TW202338921A - 電腦程式、基板接合系統及基板接合方法 - Google Patents

電腦程式、基板接合系統及基板接合方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202338921A
TW202338921A TW112107200A TW112107200A TW202338921A TW 202338921 A TW202338921 A TW 202338921A TW 112107200 A TW112107200 A TW 112107200A TW 112107200 A TW112107200 A TW 112107200A TW 202338921 A TW202338921 A TW 202338921A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
suction cup
wafer
displacement data
distribution
displacement
Prior art date
Application number
TW112107200A
Other languages
English (en)
Inventor
齊木敬一
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TW202338921A publication Critical patent/TW202338921A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/20—Analysis of motion
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/70—Arrangements for image or video recognition or understanding using pattern recognition or machine learning
    • G06V10/764—Arrangements for image or video recognition or understanding using pattern recognition or machine learning using classification, e.g. of video objects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本發明提供一種可判定固持於吸盤之基板之異物的種類之電腦程式、基板接合系統及基板接合方法。 電腦程式，係使電腦執行以下處理：取得固持於吸盤之基板的表面之複數位置之變位資料、基於取得之變位資料特定出表面之變位之分布，以及基於特定出之分布判定異物之種類。

Description

電腦程式、基板接合系統及基板接合方法
本發明係關於一種電腦程式、基板接合系統及基板接合方法。
專利文獻1中，揭示一種基板處理裝置，包含將基板吸附固持之吸盤、觀察吸附固持於吸盤之基板之與吸盤相接之第1面之相反側之第2面內之複數位置之觀察部，以及解析複數位置之觀察結果之解析部。該解析部，在第2面上存在關於距離吸盤將基板吸附固持之面之高度之特異點時，特定出該特異點在吸盤上之位置。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2020-141034號公報
［發明欲解決之課題］
本發明提供一種可判定固持於吸盤之基板之異物種類之電腦程式、基板接合系統及基板接合方法。 ［解決課題之手段］
依本發明之一態樣之電腦程式，係使電腦執行以下處理：取得固持於吸盤之基板的表面之複數位置之變位資料、基於取得之變位資料特定出該表面之變位之分布，以及基於特定出之分布判定異物之種類。 ［發明效果］
透過本發明，可判定固持於吸盤之基板之異物之種類。
以下，參照圖式說明本發明之實施態樣。在各圖式中，可能對於相同或對應之構成標示相同或對應之符號而省略說明。在以下說明中，X軸方向、Y軸方向、Z軸方向為互相垂直之方向，X軸方向及Y軸方向為水平方向，Z軸方向為鉛直方向。以鉛直軸為旋轉中心之旋轉方向稱為θ方向。在本說明書中，下方指鉛直下方，上方指鉛直上方。
圖1係表示依一實施態樣之接合系統之俯視圖。圖2係表示依一實施態樣之接合系統之側視圖。圖3係表示依一實施態樣之第1基板及第2基板之接合前之狀態之側視圖。圖1所示之接合系統1，係將第1基板W1與第2基板W2接合而形成重合基板T(參照圖7B)。
第1基板W1例如係在矽晶圓或化合物半導體晶圓等半導體基板形成複數之電子電路之基板。又，第2基板W2例如係未形成電子電路之裸晶圓。第1基板W1與第2基板W2具有大致相同之直徑。又，亦可於第2基板W2形成電子電路。
以下，可能將第1基板W1記載為「上晶圓W1」，將第2基板W2記載為「下晶圓W2」，並將重合基板T記載為「重合晶圓T」。又，以下，如圖3所示，上晶圓W1之板面之中，將與下晶圓W2接合之側之板面記載為「接合面W1j」，並將與接合面W1j為相反側之板面記載為「非接合面W1n」。又，下晶圓W2之板面之中，將與上晶圓W1接合之側之板面記載為「接合面W2j」，並將與接合面W2j為相反側之板面記載為「非接合面W2n」。
如圖1所示，接合系統1具備搬入搬出站2及處理站3。搬入搬出站2及處理站3沿著X軸正方向依照搬入搬出站2、處理站3之順序排列配置。又，搬入搬出站2及處理站3連接成一體。
搬入搬出站2具備載置台10及搬運區域20。載置台10具備複數之載置板11。於各載置板11分別載置以水平狀態收納複數片(例如25片)基板之匣盒C1、C2、C3。例如，匣盒C1係收納上晶圓W1之匣盒，匣盒C2係收納下晶圓W2之匣盒，匣盒C3係收納重合晶圓T之匣盒。
搬運區域20鄰接配置於載置台10之X軸正方向側。於搬運區域20設有向Y軸方向延伸之搬運路21，以及可沿著此搬運路21移動之搬運裝置22。搬運裝置22不僅可向Y軸方向移動，亦可向X軸方向移動且可繞Z軸旋轉，並在載置於載置板11之匣盒C1～C3與後述之處理站3之第3處理區塊G3之間，搬運上晶圓W1、下晶圓W2及重合晶圓T。
又，載置於載置板11之匣盒C1～C3之個數不限於圖示者。又，載置板11上除了匣盒C1、C2、C3以外，亦可載置用以回收發生故障之基板之匣盒等。
處理站3中設有具備各種裝置之複數之處理區塊，例如設有3個處理區塊G1、G2、G3。例如在處理站3之正面側(圖1之Y軸負方向側)設置第1處理區塊G1，並在處理站3之背面側(圖1之Y軸正方向側)設置第2處理區塊G2。又，於處理站3之搬入搬出站2側(圖1之X軸負方向側)設置第3處理區塊G3。
於第1處理區塊G1，配置將上晶圓W1及下晶圓W2之接合面W1j、W2j改質之表面改質裝置30。表面改質裝置30將上晶圓W1及下晶圓W2之接合面W1j、W2j中之SiO 2之結合切斷而成為單結合之SiO，藉此將該接合面W1j、W2j改質以使後續易於親水化。
又，表面改質裝置30中，例如在減壓環境下激發處理氣體亦即氧氣或氮氣而使其電漿化、離子化。並且，將該氧離子或氮離子向上晶圓W1及下晶圓W2之接合面W1j、W2j照射，對接合面W1j、W2j進行電漿處理而將其改質。
於第2處理區塊G2配置表面親水化裝置40及接合裝置41。表面親水化裝置40例如透過純水將上晶圓W1及下晶圓W2之接合面W1j、W2j親水化並將接合面W1j、W2j洗淨。表面親水化裝置40中，例如使固持於旋轉吸盤之上晶圓W1或下晶圓W2旋轉，並向該上晶圓W1或下晶圓W2上供給純水。藉此，供給至上晶圓W1或下晶圓W2上之純水在上晶圓W1或下晶圓W2之接合面W1j、W2j上擴散，而使接合面W1j、W2j親水化。
接合裝置41將親水化後之上晶圓W1與下晶圓W2透過分子間力接合。該接合裝置41之構成留待後述。
第3處理區塊G3中，如圖2所示，上晶圓W1、下晶圓W2及重合晶圓T之傳遞(TRS)裝置50、51從下方依序設置2層。
又，如圖1所示，在被第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3包圍之區域，形成搬運區域60。搬運區域60中配置搬運裝置61。搬運裝置61例如具有可向鉛直方向、水平方向及繞鉛直軸自由移動之搬運手臂。搬運裝置61在搬運區域60內移動，並向鄰接於搬運區域60之第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3內之既定之裝置搬運上晶圓W1、下晶圓W2及重合晶圓T。
又，如圖1所示，接合系統1具備控制裝置70及資訊處理裝置80。控制裝置70控制接合系統1之動作。控制裝置70例如由電腦構成，並具有CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)71、記憶體等記錄媒體72、輸入介面73及輸出介面74。控制裝置70使CPU71執行儲存於記錄媒體72之程式，而進行各種控制。又，控制裝置70透過輸入介面73接收來自外部之信號，並透過輸出介面74向外部傳送信號。控制裝置70係解析部之一例。
控制裝置70之程式儲存於資訊記錄媒體，並從資訊記錄媒體安裝。作為資訊記錄媒體，例如可舉出硬碟(HD)、軟磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。又，程式亦可經由網際網路從伺服器下載並安裝。資訊處理裝置80之細節留待後述。
圖4係表示依一實施態樣之接合裝置之俯視圖。圖5係表示依一實施態樣之接合裝置之側視圖。
如圖4所示，接合裝置41具有可將內部密閉之處理容器100。於處理容器100之搬運區域60側之側面，形成上晶圓W1、下晶圓W2及重合晶圓T之搬入搬出口101，並於該搬入搬出口101設有開閉門102。處理容器100係處理室之一例。
於處理容器100之內部，設有從上方吸附固持上晶圓W1之頂面(非接合面W1n)之上吸盤140，以及載置下晶圓W2並從下方吸附固持下晶圓W2之底面(非接合面W2n)之下吸盤141。下吸盤141設於上吸盤140之下方，並可與上吸盤140相向配置。上吸盤140與下吸盤141在鉛直方向分離配置。
如圖5所示，上吸盤140被固持於設在上吸盤140上方之上吸盤固持部150。上吸盤固持部150設於處理容器100之頂棚面。上吸盤140經由上吸盤固持部150固定於處理容器100。
於上吸盤固持部150設有對固持於下吸盤141之下晶圓W2之頂面(接合面W2j)進行攝影之上部攝影部151A。上部攝影部151A例如使用CCD攝影機。於上吸盤固持部150更設有測定固持於下吸盤141之下晶圓W2之頂面(接合面W2j)之變位之上部變位計151B。上部變位計151B例如使用LED變位計。上部攝影部151A係攝影裝置之一例，上部變位計151B係變位計之一例。
下吸盤141受到設於下吸盤141下方之第1下吸盤移動部160支持。第1下吸盤移動部160如後述般使下吸盤141向水平方向(Y軸方向)移動。又，第1下吸盤移動部160可使下吸盤141向鉛直方向自由移動及繞鉛直軸旋轉。
於第1下吸盤移動部160，設有對固持於上吸盤140之上晶圓W1之底面(接合面W1j)進行攝影之下部攝影部161A(參照圖5)。下部攝影部161A例如使用CCD攝影機。於第1下吸盤移動部160更設有測定固持於上吸盤140之上晶圓W1之底面(接合面W1j)之變位之下部變位計161B。下部變位計161B例如使用LED變位計。
第1下吸盤移動部160安裝在設於第1下吸盤移動部160之底面側並向水平方向(Y軸方向)延伸之一對軌道162、162。第1下吸盤移動部160可沿著軌道162自由移動。
一對軌道162、162裝設於第2下吸盤移動部163。第2下吸盤移動部163安裝在設於第2下吸盤移動部163之底面側並向水平方向(X軸方向)延伸之一對軌道164、164。並且，第2下吸盤移動部163可沿著軌道164向水平方向(X軸方向)自由移動。又，一對軌道164、164裝設於設在處理容器100之底面之載置台165上。
第1下吸盤移動部160及第2下吸盤移動部163等構成定位部166。定位部166藉由使下吸盤141向X軸方向、Y軸方向及θ方向移動，而進行固持於上吸盤140之上晶圓W1與固持於下吸盤141之下晶圓W2之水平方向定位。又，定位部166藉由使下吸盤141向Z軸方向移動，進行固持於上吸盤140之上晶圓W1與固持於下吸盤141之下晶圓W2之鉛直方向定位。
又，本實施態樣之定位部166，藉由使下吸盤141向X軸方向、Y軸方向及θ方向移動，進行上晶圓W1與下晶圓W2之水平方向定位，但本發明不限於此。定位部166只要可使上吸盤140與下吸盤141相對地向X軸方向、Y軸方向及θ方向移動即可。例如，定位部166亦可在使下吸盤141向X軸方向及Y軸方向移動的同時，使上吸盤140向θ方向移動，而進行上晶圓W1與下晶圓W2之水平方向定位。
又，本實施態樣之定位部166藉由使下吸盤141向Z軸方向移動而進行上晶圓W1與下晶圓W2之鉛直方向定位，但本發明不限於此。定位部166只要可使上吸盤140與下吸盤141相對地向Z軸方向移動即可。例如，定位部166亦可使上吸盤140向Z軸方向移動而進行上晶圓W1與下晶圓W2之鉛直方向定位。
圖6係表示依一實施態樣之上吸盤及下吸盤之剖面圖，且係上晶圓與下晶圓之即將接合之狀態之剖面圖。圖7A係表示依一實施態樣之上晶圓與下晶圓之接合途中之狀態之剖面圖。圖7B係表示依一實施態樣之上晶圓與下晶圓之接合結束時之狀態之剖面圖。在圖6、圖7A及圖7B中，以實線表示之箭頭表示真空泵吸引空氣之吸引方向。
上吸盤140及下吸盤141例如係真空吸盤。上吸盤140在與下吸盤141相向之面(底面)具有吸附上晶圓W1之吸附面140a。另一方面，下吸盤141在與上吸盤140相向之面(頂面)具有吸附下晶圓W2之吸附面141a。
上吸盤140具有吸盤基座170。吸盤基座170具有與上晶圓W1相同之直徑或大於上晶圓W1之直徑。吸盤基座170受到支持構件180支持。支持構件180在俯視下以至少覆蓋吸盤基座170之方式設置，並且例如透過螺紋咬合固定於吸盤基座170。支持構件180受到設於處理容器100之頂棚面之複數之支持柱181(參照圖5)支持。支持構件180及複數之支持柱181構成上吸盤固持部150。
於支持構件180及吸盤基座170，形成在鉛直方向貫通支持構件180及吸盤基座170之貫通孔176。貫通孔176之位置對應於吸附固持於上吸盤140之上晶圓W1之中心部。該貫通孔176中插入撞針190之推壓銷191。
撞針190配置於支持構件180之頂面，並具備推壓銷191、致動器部192及直動機構193。推壓銷191係沿著鉛直方向延伸之圓柱狀構件，並受到致動器部192支持。
致動器部192例如藉由從電動氣動調整器(未圖示)供給之空氣而向固定方向(此處為鉛直下方)產生固定壓力。致動器部192可藉由從電動氣動調整器供給之空氣，與上晶圓W1之中心部抵接並控制施加於該上晶圓W1的中心部之推壓負重。又，推壓銷191之前端部藉由來自電動氣動調整器之空氣，插入貫通孔176並在鉛直方向自由升降。
致動器部192支持於直動機構193。直動機構193例如透過內建馬達之驅動部使致動器部192向鉛直方向移動。
撞針190以如上方式構成，其透過直動機構193控制致動器部192之移動，並透過致動器部192控制推壓銷191對於上晶圓W1之推壓負重。
撞針190將吸附固持於上吸盤140之上晶圓W1與吸附固持於下吸盤141之下晶圓W2壓押貼合。具體而言，撞針190使吸附固持於上吸盤140之上晶圓W1變形而與下晶圓W2壓押貼合。
於吸盤基座170之底面，設有與上晶圓W1之非接合面W1n接觸之複數之銷171。吸盤基座170、複數之銷171等構成上吸盤140。上吸盤140之將上晶圓W1吸附固持之吸附面140a在徑方向劃分為複數之區域，並對於劃分出之每個區域進行吸附力之產生及吸附力之解除。
又，下吸盤141可與上吸盤140以相同方式構成。下吸盤141具有與下晶圓W2之非接合面W2n接觸之複數之銷。下吸盤141之吸附固持下晶圓W2之吸附面141a在徑方向上劃分為複數之區域，並對於劃分出之每個區域進行吸附力之產生及吸附力之解除。
圖8係表示依一實施態樣之接合系統所執行之處理之一部分之流程圖。又，圖8所示之各種處理係在控制裝置70之控制下執行。
首先，將收納複數片上晶圓W1之匣盒C1、收納複數片下晶圓W2之匣盒C2及空的匣盒C3載置於搬入搬出站2之既定之載置板11。然後，透過搬運裝置22將匣盒C1內之上晶圓W1取出，並搬運至處理站3之第3處理區塊G3之傳遞裝置50。
接著，透過搬運裝置61將上晶圓W1搬運至第1處理區塊G1之表面改質裝置30。表面改質裝置30中，在既定之減壓環境下激發處理氣體亦即氧氣而將其電漿化及離子化。該氧離子照射至上晶圓W1之接合面W1j，而對該接合面W1j進行電漿處理。藉此，將上晶圓W1之接合面W1j改質(步驟S101)。
接著，透過搬運裝置61將上晶圓W1搬運至第2處理區塊G2之表面親水化裝置40。表面親水化裝置40中，使固持於旋轉吸盤之上晶圓W1旋轉，並向該上晶圓W1上供給純水。如此，使供給之純水在上晶圓W1之接合面W1j上擴散，使羥基(矽醇基)附著於在表面改質裝置30中受到改質之上晶圓W1之接合面W1j，而將該接合面W1j親水化(步驟S102)。又，透過用於接合面W1j之親水化之純水，將上晶圓W1之接合面W1j洗淨。
接著，透過搬運裝置61將上晶圓W1搬運至第2處理區塊G2之接合裝置41(步驟S103)。此時，將上晶圓W1正反面翻轉並進行搬運。亦即，上晶圓W1之接合面W1j朝向下方。
然後，在接合裝置41內，搬運裝置61之搬運手臂向上吸盤140之下方移動。然後，從搬運手臂將上晶圓W1傳遞至上吸盤140。上晶圓W1以非接合面W1n與上吸盤140相接之面向，吸附固持於上吸盤140(步驟S104)。
對上晶圓W1進行上述步驟S101～S104之處理之期間，進行下晶圓W2之處理。首先，透過搬運裝置22取出匣盒C2內之下晶圓W2，並搬運至處理站3之傳遞裝置50。
接著，透過搬運裝置61將下晶圓W2搬運至表面改質裝置30，並將下晶圓W2之接合面W2j改質(步驟S105)。又，步驟S105中之下晶圓W2之接合面W2j之改質與上述步驟S101相同。
然後，透過搬運裝置61將下晶圓W2搬運至表面親水化裝置40，並將下晶圓W2之接合面W2j親水化(步驟S106)。又，透過用於接合面W2j之親水化之純水將接合面W2j洗淨。又，步驟S106中之下晶圓W2之接合面W2j之親水化，與上述步驟S102中之上晶圓W1之接合面W1j之親水化相同。
然後，透過搬運裝置61將下晶圓W2搬運至接合裝置41(步驟S107)。
然後，在接合裝置41內，搬運裝置61之搬運手臂移動至下吸盤141之上方。然後，從搬運手臂將下晶圓W2傳遞至下吸盤141。下晶圓W2以非接合面W2n與下吸盤141相接之面向吸附固持於下吸盤141(步驟S108)。
接著，進行固持於上吸盤140之上晶圓W1與固持於下吸盤141之下晶圓W2之水平方向之位置調節(步驟S109)。此定位中，利用預先形成於上晶圓W1之接合面W1j之定位記號W1a、W1b、W1c及預先形成於下晶圓W2之接合面W2j之定位記號W2a、W2b、W2c。
接著，進行固持於上吸盤140之上晶圓W1與固持於下吸盤141之下晶圓W2之鉛直方向位置之調節(步驟S110)。具體而言，定位部166使下吸盤141向鉛直上方移動，而使下晶圓W2接近上晶圓W1。藉此，如圖6所示，將下晶圓W2之接合面W2j與上晶圓W1之接合面W1j之間隔WS1調整為既定之距離，例如50μm～200μm。例如，間隔WS1可利用上部變位計151B及下部變位計161B進行測定。
接著，解除上吸盤140對於上晶圓W1之中央部之吸附固持後(步驟S111)，如圖7A所示，使撞針190之推壓銷191下降，而將上晶圓W1之中心部下壓(步驟S112)。上晶圓W1之中心部與下晶圓W2之中心部接觸，上晶圓W1之中心部與下晶圓W2之中心部受到既定之力推壓時，受到推壓之上晶圓W1之中心部與下晶圓W2之中心部之間開始接合。然後，產生將上晶圓W1與下晶圓W2從中心部向外周部逐漸接合之接合波。
此處，分別在步驟S101、S105將上晶圓W1之接合面W1j及下晶圓W2之接合面W2j改質，故首先於接合面W1j、W2j間產生凡得瓦力(分子間力)而將該接合面W1j、W2j彼此接合。再者，分別在步驟S102、S106將上晶圓W1之接合面W1j及下晶圓W2之接合面W2j親水化，故接合面W1j、W2j之間的親水基產生氫結合，而將接合面W1j、W2j彼此強力接合。
然後，在透過推壓銷191推壓上晶圓W1之中心部與下晶圓W2之中心部之狀態下，解除上吸盤140對於上晶圓W1整體之吸附固持(步驟S113)。藉此，如圖7B所示，使上晶圓W1之接合面W1j與下晶圓W2之接合面W2j整個面接觸，而使上晶圓W1與下晶圓W2接合。然後，使推壓銷191上升至上吸盤140，並解除下吸盤141對於下晶圓W2之吸附固持。
然後，透過搬運裝置61將重合晶圓T搬運至第3處理區塊G3之傳遞裝置51，然後，透過搬入搬出站2之搬運裝置22搬運至匣盒C3。如此，結束一系列之接合處理。
在圖8所例示之處理途中，例如，在下吸盤141對於下晶圓W2之吸附固持(步驟S108)之後，且在上晶圓W1與下晶圓W2之水平方向位置調節(步驟S109)之前，進行異物檢查。如圖6所示，在上晶圓W1與下晶圓W2接近並接合之過程中，例如，假設在非接合面W2n上附著有異物之狀態下將下晶圓W2吸附固持於下吸盤141。此情況下，下晶圓W2歪曲而在下晶圓W2中產生隆起。故，在下晶圓W2與上晶圓W1之間產生空洞。以下，說明判定異物之種類之方法。
圖1所例示之資訊處理裝置80進行判定異物之種類之處理。資訊處理裝置80具備控制裝置整體之控制部81、介面部82、峰值偵測部83、預處理部84、分布特定部85、記錄媒體讀取部86、判定部87、記憶體88及儲存部89。儲存部89儲存電腦程式90。
控制部81可由CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)、MPU(Micro-Processing Unit，微處理單元)、GPU(Graphics Processing Unit，圖形處理單元)等構成。控制部81可執行電腦程式90所指定之處理。亦即，控制部81進行之處理相當於電腦程式90進行之處理。
峰值偵測部83、預處理部84、分布特定部85及判定部87可由硬體構成，亦可由軟體(電腦程式90)實現，或者亦可由硬體及軟體之雙方構成。資訊處理裝置80可由複數之裝置構成。
記憶體88可由SRAM(Static Random Access Memory，靜態隨機存取記憶體)、DRAM(Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體)、快閃記憶體等半導體記憶體構成。將電腦程式90解壓縮至記憶體88，可使控制部81執行電腦程式90。
儲存部89例如可由硬碟或半導體記憶體等構成，並可儲存所需之資訊(例如，資訊處理裝置80之處理途中之資料及處理結果等)。
記錄媒體讀取部86例如可由光碟機構成。可透過記錄媒體讀取部86讀取記錄於記錄媒體91(例如，CD-ROM等可讀取光碟記錄媒體)之電腦程式90(程式製品)並儲存於儲存部89。電腦程式90在記憶體88展開，並透過控制部81執行。又，電腦程式90亦可從外部之裝置下載並儲存於儲存部89。
介面部82具有作為取得部之機能，其取得固持於吸盤(例如，下吸盤141)之基板(例如，下晶圓W2)之表面(例如，接合面W2j)之複數位置之變位資料。
圖9係表示依一實施態樣之下晶圓W2之接合面W2j之觀察方法之一例之圖。如圖9所示，掃描下晶圓W2之整個頂面(接合面W2j)，並透過上部變位計151B測定下晶圓W2之接合面W2j之Z軸方向之變位(高度)。具體而言，掃描包含下晶圓W2之各直線L及下晶圓W2之邊緣附近。介面部82從上部變位計151B取得變位資料。
圖10係表示依一實施態樣之變位資料之一例之圖。圖中，縱軸表示下晶圓W2之頂面之變位(高度)，橫軸表示變位之測定點亦即索引(位置)。圖10例如表示下晶圓W2之一條直線L之變位資料。圖10A表示下晶圓W2之底面(非接合面W2n)附著有異物之情況，圖10B表示下吸盤141之傾斜(與下晶圓W2之底面之異物不同)之情況。
如圖10A及圖10B所示，無論在何者之情況，可知變位資料之分布在下晶圓W2之頂面之廣範圍內歪曲，並於下晶圓W2產生了隆起。但，如圖10A及圖10B所示，僅透過下晶圓W2之頂面之歪曲及隆起，無法判定係存在於下晶圓W2之底面(非接合面W2n)之異物，或者係該異物以外之其他異常。如以下之說明，透過本實施態樣之資訊處理裝置80，可判定異物之種類。
圖11係表示依一實施態樣之資訊處理裝置80之處理順序之一例之圖。為求方便，將處理之主體作為控制部81進行說明。控制部81取得下晶圓W2之頂面(表面)之變位資料(S121)，並將取得之變位資料整順(S122)。變位資料之整順，係將變位資料之中下晶圓W2之頂面以外之資料排除之處理。控制部81對變位資料進行峰值偵測(S123)。
圖12係表示依一實施態樣之峰值偵測之一例之圖。峰值偵測部83對下晶圓W2之每一直線L特定出變位資料之極大值並偵測峰值。藉此，峰值偵測部83對下晶圓W2之全部測定點進行峰值偵測。峰值偵測係將一條直線L之測定點的變位之中成為最大值之點偵測為峰值。換言之，存在複數極大值時，將極大值之中的最大值偵測為峰值。亦即，峰值判定點之前後的點全部較小時，將該峰值判定點偵測為峰值。藉此，如圖12B所示，存在複數之極大點之情況亦可精確偵測峰值。
控制部81進行作為預處理之趨勢去除(S124)。
圖13係表示依一實施態樣之趨勢去除之一例之圖。預處理部84判定變位資料有無傾斜成分(趨勢)，在有傾斜成分之情況，從變位資料去除傾斜成分。圖13A表示趨勢去除前之變位資料，圖13B表示趨勢去除後之變位資料。趨勢去除只要可從變位資料去除傾斜成分(圖中線段TR之變位成分)即可。藉由進行趨勢去除，可高精度地判定異物之種類。又，圖13之例中，呈現朝向右下之趨勢，但不限於此，亦存在朝向左下之趨勢。
控制部81進行作為預處理之正規化(S125)。
圖14係表示依一實施態樣之正規化之一例之圖。預處理部84進行變位資料之正規化。圖14A表示正規化前之2個變位資料(以符號O及X表示)。圖14B係將符號O之變位資料正規化者，對於每個索引之變位資料於0～1之範圍正規化。又，圖14C係將符號X之變位資料正規化者，對於每個索引之變位資料在0～1之範圍正規化。將變位之峰值相異的2個變位資料，變換成峰值為1之變位資料，可維持變位資料之分布形狀並使作為判定基準之變位一致。
控制部81進行曲線擬合(S126)。曲線擬合係對變位資料進行回歸分析並生成回歸模型之處理。本實施態樣中，探索使變位資料與高斯分布擬合之因數。高斯分布f(x)可由f(x)＝a×exp{-(x-μ) 2／(2σ 2)}表示。此處，x為變位，μ為平均，σ 2表示分散。變位資料經過正規化，故高斯分布之(最大值-最小值)固定為1，最大值之位置固定於峰值偵測所得之索引位置，曲線擬合之因數為(2σ 2)之部分。
圖15表示依一實施態樣之曲線擬合之一例之圖。分布特定部85具有作為特定部之機能，基於變位資料特定出下晶圓W2之頂面之變位分布。如上所述，在表示高斯分布之式中，藉由使因數(2σ 2)變動，對變位資料進行高斯分布之曲線擬合。圖15之例中，對於以符號X表示之變位資料，擬合以符號F1、F2、F3表示之3條曲線。圖15之例中，以符號F2表示之曲線最為擬合。又，擬合之曲線之數量不限於3條。
控制部81計算決定係數(S127)。
圖16係表示依一實施態樣之決定係數計算之一例之圖。分布特定部85計算決定係數。具體而言，分布特定部85基於對變位資料進行回歸分析而得之回歸模型之第1殘差平方和，以及基於變位資料及變位資料之平均值之第2殘差平方和，計算決定係數。決定係數R2可由R2＝［1-{Σ(Dmeas-Dsim) 2}／{Σ(Dmeas-Dave) 2}］計算。此處，{Σ(Dmeas-Dsim) 2}係回歸模型之第1差平方和，Dmeas係測定出之變位(變位資料)，Dsim係以回歸模型擬合之變位。回歸模型係高斯模型F。{Σ(Dmeas-Dave) 2}係變位資料之平均Dave與變位資料Dmeas之第2殘差平方和。
決定係數係0以上、1以下之值。回歸分析亦即高斯分布之適用(擬合)良好時，決定係數為較大之值，反之，高斯分布之適用(擬合)不良時，決定係數為較小之值。從而，分布特定部85可藉由判定決定係數之大小，而基於決定係數判定變位資料之分布是否近似於高斯分布。
控制部81判定異物之種類(S128)。判定部87基於分布特定部85所特定出之分布判定異物之種類。具體而言，判定部87在分布特定部85所特定出之分布近似於高斯分布時，判定基板(下晶圓W2)與吸盤(下吸盤141)之間存在異物。藉此，可防止在下晶圓W2之非接合面W2n上附著有異物之狀態下將下晶圓W2吸附固持於下吸盤141，而防止下晶圓W2歪曲及下晶圓W2產生隆起而在下晶圓W2與上晶圓W1之間產生空洞。
圖17係表示依一實施態樣之下晶圓W2與下吸盤141之間的異物之一例之圖。圖17A表示無晶圓及吸盤之傾斜，且下晶圓W2與下吸盤141之間存在異物時之變位資料。圖17B表示在下晶圓W2與下吸盤141之間且在晶圓之端部存在異物時之變位資料。符號WO表示晶圓外。透過本實施態樣，判定部87在變位資料之分布近似於高斯分布時，即使係如圖17A、17B所示之變位資料之分布，仍可高精度地判定出下晶圓W2與下吸盤141之間存在異物。
圖18係表示依一實施態樣之下晶圓W2與下吸盤141之間的異物以外之異常之一例之圖。圖18A表示下晶圓W2之非接合面W2n無異物但接合面W2j存在異物時之變位資料。圖18B係表示下晶圓W2之非接合面W2n無異物但下晶圓W2端部之切割形狀呈現異常的變位資料。透過本實施態樣，可抑制基於如圖18A及圖18B所示之變位資料而錯誤判定下晶圓W2與下吸盤141之間存在異物。
控制部81判定是否存在其他峰值(S129)，存在其他峰值時(S129為「是」)，繼續步驟S124以後之處理。無其他峰值時(S129為「否」)，控制部81結束處理。
以上，詳細說明了較佳之實施態樣等，但本發明不限於上述之實施態樣等，可不脫離申請專利範圍所記載之範圍而對上述之實施態樣等進行各種變形及置換。
1:接合系統 2:搬入搬出站 3:處理站 10:載置台 11:載置板 20:搬運區域 21:搬運路 22:搬運裝置 30:表面改質裝置 40:表面親水化裝置 41:接合裝置 50,51:傳遞裝置 60:搬運區域 61:搬運裝置 70:控制裝置 71:CPU 72:記錄媒體 73:輸入介面 74:輸出介面 80:資訊處理裝置 81:控制部 82:介面部 83:峰值偵測部 84:預處理部 85:分布特定部 86:記錄媒體讀取部 87:判定部 88:記憶體 89:儲存部 90:電腦程式 91:記錄媒體 100:處理容器 101:搬入搬出口 102:開閉門 140:上吸盤 140a:吸附面 141:下吸盤 141a:吸附面 150:上吸盤固持部 151A:上部攝影部 151B:上部變位計 160:第1下吸盤移動部 161A:下部攝影部 161B:下部變位計 162:軌道 163:第2下吸盤移動部 164:軌道 165:載置台 166:定位部 170:吸盤基座 171:銷 176:貫通孔 180:支持構件 181:支持柱 190:撞針 191:推壓銷 192:致動器部 193:直動機構 W1:上晶圓 W2:下晶圓 W1j,W2j:接合面 W1n,W2n:非接合面 T:重合晶圓 C1,C2,C3:匣盒 G1:第1處理區塊 G2:第2處理區塊 G3:第3處理區塊 WS1:間隔 L:直線 TR:線段 F:高斯模型 F1,F2,F3:曲線 Dmeas:變位(變位資料) Dsim:變位 Dave:平均 S101~S113:步驟 S121~S129:步驟
圖1係表示依一實施態樣之接合系統之俯視圖。 圖2係表示依一實施態樣之接合系統之側視圖。 圖3係表示依一實施態樣之第1基板及第2基板之接合前之狀態之側視圖。 圖4係表示依一實施態樣之接合裝置之俯視圖。 圖5係表示依一實施態樣之接合裝置之側視圖。 圖6係表示依一實施態樣之上吸盤及下吸盤之剖面圖，且係表示上晶圓與下晶圓即將接合時之狀態之剖面圖。 圖7A、B係表示依一實施態樣之上晶圓與下晶圓之接合途中之狀態之剖面圖。 圖8係表示依一實施態樣之接合系統所執行之處理的一部分之流程圖。 圖9係表示依一實施態樣之下晶圓之接合面之觀察方法之一例之圖。 圖10A、B係表示依一實施態樣之變位資料之一例之圖。 圖11係表示依一實施態樣之資訊處理裝置之處理順序之一例之圖。 圖12A、B係表示依一實施態樣之峰值偵測之一例之圖。 圖13A、B係表示依一實施態樣之趨勢去除之一例之圖。 圖14A、B、C係表示依一實施態樣之正規化之一例之圖。 圖15係表示依一實施態樣之曲線擬合之一例之圖。 圖16係表示依一實施態樣之決定係數計算之一例之圖。 圖17A、B係表示依一實施態樣之下晶圓與下吸盤之間的異物之一例之圖。 圖18A、B係表示依一實施態樣之下晶圓與下吸盤之間的異物以外之異常之一例之圖。
1:接合系統
2:搬入搬出站
3:處理站
10:載置台
11:載置板
20:搬運區域
21:搬運路
22:搬運裝置
30:表面改質裝置
40:表面親水化裝置
41:接合裝置
60:搬運區域
61:搬運裝置
70:控制裝置
71:CPU
72:記錄媒體
73:輸入介面
74:輸出介面
80:資訊處理裝置
81:控制部
82:介面部
83:峰值偵測部
84:預處理部
85:分布特定部
86:記錄媒體讀取部
87:判定部
88:記憶體
89:儲存部
90:電腦程式
91:記錄媒體
W1:上晶圓
W2:下晶圓
T:重合晶圓
C1,C2,C3:匣盒
G1:第1處理區塊
G2:第2處理區塊
G3:第3處理區塊

Claims (8)

  1. 一種電腦程式，係使電腦執行以下處理： 取得固持於吸盤之基板的表面之複數位置之變位資料； 基於取得之變位資料，特定出該表面之變位之分布；以及， 基於特定出之分布，判定異物之種類。
  2. 如請求項1所述之電腦程式，更使電腦執行以下處理： 在該分布近似於高斯分布時，判定為該基板與該吸盤之間存在異物。
  3. 如請求項1或請求項2所述之電腦程式，更使電腦執行以下處理： 基於對該變位資料進行回歸分析而得到的回歸模型之第1殘差平方和，以及基於該變位資料及該變位資料之平均值之第2殘差平方和，計算決定係數；以及， 基於計算出之該決定係數，判定該分布是否近似於高斯分布。
  4. 如請求項1或請求項2所述之電腦程式，更使電腦執行以下處理： 特定出該變位資料之極大值；以及， 特定出以特定出之該極大值為峰值之該分布；
  5. 如請求項1或請求項2所述之電腦程式，更使電腦執行以下處理： 判定該變位資料有無傾斜成分；以及， 在具有傾斜成分時，基於去除該傾斜成分後之變位資料，特定出該表面之變位之分布。
  6. 如請求項1或請求項2所述之電腦程式，更使電腦執行以下處理： 將該變位資料正規化；以及， 基於正規化後之變位資料，特定出該表面之變位之分布。
  7. 一種基板接合系統，包含： 接合裝置，包含在鉛直方向上分離配置之下吸盤及上吸盤，並將固持於該下吸盤之基板與固持於該上吸盤之基板接合；以及， 資訊處理裝置； 該資訊處理裝置包含： 取得部，取得固持於該下吸盤之基板的表面之複數位置之變位資料； 特定部，基於取得之變位資料，特定出該表面之變位之分布；以及， 判定部，基於特定出之分布，判定異物之種類。
  8. 一種基板接合方法，包含以下步驟： 將基板分別固持於在鉛直方向分離配置之下吸盤及上吸盤； 取得固持於該下吸盤之基板的表面之複數位置之變位資料； 基於取得之變位資料特定出該表面之變位之分布； 基於特定出之分布判定異物之種類；以及， 在無異物時，將分別固持於該下吸盤及該上吸盤之基板接合。
TW112107200A 2022-03-10 2023-03-01 電腦程式、基板接合系統及基板接合方法 TW202338921A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022037477A JP2023132256A (ja) 2022-03-10 2022-03-10 コンピュータプログラム、基板接合システム及び基板接合方法
JP2022-037477 2022-03-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202338921A true TW202338921A (zh) 2023-10-01

Family

ID=87917506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112107200A TW202338921A (zh) 2022-03-10 2023-03-01 電腦程式、基板接合系統及基板接合方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230290659A1 (zh)
JP (1) JP2023132256A (zh)
KR (1) KR20230133229A (zh)
CN (1) CN116739966A (zh)
TW (1) TW202338921A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7390794B2 (ja) 2019-02-27 2023-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び接合方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20230290659A1 (en) 2023-09-14
JP2023132256A (ja) 2023-09-22
CN116739966A (zh) 2023-09-12
KR20230133229A (ko) 2023-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102447744B1 (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP7066559B2 (ja) 接合装置および接合方法
KR20170137613A (ko) 도금 장치, 기판 홀더, 도금 장치의 제어 방법, 및 도금 장치의 제어 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 저장한 기억 매체
WO2020226095A1 (ja) 接合装置、接合システム及び接合方法
JP2015018920A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR20240024371A (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP2015018919A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2020127046A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体
JP2021141115A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法および記憶媒体
TW201638992A (zh) 接合裝置、接合系統及接合方法
JP7390794B2 (ja) 基板処理装置及び接合方法
WO2020226093A1 (ja) 接合装置、接合システム及び接合方法
US20160001543A1 (en) Bonding device, bonding system, and bonding method
TW202338921A (zh) 電腦程式、基板接合系統及基板接合方法
JP2023184648A (ja) 接合システム
JP6685153B2 (ja) 接合装置および接合システム
JP6182476B2 (ja) 気泡除去装置、気泡除去方法および接合システム
JP6244188B2 (ja) 接合装置、接合方法および接合システム
JP3303968B2 (ja) ウエハと接触子の位置合わせ装置
JP7296740B2 (ja) 基板処理装置
WO2020196011A1 (ja) 接合装置および接合方法
WO2024075566A1 (ja) 接合装置、接合システム及び接合方法
JP7297074B2 (ja) 検査装置の自己診断方法および検査装置
JP2023154157A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法および記憶媒体
KR102569167B1 (ko) 자외선 처리 장치, 접합 시스템, 자외선 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체