TW202344916A - 光罩基底、轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

光罩基底、轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種對包含紫外線區域之波長之曝光之光具有高耐光性，並且具有高耐化學品性，且能夠形成良好之轉印圖案之光罩基底。 本發明係一種光罩基底，其具備透光性基板與設置於透光性基板之主表面上之圖案形成用薄膜，且薄膜含有鈦、矽及氮，將利用X射線光電子光譜法對薄膜之內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜中之結合能在455 eV處之光電子強度設為P N，且將Si2p窄光譜中之結合能在102 eV處之光電子強度設為P S時，滿足P N/P S大於1.18之關係，內部區域係薄膜之除透光性基板側之附近區域及與透光性基板相反側之表層區域以外之區域，內部區域中之氮之含量為30原子%以上。

Description

光罩基底、轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法
本發明係關於一種光罩基底、轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法。
近年來，於以OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極體)為代表之FPD(Flat  Panel Display，平板顯示器)等顯示裝置中，伴隨大畫面化及廣視野角化，高精細化、高速顯示化迅速發展。為了實現該高精細化、高速顯示化所需之要素之一在於製作微細且尺寸精度較高之元件及配線等電子電路圖案。該顯示裝置用電子電路之圖案化多使用光微影法。因此，需要形成有微細且高精度之圖案之顯示裝置製造用之相位偏移光罩及二元光罩等轉印用光罩(光罩)。
例如，專利文獻1中記載有用以對微細圖案進行曝光之光罩。據專利文獻1記載，形成於光罩之透明基板上之光罩圖案包含使實質上有助於曝光之強度之光透過的光透過部與使實質上無助於曝光之強度之光透過的光半透過部。又，據專利文獻1記載，使用相位偏移效果，使通過上述光半透過部與光透過部之交界部附近之光相互抵消，從而提高交界部之對比度。又，據專利文獻1記載，光罩中之上述光半透過部由包含以氮、金屬及矽為主要構成要素之物質之薄膜構成，並且包含34～60原子%之作為構成該薄膜之物質之構成要素之矽。
專利文獻2中記載有微影法所使用之半色調式相位偏移光罩基底。據專利文獻2記載，光罩基底具備基板、沈積於上述基板之蝕刻終止層、及沈積於上述蝕刻終止層之相位偏移層。進而，據專利文獻2記載，使用該光罩基底，能夠製造於未達500 nm之所選擇之波長時具有大致180度之相位偏移、及至少0.001%之光透過率的光罩。
專利文獻3中記載有於透明基板上具有圖案形成用薄膜之光罩基底。據專利文獻3記載，光罩基底係用於形成光罩之原版，該光罩係藉由對圖案形成用薄膜進行濕式蝕刻而在透明基板上具有轉印圖案者。又，據專利文獻3記載，光罩基底之圖案形成用薄膜含有過渡金屬與矽，具有柱狀構造。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第2966369號公報 [專利文獻2]日本專利特表2005-522740號公報 [專利文獻3]日本專利特開2020-95248號公報
[發明所欲解決之問題]
作為近年來之高精細(1000 ppi以上)之面板製作所使用之轉印用光罩，為了能夠轉印高解像度之圖案，要求一種轉印用光罩，其形成有包含孔之直徑為6 μm以下且線寬為4 μm以下之微細之圖案形成用薄膜圖案的轉印用圖案。具體而言，要求一種形成有包含直徑或寬度尺寸為1.5 μm之微細之圖案之轉印用圖案的轉印用光罩。
另一方面，關於藉由使光罩基底之圖案形成用薄膜圖案化而獲得之轉印用光罩，為了反覆用於向被轉印體轉印圖案，理想的是假設實際進行圖案轉印後對紫外線之耐光性(耐紫外光性)亦較高。又，轉印用光罩於其製造及使用時，會被反覆洗淨，因此理想的是耐光罩洗淨性(耐化學品性)亦較高。
然而，先前難以製造具備既滿足對包含紫外線區域之波長之曝光之光之透過率的要求，亦滿足耐紫外光性(以下，簡稱為耐光性)及耐化學品性的要求之圖案形成用薄膜之光罩基底。
本發明係為了解決上述問題而完成者。即，本發明之目的在於提供一種對包含紫外線區域之波長之曝光之光具有高耐光性，並且具有高耐化學品性，且能夠形成良好之轉印圖案之光罩基底。
又，本發明之目的在於提供一種對包含紫外線區域之波長之曝光之光具有高耐光性，並且具有高耐化學品性，且具備良好之轉印圖案之轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段]
本發明具有以下構成作為解決上述問題之技術手段。
(構成1)一種光罩基底，其特徵在於，具備透光性基板與設置於上述透光性基板之主表面上之圖案形成用薄膜，且 上述薄膜含有鈦、矽及氮， 將利用X射線光電子光譜法對上述薄膜之內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜(narrow-spectrum)中之結合能在455 eV處之光電子強度設為P N，且將Si2p窄光譜中之結合能在102 eV處之光電子強度設為P S時，滿足P N/P S大於1.18之關係， 上述內部區域係上述薄膜之除上述透光性基板側之附近區域及與上述透光性基板相反側之表層區域以外之區域， 上述內部區域中之氮之含量為30原子%以上。
(構成2)如構成1所記載之光罩基底，其特徵在於，將上述Ti2p窄光譜中之結合能在461 eV處之光電子強度設為P NU時，滿足P NU/P S大於1.05之關係。
(構成3)如構成1或2所記載之光罩基底，其特徵在於，上述內部區域中之鈦之含量相對於鈦及矽之合計含量之比率為0.05以上。
(構成4)如構成1至3中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於，上述內部區域中之鈦、矽及氮之合計含量為90原子%以上。
(構成5)如構成1至4中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於，上述內部區域之氧含量為7原子%以下。
(構成6)如構成1至5中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於，與上述透光性基板側相反之側之表層區域係自與上述透光性基板相反側之表面朝向上述透光性基板側遍及10 nm之深度之範圍內的區域。
(構成7)如構成1至6中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於，上述透光性基板側之附近區域係自上述透光性基板側之表面朝向與上述透光性基板相反側遍及10 nm之深度之範圍內的區域。
(構成8)如構成1至7中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於，上述薄膜為相位偏移膜， 上述相位偏移膜之對波長365 nm之光之透過率為1%以上，且對波長365 nm之光之相位差為150度以上210度以下。
(構成9)如構成1至8中任一項所記載之光罩基底，其特徵在於，上述薄膜上具備蝕刻選擇性與上述薄膜不同之蝕刻遮罩膜。
(構成10)如構成9所記載之光罩基底，其特徵在於，上述蝕刻遮罩膜含有鉻。
(構成11)一種轉印用光罩，其特徵在於，具備透光性基板與設置於上述透光性基板之主表面上且具有轉印圖案之薄膜，且 上述薄膜含有鈦、矽及氮， 將利用X射線光電子光譜法對上述薄膜之內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜中之結合能在455 eV處之光電子強度設為P N，且將Si2p窄光譜中之結合能在102 eV處之光電子強度設為P S時，滿足P N/P S大於1.18之關係， 上述內部區域係上述薄膜之除上述透光性基板側之附近區域及與上述透光性基板相反側之表層區域以外之區域， 上述內部區域中之氮之含量為30原子%以上。
(構成12)如構成11所記載之轉印用光罩，其特徵在於，將上述Ti2p窄光譜中之結合能在461 eV處之光電子強度設為P NU時，滿足P NU/P S大於1.05之關係。
(構成13)如構成11或12所記載之轉印用光罩，其特徵在於，上述內部區域中之鈦之含量相對於鈦及矽之合計含量之比率為0.05以上。
(構成14)如構成11至13中任一項所記載之轉印用光罩，其特徵在於，上述內部區域中之鈦、矽及氮之合計含量為90原子%以上。
(構成15)如構成11至14中任一項所記載之轉印用光罩，其特徵在於，上述內部區域之氧含量為7原子%以下。
(構成16)如構成11至15中任一項所記載之轉印用光罩，其特徵在於，與上述透光性基板側相反之側之表層區域係自與上述透光性基板相反側之表面朝向上述透光性基板側遍及10 nm之深度之範圍內的區域。
(構成17)如構成11至16中任一項所記載之轉印用光罩，其特徵在於，上述透光性基板側之附近區域係自上述透光性基板側之表面朝向與上述透光性基板相反側遍及10 nm之深度之範圍內的區域。
(構成18)如構成11至17中任一項所記載之轉印用光罩，其特徵在於，上述薄膜為相位偏移膜， 上述相位偏移膜之對波長365 nm之光之透過率為1%以上，且對波長365 nm之光之相位差為150度以上210度以下。
(構成19)一種轉印用光罩之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 準備如構成1至8中任一項所記載之光罩基底； 於上述薄膜上形成具有轉印圖案之抗蝕劑膜；及 進行以上述抗蝕劑膜為遮罩之濕式蝕刻，於上述薄膜形成轉印圖案。
(構成20)一種轉印用光罩之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 準備如構成9或10所記載之光罩基底； 於上述蝕刻遮罩膜上形成具有轉印圖案之抗蝕劑膜； 進行以上述抗蝕劑膜為遮罩之濕式蝕刻，於上述蝕刻遮罩膜形成轉印圖案；及 進行以形成有上述轉印圖案之蝕刻遮罩膜為遮罩之濕式蝕刻，於上述薄膜形成轉印圖案。
(構成21)一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 將如構成11至18中任一項所記載之轉印用光罩載置於曝光裝置之光罩台；及 對上述轉印用光罩照射曝光之光，從而將轉印圖案轉印至設置於顯示裝置用基板上之抗蝕劑膜。 [發明之效果]
根據本發明，能夠提供一種對包含紫外線區域之波長之曝光之光具有高耐光性，並且具有高耐化學品性，且能夠形成良好之轉印圖案之光罩基底。
又，根據本發明，能夠提供一種對包含紫外線區域之波長之曝光之光具有高耐光性，並且具有高耐化學品性，且具備良好之轉印圖案之轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法。
首先，對完成本發明之經過進行敍述。本發明人等針對如下光罩基底之構成進行了銳意研究，該光罩基底對包含紫外線區域之波長之曝光之光(以下，有時簡稱為「曝光之光」)具有高耐光性，並且具有高耐化學品性，且能夠形成良好之轉印圖案。本發明人等研究了將矽化鈦系材料用作為了製造FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)等顯示裝置而使用之轉印用光罩之薄膜圖案之材料。矽化鈦系材料之薄膜之光學特性與耐化學品性皆優異。另一方面，矽化鈦系材料之薄膜被認為具有對曝光之光(包含紫外線區域之波長之曝光之光)之照射之耐性亦優異的特性，但已判明存在對曝光之光之耐光性大幅度下降之情況。因此，本發明人等針對對曝光之光之耐光性較高之矽化鈦系材料之薄膜與對曝光之光之耐光性較低之矽化鈦系材料之薄膜的差異進行了多方面驗證。首先，本發明人等藉由利用X射線光電子光譜法(XPS：X-Ray Photoelectron Spectroscopy)所進行之分析等，針對薄膜之組成與對曝光之光之耐光性的關聯性進行了研究，但於薄膜之組成與耐光性之間未獲得明確之相關關係。又，進行剖面SEM(scanning electron microscope，掃描式電子顯微鏡)像、平面STEM(scanning transmission electron microscope，掃描穿透式電子顯微鏡)像之觀察或電子繞射像之觀察，但均未獲得與耐光性之間之明確之關聯。
本發明人等進一步進行銳意研究，結果判明，觀察利用X射線光電子光譜法(XPS)對圖案形成用薄膜之內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜與Si2p窄光譜時，儘管Ti2p窄光譜與Si2p窄光譜之整體行為接近，仍能看出耐光性存在差異(參照圖5、圖6所示之實施例3、4、圖7、圖8所示之比較例1之窄光譜)。 進一步進行研究，結果得出如下結論：氮含量為30原子%以上之矽化鈦系材料之薄膜只要於其內部區域，滿足Ti2p窄光譜之Ti2p 3/2之與TiN鍵對應之光電子強度(結合能在455 eV處之光電子強度)P N除以Si2p窄光譜之與Si 3N 4鍵對應之光電子強度(結合能在102 eV處之光電子強度)P S所得之比率大於1.18之條件，則對曝光之光具有高耐光性。
本發明之光罩基底係由以上銳意研究之結果導出者。即，本發明之光罩基底之特徵在於，具備透光性基板與設置於透光性基板之主表面上之圖案形成用薄膜，且薄膜含有鈦、矽及氮，將利用X射線光電子光譜法對薄膜之內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜中之結合能在455 eV處之光電子強度設為P N，且將Si2p窄光譜中之結合能在102 eV處之光電子強度設為P S時，滿足P N/P S大於1.18之關係，內部區域係薄膜之除透光性基板側之附近區域及與透光性基板相反側之表層區域以外之區域，內部區域中之氮之含量為30原子%以上。 以下，一面參照圖式，一面具體地說明本發明之實施方式。再者，以下實施方式係實現本發明時之方式，並非將本發明限定於其範圍內。
圖1係表示本實施方式之光罩基底10之膜構成之模式圖。圖1所示之光罩基底10具備透光性基板20、形成於透光性基板20上之圖案形成用薄膜30(例如相位偏移膜)、及形成於圖案形成用薄膜30上之蝕刻遮罩膜(例如遮光膜)40。
圖2係表示另一實施方式之光罩基底10之膜構成之模式圖。圖2所示之光罩基底10具備透光性基板20、及形成於透光性基板20上之圖案形成用薄膜30(例如相位偏移膜)。
本說明書中，「圖案形成用薄膜30」係指遮光膜及相位偏移膜等供在轉印用光罩100形成特定之微細圖案之薄膜(以後，有時簡稱為「薄膜30」)。再者，本實施方式之說明中，有時例舉相位偏移膜作為圖案形成用薄膜30之具體例，例舉相位偏移膜圖案作為圖案形成用薄膜圖案30a(以後，有時簡稱為「薄膜圖案30a」)之具體例進行說明。關於遮光膜及遮光膜圖案、透過率調整膜及透過率調整膜圖案等其他圖案形成用薄膜30及圖案形成用薄膜圖案30a，亦與相位偏移膜及相位偏移膜圖案相同。
以下，對構成本實施方式之顯示裝置製造用光罩基底10的透光性基板20、圖案形成用薄膜30(例如相位偏移膜)及蝕刻遮罩膜40進行具體說明。
＜透光性基板20＞ 透光性基板20對曝光之光為透明。關於透光性基板20，當無表面反射損耗時，對曝光之光具有85%以上之透過率，較佳為具有90%以上之透過率。透光性基板20係由含有矽與氧之材料構成，能夠由合成石英玻璃、石英玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、及低熱膨脹玻璃(SiO 2-TiO 2玻璃等)等玻璃材料構成。於透光性基板20由低熱膨脹玻璃構成之情形時，能夠抑制透光性基板20之熱變形所導致之薄膜圖案30a之位置變化。又，於顯示裝置用途中使用之透光性基板20通常為矩形形狀之基板。具體而言，能夠使用透光性基板20之主表面(形成圖案形成用薄膜30之面)之短邊之長度為300 mm以上者。於本實施方式之光罩基底10中，能夠使用主表面之短邊之長度為300 mm以上之較大尺寸之透光性基板20。使用本實施方式之光罩基底10，能夠製造於透光性基板20上具有包含例如寬度尺寸及/或直徑尺寸未達2.0 μm之微細之圖案形成用薄膜圖案30a之轉印用圖案的轉印用光罩100。藉由使用此種本實施方式之轉印用光罩100，能夠將包含特定之微細圖案之轉印用圖案穩定地轉印至被轉印體。
＜圖案形成用薄膜30＞ 本實施方式之顯示裝置製造用光罩基底10(以下，有時簡稱為「本實施方式之光罩基底10」)之圖案形成用薄膜30(以下，有時簡稱為「本實施方式之圖案形成用薄膜30」)由含有鈦(Ti)、矽(Si)及氮(N)之材料構成。該圖案形成用薄膜30可為具有相位偏移功能之相位偏移膜。
圖案形成用薄膜30含有氮。關於上述矽化鈦，作為輕元素成分之氮與同為輕元素成分之氧相比，具有不會使折射率下降之效果。因此，藉由圖案形成用薄膜30含有氮，能夠使供獲得所需之相位差(亦稱為相位偏移量)之膜厚變薄。又，圖案形成用薄膜30所包含之氮之含量較佳為30原子%以上，更佳為40原子%以上。另一方面，氮之含量較佳為60原子%以下，更佳為55原子%以下。藉由薄膜30中之氮含量較多，能夠抑制對曝光之光之透過率變得過高。
圖案形成用薄膜30之內部自透光性基板20側依序分為附近區域、內部區域及表層區域之3個區域。附近區域係自圖案形成用薄膜30與透光性基板20之界面朝向與透光性基板20相反側之表面側(即，表層區域側)遍及10 nm之深度(更佳為5 nm之深度，進而較佳為4 nm之深度)之範圍內的區域。於對該附近區域進行X射線光電子光譜分析之情形時，容易受到存在於其下之透光性基板20之影響，所獲得之附近區域之Ti2p窄光譜或Si2p窄光譜中之光電子強度之最大峰值之精度較低。
表層區域係自與透光性基板20相反側之表面朝向透光性基板20側遍及10 nm之深度(更佳為5 nm之深度，進而較佳為4 nm之深度)之範圍內的區域。表層區域係當其上存在蝕刻遮罩膜40等其他膜時容易受到該膜之影響之區域。又，表層區域係當其上不存在其他膜時包含從圖案形成用薄膜30之表面納入之氧之區域。因此，於對該表層區域進行X射線光電子光譜分析之情形時，所獲得之表層區域之Ti2p窄光譜或Si2p窄光譜中之光電子強度之最大峰值之精度較低。
內部區域係除附近區域與表層區域以外之圖案形成用薄膜30之區域。利用X射線光電子光譜法對該內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜及Si2p窄光譜於將結合能在455 eV處之光電子強度設為P N，且將結合能在102 eV處之光電子強度設為P S時，滿足P N/P S大於1.18之關係。 此處，455 eV之結合能對應於Ti2p 3/2之波峰處之TiN鍵之結合能，102 eV之結合能對應於Si2p之波峰處之Si 3N 4鍵之結合能(參照圖5～圖8)。
本發明人等針對P N/P S與耐光性之關係進行如下推測。 於圖案形成用薄膜30由含有鈦與矽之矽化鈦系材料構成之情形時，薄膜30中之鈦(Ti)中主要有以Ti單質之形式存在者與以TiN鍵之狀態存在者(參照圖5、圖7)。如圖5、圖7所示，關於Ti2p 3/2之波峰，以TiN鍵之狀態存在之Ti相較於以Ti單質之形式存在者，結合能較高。因此，以TiN鍵之狀態存在之Ti相較於以Ti單質之形式存在者，對因照射包含紫外線之曝光之光而引起之Ti之狀態之變化具有耐性，不易發生Ti之狀態變化所導致之透過率之變動等。另一方面，薄膜30中之氮除了與鈦(Ti)鍵結以外，亦與矽(Si)鍵結，因此可認為於氮之含量較少之情形時，與鈦鍵結之氮之量相對減少，以Ti單質之形式存在者增多。若氮之含量為30原子%以上，則可認為以化學計量穩定之Si 3N 4鍵之狀態存在之Si以一定程度存在。於該狀況下，當滿足P N/P S大於1.18之關係時，可認為於薄膜30中，在Si為與氮以一定程度鍵結之狀態下，Ti中處於TiN鍵之狀態者以一定比率以上存在，因此可推測為對包含紫外線之曝光之光具有高耐光性者。但是，該推測係基於現階段之見解所得者，不對本發明之權利範圍進行任何限制。
關於與透光性基板20之界面之附近區域，即便進行如利用X射線光電子光譜法(XPS)所進行之分析般之組成分析，亦不可避免地受到透光性基板20之組成之影響，因此難以特定出關於組成或鍵之存在數之數值。然而，可推定與上述內部區域同樣地構成。
P N/P S更佳為1.19以上，進而較佳為1.20以上。 又，P N/P S較佳為3.00以下，更佳為2.50以下，進而較佳為2.00以下。
又，利用X射線光電子光譜法對內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜於將結合能在461 eV處之光電子強度設為P NU時，較佳為滿足P NU/P S大於1.05之關係，更佳為1.10以上，進而較佳為1.15以上。 此處，461 eV之結合能對應於Ti2p 1/2之波峰處之TiN鍵之結合能(參照圖5、圖7)。
如上所述，關於Ti2p 1/2之波峰同樣如此，以TiN鍵之狀態存在之Ti相較於以單質之形式存在之Ti，結合能較高。因此，於氮之含量為30原子%以上，且滿足P NU/P S大於1.10之關係之情形時，可認為於Si與氮以一定程度鍵結之狀態下，Ti中處於TiN鍵之狀態者以一定比率以上存在，因此，可推測為對包含紫外線之曝光之光具有高耐光性者。但是，該推測係基於現階段之見解所得者，不對本發明之權利範圍進行任何限制。 又，P NU/P S較佳為2.50以下，更佳為2.00以下。
又，關於利用X射線光電子光譜法對內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜及Si2p窄光譜，較佳為滿足(P N＋P NU)/P S大於2.22之關係。
如上所述，不論是Ti2p 3/2之波峰，還是Ti2p 1/2之波峰，以TiN鍵之狀態存在之Ti及以TiO鍵之狀態存在之Ti相較於以單質之形式存在之Ti，結合能較高。因此，於氮之含量為30原子%以上，且滿足P NU/P S大於1.10之關係之情形時，可認為於Si與氮以一定程度鍵結之狀態下，Ti中處於TiN鍵之狀態者以一定比率以上存在，因此可推測為包含對紫外線之曝光之光具有高耐光性者。但是，該推測係基於現階段之見解所得者，不對本發明之權利範圍進行任何限制。 (P N＋P NU)/P S更佳為2.25以上，進而較佳為2.30以上。 又，(P N＋P NU)/P S較佳為5.00以下，更佳為4.50以下。
又，利用X射線光電子光譜法對內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜及Si2p窄光譜於將結合能在453 eV處之光電子強度設為P TS時，較佳為滿足P N/P TS大於2.13之關係。 此處，453 eV之結合能對應於Ti2p 3/2之波峰處之TiSi 2鍵之結合能(參照圖5、圖7)。 P N/P TS更佳為2.20以上，進而較佳為2.50以上。 P N/P TS較佳為4.00以下，更佳為3.50以下。
又，利用X射線光電子光譜法對內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜及Si2p窄光譜於將結合能在454 eV處之光電子強度設為P T時，較佳為滿足(P N＋P T)/P TS大於3.53之關係。 此處，454 eV之結合能對應於Ti2p 3/2之波峰處之Ti單質之結合能(參照圖5、圖7)。 (P N＋P T)/P TS更佳為3.60以上，進而較佳為3.90以上。 (P N＋P T)/P TS較佳為5.50以下，更佳為5.00以下。
內部區域中之鈦之含量相對於鈦及矽之合計含量的比率(以下，有時稱為Ti/[Ti＋Si]比率)較佳為0.05以上，更佳為0.10以上。若內部區域中之Ti/[Ti＋Si]比率過小，則難以獲得將矽化鈦系材料用於圖案形成用薄膜30所帶來之光學特性或耐化學品性之好處。另一方面，內部區域中之Ti/[Ti＋Si]比率較佳為0.50以下，更佳為0.45以下。 內部區域中之鈦、矽及氮之合計含量較佳為90原子%以上，更佳為95原子%以上。若內部區域中之除鈦、矽及氮以外之元素之含量變多，則有光學特性、耐化學品性、對紫外線之耐光性等各種特性下降之虞。
於圖案形成用薄膜30之性能不會劣化之範圍內，圖案形成用薄膜30能夠包含氧。作為輕元素成分之氧與同為輕元素成分之氮相比，具有降低消光係數之效果。但是，於圖案形成用薄膜30之氧含量較多之情形時，有可能會對接近垂直之微細圖案之剖面、及獲得較高之耐光罩洗淨性產生不良影響。因此，圖案形成用薄膜30之氧之含量較佳為7原子%以下，更佳為5原子%以下。圖案形成用薄膜30能夠不包含氧。
再者，如圖5、圖7所示，結合能在453 eV處之光電子強度對應於Ti2p 3/2之波峰處之TiSi 2鍵之結合能，結合能在454 eV處之光電子強度對應於Ti2p 3/2之波峰處之Ti單質之結合能，455 eV之結合能對應於Ti2p 3/2之波峰處之TiN鍵之結合能，456.9 eV之結合能對應於Ti2p 3/2之波峰處之TiO鍵之結合能，458.5 eV之結合能對應於Ti2p 3/2之波峰處之TiO 2鍵之結合能，460 eV之結合能對應於Ti2p 1/2波峰處之Ti單質之結合能，461 eV之結合能對應於Ti2p 1/2之波峰處之TiN鍵之結合能。
又，圖案形成用薄膜30中，除了含有上述氧、氮以外，為了降低膜應力及/或控制濕式蝕刻速率，亦可含有碳及氦等其他輕元素成分。
圖案形成用薄膜30所包含之鈦與矽之原子比率較佳為鈦：矽＝1：1至1：19之範圍。若為該範圍，則能夠提高抑制圖案形成用薄膜30之圖案形成時之濕式蝕刻速率下降之效果。又，能夠提高圖案形成用薄膜30之耐洗淨性，亦容易提高透過率。基於提高圖案形成用薄膜30之耐洗淨性之觀點而言，圖案形成用薄膜30所包含之鈦與矽之原子比率(鈦：矽)較佳為1：1至1：19之範圍，更佳為1：1至1：11之範圍，進而較佳為1：1至1：9之範圍。
該圖案形成用薄膜30可包含複數個層，亦可包含單層。關於包含單層之圖案形成用薄膜30，基於不易在圖案形成用薄膜30中形成界面，且易於控制剖面形狀之方面而言，較佳。另一方面，關於包含複數個層之圖案形成用薄膜30，基於成膜之容易度等方面而言，較佳。 關於圖案形成用薄膜30之膜厚，為了確保光學性能，較佳為200 nm以下，更佳為180 nm以下，進而較佳為150 nm以下。又，關於圖案形成用薄膜30之膜厚，為了確保產生所需之相位差之功能，較佳為80 nm以上，更佳為90 nm以上。
＜＜圖案形成用薄膜30之透過率及相位差＞＞ 關於本實施方式之顯示裝置製造用光罩基底10，較佳為使圖案形成用薄膜30為具備對曝光之光之代表波長(波長365 nm之光)之透過率為1%以上80%以下且相位差為150度以上210度以下之光學特性的相位偏移膜。本說明書中之透過率只要未特別記載，則指以透光性基板之透過率為基準(100%)進行換算所得者。
於圖案形成用薄膜30為相位偏移膜之情形時，圖案形成用薄膜30具有調整對自透光性基板20側入射之光之反射率(以下，有時記為背面反射率)的功能與調整對曝光之光之透過率及相位差的功能。
圖案形成用薄膜30對曝光之光之透過率滿足作為圖案形成用薄膜30所需之值。關於圖案形成用薄膜30之透過率，對曝光之光所包含之特定波長之光(以下，稱為代表波長)較佳為1%以上80%以下，更佳為3%以上65%以下，進而較佳為5%以上60%以下。即，於曝光之光為包含313 nm以上436 nm以下之波長範圍之光的複合光之情形時，圖案形成用薄膜30對該波長範圍所包含之代表波長之光具有上述透過率。例如，於曝光之光為包含i射線、h射線及g射線之複合光之情形時，圖案形成用薄膜30能夠對i射線、h射線及g射線之任一者具有上述透過率。代表波長例如能夠設為波長365 nm之i射線。藉由對i射線具有此種特性，於將包含i射線、h射線及g射線之複合光用作曝光之光之情形時，對於h射線及g射線之波長時之透過率亦能期待類似之效果。
又，於曝光之光為利用濾波器等自313 nm以上436 nm以下之波長範圍截止某波長區域而選擇之單色光、及選自313 nm以上436 nm以下之波長範圍之單色光之情形時，圖案形成用薄膜30對該單一波長之單色光具有上述透過率。
透過率能夠使用相位偏移量測定裝置等進行測定。
圖案形成用薄膜30對曝光之光之相位差滿足作為圖案形成用薄膜30所需之值。關於圖案形成用薄膜30之相位差，對曝光之光所包含之代表波長之光較佳為150度以上210度以下，更佳為160度以上200度以下，進而較佳為170度以上190度以下。利用該性質，能夠將曝光之光所包含之代表波長之光之相位變為150度以上210度以下。因此，使透過圖案形成用薄膜30之代表波長之光與僅透過透光性基板20之代表波長之光之間產生150度以上210度以下之相位差。即，於曝光之光為包含313 nm以上436 nm以下之波長範圍之光的複合光之情形時，圖案形成用薄膜30對該波長範圍所包含之代表波長之光具有上述相位差。例如，於曝光之光為包含i射線、h射線及g射線之複合光之情形時，圖案形成用薄膜30能夠對i射線、h射線及g射線之任一者具有上述相位差。代表波長例如能夠設為波長405 nm之h射線。藉由對h射線具有此種特性，於將包含i射線、h射線及g射線之複合光用作曝光之光之情形時，對於i射線及g射線之波長時之相位差亦能夠期待類似之效果。
相位差能夠使用相位偏移量測定裝置等進行測定。
圖案形成用薄膜30之背面反射率於365 nm～436 nm之波長區域為15%以下，較佳為10%以下。又，關於圖案形成用薄膜30之背面反射率，於曝光之光包含j射線(波長313 nm)之情形時，對313 nm至436 nm之波長區域之光較佳為20%以下，更佳為17%以下。理想的是進而較佳為15%以下。又，圖案形成用薄膜30之背面反射率於365 nm～436 nm之波長區域為0.2%以上，對313 nm至436 nm之波長區域之光較佳為0.2%以上。
背面反射率能夠使用分光光度計等進行測定。
圖案形成用薄膜30能夠藉由濺鍍法等公知之成膜方法形成。
＜蝕刻遮罩膜40＞ 本實施方式之顯示裝置製造用光罩基底10較佳為於圖案形成用薄膜30之上具備蝕刻選擇性與圖案形成用薄膜30不同之蝕刻遮罩膜40。
蝕刻遮罩膜40配置於圖案形成用薄膜30之上側，包含對蝕刻圖案形成用薄膜30之蝕刻液具有蝕刻耐性(蝕刻選擇性與圖案形成用薄膜30不同)之材料。又，蝕刻遮罩膜40能夠具有遮擋曝光之光使其無法透過之功能。進而，蝕刻遮罩膜40亦可具有以使圖案形成用薄膜30對自圖案形成用薄膜30側入射之光之膜面反射率於350 nm～436 nm之波長區域成為15%以下之方式降低膜面反射率之功能。
蝕刻遮罩膜40較佳為由含有鉻(Cr)之鉻系材料構成。蝕刻遮罩膜40更佳為由含有鉻且實質上不含矽之材料構成。所謂實質上不含矽，意指矽之含量未達2%(但是，圖案形成用薄膜30與蝕刻遮罩膜40之界面之梯度組成區域除外)。作為鉻系材料，更具體而言可例舉含有鉻(Cr)、或鉻(Cr)與氧(O)、氮(N)、碳(C)中之至少任一種之材料。又，作為鉻系材料，可例舉包含鉻(Cr)與氧(O)、氮(N)、碳(C)中之至少任一種、進而包含氟(F)之材料。例如，作為構成蝕刻遮罩膜40之材料，可例舉：Cr、CrO、CrN、CrF、CrCO、CrCN、CrON、CrCON、及CrCONF。
蝕刻遮罩膜40能夠藉由濺鍍法等公知之成膜方法形成。
於蝕刻遮罩膜40具有遮擋曝光之光使其無法透過之功能之情形時，在圖案形成用薄膜30與蝕刻遮罩膜40積層之部分，對曝光之光之光學濃度較佳為3以上，更佳為3.5以上，進而較佳為4以上。光學濃度能夠使用分光光度計或OD計(optical density meter，光密度計)等進行測定。
蝕刻遮罩膜40能夠根據功能設為組成均勻之單一膜。又，蝕刻遮罩膜40能夠設為組成不同之複數個膜。又，蝕刻遮罩膜40能夠設為組成於厚度方向上連續變化之單一膜。
再者，圖1所示之本實施方式之光罩基底10係於圖案形成用薄膜30上具備蝕刻遮罩膜40。本實施方式之光罩基底10包含於圖案形成用薄膜30上具備蝕刻遮罩膜40且於蝕刻遮罩膜40上具備抗蝕劑膜之構造之光罩基底10。
＜光罩基底10之製造方法＞ 其次，對圖1所示之實施方式之光罩基底10之製造方法進行說明。圖1所示之光罩基底10係藉由進行以下之圖案形成用之薄膜形成步驟、及蝕刻遮罩膜形成步驟而製造。圖2所示之光罩基底10係藉由圖案形成用之薄膜形成步驟而製造。
以下，詳細地說明各步驟。
＜＜圖案形成用薄膜形成步驟＞＞ 首先，準備透光性基板20。透光性基板20只要對曝光之光透明即可，可由選自合成石英玻璃、石英玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、及低熱膨脹玻璃(SiO 2-TiO 2玻璃等)等之玻璃材料構成。
其次，於透光性基板20上，藉由濺鍍法形成圖案形成用薄膜30。
圖案形成用薄膜30之成膜能夠使用特定之濺鍍靶於特定之濺鍍氣體氛圍下進行。所謂特定之濺鍍靶，例如以包含構成圖案形成用薄膜30之材料之主成分即鈦與矽之矽化鈦靶，或包含鈦、矽及氮之矽化鈦靶作為濺鍍靶。所謂特定之濺鍍氣體氛圍，例如指以包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群之至少一種之惰性氣體形成的濺鍍氣體氛圍，或以包含上述惰性氣體、氮氣、及視情形之選自由氧氣、二氧化碳氣體、一氧化氮氣體及二氧化氮氣體所組成之群之氣體的混合氣體形成之濺鍍氣體氛圍。圖案形成用薄膜30之形成能夠於下述狀態下進行，即，進行濺鍍時之成膜室內之氣體壓力成為0.3 Pa以上2.0 Pa以下，較佳為0.43 Pa以上0.9 Pa以下。能夠抑制圖案形成時之側蝕，並且能夠達成高蝕刻速率。基於提高耐光性及耐化學品性之觀點或調整透過率之觀點等而言，矽化鈦靶之鈦與矽之原子比率較佳為鈦：矽＝1：1至1：19之範圍。
圖案形成用薄膜30之組成及厚度係以圖案形成用薄膜30成為上述相位差及透過率之方式進行調整。圖案形成用薄膜30之組成能夠藉由構成濺鍍靶之元素之含有比率(例如，鈦之含量與矽之含量之比)、濺鍍氣體之組成及流量等來控制。圖案形成用薄膜30之厚度能夠藉由濺鍍功率、及濺鍍時間等進行控制。又，圖案形成用薄膜30較佳為使用連續(inline)式濺鍍裝置形成。於濺鍍裝置為連續式濺鍍裝置之情形時，亦能夠藉由基板之搬送速度控制圖案形成用薄膜30之厚度。如此，以使圖案形成用薄膜30含有鈦、矽及氮，且於薄膜30之內部區域，Ti2p窄光譜滿足所需之關係(P N/P T大於1.52之關係等)之方式進行控制。
於圖案形成用薄膜30包含單一膜之情形時，適當調整濺鍍氣體之組成及流量僅進行1次上述成膜製程。於圖案形成用薄膜30包含組成不同之複數個膜之情形時，適當調整濺鍍氣體之組成及流量進行複數次上述成膜製程。亦可使用構成濺鍍靶之元素之含有比率不同之靶來成膜圖案形成用薄膜30。於進行複數次成膜製程之情形時，亦可針對每個成膜製程變更施加於濺鍍靶之濺鍍功率。
＜＜表面處理步驟＞＞ 圖案形成用薄膜30能夠由除鈦、矽及氮以外還含有氧之矽化鈦材料(矽化鈦氮氧化物)構成。但是，氧之含量超過0原子%且為7原子%以下。如此，於圖案形成用薄膜30包含氧之情形時，為了抑制鈦之氧化物之存在所導致之蝕刻液滲入圖案形成用薄膜30之表面，亦可進行調整圖案形成用薄膜30之表面氧化狀態之表面處理步驟。再者，於圖案形成用薄膜30包含含有鈦、矽及氮之矽化鈦氮化物之情形時，與含有上述氧之矽化鈦材料相比，鈦之氧化物之含量較小。因此，於圖案形成用薄膜30之材料為矽化鈦氮化物之情形時，可進行上述表面處理步驟，亦可不進行上述表面處理步驟。
作為調整圖案形成用薄膜30之表面氧化狀態之表面處理步驟，可例舉：利用酸性水溶液進行表面處理之方法、利用鹼性水溶液進行表面處理之方法、利用灰化等乾式處理進行表面處理之方法等。
以此方式，能夠獲得本實施方式之光罩基底10。
＜＜蝕刻遮罩膜形成步驟＞＞ 本實施方式之光罩基底10可進而具有蝕刻遮罩膜40。進而進行以下之蝕刻遮罩膜形成步驟。再者，蝕刻遮罩膜40較佳為由含有鉻且實質上不含矽之材料構成。
於圖案形成用之薄膜形成步驟之後，視需要進行調整圖案形成用薄膜30之表面之表面氧化狀態之表面處理，其後，藉由濺鍍法，於圖案形成用薄膜30上形成蝕刻遮罩膜40。蝕刻遮罩膜40較佳為使用連續式濺鍍裝置形成。於濺鍍裝置為連續式濺鍍裝置之情形時，亦能夠藉由透光性基板20之搬送速度控制蝕刻遮罩膜40之厚度。
蝕刻遮罩膜40之成膜能夠使用包含鉻或鉻化合物(氧化鉻、氮化鉻、碳化鉻、氮氧化鉻、碳氮化鉻、及碳氮氧化鉻等)之濺鍍靶，於包含惰性氣體之濺鍍氣體氛圍、或包含惰性氣體與活性氣體之混合氣體之濺鍍氣體氛圍下進行。惰性氣體例如能夠包含選自由氦氣、氖氣、氬氣、氪氣及氙氣所組成之群之至少一種。活性氣體能夠包含選自由氧氣、氮氣、一氧化氮氣體、二氧化氮氣體、二氧化碳氣體、烴系氣體及氟系氣體所組成之群之至少一種。作為烴系氣體，例如可例舉：甲烷氣體、丁烷氣體、丙烷氣體及苯乙烯氣體等。藉由調整進行濺鍍時之成膜室內之氣體壓力，能夠與圖案形成用薄膜30同樣地將蝕刻遮罩膜40設為柱狀構造。藉此，能夠抑制下文所述之圖案形成時之側蝕，並且能夠達成高蝕刻速率。
於蝕刻遮罩膜40包含組成均勻之單一膜之情形時，不改變濺鍍氣體之組成及流量僅進行1次上述成膜製程。於蝕刻遮罩膜40包含組成不同之複數個膜之情形時，針對每個成膜製程改變濺鍍氣體之組成及流量進行複數次上述成膜製程。於蝕刻遮罩膜40包含在厚度方向上組成連續變化之單一膜之情形時，一面使濺鍍氣體之組成及流量伴隨成膜製程之經過時間而變化，一面僅進行1次上述成膜製程。
以此方式，能夠獲得具有蝕刻遮罩膜40之本實施方式之光罩基底10。
再者，圖1所示之光罩基底10於圖案形成用薄膜30上具備蝕刻遮罩膜40，因此於製造光罩基底10時，進行蝕刻遮罩膜形成步驟。又，於製造在圖案形成用薄膜30上具備蝕刻遮罩膜40且在蝕刻遮罩膜40上具備抗蝕劑膜之光罩基底10時，在蝕刻遮罩膜形成步驟後於蝕刻遮罩膜40上形成抗蝕劑膜。又，關於圖2所示之光罩基底10，當製造於圖案形成用薄膜30上具備抗蝕劑膜之光罩基底10時，於圖案形成用之薄膜形成步驟後形成抗蝕劑膜。
圖1所示之實施方式之光罩基底10於圖案形成用薄膜30上形成有蝕刻遮罩膜40。又，圖2所示之實施方式之光罩基底10形成有圖案形成用薄膜30。總而言之，圖案形成用薄膜30係含有鈦、矽及氮，且於薄膜30之內部區域，氮之含量為30原子%以上，Ti2p窄光譜及Si2p窄光譜滿足所需之關係(P N/P S大於1.18之關係等)。
圖1及圖2所示之實施方式之光罩基底10對於包含紫外線區域之波長之曝光之光具有較高之耐光性，並且具有較高之耐化學品性。又，於藉由濕式蝕刻使圖案形成用薄膜30圖案化時，膜厚方向之蝕刻得到促進，另一方面，側蝕得到抑制。因此，藉由圖案化獲得之圖案形成用薄膜圖案30a之剖面形狀良好，具有所需之透過率(例如，透過率較高)。藉由使用實施方式之光罩基底10，能夠於較短之蝕刻時間內形成圖案形成用薄膜圖案30a。又，即便於累計照射包含紫外線區域之波長之曝光之光之後，亦能夠形成將曝光轉印特性維持在所需範圍內之圖案形成用薄膜圖案30a。 因此，藉由使用本實施方式之光罩基底10，能製造對於包含紫外線區域之波長之曝光之光具有較高之耐光性，並且具有較高之耐化學品性，且能夠精度良好地轉印高精細之圖案形成用薄膜圖案30a的轉印用光罩100。
＜轉印用光罩100之製造方法＞ 其次，對本實施方式之轉印用光罩100之製造方法進行說明。該轉印用光罩100具有與光罩基底10相同之技術特徵。關於與轉印用光罩100中之透光性基板20、圖案形成用薄膜30、蝕刻遮罩膜40相關之事項，與光罩基底10相同。
圖3係表示本實施方式之轉印用光罩100之製造方法之模式圖。圖4係表示本實施方式之轉印用光罩100之另一製造方法之模式圖。
＜＜圖3所示之轉印用光罩100之製造方法＞ 圖3所示之轉印用光罩100之製造方法係使用圖1所示之光罩基底10製造轉印用光罩100之方法。圖3所示之轉印用光罩100之製造方法包括如下步驟：準備圖1所示之光罩基底；於蝕刻遮罩膜40之上形成抗蝕劑膜，以由抗蝕劑膜形成之抗蝕劑膜圖案為遮罩對蝕刻遮罩膜40進行濕式蝕刻，而於圖案形成用薄膜30之上形成蝕刻遮罩膜圖案(第1蝕刻遮罩膜圖案40a)；以蝕刻遮罩膜圖案(第1蝕刻遮罩膜圖案40a)為遮罩，對圖案形成用薄膜30進行濕式蝕刻，而於透光性基板20上形成轉印用圖案。再者，本說明書中之轉印用圖案係藉由使形成於透光性基板20上之至少1個光學膜圖案化而獲得者。上述光學膜可設為圖案形成用薄膜30及/或蝕刻遮罩膜40，亦可進而包含其他膜(遮光性膜、用於抑制反射之膜、導電性膜等)。即，轉印用圖案能夠包含經圖案化之圖案形成用薄膜及/或蝕刻遮罩膜，亦可進而包含經圖案化之其他膜。
具體而言，圖3所示之轉印用光罩100之製造方法係於圖1所示之光罩基底10之蝕刻遮罩膜40上形成抗蝕劑膜。其次，藉由在抗蝕劑膜描繪所需圖案並進行顯影，而形成抗蝕劑膜圖案50(參照圖3(a)，第1抗蝕劑膜圖案50之形成步驟)。其次，以該抗蝕劑膜圖案50為遮罩對蝕刻遮罩膜40進行濕式蝕刻，而於圖案形成用薄膜30上形成蝕刻遮罩膜圖案40a(參照圖3(b)，第1蝕刻遮罩膜圖案40a之形成步驟)。其次，以上述蝕刻遮罩膜圖案40a為遮罩，對圖案形成用薄膜30進行濕式蝕刻而於透光性基板20上形成圖案形成用薄膜圖案30a(參照圖3(c)，圖案形成用薄膜圖案30a之形成步驟)。其後，能夠進而包含第2抗蝕劑膜圖案60之形成步驟與第2蝕刻遮罩膜圖案40b之形成步驟(參照圖3(d)及(e))。
更具體而言，於第1抗蝕劑膜圖案50之形成步驟中，首先，於圖1所示之本實施方式之光罩基底10之蝕刻遮罩膜40上形成抗蝕劑膜。所使用之抗蝕劑膜材料並無特別限制。抗蝕劑膜只要為例如對具有從下述之350 nm～436 nm之波長區域選擇之任一波長的雷射光進行感光者即可。又，抗蝕劑膜可為正型及負型中之任一種。
其後，使用具有選自350 nm～436 nm之波長區域之任一波長之雷射光，於抗蝕劑膜描繪所需之圖案。描繪於抗蝕劑膜之圖案係形成於圖案形成用薄膜30之圖案。作為描繪於抗蝕劑膜之圖案，可例舉線與間隙圖案及孔圖案。
其後，利用特定之顯影液對抗蝕劑膜進行顯影，而如圖3(a)所示於蝕刻遮罩膜40上形成第1抗蝕劑膜圖案50。
＜＜＜第1蝕刻遮罩膜圖案40a之形成步驟＞＞＞ 於第1蝕刻遮罩膜圖案40a之形成步驟中，首先，以第1抗蝕劑膜圖案50為遮罩對蝕刻遮罩膜40進行蝕刻，而形成第1蝕刻遮罩膜圖案40a。蝕刻遮罩膜40能夠由包含鉻(Cr)之鉻系材料形成。於蝕刻遮罩膜40具有柱狀構造之情形時，就蝕刻速率較快且能夠抑制側蝕之方面而言較佳。對蝕刻遮罩膜40進行蝕刻之蝕刻液只要為能夠對蝕刻遮罩膜40選擇性地進行蝕刻者即可，並無特別限制。具體而言，可例舉包含硝酸鈰銨與過氯酸之蝕刻液。
其後，使用抗蝕劑剝離液或藉由灰化，如圖3(b)所示將第1抗蝕劑膜圖案50剝離。視情形，亦可在不剝離第1抗蝕劑膜圖案50的情況下，進行如下圖案形成用薄膜圖案30a之形成步驟。
＜＜＜圖案形成用薄膜圖案30a之形成步驟＞＞＞ 於第1圖案形成用薄膜圖案30a之形成步驟中，以第1蝕刻遮罩膜圖案40a為遮罩對圖案形成用薄膜30進行濕式蝕刻，而如圖3(c)所示形成圖案形成用薄膜圖案30a。作為圖案形成用薄膜圖案30a，可例舉線與間隙圖案及孔圖案。對圖案形成用薄膜30進行蝕刻之蝕刻液只要為能夠對圖案形成用薄膜30選擇性地進行蝕刻者即可，並無特別限制。例如，可例舉上述蝕刻液A(包含氟化氫銨與過氧化氫之蝕刻液等)或蝕刻液B(包含氟化銨、磷酸及過氧化氫之蝕刻液等)。
為了使圖案形成用薄膜圖案30a之剖面形狀良好，濕式蝕刻較佳為於較透光性基板20於圖案形成用薄膜圖案30a露出為止之時間(正蝕刻時間)長之時間(過蝕刻時間)內進行。作為過蝕刻時間，若考慮對透光性基板20之影響等，則較佳為設為正蝕刻時間加上該正蝕刻時間之20%之時間所得之時間內，更佳為設為正蝕刻時間加上該正蝕刻時間之10%之時間所得之時間內。
＜＜＜第2抗蝕劑膜圖案60之形成步驟＞＞＞ 於第2抗蝕劑膜圖案60之形成步驟中，首先形成覆蓋第1蝕刻遮罩膜圖案40a之抗蝕劑膜。所使用之抗蝕劑膜材料並無特別限制。例如，只要為對具有從下述之350 nm～436 nm之波長區域選擇之任一波長之雷射光進行感光者即可。又，抗蝕劑膜可為正型及負型中之任一種。
其後，使用具有從350 nm～436 nm之波長區域選擇之任一波長之雷射光，於抗蝕劑膜描繪所需之圖案。描繪於抗蝕劑膜之圖案係對形成有圖案形成用薄膜圖案30a之區域之外周區域進行遮光的遮光帶圖案、及對圖案形成用薄膜圖案30a之中央部進行遮光的遮光帶圖案等。再者，關於描繪於抗蝕劑膜之圖案，根據圖案形成用薄膜30對曝光之光之透過率，亦存在為沒有對圖案形成用薄膜圖案30a之中央部進行遮光之遮光帶圖案之圖案的情形。
其後，利用特定之顯影液對抗蝕劑膜進行顯影，而如圖3(d)所示於第1蝕刻遮罩膜圖案40a上形成第2抗蝕劑膜圖案60。
＜＜＜第2蝕刻遮罩膜圖案40b之形成步驟＞＞＞ 於第2蝕刻遮罩膜圖案40b之形成步驟中，以第2抗蝕劑膜圖案60為遮罩對第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行蝕刻，而如圖3(e)所示形成第2蝕刻遮罩膜圖案40b。第1蝕刻遮罩膜圖案40a能夠由包含鉻(Cr)之鉻系材料形成。對第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行蝕刻之蝕刻液只要為能夠對第1蝕刻遮罩膜圖案40a選擇性地進行蝕刻者即可，並無特別限制。例如，可例舉包含硝酸鈰銨及過氯酸之蝕刻液。
其後，使用抗蝕劑剝離液或藉由灰化，將第2抗蝕劑膜圖案60剝離。
以此方式，能夠獲得轉印用光罩100。即，本實施方式之轉印用光罩100所具有之轉印用圖案能夠包含圖案形成用薄膜圖案30a及第2蝕刻遮罩膜圖案40b。
再者，於上述說明中，對蝕刻遮罩膜40具有遮擋曝光之光使其無法透過之功能之情形進行了說明。於蝕刻遮罩膜40僅具有對圖案形成用薄膜30進行蝕刻時之硬罩之功能之情形時，於上述說明中，不進行第2抗蝕劑膜圖案60之形成步驟與第2蝕刻遮罩膜圖案40b之形成步驟。於該情形時，在圖案形成用薄膜圖案30a之形成步驟之後，將第1蝕刻遮罩膜圖案40a剝離而製作轉印用光罩100。即，轉印用光罩100所具有之轉印用圖案亦可僅包含圖案形成用薄膜圖案30a。
根據本實施方式之轉印用光罩100之製造方法，使用圖1所示之光罩基底10，因此能夠縮短蝕刻時間，且能夠形成剖面形狀良好之圖案形成用薄膜圖案30a。因此，能製造能夠精度良好地轉印包含高精細之圖案形成用薄膜圖案30a之轉印用圖案的轉印用光罩100。以此方式製造之轉印用光罩100能夠應對線與間隙圖案及/或接觸孔之微細化。
＜＜圖4所示之轉印用光罩100之製造方法＞＞ 圖4所示之轉印用光罩100之製造方法係使用圖2所示之光罩基底10製造轉印用光罩100之方法。圖4所示之轉印用光罩100之製造方法包括如下步驟：準備圖2所示之光罩基底10；於圖案形成用薄膜30之上形成抗蝕劑膜，以由抗蝕劑膜形成之抗蝕劑膜圖案為遮罩對圖案形成用薄膜30進行濕式蝕刻，而於透光性基板20上形成轉印用圖案。
具體而言，於圖4所示之轉印用光罩100之製造方法中，在光罩基底10之上形成抗蝕劑膜。其次，藉由在抗蝕劑膜描繪所需之圖案並進行顯影，而形成抗蝕劑膜圖案50(圖4(a)，第1抗蝕劑膜圖案50之形成步驟)。其次，以該抗蝕劑膜圖案50為遮罩對圖案形成用薄膜30進行濕式蝕刻，而於透光性基板20上形成圖案形成用薄膜圖案30a(圖4(b)及(c)，圖案形成用薄膜圖案30a之形成步驟)。
更具體而言，於抗蝕劑膜圖案之形成步驟中，首先，於圖2所示之本實施方式之光罩基底10之圖案形成用薄膜30上形成抗蝕劑膜。所使用之抗蝕劑膜材料與上述所說明之抗蝕劑膜材料相同。再者，視需要於形成抗蝕劑膜之前，使圖案形成用薄膜30與抗蝕劑膜之密接性良好，因此能夠對圖案形成用薄膜30進行表面改質處理。以與上述相同之方式，形成抗蝕劑膜之後，使用具有從350 nm～436 nm之波長區域選擇之任一波長的雷射光，於抗蝕劑膜描繪所需之圖案。其後，利用特定之顯影液對抗蝕劑膜進行顯影，而如圖4(a)所示於圖案形成用薄膜30上形成抗蝕劑膜圖案50。
＜＜＜圖案形成用薄膜圖案30a之形成步驟＞＞＞ 於圖案形成用薄膜圖案30a之形成步驟中，以抗蝕劑膜圖案為遮罩對圖案形成用薄膜30進行蝕刻，而如圖4(b)所示形成圖案形成用薄膜圖案30a。對圖案形成用薄膜圖案30a及圖案形成用薄膜30進行蝕刻之蝕刻液及過蝕刻時間與上述圖3所示之實施方式中之說明相同。
其後，使用抗蝕劑剝離液或藉由灰化，將抗蝕劑膜圖案50剝離(圖4(c))。
以此方式，能夠獲得轉印用光罩100。再者，本實施方式之轉印用光罩100所具有之轉印用圖案僅包含圖案形成用薄膜圖案30a，但亦能夠進而包含其他膜圖案。作為其他膜，例如可例舉：抑制反射之膜、導電性膜等。
根據該實施方式之轉印用光罩100之製造方法，由於使用圖2所示之光罩基底10，故不會因濕式蝕刻液對透光性基板之損傷而導致透光性基板20之透過率下降，能夠縮短蝕刻時間，能夠形成剖面形狀良好之圖案形成用薄膜圖案30a。因此，能製造能夠精度良好地轉印包含高精細之圖案形成用薄膜圖案30a之轉印用圖案的轉印用光罩100。以此方式製造之轉印用光罩100能夠應對線與間隙圖案及/或接觸孔之微細化。
＜顯示裝置之製造方法＞ 對本實施方式之顯示裝置之製造方法進行說明。本實施方式之顯示裝置之製造方法包括曝光步驟，該曝光步驟係將上述之本實施方式之轉印用光罩100載置於曝光裝置之光罩台，將形成於顯示裝置製造用轉印用光罩100上之轉印用圖案曝光轉印至形成於顯示裝置用基板上之抗蝕劑。
具體而言，本實施方式之顯示裝置之製造方法包括：將使用上述光罩基底10製造之轉印用光罩100載置於曝光裝置之光罩台之步驟(光罩載置步驟)；及將轉印用圖案曝光轉印至顯示裝置用基板上之抗蝕劑膜之步驟(曝光步驟)。以下，詳細地說明各步驟。
＜＜載置步驟＞＞ 於載置步驟中，將本實施方式之轉印用光罩100載置於曝光裝置之光罩台。此處，轉印用光罩100係以隔著曝光裝置之投影光學系統與形成於顯示裝置用基板上之抗蝕劑膜對向之方式配置。
＜＜圖案轉印步驟＞＞ 於圖案轉印步驟中，對轉印用光罩100照射曝光之光，而將包含圖案形成用薄膜圖案30a之轉印用圖案轉印至形成於顯示裝置用基板上之抗蝕劑膜。曝光之光係包含選自313 nm～436 nm之波長區域之複數個波長之光的複合光、或利用濾波器等自313 nm～436 nm之波長區域截止某波長區域而選擇之單色光、或自具有313 nm～436 nm之波長區域之光源發出之單色光。例如，曝光之光係包含i射線、h射線及g射線中之至少1種之複合光、或i射線之單色光。藉由使用複合光作為曝光之光，能夠提高曝光之光強度而提高產出量。因此，能夠降低顯示裝置之製造成本。
根據本實施方式之顯示裝置之製造方法，能夠製造具有高解像度度、微細之線與間隙圖案及/或接觸孔之高精細之顯示裝置。
再者，於以上之實施方式中，對使用具有圖案形成用薄膜30之光罩基底10及具有圖案形成用薄膜圖案30a之轉印用光罩100之情形進行了說明。圖案形成用薄膜30可為例如具有相位偏移效果之相位偏移膜、或遮光膜。因此，本實施方式之轉印用光罩100包含具有相位偏移膜圖案之相位偏移光罩及具有遮光膜圖案之二元光罩。又，本實施方式之光罩基底10包含成為相位偏移光罩及二元光罩之原料之相位偏移光罩基底及二元光罩基底。 [實施例]
以下，利用實施例具體地說明本發明，但本發明並不限定於該等。
(實施例1) 為了製造實施例1之光罩基底10，首先，準備1214尺寸(1220 mm×1400 mm)之合成石英玻璃基板作為透光性基板20。
其後，將合成石英玻璃基板以主表面朝向下側之方式搭載於托盤(未圖示)，搬入至連續式濺鍍裝置之腔室內。
為了於透光性基板20之主表面上形成圖案形成用薄膜30，首先，將包含氬(Ar)氣體與氮(N 2)氣體之混合氣體導入至第1腔室內。然後，使用包含鈦與矽之第1濺鍍靶(鈦：矽＝5：7)，藉由反應性濺鍍，使含有鈦、矽及氮之矽化鈦之氮化物沈積於透光性基板20之主表面上。以此方式，成膜以矽化鈦之氮化物為材料之膜厚115 nm之圖案形成用薄膜30(Ti：Si：N：O＝20.4：26.7：51.3：1.6原子%比)。此處，圖案形成用薄膜30之組成係藉由利用X射線光電子光譜法(XPS)進行測定所獲得之結果。以下，關於其他膜，膜組成之測定方法亦相同(於實施例2、比較例1、2中亦相同)。再者，該圖案形成用薄膜30係具有相位偏移效果之相位偏移膜。
其次，將附帶圖案形成用薄膜30之透光性基板20搬入至第2腔室內，將氬(Ar)氣體與氮(N 2)氣體之混合氣體導入至第2腔室內。然後，使用包含鉻之第2濺鍍靶，藉由反應性濺鍍，於圖案形成用薄膜30上形成含有鉻與氮之鉻氮化物(CrN)。其次，於將第3腔室內設為特定之真空度之狀態下，導入氬(Ar)氣體與甲烷(CH 4)氣體之混合氣體，使用包含鉻之第3濺鍍靶，藉由反應性濺鍍於CrN上形成含有鉻與碳之鉻碳化物(CrC)。最後，於將第4腔室內設為特定之真空度之狀態下，導入氬(Ar)氣體與甲烷(CH 4)氣體之混合氣體及氮(N 2)氣體與氧(O 2)氣體之混合氣體，使用包含鉻之第4濺鍍靶，藉由反應性濺鍍於CrC上形成含有鉻、碳、氧及氮之鉻碳氮氧化物(CrCON)。如上所述，於圖案形成用薄膜30上形成CrN層、CrC層及CrCON層之積層構造之蝕刻遮罩膜40。
以此方式，獲得於透光性基板20上形成有圖案形成用薄膜30及蝕刻遮罩膜40之光罩基底10。
於另一合成石英基板(約152 mm×約152 mm)之主表面上成膜實施例1之圖案形成用薄膜，以與上述實施例1相同之成膜條件形成另一圖案形成用薄膜。其次，對該另一合成石英基板上之圖案形成用薄膜進行X射線光電子光譜分析。於該X射線光電子光譜分析中，對圖案形成用薄膜之內部區域照射X射線(AlKα射線：1486 eV)，測定自該圖案形成用薄膜釋出之光電子之強度，藉由Ar氣體濺鍍，將電壓設為2.0 kV，以約5 nm/分鐘(SiO 2換算)之濺鍍速率對圖案形成用薄膜之內部區域進行刻蝕，對經刻蝕之區域之內部區域照射X射線，測定自該區域釋出之光電子之強度，藉由反覆進行上述步驟，分別獲取圖案形成用薄膜之內部區域之各深度之Ti2p窄光譜。(以後之實施例2～4、比較例1、2亦相同)。
圖5係表示對本發明之各實施例之另一合成石英基板上之圖案形成用薄膜分別進行X射線光電子光譜分析所得之結果(Ti2p窄光譜)的圖。圖6係表示對本發明之各實施例之光罩基底之相位偏移膜進行X射線光電子光譜分析所得之結果(Si2p窄光譜)的圖。圖5、圖6所示之各窄光譜係於各實施例之另一合成石英基板上之圖案形成用薄膜之特定之深度位置(於內部區域之膜厚方向上處於大致中央之深度位置)所獲得者。如根據圖5、圖6所示之值而求出，關於實施例1之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P N/P S為1.84，滿足大於1.18之關係(如上所述，將結合能在455 eV處之光電子強度設為P N，且將結合能在102 eV處之光電子強度設為P S；以下亦同樣如此)。 又，關於實施例1之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P NU/P S為1.60，滿足大於1.05之關係(如上所述，將結合能在461 eV處之光電子強度設為P NU；以下亦同樣如此)。 又，關於實施例1之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，(P N＋P NU)/P S為3.44，滿足大於2.22之關係。 又，關於實施例1之Ti2p之窄光譜，P N/P TS為3.06，滿足大於2.13之關係(如上所述，將結合能在453 eV處之光電子強度設為P TS；以下亦同樣如此)。 又，關於實施例1之Ti2p之窄光譜，(P N＋P T)/P TS為4.62，滿足大於3.53之關係。 再者，於實施例1中，內部區域中之其他深度位置處之各Ti2p窄光譜及各Si2p窄光譜亦滿足上述各比率之全部。
＜透過率及相位差之測定＞ 針對實施例1之光罩基底10之圖案形成用薄膜30之表面，利用Lasertec公司製造之MPM-100測定透過率(波長：365 nm)、相位差(波長：365 nm)。圖案形成用薄膜30之透過率、相位差之測定使用在上述另一合成石英玻璃基板之主表面上成膜另一圖案形成用薄膜所得之附薄膜之基板(於以後之實施例2、3、4、比較例1、2中亦相同)。其結果，實施例1中之圖案形成用薄膜30之透過率為6%，相位差為180度。
＜轉印用光罩100及其製造方法＞ 使用如上所述般製造之實施例1之光罩基底10製造轉印用光罩100。首先，於該光罩基底10之蝕刻遮罩膜40上使用抗蝕劑塗佈裝置塗佈光阻膜。
其後，經過加熱、冷卻步驟，形成光阻膜。
其後，使用雷射繪圖裝置對光阻膜進行繪圖，經過顯影、沖洗步驟，於蝕刻遮罩膜40上形成孔之直徑為1.5 μm之孔圖案之抗蝕劑膜圖案。
其後，以抗蝕劑膜圖案為遮罩，利用包含硝酸鈰銨及過氯酸之鉻蝕刻液對蝕刻遮罩膜40進行濕式蝕刻，而形成第1蝕刻遮罩膜圖案40a。
其後，以第1蝕刻遮罩膜圖案40a為遮罩，利用以純水稀釋氟化氫銨與過氧化氫之混合液所得之矽化鈦蝕刻液對圖案形成用薄膜30進行濕式蝕刻，而形成圖案形成用薄膜圖案30a。
其後，將抗蝕劑膜圖案剝離。
其後，使用抗蝕劑塗佈裝置，以覆蓋第1蝕刻遮罩膜圖案40a之方式塗佈光阻膜。
其後，經過加熱、冷卻步驟，形成光阻膜。
其後，使用雷射繪圖裝置對光阻膜進行繪圖，經過顯影、沖洗步驟，於第1蝕刻遮罩膜圖案40a上形成用以形成遮光帶之第2抗蝕劑膜圖案60。
其後，以第2抗蝕劑膜圖案60為遮罩，利用包含硝酸鈰銨與過氯酸之鉻蝕刻液，對形成於轉印用圖案形成區域之第1蝕刻遮罩膜圖案40a進行濕式蝕刻。
其後，將第2抗蝕劑膜圖案60剝離。
以此方式，獲得於透光性基板20上在轉印用圖案形成區域形成有孔之直徑為1.5 μm之圖案形成用薄膜圖案30a、及包含圖案形成用薄膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶的實施例1之轉印用光罩100。
＜轉印用光罩100之剖面形狀＞ 利用掃描式電子顯微鏡觀察所獲得之轉印用光罩100之剖面。 實施例1之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a具有接近垂直之剖面形狀。因此，形成於實施例1之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a具有能夠充分發揮相位偏移效果之剖面形狀。
以上內容表明，於將實施例1之轉印用光罩100設置於曝光裝置之光罩台，且曝光轉印至顯示裝置用基板上之抗蝕劑膜之情形時，能夠高精度地轉印包含未達2.0 μm之微細圖案之轉印用圖案。
＜耐光性、耐化學品性＞ 準備於透光性基板20上形成有實施例1之光罩基底10所使用之圖案形成用薄膜30之試樣。以合計照射量成為10 kJ/cm 2之方式對該實施例1之試樣之圖案形成用薄膜30照射包含波長365 nm之紫外線之金屬鹵素光源之光。於特定之紫外線之照射前後測定透過率，算出透過率之變化[(紫外線照射後之透過率)－(紫外線照射前之透過率)]，藉此評價圖案形成用薄膜30之耐光性。透過率係使用分光光度計進行測定。
於實施例1中，紫外線照射前後之透過率之變化為0.09%(0.09百分點)，故而良好。以上內容表明，實施例1之圖案形成用薄膜係於實用上耐光性足夠高之膜。
準備於透光性基板20上形成有實施例1之光罩基底10中所使用之圖案形成用薄膜30之試樣。以利用硫酸及過氧化氫水之混合液進行之SPM洗淨(洗淨時間：5分鐘)與利用氨、過氧化氫及水之混合液進行之SC-1洗淨(洗淨時間：5分鐘)為1個循環，對該實施例1之試樣之圖案形成用薄膜30進行5個循環之洗淨試驗，評價圖案形成用薄膜30之耐化學品性。
關於圖案形成用薄膜30之耐化學品性，測定進行洗淨試驗之前與進行洗淨試驗之後之波長200 nm～500 nm之範圍內之反射率光譜，根據與反射率向下凸起之最低反射率對應之波長(底峰波長)之變化量進行評價。
耐化學品性評價之結果為，於具有矽化鈦系圖案形成用薄膜之實施例1中，每進行1個循環之洗淨時之底峰波長之變化量向短波長側減小1.0 nm以下，耐化學品性良好。
以上內容表明，實施例1之圖案形成用薄膜為迄今為止最優異者，滿足所需之光學特性(透過率、相位差)，並且兼具高耐光性(耐化學品性)、高蝕刻速率、及良好之剖面形狀之全部。
(實施例2) 實施例2之光罩基底10除了使圖案形成用薄膜30如下所述以外，以與實施例1之光罩基底10相同之步序製造。 實施例2之圖案形成用薄膜30之形成方法如下所述。 為了於透光性基板20之主表面上形成圖案形成用薄膜30，首先，將包含氬(Ar)氣體與氮(N 2)氣體之混合氣體導入至第1腔室內。然後，使用包含鈦與矽之第1濺鍍靶(鈦：矽＝1：2)，藉由反應性濺鍍，使含有鈦、矽及氮之矽化鈦之氮化物沈積於透光性基板20之主表面上。以此方式，成膜以矽化鈦之氮化物為材料之膜厚130 nm之圖案形成用薄膜30(Ti：Si：N：O＝15.4：31.6：50.9：2.1原子%比)。 其後，以與實施例1相同之方式，成膜蝕刻遮罩膜40。
然後，於另一合成石英基板之主表面上，以與上述實施例2相同之成膜條件形成另一圖案形成用薄膜。其次，對該另一合成石英基板上之圖案形成用薄膜，以與實施例1相同之方式進行X射線光電子光譜分析。 如根據圖5、圖6所示之值而求出，關於實施例2之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P N/P S為1.36，滿足大於1.18之關係。 又，關於實施例2之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P NU/P S為1.23，滿足大於1.05之關係。 又，關於實施例2之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，(P N＋P NU)/P S為2.59，滿足大於2.22之關係。 又，關於實施例2之Ti2p之窄光譜，P N/P TS為2.53，滿足大於2.13之關係。 又，關於實施例2之Ti2p之窄光譜，(P N＋P T)/P TS為3.96，滿足大於3.53之關係。 再者，於實施例2中，內部區域中之其他深度位置處之各Ti2p窄光譜及各Si2p窄光譜亦滿足上述各比率之全部。
＜透過率及相位差之測定＞ 針對實施例2之光罩基底10之圖案形成用薄膜30之表面，利用Lasertec公司製造之MPM-100測定透過率(波長：365 nm)、相位差(波長：365 nm)。其結果，實施例2中之圖案形成用薄膜30之透過率為14%，相位差為180度。
＜轉印用光罩100及其製造方法＞ 使用如上所述般製造之實施例2之光罩基底10，以與實施例1相同之步序製造轉印用光罩100，從而獲得於透光性基板20上在轉印用圖案形成區域形成有孔之直徑為1.5 μm之圖案形成用薄膜圖案30a、及包含圖案形成用薄膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶的實施例2之轉印用光罩100。
＜轉印用光罩100之剖面形狀＞ 利用掃描式電子顯微鏡觀察所獲得之轉印用光罩100之剖面。 實施例2之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a具有接近垂直之剖面形狀。因此，形成於實施例2之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a具有能充分發揮相位偏移效果之剖面形狀。
以上內容表明，於將實施例2之轉印用光罩100設置於曝光裝置之光罩台，且曝光轉印至顯示裝置用基板上之抗蝕劑膜之情形時，能夠高精度地轉印包含未達2.0 μm之微細圖案之轉印用圖案。
＜耐光性、耐化學品性＞ 準備於透光性基板20上形成有實施例2之光罩基底10所使用之圖案形成用薄膜30之試樣。以合計照射量成為10 kJ/cm 2之方式對該實施例2之試樣之圖案形成用薄膜30照射包含波長365 nm之紫外線之金屬鹵素光源之光。於特定之紫外線之照射前後測定透過率，算出透過率之變化[(紫外線照射後之透過率)－(紫外線照射前之透過率)]，藉此評價圖案形成用薄膜30之耐光性。透過率係使用分光光度計進行測定。
於實施例2中，紫外線照射前後之透過率之變化為0.34%(0.34百分點)，故而良好。以上內容表明，實施例2之圖案形成用薄膜係於實用上耐光性足夠高之膜。
又，準備於透光性基板20上形成有實施例2之光罩基底10中所使用之圖案形成用薄膜30之試樣，以與實施例1相同之方式評價圖案形成用薄膜30之耐化學品性。 耐化學品性評價之結果為，於具有矽化鈦系圖案形成用薄膜之實施例2中，每進行1個循環之洗淨時底峰波長之變化量向短波長側減小1.0 nm以下，耐化學品性良好。
以上內容表明，實施例2之圖案形成用薄膜係迄今為止最優異者，滿足所需之光學特性(透過率、相位差)，並且兼具高耐光性(耐化學品性)、高蝕刻速率、及良好之剖面形狀之全部。
(實施例3) 實施例3之光罩基底10除了使圖案形成用薄膜30如下所述以外，以與實施例1之光罩基底10相同之步序製造。 實施例3之圖案形成用薄膜30之形成方法如下所述。 為了於透光性基板20之主表面上形成圖案形成用薄膜30，首先，將包含氬(Ar)氣體與氮(N 2)氣體之混合氣體導入至第1腔室內。然後，使用包含鈦與矽之第1濺鍍靶(鈦：矽＝1：3)，藉由反應性濺鍍，使含有鈦、矽及氮之矽化鈦之氮化物沈積於透光性基板20之主表面上。以此方式，成膜以矽化鈦之氮化物為材料之膜厚131 nm之圖案形成用薄膜30(Ti：Si：N：O＝10.7：34.9：50.3：4.1原子%比)。 其後，以與實施例1相同之方式，成膜蝕刻遮罩膜40。
然後，於另一合成石英基板之主表面上，以與上述實施例3相同之成膜條件形成另一圖案形成用薄膜。其次，以與實施例1相同之方式對該另一合成石英基板上之圖案形成用薄膜進行X射線光電子光譜分析。 如根據圖5、圖6所示之值而求出，關於實施例3之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P N/P S為1.25，滿足大於1.18之關係。 又，關於實施例3之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P NU/P S為1.18，滿足大於1.05之關係。 又，關於實施例3之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，(P N＋P NU)/P S為2.43，滿足大於2.22之關係。 再者，於實施例3中，內部區域中之其他深度位置處之各Ti2p窄光譜及各Si2p窄光譜亦滿足上述各比率之全部。
＜透過率及相位差之測定＞ 針對實施例3之光罩基底10之圖案形成用薄膜30之表面，利用Lasertec公司製造之MPM-100測定透過率(波長：365 nm)、相位差(波長：365 nm)。其結果，實施例3中之圖案形成用薄膜30之透過率為18%，相位差為180度。
＜轉印用光罩100及其製造方法＞ 使用如上所述般製造之實施例3之光罩基底10，以與實施例1相同之步序製造轉印用光罩100，從而獲得於透光性基板20上在轉印用圖案形成區域形成有孔之直徑為1.5 μm之圖案形成用薄膜圖案30a、及包含圖案形成用薄膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶的實施例3之轉印用光罩100。
＜轉印用光罩100之剖面形狀＞ 利用掃描式電子顯微鏡觀察所獲得之轉印用光罩100之剖面。 實施例3之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a具有接近垂直之剖面形狀。因此，形成於實施例3之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a具有能充分發揮相位偏移效果之剖面形狀。
以上內容表明，於將實施例3之轉印用光罩100設置於曝光裝置之光罩台，且曝光轉印至顯示裝置用基板上之抗蝕劑膜之情形時，能夠高精度地轉印包含未達2.0 μm之微細圖案之轉印用圖案。
＜耐光性、耐化學品性＞ 準備於透光性基板20上形成有實施例3之光罩基底10中所使用之圖案形成用薄膜30之試樣。以合計照射量成為10 kJ/cm 2之方式對該實施例3之試樣之圖案形成用薄膜30照射包含波長365 nm之紫外線之金屬鹵素光源之光。於特定之紫外線之照射前後測定透過率，算出透過率之變化[(紫外線照射後之透過率)－(紫外線照射前之透過率)]，藉此評價圖案形成用薄膜30之耐光性。透過率係使用分光光度計進行測定。
於實施例3中，紫外線照射前後之透過率之變化為0.45%(0.45百分點)，故而良好。以上內容表明，實施例3之圖案形成用薄膜係於實用上耐光性足夠高之膜。
又，準備於透光性基板20上形成有實施例3之光罩基底10中所使用之圖案形成用薄膜30之試樣，以與實施例1相同之方式，對圖案形成用薄膜30之耐化學品性進行評價。 耐化學品性評價之結果為，於具有矽化鈦系圖案形成用薄膜之實施例3中，每進行1個循環之洗淨時底峰波長之變化量向短波長側減小1.0 nm以下，耐化學品性良好。
以上內容表明，實施例3之圖案形成用薄膜係迄今為止最優異者，滿足所需之光學特性(透過率、相位差)，並且兼具高耐光性(耐化學品性)、高蝕刻速率、及良好之剖面形狀之全部。
(實施例4) 實施例4之光罩基底10除了使圖案形成用薄膜30如下所述以外，以與實施例1之光罩基底10相同之步序製造。 實施例4之圖案形成用薄膜30之形成方法如下所述。 為了於透光性基板20之主表面上形成圖案形成用薄膜30，首先，將包含氬(Ar)氣體與氮(N 2)氣體之混合氣體導入至第1腔室內。然後，使用包含鈦與矽之第1濺鍍靶(鈦：矽＝1：3)，藉由反應性濺鍍，使含有鈦、矽及氮之矽化鈦之氮化物沈積於透光性基板20之主表面上。以此方式，成膜以矽化鈦之氮化物為材料之膜厚134 nm之圖案形成用薄膜30(Ti：Si：N：O＝11.7：35.0：52.0：1.3原子%比)。 其後，以與實施例1相同之方式，成膜蝕刻遮罩膜40。
然後，於另一透光性基板之主表面上，以與上述實施例4相同之成膜條件分別形成另一圖案形成用薄膜、蝕刻遮罩膜。其次，對該另一透光性基板上之圖案形成用薄膜，以與實施例1相同之方式進行X射線光電子光譜分析。 如根據圖5、圖6所示之值而求出，關於實施例4之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P N/P S為1.19，滿足大於1.18之關係。 又，關於實施例4之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P NU/P S為1.11，滿足大於1.05之關係。 又，關於實施例4之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，(P N＋P NU)/P S為2.30，滿足大於2.22之關係。 再者，於實施例4中，內部區域中之其他深度位置處之各Ti2p窄光譜及各Si2p窄光譜亦滿足上述各比率之全部。
＜透過率及相位差之測定＞ 針對實施例4之光罩基底10之圖案形成用薄膜30之表面，利用Lasertec公司製造之MPM-100測定透過率(波長：365 nm)、相位差(波長：365 nm)。其結果，實施例4中之圖案形成用薄膜30之透過率為22%，相位差為180度。
＜轉印用光罩100及該製造方法＞ 使用如上所述般製造之實施例4之光罩基底10，以與實施例1相同之步序製造轉印用光罩100，從而獲得於透光性基板20上在轉印用圖案形成區域形成有孔之直徑為1.5 μm之圖案形成用薄膜圖案30a、及包含圖案形成用薄膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶的實施例4之轉印用光罩100。
＜轉印用光罩100之剖面形狀＞ 利用掃描式電子顯微鏡觀察所獲得之轉印用光罩100之剖面。 實施例4之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a具有接近垂直之剖面形狀。因此，形成於實施例4之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a具有能充分發揮相位偏移效果之剖面形狀。
以上內容表明，於將實施例4之轉印用光罩100設置於曝光裝置之光罩台，且曝光轉印至顯示裝置用基板上之抗蝕劑膜之情形時，能夠高精度地轉印包含未達2.0 μm之微細圖案之轉印用圖案。
＜耐光性、耐化學品性＞ 準備於透光性基板20上形成有實施例4之光罩基底10中所使用之圖案形成用薄膜30之試樣。以合計照射量成為10 kJ/cm 2之方式對該實施例4之試樣之圖案形成用薄膜30照射包含波長365 nm之紫外線之金屬鹵素光源之光。於特定之紫外線之照射前後測定透過率，算出透過率之變化[(紫外線照射後之透過率)－(紫外線照射前之透過率)]，藉此評價圖案形成用薄膜30之耐光性。透過率係使用分光光度計進行測定。
於實施例4中，紫外線照射前後之透過率之變化為1.48%(0.34百分點)，故而良好。以上內容表明，實施例4之圖案形成用薄膜係於實用上耐光性足夠高之膜。
又，準備於透光性基板20上形成有實施例4之光罩基底10中所使用之圖案形成用薄膜30之試樣，以與實施例1相同之方式，對圖案形成用薄膜30之耐化學品性進行評價。 耐化學品性評價之結果為，於具有矽化鈦系圖案形成用薄膜之實施例4中，每進行1個循環之洗淨時底峰波長之變化量向短波長側減小1.0 nm以下，耐化學品性良好。
以上內容表明，實施例4之圖案形成用薄膜係迄今為止最優異者，滿足所需之光學特性(透過率、相位差)，並且兼具高耐光性(耐化學品性)、高蝕刻速率、及良好之剖面形狀之全部。
(比較例1) 比較例1之光罩基底10除了使圖案形成用薄膜30如下所述以外，以與實施例1之光罩基底10相同之步序製造。 比較例1之圖案形成用薄膜30之形成方法如下所述。 為了於透光性基板20之主表面上形成圖案形成用薄膜30，首先，將包含氬(Ar)氣體與氮(N 2)氣體之混合氣體導入至第1腔室內。然後，使用包含鈦與矽之第1濺鍍靶(鈦：矽＝1：3)，藉由反應性濺鍍，使含有鈦、矽及氮之矽化鈦之氮化物沈積於透光性基板20之主表面上。以此方式，成膜以矽化鈦之氮化物為材料之膜厚130 nm之圖案形成用薄膜30(Ti：Si：N：O＝11.7：35.5：51.0：1.8原子%比)。 其後，以與實施例1相同之方式，成膜蝕刻遮罩膜40。
然後，於另一合成石英基板之主表面上，以與上述比較例1相同之成膜條件形成另一圖案形成用薄膜。其次，對該另一合成石英基板上之圖案形成用薄膜，以與實施例1相同之方式進行X射線光電子光譜分析。 圖7係表示對本發明之各比較例之光罩基底之相位偏移膜進行X射線光電子光譜分析所得之結果(Ti2p窄光譜)的圖。圖8係表示對本發明之各比較例之光罩基底之相位偏移膜進行X射線光電子光譜分析所得之結果(Si2p窄光譜)的圖。圖7、圖8所示之各窄光譜係於各比較例之另一合成石英基板上之圖案形成用薄膜之特定之深度位置(於內部區域之膜厚方向上處於大致中央之深度位置)所獲得者。如根據圖7、圖8所示之值而求出，關於比較例1之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P N/P S為1.18，不滿足大於1.18之關係。 又，關於比較例1之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P NU/P S為1.05，不滿足大於1.05之關係。 又，關於比較例1之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，(P N＋P NU)/P S為2.22，不滿足大於2.22之關係。 又，關於比較例1之Ti2p之窄光譜，P N/P TS為2.13，不滿足大於2.13之關係。 又，關於比較例1之Ti2p之窄光譜，(P N＋P T)/P TS為3.53，不滿足大於3.53之關係。
＜透過率及相位差之測定＞ 針對比較例1之光罩基底10之圖案形成用薄膜30之表面，利用Lasertec公司製造之MPM-100測定透過率(波長：365 nm)、相位差(波長：365 nm)。其結果，比較例1中之圖案形成用薄膜30之透過率為23%，相位差為180度。
＜轉印用光罩100及其製造方法＞ 使用如上所述般製造之比較例1之光罩基底10，以與實施例1相同之步序製造轉印用光罩100，從而獲得於透光性基板20上在轉印用圖案形成區域形成有孔之直徑為1.5 μm之圖案形成用薄膜圖案30a、及包含圖案形成用薄膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶的比較例1之轉印用光罩100。
＜轉印用光罩100之剖面形狀＞ 利用掃描式電子顯微鏡觀察所獲得之轉印用光罩100之剖面。 比較例1之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a具有接近垂直之剖面形狀。因此，形成於比較例1之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a具有能充分發揮相位偏移效果之剖面形狀。
以上內容表明，於將比較例1之轉印用光罩100設置於曝光裝置之光罩台，且曝光轉印至顯示裝置用基板上之抗蝕劑膜之情形時，能夠高精度地轉印包含未達2.0 μm之微細圖案之轉印用圖案。
＜耐光性、耐化學品性＞ 準備於透光性基板20上形成有比較例1之光罩基底10中所使用之圖案形成用薄膜30之試樣。以合計照射量成為10 kJ/cm 2之方式對該比較例1之試樣之圖案形成用薄膜30照射包含波長365 nm之紫外線之金屬鹵素光源之光。於特定之紫外線之照射前後測定透過率，算出透過率之變化[(紫外線照射後之透過率)－(紫外線照射前之透過率)]，藉此評價圖案形成用薄膜30之耐光性。透過率係使用分光光度計進行測定。
於比較例1中，紫外線照射前後之透過率之變化為2.00%(2.00百分點)，處於容許範圍外。以上內容表明，比較例1之圖案形成用薄膜於實用上不具有充分之耐光性。
又，準備於透光性基板20上形成有比較例1之光罩基底10中所使用之圖案形成用薄膜30之試樣，以與實施例1相同之方式，對圖案形成用薄膜30之耐化學品性進行評價。 耐化學品性評價之結果為，於具有矽化鈦系圖案形成用薄膜之比較例1中，每進行1個循環之洗淨時底峰波長之變化量向短波長側減小1.0 nm以下，耐化學品性充分。
如此，比較例1之圖案形成用薄膜於耐光性方面不具有充分之性能。 (比較例2) 比較例2之光罩基底10除了使圖案形成用薄膜30如下所述以外，以與實施例1之光罩基底10相同之步序製造。 比較例2之圖案形成用薄膜30之形成方法如下所述。 為了於透光性基板20之主表面上形成圖案形成用薄膜30，首先，將包含氬(Ar)氣體與氮(N 2)氣體之混合氣體導入至第1腔室內。然後，使用包含鈦與矽之第1濺鍍靶(鈦：矽＝1：4)，藉由反應性濺鍍，使含有鈦、矽及氮之矽化鈦之氮化物沈積於透光性基板20之主表面上。以此方式，成膜以矽化鈦之氮化物為材料之膜厚186 nm之圖案形成用薄膜30(Ti：Si：N：O＝7.6：33.6：40.6：18.2原子%比)。薄膜30之氧含量較多並非由計劃導入之氧成分引起，而是由成膜裝置內之殘留水分或吸附之攜帶水分引起。 其後，以與實施例1相同之方式，成膜蝕刻遮罩膜40。
然後，於另一合成石英基板之主表面上，以與上述比較例2相同之成膜條件形成另一圖案形成用薄膜。其次，以與實施例1相同之方式對該另一合成石英基板上之圖案形成用薄膜進行X射線光電子光譜分析。 如根據圖7、圖8所示之值而求出，關於比較例2之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P N/P S為0.31，不滿足大於1.18之關係。 又，關於比較例2之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，P NU/P S為0.33，不滿足大於1.05之關係。 又，關於比較例2之Ti2p之窄光譜、Si2p窄光譜，(P N＋P NU)/P S為0.64，不滿足大於2.22之關係。 又，關於比較例2之Ti2p之窄光譜，P N/P TS為1.53，不滿足大於2.13之關係。 又，關於比較例2之Ti2p之窄光譜，(P N＋P T)/P TS為2.64，不滿足大於3.53之關係。
＜透過率及相位差之測定＞ 針對比較例2之光罩基底10之圖案形成用薄膜30之表面，利用Lasertec公司製造之MPM-100測定透過率(波長：365 nm)、相位差(波長：365 nm)。其結果，比較例2中之圖案形成用薄膜30之透過率為57%，相位差為180度。
＜轉印用光罩100及其製造方法＞ 使用如上所述般製造之比較例2之光罩基底10，以與實施例1相同之步序製造轉印用光罩100，從而獲得於透光性基板20上在轉印用圖案形成區域形成有孔之直徑為1.5 μm之圖案形成用薄膜圖案30a及包含圖案形成用薄膜圖案30a與蝕刻遮罩膜圖案40b之積層構造之遮光帶的比較例2之轉印用光罩100。
＜轉印用光罩100之剖面形狀＞ 利用掃描式電子顯微鏡觀察所獲得之轉印用光罩100之剖面。 比較例2之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a具有與透光性基板20之交界部分被過度蝕刻之剖面形狀。因此，形成於比較例2之轉印用光罩100之圖案形成用薄膜圖案30a並非能充分發揮相位偏移效果之剖面形狀。
以上內容表明，於將比較例2之轉印用光罩100設置於曝光裝置之光罩台，且曝光轉印至顯示裝置用基板上之抗蝕劑膜之情形時，難以高精度地轉印包含未達2.0 μm之微細圖案之轉印用圖案。
＜耐光性、耐化學品性＞ 準備於透光性基板20上形成有比較例2之光罩基底10中所使用之圖案形成用薄膜30之試樣。以合計照射量成為10 kJ/cm 2之方式對該比較例2之試樣之圖案形成用薄膜30照射包含波長365 nm之紫外線之金屬鹵素光源之光。於特定之紫外線之照射前後測定透過率，算出透過率之變化[(紫外線照射後之透過率)－(紫外線照射前之透過率)]，藉此評價圖案形成用薄膜30之耐光性。透過率係使用分光光度計進行測定。
於比較例2中，紫外線照射前後之透過率之變化為2.55%(2.55百分點)，處於容許範圍外。以上內容表明，比較例2之圖案形成用薄膜於實用上不具有充分之耐光性。
又，準備於透光性基板20上形成有比較例2之光罩基底10中所使用之圖案形成用薄膜30之試樣，以與實施例1相同之方式評價圖案形成用薄膜30之耐化學品性。 耐化學品性評價之結果為，於具有包含8原子%以上之氧之矽化鈦系圖案形成用薄膜之比較例2中，每進行1個循環之洗淨時底峰波長之變化量向短波長側增大1.0 nm以上，耐化學品性亦不充分。
如此，比較例2之圖案形成用薄膜於耐光性或耐化學品性方面不具有充分之性能。
於上述實施例中，對顯示裝置製造用之轉印用光罩100、及用以製造顯示裝置製造用之轉印用光罩100之光罩基底10之例進行了說明，但並不限於此。本發明之光罩基底10及/或轉印用光罩100亦能應用於半導體裝置製造用、MEMS(Micro Electro Mechanical System，微機電系統)製造用、及印刷基板製造用等。又，於具有遮光膜作為圖案形成用薄膜30之二元光罩基底、及具有遮光膜圖案之二元光罩中，亦能應用本發明。
又，於上述實施例中，對透光性基板20之尺寸為1214尺寸(1220 mm×1400 mm×13 mm)之例進行了說明，但並不限於此。於顯示裝置製造用之光罩基底10之情形時，使用大型(Large Size)透光性基板20，該透光性基板20之尺寸係主表面之一邊之長度為300 mm以上。顯示裝置製造用之光罩基底10中所使用之透光性基板20之尺寸例如為330 mm×450 mm以上2280 mm×3130 mm以下。
又，於半導體裝置製造用、MEMS製造用、印刷基板製造用之光罩基底10之情形時，使用小型(Small Size)透光性基板20，該透光性基板20之尺寸係一邊之長度為9英吋以下。上述用途之光罩基底10中所使用之透光性基板20之尺寸例如為63.1 mm×63.1 mm以上228.6 mm×228.6 mm以下。通常，作為半導體裝置製造用及MEMS製造用之轉印用光罩100所使用之透光性基板20，使用6025尺寸(152 mm×152 mm)或5009尺寸(126.6 mm×126.6 mm)。又，通常，作為印刷基板製造用之轉印用光罩100所使用之透光性基板20，使用7012尺寸(177.4 mm×177.4 mm)或9012尺寸(228.6 mm×228.6 mm)。
10:光罩基底 20:透光性基板 30:圖案形成用薄膜 30a:薄膜圖案 40:蝕刻遮罩膜 40a:第1蝕刻遮罩膜圖案 40b:第2蝕刻遮罩膜圖案 50:第1抗蝕劑膜圖案 60:第2抗蝕劑膜圖案 100:轉印用光罩
圖1係表示本發明之實施方式之光罩基底之膜構成的剖面模式圖。 圖2係表示本發明之實施方式之光罩基底之另一膜構成的剖面模式圖。 圖3(a)～(e)係表示本發明之實施方式之轉印用光罩之製造步驟的剖面模式圖。 圖4(a)～(c)係表示本發明之實施方式之轉印用光罩之另一製造步驟的剖面模式圖。 圖5係表示對本發明之各實施例之光罩基底之相位偏移膜進行X射線光電子光譜分析所得之結果(Ti2p窄光譜)的圖。 圖6係表示對本發明之各實施例之光罩基底之相位偏移膜進行X射線光電子光譜分析所得之結果(Si2p窄光譜)的圖。 圖7係表示對本發明之各比較例之光罩基底之相位偏移膜進行X射線光電子光譜分析所得之結果(Ti2p窄光譜)的圖。 圖8係表示對本發明之各比較例之光罩基底之相位偏移膜進行X射線光電子光譜分析所得之結果(Si2p窄光譜)的圖。
10:光罩基底
20:透光性基板
30:圖案形成用薄膜
40:蝕刻遮罩膜

Claims (21)

  1. 一種光罩基底，其特徵在於，具備透光性基板與設置於上述透光性基板之主表面上之圖案形成用薄膜，且 上述薄膜含有鈦、矽及氮， 將利用X射線光電子光譜法對上述薄膜之內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜中之結合能在455 eV處之光電子強度設為P N，且將Si2p窄光譜中之結合能在102 eV處之光電子強度設為P S時，滿足P N/P S大於1.18之關係， 上述內部區域係上述薄膜之除上述透光性基板側之附近區域及與上述透光性基板相反側之表層區域以外之區域， 上述內部區域中之氮之含量為30原子%以上。
  2. 如請求項1之光罩基底，其中將上述Ti2p窄光譜中之結合能在461 eV處之光電子強度設為P NU時，滿足P NU/P S大於1.05之關係。
  3. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述內部區域中之鈦之含量相對於鈦及矽之合計含量之比率為0.05以上。
  4. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述內部區域中之鈦、矽及氮之合計含量為90原子%以上。
  5. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述內部區域之氧含量為7原子%以下。
  6. 如請求項1或2之光罩基底，其中與上述透光性基板側相反之側之表層區域係自與上述透光性基板相反側之表面朝向上述透光性基板側遍及10 nm之深度之範圍內的區域。
  7. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述透光性基板側之附近區域係自上述透光性基板側之表面朝向與上述透光性基板相反側遍及10 nm之深度之範圍內的區域。
  8. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述薄膜為相位偏移膜， 上述相位偏移膜之對波長365 nm之光之透過率為1%以上，且對波長365 nm之光之相位差為150度以上210度以下。
  9. 如請求項1或2之光罩基底，其中上述薄膜上具備蝕刻選擇性與上述薄膜不同之蝕刻遮罩膜。
  10. 如請求項9之光罩基底，其中上述蝕刻遮罩膜含有鉻。
  11. 一種轉印用光罩，其特徵在於，具備透光性基板與設置於上述透光性基板之主表面上且具有轉印圖案之薄膜，且 上述薄膜含有鈦、矽及氮， 將利用X射線光電子光譜法對上述薄膜之內部區域進行分析而獲得之Ti2p窄光譜中之結合能在455 eV處之光電子強度設為P N，且將Si2p窄光譜中之結合能在102 eV處之光電子強度設為P S時，滿足P N/P S大於1.18之關係， 上述內部區域係上述薄膜之除上述透光性基板側之附近區域及與上述透光性基板相反側之表層區域以外之區域， 上述內部區域中之氮之含量為30原子%以上。
  12. 如請求項11之轉印用光罩，其中將上述Ti2p窄光譜中之結合能在461 eV處之光電子強度設為P NU時，滿足P NU/P S大於1.05之關係。
  13. 如請求項11或12之轉印用光罩，其中上述內部區域中之鈦之含量相對於鈦及矽之合計含量之比率為0.05以上。
  14. 如請求項11或12之轉印用光罩，其中上述內部區域中之鈦、矽及氮之合計含量為90原子%以上。
  15. 如請求項11或12之轉印用光罩，其中上述內部區域之氧含量為7原子%以下。
  16. 如請求項11或12之轉印用光罩，其中與上述透光性基板側相反之側之表層區域係自與上述透光性基板相反側之表面朝向上述透光性基板側遍及10 nm之深度之範圍內的區域。
  17. 如請求項11或12之轉印用光罩，其中上述透光性基板側之附近區域係自上述透光性基板側之表面朝向與上述透光性基板相反側遍及10 nm之深度之範圍內的區域。
  18. 如請求項11或12之轉印用光罩，其中上述薄膜為相位偏移膜， 上述相位偏移膜之對波長365 nm之光之透過率為1%以上，且對波長365 nm之光之相位差為150度以上210度以下。
  19. 一種轉印用光罩之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 準備如請求項1至8中任一項之光罩基底； 於上述薄膜上形成具有轉印圖案之抗蝕劑膜；及 進行以上述抗蝕劑膜為遮罩之濕式蝕刻，於上述薄膜形成轉印圖案。
  20. 一種轉印用光罩之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 準備如請求項9或10之光罩基底； 於上述蝕刻遮罩膜上形成具有轉印圖案之抗蝕劑膜； 進行以上述抗蝕劑膜為遮罩之濕式蝕刻，於上述蝕刻遮罩膜形成轉印圖案；及 進行以形成有上述轉印圖案之蝕刻遮罩膜為遮罩之濕式蝕刻，於上述薄膜形成轉印圖案。
  21. 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟： 將如請求項11至18中任一項之轉印用光罩載置於曝光裝置之光罩台；及 對上述轉印用光罩照射曝光之光，從而將轉印圖案轉印至設置於顯示裝置用基板上之抗蝕劑膜。
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