TW202339132A - 加工品的製造方法、半導體裝置的製造方法、及加工品的製造裝置 - Google Patents

Abstract

加工品的製造方法包括：準備步驟，準備至少包括沿著應切斷的位置預先形成有槽部（5）的引線框架的加工對象物（1）；表層除去步驟，在切斷加工對象物（1）之前，部分性地除去加工對象物（1）中的形成有槽部（5）的表層部分（3c）；以及鍍敷步驟，在切斷加工對象物（1）之前，對部分性地除去了表層部分（3c）的加工對象物（1）實施鍍敷處理，並且在實施表層除去步驟之前的狀態下，表層部分（3c）包括藉由將加工對象物（1）切斷而被除去的切斷區域（3m）、以及位於切斷區域（3m）與槽部（5）的開口端（5c）之間的非切斷區域（3n），在表層除去步驟中，除去非切斷區域（3n）的至少一部分。藉此，獲得能夠獲得更高的連接可靠性的加工品的製造方法。

Description

加工品的製造方法、半導體裝置的製造方法、及加工品的製造裝置

本說明書是有關於一種加工品的製造方法、半導體裝置的製造方法、及加工品的製造裝置。

如日本專利特開2011-77278號公報（專利文獻1）所揭示般，在引線框架等加工對象物中，對加工對象物單獨實施各種加工處理，或者對加工對象物與樹脂等的其他構件相互一體化而成者實施各種加工處理，藉此獲得加工品（例如完成品）。關於專利文獻1所揭示的加工對象物（引線框架），在經過規定的步驟之後對加工對象物的表面實施鍍敷處理而單片化，並封裝於基板等。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2011-77278號公報

[發明所欲解決之課題]

如專利文獻1所揭示般，在準備加工對象物時，有時準備沿著最終應切斷的位置預先形成有槽部（凹狀部）的加工對象物。由於槽部的存在，例如，設置於槽部的內表面上的鍍敷膜在切斷引線框架後（在專利文獻1中為單片化後），呈現向內側凹陷的凹狀空間。焊料等接合材被引導進入該凹狀空間內。例如，在將半導體裝置封裝於基板等時，能夠使焊料良好地接合於引線的下表面及側面此兩者，連接可靠性提高。

此處，在準備階段準備了加工對象物的狀態下，有時槽部的內表面呈例如彎曲成凹面狀的表面形狀。在準備階段準備了加工對象物並維持原樣的狀態下，有時槽部的內表面不具有適於焊料等的引導或接合等後續步驟中的處理的表面形狀。為了提高利用焊料等時的連接可靠性，例如較佳為將所述凹狀空間設置得廣，槽部的內表面具有更廣的接合面積。

本說明書是鑒於所述實際情況而揭示，其目的在於揭示一種加工品的製造方法、半導體裝置的製造方法、及加工品的製造裝置，其中，在使用沿著應切斷的位置預先形成有槽部的加工對象物來製造加工品的情況下，與現有方法相比能夠獲得更高的連接可靠性。 [解決課題之手段]

基於本揭示的加工品的製造方法包括：準備步驟，準備至少包括沿著應切斷的位置預先形成有槽部的引線框架的加工對象物；表層除去步驟，在切斷所述加工對象物之前，部分性地除去所述加工對象物中的形成有所述槽部的表層部分；以及鍍敷步驟，在切斷所述加工對象物之前，對部分性地除去了所述表層部分的所述加工對象物實施鍍敷處理，並且在實施所述表層除去步驟之前的狀態下，所述表層部分包括藉由將所述加工對象物切斷而被除去的切斷區域、以及位於所述切斷區域與所述槽部的開口端之間的非切斷區域，在所述表層除去步驟中，除去所述非切斷區域的至少一部分。

基於本揭示的半導體裝置的製造方法是使用所述加工品的製造方法的方法，其包括：樹脂密封步驟，在半導體晶片接合於所述引線框架的狀態下，利用樹脂材料對所述引線框架及所述半導體晶片進行密封；樹脂除去步驟，除去所述槽部內的所述樹脂材料；以及切斷步驟，沿著所述槽部切斷所述引線框架，並且作為所述加工品的製造方法，所述表層除去步驟及所述鍍敷步驟在所述樹脂除去步驟與所述切斷步驟之間進行，或所述表層除去步驟及所述鍍敷步驟在所述樹脂密封步驟之前的階段進行，或者所述表層除去步驟在所述樹脂密封步驟之前的階段進行，所述鍍敷步驟在所述樹脂除去步驟與所述切斷步驟之間進行。

基於本揭示的加工品的製造裝置對至少包括沿著應切斷的位置預先形成有槽部的引線框架的加工對象物實施加工，所述加工品的製造裝置包括：表層除去部，在所述加工對象物未被切斷的狀態下，部分性地除去所述加工對象物中的形成有所述槽部的表層部分；以及鍍敷處理部，在所述加工對象物未被切斷的狀態下，對部分性地除去了所述表層部分的所述加工對象物實施鍍敷處理，並且在所述表層除去部部分性地除去所述表層部分之前的狀態下，所述表層部分包括藉由將所述加工對象物切斷而被除去的切斷區域、以及位於所述切斷區域與所述槽部的開口端之間的非切斷區域，所述表層除去部除去所述非切斷區域的至少一部分。 [發明的效果]

藉由所述揭示，可獲得一種加工品的製造方法、半導體裝置的製造方法、及加工品的製造裝置，其中，在使用沿著應切斷的位置預先形成有槽部的加工對象物來製造加工品的情況下，與現有方法相比能夠獲得更高的連接可靠性。

以下，參照圖式對實施方式進行說明。在以下的說明中，有時對相同的零件及相當的零件標註相同的參照編號，不反覆進行重覆說明。以下，首先對加工品的製造方法（或半導體裝置的製造方法）中所使用的加工品的製造裝置20及引線框架1的結構進行說明，其後對加工品的製造方法（或半導體裝置的製造方法）進行說明。

[加工品的製造裝置20] 圖1是表示加工品的製造裝置20的圖。加工品的製造裝置20對保持於載台21上的加工對象物22實施加工。在加工對象物22，沿著應切斷的位置預先形成有槽部。此處，槽部為有底的槽部分，有時稱為有底槽。在加工對象物22為後述的引線框架1的情況下，在引線框架1形成槽部5（參照圖5等），加工品的製造裝置20可作為半導體裝置的製造裝置發揮功能。在以下的說明中，基於加工品的製造裝置20為半導體裝置的製造裝置的情況的例子進行說明。

加工品的製造裝置20包括：射出部23、掃描部24、控制部25、及鍍敷處理部26。控制部25按照規定的加工條件，對射出部23及掃描部24進行控制。射出部23生成並射出雷射光。自射出部23射出的雷射光被傳送至掃描部24，掃描部24利用例如透鏡及掃描器鏡（scanner mirror）等將雷射光L朝向加工對象物22照射。掃描部24藉由使加工對象物22與雷射光L的光束點的相對位置發生變化，從而在加工對象物22上沿著規定的掃描方向進行雷射光L的掃描。藉此，將加工對象物22的一部分除去。

詳細情況將在後面敘述，射出部23、掃描部24及控制部25可作為「表層除去部」發揮功能。表層除去部在加工對象物22未被切斷的狀態下，部分性地除去加工對象物22中的形成有槽部（引線框架1中的槽部5（參照圖4））的表層部分（引線框架1中的表層部分3c）。

參照圖4在後面進行敘述，引線框架1中的表層部分3c藉由自表層除去部的雷射光照射而被部分性地除去。鍍敷處理部26在加工對象物22（引線框架1）未被切斷的狀態下，對部分性地除去了表層部分3c的加工對象物22（引線框架1）實施鍍敷處理。

[半導體裝置的製造方法] 圖2是表示加工品的製造方法、及使用該加工品的製造方法的半導體裝置的製造方法的圖。可使用圖1所示的加工品的製造裝置20，實施半導體裝置的製造方法。半導體裝置的製造方法包括：準備步驟ST10、樹脂密封步驟ST12、樹脂除去步驟ST13、表層除去步驟ST14、鍍敷步驟ST15、及切斷步驟ST16。準備步驟ST10具有槽部形成步驟ST11。

（加工品的製造方法） 準備步驟ST10、表層除去步驟ST14、及鍍敷步驟ST15可構成加工品的製造方法。即，半導體裝置的製造方法可包括加工品的製造方法。以下，對各步驟依次進行說明。

[引線框架1（準備步驟ST10）] 圖3是表示準備步驟中所準備的引線框架1的自背面1b側觀察到的結構的平面圖。圖4是沿著圖3中的IV-IV線的箭視剖面圖。圖5是表示準備步驟中所準備的引線框架1的一部分（引線部3、系桿4及槽部5）的自背面1b側觀察到的結構的立體圖。

圖3並不表示引線框架1的剖面結構，但為了便於圖示，對於構成引線框架1的部分賦予有沿傾斜方向延伸的陰影線。此處使用了兩種陰影線，關於其差異將在後面進行敘述。在圖3～圖5中，為了便於說明，圖示了長度方向S、寬度方向W、及高度方向H，在以下的說明中，適宜參照該些方向。該些方向亦同樣適宜圖示於圖6以後的圖式。

如圖3所示，引線框架1具有沿著長度方向S及寬度方向W兩者延伸的大致板狀的形狀。引線框架1具有位於搭載半導體晶片6（圖6）的一側的表面1a、以及位於表面1a的相反側的背面1b，且包含銅等金屬。引線框架1包括多個晶粒墊2、多個引線部3、及多個系桿4。

（晶粒墊2、引線部3、系桿4） 多個晶粒墊2在長度方向S及寬度方向W兩者上空開間隔地排佈。在引線框架1的表面1a上搭載半導體晶片6（參照圖6）。在多個晶粒墊2各自的周圍（四方），以矩形形狀排列配置有多個引線部3。以包圍多個晶粒墊2各者的方式，將多個系桿4配置成格子狀。在一個系桿4的兩側設置有多個引線部3，多個引線部3沿著系桿4的延伸方向空開間隔地排列。多個引線部3各者具有厚壁部3a與薄壁部3b（圖3、圖5）。於引線部3，厚壁部3a經由薄壁部3b而連結於系桿4。於高度方向H上，晶粒墊2及厚壁部3a具有比薄壁部3b大的高度尺寸（即厚度）。

對於晶粒墊2及厚壁部3a，賦予有自圖3的紙面右上側朝向左下側延伸的陰影線。對於引線部3的薄壁部3b及系桿4賦予有自圖3的紙面左上側朝向右下側延伸的陰影線。

（槽部5） 參照圖5，此處，關於系桿4、引線部3的厚壁部3a及薄壁部3b，若著眼於圖5所示的位於「高度方向H的負側」的表面，則該些表面的高度位置相同。另一方面，若著眼於圖5所示的位於「高度方向H的正側」的表面，則引線部3的厚壁部3a的表面的高度位置較系桿4的表面的高度位置及引線部3的薄壁部3b的表面的高度位置高。

即，系桿4的所述正側的表面及引線部3的薄壁部3b的所述正側的表面呈現出相對於引線部3的厚壁部3a的所述正側的表面凹陷的形狀，藉由該結構，於引線框架1中，在系桿4的背面1b（圖3）側，形成有沿著高度方向H及寬度方向W延伸的、且沿著高度方向H及長度方向S延伸的格子狀的槽部5。

槽部5於高度方向H方向上並不貫通引線框架1，例如，具有引線框架1（厚壁部3a）的一半的槽深度，能夠藉由對引線框架1進行蝕刻（濕式蝕刻）來形成。槽寬度例如為0.30 mm～0.50 mm。槽寬度及槽深度只要考慮到確保於後續步驟中不產生變形等不良情況的程度的強度、於後續步驟中可進行良好的外觀檢查、作為完成品的半導體裝置的良好的封裝強度等來設定即可。

如圖4所示，槽部5為空間，由槽部5的底部5a、槽部5的側部5b、以及槽部5的開口端5c規定。所謂槽部5的開口端5c，是引線框架1的背面1b中形成有槽部5的內緣部分，且呈直線狀延伸（圖5）。槽部5的底部5a具有大致平坦面的形狀。槽部5的側部5b以越接近槽部5的底部5a越位於較槽部5的開口端5c更靠寬度方向的中央處的方式彎曲。

如圖4～圖5（特別是圖4）所示，引線框架1具有形成有槽部5的表層部分3c。在圖4中，表層部分3c使用虛線來表現。所謂引線框架1的表層部分3c，是引線框架1中的由自引線框架1的外表面至規定深度為止的範圍規定的部分，且是形成槽部5的部分。表層部分3c的表面形狀形成（劃分）作為空間的槽部5。如圖4的剖面形狀所示，表層部分3c具有規定厚度，此處呈U字狀或C字狀的形狀延伸。再者，此處所說的「至規定深度為止的範圍」及「規定厚度」並不限定於表層部分3c在寬度方向W上具有一定的（均勻的）厚度的結構。只要形成槽部5，則表層部分3c可在寬度方向W上具有任意的厚度，亦可在寬度方向W上具有不同的厚度。

詳細情況將在後面進行敘述，引線框架1藉由實施切斷步驟ST16而單片化（參照圖14）。表層部分3c包括藉由將引線框架1切斷而被除去的切斷區域3m、以及位於切斷區域3m與槽部5的開口端5c之間的非切斷區域3n。在圖4中，使用兩點鏈線假想地圖示了由切斷步驟ST16使用的刀片12。

切斷區域3m位於表示刀片12的兩點鏈線的框的內側，非切斷區域3n位於表示刀片12的兩點鏈線的框的外側。表層部分3c在切斷區域3m與非切斷區域3n之間包括邊界部分3t。邊界部分3t的表面3q位於表示刀片12的兩點鏈線上。再者，兩點鏈線的框的寬度及位置均是示意性地記載，藉由切斷而實際除去的範圍較刀片12的寬度寬。

切斷區域3m的表面形狀3p與槽部5的底部5a對應。非切斷區域3n的表面形狀3r與槽部5的側部5b對應。非切斷區域3n的表面形狀3r的上端部分3s與槽部5的開口端5c對應。在圖4所示的例子中，槽部5的整個側部5b包括在非切斷區域3n的表面形狀3r中。亦可在非切斷區域3n的表面形狀3r的下端部分包括槽部5的底部5a（平坦面）（換言之，槽部5的底部5a的一部分亦可包括在非切斷區域3n中）。

（樹脂密封步驟） 圖6是表示在準備步驟中所準備的引線框架1（晶粒墊2）上接合有半導體晶片6的狀態的剖面圖。如圖6所示，設置於各半導體晶片6上的多個電極經由接合線7而電性連接於引線部3（厚壁部3a）。

圖7是表示進行了樹脂密封步驟的狀態的剖面圖。在樹脂密封步驟中，在接合有半導體晶片6的狀態下，利用樹脂材料9對引線框架1及半導體晶片6進行密封。可在樹脂密封步驟之前，在引線框架1的槽部5之側貼附保護膜8（例如聚醯亞胺樹脂帶），並於貼附保護膜8後進行樹脂密封。

半導體裝置的製造方法亦可在自樹脂密封步驟至後述的切斷步驟之間的某處更包括如下步驟：在與引線框架1的槽部5為相反側的表面9a（圖7），進行藉由照射雷射光L1而進行的雷射打標。藉由使用脈衝雷射並利用掃描光學系統進行掃描，從而能夠進行型號或序號（serial number）等任意資訊的印字。

如圖8所示，在進行下述的樹脂除去步驟之前，自引線框架1剝下保護膜8。藉由除去保護膜8，從而使形成於引線框架1的槽部5內的樹脂材料9（9b）露出。再者，保護膜8亦可在進行參照圖7說明的雷射打標的步驟之前，自引線框架1剝下。

（樹脂除去步驟） 圖9是表示進行樹脂除去步驟的狀況的剖面圖。在樹脂除去步驟中，向槽部5內的樹脂材料9（9b）照射雷射光L2，並沿著長度方向S進行雷射光L2的掃描。藉此，槽部5內的樹脂材料被除去。作為雷射光L2，能夠以脈衝雷射的形式利用例如紅外雷射、綠色雷射、或紫外雷射等。

關於脈衝寬度，能夠利用產生奈秒或皮秒等脈衝寬度的雷射。另外，藉由利用控制部25（圖1）對射出部23及掃描部24進行控制，可使基於雷射光L2的加工條件發生變化。根據樹脂材料9（9b）的材質或樹脂材料9（9b）的尺寸（槽部5的槽寬度等），使雷射光L2的波長、輸出、雷射聚光直徑、照射時間等最佳化，以便可效率良好地除去樹脂材料9（9b）。

（表層除去步驟） 圖10是表示進行表層除去步驟的狀況的剖面圖。圖11是用於說明進行表層除去步驟的範圍的平面圖。在表層除去步驟中，在切斷引線框架1之前（換言之，在進行切斷步驟之前），部分性地除去引線框架1中的形成有槽部5的表層部分3c。表層除去步驟例如使用雷射來進行。為了對引線框架1的材料（銅等）進行高效率加工以及抑制熱影響，可使用短脈衝（小於皮秒）的振盪器。表層除去步驟亦可藉由其他的研削部件或其他的研磨部件等進行。

參照圖10，在實施表層除去步驟之前的狀態下，引線框架1的表層部分3c包括：藉由將引線框架1切斷而被除去的切斷區域3m、以及位於切斷區域3m與槽部5的開口端5c之間的非切斷區域3n。在實施表層除去步驟之前的狀態下，非切斷區域3n的表面形狀3r以越接近槽部5的底部5a越位於較槽部5的開口端5c更靠槽寬方向的中央處的方式彎曲。再者，在圖10中，使用兩點鏈線僅假想地圖示了由切斷步驟ST16使用的刀片12的側壁部分。

在表層除去步驟中，至少朝向非切斷區域3n照射雷射光L3，並沿著長度方向S進行雷射光L3的掃描（參照圖11）。藉此，非切斷區域3n的至少一部分被除去。例如，可自表層部分3c除去30 μm～40 μm的深度的量。作為雷射光L3，例如可使用皮秒脈衝的雷射等短脈衝雷射。

圖12是放大表示圖10的一部分的剖面圖，且表示進行表層除去步驟之後的狀況。在圖10、圖12所示的例子中，非切斷區域3n中的較高度方向的中央部分稍靠下方側（靠近槽部5的底部5a）的部分被除去。進而，切斷區域3m的寬度方向上的兩側部分亦被稍微除去。即，在此處的表層除去步驟中，除了除去非切斷區域3n的至少一部分以外，亦除去切斷區域3m中的靠近非切斷區域3n的部分。

在實施表層除去步驟之後且在切斷引線框架1之前的狀態下，引線框架1的表層部分3c在切斷區域3m與非切斷區域3n之間包括邊界部分3t。在將槽部5的深度方向上的表層部分3c的表面的位置定義為「高度」的情況下，在實施表層除去步驟之後且切斷引線框架1之前的狀態下，切斷區域3m的表面的高度H1與邊界部分3t的表面3q的高度H2相等，或者切斷區域3m中的至少一部分的表面的高度H1較邊界部分3t的表面3q的高度H2高（邊界部分3t的表面3q的高度位置位於較切斷區域3m中的至少一部分的表面低的高度位置處）。

（鍍敷步驟） 圖13是表示進行鍍敷步驟之後的狀況的剖面圖。在實施表層除去步驟之後且在切斷引線框架1之前，對部分性地除去了表層部分3c的引線框架1進行鍍敷處理。在引線框架1的晶粒墊2的表面、引線框架1的系桿4的表面、引線部3的薄壁部3b的表面、及表層部分3c中的實施了表層除去步驟的表面形成鍍敷層10。藉由形成鍍敷層10，加工品的製造方法結束，此時的形成有鍍敷層10的引線框架1構成「加工品」。

作為鍍敷層10的材料，可根據封裝中使用的焊料材料來選定焊料潤濕性良好的材料。例如，在使用Sn（錫）系的焊料的情況下，可使用錫（Sn）、錫-銅合金（Sn-Cu）、錫-銀合金（Sn-Ag）、錫-鉍（Sn-Bi）等。

在鍍敷步驟中，可在對引線框架1進行規定的清洗處理後進行鍍敷處理。作為鍍敷步驟的前處理的引線框架1的表面處理，除了清洗處理以外，亦可進行用於氧化膜的除去、表面活性化等的處理。槽部5內的樹脂材料9有時受到雷射光的照射而改質（例如碳化），即便在稍許的樹脂材料9殘存的情況下，經改質的樹脂材料9亦可藉由進行鍍敷處理之前的清洗處理等表面處理而自槽部5內除去。

（切斷步驟） 如圖14所示，將進行了鍍敷處理的引線框架1沿著槽部5切斷。於該切斷步驟中，使用刀片12將引線框架1及樹脂材料9的總厚度部分切斷。藉由實施切斷步驟，可獲得多個作為單位樹脂成形品的半導體裝置11。如圖15所示，半導體裝置11是於俯視時電性連接用的引線並不朝向製品外方突出的四方無引線扁平封裝（Quad Flat Non-leaded Package，QFN）型的無引線型製品。

圖16是表示半導體裝置11經封裝的狀況的剖面圖。如圖16所示，在半導體裝置11中，在各引線部3的側部（單側部）形成有階差，於引線部3的側面3d，並未形成有鍍敷層10而是使原本的金屬露出。半導體裝置11例如是以樹脂材料9之側為上且以引線部3之側為下而封裝於印刷基板。於印刷基板，在與引線部3對應的位置形成有焊盤13，經由焊料14將引線部3與焊盤13連接。

此時，由於在引線框架1的表層部分3c（圖12）中的實施了表層除去步驟的部分的內側（凹處）積存焊料14，因此焊料14的潤濕性提高，能夠獲得更良好的焊料接合結構。藉由實施表層除去步驟，所述凹處部分的接合面積（表面積）變大，進而，能夠引導焊料14的凹處部分的體積亦變大。

圖17是表示藉由比較例的製造方法獲得的半導體裝置經封裝的狀況的剖面圖。在比較例的情況下，由於未實施表層除去步驟，因此與所述凹處對應的部分的接合面積（表面積）及體積均小。與此相對，根據所述實施方式（圖16），在使用沿著應切斷的位置預先形成有槽部的加工對象物來製造加工品的情況下，與現有方法相比，能夠獲得更高的連接可靠性。另外，藉由實施表層除去步驟，亦可進一步提高所述凹處部分的高度HS，使用用於檢查焊料14的自動檢查機的檢查亦變得更容易，亦能夠獲得更高精度的結果。

在藉由濕式蝕刻形成引線框架1的槽部5的情況下，非切斷區域3n的表面形狀3r容易彎曲成越接近槽部5的底部5a，越位於較槽部5的開口端5c更靠槽寬方向的中央處。在進行濕式蝕刻的情況下，藉由對所述般的非切斷區域3n的表面形狀3r實施表層除去步驟，能夠獲得所述效果。

如圖18所示，在所述實施方式中，在將槽部5的深度方向上的表層部分3c的表面的位置定義為「高度」的情況下，在實施表層除去步驟之後且在切斷引線框架1之前的狀態下，切斷區域3m的表面的高度H1與邊界部分3t的表面3q的高度H2相等，或者切斷區域3m中的至少一部分的表面的高度H1較邊界部分3t的表面3q的高度H2高。在後者的情況下，邊界部分3t的表面3q的高度位置位於較切斷區域3m中的至少一部分的表面低的高度位置處。藉由該結構，在使用刀片12進行切斷時，刀片12先與切斷區域3m中的高度H1的部分接觸。在所述時間點，在刀片12的寬度方向上的兩側的下方形成有間隙3w（圖18）。然後，刀片12與邊界部分3t中的高度H2的部分（邊界部分3t的表面3q）接觸。如此，由於引線框架1的厚度在刀片12的兩端部變薄，因此可減小在邊界部分3t產生毛刺的情況。

[第一變形例] 圖19與圖12對應，是用於說明與實施方式的第一變形例相關的表層除去步驟的剖面圖。在所述例子（圖18等）中，除了除去非切斷區域3n的至少一部分以外，亦除去切斷區域3m的端部（相當於圖18所示的間隙3w的部分）。此種結構並非必須，如圖19所示，在切斷區域3m平坦，槽部5的側部5b不包含在切斷區域3m中的情況下，切斷區域3m亦可不在表層除去步驟中除去。藉由僅對非切斷區域3n實施表層除去步驟而不對切斷區域3m實施表層除去步驟，亦可實現形成有助於焊料的引導或接合的所述凹處這一目的，對應於不對切斷區域3m實施表層除去步驟，實現製造時間的縮短化。

[第二變形例] 圖20與圖12對應，是用於說明與實施方式的第二變形例相關的表層除去步驟的剖面圖。在實施表層除去步驟之後且在切斷引線框架1之前的狀態下，切斷區域3m的表面與非切斷區域3n的表面相互連接的部分（即，邊界部分3t的表面）可呈平坦面的形狀，並且平坦面可與槽部5的深度方向（與背面1b正交的方向）大致正交。根據該結構，亦可減小在邊界部分3t產生毛刺的情況。

圖21與圖12對應，是用於說明與實施方式的第三變形例相關的表層除去步驟的剖面圖。如圖21所示，在實施表層除去步驟之後且在切斷引線框架1之前的狀態下，非切斷區域3n的表面形狀3r（即，槽部5的側部5b）可以與槽部5的深度方向（與背面1b正交的方向）大致平行的方式延伸。藉由實施表層除去步驟直至圖21所示的程度，能夠充分地形成有助於焊料的引導或接合的凹處。另外，藉由使凹處變深，在進行半導體裝置的封裝時，確保封裝側面的焊料潤濕高度，使用自動檢查機的檢查變得更容易。

另外，與參照圖20所述的情況相同，如圖21所示，切斷區域3m的表面與非切斷區域3n的表面相互連接的部分（即，邊界部分3t的表面）呈平坦面的形狀，並且平坦面可與槽部5的深度方向（與背面1b正交的方向）大致正交。在圖21所示的結構中，非切斷區域3n的表面形狀3r（即，槽部5的側部5b）與切斷區域3m的表面形狀3p（即，槽部5的底部5a）相互正交。即使是此種結構，亦可減小在邊界部分3t產生毛刺的情況。

[第四變形例] 如上所述，加工品的製造方法可由準備步驟ST10、表層除去步驟ST14、及鍍敷步驟ST15構成加工品的製造方法。在所述實施方式的情況下（圖2），表層除去步驟ST14及鍍敷步驟ST15在樹脂除去步驟ST13與切斷步驟ST16之間進行。

圖22是表示與實施方式的第四變形例相關的加工品的製造方法、及使用該加工品的製造方法的半導體裝置的製造方法的圖。如圖22所示，亦可在實施了與加工品的製造方法相關的該些各步驟（準備步驟ST10、表層除去步驟ST14、及鍍敷步驟ST15）之後，實施樹脂密封步驟ST12、樹脂除去步驟ST13、及切斷步驟ST16。在圖22所示的例子中，表層除去步驟ST14及鍍敷步驟ST15在樹脂密封步驟ST12之前的階段進行。在所述情況下的鍍敷步驟中，例如能夠使用預鍍鈀（Palladium Pre Plated）鍍敷（例如Ni/Pd/Au鍍敷）或整面Pd鍍敷等。

作為實施主體，例如引線框架製造商能夠進行至鍍敷步驟ST15為止，半導體裝置製造商能夠進行樹脂密封步驟ST12以後的全部步驟。或者，亦可引線框架製造商進行至表層除去步驟ST14，鍍敷步驟ST15以後的步驟由半導體裝置製造商進行。

[第五變形例] 圖23是表示與實施方式的第五變形例相關的加工品的製造方法、及使用該加工品的製造方法的半導體裝置的製造方法的圖。如圖23所示，與加工品的製造方法相關的該些各步驟可不連續進行。亦可在實施了準備步驟ST10之後，依次實施表層除去步驟ST14、樹脂密封步驟ST12、樹脂除去步驟ST13、鍍敷步驟ST15及切斷步驟ST16。在圖23所示的例子中，表層除去步驟ST14在樹脂密封步驟ST12之前的階段進行，鍍敷步驟ST15在樹脂除去步驟ST13與切斷步驟ST16之間進行。

作為實施主體，例如引線框架製造商能夠進行至準備步驟ST10為止，半導體裝置製造商能夠進行表層除去步驟ST14以後的全部步驟。或者，亦可引線框架製造商進行至表層除去步驟ST14為止，其後的步驟由半導體裝置製造商進行。

以上，對實施方式進行了說明，但所述揭示內容於所有方面均為例示而非限制性。本發明的技術範圍是由申請專利範圍所示，意指包含與申請專利範圍均等的含義及範圍內的所有變更。

1:引線框架（加工對象物） 1a、3q、9a:表面 1b:背面 2:晶粒墊 3:引線部 3a:厚壁部 3b:薄壁部 3c:表層部分 3d:側面 3m:切斷區域 3n:非切斷區域 3p、3r:表面形狀 3s:上端部分 3t:邊界部分 3w:間隙 4:系桿 5:槽部 5a:底部 5b:側部 5c:開口端 6:半導體晶片 7:接合線 8:保護膜 9、9b:樹脂材料 10:鍍敷層 11:半導體裝置 12:刀片 13:焊盤 14:焊料 20:加工品的製造裝置 21:載台 22:加工對象物 23:射出部 24:掃描部 25:控制部 26:鍍敷處理部 H1、H2、HS:高度 L、L1、L2、L3:雷射光 ST10:準備步驟 ST11:槽部形成步驟 ST12:樹脂密封步驟 ST13:樹脂除去步驟 ST14:表層除去步驟 ST15:鍍敷步驟 ST16:切斷步驟 S:長度方向 W:寬度方向 H:高度方向

圖1是表示加工品的製造裝置20的圖。 圖2是表示加工品的製造方法、及使用該加工品的製造方法的半導體裝置的製造方法的圖。 圖3是表示準備步驟中所準備的引線框架1的自背面1b側觀察到的結構的平面圖。 圖4是沿著圖3中的IV-IV線的箭視剖面圖。 圖5是表示準備步驟中所準備的引線框架1的一部分（引線部3、系桿4及槽部5）的自背面1b側觀察到的結構的立體圖。 圖6是表示在準備步驟中所準備的引線框架1（晶粒墊2）上接合有半導體晶片6的狀態的剖面圖。 圖7是表示進行了樹脂密封步驟的狀態的剖面圖。 圖8是表示在進行樹脂除去步驟之前除去了保護膜的狀態的剖面圖。 圖9是表示進行樹脂除去步驟的狀況的剖面圖。 圖10是表示進行表層除去步驟的狀況的剖面圖。 圖11是用於說明進行表層除去步驟的範圍的平面圖。 圖12是放大表示圖10的一部分的剖面圖，且表示進行表層除去步驟之後的狀況。 圖13是表示進行鍍敷步驟之後的狀況的剖面圖。 圖14是表示進行切斷步驟的狀況的剖面圖。 圖15是表示藉由實施方式的製造方法獲得的半導體裝置的立體圖。 圖16是表示藉由實施方式的製造方法獲得的半導體裝置經封裝的狀況的剖面圖。 圖17是表示藉由比較例的製造方法獲得的半導體裝置經封裝的狀況的剖面圖。 圖18與圖12對應，是用於說明與實施方式相關的作用及效果的剖面圖。 圖19與圖12對應，是用於說明與實施方式的第一變形例相關的表層除去步驟的剖面圖。 圖20與圖12對應，是用於說明與實施方式的第二變形例相關的表層除去步驟的剖面圖。 圖21與圖12對應，是用於說明與實施方式的第三變形例相關的表層除去步驟的剖面圖。 圖22是表示與實施方式的第四變形例相關的加工品的製造方法、及使用該加工品的製造方法的半導體裝置的製造方法的圖。 圖23是表示與實施方式的第五變形例相關的加工品的製造方法、及使用該加工品的製造方法的半導體裝置的製造方法的圖。

1b:背面

3:引線部

3c:表層部分

3m:切斷區域

3n:非切斷區域

3p、3r:表面形狀

3q:表面

3s:上端部分

3t:邊界部分

4:系桿

5:槽部

5a:底部

5b:側部

5c:開口端

12:刀片

L3:雷射光

S:長度方向

W:寬度方向

H:高度方向

Claims (9)

1. 一種加工品的製造方法，包括： 準備步驟，準備至少包括沿著應切斷的位置預先形成有槽部的引線框架的加工對象物； 表層除去步驟，在切斷所述加工對象物之前，部分性地除去所述加工對象物中的形成有所述槽部的表層部分；以及 鍍敷步驟，在切斷所述加工對象物之前，對部分性地除去了所述表層部分的所述加工對象物實施鍍敷處理，並且 在實施所述表層除去步驟之前的狀態下，所述表層部分包括藉由將所述加工對象物切斷而被除去的切斷區域、以及位於所述切斷區域與所述槽部的開口端之間的非切斷區域， 在所述表層除去步驟中，除去所述非切斷區域的至少一部分。
2. 如請求項1所述的加工品的製造方法，其中 在所述表層除去步驟中，除了除去所述非切斷區域的所述至少一部分以外，亦除去所述切斷區域中的靠近所述非切斷區域的部分。
3. 如請求項1或請求項2所述的加工品的製造方法，其中 在實施所述表層除去步驟之前的狀態下，所述非切斷區域的表面形狀以越接近所述槽部的底部越位於較所述槽部的所述開口端更靠槽寬方向的中央處的方式彎曲。
4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的加工品的製造方法，其中 在實施所述表層除去步驟之後且切斷所述加工對象物之前的狀態下，所述表層部分在所述切斷區域與所述非切斷區域之間包括邊界部分， 在將所述槽部的深度方向上的所述表層部分的表面的位置定義為高度的情況下， 在實施所述表層除去步驟之後且切斷所述加工對象物之前的狀態下，所述切斷區域中的至少一部分的表面的高度較所述邊界部分的表面的高度高。
5. 如請求項1至請求項4中任一項所述的加工品的製造方法，其中 在實施所述表層除去步驟之後且切斷所述加工對象物之前的狀態下，所述切斷區域的表面與所述非切斷區域的表面相互連接的部分呈平坦面的形狀， 所述平坦面與所述槽部的深度方向大致正交。
6. 如請求項1至請求項5中任一項所述的加工品的製造方法，其中 所述表層除去步驟使用雷射進行。
7. 如請求項1至請求項6中任一項所述的加工品的製造方法，其中 在所述準備步驟中準備的所述加工對象物具有藉由濕式蝕刻而形成的所述槽部。
8. 一種半導體裝置的製造方法，使用如請求項1至請求項7中任一項所述的加工品的製造方法，所述半導體裝置的製造方法包括： 樹脂密封步驟，在半導體晶片接合於所述引線框架的狀態下，利用樹脂材料對所述引線框架及所述半導體晶片進行密封； 樹脂除去步驟，除去所述槽部內的所述樹脂材料；以及 切斷步驟，沿著所述槽部切斷所述引線框架，並且 作為所述加工品的製造方法， 所述表層除去步驟及所述鍍敷步驟在所述樹脂除去步驟與所述切斷步驟之間進行，或 所述表層除去步驟及所述鍍敷步驟在所述樹脂密封步驟之前的階段進行，或者 所述表層除去步驟在所述樹脂密封步驟之前的階段進行，所述鍍敷步驟在所述樹脂除去步驟與所述切斷步驟之間進行。
9. 一種加工品的製造裝置，對至少包括沿著應切斷的位置預先形成有槽部的引線框架的加工對象物實施加工，所述加工品的製造裝置包括： 表層除去部，在所述加工對象物未被切斷的狀態下，部分性地除去所述加工對象物中的形成有所述槽部的表層部分；以及 鍍敷處理部，在所述加工對象物未被切斷的狀態下，對部分性地除去了所述表層部分的所述加工對象物實施鍍敷處理，並且 在所述表層除去部部分性地除去所述表層部分之前的狀態下，所述表層部分包括藉由將所述加工對象物切斷而被除去的切斷區域、以及位於所述切斷區域與所述槽部的開口端之間的非切斷區域， 所述表層除去部除去所述非切斷區域的至少一部分。