TW202348737A - 液狀組成物、預浸體、附樹脂之金屬基材、配線板及氧化矽粒子 - Google Patents

液狀組成物、預浸體、附樹脂之金屬基材、配線板及氧化矽粒子 Download PDF

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Abstract

一種液狀組成物及其應用，前述液狀組成物含有熱硬化性樹脂與氧化矽粒子；其中，(1)氧化矽粒子之d50與比表面積在特定範圍內，且組成物之黏度在特定範圍內；(2)氧化矽粒子之d50、及比表面積與d50之積在特定範圍內，且前述液狀組成物更含有具特定表面張力之溶劑；(3)氧化矽粒子之d50/d10在特定範圍內，並且前述液狀組成物更含有具特定之沸點及蒸發速度之溶劑，且組成物之觸變比在特定範圍內；或者，(4)氧化矽粒子之粒徑10µm以上之粒子比例、粒徑之變異係數及d50在特定範圍內。

Description

液狀組成物、預浸體、附樹脂之金屬基材、配線板及氧化矽粒子
本揭示涉及液狀組成物、預浸體、附樹脂之金屬基材、配線板及氧化矽粒子。
含熱硬化性樹脂及氧化矽粒子之液狀組成物係使用於製造可加工成印刷配線板之覆金屬積層體所具備之電絕緣層(參照專利文獻1及2)。具體而言，係使用以下覆金屬積層體：金屬基材層之表面積層有上述液狀組成物之半硬化物作為電絕緣層之覆金屬積層體、或金屬基材層之表面積層有浸滲液狀組成物之玻璃布等作為電絕緣層之覆金屬積層體。近年來，對於印刷配線板所具備之電絕緣層要求更高度的低介電常數、低介電正切、低線膨脹係數等特性。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2013-212956號公報 專利文獻2：日本專利特開2015-36357號公報
發明欲解決之課題 另一方面，由配線板之可靠性的觀點等來看，對於用以形成液狀組成物之半硬化物或浸滲有液狀組成物之玻璃布等電絕緣層的液狀組成物還要求其製成硬化物時對金屬基材層之優異密著性。液狀組成物中所含之氧化矽粒子可期待提升由其形成之電絕緣層之特性的效果，但另一方面其對與金屬基材層之密著性造成之影響大多並不明確。
本發明人獲得了以下見解：因液狀組成物中之氧化矽粒子之含有率、氧化矽粒子之物性之故，半硬化物或浸滲狀態下之物性恐會變化，以致對金屬基材層之密著性降低。 本揭示一實施形態欲解決之課題在於提供一種可形成對金屬基材層之密著性優異之硬化物的液狀組成物及預浸體。本揭示一實施形態欲解決之課題在於提供附樹脂之金屬基材及配線板，其等之液狀組成物、硬化物與金屬基材層之密著性優異。本揭示一實施形態欲解決之課題在於提供一種氧化矽粒子，其係用於調整對金屬基材層之密著性優異之液狀組成物的黏度。
又，本發明人獲得了以下見解：因液狀組成物中之氧化矽粒子之含有率、氧化矽粒子之物性、氧化矽粒子之形狀之故，恐在液狀組成物、其半硬化物、其硬化物等中發生氧化矽粒子凝集以致氧化矽粒子偏存化，從而半硬化物、硬化物等之吸水率上升而密著性降低。 本揭示一實施形態欲解決之課題在於提供可抑制氧化矽粒子之偏存化而可降低製成硬化物等時之吸水率的液狀組成物、預浸體、附樹脂之金屬基材及配線板。本揭示一實施形態欲解決之課題在於提供一種氧化矽粒子，其係用於調整液狀組成物之黏度，該液狀組成物可抑制氧化矽粒子之偏存化，而可降低製成硬化物等時之吸水率。
又，含熱硬化性樹脂及氧化矽粒子之液狀組成物中，由提升液狀組成物所形成之成形體之低介電特性、高溫高濕體耐性等的觀點來看，有時會採用增加氧化矽粒子之添加量來進行緻密填充之手法。然而，發明人得知在此情形下，氧化矽粒子之凝集性會提高，而氧化矽粒子對液狀組成物之浸滲性會降低，從而有無法使氧化矽粒子之特性在成形物中充分發揮的情形。 本揭示一實施形態欲解決之課題在於提供：可抑制氧化矽粒子凝集的液狀組成物、使用前述液狀組成物的預浸體、附樹脂之金屬基材及配線板、以及用於前述液狀組成物的氧化矽粒子。
又，在使用含氧化矽粒子之液狀組成物來製作電絕緣層等成形物時，由降低傳輸損耗等的觀點來看，成形物之表面宜平滑。另一方面，在調製液狀組成物時氧化矽粒子凝集，會有對成形物之表面平滑性造成影響的情形。 本揭示一實施形態欲解決之課題在於提供：可製作表面平滑性優異之成形物的液狀組成物、使用前述液狀組成物的預浸體、附樹脂之金屬基材及配線板、以及用於前述液狀組成物的氧化矽粒子。
用以解決課題之手段 用以解決上述課題之手段包含以下態樣。 ＜1＞一種液狀組成物，含有：熱硬化性樹脂；及，氧化矽粒子，其中值粒徑d50為0.5~20.0µm，且比表面積為0.1~3.5m 2/g；並且，前述液狀組成物在25℃下以旋轉數1rpm測定之黏度為100~10000mPa・s。 ＜2＞如＜1＞之液狀組成物，其中相對於前述熱硬化性樹脂100質量份，前述氧化矽粒子之含量為50~400質量份。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞之液狀組成物，其更含有溶劑，且前述溶劑包含選自於由甲苯、環己酮、甲基乙基酮及N-甲基-2-吡咯啶酮所構成群組中之至少1者。 ＜4＞一種液狀組成物，含有：熱硬化性樹脂；氧化矽粒子，其中值粒徑d50為0.5~20.0µm，且比表面積與中值粒徑d50之積為2.7~5.0µm・m 2/g；及，溶劑，其表面張力為45mN/m以下。 ＜5＞如＜4＞之液狀組成物，其中前述氧化矽粒子之比表面積為0.5~3.5m 2/g。 ＜6＞如＜4＞或＜5＞之液狀組成物，其中相對於前述熱硬化性樹脂100質量份，前述氧化矽粒子之含量為10~400質量份。 ＜7＞如＜4＞至＜6＞中任一項之液狀組成物，其中前述溶劑包含選自於由甲苯、環己酮、甲基乙基酮及N-甲基-2-吡咯啶酮所構成群組中之至少1者。 ＜8＞一種液狀組成物，包含：熱硬化性樹脂；氧化矽粒子，其中值粒徑d50為0.5~20.0µm，中值粒徑d50相對於10%粒徑d10的比大於1.0且在5.0以下；及，溶劑，其沸點為75℃以上，且以乙酸丁酯為基準之蒸發速度為0.3~4.0；並且，前述液狀組成物之觸變比為3.0以下，該觸變比係將以旋轉數1rpm測定之黏度除以以旋轉數60rpm測定之黏度而算出。 ＜9＞如＜8＞之液狀組成物，其中前述氧化矽粒子之中值粒徑d50相對於10%粒徑d10的比為1.2~2.4。 ＜10＞如＜8＞或＜9＞之液狀組成物，其中相對於前述熱硬化性樹脂100質量份，前述氧化矽粒子之含量為10~400質量份。 ＜11＞如＜8＞至＜10＞中任一項之液狀組成物，其中前述溶劑包含選自於由甲苯、環己酮、甲基乙基酮及N-甲基-2-吡咯啶酮所構成群組中之至少1者。 ＜12＞一種液狀組成物，包含：熱硬化性樹脂；及，氧化矽粒子，其利用庫爾特計數法所得之粒度分布中，粒徑10µm以上之粒子比例為500個數ppm以下，粒徑之變異係數為30~80%，並且中值粒徑d50大於1.0µm且在5.0µm以下。 ＜13＞如＜12＞之液狀組成物，其中前述氧化矽粒子之比表面積為0.1~5.0m 2/g。 ＜14＞如＜12＞或＜13＞之液狀組成物，其中前述氧化矽粒子之前述粒徑10µm以上之粒子比例為300個數ppm以下。 ＜15＞如＜12＞至＜14＞中任一項之液狀組成物，其更包含溶劑，該溶劑係選自於由甲苯、甲基乙基酮、N-甲基吡咯啶酮所構成群組中之至少1者。 ＜16＞如＜12＞至＜15＞中任一項之液狀組成物，其中相對於前述熱硬化性樹脂100質量份，前述氧化矽粒子之含量為10~400質量份。 ＜17＞如＜1＞至＜16＞中任一項之液狀組成物，其中前述熱硬化性樹脂為環氧樹脂、聚苯醚樹脂或鄰二乙烯苯樹脂。 ＜18＞一種預浸體，包含：如＜1＞至＜16＞中任一項之液狀組成物或其半硬化物；及，纖維質基材。 ＜19＞一種附樹脂之金屬基材，包含：如＜1＞至＜16＞中任一項之液狀組成物或其半硬化物、或者如＜18＞之預浸體；及，金屬基材層。 ＜20＞如＜19＞之附樹脂之金屬基材，其中前述金屬基材層為銅箔。 ＜21＞如＜20＞之附樹脂之金屬基材，其中前述銅箔之前述液狀組成物、前述半硬化物或前述預浸體側之面的最大高度粗度Rz為2µm以下。 ＜22＞一種配線板，包含：如＜1＞至＜16＞中任一項之液狀組成物的硬化物；及，金屬配線。 ＜23＞一種氧化矽粒子，係用以調整含熱硬化性樹脂之液狀組成物的黏度，該氧化矽粒子之中值粒徑d50為0.5~20.0µm，且比表面積為0.1~3.5m 2/g。 ＜24＞如＜23＞之氧化矽粒子，其比表面積為0.8~2.0m 2/g。 ＜25＞一種氧化矽粒子，係添加於含熱硬化性樹脂之液狀組成物中來使用，該氧化矽粒子之中值粒徑d50為0.5~20µm，且比表面積與中值粒徑d50之積為2.7~5.0µm・m 2/g。 ＜26＞如＜25＞之氧化矽粒子，其比表面積為0.5~3.5m 2/g。 ＜27＞一種氧化矽粒子，係用以調整含熱硬化性樹脂之液狀組成物的觸變性，該氧化矽粒子之中值粒徑d50為0.5~20.0µm，中值粒徑d50相對於10%粒徑d10的比大於1且在5以下。 ＜28＞如＜27＞之氧化矽粒子，其中前述比為1.2~2.4。 ＜29＞一種氧化矽粒子，係用以與含熱硬化性樹脂之液狀組成物混合而形成預浸體，該氧化矽粒子利用庫爾特計數法所得之粒度分布中，粒徑10µm以上之粒子比例為500個數ppm以下，粒徑之變異係數為0.30~0.80，並且中值粒徑d50大於1.0µm且在5.0µm以下。 ＜30＞如＜29＞之氧化矽粒子，其比表面積為0.1~5.0m 2/g。
發明效果 根據本揭示一實施形態，提供一種製成硬化物時對金屬基材層之密著性優異的液狀組成物及預浸體。根據本揭示一實施形態，提供附樹脂之金屬基材及配線板，其等之液狀組成物或硬化物與金屬基材層之密著性優異。根據本揭示一實施形態，提供一種氧化矽粒子，其係用於調整對金屬基材層之密著性優異之液狀組成物的黏度。 根據本揭示一實施形態，提供：可抑制氧化矽粒子之偏存化而可降低硬化物等之吸水率的液狀組成物、預浸體、附樹脂之金屬基材及配線板。根據本揭示一實施形態，提供一種氧化矽粒子，其係用於調整液狀組成物之黏度，該液狀組成物可抑制氧化矽粒子之偏存化，而可降低硬化物等之吸水率。 根據本揭示一實施形態，提供：可抑制氧化矽粒子凝集的液狀組成物、使用前述液狀組成物的預浸體、附樹脂之金屬基材及配線板、以及用於前述液狀組成物的氧化矽粒子。 根據本揭示一實施形態，提供：可製作表面平滑性優異之成形物的液狀組成物、使用前述液狀組成物的預浸體、附樹脂之金屬基材及配線板、以及用於前述液狀組成物的氧化矽粒子。
以下針對本揭示實施形態詳細說明。惟，本揭示實施形態不受以下實施形態所限。以下實施形態中，其構成要素(亦包含要素製程等)除了有特別明示之情形外，並非必要。關於數值及其範圍亦同，並非用以限制本揭示實施形態者。
本揭示中使用「~」表示之數值範圍中，係將記載於「~」前後之數值分別作為最小值及最大值來包含。 本揭示中各成分亦可包含有複數種相當於其之物質。當組成物中存在複數種相當於各成分之物質時，各成分之含有率或含量只要沒有特別記載，則意指存在於組成物中之該複數種物質之合計的含有率或含量。 本揭示中亦可包含有複數種相當於各成分之粒子。當組成物中存在複數種相當於各成分之粒子時，各成分之粒徑只要沒有特別記載，則意指關於存在於組成物中之該複數種粒子之混合物的值。 本揭示中，「氧化矽粒子」只要沒有特別說明，便指複數個氧化矽粒子之群。 本揭示中，在後述本組成物1~3中所含之粒子的說明中，「中值粒徑d50(以下亦僅表記為「d50」)」係藉由雷射繞射式粒度分布測定裝置(例如，MicrotracBEL股份公司製「MT3300EXII」)求得之粒子之體積基準累積50%粒徑。亦即，藉由雷射繞射散射法測定粒度分布，令粒子之總體積為100%求出累積曲線後，於該累積曲線上累積體積成為50%之點的粒徑。 本揭示中，在後述本組成物4中所含之粒子的說明中，d50係從利用庫爾特計數法所得之體積基準之粒度分布求得之氧化矽粒子之體積基準累積50%粒徑。 本揭示中，在後述本組成物1~3中所含之粒子的說明中，「10%粒徑d10」(以下亦僅表記為「d10」)係藉由雷射繞射式粒度分布測定裝置(例如，MicrotracBEL股份公司製「MT3300EXII」)求得之粒子之體積基準累積10%粒徑。亦即，藉由雷射繞射散射法測定粒度分布，令粒子之總體積為100%求出累積曲線後，於該累積曲線上從小粒徑側之累積體積成為10%之點的粒徑。 本揭示中，在後述本組成物4中所含之粒子的說明中，d10係從利用庫爾特計數法所得之體積基準之粒度分布求得之氧化矽粒子之體積基準累積10%粒徑。 本揭示中，「粒徑10µm以上之粒子比例」係從利用庫爾特計數法所得之個數基準之粒度分布求得之粒子比例。從50000個粒子中算出粒徑為10µm以上之粒子數後，求出粒徑10µm以上之粒子相對於總測定粒子數之比例(個數ppm)。 本揭示中，粒徑之「變異係數」(以下亦表記為「CV值」)係粒徑之相對性參差的指標，其係將粒徑之標準差除以平均值(粒徑之d50)後之值以百分率表示者。粒徑之標準差及平均值係從利用庫爾特計數法所得之體積基準之粒度分布求得。 庫爾特計數法例如係使用精密粒度分布測定裝置Multisizer 4e、Beckman Coulter公司製進行。 本揭示中，「比表面積」係藉由根據使用比表面積・細孔分布測定裝置(例如，Micromeritics公司製「TriStarII」等)之氮吸附法的BET法求得。 本揭示中，「真球度」係針對藉由掃描型電子顯微鏡(SEM)拍攝照片所得之照片投影圖中之任意100個粒子，測定各粒子之最大徑(DL)及與其正交之短徑(DS)，算出最小徑(DS)相對於最大徑(DL)之比(DS/DL)，並以所得平均值來表示。 本揭示中，「介電正切」及「介電常數」係使用專用裝置(例如，KEYCOM股份公司製「Vector Network Analyzers E5063A」)，藉由微擾方式共振器法來測定。 本揭示中，「黏度」係表示在25℃下使用旋轉式流變儀(例如，安東帕(Anton paar)公司製，Modular Rheometer PhysicaMCR-301)以剪切速度1rpm測定30秒而獲得在30秒時間點之黏度。 本揭示中，「觸變比」係使用旋轉式流變儀，將以旋轉數1rpm測定之黏度除以以旋轉數60rpm測定之黏度而算出。 本揭示中，「重量平均分子量」係使用凝膠滲透層析法(GPC)，藉由聚苯乙烯換算求得。 本揭示中，「表面張力」係使用表面張力計，對25℃之溶劑利用威氏法(Wilhelmy method)來測定。 本揭示中，「沸點」係在常壓1.013×10 5Pa下之沸點。 本揭示中，「蒸發速度」係令在23℃下之乙酸丁酯之蒸發速度為1時的相對蒸發速度。 本揭示中，「液狀組成物」係指在25℃下為液狀之組成物。 本揭示中，「半硬化物」意指將液狀組成物之硬化物進行示差掃描熱分析測定時，處於出現伴隨熱硬化性樹脂之硬化的發熱峰之狀態的硬化物。亦即，半硬化物意指殘存有未硬化之熱硬化性樹脂之狀態的硬化物。 本揭示中，「硬化物」意指將液狀組成物之硬化物進行示差掃描熱分析測定時，處於未出現伴隨熱硬化性樹脂之硬化的發熱峰之狀態的硬化物。亦即，硬化物意指未殘存未硬化之熱硬化性樹脂之狀態的硬化物。 本揭示中，最大高度粗度Rz係遵循JIS B 0601(2013)來測定。 本揭示中，十點平均粗度Rzjis係遵循JIS B 0601(1994)之十點平均粗度Rz來測定。
本揭示液狀組成物1(以下亦表記為「本組成物1」)含有：熱硬化性樹脂；及，氧化矽粒子，其d50為0.5~20µm，且比表面積為0.1~3.5m 2/g；並且，本組成物1在25℃下以旋轉數1rpm測定之黏度為100~10000mPa・s。換言之，本組成物1為液狀之熱硬化性組成物。 本揭示液狀組成物2(以下亦表記為「本組成物2」)含有：熱硬化性樹脂；氧化矽粒子，其d50為0.5~20.0µm，且比表面積與d50之積為2.7~5.0µm・m 2/g；及，溶劑，其表面張力為45mN/m以下。換言之，本組成物2為液狀之熱硬化性組成物。 本揭示液狀組成物3(以下亦表記為「本組成物3」)包含：熱硬化性樹脂；氧化矽粒子，其d50為0.5~20.0µm，d50相對於d10的比(以下亦表記為「d50/d10」)大於1.0且在5.0以下；及，溶劑，其沸點為75℃以上，且蒸發速度為0.3~4.0；並且，本組成物3之觸變比為3.0以下。換言之，本組成物3為液狀之熱硬化性組成物。 本揭示液狀組成物4(以下亦稱為本組成物4)包含：熱硬化性樹脂；及，氧化矽粒子，其利用庫爾特計數法所得之粒度分布中，粒徑10µm以上之粒子比例為500個數ppm以下，粒徑之變異係數為30~80%，並且d50大於1.0µm且在5.0µm以下。換言之，本組成物4為液狀之熱硬化性組成物。
本組成物1對金屬基材層之密著性優異。該作用機制尚不明確，但大致推測如下。本組成物1包含具有特定範圍之d50及比表面積的氧化矽粒子。藉此，會提升本組成物1中含有之氧化矽粒子的潤濕性並抑制其凝集，故能提升本組成物1中之氧化矽粒子之均一分散性，從而使組成物之黏度收斂在預定範圍內。吾等認為藉由使用含所述狀態之氧化矽粒子的本組成物1，能促進形成氧化矽粒子之偏存化獲抑制的硬化物，換言之，能促進形成表面無過度露出氧化矽粒子的硬化物。結果，會提升由本組成物1獲得之硬化物對金屬基材層的密著性。以下，對金屬基材層之密著性僅稱為「密著性」。 本組成物2可抑制氧化矽粒子之偏存化，而可降低硬化物等之吸水率。該作用機制尚不明確，但大致推測如下。本組成物2中之氧化矽粒子之d50在特定範圍(0.5~20.0µm)內，且比表面積與d50之積在特定範圍(2.7~5.0µm・m 2/g)內。換言之，本組成物2中之氧化矽粒子亦可看作是緻密形狀且每單位質量之比表面積大、粒徑為µm標度之氧化矽粒子。吾等認為使所述氧化矽粒子與預定低表面張力之溶劑作用時，由於比表面積所引致之氧化矽粒子潤濕性與粒徑所引致之分散性會取得平衡，因此氧化矽粒子會高度地均一分散在組成物中。結果，本組成物2或其硬化物等中之氧化矽粒子之偏存化會受抑制，因此推測硬化物等之吸水率會降低。 吾等發現本組成物3即便是加熱來使用時仍能抑制氧化矽粒子凝集，展現高度之流動性與浸滲性，且由其形成之成形物可良好地發揮氧化矽特性。該理由尚不明確，但推測如下。吾等認為低黏度之溶劑會提升氧化矽粒子之微粒部分(d10部分)的浸滲性，故有利於氧化矽粒子之緻密填充。然而，氧化矽粒子之微粒部分若多，加熱時溶劑之揮發便緩慢，吾等認為這會誘發氧化矽粒子凝集，結果成形物之氧化矽特性就無法充分提升。另一方面，在本組成物3中，氧化矽粒子之d50/d10大於1.0且在5.0以下，並且溶劑之蒸發速度在預定範圍內，且觸變比已調整在預定範圍內。換言之，本組成物3處於氧化矽粒子之充填性與溶劑之揮發性達良好平衡之狀態。此會抑制本組成物3中之氧化矽粒子凝集，因此吾等推測即便加熱本組成物3使其成形為成形物，仍能抑制成形物中之氧化矽粒子凝集或偏析，而可獲得高度發揮氧化矽粒子之特性的成形物。 根據本組成物4，可製作表面平滑性優異之成形物。該理由尚不明確，但吾等認為如下。本組成物4中之氧化矽粒子為以µm等級之粒子為主粒子且具有固定粒子分布的氧化矽粒子，亦可看作是粗大粒子之比例被高度抑制且以預定比例包含微粒子的氧化矽粒子。吾等認為藉由將所述氧化矽粒子與熱硬化性樹脂混合做成液狀組成物，能抑制液狀組成物中因微粒子本身之凝集與以粗大粒子為核之氧化矽粒子之凝集造成氧化矽粒子的偏存。並且，微粒子能提升主粒子之分散性，從而提升氧化矽粒子與熱硬化性樹脂之相互作用。又，若由處於所述狀態之液狀組成物形成成形物，便會在微粒子充填主粒子之間隙下形成成形物，因而提升成形物之表面平滑性。並且，根據本組成物4，既可抑制氧化矽粒子凝集又可進行緻密填充，而認為在成形物中能高度展現氧化矽物性。
本組成物1以旋轉數1rpm測定之黏度為100~10000mPa・s，宜為130~5000mPa・s，較宜為150~3000mPa・s，更宜為180~1500mPa・s，尤宜為200~1000mPa・s。若在該黏度範圍內，便可更良好地抑制氧化矽粒子凝集。 本組成物2及本組成物3以旋轉數1rpm測定之黏度宜為100~10000mPa・s，較宜為130~5000mPa・s，更宜為150~3000mPa・s，尤宜為180~1500mPa・s，最宜為200~1000mPa・s。若在該黏度範圍內，便可更良好地抑制氧化矽粒子凝集。 本組成物4以旋轉數1rpm測定之黏度宜為130~5000mPa・s，較宜為150~3000mPa・s，更宜為180~1500mPa・s，尤宜為200~1000mPa・s。若在該黏度範圍內，便可更良好地抑制氧化矽粒子凝集。
本組成物1、本組成物2及本組成物4之觸變比宜為3.0以下，較宜為2.5以下，更宜為2.0以下。觸變比之下限無特別限定，可設為0.5以上。若在該觸變比範圍內，本組成物1之保管容易性、狀態穩定性及使用時之流動性便良好。 本組成物3之觸變比為3.0以下，由更良好地抑制氧化矽粒子凝集的觀點來看，宜為2.5以下，較宜為2.0以下。觸變比之下限無特別限制，可舉1.0。若在該觸變比範圍內，本組成物1之保管容易性、狀態穩定性及使用時之流動性便良好。
本組成物1、本組成物2、本組成物3及本組成物4含有熱硬化性樹脂。關於各組成物，熱硬化性樹脂可使用1種，亦可併用2種以上。熱硬化性樹脂可舉環氧樹脂、聚苯醚樹脂、聚醯亞胺樹脂、酚樹脂、鄰二乙烯苯樹脂等。由密著性、耐熱性等的觀點來看，熱硬化性樹脂宜為環氧樹脂、聚苯醚樹脂或鄰二乙烯苯樹脂。熱硬化性樹脂宜為包含選自於由苯基及伸苯基所構成群組中之至少1者的樹脂。
環氧樹脂可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、多官能酚之二環氧丙基醚化物、多官能醇之二環氧丙基醚化物等。 聚苯醚樹脂可為改質聚苯醚，亦可為未改質聚苯醚，由密著性的觀點來看，宜為改質聚苯醚。改質聚苯醚具有鍵結於聚苯醚鏈或聚苯醚鏈之末端的取代基。取代基宜為具有反應性基之基，較宜為具有乙烯基、(甲基)丙烯醯氧基或環氧基之基。
聚苯醚鏈中之伸苯基之氫原子亦可被烷基、烯基、炔基、甲醯基、烷基羰基、烯基羰基或炔基羰基取代。
由密著性、介電特性等的觀點來看，熱硬化性樹脂之重量平均分子量宜為1000~7000，較宜為1000~5000，更宜為1000~3000。
由從本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4獲得之預浸體等對配線板所具備之金屬基材層等之密著性等的觀點來看，本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4中，相對於各組成物之總質量，熱硬化性樹脂之含有率宜為10~40質量%，較宜為15~35質量%，更宜為20~30質量%。
本組成物1及本組成物2含有d50為0.5~20.0µm之氧化矽粒子。由使分散穩定性、抑制氧化矽粒子偏存化、流動性等本組成物1及本組成物2本身的物性與吸水性降低、密著性、低介電正切等由本組成物1及本組成物2形成之成形物的物性高度平衡的觀點來看，本組成物1及本組成物2中之氧化矽粒子之d50宜為1.0~10.0µm，較宜大於1.0µm且在5.0µm以下。 由增進上述作用機制且容易調整觸變比的觀點來看，本組成物3中之氧化矽粒子之d50為0.5~20.0µm，宜為1.0~10.0µm，較宜大於1.0µm且在5.0µm以下。尤其，氧化矽粒子之d50若為0.5µm以上，便可抑制氧化矽粒子凝集。 本組成物4中之氧化矽粒子之d50大於1.0µm且在5.0µm以下，由抑制氧化矽粒子凝集的觀點、成形物之表面平滑性優異的觀點等來看，宜為1.5~4.0µm，較宜為2.0~3.5µm。
由提升本組成物1、本組成物2及本組成物4中之氧化矽粒子均一分散性、同時提高氧化矽粒子與熱硬化性樹脂之相互作用的觀點來看，氧化矽粒子之d10宜為0.5~5.0µm，較宜為1.0~3.0µm。 由增進上述作用機制且容易調整觸變比的觀點來看，本組成物3中之氧化矽粒子之d10宜為0.2~10.0µm，較宜為0.5~5.0µm，更宜為1.0~2.5µm。
由使分散穩定性、流動性等本組成物1或本組成物2本身的物性與密著性、低介電正切等由本組成物1或本組成物2形成之成形物的物性更高度平衡的觀點來看，本組成物1及本組成物2中之氧化矽粒子之比表面積宜為0.3~3.0m 2/g，較宜為0.8~2.0m 2/g。 由更抑制氧化矽粒子凝集以使本組成物3更穩定的觀點來看，本組成物3中之氧化矽粒子之比表面積宜為0.1~3.5m 2/g，較宜為0.3~3.0m 2/g，更宜為0.8~2.0m 2/g。 由上述作用機制、與尤其由抑制氧化矽粒子凝集的觀點來看，本組成物4中之氧化矽粒子之比表面積宜為0.1~5.0m 2/g，較宜為0.2~3.5m 2/g，更宜為0.3~3.0m 2/g，尤宜為0.6~2.4m 2/g，最宜為0.8~2.0m 2/g。此時，尤其會提升氧化矽粒子之潤濕性，而容易顯著展現上述作用機制。
由提升本組成物1、本組成物2及本組成物4中之氧化矽粒子之均一分散性、同時提高氧化矽粒子與熱硬化性樹脂之相互作用的觀點來看，本組成物1、本組成物2及本組成物4中之氧化矽粒子之d50相對於d10的比(d50/d10)宜大於1.0且在5.0以下，較宜為1.3~4.0，更宜為1.5~3.0。 本組成物3包含d50/d10大於1.0且在5.0以下之氧化矽粒子。由增進上述作用機制且容易調整觸變比的觀點來看，d50/d10宜為1.1~4.0，較宜為1.2~2.4，更宜為1.3~2.2。
由降低本組成物1、本組成物2、本組成物3及本組成物4以及其等硬化物之吸水率的觀點、與抑制氧化矽粒子凝集的觀點來看，氧化矽粒子之比表面積與氧化矽粒子之d50之積A宜為2.7~5.0µm・m 2/g，較宜為2.9~4.5µm・m 2/g。
本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4中所含之氧化矽粒子之粒度分布宜為單峰性。氧化矽粒子之粒度分布為單峰性一事，可從在上述藉由雷射繞射散射法所得之粒度分布中波峰為一個來確認。
本組成物1、本組成物2及本組成物3中之氧化矽粒子之粒徑的CV值宜為30~80%，由抑制氧化矽粒子凝集的觀點、成形物之表面平滑性優異的觀點等來看，較宜為30~70%，更宜為30~60%，尤宜為35~55%。 本組成物4中之氧化矽粒子之粒徑的CV值為30~80%，由上述作用機制、與尤其由抑制氧化矽粒子凝集的觀點、成形物之表面平滑性優異的觀點等來看，宜為30~70%，較宜為30~60%，更宜為35~55%。
在本組成物1、本組成物2及本組成物3中之氧化矽粒子中，粒徑30µm以上之粒子比例宜為500個數ppm以下，尤其由成形物之表面平滑性優異的觀點來看，較宜為300個數ppm以下，更宜為200個數ppm以下，尤宜為100個數ppm以下。 在本組成物4中之氧化矽粒子中，粒徑10µm以上之粒子比例為500個數ppm以下，由上述作用機制、與尤其由成形物之表面平滑性優異的觀點來看，宜為300個數ppm以下，較宜為200個數ppm以下，更宜為100個數ppm以下。前述粒子比例宜為0個數ppm以上。
由使分散穩定性、流動性等本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4本身的物性與高韌性、對金屬基材層之密著性、低介電正切等由本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4形成之預浸體等成形物的物性高度平衡的觀點來看，本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4中，氧化矽粒子所包含之各氧化矽粒子之形狀宜為球狀。由同樣的觀點來看，球狀氧化矽粒子之真球度宜為0.75以上，較宜為0.90以上，更宜為0.93以上，尤宜為1.00。又，由同樣的觀點來看，氧化矽粒子宜為無孔質粒子。
由降低將附樹脂之金屬基材作為印刷配線板使用時之電路之傳輸損耗的觀點來看，氧化矽粒子之介電正切在頻率1GHz下宜為0.0020以下，較宜為0.0010以下，更宜為0.0008以下。 由同樣的觀點來看，氧化矽粒子之介電常數在頻率1GHz下宜為5.0以下，較宜為4.5以下，更宜為4.1以下。
各氧化矽粒子亦可經以矽烷耦合劑進行處理。藉由氧化矽粒子之表面經以矽烷耦合劑進行處理，表面矽烷醇基之殘存量會減少，表面會被疏水化，從而可抑制水分吸附而提升介電耗損，且同時能提升與熱硬化性樹脂之親和性，並可提升分散性及樹脂製膜後之強度。 矽烷耦合劑之種類可舉胺基矽烷系耦合劑、環氧基矽烷系耦合劑、巰基矽烷系耦合劑、矽烷系耦合劑、有機矽氮烷化合物等。矽烷耦合劑可使用1種，亦可組合2種以上來使用。 矽烷耦合劑之附著量相對於氧化矽粒子100質量份，宜為0.01~5質量份，較宜為0.10~2質量份。 氧化矽粒子之表面經以矽烷耦合劑進行處理一事，可藉由利用IR檢測出來自矽烷耦合劑之取代基的波峰來確認。又，矽烷耦合劑之附著量可藉由碳量來測定。 另一方面，由提高氧化矽粒子與熱硬化性樹脂之相互作用、並提升成形物之韌性的觀點來看，各氧化矽粒子亦可未經以矽烷耦合劑等進行表面處理。
氧化矽粒子宜包含30~1500質量ppm之鈦(Ti)，較宜包含100~1000質量ppm，更宜包含100~500質量ppm。Ti係在製造氧化矽粒子時使任意含有之成分。在製造氧化矽粒子時，因氧化矽粒子破裂造成微粉之產生會使粒子之比表面積增大。在製造氧化矽粒子時藉由使其含有Ti，以使其在燒成時容易受熱變堅固，可抑制粒子破裂。結果，可抑制微粉之產生，可減少附著於氧化矽粒子之母粒子表面之附著粒子，因此容易調整氧化矽粒子之比表面積。藉由包含30質量ppm以上之Ti而在燒成時容易受熱變堅固，故可抑制因破裂造成微粉之產生，Ti含量若為1500質量ppm以下，便可獲得前述效果且同時可抑制矽烷醇基量之增加，從而可使介電正切上升。
氧化矽粒子亦可在不妨礙本揭示效果之範圍內，包含有鈦(Ti)以外之不純物元素。不純物元素除了Ti外，還可舉例如Na、K、Mg、Ca、Al、Fe等。不純物元素中，鹼金屬及鹼土族金屬之含量的總和宜為2000質量ppm以下，較宜為1000質量ppm以下，更宜為200質量ppm以下。
氧化矽粒子宜為利用濕式法製造之氧化矽粒子。所謂濕式法係指包含下述步驟之方式：藉由使用液體者作為氧化矽源並使其凝膠化，而獲得氧化矽粒子之原料。藉由使用濕式法能容易調整氧化矽粒子之形狀，尤其容易調整球狀氧化矽粒子，而無須藉由粉碎等來修整粒子形狀，結果容易獲得比表面積小之粒子。又，濕式法不易生成與平均粒徑相較甚小之粒子，而有在燒成後比表面積容易變小之傾向。又，濕式法可藉由調整氧化矽源之不純物來調整鈦等之不純物元素的量，而可進一步做成使前述不純物元素均一分散於粒子中之狀態。
濕式法可舉噴霧法、乳膠・凝膠化法等。以乳膠・凝膠化法來說，例如係將包含氧化矽前驅物之分散相與連續相乳化，並將所得之乳膠予以凝膠化後獲得球狀之氧化矽前驅物。乳化方法宜為透過微小孔部或多孔質膜將包含氧化矽前驅物之分散相供給至連續相來製作乳膠之方法。藉此製作均一液滴徑之乳膠，結果可獲得均一粒徑之球狀氧化矽粒子。所述乳化方法可舉微混合器法、膜乳化法等。例如，微混合器法係揭示於國際公開第2013/062105號中。
氧化矽粒子可藉由將前述氧化矽前驅物進行熱處理來獲得。熱處理有下述作用：將球狀氧化矽前驅物燒固進行外殼之緻密化的同時，減少表面之矽烷醇基量，使介電正切降低。熱處理之溫度宜為700℃以上。又，由抑制粒子凝集的觀點來看，熱處理之溫度宜為1600℃以下。又，亦可將所得氧化矽粒子以矽烷耦合劑進行表面處理。
由抑制氧化矽粒子之偏存化、降低吸水性、低介電正切、密著性等的觀點來看，本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4中，相對於熱硬化性樹脂100質量份，氧化矽粒子之含量宜為10質量份以上，較宜為50質量份以上，更宜為70質量份以上，尤宜為90質量份以上，亦可為100質量份以上。且，前述含量宜為600質量份以下，較宜為400質量份以下，更宜為300質量份以下，尤宜為250質量份以下。尤其，當期望將氧化矽粒子緻密填充時，前述氧化矽粒子之含量宜為80質量份以上，較宜為90質量份以上，尤宜為100質量份以上。且，此時氧化矽粒子之含量宜為600質量份以下，較宜為300質量份以下。即便前述氧化矽粒子之含量大，藉由上述作用機制，從本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4仍可獲得尤其吸水率低之成形物。 本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4中之氧化矽粒子處於被充分潤濕而均一分散之狀態，且處於容易與熱硬化性樹脂高度相互作用之狀態。因此，即便在相對於熱硬化性樹脂而氧化矽粒子之填充多的本組成物中，兩成分仍容易穩定化，而可形成對金屬基材層之密著性優異的成形物。
本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4亦可含有1種或2種以上硬化劑。硬化劑係利用熱之作用引發熱硬化性樹脂之硬化反應之劑，具體上可列舉：α,α'-雙(三級丁基過氧基-間異丙基)苯、2,5-二甲基-2,5-二(三級丁基過氧基)-3-己炔、苯甲醯過氧化物、3,3',5,5'-四甲基-1,4-聯苯醌、氯醌、2,4,6-三-三級丁基苯氧基、三級丁基過氧基異丙基單碳酸酯、偶氮雙異丁腈等。相對於熱硬化性樹脂100質量份，硬化劑之含量宜為0.1~5質量份。
本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4亦可含有1種或2種以上硬化促進劑。硬化促進劑可列舉：三聚異氰酸三烯丙酯等之三聚異氰酸三烯基酯化合物、分子中具有2個以上丙烯醯基或甲基丙烯醯基之多官能丙烯酸系化合物、分子中具有2個以上乙烯基之多官能乙烯基化合物、分子中具有乙烯基苄基之苯乙烯等乙烯基苄基化合物等。相對於熱硬化性樹脂100質量份，硬化促進劑之含量宜為10~100質量份。
本組成物1及本組成物4亦可含有1種或2種以上溶劑。由降低本組成物1及其硬化物等之吸水率的觀點來看，溶劑之表面張力宜為45mN/m以下，較宜為40mN/m以下，更宜為35mN/m以下，尤宜為30mN/m以下。表面張力之下限無特別限定，可設為5mN/m以上。 本組成物2含有表面張力為45mN/m以下之溶劑。由抑制氧化矽粒子之偏存化、降低吸水性等的觀點來看，溶劑之表面張力宜為40mN/m以下，較宜為35mN/m以下，更宜為30mN/m以下。表面張力之下限無特別限定，可設為0.05mN/cm以上。 本組成物3包含溶劑。由抑制氧化矽粒子之偏存化、降低吸水性等的觀點來看，本組成物3包含之溶劑之表面張力宜為45mN/m以下，較宜為40mN/m以下，更宜為35mN/m以下。表面張力之下限無特別限定，可舉例如5mN/m。
由提高使本組成物1、本組成物2或本組成物4熱硬化而形成預浸體等成形物時之組成物流動性與處置性的觀點來看，本組成物1、本組成物2及本組成物4中之溶劑的沸點宜為75℃以上，較宜為80℃以上，更宜為90℃以上。沸點之上限無特別限定，可設為200℃以下。 本組成物3之溶劑的沸點為75℃以上，由增進上述作用機制的觀點來看，宜為80℃以上，較宜為90℃以上。沸點之上限無特別限定，可設為200℃以下。
由使本組成物1、本組成物2或本組成物4熱硬化而形成預浸體等成形物時之處置性、與抑制加熱時伴隨溶劑揮發之氧化矽粒子凝集的觀點來看，本組成物1、本組成物2及本組成物4中之溶劑的蒸發速度宜為0.3~3.0，較宜為0.4~2.0。 本組成物3之溶劑的蒸發速度為0.3~4.0，由使本組成物3熱硬化而形成預浸體等成形物時之處置性、與抑制加熱時伴隨溶劑揮發之氧化矽粒子凝集的觀點來看，宜為0.4~2.0。
本組成物1、本組成物2或本組成物4中之溶劑可列舉：丙酮、甲醇、乙醇、丁醇、2-丙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、N,N-二甲基甲醯胺、甲基異丁基酮、N-甲基-2-吡咯啶酮、正己烷、環己烷等。由預浸體等成形物對金屬基材層之密著性等的觀點來看，溶劑宜包含選自於由甲苯(110℃，28mN/cm，0.58)、環己酮(156℃，35mN/cm，0.32)、甲基乙基酮(80℃，24.6mN/cm，3.7)及N-甲基-2-吡咯啶酮(202℃，42mN/m，0.3~4.0)所構成群組中之至少1者。此外，括弧內依序表示沸點、表面張力及蒸發速度。 本組成物3中之溶劑可列舉：甲苯(111℃，2.0)、甲基環己烷(101℃，3.20)、正庚烷(98℃，3.62)、間二甲苯(139℃，0.76)等之烴類；乙醇(78℃，1.54)、異丙醇(82℃，1.5)、1-丙醇(97℃，0.94)、異丁醇(107℃，0.64)、1-丁醇(118℃，0.47)、2-丁醇(100℃，0.89)等之醇類；乙酸丙酯(102℃，2.14)、乙酸異丁酯(118℃，1.45)、乙酸丁酯(126℃，基準值)等之乙酸酯類；甲基乙基酮(80℃，3.7)、甲基異丁基酮(116℃，1.6)、環己酮(156℃，0.32)等之酮類；乙二醇單甲基醚(125℃，0.53)、乙二醇單乙基醚(136℃，0.38)等之賽璐蘇類；1-甲氧基-2-丙醇(120℃，0.71)、1-甲氧基丙基-2-乙酸酯(146℃，0.44)、1-乙氧基-2-丙醇(132℃，0.34)、3-乙氧基丙酸乙酯(170℃，0.34)等之二醇醚類；三氯乙烯(87℃，3.22)、四氯乙烯(121℃，1.29)等之氯化烴類；N-甲基-2-吡咯啶酮(202℃，0.3~4.0)等。此外，括弧內依序表示沸點及蒸發速度。 其中，由密著性等的觀點來看，溶劑又宜包含選自於由甲苯、環己酮、甲基乙基酮及N-甲基-2-吡咯啶酮所構成群組中之至少1者。 本組成物3包含沸點為75℃以上且蒸發速度為0.3~4.0之溶劑，只要不違反本揭示之目的，亦可包含其他溶劑。 其他溶劑可列舉：己烷、環己烷、苯等之烴類；甲醇等之醇類；乙酸甲酯、乙酸乙酯等之乙酸酯類；丙酮、二異丁基酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、異佛酮等之酮類；乙二醇單-正丁基醚、乙二醇單-三級丁基醚、乙酸2-乙氧基乙酯等之賽璐蘇類；3-甲氧基-3-甲基丁醇、3-甲氧基-3-甲基丁基乙酸酯、丙二醇單丙基醚、3-甲氧基丁基乙酸酯、丙二醇單甲基醚丙酸酯、二乙二醇單丁基醚、三乙二醇單丁基醚等之二醇醚類；四氫呋喃、二乙基醚等之醚類；二氯甲烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1-二氯-1-氟乙烷等之氯化烴類等。 本組成物3中所含之溶劑中，沸點為75℃以上且蒸發速度為0.3~4.0之溶劑的比率宜為70體積%以上，較宜為80體積%以上，更宜為90體積%以上，尤宜為100體積%。亦即，尤宜僅使用75℃以上且蒸發速度為0.3~4.0之溶劑作為溶劑。
相對於本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4之總質量，溶劑之含有率無特別限定，可為10~60質量%，可為20~50質量%，亦可為30~40質量%。 又，本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4中，相對於溶劑100質量份，氧化矽粒子之含量宜為50~550質量份，可為100~500質量份，可為125~400質量份，亦可為150~300質量份。即便氧化矽粒子量相對於溶劑量較大，藉由上述作用機制氧化矽粒子會高度潤濕，從而容易取得均一分散性與組成物之黏度的平衡。因此，即便前述氧化矽粒子量大，組成物之黏度也不易上升。
本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4亦可含有1種或2種以上塑化劑。塑化劑可舉丁二烯・苯乙烯共聚物等。相對於熱硬化性樹脂100質量份，塑化劑之含量宜為10~50質量份，較宜為20~40質量份。
本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4除了上述成分外，亦可在不損及該效果之範圍內進一步包含有：界面活性劑、觸變性賦予劑、pH調整劑、pH緩衝劑、黏度調節劑、消泡劑、矽烷耦合劑、脫水劑、耐候劑、抗氧化劑、熱穩定劑、滑劑、抗靜電劑、增白劑、著色劑、導電材、脫模劑、表面處理劑、阻燃劑、各種有機或無機填料等之其他成分。
本揭示預浸體1包含本組成物1或其半硬化物、及纖維質基材。 本揭示預浸體2包含本組成物2或其半硬化物、及纖維質基材。 本揭示預浸體3包含本組成物3或其半硬化物、及纖維質基材。 本揭示預浸體4包含本組成物4或其半硬化物、及纖維質基材。 纖維質基材宜包含玻璃成分。纖維質基材可舉玻璃布、芳醯胺布、聚酯布、玻璃不織布、芳醯胺不織布、聚酯不織布、紙漿紙等。纖維質基材之厚度無特別限定，可設為3~10µm。此外，關於本組成物1、本組成物2、本組成物3及本組成物4已於上予以敘述，故在此省略記載。
本揭示預浸體1、預浸體2、預浸體3或預浸體4可藉由對纖維質基材塗佈或使纖維質基材浸滲分別對應之本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4來製造。於塗佈或浸滲本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4後，亦可加熱液狀組成物使其半硬化。
本揭示附樹脂之金屬基材1包含：本組成物1或其半硬化物、或者上述預浸體1；及，金屬基材層。金屬基材層可設於本組成物1或其半硬化物、或者上述預浸體1之一表面，亦可設於兩面。 本揭示附樹脂之金屬基材2包含：本組成物2或其半硬化物、或者上述預浸體2；及，金屬基材層。金屬基材層可設於本組成物2或其半硬化物、或者上述預浸體2之一表面，亦可設於兩面。 本揭示附樹脂之金屬基材3包含：本組成物3或其半硬化物、或者上述預浸體3；及，金屬基材層。金屬基材層可設於本組成物3或其半硬化物、或者上述預浸體3之一表面，亦可設於兩面。 本揭示附樹脂之金屬基材4包含：本組成物4或其半硬化物、或者上述預浸體4；及，金屬基材層。金屬基材層可設於本組成物4或其半硬化物、或者上述預浸體4之一表面，亦可設於兩面。
金屬基材層之種類無特別限定，構成金屬基材層之金屬可舉銅、銅合金、不鏽鋼、鎳、鎳合金(亦含42合金)、鋁、鋁合金、鈦、鈦合金等。金屬基材層宜為金屬箔，較宜為軋延銅箔、電解銅箔等銅箔。金屬箔表面可經防鏽處理(鉻酸鹽等之氧化物皮膜等)，亦可經粗化處理。金屬箔亦可使用由載體銅箔(厚度：10~35µm)與隔著剝離層積層於載體銅箔表面之極薄銅箔(厚度：2~5µm)構成之附載體之金屬箔。金屬基材層之表面亦可經以矽烷耦合劑進行處理。此時，可為金屬基材層表面整體經以矽烷耦合劑進行處理，亦可為金屬基材層表面之一部分經以矽烷耦合劑進行處理。矽烷耦合劑可使用上述者。
金屬基材層之厚度宜為1~40µm，較宜為2~15µm。由可降低將附樹脂之金屬基材作為印刷配線板使用時之傳輸損耗的觀點來看，金屬基材層(例如銅箔)之最大高度粗度(Rz)宜為2µm以下，較宜為1.2µm以下。金屬基材層(例如銅箔)之液狀組成物、半硬化物或預浸體側之面的Rz宜在上述範圍內。將附樹脂之金屬基材作為印刷配線板使用時，一般可降低傳輸損耗，但金屬基材層與預浸體等之密著性一般會傾向降低。根據本揭示之使用本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4的預浸體1、預浸體2、預浸體3或預浸體4，可抑制上述密著性降低，並可降低傳輸損耗。
在一實施形態中，本揭示附樹脂之金屬基材1、附樹脂之金屬基材2、附樹脂之金屬基材3或附樹脂之金屬基材4可藉由於金屬基材層表面塗佈對應之本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4來製造。於塗佈本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4後，亦可加熱液狀組成物使其半硬化。 在另一實施形態中，本揭示附樹脂之金屬基材1、附樹脂之金屬基材2、附樹脂之金屬基材3或附樹脂之金屬基材4可藉由積層金屬基材層與對應之預浸體1、預浸體2、預浸體3或預浸體4來製造。金屬基材層與預浸體1、預浸體2、預浸體3或預浸體4之積層方法可舉將其等進行熱壓接之方法等。
本揭示配線板1包含本組成物1之硬化物及金屬配線。 本揭示配線板2包含本組成物1之硬化物及金屬配線。 本揭示配線板3包含本組成物1之硬化物及金屬配線。 本揭示配線板4包含本組成物1之硬化物及金屬配線。 金屬配線可使用藉由將上述金屬基材層進行蝕刻等而製得者。
本揭示配線板1、配線板2、配線板3或配線板4可利用以下方法來製造：蝕刻上述對應之附樹脂之金屬基材1、附樹脂之金屬基材2、附樹脂之金屬基材3或附樹脂之金屬基材4所具備之金屬基材層的方法；藉由電鍍法(半加成法(SAP法)、改良半加成法(MSAP法)等)於本組成物1、本組成物2、本組成物3或本組成物4之硬化物表面形成成圖案電路的方法等。
在一實施形態中，氧化矽粒子係用以調整含熱硬化性樹脂之液狀組成物的黏度，該氧化矽粒子之d50為0.5~20.0µm，且比表面積為0.1~3.5m 2/g。 在另一實施形態中，氧化矽粒子係添加於含熱硬化性樹脂之液狀組成物中來使用，該氧化矽粒子之d50為0.5~20µm，且比表面積與d50之積為2.7~5.0µm・m 2/g。 在另一實施形態中，氧化矽粒子係用以調整含熱硬化性樹脂之液狀組成物的觸變性，該氧化矽粒子之d50為0.5~20.0µm，d50/d10大於1.0且在5.0以下。 在另一實施形態中，氧化矽粒子係用以與含熱硬化性樹脂之液狀組成物混合而形成預浸體，該氧化矽粒子利用庫爾特計數法所得之粒度分布中，粒徑10µm以上之粒子比例為500個數ppm以下，粒徑之變異係數為0.30~0.80，並且d50大於1.0µm且在5.0µm以下。 關於氧化矽粒子之d50、d10、比表面積、比表面積與氧化矽粒子之d50之積、d50/d10、CV值、粒徑10µm以上之粒子比例、粒度分布、形狀、真球度、介電正切介電常數、表面處理、可含有之元素、製造方法等之詳細內容已於上予以敘述，故在此省略記載。
實施例 以下舉實施例來詳細說明本揭示之實施形態，惟本揭示之實施形態不受該等所限。
(氧化矽粒子之d10及d50之測定方法) 例11~19、21~27、31~35中之氧化矽粒子之d10及d50係藉由雷射繞射散射法，使用粒度分布測定裝置(MicrotracBEL公司製，MT3300EXII)來測定。具體而言，係在裝置內進行3次超音波照射60秒鐘使氧化矽粒子分散後進行測定。d10及d50係60秒鐘各測定2次，並採用其平均值。孔徑係設為20µm。 例41~48中之氧化矽粒子之d50係以後述方法利用庫爾特計數法來測定。
(氧化矽粒子之比表面積之測定方法) 將以下氧化矽粒子在230℃下減壓乾燥，完全去除水分，作為試料。針對該試料，藉由Micromeritics公司製之自動比表面積・細孔分布測定裝置「TriStarII」，使用氮氣以多點BET法求出比表面積。
(黏度及觸變比之測定方法) 使用旋轉式流變儀(安東帕(Anton paar)公司製，Modular Rheometer PhysicaMCR-301)來測定。 黏度係將在25℃下以剪切速度1rpm測定30秒而獲得在30秒時間點之黏度作為前述黏度。又，觸變比係將以旋轉數1rpm測定之黏度除以以旋轉數60rpm測定之黏度而算出。
1.用以製造液狀組成物之各成分之準備 [熱硬化性樹脂] 聚苯醚樹脂：為改質聚苯醚(SABIC公司製：Noryl SA9000，Mw：1700，每分子之官能基數：2個)，其係將聚苯醚之末端羥基以甲基丙烯醯氧基改質者 [氧化矽粒子] 氧化矽粒子A：將作為球狀氧化矽前驅物之以濕式法製造之氧化矽粉末1(AGC Si-Tech公司製：H-31，d50：3.5µm)15g填充至氧化鋁坩堝中，在電爐內溫度1200℃下加熱處理1小時後冷卻至25℃，用瑪瑙乳缽磨碎而獲得之氧化矽粒子。 氧化矽粒子B：將作為球狀氧化矽前驅物之以濕式法製造之氧化矽粉末2(鈴木油脂公司製，E-2C，d50：2.5µm)15g填充至氧化鋁坩堝中，在電爐內溫度1200℃下加熱處理1小時後冷卻至25℃，用瑪瑙乳缽磨碎而獲得之氧化矽粒子。 氧化矽粒子C：以VMC(Vaporized Metal Combustion；汽化金屬燃燒)法製造之氧化矽粒子(Admatechs公司製：SC5500-SQ)。 氧化矽粒子D：以乾式法製造之氧化矽粒子(Micron, Inc.製：SPH516)。 氧化矽粒子E：以濕式法製造之氧化矽粒子(AGC Si-Tech公司製：H-201，d50：20.0µm)。 氧化矽粒子F：以濕式法製造之氧化矽粉末(鈴木油脂公司製，E-2C，d50：2.5µm)。 氧化矽粒子G：以VMC法製造之氧化矽粒子(Admatechs公司製：SO-C1)。 氧化矽粒子3C：日本專利特開2018-145037號公報之實施例1中記載之氧化矽粒子。 氧化矽粒子4B：使用精密風力分級機(Nisshin Engineering Inc.製，Turbo Classifier TC-10)，將上述氧化矽粒子A調整成觀察不到10µm以上之粒子。 氧化矽粒子4C：利用噴射磨機(Nisshin Engineering Inc.製，Super Jet Mill SJ-100)-10，將上述氧化矽粒子A以粉碎壓力0.5MPa進行粉碎。 氧化矽粒子4D：UBE EXSYMO CO., LTD.製，商品名「HIPRESICA(註冊商標)」 氧化矽粒子4E：日本觸媒公司製，商品名「SEAHOSTAR(註冊商標)KE-S S50」 氧化矽粒子4F：Denka公司製，商品名「FB-5D」 [溶劑] 甲苯：沸點111℃，蒸發速度2.0 二異丁基酮(DIBK)：沸點168℃，蒸發速度0.2 環己酮：沸點156℃，蒸發速度0.32 [塑化劑] 丁二烯・苯乙烯無規共聚物(Ricon 100，Cray Valley公司) [硬化促進劑] 三聚異氰酸三烯丙酯(TAIC，Mitsubishi Chemical公司) [硬化劑] α,α'-二(三級丁基過氧基)二異丙基苯(PERBUTYL(註冊商標)P，日油公司)
2.液狀組成物、預浸體及附樹脂之金屬基材之製造 ＜例11＞ 將59質量份之聚苯醚樹脂、16質量份之丁二烯・苯乙烯無規共聚物、25質量份之三聚異氰酸三烯丙酯、1質量份之α,α'-二(三級丁基過氧基)二異丙基苯、55質量份之氧化矽粒子A、80質量份之甲苯放入塑膠瓶中，放入Φ20mm之氧化鋁球並以30rpm混合12小時後，去除氧化鋁球而獲得液狀組成物。液狀組成物係相對於甲苯100質量份包含68.75質量份之氧化矽粒子A，且相對於聚苯醚樹脂100質量份包含93質量份之氧化矽粒子A。 將液狀組成物浸滲塗敷至IPC規格2116之玻璃布，在160℃下加熱乾燥4分鐘而獲得預浸體。 將厚度18µm之附載體之銅箔(銅箔厚度：3µm，最大高度粗度Rz：2µm，三井金屬公司製，MT18E)積層於預浸體之兩面，在230℃、壓力30kg/cm 2下加熱成形120分鐘，而獲得附樹脂之金屬基材。
＜例12~17＞ 除了將氧化矽粒子A變更成表1中記載之氧化矽粒子外，依與例11相同方式而製造出液狀組成物、預浸體及附樹脂之金屬基材。 ＜例18~19＞ 除了將例11中之甲苯量設為40質量份外，依相同方式而獲得相對於甲苯100質量份包含137.5質量份之氧化矽粒子A的例18之液狀組成物。又，除了將例13中之甲苯量設為40質量份外，依相同方式而獲得相對於甲苯100質量份包含137.5質量份之氧化矽粒子C的例19之液狀組成物。使用所得液狀組成物，依與例11相同方式而製造出預浸體及附樹脂之金屬基材。
[剝離強度之測定] 遵循IPC-TM650-2.4.8，使用TENSILON萬能試驗機(A&D公司製，RTC-1250A)測定預浸體與附載體之銅箔之間的剝離強度。將測定結果統整於表1。 此外，例11~13、18、19為實施例，例14~17為比較例。
[表1]
由表1可知，使用本組成物1之預浸體1其與金屬基材層之密著性優異。
＜例21＞ 在例11中，除了將甲苯取代成環己酮外，依相同方式而製造出液狀組成物、預浸體及附樹脂之金屬基材。
＜例22~25＞ 除了將溶劑及氧化矽粒子A中之至少一者變更成如表2中所記載外，依與例21相同方式而製造出液狀組成物、預浸體及附樹脂之金屬基材。
＜例26~27＞ 除了將例22中之聚苯醚樹脂量設為40質量份外，依相同方式而獲得相對於聚苯醚樹脂100質量份包含138質量份之氧化矽粒子A的例26之液狀組成物。又，除了將例23中之聚苯醚樹脂量設為40質量份外，依相同方式而獲得相對於聚苯醚樹脂100質量份包含138質量份之氧化矽粒子B的例27之液狀組成物。使用所得液狀組成物，依與例21相同方式而製造出預浸體及附樹脂之金屬基材。
[確認氧化矽粒子有無凝集] 以肉眼觀察在例21~27中製造出之預浸體，確認氧化矽粒子之有無。將未觀察到氧化矽粒子凝集之情況評估為A，將觀察到些許氧化矽粒子凝集之情況評估為B，將觀察到大量氧化矽粒子凝集之情況評估為C，並統整於表2。
[吸水率之測定] 遵循IPC TM-650 2.6.2.1，測定附樹脂之金屬基材的吸水率。令例24之吸水率為1.00，並將其他例之吸水率作為相對值算出，將結果統整於表2。 此外，例21~23、26、27為實施例，例24、25為比較例。
[表2]
由表2可知，使用本組成物2之預浸體2其氧化矽粒子之偏存化受到抑制，從而吸收率降低。
＜例31＞ 依與實施例11相同方式而製造出液狀組成物、預浸體及附樹脂之金屬基材。
＜例32~35＞ 除了使用表3中記載之物作為氧化矽粒子及溶劑外，依與例31相同方式而製造出液狀組成物、預浸體及附樹脂之金屬基材。
[介電常數之標準差] 介電常數係使用KEYCOM股份公司製「Vector Network Analyzers E5063A」，藉由微擾方式共振器法來測定。在所得預浸體之短邊方向之中央部，測定從長邊方向L起算1L/4、2L/4、3L/4處之介電常數，求出3點之標準差。將測定結果統整於表3。 此外，例31、32為實施例，例33~35為比較例。
[表3]
由表3可知，使用本組成物3之預浸體3其介電常數之標準差低，氧化矽粒子之凝集受到抑制。據此，吾等認為能將氧化矽粒子緻密填充，並可良好地發揮氧化矽粒子之特性。
＜例41＞ 在例11中，除了將氧化矽粒子A之55質量份取代成220質量份外，依相同方式而製造出液狀組成物及預浸體。 疊合3片預浸體，並於上下積層厚度18µm之附載體之極薄銅箔(銅箔厚度：3µm，Rz：2µm，三井金屬公司製，MT18E)，在230℃、壓力60kg/cm 2下加熱成形120分鐘，而獲得附樹脂之金屬基材。
＜例42~46＞ 除了將氧化矽粒子A變更成表4中記載之氧化矽粒子外，依與例41相同方式而製造出液狀組成物、預浸體及附樹脂之金屬基材。
＜例47~48＞ 除了將例41中之甲苯量設為40質量份且將聚苯醚樹脂量設為40質量份外，依相同方式而獲得相對於甲苯100質量份包含550質量份之氧化矽粒子A且相對於聚苯醚100質量份包含550質量份之氧化矽粒子A的例47之液狀組成物。又，除了將例43中之甲苯量設為40質量份且將聚苯醚樹脂量設為40質量份外，依相同方式而獲得相對於甲苯100質量份包含550質量份之氧化矽粒子4C且相對於聚苯醚樹脂量100質量份包含550質量份之氧化矽粒子4C的例48之液狀組成物。使用所得液狀組成物，依與例41相同方式而製造出預浸體及附樹脂之金屬基材。
此外，在各例中，氧化矽粒子之d50、粒徑之變異係數及粒徑10µm以上之粒子比例係使用上述機器並利用庫爾特計數法來測定。孔徑係設為20µm。
[附樹脂之金屬基材之Rzjis之測定] 在附樹脂之金屬基材之熱壓接有預浸體之銅箔的背面(亮面)上，使用接觸式表面粗度計(東京精密公司製，「SURFCOM NEX001」)分別測定銅箔表面(毛面)之Rzjis值。使用前端半徑2µm、圓錐(錐角：60度)之測定端子，截止值係將λc設為0.8mm、λs設為2.5µm，並令粗度曲線之基準長度為0.8mm，令粗度曲線之評估長度為4.0mm。 此外，例41~43、47~48為實施例，例44~46為比較例。
[表4]
由表4可知，在使用本組成物4之例41~43、47~48中，成形物表面之Rzjis低，而可獲得表面平滑性優異之成形物。
本說明書係參照已於2022年4月12日提申之日本專利申請案第2022-065910號、已於2022年4月12日提申之日本專利申請案第2022-065911、已於2022年4月12日提申之日本專利申請案第2022-065665號及已於2022年4月28日提申之日本專利申請案第2022-075145號之整體揭示並將其收錄於本說明書中。 本說明書中記載之所有文獻、專利申請案及技術規格，係以與具體且個別記述各文獻、專利申請案及技術規格藉由參照而收錄之內容時相同程度的方式，援用於本說明書中。
(無)

Claims (30)

  1. 一種液狀組成物，含有：熱硬化性樹脂；及，氧化矽粒子，其中值粒徑d50為0.5~20.0µm，且比表面積為0.1~3.5m 2/g；並且，前述液狀組成物在25℃下以旋轉數1rpm測定之黏度為100~10000mPa・s。
  2. 如請求項1之液狀組成物，其中相對於前述熱硬化性樹脂100質量份，前述氧化矽粒子之含量為50~400質量份。
  3. 如請求項1之液狀組成物，其更含有溶劑，且前述溶劑包含選自於由甲苯、環己酮、甲基乙基酮及N-甲基-2-吡咯啶酮所構成群組中之至少1者。
  4. 一種液狀組成物，含有：熱硬化性樹脂；氧化矽粒子，其中值粒徑d50為0.5~20.0µm，且比表面積與中值粒徑d50之積為2.7~5.0µm・m 2/g；及，溶劑，其表面張力為45mN/m以下。
  5. 如請求項4之液狀組成物，其中前述氧化矽粒子之比表面積為0.5~3.5m 2/g。
  6. 如請求項4之液狀組成物，其中相對於前述熱硬化性樹脂100質量份，前述氧化矽粒子之含量為10~400質量份。
  7. 如請求項4之液狀組成物，其中前述溶劑包含選自於由甲苯、環己酮、甲基乙基酮及N-甲基-2-吡咯啶酮所構成群組中之至少1者。
  8. 一種液狀組成物，包含：熱硬化性樹脂；氧化矽粒子，其中值粒徑d50為0.5~20.0µm，中值粒徑d50相對於10%粒徑d10的比大於1.0且在5.0以下；及，溶劑，其沸點為75℃以上，且以乙酸丁酯為基準之蒸發速度為0.3~4.0；並且，前述液狀組成物之觸變比為3.0以下，該觸變比係將以旋轉數1rpm測定之黏度除以以旋轉數60rpm測定之黏度而算出。
  9. 如請求項8之液狀組成物，其中前述氧化矽粒子之中值粒徑d50相對於10%粒徑d10的比為1.2~2.4。
  10. 如請求項8之液狀組成物，其中相對於前述熱硬化性樹脂100質量份，前述氧化矽粒子之含量為10~400質量份。
  11. 如請求項8之液狀組成物，其中前述溶劑包含選自於由甲苯、環己酮、甲基乙基酮及N-甲基-2-吡咯啶酮所構成群組中之至少1者。
  12. 一種液狀組成物，包含：熱硬化性樹脂；及，氧化矽粒子，其利用庫爾特計數法所得之粒度分布中，粒徑10µm以上之粒子比例為500個數ppm以下，粒徑之變異係數為30~80%，並且中值粒徑d50大於1.0µm且在5.0µm以下。
  13. 如請求項12之液狀組成物，其中前述氧化矽粒子之比表面積為0.1~5.0m 2/g。
  14. 如請求項12之液狀組成物，其中前述氧化矽粒子之前述粒徑10µm以上之粒子比例為300個數ppm以下。
  15. 如請求項12之液狀組成物，其更包含溶劑，該溶劑係選自於由甲苯、甲基乙基酮、N-甲基吡咯啶酮所構成群組中之至少1者。
  16. 如請求項12之液狀組成物，其中相對於前述熱硬化性樹脂100質量份，前述氧化矽粒子之含量為10~400質量份。
  17. 如請求項1至16中任一項之液狀組成物，其中前述熱硬化性樹脂為環氧樹脂、聚苯醚樹脂或鄰二乙烯苯樹脂。
  18. 一種預浸體，包含：如請求項1至16中任一項之液狀組成物或其半硬化物；及，纖維質基材。
  19. 一種附樹脂之金屬基材，包含：如請求項1至16中任一項之液狀組成物或其半硬化物、或者如請求項18之預浸體；及，金屬基材層。
  20. 如請求項19之附樹脂之金屬基材，其中前述金屬基材層為銅箔。
  21. 如請求項20之附樹脂之金屬基材，其中前述銅箔之前述液狀組成物、前述半硬化物或前述預浸體側之面的最大高度粗度Rz為2µm以下。
  22. 一種配線板，包含：如請求項1至16中任一項之液狀組成物的硬化物；及，金屬配線。
  23. 一種氧化矽粒子，係用以調整含熱硬化性樹脂之液狀組成物的黏度，該氧化矽粒子之中值粒徑d50為0.5~20.0µm，且比表面積為0.1~3.5m 2/g。
  24. 如請求項23之氧化矽粒子，其比表面積為0.8~2.0m 2/g。
  25. 一種氧化矽粒子，係添加於含熱硬化性樹脂之液狀組成物中來使用，該氧化矽粒子之中值粒徑d50為0.5~20µm，且比表面積與中值粒徑d50之積為2.7~5.0µm・m 2/g。
  26. 如請求項25之氧化矽粒子，其比表面積為0.5~3.5m 2/g。
  27. 一種氧化矽粒子，係用以調整含熱硬化性樹脂之液狀組成物的觸變性，該氧化矽粒子之中值粒徑d50為0.5~20.0µm，中值粒徑d50相對於10%粒徑d10的比大於1且在5以下。
  28. 如請求項27之氧化矽粒子，其中前述比為1.2~2.4。
  29. 一種氧化矽粒子，係用以與含熱硬化性樹脂之液狀組成物混合而形成預浸體，該氧化矽粒子利用庫爾特計數法所得之粒度分布中，粒徑10µm以上之粒子比例為500個數ppm以下，粒徑之變異係數為0.30~0.80，並且中值粒徑d50大於1.0µm且在5.0µm以下。
  30. 如請求項29之氧化矽粒子，其比表面積為0.1~5.0m 2/g。
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