TW202334297A - 表面保護薄膜及附表面保護薄膜之光學構件 - Google Patents
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Abstract
本案提供一種表面保護薄膜,即便在該表面保護薄膜貼附於保護對象之狀態下供於異物檢查及氣泡檢查,仍可正確檢查保護對象。本發明實施形態之表面保護薄膜具備有:基材;與積層於基材上之接著層。接著層之與基材相反側的表面之最大谷部深度(Sv)的絕對值為500nm以下;對基材進行顯微鏡觀察時,在100µm×100µm之觀察區域中,最大費雷特直徑為10µm以上之缺陷數少於3個。
Description
本發明涉及表面保護薄膜及附表面保護薄膜之光學構件。
在光學構件(例如顯示器、攝像裝置)或電子構件之表面上,有時會為了保護表面而貼附表面保護薄膜。以表面保護薄膜來說,有在各種構件之製造步驟及輸送步驟中暫時黏附且在各種構件使用前被剝離者(作為製程材使用者)、及在貼附於各種構件表面之狀態下使用者(為了永久接著者)(例如參照專利文獻1)。
作為製程材使用之表面保護薄膜及為了永久接著之表面保護薄膜皆於基材之主面具備有用以貼附於保護對象之表面的接著層(例如參照專利文獻2)。
一直有在探討:在貼附有所述表面保護薄膜之狀態下檢查各種構件一事。但是,貼附有表面保護薄膜之各種構件供於檢查有無異物之異物檢查、或供於檢查有無氣泡之氣泡檢查時,會發生起因於表面保護薄膜所致之誤測,而有無法正確檢查各種構件之情形。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第6899339號公報
專利文獻2:日本專利特開2013-79360號公報
發明欲解決之課題
本發明係為了解決上述以往之課題而成者,其主要目的在於提供一種表面保護薄膜,即便在該表面保護薄膜貼附於保護對象之狀態下供於異物檢查及氣泡檢查,仍可正確檢查保護對象。
用以解決課題之手段
本發明實施形態之表面保護薄膜具備有:基材;與積層於前述基材上之接著層。上述接著層之與基材相反側的表面之最大谷部深度(Sv)的絕對值為500nm以下;對上述基材進行顯微鏡觀察時,在100µm×100µm之觀察區域中,最大費雷特直徑為10µm以上之缺陷數少於3個。
在一實施形態中,上述接著層之與上述基材相反側的表面之算術平均高度(Sa)的絕對值為25nm以下。
在一實施形態中,對上述表面保護薄膜進行顯微鏡觀察時,在100µm×100µm之觀察區域中,最大費雷特直徑為10µm以上之缺陷數少於3個。
在一實施形態中,對上述表面保護薄膜進行顯微鏡觀察時,在100µm×100µm之觀察區域中,最大費雷特直徑小於10µm之缺陷數為5個以下。
在一實施形態中,基材的撕裂強度為1N/mm以上。
在一實施形態中,上述接著層含有選自於由(甲基)丙烯酸系黏著劑、胺甲酸酯系黏著劑及聚矽氧系黏著劑所構成群組中之至少1種黏著劑。
本發明另一面向之附表面保護薄膜之光學構件具備有:光學構件;及表面保護薄膜,其係上述表面保護薄膜,且其係藉由上述接著層貼附於上述光學構件上。
發明效果
根據本發明實施形態,即便在將表面保護薄膜貼附於保護對象(例如光學構件)之狀態下供於異物檢查及氣泡檢查,仍可正確檢查保護對象。
以下說明本發明之代表性實施形態,惟本發明不受該等實施形態所限。
A.表面保護薄膜之整體構成
圖1係本發明一實施形態之表面保護薄膜的概略剖面圖。圖式例之表面保護薄膜1具備有:基材2;與積層於基材2之接著層3。
接著層3之與基材2相反側的表面3a之最大谷部深度(Sv)的絕對值為500nm以下,宜為300nm以下,較宜為250nm以下,特別宜為200nm以下,尤宜為100nm以下,最宜為50nm以下。表面3a之最大谷部深度(Sv)的絕對值代表上為5nm以上。此外,最大谷部深度(Sv)可依循JIS B0681-2:2018來測定。
又,對基材2進行顯微鏡觀察時,在100µm×100µm之觀測區域中,最大費雷特直徑為10µm以上之缺陷數宜少於3個,較宜為1個以下,更宜為0。此外,顯微鏡觀察的詳情將於後述實施例中說明。
接著層3的表面3a之最大谷部深度(Sv)的絕對值若為上述上限以下、且基材2之顯微鏡觀察之缺陷數若為上述上限以下,即便在將保護薄膜貼附於保護對象(例如光學構件)之狀態下供於異物檢查及氣泡檢查,仍可減少起因於表面保護薄膜(基材及接著層)所致之誤測,而可正確檢查保護對象。
在本發明一實施形態中,接著層3之與基材2相反側的表面3a之算術平均高度(Sa)的絕對值宜為25nm以下,較宜為10nm以下,更宜為6nm以下,特別宜為5nm以下。表面3a之算術平均高度(Sa)的絕對值代表上為0nm以上。此外,算術平均高度(Sa)可依循JIS B0681-2:2018來測定。
接著層3的表面3a之算術平均高度(Sa)的絕對值若在上述上限以下,便可在氣泡檢查中穩定減少起因於表面保護薄膜所致之誤測。
在本發明一實施形態中,基材2的撕裂強度例如為0.5N/mm以上,宜為1N/mm以上,較宜為2N/mm以上。基材的撕裂強度若為上述下限以上,便可於異物檢查中更減少起因於表面保護薄膜所致之誤測。基材的撕裂強度代表上為200N/mm以下。此外,基材的撕裂強度可依循JIS K7128-1:1998來測定。
本發明一實施形態中,表面保護薄膜1更具備有剝離襯材4。剝離襯材4係相對於接著層3位於與基材2相反側,且貼附於接著層3的表面3a。
以下,說明表面保護薄膜之構成要素。
B.基材
基材2係以可作為表面保護薄膜使用之任意適當的樹脂薄膜形成。作為成為該樹脂薄膜之主成分的材料之具體例,可列舉:聚降𦯉烯系等環烯烴(COP)系、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系等聚酯系、三醋酸纖維素(TAC)等纖維素系樹脂、聚碳酸酯(PC)系、(甲基)丙烯酸系、聚乙烯醇系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚苯乙烯系、聚烯烴系及乙酸酯系等之透明樹脂。又,亦可舉(甲基)丙烯酸系、胺甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等之熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。此外,「(甲基)丙烯酸系樹脂」意指丙烯酸系樹脂及/或甲基丙烯酸系樹脂。其他還可舉例如矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又,亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)中記載之聚合物薄膜。作為該薄膜之材料,例如可使用含有在側鏈具有取代或非取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂、及在側鏈具有取代或非取代之苯基以及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組成物,可舉例如具有由異丁烯與N-甲基馬來醯亞胺構成之交替共聚物及丙烯腈-苯乙烯共聚物的樹脂組成物。該聚合物薄膜例如可為上述樹脂組成物之擠製成形物。樹脂薄膜之材料可單獨或組合來使用。
基材2宜包含選自於由COP系、PET系、TAC系、PC系及(甲基)丙烯酸系所構成群組中之至少1種透明樹脂,較宜包含選自於由COP系、PET系、PC系及(甲基)丙烯酸系所構成群組中之至少1種透明樹脂,更宜包含選自於由COP系、PET系及PC系所構成群組中之至少1種透明樹脂,特別宜包含COP系樹脂。基材若包含上述透明樹脂,在異物檢查及氣泡檢查中便可更穩定地降低起因於表面保護薄膜所致之誤測。又,基材若包含COP系、PET系、PC系及(甲基)丙烯酸系中之任一透明樹脂,相較於基材包含TAC系之情況,可減少在異物檢查中起因於表面保護薄膜所致之誤測。尤其,基材若包含COP系、PET系及PC系中之任一透明樹脂,在異物檢查中可更穩定地降低起因於表面保護薄膜所致之誤測。
基材2中亦可包含有抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、成核劑、充填劑、顏料、界面活性劑、抗靜電劑等。於基材2之表面(與接著層3相反側的表面)亦可設有易接著層、易滑層、抗黏結層、抗靜電層、抗反射層、寡聚物防止層等。
基材2之厚度代表上為5µm以上,宜為20µm以上,且代表上為200µm以下,宜為100µm以下。
C.接著層
接著層3係為了將表面保護薄膜1貼附於保護對象而設於基材2之表面。接著層3可為由黏著劑(壓敏接著劑)形成之黏著劑層,亦可為由接著劑形成之接著劑層。在圖式例中,接著層3為黏著劑層31。
接著層為黏著劑層時,接著層(黏著劑層)代表上含有選自於由(甲基)丙烯酸系黏著劑、胺甲酸酯系黏著劑及聚矽氧系黏著劑所構成群組中之至少1種黏著劑。
接著層為接著劑層時,接著劑層在表面保護薄膜貼附於保護對象前含有完全硬化前之接著劑,並在表面保護薄膜貼附於保護對象後完全硬化。接著層(接著劑層)代表上含有選自於由(甲基)丙烯酸系接著劑、胺甲酸酯系接著劑及聚矽氧系接著劑所構成群組中之至少1種接著劑。
所述黏著劑及接著劑當中,較宜可舉(甲基)丙烯酸系黏著劑。
(甲基)丙烯酸系黏著劑含有以(甲基)丙烯酸烷基酯為主成分之單體成分的聚合物(以下稱(甲基)丙烯酸系聚合物)。換言之,(甲基)丙烯酸系聚合物包含源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元。源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元的含有比率,在(甲基)丙烯酸系聚合物中代表上為50質量%以上,宜為80質量%以上,較宜為93質量%以上,且例如為100質量%以下,宜為98質量%以下。
(甲基)丙烯酸烷基酯具有之烷基可為直鏈狀,亦可為支鏈狀。烷基之碳數例如為1以上且18以下。烷基可舉例如甲基、乙基、丁基、2-乙基己基、癸基、異癸基、十八基。(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨或組合來使用。烷基的平均碳數宜為3~10。
(甲基)丙烯酸系聚合物除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之結構單元外,亦可含有源自可與(甲基)丙烯酸烷基酯聚合之共聚單體的結構單元。共聚單體可舉例如含羧基單體、含羥基單體。共聚單體可單獨或組合來使用。
含羧基單體係一於其結構中包含羧基且包含(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性不飽和雙鍵之化合物。含羧基單體可舉例如(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、馬來酸、延胡索酸、巴豆酸,宜可舉(甲基)丙烯酸。(甲基)丙烯酸系聚合物若包含源自含羧基單體之結構單元,便可謀求提升黏著劑層之黏著特性。(甲基)丙烯酸系聚合物包含源自含羧基單體之結構單元時,源自含羧基單體之結構單元的含有比率宜為0.01質量%以上且10質量%以下。
含羥基單體係一於其結構中包含羥基且包含(甲基)丙烯醯基、乙烯基等聚合性不飽和雙鍵之化合物。含羥基單體可列舉例如:(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸12-羥月桂酯、(4-羥甲基環己基)-甲基丙烯酸酯,宜可舉(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯,較宜可舉(甲基)丙烯酸2-羥乙酯。(甲基)丙烯酸系聚合物若包含源自含羥基單體之結構單元,便可謀求提升黏著劑層之耐久性。(甲基)丙烯酸系聚合物包含源自含羥基單體之結構單元時,源自含羥基單體之結構單元的含有比率在(甲基)丙烯酸系聚合物中宜為0.01質量%以上且10質量%以下。
(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量Mw例如為10萬~200萬,宜為20萬~100萬。
又,(甲基)丙烯酸系黏著劑可含有交聯劑。交聯劑代表上可舉有機系交聯劑及多官能性金屬螯合物,宜可舉有機系交聯劑。有機系交聯劑可舉例如異氰酸酯系交聯劑、過氧化物系交聯劑、環氧系交聯劑、亞胺系交聯劑,較宜可舉異氰酸酯系交聯劑。黏著劑含有交聯劑時,相對於(甲基)丙烯酸系聚合物100質量份,交聯劑之含有比率通常為0.01質量份以上且15質量份以下。
並且,(甲基)丙烯酸系黏著劑亦可以適當之比率含有各種添加劑(例如聚合引發劑、溶劑、交聯觸媒)。
所述黏著劑組成物((甲基)丙烯酸系黏著劑、胺甲酸酯系黏著劑及聚矽氧系黏著劑)含有:基底聚合物(或其構成單體成分)、以及視需求之交聯劑及溶劑。黏著劑組成物亦可在不損及本發明特性之範圍內含有:聚合觸媒、交聯觸媒、矽烷耦合劑、增黏劑、塑化劑、軟化劑、抗劣化劑、充填劑、著色劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、界面活性劑、抗靜電劑等添加劑。
接著層3之厚度代表上為1µm以上,宜為5µm以上,且代表上為30µm以下,宜為15µm以下。
所述接著層3可藉由直印形成於基材表面,亦可藉由轉印形成於基材表面。直印的情況,係將黏著劑組成物或接著劑組成物直接塗佈於基材2之表面而形成接著層3。轉印的情況,係在將黏著劑組成物或接著劑組成物塗佈於剝離襯材4之表面形成接著層3後,於該接著層3貼附基材。尤其,基材2包含具有較低之玻璃轉移溫度Tg(例如150℃以下)之非晶性樹脂時,接著層3宜藉由轉印製程形成。若為轉印製程,便可抑制形成接著層所需之乾燥時的高溫影響基材。
D.剝離襯材
剝離襯材4代表上係在表面保護薄膜貼附於保護對象為止前暫時黏附於接著層3上,而其在貼附表面保護薄膜時會從接著層3剝離。
剝離襯材4係以可作為剝離襯材使用之任意適當的樹脂薄膜形成。成為該樹脂薄膜之主成分的材料之具體例,可舉聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯。樹脂薄膜之材料可單獨或組合來使用。剝離襯材4可透明亦可不透明。
剝離襯材4之與接著層3的表面3a之接觸面上亦可設有脫模處理層。形成脫模處理層之脫模處理劑可舉例如聚矽氧系脫模處理劑、氟系脫模處理劑、長鏈烷基丙烯酸酯系剝離劑,宜可舉聚矽氧系脫模處理劑,較宜可舉含乙烯基之加成型聚矽氧。脫模處理劑可單獨使用或組合來使用。脫模處理層之厚度代表上為50nm以上且400nm以下。
剝離襯材4之與接著層3的表面3a之接觸面係平滑的。具體而言,剝離襯材4之與接著層3之接觸面中最大峰部高度(Sp)的絕對值代表上為500nm以下,宜為400nm以下,較宜為300nm以下,更宜為100nm以下。接觸面中最大峰部高度(Sp)的絕對值若在上述上限以下,便可將接著層之與基材相反側的表面之最大谷部深度(Sv)穩定調整成上述上限以下。接觸面中最大峰部高度(Sp)的絕對值代表上為10nm以上。此外,最大峰部高度(Sp)可依循JIS B0681-2:2018來測定。
剝離襯材4之與接著層3的表面3a之接觸面之算術平均高度(Sa)的絕對值代表上為30nm以下,宜為20nm以下,較宜為10nm以下,更宜為5nm以下。接觸面之算術平均高度(Sa)的絕對值代表上為0nm以上。
剝離襯材4之厚度代表上為5µm以上,宜為20µm以上,且代表上為60µm以下,宜為45µm以下。此外,在施有脫模處理層的情況下,剝離襯材之厚度係包含脫模處理層之厚度的厚度。
E.附表面保護薄膜之光學構件
上述A項~D項所記載之表面保護薄膜可應用於保護各種保護對象之表面。更詳細而言,表面保護薄膜係在將剝離襯材從接著層剝離後,藉由接著層貼附於保護對象上。
在本發明一實施形態中,對表面保護薄膜(剝離去除剝離襯材後之狀態)進行顯微鏡觀察時,在100µm×100µm之觀察區域中,最大費雷特直徑小於10µm以上之缺陷數宜少於3個,較宜為1個以下,更宜為0。
表面保護薄膜之顯微鏡觀察之10µm以上的缺陷數為上述上限以下時,可更穩定地降低在異物檢查中起因於表面保護薄膜所致之誤測。
此外,對表面保護薄膜(剝離去除剝離襯材後之狀態)進行顯微鏡觀察時,在100µm×100µm之觀察區域中,最大費雷特直徑小於10µm以上之缺陷數例如為10個以下,宜為5個以下,更宜為3個以下,較宜為1個以下。
表面保護薄膜即便在顯微鏡觀察中觀測到缺陷,只要最大費雷特直徑小於10µm且個數在上述上限以下,便可抑制該缺陷在異物檢查中被誤測。
接著層為黏著劑層時,表面保護薄膜(剝離去除剝離襯材後之狀態)對壓克力板之接著力例如為0.03N/25mm以上,宜為0.05N/25mm以上,較宜為0.07N/25mm以上,且代表上為15N/25mm以下。此外,對壓克力板之接著力,係在將表面保護薄膜貼合於壓克力板並於23℃之環境下靜置30分鐘後,以拉伸速度300mm/分鐘進行180°剝離試驗時之剝離力。
表面保護薄膜(剝離去除剝離襯材後之狀態)之霧度例如為2%以下,宜為1.5%以下,更宜為0.4%以下,且代表上為0.05%以上。
保護對象可舉例如光學構件、電子構件,宜可舉光學構件。圖2係本發明一實施形態之附表面保護薄膜之光學構件的概略剖面圖。圖式例之附表面保護薄膜之光學構件具備有:光學構件5;及表面保護薄膜1,其係藉由接著層3貼附於光學構件5上。圖2所示之表面保護薄膜1不具備剝離襯材4,且其係由基材2與接著層3構成。
光學構件代表上可舉:含偏光板及/或相位差層之光學積層體、顯示器、攝像裝置、透鏡、(半)反射鏡等。
實施例
以下,藉由實施例來具體說明本發明,惟本發明不受該等實施例所限。此外,各特性之測定方法如以下所述。
(1)接著層表面之最大谷部深度及算術平均高度測定
針對各實施例及各比較例所得之表面保護薄膜,將剝離襯材從接著層(黏著劑層)剝離,使接著層之與基材相反側的表面露出。接著,將去除剝離襯材後之表面保護薄膜以使露出之接著層表面與物鏡相對向之方式設置於白光干涉儀(Zygo公司製,商品名Zygo NewView7300)上,並按下述條件測定接著層表面之干涉數據,而獲得二維影像。
白光干涉儀的測定條件:
物鏡:×10
內部透鏡:×1.0
解析度:1.09µm
測定視野面積:0.3641mm
2Removed:Cylinder
在所得二維影像中,將相對於測定視野面積內之平均面的最小值作為最大谷部深度(Sv)。又,將Ra之值作為算術平均高度(Sa)。此外,最大谷部深度及算術平均高度係採用隨機選出之3點數據平均後之值。
將其結果列示於表2。
(2)剝離襯材之最大峰部高度及算術平均高度測定
上述(1)中,從接著層(黏著劑層)剝離之剝離襯材設置於上述白光干涉儀上,並按上述條件測定剝離襯材之干涉數據,而獲得二維影像。在所得二維影像中,將相對於測定視野面積內之平均面的最大值作為最大峰部高度(Sp)。又,將Ra之值作為算術平均高度(Sa)。此外,最大峰部高度及算術平均高度係採用隨機選出之3點數據平均後之值。
將其結果列示於表1。
(3)基材利用顯微鏡觀察進行缺陷數測定
針對各實施例及各比較例中記載之基材,以顯微鏡(OLYMPUS公司製,商品名BX51,接目鏡倍率10×,物鏡倍率10×)觀察其表面。接著,從觀察視野中隨機選擇0.1mm×0.1mm之區域,以肉眼測定最大費雷特直徑為10µm以上之缺陷數。
其結果列示於表1及表2。
(4)基材的撕裂強度之測定
基本上係依循JIS K7128-1:1998進行測定。
將各實施例及各比較例中記載之基材切斷成150mm×50mm之尺寸。接著,於與長邊平行之方向上從短邊側之端部中心起劃出75mm隙縫,備妥試樣片。此外,MD方向的撕裂強度係以使長邊方向與MD方向平行之方式、且TD方向的撕裂強度係以使長邊方向與TD方向平行之方式,備妥試樣。
將所得試驗片安裝於拉伸試驗機,以拉伸速度200mm/分鐘(溫度23℃/相對濕度50%氣體環境下)進行評估,測定撕裂力。從所得撕裂力算出撕裂強度f。(f=Ft/d(Ft:試驗片之撕裂力[N],d:試驗片之厚度[mm]))
將其結果列示於表1。
(5)表面保護薄膜利用顯微鏡觀察進行缺陷數測定
針對各實施例及各比較例所得之表面保護薄膜,將剝離襯材從接著層(黏著劑層)剝離,使接著層之與基材相反側的表面露出。接著,以使露出之接著層表面與物鏡相對向之方式,使用顯微鏡(OLYMPUS公司製,商品名BX51,接目鏡倍率10×,物鏡倍率10×)觀察。接著,從觀察視野中隨機選擇0.1mm×0.1mm之區域,以肉眼測定最大費雷特直徑為10µm以上之缺陷數。
將其結果列示於表2。
(6)表面保護薄膜之霧度
針對各實施例及各比較例所得之表面保護薄膜,將剝離襯材從接著層(黏著劑層)剝離後,藉由霧度計(日本電色工業公司製「NDH-5000」),從表面保護薄膜之基材側照射光後,依循JIS K7136測定霧度。將其結果列示於表2。
(7)表面保護薄膜之剝離力測定
將各實施例及各比較例中所得之表面保護薄膜裁切成寬度25mm、長度100mm之尺寸,將剝離襯材從接著層(黏著劑層)剝離,並在壓力0.25MPa、進給速度0.3m/分鐘下對壓克力板(Mitsubishi Chemical Co.製「ACRYLATE」,厚度:2mm,寬度:70mm,長度:100mm)進行輥壓接。將該試料靜置於溫度23℃、相對濕度50%之環境下30分鐘後,在該環境下以剝離角度180°、拉伸速度300mm/分鐘進行剝開試驗,測定180°剝離力。將該評估結果列示於表2。
(8)自動檢查異物個數
根據日本專利特開2021-135219號公報記載之手法,計算30mm×30mm中所含異物的個數。此時亦一併實施尺寸分類,該尺寸分類是針對符合10µm~29µm與30µm~100µm之物的尺寸分類。將其結果列示於表2。
(9)自動檢查氣泡個數
根據日本專利特開2021-135219號公報記載之手法,計算30mm×30mm中所含氣泡的個數。此外,檢測尺寸設定成10µm~100µm。將其結果列示於表2。
<PC系樹脂薄膜之製作>
相對於異山梨醇(以下有時簡稱為「ISB」)81.98質量份,將三環癸烷二甲醇(以下有時簡稱為「TCDDM」)47.19質量份、碳酸二苯酯(以下有時簡稱為「DPC」)175.1質量份、及作為觸媒之碳酸銫0.2質量%水溶液0.979質量份投入反應容器中,在氮氣環境下,作為反應第1階段之步驟將加熱槽溫度加熱至150℃,並視需求攪拌使原料溶解(約15分鐘)。接著將壓力從常壓變更至13.3kPa,一邊以1小時使加熱槽溫度上升至190℃,一邊將產生之酚排出反應容器外。將反應容器整體在190℃下保持15分鐘後,作為第2階段之步驟將反應容器內之壓力設成6.67kPa,以15分鐘使加熱槽溫度上升至230℃,並將產生之酚排出反應容器外。由於攪拌機之攪拌轉矩會越來越上升,故為了以8分鐘升溫至250℃並去除產生之酚,係使反應容器內之壓力達至0.200kPa以下。到達預定之攪拌轉矩後,結束反應,將所生成之反應物擠出至水中,而獲得聚碳酸酯樹脂的丸粒。所得聚碳酸酯樹脂的雙折射Δnxy為0.015。將所得聚碳酸酯樹脂在100℃下真空乾燥12小時後,使用具備單軸擠製機(東芝機械公司製,缸筒設定溫度:250℃)、T型模(寬度1700mm,設定溫度:250℃)、澆鑄滾筒(設定溫度:60℃)及捲取機之薄膜製膜裝置,製作出厚度90µm之聚碳酸酯樹脂薄膜。
<丙烯酸聚合物A之聚合>
在具備溫度計、攪拌機、冷卻器及氮氣導入管的反應容器內,將作為單體成分之丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)96.2質量份及丙烯酸羥乙酯(HEA)3.8質量份、還有作為聚合引發劑之2,2'-偶氮雙異丁腈(AIBN)0.2質量份與乙酸乙酯150質量份一同饋入,一邊在23℃下緩慢地攪拌一邊導入氮氣進行氮置換。之後,將液溫保持在65℃附近進行6小時聚合反應,調製出丙烯酸聚合物A之溶液(濃度40質量%)。丙烯酸聚合物A之重量平均分子量為54萬。
<黏著劑組成物A之調製>
於丙烯酸聚合物A之溶液中加入乙酸乙酯,稀釋成濃度20質量%。於該溶液500質量份(固體成分100質量份)中,加入作為交聯劑之六亞甲基二異氰酸酯的三聚異氰酸酯物(東曹(Tosoh)公司製「Coronate HX」)4質量份及作為交聯觸媒之二月桂酸二丁錫(1質量%乙酸乙酯溶液)3質量份(固體成分0.03質量份)並攪拌,調製出黏著劑組成物A。
<丙烯酸聚合物B之聚合>
在具備溫度計、攪拌機、冷卻器及氮氣導入管的反應容器內,將作為單體成分之丙烯酸丁酯95質量份及丙烯酸5質量份、還有作為聚合引發劑之AIBN 0.2質量份與乙酸乙酯186質量份一同饋入,一邊在23℃下緩慢地攪拌一邊導入氮氣進行氮置換。之後,將液溫保持在63℃附近進行10小時聚合反應,調製出丙烯酸聚合物B之溶液(濃度35質量%)。丙烯酸聚合物B之重量平均分子量為50萬。
<黏著劑組成物B之調製>
於丙烯酸聚合物B之溶液中加入乙酸乙酯,稀釋成濃度20質量%。於該溶液500質量份(固體成分100質量份)中,加入作為交聯劑之4官能環氧系化合物(MITSUBISHI GAS CHEMICAL公司製「TETRAD C」)0.075質量份並攪拌,調製出黏著劑組成物B。
<塗敷液A之調製>
混合含乙烯基之加成型聚矽氧(信越化學工業公司製「KS-847T」,30%甲苯溶液)100質量份、鉑觸媒(信越化學工業公司製「CAT-PL-50T」)3質量份、作為稀釋溶劑之甲苯15000質量份、正己烷1500質量份,調整出塗敷液A(參照日本專利特開2015-151473號公報)。
<剝離襯材A之製作>
使用線棒將塗敷液A塗佈於厚度38µm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜(TORAY公司製,型號38U48)之一面後,以熱風乾燥機加熱130℃×1分鐘,而獲得剝離襯材A。此外,塗敷液A之塗佈量設為以固體成分計為0.1g/m
2。
<剝離襯材B之製作>
除了將塗敷液A之塗佈量設為以固體成分計為0.3g/m
2外,依與剝離襯材A相同手法製作。
<剝離襯材C之製作>
除了採用T100C38(Mitsubishi Chemical Co.製,厚度38µm)作為塗佈塗敷液A之PET薄膜外,依與剝離襯材A相同手法製作。此外,塗敷液A之塗佈面係採用PET薄膜之電暈處理面。
[實施例1]
於基材(COP系樹脂薄膜,日本ZEON公司製,型號ZF16)之表面塗佈黏著劑組成物A後使其乾燥,而形成黏著劑層。將基材及黏著劑層之厚度列示於表1。
接著,於黏著劑層之與基材相反側的表面貼附剝離襯材(東洋紡公司製,型號TG704)。將剝離襯材之厚度列示於表1。
藉由以上方式而獲得表面保護薄膜。
[實施例2]
將黏著劑組成物A塗佈於剝離襯材(東洋紡公司製,型號TG704)之表面後使其乾燥,而形成黏著劑層。於所得之黏著劑層貼附基材(COP系樹脂薄膜,日本ZEON公司製,型號ZF16)。將基材、黏著劑層及剝離襯材之厚度列示於表1。
藉由以上方式而獲得表面保護薄膜。
[實施例3]
除了將基材變更成前述PC系樹脂薄膜外,依與實施例2相同方式而獲得表面保護薄膜。
[實施例4]
除了將基材變更成無粒子PET薄膜(TORAY公司製,型號50U48)外,依與實施例1相同方式而獲得表面保護薄膜。
[實施例5]
除了將基材變更成高相位差PET薄膜(東洋紡公司製,品號TA053)外,依與實施例1相同方式而獲得表面保護薄膜。
[實施例6]
除了將剝離襯材(型號TG704)變更成前述剝離襯材A外,依與實施例2相同方式而獲得表面保護薄膜。
[實施例7]
除了將剝離襯材(型號TG704)變更成前述剝離襯材B外,依與實施例2相同方式而獲得表面保護薄膜。
[實施例8]
除了將黏著劑組成物A變更成黏著劑組成物B外,依與實施例2相同方式而獲得表面保護薄膜。
[實施例9]
除了將基材變更成TAC系樹脂薄膜(FUJIFILM公司製,型號TG60UL)外,依與實施例2相同方式而獲得表面保護薄膜。
[實施例10]
除了將基材變更成(甲基)丙烯酸系樹脂薄膜(東洋鋼鐵公司製,型號HTX40)外,依與實施例2相同方式而獲得表面保護薄膜。
[比較例1]
除了將基材變更成PET薄膜(Mitsubishi Chemical Co.製,型號T100C38)外,依與實施例1相同方式而獲得表面保護薄膜。此外,黏著劑層之塗佈面係採用PET薄膜之電暈處理面。
[比較例2]
除了將剝離襯材變更成前述剝離襯材C外,依與實施例2相同方式而獲得表面保護薄膜。
[比較例3]
除了將黏著劑組成物A變更成黏著劑組成物B外,依與比較例2相同方式而獲得表面保護薄膜。
[表1]
[表2]
[評估]
由表1及表2明顯可知,若接著層之與基材相反側的表面之最大谷部深度(Sv)的絕對值為500nm以下、且基材之顯微鏡觀察中最大費雷特直徑10µm以上之缺陷數少於3個,則即便在貼附於保護對象之狀態下供於異物檢查及氣泡檢查,仍可減少起因於表面保護薄膜(基材及接著層)所致之誤測,而可正確檢查保護對象。
產業上之可利用性
本發明表面保護薄膜可適宜用於保護光學構件及電子構件之表面。
1:表面保護薄膜
2:基材
3:接著層
3a:接著層的表面
31:黏著劑層
4:剝離襯材
5:光學構件
圖1係本發明一實施形態之表面保護薄膜的概略剖面圖。
圖2係本發明一實施形態之附表面保護薄膜之光學構件的概略剖面圖。
1:表面保護薄膜
2:基材
3:接著層
3a:接著層的表面
31:黏著劑層
4:剝離襯材
Claims (7)
- 一種表面保護薄膜,具備: 基材;及 接著層,其係積層於前述基材上; 前述接著層之與前述基材相反側的表面之最大谷部深度(Sv)的絕對值為500nm以下; 對前述基材進行顯微鏡觀察時,在100µm×100µm之觀察區域中,最大費雷特直徑為10µm以上之缺陷數少於3個。
- 如請求項1之表面保護薄膜,其中前述接著層之與前述基材相反側的表面之算術平均高度(Sa)的絕對值為25nm以下。
- 如請求項1或2之表面保護薄膜,其中對表面保護薄膜進行顯微鏡觀察時,在100µm×100µm之觀察區域中,最大費雷特直徑為10µm以上之缺陷數少於3個。
- 如請求項1至3中任一項之表面保護薄膜,其中對表面保護薄膜進行顯微鏡觀察時,在100µm×100µm之觀察區域中,最大費雷特直徑小於10µm之缺陷數為5個以下。
- 如請求項1至4中任一項之表面保護薄膜,其中前述基材的撕裂強度為1N/mm以上。
- 如請求項1至5中任一項之表面保護薄膜,其中前述接著層含有選自於由(甲基)丙烯酸系黏著劑、胺甲酸酯系黏著劑及聚矽氧系黏著劑所構成群組中之至少1種黏著劑。
- 一種附表面保護薄膜之光學構件,具備: 光學構件;及 表面保護薄膜,其係如請求項1至6中任一項之表面保護薄膜,且其係藉由前述接著層貼附於前述光學構件上。
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