料的製造方法，即具有：加壓步驟，在加壓溫度500℃以上及加壓速度小於15 mm/s的條件下對包含具有體心立方結構的金屬的鑄錠進行加壓處理，從而獲得加工鑄錠；以及熱處理步驟，在850℃以上對所述加工鑄錠進行熱處理。

在加壓步驟中，在加壓溫度500℃以上及加壓速度小於15 mm/s的條件下對包含具有體心立方結構的金屬的鑄錠進行加壓處理，從而獲得加工鑄錠。供於加壓步驟的鑄錠只要為包含具有體心立方結構的金屬的鑄錠即可，較佳為包含選自鉻（Cr）、鐵（Fe）、銣（Ru）、鈮（Nb）、鉬（Mo）、鉭（Ta）、釩（V）及鎢（W）的群組中的一種以上的鑄錠，更佳為包含選自鉻、鉬、鉭、釩及鎢的群組中的一種以上的鑄錠，進而佳為包含選自鉻、鉬及鎢的群組中的一種以上的鑄錠，進而更佳為包含鉻及鉬的至少任一者的鑄錠，特佳為包含鉻的鑄錠。

鑄錠可為包含合金的鑄錠，可例示包含含有自鉻、鐵、銣、鈮、鉬、鉭、釩及鎢的群組中選擇的一種以上的合金的鑄錠，進而可例示包含含有自鉻、鉬、鉭、釩及鎢的群組中選擇的一種以上的合金的鑄錠，更進而可例示包含含有自鉻、鉬、及鎢的群組中選擇的一種以上的合金的鑄錠，更進而可例示包含含有鉻的合金的鑄錠，更進而可例示包含含有鉬的合金的鑄錠，更進而可例示包含鉻及鉬的合金，更進而可例示包含鉻-鉬的合金的鑄錠。

供於加壓步驟的鑄錠的純度只要具有與目標金屬材料同等的組成即可，較佳為與所述金屬材料同樣的純度及氧含量。供於加壓步驟的鑄錠的相對密度較佳為99%以上或99.5%以上。藉此，獲得的金屬材料的強度容易變高。鑄錠的相對密度可例示100%以下。供於加壓步驟的鑄錠的平均結晶粒徑是任意的，較佳為超過200 μm或300 μm以上。鑄錠的平均結晶粒徑只要為2000 μm以下、1000 μm以下或400 μm以下即可。

供於加壓步驟的鑄錠的配向面積率比例是任意的，可為小於0.45或0.3以下。鑄錠的配向面積率比例可列舉為0.1以上。在加壓步驟中，在加壓溫度500℃以上對鑄錠進行加壓。小於500℃時＜111＞難以發生滑動。加壓溫度較佳為600℃以上或700℃以上。為了抑制加壓處理中破裂等缺陷的產生，加壓溫度較佳為1000℃以下或900℃以下。

在加壓步驟中，使加壓速度小於15 mm/s。當加壓速度為15 mm/s以上時，會對鑄錠急劇地施加壓力，因此在不伴隨＜111＞滑動的情況下鑄錠被壓縮。加壓速度較佳為小於15 mm/s或10 mm/s以下，並且只要為1 mm/s以上或3 mm/s以上即可。加壓速度較佳為1 mm/s以上且小於15 mm/s，更佳為3 mm/s以上且10 mm/s以下。

加壓處理的方法只要為可對鑄錠施加壓力的任意方法即可，例如可列舉鍛造、拉伸加工、擠出加工及軋製中的至少任一者。加壓步驟中的加壓處理較佳為兩次以上，較佳為三次以上。藉由多次實施基於上述條件的加壓處理，可在不產生鑄錠破裂等缺陷的情況下導入應變。其結果，容易獲得配向面積率比例高的金屬材料。為了使獲得的金屬材料的表面以及內部容易成為更均勻的組織，加壓處理較佳為二十次以下或十次以下。加壓處理較佳為兩次以上且二十次以下，更佳為三次以上且十次以下。

在加壓處理的前後鑄錠的溫度有時會降低。在加壓步驟中的加壓處理為多次的情況下，對各加壓處理前的鑄錠進行加熱直至加壓溫度後實施加壓處理即可，以使各次的加壓處理在上述的加壓溫度下進行。加壓步驟後的加工鑄錠的總壓下率較佳為50%以上或60%以上。總壓下率根據以下的式子求出即可。總壓下率[%] =（1-加工鑄錠的厚度/加工步驟前的鑄錠的厚度）×100 於熱處理步驟中，以850℃以上對所述加工鑄錠進行熱處理。藉此，促進了再結晶化，生成{111}配向的結晶粒子，獲得本實施方式的金屬材料。

熱處理為850℃以上，較佳為900℃以上。當小於850℃時，難以進行再結晶化。就能量成本的觀點而言，熱處理無需提高至必要以上，只要為1300℃以下或1100℃以下即可。熱處理較佳為在850℃以上且1300℃以下進行，更佳為在900℃以上且1100℃以下進行。熱處理氣氛是任意的，只要為氧化氣氛、還原氣氛或真空氣氛即可，較佳為氧化氣氛。由於簡便，熱處理氣氛更佳為大氣氣氛。

熱處理時間根據供於熱處理步驟的加工鑄錠的大小、或熱處理爐的性能等適當調整即可，例如可列舉1小時以上且5小時以下。為了使獲得的金屬材料成為所期望的形狀，本實施方式的製造方法可在熱處理步驟之前具有對加工鑄錠進行加工的加工步驟。加工方法是任意的，例如可列舉切削加工。另外，為了降低金屬材料的表面粗糙度，本實施方式的製造方法亦可在熱處理步驟後實施對金屬材料進行表面加工的表面加工步驟。

＜濺鍍靶材的製造方法＞本實施方式的靶材可直接使用本實施方式的金屬材料。另一方面，本實施方式的靶材可藉由具有將本實施方式的金屬材料與背板接合的接合步驟的製造方法來製造。接合步驟中的接合方法只要為背板與金屬材料可接合的任意方法即可，例如可列舉選自擴散接合、焊料結合及摩擦攪拌接合的群組中的一種以上。

＜成膜方法＞包括本實施方式的金屬材料的濺鍍靶材可用於使用所述濺鍍靶材的膜的製造方法。該膜藉由濺鍍法進行成膜。膜的製造方法（成膜方法）是任意的，例如可列舉基於以下條件的膜的製造方法。藉此，可獲得膜，進而可獲得薄膜，更進而可獲得濺鍍膜，更進而可獲得bcc金屬濺鍍膜。

達到真空度：1×10 ^-4Pa 製程氣體：Ar 氣體分壓：0.5 Pa 成膜溫度：室溫基板：玻璃基板放電輸出：10 W/cm ²成膜時間：60 sec [實施例]

以下，示出實施例對本揭示進行說明。然而，本揭示並不限定於以下的實施例。

（配向面積率）結晶面的配向面積率使用SEM-EBSD裝置（裝置名稱：JSM-IT800、日本電子公司製造）、測定程式（軟體名稱：阿茲泰克（AZtec））及分析程式（軟體名稱：阿茲泰克晶體（AZtec Crystal）），並根據藉由基於以下的條件的SEM-EBSD測定而獲得的SEM觀察圖求出。

觀察倍率：10倍加速電壓件：加速電壓20 kV 照射電流：100 μA 工作距離（work distance）：10 mm 階寬：5 μm 將SEM觀察圖分割為5 um×5 um的網格狀作為網格點，並以此作為測定點。對所有測定點的配向面及其面積進行測定，並根據上述的式子分別求出配向面積率 _{111}[%]、配向面積率 _{101}[%]、配向面積率 _{001}[%]及配向面積率比例。

測定試樣使用了直徑330 mm的圓板狀的金屬材料。在測定之前，將該測定試樣沿厚度方向切斷，將所獲得的切斷面作為測定面。藉由SiC研磨紙及拋光研磨對該測定面進行鏡面研磨後，利用5體積%的硫酸水溶液進行電解蝕刻，藉此實施預處理。將（距測定試樣的直徑中心60 mm～63 mm（寬3 mm）的距離）×（測定試樣的厚度t）作為測定區域，對該測定區域進行了SEM-EBSD測定。

（配向差 _{111}及配向差比例）關於配向差 _{111}，作為測定試樣，對於將金屬材料試樣沿厚度方向以成為三等分的方式進行切斷而獲得的各分割試樣的濺鍍面及切斷片的濺鍍面側的露出面，利用與上述同樣的方法求出配向面積率 _{111}[%]，並求出其差。利用同樣的方法求出各分割試樣的配向面積率 _{001}[%]及配向面積率 _{101}[%]，並求出配向差比例。

（氧含量）氧含量是藉由氧/氮分析裝置（裝置名稱：ON736、力可（LECO）製造）進行測定。測定試樣使用了切成4 mm×4 mm×5 mm的稜柱狀的金屬材料。（平均結晶粒徑）依據JIS G 0551：2020及附錄JC，由橫切鑄錠組織內的晶粒的線段的每一晶粒的平均線段長度計算出靶材的平均結晶粒徑。針對所述觀察範圍內的所有結晶粒子，計算出平均結晶粒徑（μm）。

（粒徑差）求出利用與配向差 _{111}同樣的方法獲得的三個分割試樣的平均結晶粒徑，將其最大值與最小值之差作為粒徑差。（相對密度）藉由依照JIS R 1634的方法對實測密度進行測定。根據相對於藉由上述的式子獲得的金屬材料試樣的真密度而言的實測密度的比例，求出試樣的相對密度[%]。（平均KAM值）使用藉由與配向面積率的測定同樣的SEM-EBSD測定獲得的結果，並利用上述的方法求出KAM值，將其平均值作為平均KAM值。

實施例1 將150 kg的鉻粉（純度4 N、氧含量6質量ppm）封入350 mm×350 mm×350 mm的軟鐵製的罐中，並在以下的條件下進行熱等靜壓（Hot Isostatic Pressing，HIP）處理。 HIP處理氣氛：氬氣氣氛 HIP處理溫度：1150℃ HIP處理壓力：100 MPa HIP處理時間：2小時

對所獲得的HIP處理體進行磨削及切削來調整形狀，從而獲得直徑180 mm×厚度50 mm的圓板狀的鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至800℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為7 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理8次，獲得直徑330 mm×厚度15 mm（總壓下率為70%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為450℃以下的情況下，將鑄錠加熱至800℃後，實施加壓處理。將加工鑄錠在大氣中、1000℃下處理1小時，獲得直徑330 mm×厚度15 mm的圓板狀的鉻材料，並將其作為本實施例的鉻材料（純度4 N、氧含量6質量ppm）。圖1中示出本實施例的鉻材料的剖面的光學顯微鏡觀察圖。

實施例2 使用鉻粉（純度4 N、氧含量15質量ppm），除此以外，利用與實施例1同樣的方法進行HIP處理以及磨削及切削，獲得鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至600℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為5 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理4次，獲得直徑330 mm×厚度15 mm（總壓下率為70%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為500℃以下的情況下，將鑄錠加熱至600℃，並實施加壓處理。將加工鑄錠在大氣中、1100℃下處理1小時，獲得直徑330 mm×厚度15 mm的圓板狀的鉻材料，並將其作為本實施例的鉻材料（純度4 N、氧含量15質量ppm）。

實施例3 在各加壓處理後的鑄錠的溫度為400℃以下的情況下將鑄錠加熱至600℃後實施加壓處理，以及反覆進行加壓處理8次，除此以外，利用與實施例2同樣的方法獲得直徑330 mm×厚度15 mm（總壓下率為70%）的鑄錠（加工鑄錠）。將加工鑄錠在大氣中、1000℃下處理2小時，獲得直徑330 mm×厚度15 mm的圓板狀的鉻材料，並將其作為本實施例的鉻材料（純度4 N、氧含量15質量ppm）。

實施例4 使用鉻粉（純度4 N、氧含量120質量ppm），除此以外，利用與實施例1同樣的方法進行HIP處理以及磨削及切削，獲得鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至850℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為5 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理8次，獲得直徑360 mm×厚度12.5 mm（總壓下率為75%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為600℃以下的情況下，將鑄錠加熱至850℃，並實施加壓處理。將加工鑄錠在大氣中、1000℃下處理3小時，獲得直徑360 mm×厚度12.5 mm的圓板狀的鉻材料，並將其作為本實施例的鉻材料（純度4 N、氧含量120質量ppm）。

實施例5 將210 kg的鉬粉（純度5 N、氧含量20質量ppm）封入350 mm×350 mm×350 mm的軟鐵製的罐中，並在以下的條件下進行HIP處理。 HIP處理氣氛：氬氣氣氛 HIP處理溫度：1250℃ HIP處理壓力：150 MPa HIP處理時間：5小時對所獲得的HIP處理體進行磨削及切削來調整形狀，從而獲得直徑180 mm×厚度50 mm的圓板狀的鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至1000℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為7 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理8次，獲得直徑330 mm×厚度15 mm（總壓下率為70%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為800℃以下的情況下，將鑄錠加熱至800℃後，實施加壓處理。將加工鑄錠在氬氣氛中、1200℃下處理1小時，獲得直徑330 mm×厚度15 mm的圓板狀的鉬材料，並將其作為本實施例的鉬材料（純度5 N、氧含量10質量ppm）。

實施例6 將210 kg的鉬粉（純度4 N、氧含量100質量ppm）封入350 mm×350 mm×350 mm的軟鐵製的罐中，並在以下的條件下進行HIP處理。 HIP處理氣氛：氬氣氣氛 HIP處理溫度：1250℃ HIP處理壓力：150 MPa HIP處理時間：5小時對所獲得的HIP處理體進行磨削及切削來調整形狀，從而獲得直徑180 mm×厚度50 mm的圓板狀的鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至1000℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為7 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理8次，獲得直徑330 mm×厚度15 mm（總壓下率為70%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為800℃以下的情況下，將鑄錠加熱至800℃後，實施加壓處理。將加工鑄錠在氬氣氛中、1200℃下處理1小時，獲得直徑330 mm×厚度15 mm的圓板狀的鉬材料，並將其作為本實施例的鉬材料（純度4 N、氧含量60質量ppm）。圖2中示出本實施例的鉬材料的剖面的光學顯微鏡像。

實施例7 將210 kg的鉬粉（純度5 N、氧含量20質量ppm）封入350 mm×350 mm×350 mm的軟鐵製的罐中，並在以下的條件下進行HIP處理。 HIP處理氣氛：氬氣氣氛 HIP處理溫度：1250℃ HIP處理壓力：150 MPa HIP處理時間：5小時對所獲得的HIP處理體進行磨削及切削來調整形狀，從而獲得直徑180 mm×厚度50 mm的圓板狀的鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至1200℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為7 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理8次，獲得直徑330 mm×厚度15 mm（總壓下率為70%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為1000℃以下的情況下，將鑄錠加熱至1000℃後，實施加壓處理。將加工鑄錠在氬氣氛中、1300℃下處理1小時，獲得直徑330 mm×厚度15 mm的圓板狀的鉬材料，並將其作為本實施例的鉬材料（純度5 N、氧含量20質量ppm）。

實施例8 將210 kg的鉬粉（純度4 N、氧含量100質量ppm）封入350 mm×350 mm×350 mm的軟鐵製的罐中，並在以下的條件下進行HIP處理。 HIP處理氣氛：氬氣氣氛 HIP處理溫度：1250℃ HIP處理壓力：150 MPa HIP處理時間：5小時對所獲得的HIP處理體進行磨削及切削來調整形狀，從而獲得直徑180 mm×厚度50 mm的圓板狀的鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至900℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為7 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理8次，獲得直徑330 mm×厚度15 mm（總壓下率為70%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為700℃以下的情況下，將鑄錠加熱至700℃後，實施加壓處理。將加工鑄錠在氬氣氛中、1200℃下處理1小時，獲得直徑330 mm×厚度15 mm的圓板狀的鉬材料，並將其作為本實施例的鉬材料（純度4 N、氧含量40質量ppm）。

實施例9 將210 kg的鉬粉（純度5 N、氧含量20質量ppm）封入350 mm×350 mm×350 mm的軟鐵製的罐中，並在以下的條件下進行HIP處理。 HIP處理氣氛：氬氣氣氛 HIP處理溫度：1250℃ HIP處理壓力：150 MPa HIP處理時間：5小時對所獲得的HIP處理體進行磨削及切削來調整形狀，從而獲得直徑180 mm×厚度50 mm的圓板狀的鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至900℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為7 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理8次，獲得直徑400 mm×厚度10 mm（總壓下率為80%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為700℃以下的情況下，將鑄錠加熱至700℃後，實施加壓處理。將加工鑄錠在氬氣氛中、1300℃下處理1小時，獲得直徑400 mm×厚度10 mm的圓板狀的鉬材料，並將其作為本實施例的鉬材料（純度5 N、氧含量20質量ppm）。

實施例10 使用鉻粉（純度4 N、氧含量120質量ppm），除此以外，利用與實施例1同樣的方法進行HIP處理以及磨削及切削，獲得鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至850℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為5 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理8次，獲得直徑400 mm×厚度10 mm（總壓下率為80%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為600℃以下的情況下，將鑄錠加熱至850℃，並實施加壓處理。將加工鑄錠在大氣中、1200℃下處理5小時，獲得直徑400 mm×厚度100 mm的圓板狀的鉻材料，並將其作為本實施例的鉻材料（純度4 N、氧含量120質量ppm）。

實施例11 使用鉻粉（純度4 N、氧含量120質量ppm），除此以外，利用與實施例1同樣的方法進行HIP處理以及磨削及切削，獲得鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至850℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為5 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理8次，獲得直徑400 mm×厚度10 mm（總壓下率為80%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為800℃以下的情況下，將鑄錠加熱至850℃，並實施加壓處理。將加工鑄錠在大氣中、1000℃下處理5小時，獲得直徑400 mm×厚度100 mm的圓板狀的鉻材料，並將其作為本實施例的鉻材料（純度4 N、氧含量120質量ppm）。

比較例1 使用鉻粉（純度4 N、氧含量30質量ppm），除此以外，利用與實施例1同樣的方法進行HIP處理以及磨削及切削，獲得鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至800℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為15 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理48次，獲得直徑330 mm×厚度15 mm（總壓下率為70%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為450℃以下的情況下，將鑄錠加熱至800℃，並實施加壓處理。將加工鑄錠在大氣中、800℃下處理1小時，獲得直徑330 mm×厚度15 mm的圓板狀的鉻材料，並將其作為本比較例的鉻材料（純度4 N、氧含量30質量ppm）。

比較例2 將利用與實施例1同樣的方法獲得的HIP處理體切削及磨削成直徑180 mm×厚度50 mm的圓板狀，作為鑄錠。將該鑄錠作為本比較例的鉻材料（純度4 N、氧含量6質量ppm）。

比較例3 使用鉻粉（純度4 N、氧含量15質量ppm），除此以外，利用與比較例1同樣的方法進行HIP處理以及磨削及切削，獲得鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至800℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為5 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理32次，獲得直徑232 mm×厚度30 mm（總壓下率為40%）的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為450℃以下的情況下，將鑄錠加熱至800℃，並實施加壓處理。將加工鑄錠在大氣中、1000℃下處理1小時，獲得直徑232 mm×厚度30 mm的圓板狀的鉻材料，並將其作為本比較例的鉻材料（純度4 N、氧含量15質量ppm）。

比較例4 使用鉻粉（純度4 N、氧含量15質量ppm），除此以外，利用與比較例1同樣的方法進行HIP處理以及磨削及切削，獲得鑄錠。將所獲得的鑄錠加熱至850℃後，對加熱後的鑄錠進行如下加壓處理，即以加壓速度為5 mm/秒的方式沿該鑄錠的厚度方向進行加壓的加壓處理。反覆進行該加壓處理24次，獲得總壓下率為70%的鑄錠（加工鑄錠）。當反覆進行加壓處理時，在各加壓處理後的鑄錠的溫度為450℃以下的情況下，將鑄錠加熱至850℃，並實施加壓處理。將加工鑄錠在大氣中、1100℃下處理1小時，獲得直徑330 mm×厚度15 mm的圓板狀的鉻材料，並將其作為本比較例的鉻材料（純度4 N、氧含量15質量ppm）。將實施例及比較例中獲得的鉻材料及鉬材料的評價結果示於下表中。

[表1]

	相對密度 [%]	平均粒徑 [μm]	平均粒徑最大差 [μm]	平均KAM值 [°]	配向面積率 [%]	配向面積的最大差 [%]	配向面積率的比例
{001}	{101}	{111}	{001}	{101}	{111}
實施例1	100	65.6	7.9	0.20	9.5	8.2	30.0	1.6	1.8	7.4	0.63
實施例2	99.9	66.9	7.9	0.20	9.2	9.4	25.9	2.3	1.0	6.6	0.58
實施例3	100	64.4	3.6	0.20	11.6	8.6	21.9	4.7	0.3	3.4	0.52
實施例4	100	45.1	4.4	0.20	7.8	6.5	42.4	2.7	3.4	8.0	0.75
實施例5	100	85.6	2.5	0.19	1.7	0.1	84.0	1.2	0.2	2.3	0.98
實施例6	100	65.3	5.3	0.19	2.1	0.2	86.4	2.2	0.3	9.8	0.97
實施例7	100	105.4	18.5	0.20	10.0	0.0	39.6	2.0	0.1	37.9	0.80
實施例8	100	66.0	8.4	0.18	1.9	1.1	87.9	2.1	1.6	9.8	0.97
實施例9	100	85.4	12.0	0.18	0.6	0.0	94.5	1.4	0.1	4.5	0.99
實施例10	100	352.7	105.4	0.21	0.0	0.0	96.2	0.0	0.0	3.3	1.00
實施例11	100	116	3.8	0.31	2.0	0.3	76.6	1.6	0.5	16.6	0.97
比較例1	99.8	65.7	27.6	0.20	16.1	15.4	11.4	5.3	5.3	3.3	0.27
比較例2	99.7	227.1	35.0	0.23	7.3	28.4	14.2	4.6	7.1	5.9	0.28
比較例3	100	73.6	8.3	0.18	11.5	15.8	10.7	2.6	3.2	1.4	0.28
比較例4	99.9	71.3	4.6	0.19	21.2	7.4	22.3	6.9	2.0	7.9	0.44

＜成膜特性的評價＞將實施例及比較例中獲得的鉻材料分別進行機械加工後，與無氧銅製背板接合，作為濺鍍靶材。使用各靶材，在以下的條件下進行濺鍍，並對成膜速率進行測定。將結果示於下表中。氣體種類：Ar 氣體分壓：0.5 Pa 功率密度：7.4 W/cm ²成膜時間：60秒基板：玻璃基板（圓板狀）基板溫度：室溫基板旋轉：無

成膜速率藉由以下的式子算出。成膜速率[Å/秒]=平均膜厚[Å]/成膜時間[秒] 在上式中，平均膜厚為測定點的膜厚的平均值，以及成膜時間為60秒。在膜厚的測定時，測定點設為成膜後的玻璃基板（具有濺鍍膜的玻璃基板）的（1）中心、（2）具有與該基板的直徑的1/4相當的直徑的同心圓的圓周上的等間隔的5個點、（3）具有與該基板的直徑的2/4相當的直徑的同心圓的圓周上的等間隔的10個點及（4）具有與該基板的直徑的3/4相當的直徑的同心圓的圓周上的等間隔的15個點合計31個點。各測定點的膜厚是使用針式探針儀（裝置名稱：迪卡泰克（Dektak）XT、布魯克（Bruker）製造）進行測定。用所獲得的各測定點的膜厚的平均值求出平均膜厚。

[表2]

	成膜速率 [Å/Sec]
實施例1	0.70
實施例2	0.68
實施例3	0.68
實施例4	0.72
比較例1	0.63
比較例2	0.54

再者，本申請案基於2022年05月19日提出申請的日本專利申請案（日本專利特願2022-082420）及2022年09月02日提出申請的日本專利申請案（日本專利特願2022-140342），藉由引用而援用其整體。另外，此處引用的所有參照作為整體被組入。

無

圖1為實施例1的鉻材料的剖面的光學顯微鏡觀察圖（倍率：200倍）。圖2為實施例6的鉬材料的剖面的光學顯微鏡觀察圖（倍率：200倍）。

Claims

一種金屬材料，包含具有體心立方結構的金屬，所述金屬中相對於{001}面、{101}面與{111}面的配向面積率的合計而言的{111}面的配向面積率的比例為0.45以上。
如請求項1所述的金屬材料，包含具有體心立方結構的金屬，所述金屬中相對於{001}面、{101}面與{111}面的配向面積率的合計而言的{111}面的配向面積率的比例為0.60以上。
如請求項1或2所述的金屬材料，其中，所述金屬的{111}面的配向面積率為20%以上。
如請求項1至3中任一項所述的金屬材料，其中，所述金屬的{111}面的配向面積率為80%以上。
如請求項1至4中任一項所述的金屬材料，其中，所述金屬的{001}面的配向面積率為20%以下。
如請求項1至5中任一項所述的金屬材料，其中，所述金屬的{001}面的配向面積率為5%以下。
如請求項1至6中任一項所述的金屬材料，其中，所述金屬的平均粒徑為200 μm以下。
如請求項1至7中任一項所述的金屬材料，其中，所述具有體心立方結構的金屬為選自鉻（Cr）、鐵（Fe）、銣（Ru）、鈮（Nb）、鉬（Mo）、鉭（Ta）、釩（V）及鎢（W）的群組中的一種以上。
一種金屬材料的製造方法，為如請求項1至8中任一項所述的金屬材料的製造方法，具有：加壓步驟，在加壓溫度500℃以上及加壓速度小於15 mm/s的條件下對包含具有體心立方結構的金屬的鑄錠進行加壓處理，從而獲得加工鑄錠；以及熱處理步驟，在850℃以上對所述加工鑄錠進行處理。
如請求項9所述的製造方法，其中，所述加壓步驟中的加壓處理為兩次以上。
一種濺鍍靶材，包括如請求項1至8中任一項所述的金屬材料。
一種膜的製造方法，其特徵在於使用包括如請求項1至8中任一項所述的金屬材料的濺鍍靶材。