TW202225259A - 含有含氟聚醚基之化合物 - Google Patents

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TW202225259A
TW202225259A TW110138145A TW110138145A TW202225259A TW 202225259 A TW202225259 A TW 202225259A TW 110138145 A TW110138145 A TW 110138145A TW 110138145 A TW110138145 A TW 110138145A TW 202225259 A TW202225259 A TW 202225259A
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山下恒雄
前平健
三橋尚志
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日商大金工業股份有限公司
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Abstract

本發明之課題在於提供一種顯現出良好的磨耗耐久性之新穎結構的化合物。

本發明之解決手段為以式(I)所表示之含有含氟聚醚基之化合物。各符號係如說明書所記載者。

Description

含有含氟聚醚基之化合物
本發明係關於含有含氟聚醚基之化合物。
已知當某種含氟矽烷化合物於使用在基材的表面處理時，可提供優異的撥水性、撥油性、防污性等。由含有含氟矽烷化合物之表面處理劑所得到之層(以下亦稱為「表面處理層」)，係作為所謂功能性薄膜而被施於例如玻璃、塑膠、纖維、建築資材等各式各樣的基材。
如此之含氟化合物已知係有：於分子主鏈上具有全氟聚醚基，並且於分子末端或末端部具有鍵結於Si原子之可水解的基之含有全氟聚醚基之矽烷化合物(參照專利文獻1至2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特表2008-534696號公報
[專利文獻2] 日本國際公開第97/07155號
本揭示之目的在於提供一種顯現出良好的磨耗耐久性之新穎結構的化合物。
本揭示係提供下列[1]至[22]。
[1]
一種含有含氟聚醚基之化合物，係以式(I)所表示者；
Figure 110138145-A0202-12-0002-4
式中，
R1為以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-所表示之基，
R2為以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)αX1-所表示之基，及
R3為以RSi所表示之基，
Rn為可經1個以上的氟原子所取代之C1-6烷基；
Xb2分別獨立地為C1-5伸烷基；
n3為1至10的整數；
Xb3為O、NH或S；
α為1至9的整數；
Rf表示可經1個以上的氟原子所取代之C1-16烷基；
Xf1以(Xf11)z所表示；
Xf11為可經1個以上的氟原子所取代之C1-6伸烷基；
z為0或1；
RFE為以下列式所表示之基，
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
a、b、c、d、e及f分別獨立地為0以上200以下的整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；
RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子；
Xf2以(O)y所表示；
y在每次出現時分別獨立地為0或1，
X1在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、氮原子、硫原子、-NH-、-SO2NH-、-SO2-或2至10價有機基；
RSi在每次出現時分別獨立地為以下列式(A1)至(A5)所表示之基中的任一者，
Figure 110138145-A0202-12-0003-5
(Rb 3-m1Ra m1Si)β2Xa3-．．．(A2)
(Rf3 p3Rf2 p2Rf1 p1Si)β3Xa4-．．．(A3)
(Rg3 q3Rg2 q2Rg1 q1C)β4Xa5-．．．(A4)
(Rc1 2N)β5Xa6-．．．(A5)
Ra在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
Rb在每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至20的烷基；
m1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
Xa1、Xa3、Xa4、Xa5及Xa6在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、氮原子、硫原子、-NH-、-SO2NH-、-SO2-或2至10價有機基；
Xa2為單鍵或2價有機基；
β 1、β 2、β 3、β 4、及β 5在每次出現時分別獨立地為1至9的整數；
t在每次出現時分別獨立地為2至10的整數；
R31在每次出現時分別獨立地為氫原子或鹵素原子；
R32在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
惟於式(A1)中，至少存在一個m1為1至3之Ra m1Rb 3-m1Si-，於式(A2)中，至少存在一個m1為1至3之Ra m1Rb 3-m1Si-；
Rf1在每次出現時分別獨立地為R41 r1R42 r2R43 r3Si-Z1-；
Z1在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R41在每次出現時分別獨立地為R41' r1'R42' r2'R43' r3'Si-Z1'-；
Z1'在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R41'在每次出現時分別獨立地為R41" r1"R42" r2"Si-Z1"-；
Z1"在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R41"在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
R42"在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
r1"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r2"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
R42'在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
R43'在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
r1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r3'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
R42在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
R43在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
r1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
r3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
Rf2在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
Rf3在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
p1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
p2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
p3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
惟於式(A3)中，至少存在一個鍵結於羥基或可水解的基之Si原子；
Rg1在每次出現時分別獨立地為R51 s1R52 s2R53 s3C-Z2-；
Z2在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R51在每次出現時分別獨立地為R51' s1'R52' s2'C-Z2'-；
Z2'在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R51'在每次出現時分別獨立地為R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-；
Z3在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R51"在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
R52"在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
m1"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
R52'在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
s1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
s2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
R52在每次出現時分別獨立地為R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-；
R53在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
s1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
s2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
s3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
Rg2在每次出現時分別獨立地為R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-；
Rg3在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
q1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
q2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
q3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
惟於式(A4)中，至少存在一個m1"為1至3之R51" m1"R52" 3-m1"Si-；
Rc1在每次出現時分別獨立地為R81 t1R82 3-t1Si-Z4-；
Z4在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
R81在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
R82在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
t1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
惟於式(A5)中，至少存在一個t1為1至3之R81 t1R82 3-t1Si-。
[2]
如[1]所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，Rn為C1-3烷基。
[3]
如[1]或[2]所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，Xb2為C1-3伸烷基。
[4]
如[1]至[3]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，Xb3為O。
[5]
如[1]至[4]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，RFE在每次出現時分別獨立地為以下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)或(f5)所表示之基，
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)
式中，d為1至200的整數，e為0或1；
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
式中，c及d分別獨立地為0以上30以下的整數，e及f分別獨立地為1以上200以下的整數，
c、d、e及f之和為2以上，
標註下標c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；
-(R6-R7)g- (f3)
式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或是獨立地選自此等基之2或3個基的組合，
g為2至100的整數；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f4)
式中，e為1以上200以下的整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下的整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)
式中，f為1以上200以下的整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下的整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
[6]
如[1]至[5]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，X1在每次出現時分別獨立地為(-(R11)n16-)2N-(R12)n17-、-(R11)n18-X11-(R12)n19-或-R13-，
式中，
R11在每次出現時分別獨立地為可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n11-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基；
n11為1至20的整數；
R12在每次出現時分別獨立地為可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n12-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基；
n12為1至20的整數；
n16為0或1；
n17為0或1；
n18為0或1；
n19為0或1；
X11在每次出現時分別獨立地為-O-、-(OR61)n14-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-Si(R62)2-、-(Si(R62)2O)n15-Si(R62)2-、-NR63C(=O)-、-C(=O)NR63-、-NR63C(=O)NR63-、-NR63C(=O)O-、-O-C(=O)NR63-、-NR63-、-SO2NR63-或-SO2-；
R61在每次出現時分別獨立地為C1-6伸烷基；
n14在每次出現時分別獨立地為1至5的整數；
R62在每次出現時分別獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基；
n15在每次出現時分別獨立地為1至100的整數；
R63在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或碳數1至6的烷基；
R13表示-(CH2)n13-；
n13為1至20的整數。
[7]
如[1]至[6]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，α為2。
[8]
如[1]至[6]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，α為1。
[9]
如[1]至[8]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，Xa1、Xa3、Xa4、Xa5及Xa6在每次出現時分別獨立地為-Xb1'-(O-Xb2')n3'-Xb3'-、(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-，
式中，
Xb1'為可經1個以上的氟原子所取代之C1-4伸烷基；
Xb2'分別獨立地為C1-5伸烷基；
n3'為1至10的整數；
Xb3'為O、NH或S；
R71在每次出現時分別獨立地表示可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n23-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基；
n23在每次出現時分別獨立地為1至20的整數；
R72在每次出現時分別獨立地表示可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n24-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基；
n24在每次出現時分別獨立地為1至20的整數；
n21在每次出現時分別獨立地為0或1；
n22在每次出現時分別獨立地為0或1；
n28在每次出現時分別獨立地為0或1；
n29在每次出現時分別獨立地為0或1；
X3在每次出現時分別獨立地為-O-、-(OR74)n25-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-Si(R75)2-、-(Si(R75)2O)n26-Si(R75)2-、-NR76C(=O)-、-C(=O)NR76-、-NR76C(=O)NR76-、-NR76C(=O)O-、-O-C(=O)NR76-、-NR76-、-SO2NR76-或-SO2-；
R74在每次出現時分別獨立地為C1-6伸烷基；
n25在每次出現時分別獨立地為1至5的整數；
R75在每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基；
n26在每次出現時分別獨立地為1至100的整數；
R76在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基；
R73在每次出現時分別獨立地表示-(CH2)n27-；
n27為1至20的整數；
Y為2至6價烴基且具有矽原子及/或矽氧烷鍵。
[10]
如[1]至[9]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，m1為2或3。
[11]
如[1]至[10]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，m1為3。
[12]
如[1]至[11]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，於式(A3)中，p1為3且r2為3。
[13]
如[1]至[12]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，於式(A4)中，q2為3且m1"為3。
[14]
如[1]至[13]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，於式(A5)中，t1為3。
[15]
如[1]至[14]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，β 1、β 2、β 3、β 4及β 5為1。
[16]
如[1]至[14]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，β 1、β 2、β 3、β 4及β 5為2。
[17]
如[1]至[16]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，Rf為碳數1至16的全氟烷基。
[18]
一種表面處理劑，係含有如[1]至[17]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物。
[19]
如[18]所述之表面處理劑，其更含有溶劑。
[20]
如[18]或[19]所述之表面處理劑，其係使用作為防污性塗覆劑或防水性塗覆劑。
[21]
一種物品，係包含：基材、及於該基材的表面之由[1]至[17]中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物或[18]至[20]中任一項所述之表面處理劑所形成之層。
[22]
如[21]所述之物品，其係光學構件。
根據本發明，係提供一種顯現出良好的磨耗耐久性之新穎結構的化合物。
用於本說明書中時，所謂「烴基」係意指含有碳及氫之基，為使1個氫原子從烴脫離後之基。該烴基並無特別限定，可列舉：可經1個以上的取代基所取代之碳數1至20的烴基，例如脂肪族烴基、芳香族烴基等。上述「脂肪族烴基」可為直鏈狀、分枝鏈狀或環狀中任一者，且可為飽和及不飽和中任一者。此外，烴基可含有1個以上的環結構。又，該烴基，可於其末端或分子鏈中具有1個以上的N、O、S、Si、醯胺、磺醯基、矽氧烷、羰基、羰氧基等。
用於本說明書中時，「烴基」的取代基並無特別限定，可列舉例如選自下列之1個以上的基：鹵素原子；可經1個以上的鹵素原子所取代之C1-6烷基、C2-6烯基、C2-6炔基、C3-10環烷基、C3-10不飽和環烷基、5至10員的雜環基、5至10員的不飽和雜環基、C6-10芳基及5至10員的雜芳基。
用於本說明書中時，所謂「有機基」係意指含有碳之基。有機基並無特別限定，可為烴基。此外，所謂「2至10價有機基」係意指含有碳之2至10價基。該2至10價有機基並無特別限定，可列舉進一步使1至9個氫原子從烴基脫離後之2至10價基。例如，2價有機基並無特別限定，可列舉進一步使1個氫原子從烴基脫離後之2價基。
於本說明書中所謂「可水解的基」，用於本說明書中時，意指可接受水解反應之基，亦即，意指能夠藉由水解反應而從化合物的主骨架脫離之基。可水解的基的例子可列舉：-ORa1、-OCORa1、-O-N=CRa1 2、-NRa1 2、-NHRa1、-NCO、鹵素(此等式中，Ra1表示取代或非取代之碳數1至4的烷基)等，較佳為-ORa1(亦即烷氧基)。Ra1係包含：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基 等非取代烷基；氯甲基等取代烷基。於該等中，較佳為烷基，尤其是非取代烷基，尤佳為甲基或乙基。
於一態樣中，可水解的基為甲氧基。於其他態樣中，可水解的基為乙氧基。
本揭示之含有含氟聚醚基之化合物係以式(I)所表示。
Figure 110138145-A0202-12-0014-6
如上述式(I)般，本揭示之含有含氟聚醚基之化合物於分子結構內具有三嗪(Triazine)環。上述三嗪環為電子密度高之環結構，且於形成6員環之有機化合物中具有最小的環結構。從此內容來看，於本揭示之含有含氟聚醚基之化合物中不易發生陰離子化合物的親核取代反應，本揭示之含有含氟聚醚基之化合物即使在例如鹼條件下亦可穩定地存在。此外，藉由使三嗪環的碳-氫鍵被醚鍵或酯鍵所取代，本揭示之含有含氟聚醚基之化合物會變得不易於酸或鹼的存在下受到水解。再者，由於三嗪環的耐熱性及對於紫外線(UV)之耐久性良好，所以本揭示之含有含氟聚醚基之化合物的耐熱性及UV耐久性、以及與基材表面(例如金屬基材表面)之密著性變得良好。
於式(I)中，
R1為以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-所表示之基，
R2為以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)αX1-所表示之基，
R3為以RSi-所表示之基。又，從R1觀看時，可為於右存在R3，於左存在R2。
[以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-所表示之基]
藉由具有上述基，使用本揭示之含有含氟聚醚基之化合物所形成之層(例如表面處理層)的摩擦耐久性係提升。咸認此係因為藉由具有上述基，尤其是具有-(O-Xb2)-，基材的表面與含有含氟聚醚基之化合物之潤濕性提升，使該化合物更密著於基材，咸認該結果係有益於提升所形成之層的摩擦耐久性。再者，咸認因為具有上述基，可抑制含有含氟聚醚基之化合物彼此形成微胞(micelle)結構，其結果係可由含有含氟聚醚基之化合物來形成更均勻的層。咸認如此的層具有更良好的撥水撥油性以及摩擦耐久性。
又，若為本揭示之含有含氟聚醚基之化合物，就可抑制微胞結構的形成而言係考量如下。含有含氟聚醚基之化合物可取得：於外側存在含有多量的氟原子之以Rf-Xf1-RFE-Xf2-所表示之基的反微胞結構。咸認如本揭示之含有含氟聚醚基之化合物般含有多量的氟原子之基為較少的化合物，換言之，對含氟溶劑之親和性高的部分為較少之化合物，係特別容易形成反微胞結構。然而，咸認由於本揭示之含有含氟聚醚基之化合物係具有以-(O-Xb2)n3-所表示之基，所以可以在對含氟溶劑之親和性低的部分提高對含氟溶劑之親和性，咸認其結果係可抑制反微胞結構的形成。
Rn為可經1個以上的氟原子所取代之C1-6烷基，較佳為C1-3烷基，例如為甲基。該烷基可為直鏈狀或分枝鏈狀，較佳為直鏈狀。
Rn較佳為未經氟原子所取代之烷基。Rn較佳為直鏈或分枝鏈的C1-6烷基，例如為直鏈的C1-3烷基，更具體而言為甲基。
Xb2分別獨立地為C1-5伸烷基。於本揭示之含有含氟聚醚基之化合物中，連接分子末端的Si原子與三嗪環之連接子部分係包含作為環氧烷基之-O-Xb2-。
Xb2較佳為C1-3伸烷基，尤佳為伸乙基。
於其他態樣中，Xb2為伸丙基。
n3為1至10的整數，較佳為1至6的整數，例如為2。
Xb3為O、NH或S。
於一態樣中，Xb3為O。於一態樣中，Xb3為NH。於一態樣中，Xb3為S。
[以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)αX1-所表示之基]
藉由具有上述基，使用本揭示之含有含氟聚醚基之化合物所形成之層的撥水性、撥油性、耐化學性(例如對於鹽水、酸或鹼性水溶液、丙酮、油酸或是己烷之耐久性)、UV耐久性等可變得良好。
Rf在每次出現時獨立地表示可經1個以上的氟原子所取代之碳數1至16的烷基。
上述可經1個以上的氟原子所取代之碳數1至16的烷基中之「碳數1至16的烷基」，可為直鏈亦可為分枝鏈；較佳為直鏈或分枝鏈之碳數1至6的烷基，尤其是碳數1至3的烷基；尤佳為直鏈之碳數1至3的烷基。
上述Rf較佳為可經1個以上的氟原子所取代之碳數1至16的烷基，尤佳為CF2H-C1-15氟伸烷基，更佳為碳數1至16的全氟烷基。
該碳數1至16的全氟烷基可為直鏈亦可為分枝鏈，較佳為直鏈或分枝鏈之碳數1至6的全氟烷基，尤其是碳數1至3的全氟烷基；尤佳為直鏈之碳數1至3的全氟烷基；具體而言為-CF3、-CF2CF3或-CF2CF2CF3。
RFE為以下列式所表示之基。
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
於本說明書中，以RFE所記載之基係左邊鍵結於Xf1，右邊鍵結於Xf2。
RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子，較佳為氫原子或氟原子，尤佳為氟原子。
於RFE中，
a、b、c、d、e及f分別獨立地為0以上200以下的整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1。a、b、c、d、e及f較佳係分別獨立地為0以上100以下的整數。較佳係a、b、c、d、e及f之和為5以上，尤佳為10以上，例如為10以上100以下。標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
此等重複單元可為直鏈狀亦可為分枝鏈狀，較佳為直鏈狀。例如，-(OC6F12)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF2CF(CF3))-等，較佳為-(OCF2CF2CF2CF2CF2CF2)-。-(OC5F10)-可為-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF2CF(CF3))-等，較佳為-(OCF2CF2CF2CF2CF2)-。-(OC4F8)-可為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、- (OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及-(OCF2CF(C2F5))-中任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-(亦即於上述式中，RFa為氟原子)可為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及-(OCF2CF(CF3))-中任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2)-。此外，-(OC2F4)-可為-(OCF2CF2)-及-(OCF(CF3))-中任一者，較佳為-(OCF2CF2)-。
於一態樣中，RFE在每次出現時分別獨立地為以下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)或(f5)所表示之基，
-(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)
式中，d為1至200的整數，e為0或1；
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
式中，c及d分別獨立地為0以上30以下的整數，e及f分別獨立地為1以上200以下的整數，
c、d、e及f之和為2以上，
標註下標c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；
-(R6-R7)g- (f3)
式中，R6為OCF2或OC2F4，
R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或是獨立地選自此等基之2或3個基的組合，
g為2至100的整數；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f4)
式中，e為1以上200以下的整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下的整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；
-(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)
式中，f為1以上200以下的整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下的整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
於上述式(f1)中，d較佳為5至200，尤佳為10至100，更佳為15至50，例如為25至35的整數。上述式(f1)中的(OC3F6)較佳為以(OCF2CF2CF2)或(OCF(CF3)CF2)所表示之基，尤佳為以(OCF2CF2CF2)所表示之基。上述式(f1)中的(OC2F4)較佳為以(OCF2CF2)或(OCF(CF3))所表示之基，尤佳為以(OCF2CF2)所表示之基。於一態樣中，e為0。於其他態樣中，e為1。
於上述式(f2)中，e及f係分別獨立，較佳為5以上200以下，尤佳為10至200的整數。此外，c、d、e及f之和較佳為5以上，尤佳為10以上，例如可為15以上或20以上。於一態樣中，c、d、e及f之和為10以上200以下的整數。於一態樣中，上述式(f2)較佳為以-(OCF2CF2CF2CF2)c-(OCF2CF2CF2)d-(OCF2CF2)e-(OCF2)f-所表示之基。於其他態樣中，式(f2)可為以-(OC2F4)e-(OCF2)f-所表示之基。
於上述式(f3)中，R6較佳為OC2F4。於上述(f3)中，R7較佳為選自OC2F4、OC3F6及OC4F8之基，或是獨立地選自此等基之2或3個基的組合，尤佳為選自OC3F6及OC4F8之基。獨立地選自OC2F4、OC3F6及OC4F8之2或3個基的組合並無特別限定，可列舉例如：-OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC4F8-、-OC3F6OC2F4-、- OC3F6OC3F6-、-OC3F6OC4F8-、-OC4F8OC4F8-、-OC4F8OC3F6-、-OC4F8OC2F4-、-OC2F4OC2F4OC3F6-、-OC2F4OC2F4OC4F8-、-OC2F4OC3F6OC2F4-、-OC2F4OC3F6OC3F6-、-OC2F4OC4F8OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC2F4-、-OC3F6OC2F4OC3F6-、-OC3F6OC3F6OC2F4-及-OC4F8OC2F4OC2F4-等。於上述式(f3)中，g較佳為3以上，尤佳為5以上的整數。上述g較佳為50以下的整數。於上述式(f3)中，OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12可為直鏈及分枝鏈中任一者，較佳為直鏈。於此態樣中，上述式(f3)較佳為-(OC2F4-OC3F6)g-或-(OC2F4-OC4F8)g-。
於上述式(f4)中，e較佳為1以上100以下，尤佳為5以上100以下的整數。a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，尤佳為10以上，例如為10以上100以下。
於上述式(f5)中，f較佳為1以上100以下，尤佳為5以上100以下的整數。a、b、c、d、e及f之和較佳為5以上，尤佳為10以上，例如為10以上100以下。
於一態樣中，上述RFE為以上述式(f1)所表示之基。
於一態樣中，上述RFE為以上述式(f2)所表示之基。
於一態樣中，上述RFE為以上述式(f3)所表示之基。
於一態樣中，上述RFE為以上述式(f4)所表示之基。
於一態樣中，上述RFE為以上述式(f5)所表示之基。
於一態樣中，於RFE中，
a、b、c及d分別獨立地為0以上30以下的整數，
e及f分別獨立地為1以上200以下的整數，較佳為5以上200以下，尤佳為10以上200以下的整數，
a、b、c、d、e及f之和至少為5以上，較佳為10以上。
標註下標a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
於較佳態樣中，RFE為以式(f2)所表示之基。
-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
式中，c及d分別獨立地為0以上30以下的整數，e及f分別獨立地為1以上200以下，較佳為5以上200以下，尤佳為10以上200以下的整數，標註下標e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。更具體而言，RFE為以-(OC2F4)e-(OCF2)f-所表示之基。
於RFE中，e相對於f之比(以下稱為「e/f比」)為0.1至10，較佳為0.2至5，尤佳為0.2至2，更佳為0.2至1.5，極佳為0.2至0.85。藉由將e/f比設定為10以下，由此化合物所得到之硬化層(例如表面處理層)的平滑性、摩擦耐久性及耐化學性(例如對於人工汗之耐久性)更為提升。e/f比愈小，表面處理層的平滑性及摩擦耐久性愈提升。另一方面，藉由將e/f比設定為0.1以上，可進一步提高化合物的穩定性。e/f比愈大，化合物的穩定性愈為提升。在此時，f之值為1以上。
於一態樣中，上述e/f比較佳為0.2至0.95，尤佳為0.2至0.9。
於一態樣中，e/f比為未達0.9，較佳為0.8以下、0.7以下，亦可為0.65以下。e/f比係例如為0.2以上、0.3以上、0.4以上、0.5以上、0.55以上。e/f比係例如為0.2以上且未達0.9，具體而言為0.4以上0.8以下，更具體而言可列舉0.5以上0.8以下。藉由具有上述般的e/f比，本揭示之表面處理劑可形成具有更良好的平滑性之表面處理層。
於一態樣中，e/f比可為0.4以上0.7以下，亦可為0.5以上0.7以下，亦可為0.55以上0.7以下，亦可為0.55以上0.65以下。
於一態樣中，從耐熱性之觀點來看，上述e/f比較佳為1.0以上，尤佳為1.0以上2.0以下。
-RFE-部分的數量平均分子量並無特別限定，例如為500至30,000，較佳為1,500至30,000，尤佳為2,000至10,000。上述數量平均分子量係設定為藉由19F-NMR所測定之值。
於其他態樣中，-RFE-部分的數量平均分子量為500至30,000，較佳為1,000至20,000，尤佳為2,000至15,000，極佳為2,000至10,000，例如可為3,000至6,000。
於其他態樣中，-RFE-部分的數量平均分子量為4,000至30,000，較佳為5,000至10,000，尤佳可為6,000至10,000。
α為1至9的整數。α可因應X1的價數而改變。例如於X1為10價有機基之情形時，α為9。於X1為單鍵之情形時，α為1。
Xf1為以(Xf11)z所表示之基。又，以Xf1所記載之基的左側係鍵結於以Rf所表示之基，右側係鍵結於以PE所表示之基。
Xf11為可經1個以上的氟原子所取代之C1-6伸烷基，較佳為C1-3伸烷基，尤佳為C1-2伸烷基，例如為亞甲基。
Xf11較佳為伸烷基所含有之氫原子經氟原子所取代之伸烷基，尤佳為全氟伸烷基。Xf11可為直鏈狀，亦可具有分枝鏈。較佳係Xf11為直鏈狀。
Xf11的具體例可列舉例如：-CF2-、-C2F4-、-C3F6-、-C4F8-、-C5F10-或-C6F12-般之全氟伸烷基；-CHF-般之一部分的氫原子經氟原子所取代之氟伸烷基。
-C6F12-可為-CF2CF2CF2CF2CF2CF2-、-CF(CF3)CF2CF2CF2CF2-、-CF2CF(CF3)CF2CF2CF2-、-CF2CF2CF(CF3)CF2CF2-、-CF2CF2CF2CF(CF3)CF2-、-CF2CF2CF2CF2CF(CF3)-等，較佳為-CF2CF2CF2CF2CF2CF2-。-C5F10-可為-CF2CF2CF2CF2CF2-、-CF(CF3)CF2CF2CF2-、-CF2CF(CF3)CF2CF2-、-CF2CF2CF(CF3)CF2-、-CF2CF2CF2CF(CF3)-等，較佳為-CF2CF2CF2CF2CF2-。-C4F8-可為-CF2CF2CF2CF2-、-CF(CF3)CF2CF2-、-CF2CF(CF3)CF2-、-CF2CF2CF(CF3)-、-C(CF3)2CF2-、-CF2C(CF3)2-、-CF(CF3)CF(CF3)-、-CF(C2F5)CF2-及-CF2CF(C2F5)-中任一者，較佳為-CF2CF2CF2CF2-。-C3F6-可為-CF2CF2CF2-、-CF(CF3)CF2-及-CF2CF(CF3)-中任一者，較佳為-CF2CF2CF2-。此外，-C2F4-可為-CF2CF2-及-CF(CF3)-中任一者。
Xf1尤佳為-CF2-、-CF2CF2-或-CF(CF3)-，更佳為-CF2-或-CF2CF2-，特佳為-CF2-。
Xf2為以(O)y所表示之基。
z在每次出現時分別獨立地為0或1，y在每次出現時分別獨立地為0或1。具體而言，z為0且y為0；z為0且y為1；z為1且y為0；z為1且y為1。
較佳係z與y之合計為0或1。
又，於y為0時，以Xf2所表示之基為單鍵。於z為0時，以Xf1所表示之基為單鍵。
X1可理解為將主要提供撥水性及表面平滑性等之含有氟之聚醚部(以RFE所表示之部分)與三嗪環連結之連接子部分。因此，該X1只要是可使以式(I)所表示之化合物穩定地存在者即可，可為單鍵亦可為任意的有機基。
X1在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、氮原子、硫原子、-NH-、-SO2NH-、-SO2-或2至10價有機基。
於一態樣中，X1為-NCH3-或-SO2NCH3-。
於一態樣中，X1為氮原子。於本態樣中，上述以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)αX1-所表示之基係以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)2N-所表示。
於一態樣中，X1為2至10價有機基。
X1較佳為2至7價，尤佳為2至4價，更佳為2至3價有機基。
於一態樣中，X1可為3至10價有機基，α為2至9。
於一態樣中，X1為3價有機基，α為2。
於一態樣中，X1為2價有機基，α為1。
於一態樣中，X1在每次出現時分別獨立地為2價有機基，該2價有機基為-CONH-、-NHCO-、-NHCONH-、-OCONH-或-NHCOO-。
於一態樣中，X1在每次出現時分別獨立地為-C(=O)-、-C(=O)O-或-OC(=O)-。
於一態樣中，X1在每次出現時分別獨立地為以(-(R11)n16-)2N-(R12)n17-、-(R11)n18-X11-(R12)n19-或-R13-所表示之3價或2價有機基。
例如於X1為以(-(R11)n16-)2N-(R12)n17-所表示時，以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)αX1-所表示之基係以((Rf-Xf1-RFE-Xf2)-(R11)n16-)2N-(R12)n17-所表示；
於X1為以-(R11)n18-X11-(R12)n19-所表示時，以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)α-X1-所表示之基係以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)-(R11)n18-X11-(R12)n19-所表示；
於X1為以-R13-所表示時，以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)α-X1-所表示之基係以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)-R13-所表示。
X1較佳為以(-(R11)n16-)2N-(R12)n17-或-(R11)n18-X11-(R12)n19-所表示之基，尤佳為以-(R11)n18-X11-(R12)n19-所表示之基。
R11為鍵結於含氟聚醚基(以RFE所表示之基)側之基或鍵。於本說明書中，以R11所記載之結構的左側係鍵結於標註α並以括弧括起之基。
R11在每次出現時分別獨立地表示可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n11-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基，較佳為可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n11-，尤佳為未經氟原子所取代之-(CH2)n11-。
n11為1至20的整數，較佳為1至6的整數，尤佳為1至3的整數，更佳為1或2。
R12為鍵結於三嗪環之基或鍵。於本說明書中，以R12所記載之結構的右側係鍵結於三嗪環。
R12在每次出現時分別獨立地表示可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n12-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基，較佳為可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n12-，尤佳為未經氟原子所取代之-(CH2)n12-。
n12為1至20的整數，較佳為1至6的整數，尤佳為1至3的整數，極佳為1。
n16在每次出現時分別獨立地為0或1，n17在每次出現時分別獨立地為0或1。n16及n17的合計較佳為1以上。較佳係n16為0且n17為1或是n16為1且n17為0，尤佳係n16為1且n17為0。
n18在每次出現時分別獨立地為0或1，n19在每次出現時分別獨立地為0或1。n18及n19的合計較佳為1以上。較佳係n18為0且n19為1、或是n18為1且n19為0，尤佳係n18為1且n19為0。
X11在每次出現時分別獨立地為-O-、-(OR61)n14-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-Si(R62)2-、-(Si(R62)2O)n15-Si(R62)2-、-NR63C(=O)-、-C(=O)NR63-、-NR63C(=O)NR63-、-NR63C(=O)O-、-O-C(=O)NR63-、-NR63-、-SO2NR63-或-SO2-。
X11較佳為以-O-、-S-、-C(=O)NR63-、-NR63C(=O)O-、-NR63-所表示之基，尤佳為以-O-或-NR63-(例如-NH-)所表示之基。
又，於本說明書中，以X11所記載之結構的左側係鍵結於以R11所表示之基，右側係鍵結於以R12所表示之基。
R63在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或碳數1至6的烷基(較佳為甲基)，較佳為氫原子或甲基，尤佳為氫原子。
例如於R63為氫原子之情形時，於上述列舉的X11中，-NR63C(=O)-、-C(=O)NR63-、-NR63C(=O)NR63-、-NR63C(=O)O-或-O-C(=O)NR63-分別為-NHCO-、-CONH-、-NHCONH-、-NHCOO-或-OCONH-。
R61在每次出現時分別獨立地為C1-6伸烷基，較佳為C1-3伸烷基。
R62在每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較佳為苯基或C1-6烷基，尤佳為甲基。
n14在每次出現時分別獨立地為1至5的整數，較佳為1至3的整數，尤佳為1。
n15在每次出現時分別獨立地為1至100的整數，較佳為1至20的整數。
在此，X11的氫原子可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個以上的取代基所取代。
R13較佳係在每次出現時分別獨立地為-(CH2)n13-。在此，n13為1至20的整數，較佳為1至6的整數，尤佳為1至3的整數。
於較佳態樣中，X1為以-(R11)n18-X11-(R12)n19-所表示之基，n18為1，n19為0。X11較佳為-O-或-NH-，R11較佳為-(CH2)n11-，n11較佳為1至3的整數。n11尤佳為1或2。
X1的具體例可列舉：
單鍵、
-O-、
-CH2-O-、
-(CH2)2-O-、
-(CH2)3-O-、
-(CH2)4-O-、
-CF2CH2-O-、
-CF2(CH2)2-O-、
-CF2(CH2)3-O-、
-CF2(CH2)4-O-、
-C(=O)-、
-CH2-C(=O)-、
-C(=O)O-、
-CH2-C(=O)O-、
-OC(=O)-、
-CH2-OC(=O)-、
-C(=O)NH-、
-CH2-C(=O)NH-、
-NHC(=O)-、
-NHCH2-C(=O)-、
-NCH3C(=O)-、
-CH2-NCH3C(=O)-、
-CF2C(=O)NH-、
-CF2CH2-C(=O)NH-、
-CF2NHC(=O)-、
-CF2NHCH2-C(=O)-、
-CF2NCH3C(=O)-、
-CF2CH2-NCH3C(=O)-、
-NH-、
-CH2-NH-、
-(CH2)2-NH-、
-(CH2)3-NH-、
-(CH2)4-NH-、
CF2NH、
-CF2CH2-NH-、
-CF2(CH2)2-NH-、
-CF2(CH2)3-NH-、
-CF2(CH2)4-NH-、
-NCH3-
-CH2-NCH3-、
-(CH2)2-NCH3-、
-(CH2)3-NCH3-、
-(CH2)4-NCH3-、
-CH2-、
-(CH2)2-、
-(CH2)4-、
-(CH2)3-、
-(CH2)5-、
-(CH2)6-、
CF2CH2、
-CF2(CH2)2-、
-CF2(CH2)3-、
-CF2(CH2)4-、
-CF2(CH2)5-、
-CF2(CH2)6-、
-S-、
-CH2-S-、
-(CH2)2-S-、
-(CH2)3-S-、
-SO2NH-、
-SO2NCH3-、
-SO2-、
-NHC(=O)-O-、
-CH2NHC(=O)O-、
-CH2OC(=O)NH-、
-O-C(=O)NH-、
-NHC(=O)NH-、
-CH2NHC(=O)NH-。
惟於本說明書中，以X1所記載之結構的左側係鍵結於標註α並以括弧括起之基，右側係鍵結於三嗪環。
[以RSi-所表示之基]
藉由具有上述基，本揭示之含有含氟聚醚基之化合物有益於形成對基材的鍵結能力良好之表面處理層。以RSi-所表示之基在每次出現時分別獨立地為以式(A1)至(A5)所表示之於末端具有鍵結於羥基或可水解的基之Si原子之基中任一者。
式(A1)至(A5)：
Figure 110138145-A0202-12-0031-8
(Rb 3-m1Ra m1Si)β2Xa3-．．．(A2)
(Rf3 p3Rf2 p2Rf1 p1Si)β3Xa4-．．．(A3)
(Rg3 q3Rg2 q2Rg1 q1C)β4Xa5-．．．(A4)
(Rc1 2N)β5Xa6-．．．(A5)
以下說明式(A1)。
上述β 1為1至9的整數。β 1可因應Xa1的價數而改變。例如於Xa1為10價有機基之情形時，β 1為9。於Xa1為單鍵之情形時，β 1為1。
於一態樣中，β 1為1。於一態樣中，β 1為2。
上述Xa1係表示單鍵、氧原子、氮原子、硫原子、-NH-、-SO2NH-、-SO2-或2至10價有機基。Xa1較佳為2至7價有機基，尤佳為2至4價有機基，更佳為2價或3價有機基，亦可為2價有機基。又，於本說明書中，以Xa1所記載之結構的右側係鍵結於三嗪環。
於一態樣中，Xa1為2價有機基，該2價有機基為-CONH-、-NHCO-、-NHCONH-、-OCONH-或-NHCOO-。
於一態樣中，Xa1為-NCH3-或-SO2NCH3-。
於一態樣中，Xa1在每次出現時分別獨立地為-C(=O)-、-C(=O)O-或-OC(=O)-。
於一態樣中，Xa1為以-Xb1'-(O-Xb2')n3'-Xb3'-、(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-所表示之3價或2價有機基。
於一態樣中，Xa1為以-Xb1'-(O-Xb2')n3'-Xb3'-所表示之基。
Xb1'為可經1個以上的氟原子所取代之C1-4伸烷基。上述伸烷基可為直鏈或分枝鏈。
較佳為直鏈或分枝鏈的C1-3伸烷基，例如為直鏈的C1-3伸烷基，更具體而言為直鏈的伸丙基。
Xb1'亦可為未經氟原子所取代之伸烷基。例如，Xb1'可為-(CH2)nb'-(nb'為1-4的整數)。
Xb2'分別獨立地為C1-5伸烷基。
Xb2'較佳為C1-3伸烷基，較佳為伸乙基。
於其他態樣中，Xb2'為伸丙基。
n3'為1至10的整數，較佳為1至6整數，例如為1。
Xb3'為O、NH或S。
於一態樣中，Xb3'為O。於一態樣中，Xb3'為NH。於一態樣中，Xb3'為S。
於較佳態樣中，Xa1為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-所表示之3價或2價有機基。
例如於Xa1為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-所表示時，R71係將式(A1)中標註β 1並以括弧括起之基與Xa1所含有之氮原子連結，R72係將Xa1所含有之氮原子與式(I)中的三嗪環連結。於Xa1為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示時，R71係將式(A1)中標註β 1並以括弧括起之基與以X3所表示之基連結，R72係將以X3所表示之基與式(I)中的三嗪環連結。於Xa1為以-R73-所表示時，R73係將式(A1)中標註β 1並以括弧括 起之基與式(I)中的三嗪環連結。於Xa1為以-Y-O-所表示時，O係將Y與三嗪環連結。
Xa1較佳為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-或-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示之基。
於一態樣中，Xa1為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示之基。
於一態樣中，Xa1為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-所表示之基。
上述R71在每次出現時分別獨立地表示可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n23-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基，較佳為可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n23-，尤佳為未經氟原子所取代之-(CH2)n23-。
在此，n23在每次出現時分別獨立地為1至20的整數，較佳為1至6的整數，尤佳為1至3的整數，例如為3。於其他態樣中，n23為1或2。又，於本說明書中，以R71所記載之結構的左側係鍵結於標註β 1並以括弧括起之基。
上述R72為鍵結於三嗪環之基或鍵。於本說明書中，以R72所記載之結構的右側係鍵結於三嗪環。
R72在每次出現時分別獨立地表示可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n24-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基，較佳為可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n24-，尤佳為未經氟原子所取代之-(CH2)n24-。
n24在每次出現時分別獨立地為1至20的整數，較佳為1至6的整數，尤佳為1至3的整數，極佳為1或2。
n21為0或1，n22為0或1。n21及n22的合計較佳為1以上。較佳係n21為0且n22為1、或是n21為1且n22為0，尤佳係n21為1且n22為0。
n28為0或1，n29為0或1。n28及n29的合計較佳為1以上。較佳係n28為0且n29為1、或是n28為1且n29為0，尤佳係n28為1且n29為0。
上述X3為-O-、-(OR74)n25-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-Si(R75)2-、-(Si(R75)2O)n26-Si(R75)2-、-NR76C(=O)-、-C(=O)NR76-、-NR76C(=O)NR76-、-NR76C(=O)O-、-O-C(=O)NR76-、-NR76-、-SO2NR76-或-SO2-。
X3較佳為以-O-、-S-、-NHC(=O)O-、-O(C=O)NH-或-NR76-所表示之基，尤佳為以-O-或-NR76-(例如-NH-)所表示之基。
又，於本說明書中，以X3所記載之結構的左側係鍵結於以R71所表示之基，右側係鍵結於以R72所表示之基。
R76為氫原子、苯基或C1-6烷基(較佳為甲基)，較佳為氫原子或甲基，尤佳為氫原子。
R74在每次出現時分別獨立地為C1-6伸烷基，較佳為C1-3的伸烷基。
R75在每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基，較佳為苯基或C1-6烷基，尤佳為甲基。
n25在每次出現時分別獨立地為1至5的整數，較佳為1至3的整數，尤佳為1。
n26在每次出現時分別獨立地為1至100的整數，較佳為1至20的整數。
X3的氫原子可經選自氟原子、C1-3烷基及C1-3氟烷基之1個以上的取代基所取代。
R73較佳係在每次出現時分別獨立地為-(CH2)n27-。在此，n27為1至20的整數，較佳為1至6的整數，尤佳為1至3的整數。
上述Y為鍵結氧原子與Si原子之2至6價，較佳為2至4價，尤佳為2價有機基，亦可具有矽原子及/或矽氧烷鍵。Y較佳係具有矽原子及/或矽氧烷鍵。
具體而言，上述Y可列舉：伸乙基、伸丙基(三亞甲基、甲基伸乙基)、伸丁基(四亞甲基、甲基伸丙基)、六亞甲基等碳數2至10的伸烷基；含有伸苯基等碳數6至8的伸芳基之碳數2至8的伸烷基(例如碳數8至16的伸烷/伸芳基等)；含有二甲基亞矽基或二乙基亞矽基等二有機亞矽基之碳數2至6的伸烷基；碳數2至8的伸烷基互相經由碳數1至4的矽伸烷基結構或碳數6至10的矽伸芳基結構而鍵結之2價基；含有矽原子數2至10個，較佳為2至5個之直鏈狀、分枝狀或環狀的2至6價有機聚矽氧烷殘餘基之碳數2至6的伸烷基；碳數2至10的伸烷基鍵結於矽原子數2至10個，較佳為2至5個之直鏈狀、分枝狀或環狀的2至6價有機聚矽氧烷殘餘基的鍵結鍵之2至6價基等，較佳為：含有碳數3至10的伸烷基、伸苯基之碳數2至6的伸烷基；含有二甲基亞矽基之碳數2至6的伸烷基；碳數2至4的伸烷基互相經由碳數1至4的矽伸烷基結構或碳數6至10的矽伸芳基結構而鍵結之2價基；含有矽原子數2至10個之直鏈狀的2價有機聚矽氧烷殘餘基之碳數2至6的伸烷基；碳數2至10的伸烷基鍵結於矽原子數2至10個的直鏈狀或矽原子數3至10個的分枝狀或是環狀之2至4價有機聚矽氧烷殘餘基的鍵結鍵之2至4價基，更佳為碳數3至6的伸烷基。
Y的具體結構可列舉例如下列結構。又，於以下所例示的2價基中，以Y所記載之結構的左側係鍵結於以-Y-O-所表示之基所含有的“O”原子；於具有2個以上的鍵結鍵之基中，至少1個鍵結鍵係與標註β 1並以括弧 括起之基鍵結，至少1個鍵結鍵係鍵結於以-Y-O-所表示之基所含有的“O”原子。
Figure 110138145-A0202-12-0036-10
於一態樣中，Xa1在每次出現時分別獨立地為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-或-R73-所表示之基，較佳為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示之基。較佳係n28為1，n29為0，R71為-(CH2)n23-(n23為1至6的整數，尤佳為1至3的整數，極佳為1或2)，X3為-O-或-NR76-(例如-NH-)，R73為-(CH2)n27-(n27為1至6的整數，較佳為1至3的整數)。
於一態樣中，Xa1為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-所表示之基。R71為-(CH2)n23-，n23為1至6的整數，較佳為1至3的整數，例如為3，R72為-(CH2)n24-，n24為1至6的整數，較佳為1至3的整數，尤佳為1或2。n21為0且n22為1、或是n21為1且n22為0，較佳係n21為1且n22為0。
Xa1的具體例可列舉：
單鍵、
-O-、
-CH2-O-、
-(CH2)2-O-、
-(CH2)3-O-、
-(CH2)4-O-、
-(CH2)3-O-(CH2)2-O-、
-{CH2CH(CH3)}3-O-{CH2CH(CH3)}3-O-、
-C(=O)-、
-CH2-C(=O)-、
-C(=O)O-、
-CH2-C(=O)O-、
-OC(=O)-、
-CH2-OC(=O)-、
-C(=O)NH-、
-CH2-C(=O)NH-、
-NHC(=O)-、
-NHCH2-C(=O)-、
-NCH3C(=O)-、
-CH2-NCH3C(=O)-、
-NH-、
-CH2-NH-、
-(CH2)2-NH-、
-(CH2)3-NH-、
-(CH2)4-NH-、
-NCH3-、
-CH2-NCH3-、
-(CH2)2-NCH3-、
-(CH2)3-NCH3-、
-(CH2)4-NCH3-、
-CH2-、
-(CH2)2-、
-(CH2)3-、
-(CH2)4-、
-(CH2)5-、
-(CH2)6-、
-S-、
-CH2-S-、
-(CH2)2-S-、
-(CH2)3-S-、
-SO2NH-、
-SO2NCH3-、
-SO2-、
-NHC(=O)-O-、
-CH2NHC(=O)O-、
-CH2OC(=O)NH-、
-O-C(=O)NH-、
-NHC(=O)NH-、
-CH2NHC(=O)NH-、
Figure 110138145-A0202-12-0040-11
 惟於本說明書中，以Xa1所記載之結構的左側係鍵結於標註β 1並以括弧括起之基，右側係鍵結於三嗪環。
上述Xa2在每次出現時分別獨立地表示單鍵或2價有機基。Xa2較佳為碳數1至20的伸烷基。該C1-20伸烷基可為直鏈亦可為分枝鏈，較佳為直鏈。Xa2為單鍵或直鏈的C1-6伸烷基，較佳為單鍵或直鏈的C1-3伸烷基，尤佳為單鍵或直鏈的C1-2伸烷基，更佳為直鏈的C1-2伸烷基。
上述t分別獨立地為2至10的整數。於較佳態樣中，t為2至6的整數。
上述R31在每次出現時分別獨立地表示氫原子或鹵素原子。鹵素原子較佳為碘原子、氯原子或氟原子，尤佳為氟原子。於較佳態樣中，R31為氫原子。
上述R32在每次出現時分別獨立地表示氫原子或1價有機基，較佳為氫原子或碳數1至20的烷基，尤佳為氫原子或碳數1至6的烷基(例如甲基、乙基、丙基)，較佳為氫原子或甲基。該烷基可為直鏈亦可為分枝鏈，較佳為直鏈。
於一態樣中，R32為碳數1至6的烷基(例如甲基、乙基、丙基)。
上述Ra在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基。可水解的基係與上述同義。Ra較佳為可水解的基。
上述Rb在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為排除上述可水解的基之1價有機基。
Rb在每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至20的烷基，較佳為碳數1至6的烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
於式(A1)中，m1於每個(Ra m1Rb 3-m1Si-)單元中獨立地為0至3的整數。惟於式(A1)中，至少存在一個m1為1至3之Ra m1Rb 3-m1Si-。亦即，所有的m1不會同時為0。換言之，於式(A1)的末端部分(換言之，式(A1)之末端的RSi部分)中，至少存在一個鍵結有羥基或可水解的基之Si原子。
m1於每個(Ra m1Rb 3-m1Si-)單元中係分別獨立，較佳為1至3的整數，尤佳為2至3，更佳為3。
於式(A1)中，較佳係至少2個m1為1以上。換言之，於式(A1)中，較佳係存在有至少2個m1為1以上之Ra m1Rb 3-m1Si-。
於式(A1)中，較佳係至少存在一個m1為2或3之Ra m1Rb 3-m1Si-，尤佳係至少存在一個m1為3之Ra m1Rb 3-m1Si-。
於式(A1)中，m1較佳為1至3的整數，更佳為2或3。
尤佳係於式(A1)中，m1為3。換言之，於式(A1)中，以Ra m1Rb 3-m1Si-所表示之基係以Ra 3Si-所表示。
以下說明式(A2)。
上述β 2為1至9的整數。β 2可因應Xa3的價數而改變。例如於Xa3為10價有機基之情形時，β 2為9。於Xa3為單鍵之情形時，β 2為1。
於一態樣中，β 2為1。於一態樣中，β 2為2。
上述Xa3表示單鍵、氧原子、氮原子、硫原子、-NH-、-SO2NH-、-SO2-或2至10價有機基。
上述Xa3較佳係表示單鍵或2至10價有機基，尤佳為2至7價，更佳為2至4價，特佳為2價或3價有機基，亦可為2價有機基。又，於本說明書中，以Xa3所記載之結構的右側係鍵結於三嗪環。
Xa3並無特別限定，可列舉例如與關於Xa1所記載者為相同者。又，關於Xa3，係設定成將Xa1相關之記載的「式(A1)」替換為「式(A2)」，「β 1」替換為「β 2」者。
於一態樣中，Xa3為以-Xb1’-(O-Xb2’)n3’-Xb3’-、(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-所表示之3價或2價有機基。各符號分別與上述同義。
Xa3較佳為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-所表示之3價或2價有機基。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，Xa3為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-或-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示之基。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，Xa3為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-或-R73-所表示之基，尤佳為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示之基。較佳係n28為1，n29為0，R71為-(CH2)n23-(n23為1至6的整數，尤佳為1至3的整數，極佳為1或2)，X3為-O-或-NR76-(例如-NH-)，R73為-(CH2)n27-(n27為1至6的整數，較佳為1至3的整數)。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，Xa3為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-所表示之基。R71為-(CH2)n23-，n23為1至6的整數，較佳為1至3的整數，例如為3，R72為-(CH2)n24-，n24為1至6的整數，較佳為1至3的整數，尤佳為1或2。n21為0且n22為1、或是n21為1且n22為0，較佳係n21為1且n22為0。
Xa3的具體例可列舉：
單鍵、
-O-、
-CH2-O-、
-(CH2)2-O-、
-(CH2)3-O-、
-(CH2)4-O-、
-(CH2)3-O-(CH2)2-O-、
-{CH2CH(CH3)}3-O-{CH2CH(CH3)}3-O-、
-C(=O)-、
-CH2-C(=O)-、
-C(=O)O-、
-CH2-C(=O)O-、
-OC(=O)-、
-CH2-OC(=O)-、
-C(=O)NH-、
-CH2-C(=O)NH-、
-NHC(=O)-、
-NHCH2-C(=O)-、
-NCH3C(=O)-、
-CH2-NCH3C(=O)-、
-NH-、
-CH2-NH-、
-(CH2)2-NH-、
-(CH2)3-NH-、
-(CH2)4-NH-、
-NCH3-、
-CH2-NCH3-、
-(CH2)2-NCH3-、
-(CH2)3-NCH3-、
-(CH2)4-NCH3-、
-CH2-、
-(CH2)2-、
-(CH2)3-、
-(CH2)4-、
-(CH2)5-、
-(CH2)6-、
-S-、
-CH2-S-、
-(CH2)2-S-、
-(CH2)3-S-、
-SO2NH-、
-SO2NCH3-、
-SO2-、
-NHC(=O)-O-、
-CH2NHC(=O)O-、
-CH2OC(=O)NH-、
-O-C(=O)NH-、
-NHC(=O)NH-、
-CH2NHC(=O)NH-、
Figure 110138145-A0202-12-0046-12
 惟於本說明書中，以Xa3所記載之結構的左側係鍵結於標註β 2並以括弧括起之基，右側係鍵結於三嗪環。
於式(A2)中，m1於每個(Ra m1Rb 3-m1Si-)單元中獨立地為0至3的整數。惟於式(A2)中至少存在一個m1為1至3之Ra m1Rb 3-m1Si-。亦即，所有的m1不會同時為0。換言之，於式(A2)的末端部分(換言之，式(A2)的末端的RSi部分)係至少存在一個鍵結有羥基或可水解的基之Si原子。Ra及Rb分別與上述同義。
於式(A2)中，m1較佳為1至3，更佳為2或3。
於式(A2)中，m1尤佳為3。換言之，以Ra m1Rb 3-m1Si-所表示之基係以Ra 3Si-所表示。
以下說明式(A3)。
上述β 3為1至9的整數。β 3可因應Xa4的價數而改變。例如於Xa4為10價有機基之情形時，β 3為9。於Xa4為單鍵之情形時，β 3為1。
於一態樣中，β 3為1。於一態樣中，β 3為2。
上述Xa4係表示單鍵、氧原子、氮原子、硫原子、-NH-、-SO2NH-、-SO2-或2至10價有機基。
上述Xa4較佳係表示單鍵或2至10價有機基，尤佳為2至7價，更佳為2至4價，特佳為2價或3價有機基，亦可為2價有機基。於本說明書中，以Xa4所記載之結構的右側係鍵結於三嗪環。
Xa4並無特別限定，可列舉例如與關於Xa1所記載者為相同者。又，關於Xa4，係設定成將Xa1相關之記載的「式(A1)」替換為「式(A3)」，「β 1」替換為「β 3」者。
於一態樣中，Xa4為以-Xb1'-(O-Xb2')n3'-Xb3'-、(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-所表示之3價或2價有機基。各符號分別與上述同義。
Xa4較佳為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-所表示之3價或2價有機基。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，較佳的Xa4為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-或-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示之基。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，Xa4為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-或-R73-所表示之基，較佳為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示之基。較佳係n21為1，n22為0，R71為-(CH2)n23-(n23為1至6的整數，尤佳為1至3的整數，極佳為1或2)，X3為-O-或-NR76-(例如-NH-)，R73為-(CH2)n27-(n27為1至6的整數，較佳為1至3的整數)。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，Xa4為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-所表示之基。R71為-(CH2)n23-，n23為1至6的整數，較佳為1至3的整數，例如為3，R72為-(CH2)n24-，n24為1至6的整數，較佳為1至3的整數，尤佳為1或2。n21為0且n22為1、或是n21為1且n22為0，較佳係n21為1且n22為0。
Xa4的具體例可列舉：
單鍵、
-O-、
-CH2-O-、
-(CH2)2-O-、
-(CH2)3-O-、
-(CH2)4-O-、
-(CH2)3-O-(CH2)2-O-、
-{CH2CH(CH3)}3-O-{CH2CH(CH3)}3-O-、
-C(=O)-、
-CH2-C(=O)-、
-C(=O)O-、
-CH2-C(=O)O-、
-OC(=O)-、
-CH2-OC(=O)-、
-C(=O)NH-、
-CH2-C(=O)NH-、
-NHC(=O)-、
-NHCH2-C(=O)-、
-NCH3C(=O)-、
-CH2-NCH3C(=O)-、
-NH-、
-CH2-NH-、
-(CH2)2-NH-、
-(CH2)3-NH-、
-(CH2)4-NH-、
-NCH3-、
-CH2-NCH3-、
-(CH2)2-NCH3-、
-(CH2)3-NCH3-、
-(CH2)4-NCH3-、
-CH2-、
-(CH2)2-、
-(CH2)3-、
-(CH2)4-、
-(CH2)5-、
-(CH2)6-、
-S-、
-CH2-S-、
-(CH2)2-S-、
-(CH2)3-S-、
-SO2NH-、
-SO2NCH3-、
-SO2-、
-NHC(=O)-O-、
-CH2NHC(=O)O-、
-CH2OC(=O)NH-、
-O-C(=O)NH-、
-NHC(=O)NH-、
-CH2NHC(=O)NH-、
Figure 110138145-A0202-12-0051-13
 惟於本說明書中，以Xa4所記載之結構的左側係鍵結於標註β 3並以括弧括起之基，右側係鍵結於三嗪環。
上述Rf1在每次出現時分別獨立地為R41 r1R42 r2R43 r3Si-Z1-。
上述Z1在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。又，以Z1所記載之結構的左側係鍵結於以R41 r1R42 r2R43 r3Si-Z1-所表示之基所含有的“Si”原子。
上述Z1較佳為2價有機基，且不含與式(A3)中的分子主鏈之末端的Si原子(鍵結有Rf1之Si原子)形成矽氧烷鍵者。亦即，於式(A3)中，(Si-Z1-Si)不含矽氧烷鍵。
上述Z1較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)l11-O-(CH2)l12-(式中，l11為0至6的整數，例如為1至6的整數，l12為0至6的整數，例如為1至6的整數)或是-(CH2)l13-伸苯基-(式中，l13為0至6的整數)，尤佳為C1-3伸烷基。此等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基之1個以上的取代基所取代。
於一態樣中，Z1可為C1-6伸烷基或-(CH2)l3-伸苯基-。於Z1為上述基之情形時，耐光性可進一步提高，尤其是耐紫外線性可進一步提高。式中，l3為0至6的整數。
於上述態樣中，上述Z1較佳為C1-6伸烷基，尤佳為C1-3伸烷基。於一態樣中，Z1可為-CH2CH2CH2-。於其他態樣中，Z1可為-CH2CH2-。
上述R41在每次出現時分別獨立地為R41' r1'R42' r2'R43' r3'Si-Z1'-。
上述Z1'在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。以下，以Z1'所記載之結構的左側係鍵結於以R41' r1'R42' r2'R43' r3'Si-所表示之基的Si原子。
於較佳態樣中，Z1'為2價有機基。Z1'較佳係不含與鍵結有R41之Si原子形成矽氧烷鍵者。亦即於式(A3)中，(Si-Z1'-Si)不含矽氧烷鍵。
Z1'較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)l11'-O-(CH2)l12'-(式中，l11'為0至6的整數，例如為1至6的整數，l12'為0至6的整數，例如為1至6的整數)或是-(CH2)l13'-伸苯基-(式中，l13'為0至6的整數)，尤佳為C1-3伸烷基。此等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基之1個以上的取代基所取代。
於一態樣中，Z1'可為C1-6伸烷基或-(CH2)l3'-伸苯基-。於Z1'為上述基之情形時，耐光性可進一步提高，尤其是耐紫外線性可進一步提高。式中，l3'為0至6的整數。
於上述態樣中，上述Z1'較佳為C1-6伸烷基，尤佳為C1-3伸烷基。於一態樣中，Z1'可為-CH2CH2CH2-。於其他態樣中，Z1'可為-CH2CH2-。
上述R41'在每次出現時分別獨立地為R41" r1"R42" r2"Si-Z1"-。
上述Z1"在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。以下，以Z1"所記載之結構的左側係鍵結於以R41" r1"R42" r2"Si-所表示之基的Si原子。
於較佳態樣中，Z1"為2價有機基。Z1"較佳係不含與鍵結有R41'之Si原子形成矽氧烷鍵者。亦即於式(A3)中，(Si-Z1"-Si)不含矽氧烷鍵。
Z1"較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)l11"-O-(CH2)l12"-(式中，l11"為0至6的整數，例如為1至6的整數，l12"為0至6的整數，例如為1至6的整數)或是-(CH2)l13"-伸苯基-(式中，l13"為0至6的整數)，尤佳為C1-3伸烷基。此等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基之1個以上的取代基所取代。
於一態樣中，Z1"可為C1-6伸烷基或-(CH2)l3"-伸苯基-。於Z1"為上述基之情形時，耐光性可進一步提高，尤其是耐紫外線性可進一步提高。式中，l3"為0至6的整數。
於上述態樣中，上述Z1"較佳為C1-6伸烷基，尤佳為C1-3伸烷基。於一態樣中，Z1"可為-CH2CH2CH2-。於其他態樣中，Z1"可為-CH2CH2-。
上述R41"在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基，較佳為可水解的基。可水解的基係與上述同義。
上述R42"在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為排除上述可水解的基之1價有機基。
於R42"中，1價有機基較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
上述r1"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述r2"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。又，r1"與r2"的合計於(R41" r1"R42" r2"Si)單元中為3。
r1"於每個(R41" r1"R42" r2"Si)單元中係分別獨立，較佳為1至3的整數，尤佳為2至3，更佳為3。
上述R42'在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基，較佳為可水解的基。可水解的基係與上述同義。
上述R43'在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為排除上述可水解的基之1價有機基。
於R43'中，1價有機基較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
上述r1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述r2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述r3'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。又，r1'、r2'與r3'的合計於(R41' r1'R42' r2'R43' r3'Si)單元中為3。
於一態樣中，r1'為0。
於一態樣中，r1'於每個((R41' r1'R42' r2'R43' r3'Si)單元中可分別獨立地為1至3的整數、2至3的整數、或是3。於較佳態樣中，r1'為3。
於一態樣中，r2'於每個((R41' r1'R42' r2'R43' r3'Si)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，尤佳為3。
於一態樣中，r1'為0，r2'於每個((R41' r1'R42' r2'R43' r3'Si)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，更佳為3。
於一態樣中，於每個((R41' r1'R42' r2'R43' r3'Si)單元中分別獨立，r1'為0，r2'為1至3的整數，r3'為0至2的整數，較佳係r1'為0，r2'為2至3的整數，r3'為0至1的整數，更佳係r1'及r3'為0，r2'為3。
上述R42在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基，較佳為可水解的基。可水解的基係與上述同義。
上述R43在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為排除上述可水解的基之1價有機基。
於R43中，1價有機基較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
上述r1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述r2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述r3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。又，r1、r2與r3的合計於每個(R41 r1R42 r2R43 r3Si)單元中為3。
於一態樣中，r1為0。
於一態樣中，r1於每個(R41 r1R42 r2R43 r3Si)單元中可分別獨立地為1至3的整數、2至3的整數、或是3。於較佳態樣中，r1為3。
於一態樣中，r2於每個(R41 r1R42 r2R43 r3Si)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，尤佳為3。
於一態樣中，r1為0，r2於每個(R41 r1R42 r2R43 r3Si)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，更佳為3。
於一態樣中，於每個(R41 r1R42 r2R43 r3Si)單元中分別獨立，r1為0，r2為1至3的整數，r3為0至2的整數，較佳係r1為0，r2為2至3的整數，r3為0至1的整數，更佳係r1及r3為0，r2為3。
上述Rf2在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基，較佳為可水解的基。可水解的基係與上述同義。
上述Rf3在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為排除上述可水解的基之1價有機基。
於Rf3中，1價有機基較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
上述p1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述p2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述p3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。又，p1、p2及p3的合計於每個(Rf3 p3Rf2 p2Rf1 p1Si)單元中為3。
於一態樣中，p1為0。
於一態樣中，p1於每個(Rf3 p3Rf2 p2Rf1 p1Si)單元中可分別獨立地為1至3的整數、2至3的整數、或是3。於較佳態樣中，p1為3。
於一態樣中，於每個(Rf3 p3Rf2 p2Rf1 p1Si)單元中分別獨立，p1為1至3的整數，p2為0至2的整數，p3為0至2的整數，較佳係p1為2至3的整數，p2為0至1的整數，p3為0至1的整數，尤佳係p1為3。
於一態樣中，p2於每個(Rf3 p3Rf2 p2Rf1 p1Si)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，尤佳為3。
於一態樣中，p1為0，p2於每個(Rf3 p3Rf2 p2Rf1 p1Si)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，更佳為3。
於式(A3)中，至少存在一個鍵結於羥基或可水解的基之Si原子，較佳係存在有2個。
於較佳態樣中，以式(A3)所表示之基之末端部的至少1個為Rf3 p3Rf2 p2(R42 r2R43 r3Si-Z1-)2Si-(在此，r2及r3的合計值為3，p2與p3之合計值為1)，或是(R42 r2R43 r3Si-Z1-)3Si-(在此，r2及r3的合計值為3)，較佳為(R42 r2R43 r3Si-Z1-)3Si-(在此，r2及r3的合計值為3)。在此，r2為1至3的整數，較佳為2或3。式中，(R42 r2R43 r3Si-Z1-)的單元較佳為(R42 3Si-Z1-)。再者，於較佳態樣中，以式(A3)所表示之基的末端部可全部為(R42 r2R43 r3Si-Z1)3-Si-，尤佳為(R42 3Si-Z1)3-Si-。
於一態樣中，p1較佳為1至3的整數，尤佳為2或3，特佳為3。於本態樣中，r2較佳為1至3，尤佳為2或3，更佳為3。
於一態樣中，較佳係p1為1至3的整數，p2為0至2的整數，p3為0至2的整數，尤佳係p1為2或3，p2為0至1的整數，p3為0至1的整數，更佳係p1為3。於本態樣中，較佳為係r1為0，r2為1至3的整數，r3為0至2的整數，尤佳係r2為2或3，r3為0或1，更佳係r2為3。
於一態樣中，較佳係p1為1至3的整數且r2為2或3，尤佳係p1為2或3且r2為2或3，更佳係p1為3且r2為2或3。
於一態樣中，較佳係p1為1至3的整數，p2為0至2的整數，p3為0至2的整數，r1為0，r2為2或3，r3為0或1，尤佳係p1為2或3，p2為0或1，p3為0或1，r1為0，r2為2或3，r3為0或1，更佳係p1為3，r2為2或3，r3為0或1。
於一態樣中，較佳係p1為1至3的整數且r2為3，尤佳係p1為2或3且r2為3，更佳係p1為3且r2為3。
於一態樣中，較佳係p1為1至3的整數，p2為0至2的整數，p3為0至2的整數，且r2為3，尤佳係p1為2或3，p2為0至1的整數，p3為0至1的整數，且r2為3，更佳係p1為3且r2為3。
於一態樣中，p1為1至3的整數，Z1為2價有機基。上述Z1較佳係不含與式(A3)中的分子主鏈之末端的Si原子(鍵結有Rf1的Si原子)形成矽氧烷鍵者。尤佳者，上述Z1較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)l11-O-(CH2)l12-(式中，l11為1至6的整數，l12為1至6的整數)或是-伸苯基-(CH2)l13-(式中，l13為0至6的整數)，尤佳為C1-3伸烷基。
又，於以式(A2)所表示之化合物與以式(A3)所表示之化合物為重複之情形時，係以式(A2)所表示之化合物為優先。
以下說明式(A4)。
上述β 4為1至9的整數。β 4可因應Xa5的價數而改變。例如於Xa5為10價有機基之情形時，β 4為9。於Xa5為單鍵之情形時，β 4為1。
於一態樣中，β 4為1。於一態樣中，β 4為2。
上述Xa5表示單鍵、氧原子、氮原子、硫原子、-NH-、-SO2NH-、-SO2-或2至10價有機基。
上述Xa5較佳係表示單鍵或2至10價有機基，尤佳為2至7價有機基，更佳為2至4價有機基，特佳為2價或3價有機基，亦可為2價有機基。又，於本說明書中，以Xa5所記載之結構的右側係鍵結於三嗪環。
Xa5並無特別限定，可列舉例如與關於Xa1所記載者為相同者。又，關於Xa5，係設定成將Xa1相關之記載的「式(A1)」替換為「式(A4)」，「β 1」替換為「β 4」者。
於一態樣中，Xa5為以-Xb1'-(O-Xb2')n3'-Xb3'-、(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-所表示之3價或2價有機基。各符號分別與上述同義。
Xa5較佳為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-所表示之3價或2價有機基。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，較佳的Xa5為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-或-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示之基。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，Xa5為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-或-R73-所表示之基，較佳為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示之基。較佳係n28為1，n29為0，R71為-(CH2)n23-(n23為1至6的整數，尤佳為1至3的整數，極佳為1或2)，X3為-O-或-NR76-(例如-NH-)，R73為-(CH2)n27-(n27為1至6的整數，較佳為1至3的整數)。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，Xa5為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-所表示之基。R71為-(CH2)n23-，123為1至6的整數，較佳為1至3的整數，例如為3，R72為-(CH2)n24-，n24為1至6的整數，較佳為1至3的整數，尤佳為1或2。n21為0且n22為1或是n21為1且n22為0，較佳係n21為1且n22為0。
Xa5的具體例可列舉：
單鍵、
-O-、
-CH2-O-、
-(CH2)2-O-、
-(CH2)3-O-、
-(CH2)4-O-、
-(CH2)3-O-(CH2)2-O-、
-{CH2CH(CH3)}3-O-{CH2CH(CH3)}3-O-、
-C(=O)-、
-CH2-C(=O)-、
-C(=O)O-、
-CH2-C(=O)O-、
-OC(=O)-、
-CH2-OC(=O)-、
-C(=O)NH-、
-CH2-C(=O)NH-、
-NHC(=O)-、
-NHCH2-C(=O)-、
-NCH3C(=O)-、
-CH2-NCH3C(=O)-、
-NH-、
-CH2-NH-、
-(CH2)2-NH-、
-(CH2)3-NH-、
-(CH2)4-NH-、
-NCH3-、
-CH2-NCH3-、
-(CH2)2-NCH3-、
-(CH2)3-NCH3-、
-(CH2)4-NCH3-、
-CH2-、
-(CH2)2-、
-(CH2)3-、
-(CH2)4-、
-(CH2)5-、
-(CH2)6-、
-S-、
-CH2-S-、
-(CH2)2-S-、
-(CH2)3-S-、
-SO2NH-、
-SO2NCH3-、
-SO2-、
-NHC(=O)-O-、
-CH2NHC(=O)O-、
-CH2OC(=O)NH-、
-O-C(=O)NH-、
-NHC(=O)NH-、
-CH2NHC(=O)NH-、
Figure 110138145-A0202-12-0062-14
 惟於本說明書中，以Xa5所記載之結構的左側係鍵結於標註β 4並以括弧括起之基，右側係鍵結於三嗪環。
上述Rg1在每次出現時分別獨立地表示R51 s1R52 s2R53 s3C-Z2-。
上述Z2在每次出現時分別獨立地表示氧原子或2價有機基。以Z2所記載之結構的左側係鍵結於以R51 s1R52 s2R53 s3C-Z2-所表示之基所含有之"C"原子。
Z2較佳為2價有機基。
Z2較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)l21-O-(CH2)l22-(式中，l21為0至6的整數，例如為1至6的整數，l22為0至6的整數，例如為1至6的整數)或是-(CH2)l23-伸苯基-(式中，l23為0至6的整數)，尤佳為C1-3伸烷基。此等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基之1個以上的取代基所取代。
於一態樣中，Z2可為C1-6伸烷基或-(CH2)l23-伸苯基-。於Z2為上述基之情形時，耐光性可進一步提高，尤其是耐紫外線性可進一步提高。式中，l23為0至6的整數。
於上述態樣中，上述Z2較佳為C1-6伸烷基，尤佳為C1-3伸烷基。於一態樣中，Z2可為-CH2CH2CH2-。於其他態樣中，Z2可為-CH2CH2-
上述R51在每次出現時分別獨立地為R51' s1'R52' s2'C-Z2'-。
上述Z2'在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。以下，以Z2'所記載之結構的左側係鍵結於以R51' s1'R52' s2'C-所表示之基的C原子。
Z2'較佳為2價有機基。
Z2'較佳為C1-6伸烷基、-(CH2)l21'-O-(CH2)l22'-(式中，l21'為0至6的整數，例如為1至6的整數，l22'為0至6的整數，例如為1至6的整數)或是-(CH2)l23'-伸苯基-(式中，l23'為0至6的整數)，尤佳為C1-3伸烷基。此等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基之1個以上的取代基所取代。
於一態樣中，Z2'可為C1-6伸烷基或-(CH2)l23'-伸苯基-。於Z2'為上述基之情形時，耐光性可進一步提高，尤其是耐紫外線性可進一步提高。式中，l23'為0至6的整數。
於上述態樣中，上述Z2'較佳為C1-6伸烷基，尤佳為C1-3伸烷基。於一態樣中，Z2'可為-CH2CH2CH2-。於其他態樣中，Z2'可為-CH2CH2-。
上述R51'在每次出現時分別獨立地為R51" m1"R52" 3m1"Si-Z3-。
上述Z3在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。以下，以Z3所記載之結構的左側係鍵結於以R51" m1"R52" 3-m1"Si-所表示之基的Si原子。
於一態樣中，Z3為氧原子。
Z3較佳為2價有機基。
於較佳態樣中，Z3為C1-6伸烷基、-(CH2)l31-O-(CH2)l32-(式中，l31為0至6的整數，例如為1至6的整數，l32為0至6的整數，例如為1至6的整數)或是-(CH2)l33-伸苯基-(式中，l33為0至6的整數)。此等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基之1個以上的取代基所取代。
於一態樣中，Z3可為C1-6伸烷基或-(CH2)l33-伸苯基-。於Z3為上述基之情形時，耐光性可進一步提高，尤其是耐紫外線性可進一步提高。式中，l33為0至6的整數。
上述Z3較佳為C1-6伸烷基，尤佳為C2-3伸烷基。於一態樣中，Z3可為-CH2CH2CH2-。於其他態樣中，Z3可為-CH2CH2-。
上述R51"在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基，較佳為可水解的基。可水解的基係與上述同義。
上述R52"在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為排除上述可水解的基之1價有機基。
於R52"中，1價有機基較佳為C1-30烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
於式(A4)中，m1"於每個(R51" m1"R52" 3-m1"Si)單元中獨立地為0至3的整數。惟於式(A4)中存在有至少2個m1"為1至3之R51" m1"R52" 3-m1"Si-。亦即，於該末端部分中，所有的m1"不會同時為0。換言之，於末端部分中，至少存在一個鍵結有羥基或可水解的基之Si原子。
m1"於每個(R51" m1"R52" 3-m1"Si-)單元中係分別獨立，較佳為1至3的整數，尤佳為2至3，更佳為3。
上述R52'在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基為排除上述可水解的基之1價有機基。
於R52'中，1價有機基較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
於一態樣中，R52'為羥基。
於一態樣中，R52'為1價有機基，較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
上述s1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述s2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。又，s1'及s2'的合計於(R51' s1'R52' s2'C-)單元中為3。
S2'於每個(R51' s1'R52' s2'C-)單元中係分別獨立，較佳為1至3的整數，尤佳為2至3，更佳為3。
上述R52在每次出現時分別獨立地為R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-。R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-係與R51'的記載為同義。
上述R53在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基為排除上述可水解的基之1價有機基。
於R53中，1價有機基較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
於一態樣中，R53為羥基。
於一態樣中，R53為1價有機基，較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
上述s1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述s2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述s3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。惟於每個(R51 s1R52 s2R53 s3C-)單元中，s1、s2及s3之和為3。
於一態樣中，s1為0。
於一態樣中，s1於每個(R51 s1R52 s2R53 s3C-)單元中亦可分別獨立地為1至3的整數、2至3的整數、或是3。於較佳態樣中，s1為3。
於一態樣中，s2於每個(R51 s1R52 s2R53 s3C-)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，尤佳為3。
於一態樣中，s1為0，s2於每個(R51 s1R52 s2R53 s3C-)單元中分別獨立地為1至3的整數，較佳為2至3的整數，更佳為3。
上述Rg2在每次出現時分別獨立地為R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-。R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-係與R51"的記載為同義。
上述Rg3在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基。該1價有機基為排除上述可水解的基之1價有機基。
於上述Rg3中，1價有機基較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基。
於一態樣中，Rg3為羥基。
於其他態樣中，於Rg3中，1價有機基較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基。
上述q1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述q2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數，上述q3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數。惟於每個Rg3 q3Rg2 q2Rg1 q1C-中，q1、q2及q3之和為3。
於一態樣中，至少1個q1為1至3的整數，較佳為2或3，尤佳為3。
於一態樣中，q1為1至3的整數，較佳為2或3，尤佳為3。
於一態樣中，q2為2或3，較佳為3。於本態樣中，較佳係q1為0。
於式(A4)中，較佳係存在有至少2個鍵結於羥基或可水解的基之Si原子。亦即，於式(A4)中，較佳係存在有至少2個R52(惟於該R52中，m1"為1至3的整數)或是Rg2(惟於該Rg2中，m1"為1至3的整數)。換言之，於式(A4)中，較佳係至少2個m1"為1以上。m1"尤佳為2或3，更佳為3。藉由具有此構成，含有含氟聚醚基之化合物可形成具有更良好的紫外線耐久性、撥水性、撥油性、防污性(例如防止土壤或指紋等髒污的附著)、耐熱性、高摩擦耐久性、耐水解性、耐化學性、防濕性、防霧性等，尤其是良好的紫外線耐久性、高摩擦耐久性、耐化學性等之表面處理層。
於式(A4)中，較佳係存在有以Rg3(R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-)2C-或(R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-)3C-所表示之基，尤佳係存在有以(R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-)3C-所表示之基。在此，m1"為1至3的整數，較佳為2或3，尤佳為3。
於式(A4)中，較佳係m1"為1至3，尤佳為3。
於一態樣中，於式(A4)中，(R51" m1"R52" 3-m1"Si-)的單元為R51" 2R52"Si-或R51" 3Si-，較佳為R51" 3Si-。
於式(A4)中，較佳係q2為1至3的整數，m1"為1至3的整數。
於式(A4)中，較佳係q1為0至2的整數，q2為1至3的整數，q3為0至2的整數，m1"為1至3的整數，尤佳係q1為0至2的整數，q2為1至3的整數，q3為0至2的整數，m1"為3的整數。於本態樣中，更佳係q1為0。
於一態樣中，於式(A4)中，q2為1至3的整數，m1"為2或3，尤佳係q2為1至3的整數，m1"為3。
於一態樣中，於式(A4)中，q1為0至2的整數，q2為1至3的整數，q3為0至2的整數，m1"為2或3，尤佳係q1為0至2的整數，q2為1至3的整數，q3為0至2的整數，m1"為3。於本態樣中，更佳係q1為0。
於一態樣中，於式(A4)中，q2為2或3，m1"為1至3的整數，尤佳係q2為3，m1"為1至3的整數，更佳係q2為3，m1"為3。
於一態樣中，於式(A4)中，q1為0或1，q2為2或3，q3為0或1，m1"為1至3的整數，尤佳係q2為3，m1"為1至3的整數，特佳係q2為3，m1"為3。
於一態樣中，於RSi為以式(A4)所表示之基之情形時，m1"為1至3，較佳為2或3，尤佳為3之(R51" m1"R52" 3-m1"Si-)單元係存在有2個以上，例如2至27個，較佳為2至9個，尤佳為2至6個，更佳為2至3個，特佳為3個。
於較佳態樣中，於式(A4)中，於存在有R52'之情形時，於至少1個、較佳為全部的R52'中，m1"為1至3的整數，較佳為2或3，尤佳為3。
於較佳態樣中，於式(A4)中，於存在有R51'之情形時，於至少1個、較佳為全部的R51'中，m1"為1至3的整數，較佳為2或3，尤佳為3。
於較佳態樣中，於式(A4)中，於存在有Rg2之情形時，於至少1個、較佳為全部的Rg2中，m1"為1至3的整數，較佳為2或3，尤佳為3。
以下說明式(A5)。
上述β 5為1至9的整數。β 5可因應Xa6的價數而改變。例如於Xa6為10價有機基之情形時，β 5為9。於Xa6為單鍵之情形時，β 5為1。
於一態樣中，β 5為1。於一態樣中，β 5為2。
上述Xa6係表示單鍵、氧原子、氮原子、硫原子、-NH-、-SO2NH-、-SO2-或2至10價有機基。
上述Xa6較佳係表示單鍵或2至10價有機基，尤佳為2至7價，更佳為2至4價，特佳為2價或3價有機基，亦可為2價有機基。又，於本說明書中，以Xa6所記載之結構的右側係鍵結於三嗪環。
Xa6並無特別限定，可列舉例如與關於Xa1所記載者為相同者。又，關於Xa6，係設定成將Xa1相關之記載的「式(A1)」替換為「式(A5)」，「β 1」替換為「β 5」者。
Xa6較佳為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-所表示之3價或2價有機基。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，較佳的Xa6為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-或-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示之基。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，Xa6為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-或-R73-所表示之基，較佳為以-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示之基。較佳係n28為1，n29為0，R71為-(CH2)n23-(n23 為1至6的整數，尤佳為1至3的整數，極佳為1或2)，X3為-O-或-NR76-(例如-NH-)，R73為-(CH2)n27-(n27為1至6的整數，較佳為1至3的整數)。各符號分別與上述同義。
於一態樣中，Xa6為以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-所表示之基。R71為-(CH2)n23-，n23為1至6的整數，較佳為1至3的整數，例如為3，R72為-(CH2)n24-，n24為1至6的整數，較佳為1至3的整數，尤佳為1或2。n21為0且n22為1、或是n21為1且n22為0，較佳係n21為1且n22為0。
於一態樣中，Xa6為以-X73-所表示之基。R73係與上述同義。
於一態樣中，Xa6為單鍵。
Xa6的具體例可列舉：
單鍵、
-O-、
-CH2-O-、
-(CH2)2-O-、
-(CH2)3-O-、
-(CH2)4-O-、
-(CH2)3-O-(CH2)2-O-、
-{CH2CH(CH3)}3-O-{CH2CH(CH3)}3-O-、
-C(=O)-、
-CH2-C(=O)-、
-C(=O)O-、
-CH2-C(=O)O-、
-OC(=O)-、
-CH2-OC(=O)-、
-C(=O)NH-、
-CH2-C(=O)NH-、
-NHC(=O)-、
-NHCH2-C(=O)-、
-NCH3C(=O)-、
-CH2-NCH3C(=O)-、
-NH-、
-CH2-NH-、
-(CH2)2-NH-、
-(CH2)3-NH-、
-(CH2)4-NH-、
-NCH3-、
-CH2-NCH3-、
-(CH2)2-NCH3-、
-(CH2)3-NCH3-、
-(CH2)4-NCH3-、
-CH2-、
-(CH2)2-、
-(CH2)3-、
-(CH2)4-、
-(CH2)5-、
-(CH2)6-、
-S-、
-CH2-S-、
-(CH2)2-S-、
-(CH2)3-S-、
-SO2NH-、
-SO2NCH3-、
-SO2-、
-NHC(=O)-O-、
-CH2NHC(=O)O-、
-CH2OC(=O)NH-、
-O-C(=O)NH-、
-NHC(=O)NH-、
-CH2NHC(=O)NH-、
Figure 110138145-A0202-12-0073-15
 惟於本說明書中，以Xa6所記載之結構的左側係鍵結於標註β 5並以括弧括起之基，右側係鍵結於三嗪環。
上述Rc1在每次出現時分別獨立地為R81 t1R82 3-t1Si-Z4-。
上述Z4在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基。以Z4所記載之結構的左側係鍵結於以R81 t1R82 3-t1Si-Z4-所表示之基所含有之“Si”原子。
於一態樣中，Z4為氧原子。
Z4較佳為2價有機基。
於較佳態樣中，Z4為C1-6伸烷基、-(CH2)l41-O-(CH2)l42-(式中，l41為0至6的整數，例如為1至6的整數，l42為0至6的整數，例如為1至6的整數)或是-(CH2)l43-伸苯基-(式中，l43為0至6的整數)。此等基可經例如選自氟原子、C1-6烷基、C2-6烯基及C2-6炔基之1個以上的取代基所取代。
於一態樣中，Z4可為C1-6伸烷基或-(CH2)l43-伸苯基-。於Z4為上述基之情形時，耐光性可進一步提升，尤其是耐紫外線性可進一步提升。式中，l43為0至6的整數。
上述Z4較佳為C1-6伸烷基，尤佳為C2-3伸烷基。於一態樣中，Z4可為-CH2CH2CH2-。於其他態樣中，Z4可為-CH2CH2-。
上述R81在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基，較佳為可水解的基。可水解的基係與上述同義。
上述R82在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基。該1價有機基為排除上述可水解的基之1價有機基。
於R82中，1價有機基較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
於一態樣中，R82為氫原子。
於一態樣中，R82為1價有機基，較佳為C1-20烷基，尤佳為C1-6烷基，更佳為甲基、乙基、丙基，特佳為甲基。
上述t1於每個(R81 t1R82 3-t1Si)單元中獨立地為0至3的整數。惟於式(A5)中至少存在一個t1為1至3之R81 t1R82 3-t1Si-。亦即，於末端部分中，所有的t1不會同時為0。換言之，於末端部分中，至少存在一個鍵結有羥基或可水解的基之Si原子。
t1於每個(R81 t1R82 3-t1Si)單元中較佳係獨立地為1至3的整數，尤佳為2至3，更佳為3。
又，於以式(A5)所表示之化合物，與以式(A2)、式(A3)或式(A4)所表示之化合物為重複之情形時，係以式(A2)、式(A3)或式(A4)所表示之化合物為優先。
於一態樣中，RSi為以式(A2)、(A3)或(A4)所表示之基。此等化合物可形成具有高表面平滑性之表面處理層。
於一態樣中，RSi為以式(A1)、(A3)或(A4)所表示之基。由於此等化合物係於一末端具有複數個可水解的基，所以可形成強力地密著於基材且具有高摩擦耐久性之表面處理層。
於一態樣中，RSi為以式(A3)或(A4)所表示之基。由於此等化合物可係於一末端具有從一個Si原子或C原子所分枝之複數個可水解的基，所以可形成具有更高的摩擦耐久性之表面處理層。
於一態樣中，RSi為以式(A1)所表示之基。
於一態樣中，RSi為以式(A2)所表示之基。
於一態樣中，RSi為以式(A3)所表示之基。
於一態樣中，RSi為以式(A4)所表示之基。
於一態樣中，RSi為以式(A5)所表示之基。
於較佳態樣中，於本揭示之含有含氟聚醚基之化合物中，
R1為以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-所表示之基，
R2為以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)αX1-所表示之基，及
R3為以RSi-所表示之基。
式中，
Rn為可經1個以上的氟原子所取代之C1-6烷基，較佳為未經氟原子所取代之烷基，例如為直鏈的C1-3烷基；
Xb2為C1-3伸烷基；
n3為1至6的整數；
Xb3為O、NH或S，例如為O；
Rf表示碳數1至6的全氟烷基；
Xf1為以(Xf11)2所表示之基；
z為0；
RFE為-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-(式中，c及d分別獨立地為0以上30以下的整數，e及f分別獨立地為1以上200以下，較佳為5以上200以下，尤佳為10以上200以下的整數，c、d、e及f之和至少5以上，較佳為10以上，標註下標c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意)；
Xf2為以(O)y所表示之基；
y為0或1；
X1為-(R11)n18-X11-(R12)n19-；
R11以-(CH2)n11-所表示；
n11為1至3的整數，較佳為1或2；
n18為1；
X11為-O-或-NH-
n19為0；
RSi以式(A2)至(A5)所表示；
Xa3、Xa4或Xa5在每次出現時分別獨立地以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-所表示，於一態樣中，以(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-所表示，於其他態樣中，以-(R71)n28-X3-(R72)n29-所表示；
R71在每次出現時分別獨立地表示可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n23-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基；
n23在每次出現時分別獨立地為1至20的整數；
R72在每次出現時分別獨立地表示可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n24-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基；
n24在每次出現時分別獨立地為1至20的整數；
n21在每次出現時分別獨立地為0或1；
n22在每次出現時分別獨立地為0或1；
惟n21及n22的合計為1以上；
n28在每次出現時分別獨立地為0或1；
n29在每次出現時分別獨立地為0或1；
惟n28及n29的合計為1以上；
X3在每次出現時分別獨立地為-O-、-(OR74)n25-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-Si(R75)2-、-(Si(R75)2O)n26-Si(R75)2-、-NR76C(=O)-、-C(=O)NR76-、-NR76C(=O)NR76-、-NR76C(=O)O-、-O-C(=O)NR76-、-NR76-、-SO2NR76-或-SO2-；
R74在每次出現時分別獨立地為C1-6伸烷基；
n25在每次出現時分別獨立地為1至5的整數；
R75在每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基；
n26在每次出現時分別獨立地為1至100的整數；
R76在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或碳數1至6的烷基；
R73在每次出現時分別獨立地表示-(CH2)n27-；
n27為1至20的整數；
Y為2至6價烴基且具有矽原子及/或矽氧烷鍵；
Xa6在每次出現時分別獨立地為單鍵或R73。
[組成物]
包含本揭示之含有含氟聚醚基之化合物的組成物可含有：溶劑、含氟油、聚矽氧油、觸媒、界面活性劑、聚合抑制劑、增敏劑、溶膠-凝膠(sol-gel)、烴系聚合物、含氟聚合物、自由基捕捉劑、無機多孔質、脫水劑或脫鹵素化合物等。
上述溶劑可列舉例如：己烷、環己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、礦物精(mineral spirits)等脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯、萘、溶劑油等芳香族烴類；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸正丁酯、乙酸異丙酯、乙酸異丁酯、乙酸溶纖劑、丙二醇甲醚乙酸酯、乙酸卡必醇、草酸二乙酯、丙酮酸乙酯、丁酸乙基-2-羥酯、乙醯乙酸乙酯、乙酸戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、2-羥基異丁酸甲酯、2-羥基異丁酸乙酯等酯類；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁酮、2-己酮、環己酮、甲胺酮、2-庚酮等酮類；乙基溶纖劑、甲基溶纖劑、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、二丙二醇二甲醚、乙二醇單烷醚等二醇醚類；甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、第三 丁醇、第二丁醇、3-戊醇、辛醇、3-甲基-3-甲氧基丁醇、第三戊醇等醇類；乙二醇、丙二醇等二醇類；四氫呋喃、四氫吡喃、二噁烷(dioxane)等環狀醚類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺類；甲基溶纖劑、溶纖劑、異丙基溶纖劑、丁基溶纖劑、二乙二醇單甲醚等醚醇類；二乙二醇單乙醚乙酸酯；1,1,2-三氯-1,2,2-三氟乙烷、1,2-二氯-1,1,2,2-四氟乙烷、二甲基亞碸、1,1-二氯-1,2,2,3,3-五氟丙烷(HCFC225)、Galden HT PFPE、AE-3000、Zeorora H、HFE7100、HFE7200、HFE7300、間六氟間二甲苯、六氟苯、全氟己烷等含氟溶劑等。或是可列舉此等之2種以上的混合溶劑等。
於其他態樣中，包含本揭示之含有含氟聚醚基之化合物之組成物，可更含有選自由六氟苯、間六氟二甲苯、全氟丁基乙醚、全氟己基甲醚、Zeorora H、全氟己基甲醚、全氟己烷、丙酮、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、N-甲基-2-吡咯啶酮(N-methyl-2-pyrrolidone)及水所組成之群組的至少1種。
就可理解為含氟油之(非反應性的)氟聚醚化合物，較佳為全氟(聚)醚化合物(以下稱為「含氟油」)而言，並無特別限定，可列舉例如以下列通式(3)所表示之化合物(全氟(聚)醚化合物)。
Rf5-(OC4F8)a'-(OC3F6)b'-(OC2F4)c'-(OCF2)d'-Rf6‧‧‧(3)
式中，Rf5表示可經1個以上的氟原子所取代之碳數1至16烷基(較佳為C1-16全氟烷基)，Rf6表示可經1個以上的氟原子所取代之碳數1至16烷基(較佳為C1-16全氟烷基)、氟原子或氫原子，Rf5及Rf6尤佳係分別獨立地為C1-3全氟烷基。
a'、b'、c'及d'分別表示構成聚合物的主骨架之全氟(聚)醚的4種重複單元數，係互相獨立地為0以上300以下的整數，a'、b'、c'及d'之和至少為1，較佳 為1至300，尤佳為20至300。標註下標a'、b'、c'或d'並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
於此等重複單元中，-(OC4F8)-為-(OCF2CF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2CF2)-、-(OCF2CF(CF3)CF2)-、-(OCF2CF2CF(CF3))-、-(OC(CF3)2CF2)-、-(OCF2C(CF3)2)-、-(OCF(CF3)CF(CF3))-、-(OCF(C2F5)CF2)-及(OCF2CF(C2F5))-中任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2CF2)-。-(OC3F6)-為-(OCF2CF2CF2)-、-(OCF(CF3)CF2)-及(OCF2CF(CF3))-中任一者，較佳為-(OCF2CF2CF2)-。-(OC2F4)-為-(OCF2CF2)-及(OCF(CF3))-中任一者，較佳為-(OCF2CF2)-。
上述以通式(3)所表示之全氟(聚)醚化合物的例子，可列舉以下列通式(3a)及(3b)中任一者所表示之化合物(可為1種或2種以上的混合物)。
Rf5-(OCF2CF2CF2)b"-Rf6‧‧‧(3a)
Rf5-(OCF2CF2CF2CF2)a"-(OCF2CF2CF2)b"-(OCF2CF2)c"-(OCF2)d"-Rf6‧‧‧(3b)
此等式中，Rf5及Rf6如上述所說明；於式(3a)中，b"為1以上100以下的整數；於式(3b)中，a"及b"分別獨立地為0以上30以下的整數，c"及d"分別獨立地為1以上300以下的整數。標註下標a"、b"、c"、d"並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
此外，從其他觀點來看，含氟油可為以通式Rf3-F(式中，Rf3為C5-16全氟烷基)所表示之化合物。此外，亦可為氯三氟乙烯寡聚物。
上述含氟油可具有500至10000的平均分子量。含氟油的分子量可使用GPC來測定。
相對於本揭示之組成物，係可含有含氟油例如0至50質量%，較佳為0至30質量%，尤佳為0至5質量%。於一態樣中，本揭示之組成物實質 上不含有含氟油。所謂實質上不含有含氟油，意指完全不含有含氟油或是含有極微量的含氟油。
含氟油係有益於提升藉由本揭示之組成物所形成之層的表面平滑性。
於一態樣中，可將含氟油的平均分子量設成大於含有含氟聚醚基之化合物的平均分子量。藉由設成如此之平均分子量，可得到更優異的摩擦耐久性與表面平滑性。本態樣在藉由真空蒸鍍法來形成表面處理層之情形時係特別有利。
於一態樣中，可將含氟油的平均分子量設成小於含有含氟聚醚基之化合物的平均分子量。藉由設成如此之平均分子量，本揭示之組成物可抑制使用該組成物所形成之硬化物之透明性的降低，並且形成具有高摩擦耐久性及高表面平滑性之硬化物。
上述聚矽氧油可使用例如矽氧烷鍵為2,000以下之直鏈狀或環狀的聚矽氧油。直鏈狀的聚矽氧油可為所謂直鏈聚矽氧油(straight silicone oil)及改性聚矽氧油(modified silicone oil)。直鏈聚矽氧油可列舉二甲基聚矽氧油、甲基苯基聚矽氧油、甲基氫聚矽氧油。改性聚矽氧油可列舉藉由烷基、芳烷基、聚醚、高級脂肪酸酯、氟烷基、胺基、環氧基、羧基、醇等將直鏈聚矽氧油改性而成者。環狀的聚矽氧油可列舉例如環狀二甲基矽氧烷油等。
本揭示之組成物(例如表面處理劑)中，相對於上述本揭示之含有含氟聚醚基之化合物的合計100質量份(於2種以上之情形時為此等之合計，以下亦同)，該聚矽氧油係例如為含有0至300質量份，較佳為50至200質量份。
聚矽氧油係有益於提升表面處理層的表面平滑性。
上述觸媒可列舉：酸(例如乙酸、三氟乙酸等)、鹼(例如氨、三乙胺、二乙胺等)、過渡金屬(例如Ti、Ni、Sn等)等。
觸媒係促進本揭示之含有含氟聚醚基之化合物的水解及脫水縮合，而促進藉由本揭示之組成物(例如表面處理劑)所形成之層的形成。
就其他成分而言，在上述者之外還可列舉例如：四乙氧矽烷、甲基三甲氧矽烷、3-胺基丙基三甲氧矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧矽烷、甲基三乙醯氧矽烷等。
包含本揭示之含有含氟聚醚基之化合物的組成物可更含有：以下列式所表示之化合物；或是，於以下列式所表示之化合物中具有以R3'所表示之基之化合物中，至少將以R3'所表示之基的一部分氫矽基化，而產生之化合物。本揭示之組成物係可例如以1質量ppm至1質量%、或是10質量ppm至0.1質量%來包含以下列式所表示之化合物、或是上述之將以下列式所表示之化合物氫矽基化而產生之化合物。
Figure 110138145-A0202-12-0082-16
Figure 110138145-A0202-12-0083-17
式中，
R1為以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-所表示之基；
R2為以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)α-X1-所表示之基；
R3'在每次出現時分別獨立地為於末端具有-CH=CH2之1價有機基，較佳為藉由氫矽基化而成為以RSi所表示之基的基。以R1、R2所表示之基中的各記號分別與上述同義。
於一態樣中，本揭示之組成物可更含有：含有Pt、Pd、Rh、Na、K、Ca、Mg、Zn、Fe、Cu、Al等之金屬、金屬氧化物或金屬鹽；含有Si之化合物、氧化物或鹽。本揭示之組成物可於本揭示之組成物中，含有例如10質量ppb至1質量%或100質量ppb至0.1質量%之金屬、金屬氧化物或其鹽。
於一態樣中，本揭示之組成物可更含有有機胺或其鹽酸鹽。
本揭示之組成物可含有例如1質量ppm至1質量%或10質量ppm至0.1質量%之有機胺或其鹽。
[製造方法]
接著說明本揭示之含有含氟聚醚基之化合物之製造方法的一例。惟本揭示之含有含氟聚醚基之化合物的製造方法並不限定於下列內容。
本揭示的例示之含有含氟聚醚基之化合物的製造方法係包含下列工序。
工序(1)：
使以下列式(II)所表示之化合物與HSiM2 3、及因應期望之以Ra' k1L'所表示之化合物、及/或以式：Rb' k2L"所表示之化合物進行反應，而得到以式(I)所表示之化合物之工序，
Figure 110138145-A0202-12-0084-18
Figure 110138145-A0202-12-0084-19
 各記號係如後述。
本揭示之含有含氟聚醚基之化合物的製造方法係可在工序(I)之前更包含下列工序。
工序(2)：
使以下列式(III)所表示之化合物與以Rf-Xf1-RFE-Xf2-X1-G所表示之化合物、以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-G'所表示之化合物以及以(CH2=CH-) β'X"-G"所表示之化合物進行反應，而得到以式(II)所表示之化合物之工序，
Figure 110138145-A0202-12-0085-20
Figure 110138145-A0202-12-0085-21
 各記號係如後述。
以下係詳細地說明各工序。
(工序(1))
工序(1)係使以式(II)所表示之化合物與HSiM2 3、及因應期望之以Ra' k1 L'所表示之化合物、及/或以式：Rb' k2 L"所表示之化合物進行反應，而得到以式(I)所表示之化合物之工序，
Figure 110138145-A0202-12-0085-22
Figure 110138145-A0202-12-0085-23
 。
R3'-為以(CH2=CH-) β'X"-所表示之基。
又，R1及R2並未參與工序(1)中的反應。因此，式(II)中的R1及R2分別相當於式(I)中的R1及R2。
X"係成為連接三嗪環與Si原子之連接子部分的一部分。
以(CH2=CH-) β'X"-所表示之基例如於上述以式(A2)所表示之基中係對應於Xa3。此基係藉由經過工序(1)而成為以RSi-所表示之基。
β'在每次出現時分別獨立地為1至9的整數，並對應於式(A1)、(A2)、(A3)及(A4)中的β 1、β 2、β 3及β 4。例如β'為1。於其他例子中，β'為2。
Ra'為羥基或可水解的基。Rb'為氫原子或1價有機基。Ra'及Rb'係鍵結於Si原子而存在。例如於上述以式(A1)所表示之基或以式(A2)所表示之基中，Ra'相當於Ra，Rb'相當於Rb。
L'在每次出現時分別獨立地表示可與Ra'鍵結之基。
k1在每次出現時分別獨立地為1至3的整數。
L"在每次出現時分別獨立地表示可與Rb'鍵結之基。
k2在每次出現時分別獨立地為1至3的整數。
以式(II)所表示之化合物亦可為於後述工序(2)中所得到之化合物。
藉由使以式(II)所表示之化合物與HSiM2 3進行反應，以CH2=CH-所表示之基係被轉換為以SiM2 3-CH2CH2-所表示之基。
M2在每次出現時分別獨立地為鹵素原子(亦即I、Br、Cl、F)或C1-6烷氧基，較佳為Cl。該化合物可為市售品，或是使用該技術領域中的通常技術而由市售的化合物來製造。
相對於上述以式(II)所表示之化合物的末端CH2=CH-基(於使用2種以上的化合物之情形時為其合計，以下亦同)1莫耳，HSiM2 3的量為1莫耳以上即可，較佳為2莫耳。
於上述反應中，於使用以Ra' k1L'所表示之化合物之情形時，其使用量可因應欲導入之Ra'基的量來改變，如此之量對所屬技術領域中具通常知識者而言是可以適當地決定的。
於上述反應中，於使用以Rb' k2L"所表示之化合物之情形時，其使用量可因應欲導入之Rb'基的量來改變，如此之量對所屬技術領域中具通常知識者而言是可以適當地決定的。
於工序(1)的反應中，首先使以上述式(II)所表示之化合物的末端CH2=CH-基與HSiM2 3進行反應，使末端被轉換為SiM2 3-CH2CH2-基。接著使此末端SiM2 3-CH2CH2-基與以Ra' k1L'所表示之化合物及/或以Rb' k2L"所表示之化合物進行反應，使M2經Ra'或Rb'所取代。又，以Ra' k1L'所表示之化合物及以Rb' k2L"所表示之化合物係可同時或個別地進行反應。
然而，於本揭示之一態樣中，亦可將HSiM2 3、以Ra' k1L'所表示之化合物及以Rb' k2L"所表示之化合物使用作為以HSi(Ra' k1)(Rb' k2)(在此情形時，k1+k2為3)所表示之化合物。以HSi(Ra' k1)(Rb' k2)所表示之化合物對所屬技術領域中具通常知識者而言，可使用該技術領域中的通常技術來製造。
於其他態樣中，係將工序(1)中之以Ra' k1L'所表示之化合物及/或以Rb' k2L"所表示之化合物之使用量的合計，設定為相對於上述以式(II)所表示之化合物的末端CH2=CH-基1莫耳為3莫耳以上。根據該態樣，實質上可藉由所有的Ra'或Rb'來取代在工序(1)的反應中所產生之末端SiM2 3-CH2CH2-的M2。
再者，於其他態樣中，係將工序(1)中之以Ra' k1L'所表示之化合物及/或以Rb' k2L"所表示之化合物之使用量的合計，設定成相對於上述以式(II)所表示之化合物的末端CH2=CH-基1莫耳為0以上且未達3莫耳。根據該態樣，於工序(1)的反應中所產生之末端SiM2 3-CH2CH2-之M2的全部或數個係可未經Ra'或Rb'所取代而殘留。藉由將如此地殘留之M-Si部分與以式：Hal-J-Z'-CH=CH2(式中，Hal表示鹵素原子，J表示Mg、Cu或Zn，Z'表示鍵或2價有機基)所表示之化合物進行反應，可再次將末端部分形成為CH2=CH-，而付諸於與工序(1)相同之反應。藉由重複進行此操作，可經由連接(linker)部使Si原子呈樹狀地連結於上述以式(II)所表示之化合物的末端。
工序(1)的反應係可在適當之觸媒的存在下，於適當的溶劑中進行。
適當的觸媒並無特別限定，可列舉例如Pt、Pd、Rh等。該觸媒可為任意的型態，例如錯合物的型態。
就適當的溶劑而言，只要是不會對反應帶來不良影響之溶劑，就無特別限定，可列舉例如：六氟苯、間六氟二甲苯、全氟丁基乙醚、全氟己基甲醚、Zeorora H、全氟己基甲醚、全氟己烷等。
該反應中的反應溫度並無特別限定，通常為0至100℃，較佳為常溫至80℃；反應時間並無特別限定，通常為60至600分鐘，較佳為120至300分鐘；反應壓力並無特別限定，為-0.2至1MPa(計示壓)，簡便上為常壓。
於本說明書中所謂常溫，係表示例如0至40℃。
於式(I)中，R1、R2及R3分別與上述同義。
(工序(2))
工序(2)係使以下列式(III)所表示之化合物與Rf-Xf1-RFE-Xf2-X1-G所表示之化合物、以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-G'所表示之化合物以及以(CH2=CH-) β'X"-G"所表示之化合物進行反應，而得到以式(II)所表示之化合物之工序，
Figure 110138145-A0202-12-0089-24
Figure 110138145-A0202-12-0089-25
 。
M1在每次出現時分別獨立地為鹵素原子(亦即I、Br、Cl、F，較佳為Cl)；
R1、R2及R3'係如工序(1)中所記載者。
於工序(2)中，
Rf、Xf1、RFE、Xf2、X1、Rn、Xb2、n3、Xb3、X"及β'分別與上述同義；
G在每次出現時分別獨立地為羥基或NH2-；
G'及G"在每次出現時分別獨立地為NH2-、羥基或SH-。
於工序(2)中，以Rf-Xf1-RFE-Xf2-X1-G所表示之化合物、以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-G'所表示之化合物及以(CH2=CH-) β'X"-G"所表示之化合物的使用量可適 當地改變，如此之量對所屬技術領域中具通常知識者而言是可以適當地決定的。
於一態樣中，工序(2)可使用：相對於以式(III)所表示之化合物1莫耳，為1莫耳之以Rf-Xf1-RFE-Xf2-G所表示之化合物，1莫耳之以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-G'所表示之化合物以及1莫耳之以(CH2=CH-) β'X"-G"所表示之化合物。
工序(2)的反應較佳係在適當之觸媒的存在下於適當的溶劑中進行。
適當的觸媒較佳係使用鹼性的化台物，可列舉例如：三級胺、具有胺基之雜環式化合物等胺系觸媒；鉀、鈉、銫等鹽類，具體可列舉：二異丙基乙胺、三乙胺、DBU(二氮雜雙環十一烯；diazabicycloundecene)、吡啶、2,6-二甲基吡啶(2,6-lutidine)、碳酸鉀、碳酸鈉、碳酸銫、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀等。
於一態樣中，上述觸媒為三級胺。
就適當的溶劑而言，只要是不會對反應帶來不良影響之溶劑，就無特別限定，可使用例如烴系溶劑、含氟溶劑等，具體而言可使用：六氟苯、間六氟二甲苯、全氟丁基乙醚、全氟己基甲醚、Zeorora H、全氟己基甲醚、全氟己烷、丙酮、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、N-甲基-2-吡咯啶酮、水等。
該反應中的反應溫度並無特別限定，通常為0至100℃，較佳為常溫至80℃，反應時間並無特別限定，通常為60至600分鐘，較佳為120至300分鐘，反應壓力並無特別限定，為-0.2至1MPa(計示壓)，簡便上為常壓。
於一態樣中，工序(2)係可如下列方式來實施。
工序(2-1)：使以下列式(III)所表示之化合物與Rf-Xf1-RFE-Xf2-X1-G所表示之化合物進行反應，而將以M1所表示之基轉換為以Rf-Xf1-RFE-Xf2-X1-所表示之基之工序，
Figure 110138145-A0202-12-0091-26
 ；
工序(2-2)：使工序(2-1)中所得到之化合物與以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-G'所表示之化合物進行反應，而將以M1所表示之基轉換為以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-所表示之基之工序；以及
工序(2-3)：使工序(2-2)中所得到之化合物與以(CH2=CH-) β'X"-G"所表示之化合物進行反應，而將以M1所表示之基轉換為以(CH2=CH-) β'X"-所表示之基之工序。
於上述工序(2-1)中，以M'所表示之基的1個係被轉換為以Rf-Xf1-RFE-Xf2-X1-所表示之基；於上述工序(2-2)中，以M'所表示之基的1個係被轉換為以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-所表示之基；於上述工序(2-3)中，以M'所表示之基的1個係被轉換為以(CH2=CH-) β'X"-所表示之基。
上述工序(2-1)可在適當之觸媒的存在下於適當的溶劑中進行。例如可使用工序(2)中所記載之觸媒及溶劑。
上述工序(2-1)中的反應溫度並無特別限定，通常為0至100℃，例如可在室溫(具體而言為10至30℃)下進行；反應時間並無特別限定，通常為 60至600分鐘，亦可視需要而例如為24小時；反應壓力並無特別限定，為-0.2至1MPa(計示壓)，簡便上為常壓。
上述工序(2-2)可在適當之觸媒的存在下於適當的溶劑中進行。例如可使用工序(2)中所記載之觸媒及溶劑。
上述工序(2-2)中的反應溫度並無特別限定，通常為0至100℃，例如可在常溫至80℃下進行；反應時間並無特別限定，通常為60至600分鐘；反應壓力並無特別限定，為-0.2至1MPa(計示壓)，簡便上為常壓。
上述工序(2-3)可在適當之觸媒的存在下於適當的溶劑中進行。例如可使用工序(2)中所記載之觸媒及溶劑。
上述工序(2-3)中的反應溫度並無特別限定，通常為0至100℃，例如可在常溫至80℃下進行；反應時間並無特別限定，通常為60至600分鐘；反應壓力並無特別限定，為-0.2至1MPa(計示壓)，簡便上為常壓。
再者，可視需要來進行反應液的濃縮工序、洗淨工序等。
以上係說明本揭示之含有聚醚基之化合物的製造方法。本揭示之含有聚醚基之化合物的製造方法並不限定於上述所例示之製造方法。
本揭示之組成物可使用作為進行基材的表面處理之表面處理劑。
本揭示之組成物(例如表面處理劑)可含浸於將多孔質物質(例如多孔質的陶瓷材料)、金屬纖維(例如將鋼絲絨作成棉狀者)，而作成顆粒。該顆粒可使用在例如真空蒸鍍。
[物品]
以下說明本揭示之物品。
本揭示之物品係包含基材、及於該基材表面之由本揭示之含有聚醚基之化合物或包含本揭示之含有聚醚基之化合物之組成物(表面處理劑)(以下僅以「本揭示之表面處理劑」代表此等)所形成之層(表面處理層)。
本揭示中可使用之基材係可由例如玻璃、樹脂(天然或合成樹脂，例如可為一般的塑膠材料，且可為板狀、膜、其他型態)、金屬、陶瓷、半導體(矽、鍺等)、陶瓷器、石材等、建築構件等任意適當的材料所構成。
例如於所要製造的物品為光學構件之情形時，構成基材的表面之材料可為光學構件用材料，例如玻璃或透明塑膠等。此外，於所要製造的物品為光學構件之情形時，於基材的表面(最外層)可形成某種層(或膜)，例如硬塗層或抗反射層等。抗反射層係使用單層抗反射層及多層抗反射層中之任意種皆可。可使用在抗反射層之無機物的例子可列舉：SiO2、SiO、ZrO2、TiO2、TiO、Ti2O3、Ti2O5、Al2O3、Ta2O5、CeO2、MgO、Y2O3、SnO2、MgF2、WO3等。此等無機物可單獨或組合此等的2種以上(例如為混合物)而使用。在構成為多層抗反射層之情形時，於該多層抗反射層之最外層較佳係使用SiO2及/或SiO。於所要製造的物品為觸控面板用的光學玻璃零件之情形時，可在基材(玻璃)之表面的一部分上具有透明電極[例如使用了氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅等之薄膜]。此外，基材可因應其具體的規格等而具有絕緣層、黏著層、保護層、裝飾框層(I-CON)、霧化膜層、硬塗膜層、偏光膜、相位差膜及液晶顯示模組等。
基材的形狀並無特別限定。此外，應形成表面處理層之基材的表面區域只要是基材表面的至少一部分即可，可因應所要製造之物品的用途及具體的規格等來適當地決定。
該基材可為至少其表面部分由原先即具有羥基之材料所構成者。該材料可列舉玻璃，此外，可列舉於表面上形成有自然氧化膜或熱氧化膜之金屬(尤其是卑金屬)、陶瓷、半導體等。或是在如樹脂等般雖具有羥基但並不足之情形時，或是原先即不具有羥基之情形時，可藉由對基材施以某種前處理而在基材的表面導入羥基或增加羥基量。該前處理的例子可列舉電漿處理(例如電暈放電)或離子束照射。由於電漿處理能夠在基材表面導入羥基或增加羥基量，並且潔淨基材表面(去除雜質等)，因此亦可適合地應用。此外，該前處理的其他例子可列舉：藉由LB法(Langmuir-Blodgett法)或化學吸附法等，將具有碳-碳不飽和鍵基之界面吸附劑預先以單分子膜的型態形成於基材表面，然後在含有氧或氮等之氣體環境下將不飽和鍵開裂之方法。
或者，該基材亦可為至少其表面部分由具有1個以上的其他反應性基(例如Si-H基)之聚矽氧化合物、或是含有烷氧矽烷之材料所構成者。
接著在該基材的表面形成上述本揭示之表面處理劑的層，然後視需要對此層進行後處理，藉此形成由本揭示之表面處理劑所構成之層。
本揭示之表面處理劑的層形成可藉由將上述組成物對基材的表面以被覆該表面之方式，應用在基材的表面而實施。被覆方法並無特別限定。例如可使用濕潤被覆法及乾燥被覆法。
濕潤被覆法的例子可列舉：浸漬塗覆、旋轉塗覆、流動塗覆、噴霧塗覆、輥塗覆、凹版塗覆及類似的方法。
乾燥被覆法的例子可列舉：蒸鍍(通常是真空蒸鍍)、濺鍍、CVD及類似的方法。蒸鍍法(通常是真空蒸鍍法)的具體例可列舉：電阻加熱、電子 束、使用微波等之高頻加熱、離子束及類似的方法。CVD方法的具體例可列舉：電漿CVD、光學CVD、熱CVD及類似的方法。
再者，亦可為藉由常壓電漿法之被覆。
於使用濕潤被覆法之情形時，本揭示之表面處理劑可在經溶劑稀釋後應用在基材表面上。從本揭示之組成物的穩定性及溶劑的揮發性之觀點來看，係適合使用下列溶劑：碳數5至12的全氟脂肪族烴(例如全氟己烷、全氟甲基環己烷及全氟-1,3-二甲基環己烷)；聚氟芳香族烴[例如雙(三氟甲基)苯]；聚氟脂肪族烴[例如C6F13CH2CH3(例如旭硝子股份有限公司製的Asahiklin(註冊商標)AC-6000)、1,1,2,2,3,3,4-七氟環戊烷(例如Zeon Japan股份有限公司製的Zeorora(註冊商標)H]；氫氟醚(HFE)[例如全氟丙基甲醚(C3F7OCH3)(例如住友3M股份有限公司製的Novec(商標)7000)、全氟丁基甲醚(C4F9OCH3)(例如住友3M股份有限公司製的Novec(商標)7100)、全氟丁基乙醚(C4F9OC2H5)(例如住友3M股份有限公司製的Novec(商標)7200)、全氟己基甲醚(C2F5CF(OCH3)C3F7)(例如住友3M股份有限公司製的Novec(商標)7300)等烷基全氟烷醚(全氟烷基及烷基可為直鏈或分枝狀)、或是CF3CH2OCF2CHF2(例如旭硝子股份有限公司製的Asahiklin(註冊商標)AE-3000)]等。此等溶劑可單獨或作為2種以上的混合物而使用。其中，較佳為氫氟醚，特佳為全氟丁基甲醚(C4F9OCH3)及/或全氟丁基乙醚(C4F9OC2H5)。
於使用乾燥被覆法之情形時，本揭示之表面處理劑可直接付諸乾燥被覆法，或是在經上述溶劑稀釋後付諸乾燥被覆法。
表面處理劑的層形成，較佳係以在層中同時存在使本揭示之表面處理劑與用於水解及脫水縮合之觸媒之方式來實施。簡便上，於藉由濕潤被覆法之情形時，可在以溶劑來稀釋本揭示之表面處理劑後，於應用在基材表面不 久前將觸媒添加於本揭示之表面處理劑的稀釋液。於藉由乾燥被覆法之情形時，可將添加有觸媒之本揭示之表面處理劑直接進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理，或是將添加有觸媒之本揭示之表面處理劑含浸於鐵或銅等金屬多孔體形成顆粒狀物質，而使用此顆粒狀物質來進行蒸鍍(通常為真空蒸鍍)處理。
觸媒可使用任意適當的酸或鹼。酸觸媒可使用例如乙酸、甲酸、三氟乙酸等。此外、鹼觸媒可使用例如氨、有機胺類、有機醯胺類、有機腈類等。
於一態樣中，本揭示之表面處理劑的層形成可藉由將本揭示之表面處理劑塗佈或真空蒸鍍於基材的表面而進行。然後，可視需要進行乾燥等處理。
如上述般，於基材的表面上形成源自本揭示之表面處理劑之層，而製造本揭示之物品。藉此所得到之上述層係兼具高表面平滑性以及高摩擦耐久性兩者。此外，上述層除了具有高摩擦耐久性之外，還視所使用之表面處理劑的組成而能夠具有撥水性、撥油性、防污性(例如防止指紋等髒污的附著)、防水性(防止水滲入電子零件等)、表面平滑性(或潤滑性，例如指紋等髒污的拭除性或是對於手指之優異觸感)等，可適合應用作為功能性薄膜。
亦即，本揭示亦進一步關於在最外層具有前述硬化物之光學材料。
光學材料除了後述所例示之與顯示器等相關的光學材料之外，可列舉各式各樣的光學材料：例如陰極射線管(CRT；例如個人電腦螢幕)、液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、無機薄膜EL點陣顯示器、背投影型顯 示器、螢光顯示管(VFD)、場發射顯示器(FED；Field Emission Display)等顯示器或該等顯示器的保護板、或是於該等的表面施有抗反射膜處理者。
具有藉由本揭示所得到之層的物品並無特別限定，可為光學構件。光學構件的例子可列舉如下：眼鏡等鏡片；PDP、LCD等顯示器的前面保護板、抗反射板、偏光板、防眩板；行動電話、可攜式資訊終端等機器的觸控面板片；藍光(Blue-ray(註冊商標))光碟、DVD光碟、CD-R、MO等光碟的光碟面；光纖；鐘錶的顯示面等。
此外，具有藉由本揭示所得到之層的物品亦可為醫療機器或醫療材料。
此外，具有藉由本揭示所得到之層的物品亦可為汽車內外裝構件。外裝材料的例子可列舉如下：車窗、燈罩、車外攝影鏡頭蓋。內裝材料的例子可列舉如下：儀表板蓋、導航系統觸控面板、裝飾內裝材料。
上述層的厚度並無特別限定。於光學構件之情形時，上述層的厚度為1至50nm、1至30nm，較佳為1至15nm的範圍者，從光學性能、表面平滑性、摩擦耐久性及防污性之點來看為佳。
以上係已詳細說明使用本發明之表面處理劑所得到之物品。又，本發明之表面處理劑的用途、使用方法及物品的製造方法等，並不限定於上述所例示者。
[實施例]
本發明之表面處理劑係藉由下列實施例來具體進行說明，惟本發明並不限定於此等實施例。又，於本實施例中，下列所示之化學式皆表示平均組成。於本實施例中，構成全氟聚醚之重複單元的存在順序為任意。
(合成例1)
將氯化三聚氰酸0.23g溶解於六氟苯3ml。將已溶解於六氟苯之CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-CH2OH(m≒22、n≒22)4.0g(又，除了CF3-(OCF2CF2)n-(OCF2)n-CH2OH還含有少量的H-(OCF2CF2)m-(OCF2)N-CH2OH，惟係少量故省略)與二異丙基乙胺0.17g混合，於室溫下攪拌一晝夜。將二乙二醇單甲醚CH3OCH2CH2OCH2CH2OH 0.15g及二異丙基乙胺0.34g加入於此反應液，加熱至60℃並攪拌6小時。然後將二烯丙胺0.30g加入於此反應液，加熱至60℃並攪拌6小時。反應的終點係藉由19F-NMR來確認CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-CH2OH之羥基β位-CF2-的化學位移已位移至低磁場，以及藉由1H-NMR來確認烯丙胺之胺基α位的亞甲基質子已位移至低磁場。將1N-鹽酸加入於反應液並攪拌後靜置，然後分離下層並進行濃縮。將濃縮液溶解於全氟己烷並藉由丙酮洗淨3次，藉此得到含有含氟聚醚基之化合物(A)。
含有含氟聚醚基之化合物(A)：
Figure 110138145-A0202-12-0098-27
(合成例2)
分別加入合成例1中所得到之含有含氟聚醚基之化合物(A)4.0g、間六氟二甲苯10ml、三乙醯氧基甲基矽烷0.02g、含有2%之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷的Pt錯合物之二甲苯溶液0.06ml後，投入三氯矽烷0.5g，加熱至60℃並攪拌4小時。然後，於減壓下餾除揮發成分之後，在加入甲醇0.1g及原 甲酸三甲酯2.0g的混合溶液後，加熱至50℃並攪拌3小時。之後藉由進行精製而得到於末端具有三甲氧基矽基之下述含有含氟聚醚基之化合物(B)4.9g。
含有含氟聚醚基之化合物(B)：
Figure 110138145-A0202-12-0099-28
(合成例3)
將氯化三聚氰酸0.23g溶解於六氟苯3ml。將已溶解於六氟苯之CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-CH2OH(m≒21、n≒36)5.0g(又，除了CF3-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-CH2OH還含有少量的H-(OCF2CF2)m-(OCF2)n-CH2OH，惟係少量故省略)與二異丙基乙胺0.17g混合，於室溫下攪拌一晝夜。之後係進行與合成例1相同的操作，而得到含有含氟聚醚基之化合物(C)。
含有含氟聚醚基之化合物(C)：
Figure 110138145-A0202-12-0099-29
(合成例4)
除了使用合成例3中所得到之含有含氟聚醚基之化合物(C)4.8g之外，其他進行與合成例2相同之操作而得到含有含氟聚醚基之化合物(D)4.7g。
含有含氟聚醚基之化合物(D)：
Figure 110138145-A0202-12-0100-30
(合成例5)
除了使用4-[2,2-二(2-烯丙基)]戊烯胺來取代二烯丙胺之外，其他與合成例1至2同樣地進行而得到含有含氟聚醚基之化合物(E)4.5g。
含有含氟聚醚基之化合物(E)：
Figure 110138145-A0202-12-0100-31
(合成例6)
除了使用3,6,9,12-四氧雜癸烷胺來取代二乙二醇單甲醚之外，其他與合成例1至2同樣地進行而得到含有含氟聚醚基之化合物(F)4.8g。
含有含氟聚醚基之化合物(F)：
Figure 110138145-A0202-12-0101-32
(實施例1)
以成為濃度0.1質量%之方式將上述合成例2中所得到之含有聚醚基之化合物(B)溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7200)，而調製出表面處理劑(1)。
(實施例2)
以成為濃度0.1質量%之方式將上述合成例4中所得到之含有聚醚基之化合物(D)溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7300)，而調製出表面處理劑(2)。
(實施例3)
以成為濃度0.1質量%之方式將上述合成例5中所得到之含有含氟聚醚基之化合物(E)溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7300)，而調製出表面處理劑(3)。
(實施例4)
以成為濃度0.1質量%之方式將上述合成例6中所得到之含有含氟聚醚基之化合物(F)溶解於氫氟醚(3M公司製、Novec HFE-7300)，而調製出表面處理劑(4)。
(比較例1、2)
除了使用下述對照化合物(1)及(2)來取代含有含氟聚醚基之化合物(F)之外，其他與實施例4同樣地進行，而分別調製比較表面處理劑(1)及(2)。
對照化合物(1)
Figure 110138145-A0202-12-0102-33
對照化合物(2)
CF3CF2CF2CF2CF2CF2CH2CH2Si(OCH2CH3)3
(靜態接觸角)
靜態接觸角係使用全自動接觸角計Drop Master 700(協和界面科學公司製)並藉由下列方法來測定。
〈靜態接觸角的測定方法〉
靜態接觸角係從微注射筒中將水或正十六烷2μL滴至呈水平地放置之基板，並藉由攝影顯微鏡來拍攝滴入1秒後的靜止圖像而求取。
(硬化膜的形成)
分別使用表面處理劑及比較表面處理劑，以下列方式來形成硬化膜。
使用旋轉塗佈機，將表面處理劑或比較表面處理劑塗佈於化學強化玻璃(Corning公司製、「Gorilla」玻璃、厚度0.7mm)上。
旋轉塗佈的條件係以300轉/分進行3秒，以2000轉/分進行30秒。
於大氣下，在恆溫槽內以150℃將塗佈後的玻璃加熱30分鐘而形成硬化膜。
[硬化膜的特性評估]
以下列方式來評估所得到之硬化膜的特性。
〈靜態接觸角〉
(初期評估)
首先，在形成硬化膜後，於其表面上無任何接觸之狀態下測定水的靜態接觸角來作為初期評估。
(乙醇擦拭後的評估)
接著，使用充分地滲入有乙醇之Kimwipe(商品名稱；Jujo Kimberly股份有限公司製)將上述硬化膜來回擦拭5次後使其乾燥。測定乾燥後的硬化膜之水的靜態接觸角。
〈指紋附著性及拭除性〉
(指紋附著性)
將手指按壓於使用表面處理劑或比較表面處理劑所形成之硬化膜，並以目視來判定指紋的附著容易度。評估係根據下列基準來判斷。
A：指紋難以附著，或即使附著，指紋亦不醒目。
B：指紋的附著雖少，但可充分地確認到該指紋。
C：與未處理的玻璃基板為同等程度的明顯地附著有指紋。
(指紋拭除性)
於上述指紋附著性試驗後，以Kimwipe(商品名稱；Jujo Kimberly股份有限公司製)將所附著之指紋來回拭除5次，並以目視來判定所附著之指紋的拭除容易度。評估係根據下列基準來判斷。
A：可完全地拭除指紋。
B：殘留有指紋的拭除痕跡。
C：指紋的拭除痕跡拓開而難以去除。
將上述一連串的評估結果彙總於下列表1。
Figure 110138145-A0202-12-0104-34
使用表面處理劑(1)至(4)所形成之硬化膜的接觸角，即使在使用乙醇擦拭後之情形時亦未降低。另一方面，使用比較表面處理劑(1)及(2)所形成之硬化膜的接觸角係由於使用乙醇來擦拭而降低。咸認此係因為在藉由比較表面處理劑(1)或(2)所形成之硬化膜的耐化學性(耐溶劑性)差之故。
[硬化膜的摩擦耐久性評估]
以下列方式來評估所得到之硬化膜的摩擦耐久性。
〈耐橡皮擦磨耗性試驗〉
使用摩擦試驗機(新東科學公司製)，於下述條件下每擦拭2500次測定耐水接觸角，並且持續進行試驗直到擦拭10000次或是耐水接觸角成為未達100°為止。試驗環境條件為25℃、濕度40%RH。
橡皮擦：Raber Eraser(Minoan公司製)
接觸面積：6mm φ
移動距離(單趟)：30mm
移動速度：3,600mm/分
荷重：1kg/6mm φ
將上述評估結果彙總於下列表2。表中「-」意指未測定。
Figure 110138145-A0202-12-0105-35
[產業上之可利用性]
本揭示係適合利用在將表面處理層形成於各式各樣之基材的表面上用。
Figure 110138145-A0202-11-0002-3

Claims (22)

  1. 一種含有含氟聚醚基之化合物，係以式(I)所表示者；
    Figure 110138145-A0202-13-0001-36
    式中，
    R1為以Rn-(O-Xb2)n3-Xb3-所表示之基，
    R2為以(Rf-Xf1-RFE-Xf2)αX1-所表示之基，及
    R3為以RSi所表示之基，
    Rn為可經1個以上的氟原子所取代之C1-6烷基；
    Xb2分別獨立地為C1-5伸烷基；
    n3為1至10的整數；
    Xb3為O、NH或S；
    α為1至9的整數；
    Rf表示可經1個以上的氟原子所取代之C1-16烷基；
    Xf1以(Xf11)z所表示；
    Xf11為可經1個以上的氟原子所取代之C1-6伸烷基；
    z為0或1；
    RFE為以下列式所表示之基，
    -(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3RFa 6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f-
    a、b、c、d、e及f分別獨立地為0以上200以下的整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；
    RFa在每次出現時分別獨立地為氫原子、氟原子或氯原子；
    Xf2以(O)y所表示；
    y在每次出現時分別獨立地為0或1，
    X1在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、氮原子、硫原子、-NH-、-SO2NH-、-SO2-或2至10價有機基；
    RSi在每次出現時分別獨立地為以下列式(A1)至(A5)所表示之基中的任一者，
    Figure 110138145-A0202-13-0002-37
    (Rb 3-m1Ra m1Si)β2Xa3-．．．(A2)
    (Rf3 p3Rf2 p2Rf1 p1Si)β3Xa4-．．．(A3)
    (Rg3 q3Rg2 q2Rg1 q1C)β4Xa5-．．．(A4)
    (Rc1 2N)β5Xa6-．．．(A5)
    Ra在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
    Rb在每次出現時分別獨立地表示氫原子或碳數1至20的烷基；
    m1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    Xa1、Xa3、Xa4、Xa5及Xa6在每次出現時分別獨立地為單鍵、氧原子、氮原子、硫原子、-NH-、-SO2NH-、-SO2-或2至10價有機基；
    Xa2為單鍵或2價有機基；
    β 1、β 2、β 3、β 4、及β 5在每次出現時分別獨立地為1至9的整數；
    t在每次出現時分別獨立地為2至10的整數；
    R31在每次出現時分別獨立地為氫原子或鹵素原子；
    R32在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
    惟於式(A1)中，至少存在一個m1為1至3之Ra m1Rb 3-m1Si-，於式(A2)中，至少存在一個m1為1至3之Ra m1Rb 3-m1Si-；
    Rf1在每次出現時分別獨立地為R41 r1R42 r2R43 r3Si-Z1-；
    Z1在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
    R41在每次出現時分別獨立地為R41' r1'R42' r2'R43' r3'Si-Z1'-；
    Z1'在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
    R41'在每次出現時分別獨立地為R41" r1"R42" r2"Si-Z1"-；
    Z1"在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
    R41"在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
    R42"在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
    r1"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    r2"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    R42'在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
    R43'在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
    r1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    r2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    r3'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    R42在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
    R43在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
    r1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    r2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    r3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    Rf2在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
    Rf3在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
    p1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    p2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    p3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    惟於式(A3)中，至少存在一個鍵結於羥基或可水解的基之Si原子；
    Rg1在每次出現時分別獨立地為R51 s1R52 s2R53 s3C-Z2-；
    Z2在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
    R51在每次出現時分別獨立地為R51' s1'R52' s2'C-Z2'-；
    Z2'在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
    R51'在每次出現時分別獨立地為R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-；
    Z3在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
    R51"在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
    R52"在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
    m1"在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    R52'在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
    s1'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    s2'在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    R52在每次出現時分別獨立地為R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-；
    R53在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
    s1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    s2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    s3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    Rg2在每次出現時分別獨立地為R51" m1"R52" 3-m1"Si-Z3-；
    Rg3在每次出現時分別獨立地為氫原子、羥基或1價有機基；
    q1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    q2在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    q3在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    惟於式(A4)中，至少存在一個m1"為1至3之R51" m1"R52" 3-m1"Si-；
    Rc1在每次出現時分別獨立地為R81 t1R82 3-t1Si-Z4-；
    Z4在每次出現時分別獨立地為氧原子或2價有機基；
    R81在每次出現時分別獨立地為羥基或可水解的基；
    R82在每次出現時分別獨立地為氫原子或1價有機基；
    t1在每次出現時分別獨立地為0至3的整數；
    惟於式(A5)中，至少存在一個t1為1至3之R81 t1R82 3-t1Si-
  2. 如請求項1所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，Rn為C1-3烷基。
  3. 如請求項1或2所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，Xb2為C1-3伸烷基。
  4. 如請求項1至3中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，Xb3為O。
  5. 如請求項1至4中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，RFE在每次出現時分別獨立地為以下述式(f1)、(f2)、(f3)、(f4)或(f5)所表示之基，
    -(OC3F6)d-(OC2F4)e- (f1)
    式中，d為1至200的整數，e為0或1；
    -(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f2)
    式中，c及d分別獨立地為0以上30以下的整數，e及f分別獨立地為1以上200以下的整數，
    c、d、e及f之和為2以上，
    標註下標c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；
    -(R6-R7)g- (f3)
    式中，R6為OCF2或OC2F4，
    R7為選自OC2F4、OC3F6、OC4F8、OC5F10及OC6F12之基，或是獨立地選自此等基之2或3個基的組合，
    g為2至100的整數；
    -(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f4)
    式中，e為1以上200以下的整數，a、b、c、d及f分別獨立地為0以上200以下的整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意；
    -(OC6F12)a-(OC5F10)b-(OC4F8)c-(OC3F6)d-(OC2F4)e-(OCF2)f- (f5)
    式中，f為1以上200以下的整數，a、b、c、d及e分別獨立地為0以上200以下的整數，a、b、c、d、e及f之和至少為1，此外，標註a、b、c、d、e或f並以括弧括起之各重複單元在式中的存在順序為任意。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，X1在每次出現時分別獨立地為(-(R11)n16-)2N-(R12)n17-、-(R11)n18-X11-(R12)n19-或-R13-，
    式中，
    R11在每次出現時分別獨立地為可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n11-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基；
    n11為1至20的整數；
    R12在每次出現時分別獨立地為可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n12-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基；
    n12為1至20的整數；
    n16為0或1；
    n17為0或1；
    n18為0或1；
    n19為0或1；
    X11在每次出現時分別獨立地為-O-、-(OR61)n14-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-Si(R62)2-、-(Si(R62)2O)n15-Si(R62)2-、-NR63C(=O)-、-C(=O)NR63-、-NR63C(=O)NR63-、-NR63C(=O)O-、-O-C(=O)NR63-、-NR63-、-SO2NR63-或-SO2-；
    R61在每次出現時分別獨立地為C1-6伸烷基；
    n14在每次出現時分別獨立地為1至5的整數；
    R62在每次出現時分別獨立地為苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基；
    n15在每次出現時分別獨立地為1至100的整數；
    R63在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或碳數1至6的烷基；
    R13表示-(CH2)n13-；
    n13為1至20的整數。
  7. 如請求項1至6中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，α為2。
  8. 如請求項1至6中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，α為1。
  9. 如請求項1至8中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，Xa1、Xa3、Xa4、Xa5及Xa6在每次出現時分別獨立地為-Xb1'-(O-Xb2')n3'-Xb3'-、(-(R71)n21-)2N-(R72)n22-、-(R71)n28-X3-(R72)n29-、-R73-或-Y-O-，
    式中，
    Xb1'為可經1個以上的氟原子所取代之C1-4伸烷基；
    Xb2'分別獨立地為C1-5伸烷基；
    n3'為1至10的整數；
    Xb3'為O、NH或S；
    R71在每次出現時分別獨立地表示可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n23-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基；
    n23在每次出現時分別獨立地為1至20的整數；
    R72在每次出現時分別獨立地表示可經1個以上的氟原子所取代之-(CH2)n24-、或是鄰伸苯基、間伸苯基或對伸苯基；
    n24在每次出現時分別獨立地為1至20的整數；
    n21在每次出現時分別獨立地為0或1；
    n22在每次出現時分別獨立地為0或1；
    n28在每次出現時分別獨立地為0或1；
    n29在每次出現時分別獨立地為0或1；
    X3在每次出現時分別獨立地為-O-、-(OR74)n25-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-O-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-Si(R75)2-、-(Si(R75)2O)n26-Si(R75)2-、-NR76C(=O)-、-C(=O)NR76-、-NR76C(=O)NR76-、-NR76C(=O)O-、-O-C(=O)NR76-、-NR76-、-SO2NR76-或-SO2-；
    R74在每次出現時分別獨立地為C1-6伸烷基；
    n25在每次出現時分別獨立地為1至5的整數；
    R75在每次出現時分別獨立地表示苯基、C1-6烷基或C1-6烷氧基；
    n26在每次出現時分別獨立地為1至100的整數；
    R76在每次出現時分別獨立地為氫原子、苯基或C1-6烷基；
    R73在每次出現時分別獨立地表示-(CH2)n27-；
    n27為1至20的整數；
    Y為2至6價烴基且具有矽原子及/或矽氧烷鍵。
  10. 如請求項1至9中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，m1為2或3。
  11. 如請求項1至10中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，m1為3。
  12. 如請求項1至11中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，於式(A3)中，p1為3且r2為3。
  13. 如請求項1至12中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，於式(A4)中，q2為3且m1"為3。
  14. 如請求項1至13中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，於式(A5)中，t1為3。
  15. 如請求項1至14中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，β 1、β 2、β 3、β 4及β 5為1。
  16. 如請求項1至14中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，β 1、β 2、β 3、β 4及β 5為2。
  17. 如請求項1至16中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物，其中，Rf為碳數1至16的全氟烷基。
  18. 一種表面處理劑，係含有請求項1至17中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物。
  19. 如請求項18所述之表面處理劑，其更含有溶劑。
  20. 如請求項18或19所述之表面處理劑，其係使用作為防汚性塗覆劑或防水性塗覆劑。
  21. 一種物品，係包含：基材、及於該基材的表面之由請求項1至17中任一項所述之含有含氟聚醚基之化合物或請求項18至20中任一項所述之表面處理劑所形成之層。
  22. 如請求項21所述之物品，其係光學構件。
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