JP2024029312A - 研磨装置及び乾式研磨工具の高さ位置の設定方法 - Google Patents
研磨装置及び乾式研磨工具の高さ位置の設定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024029312A JP2024029312A JP2022131501A JP2022131501A JP2024029312A JP 2024029312 A JP2024029312 A JP 2024029312A JP 2022131501 A JP2022131501 A JP 2022131501A JP 2022131501 A JP2022131501 A JP 2022131501A JP 2024029312 A JP2024029312 A JP 2024029312A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- support table
- dry polishing
- dry
- workpiece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 194
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- -1 cerium oxide Chemical class 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Abstract
【課題】ドレスユニットの支持テーブルに残存する粉塵の量を低減する。【解決手段】被加工物に対して乾式研磨を施す研磨装置であって、被加工物を保持する保持テーブルと、スピンドル及びマウントを有し、マウントを介してスピンドルに乾式研磨工具が装着される研磨ユニットと、研磨ユニットを上下方向に沿って移動させる移動機構と、保持テーブルで保持された被加工物に対して乾式研磨を施す際に所定位置に配置された保持テーブル及び被加工物の上方及び側方を覆い、加工室を規定する加工室カバーと、加工室カバーに固定され、粉塵を吸引するためのダクトと、加工室内に配置されている支持テーブルと、支持テーブルの上面に設けられており、乾式研磨工具をドレッシングするためのドレス部と、支持テーブルの上面に堆積した粉塵を吹き飛ばすための気体を支持テーブルの上面に対して噴射可能な気体噴射部と、を備える研磨装置を提供する。【選択図】図1
Description
本発明は、被加工物に対して乾式研磨を施す研磨装置と、研磨装置の加工室カバー内に配置されたドレス部を支持する支持テーブルの上面に対して乾式研磨工具の高さ位置の設定を行う乾式研磨工具の高さ位置の設定方法と、に関する。
半導体ウェーハ等の被加工物の研磨には、研磨液を用いるCMP(Chemical Mechanical Polishing)等の湿式研磨と、研磨液を用いない乾式研磨(例えば、特許文献1参照)と、がある。
乾式研磨を行う研磨装置では、研磨が行われる所定空間(即ち、加工室カバーで規定される加工室)内において研磨屑等の粉塵が飛散するので、加工室カバーに接続されているダクトを介して加工室内の粉塵を吸引除去する。
この加工室内には、研磨パッドの研磨面の目立てを行うためのドレスユニットが設けられている。ドレスユニットは、研磨パッドに接触するドレス部(ドレッサー部、ドレッシング部とも称される)と、ドレス部を支持する支持テーブルと、を含む。
ドレス部が研磨面の目立てに利用される一方で、支持テーブルの上面は、研磨パッドの高さ位置のセットアップに利用される。具体的には、支持テーブルに係る荷重を測定しながら、研磨パッドを支持テーブルに向けて降下させ、研磨パッドの研磨面(底面)が支持テーブルの上面に接触した(即ち、荷重が急上昇した)ときの研磨面の位置を、研磨パッドの基準位置とする(即ち、原点位置決め)。
しかし、支持テーブルの上面に堆積した粉塵は、上述のダクトを介した吸引除去では、十分に除去できない場合がある。支持テーブルの上面に粉塵が残存していると、研磨パッドの基準位置が正しく測定されない恐れがある。
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、ドレスユニットの支持テーブルに残存する粉塵の量を低減することを目的とする。
本発明の一態様によれば、被加工物に対して乾式研磨を施す研磨装置であって、該被加工物を保持する保持テーブルと、円柱状のスピンドルと、該スピンドルの下端部に固定された円板状のマウントと、を有し、該マウントを介して該スピンドルに乾式研磨工具が装着される研磨ユニットと、該研磨ユニットを上下方向に沿って移動させる移動機構と、該保持テーブルで保持された該被加工物に対して乾式研磨を施す際に所定位置に配置された該保持テーブル及び該被加工物の上方及び側方を覆い、加工室を規定する加工室カバーと、該加工室カバーに固定され、粉塵を吸引するためのダクトと、該加工室内に配置されている支持テーブルと、該支持テーブルの上面に設けられており、該乾式研磨工具をドレッシングするためのドレス部と、該支持テーブルの該上面に堆積した該粉塵を吹き飛ばすための気体を該上面に対して噴射可能な気体噴射部と、を備える研磨装置が提供される。
好ましくは、該ダクトは、該加工室カバーの側面に固定されており、該気体噴射部は、該加工室カバーの上面視において、該ダクトの吸引口に向けて気体を噴射可能な位置に設けられている。
本発明の他の態様によれば、被加工物に対して乾式研磨を施す研磨装置の加工室カバー内に配置されたドレス部を支持する支持テーブルの上面に対して乾式研磨工具の高さ位置の設定を行う乾式研磨工具の高さ位置の設定方法であって、該支持テーブルの該上面に気体噴射部から気体を噴射させて該上面に堆積した粉塵を吹き飛ばすと共に該加工室カバーに固定されたダクトから該粉塵を吸引することで、該上面における該粉塵の量を低減する気体噴射工程と、該気体噴射工程の後、該乾式研磨工具の貫通孔に該ドレス部が挿入される様に、該乾式研磨工具の下方に配置された該支持テーブルに対して該乾式研磨工具を下降させ、該乾式研磨工具の下面を該支持テーブルの該上面に接触させる下降工程と、該乾式研磨工具の該下面と、該支持テーブルの該上面と、が接触した高さ位置に基づいて、該ドレス部の上端の高さ位置を算出する算出工程と、を備える乾式研磨工具の高さ位置の設定方法が提供される。
本発明の一態様に係る研磨装置では、気体噴射部から気体を噴射することで、支持テーブルの上面に堆積した粉塵を吹き飛ばす。吹き飛ばされた粉塵は、ダクトから加工室外へ吸引されるので、支持テーブルに残存する粉塵の量を低減できる。
本発明の他の態様に係る高さ位置の算出方法では、支持テーブルの上面に気体噴射部から気体を噴射させて上面に堆積した粉塵を吹き飛ばすと共に加工室カバーに固定されたダクトから粉塵を吸引することで、上面における粉塵の量を低減する(気体噴射工程)。それゆえ、支持テーブルに堆積した粉塵を低減しない場合に比べて、支持テーブルの上面に対する乾式研磨工具の高さ位置の設定をより正確に行うことができる。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1は、被加工物11に対して乾式研磨を施す研磨装置2の斜視図である。図1に示すX軸方向(前後方向)、Y軸方向(左右方向)、及び、Z軸方向(上下方向)は互いに直交する。
X軸方向は、互いに逆向きの+X方向(後方向)及び-X方向(前方向)を含み、Y軸方向は、互いに逆向きの+Y方向及び-Y方向を含む。同様に、Z軸方向は、互いに逆向きの+Z方向(上方向)及び-Z方向(下方向)を含む。
本実施形態の研磨装置2は、マニュアル式の装置である。研磨装置2は、複数の構成要素を支持する基台4を有する。基台4は、X軸方向に沿う長手部を含む直方体形状を有する。基台4の上面には、長手部がX軸方向に沿って配置された矩形状の開口4aが形成されている。
開口4aには、略正方形の板状のテーブルカバー6が設けられている。テーブルカバー6のX軸方向の両側には、X軸方向に沿って伸縮可能な蛇腹状のカバー部材8が設けられている。テーブルカバー6及びカバー部材8の下方には、X軸方向移動機構10が設けられている。
なお、図1では、X軸方向移動機構10のおよその位置を矢印で示し、その具体的な構造を省略している。X軸方向移動機構10は、各々X軸方向に沿って配置された一対のガイドレール(不図示)を有する。
一対のガイドレール上には、矩形板状の移動テーブル(不図示)が、X軸方向に沿ってスライド可能に取り付けられている。移動テーブルの下面側には、ナット部(不図示)が設けられている。
ナット部には、X軸方向に沿って配置されたねじ軸(不図示)が、複数のボール(不図示)を介して回転可能に連結されている。ねじ軸の一端部には、ステッピングモータ等の駆動源(不図示)が連結されている。駆動源を動作させると、移動テーブルは、X軸方向に沿って移動する。
テーブルカバー6上には、円板状のチャックテーブル(保持テーブル)12が設けられている。チャックテーブル12は、X軸方向移動機構10の移動テーブルにより回転可能に支持されている。
チャックテーブル12は、図3に示す様に、非多孔質セラミックスで形成された円板状の枠体14を有する。枠体14の外径は、チャックテーブル12の外径12bに対応し、例えば、300mmである。
枠体14の上面側には、円板状の凹部が形成されている。この凹部には、多孔質セラミックスで形成された円板状の多孔質板16が固定されている。枠体14の凹部の底部には、複数の第1流路が放射線状に形成されている。
また、凹部の径方向の中心部には、枠体14の厚さ方向で枠体14を貫通する第2流路が形成されている。第2流路には、電磁弁(不図示)を介して、真空ポンプ等の吸引源(不図示)が接続されている。
吸引源を動作させた状態で電磁弁を開状態とすると、第1流路、第2流路等を介して多孔質板16の上面に負圧が伝達される。枠体14及び多孔質板16の上面は、略面一且つ略平坦であり、被加工物11を吸引保持する保持面12aとして機能する。
チャックテーブル12の下面側には、円柱状の回転軸18が固定されている。なお、図3では、回転軸18を一点鎖線で示す。回転軸18には、X軸方向移動機構10の移動板上に固定されたサーボモータ等の回転駆動源(不図示)から動力が伝達され、回転軸18は回転角度の制限無く回転可能である。
図1に戻って、基台4の後方向側における+Y方向の側部には、長手部がZ軸方向に沿って配置された角柱状の支持柱20が設けられている。支持柱20の一面側には、Z軸方向移動機構(移動機構)22が設けられている。
Z軸方向移動機構22は、それぞれZ軸方向に略平行に配置された一対のガイドレール24を有する。一対のガイドレール24には、移動板26がスライド可能に固定されている。移動板26の裏面側には、ナット部(不図示)が設けられている。
このナット部には、Z軸方向に沿って配置されたねじ軸28が、複数のボール(不図示)を介して回転可能に連結されている。ねじ軸28の上端部には、ステッピングモータ等の駆動源30が連結されている。
駆動源30でねじ軸28を回転させることにより、移動板26は、Z軸方向に沿って移動する。移動板26の表面側には、研磨ユニット32が設けられており、研磨ユニット32は、上述のZ軸方向移動機構22によりZ軸方向に沿って移動させられる。
研磨ユニット32は、移動板26の表面側に固定された筒状の支持具34を有する。支持具34の内側には、長手部がZ軸方向に沿って配置された円筒状のスピンドルハウジング36が設けられている。
スピンドルハウジング36には、長手部がZ軸方向に沿って配置された円柱状のスピンドル38(図3参照)の一部が回転可能に収容されている。スピンドル38の上端部の近傍には、サーボモータ等の回転駆動源(不図示)が設けられている。
スピンドル38の下端部は、支持具34及びスピンドルハウジング36の下端よりも下方に突出している。スピンドル38の下端部には、金属で形成された円板状のマウント40の上面側が固定されている。
このマウント40の下面側には、円板状の乾式研磨工具42が、ボルト(不図示)を利用して固定されている。この様に、乾式研磨工具42は、マウント40を介してスピンドル38に装着されている。
図2(A)は、乾式研磨工具42の上面側の斜視図であり、図2(B)は、乾式研磨工具42の下面側の斜視図である。乾式研磨工具42は、アルミニウム合金等の金属で形成された円板状の基台44を有する。基台44の外径は、例えば、450mmである。
基台44の中央部には、基台44を貫通する様に所定径の貫通孔44aが形成されている。貫通孔44aの径は、例えば、140mmである。また、基台44の上面側の外周部には、複数のねじ穴44bが基台44の外周に沿って略等間隔に形成されている。
各ねじ穴44bには、乾式研磨工具42をスピンドル38に装着する際に、マウント40の外周部に形成された貫通孔(不図示)を介して上述のボルトが固定される。基台44の下面側には、基台44と略同径の円板状の乾式研磨パッド46が接着剤で固定されている。
乾式研磨パッド46は、基台44と同心状に配置されている。乾式研磨パッド46の中央部には、乾式研磨パッド46を貫通する様に所定径の貫通孔46aが形成されている。貫通孔46aの径は、例えば、150mmである。
乾式研磨パッド46は、砥粒と、ボンド材と、を有する。砥粒は、例えば、酸化セリウム等の金属酸化物や、石英、溶融シリカ等の酸化ケイ素で形成されている。ボンド材としては、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、又は、天然ゴム、合成ゴム等のゴムで形成された粉末が使用される。
砥粒とボンド材の粉末とを混合した後、混合物を圧縮成型し、次いで、これを焼成することで、乾式研磨パッド46が形成される。乾式研磨パッド46において、砥粒は、焼成を経て互いに融着したボンド材中に分散される態様で、このボンド材に固定されている。
図1に示す様に、研磨ユニット32の下方且つ開口4aの+Y方向には、研磨パッド用ノズル50が設けられている。研磨パッド用ノズル50は、圧縮エア等の常温の気体13(図3参照)を上方に向けて噴射する。
図3は、乾式研磨工具42、チャックテーブル12等の一部断面側面図である。図3に示す様に、チャックテーブル12の外径12bは、乾式研磨工具42の外径46bよりも小さく、研磨パッド用ノズル50はY軸方向においてチャックテーブル12から離れて配置されている。それゆえ、研磨パッド用ノズル50は、被加工物11の研磨時にチャックテーブル12と干渉しない。
研磨時には、保持面12aで吸引保持された被加工物11を乾式研磨パッド46で研磨すると共に、被加工物11に接触していない乾式研磨パッド46の下面(研磨面)46c側に、研磨パッド用ノズル50の開口50aから気体13を噴射する。
研磨時には、被加工物11との間で生じる摩擦熱により、下面46c側の研磨領域は、70℃から80℃の範囲に加熱される。開口50aから気体13を噴射することで、この加熱された乾式研磨パッド46を冷却できると共に、乾式研磨パッド46に付着した研磨屑の落下を促進できる。
ここで、再度図1に戻る。チャックテーブル12は、X軸方向移動機構10により、基台4の前方向側に位置する搬入搬出位置A1と、後方向側に位置する研磨位置(所定位置)A2と、の間を移動できる。
チャックテーブル12が搬入搬出位置A1に配置されているとき、チャックテーブル12には乾式研磨が施される前の被加工物11が搬入される、又は、チャックテーブル12から乾式研磨が施された後の被加工物11が搬出される。
被加工物11は、円板状のシリコン単結晶基板を有し、このシリコン単結晶基板に対して乾式研磨が施される。しかし、シリコンに限定されず、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)等の他の半導体材料で形成された単結晶基板を、被加工物11は有してもよい。
本実施形態では、被加工物11の表面11a側を保持面12aで吸引保持し、被加工物11の裏面11b側に対して乾式研磨を施す。本実施形態の被加工物11の表面11a側には、樹脂で形成され被加工物11と略同径の保護テープは貼り付けられていない。
しかし、被加工物11の表面11a側にIC(Integrated Circuit)等のデバイス(不図示)が形成されている場合には、表面11a側へのダメージを低減するために、保護テープ(不図示)が表面11a側に貼り付けられる。
被加工物11に対して乾式研磨を施す際には、被加工物11をチャックテーブル12で吸引保持した後、当該チャックテーブル12を、研磨位置A2に配置する。研磨位置A2に配置されたチャックテーブル12及び被加工物11の上方及び側方は、直方体状の加工室カバー52で覆われる。
図1では、説明の便宜上、加工室カバー52を二点鎖線で示す。加工室カバー52は、X軸方向に長辺を有する矩形状の頂壁52aを有する。頂壁52aには、乾式研磨工具42のZ軸方向への進退を許容するための貫通孔52a1が形成されている(図4参照)。
頂壁52aのY軸方向の両端部には、頂壁52aから垂下する態様で第1側壁52b1及び第2側壁52b2が設けられている。また、頂壁52aの+X方向の端部には、頂壁52aから垂下する態様で後壁52cが設けられている。
頂壁52aの前方向の端部には、頂壁52aから垂下する態様で前壁52dが設けられており、前壁52dには、チャックテーブル12の加工室カバー52内への移動を許容する矩形状の切り欠き52d1が形成されている。
頂壁52a、第1側壁52b1、第2側壁52b2、後壁52c及び前壁52dで規定される加工室カバー52内の空間は、加工室52Aとなる(図4参照)。乾式研磨時に発生する研磨屑等の粉塵の飛散範囲は、この加工室52A内に略限定される。
第1側壁52b1には、ダクト64の一端部が固定されている。ダクト64の他端部には、真空ポンプ等の吸引源66が接続されている。吸引源66を動作させると、加工室52A内の粉塵が吸引される。
加工室52A内には、ドレスユニット54が配置されている。ドレスユニット54は、長手方向がY軸方向に沿って配置された矩形板状の支持テーブル56を有する。支持テーブル56は、X軸方向移動機構10によりX軸方向に沿って移動可能である。
支持テーブル56のX軸方向の両側にも、テーブルカバー6と同様に、X軸方向に沿って伸縮可能な蛇腹状のカバー部材8が設けられている。支持テーブル56は、チャックテーブル12と同様に、一対のガイドレールにスライド可能に固定されている。
但し、支持テーブル56は、チャックテーブル12をX軸方向に沿って移動させるねじ軸及び駆動源とは異なるねじ軸及び駆動源(いずれも不図示)により、X軸方向に沿って移動する。
支持テーブル56の上面56a(図4参照)には、乾式研磨パッド46をドレッシングするための円柱状のドレス部58が設けられている。ドレス部58の径は、例えば、8.0mmであり、上面56aからの突出量は、例えば、8.5mmである。
図4に示す様に、ドレス部58は、上面56aに固定された円柱状の基台58aを有する。基台58aの上面には、円柱状の砥石部58bが固定されている。砥石部58bは、砥粒と、砥粒を固定するためのボンド材と、を有する。
砥石部58bを構成する砥粒は、例えば、SiC、cBN(cubic boron nitride)、ダイヤモンド、又は、金属酸化物等で形成されている。砥粒を固定するボンド材は、例えば、熱硬化性樹脂であり、このボンド材中に砥粒が分散されている。但し、ボンド材は、樹脂に限定されず、ニッケル等の金属を用いた金属めっき層であってもよい。
なお、図1に示すドレスユニット54は、チャックテーブル12及び研磨ユニット32の使用を前提とした待機位置B1にあり、チャックテーブル12は搬入搬出位置A1にある。
開口4aの後方向には、ドレス部用ノズル60が設けられている。ドレス部用ノズル60は、加工室52A内において、基台4の上面に固定されている。
図4に示す様に、ドレス部用ノズル60の開口60aは、ドレスユニット54が待機位置B1にあるとき、圧縮エア等の常温の気体13がドレス部58の頂部に当たる様に、向き及び高さ位置が調整されている。
加えて、加工室52A内において、開口4aの+Y方向には、支持テーブル用ノズル(気体噴射部)62が設けられている。支持テーブル用ノズル62は、加工室52A内において、基台4の上面に固定されている。
支持テーブル用ノズル62の開口62aの開口62aの高さは、支持テーブル56の上面56aよりも高い位置に配置されている。開口62aからは、圧縮エア等の常温の気体13が支持テーブル56の上面56aへ向けて噴射される。
図4は、乾式研磨工具42、ドレスユニット54等の一部断面側面図である。開口62aの向きは、支持テーブル56の上面56aに向けて斜め下方に気体13が噴射される様に調整されている。加えて、研磨装置2の上面視において、開口62aのXY平面での向きは、ダクト64の吸引口64aを向いている(図10参照)。
この様に、支持テーブル用ノズル62は、吸引口64aに向けて気体13を噴射可能な位置に設けられているので、支持テーブル56の上面56aに堆積した研削屑等の粉塵は、支持テーブル用ノズル62から上面56aに噴射された気体13により吹き飛ばされて、吸引口64aから吸引される。
本実施形態の研磨装置2では、支持テーブル用ノズル62から気体13を噴射することで、支持テーブル56の上面56aに堆積した粉塵を吹き飛ばす。吹き飛ばされた粉塵は、ダクト64から加工室52A外へ吸引されるので、支持テーブル56に残存する粉塵の量を低減できる。例えば、上面56aにおける粉塵の量を略無くすことができる。
研磨パッド用ノズル50、ドレス部用ノズル60、及び、支持テーブル用ノズル62には、図1に示す様に、気体供給源68から分岐する管部(不図示)を介して気体13が供給される。本実施形態の気体供給源68は、コンプレッサ、ドライヤ、エアタンク等を有する圧縮エア供給源である。
気体供給源68は、常温(例えば、約23℃)の乾燥エアを所定の圧力(例えば、0.5MPa)で、研磨パッド用ノズル50、ドレス部用ノズル60、及び、支持テーブル用ノズル62の各々に供給する。
研磨装置2は、X軸方向移動機構10、チャックテーブル12の回転駆動源及び吸引源、Z軸方向移動機構22、研磨ユニット32、研磨パッド用ノズル50、ドレス部用ノズル60、支持テーブル用ノズル62等の動作を制御するコントローラ(制御ユニット)70を有する。
コントローラ70は、例えば、CPU(Central Processing Unit)に代表されるプロセッサ(処理装置)と、メモリ(記憶装置)と、を含むコンピュータを有する。メモリは、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、SRAM(Static Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)等の主記憶装置と、フラッシュメモリ、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブ等の補助記憶装置と、を含む。
補助記憶装置には、所定のプログラムを含むソフトウェアが記憶されている。このソフトウェアに従いプロセッサ等を動作させることによって、コントローラ70の機能が実現される。次に、研磨装置2の使用方法について図5から図7を参照しながら説明する。
図5は、乾式研磨工程S20、ドレス工程S50等のフロー図である。まず、搬入搬出位置A1に配置されたチャックテーブル12で被加工物11を吸引保持した後、研磨位置A2にチャックテーブル12を移動させる(被加工物搬入工程S10)。
このとき、チャックテーブル12及び被加工物11は、加工室52A内において研磨ユニット32の直下に配置される。次に、チャックテーブル12及びスピンドル38をそれぞれ所定の回転数で回転させながら、乾式研磨工具42を所定の圧力で被加工物11の裏面11b側へ押圧する。
これにより、被加工物11に対して乾式研磨を施す(乾式研磨工程S20)。図6は、乾式研磨工程S20を示す加工室52Aの上面図である。なお、乾式研磨工程S20では、研磨パッド用ノズル50から、例えば、圧力0.5MPa及び流量250L/minで気体13を噴射しながら、被加工物11に対して乾式研磨を施す。
乾式研磨の終了後、チャックテーブル12を搬入搬出位置A1へ戻し、被加工物11を回収する(被加工物搬出工程S30)。そして、所定数の乾式研磨が終了していない場合(S40でNO)、被加工物搬入工程S10へ戻り、他の被加工物11に対して乾式研磨を施す。
これに対して、所定数の乾式研磨が終了した場合(S40でYES)、ドレスユニット54を待機位置B1からドレス位置B2へ移動させてドレス工程S50を行う。図7は、ドレス工程S50を示す加工室52Aの上面図である。
ドレス工程S50では、研磨パッド用ノズル50から、例えば、圧力0.5MPa及び流量200L/minで気体13を噴射しながら、乾式研磨工具42を所定の圧力でドレス部58へ押圧すると共に、スピンドル38を所定の回転数で回転させる。この様にして、乾式研磨パッド46の下面46cに対してドレッシングが施される。
被加工物搬入工程S10からドレス工程S50の終了時まで、ダクト64からの吸引は継続して行われているが、加工室52A内に配置されているドレスユニット54には、研磨屑等の粉塵が堆積する。
ところで、所定期間、乾式研磨工具42を使用すると砥粒の脱落等により研磨が困難になるので、乾式研磨工具42を新品に交換する必要がある。そして、乾式研磨工具42を新品に交換した後には、乾式研磨工具42(即ち、乾式研磨パッド46の下面46c)の高さ位置の設定を行う必要がある。
しかし、図8に示す様に、ドレスユニット54上に粉塵15が堆積した状態で高さ位置の設定を行うと、粉塵15の厚さの分だけ、乾式研磨工具42の高さ位置が不正確に算出される。図8は、従来の高さ位置の設定方法を示す研磨ユニット32等の一部断面側面図である。
図8は、上面56aに堆積した粉塵15により乾式研磨パッド46の下面46cが、支持テーブル56の上面56aの高さ位置Z0ではなく、高さ位置Z0よりも上方に位置する高さ位置Z1にある場合を示す。
そこで、本実施形態では図9に示すフロー図に従って、ドレスユニット54を清掃し、ドレスユニット54に残存する粉塵15の量を低減した上で、乾式研磨工具42の高さ位置の設定を行う。図9は、研磨装置2において乾式研磨パッド46の下面46cの高さ位置の設定方法のフロー図である。
乾式研磨工具42の高さ位置の設定では、例えば、まず、ドレスユニット54を待機位置B1に配置する。そして、支持テーブル56の上面56aに対して支持テーブル用ノズル62から気体13を噴射すると共に、ドレス部用ノズル60からドレス部58に気体13を噴射する。
例えば、支持テーブル用ノズル62から圧力0.5MPa及び流量300L/minで気体13を噴射すると共に、ドレス部用ノズル60から圧力0.5MPa及び流量200L/minで気体13を噴射する。
これにより、支持テーブル56の上面56aと、ドレス部58と、にそれぞれ堆積した研磨屑等の粉塵15を吹き飛ばすと共に、飛散した粉塵15をダクト64から吸引することで、上面56a及びドレス部58における粉塵15の量を低減する(気体噴射工程S60)。
図10は、気体噴射工程S60を示す加工室52Aの上面図である。なお、気体噴射工程S60では、ドレスユニット54を待機位置B1に固定してもよく、待機位置B1からドレス位置B2を経て、加工室52A内の前端部位置B3まで、ドレスユニット54を移動させてもよい。また、待機位置B1と前端部位置B3との間を1回以上往復移動させてもよい。
この様にして、支持テーブル用ノズル62等を使用してドレスユニット54に堆積した粉塵15の量を研磨装置2により自動で低減できるので、作業者によるドレスユニット54の清掃を省略できる。このことは、作業者の清掃作業を省略できるので、研磨装置2の作業者にとって高い利便性を提供する。
気体噴射工程S60の後、乾式研磨工具42の貫通孔44a,46aにドレス部58が挿入される様に、研磨ユニット32の直下に支持テーブル56を配置する。この支持テーブル56に対して、回転していない状態の乾式研磨工具42を下降させ、乾式研磨パッド46の下面46cを、支持テーブル56の上面56aに接触させる(下降工程S70)。
図11は、下降工程S70を示す研磨ユニット32等の一部断面側面図である。支持テーブル56の上面56aからは粉塵15が略除去されているので、乾式研磨パッド46の下面46cが支持テーブル56の上面56aに接触すると、下面46c及び上面56aの高さ位置は略一致する。
図11では、下面46c及び上面56aの高さ位置が高さ位置Z0となる例を示している。なお、高さ位置Z0は、例えば、支持テーブル56の下面側に設けられた荷重センサ(不図示)で支持テーブル56に係る荷重の変化を測定することで測定される。
より具体的には、乾式研磨パッド46を所定の速度で下降させて、荷重センサで荷重の変化が測定されたタイミングに対応する下面46cの高さ位置を、下面46c及び上面56aが接触した高さ位置Z0とする。
この高さ位置Z0が、下面46cにとっての基準高さ位置(即ち、原点位置)となる。コントローラ70は、高さ位置Z0を補助記憶装置に記憶すると共に、ドレス部58の上端の高さ位置(即ち、砥石部58bの上端の高さ位置Z2)を算出する(算出工程S80)。
図12は、算出工程S80で算出されるドレス部58の上端の高さ位置を示す支持テーブル56等の一部断面側面図である。砥石部58bの上端の高さ位置Z2は、例えば、上面56aから8.5mmと予め定められているので、(高さ位置Z0+8.5mm)と算出される。
この様に、上面56aの粉塵15の量を低減した結果、高さ位置Z0を正確に測定できるので、次回のドレス工程S50において、乾式研磨パッド46の下面46cを正確にドレス部58の上端の高さ位置に配置できる。それゆえ、ドレス工程S50で乾式研磨パッド46の下面46cがドレス部58に接触せずに空振りするという事態を防ぐことができる。
その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
上述の研磨装置2は、マニュアル式であるが、粗研削、仕上げ研削及び乾式研磨を順に行うフルオート式であってもよい。なお、フルオート式である場合、チャックテーブル12がX軸方向に沿って移動することに代えて、研磨ユニット32がX軸方向に沿って移動する。
2:研磨装置、4:基台、4a:開口、6:テーブルカバー、8:カバー部材
10:X軸方向移動機構
11:被加工物、11a:表面、11b:裏面、13:気体、15:粉塵
12:チャックテーブル(保持テーブル)、12a:保持面、12b:外径
14:枠体、16:多孔質板、18:回転軸
20:支持柱、22:Z軸方向移動機構(移動機構)
24:ガイドレール、26:移動板、28:ねじ軸、30:駆動源
32:研磨ユニット、34:支持具、36:スピンドルハウジング、38:スピンドル
40:マウント、42:乾式研磨工具、44:基台、44a:貫通孔、44b:ねじ穴
46:乾式研磨パッド、46a:貫通孔、46b:外径、46c:下面
50:研磨パッド用ノズル、50a:開口
52:加工室カバー、52A:加工室
52a:頂壁、52a1:貫通孔、52b1:第1側壁、52b2:第2側壁
52c:後壁、52d:前壁、52d1:切り欠き
54:ドレスユニット、56:支持テーブル、56a:上面
58:ドレス部、58a:基台、58b:砥石部
60:ドレス部用ノズル、60a:開口
62:支持テーブル用ノズル(気体噴射部)、62a:開口
64:ダクト、64a:吸引口
66:吸引源、68:気体供給源、70:コントローラ
A1:搬入搬出位置、A2:研磨位置(所定位置)
B1:待機位置、B2:ドレス位置、B3:前端部位置
S10:被加工物搬入工程、S20:乾式研磨工程、S30:被加工物搬出工程
S50:ドレス工程、S60:気体噴射工程、S70:下降工程、S80:算出工程
Z0,Z1,Z2:高さ位置
10:X軸方向移動機構
11:被加工物、11a:表面、11b:裏面、13:気体、15:粉塵
12:チャックテーブル(保持テーブル)、12a:保持面、12b:外径
14:枠体、16:多孔質板、18:回転軸
20:支持柱、22:Z軸方向移動機構(移動機構)
24:ガイドレール、26:移動板、28:ねじ軸、30:駆動源
32:研磨ユニット、34:支持具、36:スピンドルハウジング、38:スピンドル
40:マウント、42:乾式研磨工具、44:基台、44a:貫通孔、44b:ねじ穴
46:乾式研磨パッド、46a:貫通孔、46b:外径、46c:下面
50:研磨パッド用ノズル、50a:開口
52:加工室カバー、52A:加工室
52a:頂壁、52a1:貫通孔、52b1:第1側壁、52b2:第2側壁
52c:後壁、52d:前壁、52d1:切り欠き
54:ドレスユニット、56:支持テーブル、56a:上面
58:ドレス部、58a:基台、58b:砥石部
60:ドレス部用ノズル、60a:開口
62:支持テーブル用ノズル(気体噴射部)、62a:開口
64:ダクト、64a:吸引口
66:吸引源、68:気体供給源、70:コントローラ
A1:搬入搬出位置、A2:研磨位置(所定位置)
B1:待機位置、B2:ドレス位置、B3:前端部位置
S10:被加工物搬入工程、S20:乾式研磨工程、S30:被加工物搬出工程
S50:ドレス工程、S60:気体噴射工程、S70:下降工程、S80:算出工程
Z0,Z1,Z2:高さ位置
Claims (3)
- 被加工物に対して乾式研磨を施す研磨装置であって、
該被加工物を保持する保持テーブルと、
円柱状のスピンドルと、該スピンドルの下端部に固定された円板状のマウントと、を有し、該マウントを介して該スピンドルに乾式研磨工具が装着される研磨ユニットと、
該研磨ユニットを上下方向に沿って移動させる移動機構と、
該保持テーブルで保持された該被加工物に対して乾式研磨を施す際に所定位置に配置された該保持テーブル及び該被加工物の上方及び側方を覆い、加工室を規定する加工室カバーと、
該加工室カバーに固定され、粉塵を吸引するためのダクトと、
該加工室内に配置されている支持テーブルと、
該支持テーブルの上面に設けられており、該乾式研磨工具をドレッシングするためのドレス部と、
該支持テーブルの該上面に堆積した該粉塵を吹き飛ばすための気体を該上面に対して噴射可能な気体噴射部と、
を備えることを特徴とする研磨装置。 - 該ダクトは、該加工室カバーの側面に固定されており、
該気体噴射部は、該加工室カバーの上面視において、該ダクトの吸引口に向けて気体を噴射可能な位置に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。 - 被加工物に対して乾式研磨を施す研磨装置の加工室カバー内に配置されたドレス部を支持する支持テーブルの上面に対して乾式研磨工具の高さ位置の設定を行う乾式研磨工具の高さ位置の設定方法であって、
該支持テーブルの該上面に気体噴射部から気体を噴射させて該上面に堆積した粉塵を吹き飛ばすと共に該加工室カバーに固定されたダクトから該粉塵を吸引することで、該上面における該粉塵の量を低減する気体噴射工程と、
該気体噴射工程の後、該乾式研磨工具の貫通孔に該ドレス部が挿入される様に、該乾式研磨工具の下方に配置された該支持テーブルに対して該乾式研磨工具を下降させ、該乾式研磨工具の下面を該支持テーブルの該上面に接触させる下降工程と、
該乾式研磨工具の該下面と、該支持テーブルの該上面と、が接触した高さ位置に基づいて、該ドレス部の上端の高さ位置を算出する算出工程と、
を備えることを特徴とする乾式研磨工具の高さ位置の設定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022131501A JP2024029312A (ja) | 2022-08-22 | 2022-08-22 | 研磨装置及び乾式研磨工具の高さ位置の設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022131501A JP2024029312A (ja) | 2022-08-22 | 2022-08-22 | 研磨装置及び乾式研磨工具の高さ位置の設定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024029312A true JP2024029312A (ja) | 2024-03-06 |
Family
ID=90104843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022131501A Pending JP2024029312A (ja) | 2022-08-22 | 2022-08-22 | 研磨装置及び乾式研磨工具の高さ位置の設定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2024029312A (ja) |
-
2022
- 2022-08-22 JP JP2022131501A patent/JP2024029312A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6192778B2 (ja) | シリコンウエーハの加工装置 | |
KR20220009869A (ko) | 피가공물의 연삭 방법 | |
JP2011161550A (ja) | 研削装置 | |
JP2024029312A (ja) | 研磨装置及び乾式研磨工具の高さ位置の設定方法 | |
US20220088742A1 (en) | Grinding method for workpiece and grinding apparatus | |
CN115246084A (zh) | 加工方法 | |
TW202220048A (zh) | 加工裝置 | |
JP2018056500A (ja) | 板状物の加工方法 | |
JP2022062809A (ja) | ウェーハの製造方法 | |
US11717934B2 (en) | Annular frame cleaning accessory for grinding apparatus | |
JP2023036121A (ja) | 被加工物の研削方法 | |
TWI769294B (zh) | 研磨墊 | |
JP2023069861A (ja) | 研削装置及び被加工物の研削方法 | |
JP2023104444A (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP2024010709A (ja) | ドレッシング方法 | |
JP2022142022A (ja) | 研削装置及びクリープフィード研削方法 | |
TW202319181A (zh) | 被加工物之磨削方法及磨削裝置 | |
KR20230084058A (ko) | 피가공물의 연삭 방법 | |
JP2022138936A (ja) | チャックテーブル、及び被加工物の保持方法 | |
JP2022071274A (ja) | 研削装置の調整方法 | |
JP2022049289A (ja) | チャックテーブルの保持面の保護方法 | |
JP2023018318A (ja) | 加工装置 | |
TW202322978A (zh) | 修整工具及修整方法 | |
JP2022113212A (ja) | 被加工物の研削方法 | |
TW202129803A (zh) | 研削室之洗淨方法 |