TW202347562A - 預清潔腔室 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種預清潔腔室，所述預清潔腔室內底部設有一基座，所述基座與所述預清潔腔室的腔室底壁的連接處設有隔熱密封組件，所述隔熱密封組件包括密封圈和第一隔熱環，所述第一隔熱環與所述基座和所述腔室底壁之間均採用所述密封圈密封連接，所述第一隔熱環設有隔熱結構用於對所述基座和所述腔室底壁之間進行隔熱。本發明通過在腔室底壁和基座之間設置隔熱密封組件，能夠保持腔室底壁和基座之間的密封狀態，並提高腔室底壁和基座的隔熱效果。
Description
本發明涉及半導體設備技術領域，特別涉及一種CVD（化學氣相沉積， CVD）工藝中的預清潔腔室。
在半導體器件製造的各種工序中，基片需要在不同處理設備之間傳輸，傳輸過程需要進入大氣環境，這會導致基片表面存在大量被自然氧化的材料（SiO
2），這些氧化矽覆蓋在單晶矽基片表面會導致材料層無法形成均一的晶體材料層。為此在進行矽或者其它半導體材料外延生長前，需要利用專用的預清潔腔室將這種自然氧化物或者其它污染物清除。
現有的預清潔反應需要經過兩個步驟進行：低溫成鹽步驟（40-60℃），首先通入經過遠程等離子激活後的清潔反應氣體組，反應氣體組包括氟、氮、氫等成分的自由基，與基片表面的氧化矽反應產生固體鹽；然後進行高溫昇華步驟，升高基片溫度，使得基片溫度上升到使所述固體鹽昇華氣化的溫度（大於120℃），昇華後的氣體被排氣系統抽走，完成一個成鹽昇華循環，刻蝕掉表面的氧化矽。完成固體鹽昇華後，降低基片溫度進入下一個循環中的低溫成鹽步驟。
在現有的預清潔腔室內，腔室蓋蓋在腔室側壁的上部，氣體噴淋板設於腔室蓋下方，基座位於腔室內並與腔室底壁連接，待處理基片W放置在基座上方，反應氣體由氣體噴淋板向下到達待處理基片。通常在工藝過程中，腔室蓋的溫度需要控制在200℃左右，腔室體的溫度需要控制在140℃左右，基座的溫度需要控制在40℃左右，因此，腔室側壁與腔室蓋之間、腔室底壁與基座之間需要進行隔熱。
同時，為保持預清潔腔室內部為真空狀態，需要在腔室側壁與腔室蓋之間、腔室底壁與基座之間形成密封。目前，一般是在腔室側壁與腔室蓋之間、腔室底壁與基座之間設置密封圈進行密封。以腔室底壁與基座為例，在腔室底壁和基座的兩個密封面之間安裝密封圈之後，兩個密封面之間除與密封圈接觸位置外形成一縫隙，該縫隙可在腔室底壁和基座之間起到隔熱作用，減少腔室底壁的熱量傳導至基座，維持基座處於低溫狀態。然而，兩個密封面在高溫下變形後會導致該縫隙消失，從而使不同溫度的兩密封面直接接觸，造成熱短路。
本發明的目的是提供一種預清潔腔室，在腔室底壁和基座之間設置隔熱密封組件，能夠保持腔室底壁和基座之間的密封狀態，並提高腔室底壁和基座的隔熱效果。
為了實現以上目的，本發明通過以下技術方案實現：
一種預清潔腔室，所述預清潔腔室內底部設有一基座，所述基座與所述預清潔腔室的腔室底壁的連接處設有隔熱密封組件，所述隔熱密封組件包括密封圈和第一隔熱環，所述第一隔熱環與所述基座和所述腔室底壁之間均採用所述密封圈密封連接，所述第一隔熱環設有隔熱結構用於對所述基座和所述腔室底壁之間進行隔熱。
可選的，所述腔室底壁具有一向上延伸的凸起部用於支撐所述基座，所述隔熱密封組件設於所述凸起部與所述基座之間。
可選的，所述隔熱結構包括設於所述第一隔熱環的內側面和/或外側面的第一隔熱槽或隔熱孔，所述第一隔熱槽或隔熱孔不貫通所述第一隔熱環。
可選的，所述第一隔熱槽或隔熱孔沿所述第一隔熱環的周向均勻排列。
可選的，所述第一隔熱環具有相對的第一密封面和第二密封面，所述第一密封面與所述基座相對，所述第二密封面與所述腔室底壁相對，所述第一密封面和/或所述基座與所述第一密封面相對的表面設有密封圈槽，所述第二密封面和/或所述腔室底壁與所述第二密封面相對的表面設有密封圈槽，所述密封圈位於所述密封圈槽中。
可選的，所述隔熱結構包括所述第一隔熱環內部的空腔以及設於所述第一隔熱環靠近大氣環境一側的排氣口，通過所述排氣口排出所述第一隔熱環內部的氣體。
可選的，所述第一隔熱環包括形成所述空腔的頂壁、底壁和側壁，所述頂壁和底壁中至少一者與所述側壁密封連接。
可選的，所述頂壁和底壁中至少一者與所述側壁採用焊接的方式密封連接。
可選的，所述隔熱結構包括包裹於所述第一隔熱環外周的隔熱層。
可選的，所述隔熱層採用特氟龍（Teflon）品牌的聚四氟乙烯（Polytetrafluoroethylene， PTFE）材質。
可選的，所述第一隔熱環具有相對的第一密封面和第二密封面，所述第一密封面與所述基座相對，所述第二密封面與所述腔室底壁相對，所述基座中設有密封圈槽，所述腔室底壁中設有密封圈槽，所述密封圈位於所述密封圈槽中。
可選的，所述第一隔熱環採用陶瓷、石英、SP1（聚酰亞胺）、PEEK（聚醚醚酮）、PE1（聚四氟乙烯）、不銹鋼、純鎳、鈦合金材質。
可選的，所述基座和所述腔室底壁之間還設有第二隔熱環，所述第一隔熱環接近所述預清潔腔室內部，所述第二隔熱環接近所述預清潔腔室外部，所述第二隔熱環能夠為所述基座與所述腔室底壁之間提供支撐。
可選的，所述第二隔熱環具有相對的第一配合面和第二配合面，所述第一配合面和/或所述第二配合面設有第二隔熱槽。
可選的，所述第二隔熱環採用SP1、PEEK、PE1材質。
可選的，所述第一隔熱環和所述第二隔熱環為一體結構。
可選的，所述預清潔腔室頂部設有一腔室蓋，所述腔室蓋與所述清潔腔室的腔室側壁的連接處也設有所述隔熱密封組件。
與現有技術相比，本發明具有如下優點：
本發明採用兩個密封圈分別對基座與第一隔熱環之間的密封和腔室底壁與第一隔熱環之間進行密封，從而實現了所述基座和腔室底壁的連接處的密封；同時由於所述第一隔熱環具有一定高度，由此即使所述基座和腔室底壁的密封面受熱變形也不會使這兩個密封面直接接觸，從而維持了基座和腔室底壁之間的隔熱狀態；且所述第一隔熱環還設有隔熱結構能夠進一步增強所述基座和腔室底壁之間的隔熱作用。本發明所述的隔熱密封組件能很好的將腔室底壁的熱量與基座隔離，保證所述基座在工藝時維持低溫溫度的穩定性，提高工藝效果。
以下結合圖式和具體實施方式對本發明提出的方案作進一步詳細說明。根據下面說明，本發明的優點和特徵將更清楚。需要說明的是，圖式採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施方式的目的。為了使本發明的目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，請參閱圖式。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士瞭解與閱讀，並非用以限定本發明實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容能涵蓋的範圍內。
圖1示出了本發明一實施例提供的一種預清潔腔室。所述預清潔腔室的腔室體包括腔室側壁31和腔室底壁32，腔室體內設置有加熱器，用於將腔室體加熱至140℃左右。腔室內底部設有用於承載基片W的基座40，所述基座40通常為鋁材，內設置有加熱器和冷卻管，通過基座40的溫度控制變化使基片W達到成鹽的工藝溫度，所述基座40的溫度通常控制在40℃左右。腔室頂部設有腔室蓋10，所述腔室蓋10通常為鋁材，內部設有加熱器，用於加熱腔室蓋10。氣體噴淋板20通常為鋁材或鎳，設置在腔室蓋10下方，通過腔室蓋10的傳熱使其溫度達到120~200℃之間。
所述基座40放置在所述腔室底壁32上，二者的連接處需要採用密封圈進行密封處理，設置密封圈後該連接處的兩個密封面之間形成縫隙可用於隔熱，然而，如先前技術所述，該密封處的密封圈容易失效，且密封面受熱變形後使該縫隙消失，無法實現有效隔熱。鑒於此，本實施例在所述基座40與所述腔室底壁32的連接處設置隔熱密封組件50，如圖2所示，所述隔熱密封組件50包括密封圈51和第一隔熱環52，所述第一隔熱環52與所述基座40和所述腔室底壁32之間均採用所述密封圈51密封連接，所述第一隔熱環52設有隔熱結構用於對所述基座40和所述腔室底壁32之間進行隔熱。具體的，如圖1所示，所述腔室底壁32具有一向上延伸的凸起部321用於支撐所述基座40，凸起部321的一側為工藝處理環境，另一側為大氣環境，通過密封圈51保持兩個環境的隔離，所述隔熱密封組件50設於所述凸起部321與所述基座40之間。
本實施例中，採用兩個密封圈51分別對基座40與第一隔熱環52之間的密封和腔室底壁32與第一隔熱環52之間進行密封，從而實現了所述基座40和腔室底壁32的連接處的密封，同時由於所述第一隔熱環52具有一定高度，由此即使所述基座40和腔室底壁32的密封面受熱變形也不會使這兩個密封面直接接觸，從而維持了基座40和腔室底壁32之間的隔熱狀態，且所述第一隔熱環52還設有隔熱結構能夠進一步增強所述基座40和腔室底壁32之間的隔熱作用。本實施例所述的隔熱密封組件50能很好的將腔室底壁32的熱量與基座40隔離，保證所述基座40在工藝時維持低溫溫度的穩定性，提高工藝效果。
可選的，所述第一隔熱環52可採用陶瓷、石英、SP1、PEEK、PE1、不銹鋼、純鎳、鈦合金等隔熱效果好的材質，從而大幅減少所述腔室底壁32經所述第一隔熱環52傳導至所述基座40的熱量，增強腔室底壁32與基座40之間的隔熱效果。
圖3a~圖8示出了所述第一隔熱環52的若干種結構。如圖3a、圖3b所示，所述第一隔熱環52上設置的隔熱結構包括設於所述第一隔熱環52的外側面的多個第一隔熱槽521，所述第一隔熱槽521不貫通所述第一隔熱環52。如圖4a、圖4b所示，所述第一隔熱環52上設置的隔熱結構包括設於所述第一隔熱環52的外側面的多個隔熱孔522，所述隔熱孔522不貫通所述第一隔熱環52。通過設置所述第一隔熱槽521或隔熱孔522，可進一步減少所述腔室底壁32經所述第一隔熱環52傳導至所述基座40的熱量，增強腔室底壁32與基座40之間的隔熱效果。可選的，所述第一隔熱槽521或隔熱孔522沿所述第一隔熱環52的周向均勻排列，以在所述第一隔熱環52的周向上實現均勻的隔熱效果。在其它實施例中，上述均勻排列的第一隔熱槽521或隔熱孔522也可以設置在所述第一隔熱環52的內側面，只要所述第一隔熱槽521或隔熱孔522不貫通所述第一隔熱環52即可，由此即保證隔熱，又保證隔熱環52兩側的環境不進行氣體交換。如圖5所示，所述第一隔熱槽521也可以為一個，其環繞所述第一隔熱環52的內側面設置，且不貫通過所述第一隔熱環52。在其他實施例中，一個所述第一隔熱槽521也可以環繞所述第一隔熱環52的外側面設置且不貫通過所述第一隔熱環52。
如圖5所示，所述第一隔熱環52具有相對的第一密封面a1和第二密封面a2，所述第一密封面a1與所述基座40相對，所述第二密封面a2與所述腔室底壁32相對，所述第一密封面a1設有密封圈槽A，則所述基座40與第一隔熱環52之間的密封圈51置於所述密封圈槽A中，從而對該密封圈51進行定位。如圖2所示，也可以僅在所述基座40與所述第一密封面a1相對的表面設置密封圈槽A。此外，還可以同時在所述第一密封面a1以及所述基座40與所述第一密封面a1相對的表面都設置密封圈槽A，則所述基座40與第一隔熱環52之間的密封圈51的上部位於所述基座40中的密封圈槽A中、下部位於所述第一密封面a1處的密封圈槽A中。可以理解的是，為達到密封的效果，兩個所述密封圈槽A的深度之和應小於所述密封圈51的厚度。
如圖6所示，所述第二密封面a2設有密封圈槽A，則所述第一隔熱環52與腔室底壁32之間的密封圈51置於所述密封圈槽A中，從而對該密封圈51進行定位。由此，通過將密封圈51設置在所述第一隔熱環52的密封圈槽A中，可以避免所述密封圈51直接與所述腔室底壁32的高溫面接觸，延長其使用壽命。如圖2所示，也可以在所述腔室底壁32與所述第二密封面a2相對的表面設置密封圈槽A。此外，還可以同時在所述第二密封面a2以及所述腔室底壁32與所述第二密封面a2相對的表面都設置密封圈槽A，則所述第一隔熱環52與腔室底壁32之間的密封圈51的上部位於所述第二密封面a2處的密封圈槽A中、下部位於所述腔室底壁32中的密封圈槽A中。可以理解的是，為達到密封的效果，兩個所述密封圈槽A的深度之和應小於所述密封圈51的厚度。
可以理解的是，在工藝工程中，所述第一隔熱環52的外側為腔室內的真空環境，內側為大氣環境。如圖7所示，所述第一隔熱環52上設置的隔熱結構包括所述第一隔熱環52內部的空腔523以及設於所述第一隔熱環52靠近大氣環境的一側的排氣口524，通過所述排氣口524排出所述第一隔熱環52內部的氣體。由此，通過排出所述第一隔熱環52內部空腔523的氣體可以降低所述第一隔熱環52的熱導率，進一步減少所述腔室底壁32經所述第一隔熱環52傳導至所述基座40的熱量，增強腔室底壁32與基座40之間的隔熱效果。
具體的，所述第一隔熱環52包括形成空腔523的頂壁5231、底壁和側壁，所述頂壁5231和底壁中至少一者與所述側壁密封連接。為便於加工，如圖7所示，所述底壁與側壁為一體結構，所述頂壁5231與所述側壁為密封連接。可選的，所述頂壁5231與所述側壁採用焊接的方式密封連接。
如圖8所示，所述第一隔熱環52上設置的隔熱結構包括包裹於所述第一隔熱環52外周的隔熱層525。所述隔熱層525可採用特氟龍（Teflon）品牌的聚四氟乙烯材質。通過採用特氟龍（Teflon）品牌的聚四氟乙烯材質的隔熱層525，在增強所述第一隔熱環52的隔熱效果的同時，還可以提高第一隔熱環52和密封圈51之間的密封性。
進一步的，對於圖7和圖8所示的第一隔熱環52，可以將密封圈槽A設置在所述基座40和所述腔室底壁32中，密封圈51位於所述密封圈槽A中，而不在所述第一隔熱環52的第一密封面a1和第二密封面a2開設密封圈槽。
本實施例中，如圖2所示，在所述基座40和所述腔室底壁32之間還設有第二隔熱環61，所述第一隔熱環52接近所述預清潔腔室靠近工藝處理空間的內部，所述第二隔熱環61接近所述預清潔腔室靠近大氣環境的外部，所述第二隔熱環61能夠為所述基座40與所述腔室底壁32之間提供支撐。可以理解的是，所述基座40的重量較大，通過設置第二隔熱環61可以更好的支撐所述基座，同時所述第二隔熱環61與所述第一隔熱環52共同隔離所述基座40和所述腔室底壁32，使所述基座40和所述腔室底壁32在受熱變形的情況下不會直接接觸，起到了隔熱作用。可選的，所述第二隔熱環61可採用採用SP1、PEEK、PE1等隔熱材質，從而大幅減少所述腔室底壁32經所述第二隔熱環61傳導至所述基座40的熱量，增強腔室底壁32與基座40之間的隔熱效果。所述第一隔熱環52和所述第二隔熱環61也可以設置為一體結構。
如圖9所示，所述第二隔熱環61具有相對的第一配合面b1和第二配合面b2，所述第一配合面b1與基座40相對，所述第二配合面b2與腔室底壁32相對，所述第一配合面b1設有第二隔熱槽611。通過設置所述第二隔熱槽611，可進一步減少所述腔室底壁32經所述第二隔熱環61傳導至所述基座40的熱量，增強腔室底壁32與基座40之間的隔熱效果。在其它實施例中，也可以同時在所述第二配合面b2開設所述第二隔熱槽611。此外，所述第二隔熱槽611也可以貫通所述第一配合面b1和第二配合面b2形成通孔。在其它實施例中，還可以在所述第二隔熱環61的其它位置設置槽和/或孔的隔熱結構，例如像所述第一隔熱環52上設置的第一隔熱槽521/隔熱孔522的結構。
此外，如背景技術所述，所述腔室蓋10與所述腔室側壁31的連接處也需要採用密封圈進行密封處理，設置密封圈後該連接處的兩個密封面之間形成縫隙可用於隔熱，該密封處的密封圈容易失效，且密封面受熱變形後使該縫隙消失，無法實現隔熱。基於此，本實施例中，如圖1所示，所述腔室蓋10與所述腔室側壁31的連接處也可以設置所述隔熱密封組件50，以實現所述腔室蓋10與所述腔室側壁31之間的隔熱。具體的，如圖10所示，所述第一隔熱環52與所述腔室蓋10和所述腔室側壁32之間均採用所述密封圈51密封連接，所述第一隔熱環52設有隔熱結構用於對所述腔室蓋10和所述腔室側壁31之間進行隔熱。
由此，通過採用兩個密封圈51分別對腔室蓋10與第一隔熱環52之間的密封和腔室側壁31與第一隔熱環52之間進行密封，從而實現所述腔室蓋10和腔室側壁31的連接處的密封，同時由於所述第一隔熱環52具有一定高度，由此即使所述腔室蓋10和腔室側壁31的密封面受熱變形也不會使這兩個密封面直接接觸，從而維持了腔室蓋10和腔室側壁31之間的隔熱狀態，且所述第一隔熱環52還設有隔熱結構能夠進一步增強所述腔室蓋10和腔室側壁31之間的隔熱作用，本實施例所述的隔熱密封組件50能很好的將腔室蓋10的熱量與腔室側壁31隔離，減少由腔室蓋10傳導至腔室側壁31的熱量，保證氣體噴淋板20達到所需的溫度，消除腔室蓋10熱量影響工藝時基座40的低溫溫度，保證所述基座40在工藝時維持低溫溫度的穩定性，提高工藝效果。
需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，並不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
儘管本發明的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本領域具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
10:腔室蓋
20:氣體噴淋板
31:腔室側壁
32:腔室底壁
321:凸起部
W:基片
40:基座
50:隔熱密封組件
51:密封圈
52:第一隔熱環
521:第一隔熱槽
522:隔熱孔
523:空腔
5231:頂壁
524:排氣口
525:隔熱層
a1:第一密封面
a2:第二密封面
A:密封圈槽
61:第二隔熱環
611:第二隔熱槽
b1:第一配合面
b2:第二配合面
X1,X2:虛線框
為了更清楚地說明本發明的技術方案，下面將對描述中所需要使用的圖式作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的圖式是本發明的一個實施例，對於本領域具有通常知識者來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些圖式獲得其他的圖式：
圖1為本發明一實施例提供的一種預清潔腔室的結構圖；
圖2為圖1中虛線框X1內結構的放大圖；
圖3a為第一隔熱環的第一種結構圖；
圖3b為圖3a所示第一隔熱環的剖視圖；
圖4a為第一隔熱環的第二種結構圖；
圖4b為圖4a所示第一隔熱環的剖視圖；
圖5為第一隔熱環的第三種結構的剖視圖；
圖6為第一隔熱環的第四種結構的剖視圖；
圖7為第一隔熱環的第五種結構的剖視圖；
圖8為第一隔熱環的第六種結構的剖視圖；
圖9為第二隔熱環的一種結構的剖視圖；
圖10為圖1中虛線框X2內結構的放大圖。
10:腔室蓋
20:氣體噴淋板
31:腔室側壁
32:腔室底壁
321:凸起部
W:基片
40:基座
50:隔熱密封組件
X1,X2:虛線框
Claims (17)
- 一種預清潔腔室，所述預清潔腔室內底部設有一基座，其特徵在於，所述基座與所述預清潔腔室的腔室底壁的連接處設有隔熱密封組件，所述隔熱密封組件包括密封圈和第一隔熱環，所述第一隔熱環與所述基座和所述腔室底壁之間均採用所述密封圈密封連接，所述第一隔熱環設有隔熱結構用於對所述基座和所述腔室底壁之間進行隔熱。
- 如請求項1所述的預清潔腔室，其中，所述腔室底壁具有向上延伸的一凸起部用於支撐所述基座，所述隔熱密封組件設於所述凸起部與所述基座之間。
- 如請求項1所述的預清潔腔室，其中，所述隔熱結構包括設於所述第一隔熱環的內側面和/或外側面的第一隔熱槽或隔熱孔，所述第一隔熱槽或所述隔熱孔不貫通所述第一隔熱環。
- 如請求項3所述的預清潔腔室，其中，所述第一隔熱槽或所述隔熱孔沿所述第一隔熱環的周向均勻排列。
- 如請求項3所述的預清潔腔室，其中，所述第一隔熱環具有相對的第一密封面和第二密封面，所述第一密封面與所述基座相對，所述第二密封面與所述腔室底壁相對，所述第一密封面和/或所述基座與所述第一密封面相對的表面設有密封圈槽，所述第二密封面和/或所述腔室底壁與所述第二密封面相對的表面設有所述密封圈槽，所述密封圈位於所述密封圈槽中。
- 如請求項1所述的預清潔腔室，其中，所述隔熱結構包括所述第一隔熱環內部的空腔以及設於所述第一隔熱環靠近大氣環境一側的排氣口，通過所述排氣口排出所述第一隔熱環內部的氣體。
- 如請求項6所述的預清潔腔室，其中，所述第一隔熱環包括形成所述空腔的頂壁、底壁和側壁，所述頂壁和所述底壁中至少一者與所述側壁密封連接。
- 如請求項7所述的預清潔腔室，其中，所述頂壁和所述底壁中至少一者與所述側壁採用焊接的方式密封連接。
- 如請求項1所述的預清潔腔室，其中，所述隔熱結構包括包裹於所述第一隔熱環外周的隔熱層。
- 如請求項9所述的預清潔腔室，其中，所述隔熱層採用特氟龍材質。
- 如請求項6或9所述的預清潔腔室，其中，所述第一隔熱環具有相對的第一密封面和第二密封面，所述第一密封面與所述基座相對，所述第二密封面與所述腔室底壁相對，所述基座中設有密封圈槽，所述腔室底壁中設有所述密封圈槽，所述密封圈位於所述密封圈槽中。
- 如請求項1所述的預清潔腔室，其中，所述第一隔熱環採用陶瓷、石英、SP1、PEEK、PE1、不銹鋼、純鎳、鈦合金材質。
- 如請求項1所述的預清潔腔室，其中，所述基座和所述腔室底壁之間還設有第二隔熱環，所述第一隔熱環接近所述預清潔腔室內部，所述第二隔熱環接近所述預清潔腔室外部，所述第二隔熱環能夠為所述基座與所述腔室底壁之間提供支撐。
- 如請求項13所述的預清潔腔室，其中，所述第二隔熱環具有相對的第一配合面和第二配合面，所述第一配合面和/或所述第二配合面設有第二隔熱槽。
- 如請求項13所述的預清潔腔室，其中，所述第二隔熱環採用SP1、PEEK、PE1材質。
- 如請求項13所述的預清潔腔室，其中，所述第一隔熱環和所述第二隔熱環為一體結構。
- 如請求項1所述的預清潔腔室，其中，所述預清潔腔室頂部設有一腔室蓋，所述腔室蓋與所述清潔腔室的腔室側壁的連接處也設有所述隔熱密封組件。
Applications Claiming Priority (2)
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ID=88910602
Family Applications (1)
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| TW112114919A TW202347562A (zh) | 2022-05-24 | 2023-04-21 | 預清潔腔室 |
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| TW (1) | TW202347562A (zh) |
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2022
- 2022-05-24 CN CN202210571174.8A patent/CN117153652A/zh active Pending
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2023
- 2023-04-21 TW TW112114919A patent/TW202347562A/zh unknown
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117153652A (zh) | 2023-12-01 |
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