CN116239314A

CN116239314A - 防污基材

Info

Publication number: CN116239314A
Application number: CN202111485456.8A
Authority: CN
Inventors: 石井大贵; 汤紫珺; 前平健; 三桥尚志
Original assignee: Daikin Industries Ltd
Current assignee: Daikin Industries Ltd
Priority date: 2021-12-07
Filing date: 2021-12-07
Publication date: 2023-06-09
Also published as: CN118339124A; TW202334467A; WO2023106293A1; JPWO2023106293A1

Abstract

本发明的课题在于提供一种具有高摩擦耐久性的表面处理层的物品。解决方案为一种物品，其具有基材、位于上述基材上的中间层、以及位于上述中间层上且由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂形成的表面处理层，其中，上述基材为含有透锂长石结晶质相和硅酸锂结晶质相的陶瓷玻璃，上述中间层包含氧化铝和氧化硅的第一层、以及位于上述第一层上的氧化硅的第二层。

Description

防污基材

技术领域

本发明涉及一种含氟代聚醚基的化合物。

背景技术

已知有某种含氟硅烷化合物在用于基材的表面处理时，能够提供优异的拨水性、拨油性、防污性等。由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂得到的层(以下，也称为“表面处理层”)作为所谓的功能性薄膜，施用于例如玻璃、塑料、纤维、卫生用品、建筑材料等多种多样的基材(专利文献1和2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－218639号公报

专利文献2：日本特开2017－082194号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

虽然专利文献1或专利文献2所记载的含氟硅烷化合物能够提供具有优异功能的表面处理层，但是，需要具有更高的摩擦耐久性的表面处理层。

本发明的目的在于提供一种具有摩擦耐久性更高的表面处理层的物品。

用于解决技术问题的技术方案

本发明包括以下的方案。

[1]一种物品，其具有基材、位于上述基材上的中间层、以及位于上述中间层上且由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂形成的表面处理层，其中，

上述基材为含有透锂长石结晶质相和硅酸锂结晶质相的陶瓷玻璃，

上述中间层包含氧化铝和氧化硅的第一层和位于上述第一层上的氧化硅的第二层。

[2]如上述[1]所述的物品，其中，在上述基材中，上述透锂长石结晶质相和上述硅酸锂结晶质相的合计质量大于存在于上述陶瓷玻璃中的其它结晶质相的合计质量。

[3]如上述[1]或[2]所述的物品，其中，上述陶瓷玻璃含有以下成分：

SiO₂：55～80质量％、

Al₂O₃：2～20质量％、

Li₂O：5～20质量％、

B₂O₃：0～10质量％、

Na₂O；0～5质量％、

ZnO：0～10质量％、

P₂O₅：0.5～6质量％、以及

ZrO₂：0.2～15质量％。

[4]如上述[3]所述的物品，其中，上述陶瓷玻璃还含有以下成分：

K₂O：0～4％、

MgO：0～8％、

TiO₂：0～5％、

CeO₂：0～0.4％、以及

SnO₂；0.05～0.5％。

[5]如上述[1]～[4]中任一项所述的物品，其中，上述氧化铝为Al₂O₃，上述氧化硅为SiO₂。

[6]如上述[1]～[5]中任一项所述的物品，其中，在上述第一层中，相对于铝和硅的合计量，铝的含量为0.5～60.0at％。

[7]如上述[1]～[6]中任一项所述的物品，其中，在上述第一层中，相对于铝和硅的合计量，铝的含量为0.7～50.5at％。

[8]如上述[1]～[7]中任一项所述的物品，其中，上述中间层的厚度为5nm～35nm。

[9]如上述[1]～[8]中任一项所述的物品，其中，上述中间层的厚度为10nm～30nm。

[10]如上述[1]～[9]中任一项所述的物品，其中，第一层的厚度相对于上述第二层的厚度的比为0.1～10。

[11]如上述[1]～[10]中任一项所述的物品，其中，

上述含氟硅烷化合物为以下式(1)或(2)所示的至少1种含氟代聚醚基的化合物，

R^F1 _α-X^A-R^Si _β (1)

R^Si _γ-X^A-R^F2-X^A-R^Si _γ (2)

[式中：

R^Fl在每次出现时分别独立地为Rf¹－R^F－Oq－；

R^F2为－Rf² _p－R^F－O_q－；

Rf¹在每次出现时分别独立地为可以被1个或1个以上的氟原子取代的C_1－16烷基；

Rf²为可以被1个或1个以上的氟原子取代的C_l－6亚烷基；

R^F在每次出现时分别独立地为2价的氟代聚醚基；

p为0或1；

q在每次出现时分别独立地为0或1；

R^Si在每次出现时分别独立地为含有键合有羟基、能够水解的基团、氢原子或1价有机基团的Si原子的1价基团；

至少1个R^Si为含有键合有羟基或能够水解的基团的Si原子的1价基团；

X^A分别独立地为单键或2～10价的有机基团；

α为1～9的整数；

β为1～9的整数；

γ分别独立地为1～9的整数。]。

[12]如上述[11]所述的物品，其中，

Rf¹在每次出现时分别独立地为C_l－16全氟烷基，

Rf²在每次出现时分别独立地为C_1－6全氟亚烷基。

[13]如上述[11]或[12]所述的物品，其中，R^F在每次出现时分别独立地为式：－(OC₆F₁₂)_a－(OC₅F₁₀)_b－(OC₄F₈)_c－(OC₃R^Fa ₆)_d－(OC₂F₄)_e－(OCF₂)_f－所示的基团，

[式中，R^Fa在每次出现时分别独立地为氢原子、氟原子或氯原子，

a、b、c、d、e和f分别独立地为0～200的整数，a、b、c、d、e和f之和为1以上，标注a、b、c、d、e或f且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。]。

[14]如上述[13]所述的物品，其中，R^Fa为氟原子。

[15]如上述[11]～[14]中任一项所述的物品，其中，R^F在每次出现时分别独立地为以下式(f1)、(f2)或(f3)所示的基团，

－(OC₃F₆)_d－(OC₂F₄)_e－ (f1)

[式中，d为1～200的整数，e为0或1。]；

－(OC₄F₈)_c－(OC₃F₆)_d－(OC₂F₄)_e－(OCF₂)_f－ (f2)

[式中，c和d分别独立地为0～30的整数，

e和f分别独立地为1～200的整数，

c、d、e和f之和为10～200的整数，

标注下标c、d、e或f且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。]；

－(R⁶－R⁷)_g－ (f3)

[式中，R⁶为OCF₂或OC₂F₄，

R⁷为选自OC₂F₄、OC₃F₆、OC₄F₈、OC₅F₁₀和OC₆F₁₂中的基团，或者为选自这些基团中的2个或3个基团的组合，

g为2～100的整数。]。

[16]如上述[11]～[15]中任一项所述的物品，其中，

R^Si为以下式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示的基团，

-SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1 (S2)

-SiR^a1 _k1R^b1 ₁₁R^c1 _m1 (S3)

CR^d1 _k2R^e1 ₁₂R^f1 _m2 (S4)

-NR^g1R^h1 (S5)

[式中：

R¹¹在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R¹²在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

n1在每个(SiR¹¹ _nlR¹² _3-nl)单元中分别独立地为0～3的整数；

X¹¹在每次出现时分别独立地为单键或2价有机基团；

R¹³在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

t在每次出现时分别独立地为2以上的整数；

R¹⁴在每次出现时分别独立地为氢原子、卤原子或-X¹¹-SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1；

R¹⁵在每次出现时分别独立地为单键、氧原子、碳原子数1～6的亚烷基或碳原子数1～6的亚烷基氧基；

R^a1在每次出现时分别独立地为-Z¹-SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1；

Z¹在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团；

R²¹在每次出现时分别独立地为-Z^1′-SiR^21′ _p1′R^22′ _q1′R^23′ _r1′；

R²²在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R²³在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

p1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

q1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

r1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

Z^1′在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团；

R^21′在每次出现时分别独立地为-Z^1″-SiR^22″ _q1″R^23″ _r1″；

R^22′在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R^23′在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

p1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

q1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

r1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

Z^1″在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团；

R^22″在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R^23″在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

q1″在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

r1″在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

R^b1在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R^c1在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

k1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

l1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

m1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

R^d1在每次出现时分别独立地为－Z²－CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2；

Z²在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团；

R³¹在每次出现时分别独立地为－Z^2′－CR^32′ _q2′R^33′ _r2′；

R³²在每次出现时分别独立地为－Z³－SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2；

R³³在每次出现时分别独立地为氢原子、羟基或1价有机基团；

p2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

q2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

r2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

Z^2′在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团；

R^32′在每次出现时分别独立地为－Z³－SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2；

R^33′在每次出现时分别独立地为氢原子、羟基或1价有机基团；

q2′在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

r2′在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

Z³在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团；

R³⁴在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R³⁵在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

n2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

R^e1在每次出现时分别独立地为－Z³－SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2；

R^f1在每次出现时分别独立地为氢原子、羟基或1价有机基团；

k2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

l2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

m2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

R^g1和R^h1在每次出现时分别独立地为－Z⁴－SiR¹¹ _n1R¹² _3－n1、－Z⁴－SiR^a1 _k1R^b1 _l1R^c1 _m1、－Z⁴－CR^d1 _k2R^e1 _l2R^f1 _m2；

Z⁴在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团；

其中，式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)和(S5)中，键合有羟基或水解性基团的Si原子至少存在1个。]。

[17]如上述[11]～[16]中任一项所述的物品，其中，R^Si为式(S3)、(S4)或(S5)。

[18]如上述[11]～[17]中任一项所述的物品，其中，R^Si为式(S3)或(S4)。

[19]如上述[11]～[18]中任一项所述的物品，其中，α、β和γ为1。

[20]如上述[11]～[18]中任一项所述的物品，其中，X^A分别独立地为3价有机基团，

α为1并且β为2，或者α为2并且β为1，

γ为2。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种具有更好的摩擦耐久性的表面处理层的物品。

具体实施方式

本发明的物品具有基材、位于上述基材上的中间层、以及位于上述中间层上且由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂形成的表面处理层，其中，

上述中间层包含氧化铝和氧化硅的第一层、以及位于上述第一层上的氧化硅的第二层。

(基材)

上述基材为含有透锂长石结晶质相和硅酸锂结晶质相的陶瓷玻璃。

上述陶瓷玻璃具有透锂长石和硅酸锂作为一次结晶相。

上述透锂长石、即LiAlSi₄O₁₀为具有由Li和A1的四面体连结的、具有折叠的Si₂O₅层的层状结构的三维骨架结构的单斜晶。

上述陶瓷玻璃中的上述透锂长石结晶质相的含量优选为20～70质量％，更优选为45～70质量％，进一步优选为40～60质量％。

上述硅酸锂结晶质相可以为二硅酸锂或偏硅酸锂。二硅酸锂、即Li₂Si₂O₅为以{Si₂O₅}四面体阵列的波状片为基础的斜方晶。偏硅酸锂、即Li₂SiO₃具有斜方晶对称性，(Si₂O₆)链与c轴平行地移动，并且通过锂离子一体地连结。

上述陶瓷玻璃中的上述硅酸锂结晶质相的含量优选为20～60质量％，更优选为20～55质量％，进一步优选为20～50质量％。

在优选的方式中，上述陶瓷玻璃含有20～70质量％的透锂长石结晶质相、和20～60质量％的硅酸锂结晶质相，优选含有45～70质量％的透锂长石结晶质相、和20～50质量％的硅酸锂结晶质相，更优选含有40～60质量％的透锂长石结晶质相、和20～50质量％的硅酸锂结晶质相。

上述各结晶质相的含量可以按照依据JIS R 3101、JIS R 3105、JIS M 8851、JISM 8852、JIS M 8853或JIS R 9301的方法、其它玻璃领域中惯用的技术确定。具体而言，可以通过依据JIS R 3101的方法确定。

上述陶瓷玻璃的结晶质相含有透锂长石和硅酸锂，但可以含有β锂辉石ss、β石英ss、磷酸锂、方晶石和金红石作为少量的相。

在一个方式中，上述透锂长石结晶质相和上述硅酸锂结晶质相的合计质量大于存在于上述陶瓷玻璃中的其它结晶质相的合计质量。

在含有上述二硅酸锂的陶瓷玻璃中，存在2种陶瓷玻璃。第1二硅酸锂陶瓷玻璃含有氧化铈、和银等贵金属掺杂后的物质。第2二硅酸锂陶瓷玻璃含有通过添加P₂O₅而成核后的物质。其中，核形成相为Li₃PO₄。

上述陶瓷玻璃含有SiO₂、Al₂O₃和Li₂O，可以还含有Na₂O、K₂O、Rb₂O或Cs₂O等的碱盐、以及P₂O₅和ZrO₂。进而，上述陶瓷玻璃可以含有B₂O₃、MgO、ZnO、TiO₂、CeO₂、SnO、SnO₂、AgO、CuO、Cu₂O、As₂O₃、Sb₂O₃、MnO、Nb₂O₅、MoO₃、Ta₂O₅、WO₃、Y₂O₃、La₂O₃、HfO₂、CdO、Fe₂O₃、CeO₂、卤素、SnCO₃、SnC₂O₂。另外，上述陶瓷玻璃实质上由上述成分构成，但可以含有不可避免的微量成分。作为微量成分，没有限定，例如可以列举Na、Ti、Mn、Zn、Nb、Mo、Ta、Zr、W、Y、La、Hf、Cd、Sn、Fe、Ce、As、Sb、和它们的氧化物、硫酸等硫系化合物、以及卤素等。

上述陶瓷玻璃可以通过该技术领域中广泛已知的方法进行离子交换。在典型的离子交换工艺中，将陶瓷玻璃的外侧表面附近的层内的比较小的金属离子利用同原子价的比较大的金属离子取代。利用比较大的金属离子取代比较小的金属离子，会在上述陶瓷玻璃的上述层内产生压缩应力。在一个方式中，这些金属离子为1价碱金属离子(例如Na⁺、K⁺、Rb⁺、Cs⁺等)。在其它方式中，上述金属离子为其它的一价离子(Ag⁺、Tl⁺、Cu⁺等)。

以下各成分的含量可以按照依据JIS R 3101、JIS R 3105、JIS M8851、JIS M8852、JIS M 8853或JIS R 9301的方法、其它玻璃领域中惯用的技术确定。具体而言，可以通过依据JIS R 3101的方法确定。

在一个方式中，上述陶瓷玻璃含有以下成分：

SiO₂：55～80质量％、

Al₂O₃：2～20质量％、

Li₂O：5～20质量％、

B₂O₃：0～10质量％、

Na₂O：0～5质量％、

ZnO：0～10质量％、

P₂O₅：0.5～6质量％、以及

ZrO₂：0.2～15质量％。

在一个方式中，上述陶瓷玻璃还含有以下成分：

K₂O：0～4％、

MgO：0～8％、

TiO₂：0～5％、

CeO₂：0～0.4％、以及

SnO₂：0.05～0.5％。

在一个方式中，上述陶瓷玻璃含有以下成分：

SiO₂：69～80％、

Al₂O₃：6～9％、

Li₂O：10～14％、

B₂O₃：0～2％、

P₂O₅：1.5～2.5％、以及

ZrO₂：2～4％。

在一个方式中，上述陶瓷玻璃含有以下成分：

SiO₂：69～80％、

Al₂O₃：6～9％、

Li₂O：10～14％、

Na₂O：1～2％、

K₂O：1～2％、

B₂O₃：0～12％、

P₂O₅：1.5～2.5％、以及

ZrO₂：2～4％。

在一个方式中，上述陶瓷玻璃含有以下成分：

SiO₂：65～80％、

Al₂O₃：5～16％、

Li₂O：8～15％、

Na₂O：0～3％、

K₂O：0～3％、

B₂O₃：0～6％、

ZnO：0～2％、

P₂O₅：0.5～4％、以及

ZrO₂：0.2～6％。

在一个方式中，上述陶瓷玻璃含有以下成分：

SiO₂：60～80％、

Al₂O₃：5～20％、

Li₂O：5～20％、

Na₂O：0～3％、

K₂O：0～3％、

B₂O₃：0～6％、

ZnO：0～4％、

P₂O₅：0.5～4％、以及

ZrO₂：0.2～8％。

在一个方式中，在上述陶瓷玻璃中，P₂O₅和ZrO₂的合计含量大于3质量％。

在一个方式中，上述陶瓷玻璃的表层中的K原子的存在量为0.1～1.0at％，优选为0.2～0.6at％。

在一个方式中，上述陶瓷玻璃的表层中的Zr原子的存在量为0.5～2.0at％，优选为0.7～1.5at％，更优选为0.7～1.1at％。

在一个方式中，上述陶瓷玻璃的表层中的Al原子的存在量为1.0～10.0at％，优选为2.0～8.0at％，更优选为2.5～5.0at％。

在优选的方式中，上述陶瓷玻璃的表层中的K原子的存在量为0.1～1.0at％，优选为0.2～0.6at％，Zr原子的存在量为0.5～2.0at％，优选为0.7～1.5at％，更优选为0.7～1.1at％，Al原子的存在量为1.0～10.0at％，优选为2.0～8.0at％，更优选为2.5～5.0at％。

其中，陶瓷玻璃的表层是指：包含与中间层接触的面的部分、且直至通过下述XPS分析进行测定的深度的层部分。

上述陶瓷玻璃的表层中的原子的含量通过XPS分析(X射线光电子分光分析)进行测定。作为XPS的分析的测定条件，可以在下述条件下、且作为溅射离子使用Ar离子进行。可以利用下述装置、测定条件观测C1s、O1s、F1s、Si2p轨道、和金属原子的适当的轨道的峰面积，通过计算碳、氧、氟、硅、和金属原子的原子比来求出陶瓷玻璃的组成。作为金属原子的适当的轨道，例如可以列举：原子序号5(B)为1s轨道、原子序号13～14、21～31(Al～Si、Sc～Ga)为2p轨道、原子序号32～33、39～52(Ge～As、Y～Te)为3d轨道、原子序号72～83(Hf～Bi)为4f轨道。

装置：ULVAC－PHI公司制造的PHI 5000VersaProbeII

X射线源：色化AlKα射线(25W)

光电子检测面积：1400μm×300μm

光电子检测角：45度

通能：23.5eV

(中间层)

上述中间层位于上述基材上，包含氧化铝和氧化硅的第一层、和位于上述第一层上的氧化硅的第二层。“位于基材上”意指中间层与基材相接触地存在。

上述氧化铝典型而言为Al_xO_y(x和y为任意的整数)。氧化铝典型而言为Al₂O₃，但可以微量含有化学计量比不同的氧化铝。

上述氧化硅典型而言为Si_xO_y(x和y为任意的整数)。氧化硅典型而言为SiO₂，但可以微量含有化学计量比不同的氧化硅。

上述第一层在基材上直接接触而配置，含有氧化铝和氧化硅。

上述第一层实质上由氧化铝和氧化硅构成。其中，“实质上”意指允许极微量的其它成分、例如制造上不可避免的成分、不可分离的成分的存在。上述第一层含有优选为99.5质量％以上、优选为99.9质量％以上、更优选为100％的氧化铝和氧化硅。

在优选的方式中，相对于铝和硅的合计量，上述第一层中的铝的含量为0.5～60.0at％，优选为0.7～50.5at％，更优选为1.5～35.5at％。通过使铝含量为上述的范围，叠层体的摩擦耐久性提高。

在优选的方式中，在全部元素中(即A1、F、C、Si和O)，上述第一层中的铝的含量为0.1～30at％，优选为0.4～20at％，更优选为0.5～10at％。通过使铝含量为上述的范围，叠层体的摩擦耐久性提高。

其中，第一层中的铝含量通过XPS分析(X射线光电子分光分析)进行测定。

各层中的原子含量可以通过利用XPS分析的深度方向分析来进行测定。作为XPS分析的测定条件，作为X射线源以25W使用单色化AIKα射线，将光电子检测面积设为1400μm×300μm，将光电子检测角设为45度，将通能设为23.5eV，作为溅射离子可以使用Ar离子。通过利用Ar离子的溅射将叠层体表层蚀刻1～100nm，在各个蚀刻后的深度处，观测C1s、O1s、F1s、Si2p轨道和金属原子的适当的轨道的峰面积，计算碳、氧、氟、硅和金属原子的原子比，由此能够求出各层中的组成。作为金属原子的适当的轨道，例如可以列举：原子序号5(B)为1s轨道、原子序号13～14、21～31(Al～Si、Sc～Ga)为2p轨道、原子序号32～33、39～52(Ge～As、Y～Te)为3d轨道、原子序号72～83(Hf～Bi)为4f轨道。

装置：ULVAC－PHI公司制造的PHI 5000VersaProbeII

X射线源：色化AlKα射线(25W)

光电子检测面积：1400μm×300μm

光电子检测角：45度

通能：23.5eV

Ar加速电压：3kV

Sputter(溅射)时间：14～21秒

在一个方式中，上述第一层的与基材相接触的面和与第二层相接触的面的铝含量之差优选为1.0at％以内，更优选为0.5at％以内，进一步优选为0.1at％以内。换言之，从上述第一层的与基材相接触的面向与第二层相接触的面去，铝含量的浓度梯度小，或者不存在浓度梯度。

关于上述第一层的铝含量的浓度梯度，可以利用氩团簇离子束(Ar－GCIB)对物品的表面从表面处理层侧进行蚀刻，并通过X射线光电子分光分析(XPS分析)测定原子浓度，由重复上述的操作而得到的蚀刻速率(etching rate)算出。

上述第二层在上述第一层上直接接触而配置，含有氧化硅。

上述第二层实质上由氧化硅构成。其中，“实质上”意指：允许极微量的其它成分、例如制造上不可避免的成分、不可分离的成分的存在。上述第二层含有优选为99.5质量％以上、优选为99.9质量％以上、更优选为100％的氧化硅。

上述中间层的厚度优选为5nm～35nm，更优选为10nm～30nm。通过使上述中间层的厚度为上述的范围，表面处理层的摩擦耐久性提高。

上述第一层的厚度优选为1nm～30nm，更优选为3nm～20nm，进一步优选为5nm～10nm。通过使上述第一层的厚度为上述的范围，表面处理层的摩擦耐久性提高。

上述第二层的厚度优选为1nm～30nm，更优选为5nm～25nm，进一步优选为8nm～20nm。通过将上述第二层的厚度设为上述的范围，表面处理层的摩擦耐久性提高。

第一层的厚度相对于上述第二层的厚度的比优选为0.1～10，更优选为0.2～5.0，进一步优选为0.3～1.0。通过使第一层的厚度相对于上述第二层的厚度的比为上述的范围，表面处理层的摩擦耐久性提高。

关于上述中间层、第一层和第二层的厚度，可以利用氩团簇离子束(Ar－GCIB)对物品的表面从表面处理层侧进行蚀刻，并通过X射线光电子分光分析(XPS分析)测定原子浓度，由重复上述的操作而得到的蚀刻速率算出。

上述各层的形成方法只要是能够在基材上形成金属氧化物的层的方法，就没有特别限定，可以使用蒸镀法、例如物理气相沉积法(PVD：Physical Vapor Deposition)和化学气相沉积法(CVD：Chemical Vapor Deposition)等。作为PVD法，没有特别限定，例如可以列举真空蒸镀法和溅射等。作为真空蒸镀法的具体例，可以列举电阻加热、电子束、使用微波等的高频加热、离子束以及类似的方法。作为CVD方法的具体例，可以列举：等离子体CVD、光学CVD、热CVD以及类似的方法。其中，优选PVD法，特别优选电阻加热蒸镀或电子束蒸镀，更优选电子束蒸镀。通过使用PVD法，能够得到具有更高的摩擦耐久性的表面处理层。

在一个方式中，在中间层上形成表面处理层之前，可以进行前处理、例如清洗处理。通过进行前处理，中间层和表面处理层的密合性提高，能够得到更高的摩擦耐久性。

(表面处理层)

上述表面处理层位于上述中间层上，由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂形成。“位于中间层上”意指表面处理层与中间层相接触地存在。

上述含氟硅烷化合物为以下式(1)或(2)所示的至少1种含氟硅烷化合物，

R^F1 _α-X^A-R^Si _β (1)

R^Si _γ-X^A-R^F2-X^A-R^Si _γ (2)

[式中：

R^Fl在每次出现时分别独立地为Rf¹－R^F－O_q－；

R^F2为－Rf² _p－R^F－O_q－；

Rf²为可以被1个或1个以上的氟原子取代的C_l－6亚烷基；

R^F在每次出现时分别独立地为2价的氟代聚醚基；

p为0或1；

q在每次出现时分别独立地为0或1；

R^Si在每次出现时分别独立地为含有键合有羟基、水解性基团、氢原子或1价有机基团的Si原子的1价基团；

X^A分别独立地为单键或2～10价的有机基团；

α为1～9的整数；

β为1～9的整数；

γ分别独立地为1～9的整数。]。

上述式(1)中，R^F1在每次出现时分别独立地为Rf¹－R^F－O_q－。

上述式(2)中，R^F2为－Rf² _p－R^F－O_q－。

上述式中，Rf¹在每次出现时分别独立地为可以被1个或1个以上的氟原子取代的C_1－16烷基。

上述可以被1个或1个以上的氟原子取代的C_l－16烷基中的“C_1－16烷基”可以为直链，也可以为支链，优选为直链或支链的C_1－6烷基、特别是C_l－3烷基，更优选为直链的C_1－6烷基、特别是C_1－3烷基。

上述Rf¹优选为被1个或1个以上的氟原子取代的C_1－16烷基，更优选为CF₂H－C_1－15全氟亚烷基，进一步优选为C_1－16全氟烷基。

上述C_1－16全氟烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链或支链的C_l－6全氟烷基、特别是C_1－3全氟烷基，更优选为直链的C_l－6全氟烷基、特别是C_1－3全氟烷基，具体而言为－CF₃、－CF₂CF₃或－CF₂CF₂CF₃。

上述式中，Rf²为可以被1个或1个以上的氟原子取代的C_1－6亚烷基。

上述可以被1个或1个以上的氟原子取代的C_1－6亚烷基中的“C_1－6亚烷基”可以为直链，也可以为支链，优选为直链或支链的C_1－3亚烷基，更优选为直链的C_1－3亚烷基。

上述Rf²优选为被1个或1个以上的氟原子取代的C_1－6亚烷基，更优选为C_1－6全氟亚烷基，进一步优选为C_1－3全氟亚烷基。

上述C_l－6全氟亚烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链或支链的C_1－3全氟亚烷基，更优选为直链的C_1－3全氟亚烷基，具体而言为－CF₂－、－CF₂CF₂－或－CF₂CF₂CF₂－。

在上述式中，p为0或1。在一个方式中，p为0。在其它方式中，p为1。

在上述式中，q在每次出现时分别独立地为0或1。在一个方式中，q为0。在其它方式中，q为1。

在上述式(1)和(2)中，R^F在每次出现时分别独立地为2价的氟代聚醚基。

R^F优选为式：－(OC₆F₁₂)_a－(OC₅F₁₀)_b－(OC₄F₈)_c－(OC₃R^Fa ₆)_d－(OC₂F₄)_e－(OCF₂)_f－所示的基团，

[式中：

R^Fa在每次出现时分别独立地为氢原子、氟原子或氯原子，

a、b、c、d、e和f分别独立地为0～200的整数，a、b、c、d、e和f之和为1以上。标注a、b、c、d、e或f且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。其中，全部的R^Fa为氢原子或氯原子时，a、b、c、e和f中的至少1个为1以上。]。

R^Fa优选为氢原子或氟原子，更优选为氟原子。其中，全部的R^Fa为氢原子或氯原子时，a、b、c、e和f中的至少1个为1以上。

a、b、c、d、e和f优选分别独立地可以为0～100的整数。

a、b、c、d、e和f之和优选为5以上，更优选为10以上，例如可以为15以上或20以上。a、b、c、d、e和f之和优选为200以下，更优选为100以下，进一步优选为60以下，例如可以为50以下或30以下。

这些重复单元可以为直链状，也可以为支链状。例如，－(OC₆F₁₂)－可以为－(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)－、－(OCF(CF₃)CF₂CF₂CF₂CF₂)－、－(OCF₂CF(CF₃)CF₂CF₂CF₂)－、－(OCF₂CF₂CF(CF₃)CF₂CF₂)－、－(OCF₂CF₂CF₂CF(CF₃)CF₂)－、－(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF(CF₃))－等。－(OC₅F₁₀)－可以为－(OCF₂CF₂CF₂CF₂CF₂)－、－(OCF(CF₃)CF₂CF₂CF₂)－、－(OCF₂CF(CF₃)CF₂CF₂)－、－(OCF₂CF₂CF(CF₃)CF₂)－、－(OCF₂CF₂CF₂CF(CF₃))－等。－(OC₄F₈)－可以为－(OCF₂CF₂CF₂CF₂)－、－(OCF(CF₃)CF₂CF₂)－、－(OCF₂CF(CF₃)CF₂)－、－(OCF₂CF₂CF(CF₃))－、－(OC(CF₃)₂CF₂)－、－(OCF₂C(CF₃)₂)－、－(OCF(CF₃)CF(CF₃))－、－(OCF(C₂F₅)CF₂)－和－(OCF₂CF(C₂F₅))－的任一个。－(OC₃F₆)－(即，上述式中，R^Fa为氟原子)可以为－(OCF₂CF₂CF₂)－、－(OCF(CF₃)CF₂)－和－(OCF₂CF(CF₃))－的任一个。－(OC₂F₄)－可以为－(OCF₂CF₂)－和－(OCF(CF₃))－的任一个。

在一个方式中，上述重复单元为直链状。通过使上述重复单元为直链状，能够提高表面处理层的表面滑动性、磨损耐久性等。

在一个方式中，上述重复单元为支链状。通过使上述重复单元为支链状，能够使表面处理层的动态摩擦系数变大。

在一个方式中，R^F在每次出现时分别独立地为以下式(f1)～(f5)中的任一式所示的基团。

－(OC₃F₆)_d－(OC₂F₄)_e－ (f1)

[式中，d为1～200的整数，e为0或1。]；

－(OC₄F₈)_c－(OC₃F₆)_d－(OC₂F₄)_e－(OCF₂)_f－ (f2)

[式中，c和d分别独立地为0以上30以下的整数，e和f分别独立地为1以上200以下的整数，

c、d、e和f之和为2以上，

－(R⁶－R⁷)_g－ (f3)

[式中，R⁶为OCF₂或OC₂F₄，

R⁷为选自OC₂F₄、OC₃F₆、OC₄F₈、OC₅F₁₀和OC₆F₁₂中的基团，或者为独立地选自这些基团中的2个或3个基团的组合，

g为2～100的整数。]；

－(OC₆F₁₂)_a－(OC₅F₁₀)_b－(OC₄F₈)_c－(OC₃F₆)_d－(OC₂F₄)_e－(OCF₂)_f－ (f4)

[式中，e为1以上200以下的整数，a、b、c、d和f分别独立地为0以上200以下的整数，并且，标注a、b、c、d、e或f且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。]

－(OC₆F₁₂)_a－(OC₅F₁₀)_b－(OC₄F₈)_c－(OC₃F₆)_d－(OC₂F₄)_e－(OCF₂)_f－ (f5)

[式中，f为1以上200以下的整数，a、b、c、d和e分别独立地为0以上200以下的整数，并且，标注a、b、c、d、e或f且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。]

在上述式(f1)中，d优选为5～200、更优选为10～100、进一步优选为15～50、例如为25～35的整数。上述式(f1)中的OC₃F₆优选为(OCF₂CF₂CF₂)、(OCF(CF₃)CF₂)或(OCF₂CF(CF₃))，更优选为(OCF₂CF₂CF₂)。上述式(f1)中的(OC₂F₄)优选为(OCF₂CF₂)或(OCF(CF₃))，更优选为(OCF₂CF₂)。在一个方式中，e为0。在其它方式中，e为1。

在上述式(f2)中，e和f分别独立地优选为5～200、更优选为10～200的整数。另外，c、d、e和f之和优选为5以上，更优选为10以上，例如可以为15以上或20以上。在一个方式中，上述式(f2)优选为－(OCF₂CF₂CF₂CF₂)_c－(OCF₂CF₂CF₂)_d－(OCF₂CF₂)_e－(OCF₂)_f－所示的基团。在其它方式中，式(f2)可以为－(OC₂F₄)_e－(OCF₂)_f－所示的基团。

在上述式(f3)中，R⁶优选为OC₂F₄。在上述式(f3)中，R⁷优选为选自OC₂F₄、OC₃F₆和OC₄F₈中的基团，或者为独立地选自这些基团中的2个或3个基团的组合，更优选为选自OC₃F₆和OC₄F₈中的基团。作为独立地选自OC₂F₄、OC₃F₆和OC₄F₈中的2个或3个基团的组合，没有特别限定，例如可以列举：－OC₂F₄OC₃F₆－、－OC₂F₄OC₄F₈－、－OC₃F₆OC₂F₄－、－OC₃F₆OC₃F₆－、－OC₃F₆OC₄F₈－、－OC₄F₈OC₄F₈－、－OC₄F₈OC₃F₆－、－OC₄F₈OC₂F₄－、－OC₂F₄OC₂F₄OC₃F₆－、－OC₂F₄OC₂F₄OC₄F₈－、－OC₂F₄OC₃F₆OC₂F₄－、－OC₂F₄OC₃F₆OC₃F₆－、－OC₂F₄OC₄F₈OC₂F₄－、－OC₃F₆OC₂F₄OC₂F₄－、－OC₃F₆OC₂F₄OC₃F₆－、－OC₃F₆OC₃F₆OC₂F₄－和－OC₄F₈OC₂F₄OC₂F₄－等。在上述式(f3)中，g优选为3以上、更优选为5以上的整数。上述g优选为50以下的整数。在上述式(f3)中，OC₂F₄、OC₃F₆、OC₄F₈、OC₅F₁₀和OC₆F₁₂可以为直链或支链的任一个，优选为直链。在该方式中，上述式(f3)优选为－(OC₂F₄－OC₃F₆)_g－或－(OC₂F₄－OC₄F₈)_g－。

在上述式(f4)中，e优选为1以上100以下、更优选为5以上100以下的整数。a、b、c、d、e和f之和优选为5以上，更优选为10以上，例如为10以上100以下。

在上述式(f5)中，f优选为1以上100以下、更优选为5以上100以下的整数。a、b、c、d、e和f之和优选为5以上，更优选为10以上，例如为10以上100以下。

在一个方式中，上述R^F为上述式(f1)所示的基团。

在一个方式中，上述R^F为上述式(f2)所示的基团。

在一个方式中，上述R^F为上述式(f3)所示的基团。

在一个方式中，上述R^F为上述式(f4)所示的基团。

在一个方式中，上述R^F为上述式(f5)所示的基团。

在上述R^F中，e相对于f的比(以下，称为“e/f比”)为0.1～10，优选为0.2～5，更优选为0.2～2，进一步优选为0.2～1.5，更进一步优选为0.2～0.85。通过使e/f比为10以下，由该化合物得到的表面处理层的滑动性、磨损耐久性和耐化学性(例如对人工汗的耐久性)进一步提高。e/f比越小，表面处理层的滑动性和磨损耐久性越提高。另一方面，通过使e/f比为0.1以上，能够进一步提高化合物的稳定性。e/f比越大，化合物的稳定性越提高。

在上述含氟硅烷化合物中，R^F1和R^F2部分的数均分子量没有特别限定，例如为500～30,000，优选为1,500～30,000，更优选为2,000～10,000。在本说明书中，R^F1和R^F2的数均分子量是利用¹⁹F－NMR测得的值。

在其它方式中，R^F1和R^F2部分的数均分子量可以为500～30,000，优选为1,000～20,000，更优选为2,000～15,000，进一步优选为2,000～10,000，例如为3,000～6,000。

在其它方式中，R^F1和R^F2部分的数均分子量可以为4,000～30,000，优选为5,000～10,000，更优选为6,000～10,000。

在上述式(1)和(2)中，R^Si在每次出现时分别独立地为含有键合有羟基、水解性基团、氢原子或1价有机基团的Si原子的1价基团，至少1个R^Si为含有键合有羟基或水解性基团的Si原子的1价基团。

其中，“水解性基团”意指能够进行水解反应的基团，即，意指能够通过水解反应从化合物的主骨架脱离的基团。作为水解性基团的例子，可以列举：-OR^j、-OCOR^j、-O-N＝CR^j ₂、-NR^j ₂、-NHR^j、-NCO、卤素(这些式子中，R^j表示取代或非取代的C_1-4烷基)等。

在优选的方式中，R^Si为含有键合有羟基或水解性基团的Si原子的1价基团。

在优选的方式中，R^Si为以下式(S1)、(S2)、(S3)或(S4)所示的基团，

-SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1 (S2)

-SiR^a1 _k1R^b1 ₁₁R^c1 _m1 (S3)

-CR^d1 _k2R^e1 ₁₂R^f1 _m22 (S4)

-NR^g1R^h1 (S5)

上述式中，R¹¹在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团。

R¹¹优选在每次出现时分别独立地为水解性基团。

R¹¹优选在每次出现时分别独立地为-OR^j、-OCOR^j、-O-N＝CR^j ₂、-NR^j ₂、-NHR^j、-NCO或卤素(这些式子中，R^j表示取代或非取代的C_l－4烷基)，更优选为－OR^j(即烷氧基)。作为R^j，可以列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，优选烷基，特别优选非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R^j为甲基，在其它方式中，R^j为乙基。

上述式中，R¹²在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。上述的1价有机基团为除上述水解性基团之外的1价有机基团。

R¹²中，1价有机基团优选为C_1－20烷基，更优选为C_1－6烷基，进一步优选为甲基。

上述式中，n1在每个(SiR¹¹ _n1R¹² _3－n1)单元中分别独立地为0～3的整数。其中，R^Si为式(S1)或(S2)所示的基团时，在式(1)和式(2)的末端的R^Si部分(以下，也简称为式(1)和式(2)的“末端部分”)中，n1为1～3(SiR¹¹ _n1R¹² _3－n1)的单元至少存在1个。即，在上述的末端部分中，全部的n1不同时为0。换言之，在式(1)和式(2)的末端部分中，键合有羟基或水解性基团的Si原子至少存在1个。

n1在每个(SiR¹¹ _n1R¹² _3－n1)单元中分别独立地优选为1～3的整数，更优选为2～3，进一步优选为3。

上述式中，X¹¹在每次出现时分别独立地为单键或2价有机基团。上述的2价有机基团优选为－R²⁸－O_X－R²⁹－(式中，R²⁸和R²⁹在每次出现时分别独立地为单键或C_1－20亚烷基，x为0或1。)。上述的C_1－20亚烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链。上述的C_1－20亚烷基优选为C_1－10亚烷基，更优选为C_1－6亚烷基，进一步优选为C_1－3亚烷基。

在一个方式中，X¹¹在每次出现时分别独立地为－C_l－6亚烷基－O－C_1－6亚烷基－或－O－C_1－6亚烷基－。

在优选的方式中，X¹¹在每次出现时分别独立地为单键或直链的C_1－6亚烷基，优选为单键或直链的C_1－3亚烷基，更优选为单键或直链的C_1－2亚烷基，进一步优选为直链的C_l－2亚烷基。

上述式中，R¹³在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。上述的1价有机基团优选为C_1－20烷基。上述的C_1－20烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链。

在优选的方式中，R¹³在每次出现时分别独立地为氢原子或直链的C_1－6烷基，优选为氢原子或直链的C_1－3烷基，优选为氢原子或甲基。

上述式中，t在每次出现时分别独立地为2以上的整数。

在优选的方式中，t在每次出现时分别独立地为2～10的整数，优选为2～6的整数。

上述式中，R¹⁴在每次出现时分别独立地为氢原子、卤原子或－X¹¹－SiR¹¹ _n1R¹² _3－n1。上述的卤原子优选为碘原子、氯原子或氟原子，更优选为氟原子。在优选的方式中，R¹⁴为氢原子。

上述式中，R¹⁵在每次出现时分别独立地为单键、氧原子、碳原子数1～6的亚烷基或碳原子数1～6的亚烷基氧基。

在一个方式中，R¹⁵在每次出现时分别独立地为氧原子、碳原子数1～6的亚烷基或碳原子数1～6的亚烷基氧基。

在优选的方式中，R¹⁵为单键。

在一个方式中，式(S1)为以下式(Sl－a)。

[式中，

R¹¹、R¹²、R¹³、X¹¹和n1的含义与上述式(S1)的记载相同；

t1和t2在每次出现时分别独立地为1以上的整数，优选为1～10的整数，更优选为2～10的整数，例如为1～5的整数或2～5的整数；

标注t1和t2且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。]

在优选的方式中，式(S1)为以下式(S1－b)。

[式中，R¹¹、R¹²、R¹³、X¹¹、n1和t的含义与上述式(S1)相同。]

上述式中，R^a1在每次出现时分别独立地为－Z¹－SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1。

上述Z¹在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团。另外，记载为以下Z¹的结构的右侧与(SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1)键合。

在优选的方式中，Z¹为2价有机基团。

在优选的方式中，Z¹不含与Z¹所键合的Si原子形成硅氧烷键的基团。优选在式(S3)中，(Si－Z¹－Si)不含有硅氧烷键。

上述Z¹优选为C_l－6亚烷基、－(CH₂)_z1－O－(CH₂)_z2－(式中，z1为0～6的整数，例如为1～6的整数；z2为0～6的整数，例如为1～6的整数)或－(CH₂)_z3－亚苯基－(CH₂)_z4－(式中，z3为0～6的整数，例如为1～6的整数；z4为0～6的整数，例如为1～6的整数)。上述的C_1－6亚烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团例如可以被选自氟原子、C_1－6烷基、C_2－6烯基和C_2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选为非取代。

在优选的方式中，Z¹为C_1－6亚烷基或－(CH₂)_z3－亚苯基－(CH₂)_z4－，优选为－亚苯基－(CH₂)_z4－。Z¹为上述的基团时，光耐受性、特别是紫外线耐受性能够进一步提高。

在其它优选的方式中，上述Z¹为C_1－3亚烷基。在一个方式中，Z¹可以为－CH₂CH₂CH₂－。在其它方式中，Z¹可以为－CH₂CH₂－。

上述R²¹在每次出现时分别独立地为－Z^1′－SiR^21′ _p1′R^22′ _q1′R^23′ _r1′。

上述Z^1′在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团。另外，记载为以下Z^1′的结构的右侧与(SiR^21′ _p1′R^22′ _q1′R^23′ _r1′)键合。

在优选的方式中，Z^1′为2价有机基团。

在优选的方式中，Z^1′不含与Z^1′所键合的Si原子形成硅氧烷键的基团。优选在式(S3)中，(Si－Z^1′－Si)不含有硅氧烷键。

上述Z^1′优选为C_1－6亚烷基、－(CH₂)_z1′－O－(CH₂)_z2′－(式中，z1′为0～6的整数，例如为1～6的整数；z2′为0～6的整数，例如为1～6的整数)或－(CH₂)_z3′－亚苯基－(CH₂)_z4′－(式中，z3′为0～6的整数，例如为1～6的整数；z4′为0～6的整数，例如为1～6的整数)。上述的C_l－6亚烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团例如可以被选自氟原子、C_1－6烷基、C_2－6烯基和C_2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选为非取代。

在优选的方式中，Z^1′为C_1－6亚烷基或－(CH₂)_z3′－亚苯基－(CH₂)_z4′－，优选为－亚苯基－(CH₂)_z4′－。Z^1′为上述的基团时，光耐受性、特别是紫外线耐受性能够进一步提高。

在其它优选的方式中，上述Z^1′为C_1－3亚烷基。在一个方式中，Z^1′可以为－CH₂CH₂CH₂－。在其它方式中，Z^1′可以为－CH₂CH₂－。

上述R^21′在每次出现时分别独立地为－Z^1″－SiR^22″ _q1″R^23″ _r1″。

上述Z^1″在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团。另外，记载为以下Z^1″的结构的右侧与(SiR^22″ _q1″R^23″ _r1″)键合。

在优选的方式中，Z^1″为2价有机基团。

在优选的方式中，Z^1″不含与Z^1″所键合的Si原子形成硅氧烷键的基团。优选在式(S3)中，(Si－Z^1″－Si)不含有硅氧烷键。

上述Z^1″优选为C_1－6亚烷基、－(CH₂)_z1″－O－(CH₂)_z2″－(式中，z1″为0～6的整数，例如为1～6的整数；z2″为0～6的整数，例如为1～6的整数)或－(CH₂)_z3″－亚苯基－(CH₂)_z4″－(式中，z3″为0～6的整数，例如为1～6的整数；z4″为0～6的整数，例如为1～6的整数)。上述的C_1－6亚烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团例如可以被选自氟原子、C_1－6烷基、C_2－6烯基和C_2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选为非取代。

在优选的方式中，Z^1″为C_1－6亚烷基或－(CH₂)_z3″－亚苯基－(CH₂)_z4″－，优选为－亚苯基－(CH₂)_z4″－。Z^1″为上述的基团时，光耐受性、特别是紫外线耐受性能够进一步提高。

在其它优选的方式中，上述Z^1″为C_1－3亚烷基。在一个方式中，Z^1″可以为－CH₂CH₂CH₂－。在其它方式中，Z^1″可以为－CH₂CH₂－。

上述R^22″在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团。

上述R^22″优选在每次出现时分别独立地为水解性基团。

上述R^22″优选在每次出现时分别独立地为－OR^j、－OCOR^j、－O－N＝CR^j ₂、－NR^j ₂、－NHR^j、－NCO或卤素(这些式子中，R^j表示取代或非取代的C_l－4烷基)，更优选为－OR^j(即烷氧基)。作为R^j，可以列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，优选烷基、特别是非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R^j为甲基，在其它方式中，R^j为乙基。

上述R^23″在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。上述的1价有机基团为除上述水解性基团之外的1价有机基团。

在上述R^23″中，1价有机基团优选为C_1－20烷基，更优选为C_1－6烷基，进一步优选为甲基。

上述q1″在每次出现时分别独立地为0～3的整数，上述r1″在每次出现时分别独立地为0～3的整数。另外，q1″和r1″的合计在(SiR^22″ _q1″R^23″ _r1″)单元中为3。

上述q1″在每个(SiR^22″ _q1″R^23″ _r1″)单元中分别独立地优选为1～3的整数，更优选为2～3，进一步优选为3。

上述R^22′在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团。

R^22′优选在每次出现时分别独立地为水解性基团。

R^22′优选在每次出现时分别独立地为－OR^j、－OCOR^j、－O－N＝CR^j ₂、－NR^j ₂、－NHR^j、－NCO或卤素(这些式子中，R^j表示取代或非取代的C_l－4烷基)，更优选为－OR^j(即烷氧基)。作为R^j，可以列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，优选烷基、特别是非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R^j为甲基，在其它方式中，R^j为乙基。

上述R^23′在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。上述的1价有机基团为除上述水解性基团之外的1价有机基团。

在R^23′中，1价有机基团优选为C_l－20烷基，更优选为C_1－6烷基，进一步优选为甲基。

上述p1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数，q1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数，r1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数。另外，p′、q1′和r1′的合计在(SiR^21′ _p1′R^22′ _q1′R^23′ _r1′)单元中为3。

在一个方式中，p1′为0。

在一个方式中，p1′在每个(SiR^21′ _p1′R^22′ _q1′R^23′ _r1′)单元中分别独立地可以为1～3的整数、2～3的整数、或3。在优选的方式中，p1′为3。

在一个方式中，q1′在每个(SiR^21′ _p1′R^22′ _q1′R^23′ _r1′)单元中分别独立地可以为1～3的整数，优选为2～3的整数，更优选为3。

在一个方式中，p1′为0，q1′在每个(SiR^21′ _p1′R^22′ _q1′R^23′ _r1′)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2～3的整数，进一步优选为3。

上述R²²在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团。

R²²优选在每次出现时分别独立地为水解性基团。

R²²优选在每次出现时分别独立地为－OR^j、－OCOR^j、－O－N＝CR^j ₂、－NR^j ₂、－NHR^j、－NCO或卤素(这些式子中，R^j表示取代或非取代的C_l－4烷基)，更优选为－OR^j(即烷氧基)。作为R^j，可以列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，优选烷基、特别是非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R^j为甲基，在其它方式中，R^j为乙基。

上述R²³在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。上述的1价有机基团为除上述水解性基团之外的1价有机基团。

在R²³中，1价有机基团优选为C_1－20烷基，更优选为C_1－6烷基，进一步优选为甲基。

上述p1在每次出现时分别独立地为0～3的整数，q1在每次出现时分别独立地为0～3的整数，r1在每次出现时分别独立地为0～3的整数。另外，p1、q1和r1的合计在(SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1)单元中为3。

在一个方式中，p1为0。

在一个方式中，p1在每个(SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1)单元中分别独立地可以为1～3的整数、2～3的整数、或3。在优选的方式中，p1为3。

在一个方式中，q1在每个(SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2～3的整数，更优选为3。

在一个方式中，p1为0，q1在每个(SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2～3的整数，进一步优选为3。

上述式中，R^b1在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团。

上述R^b1优选在每次出现时分别独立地为水解性基团。

上述R^bl优选在每次出现时分别独立地为－OR^j、－OCOR^j、－O－N＝CR^j ₂、－NR^j ₂、－NHR^j、－NCO或卤素(这些式子中，R^j表示取代或非取代的C_l－4烷基)，更优选为－OR^j(即烷氧基)。作为R^j，可以列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，优选烷基、特别是非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R^j为甲基，在其它方式中，R^j为乙基。

上述式中，R^c1在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。上述的1价有机基团为除上述水解性基团之外的1价有机基团。

在上述R^c1中，1价有机基团优选为C_1－20烷基，更优选为C_1－6烷基，进一步优选为甲基。

上述k1在每次出现时分别独立地为0～3的整数，l1在每次出现时分别独立地为0～3的整数，m1在每次出现时分别独立地为0～3的整数。另外，k1、l1和m1的合计在(SiR^a1 _k1R^b1 _l1R^c1 _ml)单元中为3。

在一个方式中，k1在每个(SiR^a1 _k1R^b1 _l1R^c1 _ml)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3。在优选的方式中，k1为3。

在上述式(1)和(2)中，R^Si为式(S3)所示的基团时，优选在式(1)和式(2)的末端部分中，键合有羟基或水解性基团的Si原子至少存在2个。

在优选的方式中，式(S3)所示的基团具有－Z¹－SiR²² _q1R²³ _r1(式中，q1为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3，r1为0～2的整数。)、－Z^1′－SiR^22′ _q1′R^23′ _r1′(式中，q1′为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3；r1′为0～2的整数。)或－Z^1″－SiR^22″ _q1″R^23″ _r1″(式中，q1″为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3；r1″为0～2的整数。)中的任一个。Z¹、Z^1′、Z^1″、R²²、R²³、R^22′、R^23′、R^22″和R^23″的含义与上述相同。

在优选的方式中，在式(S3)中存在R^21′的情况下，在至少1个、优选全部的R^21′中，q1″为1～3的整数、优选为2或3、更优选为3。

在优选的方式中，在式(S3)中存在R²¹的情况下，在至少1个、优选全部的R²¹中，p1′为0，q1′为1～3的整数、优选为2或3、更优选为3。

在优选的方式中，在式(S3)中存在R^a1的情况下，在至少1个、优选全部的R^a1中，p1为0，q1为1～3的整数、优选为2或3、更优选为3。

在优选的方式中，在式(S3)中，k1为2或3、优选为3，p1为0，q1为2或3、优选为3。

R^d1在每次出现时分别独立地为－Z²－CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2。

Z²在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团。另外，记载为以下Z²的结构的右侧与(CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2)键合。

在优选的方式中，Z²为2价有机基团。

上述Z²优选为C_1－6亚烷基、－(CH₂)_z5－O－(CH₂)_z6－(式中，z5为0～6的整数，例如为1～6的整数；z6为0～6的整数，例如为1～6的整数)或－(CH₂)_z7－亚苯基－(CH₂)_z8－(式中，z7为0～6的整数，例如为1～6的整数；z8为0～6的整数，例如为1～6的整数)。上述的C_1－6亚烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团例如可以被选自氟原子、C_1－6烷基、C_2－6烯基和C_2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选为非取代。

在优选的方式中，Z²为C_1－6亚烷基或－(CH₂)_z7－亚苯基－(CH₂)_z8－，优选为－亚苯基－(CH₂)_z8－。Z²为上述的基团时，光耐受性、特别是紫外线耐受性能够进一步提高。

在其它优选的方式中，上述Z²为C_1－3亚烷基。在一个方式中，Z²可以为－CH₂CH₂CH₂－。在其它方式中，Z²可以为－CH₂CH₂－。

R³¹在每次出现时分别独立地为－Z^2′－CR^32′ _q2′R^33′ _r2′。

Z^2′在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团。另外，记载为以下Z^2′的结构的右侧与(CR^32′ _q2′R^33′ _r2′)键合。

上述Z^2′优选为C_1－6亚烷基、－(CH₂)_z5′－O－(CH₂)_z6′－(式中，z5′为0～6的整数，例如为1～6的整数；z6′为0～6的整数，例如为1～6的整数)或－(CH₂)_z7′－亚苯基－(CH₂)_z8′－(式中，z7′为0～6的整数，例如为1～6的整数；z8′为0～6的整数，例如为1～6的整数)。上述的C_1－6亚烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团例如可以被选自氟原子、C_1－6烷基、C_2－6烯基和C_2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选为非取代。

在优选的方式中，Z^2′为C_1－6亚烷基或－(CH₂)_z7′－亚苯基－(CH₂)_z8′－，优选为－亚苯基－(CH₂)_z8′－。Z^2′为上述的基团时，光耐受性、特别是紫外线耐受性能够进一步提高。

在其它优选的方式中，上述Z^2′为C_1－3亚烷基。在一个方式中，Z^2′可以为－CH₂CH₂CH₂－。在其它方式中，Z^2′可以为－CH₂CH₂－。

上述R^32′在每次出现时分别独立地为－Z³－SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2。

上述Z³在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团。另外，记载为以下Z³的结构的右侧与(SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2)键合。

在一个方式中，Z³为氧原子。

在一个方式中，Z³为2价有机基团。

上述Z³优选为C_1－6亚烷基、－(CH₂)_z5″－O－(CH₂)_z6″－(式中，z5″为0～6的整数，例如为1～6的整数；z6″为0～6的整数，例如为1～6的整数)或－(CH₂)_z7″－亚苯基－(CH₂)_z8″－(式中，z7″为0～6的整数，例如为1～6的整数；z8″为0～6的整数，例如为1～6的整数)。上述的C_1－6亚烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团例如可以被选自氟原子、C_l－6烷基、C_2－6烯基和C_2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选为非取代。

在优选的方式中，Z³为C_1－6亚烷基或－(CH₂)_z7″－亚苯基－(CH₂)_z8″－，优选为－亚苯基－(CH₂)_z8″－。Z³为上述的基团时，光耐受性、特别是紫外线耐受性能够进一步提高。

在其它优选的方式中，上述Z³为C_1－3亚烷基。在一个方式中，Z³可以为－CH₂CH₂CH₂－。在其它方式中，Z³可以为－CH₂CH₂－。

上述R³⁴在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团。

R³⁴优选在每次出现时分别独立地为水解性基团。

R³⁴优选在每次出现时分别独立地为－OR^j、－OCOR^j、－O－N＝CR^j ₂、－NR^j ₂、－NHR^j、－NCO或卤素(这些式子中，R^j表示取代或非取代的C_l－4烷基)，更优选为－OR^j(即烷氧基)。作为R^j，可以列举：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基等非取代烷基；氯甲基等取代烷基。其中，优选烷基、特别是非取代烷基，更优选甲基或乙基。在一个方式中，R^j为甲基，在其它方式中，R^j为乙基。

上述R³⁵在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团。上述的1价有机基团为除上述水解性基团之外的1价有机基团。

在上述R³⁵中，1价有机基团优选为C_1－20烷基，更优选为C_1－6烷基，进一步优选为甲基。

上述式中，n2在每个(SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2)单元中分别独立地为0～3的整数。其中，R^Si为式(S4)所示的基团时，在式(1)和式(2)的末端部分中，n2为1～3的(SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2)的单元至少存在1个。即，在上述的末端部分中，全部的n2不同时为0。换言之，在式(1)和式(2)的末端部分中，键合有羟基或水解性基团的Si原子至少存在1个。

n2在每个(SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2)单元中分别独立地优选为1～3的整数，更优选为2～3，进一步优选为3。

上述R^33′在每次出现时分别独立地为氢原子、羟基或1价有机基团。上述的1价有机基团为除上述水解性基团之外的1价有机基团。

在上述R^33′中，1价有机基团优选为C_1－20烷基或－(C_sH_2s)_t1－(O－C_sH_2s)_t2(式中，s为1～6的整数，优选为2～4的整数；t1为1或0，优选为0；t2为1～20的整数，优选为2～10的整数，更优选为2～6的整数。)，更优选为C_1－20烷基，进一步优选为C_1－6烷基，特别优选为甲基。

在一个方式中，R^33′为羟基。

在其它方式中，R^33′为1价有机基团，优选为C_1－20烷基，更优选为C_1－6烷基。

上述q2′在每次出现时分别独立地为0～3的整数，上述r2′在每次出现时分别独立地为0～3的整数。另外，q2′和r2′的合计在(CR^32′ _q2′R^33′ _r2′)单元中为3。

q2′在每个(CR^32′ _q2′R^33′ _r2′)单元中分别独立地优选为1～3的整数，更优选为2～3，进一步优选为3。

R³²在每次出现时分别独立地为－Z³－SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2。上述的－Z³－SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2的含义与上述R^32′中的记载相同。

上述R³³在每次出现时分别独立地为氢原子、羟基或1价有机基团。上述的1价有机基团为除上述水解性基团之外的1价有机基团。

在上述R³³中，1价有机基团优选为C_l－20烷基或－(C_sH_2s)_t1－(O－C_sH_2s)_t2(式中，s为1～6的整数，优选为2～4的整数；t1为1或0，优选为0；t2为1～20的整数，优选为2～10的整数，更优选为2～6的整数。)，更优选为C_l－20烷基，进一步优选为C_1－6烷基，特别优选为甲基。

在一个方式中，R³³为羟基。

在其它方式中，R³³为1价有机基团，优选为C_1－20烷基，更优选C_1－6烷基。

上述p2在每次出现时分别独立地为0～3的整数，q2在每次出现时分别独立地为0～3的整数，r2在每次出现时分别独立地为0～3的整数。另外，p2、q2和r2的合计在(CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2)单元中为3。

在一个方式中，p2为0。

在一个方式中，p2在每个(CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2)单元中分别独立地可以为1～3的整数、2～3的整数、或3。在优选的方式中，p2为3。

在一个方式中，q2在每个(CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2～3的整数，更优选为3。

在一个方式中，p2为0，q2在每个(CR³¹ _p2R³² _q2R³³ _r2)单元中分别独立地为1～3的整数，优选为2～3的整数，进一步优选为3。

上述R^e1在每次出现时分别独立地为－Z³－SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2。上述的－Z³－SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2的含义与上述R^32′中的记载相同。

上述R^f1在每次出现时分别独立地为氢原子、羟基或1价有机基团。上述的1价有机基团为除上述水解性基团之外的1价有机基团。

在上述R^fl中，1价有机基团优选为C_1－20烷基或－(C_sH_2s)_t1－(O－C_sH_2s)_t2(式中，s为1～6的整数，优选为2～4的整数；t1为1或0，优选为0；t2为1～20的整数，优选为2～10的整数，更优选为2～6的整数。)，更优选为C_1－20烷基，进一步优选为C_1－6烷基，特别优选为甲基。

在一个方式中，R^fl为羟基。

在其它方式中，R^f1为1价有机基团，优选为C_1－20烷基，更优选为C_1－6烷基。

上述k2在每次出现时分别独立地为0～3的整数，12在每次出现时分别独立地为0～3的整数，m2在每次出现时分别独立地为0～3的整数。另外，k2、12和m2的合计在(CR^d1 _k2R^e1 _l2R^f1 _m2)单元中为3。

在上述式(1)和(2)中，R^Si为式(S4)所示的基团时，优选在式(1)和式(2)的末端部分中，键合有羟基或水解性基团的Si原子至少存在2个。

在一个方式中，R^Si为式(S4)所示的基团时，n2为1～3，优选为2或3，更优选为3(SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2)单元在式(1)和式(2)的各末端部分中存在2个以上、例如2～27个、优选为2～9个、更优选2～6个、进一步优选2～3个、特别优选3个。

在优选的方式中，在式(S4)中存在R^32′的情况下，在至少1个、优选全部的R^32′中，n2为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3。

在优选的方式中，在式(S4)中存在R³²的情况下，在至少1个、优选全部的R³²中，n2为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3。

在优选的方式中，在式(S4)中存在R^e1的情况下，在至少1个、优选全部的R^a1中，n2为1～3的整数，优选为2或3，更优选为3。

在优选的方式中，在式(S4)中，k2为0，l2为2或3、优选为3，n2为2或3、优选为3。

上述R^gl和R^h1在每次出现时分别独立地为－Z⁴－SiR¹¹ _n1R¹² _3－n1、－Z⁴－SiR^a1 _k1R^b1 _l1R^c1 _m1、－Z⁴－CR^d1 _k2R^e1 _l2R^f1 _m2。在此，R¹¹、R¹²、R^a1、R^b2、R^c1、R^d1、R^e1、R^f1、n1、k1、l1、m1、k2、l2和m2的含义与上述相同。

在优选的方式中，R^g1和R^hl分别独立地为－Z⁴－SiR¹¹ _n1R¹² _3－n1。

上述Z⁴在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团。另外，记载为以下Z⁴的结构的右侧与(SiR¹¹ _n1R¹² _3－n1)键合。

在一个方式中，Z⁴为氧原子。

在一个方式中，Z⁴为2价有机基团。

上述Z⁴优选为C_1－6亚烷基、－(CH₂)_z5″－O－(CH₂)_z6″－(式中，z5″为0～6的整数，例如为1～6的整数；z6″为0～6的整数，例如为1～6的整数)或－(CH₂)_z7″－亚苯基－(CH₂)_z8″－(式中，z7″为0～6的整数，例如为1～6的整数；z8″为0～6的整数，例如为1～6的整数)。上述的C_1－6亚烷基可以为直链，也可以为支链，优选为直链。这些基团例如可以被选自氟原子、C_1－6烷基、C_2－6烯基和C_2－6炔基中的1个或1个以上的取代基取代，但优选为非取代。

在优选的方式中，Z⁴为C_1－6亚烷基或－(CH₂)_z7″－亚苯基－(CH₂)_z8″－，优选为－亚苯基－(CH₂)_z8″－。Z³为上述的基团时，光耐受性、特别是紫外线耐受性能够进一步提高。

在其它优选的方式中，上述Z⁴为C_1－3亚烷基。在一个方式中，Z⁴可以为－CH₂CH₂CH₂－。在其它方式中，Z⁴可以为－CH₂CH₂－。

在一个方式中，R^Si为式(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示的基团。这些化合物可以形成具有高的表面滑动性的表面处理层。

在一个方式中，R^Si为式(S3)、(S4)或(S5)所示的基团。由于这些化合物在一个末端具有多个水解性基团，因此与基材较强地密合，能够形成具有高磨损耐久性的表面处理层。

在一个方式中，R^Si为式(S3)或(S4)所示的基团。由于这些化合物在一个末端能够具有从一个Si原子或C原子分支的多个水解性基团，因此能够形成具有更高磨损耐久性的表面处理层。

在一个方式中，R^Si为式(S1)所示的基团。

在一个方式中，R^Si为式(S2)所示的基团。

在一个方式中，R^Si为式(S3)所示的基团。

在一个方式中，R^Si为式(S4)所示的基团。

在一个方式中，R^Si为式(S5)所示的基团。

在上述式(1)和(2)中，X^A理解为将主要提供拨水性和表面滑动性等的氟代聚醚部(R^F1和R^F2)和提供与基材的结合能力的部分(R^Si)连结的连接基。因此，该X^A只要是式(1)和(2)所示的化合物能够稳定存在的基团，则可以为单键，也可以为任意基团。

在上述式(1)中，α为1～9的整数，β为1～9的整数。这些α和β可根据X^A的价数而变化。α和β之和与X^A的价数相同。例如，X^A为10价有机基团时，α和β之和为10，例如可以α为9且β为1，α为5且β为5，或α为1且β为9。另外，X^A为2价有机基团时，α和β为1。

在上述式(2)中，γ为1～9的整数。γ可根据X^A的价数而变化。即，γ为从X^A的价数减去1而得到的值。

X^A分别独立地为单键或2～10价的有机基团；

上述X^A中的2～10价的有机基团优选为2～8价的有机基团。在一个方式中，上述的2～10价的有机基团优选为2～4价的有机基团，更优选为2价有机基团。在其它方式中，上述的2～10价的有机基团优选为3～8价的有机基团，更优选为3～6价的有机基团。

在一个方式中，X^A为单键或2价有机基团，α为1，β为1。

在一个方式中，X^A为单键或2价有机基团，γ为1。

在一个方式中，X^A为3～6价的有机基团，α为1，β为2～5。

在一个方式中，X^A为3～6价的有机基团，γ为2～5。

在一个方式中，X^A为3价有机基团，α为1，β为2。

在一个方式中，X^A为3价有机基团，γ为2。

X^A为单键或2价有机基团时，式(1)和(2)由下述式(1')和(2′)表示。

R^F1-X^A-R^Si (1')

R^Si-X^A-R^F2-X^A-R^Si (2')

在一个方式中，X^A为单键。

在其它方式中，X^A为2价有机基团。

在一个方式中，作为X^A，例如可以列举单键或式：－(R⁵¹)_p5－(X⁵¹)_q5－所示的2价有机基团，

[式中：

R⁵¹表示单键、－(CH₂)_s5－或者邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基，优选为－(CH₂)_s5－，

s5为1～20的整数，优选为1～6的整数，更优选为1～3的整数，更进一步优选为1或2，

X⁵¹表示－(X⁵²)_l5－，

X⁵²在每次出现时分别独立地表示选自－O－、－S－、邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基、－C(O)O－、－Si(R⁵³)₂－、－(Si(R⁵³)₂O)_m5－Si(R⁵³)₂－、－CONR⁵⁴－、－O－CONR⁵⁴－、－NR⁵⁴－和－(CH₂)_n5－中的基团，

R⁵³在每次出现时分别独立地表示苯基、C_l－6烷基或C_1－6烷氧基，优选为苯基或C_1－6烷基，更优选为甲基，

R⁵⁴在每次出现时分别独立地表示氢原子、苯基或C_1－6烷基(优选为甲基)，

m5在每次出现时分别独立地为1～100的整数，优选为1～20的整数，

n5在每次出现时分别独立地为1～20的整数，优选为1～6的整数，更优选为1～3的整数，

l5为1～10的整数，优选为1～5的整数，更优选为1～3的整数，

p5为0或1，

q5为0或1，

其中，p5和q5中的至少一方为1，标注p5或q5且用括号括起来的各重复单元的存在顺序是任意的]。

其中，X^A(典型而言为X^A的氢原子)可以被选自氟原子、C_1－3烷基和C_1－3氟烷基中的1个或1个以上的取代基取代。在优选的方式中，X^A不被这些基团取代。

在优选的方式中，上述X^A分别独立地为－(R⁵¹)_p5－(X⁵¹)_q5－R⁵²－。R⁵²表示单键、－(CH₂)_t5－或者邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基，优选为－(CH₂)_t5－。t5为1～20的整数，优选为2～6的整数，更优选为2～3的整数。其中，R⁵²(典型而言为R⁵²的氢原子)可以被选自氟原子、C_1－3烷基和C_1－3氟烷基中的1个或1个以上的取代基取代。在优选的方式中，R⁵⁶不被这些基团取代。

优选上述X^A分别独立地可以为：

单键、

C_1－20亚烷基、

－R⁵¹－X⁵³－R⁵²－、或

－X⁵⁴－R⁵－

[式中，R⁵¹和R⁵²的含义与上述相同，

X⁵³表示：

－O－、

－S－、

－C(O)O－、

－CONR⁵⁴－、

－O－CONR⁵⁴－、

－Si(R⁵³)₂－、

－(Si(R⁵³)₂O)_m5－Si(R⁵³)₂－、

－O－(CH₂)_u5－(Si(R⁵³)₂O)_m5－Si(R⁵³)₂－、

－O－(CH₂)_u5－Si(R⁵³)₂－O－Si(R⁵³)₂－CH₂CH₂－Si(R⁵³)₂－O－Si(R⁵³)₂－、

－O－(CH₂)_u5－Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂－、

－CONR⁵⁴－(CH₂)_u5－(Si(R⁵³)₂O)_m5－Si(R⁵³)₂－、

－CONR⁵⁴－(CH₂)_u5－N(R⁵⁴)－、或

一CONR⁵⁴－(邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基)－Si(R⁵³)₂－

(式中，R⁵³、R⁵⁴和m5的含义与上述相同，

u5为1～20的整数，优选为2～6的整数，更优选为2～3的整数。)；

X⁵⁴表示：

－S－、

－C(O)O－、

－CONR⁵⁴－、

－O－CONR⁵⁴－、

－CONR⁵⁴－(CH₂)_u5－(Si(R⁵⁴)₂O)_m5－Si(R⁵⁴)₂－、

－CONR⁵⁴－(CH₂)_u5－N(R⁵⁴)－、或

一CONR⁵⁴－(邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基)－Si(R⁵⁴)₂－

(式中，各记号的含义与上述相同。)。]。

更优选上述X^A分别独立地为：单键、C_1－20亚烷基、－(CH₂)_s5－X⁵³－、－(CH₂)_s5－X⁵³－(CH₂)_t5－、－X⁵⁴－、或－X⁵⁴－(CH₂)_t5－[式中，X⁵³、X⁵⁴、s5和t5的含义与上述相同。]。

更优选上述X^A分别独立地可以为：单键、C_1－20亚烷基、－(CH₂)_s5－X⁵³－(CH₂)_t5－、或－X⁵⁴－(CH₂)_t5－[式中，各记号的含义与上述相同。]。

在优选的方式中，上述X^A分别独立地可以为：单键、C_1－20亚烷基、－(CH₂)_s5－X⁵³－、或－(CH₂)_s5－X⁵³－(CH₂)_t5－[式中，X⁵³为－O－、－CONR⁵⁴－、或－O－CONR⁵⁴－，R⁵⁴在每次出现时分别独立地表示氢原子、苯基或C_1－6烷基，s5为1～20的整数，t5为1～20的整数。]。

在优选的方式中，上述X^A分别独立地可以为：－(CH₂)_s5－O－(CH₂)_t5－、－CONR⁵⁴－(CH₂)_t5－[式中，R⁵⁴在每次出现时分别独立地表示氢原子、苯基或C_1－6烷基，s5为1～20的整数，t5为1～20的整数。]。

在一个方式中，上述X^A分别独立地为：

单键、

C_1－20亚烷基、

－(CH₂)_s5－O－(CH₂)_t5－、

－(CH₂)_s5－(Si(R⁵³)₂O)_m5－Si(R⁵³)₂－(CH₂)_t5－、

－(CH₂)_s5－O－(CH₂)_u5－(Si(R⁵³)₂O)_m5－Si(R⁵³)₂－(CH₂)_t5－、或

－(CH₂)_s5－O－(CH₂)_t5－Si(R⁵³)₂－(CH₂)_u5－Si(R⁵³)₂－(C_vH_2v)－

[式中，R⁵³、m5、s5、t5和u5的含义与上述相同；v5为1～20的整数，优选为2～6的整数，更优选为2～3的整数。]。

上述式中，－(C_vH_2v)－可以为直链，也可以为支链，例如可以为－CH₂CH₂－、－CH₂CH₂CH₂－、－CH(CH₃)－、－CH(CH₃)CH₂－。

上述X^A分别独立地为可以被选自氟原子、C_1－3烷基和C_1－3氟烷基(优选为C_1－3全氟烷基)中的1个或1个以上的取代基取代。在一个方式中，X^A为非取代。

另外，上述X^A的各式的左侧与R^F1或R^F2键合，右侧与R^Si键合。

在一个方式中，X^A分别独立地可以为－O－C_1－6亚烷基以外。

在其它方式中，作为X^A，例如可以列举以下的基团：

[式中，R⁴¹分别独立地为氢原子、苯基、碳原子数1～6的烷基、或C_1－6烷氧基，优选为甲基；

D为选自以下基团中的基团，

－CH₂O(CH₂)₂－、

－CH₂O(CH₂)₃－、

－CF₂O(CH₂)₃－、

－(CH₂)₂－、

－(CH₂)₃－、

－(CH₂)₄－、

－CONH－(CH₂)₃－、

－CON(CH₃)－(CH₂)₃－、

－CON(Ph)－(CH₂)₃－(式中，Ph意指苯基)、和

(式中，R⁴²分别独立地表示氢原子、C_1－6的烷基或C_1－6的烷氧基，优选表示甲基或甲氧基，更优选表示甲基。)，

E为－(CH₂)_n－(n为2～6的整数)，

D与分子主链的R^F1或R^F2键合，E与R^Si键合。]。

作为上述X^A的具体例，例如可以列举：

单键、

－CH₂OCH₂－、

－CH₂O(CH₂)₂－、

－CH₂O(CH₂)₃－、

－CH₂O(CH₂)₄－、

－CH₂O(CH₂)₅－、

－CH₂O(CH₂)₆－、

－CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂－、

－CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂-、

-CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、

－CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₃Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、

－CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₁₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、

－CH₂O(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、

－CH₂OCF₂CHFOCF₂－、

－CH₂OCF₂CHFOCF₂CF₂－、

－CH₂OCF₂CHFOCF₂CF₂CF₂－、

－CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF₂－、

－CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF₂CF₂－、

－CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF₂CF₂CF₂－、

－CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂－、

－CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂－、

－CH₂OCH₂CF₂CF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂CF₂－、

－CH₂OCH₂CHFCF₂OCF₂－、

－CH₂OCH₂CHFCF₂OCF₂CF₂－、

－CH₂OCH₂CHFCF₂OCF₂CF₂CF₂－、

－CH₂OCH₂CHFCF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂－、

－CH₂OCH₂CHFCF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂－、

－CH₂OCH₂CHFCF₂OCF(CF₃)CF₂OCF₂CF₂CF₂－、

－CH₂OCF₂CHFOCF₂CF₂CF₂－C(O)NH－CH₂－、

－CH₂OCH₂(CH₂)₇CH₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₂－、

－CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₃－、

－CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₂CH₃)₂OSi(OCH₂CH₃)₂(CH₂)₃-、

－CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₂OSi(OCH₃)₂(CH₂)₂－、

－CH₂OCH₂CH₂CH₂Si(OCH₂CH₃)₂OSi(OCH₂CH₃)₂(CH₂)₂-、

－(CH₂)₂－Si(CH₃)₂－(CH₂)₂－、

－CH₂－、

－(CH₂)₂－、

－(CH₂)₃－、

－(CH₂)₄－、

－(CH₂)₅－、

－(CH₂)₆－、

－CO－、

－CONH－、

－CONH－CH₂－、

－CONH－(CH₂)₂－、

－CONH－(CH₂)₃－、

－CONH－(CH₂)₄－、

－CONH－(CH₂)₅－、

－CONH－(CH₂)₆－、

－CON(CH₃)－CH₂－、

－CON(CH₃)－(CH₂)₂－、

－CON(CH₃)－(CH₂)₃－、

－CON(CH₃)－(CH₂)₄－、

－CON(CH₃)－(CH₂)₅－、

－CON(CH₃)－(CH₂)₆－、

－CON(Ph)－CH₂－(式中，Ph意指苯基)、

－CON(Ph)－(CH₂)₂－(式中，Ph意指苯基)、

－CON(Ph)－(CH₂)₃－(式中，Ph意指苯基)、

－CON(Ph)－(CH₂)₄－(式中，Ph意指苯基)、

－CON(Ph)－(CH₂)₅－(式中，Ph意指苯基)、

－CON(Ph)－(CH₂)₆－(式中，Ph意指苯基)、

－CONH－(CH₂)₂NH(CH₂)₃－、

－CONH－(CH₂)₆NH(CH₂)₃－、

－CH₂O－CONH－(CH₂)₃－、

－CH₂O－CONH－(CH₂)₆－、

－S－(CH₂)₃－、

－(CH₂)₂S(CH₂)₃－、

－CONH－(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂－、

－CONH－(CH₂)₃Si(CH₃)₂OSi(CH₃)₂OSi(CH₃)₂(CH₂)₂-、

－CONH－(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、

－CONH－(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₃Si(CH₃)₂(CH₂)₂-、

－CONH－(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₁₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂－、

－CONH－(CH₂)₃Si(CH₃)₂O(Si(CH₃)₂O)₂₀Si(CH₃)₂(CH₂)₂－、

－C(O)O－(CH₂)₃－、

－C(O)O－(CH₂)₆－、

－CH₂－O－(CH₂)₃－Si(CH₃)₂－(CH₂)₂－Si(CH₃)₂－(CH₂)₂-、

－CH₂－O－(CH₂)₃－Si(CH₃)₂－(CH₂)₂－Si(CH₃)₂－CH(CH₃)－、

－CH₂－O－(CH₂)₃－Si(CH₃)₂－(CH₂)₂－Si(CH₃)₂－(CH₂)₃-、

－CH₂－O－(CH₂)₃－Si(CH₃)₂－(CH₂)₂－Si(CH₃)₂－CH(CH₃)－CH₂－、

－OCH₂－、

－O(CH₂)₃－、

－OCFHCF₂－、

等。

进而，在其它方式中，X^A分别独立地为式：－(R¹⁶)_x1－(CFR¹⁷)_y1－(CH₂)_z1－所示的基团。式中，x1、y1和z1分别独立地为0～10的整数，x1、y1和z1之和为1以上，用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。

上述式中，R¹⁶在每次出现时分别独立地为氧原子、亚苯基、亚咔唑基、－NR¹⁸－(式中，R¹⁸表示氢原子或有机基团)或2价有机基团。优选R¹⁸为氧原子或2价的极性基团。

作为上述“2价的极性基团”，没有特别限定，可以列举－C(O)－、－C(＝NR¹⁹)－和－C(O)NR¹⁹－(这些式中，R¹⁹表示氢原子或低级烷基)。该“低级烷基”例如为碳原子数1～6的烷基，例如为甲基、乙基、正丙基，这些基团可以被1个或1个以上的氟原子取代。

上述式中，R¹⁷在每次出现时分别独立地为氢原子、氟原子或低级氟烷基，优选为氟原子。该“低级氟烷基”例如为碳原子数1～6、优选为碳原子数1～3的氟烷基，优选为碳原子数1～3的全氟烷基，更优选为三氟甲基、五氟乙基，进一步优选为三氟甲基。

进而，在其它方式中，作为X^A的例子，可以列举以下的基团：

[式中，

R⁴¹分别独立地为氢原子、苯基、碳原子数1～6的烷基、或C_1－6烷氧基，优选为甲基；

在各X^A基团中，T中的任意几个为与分子主链的R^F1或R^F2键合的以下的基团：

－CH₂O(CH₂)₂－、

－CH₂O(CH₂)₃－、

－CF₂O(CH₂)₃－、

－(CH₂)₂－、

－(CH₂)₃－、

－(CH₂)₄－、

－CONH－(CH₂)₃－、

－CON(CH₃)－(CH₂)₃－、

－CON(Ph)－(CH₂)₃－(式中，Ph意指苯基)、或

[式中，R⁴²分别独立地表示氢原子、C_1－6的烷基或C_l－6的烷氧基，优选表示甲基或甲氧基，更优选表示甲基。]，

其它的T的几个与分子主链的R^Si键合，存在的情况下，剩余的T分别独立地为甲基、苯基、C_1－6烷氧基或自由基捕捉基或紫外线吸收基。

自由基捕捉基只要能够捕捉通过光照射产生的自由基，就没有特别限定，例如可以列举二苯甲酮类、苯并三唑类、苯甲酸酯类、水杨酸苯酯类、巴豆酸类、丙二酸酯类、有机丙烯酸酯类、受阻胺类、受阻酚类、或三嗪类的残基。

紫外线吸收基只要是能够吸收紫外线的基团，就没有特别限定，例如可以列举苯并三唑类、羟基二苯甲酮类、取代和未取代的苯甲酸或水杨酸化合物的酯类、丙烯酸酯或烷氧基肉桂酸酯类、草酰胺类、草酰替苯胺类、苯并噁嗪酮类、苯并噁唑类的残基。

在优选的方式中，作为优选的自由基捕捉基或紫外线吸收基，可以列举：

在该方式中，X^A分别独立地可以为3～10价的有机基团。

[式中，R²⁵、R²⁶和R²⁷分别独立地为2～6价的有机基团，

R²⁵与至少1个R^F1键合，R²⁶和R²⁷分别与至少1个R^Si键合。]

在一个方式中，上述R²⁵为单键、C_1－20亚烷基、C_3－20亚环烷基、C_5－20亚芳基、－R⁵⁷－X⁵⁸－R⁵⁹－、－X⁵⁸－R⁵⁹－、或－R⁵⁷－X⁵⁸－。上述R⁵⁷和R⁵⁹分别独立地为单键、C_1－20亚烷基、C_3－20亚环烷基或C_5－20亚芳基。上述X⁵⁸为－O－、－S－、－CO－、－O－CO－或－COO－。

在一个方式中，上述R²⁶和R²⁷分别独立地为烃、或在烃的末端或主链中具有选自N、O和S中的至少1个原子的基团，优选列举C_l－6烷基、－R³⁶－R³⁷－R³⁶－、－R³⁶－CHR³⁸ ₂－等。其中，R³⁶分别独立地为单键或碳原子数1～6的烷基，优选为碳原子数1～6的烷基。R³⁷为N、O或S，优选为N或O。R³⁸为－R⁴⁵－R⁴⁶－R⁴⁵－、－R⁴⁶－R⁴⁵－或－R⁴⁵－R⁴⁶－。其中，R⁴⁵分别独立地为碳原子数1～6的烷基。R⁴⁶为N、O或S，优选为O。

在该方式中，X^A分别独立地可以为3～10价的有机基团。

进而在其它方式中，作为X^A的例子，可以列举下式所示的基团：

[式中，X^a为单键或2价有机基团。]。

上述X^a为直接键合于异氰脲酸环的单键或二价的连结基。作为X^a，优选为单键、亚烷基、或含有选自醚键、酯键、酰胺键和硫醚键中的至少1种键的二价基团，更优选为单键、碳原子数1～10的亚烷基、或含有选自醚键、酯键、酰胺键和硫醚键中的至少1种键的碳原子数1～10的二价烃基。

作为X^a，进一步优选下式所示的基团：

－(CX¹²¹X¹²²)_x1－(X^a1)_y1－(CX¹²³X¹²⁴)_z1－

(式中，X¹²¹～X¹²⁴分别独立地为H、F、OH或－OSi(OR¹²¹)₃(式中，3个R¹²¹分别独立地为碳原子数1～4的烷基。)，

上述X^a1为－C(＝O)NH－、－NHC(＝O)－、－O－、－C(＝O)O－、－OC(＝O)－、－OC(＝O)O－、或－NHC(＝O)NH－(各键的左侧与CX¹²¹X¹²²键合。)、

x1为0～10的整数，y1为0或1，z1为1～10的整数。)。

作为上述X^a1，优选－O－或－C(＝O)O－。

作为上述X^a，特别优选下式：－(CF₂)_m11－(CH₂)_m12－O－(CH₂)_m13－(式中，m11为1～3的整数，m12为1～3的整数，m13为1～3的整数。)所示的基团、

－(CF₂)_m14－(CH₂)_m15－O－CH₂CH(OH)－(CH₂)_m16－(式中，m14为1～3的整数，m15为1～3的整数，m16为1～3的整数。)所示的基团、

－(CF₂)_m17－(CH₂)_m18－(式中，m17为1～3的整数，m18为1～3的整数。)所示的基团、

－(CF₂)_m19－(CH₂)_m20－O－CH₂CH(OSi(OCH₃)₃)－(CH₂)_m21－(式中，m19为1～3的整数，m20为1～3的整数，m21为1～3的整数。)所示的基团、

－(CH₂)_m22－(式中，m22为1～3的整数。)所示的基团。

作为上述X^a，没有特别限定，具体可以列举：－CH₂－、－C₂H₄－、－C₃H₆－、－C₄H₈－、－C₄H₈－O－CH₂－、－CO－O－CH₂－CH(OH)－CH₂－、－(CF₂)_n5－(n5为0～4的整数。)、－(CF₂)_n5－(CH₂)_m5－(n5和m5分别独立地为0～4的整数。)、－CF₂CF₂CH₂OCH₂CH(OH)CH₂－、－CF₂CF₂CH₂OCH₂CH(OSi(OCH₃)₃)CH₂－等。

在该方式中，X^A分别独立地可以为2或3价的有机基团。

上述式(1)或式(2)所示的含氟硅烷化合物没有特别限定，可以具有5×10²～1×10⁵的平均分子量。在上述的范围中，从磨损耐久性的观点考虑，优选具有2,000～32,000、更优选2,500～12,000的平均分子量。其中，上述“平均分子量”是指数均分子量，“平均分子量”为利用¹⁹F－NMR测得的值。

在一个方式中，本发明的表面处理剂中，含氟硅烷化合物为式(1)所示的化合物。

在其它方式中，本发明的表面处理剂中，含氟硅烷化合物为式(2)所示的化合物。

在其它方式中，本发明的表面处理剂中，含氟硅烷化合物为式(1)所示的化合物和式(2)所示的化合物。

本发明的表面处理剂中，相对于式(1)所示的化合物和式(2)所示的化合物的合计，式(2)所示的化合物优选为0.1摩尔％以上35摩尔％以下。相对于式(1)所示的化合物和式(2)所示的化合物的合计，式(2)所示的化合物的含量的下限可以优选为0.1摩尔％，更优选为0.2摩尔％，进一步优选为0.5摩尔％，更进一步优选为1摩尔％，特别优选为2摩尔％，特别是5摩尔％。相对于式(1)所示的化合物和式(2)所示的化合物的合计，式(2)所示的化合物的含量的上限可以优选为35摩尔％，更优选为30摩尔％，进一步优选为20摩尔％，更进一步优选为15摩尔％或10摩尔％。相对于式(1)所示的化合物和式(2)所示的化合物的合计，式(2)所示的化合物优选为0.1摩尔％以上30摩尔％以下，更优选为0.1摩尔％以上20摩尔％以下，进一步优选为0.2摩尔％以上10摩尔％以下，更进一步优选为0.5摩尔％以上10摩尔％以下，特别优选为1摩尔％以上10摩尔％以下，例如为2摩尔％以上10摩尔％以下或者5摩尔％以上10摩尔％以下。通过使式(2)所示的化合物为上述的范围，能够提高进一步磨损耐久性。

在一个方式中，本发明的表面处理剂含有2种以上的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物。通过含有多种含氟硅烷化合物，摩擦耐久性能够进一步提高。

在一个方式中，本发明的表面处理剂含有R^Si为选自式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)和(S5)中的基团、且为相互不同的基团的、2种以上的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物。通过含有具有不同的R^Si的含氟硅烷化合物，摩擦耐久性能够进一步提高。

在一个方式中，本发明的表面处理剂含有R^Si为式(S1)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物、和R^Si为选自式(S3)、(S4)和(S5)中的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物。通过并用R^Si为式(S1)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物、和R^Si为选自式(S3)、(S4)和(S5)中的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物，摩擦耐久性能够进一步提高。

在一个方式中，本发明的表面处理剂含有R^Si为式(S1)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物、和R^Si为选自式(S3)和(S4)中的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物。通过并用R^Si为式(S1)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物、和R^Si为选自式(S3)和(S4)中的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物，摩擦耐久性能够进一步提高。

在一个方式中，本发明的表面处理剂含有R^Si为式(S1)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物、和R^Si为式(S3)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物。通过并用R^Si为式(S1)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物、和R^Si为式(S3)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物，摩擦耐久性能够进一步提高。

在一个方式中，本发明的表面处理剂含有R^Si为式(Sl)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物、和R^Si为式(S4)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物。通过并用R^Si为式(S1)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物、和R^Si为式(S4)所示的基团的式(1)或(2)所示的含氟硅烷化合物，摩擦耐久性能够进一步提高。

上述的式(1)或(2)所示的化合物可以通过例如本身公知的方法、例如国际公开第97/07155号、日本特表2008－534696号、日本特开2014－218639号、日本特开2017－82194号等中记载的方法来得到。

相对于表面处理剂整体，上述的式(1)或(2)所示的化合物的含量可以优选为0.01～50.0质量％，更优选为0.1～30.0质量％，进一步优选为1.0～25.0质量％，特别优选为5.0～20.0质量％。通过使上述含氟硅烷化合物的含量为上述的范围，能够得到更高的拨水拨油性。

本发明中使用的表面处理剂可以含有溶剂、可以理解为含氟油的(非反应性的)氟代聚醚化合物、优选为全氟(聚)醚化合物(以下，总称为“含氟油”)、可以理解为硅油的(非反应性的)有机硅化合物(以下，称为“硅油”)、催化剂、表面活性剂、阻聚剂、敏化剂等。

作为上述溶剂，例如可以列举：己烷、环己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、矿物油精等脂肪族烃类；苯、甲苯、二甲苯、萘、溶剂石脑油等芳香族烃类；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸正丁酯、乙酸异丙酯、乙酸异丁酯、乙酸溶纤剂、丙二醇甲醚乙酸酯、乙酸卡必醇酯、草酸二乙酯、丙酮酸乙酯、乙基－2－羟基丁酸酯、乙酰乙酸乙酯、乙酸戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3－甲氧基丙酸甲酯、3－甲氧基丙酸乙酯、2－羟基异丁酸甲酯、2－羟基异丁酸乙酯等酯类；丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、2－己酮、环己酮、甲基氨基酮、2－庚酮等酮类；乙基溶纤剂、甲基溶纤剂、甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙二醇单丁醚乙酸酯、二丙二醇二甲醚、乙二醇单烷基醚等二醇醚类；甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、叔丁醇、仲丁醇、3－戊醇、辛醇、3－甲基－3－甲氧基丁醇、叔戊醇等醇类；乙二醇、丙二醇等二醇类；四氢呋喃、四氢吡喃、二噁烷等环状醚类；N,N－二甲基甲酰胺、N,N－二甲基乙酰胺等酰胺类；甲基溶纤剂、溶纤剂、异丙基溶纤剂、丁基溶纤剂、二乙二醇单甲醚等醚醇类；二乙二醇单乙醚乙酸酯；1,1,2－三氯－1,2,2－三氟乙烷、1,2－二氯－1,1,2,2－四氟乙烷、二甲基亚砜、1,1－二氯－1,2,2,3,3－五氟丙烷(HCFC225)、ZEORORA H、HFE7100、HFE7200、HFE7300等含氟溶剂等。或者可以列举它们的2种以上的混合溶剂等。

作为含氟油，没有特别限定，例如可以列举以下通式(3)所示的化合物(全氟(聚)醚化合物)。

Rf⁵－(OC₄F₈)_a′－(OC₃F₆)_b′－(OC₂F₄)_c′－(OCF₂)_d′－Rf⁶…(3)

式中，Rf⁵表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16烷基(优选为C_1－16的全氟烷基)，Rf⁶表示可以被1个或1个以上的氟原子取代的碳原子数1～16烷基(优选为C_1－16全氟烷基)、氟原子或氢原子，Rf⁵和Rf⁶更优选分别独立地为C_1－3全氟烷基。

a′、b′、c′和d′分别表示构成聚合物的主骨架的全氟(聚)醚的4种重复单元数，相互独立地为0以上300以下的整数，a′、b′、c′和d′之和至少为1，优选为1～300，更优选为20～300。标注下标a′、b′、c′或d′且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。这些重复单元中，－(OC₄F₈)－可以为－(OCF₂CF₂CF₂CF₂)－、－(OCF(CF₃)CF₂CF₂)－、－(OCF₂CF(CF₃)CF₂)－、－(OCF₂CF₂CF(CF₃))－、－(OC(CF₃)₂CF₂)－、－(OCF₂C(CF₃)₂)－、－(OCF(CF₃)CF(CF₃))－、－(OCF(C₂F₅)CF₂)－和(OCF₂CF(C₂F₅))－的任一个，优选为－(OCF₂CF₂CF₂CF₂)－。－(OC₃F₆)－可以为－(OCF₂CF₂CF₂)－、－(OCF(CF₃)CF₂)－和(OCF₂CF(CF₃))－的任一个，优选为－(OCF₂CF₂CF₂)－。－(OC₂F₄)－可以为－(OCF₂CF₂)－和(OCF(CF₃))－的任一个，优选为－(OCF₂CF₂)－。

作为上述通式(3)所示的全氟(聚)醚化合物的例子，可以列举以下的通式(3a)和(3b)中的任一通式所示的化合物(可以为1种或2种以上的混合物)。

Rf⁵－(OCF₂CF₂CF₂)_b″－Rf⁶…(3a)

Rf⁵－(OCF₂CF₂CF₂CF₂)_a″－(OCF₂CF₂CF₂)_b″－(OCF₂CF₂)_c″－(OCF₂)_d″－Rf⁶…(3b)

这些式中，Rf⁵和Rf⁶如上所述；式(3a)中，b″为1以上100以下的整数；式(3b)中，a″和b″分别独立地为0以上30以下的整数，c″和d″分别独立地为1以上300以下的整数。标注下标a″、b″、c″、d″且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。

另外，从其它观点考虑，含氟油可以为通式Rf³－F(式中，Rf³为C_5－16全氟烷基。)所示的化合物。另外，可以为氯三氟乙烯低聚物。

上述含氟油可以具有500～10000的平均分子量。含氟油的分子量可以使用GPC进行测定。

相对于表面处理剂，含氟油可以含有例如0～50质量％、优选0～30质量％、更优选0～5质量％。在一个方式中，表面处理剂实质上不含有含氟油。所谓实质上不含有含氟油，意指完全不含有含氟油、或可以含有极微量的含氟油。

在一个方式中，可以使含氟油的平均分子量大于含氟硅烷化合物的平均分子量。通过设为这样的平均分子量，特别是在利用真空蒸镀法形成表面处理层的情况下，能够得到更优异的摩擦耐久性和表面滑动性。

在一个方式中，可以使含氟油的平均分子量小于含氟硅烷化合物的平均分子量。通过设为这样的平均分子量，能够抑制由上述化合物得到的表面处理层的透明性降低，并且形成具有高摩擦耐久性和高表面滑动性的固化物。

含氟油有助于提高由表面处理剂形成的层的表面滑动性。

作为上述硅油。例如可以使用硅氧烷键为2,000以下的直链状或环状的硅油。直链状的硅油可以是所谓的普通硅油和改性硅油。作为普通硅油，可以列举二甲基硅油、甲基苯基硅油、甲基含氢硅油。作为改性硅油，可以列举将普通硅油利用烷基、芳烷基、聚醚、高级脂肪酸酯、氟烷基、氨基、环氧基、羧基、醇等进行改性后的硅油。环状的硅油例如可以列举环状二甲基硅氧烷油等。

上述表面处理剂中，相对于上述含氟硅烷化合物的合计100质量份(为2种以上的情况下为它们的合计，以下也同样)，上述的硅油例如可以含有0～300质量份，优选含有50～200质量份。

硅油有助于提高表面处理层的表面滑动性。

作为上述催化剂，可以列举：酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、碱(例如氨、三乙胺、二乙胺等)、过渡金属(例如Ti、Ni、Sn等)等。

催化剂促进上述含氟硅烷化合物的水解和脱水缩合，促进由上述表面处理剂形成的层的形成。

作为其它成分，除上述以外，例如可以列举：四乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、3－氨基丙基三甲氧基硅烷、3－环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、甲基三乙酰氧基硅烷等。

本发明中使用的表面处理剂可以含浸于多孔物质、例如多孔的陶瓷材料、金属纤维、例如以棉状固定钢丝绒而成的物质，制成粒料。该粒料例如可以用于真空蒸镀。

上述表面处理层的厚度没有特别限定。光学部件的情况下，从光学性能、表面滑动性、摩擦耐久性和防污性的方面考虑，优选上述层的厚度为1～50nm、优选1～30nm、更优选1～15nm的范围。

上述表面处理层例如可以通过在上述中间层上形成上述表面处理剂的层，并根据需要对该层进行后处理来形成。

关于上述表面处理剂的层形成，可以通过对中间层的表面以包覆该表面的方式适用上述的表面处理剂来实施。包覆方法没有特别限定。例如可以使用湿润包覆法和干燥包覆法。

作为湿润包覆法的例子，可以列举：浸涂、旋涂、流涂、喷涂、辊涂、凹版涂敷以及类似的方法。

作为干燥包覆法的例子，可以列举：蒸镀(通常为真空蒸镀)、溅射、CVD以及类似的方法。作为蒸镀法(通常为真空蒸镀法)的具体例，可以列举电阻加热、电子束、使用微波等的高频加热、离子束以及类似的方法。作为CVD方法的具体例，可以列举：等离子体CVD、光学CVD、热CVD以及类似的方法。

进而，也可以利用常压等离子体法进行包覆。

使用湿润包覆法的情况下，上述表面处理剂可以用溶剂稀释后适用于中间层。从上述表面处理剂的稳定性和溶剂的挥发性的观点考虑，优选使用以下的溶剂：碳原子数5～12的全氟脂肪族烃(例如全氟己烷、全氟甲基环己烷和全氟－1,3－二甲基环己烷)；多氟芳香族烃(例如双(三氟甲基)苯)；多氟脂肪族烃(例如C₆F₁₃CH₂CH₃(例如旭硝子株式会社制造的ASAHIKLIN(注册商标)AC－6000)、1,1,2,2,3,3,4－七氟环戊烷(例如日本瑞翁株式会社制造的ZEORORA(注册商标)H)；氢氟醚(HFE)(例如全氟丙基甲醚(C₃F₇OCH₃)(例如住友3M株式会社制造的Novec(商标)7000)、全氟丁基甲醚(C₄F₉OCH₃)(例如住友3M株式会社制造的Novec(商标)7100)、全氟丁基乙醚(C₄F₉OC₂H₅)(例如住友3M株式会社制造的Novec(商标)7200)、全氟己基甲醚(C₂F₅CF(OCH₃)C₃F₇)(例如住友3M株式会社制造的Novec(商标)7300)等烷基全氟烷基醚(全氟烷基和烷基可以为直链或支链状)、或者CF₃CH₂OCF₂CHF₂(例如旭硝子株式会社制造的ASAHIKLIN(注册商标)AE－3000))等。这些溶剂可以单独使用或以2种以上的混合物的形式使用。其中，优选氢氟醚，特别优选全氟丁基甲醚(C₄F₉OCH₃)和/或全氟丁基乙醚(C₄F₉OC₂H₅)。

使用干燥包覆法的情况下，上述表面处理剂可以直接用于干燥包覆法，或者也可以用上述的溶剂稀释后用于干燥包覆法。

关于上述表面处理剂的层形成，优选以表面处理剂与用于水解和脱水缩合的催化剂同时存在于层中的方式实施。简便而言，利用湿润包覆法的情况下，在将上述表面处理剂用溶剂稀释之后、适用于中间层的表面之前，可以在上述表面处理剂的稀释液中添加催化剂。在利用干燥包覆法的情况下，将添加了催化剂的上述表面处理剂直接进行蒸镀(通常为真空蒸镀)处理，或者可以使用使添加了催化剂的上述表面处理剂含浸于铁、铜等的金属多孔体而形成的颗粒状物质进行蒸镀(通常为真空蒸镀)处理。

在催化剂中，可以使用任意适当的酸或碱。作为酸催化剂，可以使用例如乙酸、甲酸、三氟乙酸等。另外，作为碱催化剂，可以使用例如氨、有机胺类等。

如上所述，在中间层的表面形成源自上述表面处理剂的层，制造本发明的物品。由此得到的上述表面处理层具有高摩擦耐久性。另外，上述层除了具有高摩擦耐久性之外，虽然也取决于所使用的表面处理剂的组成，但还可以具有拨水性、拨油性、防污性(例如防止指纹等污渍附着)、防水性(防止水浸入电子部件等)、表面滑动性(或润滑性、例如指纹等污渍的擦拭性、对手指的优异的触感)等，能够适合作为功能性薄膜利用。

本发明的物品还可以是在最外层具有上述表面处理层的光学材料。

本发明的物品没有特别限定，可以为光学部件。光学部件的例子可以列举以下：眼镜等的镜片；PDP、LCD等显示器的前面保护板、防反射板、偏光片、防眩板；移动电话、便携式信息终端等设备的触摸面板片；蓝光(Blu－ray(注册商标))光盘、DVD光盘、CD－R、MO等光盘的盘面；光纤；钟表的显示面等。

另外，本发明的物品也可以是医疗设备或医疗材料。

以上，对本发明的物品进行了详细叙述。但是，本发明的物品和物品的制造方法等并不限定于上述的例示。

【实施例】

以下，对本发明的物品，通过实施例进行说明，但本发明并不限定于以下的实施例。并且，在本实施例中，以下所示的化学式全部表示平均组成，构成氟代聚醚的重复单元((CF₂CF₂CF₂O)、(CF(CF₃)CF₂O)、(CF₂CF₂O)、(CF₂O)等)的存在顺序是任意的。

制备例

使下式(平均组成)所示的含氟硅烷化合物以达到浓度20wt％的方式溶解于氢氟醚(3M公司制造、Novec HFE7200)，制备表面处理剂。

CF₃O(CF₂CF₂O)₂₀(CF₂O)₁₆CF₂CH₂OCH₂CH₂CH₂Si[CH₂CH₂CH₂Si(OCH₃)₃]₃

(其中，作为平均组成，含有(CF₂CF₂CF₂CF₂O)的重复单元0.17个和(CF₂CF₂CF₂O)的重复单元0.18个，但由于是微量而省略。)

实施例1～4

在陶瓷玻璃基材上利用电子束蒸镀(Electron Beam Deposition)以6nm的厚度蒸镀氧化铝和氧化硅层，形成中间层1。接着，在中间层1上，利用电子束蒸镀以10nm的厚度蒸镀氧化硅层，形成中间层2。接着，以规定的量蒸镀上述所制备的表面处理剂，形成表面处理剂的层。之后，将形成有表面处理剂的层的基材在温度20℃湿度65％RH的气氛下静置24小时，使表面处理剂的层固化，得到表面处理层。

比较例1

在陶瓷基材上利用电子束蒸镀(Electron Beam Deposition)以16nm的厚度蒸镀氧化硅层，形成中间层2。接着，在中间层2上，以规定的量蒸镀上述所制备的表面处理剂，形成表面处理剂的层。之后，将形成有表面处理剂的层的基材在温度20℃湿度65％RH的气氛下静置24小时，使表面处理剂的层固化，得到表面处理层。

〈评价〉

对上述所得到的带功能膜的物品，通过上述方法，以中间层表层为起点，求出11～17nm处的Al含有率(at％)。另外，对上述各例中所得到的带功能膜的物品，进行钢丝绒磨损试验。

钢丝绒磨损试验

将上述的实施例1～4和比较例1的带功能膜的物品水平配置，使钢丝绒(号#0000、尺寸10mm×10mm)与表面处理层的露出上表面接触，在其上赋予1000gf的负荷，之后，在施加有负荷的状态下使钢丝绒往返(距离：60mm、速度：40rpm)。每一定往返次数后测定水接触角。在接触角的测定值达到小于100°的时刻中止评价。将测定值达到小于100°的时刻的往返次数作为钢丝绒磨损耐久性。

[表1]

	比较例1	实施例1	实施例2	实施例3	实施例4
						Al含量(at％)	0	0.7	1.9	33.3	50.3
磨损耐久性	＜1000	2000	3000	3000	2000

工业上的可利用性

本发明的物品能够适合用于各种各样的用途、例如作为光学部件。

Claims

1.一种物品，其具有基材、位于所述基材上的中间层、以及位于所述中间层上且由含有含氟硅烷化合物的表面处理剂形成的表面处理层，所述物品的特征在于：

所述基材为含有透锂长石结晶质相和硅酸锂结晶质相的陶瓷玻璃，

所述中间层包含氧化铝和氧化硅的第一层、以及位于所述第一层上的氧化硅的第二层。

2.如权利要求1所述的物品，其特征在于：

在所述基材中，所述透锂长石结晶质相和所述硅酸锂结晶质相的合计质量大于存在于所述陶瓷玻璃中的其它结晶质相的合计质量。

3.如权利要求1或2所述的物品，其特征在于：

所述陶瓷玻璃含有以下成分：

SiO₂：55～80质量％、

Al₂O₃：2～20质量％、

Li₂O：5～20质量％、

B₂O₃：0～10质量％、

Na₂O：0～5质量％、

ZnO：0～10质量％、

P₂O₅：0.5～6质量％、以及

ZrO₂：0.2～15质量％。

4.如权利要求3所述的物品，其特征在于：

所述陶瓷玻璃还含有以下成分：

K₂O：0～4％、

MgO：0～8％、

TiO₂：0～5％、

CeO₂：0～0.4％、以及

SnO₂：0.05～0.5％。

5.如权利要求1～4中任一项所述的物品，其特征在于：

所述氧化铝为Al₂O₃，所述氧化硅为SiO₂。

6.如权利要求1～5中任一项所述的物品，其特征在于：

在所述第一层中，相对于铝和硅的合计量，铝的含量为0.5～60.0at％。

7.如权利要求1～6中任一项所述的物品，其特征在于：

在所述第一层中，相对于铝和硅的合计量，铝的含量为0.7～50.5at％。

8.如权利要求1～7中任一项所述的物品，其特征在于：

所述中间层的厚度为5nm～35nm。

9.如权利要求1～8中任一项所述的物品，其特征在于：

所述中间层的厚度为10nm～30nm。

10.如权利要求1～9中任一项所述的物品，其特征在于：

第一层的厚度相对于所述第二层的厚度的比为0.1～10。

11.如权利要求1～10中任一项所述的物品，其特征在于：

所述含氟硅烷化合物为以下式(1)或(2)所示的至少1种含氟代聚醚基的化合物，

R^F1 _α-X^A-R^Si _β (1)

R^Si _γ-X^A-R^F2-X^A-R^Si _γ (2)

式中：

R^F1在每次出现时分别独立地为Rf¹-R^F-Oq-；

R^F2为-Rf² _p-R^F-O_q-；

Rf²为可以被1个或1个以上的氟原子取代的C_l－6亚烷基；

R^F在每次出现时分别独立地为2价的氟代聚醚基；

p为0或1；

q在每次出现时分别独立地为0或1；

X^A分别独立地为单键或2～10价的有机基团；

α为1～9的整数；

β为1～9的整数；

γ分别独立地为1～9的整数。

12.如权利要求11所述的物品，其特征在于：

Rf¹在每次出现时分别独立地为C_l－16全氟烷基，

Rf²在每次出现时分别独立地为C_1－6全氟亚烷基。

13.如权利要求11或12所述的物品，其特征在于：

R^F在每次出现时分别独立地为式：－(OC₆F₁₂)_a－(OC₅F₁₀)_b－(OC₄F₈)_c－(OC₃R^Fa ₆)_d－(OC₂F₄)_e－(OCF₂)_f－所示的基团，

式中，R^Fa在每次出现时分别独立地为氢原子、氟原子或氯原子，

a、b、c、d、e和f分别独立地为0～200的整数，a、b、c、d、e和f之和为1以上，标注a、b、c、d、e或f且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的。

14.如权利要求13所述的物品，其特征在于：

R^Fa为氟原子。

15.如权利要求11～14中任一项所述的物品，其特征在于：

R^F在每次出现时分别独立地为以下式(f1)、(f2)或(f3)所示的基团，

-(OC₃F₆)_d-(OC₂F₄)_e- (f1)

式中，d为1～200的整数，e为0或1；

-(OC₄F₈)_c-(OC₃F₆)_d-(OC₂F₄)_e-(OCF₂)_f- (f2)

式中，c和d分别独立地为0～30的整数，

e和f分别独立地为1～200的整数，

c、d、e和f之和为10～200的整数，

标注下标c、d、e或f且用括号括起来的各重复单元的存在顺序在式中是任意的；

-(R⁶-R⁷)_g- (f3)

式中，R⁶为OCF₂或OC₂F₄，

g为2～100的整数。

16.如权利要求11～15中任一项所述的物品，其特征在于：

R^si为以下式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)或(S5)所示的基团，

-

-SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1 (S2)

-SiR^a1 _k1R^b1 ₁₁R^c1 _m1 (S3)

-CR^d1 _k2R^e1 ₁₂R^f1 _m2 (S4)

-NR^g1R^h1 (S5)

式中：

R¹¹在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R¹²在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

n1在每个(SiR¹¹ _n1R¹² _3-n1)单元中分别独立地为0～3的整数；

X¹¹在每次出现时分别独立地为单键或2价有机基团；

R¹³在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

t在每次出现时分别独立地为2以上的整数；

R¹⁴在每次出现时分别独立地为氢原子、卤原子或－X¹¹－SiR¹¹ _n1R¹² _3－n1；

R^a1在每次出现时分别独立地为－Z¹－SiR²¹ _p1R²² _q1R²³ _r1；

Z¹在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团；

R²¹在每次出现时分别独立地为－Z^1′－SiR^21′ _p1′R^22′ _q1′R^23′ _r1′；

R²²在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R²³在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

p1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

q1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

r1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

Z^1′在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团；

R^21′在每次出现时分别独立地为－Z^1″－SiR^22″ _q1″R^23″ _r1″；

R^22′在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R^23′在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

p1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

q1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

r1′在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

Z^1″在每次出现时分别独立地为氧原子或2价有机基团；

R^22″在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R^23″在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

q1″在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

r1″在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

R^b1在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R^c1在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

k1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

l1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

m1在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

Z²在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团，

R³²在每次出现时分别独立地为－Z³－SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2；

p2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

q2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

r2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

q2′在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

r2′在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

Z³在每次出现时分别独立地为单键、氧原子或2价有机基团；

R³⁴在每次出现时分别独立地为羟基或水解性基团；

R³⁵在每次出现时分别独立地为氢原子或1价有机基团；

n2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

R^e1在每次出现时分别独立地为－Z³－SiR³⁴ _n2R³⁵ _3－n2；

k2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

l2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

m2在每次出现时分别独立地为0～3的整数；

其中，式(S1)、(S2)、(S3)、(S4)和(S5)中，键合有羟基或水解性基团的Si原子至少存在1个。

17.如权利要求11～16中任一项所述的物品，其特征在于：

R^Si为式(S3)、(S4)或(S5)。

18.如权利要求11～17中任一项所述的物品，其特征在于：

R^Si为式(S3)或(S4)。

19.如权利要求11～18中任一项所述的物品，其特征在于：

α、β和γ为1。

20.如权利要求11～18中任一项所述的物品，其特征在于：

X^A分别独立地为3价有机基团，

α为1并且β为2，或者α为2并且β为1，

γ为2。