JP2023008253A - リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】溶接による不要な変形及び損傷を防止すること。【解決手段】リードフレームは、一端部に、第１部分と、前記第１部分より厚さが薄い第２部分とが設けられた支持部と、リードと、前記第２部分において前記支持部に溶接された放熱板とを有する。このリードフレームの製造方法は、金属板から、第１部分及び前記第１部分より厚さが薄い第２部分が一端部に設けられた支持部と、リードとを有するフレーム部材を成形する工程と、放熱板を、前記第２部分において前記支持部に溶接する工程とを有する。【選択図】図１

Description

本発明は、リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法に関する。
近年、例えばＩＣ（Integrated Circuit）チップなどの半導体素子を金属製のリードフレームに搭載する半導体装置が知られている。すなわち、例えばリードフレームの中央に設けられる面状のダイパッドに半導体素子が搭載され、この半導体素子がダイパッドの周囲に設けられる複数のリードに例えばワイヤボンディングによって接続される。そして、リードフレームに搭載された半導体素子が例えばエポキシ樹脂などの樹脂によって封止され、半導体装置が形成されることがある。
このようなリードフレームには、ダイパッドが設けられることなく、複数のリードを有するフレーム部材に放熱板が接合されて構成されるものがある。すなわち、金属製の薄板から形成されるフレーム部材の中央に、フレーム部材よりも板厚が厚い放熱板が例えば溶接によって接合され、この放熱板に直接半導体素子が搭載されることがある。こうすることにより、半導体素子が発する熱を簡易な構造で効率的に放熱することができる。
特開平０８－１６２５９０号公報 特開平１０－１４４８５２号公報
しかしながら、フレーム部材に放熱板が接合される際には、フレーム部材又は放熱板の熱による変形や損傷が発生する恐れがあるという問題がある。すなわち、フレーム部材と放熱板の接合のような微細部品の接合にはレーザ溶接が用いられる場合があるが、接合されるフレーム部材及び放熱板にレーザを長時間照射することにより、接合部分の周囲にまで熱が伝達され、熱変形などが発生することがある。特に、フレーム部材と放熱板とが重なる部分においてレーザ溶接が行われる場合には、薄板から形成されるフレーム部材を貫通するまでレーザが照射されることがあり、接合部分の周囲においてフレーム部材が変形したり、放熱板が損傷したりする。
一方で、このような変形や損傷を防止するために、レーザの出力を抑制したりレーザの照射時間を短縮したりすると、フレーム部材と放熱板の溶接が不十分となり、リードフレーム及び半導体装置の品質が低下してしまう。
開示の技術は、かかる点に鑑みてなされたものであって、溶接による不要な変形及び損傷を防止することができるリードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法を提供することを目的とする。
本願が開示するリードフレームは、１つの態様において、一端部に、第１部分と、前記第１部分より厚さが薄い第２部分とが設けられた支持部と、リードと、前記第２部分において前記支持部に溶接された放熱板とを有する。
本願が開示するリードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法の１つの態様によれば、溶接による不要な変形及び損傷を防止することができるという効果を奏する。
図１は、一実施の形態に係るリードフレームの構造を示す図である。 図２は、溶接部の構造を示す斜視図である。 図３は、溶接部の断面の具体例を示す図である。 図４は、溶接部の断面形状の具体例を示す図である。 図５は、リードフレームの製造方法を示すフロー図である。 図６は、成形工程の具体例を示す図である。 図７は、薄厚部形成工程の具体例を示す図である。 図８は、めっき加工工程の具体例を示す図である。 図９は、レーザ溶接工程の具体例を示す図である。 図１０は、溶接部の表面加工の具体例を示す図である。 図１１は、半導体装置の構造の具体例を示す図である。 図１２は、他の実施の形態に係るリードフレームの構造を示す図である。 図１３は、半導体装置の構造の他の具体例を示す図である。 図１４は、溶接部の変形例を示す斜視図である。 図１５は、溶接部の他の変形例を示す斜視図である。 図１６は、溶接部のさらに他の変形例を示す斜視図である。 図１７は、半導体装置の構造の具体例を示す図である。 図１８は、他の実施の形態に係る溶接部の構造を示す図である。
以下、本願が開示するリードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法の一実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。
図１は、一実施の形態に係るリードフレーム１００の構造を示す図である。図１（ａ）は、リードフレーム１００の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩ－Ｉ線における断面図である。
リードフレーム１００は、枠体１１０、サポートバー１２０、リード１３０及びタイバー１４０を有するフレーム部材に放熱板１５０が接合された構造を有する。フレーム部材は、例えば厚さ０．１～０．２５ｍｍ程度の銅や銅合金等の金属の板状部材から形成される。一方、放熱板１５０は、フレーム部材を形成する板状部材よりも板厚が厚く、例えば厚さ１ｍｍ以上の銅や銅合金等の金属板である。
枠体１１０は、１つのリードフレーム１００の外周を規定し、タイバー１４０を介してサポートバー１２０及び複数のリード１３０を支持する。リードフレーム１００の製造時には、複数のリードフレーム１００が枠体１１０を介して接続されたリードフレームの集合体として製造される。そして、リードフレーム１００に半導体チップが搭載され樹脂封止された後に、複数のリード１３０の間及びリード１３０とサポートバー１２０との間のタイバー１４０が切断される。次いで、サポートバー１２０、複数のリード１３０及び放熱板１５０を含む部分が枠体１１０から切り離されることにより、個片化された半導体装置が得られる。
サポートバー１２０は、リードフレーム１００の短手方向の中央において、長手方向の両端から中央に向かって延びる一対の支持部であり、リードフレーム１００の中央に位置する端部（以下「中央側端部」という）に放熱板１５０を支持する。すなわち、一対のサポートバー１２０の放熱板１５０と重なる一端部が溶接部となっており、溶接部に形成される薄厚部１２１において放熱板１５０の半導体チップを搭載する搭載面１５０ａが溶接されている。
薄厚部１２１は、サポートバー１２０の中央側端部に位置する溶接部内において、他の部分よりも板厚が薄い部分である。図１に示す例では、薄厚部１２１は、溶接部の幅方向の両端に形成されており、薄厚部１２１の板厚は、薄厚部１２１に挟まれる中央部分よりも薄くなっている。
図２は、サポートバー１２０の中央側端部に位置する溶接部１２０ａの構造を示す斜視図である。
溶接部１２０ａは、サポートバー１２０の中央側の先端から約１ｍｍの範囲に位置し、薄厚部１２１と残存部１２２とを有する。サポートバー１２０は、溶接部１２０ａにおいて放熱板１５０と重なり、放熱板１５０の搭載面１５０ａに溶接される。
薄厚部１２１は、溶接部１２０ａの幅方向の両端を薄厚化することにより形成され、残存部１２２よりも板厚が薄い部分である。薄厚部１２１は、例えばハーフエッチング又はプレス潰し加工などにより形成される。図２に直線矢印で示すように、例えばファイバレーザなどのレーザが薄厚部１２１に照射され、溶接部１２０ａにおいてサポートバー１２０と放熱板１５０が溶接される。レーザが照射される薄厚部１２１の溶接箇所は１箇所に限らず、複数箇所であっても良い。
残存部１２２は、溶接部１２０ａ内において薄厚化されずに残存する部分である。残存部１２２は、サポートバー１２０の溶接部１２０ａ以外の部分と同じ板厚を有する。図２においては、残存部１２２が溶接部１２０ａの中央に残存し、残存部１２２の両側に薄厚部１２１が形成されているため、溶接部１２０ａの断面形状は凸字状となる。
図３は、溶接部１２０ａの断面の具体例を示す図である。図３に示すように、サポートバー１２０の幅は例えば８００μｍ程度であり、残存部１２２を含むサポートバー１２０の板厚は２００μｍ程度である。
中央の残存部１２２の幅は、例えば２００μｍ程度であり、残存部１２２の両側の薄厚部１２１の幅は、例えば３００μｍ程度である。そして、薄厚部１２１においては、板厚が１００μｍ程度になっている。
なお、溶接部１２０ａの断面形状は、必ずしも凸字状でなくても良い。例えば図４（ａ）に示すように、薄厚部１２１と残存部１２２の境界が曲面１２３になっていても良いし、図４（ｂ）に示すように、薄厚部１２１と残存部１２２の境界が斜面１２４になっていても良い。また、例えば図４（ｃ）に示すように、残存部１２２の上面を面取り加工して斜面１２５が形成されても良い。
これらの断面形状のように、溶接部１２０ａの中央に残存部１２２が位置し、残存部１２２の両側に薄厚部１２１が形成されることにより、２つの薄厚部１２１の間の距離が比較的大きくなる。結果として、レーザが照射される溶接箇所の間の距離が大きくなって、レーザの熱が狭い範囲に集中することがなく、サポートバー１２０及び放熱板１５０の熱変形を抑制することができる。
図１に戻って、リード１３０は、サポートバー１２０と平行に延び、リードフレーム１００に半導体チップが搭載された場合に、この半導体チップと外部の部品とを電気的に接続する端子である。リード１３０は、サポートバー１２０よりも短く、リード１３０の中央側端部は、放熱板１５０と重ならない。そして、リード１３０の中央側端部の放熱板１５０から遠い面にはめっき層が形成されており、リードフレーム１００に半導体チップが搭載される場合、半導体チップは、ワイヤボンディングによってめっき層に接続される。
放熱板１５０は、一対のサポートバー１２０の中央側端部に接合される銅の板状部材である。放熱板１５０のサポートバー１２０に接合される面は、半導体チップを搭載する搭載面１５０ａである。放熱板１５０は、搭載面１５０ａに搭載される半導体チップが発する熱を搭載面１５０ａの反対側の面から放熱する。このため、搭載面１５０ａの反対側の面は、半導体チップがモールド樹脂によって封止された状態でもモールド樹脂から露出する。
次いで、上記のように構成されたリードフレーム１００の製造方法について、図５に示すフロー図を参照しながら説明する。
まず、例えば厚さ０．１～０．２５ｍｍ程度の銅や銅合金等の金属板のプレス又はエッチングなどにより、フレーム部材が成形される（ステップＳ１０１）。具体的には、例えば図６に示すように、それぞれ枠体１１０に囲まれる領域内に、サポートバー１２０、複数のリード１３０及びタイバー１４０が形成される。
そして、サポートバー１２０の中央側端部には、薄厚部１２１が形成される（ステップＳ１０２）。すなわち、例えば図７に示すように、枠体１１０に囲まれる各領域内の一対のサポートバー１２０の中央側端部に、例えばプレス潰し加工によって薄厚部１２１が形成される。
なお、ステップＳ１０２における薄厚部１２１の形成は、ステップＳ１０１におけるフレーム部材の成形と同時に行われても良い。すなわち、例えば金属板のエッチングによってフレーム部材を成形する際、サポートバー１２０、リード１３０及びタイバー１４０として残す部分には両面にエッチングマスクをした上で金属板がエッチング液に浸漬される。このとき、サポートバー１２０の薄厚部１２１とする部分には片面のみにエッチングマスクをすることにより、この部分がハーフエッチングされて薄厚部１２１が形成される。また、例えばプレス加工によってフレーム部材を成形する際に、サポートバー１２０の薄厚部１２１に対応する形状の金型を用いた潰し加工により、薄厚部１２１が形成されても良い。
サポートバー１２０に薄厚部１２１が形成されると、リード１３０の中央側端部にめっき層が形成される（ステップＳ１０３）。具体的には、例えば図８に示すように、各リード１３０の中央側端部の、放熱板１５０と接合される面とは反対側の面にめっき層１３０ａが形成される。めっき層１３０ａは、例えば銀めっきにより形成される。
ここまでの工程により、銅の薄板を材料とするフレーム部材が完成する。そこで、このフレーム部材に、例えば厚さ１ｍｍ以上の銅や銅合金等の金属からなる放熱板１５０がレーザ溶接される（ステップＳ１０４）。すなわち、例えば図９に示すように、サポートバー１２０の溶接部１２０ａと重なるように放熱板１５０が配置され、薄厚部１２１にレーザが照射されることにより、サポートバー１２０に放熱板１５０が溶接される。
レーザ溶接に用いられるレーザは、例えばグリーンレーザ又はファイバレーザとすることができる。レーザは、板厚が薄い薄厚部１２１に照射されるため、レーザによる熱が早期に薄厚部１２１を溶融し、短時間でサポートバー１２０と放熱板１５０が溶接される。このため、サポートバー１２０及び放熱板１５０の変形及び損傷を防止することができる。さらに、サポートバー１２０及び放熱板１５０が変形又は損傷しないため、サポートバー１２０及び放熱板１５０の接合部分に隙間が形成されず、接合性を向上することができる。
なお、レーザ溶接が行われる際には、レーザが照射されるサポートバー１２０の表面があらかじめ粗化処理されても良い。すなわち、例えば図１０に示すように、薄厚部１２１を含むサポートバー１２０の表面は、銅の粗化めっき又は陽極酸化処理によって表面粗度が大きくなっていても良い。薄厚部１２１の表面が粗化されることにより、薄厚部１２１に照射されるレーザＬの反射を抑制することができ、レーザの吸収性が向上して効率的な溶接をすることができる。
このように、サポートバー１２０の薄厚部１２１において放熱板１５０がレーザ溶接されることにより、リードフレーム１００が形成される。このリードフレーム１００には、半導体チップが搭載され、半導体チップが例えばエポキシ樹脂などのモールド樹脂によって封止される。そして、サポートバー１２０及びリード１３０が枠体１１０から切断されることにより、半導体装置が得られる。
図１１は、半導体装置の構造の具体例を示す図である。図１１（ａ）は、サポートバー１２０に沿う位置での半導体装置の断面を示し、図１１（ｂ）は、リード１３０に沿う位置での半導体装置の断面を示す。
図１１に示すように、半導体チップ２１０は、放熱板１５０の搭載面１５０ａに搭載され、ワイヤボンディングによって半導体チップ２１０とリード１３０とが接続される。すなわち、半導体チップ２１０の電極とリード１３０のめっき層１３０ａとがワイヤ２３０によって接続される。そして、この半導体チップ２１０がモールド樹脂２２０によって封止される。このとき、放熱板１５０の搭載面１５０ａとは反対側の面は、モールド樹脂２２０の下面から露出し、搭載面１５０ａに搭載される半導体チップ２１０が発する熱を効率的に放熱することができる。
薄厚部１２１が形成されるサポートバー１２０の中央側端部は、半導体チップ２１０とともにモールド樹脂２２０によって封止され、サポートバー１２０の他方の端部は、モールド樹脂２２０の側面から突出してリード１３０と同様の形状に曲げ加工されている。このようにリード１３０と同様の形状に曲げ加工されるサポートバー１２０は、接地配線用のリードとして用いられても良い。サポートバー１２０を接地配線用のリードとすることにより、放熱板１５０を接地電位とすることができる。一方、めっき層１３０ａにおいて半導体チップ２１０と接続されるリード１３０の中央側端部は、半導体チップ２１０とともにモールド樹脂２２０によって封止され、リード１３０の他方の端部は、モールド樹脂２２０の側面から突出して曲げ加工されている。モールド樹脂２２０から突出するリード１３０の端部は、例えば配線基板などの他の部品に接続可能となっている。すなわち、リード１３０は、例えば信号配線用のリードとして用いられる。
以上のように、本実施の形態によれば、金属板から形成されるフレーム部材に他の部分よりも板厚が薄い薄厚部を形成し、薄厚部におけるレーザ溶接によって、フレーム部材よりも板厚が厚い放熱板を接合する。このため、レーザによる熱が早期に薄厚部を溶融してフレーム部材と放熱板が溶接されることにより、レーザの照射時間を短時間とすることができる。結果として、薄厚部の周囲へのレーザの熱の伝達を抑制し、溶接による不要な変形及び損傷を防止することができる。
なお、上記一実施の形態においては、モールド樹脂２２０から２方向にリード１３０が突出するＳＯＰ（Small Outline Package）型の半導体装置に用いられるリードフレーム１００について説明した。しかし、上記一実施の形態と同様のリードフレーム１００は、モールド樹脂２２０から４方向にリード１３０が突出するＱＦＰ（Quad Flat Package）型の半導体装置に適用することも可能である。
また、リード１３０がモールド樹脂２２０から突出しない例えばＳＯＮ（Small Outline Non-leaded package）型又はＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）型の半導体装置に上記一実施の形態と同様のリードフレーム１００を適用することも可能である。
図１２は、ＳＯＮ型の半導体装置に用いられるリードフレーム１００の構造を示す図である。図１２（ａ）は、リードフレーム１００の平面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のII－II線における断面図である。
図１２に示すリードフレーム１００において、サポートバー１２０及びリード１３０は、それぞれ枠体１１０の短辺からリードフレーム１００の長手方向に延びている。サポートバー１２０の中央側端部には、薄厚部１２１が形成されており、この薄厚部１２１において放熱板１５０が溶接されている。放熱板１５０は、半導体チップを搭載する搭載面１５０ａにおいてサポートバー１２０に溶接される。また、サポートバー１２０及びリード１３０は、曲げ加工されて、中央側端部の反対の端部が半導体装置の外部端子となる位置にある。
このようなリードフレーム１００においても、サポートバー１２０の中央側端部に薄厚部１２１が形成されているため、サポートバー１２０に放熱板１５０をレーザ溶接する際、レーザによる熱が早期に薄厚部を溶融してフレーム部材と放熱板が溶接されることにより、レーザの照射時間を短時間とすることができる。結果として、薄厚部の周囲へのレーザの熱の伝達を抑制し、溶接による不要な変形及び損傷を防止することができる。
図１３は、ＳＯＮ型の半導体装置の構造の具体例を示す図である。図１３（ａ）は、サポートバー１２０に沿う位置での半導体装置の断面を示し、図１３（ｂ）は、リード１３０に沿う位置での半導体装置の断面を示す。
図１３に示すように、半導体チップ２１０は、放熱板１５０の搭載面１５０ａに搭載され、ワイヤボンディングによって半導体チップ２１０とリード１３０とが接続される。すなわち、半導体チップ２１０の電極とリード１３０とがワイヤ２３０によって接続される。そして、この半導体チップ２１０がモールド樹脂２２０によって封止される。このとき、放熱板１５０の搭載面１５０ａとは反対側の面は、モールド樹脂２２０の上面から露出し、搭載面１５０ａに搭載される半導体チップ２１０が発する熱を効率的に放熱することができる。
また、薄厚部１２１が形成されるサポートバー１２０及びリード１３０は、半導体チップ２１０とともにモールド樹脂２２０によって封止され、サポートバー１２０及びリード１３０の中央側端部と反対側の端部は、モールド樹脂２２０の側面及び下面から露出する。リード１３０の端部がモールド樹脂２２０から露出することにより、この端部は、半導体装置を例えば配線基板などの他の部品に接続する外部端子となる。
このように、上述したリードフレーム１００を用いて、モールド樹脂２２０からリード１３０が突出しないＳＯＮ型又はＱＦＮ型の半導体装置を形成することも可能である。
上記一実施の形態においては、サポートバー１２０の溶接部１２０ａの中央に残存部１２２が位置し、残存部１２２の両側に薄厚部１２１が形成されるものとした。しかし、サポートバー１２０の形状はこれに限定されない。
例えば図１４（ａ）に示すように、サポートバー１２０の中央側端部の先端を切り欠くことにより、薄厚部１２１が形成されても良い。すなわち、図１４（ａ）に示す例では、サポートバー１２０の中央側端部の先端が、幅方向全体に渡って切り欠かれることにより薄厚部１２１が形成される。この場合、図１４（ａ）に直線矢印で示すように、１つの薄厚部１２１の２箇所にレーザが照射されてサポートバー１２０と放熱板１５０が溶接されても良い。このように、サポートバー１２０の先端を切り欠いて薄厚部１２１を形成する単純な構造とすることにより、簡易な加工でリードフレーム１００を形成することができる。
また、図１４（ｂ）に示すように、サポートバー１２０の溶接部１２０ａの中央に残存部１２２を残存させ、残存部１２２の三方に薄厚部１２１が形成されても良い。この場合、図１４（ｂ）に直線矢印で示すように、残存部１２２の三方の薄厚部１２１それぞれに１箇所ずつレーザが照射されてサポートバー１２０と放熱板１５０が溶接されても良い。このように、残存部１２２の三方の薄厚部１２１を形成することにより、溶接箇所を多くしてリードフレーム１００と放熱板１５０の接合信頼性を向上することができる。
さらに、薄厚部１２１は、残存部１２２によって複数の薄厚部１２１に分割されても良い。すなわち、例えば図１５（ａ）に示すように、溶接部１２０ａにおいて平面視でＴ字状に残存部１２２を残存させることにより、薄厚部１２１を３分割したり、図１５（ｂ）に示すように、溶接部１２０ａにおいて平面視で十字状に残存部１２２を残存させることにより、薄厚部１２１を４分割したりしても良い。また、図１５（ｃ）に示すように、溶接部１２０ａにおいて平面視で格子状に残存部１２２を残存させることにより、薄厚部１２１を５分割することなども可能である。
これらの溶接部１２０ａにおいては、図中直線矢印で示すように、それぞれの薄厚部１２１に１箇所ずつレーザが照射されてサポートバー１２０と放熱板１５０が溶接されても良い。このように、薄厚部１２１を複数に分割することにより、溶接箇所を多くしてリードフレーム１００と放熱板１５０の接合信頼性を向上することができる。また、残存部１２２によって薄厚部１２１が区切られているため、レーザを照射する溶接箇所が明確となり、溶接の作業効率を向上することができる。
また、溶接部１２０ａの先端に残存部１２２を残存させても良い。すなわち、例えば図１６（ａ）に示すように、サポートバー１２０の先端よりも後方に薄厚部１２１を形成したり、図１６（ｂ）に示すように、サポートバー１２０の先端よりも後方に形成される薄厚部１２１を中央の残存部１２２によって２分割したりしても良い。
これらの溶接部１２０ａにおいては、図中直線矢印で示すように、薄厚部１２１にレーザが照射されてサポートバー１２０と放熱板１５０が溶接される。また、サポートバー１２０の先端に表面が平坦な残存部１２２が残存するため、半導体チップ２１０の電極からのワイヤ２３０を残存部１２２に接続するワイヤボンディングが可能となる。
図１７は、図１６（ａ）に示した溶接部１２０ａを有する半導体装置の構造の具体例を示す図である。図１７は、サポートバー１２０に沿う位置での半導体装置の断面を示す。図１７に示すように、半導体チップ２１０は、放熱板１５０の搭載面１５０ａに搭載され、ワイヤボンディングによって半導体チップ２１０とサポートバー１２０とが接続される。すなわち、半導体チップ２１０の電極とサポートバー１２０の残存部１２２とがワイヤ２３０によって接続される。このように、サポートバー１２０が半導体チップ２１０に接続されるため、サポートバー１２０を接地配線用のリードとして用いることが可能である。
ところで、サポートバー１２０には、薄厚部１２１が形成されるとともに、残存部１２２を貫通する貫通孔が形成されても良い。貫通孔が形成される場合には、薄厚部１２１に加えて貫通孔も溶接箇所とすることができる。
図１８は、貫通孔が形成される溶接部１２０ａの構造を示す図である。図１８（ａ）は、溶接部１２０ａの斜視図であり、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）のIII－III線における断面を示す図である。
図１８（ａ）に示すように、サポートバー１２０の幅方向の中央に残存する残存部１２２には、サポートバー１２０を厚さ方向に貫通する貫通孔１２２ａが形成される。そして、図１８（ｂ）に示すように、貫通孔１２２ａは断面がテーパ形状になる円錐台形状を有し、図中直線矢印で示すように、残存部１２２の両側の薄厚部１２１に加えて貫通孔１２２ａの内壁面も溶接箇所となり、サポートバー１２０と放熱板１５０が溶接される。
貫通孔１２２ａの底面には放熱板１５０の搭載面１５０ａが露出するため、貫通孔１２２ａにおけるレーザ溶接では、貫通孔１２２ａの内壁面に短時間レーザを照射すれば十分にサポートバー１２０と放熱板１５０を接合することができる。このため、薄厚部１２１及び貫通孔１２２ａの内壁面を溶接箇所とすることにより、溶接箇所の周囲へのレーザの熱の伝達を抑制し、溶接による不要な変形及び損傷を防止することができる。
１００ リードフレーム
１１０ 枠体
１２０ サポートバー
１２０ａ 溶接部
１２１ 薄厚部
１２２ 残存部
１２２ａ 貫通孔
１３０ リード
１４０ タイバー
１５０ 放熱板
２１０ 半導体チップ
２２０ モールド樹脂
２３０ ワイヤ

Claims (10)

  1. 一端部に、第１部分と、前記第１部分より厚さが薄い第２部分とが設けられた支持部と、
    リードと、
    前記第２部分において前記支持部に溶接された放熱板と
    を有することを特徴とするリードフレーム。
  2. 前記支持部は、
    前記一端部の幅方向の中央に設けられた前記第１部分と、
    前記第１部分の両側に形成された前記第２部分と
    を有することを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  3. 前記支持部は、
    前記一端部の幅方向の中央に設けられた前記第１部分と、
    前記第１部分の両側及び前記一端部の先端に設けられた前記第２部分と
    を有することを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  4. 前記支持部は、
    前記第１部分と、
    前記第１部分によって分割された複数の前記第２部分と
    を有することを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  5. 前記支持部は、
    前記一端部の先端に設けられた前記第１部分と、
    前記第１部分よりも前記支持部の他端部側に設けられた前記第２部分と
    を有することを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  6. 前記第１部分が貫通孔を有することを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
  7. リードフレームと、
    前記リードフレームに搭載される半導体素子と、
    前記半導体素子を封止する封止樹脂とを有し、
    前記リードフレームは、
    一端部に、第１部分と、前記第１部分より厚さが薄い第２部分とが設けられた支持部と、
    リードと、
    前記第２部分において前記支持部に溶接された放熱板とを有し、
    前記半導体素子は、
    前記放熱板の一面に搭載されて、前記リードに接続される
    ことを特徴とする半導体装置。
  8. 前記放熱板は、
    前記半導体素子が搭載される一面の反対側の面が前記封止樹脂から露出する
    ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
  9. 前記リードは、
    一部が前記封止樹脂から露出する
    ことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
  10. 金属板から、第１部分及び前記第１部分より厚さが薄い第２部分が一端部に設けられた支持部と、リードとを有するフレーム部材を成形する工程と、
    放熱板を、前記第２部分において前記支持部に溶接する工程と
    を有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
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