TW202345225A - 邊緣修整裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供能夠抑制晶圓的背面的污垢的邊緣修整裝置。邊緣修整裝置(10)具備：使用刀片(56)對被保持於第一工作臺(100)的晶圓W進行邊緣修整的加工部(14)、以及對於被保持於第二工作臺(200)且旋轉的晶圓W，供給清洗用的流體以進行清洗的清洗部(16)。第一工作臺(100)沿著晶圓W的背面的外周呈環狀接觸並保持晶圓W。第二工作臺(200)在比第一工作臺(100)靠內側的區域與晶圓W的背面接觸並保持晶圓W。

Description

邊緣修整裝置

本發明涉及對工件的邊緣進行修整加工的邊緣修整裝置。

半導體製造工序之一存在背面研磨(back grind)。背面研磨是所謂的後工序之一，是對在表面形成有圖案的晶圓的背面全體進行磨削以減薄其厚度的工序。但是，若對外周被倒角的晶圓進行背面研磨，則晶圓的外周成為刀邊緣狀，從而誘發破裂成為課題。對於該課題，已知在預先去除(修整)成為刀邊緣狀的部分後進行背面研磨的方法(例如專利文獻1等)。將預先去除成為刀邊緣狀的部分的加工稱為「邊緣修整」。邊緣修整使用刀片(旋轉刃)進行。具體而言，通過一邊使刀片切入晶圓的外周一邊使晶圓旋轉來進行(例如專利文獻2等)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本特開2000-173961號公報 專利文獻2：日本特開2010-245167號公報

[發明欲解決之課題]

然而，當進行邊緣修整時，存在污垢附著於晶圓的背面的情況，從而存在該污垢對後工序的裝置造成污染、或在載體(carrier)內對下部的晶圓的表面造成污染這樣的問題。

本發明是鑒於這樣的情況而完成的，其目的在於，提供能夠抑制晶圓的背面的污垢的邊緣修整裝置。 [用以解決課題之手段]

為了解決上述課題，關於本發明的邊緣修整裝置具備：加工部，其具備保持板狀的工件的第一工作臺、以及裝配有刀片的主軸，並使用刀片對被保持於第一工作臺的工件進行邊緣修整；清洗部，其具備保持工件的第二工作臺、以及供給清洗用的流體的噴嘴，並從噴嘴對被保持於第二工作臺且旋轉的工件供給流體，從而對工件進行清洗；以及搬運部，其從加工部向清洗部搬運工件，第一工作臺具有沿著工件的背面的外周接觸的環狀的第一保持部，利用第一保持部吸附工件的背面從而保持工件，第二工作臺具有在比第一保持部靠內側的區域與工件的背面接觸的第二保持部，利用第二保持部吸附工件的背面從而保持工件。

在本發明的一形態中，較佳為，第二保持部為圓形狀，具有比第一保持部的內徑小的外徑。

在本發明的一形態中，較佳為，第二工作臺在第二保持部的外周進一步具有凸緣部，凸緣部以在與工件之間具有間隙的方式配置，從噴嘴向間隙供給流體，從而對工件的背面進行清洗。

在本發明的一形態中，較佳為，凸緣部具有比工件大的外徑，從噴嘴對超出凸緣部的工件的區域供給流體，從而向間隙供給流體。

在本發明的一形態中，較佳為，在凸緣部設置有將從噴嘴供給的流體朝向間隙引導的溝。

在本發明的一形態中，較佳為，溝沿著被第二保持部保持的工件的外周配置。

在本發明的一形態中，較佳為，第二工作臺進一步具有與間隙相通的流體流路，從流體流路向間隙供給流體。

在本發明的一形態中，較佳為，第二工作臺進一步具有：凸緣部，其設置在第二保持部的外周，以在與工件之間具有間隙的方式配置；以及流體流路，其與間隙相通，第二工作臺從流體流路向間隙供給流體，從而對工件的背面進行清洗。

在本發明的一形態中，較佳為，加工部對被保持於第一工作臺的工件一邊供給切削液一邊使用刀片進行邊緣修整。 [發明之效果]

根據本發明，能夠抑制晶圓的背面的污垢。

[用以實施發明的形態]

以下，按照附圖對本發明的較佳的實施形態進行說明。

［全體構成］ 圖1是示出邊緣修整裝置的全體的概要構成的立體圖。

本實施形態的邊緣修整裝置10是對圓板狀(包括外周的一部分被切除的)的晶圓W進行邊緣修整的裝置。

另外，在圖1中，X軸、Y軸、Z軸是相互正交的軸。包含X軸以及Y軸的面構成水平的面。

如圖1所示，本實施形態的邊緣修整裝置10具備：進行晶圓W的供給以及回收的供給回收部12、對晶圓W加工的加工部14、對加工後的晶圓W清洗(包括乾燥)的清洗部16、以及進行晶圓W的搬運的搬運部18，且自動地進行從晶圓W的供給到回收這一系列處理。

供給回收部12包括裝載口20，從設置於裝載口20的匣(未圖示)供給作為加工對象的晶圓W。另外，經由裝載口20，將加工後的晶圓W回收到匣(未圖示)中。

加工對象的晶圓W是外周呈圓弧狀倒角(所謂的R倒角)的圓板狀的晶圓。晶圓W是工件的一例。

加工部14使用一對刀片56來進行晶圓W的邊緣修整。具體而言，一邊使一對刀片56切入晶圓W的外周一邊使晶圓W旋轉，從而利用刀片56將晶圓W的外周部分去除。去除的部分是在之後的背面研磨工序中對晶圓W的背面全體進行了磨削的情況下成為刀邊緣狀的部分(外周的表面側的R形狀的部分)。關於加工部14的詳細內容後述之。

清洗部16對加工後的晶圓W進行清洗(包括清洗)。具體而言，一邊使晶圓W旋轉一邊向晶圓W供給清洗液，從而對晶圓W清洗(所謂的旋轉清洗)。在清洗後，一邊使晶圓W旋轉一邊向晶圓W吹送氣體，從而使晶圓W乾燥(所謂的旋轉乾燥)。在本實施形態的邊緣修整裝置10中，在清洗時，同時清洗晶圓W的表面和背面。關於清洗部16的詳細內容後述之。

搬運部18具有機械臂22，藉由機械臂22向各部搬運晶圓W。具體而言，藉由機械臂22向加工部14搬運從供給回收部12供給的晶圓W。此外，藉由機械臂22將加工後的晶圓W從加工部14向清洗部16搬運。進一步地，藉由機械臂22將清洗後的晶圓W從清洗部16向供給回收部12搬運。另外，由於由機械臂22進行的晶圓W的搬運本身是眾所周知的技術，因此省略對其詳細情況的說明。

［加工部］ 圖2是示出加工部的概要構成的概要圖。

如該圖所示，加工部14具有鞍部24以及門型立柱26。鞍部24以及門型立柱26設置在架台28上。

在鞍部24設置有沿著X軸的方向移動的X軸工作臺30。X軸工作臺30被裝配設置於鞍部24的X軸導軌32引導，沿著X軸的方向移動自如地被支撐著。X軸工作臺30被X軸馬達34驅動而移動。X軸馬達34例如由線性馬達構成。另外，藉由X軸感測器來檢出X軸工作臺30在其移動軸上的位置(X軸方向的位置)。X軸感測器例如由線性尺(linear scale)構成。

在X軸工作臺30設置有保持晶圓W的第一工作臺100、以及使該第一工作臺100旋轉的第一工作臺驅動部36。

第一工作臺100吸附晶圓W的背面而將晶圓W保持為水平。晶圓W被保持在第一工作臺100的同軸上。關於第一工作臺100的詳細內容後述之。

第一工作臺驅動部36內置有馬達以作為驅動源。第一工作臺100藉由第一工作臺驅動部36驅動從而以θ1軸為中心而旋轉。θ1軸是穿過第一工作臺100的中心且與Z軸平行的軸。

在門型立柱26設置有一對沿著Y軸的方向移動的Y軸工作臺40。各Y軸工作臺40被裝配設置於門型立柱26的共用的Y軸導軌42引導，沿著Y軸的方向移動自如地被支撐著。各Y軸工作臺40分別被Y軸馬達44驅動而分別地移動。Y軸馬達44例如由線性馬達構成。另外，藉由Y軸感測器來分別檢出各Y軸工作臺40在其移動軸上的位置(Y軸方向上的位置)。Y軸感測器例如由線性尺(linear scale)構成。

在各Y軸工作臺40設置有沿著Z軸的方向移動的Z軸工作臺46。各Z軸工作臺46被裝配設置於Y軸工作臺40的Z軸導軌48引導，沿著Z軸的方向移動自如地被支撐著。各Z軸工作臺46分別被Z軸馬達50驅動而分別地移動。Z軸馬達50例如由線性馬達構成。另外，藉由Z軸感測器來分別檢出各Z軸工作臺46在其移動軸上的位置(Z軸方向上的位置)。Z軸感測器例如由線性尺(linear scale)構成。

在各Z軸工作臺46設置有對晶圓W加工的加工單元52。加工單元52包括：主軸馬達54、在主軸馬達54的主軸54A裝配的刀片56以及未圖示的切削液供給部。主軸馬達54以其作為旋轉部的主軸54A與Y軸平行地配置。刀片56以可裝卸的方式裝配於主軸54A的前端。切削液供給部包括噴嘴(未圖示)，從噴嘴向切削中的部位(刀片56與晶圓W接觸的部位)供給切削液。

在以上那樣構成的加工部14中，藉由驅動X軸馬達34，第一工作臺100沿著X軸移動。另外，通過驅動第一工作臺驅動部36，第一工作臺100以θ1軸為中心而旋轉。另外，藉由驅動Y軸馬達44，加工單元52沿著Y軸移動。另外，藉由驅動Z軸馬達50，加工單元52沿著Z軸移動。另外，藉由驅動主軸馬達54，刀片56旋轉。

圖3以及圖4是邊緣修整的概念圖。另外，圖5是進行了邊緣修整的晶圓的立體圖。

如圖3以及圖4所示，一邊使刀片56切入晶圓W的外周一邊使晶圓W旋轉。另外，圖4示出使晶圓W從刀片56的切入起開始旋轉了90度的狀態。

如此，藉由一邊使刀片56切入一邊使晶圓W旋轉，沿著外周形成切溝G，如圖5所示，晶圓W的外周被加工出段差。

在此，使刀片56切入的量(切削量)A對應之後的背面研磨工序中的晶圓W的精加工厚度而設定，設定為比精加工厚度大的值(設定為比精加工厚度稍大的值。)。

另外，藉由切削而去除的寬度B設定為比倒角的寬度(R倒角的情況下為半徑)C大的值(設定為比倒角的寬度C稍大的值。)。

由此，能夠預先去除(修整)在之後的背面研磨工序中加工後成為刀邊緣狀的部分。

另外，刀片56能夠藉由使用比寬度B厚的刀片而一次性地去除應去除的區域。本實施形態的邊緣修整裝置10具有一對刀片56，故能夠同時對兩個部位進行加工。因此，能夠以旋轉1/2周做加工。

加工是在既定的加工位置進行。第一工作臺100在既定的接收位置由機械臂22接收晶圓W，然後向加工位置移動。在加工結束後，第一工作臺100向接收位置移動。當第一工作臺100位於接收位置時，以機械臂22回收並移送至清洗部16。

［清洗部］ 圖6是示出清洗部的概要構成的俯視圖。圖7是示出清洗部的概要構成的剖視圖。

如圖6以及圖7所示，清洗部16具有上部開口的清洗槽60。在清洗槽60的內部設置有第二工作臺200、第二工作臺驅動部62、清洗噴嘴64、沖洗噴嘴66、乾燥噴嘴68等。

第二工作臺200吸附晶圓W的背面而將晶圓W保持為水平。晶圓W被保持在第二工作臺200的同軸上。關於第二工作臺200的詳細內容後述之。

第二工作臺驅動部62內置有馬達以作為驅動源。第二工作臺200藉由第二工作臺驅動部62驅動從而以θ2軸為中心而旋轉。θ2軸是穿過第二工作臺200的中心且與Z軸平行的軸。

清洗噴嘴64是清洗用的噴嘴，朝向被保持於第二工作臺200的晶圓W噴射清洗液。清洗液的成分根據晶圓W的種類等而適當設定。清洗液是清洗用的流體的一例。在本實施形態中，朝向晶圓W鉛垂往下地噴射清洗液。清洗噴嘴64設置在清洗用臂64A的前端。清洗用臂64A由清洗用馬達64B驅動而水平地擺動。藉由使清洗用臂64A擺動，清洗噴嘴64沿著穿過第二工作臺200的中心的移動軌跡往復移動。

沖洗噴嘴66是沖洗用的噴嘴，朝向被保持於第二工作臺200的晶圓W噴射沖洗液。沖洗液例如是超純水。沖洗液是清洗用的流體的另一例。在本實施形態中，朝向晶圓W鉛垂往下地噴射沖洗液。沖洗噴嘴66設置在沖洗用臂66A的前端。沖洗用臂66A由沖洗用馬達66B驅動而水平地擺動。藉由使沖洗用臂66A擺動，沖洗噴嘴66沿著穿過第二工作臺200的中心的移動軌跡往復移動。

乾燥噴嘴68是乾燥用的噴嘴，向被保持於第二工作臺200的晶圓W噴射氣體(例如壓縮空氣)。氣體是清洗用的流體的又一例。在本實施形態中，朝向晶圓W鉛垂往下地噴射氣體。乾燥噴嘴68設置在乾燥用臂68A的前端。乾燥用臂68A由乾燥用馬達68B驅動而水平地擺動。藉由使乾燥用臂68A擺動，乾燥噴嘴68沿著穿過第二工作臺200的中心的移動軌跡往復移動。

在以上那樣構成的清洗部16中，晶圓W的清洗以如下的步驟進行。

首先，進行基於清洗液的清洗。基於清洗液的清洗是所謂的旋轉清洗。即，一邊使晶圓W旋轉一邊供給(噴射)清洗液，從而對晶圓W清洗。清洗噴嘴64一邊往復移動一邊朝向旋轉的晶圓W噴射清洗液。

在基於清洗液的清洗後，進行基於沖洗液的沖洗(洗滌)。基於沖洗液的沖洗也藉由使晶圓W旋轉來進行。即，一邊使晶圓W旋轉一邊供給(噴射)沖洗液，從而對晶圓W沖洗。沖洗噴嘴66一邊往復移動一邊朝向旋轉的晶圓W噴射沖洗液。

在沖洗後，進行乾燥。乾燥也藉由使晶圓W旋轉來進行(所謂的旋轉乾燥)。即，一邊使晶圓W旋轉一邊噴射氣體，從而使晶圓W乾燥。乾燥噴嘴68一邊往復移動一邊朝向旋轉的晶圓W噴射氣體。

在乾燥後，晶圓W以機械臂22從第二工作臺200回收，並移送至供給回收部12。

［第一工作臺］ 圖8是第一工作臺的立體圖。圖9是第一工作臺的剖視圖。

如圖8以及圖9所示，第一工作臺100具有圓板狀的形狀，並在其上面將晶圓W保持為水平。

第一工作臺100在上面的中央具有圓錐台形狀的凹部102，在該凹部102的周圍具有圓環狀的第一保持部104。第一保持部104是乘載設置晶圓W而與晶圓W的背面接觸的部分。第一保持部104具有比晶圓W的外徑ϕW小的內徑ϕ1a，並且具有比晶圓W的外徑ϕW大的外徑ϕ1b(ϕ1a＜ϕW＜ϕ1b)。

第一保持部104的上面104A構成晶圓W的吸附面。第一保持部104的上面104A由平面構成，以與θ1軸正交而配置。晶圓W藉由乘載設置於第一保持部104的上面104A，其背面的外周與第一保持部104的上面104A呈圓環狀地接觸而被保持著。另一方面，晶圓W的背面的中央部分以非接觸狀態被保持著。

在第一保持部104的上面104A設置有圓環狀的第一吸引部106。第一吸引部106由多孔件(多孔質體)構成。具體而言，在設置於上面104A的圓環狀的溝106A嵌合由多孔質陶瓷等構成的圓環狀的第一多孔構件106B，從而構成第一吸引部106。第一吸引部106的上面與第一保持部104的上面104A構成同一面(所謂的共面)。

在第一工作臺100的內部設置有與第一吸引部106的溝106A相通的吸引用流路108。吸引用流路108與由噴射器等構成的第一吸引源110連接。當第一吸引源110動作時，經由吸引用流路108向第一吸引部106的上面傳遞負壓。

在以上那樣構成的第一工作臺100中，當將晶圓W乘載設置於第一保持部104的上面104A並使第一吸引源110動作時，晶圓W被吸附並保持於第一保持部104。更詳細而言，晶圓W的背面的外周部分被設置在第一保持部104的上面104A的第一吸引部106吸附並保持。此時，晶圓W僅背面的外周部分與第一保持部104接觸。由此，在與第一工作臺100非接觸的部分(凹部102的部分)處，能夠抑制晶圓W的背面被污染。

［第二工作臺］ 圖10是第二工作臺的立體圖。圖11是第二工作臺的剖視圖。

如圖10以及圖11所示，第二工作臺200具有圓板狀的第二保持部202、以及一體地設置於該第二保持部202的外周的圓環狀的凸緣部204，且第二工作臺200全體具有圓板狀的形狀。

第二保持部202是第二工作臺200中乘載設置晶圓W而與晶圓W的背面接觸的部分。第二保持部202具有比第一工作臺100的第一保持部104的內徑ϕ1a小的外徑ϕ2a(ϕ2a＜ϕ1a)。因此，第二保持部202在第一工作臺100的第一保持部104的內側的區域(凹部102的區域)與晶圓W的背面接觸。

第二保持部202的上面202A構成晶圓W的吸附面。第二保持部202的上面202A由平面構成，以與θ2軸正交的方式配置。晶圓W藉由乘載設置於第二保持部202的上面202A，其背面的中央部分與第二保持部202接觸而被保持著。

在第二保持部202的上面202A設置有圓形狀的第二吸引部206。第二吸引部206由多孔件構成。具體而言，在設置於上面202A的圓形狀的凹部206A嵌合由多孔質陶瓷等構成的圓板狀的第二多孔構件206B，從而構成第二吸引部206。第二吸引部206的上面與第二保持部202的上面202A構成同一面(所謂的共面)。

在第二工作臺200的內部設置有與第二吸引部206的凹部206A相通的吸引用流路208。吸引用流路208與由噴射器等構成的第二吸引源210連接。

當將晶圓W乘載設置於第二保持部202的上面202A並使第二吸引源210動作時，向第二吸引部206的上面傳遞負壓，從而晶圓W的背面被吸附並保持於第二保持部202。

凸緣部204的上面(上側的端面)204A由平面構成，以與θ2軸正交的方式配置。

凸緣部204具有比晶圓W的外徑ϕW大的外徑ϕ2b(ϕW＜ϕ2b)。因此，以第二保持部202將晶圓W保持在同軸上時，如圖11所示，其外周部分配置成超出晶圓W的外周。

另外，凸緣部204配置為其上面204A從第二保持部202的上面202A退開既定距離(δ)。因此，當第二保持部202保持晶圓W時，如圖11所示，在與晶圓W的背面之間形成有既定的寬度δ的間隙212。

在以上那樣構成的第二工作臺200中，當將晶圓W乘載設置於第二保持部202的上面202A並使第二吸引源210動作時，晶圓W被吸附並保持於第二保持部202。更詳細而言，晶圓W的背面的中央部分被設置在第二保持部202的上面202A的第二吸引部206吸附並保持。

如上所述，第二保持部202具有比第一工作臺100的第一保持部104的內徑ϕ1a小的外徑ϕ2a。因此，在比第一工作臺100的第一保持部104靠內側的區域(凹部102的區域)與晶圓W接觸，並保持晶圓W。如上所述，在第一工作臺100中，比第一保持部104靠內側的區域是能夠抑制污染的區域。因此，藉由保持該區域，能夠抑制第二保持部202的污染。另外，由此，能夠抑制晶圓W的污染。

此外，本實施形態的第二工作臺200藉由在第二保持部202的外周具有凸緣部204而使晶圓W的背面的清洗成為可能。

圖12是對晶圓的背面清洗的情況下的第二工作臺的剖視圖。

如上所述，被保持於第二保持部202的晶圓W在其背面與凸緣部204的上面204A之間形成有間隙212。藉由從清洗噴嘴64向該間隙供給清洗液，能夠對晶圓W的背面的外周部分(比被第二保持部202保持的區域靠外側的部分)清洗。

清洗液在凸緣部204的上面204A中，對從晶圓W的外周超出的區域(超出區域)PP供給。藉由從清洗噴嘴64向該超出區域PP供給清洗液，清洗液進入間隙212，利用進入到該間隙212的清洗液來清洗晶圓W的背面的外周部分。

晶圓W的背面的清洗為一邊使晶圓W旋轉一邊進行。在清洗晶圓W的背面時，調整清洗液的供給量以及/或者第二工作臺200的旋轉量以使清洗液能到達間隙212的裡面(內周部分)。

像這樣，在本實施形態的第二工作臺200中，利用在保持晶圓W時產生的間隙212對晶圓W的背面清洗。因此，該間隙212的寬度δ考慮清洗效果而設定。即，該間隙212的寬度δ設定為能夠最有效地清洗晶圓W的背面的寬度。

另外，晶圓W的清洗可以將表面側的清洗和背面側的清洗分開來進行，也可以同時進行。在分開進行的情況下，例如，在表面側的清洗結束後，向超出區域PP以既定時間供給清洗液，從而對晶圓W的背面進行清洗。在同時進行的情況下，例如，將使清洗噴嘴64移動的區域放大至區域PP，使超出區域PP也能被供給清洗液。

在沖洗時也同樣地向超出區域PP供給沖洗液，從而對晶圓W的背面沖洗。在乾燥時也同樣地向超出區域PP供給氣體，從而使晶圓W的背面乾燥。

如以上說明的那樣，根據本實施形態的邊緣修整裝置10，在清洗部16中，第二工作臺200在比加工部14的第一工作臺100靠內側的區域吸附並保持晶圓W的背面。由此，能夠抑制第二工作臺200的吸附面(第二保持部202的上面202A)被污染的情況。另外，由此，能夠抑制晶圓W的背面被污染的情況。

另外，根據本實施形態的邊緣修整裝置10，在清洗部16中，能夠對晶圓W的背面的外周部分清洗。由此，例如，即使在加工部14使晶圓W的背面的外周部分被污染了的情況下，也能夠以清洗部16清洗，從而將由供給回收部12回收的晶圓W的背面保持為潔淨。因此，也能夠抑制對後工序的裝置造成污染、或在載體(carrier)內對下部的晶圓W的表面造成污染的情況。

另外，本實施形態的邊緣修整裝置10在具備加工部和清洗部的一般的刀片切割機(blade dicer)(藉由在高速旋轉的主軸的前端安裝的刀片對晶圓切削或在晶圓加工出切溝的裝置)中，僅更換工作臺即可實現。因此，也能夠兼用作刀片切割機。

［變形例］ ［第二工作臺的變形例(1)］ 圖13是示出第二工作臺的另一例的立體圖。圖14是圖13所示的第二工作臺的剖視圖。

如圖13以及圖14所示，本例子的第二工作臺200在凸緣部204的上面204A具有溝220。溝220具有三角形狀的截面，且沿著保持於第二保持部202的晶圓W的外周呈圓環狀配置。

藉由沿著晶圓W的外周配置這樣的溝220，能夠使向凸緣部204的上面204A供給的液體(清洗液以及沖洗液)積極地與晶圓W的背面接觸。即，能夠將被凸緣部204的上面204A反射的液體積極地朝向晶圓W的背面噴灑。另外，藉由沿著晶圓W的外周配置這樣的溝220，能夠使向凸緣部204的上面204A供給的液體容易進入間隙212。由此，能夠提高清洗效果。對於噴射乾燥用的氣體的情況，也能夠得到同樣的效果。

另外，在本例子中，將溝220的截面形狀設為三角形狀，但其形狀並沒有特別限定。較佳為考慮流體向晶圓W的背面的接觸容易度、流體向間隙212的進入容易度等來設定。對於配置溝220的位置也同樣。

［第二工作臺的變形例(2)］ 圖15是示出第二工作臺的又一例的立體圖。圖16是圖15所示的第二工作臺的剖視圖。

如圖15以及圖16所示，本例子的第二工作臺200在凸緣部204的上面204A具有多個噴出口230。噴出口230沿著圓周方向以一定的間隔配置。在第二工作臺200的內部設置有與各噴出口230相通的流體流路232。在流體流路232經由第一閥234而連接有第一液體供給源236，並且經由第二閥238而連接有第二液體供給源240。

第一液體供給源236是清洗液的供給源，具備貯存有清洗液的罐(tank)以及將該罐內的清洗液送至流體流路232的泵(pump)等。

第二液體供給源240是沖洗液的供給源，具備貯存有沖洗液的罐(tank)以及將該罐內的沖洗液送至流體流路232的泵(pump)等。

第一閥234以及第二閥238例如由電磁閥構成，其開閉由控制單元(未圖示)控制。控制單元是對邊緣修整裝置10的全體的動作進行控制的單元。控制單元例如由具備處理器以及記憶體的電腦構成。

當打開第一閥234並使第一液體供給源236動作時，從第一液體供給源236向流體流路232供給清洗液。供給到流體流路232的清洗液從各噴出口230自凸緣部204的上面204A噴出。

當打開第二閥238並使第二液體供給源240動作時，從第二液體供給源240向流體流路232供給沖洗液。供給到流體流路232的沖洗液與清洗液同樣地從各噴出口230自凸緣部204的上面204A噴出。

在對晶圓W清洗的情況下，一邊使晶圓W旋轉一邊從各噴出口230噴出清洗液。由此，向間隙212供給清洗液，從而對晶圓W的背面的外周部分清洗。

另外，在對晶圓W進行沖洗的情況下，一邊使晶圓W旋轉一邊從各噴出口230噴出沖洗液。由此，向間隙212供給沖洗液，從而對晶圓W的背面的外周部分沖洗。

根據本例子的第二工作臺200，藉由在凸緣部204設置噴出口230，能夠更確實地向間隙212供給清洗用的流體。

另外，在上述的例子中，沿圓周方向以一定的間隔配置噴出口230，但並不限定於此。能夠根據所處理的晶圓W的尺寸、第二保持部202的外徑等來適當設定。

也能夠併用清洗噴嘴64對晶圓W的背面進行清洗。即，一邊從噴出口230向間隙212供給清洗液，一邊利用凸緣部204的超出區域PP而也從清洗噴嘴64向間隙212供給清洗液。在該情況下，藉由在凸緣部204的上面204A設置溝220，能夠進一步提高清洗效果。另外，清洗液的供給可以從噴出口230和清洗噴嘴64這雙方同時進行，也可以交替地進行。對於沖洗也同樣。

另外，在不併用清洗噴嘴64對晶圓W的背面清洗的情況下，不需要凸緣部204的超出區域PP。因此，在該情況下，能夠將凸緣部204的超出區域PP去除。即，能夠將凸緣部204的外徑設定為與晶圓W的外徑大致相同的直徑。由此，能夠使第二工作臺200的全體小型輕量化。

另外，在上述的例子中，噴出口230僅用於清洗和沖洗，但噴出口230也能夠用於乾燥。即，能夠在乾燥時，使氣體從噴出口230噴出，從而用於晶圓W的背面的乾燥。

另外，在上述的例子中，在清洗和沖洗中共用噴出口230，但也可以將噴出清洗液的噴出口和噴出沖洗液的噴出口分開設置。對於噴出氣體的情況，也可以進一步分別設置噴出氣體的噴出口。

［其他變形例］ 在上述實施形態中，在第二工作臺200設置有凸緣部204，但第二工作臺200也能夠採用沒有凸緣部204的構成。在該情況下，例如，能夠採用另外設置朝向晶圓W的背面噴射流體(清洗液、沖洗液、氣體等)的噴嘴而對晶圓W的背面清洗(包括乾燥)的構成。

另外，在上述實施形態中，採用相對於晶圓W鉛垂往下地供給清洗液等的構成，但供給清洗液等的方向(角度)並不限定於此。例如，也能夠採用從斜向方向供給的構成。另外，也能夠採用從橫方向(水平方向)對間隙212供給的構成。

另外，在上述實施形態中，針對處理圓板狀的晶圓W的情況說明，但處理對象(工件)並不限定於此。例如，也能夠以玻璃基板等作為處理對象。另外，倒角的形狀也沒有特別限定。

另外，在上述實施形態中，在加工部14設置有一對刀片56，但加工部14所具備的刀片56的數量並不限定於此。至少設置有一個刀片56即可。

另外，關於清洗，也能夠省略沖洗。在該情況下，不需要沖洗噴嘴66。

10:邊緣修整裝置 12:供給回收部 14:加工部 16:清洗部 18:搬運部 20:裝載口 22:機械臂 24:鞍部 26:門型立柱 28:架台 30:X軸工作臺 32:X軸導軌 34:X軸馬達 36:第一工作臺驅動部 40:Y軸工作臺 42:Y軸導軌 44:Y軸馬達 46:Z軸工作臺 48:Z軸導軌 50:Z軸馬達 52:加工單元 54:主軸馬達 54A:主軸 56:刀片 60:清洗槽 62:第二工作臺驅動部 64:清洗噴嘴 64A:清洗用臂 64B:清洗用馬達 66:沖洗噴嘴 66A:沖洗用臂 66B:沖洗用馬達 68:乾燥噴嘴 68A:乾燥用臂 68B:乾燥用馬達 100:第一工作臺 102:第一工作臺的凹部 104:第一保持部 104A:第一保持部的上面 106:第一吸引部 106A:溝 106B:第一多孔構件 108:吸引用流路 110:第一吸引源 200:第二工作臺 202:第二保持部 202A:第二保持部的上面 204:凸緣部 204A:凸緣部的上面 206:第二吸引部 206A:凹部 206B:第二多孔構件 208:吸引用流路 210:第二吸引源 212:間隙 220:溝 230:噴出口 232:流體流路 234:第一閥 236:第一液體供給源 238:第二閥 240:第二液體供給源 A:切削量 B:藉由切削而去除的寬度 C:倒角的寬度 G:切溝 PP:超出區域 W:晶圓 ϕ1a:第一保持部的內徑 ϕ1b:第一保持部的外徑 ϕ2a:第二保持部的外徑 ϕ2b:凸緣部的外徑 ϕW:晶圓的外徑 δ:間隙的寬度

圖1是示出邊緣修整裝置的全體的概要構成的立體圖。 圖2是示出加工部的概要構成的概要圖。 圖3是邊緣修整的概念圖。 圖4是邊緣修整的概念圖。 圖5是進行了邊緣修整的晶圓的立體圖。 圖6是示出清洗部的概要構成的俯視圖。 圖7是示出清洗部的概要構成的剖視圖。 圖8是第一工作臺的立體圖。 圖9是第一工作臺的剖視圖。 圖10是第二工作臺的立體圖。 圖11是第二工作臺的剖視圖。 圖12是對晶圓的背面進行清洗的情況下的第二工作臺的剖視圖。 圖13是示出第二工作臺的另一例的立體圖。 圖14是圖13所示的第二工作臺的剖視圖。 圖15是示出第二工作臺的又一例的立體圖。 圖16是圖15所示的第二工作臺的剖視圖。

10:邊緣修整裝置

12:供給回收部

14:加工部

16:清洗部

18:搬運部

20:裝載口

22:機械臂

54:主軸馬達

54A:主軸

56:刀片

100:第一工作臺

200:第二工作臺

W:晶圓

Claims (9)

1. 一種邊緣修整裝置，其中具備： 加工部，其具備保持板狀的工件的第一工作臺、以及裝配有刀片的主軸，並使用前述刀片對被保持於前述第一工作臺的前述工件進行邊緣修整； 清洗部，其具備保持前述工件的第二工作臺、以及供給清洗用的流體的噴嘴，並從前述噴嘴對被保持於前述第二工作臺且旋轉的前述工件供給前述流體，從而對前述工件清洗；以及 搬運部，其從前述加工部向前述清洗部搬運前述工件， 前述第一工作臺具有沿著前述工件的背面的外周接觸的環狀的第一保持部，以前述第一保持部吸附前述工件的背面從而保持前述工件， 前述第二工作臺具有在比前述第一保持部靠內側的區域與前述工件的背面接觸的第二保持部，以前述第二保持部吸附前述工件的背面從而保持前述工件。
2. 如請求項1的邊緣修整裝置，其中， 前述第二保持部為圓形狀，具有比前述第一保持部的內徑小的外徑。
3. 如請求項1或2的邊緣修整裝置，其中， 前述第二工作臺在前述第二保持部的外周進一步具有凸緣部， 前述凸緣部以在前述凸緣部與前述工件之間具有間隙的方式配置， 從前述噴嘴向前述間隙供給前述流體，從而對前述工件的背面清洗。
4. 如請求項3的邊緣修整裝置，其中， 前述凸緣部具有比前述工件大的外徑， 從前述噴嘴對從前述凸緣部的前述工件超出的區域供給前述流體，從而向前述間隙供給前述流體。
5. 如請求項4的邊緣修整裝置，其中， 在前述凸緣部設置有將從前述噴嘴供給的前述流體朝向前述間隙引導的溝。
6. 如請求項5的邊緣修整裝置，其中， 前述溝沿著被前述第二保持部保持的前述工件的外周配置。
7. 如請求項3至6中任一項的邊緣修整裝置，其中， 前述第二工作臺進一步具有與前述間隙相通的流體流路， 從前述流體流路向前述間隙供給前述流體。
8. 如請求項1或2的邊緣修整裝置，其中， 前述第二工作臺進一步具有： 凸緣部，其設置在前述第二保持部的外周，以在前述凸緣部與前述工件之間具有間隙的方式配置；以及 流體流路，其與前述間隙相通， 前述第二工作臺從前述流體流路向前述間隙供給前述流體，從而對前述工件的背面清洗。
9. 如請求項1至8中任一項的邊緣修整裝置，其中， 前述加工部對被保持於前述第一工作臺的前述工件一邊供給切削液一邊使用前述刀片進行邊緣修整。