TW202400317A - 半導體清潔設備、噴嘴及半導體裝置的清潔方法 - Google Patents

半導體清潔設備、噴嘴及半導體裝置的清潔方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202400317A
TW202400317A TW112119911A TW112119911A TW202400317A TW 202400317 A TW202400317 A TW 202400317A TW 112119911 A TW112119911 A TW 112119911A TW 112119911 A TW112119911 A TW 112119911A TW 202400317 A TW202400317 A TW 202400317A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
fluid
channel branch
gas
nozzle
branch
Prior art date
Application number
TW112119911A
Other languages
English (en)
Inventor
顏旭東
王琳松
蔣振劼
黃柏翔
林哲立
Original Assignee
台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 台灣積體電路製造股份有限公司 filed Critical 台灣積體電路製造股份有限公司
Publication of TW202400317A publication Critical patent/TW202400317A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • B05B1/20—Arrangements of several outlets along elongated bodies, e.g. perforated pipes or troughs, e.g. spray booms; Outlet elements therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/12—Spray pistols; Apparatus for discharge designed to control volume of flow, e.g. with adjustable passages
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

提供一種半導體清潔工具。該清潔工具包含噴嘴。該噴嘴與接收載氣的第一入口及接收一或多種流體的第二入口連接。該噴嘴包含與該第一入口連接的氣體通道；及與該第二入口連接的流體通道。該氣體通道包含氣體通道分支，且該流體通道包含流體通道分支。該些氣體通道分支及該些流體通道分支交錯佈置在該噴嘴內。單獨的氣體/流體通道分支為可單獨控制的，包括流動速率、溫度、開/關狀態、流體或載氣類型、時間段、供應模式及/或經由該些單獨的氣體通道分支及該些單獨的流體通道分支噴射該流體及載氣的任何其他態樣。

Description

新穎濕式清潔工具和方法
無
可以使用化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)製程製造半導體晶圓。在該製程中，使用矽烷(SiH4)構建典型半導體晶圓的矽結構，且藉由間隙沈積砷及磷等元素產生半導體特性。這些元素的來源，通常稱為摻雜劑，可為胂化氫(AsH3)及磷化氫(PH3)。這些摻雜劑為發火性的及有毒的。因此，當半導體晶圓自CVD反應器中抽空時，摻雜劑會洗滌掉。
除上述之外，半導體晶圓可以在製造期間經受化學機械處理(Chemical Mechanical Processing，CMP)。在執行該製程之後，污染物可能會殘留在晶圓上。如同摻雜劑一樣，這些污染物可以在進一步的半導體晶圓處理步驟之前洗滌掉。
1950年代末及1960年代初以來，半導體裝置處理中的表面清潔一直為至關重要的。現在眾所周知，矽電路的裝置性能、可靠性及產品良率受到晶圓或裝置表面上存在的化學污染物及顆粒雜質的嚴重影響。由於處理期間摻入的雜質而導致穩定性、可靠性及裝置或電路良率的降低確立有效及高效的清潔勢在必行。隨著特徵尺寸的減小、深寬比及最先進裝置的製程步驟數量的增加，清潔的重要性亦隨之增加。當調用厚度在幾奈米範圍內的薄膜時，為促使及促進殘留物、顆粒及原子物質的移除而對薄表面區域(例如，小於10奈米)進行底切或蝕刻可能為不可接受的，存在超淺接面，或使用多孔材料。
晶圓清潔及表面調節的目標為在不損壞或改變基板表面的情況下自半導體表面移除顆粒及化學雜質。晶圓表面不得以粗糙、孔蝕或腐蝕抵消清潔製程結果的方式受到影響。電漿方法、乾式物理方法、濕式化學方法、氣相方法及超臨界流體方法可用於實現這些目標。大量設備可用於實施積體電路製造應用的各種製程。傳統的預熱晶圓清潔及表面調節方法為基於通常使用過氧化氫(H 2O 2)混合物的水化學(流體)製程。
IC表面製備團體中使用的技術術語通常將晶圓稱為「FEOL」及「BEOL」，以指定處理中的階段。「FEOL」通常係指「前段製程」中的晶圓，亦即，處於初始處理階段的晶圓。這些晶圓僅具有單晶或多晶矽，帶有或不帶有SiO2 (二氧化矽)及Si3N4 (氮化矽)層或圖案，沒有曝露的金屬區域。具有水溶液的反應性化學品可用於清潔及調節這些耐腐蝕材料。早期階段的清潔通常在閘極氧化物沈積及高溫處理(諸如，熱氧化及擴散)之前進行。在這些製程步驟之前消除污染物對於防止雜質擴散至基板材料中尤其重要。
「BEOL」通常係指在「後段製程」處理中的晶圓。這些晶圓的清潔受到更多限制，因為金屬區域可能會曝露，諸如Cu (銅)、Al (鋁)或W (鎢)金屬化，可能與低密度或多孔低κ (介電常數)膜結合使用。基於電漿化學、化學氣相反應及低溫氣溶膠技術的乾式清潔方法可用於移除有機殘留物及顆粒污染物。亦可使用不會腐蝕曝露的敏感材料的水性/有機溶劑混合物及其他創新方法。
用於晶圓清潔及表面調節的液體製程基於使用水性化學品、有機溶劑或兩者的混合物。若使用水性化學品，則該製程恰當地稱為「濕式化學品」。這些製程通常應用於FEOL晶圓。液體清潔機制可以為純物理溶解及/或化學反應溶解。當材料藉由化學轉化為可溶性物質而移除時，便會發生化學蝕刻。傳統地，化學蝕刻有望移除大量材料，諸如基板上的沈積膜。
無
以下揭示內容提供用於實現提供之標的的不同特徵的許多不同的實施例或實例。以下描述組件及佈置的特定實例用以簡化本揭示內容。當然，該些僅為實例，並不旨在進行限制。例如，在下面的描述中在第二特徵上方或之上形成第一特徵可包括其中第一特徵及第二特徵直接接觸形成的實施例，並且亦可包括其中在第一特徵與第二特徵之間形成附加特徵的實施例，以使得第一特徵及第二特徵可以不直接接觸。此外，本揭示內容可以在各個實例中重複元件符號或字母。此重複係出於簡單及清楚的目的，其本身並不指定所討論之各種實施例或組態之間的關係。
此外，為了便於描述，本文中可以使用諸如「在……下方」、「在……下」、「下方」、「在……上方」、「上方」之類的空間相對術語，來描述如圖中所示的一個元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除了在附圖中示出的定向之外，空間相對術語意在涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)，並且在此使用的空間相對描述語亦可被相應地解釋。
在整個本揭示內容中，各種化學元素以全名及/或符號描述。為了準確性及完整性，針對本揭示內容中描述的給定化學元素提供以下化學元素表：
化學元素
元素 符號 原子數 原子量
錒 Ac 89 (227)
鋁 AI 13 26.98154
鋂 Am 95 (243)
銻 Sb 51 121.760
氬 Ar 18 39.948
砷 As 33 74.92160
砹 At 85 (210)
鋇 Ba 56 137.33
錇 Bk 97 (247)
鈹 Be 4 9.012182
鉍 Bi 83 208.98040
𨨏 Bh 107 (264)
硼 B 5 10.81
溴 Br 35 79.904
鎘 Cd 48 112.41
鈣 Ca 20 40.078
鉲 Cf 98 (251)
碳 C 6 12.011
鈰 Ce 58 140.116
銫 Cs 55 132.90545
氯 Cl 17 35.453
鉻 Cr 24 51.996
鈷 Co 27 58.93320
鎶 Cn 112 (285)
銅 Cu 29 63.546
鋦 Cm 96 (247)
鐽 Ds 110 (269)
𨧀 Db 105 (262)
鏑 Dy 66 162.50
鎄 Es 99 (252)
鉺 Er 68 167.259
銪 Eu 63 151.964
鐨 Em 100 (257)
鎓 Fl 144 (289)
氟 F 9 18.998403
鈁 Fr 87 (223)
釓 Gd 64 157.25
鎵 Ga 31 69.723
鍺 Ge 32 72.64
金 Au 79 196.96657
鉿 Hf 72 178.49
𨭆 Hs 108 (277)
氦 He 2 4.002602
鈥 Ho 67 164.93032
氫 H 1 1.0079
銦 In 49 114.818
碘 I 53 126.90447
銥 Ir 77 192.217
鐵 Fe 26 55.845
氪 Kr 36 83.80
鑭 La 57 138.90547
鐒 Lr 103 (262)
鉛 Pb 82 207.2
鋰 Li 3 6.941
鉝 Lv 116 (293)
鎦 Lu 71 174.967
鎂 Mg 12 24.305
錳 Mn 25 54.93805
䥑 Mt 109 (268)
鍆 Md 101 (258)
汞 Hg 80 200.59
鉬 Mo 42 95.94
鏌 Mc 115 (289)
釹 Nd 60 144.242
氖 Ne 10 20.180
錼 Np 93 (237)
鎳 Ni 28 58.6934
鎓 Nh 113 (286)
鈮 Nb 41 92.90638
氮 N 7 14.0067
鍩 No 102 (259)
Oganesson Og 118 (294)
鋨 Os 76 190.23
氧 O 8 15.9994
鈀 Pd 46 106.42
磷 P 15 30.973762
鉑 Pt 78 195.084
鈈 Pu 94 (244)
釙 Po 84 (209)
鉀 K 19 39.0983
鐠 Pr 59 140.90765
鉕 Pm 61 (145)
鏷 Pa 91 (231)
鐳 Ra 88 (226)
氡 Rn 86 (222)
錀 Rg 111 (280)
錸 Re 75 186.207
銠 Rh 45 102.90550
銣 Rb 37 85.4678
釕 Ru 44 101.07
鑪 Rf 104 (261)
釤 Sm 62 150.36
鈧 Sc 21 44.95591
𨭎 Sg 106 (266)
硒 Se 34 78.96
矽 Si 14 28.0855
銀 Ag 47 107.8682
鈉 Na 11 22.989769
鍶 Sr 38 87.62
硫 S 16 32.07
鉭 Ta 73 180.9479
鍀 Tc 43 (98)
碲 Te 52 127.60
Tennessine Ts 117 (293)
鋱 Tb 65 158.92535
鉈 Tl 81 204.3833
釷 Th 90 (232)
銩 Tm 69 168.93421
錫 Sn 50 118.71
鈦 Ti 22 47.867
鎢 W 74 183.84
鈾 U 92 (238)
釩 V 23 50.9415
氙 Xe 54 131.29
鐿 Yb 70 173.04
釔 Y 39 88.90585
鋅 Zn 30 65.39
鋯 Zr 40 91.224
1權重基於天然同位素組成且按比例縮放至 12C=12。對於缺乏穩定同位素的元素，最穩定的元素的質量數展示在括號中。
濕式清潔製程可以分類為預處理清潔步驟或後處理清潔步驟。此外，該些製程可分為前段製程(front end of line，FEOL)及後段製程(back end of line，BEOL)，前者主要包含形成主動裝置的步驟，而後者則藉由多層金屬佈線將主動裝置連接起來的步驟。自歷史上看，由於典型的FEOL水性清潔溶液與金屬佈線不相容，BEOL清潔步驟已使用有機溶劑完成，而非使用水性化學品。然而，這種情況亦在發生變化，BEOL中越來越多地使用水清潔。應理解，根據本揭示內容的新穎濕式清潔工具及方法不旨在限於特定類型的濕式清潔。亦即，預期本文揭示的新穎濕式清潔工具及方法可用於FEOL或BEOL。
第1A圖繪示用於說明本揭示內容的濕式清潔工具10。如圖所描繪，濕式清潔工具10適用於清潔及乾燥半導體晶圓12。如圖所展示，濕式清潔工具10包括用以接收一或多個半導體晶圓12的腔室14。為便於說明，在第1A圖中的濕式清潔工具10中描繪一個半導體晶圓。即便如此，應認識到在一些實施例中可以同時將若干半導體晶圓12裝載至腔室14中。
如第1A圖所展示，濕式清潔工具10配備有用以在操作時使半導體晶圓12旋轉的驅動機構16。在一些實施例中，驅動機構16使半導體晶圓12在約300轉每分鐘(revolution per minute，RPM)至約1600 RPM的範圍內旋轉。仍如第1A圖所展示，濕式清潔工具10配備有具有噴嘴20的入口18。在一些實施例中，入口18用以噴射去離子水(例如，DIW或DI水)及/或載氣(例如，N2)至半導體晶圓12上。如圖所展示，在實施例中，入口18通常設置在腔室14的中心。即便如此，在其他實施例中，入口18可以其他方式定位。
第1B圖繪示第1A圖的所展示的噴嘴20將流體及/或載氣噴射至晶圓12上以清潔晶圓12。可以在晶圓12製造期間的各個階段執行該清潔。例如，在晶圓12上為單個裝置形成一或多個金屬閘極之後，可以使用濕式清潔工具10經由噴嘴20將流體噴射至晶圓12上。可以觀察到，在該噴射期間，位於晶圓12邊緣的區域的凹坑通常不像晶圓12上的其他區域那樣藉由噴塗覆蓋，即使驅動機構16旋轉晶圓12以使晶圓12藉由噴塗覆蓋，從而便於濕式清潔。
本揭示內容提供的一種理解為，可以對噴嘴20進行改進，使得流體及載氣被引入入口18且在相同時間或不同時間以交織方式噴射至晶圓12上。選擇載氣以使其在噴射至晶圓12上時不與流體發生化學反應。載氣的實例包括氮氣、氬氣、乾燥空氣及/或任何其他類型的載氣。將流體及載氣以交織方式噴射的目的為在藉由噴嘴20將載氣及流體噴射至晶圓12上後，利用載氣將周圍的流體向外推至晶圓12上。以此方式，流體分佈在晶圓12上變平，以在晶圓12上實現或多或少的均勻流體分佈，以幫助解決上述觀察到的邊緣清潔問題。
現關注第2A圖，繪示用於濕式清潔工具(諸如第1A圖所展示的濕式清潔工具10)的例示性噴嘴200。在該實例中，噴嘴200與兩個入口連接：第一入口210及第二入口212。第一入口210用以供應載氣，且第二入口212用以供應一或多種流體或流體混合物。可由第二入口212供應的流體的實例包括乙酸、檸檬酸、鹽酸(HCl)、過氧化氫(H 2O 2)及/或任何其他類型的流體。由第二入口212供應的流體在某種意義上可稱為反應物，即它能夠與晶圓12上的金屬發生化學反應以溶解/移除晶圓12上的污染顆粒。在一個實例中，由第二入口212供應的流體為包含TiN、H 2O 2及HCl的清潔溶液。將該清潔液噴至晶圓12之後，TiN及H 2O 2由於化學反應變成TiO x及H 2O，且HCl溶解TiO x起到清潔作用。
如所提及，本揭示內容的一種理解為可以選擇由第一入口210供應的載氣，以使其不與由第二入口212供應的流體發生化學反應。在該實例中，由第二入口212供應的流體及由第一入口210供應的載氣在單獨的通道216及214中送入噴嘴200。噴嘴200中的第一類型的通道稱為載氣通道214，且噴嘴200中的第二類型的通道稱為流體通道216。在該實例中，載氣通道214及流體通道216彼此分開及隔離，使得其中的載氣及流體不相通。換言之，載氣通道214中的載氣不進入流體通道216，且流體通道216中的流體不進入載氣通道214。如圖所展示，載氣通道214及流體通道216由外殼材料202包圍，該外殼材料202提供結構支撐且有利於噴嘴200中的兩個通道之間的分離及隔離。
現關注各個載氣通道及流體通道。可以看出，在該實例中，載氣通道214包含主氣體通道204b及複數個氣體通道分支204a。類似地，在該實例中，流體通道216包含主流體通道206b及複數個流體通道分支206a。如該實例中所展示，主氣體通道204b佈置在主流體通道206b上方，且各個氣體通道分支204a佈置成與流體通道分支206a交錯。給定的一個氣體通道分支204a具有閥208及氣體出口，且給定的一個流體通道分支206a亦具有閥208及流體出口。各個流體通道分支206a及各個氣體通道分支204a中的閥208可控制以彼此獨立地打開及關閉。例如，第2A圖所展示的可程式控制器250可用以控制閥208，從而在給定時間點控制由噴嘴200釋放的流體及/或載氣流。例如，可以控制一或多個氣體通道分支204a在同一時間段內噴射載氣，而控制一或多個其他氣體通道分支204a在該時間段內關閉。作為另一實例，可以控制一或多個氣體通道分支204a在與一或多個流體通道分支206a噴射流體相同的時間段內噴射載氣。
在各種實施例中，各個氣體通道或流體通道配置有如該實例中所展示的單獨噴嘴，諸如噴嘴220a及220b。在那些實施例中，流體或氣體通道中的單獨噴嘴用以具有推動器結構，使得其以可控的流動速率可控地供應氣體或流體通道中的氣體或流體。然而，應理解，這並非旨在進行限制。在一些其他實施例中，在各個氣體或流體通道分支處實現氣體或流體流動控制。例如，那些實例中的各個氣體或流體通道分支可以具有自己的噴嘴，用於控制自其噴射的氣體或流體的流動速率。
本揭示內容提供的一種理解為濕式清潔通常依賴於移除晶圓12上的材料及/或污染物的化學反應。這些反應通常為由流體通道216供應的流體的流動速率、時間、溫度、濃度及/或任何其他因素的函數。可以在供應流體以清潔晶圓12時控制及平衡一或多個這樣的因素。類似地，可以在供應載氣時控制及平衡一或多個這樣的因素以使晶圓12上的流體分佈平坦化且將噴射的流體推向晶圓12的邊緣。例如，可以藉由控制各個氣體通道分支204a中的閥208的量處於打開狀態，其餘處於關閉狀態來控制載氣的流動速率。作為另一實例，可以藉由在對應於晶圓12上的那些位置的氣體通道分支204a處經由閥208噴射載氣來控制待噴射至晶圓12上的載氣的一或多個位置，而不供應載體在噴嘴200中的任何其他氣體通道分支204a處的氣體。這種控制對於促進使用載氣的微調清潔操作為有用的，這可以在晶圓12的晶圓12上的期望位置及/或時間，及/或晶圓12上的一或多種所需流動速率提供原子力噴射或物理力。
對於流體通道216及載氣通道214分別供應的流體及/或載氣，可由可程式控制器250控制的其他態樣可包括流體及/或載氣的供應模式、流體及/或載氣的溫度及/或任何其他態樣。對於供應模式，考慮以下事項：在第一時間段以連續流供應載氣，及/或在第二時間段以非連續流供應載氣；在第三時間段內以連續流供應流體，及/或在第四時間段內以非連續流供應流體。在例示性實施方式中，各個氣體通道分支204a具有自己的供應模式(例如，連續的及非連續的)，且各個流體通道分支206a具有自己的供應模式(例如，連續的及非連續的)。在例示性實施方式中，各個氣體通道分支204a及流體通道分支206a的各個供應模式可以由可程式控制器250單獨控制。例如，可程式控制器250可用以控制各個氣體通道分支204a及流體通道分支206a中的各個閥208，以實現那些分支的期望供應模式。
在一些實施方式中，由流體通道216供應的流體的溫度由可程式控制器250控制，以不同於由載氣通道214供應的載氣的溫度。在一種實施方式中，該溫度差為載氣的溫度比流體的溫度高或低至少30%、20%、10%或5%。在另一實施方式中，該溫度差為載氣的溫度與流體的溫度彼此相差至少在30%、20%、10%或5%之內。
在一些實施方式中，根據本揭示內容的具有噴嘴200的濕式清潔工具10可以用於涉及晶圓12的半導體裝置製造的整合製程中。在那些實施方式中，整合製程涉及在晶圓12及其後晶圓12的所得界面上的膜沈積取決於晶圓12表面的清潔度。實例但不限於涉及在晶圓12上的製造步驟之後的晶圓清潔處理。在該實例中，收集關於晶圓12的膜厚度的資訊以判定與清潔晶圓12的流體及/或載氣有關的各種參數，諸如流動速率、時間段、一或多個位置(例如，打開/關閉哪個分支)、流體類型、載氣類型及/或任何其他參數。
現關注第2B圖及第2C圖。第2B圖繪示第2A圖所展示的噴嘴200的例示性組態的側視圖。第2C圖繪示第2B圖所展示的噴嘴200的例示性組態的底視圖。在噴嘴200的該例示性組態中，各個氣體通道分支204a及流體通道分支206a以交織方式自噴嘴200的中心向噴嘴200的邊緣佈置。如第2A圖可見，在該例示性組態中，存在中央流體通道分支206a-1及中央氣體通道分支204a-1。在該例示性組態中，中央氣體通道分支204a-1佈置在中央氣體通道分支204a-1內。在該例示性組態中，中央氣體通道分支204a-1及中央流體通道分支206a-1彼此隔離。如第2C圖所展示，中心氣體可以幫助將噴射至晶圓12上的流體向外推動。
自中心開始，如第2B圖所繪示，各個氣體通道分支204a-2~204a-N及各個流體通道分支206a交錯佈置，使得給定的一個流體通道分支206a位於兩個相鄰氣體通道分支204a之間，反之亦然。在該例示性組態中，各個流體通道分支206a的直徑自噴嘴200的中心向邊緣逐漸增加。例如，如該例示性組態所展示，流體通道分支206a-2的直徑小於流體通道分支206a-3的直徑，該直徑小於流體通道分支206a-4等等。類似地，氣體通道分支204a-2的直徑小於氣體通道分支204a-3的直徑，該直徑小於更靠近邊緣的氣體通道等等。在一些實施方式中，兩個相鄰氣體通道分支及流體通道分支的直徑可以相同以形成一對。在那些實施方式中，成對的直徑自噴嘴200的中心向噴嘴200的邊緣逐漸增加。在該例示性組態中，各個氣體通道分支及流體通道分支以或多或少相同的距離間隔開。然而，這並非旨在進行限制。預期在一些實施例中，各個氣體通道分支及流體通道分支以不同的距離間隔開。例如，它們可以更密集地佈置在噴嘴200的中心區域且更稀疏地朝向噴嘴200的邊緣佈置，反之亦然。
在第2C圖中，可以看出，在該例示性組態中的噴嘴200中的各個氣體通道分支及流體通道分支，作為一個整體形成類似蜂巢的圖案。噴嘴200中的各個氣體通道分支及流體通道分支的這種圖案化可稱為蜂巢組態。然而，這並不旨在進行限制，可以設想噴嘴200中的各個氣體通道分支及流體通道分支的其他圖案化。熟習此項技術者將理解，藉由獨立控制各個氣體通道分支及流體通道分支且由此控制噴射至晶圓12上的載氣及流體的流動速率、體積、時間、位置溫度及/或任何其他態樣來改變噴嘴200中的各個氣體通道分支及流體通道分支的圖案化，以實現期望的清潔效果。
在各種實施方式中，各個流體通道分支206a中的流體類型可以在不同時間段控制為不同的。在一些實施方式中，中央流體通道分支206a-1中的流體類型不同於噴嘴200中的一或多個其他流體通道分支206a-2~206a-N中的流體類型。類似地，在一些實施方式中，中央流體通道分支206a-1中的載氣類型不同於噴嘴200中的一或多個其他氣體通道分支204a-2~204a-N中的載氣類型。
第3圖為根據本揭示內容的一或多個態樣的清潔半導體基板的方法300的實施例的流程圖。第1A圖至第2C圖繪示具有噴嘴200的濕式清潔工具10的實例，該噴嘴200可用於執行第3圖的方法的一或多個步驟。
在步驟302，提供清潔工具，諸如第1A圖至第2C圖所展示的濕式清潔工具10。如那些圖中所展示，濕式清潔工具10包括噴嘴200，用以將一或多種流體及載氣噴射至晶圓上以用於清潔晶圓。如本文所描述及說明，噴嘴200用以與濕式清潔工具10中的載氣通道214及流體通道216連接。亦如本文所描述及說明，載氣通道214及流體通道216彼此分開且隔離，使得流體通道216中供應的流體不與載氣通道214中供應的載氣相通。
如本文仍描述及說明，流體通道216具有主流體通道206b及複數個流體通道分支206a，且氣體通道214具有主氣體通道204b及複數個氣體通道分支204a。在各種實施例中，該些流體通道分支206a及該些氣體通道分支204a以交錯方式佈置在噴嘴200中。這種佈置的一個例示性組態在第2B圖及第2C圖中展示。
如本文所描述及說明，各個氣體通道分支204a用以獨立控制，且類似地，各個流體通道分支206a用以獨立控制。該控制的態樣可包括流動速率、溫度、開/關狀態、流體或載氣的類型、時間段、供應模式及/或經由各個氣體通道分支204a及各個流體通道分支206a供應流體及載氣的任何其他態樣。
在步驟304，晶圓佈置成由在步驟302處提供的清潔工具清潔。晶圓可具有約200 mm、約300 mm、約450 mm或其他合適直徑的直徑。在實施例中，晶圓直徑可大於450 mm。晶圓可包括任何數量的半導體裝置或其部分。在實施例中，晶圓包括具有Ge、GaAs、InP、InGaAs及/或其他合適的III-V族半導體材料的區域。III-V族材料可設置在設置有半導體裝置(例如，電晶體)的通道的區域中的晶圓上或中。在實施例中，III-V族半導體材料設置在半導體基板的頂表面上。頂表面可曝露於來自晶圓清潔工具的噴霧。例如，III-V族半導體材料可以在基板上(及/或上方)磊晶生長。在另一實施例中，可以使用金屬有機氣相磊晶(metalorganic vapor phase epitaxy，MOVPE)或金屬有機化學氣相沈積(metalorganic chemical vapor deposition，MOCVD)製程將III-V族半導體材料沈積在晶圓上。第1B圖中展示晶圓的實例。
在步驟306，將一或多種流體提供至清潔工具。如本文所說明及描述，在306處提供的流體可包括酸及去離子(DI)水。流體可為稀酸。在實施例中，所提供的流體包括稀鹽酸(HCl)水溶液。在其他實施例中，流體包括乙酸、檸檬酸、HCl及/或具有小於約7的pH的其他合適的酸。稀酸可用於減少晶圓上的任何金屬污染。酸可為約0.5 wt%或更少的酸(在去離子水中為水性的)。在又一實施例中，所提供的流體包括在去離子(DI)水中的約0.3 wt%與約0.0003 wt%之間的酸(例如，HCl)。提供的流體可以在約4攝氏度與約80攝氏度之間。在一個實例中，提供的流體為包含TiN、H 2O 2及HCl的清潔溶液。將該清潔溶液噴射至304提供的晶圓上後，TiN及H 2O 2由於化學反應變成TiOx及H 2O，且HCl溶解TiOx起到清潔作用。
在步驟308，將載氣提供至清潔工具。如本文所描述及說明，在步驟308處提供的載氣可包括氮氣(N2)。在其他實施例中，載氣可以包括空氣、氬氣或其他惰性氣體。載氣可以高壓(例如，大於760托)提供。
在步驟310，控制在步驟308處提供的載氣及/或在步驟306處提供的流體的一或多個參數以將載氣及/或流體噴射至在步驟304處提供的晶圓上。如本文所描述及說明，在步驟310處控制的一或多個參數包括流動速率、溫度、開/關狀態、流體或載氣的類型、時間段、供應模式及/或經由各個氣體通道分支204a及各個流體通道分支206a噴射流體及載氣的任何其他態樣。在各種實施例中，由於本文所說明及描述的新穎清潔工具噴嘴結構及控制引起的半導體裝置上不同位置處的不同流動速率，噴射至半導體裝置上的流體為非線性分佈的。在一些實施例中，在給定時刻由清潔工具噴射的流體或氣體的分佈基於先前噴射至半導體裝置上的流體的圖案密度或基於已經在半導體裝置上的結構的圖案密度來控制。
在各種實施例中，提供一種半導體清潔設備。在那些實施例中，半導體清潔設備包含用以接收載氣的第一入口、用以接收一或多種流體的第二入口、與第一入口連接的第一噴嘴及配置有第二入口的第二噴嘴。在那些實施例中，第一噴嘴用以將載氣噴射至半導體裝置的基板上，且第二噴嘴用以將一或多種流體噴射至半導體裝置的基板上。在那些實施例中，清潔設備進一步包含連接至第一入口的氣體通道及連接至第二入口的流體通道。仍然在那些實施例中，氣體通道包含至少一個氣體通道分支，該至少一個氣體通道分支包括第一氣體通道分支，且流體通道包含至少一個流體通道分支，該至少一個流體通道分支包括第一流體通道分支。在那些實施例中，第一氣體通道分支佈置成與第一流體通道分支相鄰。
在各種實施例中，提供一種用於清潔半導體裝置的方法。在那些實施例中，該方法包含以下步驟：提供半導體清潔設備。在那些實施例中，半導體裝置具有與第一入口連接的第一噴嘴及配置有第二入口的第二噴嘴，第一噴嘴用以將載氣噴射至半導體裝置的基板上，且第二噴嘴用以將一或多種流體噴射至半導體裝置的基板上。該半導體清潔設備進一步包含與第一入口連接的氣體通道，且第二噴嘴包含與第二入口連接的流體通道。氣體通道包含至少一個氣體通道分支，該至少一個氣體通道分支包括第一氣體通道分支，且流體通道包含至少一個流體通道分支，該至少一個流體通道分支包括第一流體通道分支，該第一氣體通道分支佈置成與第一流體通道分支相鄰。在這些實施例中，該方法進一步包含以下步驟：將半導體裝置佈置成由半導體清潔設備清潔；向半導體清潔設備提供一或多種流體；向半導體清潔設備提供載氣；及控制將一或多種流體及載氣噴射至半導體裝置的基板上。在那些實施例中，控制之步驟包括以下步驟：控制載氣以使一或多種流體非線性地分佈在半導體裝置上。
在各種實施例中，提供一種噴嘴。在那些實施例中，噴嘴包含氣體通道及流體通道。在那些實施例中，氣體通道包含氣體通道分支，該些氣體通道分支包括第一氣體通道分支及第二氣體通道分支，且流體通道包含流體通道分支，該些流體通道分支包括第一流體通道分支及第二流體通道分支，第一氣體通道分支佈置成與第一流體通道分支相鄰，且第二氣體通道分支佈置成第二流體通道分支相鄰。
上文概述了數個實施例的特徵，使得熟習此項技術者可以更好地理解本揭示內容的各態樣。熟習此項技術者應理解，熟習此項技術者可以容易地將本揭示內容用作設計或修改其他製程及結構的基礎，以實現與本文介紹的實施例相同的目的及/或實現相同的優點。熟習此項技術者亦應認識到，該些等效構造不脫離本揭示內容的精神及範疇，並且在不脫離本揭示內容的精神及範疇的情況下，該些等效構造可以進行各種改變、替代及變更。
10:濕式清潔工具 12:半導體晶圓 14:腔室 16:驅動機構 18:入口 20、200:噴嘴 202:外殼材料 204a:氣體通道分支 204b:主氣體通道 204a-1~204a-N:氣體通道分支 206a:流體通道分支 206b:主流體通道 206a-1~206a-N:流體通道分支 208:閥 210:第一入口 212:第二入口 214:載氣通道 216:流體通道 220a、220b:噴嘴 250:可程式控制器 300:方法 302、304、306、308、310:步驟
結合附圖，根據以下詳細描述可以最好地理解本揭示內容的各態樣。注意，根據行業中的標準實務，各種特徵未按比例繪製。實際上，為了討論清楚起見，各種特徵的尺寸可任意增加或減小。 第1A圖繪示用於說明本揭示內容的濕式清潔工具。 第1B圖繪示第1A圖所展示的噴嘴將流體及/或載氣噴射至晶圓上以清潔晶圓。 第2A圖繪示用於濕式清潔工具(諸如第1A圖所展示的濕式清潔工具)的例示性噴嘴。 第2B圖繪示第2A圖所展示的噴嘴的例示性組態的側視圖。 第2C圖繪示第2B圖所展示的噴嘴的例示性組態的底視圖。 第3圖為根據本揭示內容的一或多個態樣的清潔半導體基板的方法的實施例的流程圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
300:方法
302、304、306、308、310:步驟

Claims (20)

  1. 一種半導體清潔設備，包含： 一第一入口，用以接收一載氣； 一第二入口，用以接收一或多種流體；及 與該第一入口連接的一第一噴嘴及配置有該第二入口的一第二噴嘴，該第一噴嘴用以將該載氣噴射至一半導體裝置的一基板上，且該第二噴嘴用以將該一或多種流體噴射至該半導體裝置的該基板上，其中該半導體清潔設備進一步包含： 與該第一入口連接的一氣體通道及與該第二入口連接的一流體通道；且其中該氣體通道包含至少一個氣體通道分支，該至少一個氣體通道分支包括一第一氣體通道分支，且該流體通道包含至少一個流體通道分支，該至少一個流體通道分支包括一第一流體通道分支，該第一氣體通道分支與該第一流體通道分支相鄰。
  2. 如請求項1所述之半導體清潔設備，其中該至少一個氣體通道分支包含複數個氣體通道分支，且該至少一個流體通道分支包含複數個流體通道分支，其中該些氣體通道分支及該些流體通道分支以一交替方式排列成一陣列。
  3. 如請求項1所述之半導體清潔設備，其中該第一噴嘴包括一第一閥，該第一閥可調節以在該半導體裝置的該基板上產生一非線性流體分佈。
  4. 如請求項3所述之半導體清潔設備，其中一載氣分佈基於該半導體裝置的該基板上的一圖案密度進行調節。
  5. 如請求項1所述之半導體清潔設備，其中該第一氣體通道分支包含一第一閥，且該流體通道分支包含一第二閥，其中該第一閥獨立於該第二閥被控制。
  6. 如請求項1所述之半導體清潔設備，其中該第一氣體通道分支比一第二氣體通道分支更靠近該第一噴嘴的中心，其中該第一氣體通道分支的直徑小於該第二氣體通道分支的直徑。
  7. 如請求項1所述之半導體清潔設備，其中該第一流體通道分支比一第二流體通道分支更靠近該第二噴嘴的中心，其中該第一流體通道分支的直徑小於該第二流體通道分支的直徑。
  8. 如請求項1所述之半導體清潔設備，其中該至少一個氣體通道分支及該至少一個流體通道分支佈置在該第一或第二噴嘴中形成一交織圖案。
  9. 一種半導體裝置的清潔方法，該方法包含以下步驟： 提供一半導體清潔設備，其中該半導體清潔設備包含與一第一入口連接的一第一噴嘴及配置有一第二入口的一第二噴嘴，該第一噴嘴用以將一載氣噴射至一半導體裝置的一基板上，且該第二噴嘴用以將一或多種流體噴射至該半導體裝置的該基板上，其中該半導體清潔設備進一步包含： 與該第一入口連接的一氣體通道，且該第二噴嘴包含： 與該第二入口連接的一流體通道，其中該氣體通道包含至少一個氣體通道分支，該至少一個氣體通道分支包括一第一氣體通道分支，且該流體通道包含至少一個流體通道分支，該至少一個流體通道分支包括一第一流體通道分支，該第一氣體通道分支佈置成與該第一流體通道分支相鄰； 將該半導體裝置佈置成由該半導體清潔設備清潔； 向該半導體清潔設備提供該一或多種流體； 向該半導體清潔設備提供該載氣；及 控制將該一或多種流體及該載氣噴射至該半導體裝置的該基板上，其中該控制之步驟包括以下步驟： 控制該載氣以使該一或多種流體非線性地分佈在該半導體裝置上。
  10. 如請求項9所述之方法，其中該至少一個氣體通道分支包含複數個氣體通道分支，且該至少一個流體分支包含複數個流體通道分支，其中該些氣體通道分支及流體通道分支佈置成以一交替方式排列成一陣列。
  11. 如請求項9所述之方法，其中該第一噴嘴包括一第一閥，該第一閥可調節以在該半導體裝置的該基板上產生一非線性流體分佈。
  12. 如請求項11所述之方法，其中一載氣分佈可基於該半導體裝置的該基板上的一圖案密度進行調節。
  13. 如請求項9所述之方法，其中該控制之步驟包含以下步驟：連續控制該載氣在該第一氣體通道分支中流動。
  14. 如請求項9所述之方法，其中該控制之步驟包含以下步驟：將該第一氣體通道分支中的該載氣的溫度控制為比該第一流體通道分支中的該一或多種流體的溫度高或低至少10%。
  15. 如請求項9所述之方法，其中該控制之步驟包含以下步驟：將該第一氣體通道分支中的該載氣的溫度控制為比該第一流體通道分支中的該一或多種流體的溫度高或低小於10%。
  16. 如請求項9所述之方法，其中該控制之步驟係基於該半導體裝置的厚度。
  17. 一種噴嘴，包含： 一氣體通道；及 一流體通道，其中該氣體通道包含多個氣體通道分支，該些氣體通道分支包括一第一氣體通道分支及一第二氣體通道分支，且該流體通道包含多個流體通道分支，該些流體通道分支包括一第一流體通道分支及一第二流體通道分支，該第一氣體通道分支佈置成與該第一流體通道分支相鄰，且該第二氣體通道分支佈置成與該第二流體通道分支相鄰。
  18. 如請求項17所述之噴嘴，其中該第一氣體通道分支及該第二氣體通道分支為獨立可控的，使得該第一氣體通道分支中的流動速率及該第二氣體通道分支中的流動速率為可分開且獨立控制的。
  19. 如請求項17所述之噴嘴，其中該第一流體通道分支包含一第一閥，且該第二流體通道分支包含一第二閥，其中該第一閥獨立於該第二閥為可控的。
  20. 如請求項17所述之噴嘴，其中該些氣體通道分支及該些流體通道分支佈置在該噴嘴中以形成一交織圖案。
TW112119911A 2022-06-23 2023-05-29 半導體清潔設備、噴嘴及半導體裝置的清潔方法 TW202400317A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/847,208 2022-06-23
US17/847,208 US20230415204A1 (en) 2022-06-23 2022-06-23 Wet cleaning tool and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202400317A true TW202400317A (zh) 2024-01-01

Family

ID=88590901

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112119911A TW202400317A (zh) 2022-06-23 2023-05-29 半導體清潔設備、噴嘴及半導體裝置的清潔方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230415204A1 (zh)
CN (1) CN219972453U (zh)
TW (1) TW202400317A (zh)

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6248171B1 (en) * 1998-09-17 2001-06-19 Silicon Valley Group, Inc. Yield and line width performance for liquid polymers and other materials
JP2002176026A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP2003007664A (ja) * 2001-06-22 2003-01-10 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
US7297286B2 (en) * 2002-07-29 2007-11-20 Nanoclean Technologies, Inc. Methods for resist stripping and other processes for cleaning surfaces substantially free of contaminants
KR100457053B1 (ko) * 2002-07-30 2004-11-10 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장치
US7311779B2 (en) * 2003-10-06 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Heating apparatus to heat wafers using water and plate with turbolators
JP4410121B2 (ja) * 2005-02-08 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
KR20060125315A (ko) * 2005-06-02 2006-12-06 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 장치
JP4697090B2 (ja) * 2006-08-11 2011-06-08 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 二流体噴霧バーナ
KR100782486B1 (ko) * 2006-08-21 2007-12-05 삼성전자주식회사 세정물질 분사유니트 및 이를 갖는 웨이퍼 세정장치
WO2008114753A1 (ja) * 2007-03-22 2008-09-25 Tokyo Electron Limited 基板載置台，基板処理装置，基板載置台の表面加工方法
JP5012651B2 (ja) * 2008-05-14 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 塗布装置、塗布方法、塗布、現像装置及び記憶媒体
JP5642574B2 (ja) * 2011-01-25 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
WO2013132881A1 (ja) * 2012-03-06 2013-09-12 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体
KR101675021B1 (ko) * 2014-11-12 2016-11-10 가천대학교 산학협력단 마이크로 어레이 기판 제조 방법 및 마이크로 어레이 기판 제조 장치
US10332761B2 (en) * 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6496186B2 (ja) * 2015-05-26 2019-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR20170071922A (ko) * 2015-12-16 2017-06-26 삼성전자주식회사 세정장치
JP6758587B2 (ja) * 2016-07-06 2020-09-23 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 基板支持装置
JP2018065109A (ja) * 2016-10-20 2018-04-26 東京応化工業株式会社 洗浄装置および洗浄方法
CN111162023B (zh) * 2018-11-08 2023-03-21 北京北方华创微电子装备有限公司 喷淋装置及清洗设备
KR102682161B1 (ko) * 2019-09-09 2024-07-08 주식회사 케이씨텍 챔버 세정 장치
JP7543130B2 (ja) * 2020-12-28 2024-09-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN114367488A (zh) * 2022-03-22 2022-04-19 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 一种晶圆的清洁方法及清洁系统
US20230384029A1 (en) * 2022-05-26 2023-11-30 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
US20230415204A1 (en) 2023-12-28
CN219972453U (zh) 2023-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI759461B (zh) 藉由原子層沉積以形成平滑及保形鈷膜的方法及設備
US9837312B1 (en) Atomic layer etching for enhanced bottom-up feature fill
JP7454773B2 (ja) 自己律速型で有限溶解度の反応を使用した湿式原子層エッチングのための処理システム及びプラットフォーム
DE19605254C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Kupferdünnfilmen und chemische Dampfabscheidungsgeräte
US20150034589A1 (en) System and method for forming patterned copper lines through electroless copper plating
TWI464790B (zh) Film forming method and substrate processing device
KR20170039567A (ko) 칼코게나이드 재료를 캡슐화하기 위한 방법
KR102637397B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
TW201907038A (zh) 在互連線金屬化中的釕層沉積方法及裝置
KR102694693B1 (ko) 자기 제어 및 용해도 제한 반응을 사용하는 습식 원자층 에칭
WO1998043285A1 (en) Direct vapor delivery of enabling chemical for enhanced hf etch process performance
CN112970096A (zh) 蚀刻室中的方向性沉积
KR101665036B1 (ko) 기판 표면 근방의 유체 혼합을 제어하는 마이크로전자 기판의 습식 처리
TW201928108A (zh) 釕的選擇性原子層沉積
TW201925513A (zh) 增強選擇性沉積製程
EP3933892A1 (en) Dry etching method, method for manufacturing semiconductor device, and etching device
US6221766B1 (en) Method and apparatus for processing refractory metals on semiconductor substrates
TW202400317A (zh) 半導體清潔設備、噴嘴及半導體裝置的清潔方法
JP4348835B2 (ja) クリーニング方法
CN116406476A (zh) 基片处理方法和基片处理装置
US6780250B2 (en) System and method for integrated oxide removal and processing of a semiconductor wafer
WO2023181462A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
US20220148885A1 (en) Systems For Etching A Substrate Using A Hybrid Wet Atomic Layer Etching Process
KR20230145342A (ko) 하이브리드 습식 원자층 에칭 공정을 사용하여 기판을에칭하는 방법
TW202405932A (zh) 非等溫濕式原子層蝕刻之方法