TW202401556A - 加工裝置單元 - Google Patents

Abstract

[課題]將吸引裝置配置於研削裝置等加工裝置之情形中，降低從吸引裝置往加工裝置傳遞之振動。[解決手段]提供一種加工裝置單元，其具備：加工裝置，其包含吸引保持被加工物之卡盤台以及將被卡盤台吸引保持之被加工物進行加工之加工單元；吸引裝置，其將負壓供給至卡盤台；第一基座，其支撐加工裝置；以及第二基座，其支撐吸引裝置，第二基座係在底部具有能分別伸縮的多個腿部，所述多個腿部被配置成不與第一基座接觸而貫通設於第一基座之貫通孔，在搬送加工裝置及吸引裝置時，藉由縮短多個腿部的每一個的突出長度而能以第一基座支撐第二基座，在將加工裝置及吸引裝置設置於地面時，伸長多個腿部的每一個的突出長度，藉此第二基座不與第一基座接觸而自立。

Description

加工裝置單元

本發明係關於一種具備加工裝置及吸引裝置之加工裝置單元，所述加工裝置包含吸引保持被加工物之卡盤台以及將被卡盤台吸引保持之被加工物進行加工之加工單元，所述吸引裝置將負壓供給至卡盤台。

在半導體元件晶片的製程中，在單晶矽基板等晶圓的正面形成多個元件之後，為了使最終製造之半導體元件晶片成為目標的厚度，而研削並薄化晶圓的背面側。

在晶圓的薄化中使用研削裝置。研削裝置具有在已吸引保持晶圓之狀態下能旋轉的圓板狀的卡盤台。卡盤台具有圓板狀的框體，在框體的中央部所形成之圓板狀的凹部固定有圓板狀的多孔板。

框體的上表面與多孔板的上表面成為大致同一平面，並發揮作為用於吸引保持晶圓的保持面的功能。在多孔板係透過管部而連接有與研削裝置另外設置之真空泵等吸引裝置（例如，參照專利文獻1）。以吸引裝置所產生之負壓係透過管部而傳遞至多孔板。

研削裝置與吸引裝置雖一般作為個別的裝置而獨立買賣、搬送、設置等，但在使用研削裝置之際，亦需要吸引裝置。若將研削裝置與吸引裝置分別包裝並搬送，則相較於將兩者一體地包裝並搬送之情形會更耗費時間與勞力，再者，在研削裝置的啟動時，需要以管部、電性配線等將研削裝置與吸引裝置適當地連接之連接作業。

相對於此，若將吸引裝置配置於研削裝置內並相對於研削裝置而固定，並進一步在以管部、電性配線等將研削裝置與吸引裝置之間適當地連接之狀態下包裝並搬送，則可省略連接作業，並可降低包裝的時間與勞力。

但是，若在將吸引裝置配置於研削裝置內並相對於研削裝置而固定之狀態下使吸引裝置動作，則會有以吸引裝置所產生之振動傳遞至研削裝置，並在被研削裝置研削之晶圓產生破裂、崩裂等不良情況之問題。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2014-124701號公報

[發明所欲解決的課題] 本發明係鑒於上述問題點而完成者，且目的為在將吸引裝置配置於研削裝置等加工裝置內之情形中，降低從吸引裝置往加工裝置傳遞之振動。

[解決課題的技術手段] 根據本發明的一態樣，提供一種加工裝置單元，其具備：加工裝置，其包含吸引保持被加工物之卡盤台以及將被該卡盤台吸引保持之該被加工物進行加工之加工單元；吸引裝置，其將負壓供給至該卡盤台；第一基座，其支撐該加工裝置；以及第二基座，其支撐該吸引裝置，該第二基座係在底部具有能分別伸縮的多個腿部，所述多個腿部被配置成不與該第一基座接觸而貫通設置於該第一基座之貫通孔，在搬送該加工裝置及該吸引裝置時，藉由縮短該多個腿部的每一個的突出長度而能以該第一基座支撐該第二基座，在將該加工裝置及該吸引裝置設置於地面時，伸長該多個腿部的每一個的突出長度，藉此該第二基座不與該第一基座接觸而自立。

較佳為，該多個腿部的每一個具有形成有螺旋狀的槽之軸部，藉由使各軸部旋轉而能變更各軸部的突出長度。

較佳為，該加工單元具有主軸，並以裝設於該主軸之加工工具將被該卡盤台吸引保持之該被加工物進行加工，或者，該加工單元具有雷射光束照射單元，並藉由對被該卡盤台吸引保持之該被加工物照射雷射光束而將該被加工物進行加工。

[發明功效] 本發明的一態樣之加工裝置單元具備：第一基座，其支撐加工裝置；以及第二基座，其支撐吸引裝置。第二基座在其底部具有能分別伸縮的多個腿部。

在搬送加工裝置及吸引裝置時，藉由縮短第二基座的各腿部的突出長度而能以第一基座支撐第二基座。相對於此，在將加工裝置及吸引裝置設置於地面時，伸長第二基座的各腿部的突出長度，藉此第二基座不與第一基座接觸而自立。

再者，設置於地面之第二基座的各腿部被配置成不與第一基座接觸而貫通形成於第一基座之貫通孔。因此，可降低從吸引裝置往加工裝置傳遞之振動。

參照隨附圖式，針對本發明的一態樣之實施方式進行說明。圖1係研削裝置單元（加工裝置單元）2的立體圖。圖1所示之X軸方向（左右方向）、Y軸方向（前後方向）、Z軸方向（研削進給方向、上下方向、高度方向）係互相正交。

研削裝置單元2具有用於研削（加工）晶圓（被加工物）11的研削裝置（加工裝置）4。研削裝置4的各構成要素被藉由將骨架6a組裝成長方體狀而形成之第一基座6支撐。

此外，在第一基座6的側部及頂部雖設有用於構成框體的外裝蓋、門部等，但在圖1中，省略了設置於第一基座6的大致上半部之外裝蓋、門部等。

在第一基座6的底部的四角的每一個設有腿部6b。腿部6b具有在側部形成有螺旋狀的槽之軸部6c。在軸部6c的底部固定有與無塵室等室內的地面A接觸之圓板狀的台座部6d。

軸部6c係能旋轉地與形成於骨架6a之螺孔（未圖示）結合。藉由使軸部6c旋轉，而能調節第一基座6的相對於地面A之高度。此外，腿部6b的數量亦可為四個以上。

在以第一基座6所規定之長方體狀的第一空間的前方側（Y軸方向的一側），設有搬送晶圓11之水平多關節型的機器臂8。在機器臂8的X軸方向的兩側存在卡匣配置區域10a、10b。

在卡匣配置區域10a上配置能容納一個以上的晶圓11的卡匣12a，在卡匣配置區域10b上亦配置能容納一個以上的晶圓11的卡匣12b。

晶圓11具有預定的直徑（例如，約200mm），且主要以單晶矽所形成。在晶圓11的正面側格子狀地設定有多條分割預定線（切割道）。

在以多條分割預定線所劃分之矩形狀的區域的每一個形成有IC（Integrated Circuit，積體電路）等元件（未圖示）。相對於此，在晶圓11的背面側未形成有元件。

此外，形成於晶圓11之元件的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等並無限制。在晶圓11亦可未形成有元件。並且，晶圓11的種類、材質、大小、形狀、構造等並無限制。

在卡匣12a的後方側（Y軸方向的另一側）設有對位機構14。容納於卡匣12a之晶圓11係藉由機器臂8而被搬送往對位機構14，並藉由對位機構14而被定位於預定的位置。

在X軸方向與對位機構14相鄰之位置設有搬送晶圓11之裝載臂16的基端部。裝載臂16在前端部具備吸引保持晶圓11之吸引墊。

裝載臂16係以吸引墊吸引保持已藉由對位機構14而對位之晶圓11之後，以位於基端部之旋轉軸為中心而回旋，將晶圓11搬送往配置於搬入搬出位置B之卡盤台18。

在裝載臂16的後方設有圓板狀的旋轉台20。在旋轉台20的下部連結有馬達等旋轉驅動源（未圖示）。旋轉驅動源使旋轉台20繞著與Z軸方向大致平行的旋轉軸旋轉。

在旋轉台20上，沿著旋轉台20的圓周方向大致等間隔地配置有分別吸引保持晶圓11之三個卡盤台18。各卡盤台18係藉由旋轉台20的旋轉而被定位於搬入搬出位置B、粗研削位置C及精研削位置D。

例如，被定位於搬入搬出位置B之一個卡盤台18係藉由使旋轉台20在俯視下為順時鐘地旋轉120度，而被定位於粗研削位置C。

接著，此卡盤台18係藉由使旋轉台20在俯視下為順時鐘地再旋轉120度而被定位於精研削位置D之後，使旋轉台20在俯視下為逆時鐘地旋轉240度，藉此返回搬入搬出位置B。

卡盤台18具有以非多孔的陶瓷所形成之圓板狀的框體。在框體的上部形成有圓板狀的凹部，且在此凹部固定有圓板狀的多孔板，所述圓板狀的多孔板具有與以多孔陶瓷所形成之凹部的內徑大致相同直徑的外徑。

多孔板係透過形成於框體之流路（未圖示）、與框體連接之管部（未圖示）而與後述吸引裝置52連接。以吸引裝置52所產生之負壓往多孔板傳遞。

陶瓷板的上表面與框體的上表面成為大致同一平面，並發揮作為吸引保持晶圓11之保持面的功能。保持面具有中心比外周稍微突出之圓錐形狀。但是，保持面的突出量例如極小至20μm。

卡盤台18的旋轉軸係相對於Z軸方向稍微傾斜，並被配置成與保持面的一部分以及後述之以多個研削磨石的下表面所規定之研削面大致平行。在旋轉軸連結有馬達等旋轉驅動源（未圖示），卡盤台18能繞著此旋轉軸旋轉。

在粗研削位置C的後方設有柱狀的第一支撐構造22a，且在第一支撐構造22a的前表面側設有第一研削進給單元24a。同樣地，在精研削位置D的後方，設有柱狀的第二支撐構造22b，且在第二支撐構造22b的前面側設有第二研削進給單元24b。

第一研削進給單元24a及第二研削進給單元24b分別具備被配置成與Z軸方向大致平行之一對導軌26。在一對導軌26係能沿著導軌26滑動地安裝有移動板28。

在移動板28的後方側設有螺帽部（未圖示），在此螺帽部係藉由多個滾珠（未圖示）而能旋轉地連結有被配置成與導軌26大致平行之螺桿軸30。

在螺桿軸30的上端部連結有步進馬達等馬達32。若以馬達32使螺桿軸30旋轉，則移動板28會沿著Z軸方向移動。

在第一研削進給單元24a的移動板（未圖示）的前表面側固定有用於對晶圓11進行粗研削的粗研削單元（加工單元）34a。同樣地，在第二研削進給單元24b的移動板28的前表面側固定有用於對晶圓11進行精研削的精研削單元（加工單元）34b。

粗研削單元34a及精研削單元34b分別具有圓筒狀的主軸外殼36。在主軸外殼36的內部容納有沿著Z軸方向配置之圓柱狀的主軸36a的一部分。

在主軸36a的上端部附近設有伺服馬達等馬達（未圖示）。主軸36a的下端部係比主軸外殼36的下端更往下方突出。

圓板狀的安裝件42的上表面的中央部固定於主軸36a的下端部。在粗研削單元34a的安裝件42的下表面側裝設有粗研削輪（加工工具）44a。粗研削輪44a包含與安裝件42大致相同直徑的環狀基台。

在環狀基台的下表面側，沿著環狀基台的圓周方向大致等間隔地配置有分別具有大致長方體形狀之多個粗研削磨石。粗研削磨石係藉由以金屬、樹脂、陶瓷結合劑等結合材，將以金剛石、cBN（cubic boron nitride，立方氮化硼）等所形成之磨粒進行固定而形成。

在精研削單元34b的安裝件42的下表面側裝設有精研削輪（加工工具）44b。精研削輪44b與粗研削輪44a大致相同。

但是，在精研削輪44b的環狀基台，沿著環狀基台的圓周方向大致等間隔地配置有分別具有平均粒徑小於粗研削磨石的磨粒的平均粒徑之多個精研削磨石。

在粗研削單元34a及精研削單元34b的每一個的正下方設有供給純水等研削水之研削水供給噴嘴（未圖示）。並且，在配置於粗研削位置C及精研削位置D之各卡盤台18的附近設有在研削時測量晶圓11的厚度之厚度測量器46。

在進行粗研削之情形中，首先，以配置於搬入搬出位置B之卡盤台18吸引保持晶圓11的正面側。然後，使旋轉台20旋轉，而使此卡盤台18往粗研削位置C移動。

一邊使卡盤台18與粗研削單元34a的主軸36a分別以預定的旋轉速度旋轉，一邊將粗研削單元34a往下方進行加工進給。若以繞著主軸36a旋轉之多個粗研削磨石的下表面所規定之研削面與晶圓11的背面側接觸，則背面側被粗研削輪44a進行粗研削。

此外，在粗研削期間，將研削水供給至晶圓11與粗研削磨石接觸之加工區域。粗研削後，使粗研削位置C的卡盤台18移動至精研削位置D。

之後，一邊使卡盤台18及精研削單元34b的主軸36a分別以預定的旋轉速度旋轉，一邊將精研削單元34b往下方進行加工進給。

若以繞著主軸36a旋轉之多個精研削磨石的下表面所規定之研削面與晶圓11的背面側接觸，則背面側被精研削輪44b進行精研削。此外，在精研削期間，將研削水供給至晶圓11與精研削磨石接觸之加工區域。

在X軸方向與裝載臂16相鄰之位置設有卸載臂48。卸載臂48具有吸引保持晶圓11之吸引墊。

卸載臂48係在精研削後以吸引墊吸引保持配置於搬入搬出位置B之卡盤台18上的晶圓11，並將晶圓11搬送往清洗單元50。

清洗單元50具有吸引保持晶圓11之旋轉台。在旋轉台的附近設有供給純水之清洗噴嘴以及供給乾燥空氣之空氣噴嘴。在清洗單元50中經施行旋轉清洗及乾燥之晶圓11被機器臂8搬送，而容納於原來的卡匣12a。

從吸引裝置52將負壓供給至上述的卡盤台18、裝載臂16及卸載臂48的各吸引墊等。吸引裝置52具有使負壓產生之真空泵等吸引源（未圖示）。

由於吸引源一般係藉由使旋轉翼、葉片等旋轉而使負壓產生之流體機械，因此吸引裝置52因使吸引源運作而振動。吸引裝置52的各構成要素被藉由將骨架54a組裝成長方體狀而形成之第二基座54支撐（參照圖2）。

圖2係第一基座6及第二基座54的立體圖。以第二基座54所規定之長方體狀的第二空間小於以第一基座6所規定之第一空間。第二基座54配置於第一基座6的第一空間中之前方側的下部。

在第二基座54的側部及頂部亦設有用於構成框體的外裝蓋、門部等，但在圖2中省略了外裝蓋、門部等。在第二基座54的底部的四角的每一個設有腿部54b。各腿部54b被配置成貫通設置於第一基座6的骨架6a之貫通孔6e（參照圖3）。

圖3係第一基座6的貫通孔6e附近的局部剖面側視圖。如圖3所示，貫通孔6e的直徑大於腿部54b的軸部54c的直徑，軸部54c能不與骨架6a（亦即，第一基座6）接觸而插入貫通孔6e。

在軸部54c的側部形成有螺旋狀的槽，軸部54c係能旋轉地與形成於骨架54a之螺孔（未圖示）結合。藉由使軸部54c旋轉，而變更軸部54c相對於骨架54a的突出長度54e。

與無塵室等室內的地面A接觸之圓板狀的台座部54d固定於軸部54c的底部。各台座部54d位於比各骨架6a更下方。例如，藉由作業員以工具使台座部54d旋轉，而軸部54c旋轉且突出長度54e進行伸縮。

圖4係設置於地面A之吸引裝置52等的局部剖面側視圖。在將研削裝置4及吸引裝置52設置於地面A時，將研削裝置4的腿部6b配置於地面A上，且如圖4所示，伸長各軸部54c的突出長度54e。

藉此，吸引裝置52係藉由腿部54b而被地面A支撐。尤其，第二基座54不與第一基座6接觸而自立。

並且，第二基座54的骨架54a及外裝蓋不與第一基座6的骨架6a及外裝蓋等接觸，且第二基座54的軸部54c在貫通孔6e中亦不與第一基座6的骨架6a接觸。

因此，即使使吸引裝置52運作，相較於第二基座54與第一基座6接觸之情形，仍可降低從吸引裝置52往研削裝置4傳遞之振動。

相對於此，在搬送研削裝置4及吸引裝置52時，藉由縮短第二基座54的各軸部54c的突出長度54e，而使台座部54d從地面A抬起，並以第一基座6支撐第二基座54。

圖5係將研削裝置4及吸引裝置52一體地搬送時的第一基座6及第二基座54的立體圖，圖6係被第一基座6支撐之吸引裝置52的局部剖面側視圖。

在本實施方式中，由於可在以管部、電性配線等將研削裝置4與吸引裝置52之間適當地連接之狀態下將兩者一體地包裝並搬送，因此有可省略連接作業，且亦可減少包裝的時間與勞力之優點。此外，透過管部、電性配線等之振動的傳遞，與在骨架6a、54a彼此接觸之情形中所傳遞之振動的大小相比非常小而可忽略。

研削裝置單元2具有控制研削裝置4及吸引裝置52的運作之控制單元（未圖示）。控制單元係藉由電腦所構成，所述電腦包含例如以CPU（Central Processing Unit，中央處理單元）為代表之處理器（處理裝置）及記憶體（記憶裝置）。

記憶裝置包含：DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體）、SRAM（Static Random Access Memory，靜態隨機存取記憶體）、ROM（Read Only Memory，唯讀記憶體）等主記憶裝置；以及快閃記憶體、硬式磁碟機、固態硬碟等輔助記憶裝置。在輔助記憶裝置中，記憶有預定的軟體。藉由遵循此軟體並使處理裝置等運作，而實現控制單元的功能。

如上所述，在本實施方式的研削裝置單元2中，在搬送研削裝置4及吸引裝置52時，藉由縮短各軸部54c的突出長度54e而以第一基座6支撐第二基座54，藉此以研削裝置4的第一基座6支撐吸引裝置52。

相對於此，在將研削裝置4及吸引裝置52設置於地面A時，藉由伸長各軸部54c的突出長度54e，第二基座54不與第一基座6接觸而獨立於第一基座6並自立。因此，可降低從吸引裝置52往研削裝置4傳遞之振動。

此外，上述實施方式之構造、方法等在不脫離本發明目的之範圍內可適當變更並實施。例如，作為上述加工裝置，亦可採用研磨裝置、車刀切割裝置、切割裝置或雷射加工裝置（均未圖示）以代替研削裝置4。

（變形例1）針對採用研磨裝置作為加工裝置之情形進行說明。研磨裝置具有研磨單元（加工單元）。研磨單元、卡盤台等研磨裝置的構成要素係被上述的第一基座6支撐。研磨單元具有沿著Z軸方向配置之主軸。

在主軸的上端部附近設有馬達等旋轉驅動源，且在主軸的下端部係透過圓板狀的安裝件安裝有圓板狀的研磨輪。亦即，研磨輪（加工工具）係透過安裝件而裝設於主軸。

研磨輪具有與安裝件接觸之圓板狀的壓板。在壓板的下表面側固定有研磨墊。研磨墊包含以金剛石等所形成之磨粒以及用於固定磨粒的發泡樹脂、不織布等襯墊。

在研磨晶圓11之際，首先，以圓板狀的卡盤台吸引保持晶圓11的一面側。然後，使卡盤台旋轉，且使以主軸為中心旋轉之研磨輪以預定的加工進給速度下降，藉此研磨晶圓11的另一面側。

（變形例2）接著，針對採用車刀切割裝置作為加工裝置之情形進行說明。車刀切割裝置具有車刀切割單元（加工單元）。車刀切割單元、卡盤台等車刀切割裝置的構成要素被上述的第一基座6支撐。

車刀切割單元具有沿著Z軸方向配置之主軸。在主軸的上端部附近設有馬達等旋轉驅動源，且在主軸的下端部係透過圓板狀的安裝件裝設有圓板狀的車刀輪。

亦即，車刀輪（加工工具）係透過安裝件而裝設於主軸。車刀輪具有圓板狀的基台，且在基台的下表面側固定有以金剛石等所形成之切刃。

此外，車刀切割裝置的卡盤台具有大致平坦的保持面，保持面被配置成與XY平面大致平行。並且，卡盤台被構成為藉由滾珠螺桿式的移動機構而沿著X軸方向進行加工進給。

在對晶圓11施行車刀切割之際，首先，以圓板狀的卡盤台吸引保持晶圓11的一面側。然後，將以主軸為中心旋轉之車刀輪的切刃的高度位置定位於預定的高度。

然後，在X軸方向從車刀切割單元的外側朝向車刀切割單元的正下方並將卡盤台進行加工進給，藉此對晶圓11的另一面側施行車刀切割。

（變形例3）接著，對採用切割裝置作為加工裝置之情形進行說明。切割裝置具有切割單元（加工單元）。切割單元、卡盤台等的切割裝置的構成要素被上述的第一基座6支撐。

切割單元被構成為能沿著Y軸方向進行分度進給，且能沿著Z軸方向進行切入進給。切割單元具有沿著Y軸方向配置之主軸。

在主軸的基端部附近設有馬達等旋轉驅動源，在主軸的前端部係透過圓筒狀的安裝件而裝設有具有環狀的切刃之切割刀片。亦即，切割刀片（加工工具）係透過安裝件而裝設於主軸。

切割刀片亦可為輪轂型，亦可為無輪轂型（所謂的墊圈型）。切割刀片具有圓環狀的切刃。切刃係藉由以金屬、樹脂、陶瓷結合劑等結合材，將以金剛石、cBN（cubic boron nitride，立方氮化硼）等所形成之磨粒進行固定而形成。

此外，切割裝置的卡盤台亦具有大致平坦的保持面，保持面被配置成與XY平面大致平行。並且，卡盤台被構成為藉由滾珠螺桿式的移動機構而能沿著X軸方向進行加工進給。

在切割晶圓11之際，首先，以圓板狀的卡盤台吸引保持晶圓11的一面側。然後，將以主軸為中心旋轉之切割刀片的下端定位於預定的高度。

在此狀態下，藉由將卡盤台相對於切割刀片進行加工進給而切割晶圓11。藉由切割，在晶圓11形成有從另一面（上表面）未達一面（下表面）之半切斷槽、從另一面至一面之完全切斷槽。

（變形例4）接著，針對採用雷射加工裝置作為加工裝置之情形進行說明。雷射加工裝置具有雷射光束照射單元（加工單元）。雷射光束照射單元、卡盤台等的雷射加工裝置的構成要素被上述的第一基座6支撐。

雷射光束照射單元包含雷射振盪器。雷射振盪器具有例如Nd:YAG、Nd:YVO ₄等作為雷射介質。從雷射振盪器射出具有會穿透晶圓11之波長（例如，在晶圓11為矽單晶晶圓之情形中為1064nm）之脈衝狀的雷射光束。

雷射光束可透過非線性光學晶體而轉換成預定的諧波。例如，雷射光束的波長被轉換成會被晶圓11吸收之波長（在晶圓11為矽單晶晶圓之情形中為355nm）。

雷射光束照射單元包含具有聚光透鏡之照射頭，雷射光束係以在與被卡盤台的保持面吸引保持之晶圓11對應之高度位置聚光之方式，從照射頭往晶圓11照射。

卡盤台具有大致平坦的保持面，保持面被配置成與XY平面大致平行。並且，卡盤台被構成為藉由滾珠螺桿式的移動機構而能沿著X軸方向進行加工進給，且能沿著Y軸方向進行分度進給。

在對晶圓11施行雷射加工之際，首先，以圓板狀的卡盤台吸引保持晶圓11的一面側。然後，將雷射光束的聚光點定位於晶圓11的內部或晶圓11的另一面附近。

在此狀態下，藉由將卡盤台相對於聚光點進行加工進給而對晶圓11施行雷射加工。在雷射光束具有會穿透晶圓11之波長之情形，在聚光點附近形成機械性強度降低之改質區域，在雷射光束具有會被晶圓11吸收之波長之情形，聚光點附近的區域被燒蝕加工。

2:研削裝置單元（加工裝置單元） 4:研削裝置（加工裝置） 6:第一基座 6a:骨架 6b:腿部 6c:軸部 6d:台座部 6e:貫通孔 8:機器臂 10a,10b:卡匣配置區域 12a,12b:卡匣 11:晶圓（被加工物） 14:對位機構 16:裝載臂 18:卡盤台 20:旋轉台 22a:第一支撐構造 22b:第二支撐構造 24a:第一研削進給單元 24b:第二研削進給單元 26:導軌 28:移動板 30:螺桿軸 32:馬達 34a:粗研削單元（加工單元） 34b:精研削單元（加工單元） 36:主軸外殼 36a:主軸 42:安裝件 44a:粗研削輪 44b:精研削輪 46:厚度測量器 48:卸載臂 50:清洗單元 52:吸引裝置 54:第二基座 54a:骨架 54b:腿部 54c:軸部 54d:台座部 54e:突出長度 A:地面 B:搬入搬出位置 C:粗研削位置 D:精研削位置

圖1係研削裝置單元的立體圖。 圖2係第一基座及第二基座的立體圖。 圖3係第一基座的貫通孔附近的局部剖面側視圖。 圖4係設置於地面之吸引裝置等的局部剖面側視圖。 圖5係將研削裝置及吸引裝置一體地搬送時的第一基座及第二基座的立體圖。 圖6係被第一基座支撐之吸引裝置的局部剖面側視圖。

6:第一基座

6a:骨架

6b:腿部

6c:軸部

6d:台座部

54:第二基座

54a:骨架

54b:腿部

54c:軸部

54d:台座部

A:地面

Claims (3)

1. 一種加工裝置單元，其特徵在於，具備： 加工裝置，其包含吸引保持被加工物之卡盤台以及將被該卡盤台吸引保持之該被加工物進行加工之加工單元； 吸引裝置，其將負壓供給至該卡盤台； 第一基座，其支撐該加工裝置；以及 第二基座，其支撐該吸引裝置， 該第二基座係在底部具有能分別伸縮的多個腿部，該多個腿部被配置成不與該第一基座接觸而貫通設置於該第一基座之貫通孔， 在搬送該加工裝置及該吸引裝置時，藉由縮短該多個腿部的每一個的突出長度而能以該第一基座支撐該第二基座， 在將該加工裝置及該吸引裝置設置於地面時，伸長該多個腿部的每一個的突出長度，藉此該第二基座不與該第一基座接觸而自立。
2. 如請求項1之加工裝置單元，其中，該多個腿部的每一個具有形成有螺旋狀的槽之軸部， 藉由使各軸部旋轉而能變更各軸部的突出長度。
3. 如請求項1或2之加工裝置單元，其中，該加工單元具有主軸，並以裝設於該主軸之加工工具將被該卡盤台吸引保持之該被加工物進行加工，或者， 該加工單元具有雷射光束照射單元，並藉由對被該卡盤台吸引保持之該被加工物照射雷射光束而將該被加工物進行加工。