TW202334467A - 防污基材 - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種物品，其係具有基材、位於前述基材上的中間層、以及位於前述中間層上且由含有含氟矽烷化合物的表面處理劑形成的表面處理層，其中，前述基材為含有透鋰長石結晶質相及矽酸鋰結晶質相的陶瓷玻璃，前述中間層包含氧化鋁及氧化矽的第一層、以及位於前述第一層上的氧化矽的第二層。
Description
本發明係關於一種含氟代聚醚基的化合物。
已知有某種含氟矽烷化合物在用於基材的表面處理時，能夠提供優異的撥水性、撥油性、防污性等。由含有含氟矽烷化合物的表面處理劑得到的層(以下，也稱為「表面處理層」)係作為所謂的功能性薄膜，施用於例如玻璃、塑膠、纖維、衛生用品、建築材料等各種各樣的基材(專利文獻1及2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2014-218639號公報
專利文獻2：日本特開2017-082194號公報
雖然專利文獻1或專利文獻2所記載的含氟矽烷化合物能夠提供具有優異功能的表面處理層，但仍謀求具有更高的摩擦耐久性的表面處理層。
本發明的目的係提供一種具有更高的摩擦耐久性之表面處理層的物品。
本發明包括下列態樣。
〔1〕一種物品，其係具有基材、位於前述基材上的中間層、以及位於前述中間層上且由含有含氟矽烷化合物的表面處理劑形成的表面處理層，其中，
前述基材係含有透鋰長石結晶質相及矽酸鋰結晶質相的陶瓷玻璃，
前述中間層包含氧化鋁及氧化矽的第一層及位於前述第一層上的氧化矽的第二層。
〔2〕如上述〔1〕所述的物品，其中，在前述基材中，前述透鋰長石結晶質相及前述矽酸鋰結晶質相的合計質量大於存在於前述陶瓷玻璃中的其他結晶質相的合計質量。
〔3〕如上述〔1〕或〔2〕所述的物品，其中，前述陶瓷玻璃含有下述成分：
SiO2：55至80質量%、
Al2O3：2至20質量%、
Li2O：5至20質量%、
B2O3：0至10質量%、
Na2O；0至5質量%、
ZnO：0至10質量%、
P2O5：0.5至6質量%、以及
ZrO2：0.2至15質量%。
〔4〕如上述〔3〕所述的物品，其中，前述陶瓷玻璃更含有下述成分：
K2O：0至4%、
MgO：0至8%、
TiO2：0至5%、
CeO2：0至0.4%、以及
SnO2；0.05至0.5%。
〔5〕如上述〔1〕至〔4〕中任一項所述的物品，其中，前述氧化鋁為Al2O3，前述氧化矽為SiO2。
〔6〕如上述〔1〕至〔5〕中任一項所述的物品，其中，在前述第一層中，相對於鋁及矽的合計量，鋁的含量為0.5至60.0at%。
〔7〕如上述〔1〕至〔6〕中任一項所述的物品，其中，在前述第一層中，相對於鋁及矽的合計量，鋁的含量為0.7至50.5at%。
〔8〕如上述〔1〕至〔7〕中任一項所述的物品，其中，前述中間層的厚度為5nm至35nm。
〔9〕如上述〔1〕至〔8〕中任一項所述的物品，其中，前述中間層的厚度為10nm至30nm。
〔10〕如上述〔1〕至〔9〕中任一項所述的物品，其中，第一層的厚度相對於前述第二層的厚度的比為0.1至10。
〔11〕如上述〔1〕至〔10〕中任一項所述的物品，其中，前述含氟矽烷化合物為下式(1)或(2)所示的至少1種含氟代聚醚基的化合物，
RF1 α-XA-RSi β (1)
RSi γ-XA-RF2-XA-RSi γ (2)
〔式中：
RF1在每次出現時分別獨立地為Rf1-RF-Oq-；
RF2為-Rf2 p-RF-Oq-；
Rf1在每次出現時分別獨立地為可經1個以上的氟原子取代的C1-16烷基；
Rf2為可經1個以上的氟原子取代的C1-6伸烷基；
RF在每次出現時分別獨立地為2價的氟代聚醚基；
p為0或1；
q在每次出現時分別獨立地為0或1；
RSi在每次出現時分別獨立地為含有鍵結有羥基、可水解之基、氫原子或1價有機基的Si原子的1價基；
至少1個RSi為含有鍵結有羥基或可水解之基的Si原子的1價基；
XA分別獨立地為單鍵或2至10價的有機基；
α為1至9的整數；
β為1至9的整數；
γ分別獨立地為1至9的整數〕。
〔12〕如上述〔11〕所述的物品，其中，
Rf1在每次出現時分別獨立地為C1-16全氟烷基，
Rf2在每次出現時分別獨立地為C1-6全氟伸烷基。
〔13〕如上述〔11〕或〔12〕所述的物品，其中，RF在每次出現時分別獨立地為式：-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-所示之基，
〔式中，RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，
a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200的整數，a、b、c、d、e及f之和為1以上，標注a、b、c、d、e或f且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的〕。
〔14〕如上述〔13〕所述的物品，其中，RFa為氟原子。
〔15〕如上述〔11〕至〔14〕中任一項所述的物品，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下式(f1)、(f2)、(f3)或(f4)所示之基，
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)
〔式中，d為1至200的整數，e為0或1〕；
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
〔式中，c及d分別獨立地為0至30的整數，
e及f分別獨立地為1至200的整數，
c、d、e及f之和為10至200的整數，
標注下標c、d、e或f且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的〕；
-(R6-R7)g- (f3)
〔式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12中之基，或是選自此等基中的2個或3個基的組合，
g為2至100的整數〕；
-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)
〔式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12中之基，或是獨立地選自此等基中的2個或3個基的組合，
R6’為OCF2或OC2F4，
R7’為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12中之基，或是獨立地選自此等基中的2個或3個基的組合，
g為2至100之整數，
g’為2至100之整數，
Rr為下列者，
式中，*表示鍵結位置〕。
〔16〕如上述〔11〕至〔15〕中任一項所述的物品，其中，
RSi為下式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基，
-SiR11 n1R12 3-n1 (S2)
-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3)
-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4)
-NRg1Rh1 (S5)
〔式中：
R11在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R12在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元中分別獨立地為0至3的整數；
X11在每次出現時分別獨立地為單鍵或2價有機基；
R13在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
t在每次出現時分別獨立地為2以上的整數；
R14在每次出現時分別獨立地為氫原子、鹵原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1；
R15在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、碳原子數1至6的伸烷基或碳原子數1至6的伸烷基氧基；
Ra1在每次出現時分別獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1；
Z1在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R21在每次出現時分別獨立地為-Z1' -SiR21' p1' R22' q1' R23' r1' ；
R22在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R23在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
p1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
q1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
p1、q1及r1之合計在SiR21 p1R22 q1R23 r1單元中為3；
Z1' 在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R21' 在每次出現時分別獨立地為-Z1" -SiR22" q1" R23" r1" ；
R22' 在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R23' 在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
p1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
q1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
p1'、q1'及r1'之合計在SiR21' p1' R22' q1' R23' r1' 單元中為3；
Z1" 在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R22" 在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R23" 在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
q1"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r1"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
q1"及r1"之合計在SiR22" q1" R23" r1''' 單元中為3；
Rb1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
Rc1在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
k1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
l1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
m1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
k1、l1及m1之合計在SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1單元中為3；
Rd1在每次出現時分別獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2；
Z2在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R31在每次出現時分別獨立地為-Z2' -CR32' q2' R33' r2' ；
R32在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
p2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
q2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
p2、q2及r2之合計在CR31 p2R32 q2R33 r2單元中為3；
Z2' 在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R32' 在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
R33' 在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
q2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
q2'及r2'之合計在CR32′ q2′R33′ r2′單元中為3；
Z3在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
R34在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；
R35在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
n2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
Re1在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；
Rf1在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
k2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
l2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
m2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
k2、l2及m2之合計在CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2單元中為3；
Rg1及Rh1在每次出現時分別獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2；
Z4在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；
惟，式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)及(S5)中，鍵結有羥基或水解性基的Si原子至少存在1個〕。
〔17〕如上述〔11〕至〔16〕中任一項所述的物品，其中，RSi為式(S3)、(S4)或(S5)。
〔18〕如上述〔11〕至〔17〕中任一項所述的物品，其中，RSi為式(S3)或(S4)。
〔19〕如上述〔11〕至〔18〕中任一項所述的物品，其中，α、β及γ為1。
〔20〕如上述〔11〕至〔18〕中任一項所述的物品，其中，XA分別獨立地為3價有機基，
α為1且β為2，或是α為2且β為1，
γ為2。
根據本發明，能夠提供一種具有更好的摩擦耐久性的表面處理層之物品。
本發明的物品具有基材、位於前述基材上的中間層、以及位於前述中間層上且由含有含氟矽烷化合物的表面處理劑形成的表面處理層，其中，
前述基材為含有透鋰長石結晶質相及矽酸鋰結晶質相的陶瓷玻璃，
前述中間層包含氧化鋁及氧化矽的第一層、以及位於前述第一層上的氧化矽的第二層。
(基材)
上述基材為含有透鋰長石結晶質相及矽酸鋰結晶質相的陶瓷玻璃。
上述陶瓷玻璃具有透鋰長石及矽酸鋰作為一次結晶相。
上述透鋰長石，亦即LiAlSi4O10，係具有層狀結構的三維骨架結構的單斜晶，該三維骨架結構係具有由Li及Al的四面體所連結而成之經折疊的Si2O5層。
上述陶瓷玻璃中的上述透鋰長石結晶質相的含量較佳為20至70質量%，更佳為45至70質量%，又更佳為40至60質量%。
上述矽酸鋰結晶質相可以為二矽酸鋰或偏矽酸鋰。二矽酸鋰，亦即Li2Si2O5，係以{Si2O5}四面體陣列的波狀片為基礎的斜方晶。偏矽酸鋰，亦即Li2SiO3，係具有斜方晶對稱性，(Si2O6)鏈與c軸平行地移動，並且通過鋰離子一體地連結。
上述陶瓷玻璃中的上述矽酸鋰結晶質相的含量較佳為20至60質量%，更佳為20至55質量%，又更佳為20至50質量%。
在較佳態樣中，上述陶瓷玻璃含有20至70質量%的透鋰長石結晶質相、及20至60質量%的矽酸鋰結晶質相，較佳含有45至70質量%的透鋰
長石結晶質相、及20至50質量%的矽酸鋰結晶質相，更佳含有40至60質量%的透鋰長石結晶質相、及20至50質量%的矽酸鋰結晶質相。
上述各結晶質相的含量可以按照依據JIS R 3101、JIS R 3105、JIS M 8851、JIS M 8852、JIS M 8853或JIS R 9301的方法、其他玻璃領域中慣用的技術而確定。具體而言，可以通過依據JIS R 3101的方法而確定。
前述陶瓷玻璃的結晶質相含有透鋰長石及矽酸鋰，但亦可含有β鋰輝石ss、β石英ss、磷酸鋰、方晶石及金紅石作為少量的相。
在一態樣中，上述透鋰長石結晶質相及上述矽酸鋰結晶質相的合計質量大於存在於上述陶瓷玻璃中的其他結晶質相的合計質量。
在含有上述二矽酸鋰的陶瓷玻璃中，存在2種陶瓷玻璃。第1種二矽酸鋰陶瓷玻璃係含有摻雜有氧化鈰、及銀等貴金屬者。第2二種矽酸鋰陶瓷玻璃係含有通過添加P2O5而形成核後者。其中，核形成相為Li3PO4。
上述陶瓷玻璃含有SiO2、Al2O3及Li2O，可更含有Na2O、K2O、Rb2O或Cs2O等鹼性鹽；以及P2O5及ZrO2。再者，上述陶瓷玻璃可含有B2O3、MgO、ZnO、TiO2、CeO2、SnO、SnO2、AgO、CuO、Cu2O、As2O3、Sb2O3、MnO、Nb2O5、MoO3、Ta2O5、WO3、Y2O3、La2O3、HfO2、CdO、Fe2O3、CeO2、鹵素、SnCO3、SnC2O2。又，上述陶瓷玻璃實質上由上述成分構成，但可含有不可避免的微量成分。微量成分沒有限定，可列舉例如：Na、Ti、Mn、Zn、Nb、Mo、Ta、Zr、W、Y、La、Hf、Cd、Sn、Fe、Ce、As、Sb、及此等的氧化物、硫酸等硫系化合物、以及鹵素等。
上述陶瓷玻璃亦可以藉由該技術領域中廣泛已知的方法而可進行離子交換。在典型的離子交換程序中，藉由同原子價的比較大的金屬離子，將
陶瓷玻璃的外側表面附近的層內的比較小的金屬離子置換。利用比較大的金屬離子置換比較小的金屬離子，係在上述陶瓷玻璃的上述層內產生壓縮應力。在一態樣中，此等金屬離子為1價鹼金屬離子(例如Na+、K+、Rb+、Cs+等)。在其他態樣中，上述金屬離子為其他的一價離子(Ag+、Tl+、Cu+等)。
下述各成分的含量可以按照依據JIS R 3101、JIS R 3105、JIS M 8851、JIS M 8852、JIS M 8853或JIS R 9301的方法、其他玻璃領域中慣用的技術而確定。具體而言，可以藉由依據JIS R 3101的方法而確定。
在一態樣中，上述陶瓷玻璃含有下述成分：
SiO2：55至80質量%、
Al2O3：2至20質量%、
Li2O：5至20質量%、
B2O3：0至10質量%、
Na2O：0至5質量%、
ZnO：0至10質量%、
P2O5：0.5至6質量%、以及
ZrO2：0.2至15質量%。
在此，所謂0質量%意指不包含該成分。以下亦相同。
在一態樣中，上述陶瓷玻璃更含有下述成分：
K2O：0至4%、
MgO：0至8%、
TiO2：0至5%、
CeO2：0至0.4%、以及
SnO2：0.05至0.5%。
在一態樣中，上述陶瓷玻璃含有下述成分：
SiO2：69至80%、
Al2O3：6至9%、
Li2O：10至14%、
B2O3：0至2%、
P2O5：1.5至2.5%、以及
ZrO2：2至4%。
在一態樣中，上述陶瓷玻璃含有下述成分：
SiO2：69至80%、
Al2O3：6至9%、
Li2O：10至14%、
Na2O：1至2%、
K2O：1至2%、
B2O3：0至12%、
P2O5：1.5至2.5%、以及
ZrO2：2至4%。
在一態樣中，上述陶瓷玻璃含有下述成分：
SiO2：65至80%、
Al2O3：5至16%、
Li2O：8至15%、
Na2O：0至3%、
K2O：0至3%、
B2O3：0至6%、
ZnO：0至2%、
P2O5：0.5至4%、以及
ZrO2：0.2至6%。
在一態樣中，上述陶瓷玻璃含有下述成分：
SiO2：60至80%、
Al2O3：5至20%、
Li2O：5至20%、
Na2O：0至3%、
K2O：0至3%、
B2O3：0至6%、
ZnO：0至4%、
P2O5：0.5至4%、以及
ZrO2：0.2至8%。
在一態樣中，在上述陶瓷玻璃中，P2O5及ZrO2的合計含量大於3質量%。
在一態樣中，上述陶瓷玻璃的表層中的K原子的存在量為0.1至1.0at%，較佳為0.2至0.6at%。
在一態樣中，上述陶瓷玻璃的表層中的Zr原子的存在量為0.5至2.0at%，較佳為0.7至1.5at%，更佳為0.7至1.1at%。
在一態樣中，上述陶瓷玻璃的表層中的Al原子的存在量為1.0至10.0at%，較佳為2.0至8.0at%，更佳為2.5至5.0at%。
在較佳態樣中，上述陶瓷玻璃的表層中的K原子的存在量為0.1至1.0at%，較佳為0.2至0.6at%，Zr原子的存在量為0.5至2.0at%，較佳為0.7至1.5at%，更佳為0.7至1.1at%，Al原子的存在量為1.0至10.0at%，較佳為2.0至8.0at%，更佳為2.5至5.0at%。
在此，所謂陶瓷玻璃的表層意指包含與中間層接觸的面的部分，且直至藉由下述XPS分析所測定的深度之層部分。
上述陶瓷玻璃的表層中的原子的含量藉由XPS分析(X射線光電子分光分析)進行測定。XPS的分析的測定條件係可在下述條件，使用Ar離子作為濺射離子進行。陶瓷玻璃的組成係可利用下述裝置、測定條件，觀測C1s、O1s、F1s、Si2p軌道、及金屬原子的適當的軌道的峰面積，藉由計算碳、氧、氟、矽、及金屬原子的原子比而求出。金屬原子的適當的軌道係可列舉例如：原子序號5(B)為1s軌道，原子序號13至14、21至31(Al至Si、Sc至Ga)為2p軌道，原子序號32至33、39至52(Ge至As、Y至Te)為3d軌道，原子序號72至83(Hf至Bi)為4f軌道。
裝置：ULVAC-PHI公司製造的PHI 5000 VersaProbeII
X射線源：色化AlKα射線(25W)
光電子檢測面積：1400μm×300μm
光電子檢測角：45度
通能(pass energy)：23.5eV
(中間層)
上述中間層係位於上述基材上，且包含氧化鋁及氧化矽的第一層、及位於上述第一層上的氧化矽的第二層。「位於基材上」意指中間層與基材相接觸地存在。
上述氧化鋁典型為AlxOy(x及y為任意的整數)。氧化鋁典型為Al2O3，但可以微量含有化學計量比不同的氧化鋁。
上述氧化矽典型而言為SixOy(x及y為任意的整數)。氧化矽典型而言為SiO2，但可以微量地含有化學計量比不同的氧化矽。
上述第一層係配置成在基材上直接接觸，且含有氧化鋁及氧化矽。
上述第一層實質上由氧化鋁及氧化矽構成。在此，「實質上」意指容許存在有極微量的其他成分，例如製造上不可避免的成分、不可分離的成分。上述第一層較佳為含有99.5質量%以上，較佳為99.9質量%以上，更佳為100%的氧化鋁及氧化矽。
在較佳態樣中，相對於鋁及矽的合計量，上述第一層中的鋁的含量為0.5至60.0at%，較佳為0.7至50.5at%，更佳為1.5至35.5at%。藉由使鋁含量為上述範圍，積層體的摩擦耐久性提升。
在較佳態樣中，在全部元素中(亦即Al、F、C、Si及O)，上述第一層中的鋁的含量為0.1至30at%，較佳為0.4至20at%，更佳為0.5至10at%。藉由使鋁含量為上述的範圍，積層體的摩擦耐久性提升。
在此，第一層中的鋁含量係藉由XPS分析(X射線光電子分光分析)進行測定。
各層中的原子含量可以藉由利用深度方向分析來測定，該深度方向分析係利用了XPS分析。就XPS分析的測定條件而言，可使用25W的單色
化AIKα射線作為X射線源，將光電子檢測面積設為1400μm×300μm，將光電子檢測角設為45度，將通能設為23.5eV，使用Ar離子作為濺射離子。藉由利用Ar離子所致之濺射，將積層體表層蝕刻1至100nm，在各個蝕刻後的深度處，觀測C1s、O1s、F1s、Si2p軌道及金屬原子的適當的軌道的峰面積，計算碳、氧、氟、矽及金屬原子的原子比，由此能夠求出各層中的組成。金屬原子的適當的軌道係可列舉例如：原子序號5(B)為1s軌道，原子序號13至14、21至31(Al至Si、Sc至Ga)為2p軌道，原子序號32至33、39至52(Ge至As、Y至Te)為3d軌道，原子序號72至83(Hf至Bi)為4f軌道。
裝置：ULVAC-PHI公司製造的PHI 5000 VersaProbeII
X射線源：色化AlKα射線(25W)
光電子檢測面積：1400μm×300μm
光電子檢測角：45度
通能：23.5eV
Ar加速電壓：3kV
Sputter(濺射)時間：14至21秒
在一態樣中，上述第一層的與基材相接觸的面及與第二層相接觸的面中，鋁含量之差較佳為1.0at%以內，更佳為0.5at%以內，又更佳為0.1at%以內。換言之，從上述第一層的與基材相接觸的面至與第二層相接觸的面，鋁含量的濃度梯度小，或者不存在。
上述第一層的鋁含量的濃度梯度，係可藉由氬團簇離子束(Ar-GCIB)，對物品的表面從表面處理層側進行蝕刻，並藉由X射線光電子分光分析
(XPS分析)測定原子濃度，由重複上述的操作而得到的蝕刻速率(etching rate)算出。
上述第二層係配置成在上述第一層上直接接觸，且含有氧化矽。
上述第二層實質上由氧化矽構成。在此，「實質上」意指容許極微量的其他成分存在，例如製造上不可避免的成分、不可分離的成分。上述第二層較佳為含有99.5質量%以上，較佳為99.9質量%以上，更佳為100%的氧化矽。
上述中間層的厚度較佳為5nm至35nm，更佳為10nm至30nm。藉由使上述中間層的厚度為上述的範圍，提升表面處理層的摩擦耐久性。
上述第一層的厚度較佳為1nm至30nm，更佳為3nm至20nm，又更佳為5nm至10nm。藉由使上述第一層的厚度為上述的範圍，提升表面處理層的摩擦耐久性。
上述第二層的厚度較佳為1nm至30nm，更佳為5nm至25nm，又更佳為8nm至20nm。藉由將上述第二層的厚度設為上述的範圍，提升表面處理層的摩擦耐久性。
第一層的厚度相對於上述第二層的厚度的比較佳為0.1至10，更佳為0.2至5.0，又更佳為0.3至1.0。藉由使第一層的厚度相對於上述第二層的厚度的比為上述的範圍，提升表面處理層的摩擦耐久性。
上述中間層、第一層及第二層的厚度係可以利用氬團簇離子束(Ar-GCIB)，對物品的表面從表面處理層側進行蝕刻，並藉由X射線光電子分光分析(XPS分析)測定原子濃度，由重複上述的操作而得到的蝕刻速率算出。
上述各層的形成方法只要是能夠在基材上形成金屬氧化物的層的方法，就沒有特別限定，可以使用蒸鍍法，例如物理氣相沉積法(PVD：Physical
Vapor Deposition)及化學氣相沉積法(CVD：Chemical Vapor Deposition)等。PVD法沒有特別限定，可列舉例如：真空蒸鍍法及濺射等。真空蒸鍍法的具體例可以列舉：電阻加熱、電子束、使用微波等的高頻加熱、離子束以及類似的方法。CVD方法的具體例可以列舉：等離子體CVD、光學CVD、熱CVD以及類似的方法。其中，較佳為PVD法，特別是較佳為電阻加熱蒸鍍或電子束蒸鍍，更佳為電子束蒸鍍。藉由使用PVD法，能夠得到具有更高的摩擦耐久性的表面處理層。
在一態樣中，在中間層上形成表面處理層之前，亦可以進行前處理，例如清洗處理。藉由進行前處理，中間層及表面處理層的密合性提升，能夠得到更高的摩擦耐久性。
(表面處理層)
上述表面處理層位於上述中間層上，由含有含氟矽烷化合物的表面處理劑形成。「位於中間層上」意指表面處理層與中間層相接觸地存在。
上述含氟矽烷化合物為下述式(1)或(2)所示的至少1種含氟矽烷化合物，
RF1 α-XA-RSi β (1)
RSi γ-XA-RF2-XA-RSi γ (2)〔式中：
RF1在每次出現時分別獨立地為Rf1-RF-Oq-；
RF2為-Rf2 p-RF-Oq-；
Rf1在每次出現時分別獨立地為可經1個以上的氟原子取代的C1-16烷基；
Rf2為可經1個以上的氟原子取代的C1-6伸烷基；
RF在每次出現時分別獨立地為2價的氟代聚醚基；
p為0或1；
q在每次出現時分別獨立地為0或1；
RSi在每次出現時分別獨立地為含有鍵結有羥基、水解性基、氫原子或1價有機基的Si原子的1價基；
至少1個RSi為含有鍵結有羥基或可水解之基的Si原子的1價基；
XA分別獨立地為單鍵或2至10價的有機基；
α為1至9的整數；
β為1至9的整數；
γ分別獨立地為1至9的整數〕。
上述式(1)中，RF1在每次出現時分別獨立地為Rf1-RF-Oq-。
上述式(2)中，RF2為-Rf2 p-RF-Oq-。
上述式中，Rf1在每次出現時分別獨立地為可經1個以上的氟原子取代的C1-16烷基。
上述可經1個以上的氟原子取代的C1-16烷基中的「C1-16烷基」可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈或支鏈的C1-6烷基，特別是C1-3烷基，更佳為直鏈的C1-6烷基，特別是C1-3烷基。
上述Rf1較佳為經1個以上的氟原子取代的C1-16烷基，更佳為CF2H-C1-15全氟伸烷基，又更佳為C1-16全氟烷基。
上述C1-16全氟烷基可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈或支鏈的C1-6全氟烷基，特別是C1-3全氟烷基，更佳為直鏈的C1-6全氟烷基，特別是C1-3全氟烷基，具體為-CF3、-CF2CF3或-CF2CF2CF3。
上述式中，Rf2為可經1個以上的氟原子取代的C1-6伸烷基。
上述可經1個以上的氟原子取代的C1-6伸烷基中的「C1-6伸烷基」可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈或支鏈的C1-3伸烷基，更佳為直鏈的C1-3伸烷基。
上述Rf2較佳為經1個以上的氟原子取代的C1-6伸烷基，更佳為C1-6全氟伸烷基，又更佳為C1-3全氟伸烷基。
上述C1-6全氟伸烷基可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈或支鏈的C1-3全氟伸烷基，更佳為直鏈的C1-3全氟伸烷基，具體為-CF2-、-CF2CF2-或-CF2CF2CF2-。
在上述式中，p為0或1。在一態樣中，p為0。在其他態樣中，p為1。
在上述式中，q在每次出現時分別獨立地為0或1。在一態樣中，q為0。在其他態樣中，q為1。
在上述式(1)及(2)中，RF在每次出現時分別獨立地為2價的氟代聚醚基。
RF較佳可含有下述式所示之基：
-(OCh1RFa 2h1)h3-(OCh2RFa 2h2-2)h4-
〔式中：
RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，
h1為1至6之整數，
h2為4至8之整數，
h3為0以上之整數，
h4為0以上之整數，
惟，h3與h4之合計為1以上，較佳為2以上，更佳為5以上，標注h3或h4且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的〕。
在一態樣中，RF可為直鏈狀或支鏈狀。RF較佳為式：-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-所示之基，〔式中：
RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，
a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200的整數，a、b、c、d、e及f之和為1以上。標注a、b、c、d、e或f且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的。惟，全部的RFa皆為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f中的至少1個為1以上〕。
RFa較佳為氫原子或氟原子，更佳為氟原子。惟，全部的RFa皆為氫原子或氯原子時，a、b、c、e及f中的至少1個為1以上。
a、b、c、d、e及f較佳是可分別獨立地為0至100的整數。
a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如可為15以上或20以上。a、b、c、d、e及f之和較佳為200以下，更佳為100以下，又更佳為60以下，例如可為50以下或30以下。
此等重複單元可為直鏈狀，也可為支鏈狀。例如，-(OC6F12)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))-等。-(OC5F10)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3))-等。-(OC4F8)-可為-
(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))-的任一者。-(OC3F6)-(亦即，上述式中，RFa為氟原子)可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-的任一者。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及-(OCF(CF3))-的任一者。
在一態樣中，上述重複單元為直鏈狀。藉由使上述重複單元為直鏈狀，能夠提升表面處理層的表面滑動性、磨耗耐久性等。
在一態樣中，上述重複單元為支鏈狀。藉由使上述重複單元為支鏈狀，能夠使表面處理層的動態摩擦係數變大。
在一態樣中，RF可含有環結構。
上述環結構可為下述三員環、四員環、五員環、或六員環。
〔式中，＊表示鍵結位置〕
上述環結構較佳可為四員環、五員環、或六員環，更佳為四員環、或六員環。
具有環結構之重複單元較佳可為下述單元。
〔式中，＊表示鍵結位置〕
在一態樣中，RF在每次出現時分別獨立地為下述式(f1)至(f6)中的任一式所示之基。
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)
〔式中，d為1至200的整數，e為0或1〕；
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
〔式中，c及d分別獨立地為0以上30以下的整數，e及f分別獨立地為1以上200以下的整數，
c、d、e及f之和為2以上，
標注下標c、d、e或f且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的〕；
-(R6-R7)g- (f3)
〔式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12中之基，或是獨立地選自此等基中的2個或3個基的組合，
g為2至100的整數〕；
-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)
〔式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12中之基，或是獨立地選自此等基中的2個或3個基的組合，
R6’為OCF2或OC2F4，
R7’為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12中之基，或是獨立地選自此等基中的2個或3個基的組合，
g為2至100之整數，
g’為2至100之整數，
Rr為下列者，
(式中，＊表示鍵結位置)〕；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
〔式中，e為1以上200以下的整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下的整數，並且，標注a、b、c、d、e或f且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的〕；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)〔式中，f為1以上200以下的整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下的整數，並且，標注a、b、c、d、e或f且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的〕。
在上述式(f1)中，d較佳為5至200，更佳為10至100，又更佳為15至50，例如為25至35的整數。上述式(f1)中的OC3F6較佳為(OCF2CF2CF2)、
(OCF(CF3)CF2)或(OCF2CF(CF3))，更佳為(OCF2CF2CF2)。上述式(f1)中的(OC2F4)較佳為(OCF2CF2)或(OCF(CF3))，更佳為(OCF2CF2)。在一態樣中，e為0。在其他態樣中，e為1。
在上述式(f2)中，e及f分別獨立地較佳為5至200，更佳為10至200的整數。又，c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如可為15以上或20以上。在一態樣中，上述式(f2)較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)c-(OCF2CF2CF2)d-(OCF2CF2)e-(OCF2)f-所示之基。在其他態樣中，式(f2)可為-(OC2F4)e-(OCF2)f-所示之基。
在上述式(f3)中，R6較佳為OC2F4。在上述式(f3)中，R7較佳為選自OC2F4、OC3F6及OC4F8中之基，或是獨立地選自此等基中的2個或3個基的組合，更佳為選自OC3F6及OC4F8中之基。獨立地選自OC2F4、OC3F6及OC4F8中的2個或3個基的組合沒有特別限定，可列舉例如：-OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC4F8-、-OC3F6OC2F4-、-OC3F6OC3F6-、-OC3F6OC4F8-、-OC4F8OC4F8-、-OC4F8OC3F6-、-OC4F8OC2F4-、-OC2F4OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC2F4OC4F8-、-OC2F4OC3F6OC2F4-、-OC2F4OC3F6OC3F6-、-OC2F4OC4F8OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC3F6-、-OC3F6OC3F6OC2F4-及-OC4F8OC2F4OC2F4-等。在上述式(f3)中，g較佳為3以上，更佳為5以上的整數。上述g較佳為50以下的整數。在上述式(f3)中，OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12可為直鏈或支鏈的任一者，較佳為直鏈。在該態樣中，上述式(f3)較佳為-(OC2F4-OC3F6)g-或-(OC2F4-OC4F8)g-。
在上述式(f4)中，R6、R7及g係與上述式(f3)之記載同意義，具有同樣的態樣。R6’、R7’及g’係分別與上述式(f3)所記載之R6、R7及g同意義，具有同樣的態樣。Rr較佳為下列者。
〔式中，＊表示鍵結位置〕
Rr更佳為下列者。
〔式中，＊表示鍵結位置〕
在上述式(f5)中，e較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下的整數。a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如為10以上100以下。
在上述式(f6)中，f較佳為1以上100以下，更佳為5以上100以下的整數。a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，更佳為10以上，例如為10以上100以下。
在一態樣中，上述RF為上述式(f1)所示之基。
在一態樣中，上述RF為上述式(f2)所示之基。
在一態樣中，上述RF為上述式(f3)所示之基。
在一態樣中，上述RF為上述式(f4)所示之基。
在一態樣中，上述RF為上述式(f5)所示之基。
在一態樣中，上述RF為上述式(f6)所示之基。
在上述RF中，e相對於f的比(以下，稱為「e/f比」)為0.1至10，較佳為0.2至5，更佳為0.2至2，又更佳為0.2至1.5，更又更佳為0.2至0.85。藉由使e/f比為10以下，進一步提升由該化合物得到的表面處理層的滑動性、磨耗耐久性及耐化學性(例如對人工汗的耐久性)。e/f比越小，表面處理層的滑動性及磨耗耐久性越提升。另一方面，藉由使e/f比為0.1以上，能夠進一步提升化合物的穩定性。e/f比越大，化合物的穩定性越提升。
在上述含氟矽烷化合物中，RF1及RF2部分的數量平均分子量沒有特別限定，例如為500至30,000，較佳為1,500至30,000，更佳為2,000至10,000。在本說明書中，RF1及RF2的數量平均分子量係藉由19F-NMR測得的值。
在其他態樣中，RF1及RF2部分的數量平均分子量可為500至30,000，較佳為1,000至20,000，更佳為2,000至15,000，又更佳為2,000至10,000，例如為3,000至6,000。
在其他態樣中，RF1及RF2部分的數量平均分子量可為4,000至30,000，較佳為5,000至10,000，更佳為6,000至10,000。
在上述式(1)及(2)中，RSi在每次出現時分別獨立地為含有鍵結有羥基、水解性基、氫原子或1價有機基的Si原子之1價基，至少1個RSi為含有鍵結有羥基或水解性基的Si原子之1價基。
在此，「水解性基」意指能夠接受水解反應之基，亦即，意指能夠藉由水解反應從化合物的主骨架脫離之基。水解性基的例子可以列舉：-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO、鹵素(此等式子中，Rj表示取代或未取代的C1-4烷基)等。
在較佳態樣中，RSi為含有鍵結有羥基或水解性基的Si原子的1價基。
在較佳態樣中，RSi為下述式(S1)、(S2)、(S3)或(S4)所示之基，
-SiR11 n1R12 3-n1 (S2)
-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3)
-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4)
-NRg1Rh1 (S5)
上述式中，R11在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R11較佳是在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R11較佳是在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO或鹵素(此等式子中，Rj表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即烷氧基)。Rj可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，較佳為烷基，特別是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rj為甲基，在其他態樣中，Rj為乙基。
上述式中，R12在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。所述1價有機基是上述水解性基之外的1價有機基。
R12中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述式中，n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元中分別獨立地為0至3的整數。惟，RSi為式(S1)或(S2)所示之基時，在式(1)及式(2)的末端的RSi部分(以下，也簡稱為式(1)及式(2)的「末端部分」)中，至少存在1個n1為1至3之(SiR11 n1R12 3-n1)單元。亦即，在所述的末端部分中，全部的n1不同時為0。換言之，在式(1)及式(2)的末端部分中，至少存在1個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。
n1是在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元中分別獨立地較佳為1至3的整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述式中，X11在每次出現時分別獨立地為單鍵或2價有機基。所述的2價有機基較佳為-R28-OX-R29-(式中，R28及R29在每次出現時分別獨立地為單鍵或C1-20伸烷基，x為0或1)。上述的C1-20伸烷基可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈。上述的C1-20伸烷基較佳為C1-10伸烷基，更佳為C1-6伸烷基，又更佳為C1-3伸烷基。
在一態樣中，X11在每次出現時分別獨立地為-C1-6伸烷基-O-C1-6伸烷基-或-O-C1-6伸烷基-。
在較佳態樣中，X11在每次出現時分別獨立地為單鍵或直鏈的C1-6伸烷基，較佳為單鍵或直鏈的C1-3伸烷基，更佳為單鍵或直鏈的C1-2伸烷基，又更佳為直鏈的C1-2伸烷基。
上述式中，R13在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。所述1價有機基較佳為C1-20烷基。上述的C1-20烷基可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈。
在較佳態樣中，R13在每次出現時分別獨立地為氫原子或直鏈的C1-6烷基，較佳為氫原子或直鏈的C1-3烷基，較佳為氫原子或甲基。
上述式中，t在每次出現時分別獨立地為2以上的整數。
在較佳態樣中，t在每次出現時分別獨立地為2至10的整數，較佳為2至6的整數。
上述式中，R14在每次出現時分別獨立地為氫原子、鹵原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1。上述鹵原子較佳為碘原子、氯原子或氟原子，更佳為氟原子。在較佳態樣中，R14為氫原子。
上述式中，R15在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、碳原子數1至6的伸烷基或碳原子數1至6的伸烷基氧基。
在一態樣中，R15在每次出現時分別獨立地為氧原子、碳原子數1至6的伸烷基或碳原子數1至6的伸烷基氧基。
在較佳態樣中，R15為單鍵。
在一態樣中，式(S1)為下述式(S1-a)。
〔式中，
R11、R12、R13、X11及n1係與上述式(S1)的記載同意義；
t1及t2在每次出現時分別獨立地為1以上的整數，較佳為1至10的整數，更佳為2至10的整數，例如為1至5的整數或2至5的整數；
標注t1及t2且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的〕
在較佳態樣中，式(S1)為下述式(S1-b)。
〔式中，R11、R12、R13、X11、n1及t係與上述式(S1)的記載同意義〕
上述式中，Ra1在每次出現時分別獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1。
上述Z1在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。另外，記載為下述Z1的結構，係其右側與(SiR21 p1R22 q1R23 r1)鍵結。
在較佳態樣中，Z1為2價有機基。
在較佳態樣中，Z1不含與Z1所鍵結的Si原子形成矽氧烷鍵者。較佳是在式(S3)中，(Si-Z1-Si)不含矽氧烷鍵。
上述Z1較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1-O-(CH2)z2-(式中，z1為0至6的整數，例如為1至6的整數；z2為0至6的整數，例如為1至6的整數)；或-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-(式中，z3為0至6的整數，例如為1至6的整數；z4為0至6的整數，例如為1至6的整數)。上述的C1-6伸烷基可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈。此等基例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基中的1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳態樣中，Z1為C1-6伸烷基或-(CH2)z3-伸苯基-(CH2)z4-，較佳為-伸苯基-(CH2)z4-。Z1為上述基時，能夠進一步提升光耐受性，特別是紫外線耐受性。
在其他較佳的態樣中，上述Z1為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z1可為-CH2CH2CH2-。在其他態樣中，Z1可為-CH2CH2-。
上述R21在每次出現時分別獨立地為-Z1' -SiR21' p1' R22' q1' R23' r1' 。
上述Z1' 在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。另外，記載為下述Z1' 的結構，係其右側與(SiR21' p1' R22' q1' R23' r1' )鍵結。
在較佳態樣中，Z1' 為2價有機基。
在較佳態樣中，Z1' 不含與Z1' 所鍵結的Si原子形成矽氧烷鍵者。較佳是在式(S3)中，(Si-Z1' -Si)不含矽氧烷鍵。
上述Z1' 較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1' -O-(CH2)z2' -(式中，z1'為0至6的整數，例如為1至6的整數；z2'為0至6的整數，例如為1至6的整數)；或是，-(CH2)z3' -伸苯基-(CH2)z4' -(式中，z3'為0至6的整數，例如為1至6的整數；z4'為0至6的整數，例如為1至6的整數)。上述的C1-6伸烷基可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈。此等基例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基中的1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳態樣中，Z1' 為C1-6伸烷基或-(CH2)z3' -伸苯基-(CH2)z4' -，較佳為-伸苯基-(CH2)z4' -。Z1' 為所述基時，能夠進一步提升光耐受性，特別是紫外線耐受性。
在其他較佳的態樣中，上述Z1' 為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z1' 可為-CH2CH2CH2-。在其他態樣中，Z1' 可為-CH2CH2-。
上述R21' 在每次出現時分別獨立地為-Z1" -SiR22" q1" R23" r1" 。
上述Z1" 在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。另外，記載為下述Z1" 的結構，係其右側與(SiR22" q1" R23" r1" )鍵結。
在較佳態樣中，Z1" 為2價有機基。
在較佳態樣中，Z1" 不含與Z1" 所鍵結的Si原子形成矽氧烷鍵者。較佳是在式(S3)中，(Si-Z1" -Si)不含矽氧烷鍵。
上述Z1" 較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z1" -O-(CH2)z2" -(式中，z1"為0至6的整數，例如為1至6的整數；z2"為0至6的整數，例如為1至6的整數)；或是，-(CH2)z3" -伸苯基-(CH2)z4" -(式中，z3"為0至6的整數，例如為1至6的整數；z4"為0至6的整數，例如為1至6的整數)。上述的C1-6伸烷基可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈。此等基例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基中的1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳態樣中，Z1" 為C1-6伸烷基或-(CH2)z3" -伸苯基-(CH2)z4" -，較佳為-伸苯基-(CH2)z4" -。Z1" 為所述基時，能夠進一步提升光耐受性，特別是紫外線耐受性。
在其他較佳的態樣中，上述Z1" 為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z1" 可為-CH2CH2CH2-。在其他態樣中，Z1" 可為-CH2CH2-。
上述R22" 在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
上述R22" 較佳是在每次出現時分別獨立地為水解性基。
上述R22" 較佳是在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO或鹵素(此等式子中，Rj表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即，烷氧基)。Rj可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正
丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，較佳為烷基，特別是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rj為甲基，在其他態樣中，Rj為乙基。
上述R23" 在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。所述1價有機基係上述水解性基之外的1價有機基。
在上述R23" 中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述q1"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述r1"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。另外，q1"及r1"的合計在(SiR22" q1" R23" r1" )單元中為3。
上述q1"在每個(SiR22" q1" R23" r1" )單元中分別獨立地較佳為1至3的整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述R22' 在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R22' 較佳是在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R22' 較佳是在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO或鹵素(此等式子中，Rj表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即，烷氧基)。Rj可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，較佳為烷基，特別是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rj為甲基，在其他態樣中，Rj為乙基。
上述R23' 在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。所述1價有機基係上述水解性基之外的1價有機基。
在R23' 中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述p1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，q1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，r1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。另外，p'、q1'及r1'的合計在(SiR21' p1' R22' q1' R23' r1' )單元中為3。
在一態樣中，p1'為0。
在一態樣中，p1'在每個(SiR21' p1' R22' q1' R23' r1' )單元中可分別獨立地為1至3的整數、2至3的整數、或3。在較佳態樣中，p1'為3。
在一態樣中，q1'在每個(SiR21' p1' R22' q1' R23' r1' )單元中可分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，更佳為3。
在一態樣中，p1'為0，q1'在每個(SiR21' p1' R22' q1' R23' r1' )單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，又更佳為3。
上述R22在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R22較佳是在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R22較佳是在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO或鹵素(此等式子中，Rj表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即，烷氧基)。Rj可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，較佳為烷基，特別是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rj為甲基，在其他態樣中，Rj為乙基。
上述R23在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。所述1價有機基係上述水解性基之外的1價有機基。
在R23中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述p1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，q1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，r1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。另外，p1、q1及r1的合計在(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中為3。
在一態樣中，p1為0。
在一態樣中，p1在每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中可分別獨立地為1至3的整數、2至3的整數、或3。在較佳態樣中，p1為3。
在一態樣中，q1在每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，更佳為3。
在一態樣中，p1為0，q1在每個(SiR21 p1R22 q1R23 r1)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，又更佳為3。
上述式中，Rb1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
上述Rb1較佳是在每次出現時分別獨立地為水解性基。
上述Rb1較佳是在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO或鹵素(此等式子中，Rj表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即，烷氧基)。Rj可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，較佳為烷基，特別是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rj為甲基，在其他態樣中，Rj為乙基。
上述式中，Rc1在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。所述1價有機基係上述水解性基之外的1價有機基。
在上述Rc1中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述k1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，l1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，m1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。另外，k1、l1及m1的合計在(SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1)單元中為3。
在一態樣中，k1在每個(SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。在較佳態樣中，k1為3。
在上述式(1)及(2)中，RSi為式(S3)所示之基時，較佳是在式(1)及式(2)的末端部分中，至少存在2個，較佳為存在3個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。
在較佳態樣中，式(S3)所示之基具有-Z1-SiR22 q1R23 r1(式中，q1為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3，r1為0至2的整數)、-Z1' -SiR22' q1' R23' r1' (式中，q1'為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3，r1'為0至2的整數)；或是，-Z1" -SiR22" q1" R23" r1" (式中，q1"為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3，r1"為0至2的整數)中的任一者。Z1、Z1' 、Z1" 、R22、R23、R22' 、R23' 、R22" 及R23" 係與上述同意義。
在較佳態樣中，在式(S3)中存在R21' 時，在至少1個，較佳為全部的R21' 中，q1"為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳態樣中，在式(S3)中存在R21時，在至少1個，較佳為全部的R21中，p1'為0，q1'為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳態樣中，在式(S3)中存在Ra1時，在至少1個，較佳為全部的Ra1中，p1為0，q1為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳態樣中，在式(S3)中，k1為2或3，較佳為3，p1為0，q1為2或3，較佳為3。
Rd1在每次出現時分別獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2。
Z2在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。另外，記載為下述Z2，係其結構的右側與(CR31 p2R32 q2R33 r2)鍵結。
在較佳態樣中，Z2為2價有機基。
上述Z2較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5-O-(CH2)z6-(式中，z5為0至6的整數，例如為1至6的整數，z6為0至6的整數，例如為1至6的整數)；或是，-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-(式中，z7為0至6的整數，例如為1至6的整數，z8為0至6的整數，例如為1至6的整數)。上述的C1-6伸烷基可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈。此等基例如可以經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基中的1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳態樣中，Z2為C1-6伸烷基或-(CH2)z7-伸苯基-(CH2)z8-，較佳為-伸苯基-(CH2)z8-。Z2為所述基時，能夠進一步提升光耐受性，特別是紫外線耐受性。
在其他較佳態樣中，上述Z2為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z2可為-CH2CH2CH2-。在其他態樣中，Z2可為-CH2CH2-。
R31在每次出現時分別獨立地為-Z2' -CR32' q2' R33' r2' 。
Z2' 在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。另外，記載為下述Z2' ，係其結構的右側與(CR32' q2' R33' r2' )鍵結。
上述Z2' 較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5' -O-(CH2)z6' -(式中，z5'為0至6的整數，例如為1至6的整數，z6'為0至6的整數，例如為1至6的整數)；或
是，-(CH2)z7' -伸苯基-(CH2)z8' -(式中，z7'為0至6的整數，例如為1至6的整數，z8'為0至6的整數，例如為1至6的整數)。上述的C1-6伸烷基可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈。此等基例如可以經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基中的1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳態樣中，Z2' 為C1-6伸烷基或-(CH2)z7' -伸苯基-(CH2)z8' -，較佳為-伸苯基-(CH2)z8' -。Z2' 為所述基時，能夠進一步提升光耐受性，特別是紫外線耐受性。
在其他較佳態樣中，上述Z2' 為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z2' 可為-CH2CH2CH2-。在其他態樣中，Z2' 可為-CH2CH2-。
上述R32' 在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。
上述Z3在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。另外，記載為下述Z3，係其結構的右側與(SiR34 n2R35 3-n2)鍵結。
在一態樣中，Z3為氧原子。
在一態樣中，Z3為2價有機基。
上述Z3較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5" -O-(CH2)z6" -(式中，z5"為0至6的整數，例如為1至6的整數，z6"為0至6的整數，例如為1至6的整數)；或是，-(CH2)z7" -伸苯基-(CH2)z8" -(式中，z7"為0至6的整數，例如為1至6的整數；z8"為0至6的整數，例如為1至6的整數)。上述的C1-6伸烷基可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈。此等基例如可以經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基中的1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳態樣中，Z3為C1-6伸烷基或-(CH2)z7"-伸苯基-(CH2)z8" -，較佳為-伸苯基-(CH2)z8" -。Z3為所述基時，能夠進一步提升光耐受性、特別是紫外線耐受性。
在其他較佳態樣中，上述Z3為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z3可為-CH2CH2CH2-。在其他態樣中，Z3可為-CH2CH2-。
上述R34在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基。
R34較佳是在每次出現時分別獨立地為水解性基。
R34較佳是在每次出現時分別獨立地為-ORj、-OCORj、-O-N=CRj 2、-NRj 2、-NHRj、-NCO或鹵素(此等式子中，Rj表示取代或未取代的C1-4烷基)，更佳為-ORj(亦即，烷氧基)。為Rj可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基等未取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，較佳為烷基，特別是未取代烷基，更佳為甲基或乙基。在一態樣中，Rj為甲基，在其他態樣中，Rj為乙基。
上述R35在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。所述1價有機基係上述水解性基之外的1價有機基。
在上述R35中，1價有機基較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基，又更佳為甲基。
上述式中，n2在每個(SiR34 n2R35 3-n2)單元中分別獨立地為0至3的整數。惟，RSi為式(S4)所示之基時，在式(1)及式(2)的末端部分中，至少存在1個n2為1至3的(SiR34 n2R35 3-n2)的單元。亦即，在所述的末端部分中，全部的n2不同時為0。換言之，在式(1)及式(2)的末端部分中，至少存在1個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。
n2在每個(SiR34 n2R35 3-n2)單元中分別獨立地較佳為1至3的整數，更佳為2至3，又更佳為3。
上述R33' 在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。所述1價有機基係上述水解性基之外的1價有機基。
在上述R33' 中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6的整數，較佳為2至4的整數，t1為1或0，較佳為0，t2為1至20的整數，較佳為2至10的整數，更佳為2至6的整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特別較佳為甲基。
在一態樣中，R33' 為羥基。
在其他態樣中，R33' 為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述q2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述r2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。另外，q2'及r2'的合計在(CR32' q2' R33' r2' )單元中為3。
q2'在每個(CR32' q2' R33' r2' )單元中分別獨立地較佳為1至3的整數，更佳為2至3，又更佳為3。
R32在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。上述的-Z3-SiR34 n2R35 3-n2的含義與上述R32' 中的記載相同。
上述R33在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。所述1價有機基係上述水解性基之外的1價有機基。
在上述R33中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6的整數，較佳為2至4的整數，t1為1或0，較佳為0，
t2為1至20的整數，較佳為2至10的整數，更佳為2至6的整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特別較佳為甲基。
在一態樣中，R33為羥基。
在其他態樣中，R33為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳C1-6烷基。
上述p2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，q2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，r2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。另外，p2、q2及r2的合計在(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中為3。
在一態樣中，p2為0。
在一態樣中，p2在每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中分別獨立地可為1至3的整數、2至3的整數、或3。在較佳態樣中，p2為3。
在一態樣中，q2在每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，更佳為3。
在一態樣中，p2為0，q2在每個(CR31 p2R32 q2R33 r2)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，又更佳為3。
上述Re1在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2。所述的-Z3-SiR34 n2R35 3-n2係與上述R32' 中的記載同意義。
上述Rf1在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。所述的1價有機基係上述水解性基之外的1價有機基。
在上述Rf1中，1價有機基較佳為C1-20烷基或-(CsH2s)t1-(O-CsH2s)t2(式中，s為1至6的整數，較佳為2至4的整數，t1為1或0，較佳為0，
t2為1至20的整數，較佳為2至10的整數，更佳為2至6的整數)，更佳為C1-20烷基，又更佳為C1-6烷基，特別較佳為甲基。
在一態樣中，Rf1為羥基。
在其他態樣中，Rf1為1價有機基，較佳為C1-20烷基，更佳為C1-6烷基。
上述k2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，l2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，m2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。另外，k2、l2及m2的合計在(CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2)單元中為3。
在上述式(1)及(2)中，RSi為式(S4)所示之基時，較佳是在式(1)及式(2)的末端部分中，至少存在2個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。
在一態樣中，RSi為式(S4)所示之基時，n2為1至3，較佳為2或3，更佳為3(SiR34 n2R35 3-n2)單元在式(1)及式(2)的各末端部分中存在2個以上，例如2至27個，較佳為2至9個，更佳為2至6個，又更佳為2至3個，特別較佳為3個。
在較佳態樣中，在式(S4)中存在R32' 時，在至少1個，較佳為全部的R32' 中，n2為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳態樣中，在式(S4)中存在R32時，在至少1個，較佳為全部的R32中，n2為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳態樣中，在式(S4)中存在Re1時，在至少1個，較佳為全部的Re1中，n2為1至3的整數，較佳為2或3，更佳為3。
在較佳態樣中，在式(S4)中，k2為0，l2為2或3、較佳為3，n2為2或3、較佳為3。
在上述式(1)及(2)中，RSi為式(S4)所示之基時，較佳是在式(1)及式(2)的末端部分中，至少存在2個，較佳為存在3個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。
上述Rg1及Rh1在每次出現時分別獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2。在此，R11、R12、Ra1、Rb2、Rc1、Rd1、Re1、Rf1、n1、k1、l1、m1、k2、l2及m2的係與上述同意義。
在較佳態樣中，Rg1及Rh1分別獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1。
上述Z4在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基。另外，記載為下述Z4，係其結構的右側與(SiR11 n1R12 3-n1)鍵結。
在一態樣中，Z4為氧原子。
在一態樣中，Z4為2價有機基。
上述Z4較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)z5" -O-(CH2)z6" -(式中，z5"為0至6的整數，例如為1至6的整數，z6"為0至6的整數，例如為1至6的整數)；或是，-(CH2)z7" -伸苯基-(CH2)z8" -(式中，z7"為0至6的整數，例如為1至6的整數；z8"為0至6的整數，例如為1至6的整數)。所述C1-6伸烷基可為直鏈，也可為支鏈，較佳為直鏈。此等基例如可經選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基中的1個以上的取代基取代，但較佳為未取代。
在較佳態樣中，Z4為C1-6伸烷基或-(CH2)z7" -伸苯基-(CH2)z8" -，較佳為-伸苯基-(CH2)z8" -。Z3為所述基時，能夠進一步提升光耐受性，特別是紫外線耐受性。
在其他較佳態樣中，上述Z4為C1-3伸烷基。在一態樣中，Z4可為-CH2CH2CH2-。在其他態樣中，Z4可為-CH2CH2-。
在上述式(1)及(2)中，RSi為式(S5)所示之基時，較佳是在式(1)及式(2)的末端部分中，至少存在2個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。
在一態樣中，RSi為式(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基。此等化合物可以形成具有高的表面滑動性的表面處理層。
在一態樣中，RSi為式(S3)、(S4)或(S5)所示之基。由於此等化合物在一個末端具有複數個水解性基，因此與基材較強地密合，能夠形成具有高磨耗耐久性的表面處理層。
在一態樣中，RSi為式(S3)或(S4)所示之基。由於此等化合物在一個末端能夠具有從一個Si原子或C原子分支的複數個水解性基，因此能夠形成具有更高磨耗耐久性的表面處理層。
在一態樣中，RSi為式(S1)所示之基。
在一態樣中，RSi為式(S2)所示之基。
在一態樣中，RSi為式(S3)所示之基。
在一態樣中，RSi為式(S4)所示之基。
在一態樣中，RSi為式(S5)所示之基。
在上述式(1)及(2)中，XA理解為將主要提供撥水性及表面滑動性等的氟代聚醚部(RF1及RF2)以及提供與基材的結合能力的部分(RSi)連結的連接基。因此，該XA只要是能夠使式(1)及(2)所示的化合物穩定存在者，則可為單鍵，也可為任意基。
在上述式(1)中，α為1至9的整數，β為1至9的整數。此等α及β可因應XA的價數而變化。α及β之和係與XA的價數相同。例如，XA
為10價有機基時，α及β之和為10，例如可以α為9且β為1，α為5且β為5，或α為1且β為9。又，XA為2價有機基時，α及β為1。
在上述式(2)中，γ為1至9的整數。γ可因應XA的價數而變化。亦即，γ為從XA的價數減去1而得到的值。
XA分別獨立地為單鍵或2至10價的有機基；
上述XA中的2至10價的有機基較佳為2至8價的有機基。在一態樣中，所述的2至10價的有機基較佳為2至4價的有機基，更佳為2價有機基。在其他態樣中，所述的2至10價的有機基較佳為3至8價的有機基，更佳為3至6價的有機基。
在一態樣中，XA為單鍵或2價有機基，α為1，β為1。
在一態樣中，XA為單鍵或2價有機基，γ為1。
在一態樣中，XA為3至6價的有機基，α為1，β為2至5。
在一態樣中，XA為3至6價的有機基，γ為2至5。
在一態樣中，XA為3價有機基，α為1，β為2。
在一態樣中，XA為3價有機基，γ為2。
XA為單鍵或2價有機基時，式(1)及(2)由下述式(1')及(2')表示。
RF1-XA-RSi (1’)
RSi-XA-RF2-XA-RSi (2’)
在一態樣中，XA為單鍵。
在其他態樣中，XA為2價有機基。
在一態樣中，XA可列舉例如：單鍵或式：-(R51)p5-(X51)q5-所示的2價有機基，
〔式中：
R51表示單鍵、-(CH2)s5-或者鄰-、間-或對-伸苯基，較佳為-(CH2)s5-，
s5為1至20的整數，較佳為1至6的整數，更佳為1至3的整數，更又更佳為1或2，
X51表示-(X52)l5-，
X52在每次出現時分別獨立地表示選自-O-、-S-、鄰-、間-或對-伸苯基、-C(O)O-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-、-O-CONR54-、-NR54-及-(CH2)n5-中之基，
R53在每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較佳為苯基或C1-6烷基，更佳為甲基，
R54在每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，
m5在每次出現時分別獨立地為1至100的整數，較佳為1至20的整數，
n5在每次出現時分別獨立地為1至20的整數，較佳為1至6的整數，更佳為1至3的整數，
l5為1至10的整數，較佳為1至5的整數，更佳為1至3的整數，
p5為0或1，
q5為0或1，
在此，p5及q5中的至少一者為1，標注p5或q5且用括號括起來的各重複單元的存在順序是任意的〕。
在此，XA(典型為XA的氫原子)係可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基中的1個以上的取代基取代。在較佳態樣中，XA不被此等基取代。
在較佳態樣中，上述XA分別獨立地為-(R51)p5-(X51)q5-R52-。R52表示單鍵、-(CH2)t5-或者鄰-、間-或對-伸苯基，較佳為-(CH2)t5 -。t5為1至20的整數，較佳為2至6的整數，更佳為2至3的整數。在此，R52(典型為R52的氫原子)可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基中的1個以上的取代基取代。在較佳態樣中，R56不被此等基取代。
較佳是上述XA分別獨立地可為：單鍵、C1-20伸烷基、-R51-X53-R52-、或-X54-R5-
〔式中，R51及R52係與上述同意義，
X53表示：-O-、-S-、-C(O)O-、-CONR54-、-O-CONR54-、-Si(R53)2-、-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-O-(CH2)u5-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-O-(CH2)u5-Si(R53)2-O-Si(R53)2-CH2CH2-Si(R53)2-O-Si(R53)2-、-O-(CH2)u5-Si(OCH3)2OSi(OCH3)2-、
-CONR54-(CH2)u5-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-、-CONR54-(CH2)u5-N(R54)-、或一CONR54-(鄰-、間-或對-伸苯基)-Si(R53)2-
(式中，R53、R54及m5係與上述同意義，
u5為1至20的整數，較佳為2至6的整數，更佳為2至3的整數)；
X54表示：-S-、-C(O)O-、-CONR54-、-O-CONR54-、-CONR54-(CH2)u5-(Si(R54)2O)m5-Si(R54)2-、-CONR54-(CH2)u5-N(R54)-、或一CONR54-(鄰-、間-或對-伸苯基)-Si(R54)2-
(式中，各記號係與上述同意義)。〕。
更佳是上述XA分別獨立地為：單鍵、C1-20伸烷基、-(CH2)s5-X53-、-(CH2)s5-X53-(CH2)t5-、-X54-、或-X54-(CH2)t5-
〔式中，X53、X54、s5及t5係與上述同意義〕。
更佳是上述XA分別獨立地可為：單鍵、C1-20伸烷基、-(CH2)s5-X53-(CH2)t5-、或-X54-(CH2)t5-
〔式中，各記號係與上述同意義〕。
在較佳態樣中，上述XA分別獨立地可為：單鍵、C1-20伸烷基、-(CH2)s5-X53-、或-(CH2)s5-X53-(CH2)t5-
〔式中，X53為-O-、-CONR54-、或-O-CONR54-，R54在每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基，s5為1至20的整數，t5為1至20的整數〕。
在較佳態樣中，上述XA分別獨立地可為：-(CH2)s5-O-(CH2)t5-、-CONR54-(CH2)t5-
〔式中，R54在每次出現時分別獨立地表示氫原子、苯基或C1-6烷基，s5為1至20的整數，t5為1至20的整數〕。
在一態樣中，上述XA分別獨立地為：單鍵、C1-20伸烷基、-(CH2)s5-O-(CH2)t5-、
-(CH2)s5-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-(CH2)t5-、-(CH2)s5-O-(CH2)u5-(Si(R53)2O)m5-Si(R53)2-(CH2)t5-、或-(CH2)s5-O-(CH2)t5-Si(R53)2-(CH2)u5-Si(R53)2-(CvH2v)-
〔式中，R53、m5、s5、t5及u5係與上述同意義；v5為1至20的整數，較佳為2至6的整數，更佳為2至3的整數〕。
上述式中，-(CvH2v)-可為直鏈，也可為支鏈，例如可為-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH(CH3)-、-CH(CH3)CH2-。
上述XA分別獨立地為可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基(較佳為C1-3全氟烷基)中的1個以上的取代基取代。在一態樣中，XA為未取代。
又，上述XA係各式的左側與RF1或RF2鍵結，右側與RSi鍵結。
在一態樣中，XA分別獨立地可為-O-C1-6伸烷基以外。
在其他態樣中，XA可列舉例如：下述基：
〔式中，R41分別獨立地為氫原子、苯基、碳原子數1至6的烷基、或C1-6烷氧基，較佳為甲基；
D為選自下述基中之基，-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph意指苯基)、及
(式中，R42分別獨立地表示氫原子、C1-6的烷基或C1-6的烷氧基，較佳表示甲基或甲氧基，更佳表示甲基)，
E為-(CH2)n-(n為2至6的整數)，
D與分子主鏈的RF1或RF2鍵結，E與RSi鍵結〕。
上述XA的具體例可列舉例如：單鍵、-CH2OCH2-、-CH2O(CH2)2-、
-CH2O(CH2)3-、-CH2O(CH2)4-、-CH2O(CH2)5-、-CH2O(CH2)6-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2O(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-CH2OCF2CHFOCF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CF2CF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF2CF2CF2-、
-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2-、-CH2OCH2CHFCF2OCF(CF3)CF2OCF2CF2CF2-、-CH2OCF2CHFOCF2CF2CF2-C(O)NH-CH2-、-CH2OCH2(CH2)7CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)3-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH3)2OSi(OCH3)2(CH2)2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)2OSi(OCH2CH3)2(CH2)2-、-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、-CO-、-CONH-、-CONH-CH2-、-CONH-(CH2)2-、-CONH-(CH2)3-、-CONH-(CH2)4-、
-CONH-(CH2)5-、-CONH-(CH2)6-、-CON(CH3)-CH2-、-CON(CH3)-(CH2)2-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)4-、-CON(CH3)-(CH2)5-、-CON(CH3)-(CH2)6-、-CON(Ph)-CH2-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)2-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)4-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)5-(式中，Ph意指苯基)、-CON(Ph)-(CH2)6-(式中，Ph意指苯基)、-CONH-(CH2)2NH(CH2)3-、-CONH-(CH2)6NH(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)3-、-CH2O-CONH-(CH2)6-、-S-(CH2)3-、-(CH2)2S(CH2)3-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2OSi(CH3)2OSi(CH3)2(CH2)2-、
-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)2Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)3Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)10Si(CH3)2(CH2)2-、-CONH-(CH2)3Si(CH3)2O(Si(CH3)2O)20Si(CH3)2(CH2)2-、-C(O)O-(CH2)3-、-C(O)O-(CH2)6-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)2-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-(CH2)3-、-CH2-O-(CH2)3-Si(CH3)2-(CH2)2-Si(CH3)2-CH(CH3)-CH2-、-OCH2-、-O(CH2)3-、-OCFHCF2-、
在又一其他態樣中，XA分別獨立地為式：-(R16)x1-(CFR17)y1-(CH2)z1-所示之基。式中，x1、y1及z1分別獨立地為0至10的整數，x1、y1及z1之和為1以上，用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的。
上述式中，R16在每次出現時分別獨立地為氧原子、伸苯基、伸咔唑基(carbazolylene)、-NR18-(式中，R18表示氫原子或有機基)或2價有機基。較佳R18為氧原子或2價極性基。
上述「2價極性基」沒有特別限定，可以列舉-C(O)-、-C(=NR19)-及-C(O)NR19-(此等式中，R19表示氫原子或低級烷基)。該「低級烷基」例如為碳原子數1至6的烷基，例如為甲基、乙基、正丙基，此等基可經1個以上的氟原子取代。
上述式中，R17在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或低級氟烷基，較佳為氟原子。該「低級氟烷基」例如為碳原子數1至6，較佳為碳原子數1至3的氟烷基，較佳為碳原子數1至3的全氟烷基，更佳為三氟甲基、五氟乙基，又更佳為三氟甲基。
在又一其他態樣中，XA的例子可列舉下述基：
〔式中，
R41分別獨立地為氫原子、苯基、碳原子數1至6的烷基、或C1-6烷氧基，較佳為甲基；
在各XA基中，T中的任意幾個係與分子主鏈的RF1或RF2鍵結的下述基：-CH2O(CH2)2-、-CH2O(CH2)3-、-CF2O(CH2)3-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-CONH-(CH2)3-、-CON(CH3)-(CH2)3-、-CON(Ph)-(CH2)3-(式中，Ph意指苯基)、或
〔式中，R42分別獨立地表示氫原子、C1-6的烷基或C1-6的烷氧基，較佳表示甲基或甲氧基，更佳表示甲基〕，
其他的T的幾個係與分子主鏈的RSi鍵結，存在時，剩餘的T係分別獨立地為甲基、苯基、C1-6烷氧基或自由基捕捉基或紫外線吸收基。
自由基捕捉基只要是能夠捕捉藉由光照射產生的自由基，就沒有特別限定，可列舉例如：二苯甲酮類、苯并三唑類、苯甲酸酯類、水楊酸苯酯類、
巴豆酸類、丙二酸酯類、有機丙烯酸酯類、受阻胺類、受阻酚類、或三
類的殘基。
紫外線吸收基只要是能夠吸收紫外線的基，就沒有特別限定，可列舉例如：苯并三唑類、羥基二苯甲酮類、取代及未取代的苯甲酸或水楊酸化合物的酯類、丙烯酸酯或烷氧基肉桂酸酯類、草醯胺類、草醯替苯胺類、苯并噁
酮類、苯并噁唑類的殘基。
在較佳態樣中，較佳的自由基捕捉基或紫外線吸收基，可以列舉：
在該態樣中，XA分別獨立地可為3至10價的有機基。
在又一其他態樣中，XA的例子可以列舉下述基：
〔式中，R25、R26及R27分別獨立地為2至6價的有機基，
R25係與至少1個RF1鍵結，R26及R27分別與至少1個RSi鍵結〕
在一態樣中，上述R25為單鍵、C1-20伸烷基、C3-20亞環烷基、C5-20亞芳基、-R57-X58-R59-、-X58-R59-、或-R57-X58-。上述R57及R59分別獨立地為單鍵、C1-20伸烷基、C3-20亞環烷基或C5-20亞芳基。上述X58為-O-、-S-、-CO-、-O-CO-或-COO-。
在一態樣中，上述R26及R27分別獨立地為烴、或在烴的末端或主鏈中具有選自N、O及S中的至少1個原子的基，較佳列舉C1-6烷基、-R36-R37-R36-、-R36-CHR38 2-等。在此，R36分別獨立地為單鍵或碳原子數1至6的烷基，較佳為碳原子數1至6的烷基。R37為N、O或S，較佳為N或O。R38為-R45-R46-R45-、-R46-R45-或-R45-R46-。在此，R45分別獨立地為碳原子數1至6的烷基。R46為N、O或S，較佳為O。
在該態樣中，XA分別獨立地可為3至10價的有機基。
在又一其他態樣中，XA的例子可列舉下式所示之基：
〔式中，Xa為單鍵或2價有機基〕。
上述Xa為與異三聚氰酸環直接鍵結的單鍵或二價的連結基。作為Xa，較佳為單鍵、伸烷基、或含有選自醚鍵、酯鍵、醯胺鍵及硫醚鍵中的至少1種鍵的二價基，更佳為單鍵、碳原子數1至10的伸烷基、或含有選自醚鍵、酯鍵、醯胺鍵及硫醚鍵中的至少1種鍵的碳原子數1至10的二價烴基。
Xa又更佳下式所示之基：
-(CX121X122)x1-(Xa1)y1-(CX123X124)z1-
(式中，X121至X124分別獨立地為H、F、OH或-OSi(OR121)3(式中，3個R121分別獨立地為碳原子數1至4的烷基)，
上述Xa1為-C(=O)NH-、-NHC(=O)-、-O-、-C(=O)O-、-OC(=O)-、-OC(=O)O-、或-NHC(=O)NH-(各鍵的左側係與CX121X122鍵結)、
x1為0至10的整數，y1為0或1，z1為1至10的整數)。
上述Xa1較佳為-O-或-C(=O)O-。
上述Xa，特別較佳為下列式所示之基：
-(CF2)m11-(CH2)m12-O-(CH2)m13-
(式中，m11為1至3的整數，m12為1至3的整數，m13為1至3的整數)
-(CF2)m14-(CH2)m15-O-CH2CH(OH)-(CH2)m16-
(式中，m14為1至3的整數，m15為1至3的整數，m16為1至3的整數)
-(CF2)m17-(CH2)m18-
(式中，m17為1至3的整數，m18為1至3的整數)
-(CF2)m19-(CH2)m20-O-CH2CH(OSi(OCH3)3)-(CH2)m21-
(式中，m19為1至3的整數，m20為1至3的整數，m21為1至3的整數)
-(CH2)m22-
(式中，m22為1至3的整數)。
上述Xa沒有特別限定，具體可列舉：-CH2-、-C2H4-、-C3H6-、-C4H8-、-C4H8-O-CH2-、-CO-O-CH2-CH(OH)-CH2-、-(CF2)n5-(n5為0至4的整數)、-(CF2)n5-(CH2)m5-(n5及m5分別獨立地為0至4的整數)、-CF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2-、-CF2CF2CH2OCH2CH(OSi(OCH3)3)CH2-等。
在該態樣中，XA分別獨立地可為2或3價的有機基。
上述式(1)或式(2)所示的含氟矽烷化合物沒有特別限定，可以具有5×102至1×105的平均分子量。在所述範圍中，從磨耗耐久性的觀點而言，較佳
為具有2,000至32,000，更佳為2,500至12,000的平均分子量。另外，所述「平均分子量」是指數量平均分子量，「平均分子量」為利用19F-NMR測得的值。
在一態樣中，本發明的表面處理劑中，含氟矽烷化合物為式(1)所示的化合物。
在其他態樣中，本發明的表面處理劑中，含氟矽烷化合物為式(2)所示的化合物。
在其他態樣中，本發明的表面處理劑中，含氟矽烷化合物為式(1)所示的化合物及式(2)所示的化合物。
本發明的表面處理劑中，相對於式(1)所示的化合物及式(2)所示的化合物的合計，式(2)所示的化合物較佳為0.1莫耳%以上35莫耳%以下。相對於式(1)所示的化合物及式(2)所示的化合物的合計，式(2)所示的化合物的含量的下限可以較佳為0.1莫耳%，更佳為0.2莫耳%，又更佳為0.5莫耳%，更又更佳為1莫耳%，特別較佳為2莫耳%，特別是5莫耳%。相對於式(1)所示的化合物及式(2)所示的化合物的合計，式(2)所示的化合物的含量的上限可以較佳為35莫耳%，更佳為30莫耳%，又更佳為20莫耳%，更又更佳為15莫耳%或10莫耳%。相對於式(1)所示的化合物及式(2)所示的化合物的合計，式(2)所示的化合物較佳為0.1莫耳%以上30莫耳%以下，更佳為0.1莫耳%以上20莫耳%以下，又更佳為0.2莫耳%以上10莫耳%以下，更又更佳為0.5莫耳%以上10莫耳%以下，特別較佳為1莫耳%以上10莫耳%以下，例如為2莫耳%以上10莫耳%以下或者5莫耳%以上10莫耳%以下。藉由使式(2)所示的化合物為所述範圍，能夠提升進一步磨耗耐久性。
在一態樣中，本發明的表面處理劑含有2種以上的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物。藉由含有複數種含氟矽烷化合物，能夠進一步提升摩擦耐久性。
在一態樣中，本發明的表面處理劑含有2種以上的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物，該等是RSi為選自式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)及(S5)中之基，且為相互不同的基。藉由含有具有不同的RSi的含氟矽烷化合物，能夠進一步提升摩擦耐久性。
在一態樣中，本發明的表面處理劑含有RSi為式(S1)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物、及RSi為選自式(S3)、(S4)及(S5)中之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物。藉由併用RSi為式(S1)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物、及RSi為選自式(S3)、(S4)及(S5)中之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物，能夠進一步提升摩擦耐久性。
在一態樣中，本發明的表面處理劑含有RSi為式(S1)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物、及RSi為選自式(S3)及(S4)中之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物。藉由併用RSi為式(S1)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物、及RSi為選自式(S3)及(S4)中之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物，能夠進一步提升摩擦耐久性。
在一態樣中，本發明的表面處理劑含有RSi為式(S1)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物、及RSi為式(S3)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物。藉由併用RSi為式(S1)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物、及RSi為式(S3)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物，能夠進一步提升摩擦耐久性。
在一態樣中，本發明的表面處理劑含有RSi為式(S1)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物、及RSi為式(S4)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物。藉由併用RSi為式(S1)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物、及RSi為式(S4)所示之基的式(1)或(2)所示的含氟矽烷化合物，能夠進一步提升摩擦耐久性。
上述的式(1)或(2)所示的化合物可以藉由例如本身公知的方法，例如國際公開第97/07155號、日本特表2008-534696號、日本特開2014-218639號、日本特開2017-82194號等中記載的方法來獲得。
相對於表面處理劑整體，上述的式(1)或(2)所示的化合物的含量可以較佳為0.01至50.0質量%，更佳為0.1至30.0質量%，又更佳為1.0至25.0質量%，特別較佳為5.0至20.0質量%。藉由使上述含氟矽烷化合物的含量為上述範圍，能夠得到更高的撥水撥油性。
本發明中使用的表面處理劑可以含有溶劑；可理解為含氟油的(非反應性的)氟代聚醚化合物，較佳為全氟(聚)醚化合物(以下，總稱為「含氟油」)；可理解為矽油的(非反應性的)有機矽化合物(以下，稱為「矽油」)；催化劑；表面活性劑；聚合抑制劑；敏化劑等。
上述溶劑可列舉例如：己烷、環己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、礦物油精等脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯、萘、溶劑石腦油等芳香族烴類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丙酯、乙酸異丁酯、乙酸溶纖劑、丙二醇甲醚乙酸酯、乙酸卡必醇酯、草酸二乙酯、丙酮酸乙酯、乙基-2-羥基丁酸酯、乙醯乙酸乙酯、乙酸戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、2-羥基異丁酸甲酯、2-羥基異丁酸乙酯
等酯類；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、2-己酮、環己酮、甲基胺基酮、2-庚酮等酮類；乙基溶纖劑、甲基溶纖劑、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、二丙二醇二甲醚、乙二醇單烷基醚等二醇醚類；甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、叔丁醇、仲丁醇、3-戊醇、辛醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、叔戊醇等醇類；乙二醇、丙二醇等二醇類；四氫呋喃、四氫吡喃、二噁烷等環狀醚類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類；甲基溶纖劑、溶纖劑、異丙基溶纖劑、丁基溶纖劑、二乙二醇單甲醚等醚醇類；二乙二醇單乙醚乙酸酯；1,1,2-三氯-1,2,2-三氟乙烷、1,2-二氯-1,1,2,2-四氟乙烷、二甲基亞碸、1,1-二氯-1,2,2,3,3-五氟丙烷(HCFC225)、ZEORORA H、HFE7100、HFE7200、HFE7300等含氟溶劑等。或者是，可列舉此等的2種以上的混合溶劑等。
含氟油沒有特別限定，可列舉例如：下述通式(3)所示的化合物(全氟(聚)醚化合物)。
Rf5-(OC4F8)a' -(OC3F6)b' -(OC2F4)c' -(OCF2)d' -Rf6...(3)
式中，Rf5表示可經1個以上的氟原子取代的碳原子數1至16烷基(較佳為C1-16的全氟烷基)，Rf6表示可經1個以上的氟原子取代的碳原子數1至16烷基(較佳為C1-16全氟烷基)、氟原子或氫原子，Rf5及Rf6更佳分別獨立地為C1-3全氟烷基。
a'、b'、c'及d'分別表示構成聚合物的主骨架的全氟(聚)醚的4種重複單元數，相互獨立地為0以上300以下的整數，a'、b'、c'及d'之和至少為1，較佳為1至300，更佳為20至300。標注下標a'、b'、c'或d'且用括號括起來的各重
複單元的存在順序在式中是任意的。此等重複單元中，-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及(OCF2CF(C2F5))-的任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及(OCF2CF(CF3))-的任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2)-。-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及(OCF(CF3))-的任一者，較佳為-(OCF2CF2)-。
上述通式(3)所示的全氟(聚)醚化合物的例子可列舉下述通式(3a)及(3b)中的任一者所示的化合物(可為1種或2種以上的混合物)。
Rf5-(OCF2CF2CF2)b" -Rf6...(3a)
Rf5-(OCF2CF2CF2CF2)a" -(OCF2CF2CF2)b" -(OCF2CF2)c" -(OCF2)d" -Rf6...(3b)
此等式中，Rf5及Rf6係如上述；式(3a)中，b"為1以上100以下的整數；式(3b)中，a"及b"分別獨立地為0以上30以下的整數，c"及d"分別獨立地為1以上300以下的整數。標注下標a"、b"、c"、d"且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的。
又，從其他觀點而言，含氟油可為通式Rf3-F(式中，Rf3為C5-16全氟烷基)所示的化合物。又，可為氯三氟乙烯低聚物。
上述含氟油可以具有500至10000的平均分子量。含氟油的分子量可以使用GPC進行測定。
相對於表面處理劑，含氟油可含有例如0至50質量%，較佳為0至30質量%，更佳為0至5質量%。在一態樣中，表面處理劑實質上不含有含
氟油。所謂實質上不含有含氟油，意指完全不含有含氟油、或可含有極微量的含氟油。
在一態樣中，可以使含氟油的平均分子量大於含氟矽烷化合物的平均分子量。藉由設為如此之平均分子量，特別是在利用真空蒸鍍法形成表面處理層的情況下，能夠得到更優異的摩擦耐久性及表面滑動性。
在一態樣中，可以使含氟油的平均分子量小於含氟矽烷化合物的平均分子量。藉由設為如此之平均分子量，能夠抑制由上述化合物得到的表面處理層的透明性降低，並且形成具有高摩擦耐久性及高表面滑動性的固化物。
含氟油有助於提升由表面處理劑形成的層的表面滑動性。
上述矽油例如可使用矽氧烷鍵為2,000以下的直鏈狀或環狀的矽油。直鏈狀的矽油可為所謂的普通矽油及改性矽油。普通矽油可列舉：二甲基矽油、甲基苯基矽油、甲基含氫矽油。改性矽油可列舉：將普通矽油利用烷基、芳烷基、聚醚、高級脂肪酸酯、氟烷基、胺基、環氧基、羧基、醇等進行改性後的矽油。環狀的矽油可列舉例如環狀二甲基矽氧烷油等。
上述表面處理劑中，相對於上述含氟矽烷化合物的合計100質量份(2種以上時為此等的合計，以下也同樣)，所述矽油例如可以含有0至300質量份，較佳含有50至200質量份。
矽油有助於提升表面處理層的表面滑動性。
上述催化劑可列舉：酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如氨、三乙胺、二乙胺等)、過渡金屬(例如Ti、Ni、Sn等)等。
催化劑促進上述含氟矽烷化合物的水解及脫水縮合，促進由上述表面處理劑形成的層的形成。
其他成分除上述以外，可列舉例如：四乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、甲基三乙醯氧基矽烷等。
本發明中使用的表面處理劑可以含浸於多孔物質(例如多孔的陶瓷材料、金屬纖維)、例如以棉狀固定鋼絲絨而成的物質，而製成顆粒。該顆粒例如可以用於真空蒸鍍。
上述表面處理層的厚度沒有特別限定。為光學構件時，從光學性能、表面滑動性、摩擦耐久性及防污性的方面而言，較佳是上述層的厚度為1至50nm，較佳為1至30nm，更佳為1至15nm的範圍。
上述表面處理層例如可藉由在上述中間層上形成上述表面處理劑的層，並因應所需對該層進行後處理來形成。
上述表面處理劑的層形成係可藉由對中間層的表面以包覆該表面的方式，適用上述的表面處理劑來實施。包覆方法沒有特別限定。例如可以使用濕潤包覆法及乾燥包覆法。
濕潤包覆法之例可列舉：浸塗、旋塗、流塗、噴塗、輥塗、凹版塗敷以及類似的方法。
乾燥包覆法之例可列舉：蒸鍍(通常為真空蒸鍍)、濺射、CVD以及類似的方法。蒸鍍法(通常為真空蒸鍍法)的具體例可列舉：電阻加熱、電子束、使用微波等的高頻加熱、離子束以及類似的方法。CVD方法的具體例可列舉：等離子體CVD、光學CVD、熱CVD以及類似的方法。
再者，也可以利用常壓等離子體法進行包覆。
使用濕潤包覆法時，上述表面處理劑可以用溶劑稀釋後再適用於中間層。從上述表面處理劑的穩定性及溶劑的揮發性的觀點而言，較佳是使用下述溶劑：碳原子數5至12的全氟脂肪族烴(例如全氟己烷、全氟甲基環己烷及全氟-1,3-二甲基環己烷)；多氟芳香族烴(例如雙(三氟甲基)苯)；多氟脂肪族烴(例如C6F13CH2CH3(例如旭硝子株式會社製造的ASAHIKLIN(註冊商標)AC-6000)、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(例如日本瑞翁株式會社製造的ZEORORA(註冊商標)H)；氫氟醚(HFE)(例如全氟丙基甲醚(C3F7OCH3)(例如住友3M株式會社製造的Novec(商標)7000)、全氟丁基甲醚(C4F9OCH3)(例如住友3M株式會社製造的Novec(商標)7100)、全氟丁基乙醚(C4F9OC2H5)(例如住友3M株式會社製造的Novec(商標)7200)、全氟己基甲醚(C2F5CF(OCH3)C3F7)(例如住友3M株式會社製造的Novec(商標)7300)等烷基全氟烷基醚(全氟烷基及烷基可為直鏈或支鏈狀)、或者CF3CH2OCF2CHF2(例如旭硝子株式會社製造的ASAHIKLIN(註冊商標)AE-3000))等。此等溶劑可以單獨使用或以2種以上的混合物的形式使用。其中，較佳為氫氟醚，特別較佳為全氟丁基甲醚(C4F9OCH3)及/或全氟丁基乙醚(C4F9OC2H5)。
使用乾燥包覆法時，上述表面處理劑可以直接用於乾燥包覆法，或者也可以用上述的溶劑稀釋後再用於乾燥包覆法。
上述表面處理劑的層形成較佳為以表面處理劑與用於水解及脫水縮合的催化劑同時存在於層中的態樣實施。簡便而言，利用濕潤包覆法時，在將上述表面處理劑用溶劑稀釋之後，適用於中間層的表面之前，可以在上述表面處理劑的稀釋液中添加催化劑。在利用乾燥包覆法時，將添加了催化劑的上述表面處理劑直接進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理，或者可以使用使添加了催化劑的
上述表面處理劑含浸於鐵、銅等的金屬多孔體而形成的顆粒狀物質進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理。
在催化劑中，可以使用任意適當的酸或鹼。酸催化劑可以使用例如乙酸、甲酸、三氟乙酸等。又，鹼催化劑可以使用例如氨、有機胺類等。
如上述，在中間層的表面形成源自上述表面處理劑的層，製造本發明的物品。由此得到的上述表面處理層具有高摩擦耐久性。又，上述層除了具有高摩擦耐久性之外，雖然也取決於所使用的表面處理劑的組成，但還可以具有撥水性、撥油性、防污性(例如防止指紋等污漬附著)、防水性(防止水浸入電子構件等)、表面滑動性(或潤滑性，例如指紋等污漬的擦拭性、對手指的優異的觸感)等，能夠適合作為功能性薄膜利用。
本發明的物品還可以是在最外層具有上述表面處理層的光學材料。
本發明的物品沒有特別限定，可為光學構件。光學構件之例可列舉下述者：眼鏡等鏡片；PDP、LCD等顯示器的前面保護板、防反射板、偏光片、防眩板；手機、攜帶式訊息終端等機器的觸控面板；藍光(Blu-ray(註冊商標))光碟、DVD光碟、CD-R、MO等光碟的碟面；光纖；鐘錶的顯示面等。
又，本發明的物品也可以是醫療設備或醫療材料。
以上，針對本發明的物品進行了詳細敘述。但是，本發明的物品及物品的製造方法等並不限定於上述的例示。
[實施例]
以下，針對本發明的物品藉由實施例進行說明，但本發明並不限定於下述實施例。另外，在本實施例中，以下所示的化學式全部表示平均組成，
構成氟代聚醚的重複單元((CF2CF2CF2O)、(CF(CF3)CF2O)、(CF2CF2O)、(CF2O)等)的存在順序是任意的。
[調製例]
使下式(平均組成)所示的含氟矽烷化合物以達到濃度20wt%的方式，溶解於氫氟醚(3M公司製造、Novec HFE7200)，而調製出表面處理劑。
CF3O(CF2CF2O)20(CF2O)16CF2CH2OCH2CH2CH2Si[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3
(另外，平均組成係含有0.17個(CF2CF2CF2CF2O)的重複單元及0.18個(CF2CF2CF2O)的重複單元，但由於是微量而省略)
實施例1至4
在陶瓷玻璃基材上利用電子束蒸鍍(Electron Beam Deposition)以6nm的厚度蒸鍍氧化鋁及氧化矽層，形成中間層1。接著，在中間層1上，利用電子束蒸鍍以10nm的厚度蒸鍍氧化矽層，形成中間層2。接著，以預定的量蒸鍍上述所調製的表面處理劑，形成表面處理劑的層。之後，將形成有表面處理劑的層的基材在溫度20℃濕度65%RH的環境下靜置24小時，使表面處理劑的層固化，得到表面處理層。
比較例1
在陶瓷基材上利用電子束蒸鍍(Electron Beam Deposition)以16nm的厚度蒸鍍氧化矽層，形成中間層2。接著，在中間層2上，以預定的量蒸鍍上述所調製的表面處理劑，形成表面處理劑的層。之後，將形成有表面處理劑的層的基材在溫度20℃濕度65%RH的環境下靜置24小時，使表面處理劑的層固化，得到表面處理層。
〈評估〉
針對上述所得到的帶功能膜的物品，藉由上述方法，以中間層表層為起點，求出11至17nm處的Al含有率(at%)。又，針對上述各例中所得到的帶功能膜的物品，進行鋼絲絨磨耗試驗。
鋼絲絨磨耗試驗
將上述實施例1至4及比較例1的帶功能膜的物品水平配置，使鋼絲絨(編號# 0000、尺寸10mm×10mm)與表面處理層的露出上表面接觸，在其上賦予1000gf的負荷，之後，在施加有負荷的狀態下使鋼絲絨往返(距離：60mm、速度：40rpm)。每一定往返次數後測定水接觸角。在接觸角的測定值達到小於100°的時刻中止評估。將測定值達到小於100°的時刻的往返次數作為鋼絲絨磨耗耐久性。
[表1]
〔產業上的可利用性〕
本發明的物品能夠適合用於各種各樣的用途，例如作為光學構件。
Claims (20)
- 一種物品，其係具有基材、位於前述基材上的中間層、以及位於前述中間層上且由含有含氟矽烷化合物的表面處理劑形成的表面處理層，其中，前述基材係含有透鋰長石結晶質相及矽酸鋰結晶質相的陶瓷玻璃，前述中間層包含氧化鋁及氧化矽的第一層、以及位於前述第一層上的氧化矽的第二層。
- 如請求項1所述之物品，其中，在前述基材中，前述透鋰長石結晶質相及前述矽酸鋰結晶質相的合計質量係大於存在於前述陶瓷玻璃中的其他結晶質相的合計質量。
- 如請求項1或2所述之物品，其中，前述陶瓷玻璃含有下列成分：SiO2：55至80質量%、Al2O3：2至20質量%、Li2O：5至20質量%、B2O3：0至10質量%、Na2O：0至5質量%、ZnO：0至10質量%、P2O5：0.5至6質量%、以及ZrO2：0.2至15質量%。
- 如請求項3所述之物品，其中，前述陶瓷玻璃更含有下列成分：K2O：0至4%、MgO：0至8%、TiO2：0至5%、CeO2：0至0.4%、以及SnO2：0.05至0.5%。
- 如請求項1至4中任一項所述之物品，其中，前述氧化鋁為Al2O3，前述氧化矽為SiO2。
- 如請求項1至5中任一項所述之物品，其中，在前述第一層中，相對於鋁及矽的合計量，鋁的含量為0.5至60.0at%。
- 如請求項1至6中任一項所述之物品，其中，在前述第一層中，相對於鋁及矽的合計量，鋁的含量為0.7至50.5at%。
- 如請求項1至7中任一項所述之物品，其中，前述中間層的厚度為5nm至35nm。
- 如請求項1至8中任一項所述之物品，其中，前述中間層的厚度為10nm至30nm。
- 如請求項1至9中任一項所述之物品，其中，第一層的厚度相對於前述第二層的厚度的比為0.1至10。
- 如請求項1至10中任一項所述之物品，其中，前述含氟矽烷化合物係下式(1)或(2)所示的至少1種含氟代聚醚基的化合物，RF1 α-XA-RSi β (1)RSi γ-XA-RF2-XA-RSi γ (2)式中：RF1在每次出現時分別獨立地為Rf1-RF-Oq-；RF2為-Rf2 p-RF-Oq-；Rf1在每次出現時分別獨立地為可經1個以上的氟原子取代的C1-16烷基；Rf2為可經1個以上的氟原子取代的C1-6伸烷基；RF在每次出現時分別獨立地為2價的氟代聚醚基；p為0或1；q在每次出現時分別獨立地為0或1；RSi在每次出現時分別獨立地為含有鍵結有經基、可水解之基、氫原子或1價有機基的Si原子的1價基；至少1個RSi為含有鍵結有羥基或可水解之基的Si原子的1價基；XA分別獨立地為單鍵或2至10價的有機基；α為1至9的整數；β為1至9的整數；γ分別獨立地為1至9的整數。
- 如請求項11所述之物品，其中，Rf1在每次出現時分別獨立地為C1-16全氟烷基，Rf2在每次出現時分別獨立地為C1-6全氟伸烷基。
- 如請求項11或12所述之物品，其中，RF在每次出現時分別獨立地為式：-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-所示之基，式中，RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，a、b、c、d、e及f分別獨立地為0至200的整數，a、b、c、d、e及f之和為1以上，標注a、b、c、d、e或f且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的。
- 如請求項13所述之物品，其中，RFa為氟原子。
- 如請求項11至14中任一項所述之物品，其中，RF在每次出現時分別獨立地為下列式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)、(f5)或(f6)所示之基，-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)式中，d為1至200的整數，e為0或1；-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)式中，c及d分別獨立地為0至30的整數，e及f分別獨立地為1至200的整數，c、d、e及f之和為10至200的整數，標注下標c、d、e或f且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的；-(R6-R7)g- (f3)式中，R6為OCF2或OC2F4，R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12中之基，或是選自此等基中的2個或3個基的組合，g為2至100的整數，-(R6-R7)g-Rr-(R7’-R6’)g’- (f4)式中，R6為OCF2或OC2F4，R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12中之基，或是獨立地選自此等基中的2個或3個基的組合，R6’為OCF2或OC2F4，R7’為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12中之基，或是獨立地選自此等基中的2個或3個基的組合，g為2至100之整數，g’為2至100之整數，Rr為下列者，
式中，*表示鍵結位置；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)式中，e為1以上200以下之整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下之整數，又，標注a、b、c、d、e或f且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的；-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f6)式中，f為1以上200以下之整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下之整數，又，標注a、b、c、d、e或f且用括號括起來的各重複單元的存在順序在式中是任意的。 - 如請求項11至15中任一項所述之物品，其中，RSi為下式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示之基，
-SiR11 n1R12 3-n1 (S2)-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1 (S3)-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2 (S4)-NRg1Rh1 (S5)式中：R11在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；R12在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；n1在每個(SiR11 n1R12 3-n1)單元中分別獨立地為0至3的整數；X11在每次出現時分別獨立地為單鍵或2價有機基；R13在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；t在每次出現時分別獨立地為2以上的整數；R14在每次出現時分別獨立地為氫原子、鹵原子或-X11-SiR11 n1R12 3-n1；R15在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、碳原子數1至6的伸烷基或碳原子數1至6的伸烷基氧基；Ra1在每次出現時分別獨立地為-Z1-SiR21 p1R22 q1R23 r1；Z1在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；R21在每次出現時分別獨立地為-Z1' -SiR21' p1' R22' q1' R23' r1' ；R22在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；R23在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；p1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；p1、q1及r1之合計在SiR21 p1R22 q1R23 r1單元中為3；Z1 '在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；R21' 在每次出現時分別獨立地為-Z1" -SiR22" q1" R23" r1" ；R22' 在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；R23' 在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；p1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；p1'、q1'及r1'之合計在SiR21' p1' R22' q1' R23' r1' 單元中為3；Z1" 在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；R22" 在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；R23" 在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；q1"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r1"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q1"及r1"之合計在SiR22" q1" R23" r1" 單元中為3；Rb1在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；Rc1在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；k1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；l1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；m1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；k1、l1及m1之合計在SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1單元中為3；Rd1在每次出現時分別獨立地為-Z2-CR31 p2R32 q2R33 r2；Z2在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基，R31在每次出現時分別獨立地為-Z2' -CR32' q2' R33' r2' ；R32在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；R33在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；p2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；p2、q2及r2之合計在CR31 p2R32 q2R33 r2單元中為3；Z2' 在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R32' 在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；R33' 在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；q2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；r2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；q2'及r2'之合計在CR32' q2' R33' r2' 單元中為3；Z3在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；R34在每次出現時分別獨立地為羥基或水解性基；R35在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；n2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；Re1在每次出現時分別獨立地為-Z3-SiR34 n2R35 3-n2；Rf1在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；k2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；l2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；m2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；k2、l2及m2之合計在CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2單元中為3；Rg1及Rh1在每次出現時分別獨立地為-Z4-SiR11 n1R12 3-n1、-Z4-SiRa1 k1Rb1 l1Rc1 m1、-Z4-CRd1 k2Re1 l2Rf1 m2；Z4在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子或2價有機基；其中，式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)及(S5)中，至少存在1個鍵結有羥基或水解性基的Si原子。 - 如請求項11至16中任一項所述之物品，其中，RSi為式(S3)、(S4)或(S5)。
- 如請求項11至17中任一項所述之物品，其中，RSi為式(S3)或(S4)。
- 如請求項11至18中任一項所述之物品，其中，α、β及γ為1。
- 如請求項11至18中任一項所述之物品，其中，XA分別獨立地為3價有機基，α為1且β為2，或是α為2且β為1，γ為2。
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