TW202336007A - 液晶配向劑、液晶配向膜、液晶元件、聚合物及化合物 - Google Patents

液晶配向劑、液晶配向膜、液晶元件、聚合物及化合物 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種液晶配向劑，其顯示出良好的塗布性且可獲得不易產生由殘留電荷的蓄積所引起的殘像的液晶元件。一種液晶配向劑，含有選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的一種以上的聚合物（P）。一種液晶配向劑，滿足必要條件（I）及必要條件（II）中的至少任一個。必要條件（I）：含有在同一分子內包含部分結構（A）與部分結構（B）的化合物；必要條件（II）：含有在不同的分子內包含部分結構（A）與部分結構（B）的化合物；部分結構（A）：選自由特定的取代雜環結構、醌結構及四氰基醌二甲烷結構所組成的群組中的至少一種；部分結構（B）：選自由下述式（b1）所表示的部分結構及吩噻嗪結構所組成的群組中的至少一種。

Description

液晶配向劑、液晶配向膜、液晶元件、聚合物及化合物
本發明涉及一種液晶配向劑、液晶配向膜、液晶元件、聚合物及化合物。
液晶元件被應用於從液晶電視或訊息顯示器（information display）等等相對大型的顯示裝置到智能手機等小型的顯示裝置的廣泛用途中。液晶元件的性能由液晶的配向性或預傾角的大小、電壓保持率等各種特性決定。為了提高液晶元件的性能，以往對用於使液晶沿一定方向排列的液晶配向膜進行了改良。
當通過對液晶元件施加電壓而電荷蓄積於液晶單元內時，擔心以殘像（直流（Direct Current，DC）殘像）的形式被觀察者視認到，液晶元件的顯示品質降低。因此，作為對液晶配向膜所要求的特性之一，可列舉殘留電荷的蓄積少。
因此，以往提出了各種用於抑制液晶單元內的殘留電荷的蓄積並改善液晶元件的顯示品質的技術（例如，參照專利文獻1或專利文獻2）。在專利文獻1中公開了通過使液晶配向劑含有如下聚醯胺酸，即N4,N4'-雙(4-胺基苯基)-聯苯胺之類的包含含氮二胺的二胺化合物與四羧酸二酐反應而獲得的聚醯胺酸來實現蓄積電荷的減低。在專利文獻2中公開了通過使液晶配向劑含有由如下二胺，即具有通過胺基而鍵結有咔唑結構與苯環的結構的二胺獲得的聚合物而獲得蓄積電荷的緩和快的液晶配向膜。
[現有技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1] 日本專利特開2008-107811號公報 [專利文獻2] 國際公開第2018/110354號
[發明所欲解決之課題]
近年來，廣泛使用經大畫面化或高精細化的液晶顯示器件。在這些用途中，較以往而言進一步要求更高的顯示均勻性或殘像少。因此，關於液晶配向膜，要求能夠使用顯示出優異的塗布性（印刷性）的液晶配向劑來形成，而且殘留電荷的蓄積少。另一方面，在如以往那樣通過將三級胺或含氮芳香族雜環導入到液晶配向膜中來減低蓄積於液晶元件中的殘留電荷的方法中，出現如下情況：通過聚合物成分所具有的官能基（例如，羧基）與含氮化合物相互作用而引起溶解性的降低，從而難以應對近年來的高塗布性。
另外，伴隨著近年來的液晶器件的多用途化，要求開發更不易產生殘像的液晶元件。為了抑制殘像的產生來實現液晶元件的高品質化，而要求電荷不易蓄積於液晶單元中且所蓄積的電荷可迅速得到緩和。
本發明的目的在於提供一種液晶配向劑，其顯示出良好的塗布性且可獲得不易產生由殘留電荷的蓄積所引起的殘像的液晶元件。 [解決課題之手段]
本發明人等人進行了努力研究，結果發現，通過將特定的結構單元導入到液晶配向膜中而可解決所述課題，從而完成了本發明。具體而言，可通過本發明來提供以下手段。
＜1＞ 一種液晶配向劑，滿足下述必要條件（I）及必要條件（II）中的至少任一個。 必要條件（I）：含有在同一分子內包含下述部分結構（A）與部分結構（B）的化合物； 必要條件（II）：含有在不同的分子內包含下述部分結構（A）與部分結構（B）的化合物； 部分結構（A）：選自由與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基取代的取代雜環結構、醌結構及四氰基醌二甲烷結構所組成的群組中的至少一種； 部分結構（B）：選自由下述式（b1）所表示的部分結構及吩噻嗪結構所組成的群組中的至少一種； [化1] （式（b1）中，X 1、B 1及X 2滿足下述[i]或[ii]；「*」表示鍵結鍵； [i]X 1為芳香環基；B 1為-NY 3-或芳香族雜環基；X 2及Y 3是X 2為芳香環基且Y 3為氫原子或一價有機基、或者表示X 2與Y 3相互結合並與X 2及Y 3所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構；其中，所述含氮稠環結構具有芳香環，B 1中的氮原子與所述含氮稠環結構中的芳香環鍵結； [ii]B 1為-NY 3-；Y 3為氫原子或一價有機基；X 1及X 2表示相互結合並與X 1及X 2所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構；其中，所述含氮稠環結構具有多個芳香環，B 1中的氮原子將所述含氮稠環結構中的兩個芳香環連結）
＜2＞ 根據所述＜1＞所記載的液晶配向劑，含有選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種聚合物（P），所述聚合物（P）包含源自具有所述部分結構（B）的二胺化合物的結構單元。
＜3＞ 根據所述＜1＞或＜2＞所記載的液晶配向劑，含有選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種聚合物（P），所述聚合物（P）在同一分子內包含下述結構單元（UA）與結構單元（UB）、或者在不同的分子內包含下述結構單元（UA）與結構單元（UB）。 結構單元（UA）：源自選自由二胺化合物（DA-1）及二胺化合物（DA-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DA-1）具有與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基取代的取代雜環結構，所述二胺化合物（DA-2）具有醌結構； 結構單元（UB）：源自選自由二胺化合物（DB-1）及二胺化合物（DB-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DB-1）具有所述式（b1）所表示的部分結構，所述二胺化合物（DB-2）具有吩噻嗪結構；
＜4＞ 根據所述＜3＞所記載的液晶配向劑，其中，所述二胺化合物（DA-1）為下述式（a1-1）所表示的化合物。 [化2] （式（a1-1）中，A 1為具有與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基取代的取代雜環結構的基；R 1為單鍵或（n1+1）價連結基；Ar 1為芳香環基；n1為1或2）
＜5＞ 根據所述＜3＞或＜4＞所記載的液晶配向劑，其中，所述二胺化合物（DA-2）為選自由下述式（a2-1）所表示的化合物及下述式（a2-2）所表示的化合物所組成的群組中的至少一種。 [化3] （式（a2-1）中，A 2為具有醌結構的基；R 2為單鍵或（n2+1）價連結基；Ar 2為芳香環基；n2為1或2； 式（a2-2）中，A 3為具有醌結構的基；R 3及R 4分別獨立地為單鍵或二價有機基；Ar 3及Ar 4分別獨立地為芳香環基）
＜6＞ 根據所述＜3＞至＜5＞中任一項所記載的液晶配向劑，其中，所述二胺化合物（DB-2）為下述式（b2-1）所表示的化合物。 [化4] （式（b2-1）中，A 4為具有吩噻嗪結構的基；R 5為單鍵或（n3+1）價連結基；Ar 5為芳香環基；n3為1或2）
＜7＞ 根據所述＜2＞至＜6＞中任一項所記載的液晶配向劑，其中，所述聚合物（P）還包含源自具有下述式（2）所表示的部分結構的二胺化合物的結構單元（UC）。 [化5] （式（2）中，X 5及X 6分別獨立地為芳香環基；R 7及R 8分別獨立地為單鍵、碳數1～10的烷二基或碳數1～10的取代烷二基；Y 5及Y 6分別獨立地為* 4-NR 9-CO-或* 4-CO-NR 9-；R 9為氫原子或一價有機基；「* 4」表示與Z 5的鍵結鍵；Z 5為單鍵或二價有機基；m為0或1；在m為0的情況下，R 7、R 8或它們兩者為碳數1～10的烷二基或取代烷二基；「*」表示鍵結鍵）
＜8＞ 根據所述＜2＞所記載的液晶配向劑，含有具有所述部分結構（A）的化合物（其中，聚合物除外）與所述聚合物（P）。
＜9＞ 根據所述＜1＞至＜8＞中任一項所記載的液晶配向劑，其中，所述吸電子性基為選自由鹵素原子、氰基、鹵化烷基及醯基所組成的群組中的至少一種。 ＜10＞ 根據所述＜1＞至＜9＞中任一項所記載的液晶配向劑，還含有不具有所述部分結構（A）及所述部分結構（B）的任一結構的聚合物（Q）。 ＜11＞ 根據所述＜10＞所記載的液晶配向劑，其中，所述聚合物（Q）為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺及加成聚合物所組成的群組中的至少一種。
＜12＞ 一種液晶配向膜，使用根據所述＜1＞至＜11＞中任一項所記載的液晶配向劑而形成。 ＜13＞ 一種液晶元件，包括根據所述＜12＞所記載的液晶配向膜。
＜14＞ 一種聚合物，為聚醯胺酸、聚醯胺酸酯或聚醯亞胺，且在同一分子內包含下述結構單元（UA）與結構單元（UB）。 結構單元（UA）：源自選自由二胺化合物（DA-1）及二胺化合物（DA-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DA-1）具有與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基取代的取代雜環結構，所述二胺化合物（DA-2）具有醌結構； 結構單元（UB）：源自選自由二胺化合物（DB-1）及二胺化合物（DB-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DB-1）具有下述式（b1）所表示的部分結構，所述二胺化合物（DB-2）具有吩噻嗪結構； [化6] （式（b1）中，X 1、B 1及X 2滿足下述[i]或[ii]； [i]X 1為芳香環基；B 1為-NY 3-或芳香族雜環基；X 2及Y 3是X 2為芳香環基且Y 3為氫原子或一價有機基、或者表示X 2與Y 3相互結合並與X 2及Y 3所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構；其中，所述含氮稠環結構具有芳香環，B 1中的氮原子與所述含氮稠環結構中的芳香環鍵結； [ii]B 1為-NY 3-；Y 3為氫原子或一價有機基；X 1及X 2表示相互結合並與X 1及X 2所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構；其中，所述含氮稠環結構具有多個芳香環，B 1中的氮原子將所述含氮稠環結構中的兩個芳香環連結； 「*」表示鍵結鍵）
＜15＞ 一種化合物，由下述式（a1-1）表示。 [化7] （式（a1-1）中，A 1為具有與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經選自由鹵素原子、氰基、鹵化烷基及醯基所組成的群組中的至少一種取代的取代雜環結構的基；R 1為單鍵或（n1+1）價連結基；Ar 1為芳香環基；n1為1或2）
＜16＞ 一種化合物，由下述式（a2-2）表示。 [化8] （式（a2-2）中，A 3為具有醌結構的基；R 3及R 4分別獨立地為單鍵或二價有機基；Ar 3及Ar 4分別獨立地為芳香環基）
＜17＞ 一種化合物，由下述式（b2-1）表示。 [化9] （式（b2-1）中，A 4為具有吩噻嗪結構的基；R 5為單鍵或（n3+1）價飽和鏈狀烴基；Ar 5為芳香環基；n3為1或2） [發明的效果]
根據本發明的液晶配向劑，顯示出良好的塗布性，同時可獲得殘留電荷的蓄積少且不易產生殘像（DC殘像）的液晶元件。
《液晶配向劑》 以下，對本案的液晶配向劑中所含的各成分及視需要任意調配的其他成分進行說明。
此外，在本說明書中，所謂「烴基」是包含鏈狀烴基、脂環式烴基及芳香族烴基的含義。所謂「鏈狀烴基」是指主鏈不含環狀結構，僅包含鏈狀結構的直鏈狀烴基及分支狀烴基。其中，鏈狀烴基可為飽和也可為不飽和。所謂「脂環式烴基」是指僅包含脂環式烴的結構作為環結構，不含芳香環結構的烴基。其中，脂環式烴基無需僅包含脂環式烴的結構，也包括在其一部分中具有鏈狀結構的基。所謂「芳香族烴基」是指包含芳香環結構作為環結構的烴基。其中，芳香族烴基無需僅包含芳香環結構，也可在其一部分中包含鏈狀結構或脂環式烴的結構。「芳香環」是包含芳香族烴環及芳香族雜環的含義。所謂「有機基」是指從包含碳的化合物（即，有機化合物）中去除任意氫原子而成的原子團。
聚合物的「主鏈」是指聚合物中包含最長的原子鏈的「主幹」的部分。可容許所述「主幹」部分包含環結構。例如，所謂「在主鏈中具有特定結構」是指所述特定結構構成主鏈的一部分。所謂「側鏈」是指從聚合物的「主幹」分支的部分。「四羧酸衍生物」是包含四羧酸二酐、四羧酸二酯及四羧酸二酯二鹵化物的含義。
本案的液晶配向劑為滿足下述必要條件（I）及必要條件（II）中的至少任一個的組合物。 必要條件（I）：含有在同一分子內包含部分結構（A）與部分結構（B）的化合物。 必要條件（II）：含有在不同的分子內包含部分結構（A）與部分結構（B）的化合物。
這裡，所述部分結構（A）為選自由與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經吸電子性基（其中，為不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的基）取代的取代雜環結構、醌結構及四氰基醌二甲烷結構所組成的群組中的至少一種。所述部分結構（B）為選自由下述式（b1）所表示的部分結構及吩噻嗪結構所組成的群組中的至少一種。 [化10] （式（b1）中，X 1、B 1及X 2滿足下述[i]或[ii]；「*」表示鍵結鍵； [i]X 1為芳香環基；B 1為-NY 3-或芳香族雜環基；X 2及Y 3是X 2為芳香環基且Y 3為氫原子或一價有機基、或者表示X 2與Y 3相互結合並與X 2及Y 3所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構；其中，所述含氮稠環結構具有芳香環，B 1中的氮原子與所述含氮稠環結構中的芳香環鍵結； [ii]B 1為-NY 3-；Y 3為氫原子或一價有機基；X 1及X 2表示相互結合並與X 1及X 2所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構；其中，所述含氮稠環結構具有多個芳香環，B 1中的氮原子將所述含氮稠環結構中的兩個芳香環連結）
在本案的液晶配向劑滿足必要條件（I）的情況下，在同一分子內包含部分結構（A）與部分結構（B）的化合物可為聚合物成分，也可為添加劑成分（即，與聚合物不同的化合物）。另外，在本案的液晶配向劑滿足必要條件（II）的情況下，具有部分結構（A）的化合物及具有部分結構（B）的化合物分別可為聚合物成分，也可為添加劑成分。
就液晶配向劑的塗布性與液晶元件中的殘像減低的改善效果高的方面而言，其中，本案的液晶配向劑較佳為含有選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種聚合物（P），所述聚合物（P）包含源自具有部分結構（B）的二胺化合物的結構單元。作為本案的液晶配向劑的較佳形態，可列舉以下的〔1〕及〔2〕的形態。 形態〔1〕 聚合物（P）在同一分子內包含下述結構單元（UA）與結構單元（UB）、或者在不同的分子內包含結構單元（UA）與結構單元（UB）。 結構單元（UA）：源自選自由二胺化合物（DA-1）及二胺化合物（DA-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DA-1）具有與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基取代的取代雜環結構，所述二胺化合物（DA-2）具有醌結構； 結構單元（UB）：源自選自由二胺化合物（DB-1）及二胺化合物（DB-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DB-1）具有所述式（b1）所表示的部分結構，所述二胺化合物（DB-2）具有吩噻嗪結構；
形態〔2〕 含有具有部分結構（A）的化合物（其中，聚合物除外）與作為具有部分結構（B）的聚合物的聚合物（P）。 將所述〔1〕的形態設為第一液晶配向劑，將所述〔2〕的形態設為第二液晶配向劑，以下，對各液晶配向劑進行說明。
＜第一液晶配向劑＞ 第一液晶配向劑含有如下聚合物作為聚合物（P），所述聚合物為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種，且在同一分子內或不同的分子內包含特定的結構單元（結構單元（UA）及結構單元（UB））。以下，對本案的第一液晶配向劑中所含的聚合物（P）及任意調配的其他成分進行詳細說明。此外，在本說明書中，關於各成分，只要未特別提及，則可單獨使用一種，也可組合使用兩種以上。
＜聚合物（P）＞ 聚合物（P）為在同一分子內具有源自四羧酸衍生物的結構單元與源自二胺化合物的結構單元的聚合物。聚合物（P）在同一分子內包含所述結構單元（UA）與結構單元（UB）作為源自二胺化合物的結構單元、或者在不同的分子內包含結構單元（UA）與結構單元（UB）作為源自二胺化合物的結構單元。
作為含有聚合物（P）的液晶配向劑的具體形態，可列舉以下的（I）及（II）的形態。 （I）含有在同一分子內具有結構單元（UA）與結構單元（UB）的聚合物（P1）。 （II）含有具有結構單元（UA）的聚合物（PA）與具有結構單元（UB）的聚合物（PB）（其中，為與聚合物（PA）不同的聚合物）。 就可在盡可能減少液晶配向劑的結構成分的同時充分獲得DC殘像的減低效果的方面而言，這些中，較佳為含有聚合物（P1）的（I）的形態。此外，二胺化合物（DA-1）、二胺化合物（DA-2）、二胺化合物（DB-1）及二胺化合物（DB-2）為相互不同的化合物。以下，首先，對結構單元（UA）及結構單元（UB）進行說明。
〔關於結構單元（UA）〕 結構單元（UA）為源自選自由二胺化合物（DA-1）及二胺化合物（DA-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DA-1）具有與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基（以下，也稱為「吸電子性基F1」）取代的取代雜環結構，所述二胺化合物（DA-2）具有醌結構。二胺化合物（DA-1）及二胺化合物（DA-2）均為在與選自由二胺化合物（DB-1）及二胺化合物（DB-2）所組成的群組中的一種以上並用時顯示出電子接受性的化合物。
二胺化合物（DA-1） 二胺化合物（DA-1）所具有的取代雜環結構具有在含氮芳香族雜環上鍵結有吸電子性基F1的結構。吸電子性基F1所鍵結的含氮芳香族雜環可為單環也可為稠環。作為所述含氮芳香族雜環的具體例，可列舉：吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、噠嗪環、吡嗪環、喹啉環、異喹啉環、苯並咪唑環、吲唑環、吖啶環等。這些中，吸電子性基F1所鍵結的含氮芳香族雜環較佳為吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、噠嗪環或吡嗪環，更佳為咪唑環、吡啶環、嘧啶環、噠嗪環或吡嗪環，進而較佳為咪唑環。
吸電子性基F1只要為不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基即可，並無特別限定。吸電子性基F1例如為也不會因在100℃以上的溫度下的加熱而脫離的基。其中，吸電子性基F1較佳為選自由鹵素原子、氰基、鹵化烷基及醯基所組成的群組中的至少一種。這裡，作為鹵素原子，可列舉：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。作為鹵化烷基，可列舉碳數1～10的直鏈狀或分支狀的烷基所具有的一個以上的氫原子經鹵素原子取代而成的基等。這些中，鹵化烷基較佳為碳數1～6的基，更佳為碳數1～3的基，進而較佳為碳數1～3的全氟烷基，特佳為三氟甲基。醯基較佳為具有在羰基上鍵結有碳數1～6的一價烴基的結構。在醯基中，與羰基鍵結的烴基更佳為碳數1～3的烷基，進而較佳為甲基或乙基。
在二胺化合物（DA-1）所具有的取代雜環結構中，與含氮芳香族雜環鍵結的吸電子性基F1的數量並無特別限定。與每一個含氮芳香族雜環鍵結的吸電子性基F1的數量例如為一個～四個，較佳為一個～三個，更佳為一個或兩個。
就可進一步提高DC殘像的減低效果的方面而言，所述中，吸電子性基F1較佳為選自由鹵素原子、氰基、碳數1～3的鹵化烷基及醯基所組成的群組中的至少一種，更佳為氰基或醯基，特佳為氰基。
二胺化合物（DA-1）可僅具有一個取代雜環結構，也可具有兩個以上。就提高聚合物（P）的溶解性、確保液晶配向劑的塗布性的觀點而言，二胺化合物（DA-1）所具有的取代雜環結構的數量較佳為一個～三個，更佳為一個或兩個。
二胺化合物（DA-1）較佳為下述式（a1-1）所表示的化合物。 [化11] （式（a1-1）中，A 1為具有與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基取代的取代雜環結構的基；R 1為單鍵或（n1+1）價連結基；Ar 1為芳香環基；n1為1或2）
在式（a1-1）中，關於A 1所具有的取代雜環結構、含氮芳香族雜環及吸電子性基F1的具體例及較佳例，可應用所述說明。
在n1為1的情況下，作為R 1所表示的（n1+1）價連結基，可列舉：-O-、-CO-、* 1-O-CO-、* 1-CO-O-、* 1-NR 11-CO-、* 1-CO-NR 11-、碳數1～4的烷二基、碳數2～4的烷二基所具有的任意伸甲基被-O-、-CO-、-CO-O-或-NR 11-CO-取代而成的二價基（R 11為氫原子或碳數1～3的烷基，「* 1」表示與Ar 1的鍵結鍵）等。
在n1為2的情況下，作為R 1所表示的（n1+1）價連結基，可列舉：碳數1～4的三價飽和鏈狀烴基、碳數2～4的三價飽和鏈狀烴基所具有的任意伸甲基經-O-、-CO-、-CO-O-或-NR 11-CO-取代而成的三價基、* 1-N(-R 12-) 2（R 11及「* 1」與所述為相同含義，R 12為碳數1～4的烷二基或碳數2～4的烷二基所具有的任意伸甲基被-O-、-CO-、-CO-O-或-NR 11-CO-取代而成的二價基）等。
就可進一步提高DC殘像的減低效果的方面而言，所述中，R 1較佳為（n1+1）價連結基，更佳為通過烷二基而與A 1所具有的含氮芳香族雜環鍵結的基。此外，在R 1為通過烷二基而與A 1所具有的含氮芳香族雜環鍵結的基的情況下，R 1可通過烷二基而與Ar 1鍵結，也可通過-O-、-CO-、-CO-O-或-NR 11-CO-而與Ar 1鍵結。
Ar 1所表示的芳香環基為從芳香環的環部分去除p個（其中，在R 1為單鍵的情況下，p為值（n1+2），在R 1並非單鍵的情況下，p為值3）任意氫原子而成的基。作為所述芳香環基所具有的芳香環，可列舉：苯環、萘環、蒽環等芳香族烴環；吡咯環、咪唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、噠嗪環、吡嗪環、喹啉環、異喹啉環、苯並咪唑環等含氮芳香族雜環等。這些中，Ar 1所表示的芳香環基所具有的芳香環較佳為苯環、萘環、吡啶環或嘧啶環，更佳為苯環。Ar 1所表示的芳香環基除兩個一級胺基以外，還可在芳香環部分具有取代基。作為所述取代基，可列舉碳數1～3的烷基、鹵素原子等。
在Ar 1所表示的芳香環基所具有的芳香環上鍵結有兩個一級胺基。這些一級胺基的鍵結位置並無特別限定。例如，在Ar 1所表示的芳香環基具有苯環的情況下，作為兩個一級胺基的鍵結位置，可列舉相對於其他基（R 1）而為2,4-位、2,5-位或3,5-位。
作為二胺化合物（DA-1）的具體例，可列舉下述式（d-1-1）～式（d-1-16）各自所表示的化合物等。 [化12] [化13] [化14]
在聚合物（P）包含源自二胺化合物（DA-1）的結構單元的情況下，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，源自二胺化合物（DA-1）的結構單元的比例較佳為2莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上。另外，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，源自二胺化合物（DA-1）的結構單元的比例較佳為95莫耳%以下，更佳為90莫耳%以下。
此外，在第一液晶配向劑包含兩種以上的聚合物（P）的情況下，源自二胺化合物（DA-1）的結構單元的比例是指源自兩種以上的聚合物（P）中所含的二胺化合物（DA-1）的所有結構單元相對於源自構成兩種以上的聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元的比例。例如，在第一液晶配向劑包含第一聚合物與第二聚合物作為聚合物（P）的情況下，源自二胺化合物（DA-1）的結構單元的比例表示源自構成第一聚合物的二胺化合物（DA-1）的結構單元及源自構成第二聚合物的二胺化合物（DA-1）的結構單元的合計量相對於源自構成第一聚合物的二胺化合物的所有結構單元與源自構成第二聚合物的二胺化合物的所有結構單元的合計量的比例（以下的結構單元也相同）。
二胺化合物（DA-2） 二胺化合物（DA-2）為在主鏈或側鏈中具有醌結構的化合物。具體而言，二胺化合物（DA-2）較佳為選自由下述式（a2-1）所表示的化合物及下述式（a2-2）所表示的化合物所組成的群組中的至少一種。 [化15] （式（a2-1）中，A 2為具有醌結構的基；R 2為單鍵或（n2+1）價連結基；Ar 2為芳香環基；n2為1或2； 式（a2-2）中，A 3為具有醌結構的基；R 3及R 4分別獨立地為單鍵或二價有機基；Ar 3及Ar 4分別獨立地為芳香環基）
作為二胺化合物（DA-2）所具有的醌結構，例如可列舉苯醌結構、萘醌結構等。這些中，二胺化合物（DA-2）所具有的醌結構較佳為苯醌結構。
在式（a2-1）中，A 2較佳為下述式（r-1）所表示的基。 [化16] （式（r-1）中，R 21、R 22及R 23分別獨立地為氫原子、碳數1～3的烷基或碳數1～3的烷氧基；R 24及R 25分別獨立地為氫原子或碳數1～3的烷基；a為0或1；「*」表示鍵結鍵）
在式（r-1）中，R 21、R 22及R 23較佳為氫原子、甲基或甲氧基。R 24及R 25較佳為氫原子或甲基。
在n2為1的情況下，作為R 2所表示的（n2+1）價連結基，可列舉碳數1～3的烷二基、在烷二基的碳-碳鍵間包含-O-、-CO-、-CO-O-或-NR 14-CO-的碳數2～4的二價基（R 14為氫原子或碳數1～3的烷基）等。在n2為2的情況下，作為R 2所表示的（n2+1）價連結基，可列舉碳數1～4的三價飽和鏈狀烴基、碳數1～4的三價飽和鏈狀烴基。
關於Ar 2所表示的芳香環基的具體例及較佳例，可應用式（a1-1）中的Ar 1的說明。n2較佳為1。
在式（a2-2）中，A 2較佳為下述式（r-2）所表示的基。 [化17] （式（r-2）中，R 26及R 27分別獨立地為氫原子、碳數1～3的烷基或碳數1～3的烷氧基；R 28及R 29分別獨立地為氫原子或碳數1～3的烷基；a1及a2分別獨立地為0或1；「*」表示鍵結鍵）
在式（r-2）中，R 26及R 27較佳為氫原子、甲基或甲氧基。R 28及R 29較佳為氫原子或甲基。就式（a2-2）所表示的化合物的合成容易性的觀點而言，a1及a2較佳為1。
式（a2-2）中，作為R 3及R 4所表示的二價有機基，可列舉碳數1～12的烷二基、碳數2～12的烷二基的一個以上的伸甲基經-O-、-CO-、-CO-O-或-NR 16-CO-（R 16為氫原子或碳數1～3的烷基）取代而成的二價基等。就獲得顯示出良好的液晶配向性的液晶配向膜的觀點而言，R 3及R 4所表示的二價有機基所具有的烷二基較佳為直鏈狀。R 3及R 4所表示的二價有機基較佳為碳數1～10，更佳為碳數1～6，進而較佳為碳數1～3。
Ar 3及Ar 4所表示的芳香環基為從芳香環的環部分去除兩個任意氫原子而成的基。作為所述芳香環基所具有的芳香環，可列舉在式（a1-1）中的Ar 1的說明中所例示的芳香族烴環及含氮芳香族雜環等。Ar 2所具有的芳香環較佳為苯環、萘環、吡啶環或嘧啶環，更佳為苯環。另外，Ar 3及Ar 4所表示的芳香環基除一級胺基以外，還可在芳香環部分具有取代基。作為所述取代基，可列舉碳數1～3的烷基、鹵素原子等。
作為二胺化合物（DA-2）的具體例，可列舉下述式（d-2-1）～式（d-2-9）各自所表示的化合物等。 [化18]
關於二胺化合物（DA-2），就可通過與選自由二胺化合物（DB-1）及二胺化合物（DB-2）所組成的群組中的至少一種並用來提高殘留電荷的緩和效果及電荷的蓄積減低效果的方面而言，其中，較佳為在主鏈中具有醌結構的化合物，更佳為式（a2-2）所表示的化合物。具體而言，可較佳地使用所述式（d-2-1）～式（d-2-3）及式（d-2-7）各自所表示的化合物。
在聚合物（P）包含源自二胺化合物（DA-2）的結構單元的情況下，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，源自二胺化合物（DA-2）的結構單元的比例較佳為2莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上。另外，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，源自二胺化合物（DA-2）的結構單元的比例較佳為95莫耳%以下，更佳為90莫耳%以下。
相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，聚合物（P）中的結構單元（UA）的比例較佳為5莫耳%以上，更佳為10莫耳%以上。另外，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，結構單元（UA）的比例較佳為95莫耳%以下，更佳為90莫耳%以下。
〔關於結構單元（UB）〕 結構單元（UB）為源自選自由二胺化合物（DB-1）及二胺化合物（DB-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DB-1）具有所述式（b1）所表示的部分結構，所述二胺化合物（DB-2）具有吩噻嗪結構。二胺化合物（DB-1）及二胺化合物（DB-2）均為在與選自由二胺化合物（DA-1）及二胺化合物（DA-2）所組成的群組中的一種以上並用時顯示出供電子性的化合物。此外，二胺化合物（DB-1）為不具有吩噻嗪結構的化合物，在此方面，二胺化合物（DB-1）與二胺化合物（DB-2）不同。
二胺化合物（DB-1） 在式（b1）中，作為X 1及X 2所表示的芳香環基，可列舉二價芳香族烴基及二價芳香族雜環基。作為二價芳香族雜環基，可列舉含氮芳香族雜環基、含氧芳香族雜環基、含硫芳香族雜環基等，其中，較佳為含氮芳香族雜環基。X 1及X 2所表示的芳香環基可在環部分具有取代基。作為所述取代基，可列舉碳數1～5的烷基、鹵素原子等。
關於X 1、X 2的具體例，作為二價芳香族烴基，可列舉去除與構成苯環、萘環或蒽環的環的碳原子鍵結的任意兩個氫原子而成的基；作為二價含氮芳香族雜環基，可列舉去除與構成吡啶環、嘧啶環、噠嗪環或吡嗪環的環的碳原子鍵結的任意兩個氫原子而成的基；作為二價含氧芳香族雜環基，可列舉去除與構成呋喃環的環的碳原子鍵結的任意兩個氫原子而成的基；作為二價含硫芳香族雜環基，可列舉去除與構成噻吩環的環的碳原子鍵結的任意兩個氫原子而成的基。就實現液晶配向膜的高密度化的觀點而言，X 1及X 2所表示的芳香環基較佳為二價芳香族烴基或二價含氮芳香族雜環基，更佳為二價芳香族烴基，進而較佳為伸苯基。
在B 1為芳香族雜環基的情況下，作為所述芳香族雜環基，可列舉在X 1、X 2的說明中所例示的二價芳香族雜環基的例子。這些中，就可提高蓄積電荷的緩和效果的方面而言，B 1所表示的芳香族雜環基較佳為去除與構成吡咯環、呋喃環或噻吩環的環的碳原子鍵結的任意兩個氫原子而成的基。
在B 1為-NY 3-的情況下，Y 3所表示的一價有機基較佳為碳數1～10的一價烴基、或者因熱而脫離並生成氫原子的基（以下，也稱為「熱脫離性基」）。在Y 3為一價烴基的情況下，所述一價烴基較佳為碳數1～3的烷基或苯基，更佳為碳數1～3的烷基。
在Y 3為熱脫離性基的情況下，作為Y 3，例如可列舉：胺基甲酸酯系熱脫離性基、醯胺系熱脫離性基、醯亞胺系熱脫離性基、磺醯胺系熱脫離性基等。這些中，就基於熱的脫離性高的方面而言，較佳為胺基甲酸酯系熱脫離性基。作為其具體例，可列舉：叔丁氧基羰基、苄基氧基羰基、1,1-二甲基-2-鹵代乙基氧基羰基、烯丙基氧基羰基、2-(三甲基矽烷基)乙氧基羰基、9-芴基甲基氧基羰基等。就基於熱的脫離性優異且可減少脫保護後的部分在膜中的殘存量的方面而言，這些中，特佳為叔丁氧基羰基（Boc基）。
所述中，Y 3較佳為氫原子、碳數1～3的烷基或熱脫離性基，更佳為氫原子、碳數1～3的烷基或叔丁氧基羰基。
在X 1、B 1及X 2滿足所述[i]且X 2及Y 3表示相互結合並與X 2及Y 3所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構的情況下，作為所述稠環結構，可列舉：吲哚啉結構、異吲哚啉結構、吲哚結構、1,2,3,4-四氫喹啉結構、1,2-二氫喹啉結構、1,2-二氫異喹啉結構、咔唑結構等。此外，在X 2及Y 3相互結合來構成含氮稠環結構的情況下，B 1中的氮原子通過單鍵而與含氮稠環結構中的芳香環鍵結。
在X 1、B 1及X 2滿足所述[ii]的情況下，當X 1及X 2表示相互結合並與X 1及X 2所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構時，所述含氮稠環結構較佳為咔唑結構。作為咔唑結構的具體例，可列舉從9H-咔唑環或N-取代咔唑環的環部分去除任意兩個氫原子而成的結構。作為N-取代咔唑環，可列舉9-甲基咔唑、9-乙基咔唑等。
作為所述式（b1）所表示的部分結構的較佳具體例，在X 1、B 1及X 2滿足所述[i]的情況下，可列舉下述式（3-1）～式（3-10）各自所表示的部分結構等；在X 1、B 1及X 2滿足所述[ii]的情況下，可列舉下述式（3-11）所表示的部分結構等。就獲得殘留電荷的蓄積少且不易產生DC殘像的液晶元件的觀點而言，聚合物（P）較佳為在聚合物（P）的主鏈中具有所述式（b1）所表示的部分結構。 [化19] （式（3-1）～式（3-11）中，Y 3及Y 4分別獨立地為氫原子或一價有機基；「*」表示鍵結鍵）
二胺化合物（DB-1）可僅具有一個式（b1）所表示的部分結構，也可具有兩個以上。此外，在二胺化合物（DB-1）具有兩種以上的式（b1）所表示的部分結構的情況下，二胺化合物（DB-1）所具有的式（b1）所表示的部分結構的個數表示其合計數。就確保聚合物（P）的溶解性的觀點而言，在二胺化合物（DB-1）每一分子中，式（b1）所表示的部分結構的合計數較佳為一個或兩個。二胺化合物（DB-1）較佳為芳香族二胺，其中，較佳為具有能夠將式（b1）所表示的部分結構導入到聚合物（P）的主鏈中的結構的芳香族二胺。
此外，所謂「芳香族二胺」，是指兩個一級胺基鍵結於分子內的同一芳香環或不同的芳香環上的二胺。在芳香族二胺中，兩個一級胺基所鍵結的芳香環可為單環，也可為稠環。在芳香族二胺所具有的一級胺基與稠環鍵結的情況下，芳香族二胺中的一級胺基只要與構成稠環的芳香環鍵結即可，與一級胺基所鍵結的芳香環共享一個邊的單環可為芳香環，也可為脂肪族環。
作為二胺化合物（DB-1）的具體例，可列舉下述式（d-3-1）～式（d-3-22）各自所表示的化合物等。 [化20] [化21] [化22]
在聚合物（P）包含源自二胺化合物（DB-1）的結構單元的情況下，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，源自二胺化合物（DB-1）的結構單元的比例較佳為2莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上。另外，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，源自二胺化合物（DB-1）的結構單元的比例較佳為90莫耳%以下，更佳為80莫耳%以下。
二胺化合物（DB-2） 二胺化合物（DB-2）為具有吩噻嗪結構的化合物。作為二胺化合物（DB-2），較佳為能夠將吩噻嗪結構導入到聚合物（P）的側鏈中的化合物，具體而言，可較佳地使用下述式（b2-1）所表示的化合物。 [化23] （式（b2-1）中，A 4為具有吩噻嗪結構的基；R 5為單鍵或（n3+1）價連結基；Ar 5為芳香環基；n3為1或2）
在式（b2-1）中，A 4較佳為去除一個與構成下述式（r-3）所表示的結構的環的碳原子或氮原子鍵結的氫原子而成的基。 [化24] （式（r-3）中，R 31及R 32分別獨立地為碳數1～3的烷基；b1及b2分別獨立地為0～4的整數；在b1為2以上的情況下，多個R 31相同或不同；在b2為2以上的情況下，多個R 32相同或不同）
在式（b2-1）中的n3為1的情況下，作為R 5所表示的（n3+1）價連結基，可列舉：-O-、-CO-、* 3-O-CO-、* 3-CO-O-、* 3-NR 17-CO-、* 3-CO-NR 17-、碳數1～4的烷二基、碳數2～4的烷二基中的任意伸甲基經-O-、-CO-、-CO-O-或-NR 17-CO-取代而成的二價基（R 17為氫原子或碳數1～3的烷基，「* 3」表示與Ar 5的鍵結鍵）等。
在n3為2的情況下，作為R 5所表示的（n3+1）價連結基，可列舉：碳數1～4的三價飽和鏈狀烴基、碳數2～4的三價飽和鏈狀烴基中的任意伸甲基經-O-、-CO-、-CO-O-或-NR 17-CO-取代而成的三價基、* 3-N(-R 17-) 2（R 17及「* 3」與所述為相同含義）等。
就DC殘像的減低效果高的方面而言，R 5較佳為（n3+1）價連結基，更佳為通過烷二基而與式（r-3）中的氮原子（即，構成吩噻嗪環的環部分的氮原子）鍵結的基。
關於Ar 3所表示的芳香環基的具體例及較佳例，可應用式（a1-1）中的Ar 1的說明。n3較佳為1。
作為二胺化合物（DB-2）的具體例，可列舉下述式（d-4-1）～式（d-4-6）各自所表示的化合物等。 [化25]
在聚合物（P）包含源自二胺化合物（DB-2）的結構單元的情況下，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，源自二胺化合物（DB-2）的結構單元的比例較佳為2莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上。另外，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，源自二胺化合物（DB-2）的結構單元的比例較佳為90莫耳%以下，更佳為80莫耳%以下。
相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，聚合物（P）中的結構單元（UB）的比例較佳為2莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上。另外，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，結構單元（UB）的比例較佳為90莫耳%以下，更佳為85莫耳%以下。
就在所獲得的液晶配向膜中充分提高通過施加直流電壓而蓄積的殘留電荷的緩和能力並充分獲得DC殘像的減低效果的觀點而言，聚合物（P）中所含的結構單元（UA）與結構單元（UB）的比率較佳為設為結構單元（UB）相對於結構單元（UA）1莫耳而成為0.05莫耳～9.0莫耳的比率。就所述觀點而言，結構單元（UB）相對於結構單元（UA）1莫耳的比例更佳為0.10莫耳～5.0莫耳，進而較佳為0.12莫耳～3.5莫耳。
〔其他結構單元〕 聚合物（P）也可還包含與結構單元（UA）及結構單元（UB）不同的結構單元（以下，也稱為「其他結構單元」）作為源自二胺化合物的結構單元。其他結構單元可由聚合物（P1）、聚合物（PA）或聚合物（PB）具有，也可由它們的兩種以上具有。
結構單位（UC） 聚合物（P）較佳為還包含源自具有下述式（2）所表示的部分結構的二胺化合物的結構單元（UC）。通過聚合物（P）還包含結構單元（UC），可進一步提高DC殘像的減低效果。 [化26] （式（2）中，X 5及X 6分別獨立地為二價芳香環基；R 7及R 8分別獨立地為單鍵、碳數1～10的烷二基或碳數1～10的取代烷二基；Y 5及Y 6分別獨立地為* 4-NR 9-CO-或* 4-CO-NR 9-；R 9為氫原子或一價有機基；「* 4」表示與Z 5的鍵結鍵；Z 5為單鍵或二價有機基；m為0或1；在m為0的情況下，R 7、R 8或它們兩者為碳數1～10的烷二基或取代烷二基；「*」表示鍵結鍵）
在式（2）中，X 5及X 6的二價芳香環基較佳為芳香族烴基。作為X 5、X 6的具體例，可列舉去除與構成苯環、萘環及蒽環等芳香族烴環的環的碳原子鍵結的任意兩個氫原子而成的基。就實現液晶配向膜的高密度化的觀點而言，X 5及X 6所具有的芳香環較佳為不具有取代基。其中，X 5及X 6較佳為伸苯基，特佳為1,4-伸苯基。
在R 7及R 8為碳數1～10的經取代或未經取代的烷二基的情況下，就可提高液晶配向性的方面及可提高殘像減低的效果的方面而言，R 7及R 8較佳為直鏈狀。在R 7及R 8為取代烷二基的情況下，作為取代基，可列舉：鹵素原子、羥基、胺基、氰基、烷氧基、經保護的羥基、經保護的胺基等。R 7及R 8較佳為它們的其中一者或兩者為碳數1～10的經取代或未經取代的烷二基，更佳為R 7及R 8兩者為碳數1～10的經取代或未經取代的烷二基。
Y 5及Y 6為醯胺鍵（* 4-NR 9-CO-或* 4-CO-NR 9-）。R 9所表示的一價有機基較佳為碳數1～10的一價烴基或熱脫離性基。在R 9為一價烴基的情況下，所述一價烴基較佳為碳數1～3的烷基或苯基，更佳為碳數1～3的烷基。
在R 9為熱脫離性基的情況下，作為R 9，可列舉作為式（b1）中的Y 3的熱脫離性基而例示的基。就基於熱的脫離性優異且可減少脫保護後的部分在膜中的殘存量的方面而言，R 9所表示的熱脫離性基特佳為叔丁氧基羰基（Boc基）。
其中，R 9較佳為氫原子、碳數1～3的烷基或熱脫離性基，更佳為氫原子、碳數1～3的烷基或叔丁氧基羰基。
Z 5為單鍵或二價有機基。就可提高液晶元件的電壓保持特性及液晶配向性的方面而言，Z 5較佳為二價有機基。作為所述二價有機基，可列舉碳數1～20的二價烴基、在所述烴基的碳-碳鍵間具有-O-、-S-或-NR 9-（其中，R 9與Y 5及Y 6中的R 9為相同含義）的二價基等。此外，Z 5通過烴基而與Y 5及Y 6的醯胺鍵鍵結。
就可提高聚合物（P）的溶解性的方面而言，這些中，Z 5所表示的二價有機基較佳為碳數1～20的二價鏈狀烴基、碳數4～20的二價脂環式烴基或在鏈狀烴基的碳-碳鍵間具有-O-、-S-或-NR 9-的二價基，特佳為碳數1～20的烷二基或碳數4～12的伸環烷基。Z 5的碳數較佳為1～12，更佳為1～10。m為0或1，較佳為1。
提供結構單元（UC）的二胺化合物（以下，也稱為「二胺化合物（C）」）較佳為芳香族二胺，其中，較佳為具有能夠將所述式（2）所表示的部分結構導入到聚合物（P）的主鏈中的結構的芳香族二胺。
作為二胺化合物（C）的具體例，可列舉下述式（d-5-1）～式（d-5-24）各自所表示的化合物等。 [化27] [化28] [化29] （式中，「Boc」表示叔丁氧基羰基）
在聚合物（P）包含結構單元（UC）的情況下，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，結構單元（UC）的比例較佳為2莫耳%以上，更佳為5莫耳%以上。另外，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，結構單元（UC）的比例較佳為50莫耳%以下，更佳為40莫耳%以下。
就可提高DC殘像特性的改善效果的方面而言，結構單元（UC）較佳為與結構單元（UA）及結構單元（UB）一起導入到同一聚合物中。即，本案的液晶配向劑較佳為包含在一分子內具有結構單元（UA）、結構單元（UB）及結構單元（UC）的聚合物作為聚合物（P）。
聚合物（P）也可包含不具有所述式（2）所表示的部分結構的結構單元（UD）作為其他結構單元。作為構成結構單元（UD）的二胺化合物，可列舉：脂肪族二胺、芳香族二胺、二胺基有機矽氧烷等。作為脂肪族二胺，可列舉鏈狀二胺及脂環式二胺。
關於這些二胺化合物的具體例，作為鏈狀二胺，可列舉間苯二甲胺（meta-xylylenediamine）、六伸甲基二胺等；作為脂環式二胺，可列舉1,4-二胺基環己烷、4,4'-伸甲基雙(環己基胺)等；作為芳香族二胺，可列舉對苯二胺、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基乙烷、4-胺基苯基-4-胺基苯甲酸酯、4,4'-二胺基偶氮苯、3,5-二胺基苯甲酸、1,5-雙(4-胺基苯氧基)戊烷、1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷、1,6-雙(4-胺基苯氧基)己烷、6,6'-(五伸甲基二氧基)雙(3-胺基吡啶)、N,N'-二(5-胺基-2-吡啶基)-N,N'-二(叔丁氧基羰基)乙二胺、雙[2-(4-胺基苯基)乙基]己二酸、4,4'-二胺基二苯基醚、4,4'-二胺基二苯基胺、4,4'-二胺基二苯乙基脲、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、4,4'-(伸苯基二伸異丙基)雙苯胺、2,6-二胺基吡啶、2,4-二胺基嘧啶、3,6-二胺基吖啶、N4,N4'-雙(4-胺基苯基)-N4,N4'-二甲基聯苯胺、N,N'-雙(5-胺基吡啶-2-基)-N,N'-二(叔丁氧基羰基)乙二胺等主鏈型二胺； 十六烷氧基-2,4-二胺基苯、十八烷氧基-2,4-二胺基苯、十八烷氧基-2,5-二胺基苯、膽甾烷基氧基-3,5-二胺基苯、膽甾醇基氧基-3,5-二胺基苯、膽甾烷基氧基-2,4-二胺基苯、膽甾醇基氧基-2,4-二胺基苯、3,5-二胺基苯甲酸膽甾烷基酯、3,5-二胺基苯甲酸膽甾醇基酯、3,5-二胺基苯甲酸羊毛甾烷基酯、3,6-雙(4-胺基苯甲醯基氧基)膽甾烷、3,6-雙(4-胺基苯氧基)膽甾烷、4-(4'-三氟甲氧基苯甲醯氧基)環己基-3,5-二胺基苯甲酸酯、1,1-雙(4-((胺基苯基)甲基)苯基)-4-丁基環己烷、3,5-二胺基苯甲酸=5ξ-膽甾烷-3-基、下述式（E-1）所表示的化合物等側鏈型二胺等； [化30] （式（E-1）中，X I及X II分別獨立地為單鍵、-O-、*-COO-或*-OCO-（其中，「*」表示與二胺基苯基側的鍵結鍵）；R I為碳數1～3的烷二基；R II為單鍵或碳數1～3的烷二基；R III為碳數1～20的烷基、烷氧基、氟烷基或氟烷氧基；a為0或1；b為0～3的整數；c為0～2的整數；d為0或1；其中，1≦a+b+c≦3） 作為二胺基有機矽氧烷，可列舉1,3-雙(3-胺基丙基)-四甲基二矽氧烷等。
作為式（E-1）所表示的化合物，例如可列舉下述式（E-1-1）～式（E-1-4）各自所表示的化合物等。 [化31]
在聚合物（P）包含結構單元（UD）的情況下，相對於源自構成聚合物（P）的二胺化合物的所有結構單元，結構單元（UD）的比例較佳為65莫耳%以下，更佳為55莫耳%以下。
〔源自四羧酸衍生物的結構單元〕 聚合物（P）所具有的源自四羧酸衍生物的結構單元（以下，也稱為「結構單元（TA）」）只要為能夠與二胺化合物縮合而獲得聚合物的化合物即可，並無特別限定。作為提供結構單元（TA）的單量體，例如可列舉：脂肪族四羧酸二酐、芳香族四羧酸二酐及它們的衍生物。作為脂肪族四羧酸二酐，可列舉鏈狀四羧酸二酐及脂環式四羧酸二酐。
關於它們的具體例，作為鏈狀四羧酸二酐，可列舉1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐、乙二胺四乙酸二酐等；作為脂環式四羧酸二酐，可列舉1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、2,3,5-三羧基環戊基乙酸二酐、5-(2,5-二氧代四氫呋喃-3-基)-3a,4,5,9b-四氫萘並[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、5-(2,5-二氧代四氫呋喃-3-基)-8-甲基-3a,4,5,9b-四氫萘並[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、2,4,6,8-四羧基雙環[3.3.0]辛烷-2:4,6:8-二酐、環戊烷四羧酸二酐、環己烷四羧酸二酐等、3,5,6-三羧基-2-羧基甲基降冰片烷-2:3,5:6-二酐；作為芳香族四羧酸二酐，可列舉均苯四甲酸二酐、4,4'-(六氟伸異丙基)二鄰苯二甲酸酐、乙二醇雙偏苯三酸酐、4,4'-羰基二鄰苯二甲酸酐、3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐等。
就可使所獲得的液晶配向劑的塗布性或印刷性（特別是噴墨塗布性）良好、而且可獲得顯示出良好的液晶配向性的液晶配向膜的方面而言，提供結構單元（TA）的四羧酸衍生物較佳為包含脂肪族四羧酸二酐或其衍生物，更佳為包含脂環式四羧酸二酐或其衍生物。在聚合物（P）中，相對於源自構成聚合物（P）的四羧酸衍生物的所有結構單元，源自脂環式四羧酸二酐或其衍生物的結構單元的比例較佳為20莫耳%以上，更佳為30莫耳%以上，進而較佳為50莫耳%以上。
〔化合物的合成〕 二胺化合物（DA-1）、二胺化合物（DA-2）、二胺化合物（DB-1）及二胺化合物（DB-2）的製造方法並無特別限定，可通過將有機化學的常規方法適宜組合來製造。作為其一例，可列舉如下方法：首先，在目標二胺化合物中，合成代替一級胺基而具有硝基的二硝基中間物，繼而，使用適當的還原系對所獲得的二硝基中間物的硝基進行胺基化。
合成二硝基中間物的方法可根據目標二胺化合物的分子結構來適宜選擇。例如，所述式（a1-1）所表示的化合物可通過如下方法等來合成：使具有對應於A 1的結構的二級胺化合物與「Y 1-R 1-Ar 1-(NO 2) 2」所表示的二硝基化合物（Y 1為可與胺基反應的官能基（例如，鹵素原子、羧基、鹵代羰基等））反應的方法；使具有對應於A 1的結構的二級胺化合物與具有「Y 1-R 1-Y 2」所表示的部分結構的化合物（Y 2為經保護的羧基）反應後，使通過所述反應而獲得的中間物與具有對應於Ar 1的結構及一級胺基的二硝基化合物反應的方法；使具有對應於A 1-R 1的結構的羥基化合物與具有對應於Ar 1的結構及鹵素原子的二硝基化合物反應的方法。其中，二胺化合物的合成方法並不限定於所述。
〔聚合物（P）的合成〕 聚合物（P）可通過包括使包含四羧酸衍生物與二胺化合物的單量體聚合的步驟的方法來獲得。
聚醯胺酸 在聚合物（P）為聚醯胺酸的情況下，所述聚醯胺酸（以下，也稱為「聚醯胺酸（P）」）可通過使四羧酸二酐與二胺化合物和視需要的分子量調整劑一起反應來獲得。
在聚醯胺酸（P）的合成反應中，四羧酸二酐與二胺化合物的使用比例較佳為相對於二胺化合物的胺基1當量而四羧酸二酐的酸酐基成為0.2當量～2當量的比例。作為分子量調整劑，例如可列舉：馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、衣康酸酐等酸單酐；苯胺、環己基胺、正丁基胺等單胺化合物；異氰酸苯酯、異氰酸萘酯等單異氰酸酯化合物等。相對於所使用的四羧酸二酐以及二胺化合物的合計100質量份，分子量調整劑的使用比例較佳為設為20質量份以下。
在聚醯胺酸（P）的合成反應中，反應溫度較佳為-20℃～150℃，反應時間較佳為0.1小時～24小時。作為用於反應的有機溶媒，例如可列舉：非質子性極性溶媒、酚系溶媒、醇系溶媒、酮系溶媒、酯系溶媒、醚系溶媒、鹵化烴、烴等。這些中，較佳為使用選自由N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、γ-丁內酯、四甲基脲、六甲基磷醯三胺、間甲酚、二甲酚及鹵化苯酚所組成的群組中的一種以上作為反應溶媒，或者使用它們的一種以上與其他有機溶媒（例如丁基溶纖劑、二乙二醇二乙醚等）的混合物。有機溶媒的使用量較佳為設為相對於反應溶液的總量而四羧酸二酐及二胺化合物的合計量成為0.1質量%～50質量%的量。
在通過所述聚合而獲得使聚醯胺酸（P）溶解而成的聚合物溶液的情況下，可將所述聚合物溶液直接供於液晶配向劑的製備，也可在將聚合物溶液中所含的聚醯胺酸（P）分離後供於液晶配向劑的製備。
聚醯胺酸酯 在聚合物（P）為聚醯胺酸酯的情況下，所述聚醯胺酸酯例如可通過如下方法等來獲得：[I]使聚醯胺酸（P）與酯化劑反應的方法；[II]使四羧酸二酯與二胺化合物反應的方法；[III]使四羧酸二酯二鹵化物與二胺化合物反應的方法。聚醯胺酸酯可僅具有醯胺酸酯結構，也可為使醯胺酸結構與醯胺酸酯結構並存的部分酯化物。使聚醯胺酸酯溶解而成的反應溶液可直接用於液晶配向劑的製備。另外。也可將反應溶液中所含的聚醯胺酸酯分離，並將分離出的聚醯胺酸酯用於液晶配向劑的製備。
聚醯亞胺 在聚合物（P）為聚醯亞胺的情況下，所述聚醯亞胺（以下，也稱為「聚醯亞胺（P）」）例如可通過對聚醯胺酸（P）進行脫水閉環並進行醯亞胺化來獲得。聚醯亞胺（P）可為將作為其前體的聚醯胺酸（P）所具有的醯胺酸結構全部脫水閉環而成的完全醯亞胺化物，也可為將醯胺酸結構的僅一部分脫水閉環而醯胺酸結構與醯亞胺環結構並存的部分醯亞胺化物。聚醯亞胺（P）較佳為醯亞胺化率為20%～99%，更佳為30%～90%。此外，醯亞胺化率是以百分率來表示醯亞胺環結構的數量相對於聚醯亞胺的醯胺酸結構的數量與醯亞胺環結構的數量的合計而言所占的比例。這裡，醯亞胺環的一部分可為異醯亞胺環。
聚醯胺酸（P）的脫水閉環較佳為通過如下方法來進行：將聚醯胺酸（P）溶解於有機溶媒中，在所述溶液中添加脫水劑及脫水閉環催化劑，視需要進行加熱。所述方法中，作為脫水劑，例如可使用乙酸酐、丙酸酐、三氟乙酸酐等酸酐。相對於聚醯胺酸（P）的醯胺酸結構的1莫耳，脫水劑的使用量較佳為設為0.01莫耳～20莫耳。作為脫水閉環催化劑，例如可使用：吡啶、三甲吡啶、二甲吡啶、三乙基胺等三級胺。相對於所使用的脫水劑1莫耳，脫水閉環催化劑的使用量較佳為設為0.01莫耳～10莫耳。
作為脫水閉環反應中所使用的有機溶媒，可列舉作為用於合成聚醯胺酸（P）的有機溶媒而例示的有機溶媒。脫水閉環反應的反應溫度較佳為0℃～180℃。反應時間較佳為1.0小時～120小時。此外，含有聚醯亞胺（P）的反應溶液可直接用於液晶配向劑的製備。另外，也可從反應溶液中分離出聚醯亞胺（P），並將分離出的聚醯亞胺（P）用於液晶配向劑的製備。聚醯亞胺（P）也可通過聚醯胺酸酯的脫水閉環來獲得。
在製成濃度為10質量%的溶液時，聚合物（P）的溶液黏度較佳為具有10 mPa·s～800 mPa·s的溶液黏度，更佳為具有15 mPa·s～500 mPa·s的溶液黏度。此外，溶液黏度（mPa·s）是對於使用聚合物（P）的良溶媒（例如，γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯烷酮等）所製備的濃度10質量%的聚合物溶液，使用E型旋轉黏度計在25℃下測定而得的值。
聚合物（P）的通過凝膠滲透層析法（gel permeation chromatography，GPC）測定而得的聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）較佳為1,000～500,000，更佳為2,000～300,000。由Mw與通過GPC測定而得的聚苯乙烯換算的數量平均分子量（Mn）的比所表示的分子量分佈（Mw/Mn）較佳為7以下，更佳為5以下。
相對於液晶配向劑中所含的固體成分的總量（即，液晶配向劑的溶媒以外的成分的合計質量），液晶配向劑中的聚合物（P）的含有比例較佳為20質量%以上，更佳為30質量%以上，進而較佳為40質量%以上。
＜其他成分＞ 第一液晶配向劑除聚合物（P）以外，視需要也可含有與聚合物（P）不同的成分（以下，也稱為「其他成分」）。
聚合物（Q） 第一液晶配向劑也可還含有不具有部分結構（A）及部分結構（B）的任一結構的聚合物（Q）。聚合物（Q）的主骨架並無特別限定。作為聚合物（Q），例如可列舉：聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺、聚有機矽氧烷、聚酯、聚烯胺、聚脲、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯並噁唑前體、聚苯並噁唑、纖維素衍生物、聚縮醛、加成聚合物（例如，(甲基)丙烯酸系聚合物、苯乙烯系聚合物、馬來醯亞胺系聚合物、苯乙烯-馬來醯亞胺系共聚物）等。這些中，聚合物（Q）較佳為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺及加成聚合物所組成的群組中的至少一種。
在使第一液晶配向劑含有聚合物（Q）的情況下，相對於第一液晶配向劑中所含的聚合物（P）與聚合物（Q）的合計量100質量份，聚合物（Q）的含有比例較佳為1質量份以上，更佳為2質量份以上。另外，相對於第一液晶配向劑中所含的聚合物（P）與聚合物（Q）的合計量100質量份，聚合物（Q）的含有比例較佳為95質量份以下，更佳為90質量份以下。
溶劑 第一液晶配向劑作為使聚合物（P）及視需要而使用的其他成分較佳為在適當的溶媒中分散或溶解而成的液狀的組合物來製備。
作為溶劑，可較佳地使用有機溶媒。作為其具體例，可列舉：N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、1,2-二甲基-2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、苯酚、γ-丁內酯、γ-丁內醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、二丙酮醇、1-己醇、2-己醇、丙烷-1,2-二醇、3-甲氧基-1-丁醇、乙二醇單甲醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇-正丙醚、乙二醇-異丙醚、乙二醇-正丁醚（丁基溶纖劑）、乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二異丁基酮、丙酸異戊酯、異丁酸異戊酯、二異戊醚、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、丙二醇單甲醚（propylene glycol monomethyl ether，PGME）、二乙二醇二乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯（propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA）、丙二醇二乙酸酯、環戊酮、環己酮等。作為溶劑，可單獨使用一種或混合使用兩種以上。
作為調配於第一液晶配向劑中的其他成分，除所述以外，例如可列舉：交聯劑、抗氧化劑、金屬螯合物化合物、硬化促進劑、表面活性劑、填充劑、分散劑、光增感劑等。其他成分的調配比例可在無損本案的效果的範圍內，根據各化合物而適宜選擇。
第一液晶配向劑的固體成分濃度（液晶配向劑的溶媒以外的成分的合計質量占液晶配向劑的總質量的比例）是考慮黏性、揮發性等而適宜選擇。液晶配向劑的固體成分濃度較佳為1質量%～10質量%的範圍。若固體成分濃度為1質量%以上，則可充分確保塗膜的膜厚、可獲得顯示出更良好的液晶配向性的液晶配向膜，就此方面而言適合。另一方面，若固體成分濃度為10質量%以下，則有如下傾向：可將塗膜設為適度的厚度，容易獲得顯示出良好的液晶配向性的液晶配向膜，另外，液晶配向劑的黏性變得適度，可使塗布性良好。
＜第二液晶配向劑＞ 第二液晶配向劑含有聚合物（P）與具有部分結構（A）的化合物（其中，聚合物除外；以下也稱為「化合物（MA）」），所述聚合物（P）為包含源自具有部分結構（B）的二胺化合物的結構單元的聚合物。此外，在以下的說明中，關於與第一液晶配向劑重複的部分，省略其說明，並援用第一液晶配向劑的說明。
＜聚合物（P）＞ 第二液晶配向劑中所含的聚合物（P）為在一分子內具有源自四羧酸衍生物的結構單元與源自二胺化合物的結構單元的聚合物，且包含所述結構單元（UB）作為源自二胺化合物的結構單元。關於結構單元（UB）的具體例及較佳例、以及聚合物（P）中的結構單元（UB）的比例，可應用第一液晶配向劑中的說明。
聚合物（P）也可還包含與結構單元（UB）不同的結構單元作為源自二胺化合物的結構單元。作為所述結構單元，可列舉與在第一液晶配向劑的說明中作為其他結構單元而說明的結構單元相同的結構單元。此外，第二液晶配向劑中所含的聚合物（P）也可一併包含結構單元（UB）及結構單元（UA）。就容易調整液晶配向劑中的結構單元（UA）的含量的方面而言，第二液晶配向劑中所含的聚合物（P）較佳為不包含結構單元（UA）。
在第二液晶配向劑中，相對於液晶配向劑中所含的固體成分的總量，聚合物（P）的含有比例較佳為20質量%以上，更佳為30質量%以上，進而較佳為40質量%以上。另外，相對於液晶配向劑中所含的固體成分的總量，聚合物（P）的含有比例較佳為99質量%以下，更佳為98質量%以下。
＜化合物（MA）＞ 化合物（MA）具有選自由經吸電子性基F1取代的取代雜環結構、醌結構及四氰基醌二甲烷結構所組成的群組中的至少一種作為部分結構（A）。關於化合物（MA）所具有的取代雜環結構的具體例及較佳例，可列舉與作為所述二胺化合物（DA-1）所具有的取代雜環結構的具體例及較佳例而說明的結構相同的結構。
關於化合物（MA）所具有的醌結構的具體例及較佳例，可列舉與作為所述二胺化合物（DA-2）所具有的醌結構的具體例及較佳例而說明的結構相同的結構。就提高與部分結構（B）的相互作用的觀點而言，化合物（MA）所具有的醌結構較佳為二級胺基（-NH-）或三級胺基與環鍵結。與醌結構的環鍵結的二級胺基及三級胺基的數量（在具有兩種以上的情況下為其合計量）較佳為一個或兩個。 化合物（MA）所具有的四氰基醌二甲烷結構可在環部分具有取代基。作為所述取代基，可列舉：碳數1～3的烷基、碳數1～3的烷氧基、鹵素原子等。
關於化合物（MA）的具體例，作為具有經吸電子性基F1取代的取代雜環結構的化合物，可列舉下述式（d-6-1）～式（d-6-3）各自所表示的化合物等；作為具有醌結構的化合物，可列舉下述式（d-6-4）～式（d-6-7）各自所表示的化合物等；作為具有四氰基醌二甲烷結構的化合物，可列舉下述式（d-6-8）～式（d-6-14）各自所表示的化合物等。 [化32]
在第二液晶配向劑中，相對於液晶配向劑中所含的聚合物成分的總量100質量份，化合物（MA）的含有比例較佳為1質量份以上，更佳為2質量份以上，進而較佳為5質量份以上。另外，相對於液晶配向劑中所含的聚合物成分的總量100質量份，化合物（MA）的含有比例較佳為30質量份以下，更佳為25質量份以下，進而較佳為20質量份以下。
此外，第二液晶配向劑視需要也可還含有與聚合物（P）及化合物（MA）不同的成分。關於所述成分的具體例、較佳例、含有比例等，可應用第一液晶配向劑中的其他成分的說明。
《液晶配向膜及液晶元件》 本案的液晶配向膜可通過如所述那樣製備的液晶配向劑來製造。另外，本案的液晶元件包括使用上文中所說明的液晶配向劑而形成的液晶配向膜。液晶元件中的液晶的驅動方式並無特別限定，例如可應用於扭轉向列（Twisted Nematic，TN）型、超扭轉向列（Super Twisted Nematic，STN）型、垂直配向（Vertical Alignment，VA）型（包含垂直配向-多域垂直配向（Vertical Alignment-Multi-domain Vertical Alignment，VA-MVA）型、垂直配向-圖案垂直配向（Vertical Alignment-Patterned Vertical Alignment，VA-PVA）型等）、共面切換（In-Plane Switching，IPS）型、邊緣場切換（Fringe Field Switching，FFS）型、光學補償彎曲（Optically Compensated Bend，OCB）型、聚合物穩定配向（Polymer Sustained Alignment，PSA）型等各種模式。液晶元件例如可利用包括以下步驟1～步驟3的方法來製造。步驟1中，使用基板根據所期望的動作模式而不同。步驟2及步驟3在各動作模式中共通。
＜步驟1：塗膜的形成＞ 首先，通過在基板上塗布液晶配向劑，較佳為對塗布面進行加熱而在基板上形成塗膜。作為基板，例如可使用：浮法玻璃、鈉玻璃等玻璃；包含聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醚碸、聚碳酸酯、聚(脂環式烯烴)等塑料的透明基板。作為設置於基板的其中一面的透明導電膜，可使用包含氧化錫（SnO 2）的奈塞（NESA）膜（美國PPG公司注冊商標）、包含氧化銦-氧化錫（In 2O 3-SnO 2）的氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）膜等。在製造TN型、STN型或VA型的液晶元件的情況下，使用兩枚設置有經圖案化的透明導電膜的基板。另一方面，在製造IPS型或FFS型的液晶元件的情況下，使用設置有經圖案化為梳齒型的電極的基板、與未設置電極的相向基板。
向基板塗布液晶配向劑的方法並無特別限定。液晶配向劑向基板的塗布例如可通過旋塗方式、印刷方式（例如，膠版印刷方式、柔版印刷方式等）、噴墨方式、狹縫塗布方式、棒塗機方式、擠出模（extrusion die）方式、直接凹版塗布機（direct gravure coater）方式、腔室刮刀塗布機（chamber doctor coater）方式、膠版凹版塗布機（offset gravure coater）方式、含浸塗布機方式、MB塗布機方式等來進行。
在塗布液晶配向劑後，出於防止所塗布的液晶配向劑的流掛等目的，較佳為實施預加熱（預烘烤）。預烘烤溫度較佳為30℃～200℃，預烘烤時間較佳為0.25分鐘～10分鐘。其後，將溶劑完全去除，視需要以對聚合物中所存在的醯胺酸結構進行熱醯亞胺化為目的而實施煆燒（後烘烤）步驟。此時的煆燒溫度（後烘烤溫度）較佳為80℃～280℃，更佳為80℃～250℃。後烘烤時間較佳為5分鐘～200分鐘。所形成的膜的膜厚較佳為0.001 μm～1 μm。
＜步驟2：配向處理＞ 在製造TN型、STN型、IPS型或FFS型液晶元件的情況下，實施對所述步驟1中形成的塗膜賦予液晶配向能力的處理（配向處理）。由此，液晶分子的配向能力被賦予到塗膜而形成液晶配向膜。作為配向處理，較佳為使用對基板上所形成的塗膜的表面利用棉花或尼龍等進行擦拭的摩擦處理、或對塗膜進行光照射以對其賦予液晶配向能力的光配向處理。在製造垂直配向型的液晶元件的情況下，可將所述步驟1中形成的塗膜直接用作液晶配向膜，為了進一步提高液晶配向能力，也可對所述塗膜實施配向處理。適合於垂直配向型的液晶元件的液晶配向膜也可較佳地用於PSA型的液晶元件。
用於光配向的光照射可通過如下方法等來進行：對後烘烤步驟後的塗膜進行照射的方法；對預烘烤步驟後且後烘烤步驟前的塗膜進行照射的方法；在預烘烤步驟及後烘烤步驟的至少任一者中，在塗膜的加熱過程中對塗膜進行照射的方法。作為照射到塗膜的放射線，例如可使用：包含150 nm～800 nm的波長的光的紫外線及可見光線。較佳為包含200 nm～400 nm的波長的光的紫外線。在放射線為偏光的情況下，可為直線偏光，也可為部分偏光。在所使用的放射線為直線偏光或部分偏光的情況下，照射可從垂直於基板面的方向進行，也可從斜方向進行，或者也可將這些方向加以組合而進行。非偏光的放射線時的照射方向設為斜方向。
作為所使用的光源，例如可列舉：低壓水銀燈、高壓水銀燈、氘燈、金屬鹵化物燈、氬共振燈、氙燈、准分子雷射等。放射線的照射量較佳為200 J/m 2～30,000 J/m 2，更佳為500 J/m 2～10,000 J/m 2。在用於賦予配向能力的光照射後，也可進行對基板表面使用例如水、有機溶媒（例如，甲醇、異丙醇、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、丁基溶纖劑、乳酸乙酯等）或它們的混合物進行清洗的處理、或對基板進行加熱的處理。
＜步驟3：液晶單元的構築＞ 準備兩枚以所述方式形成有液晶配向膜的基板，通過在相向配置的兩枚基板間配置液晶來製造液晶單元。在製造液晶單元時，例如可列舉如下方法等：以液晶配向膜相向的方式隔著間隙將兩枚基板相向配置，利用密封劑將兩枚基板的周邊部貼合，在由基板表面與密封劑所包圍的單元間隙內注入填充液晶並將注入孔密封的方法、利用液晶滴注（One Drop Fill，ODF）方式的方法。作為密封劑，例如可使用含有硬化劑及作為間隔物的氧化鋁球的環氧樹脂等。作為液晶，可列舉向列液晶（nematic liquid crystal）、近晶液晶（smectic liquid crystal），其中較佳為向列液晶。
在PSA模式中，進行如下處理：將聚合性化合物（例如，多官能(甲基)丙烯酸酯化合物等）與液晶一起填充到單元間隙內，並且在液晶單元的構築後，在對一對基板所具有的導電膜間施加電壓的狀態下，對液晶單元進行光照射。在製造PSA型的液晶元件時，相對於液晶的合計100質量份，聚合性化合物的使用比例例如為0.01質量份～3質量份，較佳為0.05質量份～1質量份。
在製造液晶顯示裝置的情況下，繼而，在液晶單元的外側表面貼合偏光板。作為偏光板，可列舉：利用乙酸纖維素保護膜將一面使聚乙烯醇延伸配向一面使其吸收碘而成的被稱為「H膜」的偏光膜夾持而成的偏光板、或包含H膜其本身的偏光板。
本案的液晶元件可有效地應用於各種用途。具體而言，例如可用作鐘錶、便攜式遊戲機、文字處理器（word processor）、筆記本型個人計算機、汽車導航系統（car navigation system）、攝像機（camcorder）、個人數字助理（Personal Digital Assistant，PDA）、數字照相機（digital camera）、移動電話、智能手機、各種監視器、液晶電視、訊息顯示器等各種顯示裝置或調光裝置、相位差膜等。
[實施例] 以下，基於實施例而對實施方式進行更詳細的說明，但本發明並不由以下的實施例限定性地解釋。
在以下的例子中，通過以下方法來測定聚合物溶液中的聚醯亞胺的醯亞胺化率、以及聚合物的重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）。以下的實施例中所使用的原料化合物及聚合物的需要量是通過視需要重複進行下述合成例中所示的合成規模下的合成來確保。
[聚醯亞胺的醯亞胺化率] 將聚醯亞胺的溶液投入到純水中，將所獲得的沉澱在室溫下充分地減壓乾燥後，溶解於氘化二甲基亞碸中，以四甲基矽烷作為基準物質，在室溫下進行氫譜核磁共振（ 1H-nuclear magnetic resonance， 1H-NMR）測定。根據所獲得的 1H-NMR光譜，利用下述數式（I）而求出醯亞胺化率[%]。 醯亞胺化率[%]=（1-（A 1/（A 2×α）））×100     …（I） （數式（I）中，A 1為在化學位移10 ppm附近出現的源自NH基的質子的峰值面積，A 2為源自其他質子的峰值面積，α為其他質子相對於聚合物的前體（聚醯胺酸）中的NH基的一個質子的個數比例）
[重量平均分子量（Mw）及數量平均分子量（Mn）] Mw及Mn為通過以下條件下的GPC測定而得的聚苯乙烯換算值。 管柱：東曹（Tosoh）（股）製造，TSKgelGRCXLII 溶劑：四氫呋喃 溫度：40℃ 壓力：68 kgf/cm 2
化合物的簡稱如以下所述。此外，以下有時將式（X）所表示的化合物簡單表示為「化合物（X）」。
（四羧酸二酐） [化33]
（二胺化合物） [化34] [化35]
[化36] [化37] [化38] [化39]
[化40] [化41]
（含碳-碳不飽和鍵的單體） [化42] [化43]
（添加劑） [化44] [化45]
（溶劑） NMP：N-甲基-2-吡咯烷酮（N-methyl-2-pyrrolidone，NMP） NEP：N-乙基-2-吡咯烷酮（N-ethyl-2-pyrrolidone，NEP） GBL：γ-丁內酯（Gamma-Butyrolactone，GBL） BC：丁基溶纖劑（Butyl Cellosolve，BC） DGDE：二乙二醇二乙醚（Diethylene Glycol Diethyl Ether，DGDE） DIBK：二異丁基酮（Diisobutyl ketone，DIBK）
（合成溶媒） DMF：N,N-二甲基甲醯胺（N,N-Dimethyl formamide，DMF） THF：四氫呋喃（Tetrahydrofuran，THF） DMAc：二甲基乙醯胺（Dimethyl acetamide，DMAc）
＜化合物的合成＞ [合成例1-1]化合物（DA-1）的合成 將4,5-二氰基咪唑（12.7 mmol）與碳酸鉀（15.3 mmol）加入到DMF（15 mL）中，在氮氣下、在室溫下攪拌30分鐘。繼而，將3,5-二硝基苄氯（15.2 mmol）添加到攪拌中的反應液中，在氮氣下、在室溫下攪拌6小時。反應結束後，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮並加以乾燥，由此以產率95%獲得下述式（DA-1-1）所表示的化合物。 其次，將中間物（DA-1-1）（15.2 mmol）、鋅粉末（303 mmol）、氯化銨（152 mmol）加入到THF（30 mL）與乙醇（6 mL）的混合溶媒中，在氮氣下、在0℃下進行攪拌。繼而，滴加純水（432 mmol），在0℃下持續攪拌1小時。其後，在氮氣下、在室溫下攪拌5小時。反應結束後，對反應溶液進行矽藻土過濾，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮，由此以產率70%獲得黃色固體的化合物（DA-1）。將化合物（DA-1）的氫譜核磁共振（ 1H-nuclear magnetic resonance， 1H-NMR）光譜（二甲基亞碸（dimethyl sulfoxide，DMSO）-d 6、400 MHz）的測定結果示於圖1中。 大氣壓電離電噴霧（Atmospheric Pressure Ionization-eleotrospray，API-ES） m/z：239.1（計算[M+H] +（calc. for [M+H] +）：239.10） [化46]
[合成例1-2]化合物（DA-2）的合成 將4,5-二氰基咪唑（12.7 mmol）與三乙基胺（15.3 mmol）加入到THF（15 mL）中，在氮氣下、在0℃下攪拌10分鐘。繼而，將溶解於THF 10 mL中的3,5-二硝基苯甲醯氯（12.7 mmol）滴加到攪拌中的反應液中，在0℃下持續攪拌1小時。其後，在氮氣下、在室溫下攪拌5小時。反應結束後，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮並加以乾燥，由此以產率90%獲得下述式（DA-2-1）所表示的化合物。 其次，將中間物（DA-2-1）（11.4 mmol）與5%Pd/C（0.73 g）加入到THF（12 mL）與乙醇（12 mL）的混合溶劑中，在氮氣下、在0℃下攪拌10分鐘。繼而，將肼一水合物（68.6 mmol）滴加到攪拌中的反應液中，在0℃下持續攪拌30分鐘。其後，在氮氣下、在66℃下攪拌6小時。反應結束後，對反應溶液進行矽藻土過濾，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮，由此以產率85%獲得化合物（DA-2）。 [化47]
[合成例1-3]化合物（DA-3）的合成 將4,5-二氰基咪唑（12.7 mmol）與碳酸鉀（25.4 mmol）加入到DMF（25 mL）中，在氮氣下、在室溫下攪拌30分鐘。繼而，將3-溴丙酸乙酯（15.2 mmol）添加到攪拌中的反應液中，在氮氣下、在100℃下攪拌6小時。反應結束後，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮並加以乾燥，由此以產率80%獲得下述式（DA-3-1）所表示的化合物。 將中間物（DA-3-1）（10.2 mmol）加入到1 mol/L的鹽酸水溶液（20 mL）中，在回流下攪拌8小時。其後，對溶液進行濃縮，利用乙醇進行清洗並加以乾燥，由此以產率80%獲得下述式（DA-3-2）所表示的化合物。 將中間物（DA-3-2）（8.1 mmol）加入到亞硫醯氯（81.3 mmol）中。在氮氣下、在室溫下進行攪拌，同時加入DMF（0.08 mmol）。其後，在回流下攪拌1.5小時。反應結束後，對反應液進行濃縮，利用THF（10 mL）將殘渣溶解。將本溶液設為溶液A。另行利用THF（10 mL）將3,5-二硝基苯胺（8.1 mmol）與三乙基胺（16.3 mmol）溶解，在氮氣下、在0℃下攪拌10分鐘。向所述溶液中滴加所述溶液A，在0℃下持續攪拌1小時。其後，在氮氣下、在室溫下攪拌3小時。反應結束後，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮並加以乾燥，由此以產率85%獲得下述式（DA-3-3）所表示的化合物。 將中間物（DA-3-3）（6.9 mmol）與5%Pd/C（0.44 g）加入到THF（8 mL）與乙醇（8 mL）的混合溶劑中，在氮氣下、在0℃下攪拌10分鐘。繼而，將肼一水合物（41.5 mmol）滴加到攪拌中的反應液中，在0℃下持續攪拌30分鐘。其後，在氮氣下、在室溫下攪拌6小時。反應結束後，對反應溶液進行矽藻土過濾，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮，由此以產率80%獲得化合物（DA-3）。 [化48]
[合成例1-4]化合物（DA-4）的合成 在合成例1-1的合成流程的第一階段中，將4,5-二氰基咪唑變更為2,4,5-三溴咪唑，除此以外，利用與合成例1-1相同的方法來合成，獲得化合物（DA-4）。
[合成例1-5]化合物（DA-5）的合成 在合成例1-1的合成流程的第一階段中，將3,5-二硝基苄氯變更為2,4-二硝基苄氯，除此以外，利用與合成例1-1相同的方法來合成，獲得化合物（DA-5）。
[合成例1-6]化合物（DA-6）的合成 將化合物（DA-6-1）（12.3 mmol）加入到DMAc（20 mL）中，在氮氣下、在0℃下攪拌10分鐘。繼而，將叔丁醇鈉（18.5 mmol）分多次加入到攪拌中的反應液中，在0℃下持續攪拌30分鐘。其後，將溶解於DMAc（5 mL）中的2,4-二硝基氟苯（13.5 mmol）添加到攪拌中的反應液中，在氮氣下、在0℃下攪拌6小時。在反應結束後，加入水，然後加入乙酸乙酯來進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮並加以乾燥，由此以產率90%獲得下述式（DA-6-2）所表示的化合物。 將中間物（DA-6-2）（11.1 mmol）與5%Pd/C（0.71 g）加入到THF（12 mL）與乙醇（12 mL）的混合溶劑中，在氮氣下、在0℃下攪拌10分鐘。繼而，將肼一水合物（66.4 mmol）滴加到攪拌中的反應液中，在0℃下持續攪拌30分鐘。其後，在氮氣下、在66℃下攪拌6小時。反應結束後，對反應溶液進行矽藻土過濾，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮，由此以產率90%獲得化合物（DA-6）。此外，化合物（DA-6-1）是依據公知的文獻（生物有機化學與醫藥化學通訊（Bioorganic & Medicinal Chemistry Letters）（2019）, 29（9）, 1138-1142）來合成。 [化49]
[合成例1-7]化合物（DA-7）的合成 在合成例1-1的合成流程的第一階段中，將4,5-二氰基咪唑變更為4-乙醯基咪唑，除此以外，利用與合成例1-1相同的方法來合成，獲得化合物（DA-7）。
[合成例1-8]化合物（DA-8）的合成 在合成例1-1的合成流程的第一階段中，將4,5-二氰基咪唑變更為4,5-雙(三氟甲基)咪唑，將3,5-二硝基苄氯變更為2,4-二硝基苄氯，除此以外，利用與合成例1-1相同的方法來合成，獲得化合物（DA-8）。
[合成例1-9]化合物（DA-9）的合成 將2,5-二甲氧基-1,4-苯醌（17.8 mmol）加入到乙醇（25 mL）中，在氮氣下、在室溫下進行攪拌。將溶解於乙醇（15 mL）中的2-(4-胺基苯基)乙基胺（36.0 mmol）滴加到反應液中，在氮氣下、在室溫下攪拌5小時。反應結束後，對所析出的固體進行過濾分離，利用乙醇對固體進行清洗後，進行乾燥，由此以產率95%獲得胭脂色固體的化合物（DA-9）。將化合物（DA-9）的 1H-NMR光譜（DMSO-d 6、400 MHz）的測定結果示於圖2中。 API-ES m/z：377.2（計算[M+H] +（calc. for [M+H] +）：377.20） [化50]
[合成例1-10]化合物（DA-10）的合成 在合成例1-9中，將2-(4-胺基苯基)乙基胺變更為4-胺基苄基胺，除此以外，利用與合成例1-9相同的方法來合成，獲得化合物（DA-10）。
[合成例1-11]化合物（DA-11）的合成 將3-(4-硝基苯基)丙酸（15.0 mmol）加入到亞硫醯氯（150.0 mmol）中。在氮氣下、在室溫下進行攪拌，同時加入DMF（0.15 mmol）。其後，在回流下攪拌1.5小時。反應結束後，對反應液進行濃縮，利用THF（20 mL）將殘渣溶解。將本溶液設為溶液B。另行利用THF（30 mL）將乙二胺（30.0 mmol）與三乙基胺（60.0 mmol）溶解，在氮氣下、在0℃下攪拌10分鐘。向所述溶液中滴加所述溶液B，在0℃下持續攪拌1小時。其後，在氮氣下、在室溫下攪拌3小時。反應結束後，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮並加以乾燥，由此以產率70%獲得下述式（DA-11-1）所表示的化合物。 將中間物（DA-11-1）（10.5 mmol）與5%Pd/C（0.67 g）加入到乙醇（25 mL）中，對反應容器進行氮氣置換。繼而，對反應容器進行氫氣置換，在室溫下攪拌12小時。反應結束後，在反應溶液中加入THF後，進行矽藻土過濾，對濾液進行減壓濃縮，由此以產率90%獲得下述式（DA-11-2）所表示的化合物。 關於下述合成流程的第三階段，在合成例1-9中，將2-(4-胺基苯基)乙基胺變更為中間物（DA-11-2），將溶媒從乙醇變更為THF，除此以外，利用與合成例1-9相同的方法來合成，獲得化合物（DA-11）。 [化51]
[合成例1-12]化合物（DA-12）的合成 將2-胺基-5-硝基苄基胺（10.0 mmol）與5%Pt/C（1.56 g）加入到乙醇（40 mL）中，對反應容器進行氮氣置換。繼而，對反應容器進行氫氣置換，在室溫下攪拌12小時。反應結束後，在反應溶液中加入THF後，進行矽藻土過濾，對濾液進行減壓濃縮，由此以產率90%獲得下述式（DA-12-1）所表示的化合物。 將2,5-二甲氧基-1,4-苯醌（18.0 mmol）加入到乙醇（35 mL）中，在氮氣下、在室溫下進行攪拌。將溶解於乙醇（15 mL）中的中間物（DA-12-1）（9.0 mmol）滴加到反應液中，在氮氣下、在室溫下攪拌3小時。反應結束後，將溶媒去除，通過矽膠管柱層析法（在乙酸乙酯、己烷混合溶劑中溶出）而對殘渣進行精製，由此獲得化合物（DA-12）。 [化52]
[合成例1-13]化合物（DA-13）的合成 在合成例1-12的合成流程的第二階段中，將2,5-二甲氧基-1,4-苯醌變更為2,3-二甲基苯醌，除此以外，利用與合成例1-12相同的方法來合成，獲得化合物（DA-13）。
[合成例1-14]化合物（DA-14）的合成 將下述式（DA-14-1）（21.0 mmol）與5%Pd/C（1.34 g）加入到乙醇（50 mL）中，對反應容器進行氮氣置換。繼而，對反應容器進行氫氣置換，在室溫下攪拌12小時。反應結束後，在反應溶液中加入THF後，進行矽藻土過濾，對濾液進行減壓濃縮，由此以產率90%獲得下述式（DA-14-2）所表示的化合物。 關於下述合成流程的第二階段的反應，在合成例1-12的合成流程的第二階段中，將中間物（DA-12-1）變更為中間物（DA-14-2），除此以外，利用與合成例1-12相同的方法來合成，獲得化合物（DA-14）。此外，下述式（DA-14-1）所表示的化合物是依據公知的文獻（東方化學期刊（Oriental Journal of Chemistry）（2013）, 29（1）, 17-22）來合成。 [化53]
[合成例1-15]化合物（DB-23）的合成 將吩噻嗪（10.0 mmol）與3,5-二硝基苄氯（10.0 mmol）加入到THF（30 mL）中，在氮氣下、在室溫下攪拌10分鐘。繼而，將溶解於純水（15 mL）中的氫氧化鈉（13.0 mmol）添加到攪拌中的反應液中，在氮氣下、在室溫下攪拌6小時。反應結束後，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮，通過矽膠管柱層析法（在乙酸乙酯、己烷混合溶劑中溶出）而對殘渣進行精製，由此以產率70%獲得下述式（DB-23-1）。 其次，將中間物（DB-23-1）（7.0 mmol）、鋅粉末（140 mmol）、氯化銨（70.0 mmol）加入到THF（30 mL）與乙醇（5 mL）的混合溶媒中，在氮氣下、在0℃下進行攪拌。繼而，滴加純水（200 mmol），在0℃下持續攪拌1小時。其後，在氮氣下、在室溫下攪拌5小時。反應結束後，對反應溶液進行矽藻土過濾，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮，由此以產率90%獲得化合物（DB-23）。化合物（DB-23）的 1H-NMR光譜（DMSO-d 6、400 MHz、ppm）的測定結果如以下所述。 δ = 7.05 (m, 4H), 6.87 (t, J = 7.6 Hz, 2H), 6.74 (d, J = 8.8 Hz, 2H), 5.72 (s, 2H), 5.68 (s, 1H), 4.77 (s, 2H), 4.72 (s, 4H). API-ES m/z：320.1（計算[M+H] +（calc. for [M+H] +）：320.12） [化54]
[合成例1-16]化合物（DB-24）的合成 將3,5-二硝基苯胺（15.0 mmol）與三乙基胺（18.0 mmol）加入到THF（20 mL）中，在氮氣下、在0℃下攪拌10分鐘。繼而，滴加溶解於THF（10 mL）中的3-溴丙醯氯（15.0 mmol），在0℃下持續攪拌1小時。其後，在氮氣下、在室溫下攪拌3小時。反應結束後，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮並加以乾燥，由此以產率90%獲得下述式（DB-24-1）所表示的化合物。 關於下述合成流程的第二階段及第三階段的反應，將合成例1-15的合成流程的3,5-二硝基苄氯變更為中間物（DB-24-1），除此以外，利用與合成例1-15相同的方法來合成，獲得化合物（DB-24）。 [化55]
[合成例1-17]化合物（DB-25）的合成 將2,4-二硝基苯酚（10.0 mmol）與碳酸鉀（20.0 mmol）加入到DMF（20 mL）中，在氮氣下、在室溫下攪拌10分鐘。繼而，將溶解於DMF（5 mL）中的1,2-二溴乙烷（20.0 mmol）添加到攪拌中的反應液中。其後，在氮氣下、在100℃下攪拌6小時。反應結束後，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮，通過矽膠管柱層析法（在乙酸乙酯、己烷混合溶劑中溶出）而對殘渣進行精製，由此以產率80%獲得下述式（DB-25-1）。 關於下述合成流程的第二階段的反應，在合成例1-15的合成流程的第一階段中，將3,5-二硝基苄氯變更為中間物（DB-25-1），除此以外，利用與合成例1-15相同的方法來合成，獲得中間物（DB-25-2）。 將中間物（DB-25-2）（5.0 mmol）與5%Pd/C（0.32 g）加入到THF（8 mL）與乙醇（8 mL）的混合溶劑中，在氮氣下、在0℃下攪拌10分鐘。繼而，將肼一水合物（30.0 mmol）滴加到攪拌中的反應液中，在0℃下持續攪拌30分鐘。其後，在氮氣下、在66℃下攪拌6小時。反應結束後，對反應溶液進行矽藻土過濾，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮，由此以產率80%獲得化合物（DB-25）。 [化56]
[合成例1-18]化合物（DB-26）的合成 將2-甲氧基吩噻嗪（10.0 mmol）與氫氧化鈉（20.0 mmol）加入到DMSO（20 mL）中，在氮氣下、在室溫下攪拌15分鐘。繼而，滴加碘甲烷（100 mmol）。其後，在65℃下攪拌9小時。反應結束後，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮並加以乾燥，由此以產率90%獲得下述式（DB-26-1）所表示的化合物。 將中間物（DB-26-1）（9.0 mmol）加入到二氯甲烷（18 mL）中，在氮氣下、在0℃下攪拌15分鐘。繼而，滴加三溴化硼（1 M二氯甲烷溶液、13.5 mL）。其後，在氮氣下、在0℃下攪拌2小時，升溫到室溫後，再持續攪拌10小時。反應結束後，加入水，然後利用飽和碳酸氫鈉水溶液進行中和，利用二氯甲烷進行分液提取。對有機相進行減壓濃縮並加以乾燥，由此以產率95%獲得下述式（DB-26-2）所表示的化合物。 將中間物（DB-26-2）（8.6 mmol）與碳酸鉀（17.1 mmol）加入到DMF（15 mL）中，在氮氣下、在室溫下攪拌30分鐘。繼而，將溶解於DMF（5 mL）的中間物（DB-26-1）（8.6 mmol）添加到攪拌中的反應液中，在氮氣下、在100℃下攪拌6小時。反應結束後，加入乙酸乙酯，利用水進行分液清洗。對有機相進行減壓濃縮，通過矽膠管柱層析法（在乙酸乙酯、己烷混合溶劑中溶出）而對殘渣進行精製，由此以產率80%獲得下述式（DB-26-3）所表示的化合物。 關於下述合成流程的第四階段的反應，在合成例1-17的合成流程的第三階段中，將中間物（DB-25-2）變更為中間物（DB-26-3），除此以外，利用與合成例1-17相同的方法來合成，獲得中間物（DB-26） [化57]
[合成例1-19]化合物（DB-27）的合成 在合成例1-18的合成流程的第三階段中，將中間物（DB-25-1）變更為2,4-二硝基氟苯，除此以外，利用與合成例1-18相同的方法來合成，獲得化合物（DB-27）。
[合成例1-20]化合物（DB-28）的合成 在合成例1-6的合成流程的第一階段中，將化合物（DA-6-1）變更為吩噻嗪，除此以外，利用與合成例1-6相同的方法來合成，獲得化合物（DB-28）。
＜聚合物的合成＞ 1.聚醯胺酸的合成 [合成例2-1] 將作為四羧酸二酐的化合物（c-1）100莫耳份、以及作為二胺化合物的化合物（DA-1）60莫耳份、化合物（DB-20）10莫耳份及化合物（b-13）30莫耳份溶解於N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）中，在室溫下進行6小時反應，獲得含有15質量%的聚醯胺酸（將其設為聚合物（PAA-1））的溶液。
[合成例2-2～合成例2-34、合成例2-38～合成例2-41] 將所使用的四羧酸二酐及二胺化合物的種類及量如表1或表2中記載那樣進行變更，除此以外，進行與合成例2-1相同的操作，獲得包含聚醯胺酸（聚合物（PAA-2）～聚合物（PAA-38））的溶液。
2.聚醯亞胺的合成 [合成例2-35] 將作為二胺化合物的化合物（b-14）30莫耳份及化合物（b-15）70莫耳份溶解於N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）中，並加入作為四羧酸二酐的化合物（c-1）50莫耳份及化合物（c-4）50莫耳份，在40℃下反應24小時，由此獲得含有20質量%的聚醯胺酸的溶液。 繼而，在所獲得的聚合物溶液中追加NMP，製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液，添加吡啶及乙酸酐，在90℃下進行4小時脫水閉環反應。脫水閉環反應後，利用新的NMP對系統內的溶媒進行溶媒置換，由此獲得含有15質量%的醯亞胺化率為約60%的聚醯亞胺（將其設為聚合物（PI-1））的溶液。
[合成例2-36、合成例2-37、合成例2-42、合成例2-43] 將所使用的四羧酸二酐及二胺化合物的種類及量如表1或表2中記載那樣進行變更，除此以外，進行與合成例2-35相同的操作，獲得包含聚醯亞胺（聚合物（PI-2）～聚合物（PI-5））的溶液。
[表1]
合成例 聚合物名稱 酸二酐1 酸二酐2 二胺（DA） 二胺（DB） 其他二胺1 其他二胺2
種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量
1 PAA-1 c-1 100       DA-1 60 DB-20 10 b-13 30      
2 PAA-2 c-3 100       DA-2 40 DB-1 60            
3 PAA-3 c-1 80 c-4 20 DA-3 50 DB-2 50            
4 PAA-4 c-4 100       DA-4 30 DB-3 70            
5 PAA-5 c-5 100       DA-5 50 DB-5 10 b-3 40      
6 PAA-6 c-1 100       DA-1 50 DB-22 10 b-9 40      
7 PAA-7 c-1 50 c-4 50 DA-5 60 DB-4 20 b-2 20      
8 PAA-8 c-1 70 c-3 30 DA-6 30 DB-6 40 b-11 30 b-1 10
9 PAA-9 c-1 50 c-5 50 DA-7 60 DB-7 40            
10 PAA-10 c-1 30 c-5 70 DA-8 30 DB-8 70            
11 PAA-11 c-1 100       DA-9 50 DB-9 50            
12 PAA-12 c-1 100       DA-10 50 DB-10 10 b-12 40      
13 PAA-13 c-3 80 c-4 20 DA-11 50 DB-11 50            
14 PAA-14 c-1 100       DA-12 40 DB-12 60            
15 PAA-15 c-1 100       DA-13 30 DB-13 70            
16 PAA-16 c-4 100       DA-14 40 DB-14 60            
17 PAA-17 c-1 100       DA-6 40 DB-15 30 b-4 30      
18 PAA-18 c-4 100       DA-1 55 DB-16 15 b-15 30      
19 PAA-19 c-1 70 c-4 30 DA-2 60 DB-17 20 b-8 20      
20 PAA-20 c-1 70 c-4 30 DA-3 50 DB-18 10 b-16 20 b-13 20
21 PAA-21 c-1 100       DA-4 60 DB-19 10 b-15 30      
22 PAA-22 c-1 80 c-4 20 DA-9 50 DB-20 15 b-13 35      
23 PAA-23 c-1 100       DA-10 50 DB-21 30 b-2 20      
24 PAA-24 c-1 70 c-5 30 DA-1 50 DB-22 10 b-15 30 b-16 10
25 PAA-25 c-1 100       DA-5 20 DB-23 50 b-13 30      
26 PAA-26 c-3 100       DA-6 30 DB-24 40 b-12 30      
27 PAA-27 c-4 100       DA-10 70 DB-25 20 b-15 10      
28 PAA-28 c-1 100       DA-13 50 DB-26 30 b-11 20      
29 PAA-29 c-1 100       DA-9 60 DB-27 40            
30 PAA-30 c-1 100       DA-7 50 DB-28 50            
31 PAA-31 c-1 100       DA-9 100                  
32 PAA-32 c-1 100             DB-1 40 b-2 60      
33 PAA-33 c-1 100                   b-13 100      
34 PAA-34 c-6 100             DB-4 20 b-2 80      
35 PI-1 c-1 50 c-4 50             b-14 30 b-15 70
36 PI-2 c-1 50 c-4 50 DA-1 30 DB-23 20 b-14 30 b-15 20
37 PI-3 c-4 100       DA-1 55 DB-16 15 b-15 30      
[表2]
合成例 聚合物名稱 酸二酐1 酸二酐2 其他二胺1 其他二胺2 其他二胺3
種類 量 種類 量 種類 量 種類 量 種類 量
38 PAA-35 c-2 100       b-7 60 b-1 40      
39 PAA-36 c-2 100       b-7 60 b-13 30 b-10 10
40 PAA-37 c-2 100       b-6 50 b-13 50      
41 PAA-38 c-6 100       b-5 100            
42 PI-4 c-2 100       b-7 60 b-1 40      
43 PI-5 c-2 100       b-6 50 b-13 50      
3.苯乙烯-馬來醯亞胺系共聚物的合成 [合成例3-1] 在氮氣下，在100 mL二口燒瓶中加入作為聚合單體的化合物（M-1）5.00 g、化合物（M-2）1.05 g、化合物（M-3）4.80 g及化合物（M-4）2.26 g、作為自由基聚合引發劑的2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)0.39 g、作為鏈轉移劑的2,4-二苯基-4-甲基-1-戊烯0.39 g、以及作為溶媒的N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）52.5 ml，在70℃下聚合6小時。在甲醇中進行再沉澱後，對沉澱物進行過濾，在室溫下真空乾燥8小時，由此獲得苯乙烯-馬來醯亞胺系共聚物（將其設為聚合物（MI-1））。通過GPC且以聚苯乙烯換算而測定的重量平均分子量Mw為30000，分子量分佈Mw/Mn為2。
[合成例3-2] 在氮氣下，在100 mL二口燒瓶中加入作為聚合單體的化合物（M-5）10莫耳份、化合物（M-6）10莫耳份、化合物（M-7）30莫耳份、化合物（M-8）10莫耳份、化合物（M-9）20莫耳份及化合物（M-10）20莫耳份、作為自由基聚合引發劑的2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)2莫耳份、以及作為溶媒的四氫呋喃50 ml，在70℃下聚合6小時。在甲醇中進行再沉澱後，對沉澱物進行過濾，在室溫下真空乾燥8小時，由此獲得苯乙烯-馬來醯亞胺系共聚物（將其設為聚合物（MI-2））。通過GPC且以聚苯乙烯換算而測定的重量平均分子量Mw為92700，分子量分佈Mw/Mn為4.78。
＜液晶配向劑的製備及評價＞ [實施例1：光FFS型液晶顯示元件] 1.液晶配向劑的製備 在合成例2-1中獲得的包含聚合物（PAA-1）的溶液中，以按固體成分換算計成為聚合物（PAA-1）：聚合物（PAA-35）=60：40（質量比）的方式加入合成例2-38中獲得的包含聚合物（PAA-35）的溶液，利用NMP、GBL及BC進行稀釋，由此製成溶劑組成比為NMP：GBL：BC=45：30：25（質量比）、固體成分濃度為3.5質量%的溶液。利用孔徑為0.2 μm的過濾器對所述溶液進行過濾，由此製備液晶配向劑（AL-1）。
2.使用光配向法的FFS型液晶單元的製造 準備在單面依次層疊有平板電極（底部電極）、絕緣層及梳齒狀電極（頂部電極）的玻璃基板（設為第一基板）、以及未設置電極的玻璃基板（設為第二基板）。繼而，利用旋轉器將液晶配向劑（AL-1）塗布於第一基板的電極形成面及第二基板的單面上，利用80℃的熱板加熱（預烘烤）1分鐘。其後，在對庫內進行了氮氣置換的230℃的烘箱中，進行30分鐘乾燥（後烘烤），形成平均膜厚為0.1 μm的塗膜。對於所獲得的塗膜，使用Hg-Xe燈從基板法線方向照射包含經直線偏光的254 nm的亮線的紫外線4,000 J/m 2而實施光配向處理。此外，所述照射量是使用以波長254 nm為基準進行測量的光量計測量而得的值。繼而，將實施了光配向處理的塗膜在230℃的潔淨烘箱中加熱30分鐘而進行熱處理，形成液晶配向膜。 其次，對於形成有液晶配向膜的一對基板中的其中一基板，通過絲網印刷而將放入有直徑為3.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑塗布於具有液晶配向膜的面的外緣。其後，以光照射時的偏光軸在基板面上的投影方向成為反平行的方式將基板重疊壓接，在150℃下歷時1小時使接著劑熱硬化。繼而，從液晶注入口將負型液晶（默克（Merck）公司製造、MLC-6608）填充到一對基板間後，利用環氧系接著劑將液晶注入口密封，獲得光FFS型液晶單元。進而，為了將液晶注入時的流動配向去除，將其在120℃下加熱後緩緩冷卻到室溫。另外，分別將後烘烤後的紫外線照射量在100 J/m 2～10,000 J/m 2的範圍內進行變更而實施所述一系列的操作，由此製造紫外線照射量不同的三個以上的液晶單元，使用顯示出最良好的配向特性的曝光量（最佳曝光量）的液晶單元進行評價。
3.評價 （1）             室溫下的DC殘像特性 將所述2.中製造的液晶單元置於25℃、1氣壓的環境下。利用頻率為30 Hz的交流矩形波（交流（Alternating Current，AC））以相對透過率100%進行驅動並將任意兩像素之間的亮度差設定為0後，在5000 cd/m 2的背光照射下進行AC驅動，同時僅對單一像素施加60分鐘的直流（DC）0.5 V而蓄積電荷。當結束DC 0.5 V的施加而恢復為相對透過率成為50%的僅AC的驅動時，因所蓄積的電荷而在兩像素之間產生亮度差（將其設為ΔL1）。對所述亮度差ΔL1的經時變化進行觀測，將結束DC 0.5 V的施加後至亮度差ΔL1成為初始值的36.8%以下為止的時間設為殘像消去時間。此外，所述時間越短，所述液晶單元中所蓄積的電荷的緩和越快，因此殘像越容易消失，可以說DC殘像特性越良好。關於評價，將殘像消去時間未滿10分鐘的情況設為「非常良好（◎）」，將10分鐘以上且未滿20分鐘的情況設為「良好（○）」，將20分鐘以上且未滿30分鐘的情況設為「可（△）」，將30分鐘以上的情況設為「不良（×）」。其結果，在本實施例中為「非常良好（◎）」的評價。
（2）60℃下的DC殘像特性 將所述2.中製造的液晶單元置於60℃、1氣壓的環境下。利用頻率為30 Hz的交流矩形波（AC）以相對透過率100%進行驅動並將任意兩像素之間的亮度差設定為0後，在5000 cd/m 2的背光照射下進行AC驅動，同時僅對單一像素施加60分鐘的直流（DC）0.1 V而蓄積電荷。當結束DC 0.1 V的施加而恢復為相對透過率成為50%的僅AC的驅動時，因所蓄積的電荷而在兩像素之間產生亮度差（將其設為ΔL2）。此外，作為通常的傾向，與室溫相比，在高溫下，電荷更容易蓄積於液晶單元中。因此，為了在更嚴苛的條件下在樣品間比較液晶單元的電荷的蓄積容易度，通過反映高溫環境下的初始的蓄積電荷量的方法來對所述液晶單元的電荷的蓄積容易度進行評價（短期殘像評價）。亮度差ΔL2越少，所述液晶單元越不易蓄積電荷，可以說越良好。將亮度差ΔL2除以兩像素的亮度的平均值所得的值未滿1%的情況設為「非常良好（◎）」，將1%以上且未滿2%的情況設為「良好（○）」，將2%以上且未滿3%的情況設為「可（△）」，將3%以上的情況設為「不良（×）」。其結果，在本實施例中為「非常良好（◎）」的評價。
（3）液晶配向性的評價 對於所述2.中製造的液晶單元，利用顯微鏡以50倍的倍率對施加/解除（ON/OFF）5 V的電壓時明暗變化中有無異常區域（domain）進行觀察。關於評價，將未觀察到異常區域的情況設為「良好」，將觀察到異常區域的情況設為「不良」。其結果，在本實施例中為「良好」的評價。
（4）噴墨塗布性的評價 作為塗布液晶配向劑的基板，使用如下基板，即將帶有包含ITO膜的透明電極的玻璃基板在200℃的熱板上加熱1分鐘，繼而，進行紫外線/臭氧清洗，使透明電極面的水的接觸角成為10°以下之後不久的基板。使用噴墨塗布機（芝浦機電（Shibaura Mechatronics）公司製造），將所述1.中製備的液晶配向劑（AL-1）塗布於帶有透明電極的玻璃基板的透明電極面上。此時的塗布條件設為：以2,500次/（噴嘴/分鐘）、噴出量250 mg/10秒來進行兩個往返（共計四次）的塗布。塗布後，靜置1分鐘，然後在80℃下進行加熱，由此形成平均膜厚為0.1 μm的塗膜。對於所獲得的塗膜，在干涉條紋測量燈（鈉燈）照射下，肉眼觀察不均及凹陷的數量。將不均及凹陷的部位合計為0的情況評價為「優良（◎）」，將不均及凹陷的部位合計為1以上且未滿3的情況評價為「良好（○）」，將不均及凹陷的部位合計為3以上的情況評價為「不良（×）」。此外，若聚合物的溶解性良好，則噴墨塗布性也有良化的傾向。其結果，所述實施例的液晶配向劑的噴墨塗布性為「優良（◎）」的評價。
[實施例2～實施例10、實施例13～實施例19、實施例21～實施例35及比較例1～比較例4] 將液晶配向劑的組成如表3那樣進行變更，除此以外，與實施例1同樣地製備液晶配向劑。另外，使用所獲得的液晶配向劑，與實施例1同樣地製造光FFS型液晶單元，並進行各種評價。將它們的結果示於表4中。
[實施例11：摩擦FFS型液晶顯示元件] 1.液晶配向劑的製備 在合成例2-11中獲得的包含聚合物（PAA-11）的溶液中，以按固體成分換算計成為聚合物（PAA-11）：聚合物（PAA-38）=60：40（質量比）的方式加入合成例2-41中獲得的包含聚合物（PAA-38）的溶液，進而加入相對於聚合物（PAA-11）與聚合物（PAA-38）的合計100質量份而為10質量份的添加劑（AD-1）。利用NMP、NEP及BC對其進行稀釋，由此獲得固體成分濃度為4.0質量%、溶劑組成比為NMP：NEP：BC=25：55：20（質量比）的溶液。利用孔徑為0.2 μm的過濾器對所述溶液進行過濾，由此製備液晶配向劑（AL-11）。
2.使用摩擦法的FFS型液晶單元的製造 準備與實施例1相同的第一基板及第二基板。繼而，利用旋轉器將液晶配向劑（AL-11）分別塗布於第一基板的電極形成面及第二基板的單面上，利用110℃的熱板加熱（預烘烤）3分鐘。其後，在對庫內進行了氮氣置換的230℃的烘箱中，進行30分鐘乾燥（後烘烤），形成平均膜厚為0.08 μm的塗膜。繼而，對於塗膜表面，利用具有捲繞有人造絲布的輥的摩擦機器，以輥轉速1000 rpm、平臺移動速度3 cm/秒、毛壓入長度0.3 mm進行摩擦處理。其後，在超純水中進行1分鐘超聲波清洗，繼而，在100℃潔淨烘箱中乾燥10分鐘，由此獲得具有液晶配向膜的一對基板。 繼而，對於具有液晶配向膜的一對基板，在形成有液晶配向膜的面的緣部留出液晶注入口，對放入有直徑為3.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑進行絲網印刷塗布。其後，將基板重疊壓接，在150℃下歷時1小時使接著劑熱硬化。繼而，從液晶注入口將負型液晶（默克（Merck）公司製造，MLC-6608）填充到一對基板間的間隙中後，利用環氧系接著劑將液晶注入口密封。進而，為了將液晶注入時的流動配向去除，將其在120℃下加熱後緩緩冷卻到室溫，從而製造液晶單元（摩擦FFS型液晶單元）。此外，在將一對基板重疊時，使各基板的摩擦方向成為反平行。
3.評價 使用所述1.中製備的液晶配向劑及所述2.中製造的液晶單元，與實施例1同樣地進行各種評價。將評價結果示於表4中。
[實施例12、實施例20、實施例36] 將液晶配向劑的組成如表3那樣進行變更，除此以外，與實施例11同樣地製備液晶配向劑。另外，使用所獲得的液晶配向劑，與實施例11同樣地製造摩擦FFS型液晶單元，並進行各種評價。將評價結果示於表4中。
[比較例1A～比較例4A] 使用表3中記載的AR-1～AR-4作為液晶配向劑，除此以外，與實施例11同樣地製造摩擦FFS型液晶單元，並進行各種評價。其結果，比較例1A～比較例4A的結果與比較例1～比較例4（光FFS型液晶顯示元件）同等。
[表3]
   配向劑名稱 聚合物1 聚合物2 聚合物3 添加劑
種類 調配量 （質量份） 種類 調配量 （質量份） 種類 調配量 （質量份） 種類 調配量 （質量份）
實施例1 AL-1 PAA-1 60 - - PAA-35 40 - -
實施例2 AL-2 PAA-2 60 - - PAA-35 40 - -
實施例3 AL-3 PAA-3 60 - - PAA-35 40 AD-2 10
實施例4 AL-4 PAA-4 70 - - PAA-36 30 - -
實施例5 AL-5 PAA-5 70 - - PAA-36 30 AD-3 5
實施例6 AL-6 PAA-6 70 - - PAA-37 30 - -
實施例7 AL-7 PAA-7 70 - - PI-4 30 - -
實施例8 AL-8 PAA-8 80 - - PI-4 20 - -
實施例9 AL-9 PAA-9 80 - - PI-4 20 - -
實施例10 AL-10 PAA-10 80 - - PI-5 20 - -
實施例11 AL-11 PAA-11 60 - - PAA-38 40 AD-1 10
實施例12 AL-12 PAA-12 70 - - PAA-38 30 AD-3 5
實施例13 AL-13 PAA-13 70 - - PAA-36 30 - -
實施例14 AL-14 PAA-14 70 - - PAA-36 30 - -
實施例15 AL-15 PAA-15 80 - - PI-5 20 - -
實施例16 AL-16 PAA-16 70 - - PI-5 30 - -
實施例17 AL-17 PAA-17 70 - - PI-4 30 - -
實施例18 AL-18 PAA-18 70 - - PI-4 30 AD-2 5
實施例19 AL-19 PAA-19 80 - - PI-5 20 - -
實施例20 AL-20 PAA-20 70 - - PAA-38 30 AD-3 10
實施例21 AL-21 PAA-21 60 - - PAA-37 40 - -
實施例22 AL-22 PAA-22 60 - - PI-4 40 AD-2 10
實施例23 AL-23 PAA-23 70 - - PAA-38 30 AD-1 5
實施例24 AL-24 PAA-24 80 - - PI-5 20 - -
實施例25 AL-25 PAA-25 70 - - PI-5 30 - -
實施例26 AL-26 PAA-26 60 - - PI-4 40 - -
實施例27 AL-27 PAA-27 70 - - PI-4 30 - -
實施例28 AL-28 PAA-28 60 - - PAA-37 40 - -
實施例29 AL-29 PAA-29 60 - - PAA-35 40 - -
實施例30 AL-30 PAA-30 70 - - PAA-36 30 - -
實施例31 AL-31 PAA-31 30 PAA-32 40 PI-5 30 - -
實施例32 AL-32 PAA-31 20 PAA-32 50 PI-4 30 AD-2 5
實施例33 AL-33 PI-3 50 - - PI-5 50 AD-3 10
實施例34 AL-34 PAA-32 60       PAA-35 40 A-1 10
實施例35 AL-35 PAA-32 80       P1-5 20 A-2 7
實施例36 AL-36 PAA-32 60       PAA-38 40 A-3 5
比較例1 AR-1 PAA-33 60 - - PAA-36 40 - -
比較例2 AR-2 PAA-34 70 - - PI-4 30 - -
比較例3 AR-3 PAA-31 60 - - PAA-35 40 - -
比較例4 AR-4 PAA-32 60 - - PAA-37 40 - -
[表4]
   配向劑名稱 評價
室溫 DC殘像特性 60℃ DC殘像特性 液晶配向性 噴墨塗布性
實施例1 AL-1 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例2 AL-2 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例3 AL-3 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例4 AL-4 ○ ○ 良好 ◎
實施例5 AL-5 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例6 AL-6 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例7 AL-7 ◎ ◎ 良好 ○
實施例8 AL-8 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例9 AL-9 ◎ ○ 良好 ◎
實施例10 AL-10 ◎ ○ 良好 ◎
實施例11 AL-11 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例12 AL-12 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例13 AL-13 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例14 AL-14 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例15 AL-15 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例16 AL-16 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例17 AL-17 ◎ ◎ 良好 ○
實施例18 AL-18 ◎ ◎ 良好 ○
實施例19 AL-19 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例20 AL-20 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例21 AL-21 ◎ ○ 良好 ◎
實施例22 AL-22 ◎ ◎ 良好 ○
實施例23 AL-23 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例24 AL-24 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例25 AL-25 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例26 AL-26 ◎ ◎ 良好 ○
實施例27 AL-27 ◎ ◎ 良好 ○
實施例28 AL-28 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例29 AL-29 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例30 AL-30 ○ ○ 良好 ◎
實施例31 AL-31 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例32 AL-32 ◎ ◎ 良好 ○
實施例33 AL-33 ◎ ◎ 良好 ◎
實施例34 AL-34 ◎ ○ 良好 ○
實施例35 AL-35 ◎ ○ 良好 ○
實施例36 AL-36 ◎ ○ 良好 ○
比較例1 AR-1 × × 良好 ◎
比較例2 AR-2 ○ × 良好 ×
比較例3 AR-3 × × 良好 ○
比較例4 AR-4 ○ × 良好 ◎
[實施例37：光垂直型液晶顯示元件] 1.液晶配向劑的製備 在合成例2-1中獲得的包含聚合物（PAA-1）的溶液中，以按固體成分換算計聚合物（MI-1）相對於聚合物（PAA-1）95質量份而成為5質量份的方式加入合成例3-1中獲得的聚合物（MI-1），利用NMP、GBL、DGDE及DIBK進行稀釋，由此獲得固體成分濃度為3.5質量%、溶劑組成比為NMP：GBL：DGDE：DIBK=20：30：40：10（質量比）的溶液。利用孔徑為0.2 μm的過濾器對所述溶液進行過濾，由此製備液晶配向劑（AL-37）。
2.光垂直型液晶單元（UV2A）的製造 利用旋轉器將所述1.中製備的液晶配向劑（AL-37）塗布於帶有包含ITO膜的透明電極的玻璃基板的透明電極面上，利用80℃的熱板進行1分鐘預烘烤。其後，在對庫內進行了氮氣置換的烘箱中，以230℃加熱1小時而形成膜厚為0.1 μm的塗膜。繼而，對於所述塗膜表面，使用Hg-Xe燈及格蘭-泰勒棱鏡（glan-taylor prism）從相對於基板法線傾斜40°的方向照射包含313 nm的亮線的偏光紫外線1,000 J/m 2而賦予液晶配向能力。重複進行相同的操作，製作一對（兩枚）具有液晶配向膜的基板。 通過網版印刷而將放入有直徑為3.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑塗布於所述基板中的一枚基板的具有液晶配向膜的面的外周後，使一對基板的液晶配向膜面相向，以各基板的紫外線的光軸在基板面上的投影方向成為反平行的方式進行壓接，在150℃下歷時1小時使接著劑熱硬化。繼而，從液晶注入口將負型液晶（默克（Merck）公司製造、MLC-6608）填充到基板間的間隙中後，利用環氧系接著劑將液晶注入口密封。進而，為了將液晶注入時的流動配向去除，將其在130℃下加熱後緩緩冷卻到室溫。
3.評價 使用所述1.中製備的液晶配向劑及所述2.中製造的液晶單元，與實施例1同樣地進行各種評價。將評價結果示於表6中。
[比較例5] 將液晶配向劑的組成如表5那樣進行變更，除此以外，與實施例37同樣地製備液晶配向劑。另外，使用所獲得的液晶配向劑，與實施例37同樣地製造光垂直型液晶單元，並進行各種評價。將評價結果示於表6中。
[表5]
   配向劑名稱 聚合物1 聚合物2 聚合物3 添加劑
種類 調配量 （質量份） 種類 調配量 （質量份） 種類 調配量 （質量份） 種類 調配量 （質量份）
實施例37 AL-37 PAA-1 95 - - MI-1 5 - -
比較例5 AR-5 PAA-33 95 - - MI-1 5 - -
[表6]
   配向劑名稱 評價
室溫 DC殘像特性 60℃ DC殘像特性 液晶配向性 噴墨塗布性
實施例37 AL-37 ◎ ◎ 良好 ◎
比較例5 AR-5 ○ × 良好 ○
[實施例38：PSA型液晶顯示元件] 1.液晶配向劑的製備 在合成例2-36中獲得的包含聚合物（PI-2）的溶液中，以按固體成分換算計聚合物（MI-2）相對於聚合物（PI-2）95質量份而成為5質量份的方式加入合成例3-2中獲得的聚合物（MI-2），利用NMP及BC進行稀釋，製成溶媒組成為NMP/BC=50/50（質量比）、固體成分濃度為3.5質量%的溶液。利用孔徑為0.2 μm的過濾器對所述溶液進行過濾，由此製備液晶配向劑（AL-38）。
2.PSA型液晶單元的製造 （1）液晶組合物的製備 相對於向列液晶（默克（Merck）公司製造、MLC-6608）10 g，添加下述式（L1-1）所表示的液晶性化合物5質量%及下述式（L2-1）所表示的光聚合性化合物0.3質量%並進行混合，獲得液晶組合物LC1。 [化58]
（2）液晶單元的製造 使用旋轉器將所述製備的液晶配向劑（AL-38）塗布於帶有包含ITO膜的透明電極的玻璃基板的透明電極面上，利用80℃的熱板進行1分鐘預烘烤後，在置換為氮氣的烘箱中，以200℃加熱1小時而將溶媒去除，由此形成膜厚為0.08 μm的塗膜（液晶配向膜）。對於所述塗膜，利用具有捲繞有人造絲布的輥的摩擦機器，以輥轉速400 rpm、平臺移動速度3 cm/秒、毛壓入長度0.1 mm進行摩擦處理。其後，在超純水中進行1分鐘超聲波清洗，繼而，在100℃潔淨烘箱中乾燥10分鐘，由此獲得具有液晶配向膜的基板。重複所述操作，獲得一對（兩枚）具有液晶配向膜的基板。此外，所述摩擦處理是出於控制液晶的倒塌、且通過簡易方法進行配向分割的目的而進行的弱摩擦處理。 通過絲網印刷而將放入有直徑為3.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑塗布於所述基板中的一枚基板的具有液晶配向膜的面的外周後，使一對基板的液晶配向膜面相向並進行重疊、壓接，在150℃下加熱1小時而使接著劑熱硬化。繼而，從液晶注入口將液晶組合物LC1填充到基板的間隙中後，利用環氧系接著劑將液晶注入口密封，進而，為了將液晶注入時的流動配向去除，將其在150℃下加熱10分鐘後緩緩冷卻到室溫。 繼而，對於所獲得的液晶單元，在對電極間施加頻率為60 Hz的交流10 V而驅動液晶的狀態下，利用使用金屬鹵化物燈作為光源的紫外線照射裝置，以50,000 J/m 2的照射量照射紫外線。此外，所述照射量是使用以波長365 nm為基準進行測量的光量計測量而得的值。由此，製造PSA型液晶單元。
3.評價 使用所述1.中製備的液晶配向劑及所述2.中製造的液晶單元，與實施例1同樣地進行各種評價。將評價結果示於表8中。
[比較例6] 將液晶配向劑的組成如表7那樣進行變更，除此以外，與實施例38同樣地製備液晶配向劑。另外，使用所獲得的液晶配向劑，與實施例38同樣地製造PSA型液晶單元，並進行各種評價。將評價結果示於表8中。
[表7]
   配向劑名稱 聚合物1 聚合物2 聚合物3 添加劑
種類 調配量 （質量份） 種類 調配量 （質量份） 種類 調配量 （質量份） 種類 調配量 （質量份）
實施例38 AL-38 PI-2 95 - - MI-2 5 - -
比較例6 AR-6 PI-1 95 - - MI-2 5 - -
[表8]
   配向劑名稱 評價
室溫 DC殘像特性 60℃ DC殘像特性 液晶配向性 噴墨塗布性
實施例38 AL-38 ◎ ◎ 良好 ◎
比較例6 AR-6 ○ × 良好 ◎
如表4、表6及表8所示那樣，使用含有聚合物（P）的液晶配向劑的實施例1～實施例38在與使用不含聚合物（P）的液晶配向劑的比較例1～比較例6的對比中，顯示出優異的液晶配向性，同時室溫下的DC殘像特性（即，蓄積電荷的緩和特性）及60℃下的DC殘像特性（即，電荷的蓄積難易度）優異。另外，實施例1～實施例38的液晶配向劑的噴墨塗布性也優異。
根據以上的結果而明確：包含聚合物（P）的液晶配向劑顯示出良好的塗布性，同時可獲得液晶配向性優異且不易蓄積電荷的殘留電荷的緩和快的液晶元件。
無
圖1是表示化合物（DA-1）的 1H-NMR光譜的圖。 圖2是表示化合物（DA-9）的 1H-NMR光譜的圖。

Claims (17)

  1. 一種液晶配向劑，滿足下述必要條件（I）及必要條件（II）中的至少任一個； 必要條件（I）：含有在同一分子內包含下述部分結構（A）與部分結構（B）的化合物； 必要條件（II）：含有在不同的分子內包含下述部分結構（A）與部分結構（B）的化合物； 部分結構（A）：選自由與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基取代的取代雜環結構、醌結構及四氰基醌二甲烷結構所組成的群組中的至少一種； 部分結構（B）：選自由下述式（b1）所表示的部分結構及吩噻嗪結構所組成的群組中的至少一種； 式（b1）中，X 1、B 1及X 2滿足下述[i]或[ii]；「*」表示鍵結鍵； [i]X 1為芳香環基；B 1為-NY 3-或芳香族雜環基；X 2及Y 3是X 2為芳香環基且Y 3為氫原子或一價有機基、或者表示X 2與Y 3相互結合並與X 2及Y 3所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構；其中，所述含氮稠環結構具有芳香環，B 1中的氮原子與所述含氮稠環結構中的芳香環鍵結； [ii]B 1為-NY 3-；Y 3為氫原子或一價有機基；X 1及X 2表示相互結合並與X 1及X 2所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構；其中，所述含氮稠環結構具有多個芳香環，B 1中的氮原子將所述含氮稠環結構中的兩個芳香環連結。
  2. 如請求項1所述的液晶配向劑，含有選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種聚合物（P）， 所述聚合物（P）包含源自具有所述部分結構（B）的二胺化合物的結構單元。
  3. 如請求項1所述的液晶配向劑，含有選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種聚合物（P）， 所述聚合物（P）在同一分子內包含下述結構單元（UA）與結構單元（UB）、或者在不同的分子內包含下述結構單元（UA）與結構單元（UB）； 結構單元（UA）：源自選自由二胺化合物（DA-1）及二胺化合物（DA-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DA-1）具有與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基取代的取代雜環結構，所述二胺化合物（DA-2）具有醌結構； 結構單元（UB）：源自選自由二胺化合物（DB-1）及二胺化合物（DB-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DB-1）具有所述式（b1）所表示的部分結構，所述二胺化合物（DB-2）具有吩噻嗪結構。
  4. 如請求項3所述的液晶配向劑，其中，所述二胺化合物（DA-1）為下述式（a1-1）所表示的化合物； 式（a1-1）中，A 1為具有與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基取代的取代雜環結構的基；R 1為單鍵或（n1+1）價連結基；Ar 1為芳香環基；n1為1或2。
  5. 如請求項3所述的液晶配向劑，其中，所述二胺化合物（DA-2）為選自由下述式（a2-1）所表示的化合物及下述式（a2-2）所表示的化合物所組成的群組中的至少一種； 式（a2-1）中，A 2為具有醌結構的基；R 2為單鍵或（n2+1）價連結基；Ar 2為芳香環基；n2為1或2； 式（a2-2）中，A 3為具有醌結構的基；R 3及R 4分別獨立地為單鍵或二價有機基；Ar 3及Ar 4分別獨立地為芳香環基。
  6. 如請求項3所述的液晶配向劑，其中，所述二胺化合物（DB-2）為下述式（b2-1）所表示的化合物； 式（b2-1）中，A 4為具有吩噻嗪結構的基；R 5為單鍵或（n3+1）價連結基；Ar 5為芳香環基；n3為1或2。
  7. 如請求項3所述的液晶配向劑，其中，所述聚合物（P）還包含源自具有下述式（2）所表示的部分結構的二胺化合物的結構單元（UC）； 式（2）中，X 5及X 6分別獨立地為芳香環基；R 7及R 8分別獨立地為單鍵、碳數1～10的烷二基或碳數1～10的取代烷二基；Y 5及Y 6分別獨立地為* 4-NR 9-CO-或* 4-CO-NR 9-；R 9為氫原子或一價有機基；「* 4」表示與Z 5的鍵結鍵；Z 5為單鍵或二價有機基；m為0或1；在m為0的情況下，R 7、R 8或它們兩者為碳數1～10的烷二基或取代烷二基；「*」表示鍵結鍵。
  8. 如請求項2所述的液晶配向劑，含有具有所述部分結構（A）的化合物（其中，聚合物除外）與所述聚合物（P）。
  9. 如請求項1所述的液晶配向劑，其中，所述吸電子性基為選自由鹵素原子、氰基、鹵化烷基及醯基所組成的群組中的至少一種。
  10. 如請求項1所述的液晶配向劑，還含有不具有所述部分結構（A）及所述部分結構（B）的任一結構的聚合物（Q）。
  11. 如請求項10所述的液晶配向劑，其中，所述聚合物（Q）為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺及加成聚合物所組成的群組中的至少一種。
  12. 一種液晶配向膜，使用如請求項1至請求項11中任一項所述的液晶配向劑而形成。
  13. 一種液晶元件，包括如請求項12所述的液晶配向膜。
  14. 一種聚合物，為聚醯胺酸、聚醯胺酸酯或聚醯亞胺，且在同一分子內包含下述結構單元（UA）與結構單元（UB）； 結構單元（UA）：源自選自由二胺化合物（DA-1）及二胺化合物（DA-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DA-1）具有與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經不會因在230℃以下的溫度下的加熱而脫離的吸電子性基取代的取代雜環結構，所述二胺化合物（DA-2）具有醌結構； 結構單元（UB）：源自選自由二胺化合物（DB-1）及二胺化合物（DB-2）所組成的群組中的至少一種的結構單元，所述二胺化合物（DB-1）具有下述式（b1）所表示的部分結構，所述二胺化合物（DB-2）具有吩噻嗪結構； 式（b1）中，X 1、B 1及X 2滿足下述[i]或[ii]； [i]X 1為芳香環基；B 1為-NY 3-或芳香族雜環基；X 2及Y 3是X 2為芳香環基且Y 3為氫原子或一價有機基、或者表示X 2與Y 3相互結合並與X 2及Y 3所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構；其中，所述含氮稠環結構具有芳香環，B 1中的氮原子與所述含氮稠環結構中的芳香環鍵結； [ii]B 1為-NY 3-；Y 3為氫原子或一價有機基；X 1及X 2表示相互結合並與X 1及X 2所鍵結的氮原子一起構成的含氮稠環結構；其中，所述含氮稠環結構具有多個芳香環，B 1中的氮原子將所述含氮稠環結構中的兩個芳香環連結； 「*」表示鍵結鍵。
  15. 一種化合物，由下述式（a1-1）表示； 式（a1-1）中，A 1為具有與含氮芳香族雜環鍵結的一個以上的氫原子經選自由鹵素原子、氰基、鹵化烷基及醯基所組成的群組中的至少一種取代的取代雜環結構的基；R 1為單鍵或（n1+1）價連結基；Ar 1為芳香環基；n1為1或2。
  16. 一種化合物，由下述式（a2-2）表示； 式（a2-2）中，A 3為具有醌結構的基；R 3及R 4分別獨立地為單鍵或二價有機基；Ar 3及Ar 4分別獨立地為芳香環基。
  17. 一種化合物，由下述式（b2-1）表示； 式（b2-1）中，A 4為具有吩噻嗪結構的基；R 5為單鍵或（n3+1）價飽和鏈狀烴基；Ar 5為芳香環基；n3為1或2。
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