TW202340287A - 感光性樹脂組成物、抗蝕劑圖案膜的製造方法及鍍敷造形物的製造方法 - Google Patents

感光性樹脂組成物、抗蝕劑圖案膜的製造方法及鍍敷造形物的製造方法 Download PDF

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Abstract

一種感光性樹脂組成物及使用其的抗蝕劑圖案膜的形成方法、以及鍍敷造形物的製造方法，所述感光性樹脂組成物含有具有酸解離性基的聚合體（A）、光酸產生劑（B）及溶劑（C），所述感光性樹脂組成物中，聚合體（A）含有式（1）所表示的結構單元（I）、及為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg為50℃以下的結構單元（III），光酸產生劑（B）是藉由光化射線或放射線的照射而產生凡得瓦體積為200 Å 3以上的酸的化合物。式（1）中的R 1-1、L、R 2-1及R 2-2的詳細情況示於說明書中。

Description

感光性樹脂組成物、抗蝕劑圖案膜的形成方法及鍍覆造形物的製造方法
本發明是有關於一種感光性樹脂組成物、抗蝕劑圖案膜的形成方法及鍍敷造形物的製造方法。
近年來，關於半導體元件、或液晶顯示器、觸控面板等顯示元件的配線或凸塊等連接端子，對於高密度地安裝的要求不斷提高，因此正在推進微細化。伴隨於此，於配線或凸塊等的形成中所使用的抗蝕劑圖案亦要求微細化。 一般而言，配線或凸塊等鍍敷造形物是藉由於具有銅等的金屬箔的基板上形成抗蝕劑圖案，將該抗蝕劑圖案作為遮罩並進行鍍敷處理而形成。 而且，智慧型手機及平板（tablet）終端機等行動設備的高性能化藉由如下方式進行：使用扇出型晶圓級封裝（Fan-Out Wafer Level Package，FO-WLP）、扇出型面板級封裝（Fan-Out Panel Level Package，FO-PLP）、矽穿孔（Through Silicon Via，TSV）、矽中介板（silicon interposer）等高密度封裝技術對具有不同功能的半導體晶片進行封裝。 於此種封裝技術中，半導體晶片間的電性連接中所使用的配線及突起電極（凸塊）亦成為高密度。因此，配線及凸塊的形成中所使用的抗蝕劑圖案膜亦要求微細且高密度者，伴隨面積的縮小化，就可靠性的方面而言要求高膜厚化。
例如，於專利文獻1中記載可抑制鍍敷處理時的鍍敷的滲入的鍍敷造形物的製造方法。另外，例如於專利文獻2中記載形成有效用作鍍敷處理的遮罩的抗蝕劑圖案的感光性樹脂組成物。
例如，於專利文獻3中揭示如下的感光性樹脂組成物：可形成解析性優異、且能夠應對銅鍍敷及鎳鍍敷的抗蝕劑圖案。 例如，於專利文獻4中記載如下的感光性樹脂組成物：可形成抑制基腳（footing）的形成且耐鍍敷液性優異的抗蝕劑圖案膜。 例如，於專利文獻5中記載可良好地製造鍍敷造形物。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2018/163602號 [專利文獻2]國際公開第2020/039755號 [專利文獻3]國際公開第2020/039717號 [專利文獻4]國際公開第2020/121967號 [專利文獻5]國際公開第2020/121968號
[發明所欲解決之課題]
若配線及凸塊變得微細且高密度，則至相鄰的配線或凸塊的距離變短，而且配線或凸塊與銅膜等金屬膜的接觸面積變小，伴隨於此成為高膜厚化（高縱橫比），因此需要剖面為矩形的鍍敷造形物。因此，要求作為鍍敷的模具的抗蝕劑圖案膜的剖面亦為矩形，以及具有對起因於由高膜厚化引起的應力的龜裂的耐受性。 於所述專利文獻3或專利文獻4中記載的感光化射線性或感放射線性樹脂組成物中，雖然研究了由厚膜的組成物並藉由微影而形成的厚膜圖案的剖面形狀的矩形性，但對耐龜裂性並未進行任何研究。 關於專利文獻1～專利文獻2及專利文獻5～專利文獻7中記載的感光性樹脂組成物，對適於形成鍍敷造形物的膜的厚膜化、或矩形性及耐龜裂性要求進一步改良。 [解決課題之手段]
本發明的一實施方式所欲解決的課題在於提供一種感光性樹脂組成物，其抑制所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂形成，及抗蝕劑圖案膜的剖面形狀的矩形性優異，且所獲得的膜的膜厚大。另外，本發明的另一實施方式所欲解決的另一課題在於提供一種抑制所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂形成、及抗蝕劑圖案的剖面形狀的矩形性優異的抗蝕劑圖案膜的製造方法、以及以所述抗蝕劑圖案為鑄模的鍍敷造形物的製造方法。
解決所述課題的方法中包含以下的態樣。 ＜1＞ 一種感光性樹脂組成物，含有具有酸解離性基的聚合體（A）、光酸產生劑（B）、及溶劑（C），所述感光性樹脂組成物中， 所述聚合體（A）含有下述式（1）所表示的結構單元（I）、及為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg為50℃以下的結構單元（III）， 所述光酸產生劑（B）含有藉由光化射線或放射線的照射而產生凡得瓦體積為200 Å 3以上的酸的化合物，並用於膜厚30 μm以上的膜形成中。
[化1]
[所述式（1）中，R 1A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，L表示*-C(O)O-、或*-C(O)N-，所述*表示與主鏈鍵結的一側，n表示1或2]
＜2＞ 如＜1＞所述的感光性樹脂組成物，其中所述結構單元（III）為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg為40℃以下。 ＜3＞ 如＜1＞或＜2＞所述的感光性樹脂組成物，其中所述結構單元（III）為下述式（3）所表示的結構單元（IIIa）。
[化2]
[所述式（3）中，R 3A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，R 3B表示碳數1～20的烷基、或-(R 3CO) nR 3D所表示的基、或-L-Cy所表示的基，所述R 3C表示亞甲基、碳數2～20的伸烷基，所述R 3D表示烷基、環烷基、或芳基，n表示1～3的整數，所述L表示亞甲基、碳數2～20的伸烷基、或者-(C 2H 4O)m-或-(C 3H 6O)m-所表示的基，所述m表示1～3的整數，Cy表示脂肪族雜環基]
＜4＞ 如＜3＞所述的感光性樹脂組成物，其中所述式（3）的R 3B為碳數1～10的烷基、-(R 3CO) nR 3D所表示的基或-L-Cy所表示的基。
＜5＞ 如＜1＞至＜4＞中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中所述聚合體（A）更含有下述式（2）所表示的結構單元（II）。
[化3]
[式（2）中，R 2A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，R 2B各自獨立地表示碳數1～3的烷基]
＜6＞ 如＜1＞至＜5＞中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中於將所述聚合體（A）中包含的結構單元設為100莫耳%的情況下，所述結構單元（I）的含有比例為5莫耳%～75莫耳%，以及所述結構單元（III）的含有比例為5莫耳%～50莫耳%。 ＜7＞ 如＜1＞至＜5＞中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中所述光酸產生劑（B）為下述式（P1）～式（P3）的任一者所表示的化合物。
[化4]
[式（P1）中，m、及n各自獨立地表示1～10的整數，m+n表示4以上的整數，式（P2）中，Ar表示經取代或未經取代的碳數6～20的芳香族烴基，式（P3）中，Q各自獨立地表示氫原子或氟原子，Rf各自獨立地表示氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數1～10的鏈狀烴基、或氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數6～20的芳香族烴基，與P鍵結的n個Rf的合計碳數為6以上，n表示0～3的整數，式（P1）～式（P3）中，X +各自獨立地表示陽離子]
＜8＞ 如＜1＞至＜7＞中任一項所述的感光性樹脂組成物，更含有鹼可溶性樹脂（D）。 ＜9＞ 如＜1＞至＜8＞中任一項所述的感光性樹脂組成物，更含有化合物（E），所述化合物（E）含有硫醇基，或者藉由酸的作用而產生硫醇基。 ＜10＞ 一種感光性樹脂組成物，含有具有酸解離性基的聚合體（A）、光酸產生劑（B）、及溶劑（C），所述感光性樹脂組成物中， 所述聚合體（A）含有下述式（1）所表示的結構單元（I）、及作為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg為50℃以下的結構單元（III）， 所述光酸產生劑（B）含有藉由光化射線或放射線的照射而產生凡得瓦體積為200 Å 3以上的酸的化合物， 且固體成分濃度相對於組成物的總質量而為40質量%以上。
[化5]
[所述式（1）中，R 1A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，L表示*-C(O)O-、或*-C(O)N-，所述*表示與主鏈鍵結的一側，n表示1或2]
＜11＞ 一種抗蝕劑圖案膜的製造方法，具有：步驟（1），於具有金屬膜的基板的所述金屬膜上形成如＜1＞至＜10＞中任一項所述的感光性樹脂組成物的樹脂膜；步驟（2），對所述樹脂膜進行曝光；以及步驟（3），對曝光後的所述樹脂膜進行顯影。 ＜12＞ 如＜11＞所述的抗蝕劑圖案膜的製造方法，其中所獲得的抗蝕劑圖案膜的厚度為30 μm～90 μm。 ＜13＞ 一種鍍敷造形物的製造方法，具有：以藉由如＜11＞或＜12＞所述的抗蝕劑圖案膜的製造方法而獲得的抗蝕劑圖案膜為鑄模來進行鍍敷處理的步驟。 [發明的效果]
藉由本發明的一實施方式的感光性樹脂組成物，可形成即便於膜厚30 μm以上的膜厚中亦可抑制所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂形成、另外剖面形狀的矩形性優異的抗蝕劑圖案。 另外，藉由本發明的另一實施方式，可提供一種抑制所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂形成、及抗蝕劑圖案的剖面形狀的矩形性優異的抗蝕劑圖案膜的製造方法、以及以所述抗蝕劑圖案為鑄模的鍍敷造形物的製造方法。
以下，對本發明的內容進行詳細說明。以下記載的結構要件的內容的說明有時基於本發明的代表性實施方式來進行，但本發明並不限定於此種實施方式。 於本說明書中，表示數值範圍的「～」是以包含其前後所記載的數值作為下限值及上限值的含義來使用。 另外，於本說明書中，只要無特別限定，則組成物中的各成分設為可包含單獨一種，亦可併用兩種以上。 於本說明書中，關於組成物中的各成分的量，於在組成物中存在多種各成分的情況下，只要無特別說明，則是指存在於組成物中的相符的物質的合計量。 於本說明書中，兩個以上的較佳態樣的組合是更佳的態樣。 作為本說明書中的「光化射線」或「放射線」，例如可列舉水銀燈的明線光譜、準分子雷射所代表的遠紫外線等。 本說明書中的「光」是指光化射線或放射線。本說明書中的「曝光」只要無特別說明，則亦包含水銀燈的明線光譜、準分子雷射所代表的遠紫外線。 於本說明書中，所謂總固體成分，是指自組成物的所有成分中除去溶劑後的成分的總質量。另外，於本說明書中，所謂固體成分濃度，是除溶劑以外的其他成分相對於組成物的總質量的質量百分率。 於本說明書中，所謂膜厚，是指藉由乾燥等方法去除溶劑後的膜厚。另外，於本說明書中，所謂高膜厚，是指膜厚為30 μm以上的膜。 以下，對本發明進行詳細說明。
（感光性樹脂組成物） 本發明的感光性樹脂組成物是含有具有酸解離性基的聚合體（A）、光酸產生劑（B）、及溶劑（C）的感光性樹脂組成物，所述聚合體（A）含有下述式（1）所表示的結構單元（I）、及為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg為50℃以下的結構單元（III），所述光酸產生劑（B）含有藉由光化射線或放射線的照射而產生凡得瓦體積為200 Å 3以上的酸的化合物，並用於膜厚30 μm以上（較佳為膜厚為30 μm～100 μm，更佳為膜厚為30 μm～80 μm）的膜形成。 另外，本發明的感光性樹脂組成物是含有具有酸解離性基的聚合體（A）、光酸產生劑（B）、及溶劑（C）的感光性樹脂組成物，所述聚合體（A）含有下述式（1）所表示的結構單元（I）、及為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg為50℃以下的結構單元（III），所述光酸產生劑（B）含有藉由光化射線或放射線的照射而產生凡得瓦體積為200 Å 3以上的酸的化合物，且固體成分濃度相對於組成物的總質量而為40質量%以上。 感光性樹脂組成物的固體成分濃度較佳為40質量%～80質量%，更佳為40質量%～70質量%，進而佳為40質量%～60質量%。
[化6]
所述式（1）中，R 1A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，L表示*-C(O)O-、或*-C(O)N-，所述*表示與主鏈鍵結的一側，n表示1或2。
發明者等人進行了努力研究，結果本發明的感光性樹脂組成物藉由具有所述結構，抑制所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂形成，及抗蝕劑圖案的剖面形狀的矩形性優異，且所獲得的膜的膜厚大。該理由不明確，但推測如下。 本發明的感光性樹脂組成物中包含的聚合體（A）含有特定的結構單元（I）與結構單元（III），結構單元（I）與通用的羥基苯乙烯等具有酚性羥基的單量體相比，反應性優異，因此容易進行高分子化，藉由具有特定的結構單元（III）而可提高韌性，抑制所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成。另外，光酸產生劑（B）中藉由光化射線或放射線的照射而產生的酸的凡得瓦體積為200 Å 3以上，因此與專利文獻1～專利文獻5中記載的光酸產生劑相比，認為容易抑制所產生的酸的擴散，抑制了向聚合體（A）中導入的特定的結構單元（III）所引起的聚合體的低Tg化所預期的解析性與矩形性的劣化。 以下，對本發明的詳細情況進行說明。
＜聚合體（A）＞ 具有酸解離性基的聚合體（A）（以下，亦簡稱為「聚合體（A）」）含有所述式（1）所表示的結構單元（I）、及為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg為50℃以下的結構單元（III）。聚合體（A）藉由含有結構單元（I）及結構單元（III），抑制所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成，且所獲得的膜的膜厚大。 所謂所述酸解離性基，是藉由自後述的光酸產生劑（B）產生的酸的作用發生分解而成為鹼可溶性的基，具體而言，是指成為鹼可溶性的基所具有的氫原子經因酸而脫離的基取代而成的基。作為成為鹼可溶性的基，並無特別限制，例如可列舉酚性羥基、羧基、氟化醇基、磺酸基、磺醯胺基、磺醯基醯亞胺基等。另外，作為聚合體（A）含有的具有酸解離性基的結構單元，例如可列舉後述的結構單元（II）。
＜＜結構單元（I）＞＞ 結構單元（I）由所述式（1）表示，所述式（1）中，R 1A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，L表示*-C(O)O-、或*-C(O)N-，n表示1或2，*表示與主鏈鍵結的一側。 就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，作為R 1A，較佳為氫原子或碳數1～4的烷基，更佳為氫原子或碳數1～3的烷基，進而佳為氫原子或者碳數1或2的烷基，特佳為氫原子或甲基，最佳為甲基。
式（1）中，L表示*-C(O)O-、或*-C(O)N-，*表示主鏈所鍵結的一側。 式（1）中，n表示1或2。就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，n較佳為1。 另外，於式（1）所表示的結構單元（I）中n為1的情況下，作為羥基的取代位置，較佳為相對於L而為對位。 另外，於式（1）所表示的結構單元（I）中n為2的情況下，作為羥基的取代位置，較佳為相對於L以間位分別鍵結。
結構單元（I）可為單獨一種，亦可併用兩種以上。 於將構成聚合體（A）的所有結構單元的合計設為100莫耳%的情況下，聚合體（A）中包含的式（1）所表示的結構單元（I）的含有比例通常為5莫耳%～75莫耳%，較佳為5莫耳%～65莫耳%，更佳為5莫耳%～60莫耳%。
＜＜結構單元（III）＞＞ 結構單元（III）為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg（以下，亦簡稱為「玻璃轉移溫度Tg」）為50℃以下。作為形成結構單元（III）的單體，只要是為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg為50℃以下的單體，則並無特別限制。 此處，作為結構單元（III）的玻璃轉移溫度Tg的測定方法，可藉由實施例中記載的測定方法來求出。 就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，作為結構單元（III）的玻璃轉移溫度Tg，較佳為40℃以下。結構單元（III）的玻璃轉移溫度Tg的下限值並無特別限定，較佳為-80℃以上。 就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，作為結構單元（III）的玻璃轉移溫度Tg，較佳為-80℃～50℃，更佳為-75℃～40℃，進而佳為-65℃～30℃。
就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，結構單元（III）較佳為與結構單元（II）不同的結構單元，且為非酸解離性，更佳為下述式（3）所表示的結構單元（IIIa）。此處，所謂非酸解離性，表示於通常的圖案形成條件下不因自後述的光酸產生劑（B）產生的酸而發生解離的性質。
[化7]
所述式（3）中，R 3A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，R 3B表示碳數1～20的烷基、-(R 3CO) nR 3D所表示的基、或-L-Cy所表示的基，所述R 3C表示亞甲基、碳數2～20的伸烷基，所述R 3D表示烷基、環烷基、或芳基，n表示1～3的整數，所述L表示亞甲基、碳數2～20的伸烷基、或者-(C 2H 4O)m-或-(C 3H 6O)m-所表示的基，所述m表示1～3的整數，Cy表示脂肪族雜環基。
作為R 3A中的碳數1～5的烷基，與所述式（1）中的R 1為相同含義，較佳態樣亦相同。
作為R 3B中的碳數1～20的烷基，並無特別限制，可為鏈狀，亦可為分支鏈狀，抑或可為環狀。R 3B中的碳數1～20的烷基的碳數較佳為1～10，更佳為1～5。就更容易獲得非酸解離性的方面而言，所述烷基較佳為一級烷基或二級烷基。作為碳數1～20的烷基，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基等。R 3B於所述式（3）中與鄰接的氧原子以碳原子鍵結，該碳原子為一級碳或二級碳。
作為所述-(R 3CO) nR 3D所表示的基中的R 3D所表示的烷基，例如可列舉碳數1～10的烷基，亦可為鏈狀、分支鏈狀或環狀的碳數1～10的烷基。作為此種烷基，例如可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、戊基、癸基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、第三丁基環己基、環庚基、環辛基等。 就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，R 3D所表示的烷基較佳為碳數1～6的烷基，更佳為碳數1～4的烷基。
作為所述-(R 3CO) nR 3D所表示的基中的R 3C所表示的碳數2～20的伸烷基，較佳為碳數2～12的伸烷基，更佳為碳數2～8的伸烷基，進而佳為2～6的伸烷基，特佳為2～4的烷基，最佳為2或3的伸烷基。
作為所述-(R 3CO) nR 3D所表示的基中的R 3D所表示的環烷基，例如可列舉碳數3～20的環烷基，可為飽和的環烷基，亦可為不飽和的環烷基。作為此種環烷基，例如可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、第三丁基環己基、環庚基、環辛基、1-環己烯基、降冰片烷基、金剛烷基等。 就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，R 3D所表示的環烷基較佳為碳數3～10的環烷基，更佳為碳數3～6的環烷基。
於所述-(R 3CO) nR 3D所表示的基中，作為R 3D所表示的芳基，例如可列舉碳數6～20的芳基。芳基可為具有雜原子的雜芳基。 作為芳基，例如可列舉：苯基、萘基、蒽基、菲基、伸聯苯基等。另外，作為雜芳基，可列舉：吡咯基、呋喃基、噻吩基、茚基、苯并呋喃基、及苯并噻吩基等。 就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，作為芳基，較佳為碳數6～12的芳基。
於-(R 3CO) nR 3D所表示的基中，作為n，就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，較佳為1或2，更佳為1。
作為所述-L-Cy所表示的基中的L所表示的碳數2～20的伸烷基，較佳為碳數2～12的伸烷基，更佳為碳數2～8的伸烷基，進而佳為2～6的伸烷基，特佳為2～4的烷基，最佳為2或3的伸烷基。
作為所述-L-Cy所表示的基中的Cy所表示的脂肪族雜環基，可列舉環員數較佳為3～8、更佳為4～7、進而佳為5或6的脂肪族雜環基。另外，作為脂肪族雜環基中包含的雜原子，可列舉：氧原子、氮原子、及硫原子，該些中較佳為氧原子或硫原子，更佳為氧原子。作為此種脂肪族雜環基，例如可列舉：四氫呋喃基、四氫吡喃基、四氫噻吩基、四氫噻喃基等。 該些中，作為脂肪族雜環基，較佳為四氫呋喃基或四氫吡喃基。
作為所述-L-Cy所表示的基中的L所表示的-(C 2H 4O)m-或-(C 3H 6O)m-所表示的基中的m，較佳為1或2，更佳為1。
作為形成式（3）所表示的結構單元（IIIa）的單體，例如可列舉：丙烯酸甲酯：283K（10℃）、丙烯酸乙酯：249K（-24℃）、丙烯酸丙酯：236K（-37℃）、丙烯酸正丁酯：219K（-54℃）、甲基丙烯酸正丁酯（atactic）：293K（20℃）、丙烯酸2-甲氧基乙酯：223K（-50℃）、甲基丙烯酸2-甲氧基乙酯：286K～292K（13℃～19℃）、丙烯酸2-甲氧基丙酯：198K（-75℃）、丙烯酸2-乙氧基乙酯：223K（-50℃）、甲基丙烯酸2-乙氧基乙酯（-31℃）、丙烯酸3-乙氧基丙酯：218K（-55℃）、丙烯酸己酯：216K（-57℃）、甲基丙烯酸己酯：268K（-5℃）、丙烯酸2-乙基己酯：223K（-50℃）、甲基丙烯酸2-乙基己酯：263K（-10℃）、丙烯酸辛酯：208K（-65℃）、甲基丙烯酸辛酯：203K、253K（-70℃，-20℃）、丙烯酸月桂酯：270K（-3℃）、甲基丙烯酸月桂酯：208K（-65℃）、丙烯酸異丁酯：249K（-24℃）、丙烯酸2-(2-苯氧基乙氧基)乙酯：265K（-8℃）、丙烯酸四氫糠酯：261K（-12℃）等。 再者，括號內的數值表示聚合物手冊第1版及第2版中所記載的玻璃轉移溫度以及例如三菱化學（股）的目錄值。關於本發明中的玻璃轉移溫度，對於聚合物手冊中無記載的玻璃轉移溫度可採用製造商的目錄值。於Tg值未記載於目錄值中的情況下，可採用實測值（DSC：差示掃描量熱測定）。
式（3）所表示的結構單元（IIIa）可為單獨一種，亦可併用兩種以上。 關於聚合體（A）中包含的式（3）所表示的結構單元（IIIa）的含有比例，於將構成所述聚合體（A）的所有結構單元的合計設為100莫耳%的情況下，下限為1莫耳%，較佳為2莫耳%，更佳為5莫耳%，上限為60莫耳%，較佳為55莫耳%，更佳為50莫耳%。含有比例亦可使用任一上下限的組合。
於將聚合體（A）中包含的結構單元設為100莫耳%的情況下，較佳為結構單元（I）的含有比例為5莫耳%～75莫耳%，以及所述結構單元（III）的含有比例為1莫耳%～60莫耳%，更佳為結構單元（I）的含有比例為5莫耳%～65莫耳%，以及所述結構單元（III）的含有比例為2莫耳%～55莫耳%，進而佳為結構單元（I）的含有比例為15莫耳%～55莫耳%，以及所述結構單元（III）的含有比例為20莫耳%～40莫耳%。
＜＜結構單元（II）＞＞ 就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，所述聚合體（A）較佳為更含有下述式（2）所表示的結構單元（II）。結構單元（II）由所述式（2）表示，式（2）中，R 2A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，R 2B各自獨立地表示碳數1～3的烷基。
[化8]
式（2）中，R 2A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，R 2B各自獨立地表示碳數1～3的烷基。 式（2）中，R 2A中的碳數1～5的烷基與所述結構單元（I）中的式（1）中的R 1A中的碳數1～5的烷基為相同含義，較佳態樣亦相同。
就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，R 2B各自獨立地表示碳數1～3的烷基。作為R 2B，較佳為分別獨立地為碳數1或2的烷基，更佳為甲基。
就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，式（2）中，較佳為R 2A為氫原子或碳數1～4的烷基、且R 2B分別獨立地為碳數1或2的烷基，更佳為R 2A為氫原子或碳數1～3的烷基、且R 2B分別獨立地為碳數1或2的烷基，進而佳為R 2A為氫原子或者碳數1或2的烷基、且R 2B分別獨立地為碳數1或2的烷基，特佳為R 2A為氫原子或甲基、且R 2B分別獨立地為碳數1或2的烷基，最佳為R 2A為氫原子或甲基、且R 2B為甲基。
結構單元（II）可為單獨一種，亦可併用兩種以上。 於將構成聚合體（A）的所有結構單元的合計設為100莫耳%的情況下，聚合體（A）中包含的式（2）所表示的結構單元（II）的含有比例通常為5莫耳%～65莫耳%，較佳為5莫耳%～55莫耳%，更佳為5莫耳%～50莫耳%。
聚合體（A）的利用凝膠滲透層析（GPC）進行測定而得的聚苯乙烯換算的重量平均分子量（以下，稱為「重量平均分子量（Mw）」）通常為1,000～500,000，較佳為3,000～300,000，更佳為10,000～100,000，進而佳為20,000～60,000。 聚合體（A）的重量平均分子量（Mw）與利用GPC進行測定而得的聚苯乙烯換算的數量平均分子量（以下，稱為「數量平均分子量（Mn）」）之比（Mw/Mn）通常為1～5，較佳為1～3。 聚合體（A）的重量平均分子量（Mw）藉由後述的實施例中記載的方法來求出。
〔其他結構單元〕 聚合體（A）視需要可包含所述結構單元（I）～結構單元（III）以外的結構單元（以下，亦稱為「其他結構單元」）。 作為其他結構單元，出於調節於顯影液中的溶解性的目的，可列舉具有羧基、酚性羥基、磺酸基、及/或內酯結構等溶解性促進基的結構單元。作為具有溶解性促進基的結構單元，可列舉於化學增幅型的正型的感光性樹脂組成物中一般使用的結構單元，例如可列舉日本專利特開2007-272087號公報、日本專利特開2006-145853號公報、日本專利特開2014-013381號公報、日本專利特表2015-526752號公報、日本專利特開2016-099483號公報、及日本專利特開2017-037320號公報中記載的具有溶解性促進基的結構單元。
作為其他結構單元，例如可列舉式（a1-10）及式（a1-20）所表示的結構單元。
[化9]
式（a1-10）及式（a1-20）中，R 11表示氫原子、碳數1～10的烷基、或所述烷基中的至少一個氫原子經取代為氟原子及溴原子等鹵素原子、苯基等芳基、羥基、及烷氧基等其他基而成的基（以下亦稱為「取代烷基」），式（a1-10）中，R 12為碳數1～10的二價有機基，Ar為碳數6～10的伸芳基，式（a1-10）中的R 13為下述式（g11）～式（g14）所表示的酸解離性基，式（a1-20）中的R 13為下述式（g11）～式（g15）所表示的酸解離性基，式（a1-10）中的m為0～10的整數。
[化10]
式（g11）～式（g15）中，R a4分別獨立地為甲基、乙基、異丙基、正丁基等碳數1～10的烷基，式（g13）及式（g14）中的n為1～4的整數，式（g11）～式（g14）中的各環結構可具有一個或兩個以上的碳數1～10的烷基、氟原子及溴原子等鹵素原子、羥基、及烷氧基等取代基，*表示和與式（a1-10）及式（a1-20）中的R 13鍵結的O的連結部。
作為其他結構單元，例如可列舉：源自苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2-甲氧基苯乙烯、3-甲氧基苯乙烯、4-甲氧基苯乙烯等乙烯基化合物的結構單元；源自(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸降冰片酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸三環癸基酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯基酯、(甲基)丙烯酸四氫呋喃基酯、(甲基)丙烯酸四氫吡喃基酯等脂環式(甲基)丙烯酸酯化合物的結構單元；源自(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯乙酯等含芳香環的(甲基)丙烯酸酯化合物的結構單元；源自(甲基)丙烯腈、巴豆腈、馬來腈、富馬腈等不飽和腈化合物的結構單元；源自(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺等不飽和醯胺化合物的結構單元；源自馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺等不飽和醯亞胺化合物的結構單元；源自(甲基)丙烯酸、馬來酸、衣康酸等含有羧基的化合物的結構單元等。
作為其他結構單元的含有比例，相對於聚合體（A）的所有結構單元，較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下，進而佳為5質量%以下，亦特佳為實質上不包含其他結構單元。
〔聚合體（A）的製造方法〕 作為聚合體（A）的製造方法，並無特別限制，可使用公知的製造方法。作為聚合體（A）的製造方法，例如可列舉藉由離子聚合法或自由基聚合法等公知的聚合方法製造形成所述結構單元（I）～結構單元（III）的單體的方法。該些中，作為聚合體（A）的製造方法，就量產性的方面而言，較佳為藉由自由基聚合法來製造。
作為所述自由基聚合法中使用的自由基聚合起始劑，例如可列舉：2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙-(2,4-二甲基戊腈)等偶氮化合物、或過氧化苯甲醯、月桂基過氧化物、第三丁基過氧化物等有機過氧化物等。
自由基聚合法中使用的聚合溶媒只要不與單量體成分反應而溶解生成的聚合體，則並無特別限定。作為所述聚合溶媒，例如可列舉：乙酸正丁酯、甲基異丁基酮、2-庚酮、環己酮、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、及乳酸乙酯等。 所述聚合溶媒可單獨使用，亦可併用兩種以上。
於製備聚合體（A）的重量平均分子量（Mw）、及Mw/Mn時，視需要可使用例如硫醇化合物、鹵代烴等分子量調節劑。
＜光酸產生劑（B）＞ 本發明的感光性樹脂組成物含有光酸產生劑（B），所述光酸產生劑（B）是藉由光化射線或放射線的照射而產生凡得瓦體積為200 Å 3以上的酸的化合物。藉由自光酸產生劑產生的酸的作用，聚合體（A）中的酸解離性基發生解離，生成羧基或羥基芳基等酸性官能基。結果，由感光性樹脂組成物形成的感光性樹脂塗膜的曝光部於鹼顯影液中變成易溶性，可形成正型的抗蝕劑圖案。
光酸產生劑（B）藉由光化射線或放射線的照射而產生凡得瓦體積為200 Å 3以上的酸。 作為藉由光化射線或放射線的照射而產生的酸的凡得瓦體積的測定方法，可藉由實施例中記載的測定方法來測定。具體而言，使用「量子化學計算程式的高斯（Gaussian）16」，於ωB97XD/6-31G（d，p）的計算水準進行結構最佳化計算，對於所獲得的穩定結構，使用蒙特卡羅法來算出凡得瓦體積。
就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，作為所產生的酸的凡得瓦體積，較佳為250 Å 3以上，更佳為280 Å 3以上，進而佳為300 Å 3以上且450 Å 3以下。
作為光酸產生劑（B），只要是藉由光化射線或放射線的照射而產生凡得瓦體積為200 Å 3以上的酸的化合物，則並無特別限制。作為此種光酸產生劑（B），例如可列舉鎓鹽化合物等。作為鎓鹽化合物，例如可列舉：鋶鹽化合物、錪鹽化合物、重氮鎓鹽化合物、鏻鹽化合物、醯亞胺磺酸酯化合物、肟磺酸酯化合物、重氮二碸化合物、二碸化合物、及鄰硝基苄基磺酸酯化合物等。 於鎓鹽化合物中，就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，較佳為鋶鹽化合物或錪鹽化合物，更佳為鋶鹽化合物。
就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，光酸產生劑（B）更佳為下述式（P1）～式（P3）的任一者所表示的化合物。
[化11]
式（P1）中，m、及n各自獨立地表示1～10的整數，m+n表示4以上的整數，式（P2）中，Ar表示經取代或未經取代的碳數6～20的芳香族烴基，式（P3）中，Q各自獨立地表示氫原子或氟原子，Rf各自獨立地表示氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數1～10的鏈狀烴基、或氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數6～20的芳香族烴基，與P鍵結的n個Rf的合計碳數為6以上，n表示0～3的整數，式（P1）～式（P3）中，X +各自獨立地表示陽離子。
＜＜式（P1）＞＞ 式（P1）中的m及n分別獨立地表示1～10的整數，m+n為4以上的整數，X +表示陽離子。 就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，作為m及n，較佳為分別獨立地表示2～8的整數，m+n為4以上，更佳為分別獨立地表示2～6的整數，m+n為4以上，進而佳為表示2～4的整數，m+n為4以上。 就所述觀點而言，m及n較佳為彼此相同的整數。
＜＜式（P2）＞＞ 式（P2）中，Ar表示經取代或未經取代的碳數6～20的芳香族烴基，X +表示陽離子。 作為經取代或未經取代的碳數6～20的芳香族烴基，可為單環，亦可為縮合環。 就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，作為經取代或未經取代的碳數6～20的芳香族烴基，較佳為經取代或未經取代的碳數6～12的芳香族烴基。 作為所述取代基，可列舉烷基（例如碳數1～15）、環烷基（例如碳數3～15）、芳基（例如碳數6～14）、鹵素原子、及將該些組合而成的基。該些中，作為取代基，較佳為鹵素原子，更佳為氟原子。 作為碳數6～12的芳香族烴基，可列舉苯基、萘基等。
＜＜式（P3）＞＞ 式（P3）中，Q各自獨立地表示氫原子或氟原子，Rf各自獨立地表示氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數1～10的鏈狀烴基、或氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數6～20的芳香族烴基，與P鍵結的n個Rf的合計碳數為6以上，n表示0～3的整數，X +表示陽離子。 就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，作為所述氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數1～10的鏈狀烴基，較佳為氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數1～5的鏈狀烴基，更佳為氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數1～3的鏈狀烴基，進而佳為所有氫原子經取代為氟原子的碳數1～3的鏈狀烴基。 其中，於氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數1～10的鏈狀烴基中，n個Rf的合計碳數為6以上。
就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，作為氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數6～20的芳香族烴基，較佳為氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數6～12的芳香族烴基，更佳為所有氫原子經取代為氟原子的碳數6～12的芳香族烴基，進而佳為所有氫原子經取代為氟原子的苯基。 其中，於氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數6～20的芳香族烴基中，與P鍵結的n個Rf的合計碳數為6以上。
Q各自獨立地表示氫原子或氟原子。就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，作為Q，較佳為各自獨立地為氟原子。
n表示0～3的整數。就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，作為n，較佳為3。
式（P1）～式（P3）中，X +各自獨立地表示陽離子。作為X +所表示的陽離子，並無特別限制，可列舉：鋶陽離子、錪陽離子、銨陽離子等。 該些中，作為X +所表示的陽離子，較佳為鋶陽離子，更佳為下述式（ZI）所表示的鋶陽離子。
[化12]
於所述通式（ZI）中，R 201、R 202及R 203各自獨立地表示有機基。作為R 201、R 202及R 203的有機基的碳數一般而言為1～30，較佳為1～20。另外，R 201～R 203中鄰接的兩個基可分別鍵結而形成環，亦可於環結構內包含氧原子、硫原子、酯鍵、醯胺鍵、或羰基。作為R 201～R 203中鄰接的兩個基分別鍵結而形成的基，可列舉伸烷基（例如，伸丁基、伸戊基）及-CH 2-CH 2-O-CH 2-CH 2-。
作為R 201、R 202及R 203所表示的有機基，可較佳地列舉碳數1～20的烷基、碳數6～20的芳基。 碳數1～20的烷基可為直鏈狀、分支鏈狀或環狀。
作為碳數6～20的芳基，可為單環，亦可為縮合環，抑或可為包含雜原子的雜芳基。 作為X +所表示的鋶陽離子，例如可列舉具有下述式所表示的結構的陽離子。
[化13]
[化14]
於所述鋶陽離子的示例中，R表示與後述的R 201、R 202及R 203所表示的有機基可具有的取代基相同的取代基。
R 201、R 202及R 203所表示的有機基可具有取代基。作為取代基，可列舉：烷基、環烷基、芳基、烷氧基、鹵素原子、羥基、及苯硫基。
以下例示光酸產生劑（B）的具體例，但於本發明中光酸產生劑（B）並不限定於該些化合物。 例示化合物中，BuO表示正丁氧基，R 1表示取代基，作為取代基，可列舉：烷基（例如碳數1～15）、環烷基（例如碳數3～15）、芳基（例如碳數6～14）、烷氧基（例如碳數1～15）、鹵素原子、羥基、及苯硫基。 例示化合物中，所謂307 Å 3，分別是指對該化合物照射光化射線或放射線而產生的酸的凡得瓦體積的值。
[化15]
[化16]
光酸產生劑（B）可包含單獨一種，亦可併用兩種以上而包含。相對於聚合體（A）100質量份，光酸產生劑（B）的含量通常為0.1質量份～20質量份，較佳為0.5質量份～15質量份，更佳為1質量份～10質量份。若光酸產生劑（B）的含量為所述範圍內，則可獲得厚膜且解析性優異的抗蝕劑圖案，並且可獲得形狀優異的圖案。
光酸產生劑（B）可於不損害發明的效果的範圍內包含所述特定化合物以外的光酸產生劑（以下，亦稱為「其他光酸產生劑」），但就可獲得厚膜且解析性優異的抗蝕劑圖案，並且可獲得形狀優異的圖案的觀點而言，較佳為不包含。 例如，作為其他光酸產生劑為藉由光化射線或放射線的照射而產生凡得瓦體積未滿200 Å 3的酸的化合物時的含有比例，相對於聚合體（A）100質量份，較佳為5質量份以下，更佳為3質量份以下，進而佳為1質量份以下。
〔溶劑（C）〕 本發明的感光性樹脂組成物含有溶劑（C）。藉由包含溶劑（C），可更均勻地混合組成物中包含的各成分。 作為所述溶劑，例如可列舉：醚類、酯類、醚酯類、酮類、酮酯類、醯胺類、醯胺酯類、內醯胺類、內酯類、（鹵化）烴類等。具體而言，可列舉：乙二醇單烷基醚類、二乙二醇二烷基醚類、丙二醇單烷基醚類、丙二醇二烷基醚類、乙二醇單烷基醚乙酸酯類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、乙酸酯類、羥基乙酸酯類、乳酸酯類、烷氧基乙酸酯類、（非）環式酮類、乙醯乙酸酯類、丙酮酸酯類、丙酸酯類、N,N-二烷基甲醯胺類、N,N-二烷基乙醯胺類、N-烷基吡咯啶酮類、γ-內酯類、（鹵化）脂肪族烴類、（鹵化）芳香族烴類等。
於更具體的所述溶劑中可列舉：乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單正丙醚、乙二醇單正丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二正丙醚、二乙二醇二正丁醚、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單正丙醚乙酸酯、異丙烯基乙酸酯、異丙烯基丙酸酯、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、環己酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸異丙酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基丁酸酯、乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸正丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、N-甲基吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、及N,N-二甲基乙醯胺等。
該些中，作為所述溶劑，若使用丙二醇單烷基醚乙酸酯化合物、2-庚酮、乳酸酯化合物、丙酸酯化合物（具體而言為2-羥基丙酸乙酯等2-羥基丙酸酯化合物、及3-甲氧基丙酸甲酯等3-烷氧基丙酸酯化合物）等，則塗佈時的膜面內均勻性良好，因此較佳。
有機溶劑（C）可包含單獨一種，亦可併用兩種以上而包含。有機溶劑（C）的含量是固體成分濃度通常為10質量%～60質量%、較佳為20質量%～55質量%、進而佳為25質量%～50質量%的量。 若有機溶劑（C）的含量為所述範圍內，則可良好地形成厚膜的抗蝕劑圖案。
本發明的感光性樹脂組成物亦可更包含所述聚合體（A）、光酸產生劑（B）及溶劑（C）以外的成分（以下，亦稱為「其他成分」）。 作為其他成分，例如可列舉：鹼可溶性樹脂（D）；具有硫醇基或藉由酸的作用而產生硫醇基的化合物（E）；酸捕捉劑（F）；界面活性劑（G）；吸收曝光光而提高光酸產生劑的酸產生效率的增感劑；阻止曝光時散射光繞至未曝光部而引起的光反應的紫外線吸收劑；提高保存穩定性的熱聚合抑制劑；抗氧化劑；接著助劑；及無機填料。
〔鹼可溶性樹脂（D）〕 本發明的感光性樹脂組成物較佳為更包含鹼可溶性樹脂（D）。藉由包含鹼可溶性樹脂（D），可控制由感光性樹脂組成物形成的樹脂塗膜的於鹼顯影液中的溶解速度。 作為鹼可溶性樹脂（D），可列舉感光性樹脂組成物中使用的公知的鹼可溶性樹脂，例如可列舉苯酚酚醛清漆樹脂、聚(羥基苯乙烯)等所述聚合體（A）以外的鹼可溶性樹脂及低分子酚化合物。
鹼可溶性樹脂（D）可包含單獨一種，亦可併用兩種以上而包含。作為鹼可溶性樹脂（D）的含量，相對於聚合體（A）100質量份，通常較佳為0.001質量份～60質量份，更佳為20質量份～50質量份。
〔化合物（E）〕 就所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂的形成的抑制性及矩形性優異、且所獲得的膜的膜厚大的觀點而言，本發明的感光性樹脂組成物較佳為含有具有硫醇基的化合物（E）（以下，有時簡稱為「化合物（E）」）。藉由包含化合物（E），抗蝕劑的基腳形狀抑制與耐鍍敷液性的兼顧優異。 作為化合物（E），只要能夠兼顧抗蝕劑的基腳形狀抑制與耐鍍敷液性，則並無特別限制，可較佳地使用公知的硫醇化合物。
作為化合物（E），例如可列舉下述的化合物（C1-1）、化合物（C1-2）及化合物（C1-3）。
[化17]
另外，作為化合物（E），例如可列舉：1,3,4,6-四[2-巰基（mercapto）乙基]甘脲、1,3,4,6-四[3-(2-巰基乙基氫硫基（sulfanyl）)丙基]甘脲、1,3,4,6-四[3-(3-巰基丙基氫硫基)丙基]甘脲、1,3,4,6-四[3-(4-巰基丁基氫硫基)丙基]甘脲、1,3,4,6-四[3-(5-巰基戊基氫硫基)丙基]甘脲、1,3,4,6-四[3-(6-巰基己基氫硫基)丙基]甘脲、1,3,4,6-四[3-(8-巰基辛基氫硫基)丙基]甘脲、1,3,4,6-四[3-(10-巰基癸基氫硫基)丙基]甘脲、1,3,4,6-四[3-(12-巰基十二烷基氫硫基)丙基]甘脲、1,3,4,6-四{3-[2-(2-巰基乙基氫硫基)乙基氫硫基]丙基}甘脲、1,3,4,6-四(3-{2-[2-(2-巰基乙氧基)乙氧基]乙基氫硫基}丙基)甘脲等。
另外，作為化合物（E），例如可列舉下述式（C3-1）～式（C3-4）所表示的化合物。
[化18]
化合物（E）可包含單獨一種，亦可併用兩種以上而包含。作為化合物（E）的含有比例，相對於聚合體（A）100質量份，較佳為0.01質量份～20質量份，更佳為0.03質量份～10質量份，進而佳為0.05質量份～5質量份。
〔酸擴散控制劑（F）〕 本發明的感光性樹脂組成物亦可含有酸擴散控制劑（F）。所謂酸擴散控制劑（F），可作為淬滅劑發揮作用，所述淬滅劑於曝光時捕獲自光酸產生劑（B）等產生的酸，抑制由多餘的產生酸引起的未曝光部中的酸分解性樹脂的反應。藉由於感光性樹脂組成物中含有酸擴散控制劑（F），可提高所獲得的抗蝕劑圖案的解析度。
作為酸擴散控制劑（F），可列舉鹼性化合物或產生鹼的化合物等，例如可列舉日本專利特開2014-013381號公報的段落編號[0076]、段落編號[0079]、及段落編號[0081]中記載的化合物、日本專利特開2016-099483號公報的段落編號[0101]～段落編號[0104]中記載的化合物、及日本專利特開2017-037320號公報的段落編號[0221]～段落編號[0224]中記載的化合物。該些設為記載於本說明書中。
作為酸擴散控制劑（F），例如可列舉：正己基胺、正庚基胺、二-正丁基胺、及三乙基胺等烷基胺；苯胺、及1-萘基胺等芳香族胺；三乙醇胺等烷醇胺；乙二胺、1,3-雙[1-(4-胺基苯基)-1-甲基乙基]苯、及聚乙烯亞胺等聚胺基化合物；甲醯胺等醯胺化合物；脲、及甲基脲等脲化合物；咪唑、及苯并咪唑等含氮雜環化合物；N-(第三丁氧基羰基)哌啶、N-(第三丁氧基羰基)咪唑、N-(第三丁氧基羰基)苯并咪唑、N-(第三丁氧基羰基)-2-苯基苯并咪唑等具有酸解離性基的含氮化合物。
酸擴散控制劑（F）可包含單獨一種，亦可併用兩種以上而包含。作為酸擴散控制劑（F）的含有比例，相對於聚合體（A）100質量份，通常較佳為0.001質量份～10質量份。
〔界面活性劑（G）〕 就表示改善感光性樹脂組成物的塗佈性、消泡性、顯影性等的作用的觀點而言，本發明的感光性樹脂組成物可包含界面活性劑（G）。 作為界面活性劑（G），並無特別限制，可使用公知的界面活性劑。界面活性劑（G）可為合成品，亦可為市售品。作為市售的界面活性劑，例如可列舉：NBX-15、FTX-204D、FTX-208D、FTX-212D（以上，尼歐斯（Neos）（股）製造）；BM-1100（以上，BM化學公司製造）；美佳法（Megafac）F142D（以上，大日本油墨化學工業（股）製造）；弗拉德（Fluorad）FC-135、弗拉德（Fluorad）FC-170C、弗拉德（Fluorad）FC-430、弗拉德（Fluorad）FC-431（以上，住友3M（股）製造）；沙福隆（Surflon）S-112、沙福隆（Surflon）S-145（以上，旭硝子（股）製造）；SH-28PA、SH-190（以上，東麗道康寧矽酮（Toray-Dow Corning Silicone）（股）製造）等。
界面活性劑（G）可包含單獨一種，亦可併用兩種以上而包含。作為界面活性劑（G）的含量，相對於聚合體（A）100質量份，通常較佳為2質量份以下。
〔感光性樹脂組成物的製造〕 本發明的感光性樹脂組成物的製造方法並無特別限制，例如可藉由將所述各成分均勻混合來製造。作為感光性樹脂組成物，可列舉如下方法：藉由以固體成分濃度通常為40質量%～80質量%、較佳為40質量%～70質量%、更佳為40質量%～60質量%的方式，將各成分均勻混合來製造。 另外，關於感光性樹脂組成物，為了去除組成物中包含的廢渣，可將各成分均勻混合後，利用過濾器等過濾所獲得的混合物。
（抗蝕劑圖案膜的製造方法） 本發明的抗蝕劑圖案膜的製造方法具有：步驟（1），於具有金屬膜的基板的所述金屬膜上形成本發明的感光性樹脂組成物的樹脂膜；步驟（2），對所述樹脂膜進行曝光；以及步驟（3），對曝光後的所述樹脂膜進行顯影。
＜步驟（1）＞ 步驟（1）是於基板上形成本發明的感光性樹脂組成物的樹脂塗膜的步驟。作為形成有樹脂塗膜的基板，例如可列舉：半導體基板、及玻璃基板以及於該些基板的表面設置有各種金屬膜等的基板等。基板的形狀並無特別限制，表面形狀例如可列舉平坦狀及凸凹狀等，作為基板的形狀，例如可列舉圓形及正方形等。另外，基板的大小並無限制。
作為所述金屬膜，例如可列舉：鋁、銅、銀、金、及鈀、以及該些金屬兩種以上的合金等。金屬層的成形方法並無特別限制，例如可藉由濺鍍法等形成金屬層。金屬膜的厚度通常為100 Å～10,000 Å，較佳為500 Å～2,000 Å。
感光性樹脂組成物的樹脂膜的成形方法並無特別限制，例如只要藉由公知的塗佈方法塗佈感光性樹脂組成物來形成樹脂膜即可。 作為塗佈方法，例如可列舉：旋塗法、輥塗法、網版印刷、及敷料器法，該些中較佳為旋塗法。於旋塗法的情況下，旋轉速度通常為500 rpm～4000 rpm，較佳為800 rpm～3500 rpm。
於旋塗法的情況下，通常進行邊珠去除（Edge Bead Removal，EBR）處理（去除基板端部的隆起的塗膜或去除繞至基板背面的抗蝕劑組成物的處理）。EBR處理例如藉由以下方式進行：於利用旋塗法形成樹脂塗膜的過程中或形成樹脂塗膜之後，於使基板旋轉的過程中，向自基板表面的樹脂塗膜的周緣端部起為0.1 mm～10 mm的內側噴出EBR溶劑。作為EBR溶劑，並無特別限制，例如可列舉所述〔溶劑（C）〕中記載的有機溶劑。 於EBR處理時，亦可向基板背面的周緣部噴出有機溶劑，來清洗基板背面。
於塗佈感光性樹脂組成物後，亦可進一步進行熱處理。熱處理的條件通常為50℃～200℃、0.5分鐘～20分鐘。樹脂膜的膜厚通常為1 μm～100 μm，較佳為5 μm～80 μm。
＜步驟（2）＞ 步驟（2）是對步驟（1）中形成的樹脂塗膜進行曝光的步驟。通常介隔具有規定的遮罩圖案的光罩，以縮小投影曝光對樹脂膜選擇性地進行曝光。
曝光的光通常使用波長150 nm～600 nm的雷射光，較佳為使用波長200 nm～500 nm的雷射光。曝光的光量可根據光的種類、感光性樹脂組成物的種類、及樹脂膜的厚度等適宜選擇，通常為100 mJ/cm 2～20,000 mJ/cm 2。
曝光後，亦可進一步進行熱處理。熱處理的條件通常為70℃～180℃且1分鐘～10分鐘。
＜步驟（3）＞ 步驟（3）是對步驟（2）的曝光後的樹脂膜進行顯影的步驟。藉由所述步驟（1）～步驟（3）來獲得抗蝕劑圖案膜。 顯影通常利用鹼顯影液來進行。作為所述顯影的顯影方法，並無特別限制，可列舉公知的顯影方法。作為顯影方法，例如可列舉：噴淋顯影法、噴霧顯影法、浸漬顯影法、及覆液式顯影法等。所述顯影的處理條件通常為23℃且1分鐘～30分鐘。
作為鹼顯影液，並無特別限制，例如可列舉含有一種或兩種以上如下鹼性物質的水溶液，所述鹼性物質為氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、氨水、乙基胺、正丙基胺、二乙基胺、三乙基胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼、吡咯、及哌啶等。鹼顯影液亦可更含有例如甲醇、乙醇等有機溶劑或界面活性劑等。
本發明的抗蝕劑圖案膜的製造方法中，所獲得的抗蝕劑圖案膜的厚度較佳為30 μm～100 μm，更佳為30 μm～70 μm。
本發明的抗蝕劑圖案膜的製造方法亦可包括所述步驟（1）～步驟（3）以外的步驟（以下，亦稱為「其他步驟」）。 作為其他步驟，例如可列舉：於步驟（3）之後利用水等清洗所獲得的抗蝕劑圖案膜的清洗步驟、於清洗步驟後利用氣槍或加熱板將抗蝕劑圖案乾燥的步驟等。
（鍍敷造形物的製造方法） 本發明的鍍敷造形物的製造方法具有以藉由所述抗蝕劑圖案膜的形成方法而形成的抗蝕劑圖案膜為鑄模來進行鍍敷處理的步驟（以下，亦稱為「步驟（4）」）。
＜步驟（4）＞ 步驟（4）是以藉由抗蝕劑圖案膜的形成方法而形成的抗蝕劑圖案膜為鑄模，於由抗蝕劑圖案膜形成的開口部藉由鍍敷處理而形成鍍敷造形物。
作為鍍敷處理，並無特別限制，可列舉公知的鍍敷處理方法。作為鍍敷處理，例如可列舉：電解鍍敷處理、無電解鍍敷處理、及熔融鍍敷處理等濕式鍍敷處理、化學氣層蒸鍍、及濺鍍等乾式鍍敷處理等。於形成晶圓級的加工中的配線或連接端子的情況下，通常藉由電解鍍敷處理來進行。
於進行電解鍍敷處理之前，為了提高抗蝕劑圖案的內壁表面與鍍敷液的親和性，亦可進行灰化處理、助焊劑處理、及除膠渣（desmear）處理等預處理。
於電解鍍敷處理的情況下，可將藉由濺鍍或無電解鍍敷處理而形成於抗蝕劑圖案內壁上者用作籽晶層，另外，於將表面具有金屬膜的基板用作基板的情況下，亦可將所述金屬膜用作籽晶層。可於形成籽晶層之前形成阻擋層，亦可將籽晶層用作阻擋層。
作為電解鍍敷處理中所使用的鍍敷液，並無特別限制，例如可列舉：包含硫酸銅、或焦磷酸銅等的銅鍍敷液；包含氰化金鉀的金鍍敷液處理；以及包含硫酸鎳或碳酸鎳的鎳鍍敷液。
電解鍍敷處理的條件可根據鍍敷液的種類等適宜選擇，例如於為包含硫酸銅的電解鍍敷處理的情況下，可列舉通常為溫度10℃～90℃、電流密度0.1 A/dm 2～100 A/dm 2的條件。關於鍍敷處理，可依次進行不同的鍍敷處理。例如，首先進行銅鍍敷處理，接下來進行鎳鍍敷處理，接下來進行熔融焊料鍍敷處理，藉此可形成焊料銅柱凸塊。
鍍敷造形物的厚度根據其用途而不同，例如於鍍敷造形物為凸塊的情況下，通常為5 μm～100 μm，於鍍敷造形物為配線的情況下，通常為1 μm～30 μm。
於鍍敷造形物的製造方法中，亦可具有於步驟（4）之後去除抗蝕劑圖案膜的步驟（以下，亦稱為「步驟（5）」）。步驟（5）較佳為例如使用含有氫氧化四甲基銨、二甲基亞碸、及/或N,N-二甲基甲醯胺的抗蝕劑剝離液來去除抗蝕劑圖案膜的步驟。
鍍敷造形物的製造方法可包括去除形成有鍍敷造形物的區域以外的金屬膜的步驟。作為去除金屬膜的方法，例如可列舉藉由濕式蝕刻法等加以去除的方法。
藉由鍍敷造形物的製造方法所獲得的鍍敷造形物可用於半導體裝置。包括鍍敷造形物的半導體裝置包括如下鍍敷造形物，故可靠性得到提高，所述鍍敷造形物是使用抗蝕劑圖案膜作為鍍敷處理用的鑄模來進行使鍍敷成分堆積的鍍敷處理，從而轉印有抗蝕劑圖案。作為半導體裝置，具體而言，可列舉多層大型積體電路（Large Scale Integration，LSI）（參照半導體積體電路http://www.jmq.jsr.co.jp/products.html）。 [實施例]
以下，基於實施例對本發明進行更具體的說明，但本發明不受該些實施例的任何限定。再者，只要無特別說明，則「份」是指「質量份」。另外，各物性值的測定方法及物性的評價方法如以下般。
＜聚合體的重量平均分子量（Mw）＞ 於下述條件下利用凝膠滲透層析法來測定聚合體的重量平均分子量（Mw）。 ·GPC裝置：東曹（Tosoh）股份有限公司製造，裝置名「HLC-8220-GPC」 ·管柱：將東曹（Tosoh）股份有限公司製造的管柱TSK-M及TSK2500串列連接 ·溶媒：四氫呋喃 ·溫度：40℃ ·檢測方法：折射率法 ·標準物質：聚苯乙烯
＜自光酸產生劑（B）產生的酸的凡得瓦體積＞ 關於自各光酸產生劑產生的酸，使用量子化學計算程式的高斯（Gaussian）16，於ωB97XD/6-31G（d，p）的計算水準進行結構最佳化計算。對於所獲得的穩定結構，使用蒙特卡羅法來算出凡得瓦體積。將自光酸產生劑B1～光酸產生劑B3以及光酸產生劑b1及光酸產生劑b2產生的酸的凡得瓦（van der Waals，VDW）體積分別示於表1。
[表1]
光酸產生劑（B） 產生的酸的VDW體積/Å 3
B1 307
B2 399
B3 209
b1 139
b2 160
＜感光性樹脂組成物的製造＞ ＜＜實施例1～實施例14、及比較例1～比較例4＞＞ 對於下述表2所示的量的各成分，使固體成分濃度如表3所示般製備並均勻混合，利用膠囊過濾器（孔徑3 μm）進行過濾，從而製造實施例1～實施例14及比較例1～比較例4的感光性樹脂組成物。 再者，表3中所示的各成分的詳細情況如以下般。
＜抗蝕劑圖案膜及鍍敷造形物的製造＞ 使用旋塗機將所述製造的感光性樹脂組成物塗佈於在矽晶圓上包括銅濺鍍膜而成的6吋基板的銅濺鍍膜上，利用加熱板於140℃下加熱300秒鐘，形成表3中記載的膜厚的塗膜（1）。使用步進機（尼康（Nikon）（股）製造，型號「NSR-i12D」），介隔圖案遮罩對塗膜（1）進行曝光。於90℃下將曝光後的塗膜（1）加熱180秒鐘，繼而於2.38質量%的氫氧化四甲基銨水溶液中浸漬200秒鐘，對塗膜（1）進行顯影，於基板上形成抗蝕劑圖案（抗蝕劑寬度：20 μm、抗蝕劑圖案間距離：20 μm、高度：約50 μm）。利用電子顯微鏡對所獲得的抗蝕劑圖案進行觀察，結果其縱剖面形狀為矩形。
繼而，將該抗蝕劑圖案作為遮罩，進行鎳鍍敷。作為電解鍍敷的預處理，進行利用氧電漿的灰化處理（輸出100 W，氧流量100毫升，處理時間60秒鐘），之後進行硫酸處理（使10質量%的硫酸水溶液接觸60秒鐘），繼而進行水洗。將預處理後的基板浸漬於鎳鍍敷液（日本電鍍工程股份有限公司（股）（Electroplating Engineers of Japan Ltd.）製造，商品名；Ni200）1升中，設定為鍍敷浴溫度55℃、電流密度3.0 A/dm 2，進行約15分鐘的電解鍍敷。於鎳鍍敷後，利用抗蝕劑剝離液去除抗蝕劑圖案，從而製造鎳鍍敷造形物。利用電子顯微鏡對鎳鍍敷造形物進行觀察，結果可製造良好的鎳鍍敷造形物。 再者，作為電鍍敷處理，例如於形成焊料銅柱凸塊的情況下，首先進行銅鍍敷處理，接下來進行鎳鍍敷處理，接下來進行熔融焊料鍍敷處理。於形成銅柱凸塊時的一般條件下，鎳鍍敷時容易產生龜裂。這是因為鎳鍍敷形成溫度相對於其他鍍敷液種類而言溫度較高，容易產生龜裂。於所述試驗中，為了排除其他金屬種類引起的應力緩和等的影響，更嚴格地判斷耐龜裂性，僅進行鎳鍍敷。
＜評價＞ 使用所述獲得的各抗蝕劑圖案膜，進行以下的評價。將評價結果示於表3。
〔抑制抗蝕劑圖案的龜裂形成〕 利用光學顯微鏡觀察鍍敷後的抗蝕劑圖案膜，確認有無龜裂。關於評價，觀察900處基板內的100 μm方形部分，若未觀察到龜裂則設為A，若即便於一處亦觀察到龜裂則設為B。將結果示於表3。
〔抗蝕劑圖案的剖面形狀的矩形性〕 關於該抗蝕劑圖案膜，使用方形狀的開口部（凹部）的剖面，TC（頂部（TOP）CD）定義為於開口部剖面中自基板朝向開口部而膜厚的90%的位置的開口尺寸，MC（中間（MIDDLE）CD）定義為於開口部剖面中自基板朝向開口部而言膜厚的50%的位置的開口尺寸，BC（底部（BOTTOM）CD）定義為於開口部剖面中自基板朝向開口部而言膜厚的10%的位置的開口尺寸（參照圖1），按照以下的基準進行評價。將結果示於表3。
-評價基準- A：進行解析且相對於MC而言的TC及BC的尺寸之差各自為10%以內。 B：進行解析且相對於MC而言的TC及BC的尺寸之差各自超過10%。 C：未進行解析。
〔膜厚〕 塗佈後的抗蝕劑的膜厚是使用非接觸式膜厚測定裝置（型號：LAMBDA ACE VM 3210，網屏（SCREEN）公司製造）來實施測定。將結果示於表3。
＜聚合體（A）＞ 使用提供下述結構單元的單量體M-1～單量體M-17，以表2所示的調配獲得聚合體。記載Tg的結構單元表示將所述結構單元設為均聚物時的Tg。
[化19]
[表2]
聚合體（種類） 單量體的種類（莫耳比） 重量平均分子量
M-1 M-2 M-3 M-4 M-5 M-6 M-7 M-8 M-9 M-10 M-11 M-12 M-13 M-14 M-15 M-16 M-17
A-1 20 - - 35 - - - 35 - - - - - 10 - - - 48,000
A-2 10 - - 45 - - 10 - - 25 - - - 10 - - - 48,000
A-3 20 - - 35 - - - - 20 - - 15 - 10 - - - 46,000
A-4 50 - - 20 - 10 - - 20 - - - - - - - - 36,000
A-5 60 - - 10 5 - - - - - 10 10 5 - - - - 50,000
A-6 20 - - 30 - - - 40 - - - - - 10 - - - 48,000
A-7 20 - 35 - - - - 35 - - - - - 10 - - - 48,000
A-8 50 - 15 10 10 - - - 15 - - - - - - - - 36,000
A-9 20 - 10 20 5 - - - - - - - - 10 35 - - 48,000
A-10 50 - - 25 - 5 - - - - - - - - - 20 - 50,000
A-11 5 - - 25 - - - - 10 - - 10 - 15 - - 35 55,000
a-1 - 50 20 10 - - - 15 - - - - - 5 - - - 36,000
a-2 30 25 25 10 10 - - - - - - - - - - - - 36,000
關於表2中的值，各結構單元M-1～M-17的比例表示莫耳比，「-」是指不包含該成分。
＜光酸產生劑（B）＞ B1～B3：下述結構所表示的化合物
[化20]
b1及b2：下述結構所表示的化合物
[化21]
＜溶劑（C）＞ C1：丙二醇單甲醚乙酸酯 C2：3-甲氧基丁基乙酸酯
＜鹼可溶性樹脂（D）＞ 間甲酚/對甲酚=5/5與甲醛及酸觸媒的存在下加成縮合而獲得的酚醛清漆樹脂，Mw：10,000
＜化合物（E）＞
[化22]
＜酸擴散控制劑（F）＞
[化23]
＜界面活性劑G＞ G-1：SH-28PA：東麗道康寧矽酮（Toray-Dow Corning Silicone）（股）製造 G-2：NBX-15：尼歐斯（Neos）（股）製造
[表3]
聚合體（A） 光酸產生劑（B） 鹼可溶性樹脂（D） 添加劑（E） 酸擴散控制劑（F） 溶劑（C） 評價 固體成分濃度（質量%）
種類 質量份 種類 質量份 種類 質量份 種類 質量份 種類 質量份 種類 矩形性 龜裂形成 膜厚
實施例1 A-1 100 B1 4 - - E1 0.1 F-4 0.1 C1 A A 50 μm 48%
實施例2 A-2 70 B1 4 D1 30 E1 0.1 F-4 0.1 C1 A A 50 μm 48%
實施例3 A-3 100 B1 4 - - E1 0.1 F-4 0.1 C1 A A 50 μm 48%
實施例4 A-1 100 B2 5 - - E1 0.1 F-5 0.1 C1 A A 50 μm 48%
實施例5 A-1 100 B3 5 - - E1 0.1 F-3 0.1 C1 A A 50 μm 48%
實施例6 A-4 100 B1 4 - - E1 0.1 F-6 0.1 C1/C2 A A 50 μm 48%
實施例7 A-5 100 B1 4 - - E1 0.1 F-2 0.1 C1 A A 50 μm 48%
實施例8 A-6 100 B1 4 - - E1 0.1 F-2 0.1 C1 A A 50 μm 48%
實施例9 A-7 100 B1 4 - - E1 0.1 F-1 0.1 C1 A A 50 μm 48%
實施例10 A-8 100 B1 4 - - E1 0.1 F-1 0.1 C1 A A 50 μm 48%
實施例11 A-1 100 B1 4 - - E1 0.1 F-1 0.1 C1 A A 90 μm 51%
實施例12 A-9 100 B2 5 - - E1 0.1 F-1 0.1 C1 A A 50 μm 48%
實施例13 A-10 100 B2 5 - - E1 0.1 F-2 0.1 C1 A A 50 μm 48%
實施例14 A-11 100 B1 4 - - E1 0.1 F-2 0.1 C1 A A 50 μm 51%
比較例1 A-1 100 b1 1 - - E1 0.1 F-2 0.1 C1 C A 50 μm 48%
比較例2 A-1 100 b2 1 - - E1 0.1 F-4 0.1 C1 B A 50 μm 48%
比較例3 a-1 100 B1 4 - - E1 0.1 F-4 0.1 C1 A B 50 μm 48%
比較例4 a-2 100 B1 4 - - E1 0.1 F-2 0.1 C1 A B 50 μm 48%
可知，由本發明的實施例1～實施例14的感光性樹脂組成物獲得的抗蝕劑圖案膜與比較例1～比較例4的抗蝕劑圖案膜相比，即便膜厚高亦抑制所獲得的抗蝕劑圖案的龜裂形成，以及抗蝕劑圖案膜的剖面形狀的矩形性優異。另外，對於實施例1及比較例2，除將固體成分濃度設為37質量%以外，各自調整為具有相同的成分、組成比的組成物，各自製作膜厚10 μm、及20 μm的基板並進行與實施例相同的評價。可確認到：未表現出實施例1與比較例2中可見的矩形性的差異，本發明的感光性樹脂組成物為適於形成30 μm以上的高膜厚的抗蝕劑圖案的組成物。
無
圖1是示出抗蝕劑圖案的剖面的一例、表示該剖面形狀的矩形性評價的說明的圖。

Claims (13)

  1. 一種感光性樹脂組成物，含有具有酸解離性基的聚合體（A）、光酸產生劑（B）、及溶劑（C），所述感光性樹脂組成物中， 所述聚合體（A）含有下述式（1）所表示的結構單元（I）、及為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg為50℃以下的結構單元（III）， 所述光酸產生劑（B）含有藉由光化射線或放射線的照射而產生凡得瓦體積為200 Å 3以上的酸的化合物，並用於膜厚30 μm以上的膜形成中， 所述式（1）中，R 1A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，L表示*-C(O)O-、或*-C(O)N-，所述*表示與主鏈鍵結的一側，n表示1或2。
  2. 如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中所述結構單元（III）為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg為40℃以下。
  3. 如請求項1所述的感光性樹脂組成物，其中所述結構單元（III）為下述式（3）所表示的結構單元（IIIa）， 所述式（3）中，R 3A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，R 3B表示碳數1～20的烷基、-(R 3CO) nR 3D所表示的基、或-L-Cy所表示的基，所述R 3C表示亞甲基、碳數2～20的伸烷基，所述R 3D表示烷基、環烷基、或芳基，n表示1～3的整數，所述L表示亞甲基、碳數2～20的伸烷基、或者-(C 2H 4O)m-或-(C 3H 6O)m-所表示的基，所述m表示1～3的整數，Cy表示脂肪族雜環基。
  4. 如請求項3所述的感光性樹脂組成物，其中所述式（3）的R 3B為碳數1～10的烷基、-(R 3CO) nR 3D所表示的基或-L-Cy所表示的基。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中所述聚合體（A）更含有下述式（2）所表示的結構單元（II）， 式（2）中，R 2A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，R 2B各自獨立地表示碳數1～3的烷基。
  6. 如請求項1至4中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中於將所述聚合體（A）中包含的結構單元設為100莫耳%的情況下，所述結構單元（I）的含有比例為5莫耳%～75莫耳%，以及所述結構單元（III）的含有比例為5莫耳%～50莫耳%。
  7. 如請求項1至4中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中所述光酸產生劑（B）為下述式（P1）～式（P3）的任一者所表示的化合物， 式（P1）中，m、及n各自獨立地表示1～10的整數，m+n表示4以上的整數，式（P2）中，Ar表示經取代或未經取代的碳數6～20的芳香族烴基，式（P3）中，Q各自獨立地表示氫原子或氟原子，Rf各自獨立地表示氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數1～10的鏈狀烴基、或氫原子的一個以上經取代為氟原子的碳數6～20的芳香族烴基，與P鍵結的n個Rf的合計碳數為6以上，n表示0～3的整數，式（P1）～式（P3）中，X +各自獨立地表示陽離子。
  8. 如請求項1至4中任一項所述的感光性樹脂組成物，更含有鹼可溶性樹脂（D）。
  9. 如請求項1至4中任一項所述的感光性樹脂組成物，更含有化合物（E），所述化合物（E）含有硫醇基，或者藉由酸的作用而產生硫醇基。
  10. 一種感光性樹脂組成物，含有具有酸解離性基的聚合體（A）、光酸產生劑（B）、及溶劑（C），所述感光性樹脂組成物中， 所述聚合體（A）含有下述式（1）所表示的結構單元（I）、及作為均聚物時的玻璃轉移溫度Tg為50℃以下的結構單元（III）， 所述光酸產生劑（B）含有藉由光化射線或放射線的照射而產生凡得瓦體積為200 Å 3以上的酸的化合物， 且固體成分濃度相對於組成物的總質量而為40質量%以上， 所述式（1）中，R 1A表示氫原子、或碳數1～5的烷基，L表示*-C(O)O-、或*-C(O)N-，所述*表示與主鏈鍵結的一側，n表示1或2。
  11. 一種抗蝕劑圖案膜的製造方法，具有：步驟（1），於具有金屬膜的基板的所述金屬膜上形成如請求項1至4、及10中任一項所述的感光性樹脂組成物的樹脂膜；步驟（2），對所述樹脂膜進行曝光；以及步驟（3），對曝光後的所述樹脂膜進行顯影。
  12. 如請求項11所述的抗蝕劑圖案膜的製造方法，其中所獲得的抗蝕劑圖案膜的厚度為30 μm～90 μm。
  13. 一種鍍敷造形物的製造方法，具有：以藉由如請求項11所述的抗蝕劑圖案膜的製造方法而獲得的抗蝕劑圖案膜為鑄模來進行鍍敷處理的步驟。
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