TW202349758A - 金屬板和使用其的沉積遮罩及其製造方法 - Google Patents
金屬板和使用其的沉積遮罩及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202349758A TW202349758A TW112112652A TW112112652A TW202349758A TW 202349758 A TW202349758 A TW 202349758A TW 112112652 A TW112112652 A TW 112112652A TW 112112652 A TW112112652 A TW 112112652A TW 202349758 A TW202349758 A TW 202349758A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- metal plate
- inclusions
- less
- size
- contained
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 305
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 305
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000010187 selection method Methods 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 36
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 25
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 24
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 7
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 7
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000003828 vacuum filtration Methods 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002065 alloy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229930091051 Arenine Natural products 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本發明的目的在於管理用於製造高解析度沉積遮罩的金屬板的夾雜物，因此提供一種用於篩選適合夾雜物的管理標準的金屬板的金屬板的篩選方法、根據該方法的金屬板以及使用金屬板製造沉積遮罩的沉積遮罩的製造方法及根據該方法製造的沉積遮罩。
Description
本發明係有關於一種被篩選為能夠用於製造OLED顯示器的金屬板、使用所述金屬板製造沉積遮罩的方法以及根據該方法製造的沉積遮罩。
OLED（有機發光二極體；Organic Light Emitting Diodes）是一種利用電致發光現象自行發光的有機自發光材料，可實現厚度薄的平面顯示器的生產，並可應用於可彎曲或折疊的顯示器，因此當今在顯示器市場備受矚目。特別地，近年來，根據小型化和高精度的需求，具有500ppi（每英寸像素，pixels per inch）以上像素密度的顯示器或具有800ppi以上像素密度的顯示器受到關注。
當使用所述OLED形成顯示器的像素時，已知使用包括以期望圖案佈置的貫通孔的金屬遮罩以期望圖案形成像素的方法。具體地，首先使金屬遮罩緊貼於OLED顯示器用基板，然後將金屬遮罩和基板兩者放入沉積裝置中以沉積有機材料等。金屬遮罩通常可以藉由使用光刻技術的蝕刻在金屬板上形成貫通孔來製造。
發明所欲解決之問題
通常，金屬遮罩用金屬板可藉由電鑄電鍍法或軋製方法製造，並且當採用雙合軋製方法時，與電鑄電鍍法相比，可以製造具有優異機械特性的金屬遮罩用金屬板。然而，由於金屬板的表面在軋製過程中被擠壓或劃傷，或者內部包含各種尺寸的夾雜物，因此存在貫通孔形狀在金屬板的蝕刻過程中被損壞的問題。結果，難以將藉由軋製方法製造的金屬板應用於貫通孔之間的間隙窄的高解析度產品或小型產品。
為了解決上述問題，本發明的目的在於管理用於製造高解析度沉積遮罩的金屬板的夾雜物。
本發明所欲解決之問題是提供一種用於篩選適合所述夾雜物的管理標準的金屬板的金屬板的篩選方法、使用由此篩選的金屬板製造沉積遮罩的沉積遮罩的製造方法，以及根據該方法製造的沉積遮罩。
本發明所欲解決之問題並不限於上述技術問題，本領域普通技術人員可以從以下描述中清楚地理解其他未提及的技術問題。
解決問題之技術手段
用於達成所述技術問題，根據本發明的第一方面（Aspect），提供一種金屬板，用於藉由形成多個貫通孔來製造沉積遮罩，其中，所述金屬板具有50μm以下的厚度t0並包括在厚度方向上彼此相向的第一表面和第二表面，當所述金屬板還包括含鐵和鎳的合金以及除了所述鐵和鎳之外的多個夾雜物時，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量為25,000個以下。
所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量可以為20,000個以上且25,000個以下。
所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量可以為0個以上且1,000個以下。
所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量可以為10個以上且300個以下。
所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量可以為16,000個以下。
所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量可以為13,000以上且16,000個以下。
所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量可以為1,000個以下。
所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸為3μm～5μm的第三夾雜物的數量可以為200個以上且300個以下。
可以不包含所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸大於5μm的第四夾雜物。
所述金屬板可以包括：上層，從第一表面在厚度方向上構成厚度t0的0%～35%；下層，從第二表面在厚度方向上構成厚度t0的0%～35%；以及中間層，構成所述上層與下層之間的內部並構成厚度t0的35%～60%。
所述金屬板的中間層的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量可以大於所述金屬板的上層或下層所包含的第一夾雜物的數量。
用於達成所述技術問題，根據本發明的第二方面，提供一種沉積遮罩的製造方法，用於製造具有形成有多個貫通孔的有效區域和位於所述有效區域的周圍的周圍區域的沉積遮罩，其中，所述方法包括：準備金屬板的步驟，所述金屬板具有50μm以下的厚度t0並包括在厚度方向上彼此相向的第一表面和第二表面；形成抗蝕圖案的步驟，在所述金屬板上形成抗蝕圖案；蝕刻步驟，以所述抗蝕圖案作為遮罩對所述金屬板進行蝕刻，以在所述金屬板中即將構成所述有效區域的區域內形成所述貫通孔，當所述金屬板還包括含鐵和鎳的合金以及除了所述鐵和鎳之外的多個夾雜物時，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量為25,000個以下。
在所述沉積遮罩的製造方法中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量可以為20,000個以上且25,000個以下。
在所述沉積遮罩的製造方法中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量可以為0個以上且1,000個以下。
在所述沉積遮罩的製造方法中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量可以為10個以上且300個以下。
在所述沉積遮罩的製造方法中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量可以為16,000個以下。
在所述沉積遮罩的製造方法中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量可以為13,000以上且16,000個以下。
在所述沉積遮罩的製造方法中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量可以為1,000個以下。
在所述沉積遮罩的製造方法中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸為3μm～5μm的第三夾雜物的數量可以為200個以上且300個以下。
在所述沉積遮罩的製造方法中，可以不包含所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸大於5μm的第四夾雜物。
在所述沉積遮罩的製造方法中，所述金屬板可以包括：上層，從第一表面在厚度方向上構成厚度t0的0%～35%；下層，從第二表面在厚度方向上構成厚度t0的0%～35%；以及中間層，構成所述上層與下層之間的內部並構成厚度t0的35%～60%。
在所述沉積遮罩的製造方法中，所述金屬板的中間層的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量可以大於所述金屬板的上層或下層所包含的第一夾雜物的數量。
在所述沉積遮罩的製造方法中，可以使用所述金屬板的中間層作為所述有效區域。
用於達成所述技術問題，根據本發明的第三方面，提供一種沉積遮罩，具有形成有多個貫通孔的有效區域和位於所述有效區域的周圍的周圍區域，其中，所述沉積遮罩的有效區域和周圍區域形成於包括在厚度方向上彼此相向的第一表面和第二表面的金屬板，當所述金屬板還包括含鐵和鎳的合金以及除了所述鐵和鎳之外的多個夾雜物時，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量為25,000個以下。
在所述沉積遮罩中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量可以為20,000個以上且25,000個以下。
在所述沉積遮罩中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量可以為0個以上且1,000個以下。
在所述沉積遮罩中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量可以為10個以上且300個以下。
在所述沉積遮罩中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量可以為16,000個以下。
在所述沉積遮罩中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量可以為13,000以上且16,000個以下。
在所述沉積遮罩中，所述金屬板的每單位體積1mm
3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量可以為1,000個以下。
其他實施例的具體細節包括在實施方式和圖式中。
對照先前技術之功效
本發明藉由分析原材料的內部所包含的夾雜物，根據該夾雜物的分析結果篩選並製造金屬板，並使用由此製造的金屬板製造沉積遮罩，從而可以獲得以下功效。
首先，可以根據金屬板的特性水平來預測沉積遮罩的不良與否，從而可以減少製造不良沉積遮罩所需的不必要的時間和資源浪費。
其次，最終可以提高良品的沉積遮罩的良率來提前防止OLED顯示器中出現不良。
本發明的功效並不限於上述功效，本領域普通技術人員可以從以下描述中清楚地理解其他未提及的功效。
在下文中，將參考圖式詳細描述本發明的多個實施例。圖式中相同的元件使用相同的元件符號，並且省略其重複描述。
本發明的特徵在於，藉由分析金屬板中所包含的夾雜物（Inclusion）來篩選具有適合製造沉積遮罩的夾雜物條件的金屬板、使用由此篩選的金屬板製造用於製造高解析度用顯示器的沉積遮罩。其中，用於夾雜物分析的金屬板可以根據軋製方法製造。並且，高解析度用顯示器可以是OLED（Organic Light Emitting Diodes）顯示器，例如可以是具有500ppi（pixels per inch）以上像素密度的顯示器或具有800ppi以上像素密度的顯示器。在下文中，描述金屬遮罩作為沉積遮罩的一示例。
首先，對金屬板中所包含的夾雜物進行說明。
用於製造金屬遮罩的金屬板可以由含鐵和鎳的鐵合金製成。然而，由於在製造金屬板母材的溶解步驟中添加了用於去除雜質的添加劑（例如，鋁、矽等）等，因此金屬板除了鐵、鎳、鈷等之外還可以包含其他顆粒。在本發明中，將金屬板中所包含的除了鐵、鎳、鈷等之外的其他顆粒定義為夾雜物。
在使用金屬板製造金屬遮罩的情況下，金屬板中所包含的夾雜物可能影響金屬遮罩的製造步驟。具體地，夾雜物的尺寸會影響金屬遮罩板的製造步驟，夾雜物的數量也會影響金屬遮罩板的製造步驟。
在使用金屬板製造金屬遮罩的情況下，可以藉由在對金屬板進行蝕刻形成多個貫通孔來製造金屬遮罩。貫通孔可用於在顯示器上形成所需圖案的像素。
然而，在夾雜物的尺寸大於適當尺寸或夾雜物的數量大於適當數量的情況下，當以蝕刻方法形成貫通孔時，蝕刻後金屬板的內部藉由貫通孔暴露或表面被蝕刻導致殘留在所述金屬板內部的夾雜物從金屬板脫離而產生凹痕缺陷，因此在金屬板中形成貫通孔時，貫通孔的形狀偏離設計值，從而無法形成所需形狀的貫通孔或形成有貫通孔的金屬板無法形成適度的耐久性水平（金屬板能夠承受金屬遮罩的張緊工序中的張力的水平），並且無法在顯示器上形成所需圖案的像素。
因此，在本發明中，可以藉由分析金屬板中所包含的夾雜物的尺寸和數量，篩選具有適合製造金屬遮罩的夾雜物條件的金屬板，使用由此篩選的金屬板製造金屬遮罩。
在下文中，結合圖式等詳細說明本發明。
首先，對直到篩選金屬板為止的過程進行說明。
圖1是依次說明根據本發明的一實施例篩選具有適合製造金屬遮罩的夾雜物條件的金屬板的方法的流程圖。
首先，準備多個金屬板（S110）。其中，各個金屬板可以由含鐵成分、鎳成分、鈷成分等的合金製成，可以根據軋製方法製造。並且，各個金屬板可以卷繞在輥（Roll）的狀態提供。
各個金屬板可以具有預定厚度，較佳地，各個金屬板可以具有50μm以下的厚度（0μm＜金屬板的厚度≤50μm）。更佳地，各個金屬板可以具有30μm以下的厚度（0μm＜金屬板的厚度≤30μm）。
此時，當金屬板的厚度大於50μm時，可能難以實現應用於高解析度顯示器的金屬遮罩所需的貫通孔的規格或形狀。更具體地，在高解析度顯示器的情況下，形成於金屬遮罩的多個貫通孔之間的隔開間距應設置成較窄或所述貫通孔的尺寸應小於應用於低解析度顯示器的金屬遮罩。
然而，當對金屬板的一面或兩面進行蝕刻來形成凹陷區域（大孔或小孔）時，不僅在金屬板的厚度方向上蝕刻出所述凹陷區域，而在寬度方向上也同時進行蝕刻，因此應用於高解析度顯示器的金屬遮罩中相鄰的凹陷區域或貫通孔的一部分彼此重疊而導致無法形成較佳的貫通孔的隔開間距或形狀的問題。
準備多個金屬板後，從各個金屬板取出試樣（S120），分析試樣中所包含的夾雜物並測定夾雜物的尺寸和數量（S130）。
在本實施例中，可以將試樣中所包含的各種成分中除了鐵成分和鎳成分之外的其他成分定義為夾雜物。或者，也可以將除了鐵成分、鎳成分和鈷成分之外的其他成分定義為夾雜物。夾雜物例如可以是鋁成分、鎂成分、矽成分、磷成分、硫成分、鉻成分、鋯成分等，也可以是含多種成分的化合物。其中，化合物被定義為包括氧化物、硫化物、碳化物、氮化物、金屬間化合物等的概念。
在分析夾雜物的情況下，可以使用能夠測定來自試樣的夾雜物的尺寸和數量的夾雜物分析系統。在下文中，對夾雜物分析系統進行說明。
圖2是顯示根據本發明的一實施例的金屬板的篩選方法中應用的夾雜物分析系統的概略結構的概念圖。
在下面的描述中，作為夾雜物分析系統200的一實施例，將描述使用藥液220過濾多個試樣210a、210b、…、210n的系統（Filtering System）。如圖2所示，所述夾雜物分析系統200可以包括藥液220、混合容器230、過濾裝置240以及夾雜物測定裝置250。
藥液220是用於溶解各個試樣210a、210b、…、210n的物質。具體地，藥液220可以溶解鐵成分和鎳成分，但不溶解含其他成分的夾雜物。或者，藥液220可以溶解鐵成分、鎳成分和鈷成分，但不溶解含其他成分的夾雜物。夾雜物是在藥液220中的溶解性差的顆粒，藥液220例如可以是含硝酸成分的溶液。或者，也可以是含硫酸或過氧化氫成分的溶液。只要是含有能夠溶解鐵成分和鎳成分的成分的溶液，含其他成分的溶液也可以用作藥液220。
將藥液220與各個試樣210a、210b、…、210n一起放入混合容器230中，可以溶解各個試樣210a、210b、…、210n來產生各個試樣210a、210b、…、210n和藥液220混合的混合物。在使用藥液220溶解各個試樣210a、210b、…、210n的情況下，可以使用磁性體。磁性體例如可以是磁性板（Magnetic Plate）。
過濾裝置240用於過濾混合物來從混合物中提取夾雜物。過濾裝置240可以使用真空過濾（Vacuum Filtration）方法從混合物提取夾雜物，但本實施例並不限於該方法，只要是能夠從混合物有效提取夾雜物，本實施例也可以使用除真空過濾之外的其他方法。
在過濾裝置240是使用真空過濾來過濾混合物的裝置的情況下，可以包括第一容器310、過濾器320、第二容器330和施壓模組340，如圖3所示。
圖3是顯示構成圖2所示的夾雜物分析系統的過濾裝置的概略結構的概念圖。
第一容器310是混合物所放入的容器。第一容器310可以在其內部下表面包括過濾器320以過濾混合物，可以與位於其下部的第二容器330連接以收容藉由過濾器320與夾雜物分離的液體。第一容器310例如可以是漏斗（Funnel），可以使用夾具（Clamp）將第一容器310固定於第二容器330上。
過濾器320可以在膜上形成有均勻尺寸的細孔以過濾混合物。過濾器320可以以安裝於金屬網的狀態設置於第一容器310的內部，可以設置成具有網狀（Mesh）的膜過濾器（Membrane Filter）。可以根據試樣210a、210b、…、210n的尺寸選擇和應用具有適當尺寸的過濾器320和細孔。例如，過濾器320可以具有30mm～40mm的尺寸。或者，過濾器320可以具有40mm～50mm的尺寸。並且，細孔可以具有0.2μm以下的尺寸（0μm＜細孔的尺寸≤0.2μm）。或者，細孔可以具有0.1μm以下的尺寸（0μm＜細孔的尺寸≤0.1μm）。
第二容器330的最大可收容容量可以大於第一容器310。第二容器330的最大可收容容量例如可以為1000ml，第一容器310的最大可收容容量例如可以為300ml。然而，本實施例並不限於此。第一容器310和第二容器330的最大可收容容量可以相同，第一容器310的最大可收容容量也可以大於第二容器330。
當藉由過濾器320過濾混合物時，第二容器330的內部可以形成真空狀態。為此，第二容器330的內部可以與施壓模組340連接，例如可以設置成瓶子（Bottle），即過濾瓶。
施壓模組340用於對第二容器330的內部施壓。為此，施壓模組340可以設置成壓力計，藉由具有預定長度的管子（Tube）連接於第二容器330的內部。施壓模組340例如可以設置成真空泵（Vacuum Pump），以將第二容器330的內部形成真空狀態。
再次參照圖2進行說明。
夾雜物測定裝置250用於測定殘留在過濾器320上的夾雜物。過濾器320可以在過濾混合物後進行乾燥來去除水分。在過濾器320的乾燥完成後，夾雜物測定裝置250可以觀察過濾器320的表面並測定夾雜物的尺寸和數量。夾雜物測定裝置250例如可以設置成掃描電子顯微鏡（SEM；Scanning Electron Microscope）或光學顯微鏡等。當夾雜物測定裝置250設置成掃描電子顯微鏡時，可以使用放大倍數為400倍～500倍的顯微鏡作為其對象。或者，也可以應用能夠以更高的放大倍數觀察和測定待測物的顯微鏡。
其中，過濾器320可以使用自然乾燥方式去除水分，也可以使用乾燥裝置進行乾燥以在限定的時間內完成乾燥。過濾器320例如可以使用供應熱風（Hot Air）的乾燥裝置來進行乾燥。
夾雜物測定裝置250將過濾器320劃分為多個區域後，基於各個區域的測定結果計算過濾器320的整個區域的夾雜物的尺寸和數量。
例如，過濾器320可以劃分為第一區域410、第二區域420、第三區域430、第四區域440、第五區域450、第六區域460、第七區域470、第八區域480、第九區域490等九個區域410、420、430、440、450、460、470、480、490，如圖4所示。在這種情況下，夾雜物測定裝置250可以對九個區域410、420、430、440、450、460、470、480、490分別進行測定，並基於測定結果計算過濾器320的整個區域的夾雜物的尺寸和數量。
例如，對各個區域指定5個～50個點（Point），使用掃描電子顯微鏡檢查各個點並測定各個區域的夾雜物的尺寸和數量，從而可以計算過濾器320的整個區域的夾雜物的尺寸和數量，點是指藉由夾雜物測定裝置250觀察和測定的圖像單位。例如，當夾雜物測定裝置250設置成掃描電子顯微鏡時，點可以是按照掃描電子顯微鏡的放大倍數觀察和測定的圖像單位。點例如可以具有0.2mm
2～1.0mm
2的尺寸。點的尺寸不限於所述範圍，可以根據過濾器的尺寸或從金屬板取出的試樣的水平而容易變更和應用。圖4是用於說明構成夾雜物分析系統的夾雜物測定裝置的夾雜物測定方法的示例圖。
然而，本發明並不限於此，夾雜物測定裝置250可以在將過濾器320劃分為多個區域後，選擇其中幾個區域，並測定所選區域的夾雜物的尺寸和數量，由此也可以估算或換算過濾器320的整個區域的夾雜物的尺寸和數量。
例如，選擇相當於過濾器320的整個區域的5%～10%的面積的至少一個區域，並對所選區域指定5個～50個點，使用掃描電子顯微鏡檢查各個點來測定所選區域的夾雜物的尺寸和數量，由此能夠估算過濾器320的整個區域的夾雜物的尺寸和數量。然而，在執行上述方法的情況下，夾雜物測定裝置250可以將夾雜物均勻分佈於過濾器320的整個區域的情況作為前提來估算過濾器320的整個區域的夾雜物的尺寸和數量。
夾雜物測定裝置250也可以不將過濾器320劃分為多個區域，並計算過濾器320的整個區域的夾雜物的尺寸和數量。例如，在過濾器320的整個區域指定幾十個至幾百個點，並使用掃描電子顯微鏡檢查各個點來計算過濾器320的整個區域的夾雜物的尺寸和數量。
然而，本發明並不限於此，夾雜物測定裝置250可以選擇過濾器320的整個區域中的一部分區域，並測定所選區域的夾雜物的尺寸和數量，由此可以估算過濾器320的整個區域的夾雜物的尺寸和數量。同樣，在這種情況下，夾雜物測定裝置250可以將夾雜物均勻分佈於過濾器320的整個區域的情況作為前提條件來估算過濾器320的整個區域的夾雜物的尺寸和數量。
再次參照圖1進行說明。
在分析各個試樣210a、210b、…、210n來測定夾雜物的尺寸和數量（S130）後，基於各個試樣210a、210b、…、210n的分析結果將各個金屬板篩選為良品或不良品（S140）。
在基於各個試樣210a、210b、…、210n的分析結果將各個金屬板篩選為良品或不良品的情況下（S140），可以同時考慮夾雜物的尺寸和夾雜物的數量來將各個金屬板篩選為良品或不良品。或者，也可以僅考慮夾雜物的尺寸來將各個金屬板篩選為良品或不良品。或者，也可以僅考慮夾雜物的數量來將各個金屬板篩選為良品或不良品。
在同時考慮夾雜物的尺寸和夾雜物的數量來將各個金屬板篩選為良品或不良品的情況下，若夾雜物的尺寸為標準尺寸以下且具有各種尺寸的夾雜物的數量為標準數量以下，則可以將相應金屬板判斷為良品。
在僅考慮夾雜物的尺寸來將各個金屬板篩選為良品或不良品的情況下，若夾雜物的尺寸為標準尺寸以下，則可以將相應金屬板判斷為良品。
在僅考慮夾雜物的數量來將各個金屬板篩選為良品或不良品的情況下，若夾雜物的數量為標準數量以下，則可以將相應金屬板判斷為良品。
將各個金屬板篩選為良品或不良品可以由控制單元執行。如圖5所示，控制單元500與夾雜物分析系統200連接，可以從夾雜物測定裝置250接收各個試樣210a、210b、…、210n的分析結果並將各個金屬板篩選為良品或不良品。控制單元500可以設置成電腦或伺服器等，以執行這種運算操作。圖5是顯示根據本發明的一實施例的金屬板的篩選方法中應用的夾雜物分析系統與控制單元的關係的概念圖。
另一方面，作為本發明的又一實施例，基於從夾雜物測定裝置250接收的分析結果將金屬板篩選為良品/不良品的操作可以不使用控制單元500，也可以使用其他手段。例如，將金屬板篩選為良品/不良品的操作也可以由操作人員執行。操作人員可以基於從夾雜物測定裝置250接收的分析結果，藉由與後述的夾雜物標準手動對比，將取出適合該標準的試樣的金屬板卷繞體判斷為良品，可以用於製造金屬遮罩，並應用於後續步驟。
將各個金屬板篩選為良品或不良品（S140）後，對篩選為良品的金屬板的兩面進行表面處理（S150）。在這種情況下，可以藉由減薄（Slimming）操作，對金屬板的兩面進行表面處理，並從金屬板去除上層和下層，以使用中間層作為有效區域。在本實施例中，也可以從金屬板僅去除上層和下層中的一個。並且，本發明不限於此，在準備的金屬板是最終金屬遮罩的厚度水平的金屬板的情況下，可以省略所述減薄操作。
金屬板中所包含的夾雜物可以根據其尺寸（Size）分為1μm以下（夾雜物的尺寸≤1μm）、大於1μm且3μm以下（1μm＜夾雜物的尺寸≤3μm）、大於3μm且10μm以下（3μm＜夾雜物的尺寸≤10μm）、大於10μm（夾雜物的尺寸＞10μm）等。如圖6所示，在高度方向（即，第三方向30）將金屬板劃分為構成上表面的上層H Layer、構成下表面的下層L Layer、構成上表面與下表面之間的內部的中間層M Layer等三層，生產高解析度顯示器裝置時導致不良的尺寸大於1μm且3μm以下的第二夾雜物620、尺寸大於3μm且10μm以下的第三夾雜物630、尺寸大於10μm的第四夾雜物640等偏向分佈於上層H Layer和下層L Layer，在中間層M Layer分佈的大部分是尺寸為1μm以下的第一夾雜物610 。再者，第一方向10、第二方向20及第三方向30可分別為例如X軸方向、Y軸方向及Z軸方向。
因此，在本實施例中，考慮到金屬板的這些方面，可以從各個金屬板去除上層H Layer和下層L Layer（S150）。在從金屬板去除上層H Layer和下層L Layer的情況下，可以使用蝕刻方法（Etching Method）。然而，本實施例不限於此，只要能夠從金屬板有效去除上層H Layer和下層L Layer，也可以使用除了蝕刻方法之外的其他任何方法。圖6是用於進一步說明根據本發明的一實施例的金屬板的篩選方法中應用的表面處理方法的參考圖。
在對金屬板的兩面進行表面處理的情況下（S150），可以從上表面去除總厚度的0%～35%以去除上層H Layer。同樣，可以從下表面去除總厚度的0%～35%以去除下層L Layer。在這種情況下，將總厚度的35%～60%保留為中間層M Layer。
如上所述，金屬板的厚度可以設置成30μm以下。或者，金屬板的厚度可以設置成50μm以下。分別去除上層H Layer和下層L Layer後，中間層M Layer的厚度可以形成為20μm以下 （0μm＜中間層M Layer的厚度≤20μm）。
在對金屬板的兩面進行表面處理的情況下（S150），可以藉由上下均勻蝕刻或上下非對稱蝕刻去除上層H Layer和下層L Layer。並且，可以藉由選擇性地調節有效區域（即，中間層M Layer）的位置和厚度，改變上層H Layer的高度方向的厚度t1、中間層M Layer的高度方向的厚度t2以及下層L Layer的高度方向的厚度t3。對有效區域的選擇性調節可能取決於夾雜物測定裝置250的測定結果。
作為一實施例，當製造後述的金屬遮罩時，在上層H Layer和下層L Layer中形成有與玻璃基板（相當於顯示器）對應的貫通孔（小孔）的側面被蝕刻得更多。這是因為越向金屬板的內側，尺寸小的夾雜物的分佈密度更高，根據多次實驗以及觀察和測定結果發現，根據夾雜物的尺寸進行蝕刻時，相當於小孔的貫通孔對孔的形狀的影響更大。
如上所述，控制單元500可以將各個金屬板篩選為良品或不良品（S140）。控制單元500可以基於夾雜物測定裝置250的測定結果，將適合預定條件的金屬板判斷為良品。然而，本發明並不限於此，也可以在工程師從金屬板取出試樣並進行過濾和分析後，直接判斷取出試樣的金屬板的良品/不良品與否。
控制單元500可以考慮夾雜物的尺寸來將金屬板判斷為良品或不良品。在這種情況下，控制單元500可以將僅包含標準尺寸以下的夾雜物的金屬板判斷為良品。例如，控制單元500可以將僅包含第一夾雜物610的金屬板判斷為良品。或者，控制單元500可以將僅包含第一夾雜物610和第二夾雜物620的金屬板判斷為良品。或者，控制單元500可以將僅包含第一夾雜物610、第二夾雜物620和第三夾雜物630的金屬板判斷為良品。即，控制單元500可以將不包含第四夾雜物640的金屬板判斷為良品。
在篩選金屬板的步驟中，控制單元500可以同時考慮夾雜物的尺寸和數量來將金屬板判斷為良品或不良品。在這種情況下，控制單元500可以將包含標準數量以上的小於標準尺寸或標準尺寸以下的夾雜物的金屬板判斷為良品。
另一方面，如上文關於藥液的說明，藥液220可以選擇性地應用溶解鐵成分、鎳成分和鈷成分，但不溶解含其他成分的夾雜物的溶液。然而，即使是相同的金屬板，夾雜物的測定結果也可能根據所述藥液的種類不同，因此應選擇和應用最佳化條件，以根據藥液的種類判斷相應金屬板是良品還是不良品。
下面作為一例提供的藥液的種類和根據所述藥液的種類的最佳化條件是本發明的發明人基於藉由大量反復實驗得出的結果而選擇的。
例如，在第一藥液是含硫酸或過氧化氫成分的藥液的情況下，與試樣210a、210b、…、210n混合時，可以選擇將每1mm
3僅包含25,000個以下的小於1μm的第一夾雜物610，較佳地僅包含20,000個～25,000個以下的金屬板判斷為良品作為條件。或者，可以選擇將每1mm
3包含20,000個～25,000個以下的小於1μm的第一夾雜物610且每1mm
3包含13,000個～16,000個以下的1μm～3μm範圍的第二夾雜物620的金屬板判斷為良品作為條件。或者，可以選擇將每1mm
3包含20,000個～25,000個以下的小於1μm的第一夾雜物610、每1mm
3包含13,000個～16,000個以下的1μm～3μm範圍的第二夾雜物620且每1mm
3包含200個～300個以下的3μm～5μm範圍的第三夾雜物630的金屬板判斷為良品作為條件。或者，可以選擇將每1mm
3包含20,000個～25,000個以下的小於1μm的第一夾雜物610、每1mm
3包含13,000個～16,000個以下的1μm～3μm範圍的第二夾雜物620、每1mm
3包含200個～300個以下的3μm～5μm範圍的第三夾雜物630且不包含大於5μm的第四夾雜物640的金屬板判斷為良品作為條件。
另一方面，在將第一藥液和其他第二藥液（例如，含硝酸成分的藥液）與試樣210a、210b、…、210n混合的情況下，可以選擇將每1mm
3包含1,000個以下的小於1μm的第一夾雜物610的金屬板判斷為良品作為條件。較佳地，選擇將每1mm
3包含500個以下的小於1μm的第一夾雜物610的金屬板判斷為良品作為條件。更佳地，選擇將每1mm
3包含10個以上且300個以下的小於1μm的第一夾雜物610的金屬板判斷為良品作為條件。
或者，也可以選擇將每1mm
3包含1,000個以下的1μm～3μm範圍的第二夾雜物620的金屬板判斷為良品作為條件。較佳地，選擇將每1mm
3包含800個以下的1μm～3μm範圍的第二夾雜物620的金屬板判斷為良品作為條件。
或者，也可以選擇將每1mm
3包含500個以下的小於2μm的第二夾雜物620的金屬板判斷為良品作為條件。較佳地，選擇將每1mm
3包含500個以下的1μm以上且小於2μm的第二夾雜物620的金屬板判斷為良品作為條件。
或者，也可以選擇將每1mm
3包含600個以下的3μm～5μm範圍的第三夾雜物630的金屬板判斷為良品作為條件。
或者，也可以選擇將每1mm
3包含300個以下的小於4μm的第三夾雜物630的金屬板判斷為良品作為條件。較佳地，選擇將每1mm
3包含300個以下的3μm以上且小於4μm的第三夾雜物630的金屬板判斷為良品作為條件。
然而，本發明並不限於此，當同時滿足選自關於所述小於1μm的第一夾雜物610的條件、關於所述1μm～3μm範圍的第二夾雜物620的條件、關於所述小於2μm的第二夾雜物620的條件、關於所述1μm以上且小於2μm的第二夾雜物620的條件、關於所述3μm～5μm範圍的第三夾雜物630的條件、關於所述小於4μm的第三夾雜物630的條件以及關於所述3μm以上且小於4μm的第三夾雜物630的條件中的多個條件時，可以將相應金屬板判斷為良品。
另一方面，控制單元500可以考慮夾雜物的數量將金屬板判斷為良品或不良品。在這種情況下，控制單元500可以將包含標準數量以上的特定尺寸的夾雜物的金屬板判斷為良品。例如，控制單元500可以將每1mm
3包含20,000個～25,000個以下的第一夾雜物610的金屬板判斷為良品。或者，控制單元500可以將每1mm
3包含13,000個～16,000個以下的第二夾雜物620的金屬板判斷為良品。或者，控制單元500可以將每1mm
3包含200個～300個以下的第三夾雜物630的金屬板判斷為良品。
在以上參照圖1至圖6描述的金屬板的篩選方法中，在將金屬板判斷為良品和不良品中的任一種後，從金屬板去除上層H Layer和下層L Layer並提取中間層M Layer。然而，本實施例不限於此。即，在本實施例中，也可以從金屬板去除上層H Layer和下層L Layer並提取中間層M Layer後，從該中間層M Layer取出試樣來將金屬板判斷為良品和不良品中的任一種。
另一方面，在所述實施例中，雖然以提取中間層M Layer的情況為例進行了說明，但也可以從中間層M Layer的上部和下部分別殘留一部分上層H Layer和下層L Layer的結構中取出試樣。
圖7是依次說明根據本發明的另一實施例篩選具有適合製造金屬遮罩的夾雜物條件的金屬板的方法的流程圖。
首先，準備多個金屬板（S710）。
其次，從各個金屬板去除上層H Layer和下層L Layer，以使用中間層M Layer作為有效區域（S720）。此時，如上所述，可以藉由選擇性地調節有效區域（即，中間層M Layer）的位置和厚度，改變上層H Layer的高度方向的厚度t1、中間層M Layer的高度方向的厚度t2以及下層L Layer的高度方向的厚度t3。當然，也可以應用待去除的上層和下層的去除水平不同的非對稱蝕刻方法。
再次，從各個金屬板的中間層M Layer取出試樣210a、210b、…、210n，使用夾雜物分析系統200 分析該試樣210a、210b、…、210n的夾雜物，測定夾雜物的尺寸和數量等（S730）。
最後，使用控制單元500來將各個金屬板篩選為良品或不良品（S740）。控制單元500可以基於夾雜物測定裝置250的測定結果，將適合預定條件的金屬板判斷為良品。
在本實施例中，與上述情況不同地，將金屬板篩選為良品/不良品的操作不限於由控制單元500執行，例如可以由操作人員手動執行。即，操作人員可以基於從夾雜物測定裝置250接收的分析結果，與預設夾雜物標準對比，將取出適合該標準的試樣的金屬板卷繞體判斷為良品，可以用於製造金屬遮罩，並應用於後續步驟。
並且，如上所述，測定金屬板的夾雜物的尺寸和數量等之前，可以藉由兩面蝕刻從金屬板去除上層H Layer和下層L Layer。然而，本實施例並不限於此，也可以藉由單面蝕刻僅去除上層H Layer和下層L Layer中的任一層後，測定各個金屬板的夾雜物的尺寸和數量等。
另一方面，在根據本發明的一實施例篩選的良品金屬板中，單面蝕刻更多的一面側中尺寸小的夾雜物的分佈密度可以更高。尤其，形成金屬遮罩的小孔的方向的一面側中尺寸小於1μm的夾雜物的分佈密度可以更高。
在下文中，對使用金屬板製造金屬遮罩的方法進行說明。圖8是依次說明使用金屬板製造金屬遮罩的方法的流程圖。
首先，準備金屬板（S810）。金屬板可以藉由參照圖5描述的方法製造，也可以藉由參照圖7描述的方法製造。
其次，藉由鑄造（Casting）金屬板來製造遮罩形狀的金屬箔（Metal Foil or Metal Leaf）（S820）。在本實施例中，可以將金屬箔製造成厚度薄的薄膜，例如，金屬箔的厚度可以為50μm以下。較佳地，金屬箔的厚度可以為30μm以下。更佳地，金屬箔的厚度可以為大於10μm且18μm以下。
再次，藉由在遮罩形狀的金屬箔形成多個貫通孔來製造金屬遮罩（S830）。
本發明係有關於一種金屬遮罩用金屬板及其製造方法。並且，本發明係有關於一種OLED顯示器設備用金屬遮罩及其製造方法。在本發明中，藉由測定原材料的夾雜物的分佈度，即從表面至內部的夾雜物的尺寸和數量來得出可用區域（有效區域），並基於所述可用區域依次製造金屬遮罩用金屬板和OLED顯示器用金屬遮罩，從而可以適用於500ppi以上或800ppi以上的高解析度顯示器產品的生產。
在高解析度顯示器產品中，夾雜物的尺寸越大，金屬遮罩更無法正常形成貫通孔，即使夾雜物的尺寸小，如果數量多，也會對產品的量產帶來不利影響。根據本發明，在藉由軋製方法製造金屬板的情況下，可以按照不同金屬板的厚度分析夾雜物的尺寸和分佈，並篩選用於形成圖案的金屬板，還可以使用由此篩選的金屬板製造金屬遮罩。
圖9是顯示對第一實施例的金屬板中所包含的夾雜物設定管理等級的實驗結果的圖。並且，圖10是顯示對第二實施例的金屬板中所包含的夾雜物設定管理等級的實驗結果的圖。圖9示例性地顯示在第一藥液與試樣210a、210b、…、210n混合的情況下將金屬板判斷為良品的標準，圖10示例性地顯示在第一藥液和其他第二藥液與試樣210a、210b、…、210n混合的情況下將金屬板判斷為良品的標準。
本實驗是應用上述夾雜物分析系統和測定裝置進行的。將含有1g鐵的合金金屬板SPL（尺寸：7.6mm*2.6mm*30μm）溶於藥液220，以1mm
3換算將夾雜物分析結果，在使用根據圖9和圖10的實驗結果判斷為良品的金屬板製造金屬遮罩的情況下，製造800ppi以上高解析度產品時可以獲得改善夾雜物引起的不良的功效。
如上所述，雖然參考圖式描述了本發明的實施例，但是本發明不限於所述實施例並且可以以各種不同的形式製造，並且本領域普通技術人員應當理解可以在不改變本發明的技術精神或本質特徵的情況下，可以以其他具體方式實施本發明。因此，上述實施例應被理解為在所有方面都是說明性的而不是限制性的。
10:第一方向
20:第二方向
30:第三方向
200:夾雜物分析系統
210a:試樣
210b:試樣
210n:試樣
220:藥液
230:混合容器
240:過濾裝置
250:夾雜物測定裝置
310:第一容器
320:過濾器
330:第二容器
340:施壓模組
410:第一區域,區域
420:第二區域,區域
430:第三區域,區域
440:第四區域,區域
450:第五區域,區域
460:第六區域,區域
470:第七區域,區域
480:第八區域,區域
490:第九區域,區域
500:控制單元
610:第一夾雜物
620:第二夾雜物
630:第三夾雜物
640:第四夾雜物
H Layer:上層
L Layer:下層
M Layer:中間層
S110:步驟
S120:步驟
S130:步驟
S140:步驟
S150:步驟
S710:步驟
S720:步驟
S730:步驟
S740:步驟
S810:步驟
S820:步驟
S830:步驟
SPL:合金金屬板
t1:厚度
t2:厚度
t3:厚度
圖1為依次說明根據本發明的一實施例篩選具有適合製造金屬遮罩的夾雜物條件的金屬板的方法的流程圖。
圖2為顯示根據本發明的一實施例的金屬板的篩選方法中應用的夾雜物分析系統的概略結構的概念圖。
圖3為顯示構成圖2所示的夾雜物分析系統的過濾裝置的概略結構的概念圖。
圖4為用於說明構成夾雜物分析系統的夾雜物測定裝置的夾雜物測定方法的示例圖。
圖5為顯示根據本發明的一實施例的金屬板的篩選方法中應用的夾雜物分析系統與控制單元的關係的概念圖。
圖6為用於進一步說明根據本發明的一實施例的金屬板的篩選方法中應用的表面處理方法的參考圖。
圖7為依次說明根據本發明的另一實施例篩選具有適合製造金屬遮罩的夾雜物條件的金屬板的方法的流程圖。
圖8為依次說明使用金屬板製造金屬遮罩的方法的流程圖。
圖9為顯示對第一實施例的金屬板中所包含的夾雜物設定管理等級的實驗結果的圖。
圖10為顯示對第二實施例的金屬板中所包含的夾雜物設定管理等級的實驗結果的圖。
S110:步驟
S120:步驟
S130:步驟
S140:步驟
S150:步驟
Claims (18)
- 一種金屬板，用於藉由形成多個貫通孔來製造沉積遮罩，其特徵在於， 所述金屬板具有50μm以下的厚度(t0)並包括在厚度方向上彼此相向的第一表面和第二表面， 當所述金屬板還包括含鐵和鎳的合金以及除了所述鐵和鎳之外的多個夾雜物時，所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量為25,000個以下。
- 如請求項1所述之金屬板，其中， 所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量為20,000個以上且25,000個以下。
- 如請求項1所述之金屬板，其中， 所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量為0個以上且1,000個以下。
- 如請求項3所述之金屬板，其中， 所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量為10個以上且300個以下。
- 如請求項2或3所述之金屬板，其中， 所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量為16,000個以下。
- 如請求項5所述之金屬板，其中， 所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量為13,000以上且16,000個以下。
- 如請求項5所述之金屬板，其中， 所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸為1μm以上且小於3μm的第二夾雜物的數量為1,000個以下。
- 如請求項1所述之金屬板，其中， 所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸為3μm～5μm的第三夾雜物的數量為200個以上且300個以下。
- 如請求項1所述之金屬板，其中，不包含所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸大於5μm的第四夾雜物。
- 如請求項1所述之金屬板，其中， 所述金屬板包括： 上層，從第一表面在厚度方向上構成厚度(t0)的0%～35%； 下層，從第二表面在厚度方向上構成厚度(t0)的0%～35%；以及 中間層，構成所述上層與下層之間的內部並構成厚度(t0)的35%～60%。
- 如請求項10所述之金屬板，其中， 所述金屬板的中間層的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量大於所述金屬板的上層或下層所包含的第一夾雜物的數量。
- 一種沉積遮罩的製造方法，用於製造具有形成有多個貫通孔的有效區域和位於所述有效區域的周圍的周圍區域的沉積遮罩，其特徵在於， 所述方法包括： 準備金屬板的步驟，所述金屬板具有50μm以下的厚度(t0)並包括在厚度方向上彼此相向的第一表面和第二表面； 形成抗蝕圖案的步驟，在所述金屬板上形成抗蝕圖案； 蝕刻步驟，以所述抗蝕圖案作為遮罩對所述金屬板進行蝕刻，以在所述金屬板中即將構成所述有效區域的區域內形成所述貫通孔， 當所述金屬板還包括含鐵和鎳的合金以及除了所述鐵和鎳之外的多個夾雜物時，所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量為25,000個以下。
- 如請求項12所述之沉積遮罩的製造方法，其中， 所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸為3μm～5μm的第三夾雜物的數量為200個以上且300個以下。
- 如請求項12所述之沉積遮罩的製造方法，其中， 不包含所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸大於5μm的第四夾雜物。
- 如請求項12所述之沉積遮罩的製造方法，其中， 所述金屬板包括： 上層，從第一表面在厚度方向上構成厚度(t0)的0%～35%； 下層，從第二表面在厚度方向上構成厚度(t0)的0%～35%；以及 中間層，構成所述上層與下層之間的內部並構成厚度(t0)的35%～60%。
- 如請求項15所述之沉積遮罩的製造方法，其中， 所述金屬板的中間層的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量大於所述金屬板的上層或下層所包含的第一夾雜物的數量。
- 如請求項15或16所述之沉積遮罩的製造方法，其中， 使用所述金屬板的中間層作為所述有效區域。
- 一種沉積遮罩，具有形成有多個貫通孔的有效區域和位於所述有效區域的周圍的周圍區域，其特徵在於， 所述沉積遮罩的有效區域和周圍區域形成於包括在厚度方向上彼此相向的第一表面和第二表面的金屬板， 當所述金屬板還包括含鐵和鎳的合金以及除了所述鐵和鎳之外的多個夾雜物時，所述金屬板的每單位體積1mm 3中所包含的尺寸小於1μm的第一夾雜物的數量為25,000個以下。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2022-0040681 | 2022-03-31 | ||
| KR20220040681 | 2022-03-31 | ||
| KR10-2023-0042933 | 2023-03-31 | ||
| KR1020230042933A KR20230141650A (ko) | 2022-03-31 | 2023-03-31 | 금속판과 이를 활용한 증착 마스크 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202349758A true TW202349758A (zh) | 2023-12-16 |
Family
ID=88203164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW112112652A TW202349758A (zh) | 2022-03-31 | 2023-03-31 | 金屬板和使用其的沉積遮罩及其製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TW202349758A (zh) |
| WO (1) | WO2023191594A1 (zh) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0813094A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 二相ステンレス鋳鋼およびその製法 |
| CN105296929B (zh) * | 2012-01-12 | 2018-06-08 | 大日本印刷株式会社 | 拼版蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 |
| JP6341039B2 (ja) * | 2014-09-29 | 2018-06-13 | 大日本印刷株式会社 | 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法 |
| JP6624504B2 (ja) * | 2015-12-03 | 2019-12-25 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 |
| JP6879109B2 (ja) * | 2017-07-31 | 2021-06-02 | 凸版印刷株式会社 | 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 |
-
2023
- 2023-03-31 TW TW112112652A patent/TW202349758A/zh unknown
- 2023-03-31 WO PCT/KR2023/004397 patent/WO2023191594A1/ko unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2023191594A1 (ko) | 2023-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20210102268A1 (en) | Method for manufacturing metal plate | |
| JP6553010B2 (ja) | 金属板の使用方法 | |
| DE202018006884U1 (de) | Metallplatte zur Herstellung von Gasphasenabscheidungsmasken | |
| US20090025581A1 (en) | Mask for screen printing and screen printing method using the same | |
| JP6341039B2 (ja) | 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法 | |
| US11732361B2 (en) | Metal plate for manufacturing deposition mask, method for manufacturing metal plate, deposition mask and method for manufacturing deposition mask | |
| CN104155156B (zh) | Tem平面样品的制备方法 | |
| JP2004317203A (ja) | 金属中の介在物および析出物の評価方法、および治具 | |
| TW202349758A (zh) | 金屬板和使用其的沉積遮罩及其製造方法 | |
| Susi et al. | Intrinsic core level photoemission of suspended monolayer graphene | |
| CN113192816B (zh) | 一种电子显微镜载网、其制备方法和显微镜产品 | |
| KR20230141650A (ko) | 금속판과 이를 활용한 증착 마스크 및 그 제조 방법 | |
| KR100889921B1 (ko) | 투과 전자현미경용 시편 제조방법 | |
| US20190060839A1 (en) | Cell-capturing filter, method for manufacturing cell-capturing filter, and degradation determination method for cell-capturing filter | |
| Nakagawa | Micro-print and nano-imprint methods combining laser-drilled screen printing and ultraviolet nanoimprint lithography: a review | |
| JP5522726B2 (ja) | メタルマスク印刷版 | |
| CN214477325U (zh) | 一种扫描电镜样品台 | |
| DE102006062015B4 (de) | Verfahren zum Testen einer Materialschicht in einer Halbleiterstruktur auf Unversehrtheit | |
| CN107106926B (zh) | 显微可见的颗粒的高精度定量 | |
| JP2019026900A (ja) | 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 | |
| JP2023507397A (ja) | 薄膜液体セルの作製 | |
| WO2022254620A1 (ja) | 粒子解析装置および粒子解析方法 | |
| EP3805415A1 (en) | Metal plate for manufacturing deposition mask, method for manufacturing metal plate, deposition mask and method for manufacturing deposition mask | |
| JP4455146B2 (ja) | 微量粗大粒子の定量方法および該方法を用いて品質管理された微小粒子製品の製造方法 | |
| WO2024106092A1 (ja) | ウェルアレイフィルター、粒子整列デバイスおよび粒子捕獲方法 |